Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Катодолюминесцентные методы исследования лазерных гетероструктур на основе ZnSe

Диссертация: Катодолюминесцентные методы исследования лазерных гетероструктур на основе ZnSe
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Метод вариации энергии электронного пучка и математическое моделирование результатов измерений рентгеноспектрального микроанализа позволяет определять состав и глубину залегания слоя ZnCdSe толщиной 1−7 нм в гетероструктуре на основе ZnSe с погрешностью не хуже 10% относительных. 3. Модель расчета распределения носителей в гетероструктуре на основе ZnSe, созданных электронным пучком, основанная… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. Катодолюминесценция соединений, А В и гетероструктур на их основе
    • 1. 1. Методы роста пленок и гетероструктур, А В и их особенности
    • 1. 2. Параметры лазерных структур, построенные на исследованных образцах
    • 1. 3. Люминесцентные свойства пленок, А В
      • 1. 3. 1. Спектры люминесценции слоев А2В
    • 1. 4. Люминесцентные свойства гетероструктур, А В
    • 1. 5. Взаимодействие электронного пучка с образцом
      • 1. 5. 1. Потери энергии электронов по глубине структуры
      • 1. 5. 2. Генерация электронно-дырочных пар по области взаимодействия
      • 1. 5. 3. Генерация катод о люминесценции по области взаимодействия
    • 1. 6. КЛ с разрешением по глубине гетероструктуры
  • Выводы к главе 1
  • ГЛАВА 2. Установка и методики исследования
    • 2. 1. Описание образцов
    • 2. 2. Экспериментальная установка
    • 2. 3. Методики микроанализа слоев и гетероструктур, А В
      • 2. 3. 1. Микроанализ толстых пленок гп
  • §-88е
    • 2. 3. 2. Методика микроанализа тонких слоев в гетероструктурах А2В
    • 2. 3. 3. Результаты микроанализа тонких слоев в гетероструктурах, А В
    • 2. 4. Катодолюминесценция слоев и гетероструктур, А В
    • 2. 4. 1. Моделирование распределения генерации носителей заряда по глубине структуры
    • 2. 4. 2. Условия эксперимента и методы измерения катодолюминесценции слоев и гетероструктур А2В
  • Выводы к главе 2
    • ГЛАВА 3. Катодолюминесценция эпитаксиальных слоев, А В
    • 3. 1. Спектры като до люминесценции слоев, А В
    • 3. 2. Временные зависимости интенсивности КЛ и определение энергии активации ловушек
    • 3. 2. 1. Описание разгорания и затухания интенсивности КЛ во времени
    • 3. 2. 2. Определение энергии активации ловушек в слоях
    • 3. 3. Определение концентрации точечных дефектов в слое ZnMgSSe
    • 3. 3. 1. Насыщение интенсивности КЛ широкой полосы (2,1 эВ) от плотности тока электронного пучка
    • 3. 3. 2. Определение концентрации точечных дефектов
    • 3. 3. 3. Результаты определения концентрации точечных дефектов
    • 3. 3. 4. Измерение времени жизни широкой полосы
    • 3. 3. 5. Определение концентрации точечных дефектов в гп
  • §-88е барьерном слое гетероструктур
  • Выводы к главе 3
    • ГЛАВА 4. Исследование гетероструктур на основе Zn. Se модель и результаты
    • 4. 1. Спектры КЛ гетероструктур
    • 4. 2. Послойный анализ гетероструктур методом катодолюминесценции
    • 4. 3. Вид зависимости интенсивности излучения катодолюминесценции КЯ (КТ) от энергии электронного пучка
    • 4. 4. Моделирование экспериментальных результатов с учетом транспорта носителей заряда в гетероструктуре
    • 4. 5. Результаты определение области транспорта носителей заряда
    • 4. 6. Зависимости интенсивности катодолюминесценции от энергии электронного пучка для излучения сверхрешеток и барьерных слоев
    • 4. 7. Деградация структуры под воздействием электронного пучка
  • Выводы к главе 4

Катодолюминесцентные методы исследования лазерных гетероструктур на основе ZnSe (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность работы.

В настоящее время полупроводниковые лазеры зеленого спектрального диапазона (500−550 нм) востребованы во многих областях техники — проекционное лазерное телевидение, оптическая связь, лазерные навигационные системы, высококачественная цветная печать. В 1991 году впервые реализован инжекционный лазер на основе гпБе, излучающий в зеленой области спектра [1], но все усилия последующих лет по увеличению срока службы этого лазера до уровня, позволяющего перейти к промышленному производству, не увенчались успехом. Одна из причин деградации лазера — ухудшение р-типа проводимости используемых структур при высоких уровнях возбуждения [2]. В этой связи, перспективными являются полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком. Преимущество накачки электронным пучком над инжекционной накачкой связано с отсутствием необходимости создания высокой проводимости ри п-типа в широкозонных материалах А2В6, необходимой для реализации излучения в видимой области спектра.

В последние годы была продемонстрирована перспективность использования квантоворазмерных гетероструктур в лазерах сине-зеленого диапазона [3]. Применение многослойных квантоворазмерных гетероструктур гп (Сф8е/2п8е в лазерах с продольным возбуждением сканирующим электронным пучком позволило достичь средней мощности излучения в квазинепрерывном режиме в несколько ватт при комнатной температуре [4]. Использование квантовых точек (КТ) либо квантовых ям (КЯ) в качестве активной области позволяет существенно улучшить основные лазерные характеристики, такие как пороговая плотность тока, характеристическая температура, внешняя квантовая эффективность. При использовании поперечной или продольной накачки КПД может быть выше 10%, что почти на порядок превышает КПД используемых в настоящее время ксеноновых ламп в цветных дисплеях высокого качества. В работе [5] продемонстрированы результаты работы зеленого лазера (535 нм) с накачкой электронным пучком на основе гетероструктуры с 10 активными слоями КЯ 2пСё8е/гп8е. Достигнута эффективность преобразования энергии электронного пучка в свет, равная 7% с выходной мощностью 31 Вт в импульсе с одного лазерного элемента.

В настоящий момент, время жизни лазерных гетероструктур на основе? широкозонных полупроводников, А В все еще слишком мало для использования в коммерческих целях. Основным ограничением, препятствующим быстрому прогрессу в этой области, является относительно низкая энергия активации образования и развития протяженных и точечных дефектов в активной области.

