Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Диссипативные процессы в оптических средах на основе легированных кристаллов (Li, Na) F различной размерности

Диссертация: Диссипативные процессы в оптических средах на основе легированных кристаллов (Li, Na) F различной размерности
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Диссертационная работа является результатом законченного цикла фундаментально-прикладных исследований люминесцентных и сцинтилляционных свойств оптических сред на основе кристаллов фторидов лития и натрия, проводимых автором с 1987 года в лаборатории кристаллофизики Института физики Национальной академии наук Кыргызской Республики. На различных этапах работы исследования выполнялись совместно… Читать ещё >

Содержание

  • Сокращения и условные обозначения
  • Актуальность работы
  • Связь темы с планами научных работ
  • Цель работы. И
  • Новизна
  • Практическая ценность
  • Достоверность и обоснованность результатов
  • Автор защищает
  • Личный вклад автора
  • Апробация работы
  • ГЛАВА 1. СИНТЕЗ КРИСТАЛЛОВ (LI, NA) F РАЗЛИЧНОЙ РАЗМЕРНОСТИ, АППАРАТУРА И МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ
    • 1. 1. Большеразмерные монокристаллы
      • 1. 1. 1. Синтез монокристаллов
      • 1. 1. 2. Модели роста кристаллов
      • 1. 1. 3. Теоретический расчет выращивания кристаллов методом Киропулоса
    • 1. 2. Волоконные монокристаллы
      • 1. 2. 1. Синтез волокон методом микровытягивания
        • 1. 2. 1. 1. Модель роста |i-PD волокон
        • 1. 2. 1. 2. Примеры выращивания
        • 1. 2. 1. 3. Формирование дополнительной конденсированной фазы на поверхности кристалловолокон
      • 1. 2. 2. Синтез волокон методом лазерного разогрева
        • 1. 2. 2. 1. Модель роста LHPG волокон
    • 1. 3. Наноразмерные кристаллы
      • 1. 3. 1. Синтез нанокристаллов
      • 1. 3. 2. Аппаратура метода лазерной абляции
  • Выводы к Главе 1
  • ГЛАВА 2. АППАРАТУРА ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ РАДИАЦИОННО-ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ И АТТЕСТАЦИЯ ОБРАЗЦОВ
    • 2. Л. Приборы и аппаратура для исследования образцов
      • 2. 1. 1. Аппаратура для аттестации синтезированных кристаллов
      • 2. 1. 2. Экспериментальные установки для радиационной модификации свойств кристаллов
      • 2. 1. 3. Аппаратура для исследования спектров оптического пропускания и поглощения
      • 2. 1. 4. Аппаратура для измерение спектров люминесценции
      • 2. 1. 5. Статистическая достоверность результатов экспериментов
      • 2. 2. Аттестация болылеразмерных монокристаллов
      • 2. 2. 1. Аттестация методом импульсного сильноточного возбуждения
      • 2. 2. 2. Определение состава и местоположения примесей методом Резерфордовского обратного рассеяния
      • 2. 2. 3. Анализ спектров POP
      • 2. 3. Волоконные монокристаллы
      • 2. 3. 1. Вакансионно-дислокационная модель
      • 2. 3. 2. Кластерная модель
      • 2. 3. 3. Распределении примесных ионов урана в кристалл о волокнах фторида лития и натрия
      • 2. 3. 4. Структура поверхности волокон
      • 2. 3. 5. Модели структуры поверхности волокон
      • 2. 4. Наноразмерные кристаллы
  • Выводы к Главе 2
    • ГЛАВА 3. ДИССИПАТИВНЫЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ
  • ФОТОСТИМУЛЯЦИИ
    • 3. 1. Оптическое пропускание
    • 3. 1. 1. Взаимодействие светового потока с твердым телом
    • 3. 1. 2. Особенности спектров оптического пропускания образцов различной размерности
  • 3. 2. Процессы люминесценции в твердых телах
    • 3. 2. 1. Спектры фотолюминесценции
    • 3. 2. 2. Спектры возбуждения люминесценции (CBJI)
    • 3. 2. 3. Рентгенолюминесценция
  • Выводы к Главе 3
  • ГЛАВА 4. ДИССИПАТИВНЫЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ПУЧКОВ КОРПУСКУЛЯРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
    • 4. 1. Катодостимулированные процессы
      • 4. 1. 1. Взаимодействие электронных пучков с твердым телом
      • 4. 1. 2. Генерация дефектов при стимуляции пучком электронов
      • 4. 1. 3. Распределение энергии облучения по глубине образца
      • 4. 1. 4. Эволюция возбуждений при стимулировании пучком электронов
      • 4. 1. 5. Катодолюминесценция
    • 4. 2. Ионостимулированные процессы
      • 4. 2. 1. Взаимодействие ионных пучков с твердым телом
      • 4. 2. 2. Генерация дефектов при ионостимуляции
      • 4. 2. 3. Эволюция возбуждений при ионостимуляции
    • 4. 3. Особенности оптических свойств кристаллов с примесью европия
  • Выводы к Главе 4
  • ГЛАВА 5. ПРИМЕСНЫЕ ЦЕНТРЫ СВЕЧЕНИЯ
    • 5. 1. Механизмы передачи энергии к урановым центрам свечения
    • 5. 2. Модели примесных кластеров
    • 5. 3. Модели центров свечения урана
      • 5. 3. 1. Критерии адекватности результатов моделирования
      • 5. 3. 2. Моделирование СЛ набором независимых полос
      • 5. 3. 3. Моделирование СЛ набором пиков с зависимыми позициями
      • 5. 3. 4. Анализ результатов моделирования
      • 5. 3. 5. Расчет параметров распределений
      • 5. 3. 6. Вычисление интегралов свертки
  • Выводы к Главе 5
  • ГЛАВА 6. ДИССИПАТИВНЫЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ
  • ТЕРМОСТИМУЛЯЦИИ
    • 6. 1. Механизмы ТСЭЭ- и ТСЛ-процессов
    • 6. 2. Синхронно измеренные спектры ТСЭЭ и ТСЛ кристаллов различной размерности
      • 6. 2. 1. Термостимулированные процессы в полноразмерных кристаллах
      • 6. 2. 2. Термостимулированные процессы в волоконных кристаллах
      • 6. 2. 3. Термостимулированные процессы в наноразмерных кристаллах
    • 6. 3. Термостимулированные процессы с признаками взрывной электронной эмиссии
      • 6. 3. 1. Механизм термостимулированной взрывной электронной эмиссии
  • Выводы к Главе 6

    • Диссипативные процессы в оптических средах на основе легированных кристаллов (Li, Na) F различной размерности (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

    Актуальность работы.

    Щелочно-галоидные кристаллы (ЩГК) на протяжении многих лет остаются актуальными объектами исследования. Благодаря простоте кристаллического строения, эти вещества используются в качестве модельных объектов для изучения различных типов дефектов в твердых телах, механизмов их образования и эволюции. Интерес к этим системам обусловлен также относительной простотой синтеза крупных однородных монокристаллов, обладающих рядом уникальных свойств и нашедших широкое практическое применение [1−26]. На их основе предложены оптические среды для записи и хранения информации [27−29], лазерные среды [30−33], рабочие вещества для термолюминесцентной и термоэкзо-эмиссионной дозиметрии [34−49].

    Свойства кристаллов во многом зависят от несовершенств структуры кристаллических решеток, обусловленных ростовыми дефектами, введением примесей или воздействием радиации. В этом плане поиск эффективных активаторов и соактиваторов для ЩГК остается актуальной задачей. Среди щелочно-галоидных кристаллов кристаллы фторидов лития и натрия, активированные dи f-элементам [98−109] или ионами урана [50−94] с соактиваторами [110−121], обладая уникальным набором оптических свойств, являются одним из самых перспективных полифункциональных материалов. На их основе изготавливают высокоэффективные термолюминесцентные детекторы ионизирующих излучений. Эти кристаллы перспективны для создания светофильтров ближнего ИК диапазона и приборов ночного видения, известно их использование в качестве активных сред для лазеров на центрах окраски. Эти материалы известны также своей высокой прозрачностью в области вакуумного ультрафиолета (ВУФ), а потому пригодны для использования в качестве матриц для ВУФ-лазеров и ВУФ-сцинтилляторов.

    Кристаллы на основе фторидов лития и натрия с примесью урана привлекли к себе внимание исследователей еще в середине прошлого века [50−94, 324]. Позднее систематические исследования кристаллов LiF: U и NaF: U проводились в лаборатории кристаллофизики Института физики.

    Национальной академии наук Кыргызской Республики [98−323]. Для составов LiF и NaF изучалась зонная структура, зонные модели и особенности электронных возбуждений, включая возбуждения ВУФ-диапазона [174−210]. Было уделено внимание радиационно-оптическим характеристикам объемных кристаллов фторида лития и фторида натрия [211−247], в том числе, образованию и устойчивости центров окраски [122−173], а также термолюминесцентным [34−48, 248−280] и сцинтилляционным [281−287] свойствам этих составов.

    Следует отметить, что к моменту начала наших исследований свойств фторидов лития и натрия не все характеристики этих материалов были изучены достаточно полно. Это относится к характеристикам, связанным как с ростовыми и примесными, так и с радиационными дефектами. Так, например, ранее в работах [122−173] была определена динамика образования центров окраски (являющихся одновременно эффективными центрами свечения), возникающих в основном только под действием электронных пучков. Влияние ионных пучков на эволюцию сцинтилли-рующих агрегатных центров хотя и было замечено [96], однако детально не изучалось.