Дефекты упаковки, сформировавшиеся на границе слой-подложка (слой 7п8ебуферный слой ваАв) и прорастающие к поверхности, дислокации и другие протяженные дефекты приводят к безызлучательной рекомбинации электронно-дырочных пар, возникающих при генерации электронным пучком и тем самым уменьшают эффективность лазерной структуры. Наличие точечных дефектов в слоях структуры приводит к захвату носителей и их локализации на дефектах, что в свою очередь также приводит к уменьшению эффективности лазера. В многослойных гетероструктурах ключевым фактором является транспорт носителей заряда в активную область, влияние интерфейсов и качества барьерных слоев и сверхрешеток на эффективность люминесценции. Использование катодолюминесценции (КЛ) при исследовании лазерных гетероструктур позволяет быстрым и неразрушающим способом проводить диагностику гетероструктур и получать информацию о свойствах структур, которую зачастую трудно получить другими способами.

Совершенствование и разработка новых катодолюминесцентных методов изучения полупроводниковых гетероструктур является важным шагом, необходимым для разработки и оптимизации технологии выращивания перспективных лазерных гетероструктур с заданными люминесцентными свойствами. При этом решаются также и задачи фундаментальной науки, необходимые для более глубокого понимания процессов, происходящих в гетероструктурах при облучении их электронным пучком: образование и транспорт носителей заряда, захват носителей заряда ловушками. В связи с этим тема данной работы является актуальной. Цель диссертационной работы.

Цель работы заключается в исследовании катодолюминесцентных свойств эпитаксиальных пленок и гетероструктур на основе 7п8е и разработка катодолюминесцентных методов изучения лазерных гетероструктур с.

7п)Сё8е/гп8е активной областью.

Были поставлены следующие основные задачи:

1. Исследование влияния точечных дефектов на люминесцентные свойства слоев четвертных твердых растворов гп]У^88е. Разработка способа количественного определения точечных дефектов в слоях и гетероструктурах на основе 2п8е.

2. Создание методики рентгеноспектрального микроанализа для определения состава и глубины залегания слоя гпСс18е КЯ в многослойных гетероструктурах на основе 7п8е.

3. Изучение катодолюминесцентных свойств гетероструктуры на основе 2п8е. Определение условий эксперимента для изучения транспорта носителей в гетероструктуре методом катод о люминесценции.

4. Развитие метода моделирования зависимостей интенсивности катодолюминесценции от энергии электронного пучка в гетероструктурах на основе ZnSe.

5. Разработка модели, позволяющей по экспериментальным данным оценивать транспортные свойства гетероструктур на основе 7п8е. Определение факторов влияющих на транспорт носителей в гетероструктуре. Разработка способа оценки качества гетероструктуры по транспорту неравновесных носителей, созданных электронным пучком в гетероструктуре.

Научная новизна.

Научная новизна работы состоит в разработке и применении новых методов катодолюминесценции и рентгеноспектрального микроанализа для исследования гетероструктур на основе 2п8е.

1. Исследованы медленные изменения интенсивности краевой полосы катодолюминесценции слоев 7п]У^88е при непрерывном облучении электронным пучком в зависимости от температуры образца и мощности электронного пучка.

2. Предложен способ количественной оценки точечных дефектов в слоях ZnMgSSe на основе измерений катодолюминесценции излучательных полос.

3. Впервые предложен метод рентгеноспектрального микроанализа наноразмерных слоев, и продемонстрирована возможность определения состава и глубины залегания слоя 7пСс18е толщиной 1−7 нм в гетероструктуре на основе гп8е.

Установлены возможности метода по определению состава слоя толщиной до 1 нм.

4. Показана возможность использования метода катод о люминесценции для исследования гетероструктур на основе 2п8е по глубине. Проведена оценка вертикального транспорта неравновесных носителей заряда генерируемых при облучении электронным пучком, в гетероструктурах с использованием моделирования экспериментальных результатов интенсивности КЛ при вариации энергии электронного пучка. Научная и практическая значимость работы.

Практическая значимость работы состоит в том, что предложены и реализованы методики определения различных параметров гетероструктур на основе ZnSe, таких как состав и глубина залегания слоя квантовой ямы, содержание точечных дефектов в барьерных слоях, характеризация транспортных свойств многослойных гетероструктур, А В .

1. Показана возможность определения концентрации точечных дефектов в слоях системы, А В по их като до люминесценции.

2. Предложен способ моделирования экспериментальных результатов изменения интенсивности КЛ при вариации энергии электронного пучка, позволяющий характеризовать транспортные свойства варизонного волновода использованного в дизайне лазерных гетероструктур на основе 2п8е.

2 6.

3. Разработанные способы характеризации слоев и структур

А В на основе 2п8е методами катодолюминесценции могут быть использованы для сравнения образцов в процессе отработки технологии их роста, а также могут быть использованы в разработке методов исследования других материалов и структур. Положения, выносимые на защиту.

1. Зависимость интенсивности полосы катодолюминесценции, связанной с точечными дефектами в эпитаксиальных пленках 7п1У^88е имеет насыщение при увеличении плотности тока электронного пучка от 0,1 до 2 мА/см2. Интенсивность насыщения пропорциональна содержанию этих дефектов в пленках 7п]У^88е.

2. Метод вариации энергии электронного пучка и математическое моделирование результатов измерений рентгеноспектрального микроанализа позволяет определять состав и глубину залегания слоя ZnCdSe толщиной 1−7 нм в гетероструктуре на основе ZnSe с погрешностью не хуже 10% относительных. 3. Модель расчета распределения носителей в гетероструктуре на основе ZnSe, созданных электронным пучком, основанная на использовании распределений потерь энергии электронов по глубине структуры может успешно применяться для описания вертикального транспорта неравновесных носителей, сгенерированных электронным пучком в гетероструктуре. Апробация работы.

Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на российских и международных школах, конференциях и симпозиумах: XV Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел (Черноголовка 2007 г.) — 9 Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой оптои наноэлектронике (Санкт-Петербург 2007 г.) — 12, 13 International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP) (Берлин Германия 2007 г.- Вилинг, США 2009 г.) — Международная зимняя школа по физике полупроводников (Зеленогорск 2008 г., 2011 г.) — XII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород 2008) — 9, 10 International Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors (BIAMS) (Толедо Испания 2008, Халле, Германия 2010) — 25 Международная конференция по дефектам в полупроводниках (ICDS-25) (Санкт-Петербург 2009) — 14, 15 Международная конференция по соединениям II-VI (Санкт-Петербург 2009, Маян Ривьера, Мексика 2011) — 2-ой Российский симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология» (Санкт-Петербург 2010) — 11 International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN) (Санкт-Петербург 2011).

2 6.

Выводы к главе 4.

По исследованию катодолюминесценции Для двух серий лазерных гетероструктур различного дизайна с Сс18е/7п8е КТ и 7пСс18е2п8е КЯ в активной области были получены следующие результаты и сделаны соответствующие выводы:

1. Показано, что предложенная методика моделирования зависимостей интенсивности КЛ излучения КЯ (КТ) от энергии электронного пучка позволяет характеризовать транспортные свойства варизонного волновода лазерных гетероструктур. Разработана модель транспорта носителей заряда в многослойных гетероструктурах и определены условия эксперимента для изучения транспорта носителей методом катодолюминесценции.

2. Сделано моделирование зависимостей интенсивности излучения КЛ КЯ (КТ) от энергии электронного пучка. Определены области транспорта носителей генерируемых электронным пучком в гетероструктурах, сопоставлены результаты моделирования с толщинами слоев гетероструктур.

3. Сравнительный анализ зависимостей для разных образцов позволил провести качественную оценку структурного совершенства лазерных гетероструктур. По результатам исследования можно сделать следующие заключения: размеры области транспорта носителей по глубине структуры, максимальные значения интенсивности полос КЛ КЯ (КТ), а также интенсивность люминесценции сверхрешеток определяют качество волновода. Концентрации точечных дефектов, характер зависимости КЛ барьерного слоя от энергии электронного пучка и размеры области транспорта гетероструктуры позволяет охарактеризовать качестве нижнего барьерного слоя в гетероструктуре.

4. Показано, что наиболее важным фактором, определяющим эффективность люминесценции светодиодных гетероструктур, является эффективный транспорт носителей заряда через нижний барьерный слой гетероструктуры.

5. Полученные результаты позволят проводить экспрессную диагностику выращенных гетероструктур, а также определить причины низкого качества структур с различным дизайном активной области, волновода и барьерных слоев.

Заключение

и выводы.

1. Представлен разработанный новый метод рентгеноспектрального микроанализа, позволяющий определять состав и глубину залегания наноразмерного слоя 7пС<18е известной толщины в многослойной гетероструктуре на основе 2п8е. Определены возможности метода по определению состава слоя гпСё8е толщиной до 1 нм на глубине до 400 нм.

2. С помощью разработанной методики микроанализа тонких нанометровых слоев в составе гетероструктур определен состав и глубина залегания слоя 2пСс18е с толщинами 1−7 нм. Полученные результаты находятся в согласии с данными по определению глубины слоя в просвечивающей электронной микроскопии. Точность определения результатов менее 10% относительных.

3. Разработана методика позволяющая определять энергию активации мелких уровней ловушек в запрещенной зоне. Методика основана на измерении зависимостей интенсивности катодолюминесценции полосы излучения связанных экситонов во времени при различных условиях возбуждения для разных температур. Энергии активации определенные в слоях 2п8е и гпМ^^е составили порядка 0,02−0,05 эВ.

4. Разработана методика позволяющая определить количество точечных дефектов в.

Л с отдельных пленках на подложке и в барьерных слоях 2п]У%88е структур, А В, расположенных на глубине 200 нм. По спектрам катодолюминесценции проводится анализ широкой дефектной полосы (2,2 эВ) при различных энергиях и плотностях тока электронного пучка. Интенсивность дефектной полосы выходит на насыщение при больших токах накачки, что позволяет по интенсивности насыщения провести расчет концентрации дефектов в исследуемом образце. Для трех различных образцов концентрация точечных дефектов составила от 40−1015 см до 1,5 10 см. Аналогичные результаты определения концентрация точечных дефектов получены в барьерных слоях гетероструктур, там концентрация составили 1,5−4 1015 см" 3.

5. Представлен способ расчета распределения электронно-дырочных пар, генерируемых электронным пучком разных энергии, по глубине гетероструктуры на основе 2п8е.

6. Для двух серий лазерных гетероструктур различного дизайна с СсШе/^пБе КТ и 7пСс18е7п8е КЯ в активной области получены зависимости измерения интенсивности КЛ излучения КЯ (КТ) от энергии электронного пучка. Разработана модель транспорта носителей заряда в многослойных гетероструктурах и на ее основе предложена методика моделирования зависимостей интенсивности КЛ излучения КЯ (КТ) от энергии электронного пучка.

7. Моделирование зависимостей интенсивности излучения КЛ КЯ (КТ) от энергии электронного пучка позволило определить параметры для оценки вертикального транспорта носителей заряда, генерируемых электронным пучком в гетероструктурах, сопоставлены результаты моделирования с толщинами слоев гетероструктур определенных по данным просвечивающей микроскопии.

8. Сравнительный анализ зависимостей для разных образцов позволил провести качественную оценку структурного совершенства лазерных гетероструктур. По результатам исследования можно сделать следующие заключения: размеры области транспорта носителей по глубине структуры, максимальные значения интенсивности полос К Л КЯ (КТ), а также интенсивность люминесценции сверхрешеток определяют качество волновода. Концентрации точечных дефектов, характер зависимости КЛ барьерного слоя от энергии электронного пучка и размеры области транспорта гетероструктуры позволяет охарактеризовать качестве нижнего барьерного слоя в гетероструктуре.

9. Показано, что наиболее важным фактором, определяющим эффективность люминесценции светодиодных гетероструктур, является эффективный транспорт носителей заряда через нижний барьерный слой гетероструктуры.