    Несмотря на обилие работ по дефектообразованию и центрам окраски в кристаллах (Li, Na) F, в результате которых были созданы эффективные рабочие вещества для термолюминесцентной дозиметрии и лазеры, систематического поиска сцинтилляционных эффектов на центрах окраски в этих фторидах до начала наших исследований не проводилось, хотя актуальность этих исследований и их большая практическая значимость очевидны. Был слабо изучен ВУФ-диапазон возбужденных электронных состояний этих составов. Анализ серий линий люминесценции для кристаллов NaF-U, ограниченный экспериментальными возможностями 60-х годов прошлого века (классический анализ Феофилова и Кап-лянского) [85], оставался неполным.

    Для более полного определения потенциальных возможностей и характеристик детекторных материалов на основе фторидов лития и натрия целесообразно проведение более широкого круга экспериментальных исследований их спектрально-кинетических свойств как с использованием методов оптической спектроскопии, включая время-разрешенную спектроскопию ВУФ диапазона, так и методов ядерной физики в расширенном диапазоне температур.

    До начала наших исследований не были проведены сравнительные исследования радиационной модификации приповерхностных слоев и связанных с ней особенностей изменения оптических и сцинтилляцион-ных свойств монокристаллов (Li, Na) F, (Li, Na) F-Me и (Li, Na) F-U, Me как под действием электронных пучков, так и под действием пучков более тяжёлых заряженных частиц (Не+ и N3+).

    Назрела необходимость исследований радиационно-стимулированных процессов в плане изучения влияния дефектов на процессы диссипации энергии, на светои энергозапасание в облученных кристаллах (Li, Na) F и в активированных составах на их основе, а также на электронные спектры и электронную структуру ряда примесных центров U, Zn, Си, Ti, Sr, Sc, Ей и других, которые ранее не проводились в полном объеме. Все это вытекает из задач, связанных с разработкой запоминающих термоактивационных (люминесцентных и экзоэлектронных) и on line (работающих в режиме реального времени) сцинтилляционных детекторов ионизирующих излучений, а также планарных и волоконных гетероструктур.

    Несмотря на то, что отдельные исследования для ряда термоактивационных процессов, таких как термостимулированная люминесценция (TCJ1) и термостимулированная экзоэлектронная эмиссия (ТСЭЭ), для кристаллов (Li, Na) F-U, Me были проведены ранее, круг рассматриваемых соактиваторов был недостаточно полон. Кроме того, в ранних работах не проводились синхронные измерения TCJ1 и ТСЭЭ, а также низкотемпературные измерения TCJI для ряда кристаллов на основе NaF.

    Все более растущие потребности в полифункциональных материалах делают актуальным создание материалов нового поколения различной размерности. К началу наших работ кристаллы (Li, Na) F-U, Me были изучены только в виде объемных образцов. Перспективные тонкослойные сцинтилляторы на основе (Li, Na) F, а также их кристаллические волоконно-оптические и нанокристаллические структуры совершенно не были исследованы, поскольку такие материалы попросту отсутствовали.

    В связи этим требовалось проведение комплексных исследований процессов роста, радиационнои термостимулированных процессов в кристаллах фторидов лития и натрия различной размерности, изучение свойств волоконных и нанокристаллических составов на основе LiF и NaF в сравнении с объемными и планарными системами, с использованием в качестве базовых известных сведений о свойствах объемных кристаллов фторида лития и фторида натрия, в том числе результатов наших предыдущих работ [325−454].

    В данной работе в рамках подхода «синтез — структура — свойства.

    — применение" мы провели законченный цикл исследований не изученных ранее диссипативных процессов в объемных, низкоразмерных волоконных и нанокристаллических структурах на базе соединений LiF и NaF.

    Полученные результаты исследований достаточно убедительно показывают, что кристаллы фторидов лития и натрия различной размерности являются перспективными оптическими материалами нового поколения. В итоге для объемных и волоконно-оптических систем были предложены новые технические решения на уровне изобретений, которые перспективны для использования в медицине (персональная дозиметрия, томография, микротомография, рентгенография, биомедицинские зонды), в промышленности (сцинтилляционные экраны для систем неразрушаю-щего контроля наиболее ответственных узлов и деталей), в системах безопасности (при таможенном и пограничном контроле) и других областях человеческой деятельности.

    С нашим участием были предложены новые люминофоры и радиолюминесцентные излучатели, новые рабочие вещества для термолюминесцентной и термоэкзоэмиссионной дозиметрии, новые токовые и импульсные сцинтилляционные детекторы излучения (рентгеновского, альфа-, бета-, гамма-, нейтронного излучения и нейтрино), сцинтилляционные экраны для визуализации рентгеновского и электронного излучения [325−380]. На основе кристаллов (Li, Na) F и (Li, Na) F-U, Me с примесными и собственными агрегатными центрами окраски (F2, F2+, F2, F3+) разработаны новые типы радиационных детекторов, в том числе тонкослойные сцинтилляторы и фосфич-подобные сцинтилляционные гетероструктуры.

    — сцинтилляторы на центрах окраски [327−334].

    Поддержка экспертизой Федеральной службы по интеллектуальной собственности, патентам и товарным знакам (Роспатент) новых технических решений, с выдачей соответствующих патентов, является подтверждением актуальности и новизны наших разработок.

    Связь темы с планами научных работ. Диссертационная работа выполнена в соответствии с планами научно-исследовательских работ Института физики Национальной академии наук Кыргызской Республики в рамках проекта «Комплексное исследование физико-химических свойств кристаллических детекторов, синтетических алмазов, нитрида кремния и композиционных материалов на их основе». Исследования также проводились на экспериментальной базе Уральского государственного технического университета (Екатеринбург, Россия) в соответствии с Коммюнике о сотрудничестве между ИФ HAH КР и УГТУ-УПИ, ряд экспериментов выполнен в Лионском университете, Франция. Часть результатов диссертации получена в рамках более широкого международного сотрудничества (Россия-Кыргызстан-Франция-Германия).

    Данные исследования, отличаясь новизной и актуальностью, получили финансовую поддержку Международного научно-технического центра (грант МНТЦ #KR-994), NATO (грант PST.EAP.CLG 980 674), Академии наук Франции — CNRS (персональный грант автору на проведение научных исследований в Университете Лион 1, 2003 г.), а также Российского фонда фундаментальных исследований (грант на издание монографии, 2006 г.).

    Цель работы.

    Получение кристаллических структур фторидов лития и натрия различной размерности (большеразмерные кристаллы, планарные пле-ночно-подобные структуры, волоконные кристаллы, волоконные гетеро-структуры и нанокристаллы). Проведение комплексных сравнительных фундаментально-прикладных исследований структурных особенностей, радиационно-оптических свойств и диссипативных характеристик (генерация и распад возбуждений, дефектообразование) этих материалов под действием различных видов ионизирующего излучения в рамках подхода «синтез — структура — свойства — применение».

    В ходе выполнения работы решались следующие основные задачи:

    1. Синтез. Анализ факторов, влияющих на особенности получения пла-нарных кристаллических структурфакторов, определяющих рост низкоразмерных волоконных кристаллов методами Micro Puling Down (ц-PD), Laser Heard Pedestal Grown (LHPD), и синтез нанокристаллов методами лазерной и плазменной абляцииразработка моделей для установления оптимальных режимов выращивания низкоразмерных кристаллов и опытная проверка этих режимов.

    2. Структура. Изучение структуры кристаллической решетки и морфологических особенностей поверхности полученных низкоразмерных образцов с использованием методов рентгеновской дифракции и электронной микроскопииразработка моделей формирования структуры волоконных кристаллов, включая модели формирования поверхности кристалловолокон и модели для оценки размеров нанокристалловрешение проблемы примесной и радиационной модификации низкоразмерных кристаллов, проблемы введения активаторов в кристаллическую решеткуанализ кристаллической структуры характерных (индивидуально проявляющихся в спектрах) примесных центров, включающих примесные ионы с их ближайшим окружением, а также анализ типа и концентрации собственных дефектов кристаллической решетки исследуемых фторидов.

    3. Свойства. Изучение с использованием широкого круга экспериментальных методов радиационно-стимулированных явлений, процессов диссипации энергии и радиационно-оптических свойств образцов фторидов лития и натрия различной размерности, исследование процессов формирования дефектов и эволюции возбуждений в этих структурах при различных радиационных воздействиях (фото-, ВУФ-синхротронное, рентгеновское, электронное и ионное облучение), определение влияния терморадиационных воздействий на процессы эволюции и трансформации дефектов и возбуждений в кристаллах фторидов лития и натрия, а также разработка принципов направленной радиационной модификации люминесцентно-оптических, термолюминесцентных, сцинтилляционных и экзоэмиссионных свойств кристаллов LiF и NaF различной размерностиисследование спектрально-кинетических характеристик образцов с использованием методов вре-мя-разрешенной ВУФ-спектроскопии.

    4. Применение. Синтез новых эффективных рабочих сред для регистрации различных видов ионизирующего излучения. Разработка на базе объемных, волоконных кристаллов и гетероструктур фторидов лития и натрия новых простых и комбинированных сцинтилляционных и термолюминесцентных детекторных устройств, новых индикаторных устройств и люминесцентных экранов высокого разрешения, а также элементов ИК-техники и оптоэлектроники.

    Новизна.

    1. Впервые синтезирован класс новых волоконных и наноразмерных кристаллов на основе (Li, Na) F полифункционального назначения, разработан способ получения волоконных и планарных гетероструктур. Определены оптимальные режимы выращивания неактивированных и активированных волоконных кристаллов фторидов лития и натрия методами микровытягивания и лазерного разогрева.