Показать весь текст

Список литературы

  1. M.A. Haase, J. Qiu, J.M. DePuydt, H. Cheng, Blue-green laser diodes // Applied Physics Letters 1991, 59(11), 1272−1274.
  2. S. Gundel, D. Albert, J. Nurnberger, W. Faschinger, Stability of nitrogen in ZnSe and its role in the degradation of ZnSe lasers // Physical Review B 1999, 60(24), R16271.
  3. D. Herve, R. Accomo, E. Molva, L. Vanzetti, J.J. Paggel et al., Microgun-pumped blue lasers // Applied Physics Letters 1995, 67(15), 2144−2146.
  4. N.G. Basov, E.M. Dianov, V.l. Kozlovsky, A.B. Krysa, A.S. Nasibov et al., Laser Cathode-Ray Tubes Using Multilayer Heterostructures // Laser Physics 1996, 6(3), 608 611.
  5. M.M. Zverev, S.V. Ivanov, N.A. Gamov, E.V. Zdanova, V.B. Studionov et al., Green electron-beam pumped laser arrays based on II-VI nanostructures // physica status solidi (b) 2010, 247(6), 1561−1563.
  6. S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, P. S. Kop’ev, J.R. Kim, H.D. Jung et al., Composition, stoichiometry and growth rate control in molecular beam epitaxy of ZnSe based ternary and quaternary alloys // Journal of Crystal Growth 1996, 159(1^-), 16−20.
  7. S. Guha, H. Munekata, F.K. LeGoues, L.L. Chang, Growth mode and dislocation distribution in the ZnSe/GaAs (100) system // Applied Physics Letters 1992, 60(26), 32 203 222.
  8. S. Guha, J.M. DePuydt, M.A. Haase, J. Qiu, H. Cheng, Degradation of II-VI based blue-green light emitters // Applied Physics Letters 1993, 63(23), 3107−3109.
  9. C.C. Chu, T.B. Ng, J. Han, G.C. Hua, R.L. Gunshor et al., Reduction of structural defects in II-VI blue green laser diodes // Applied Physics Letters 1996, 69(5), 602−604.
  10. S. Ivanov, A. Toropov, S. Sorokin, T. Shubina, N. Il’inskaya et al., Molecular beam epitaxy of alternating-strain ZnSe-based multilayer heterostructures for blue-green lasers // Semiconductors 1998, 32(10), 1137−1140.
  11. H.-C. Ko, D.-C. Park, Y. Kawakami, S. Fujita, S. Fujita, Self-organized CdSe quantum dots onto cleaved GaAs (110) originating from Stranski-Krastanow growth mode // Applied Physics Letters 1997, 70(24), 3278−3280.
  12. S.H. Xin, P.D. Wang, A. Yin, C. Kim, M. Dobrowolska et al., Formation of self-assembling CdSe quantum dots on ZnSe by molecular beam epitaxy // Applied Physics Letters 1996, 69(25), 3884−3886.
  13. S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, A.V. Lebedev et al., Growth and excitonic properties of single fractional monolayer CdSe/ZnSe structures // Journal of Applied Physics 1998, 83(6), 3168−3171.
  14. S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, A.V. Lebedev et al., II-VI laser heterostructures with different type of active region // Thesis of Nanostructures: Physics and technology, 1999, 1−6.
  15. S.V. Ivanov, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, A.V. Lebedev et al., Ultra-low threshold ZnSe-based lasers with novel design of active region // Journal of Crystal Growth 1999, 201−202, 942−945.
  16. N. Peranio, A. Rosenauer, D. Gerthsen, S.V. Sorokin, I.V. Sedova et al., Structural and chemical analysis of CdSe/ZnSe nanostructures by transmission electron microscopy // Physical Review В 2000, 61(23), 16 015.
  17. Z. Zhu, H. Yoshihara, K. Takebayashi, T. Yao, Interfacial alloy formation in ZnSe/CdSe quantum-well heterostructures characterized by photoluminescence spectroscopy // Applied Physics Letters 1993, 63(12), 1678−1680.
  18. J.M. Gaines, R.R. Drenten, K.W. Haberern, T. Marshall, P. Mensz et al., Blue-green injection lasers containing pseudomorphic ZnMgSSe cladding layers and operating up to 394 К // Applied Physics Letters 1993, 62(20), 2462−2464.
  19. K. Mohammed, D.J. Olego, P. Newbury, D.A. Cammack, R. Dalby et al., Quantum confinement and strain effects in ZnSe-ZnSSe strained-layer superlattices // Applied Physics Letters 1987, 50(25), 1820−1822.
  20. C.B. Иванов, П. С. Копьев, A.A. Торопов, Сине-зеленые лазеры на основе короткопериодных сверхрешеток в системе А2В6 // Успехи Физических Наук 1999, 169(4), 468−471.
  21. Н. Kalisch, М. Lunenburger, Н. Hamadeh, J. Xu, М. Heuken, Optimized metalorganic vapour phase epitaxy of ZnMgSSe heterostructures // Journal of Crystal Growth 1998, 184−185(0), 129−133.
  22. V.S. Sorokin, S.V. Sorokin, V.A. Kaygorodov, S.V. Ivanov, Instability and immiscibility regions in MgxZnl-xSySel-y alloys // Journal of Crystal Growth 2000, 214 215, 130−134.
  23. B.J. Wu, J.M. DePuydt, G.M. Haugen, G.E. Hofler, M.A. Haase et al., Wide band gap ZnMgSSe grown on (001) GaAs by molecular beam epitaxy // Applied Physics Letters 1995, 66(25), 3462−3464.
  24. S. Tomiya, H. Okuyama, A. Ishibashi, Relation between interface morphology and recombination-enhanced defect reaction phenomena in II-VI light emitting devices // Applied Surface Science 2000, 159−160(0), 243−249.
  25. C. Verie, Covalency engineering through alloying with beryllium chalcogenides in wide band-gap II-VI crystals // Journal of Electronic Materials 1998, 27(6), 782−787.
  26. A. Avramescu, T. Lermer, uuml, J. ller, C. Eichler et al., True Green Laser Diodes at 524 nm with 50 mW Continuous Wave Output Power on on c-Plane GaN // Applied Physics Express 3, 61 003.
  27. M. Zverev, N. Gamov, E. Zhdanova, D. Peregudov, V. Studenov et al., Green lasers based on CdSe/ZnSe nanostructures pumped by electron beams with energies below 10 keV // Technical Physics Letters 2007, 33(12), 1032−1034.
  28. S.V. Ivanov, E.V. Lutsenko, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Gronin et al., Compact green laser converter with injection pumping, based on MBE grown II-VI nanostructures // Journal of Crystal Growth 2009, 311(7), 2120−2122.