    2. Впервые проведен анализ размерно-структурных параметров волоконных и нанокристаллических материалов. Предложены кластерная и вакансионно-дислокационная модели строения волокон.

    3. Впервые при комнатной, азотной и гелиевой температурах проведены сравнительные исследования эффектов радиационной модификации кристаллов фторида лития и натрия различной размерности при воздействии ионных и электронных пучков, синхротронного, рентгеновского, а также реакторного нейтронного излучения. Предложены модели эволюции дефектов.

    4. Впервые выявлены особенности радиационно-оптических свойств волоконных и нанокристаллических структур в сравнении с объемными и планарными системами. Дано объяснение обнаруженным эффектам.

    5. Изучено влияние дефектов на процессы диссипации энергии, на свето-и энергозапасание, а также на электронные спектры и электронную структуру ряда примесных центров U, Zn, Си, Ti, Sr, Sc, и др. Впервые исследованы спектры оптического поглощения и люминесценции кристаллов при температуре жидкого гелия.

    6. Впервые показано вхождение примесей урана в регулярную структуру кристаллов фторида лития и натрияоценена изоморфная емкость кристаллов фторида натрия к примеси урана. Впервые детально изучена природа полос люминесценции урановых центров путем анализа и численного моделирования объемных, волоконных и наноразмерных кристаллов NaF-U с учетом их структурных и кинетических параметров. Впервые проведен расчет локальной кристаллической структуры примесных центров Zn в кристаллах LiF-U, Me.

    7. Методами оптической спектроскопии впервые показано вхождение примесей на примере ионов урана и меди из материнских полноразмерных образцов в низкоразмерные кристаллы при их синтезе.

    8. Впервые в полном объеме проведено комплексное исследование радиационно-стимулированных и термоактивационных процессов (таких как термостимулированная люминесценция — TCJI и термостимули-рованная экзоэлектронная эмиссия — ТСЭЭ) в облученных кристаллах различной размерности (Li, Na) F и в активированных составах на их основе при различных видах радиационного воздействия. Проведены синхронные измерения TCJ1 и ТСЭЭ, а также низкотемпературные измерения TCJI (при гелиевой температуре). Для ряда образцов обнаружено термо-радиационно-стимулированное явление лавинообразного нарастания эк-зоэлектронной эмиссии с признаками взрывной электронной эмиссии Ме-сяца-Фурсея, предложена интерпретация этого эффекта с учетом возможных каналов распада ионных возбуждений.

    9. Показано, что кристаллы фторида лития и фторида натрия в полноразмерной, волоконной и наноразмерной формах являются перспективными оптическими материалами: на их базе возможно создание высокоэффективных оптоэлектронных и детектирующих устройств нового поколения. Новизна разработок и их практическая значимость подтверждена 14 патентами Российской Федерации.

    Практическая ценность:

    В результате комплексных исследований оптических сред на основе (Li, Na) F, выполненных в рамках подхода «синтез-структура-свойство-применение», предложены на уровне изобретений 14 новых технических решений.

    1. Новые виды оптических материалов на основе активированных и неактивированных кристаллов (Li, Na) F:

    — оптические среды на основе кристаллов (Li, Na) F (Патент РФ.

    2 264 634 от 20.11.2005);

    — сцинтиллятор для регистрации тепловых нейтронов (Патент РФ № 2 244 320 от 10.01.2005);

    — способ изготовления инфракрасного светофильтра (Патент РФ № 2 269 802 от 10.02.2006);

    — сцинтиллятор для регистрации тепловых нейтронов (Патент Российской Федерации № 2 270 463 от 20.02.2006);

    — сцинтилляционные гетероструктуры (Патент Российской Федерации № 2 282 214 от 20.08.2006 г.);

    2. Новые сцинтилляционные и запоминающие детекторы рентгеновского, электронного и гамма излучения, а также сцинтилляционные устройства:

    — двухслойный сцинтилляционный экран для визуализации рентгеновского излучения с высоким пространственным разрешением и с оптической развязкой между детектирующими элементами (ячейками) (Патент Российской Федерации 2 242 025 от 10.12.2004 г.);

    — сцинтилляционные экраны высокого пространственного разрешения и способы их изготовления (Патент Российской Федерации № 2 243 573 от 27.12.2004);

    — сцинтилляционные детектор с тонкослойным сместителем спектра на базе (Li, Na) F кристалла с Р2-центрами окраски (Патент Российской Федерации № 2 248 588. от 20.03.2005);

    — сцинтилляционный датчик электронного и Р-излучения (Патент Российской Федерации № 2 251 124 от 27.04.2005);

    — сцинтиллятор для визуализации рентгеновского излучения. (Патент РФ 2 261 459 от 27.09.2005);

    — волоконно-оптические сцинтилляционные экраны на основе кристаллов NaF-Sc и NaF-U (Патент Российской Федерации № 2 262 722 от 20.10.2005);

    — способ получения сцинтилляционного детектора нейтрино (Заявка на патент РФ № № 2 005 140 702/28(45 329) от 26.12.2005).

    — термолюминесцентный дозиметрический комплекс (Патент Российской Федерации № 2 270 462 от 20.02 06);

    — сцинтилляционный детектор со сцинтиблоком шаровой формы с наружным отражателем и двумя pin-фотодиодами (Заявка на патент РФ № 2 006 103 686 от 08.02.2006);

    Достоверность и обоснованность результатов обеспечиваются использованием метрологически поверенного оборудования и стандартными методиками исследования. Корректность проведения сравнительного анализа свойств образцов широкого спектра размерностей обеспечило то, что исходными материнскими кристаллами во всех случаях служили выращенные нами ранее методом Киропулоса полноразмерные кристаллы фторидов лития и фторидов натрия. Аттестация полученных образцов была проведена с использованием метрологически обеспеченных методов рентгеноструктурного, рентгенофлюоресцентного и люминесцентного анализов, а также с использованием методов оптической, электронной и зондовой микроскопии.

    Автор защищает:

    1. Методики синтеза оптических волоконных кристаллов в рамках методов Micro Puling Down (|>PD) и Laser Heard Pedestal Grown (LHPD), синтеза нанокристаллических структур на основе фторидов лития и натрия с различными соактиваторами. Модели для определения оптимальных режимов выращивания и кластерной структуры кристалловолокон на основе (Li, Na) F.

    2. Результаты изучения структуры кристаллической решетки и морфологических особенностей поверхности низкоразмерных кристаллов фторида лития и натрия. Модель формирования структуры волоконных кристаллов, включая модель формирования поверхности кристалловолокон. Модели оценки размеров нанокристаллов.

    3. Установленные отличительные особенности радиационно-стимулированных диссипативных процессов в низкоразмерных образцах по сравнению с полноразмерными.

    4. Экспериментально обнаруженные эффекты модификации радиационных и люминесцентно-оптических свойств кристаллов LiF и NaF при воздействии потока фотонов, электронных и ионных пучков.

    5. Модели диссипации энергии при термостимулированных процессах (термостимулированной люминесценции и термостимулированной экзоэлек-тронной эмиссии) в объемных и низкоразмерных кристаллах LiF и NaF, подвергнутых различным радиационным воздействиям (рентгеновское излучение, электроны, ионы) с учетом этапов формирования дефектов, эволюции электронных возбуждений и переноса энергии к эмиссионным центрам и центрам захвата.

    6. Результаты анализа и численного моделирования спектров люминесценции объемных волоконных и наноразмерных кристаллов NaF-U с учетом особенностей их строения и температурных свойств, а также модель кристаллической структуры характерных примесных центров на примере Zn^-центра.

    7. Результаты научно-прикладных разработок по созданию (на основе болыперазмерных и низкоразмерных материалов) новых люминесцентных, сцинтилляционных и запоминающих оптических сред многоцелевого назначения (Патенты РФ 2 190 240, 2 242 025, 2 243 573, 2 244 320, 2 248 588, 2 251 124, 2 261 459, 2 262 722, 2 264 634, 2 269 802, 2 270 462, 2 270 463, 2 282 214- Заявки на изобретение РФ 2 006 103 686, 2 005 140 702/28(45 329).

    Личный вклад автора.

    Диссертационная работа является результатом законченного цикла фундаментально-прикладных исследований люминесцентных и сцинтилляционных свойств оптических сред на основе кристаллов фторидов лития и натрия, проводимых автором с 1987 года в лаборатории кристаллофизики Института физики Национальной академии наук Кыргызской Республики. На различных этапах работы исследования выполнялись совместно с коллегами, но при этом личный вклад автора является определяющим и состоит в выборе направленияпланировании и проведении основных экспериментальных исследований, связанных с получением образцов, анализом их структурных особенностей, с изучением радиационно-оптических и термостимулированных свойств фторидов лития и натрия различной размерностианализе и интерпретации полученных данных и в разработке объектов интеллектуальной собственности.

    Апробация работы.

    Основные результаты диссертации опубликованы в 109 научных работах, в том числе, в монографии, 2 препринтах (1 — на английском языке), защищены 14 патентами.