  29. S.V. Gronin, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Ivanov, E.V. Zdanova et al., ZnSe-based laser structures for electron-beam pumping with graded index waveguide // physica status solidi © 2010, 7(6), 1694−1696.
  30. D.A. Cammack, R.J. Dalby, H.J. Cornelissen, J. Khurgin, Electron beam pumped lasing in ZnSe/ZnSSe superlattice structures grown by molecular-beam epitaxy // Journal of Applied Physics 1987, 62(7), 3071−3074.
  31. M. Zverev, N. Gamov, D. Peregoudov, V. Studionov, E. Zdanova et al., An efficient electron-beam-pumped semiconductor laser for the green spectral range based on II-VI multilayer nanostructures // Semiconductors 2008, 42(12), 1440−1444.
  32. A. Waag, T. Litz, F. Fischer, H.J. Lugauer, T. Baron et al., Novel beryllium containing II-VI compounds: basic properties and potential applications // Journal of Crystal Growth 1998, 184−185(0), 1−10.
  33. S. Ozaki, S. Adachi, Optical constants of ZnSSe ternary alloys // Journal of Applied Physics 1994, 75(11), 7470−7475.
  34. N. Morozova, I. Karetnikov, D. Mideros, E. Gavrishchuk, V. Ikonnikov, Investigation of the effect of oxygen on the cathodoluminescence spectra and band gap of the ZnSSe alloy // Semiconductors 2006,40(10), 1155−1161.
  35. W.C. Chou, C.S. Yang, A.H.M. Chu, A.J. Yeh, C.S. Ro et al., Optical properties of ZnSSe epilayers grown on misoriented GaAs substrates // Journal of Applied Physics 1998, 84(4), 2245−2250.
  36. E. Oh, S.D. Lee, H.D. Jung, J.R. Kim, M.D. Kim et al., Optical and structural properties of ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe separate confinement heterostructures // Journal of Applied Physics 1996, 80(10), 5951−5954.
  37. H.J. Chen, D.Y. Lin, Y.S. Huang, R.C. Tu, Y.K. Su et al., Temperature dependence of the band-edge exciton of a ZnMgSSe epilayer on GaAs // Semiconductor Science and Technology 1999,(1), 85.
  38. H. Okuyama, Y. Kishita, A. Ishibashi, Quaternary alloy ZnMgSSe // Physical Review B 1998, 57, 2257.
  39. U. Lunz, C. Schumacher, J. Nurnberger, K. Schull, A. Gerhard et al., The energy gap of ZnMgSSe epitaxial layers as a function of composition and temperature // Semiconductor Science and Technology 1997, 12(8), 970−973.
  40. U. Lunz, C.R. Becker, W. Faschinger, G. Landwehr, Comment on «Quaternary alloy ZnMgSSe» // Physical Review B 1998, 58, 11 052.
  41. K.L. Teo, Y.P. Feng, M.F. Li, T.C. Chong, J.B. Xia, Band structure of MgZnSSe // Semiconductor Science and Technology 1994, 9(4), 349.
  42. Y. Rakovich, A. Gurskii, A. Smal', A. Gladyshchuk, K. Khamadi et al., Structure of the free exciton luminescence band of heteroepitaxial ZnSe/GaAs layers // Physics of the Solid State 1998, 40(5), 812−813.
  43. В.П. Махний, М. М. Слетов, Ю. Я. Чабан, Влияние изовалентной примеси магния на температурную стабильность голубой люминесценции селенида цинка // Журнал технической физики 2002, 72(6), 135−136.
  44. K.M. Lee, D. Le Si, G.D. Watkins, Optically detected magnetic resonance of the zinc vacancy in ZnSe // Solid State Communications 1980, 35(7), 527−530.
  45. M. Valakh, N. Vuychik, V. Strelchuk, S. Sorokin, T. Shubina et al., Low-temperature anti-Stokes photoluminescence in CdSe/ZnSe nanostructures // Semiconductors 2003, 37(6), 699−704.
  46. K. Ohkawa, T. Mitsuyu, O. Yamazaki, Characteristics of Cl-doped ZnSe layers grown by molecular-beam epitaxy // Journal of Applied Physics 1987, 62(8), 3216−3221.
  47. E. Snoeks, T. Marshall, J. Petruzzello, M.D. Pashley, L.L. Chao et al., Diffusion lengths of carriers in n- and p-type ZnMgSSe cladding layers of green laser diodes // Journal of Applied Physics 1998, 84(7), 3611−3616.
  48. H.T. Lin, D.H. Rich, D.B. Wittry, Cathodoluminescence study of domains, defects, and interdiffusion in ZnSe/GaAs (100) // Journal of Applied Physics 1994, 75(12), 80 808 084.
  49. J.S. Song, S.H. Seo, M.H. Oh, J.H. Chang, M.W. Cho et al., Suppression of impurity interdiffusion in heteroepitaxy by inserting a low-temperature buffer layer in between the epilayer and the substrate // Journal of Crystal Growth 2004, 261(1), 159−163.
  50. E. Dianov, P. Trubenko, E. Filimonov, E. Shcherbakov, Effect of thermal annealing on the luminescence properties of ZnCdSe/ZnSe quantum-well structures // Semiconductors 1997, 31(2), 186−188.
  51. D. Albert, J. Nurnberger, V. Hock, M. Ehinger, W. Faschinger et al., Influence of p-type doping on the degradation of ZnSe laser diodes // Applied Physics Letters 1999, 74(14), 1957−1959.
  52. V. Pellegrini, R. Atanasov, A. Tredicucci, F. Beltram, C. Amzulini et al., Excitonic properties of Znl-xCdxSe/ZnSe strained quantum wells // Physical Review В 1995, 51(8), 5171−5175.
  53. M. Maksimov, I. Krestnikov, S. Ivanov, N. Ledentsov, S. Sorokin, Calculation of the size-quantization levels in strained ZnCdSe/ZnSe quantum wells // Semiconductors 1997, 31(8), 800−803.
  54. U. Lunz, J. Kuhn, F. Goschenhofer, U. Schussler, S. Einfeldt et al., Temperature dependence of the energy gap of zinc-blende CdSe and CdZnSe epitaxial layers // Journal of Applied Physics 1996, 80(12), 6861−6863.
  55. X.L. Lei, N.J.M. Horing, H.L. Cui, K.K. Thornber, One-dimensional confinement effects on miniband transport in a semiconductor superlattice // Physical Review В 1993, 48(8), 5366−5373.
  56. A. Chomette, B. Deveaud, J.Y. Emery, A. Regreny, Enlarged wells as probes to study superlattices // Superlattices and Microstructures 1985, 1(3), 201−204.
  57. K. Fujiwara, N. Tsukada, T. Nakayama, A. Nakamura, Perpendicular transport of photoexcited electrons and holes in GaAs/AlAs short-period superlattices: Barrier-thickness and temperature dependence // Physical Review В 1989, 40(2), 1096−1101.