    Результаты исследований докладывались на 43 конференциях: Научно-практической конференции с международным участием «Новое в экологии и безопасности жизнедеятельности» (С.-Петербург, 1997, 1998, 1999 гг.) — 3-rd International Symp. «Luminescent detectors and transformers of ionizing radiation, LUMDETR-97» (Poland, 1997) — Всероссийском симпозиуме «Твердотельные детекторы ионизирующих излучений, ТТД-97» (Екатеринбург, 1997, 1998) — International Conf. of f-elements, ICFE3 (Paris, 1997) — Международном семинаре «Голография и оптическая обработка информации» (Бишкек, 1997) — 4-International Symposium on Swift Heavy Ions in Matter (Germany, 1998) — International conference «Advanced materials for information recording and radiation monitoring and Holography and its Application» (Украина, 1999) — Международной научно-практической конференции по радиационной физике РФ-99 (Бишкек-Каракол, 1999) — Международном экологическом конгрессе «Новое в экологии и безопасности жизнедеятельности» (С.-Петербург, 2000) — Первом международном конгрессе по радиационной физике и новым материалам (Томск, 2000) — Всероссийской конференции «Химия твердого тела и функциональные материалы» (Екатеринбург, 2000, 2004) — Межотраслевой научно-практической конференции «Снежинск и наука» (Снежинск, Россия, 2000, 2003) — VI-th International Conference on Inorganic Scintillators and their use in Scientific and Industrial Applications, SCINT 2001 (Chamonix, France, 2001) — Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 2002, 2004) — Europhysical Conference on defects in insulating materials (Wroclaw, Poland, 2002) — III Ural Workshop on advantaged scintillation and storage optical materials (Ekaterinburg, 2002) — National seminar of the Indian Society Non-Destructive Testing NDE-2002 (Chennai, India, 2002) — III Международной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах» (Томск, 2002) — 12-th International conference on radiation physics and chemistry of inorganic materials (Tomsk, 2003) — 7-th Intern. Conf. on Inorganic Scintillators and Industrial Appl. SCINT-2003 (Valencia-Spain, 2003) — National Seminar on NonDestructive Evaluation NDE-2003 (Triruvananthapuram India, 2003) — 5-th European Conference on Luminescent Detectors and Transformers of Ionizing Radiation, LUMDETR (Praha, Czech Republic, 2003) — Международной научно-практической конференции по радиационной физике SCORPh (Бишкек-Каракол, 2003, 2004, 2005, 2006) — KEK-PCNP International School and Mini-workshop for Scintillating Crystals and their Applications in Particle.

    19 and Nuclear Physics (Япония, 2003) — XII Feofilov symposium on spectroscopy of crystals activated by rare earth and transition metal ions. (Ekaterinburg, 2004) — The 15-th International Conference on Defects in Insulating Materials ICDIM-2004 (Riga, Latvia, 2004) — Международной научно-практической конференции «Физико-технические проблемы атомной энергетики и промышленности (производство, наука, образование) (Томск, 2004) — Международной конференции «Развитие информационно-коммуникационных технологий в информационном обществе: состояние и перспективы» (Бишкек, 2004) — IV семинаре СО РАН-УрО РАН «Термодинамика и материаловедение». (Екатеринбург: УрО РАН 2004) — SCINT.

    2005 International Conference on Inorganic Scintillators and Their Application (Алушта, Украина, 2005) — International conference on Vacuum ultraviolet spectroscopy and radiation interaction with condensed matter, VUVS 2005 (Иркутск, Россия, 2005) — Intern. Conf. & Exhibition on Pressure Vessels and Piping (Ченнаи, Индия, 2006) — 13-th International Conference on radiation physics and chemistry of inorganic materials (RPC) (Томск, Россия, 2006) — 10 Europhysical Conference on Defects in Insulating Materials — EURODIM.

    2006 (Милан, Италия), Intern. Conf.& Exhibition NDE 2006 (Hyderabad, India, 2006).

    Структура и объем диссертации

    .

    Диссертация состоит из введения, 6 глав, заключения, списка литературы, содержащего 625 наименований, и 1 приложения. Общий объем диссертации составляет 395 страниц, в том числе объем основного текста, включая 26 таблиц и 214 рисунков — 320 страниц.

    Выводы к Главе 6.

    1. Впервые исследованы термостимулированные эффекты в кристаллах фторидов лития и натрия различной размерности. Предложена модель дефектообразования и эволюции возбуждений при термостимуляции, учитывающая существование в кристалле нескольких типов высокоэнергетичных возбуждений, способных переносить энергию к поверхности кристалла с последующим распадом и испусканием эк-зоэлектрона.

    2. Проведены синхронные измерения кривых ТСЭЭ и TCJI полноразмерных, волоконных и наноразмерных кристаллов на основе фторидов лития и натрия. Установлено, что общим для всех спектров является зависимость вида термоэмиссионных кривых от дозы облучения (флюенса электронов) — а также сдвиг положения пиков ТСЭЭ по сравнению с пиками ТСЛ в область более высоких температур. Предложена модель, объясняющая этот эффект. Основные пики ТСЭЭ и ТСЛ для всех видов образцов наблюдаются в области температур 310−650К, соотвествующей температурному диапазону диссоциации F, F2, и F3+ - центров окраски).

    3. Впервые исследованы кривые ТСЛ полноразмерных кристаллов от температуры жидкого гелия. Обнаружен для LiF: U, Zn характерный для фторида лития пик TCJI при 150 К, обнаружен для NaF: Sc и NaF: U, Cu характерный для фторида натрия пик TCJI при 195 К. Для кривых при термовысвечивании наблюдается широкая полоса в области 30−170 К, которая имеет наибольшую интенсивность для кристаллов NaF: Sc.

    4. Установлено влияние активатора на тип кинетики ТСЭЭ. Так, при радиационном воздействии в волоконных кристаллах NaF: U, Cu происходит преимущественное заполнение глубинных, а не приповерхностных ловушек, и кинетика соответствует кинетике первого порядка. Для безурановых образцов NaF: Cu кинетика термоактивационных процессов соответствует кинетике второго порядка с повышенным частотным фактором (S фактором).

    5. Характерной особенностью волоконных образцов по сравнению с полноразмерными является доминирование в них приповерхностных ловушек, требующих, как правило, меньшей энергии активации. Это позволяет объяснить большую эмиссионную активность объемных кристаллов в высокотемпературной области (пики при 500−560К) по сравнению с волоконными образцами (пики при 460К).

    6. Особенностью наноразмерных образцов NaF: U по сравнению с полноразмерными является повышенная интенсивность ТСЭЭ в области низких температур, что может быть обусловлено размерными эффектами и большим влиянием поверхностных дефектов. Установлена более низкая радиационная стойкость нанокристаллов по сравнению с крупноразмерными образцами.

    7. Для кристаллов NaF: Ей и NaF: U, Ti был обнаружен эффект термости-мулированного лавинообразного нарастания электронной эмиссии. Предложена модель наблюдаемого эффекта на базе моделей Месяца — Фурсея и Вайсбурда. При этом был учтен процесс Пула — Френкеля, связанный с перезахватом электронов на ловушках (который может происходить и при термоактивации), а также процесс ударной ионизации ловушек (которая может быть вызвана появлением при термоактивации локальных участков с повышенным потенциалом).

    Заключение

    .

    В рамках подхода «синтез-структура-свойства-применение» проведен законченный цикл исследований процессов роста, радиационнои термостимулированных процессов в кристаллах фторидов лития и натрия различной размерности. Получены ледующие основные результаты:

    1. Впервые синтезирован новый класс волоконных кристаллов на основе NaF и LiF. Установлен ряд закономерностей их структуры (отличительные параметры и типы кристаллических решеток, а также характерный наклон ростовых плоскостей волокон), для объяснения которых разработаны две совокупно действующие модели строения кристаллических волокон — кластерная и вакансионно-дислокационная.

    Предложены теоретические модели определения оптимальных режимов выращивания качественных волоконных образцов заданного диаметра методами микровытягивания и лазерного разогрева.

    2. Впервые синтезирован новый класс наноразмерных материалов на основе фторидов лития и фторидов натрия. Предложены модели для оценки размеров получаемых нанокристаллов в зависимости от режимов их синтеза.

    3. Разработаны технологии создания планарных и волоконных гетеро-структур (запатентовано).

    4. Установлен ряд особенностей радиационнои термостимулированных явлений в низкоразмерных образцах (волоконных и нанокри-сталлах) по сравнению с большеразмерными: смещение полос оптического ослабления и возникновение широких полос поглощения 600−1000 нм в спектрах при фотостимуляции, сдвиг интенсивности полос люминесценции ионов U6+, меньшая энергия активации, зависимость типа кинетики ТСЭЭ от активатора, изменение радиационной стойкости.

    5. Выявлены новые особенности оптических свойств легированных кристаллов LiF и NaF при фото-, катодои ионостимуляции. При воздействии ионных пучков в ИК-спектрах оптического пропускания кристаллов обнаружены полосы, соответствующие СО-, NOи ОНкомплексамв спектрах ИКЛ кристаллов LiF-Sc обнаружена и интерпретирована полоса 515−555 нм. В спектрах поглощения кристаллов LiF: U, Cu, облученных электронами, зарегистрированы новые полосы околоактиваторных центров окраски при 260, 336, 351 и 452 нм. ВУФ-спектроскопическими исследованиями установлена роль примеси меди в переносе энергии к центрам свечения урана.

    6. Обнаружен эффект памяти дефектного состояния кристалла при облучении ионными пучками. Предложена модель дефектообразования и эволюции возбуждений в исследованных кристаллах, разработаны основы направленной радиационно-примесной модификации кристаллов (Li, Na) F для создания люминесцирующих сред с заданными параметрами свечения.