  58. В. Lambert, В. Deveaud, A. Chomette, A. Regreny, B. Sermage, Density-dependent transition from electron to ambipolar vertical transport in short-period GaAs-AlGaAs superlattices // Semiconductor Science and Technology 1989, 4(7), 513.
  59. C.G. Van de Walle, Band lineups and deformation potentials in the model-solid theory //Physical Review В 1989, 39, 1871.
  60. U. Behn, N. Linder, H.T. Grahn, K. Ploog, Investigation of miniband formation in a graded-gap superlattice by electroreflectance spectroscopy // Physical Review B 1995, 51(23), 17 271−17 274.
  61. F. Lukiyanov, E. Rau, R. Sennov, Depth range of primary electrons, electron beam broadening, and spatial resolution in electron-beam studies // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics 2009, 73(4), 441−449.
  62. K. Kanaya, S. Okayama, Penetration and energy-loss theory of electrons in solid targets // Journal of Physics D: Applied Physics 1972, 5(1), 43.
  63. D.F. Kyser, D.B. Wittry, Spatial distribution of excess carriers in electron-beam excited semiconductors // Proc. IEEE 1967, 55(3), 733−734.
  64. T.E. Everhart, P.H. Hoff, Determination of Kilovolt Electron Energy Dissipation vs Penetration Distance in Solid Materials // Journal of Applied Physics 1971, 42(13), 58 375 846.
  65. C.J. Wu, D.B. Wittry, Investigation of minority-carrier diffusion lengths by electron bombardment of Schottky barriers // Journal of Applied Physics 1978, 49(5), 2827−2836.
  66. P. Henoc, B. Akamatsu, R.B. Martins, Cathodoluminescence in double heterojunction lasers//J. Phys. Colloques 1989, 50(C6), C6−73-C76−83.
  67. S.G. Konnikov, V.A. Solovev, V.E. Umanskii, V.M. Chistyakov, Function describing generation of elctron-hole pairs in III-V semiconductors excited by an electron-beam // Soviet Physics Semiconductors 1987, 21(11), 1229−1231.
  68. D.C. Joy, Monte Carlo modelling for electron microscopy and microanalysis Oxford University Press 1995.
  69. D. Drouin, A.R. Couture, D. Joly, X. Tastet, V. Aimez et al., CASINO V2.42 A Fast and Easy-to-use Modeling Tool for Scanning Electron Microscopy and Microanalysis Users // Scanning 2007, 29(3), 92−101.
  70. W. Shockley, Problems related to p-n junctions in silicon // Solid-State Electronics 1961, 2(1), 35−60, IN39-IN10, 61−67.
  71. C.A. Klein, Bandgap Dependence and Related Features of Radiation Ionization Energies in Semiconductors // Journal of Applied Physics 1968, 39(4), 2029−2038.
  72. R.C. Alig, S. Bloom, Electron-Hole-Pair Creation Energies in Semiconductors // Physical Review Letters 1975, 35(22), 1522.
  73. G. Bertuccio, D. Maiocchi, Electron-hole pair generation energy in gallium arsenide by x and gamma photons // Journal of Applied Physics 2002, 92(3), 1248−1255.
  74. M.R. Phillips, Cathodoluminescence Microscopy and Spectroscopy of Opto-Electronic Materials // Microchimica Acta 2006, 155(1), 51−58.
  75. B.JI. Бонч-Бруевич, К. С.Г., Физика полупроводников Наука, Москва, 1990 685.
  76. D.B. Wittry, D.F. Kyser, Measurement of Diffusion Lengths in Direct-Gap Semiconductors by Electron-Beam Excitation // Journal of Applied Physics 1967, 38(1), 375−382.
  77. В.И. Петров, Катодолюминесцентная микроскопия // Успехи Физических Наук 1996, 166(8), 859−871.
  78. Ж. Панков, Оптические процессы в полупроводниках Мир, Москва, 1973.
  79. T.S. Rao-Sahib, D.B. Wittry, Measurement of Diffusion Lengths in p-Type Gallium Arsenide by Electron Beam Excitation // Journal of Applied Physics 1969, 40(9), 37 453 750.
  80. I. Burylova, V. Petrov, M. Snopova, M. Stepovich, Mathematical simulation of the distribution of minority charge carriers generated in a multilayer semiconducting structure by a wide electron beam // Semiconductors 2007, 41(4), 444−447.
  81. N. Puhlmann, G. Oelgart, Semiconductor Characterization by Means of EBIC, Cathodo-, and Photoluminescence //Physica Status Solidi (a) 1990, 122(2), 705−713.
  82. J.-M. Bonard, J.-D. Ganiere, B. Akamatsu, D. Araujo, F.-K. Reinhart, Cathodoluminescence study of the spatial distribution of electron-hole pairs generated by an electron beam in Al0.4Ga0.6As // Journal of Applied Physics 1996, 79(11), 8693−8703.
  83. M. Godlewski, T. Wojtowicz, E.M. Goldys, M.R. Phillips, R. Czernecki et al., In-depth and in-plane profiling of light emission properties from semiconductor-based heterostructures // Opto-Electronics Review 2004, 12(4), 353−359.
  84. J. Barjon, J. Brault, B. Daudin, D. Jalabert, B. Sieber, Cathodoluminescence study of carrier diffusion in AlGaN // Journal of Applied Physics 2003, 94(4), 2755−2757.
  85. S. Konnikov, A. Gutkin, M. Zamoryanskaya, T. Popova, A. Sitnikova et al., Integrated diagnostics of heterostructures with QW layers // Semiconductors 2009, 43(9), 1240−1247.
  86. Y. Xia, Y. Li, T. Detchprohm, C. Wetzel, Depth profile of donor-acceptor pair transition revealing its effect on the efficiency of green LEDs // Physica B: Condensed Matter 2009, 404(23−24), 4899−4902.
  87. R. Renoud, F. Papin, J.P. Ganachaud, J. Bigarre, In-depth analysis of defects of an insulating sample by cathodoluminescence // Physica Status Solidi (a) 2006, 203(3), 591 599.
  88. M. Toth, M.R. Phillips, Monte Carlo modeling of cathodoluminescence generation using electron energy loss curves // Scanning 1998, 20(6), 425−432.
  89. F.B. Nasr, A. Matoussi, R. Salh, S. Guermazi, H.-J. Fitting et al., Cathodoluminescence study of undoped GaN films: Experiment and calculation // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 2009, 41(3), 454−459.
  90. X.B. Zhang, H.K. Won, S.K. Hark, Depth-resolved cathodoluminescence study of ZnCdSe epilayer grown on (001) InP by metal organic chemical vapor phase deposition // Applied Physics Letters 1998, 73(22), 3238−3240.