    7. Впервые для кристаллов NaF и LiF с примесью U выявлены и идентифицированы 7 серий линий люминесценции (в дополнение к известным «магнитной» и «электрической» сериям линий Феофилова-Каплянского), предложены возможные модели люминесцентных U6±центров, ответственных за эти серии.

    Проведен расчет локальной кристаллической структуры сложного кластерного образования, включающего ионы Zn2+ и несколько сотен ближайших ионов.

    8. Обнаружен неизвестный ранее эффект термостимулированного лавинообразного нарастания электронной эмиссии в диэлектрических кристаллах. Предложена модель этого явления на базе моделей Месяца — Фурсея и Вайсбурда.

    Обнаружены новые низкотемпературные пики ТСЛ (от 8 К) легированных кристаллов LiF и NaF.

    9. Предложены новые оптические сцинтилляционные и запоминающие среды, включая новые рабочие вещества для термолюминесцентной дозиметрии, и устройства — детекторы ионизирующих излучений, включая волоконно-оптические и планарные детекторы нового поколения, планарные и волоконные гетероструктуры многоцелевого назначения (14 патентов).

    Полученные результаты представляют интерес для дальнейшего развития следующих научных направлений:

    1. Спектроскопия ионных кристаллов различной размерности для создания высокоэффективных оптических люминесцентных сред (включая активные лазерные среды), сцинтилляционных и запоминающих сред многоцелевого назначения.

    2. Радиационно-лучевые технологии с использованием эффектов памяти дефектного состояния для направленной модификации свойств материалов.

    3. Терморадиационно-стимулированные критические и взрывные процессы в диэлектриках.

    Автор выражает благодарность научному консультанту члену-корреспонденту HAH КР профессору М. М. Кидибаеву за помощь в работе и полезные дискуссиипрофессору Уральского государственного технического университета (УГТУ-УПИ) Б. В. Шульгину за постоянное внимание и поддержку, организацию экспериментов в УГТУ-УПИ, конструктивные замечания и плодотворные дискуссии при обсуждение результатовсотрудникам кафедры экспериментальной физики УГТУ-УПИ д.ф.-м.н. В. Ю. Иванову и д.ф.-м.н. А. Н. Черепанову, а также коллегам из Университета Лион-1 (Франция): проф. Ch. Pedrini, проф. J.-M. Fourmigue, проф. К. Lebbou, В. Hautefeuille и L. Grosvalet за поддержку и помощь в осуществлении работы.