  91. L.J. Brillson, Y. Dong, D. Doutt, D.C. Look, Z.Q. Fang, Massive point defect redistribution near semiconductor surfaces and interfaces and its impact on Schottky barrier formation // Physica B: Condensed Matter 2009, 404(23−24), 4768−4773.
  92. L.J. Brillson, H.L. Mosbacker, D.L. Doutt, Y. Dong, Z.Q. Fang et al., Nanoscale depth-resolved cathodoluminescence spectroscopy of ZnO surfaces and metal interfaces // Superlattices and Microstructures 2009, 45(4−5), 206−213.
  93. H.C. Ong, A.S.K. Li, G.T. Du, Depth profiling of ZnO thin films by cathodoluminescence // Applied Physics Letters 2001, 78(18), 2667−2669.
  94. J.D. Ye, H. Zhao, W. Liu, S.L. Gu, R. Zhang et al., Theoretical and experimental depth-resolved cathodoluminescence microanalysis of excitonic emission from ZnO epilayers // Applied Physics Letters 2008, 92(13), 131 914−131 913.
  95. A. Djemel, A. Nouiri, R.-J. Tarento, Study of surface defects in GaAs by cathodoluminescence: calculation and experiment//Journal of Physics: Condensed Matter2000, 12(49), 10 343.
  96. K. Fleischer, M. Toth, M.R. Phillips, J. Zou, G. Li et al., Depth profiling of GaN by cathodoluminescence microanalysis // Applied Physics Letters 1999, 74(8), 1114−1116.
  97. X. Li, J.J. Coleman, Depth-resolved and excitation power dependent cathodoluminescence study of GaN films grown by metalorganic chemical vapor deposition // Applied Physics Letters 1997, 70(4), 438−440.
  98. C. Wang, et al., Cathodoluminescence of homogeneous cubic GaN/GaAs (001) layers // Semiconductor Science and Technology 1999, 14(2), 161.
  99. O. Gelhausen, H.N. Klein, M.R. Phillips, E.M. Goldys, Influence of low-energy electron beam irradiation on defects in activated Mg-doped GaN // Applied Physics Letters 2002,81(20), 3747−3749.
  100. K. Knobloch, P. Perlin, J. Krueger, E.R. Weber, C. Kisielowski, Effect of internal absorption on cathodoluminescence from GaN // Mrs Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 1998, 3(3−4), 4.
  101. O. Gelhausen, M.R. Phillips, M. Toth, Depth-resolved cathodoluminescence microanalysis of near-edge emission in Ill-nitride thin films // Journal of Applied Physics2001, 89(6), 3535−3537.
  102. M. Godlewski, E.M. Goldys, M.R. Phillips, R. Langer, A. Barski, Cathodoluminescence depth-profiling studies of GaN/AlGaN quantum-well structures // Journal of Materials Research 2000, 15(2), 495−501.
  103. H.Y. Lin, Y.F. Chen, T.Y. Lin, C.F. Shih, K.S. Liu et al., Direct evidence of compositional pulling effect in AlGaN epilayers // Journal of Crystal Growth 2006, 290(1), 225−228.
  104. F.B. Nasr, A. Matoussi, S. Guermazi, Z. Fakhfakh, Cathodoluminescence study in AlGaN structures // Materials Science and Engineering: C 2008, 28(5−6), 618−622.
  105. S. Pereira, M. Correia, E. Pereira, K. O’Donnell, C. Trager-Cowan et al., Depth Resolved Studies of Indium Content and Strain in InGaN Layers // physica status solidi (b) 2001,228(1), 59−64.
  106. F.B. Nasr, A. Matoussi, S. Guermazi, Z. Fakhfakh, Cathodoluminescence investigations of GaAs thin layers // Physics Procedia 2009, 2(3), 827−833.
  107. H. Koyama, Cathodoluminescence study of Si02 // Journal of Applied Physics 1980, 51(4), 2228−2235.
  108. J.F. Bresse, A new analytical model for cathodoluminescence emission as a function of the beam energy in GaAs and InP materials // Materials Science and Engineering: B 1996, 42(1−3), 199−203.
  109. C. de Meerschman, B. Sieber, J.-L. Farvacque, Y. Druelle, Microscale characterisation of epitaxial semiconducting homolayers. I. Cathodoluminescence // Microsc. Microanal. Microstruct. 1992, 3(6), 483−499.
  110. M.V. Zamoryanskaya, S.G. Konnikov, A.N. Zamoryanskii, A High-Sensitivity System for Cathodoluminescent Studies with the Camebax Electron Probe Microanalyzer // Instruments and Experimental Techniques 2004, 47(4), 477−483.
  111. A.P. Mackenzie, Recent progress in electron probe microanalysis // Reports on Progress in Physics 1993, 56(4), 557.
  112. J.I. Goldstein, D.E. Newbury, P. Echlin, D.C. Joy, C.E. Lyman et al., Scanning electron microscopy and X-ray microanalysis Kluwer Academic Plenum Publishers, Dordrecht, London, Moscow, New York, 2003 689.
  113. C.S. Campos, E.A. Coleoni, J.C. Trincavelli, J. Kaschny, R. Hubbier et al., Metallic thin film thickness determination using electron probe microanalysis // X-Ray Spectrometry 2001, 30(4), 253−259.
  114. A. Moller, S. Weinbruch, F.J. Stadermann, H.M. Ortner, K. Neubeck et al., Accuracy of film thickness determination in electron probe microanalysis // Microchimica Acta 1995, 119(1), 41−47.
  115. Y. Osada, Electron probe microanalysis (EPMA) measurement of aluminum oxide film thickness in the nanometer range on aluminum sheets // X-Ray Spectrometry 2005, 34(2), 92−95.
  116. R. Gauvin, Quantitative X-Ray Microanalysis of Heterogeneous Materials Using Monte Carlo Simulations // Microchimica Acta 2006, 155(1), 75−81.
  117. A. Armigliato, R. Rosa, X-Ray Microanalysis Combined with Monte Carlo Simulation for the Analysis of Layered Thin Films: The Case of Carbon Contamination // Microscopy and Microanalysis 2009, 15(02), 99−105.
  118. J.-L. Pouchou, X-Ray Microanalysis of Thin Surface Films and Coatings // Microchimica Acta 2002, 138(3), 133−152.
  119. T. Nagatomi, Monte Carlo modeling of electron-excited X-ray emission from bulk materials and thin-film/substrate systems // Surface and Interface Analysis 2005, 37(11), 887−894.
  120. Y. Hu, Y. Pan, Method for the calculation of the chemical composition of a thin film by Monte Carlo simulation and electron probe microanalysis // X-Ray Spectrometry 2001, 30(2), 110−115.