    Показать весь текст

    Список литературы

    1. Политехнический словарь / Под. ред. Ишлинского А. Ю. 3-е изд., пе-рерб. и доп. // М.: Советская энциклопедия, 1989. 656 с.
    2. Ehrenberg W., Franks J. The penetration of electrons into luminescent material. // The proceedings of the physical society. Section B. 1953. Vol. 66, Pt. 12, № 408B. P. 1057−1066.
    3. Басиев T. T, Вахидов Ф. А., Зверев П. Г. и др. Перестраиваемая в диапазоне 1,1−1,34 мкм генерация на кристаллах NaF с центрами окраски в схеме лазера MAJIKAH-2001 // Краткие сообщения по физике. 1988. № 1. С. 18−20.
    4. Mesyats G.A., ShpakV.G., Yaladin M.I., Shunailov S.A. // Proc. 10th IEEE1.ter. Pulsed Power Conf. Albuquerque, New Mexico, USA, 1995.P.539−543
    5. Catlow C.R.A., Norgett M.J.//J. Phys. C: Solid State Phys.1973, № 6. P. 1325.
    6. J.D. //J.Chem. Soc., Faraday Trans. 1997. Vol. 93. P. 629.
    7. M.P. // Solid State physics. 1964. Vol. 16. P. 1.
    8. Catlow C.R.A., Chadwick A.V., Corish. J. // J. Solid State Chem. 1983.1. Vol. 48. P. 65.
    9. А.А. Лазерные кристаллы // M.: Наука, 1975. 256 с.
    10. П.П. // Опт. и спектр. 1959. Т. 7. С. 842.
    11. Ranciman W.A. Fluorescent centers in uranium-activated sodium fluoride. //Nature. 1955. Vol. 175, № 4468. P. 1082.
    12. И.А., Соломатов B.H. Люминесценция кристаллов. // Иркутск: ИГУ, 1988. 248 с.
    13. Л.А. // Изв. высш. учебн. завед. Физика. 1996. Т. 39, № 11. С. 57−75.
    14. ., Авилов А., Оксенгендлер Б. Радиационные дефектообразо-вания и квазихимические реакции в неметаллических кристаллах // Бишкек: Илим, 2003. 120 с.
    15. К., Арапов Б. Люминесценция электронных возбуждений и их ораспад с образованием дефектов в ионных кристаллах. // Бишкек: Илим, 1999. 184 с.
    16. У.А. Радиационные явления в ферритах // М.: Энергоатомиз-дат, 1984. 160 с.
    17. П.Д. Молекулярные центры с водородной связью и центры окраски в матрице ионных кристаллов. Дис.. д-ра физ.-мат. наук. // Омск. 1987.
    18. А.И. Примесные центры, радиационные и фотохимические процессы с их участием в кристаллах фтористого лития. Дис.. д-ра физ.-мат. наук. // Иркутск. 1988.
    19. Е.Ф. Преобразование центров окраски и пространственные модуляционные явления в диэлектрических лазерных кристаллах. Дис.. д-ра физ.-мат. наук. // Томск. 1995.
    20. Л.А. Малоинерционные процессы радиационно-стимулированного преобразования электронных центров окраски. Дис.. д-ра физ.-мат. наук. // Томск. 1995.
    21. В.М. Закономерности образования, структура и лазерные свойства центров окраски в активированных фторидных кристаллах. Дис.. д-ра физ.-мат. наук. // Иркутск. 2003.
    22. Kirm М., Lushchik A., SteegB., Vasil’chenko Е., Vielhauer S. and Zimmerer G. Excitation of intrinsic and extrinsic luminescence by synchrotron radiation in a NaF crystal. // Radiation effects and defects in Solids. 1999. Vol. 149. P. 19−23.
    23. R.D. // Acta Cryst. 1976. Vol. A32. P.751.
    24. E.M., Гречушников Б. Н., Дистлер Г. И., Петров И. П. Оптические материалы для инфракрасной техники: Справочное издание // М.: Наука, 1965. 336 с.
    25. Акустические кристаллы: Справочник / Под ред. М. П. Шаскольской. // М.: Наука, 1982. 632 с.
    26. А. А., Кидибаев М. М., Казакбаева 3. М. и др. Светотехнические материалы на основе фторида натрия. // Тез. докл. Все-союзн. совещ. по материалам для источников света и светотехнич. изделий. Саранск, 1990. С. 25.
    27. Л. Быстродействующие оптические вычислительные машины и устройства памяти, использующие квантовые переходы // Зарубежная радиоэлектроника 1962 № 5 С. 85−86.
    28. Roder U. Storage properties of FA-centre holograms // Opt. Commun. 1972.V. 6, N 3 P. 270 274.
    29. В. В., Гольденберг А. Б., Лукащук С. Б. и др. Особенности радиационного окрашивания и запись объемных голограмм на кристаллах NaCI с дипольными кислородными центрами // Опт. и спектр. 1979.Т. 47, № 1, С. 146−150.
    30. А. А. Лазерные кристаллы. // М.: Наука, 1975. 256с.
    31. Н. В., Иванов Н. А., Иншаков Д. В.и др. Лазер на F2±подобных центрах в кристаллах NaF при ламповой накачке // Опт. и спектр. 1987. Т. 63, № 3. С. 552−556.
    32. Donalan J. L. Flashiamp pumped colour centre lasers in LiF and NaF// Opt. Commun. 1987. V. 64, N 4. P. 362−366.
    33. Т. Т., Вахидов Ф. А., Зверев П. Г. и др. Перестраиваемая в диапазоне 1, 1−1, 34 мкм генерация на кристаллах NaF с центрами окраски в схеме лазера МАЛКАН-201 // Краткие сообщения по физике. 1988. № 1. С. 18−20.
    34. В.О., Ломоносов И. И., Писаржевский А. Н. И др. Сцинтил-ляционный метод в радиометрии. // М.: Госатомиздат, 1961. 430с.
    35. К.К., Грант 3. А., Меже Т. К. и др. Термолюминесцентная дозиметрия. // Рига: Зинатне, 1968. 183с.
    36. . П. Дозиметрия и защита от ионизирующих излучений. // М., 1968. 336с.
    37. В., Бернхард Р. Дозиметрия ионизирующего излучения. // Рига: Зинатне, 1982, 142 с.
    38. И. А., Пензина Э. Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. // Иркутск: Восточно-Сибирское книжное издательство, 1977. 208с.
    39. Alybakov A. A., Gubanova V. A., Denisov G. S., Umurzakov В. S. Influence of oxygen centers on the thermoluminescence of NaF crystals. // Phys. stat. sol. 1984. V. 124, N 1. P. K75-K78.
    40. Christy R. W, Jonson N. M., Wilbarg R. P. Thermoluminescence and Color Centers in LiF. // J. Appl. Phys. 1967. V. 38, N 5. P. 2099−2100.
    41. Nakajima T. Correlation of optical absorption and thermoluminescence of thermotreated LiF crystals. // J. Appi. Phys. 1968. V.39, N10. P.4811−4814
    42. В. Б., Куделин К. М. Влияние примеси серебра на термолюминесцентные свойства монокристалла LiF. // Неорг. материалы, 1969. Т. 5, № 9. С. 1641−1643.
    43. Е. П. Зависимость кривых термовысвечивания LiF-фосфоров от природы активатора, предварительной термообработки идозы рентгеновского облучения. // Журнал прикл. спектр. 1966. Т. 5, № 2. С. 1216−1220.
    44. Rao C.M.D. Role of magnesium in lithium fluoride thermoluminescence. // Phys. Stat. Sol. (a). 1973. V. 24, N 2. P. 519−523.
    45. Townsend P. D, Clark C.D., Levy P.W. Thermoluminescence of lithium fluoride. // Phys. Rev. 1967. V. 155, N 3. P. 908−917.
    46. Micke S., Nink R. LiF: Ti as a material for thermoluminescencent do-simety. (TLD)//J. Luminescence. 1979. V. 18, N 19. P. 411−414.
    47. Micke S., Nink R. On the TL mechanism of LiF: Ti. // Nucl. Instrum and Meth.
    48. А.И., Раджабов E.A., Егранов А. В. Центры окраски и люминесценция кристаллов LiF. // Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1984. 112 с.
    49. Runciman W.A. Fluorescent centers in uranium-activated sodium fluoride. //Nature. 1955. V. 175, N4468. P. 1082.
    50. Runciman W.A. The fluorescence of uranium-activated sodium fluoride. // Proc. Roy. Soc. 1956. V. A237, N 1208. P. 39−47.
    51. П.П. Природа центров люминесценции в кристаллах искусственного флюорита, активированного редкими землями и ураном// Изв. АН СССР. Сер. физ. 1957.Т. 21, № 5. С. 779−780.
    52. П.П. О природе элементарных осцилляторов иона урана. // Опт. и спектр. 1960. Т. 8, вып. 6. С. 824−827.
    53. И.П. Люминесценция щелочно-галоидных соединений с примесью ураниловых солей. // Опт. и спектр. 1959.Т. 7, вып.1. С. 126−128.
    54. П.П. Ориентация центров люминесценции в кристаллах фтористого лития, активированных ураном. // Опт. и спектр. 1959. Т. 7, вып. 6. С. 842−843.
    55. Runciman W.A., Srinivasan В., Saebo S. Electronic structure of the principal utanium centre in alcali fluorides. // Austral-J. Phys. 1986. V. 39, N 4. P. 555−564.
    56. А.А., Москвин H.A. Пьезоспектроскопический эффект в кристаллах фтористого лития, активированного шестивалентным ураном. // Опт. и спектр. 1962. Т. 13, вып. 4. С. 542−549.
    57. А.А., Москвин Н. А. Комбинированные магнитоэлектрические дипольные переходы в спектрах кристаллов щелочных фторидов с шестивалентным ураном. // Докл. АН СССР. 1963. Т. 148, № 3. С. 558−561.
    58. А.А., Москвин Н. А. Пьезоспектроскопическое исследование центров люминесценции кристаллов щелочных фторидов, активированных шестивалентным ураном. // Опт. и спектр. 1963. Т. 14, вып.5. С. 676−686.
    59. О.Д., Каплянский А. А., Медведев В. Н. Линейный эффект Штарка в спектре люминесценции щелочных фторидов, активированных шестивалентным ураном. // Опт. и спектр. 1969. Т. 27, вып. 6. С. 960−964.
    60. Bagai Р.К., Warrier A.V.R. Optical absorption spectrumof U02 doped
    61. F. // J. Phys. C.: Solid. State Phys. 1977. V. 10, N 15. P. L437−439.
    62. Pant D. D., Sanwal D. N., Joshi J. C. Uranium-activated alkali fluoride phosphors: absorption and fluoresence spectra. // Indian J. Pure and Appl. Phys. 1969. V. 7, N 2. P. 103−106.
    63. Pant D.D., Sanwal D.N., Joshi J.C. Uranium-activated alkali fluoride phosphors: luminescence decay and models for emmiter of fundamental series. // Indian J. Pure and Appl. Phys. 1969.V. 7, N 5. P. 354−356.
    64. Л.М., Перекалина З. Б., Варфаломеева В. Н. и др. Люминесцентные свойства фтористого лития, активированного ураном. // Кристаллография. 1960. Т. 5, вып. 5. С. 757−760.
    65. Л.М., Добржанский Г. Ф., Феофилов П. П. Люминесценция монокристаллов фторидов лития и натрия, активированных ураном. //Изв. АН СССР. Сер. физ. 1961. Т. 25, № 4. С. 548−556.
    66. Bleijenberg К.С., Timrnermans C.W.M. Luminescence and electrical conductivity of uranium activated sodium fluoride crystals. // Phys. Stat. Sol. (a). 1978. V. 47, N 2. P. 589−595.