  121. M. Kittler, J. Larz, Analytical, structural and electrical characterization of SiGe layers by electron microbeam techniques // Microchimica Acta 1994, 114(1), 327−334.
  122. X. Llovet, C. Merlet, Electron Probe Microanalysis of Thin Films and Multilayers Using the Computer Program XFILM // Microscopy and Microanalysis 2010, 16(01), 2132.
  123. R. Martin, P. Edwards, K. O’Donnell, E. Mackay, I. Watson, Microcomposition and Luminescence of InGaN Emitters //Physica Status Solidi (a) 2002, 192(1), 117−123.
  124. Y.V. Domracheva, L.A. Bakaleinikov, E.Y. Flegontova, V.N. Jmerik, T.B. Popova et al., Investigation of In x Gal- x N layers by local methods // Microchimica Acta 2008, 161(3), 371−375.
  125. T. Popova, L. Bakaleinikov, M. Zamoryanskaya, E. Flegontova, X-ray spectrum microanalysis of semiconductor epitaxial heterostructures on the basis of a monte carlo simulation of electron transport // Semiconductors 2008, 42(6), 669−674.
  126. L. Bakaleinikov, Y. Domrachova, E. Kolesnikova, M. Zamoryanskaya, T. Popova et al., Depth profiling of semiconductor structures by X-ray microanalysis using the electron probe energy variation technique // Semiconductors 2009, 43(4), 544−549.
  127. T. Popova, L. Bakaleinikov, E. Flegontova, A. Shakhmin, M. Zamoryanskaya, Electron probe microanalysis of heterostructures with nanolayers // Semiconductors 2011, 45(2), 260−264.
  128. D.R. Penn, Electron mean-free-path calculations using a model dielectric function // Physical Review B 1987, 35(2), 482−486.
  129. Z.J. Ding, R. Shimizu, Inelastic collisions of kV electrons in solids // Surface Science 1989, 222(2−3), 313−331.
  130. R. Shimizu, Z.-J. Ding, Monte Carlo modelling of electron-solid interactions // Reports on Progress in Physics 1992, 55(4), 487.
  131. E. Flegontova, L. Bakaleinikov, K. Pogrebitskii, H.-J. Lee, Y.-K. Cho et al., Effective calculation of energy loss and scattering angle at electron-target material inelastic interaction // Technical Physics 2000, 45(12), 1518−1523.
  132. T. Yao, M. Fujimoto, S.K. Chang, H. Tanino, Fabrication of ZnS/(ZnSe)n/ZnS single quantum well structures and photoluminescence properties // Journal of Crystal Growth 1991, 111(1−4), 823−828.
  133. R. Passler, E. Griebl, H. Riepl, G. Lautner, S. Bauer et al., Temperature dependence of exciton peak energies in ZnS, ZnSe, and ZnTe epitaxial films // Journal of Applied Physics 1999, 86(8), 4403−4411.
  134. A. Chergui, et al., Optical characterization of pure ZnSe epilayers grown by metal organic vapour-phase epitaxy // Semiconductor Science and Technology 1994, 9(11), 2073.
  135. S.V. Ivanov, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, I.V. Sedova et al., CdSe fractional-monolayer active region of molecular beam epitaxy grown green ZnSe-based lasers // Applied Physics Letters 1999, 74(4), 498−500.
  136. S. Ivanov, A. Toropov, S. Sorokin, T. Shubina, A. Lebedev et al., ZnSe-based blue-green lasers with a short-period superlattice waveguide // Applied Physics Letters 1998, 73(15), 2104−2106.
  137. Q. Liu, H. Lakner, C. Mendorf, W. Taudt, M. Heuken et al., The influence of structural defects in ZnSe/GaAs heterostructures on luminescence properties // Journal of Physics D: Applied Physics 1998, 31(19), 2421.
  138. M.V. Nazarov, D.Y. Jeon, J.H. Kang, E.J. Popovici, L.E. Muresan et al., Luminescence properties of europium-terbium double activated calcium tungstate phosphor // Solid State Communications 2004, 131(5), 307−311.
  139. W.F. van der Weg, M.W. van Tol, Saturation effects of cathodoluminescence in rare-earth activated epitaxial Y3A150i2 layers // Applied Physics Letters 1981, 38(9), 705−707.
  140. M.V. Zamoryanskaya, Cathodoluminescence of Si02/Si System // Solid State Phenomena 2009, 156−158,487−492.
  141. A. Hierro, D. Kwon, S.A. Ringel, S. Rubini, E. Pelucchi et al., Photocapacitance study of bulk deep levels in ZnSe grown by molecular-beam epitaxy // Journal of Applied Physics 2000, 87(2), 730−738.
  142. K. Yoneda, Y. Hishida, H. Ishii, Deep electron traps in undoped, molecular beam epitaxially grown ZnSe // Applied Physics Letters 1985, 47(7), 702−704.
  143. Основные работы, включенные в диссертацию
  144. A.A. Shakhmin, M.V. Zamoryanskaya, I.N. Arsentyev, S.G. Konnikov, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov, GaAs quantum well structures investigation by local cathodoluminescence // Superlattices and Microstructures 2009, v. 45 No 4−5, p. 376 382
  145. С.Г. Конников, A.A. Гуткин, M.B. Заморянская, Т. Б. Попова, A.A. Ситникова, A.A. Шахмин, М. А. Яговкина, Комплексная диагностика гетероструктур с квантоворазмерными слоями // ФТП 2009, т. 43 вып. 9, с. 1280−1287
  146. A.A. Shakhmin, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, H.-J. Fitting, M.V. Zamoryanskaya, ZnSe based films characterization by cathodoluminescence, // Physica B: Condensed Matter 2009, v. 404 No. 23−24, p. 5016−5018
  147. M.V. Zamoiyanskaya, Ya.V. Domracheva, A.A. Shakhmin, D.B. Shustov, A.N. Trofimov, S.G. Konnikov, Local cathodoluminescence study of defects in semiconductors and multilayer structures // Physica B: Condensed Matter 2009, v. 404 No. 23−24, p. 5042−5044
  148. A.A. Shakhmin, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, H.-J. Fitting, M.V. Zamoryanskaya, Cathodoluminescence of wide-band-gap II-VI quaternary alloys // Physica Status Solidi © 2010, v. 7 No. 6, p. 1457−1459
  149. Т.Б. Попова, Л. А. Бакалейников, Е. Ю. Флегонтова, A.A. Шахмин, M.B. Заморянская, Рентгеноспектральный микроанализ гетероструктур с наноразмерными слоями // ФТП 2011, т. 45 вып. 2, с. 263−267
Заполнить форму текущей работой

На отлично!