    67. Blasse G., Bleijenberg K.C., Krol D.M. The luminescence of hexavalent uranium in solids. // J. Luminescence. 1979. V. 18−19, N l.P. 57−62.
    68. Н.И., Красилов Ю. И., Сытько В. В. Спектрально-люминесцентные свойства и природа центров свечения в кристаллах LiF: U (VI). // Ж. прикл. спектр. 1982. Т. 37, № 4. С. 585−591.
    69. Н.И., Сытько В. В., Красилов Ю. И. и др. Люминесценция октаэдрических центров U(VI) в кристалле NaF. // Опт. и спектр. 1983. Т. 54, № 2. С. 279−284.
    70. Dalvi A.G.I., Sastry M.D., Joshi B.D. Trap level spectros-copy of act i nide doped phosphors:. LiF: U022+ and LiF: 241Am. // J. Phys. C: Solid. State Phys. 1984. V. 17, N 32. P. 5851−5863.
    71. В.В., Красилов Ю. И., Алешкевич Н. И. и др. Оптические свойства и электронное строение кристаллов LiF: U6+. // Ж. прикл. спектр. 1988. Т. 49, № 1. С. 163.
    72. Parrot R., Gendron F., Nand С. Dye laser selective exitation spectroscopy on U6+ luminescent molecular centers in LiF-U308 crystals. // Phys. Lett. 1981. V. A86, N 5. P. 315−317.
    73. A.H., Красилыцикова О. А., Платонов A.H. и др. Люминесценция минералов уранила. // Конституция и свойства минералов. Киев: Наукова думка, 1974. С. 107−122.
    74. .С. О люминесцентном определении урана в растворах в присутствии металлов-гасителей.//Ж.аналит.химии.1986. Т.21, № 1.С.70−75
    75. Т.Е. Люминесцентные методы определения урана. // М.: Наука, 1968. 95 с.
    76. May I., Fletcher М.Н. A battery-powered fluorimeter for the determination of uranium. // Geol. Survey Bull. 1954. N 1006. P. 97−104.
    77. А.А., Губанова В. А., Денисов Г. С. Спектры поглощения и люминесценции кристаллофосфоров LiF: U, Mg. // Изв. АН Кирг. ССР. 1972. № 1. С. 23−24.
    78. В.А. Спектры поглощения и люминесценции кристаллофосфоров на основе фторидов щелочных металлов. Дис. канд. физ. -мат. наук. // Фрунзе. 1972. 135 с.
    79. Р.Т., Алыбаков А. А. Инфракрасные спектры поглощения кристаллов фторидов лития и натрия с примесью гидроксила и урана. //Депонент, ВИНИТИ, № 7554. 1973, С. 1−11.
    80. Г. С. Исследование радиационных дефектов в примесных монокристаллах фторидов лития и натрия. Дис. канд. физ. -мат. наук. // Фрунзе, 1982. 176 с.
    81. Ursu I., Lupei A., Lupei V. Co-doping effects on the uranium centers in LiF. // 22 Congr. AMPERE. Magn. Reson. and Relat. Phenom. Proc. Zurich, 10−15 Sept. 1984. Zurich, 1984. P. 204−205.
    82. Lupei A., Lupei V., Ursu I. Impurities effects on the U6+ luminescence in LiF. // J. Phys. C: Solid St. Phys. 1985. V. 18, N 32. P. 6099−6107.
    83. Hollyday K., Manson N.V., Runciman W.A. Selective excitation and emission of magnesium-related centers in LiF: U. // J. Phys. C: Solid St. Phys. 1987. V. 20, N 25. P. 3993−4003.
    84. А.А., Москвин H.A., Феофилов П. П. Исследование электрической и магнитной серий в спектрах люминесценции щелочныхфторидов, активированных шестивалентным ураном. // Опт. и спектр. 1964. Т. 16, вып. 4. С. 619−624.
    85. Lupei V., Georgescu S., Ursu I. The hyperfine structure of U5+ in NaF and LiF single crystals. // J. Phys. C: Solid. State Phys. 1976. V. 9, N 13. P. 2619−2626.
    86. Lupei V., Lupei A., Georgescu S. EPR of U5+ in alkali fluorides with a new charge compensation mechanism. // Phys. Stat. Sol. (b). 1977. V. 83, N 1. P. 71−75.
    87. Lupei V., Lupei A. Nature of U5+ centers in NaF. // Phys. Stat. Sol. 1979. V. 94, N 1. P. 301−307.
    88. H.A., Лю Шунь-фу. Релаксационные спектры люминесценции фторидов щелочных и щелочноземельных металлов, активированных ураном. // Опт. и спектр. 1962. Т. 13, вып. 1. С. 107−111.
    89. Н.А. Спектрально-люминесцентные исследования кристаллов щелочных фторидов, активированных шестивалентным ураном. Автореф. дис. канд. физ. -мат. наук. // Тарту, 1975. 20 с.
    90. А.А., Айтматова Р. Т., Губанова В. А. и др. Влияние примеси ОН- на оптические спектры кристаллофосфора LiF: U. // Спектроскопия щелочно-галоидных и окисных кристаллов. Свердловск: УНЦ АН СССР, 1980. С. 16−18.
    91. Р.Т. Температурная зависимость локальных колебаний примесных анионов и комплексов в щелочно-галоидных кристаллах. Дис. канд. физ.-мат. наук. // Фрунзе, 1973. 120 с.
    92. А.Б., Алыбаков А. А., Чолоков К. С. Электропроводность кристаллофосфоров NaF: U, легированных примесью ОН". // Изв. АН Кирг. ССР. 1975. № 5. С. 28−30.
    93. А.А., Чормонов А. Б., Чолоков К. С. Электропроводность кристаллов LiF, легированных ионами урана и гидроксила. //Физические свойства ионных кристаллов. Фрунзе: Илим, 1978.С.29−33
    94. Runciman V.A.. Wong E.Y. Absorption and laser excited fluorescence of hexavalent uranium in LiF. // J. Chem. Phys. 1979. V. 71. P. 1838−1843.
    95. А.А. Образование, строение и свойства сложных примесных и радиационных центров в ионных кристаллах. /Бишкек: Илим, 2003. 352 с.
    96. М.М. Радиационно-стимулированные процессы в кристаллах (Li, Na) F:U, Me. / Каракол- Екатеринбург: ИГУ- УГТУ, 1999. 220 с.
    97. Г. С., Кидибаев М. М. Радиационные дефекты в кристаллах фторидов щелочных металлов. / Бишкек: Илим, 2003. 200 с.
    98. Deubner A., Schreiber G., Schubert R. Untersuchungen zur Absorption Kunstlich gezuchteter Li thiumfluoridkri stal 1 e im nahen Infrarot. // Optic. 1958. V. 15, N12. P. 734−738.
    99. Zimmerman D.W., Jones D.E. Photo and Thermolurm nescence of LiF (Mg, Ti). // Appl. Phys. Lett. 1967. V. 10, N 3. P. 82−84.
    100. Radzhabov E.A.A model of titanium luminescence center in Lithium and sodium fluorides. // Phys. Stat. Sol. (b). 1983. V. 115, N 1. P. 83−88.
    101. Jain S.C., Warrier A.V.R., Bagai R.K. Charge transfer spectra of LiF: Ti in VUV region. // Phys. Stat. Sol. (b). 1975. V. 68, N 1. P. K95-K98.
    102. Chase D.B., McClure D.S. The 3d-4s bands of transition metal ions in LiF and NaF. // J. Chem. Phys. 1976. V. 64, N 1. P. 74−80.
    103. A.M., Раджабов E.A. Механизм передачи возбуждения кристалла активаторным центрам в LiF-Ti02- // Опт. и спектр. 1980. Т. 48, № 4. С. 825−827.
    104. З.М., Кидибаев М. М., Багаев С. В. и др. Люминесцентные свойства кристаллов фтористого натрия активированного ионами свинца методом имплантации. // Свердловск, 1990. Деп. в ВИНИТИ, 1990, № 2592-В90
    105. Alybakov A.A., Gubanova V.A., Kazakbaeva Z.M., Kidibaev М.М. Manifestation of a Dynamical Jahn-Teller Effect in the Excitation Spectra of NaF: U, Pb2+ Single Crystals.//Phys. Stat. Sol.(b). 1991. V.167. P. k73-k74.
    106. Kidibaev M.M., Kazakbaeva Z.M., Gubanova V.A. Thermosti-mulated Lutninescsnce (TSL) of NaF: U, Pb single crystals. // Int. Simposium Luminescent Detectors and Transeormes of Ionizing Radiation. Riga, 1991.
    107. Казакбаева 3.M., Огородников И. Н., Кидибаев М. М. и др. Термосиму-лированная люминесценция активированных кристаллов NaF: U, Pb. // Ж. прикладной спектроскопии. 1992. Т. 56. № 1. С. 48−53.
    108. Alybakov A.A., Gubanova V.A., Kazakbaeva Z.M., Kidibaev М.М. The Study of Color Centers in NaF: U Single Crystals Co-doped with Pb2+. // Crystal Research. 1992. V. 27. № 3. P. K45-K48.
    109. П.П. //Acta Phys. Polon. 1964. V 26. P 331.
    110. А.А., Губанова В. А. Оптические свойства кристаллов фторидов щелочных металлов, активированных ураном. // Влияние примесей и дефектов на свойства кристаллов. Фрунзе: Илим, 1970. С.5−13.
    111. Lupei V., Georgescu S., Ursu I. EPR of U5+ ion in X-ray irradiated NaF-U. //Rev. Roumaine Phys. 1976. V. 21, N1. P. 25.
    112. Lupei A., Lupei V., Ursu I. Luminescence and EPR of uranium-activated sodium fluoride. // J. Phys. C: Solid. State Phys. 1982. V. 15, N 26. P. 5489−5496.
    113. Yariv A. Paramagnetic resonance and charge compensation of tetravalent uranium (U4+) in calcium, strontium and barium fluorides. // Phys. Rev. 1962. V. 128, N4. P. 1588−1592.
    114. Title R.S., Sorokin P.P., Stevenson M.J. et al. Optical spectra and paramagnetic resonance of U4+ ions in alkaline earth fluoride lattices. // Phys. Rev. 1962. V. 128, N 1. P. 62−66.
    115. Eisenstein J.S., Pryce M. H.L. The electronic structure and magnetic properties of uranyllike ions.//Proc. Roy. Soc. 1955. V. A229, N 1176. P.20−38.
    116. Е.П. Люминесценция кристаллов LiF, активированных азотнокислым уранилом. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1961. Т. 25, № 4. С. 545−546.
    117. Sootha G.D., Radhakrishna S., Agarwal S.K. Optical and electrical properties of uranium doped LiF and KC1. // Nuovo cimento. 1968. V. B64, N 1. P. 19−27.
    118. Runciman W.A., Srinivasan В., Richardson D.D. The formation energy oh point defects in ionic crystals.//Austral. J.Phys. 1985. Y.38, N5. P.741−748.
    119. Сен-Жам В. Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах. //Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах. М.:ИИМ, 1958.С.84−124
    120. А.В. Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах. // Томск: Томск, ун-т 1968. 388 с.
    121. Mc’Clure D.S., Kiss L. Colour centers .//J-Chem. Phys. 1963. V 39. P 3251.
    122. Кац M.JI. Люминесценция и электронно-дырочные процессы в фотохимически окрашенных кристаллах щелочно-галоидных соединений. // Саратов: Саратовск. ун-т I960. 271 с.
    123. М.И., ЦиноберЛ.И. Осбенности радиационных центров окраски и микроизоморфизм в кристаллах. // Кристаллография 1969. Т. 14, № 4. С. 755−766.
    124. Roesler D.M., WalkerW.C. Electronic spectrum of crystalline lithium fluoride. //J. Phys. Chem. Sol. 1967. V 28, N 8. P. 1507- 1515.
    125. Schulman J.H., Compton W.D. Color Centers in Solids. / London: Perga-mon Press, 1963.
    126. Markham J.J. F-centers in Alkali Halides./New York: Academic Press. 1 966 131.1vey H.F. Spectral position of absorption due to colour centers in alcalihalide crystals. // Phys. Rev. 1947. V. 72, N 4. P. 341−343.
    127. И.А., Пензина Э. Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. / Иркутск, 1977. 208 с.
    128. .Д., Саломатов В. Н., Юрьева Т.Г. F-подобные центры в кристаллах LiF, содержащих кислородно-вакансионные 02"Va+ диполи. // ФТТ. 1993. Т. 35, № 7. С. 1791−1796.
    129. В.Н., Щепина Л. И., Юрьева Т. Г. Влияние ионов Н~ и Mg2+ на энергетические параметры F-центров во фторидах щелочных металлов. // ФТТ. 1994. Т. 36, № 9. С. 2481−2485.
    130. Konrad К., Neubert T.J. F-aggregate centers in sodium fluonde. // J. Chem. Phys. 1967. V. 47, N 12. P. 4946−4950.
    131. Ю.М., Лущик Ч. Б., Махов B.H. и др. Использование син-хротронного излучения для исследования механизма образования F2-центров окраски в LiF. // ФТТ. 1982. Т. 24, № 6. С. 1696−1700.
    132. Р.А. Происхождение Р(М)-полос в спектре поглощения щелочно-галоидных кристаллов. // Опт. и спектр. 1964. Т. 16, № 2. С.361−362.
    133. Meyer A., Wood R.F. Electronic structure of the M-center in LiCl and LiF. //Phys. Rev. 1964. V 133A. P. 1436−1439.
    134. Klick C.C. Properties of Electron Centers. Point Defects in Solids. / Ed. by J. H. Crawford and A. M. Siifkin. // 1972.V.5.
    135. Pick H. Color Centers. Optical Properties of Solids. /Amsterdam- London, 1972. 653 p.141.0hkura H., Mori Ju., Tatsumi Ju. et al. Relaxed excited state of FA-centers in KC1. // J. Luminescence. 1976. N 12−13. P. 435−439.
    136. Physics of Color Centers. / Ed. by W. B. Fowler. New York- London:. Academic Press 1968.
    137. Berg K. J., Fronlich F. Formation of Z centers in KC1 doped with alkali earth ions under the X-irradiation. // Kristail und Technik. 1978. V.13, N 5. P. 481−489.
    138. Nishimaki N.. Shimanuki S. New Z-center in KC1 crystal. // Phys. stat. sol. (b). 1980. V. 97, N 2. К119-K122.
    139. Jain V.K. Theririol umi nescence of ZA-centers and sensibilization mechanism in LiF. //Phys. stat. sol. (a). 1981. V. 66, N 1. P.341−346.
    140. Jain V.K., Kathuria S.P. Thermoluminescence of Z3 centers in LiF (TLD-100) phosphor. //Phys. stat. sol. (a). 1978. V. 50, N 1. P.329−332.
    141. Mollenauer L.F., Olson D.H. Broadly tunable lasers using color centers. // J. Appi. Phys. 1975. V.46, N 7. P. 3109−3118.
    142. Ю.Л., Маренников С. И., Чеботаев В. П. Генерация на А2± и F2 -центрах окраски в кристалле LiF в спектральной области 0, 88−1, 2 мкм. // Письма в ЖТФ. 1977. Т. 3, вып. 7. С. 305−307.
    143. Eisele Н., Paus Н. J., Wagner J., Leduc М. Fading properties of a NaF: F2++ color center laser. // J. Appi. Phys. 1983. V.54, N 9. P.4821−4825.
    144. А.А., Гусев Ю. Л., Дроздова О. В. и др. Свойства активных сред на основе F2+ и Р2~-центров окраски в кристаллах NaF. // Перестраиваемые по частоте лазеры: Мат. IV Всесоюзн. конф. Новосибирск, 1984. С. 124−129.
    145. A.M., Бородин Н. В. К теории электронной структуры агрегатного центра окраски F2+ в кристалле LiF. // ФТТ. 1993. Т. 35, № 7. С. 1921−1925.
    146. В.И., Колесникова Т. А. Взаимодействия мощных наносе-кундных оптических вспышек и лазерных импульсов с центрами окраски фторида лития. // Опт. и спектр. 1994. Т. 77, № 1. С. 57−60.
    147. Kanzig W., Woodruff Т.О. The electronic structure of H-centers. // J. Phys. Chem. Sol. 1958. V. 9, N 1. P. 70−92.
    148. Dakss M.L., MieherR.L. Electron-Nuclear Double-Resonance Study of H-center in LiF. // Phys. Rev. Lett. 1967. V. 18. P. 1056−1058.
    149. Ч.Б., Лийдья Г. Г., Эланго М. А. Электронно-дырочный механизм создания центров окраски в ионных кристаллах. // ФТТ. 1964. Т. 6, № 8. С 2256—2262.
    150. Ч.Б., Витол И. К., Эланго М. А. Экситонный механизм создания F-центров в бездефектных участках ионных кристаллов. // ФТТ. 1968. Т. 10, № 9. С. 2753−2759.
    151. P.O., Эланго М. А. О роли дырочных процессов при создании F-центров в ионных кристаллах на начальной стадии радиационного окрашивания. // ФТТ. 1965. Т. 7, № 12. С. 3673−3675.
    152. А.В., Заславская Л. Г. Центры окраски и термолюминесценция кристаллов LiF-Mg. // Изв. АН Латв. ССР. Сер. физ. и техн. наук. 1967. № 6. С. 43−47.
    153. Mort J., Zimmerman D.W. Photo-luminescence of Z3-center in LiF-Mg. // Phys. Lett. 1966. V. 21, N 3. P. 273−274.
    154. Klick G.C., Claffy E.W., Gorbic S.G., Attix F.H., Shulman J.H., Allard. J.G. Thermoluminescence and color centers in LiF: Mg. // J. Appl. Phys. 1967. V. 38, N 10. P. 3867−3870.
    155. Е.П. Люминесценция активированных кристаллов LiF. // Физика щелочно-галоидных кристаллов. Рига, 1962. С. 211−215.
    156. .С. Стабилизация центров окраски в кристаллах фторида натрия и создание активных сред для перестраиваемых лазеров. Авто-реф. дис. канд. техн. наук. // Алма-Ата, 1986.
    157. А.Н., Угланова В. В., Маркина Т. А. Оптические свойства рент-генизованных кристаллов LiF разной чистоты. // Радиационная физика. Рига, 1965.№ 3. С. 27.
    158. Gorlicn P., Karras Н., Kotits G. Studies on the coloration of LiF crystals. // Phys. Stat. sol. 1963. V. 3, N, P. 1629−1637.
    159. Nahum J. Optical properties and formation kinetics of M±centers in NaF. // Phys. Rev. 1968. V. 174, N 3. P. 1000−1003.
    160. Chandra A., Holcomb D.F. Taxonomy of F-aggregate centers in NaF. // J. Chem. Phys. 1969. V. 51, N 4. P. 1509−1523.
    161. Alybakov A. A. at.o. Stability of Electronic Colar Centers in NaF: Li Single crystals. // Crystal Res and technol. 1982. V. 17, N 1. P. 115−122.
    162. Stiles L. F., Fitchen D. B. F3±center in NaF. // Phys. Rev. Lett. 1966. V. 17, N 13. P. 689−691.
    163. Baumann G., Von der Osten W., Waidelich W. R-center luminescence in LiF. // Phys. Lett. 1966. V. 20, N. P. 579−581
    164. П.С., Костенко С. С. О люминесценции F-агрегатных центров у-облученных кристаллов LiF. Влияние электронного излучения на физические свойства материалов. Хабаровск, 1987. С. 29−42
    165. .Д., Костюков В. М., Максимова К. Т., Саломатов В. Н., Ще-пина Л.И., Юрьева Т. Г. О природе предколлоидальных центров окраски в кристаллах LiF как металлических аналогов F- и F-агрегатных центров. // ФТТ. 1995. Т. 37, № 9. С. 2545−2549.
    166. W. С., Schneider I., Klein P. М., Jonson L. R. Additive and elecro-lytic coloration of NaF. // Appl. Phys. Lett. 1974. V. 24, N 9. P. 403−404.
    167. Piacentini М., Lynch D.M., Olson C.G. Thermoreflectance of LiF between 12 and 30 eV. // Phys. Rev. B. 1976. V.13, N 12. P 5530−5540.
    168. Sano R. Optical properties of NaF single crystals in VUV region. // J. Phys. Soc. Japan. 1969. V 27, N 3. P. 695−705.
    169. Channey R.C., Laton E.E., Lin C.C. Energy band structure of lithium fluoride crystals by method of tight binding. // Phys. Rev. B. 1971. V.4, N 8. P 2734−2741.
    170. Drost D.M., Fry F.L. A self-consistent procedure for line-ar-combination-of-atomic orbital method. Application to LiF. // Phys. Rev. B. 1972. V.5, N 2. P. 684−697.
    171. Laramore G.E., Switendick A.C. Low-energy-electron-diffraction intensity profiles and electronic energy bands for lithium fluoride. // Phys. Rev. B. 1973. V.7, N 8. P. 3615−3628.
    172. Perrot F. Hartree-Fock band structure of alkali fluorides and chlorides. // Phys. Stat. Sol. (b). 1872. V52, N 1. P. 163−173.
    173. Brener N.E., Fry J.L. Convergence of reciprocal lattice ex pansion and self-consistent energy bands of NaF. // Phys. Rev. B. 1972. V6, N 10. P. 4016−4024.
    174. Ч.Б., Лущик А. Ч. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. М.: Наука, 1989. 263с.
    175. Ч.Б., Лущик А. Ч., Васильченко Е. А., Савихин Ф. А. Люминесценция одногалоидных экситонов и внутризонная люминесценция в щелочно-галоидных кристаллах. // ФТТ. 1995. Т. 37, № 2. С. 525−535.
    176. Klick C.C. Point defects in insulators. // Science. 1965. V.150, N 3695. P. 451−458.
    177. Varley J.H.O. //J. Nucl. Energy. 1954. V.l. P 130−147.
    178. Ч.Б., ВасильченкоА.Е., Лущик Н. Е., Пунг Л. А. Релаксирован-ные и нерелаксированные возбуждения в кристаллах типа NaCl. // Тр. ИФА АН ЭССР. 1972. № 3. С. 3−46.
    179. Э.Д., Чернов С. А. Миграция дырок в щелочно-галоидных кри-сталлах.//Радиационная физика. Рига: Зинатне, 1973. Вып.7.С.9−59.
    180. .П., Вайсбурд Д. И. Исследования переноса дырок валентной зоны в LiF при наносекундном облучении плотными потоками электронов // ФТТ. 1978. Т. 20, № 12. С. 3739−3740.
    181. Schoemaker D. g- and Hyperfme Components of V «.-Centers // Phys. Rev. B. 1973. V.7, N 2, P 786−801.
    182. Л. А., Халдре Ю. Ю. Исследование электронных и дырочных процессов в ионных кристаллах по неизотермической релаксации ЭПР и рекомбинационной люминесценции. // Тр. ИФА АН ЭССР. 1970. № 38. С. 50−84.
    183. Э.Д., ЛусисД.Ю., Чернов С. А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов. Рига: Зинатне, 1979. 251 с.
    184. Ю.В., Лущик А. Ч. Структура и краудионный механизм движения Н-интерстициалов в щелочно-галоидных кристаллах. // ФТТ. 1986. Т. 28, № 5. С. 1432−1438.
    185. Н., Герни Р. Электронные процессы в ионных кристаллах. М: ИЛ, 1950.
    186. Ч.Б., Рэйол И. К., Эланго М. А. Экситонный механизм создания F-центров в бездефектных участках ионных кристаллов. // ФТТ. 1968. Т. 10, № 9. С. 2753−2759.
    187. Р.А., Лийдья Г. Г., Лущик Ч. Б., Соовик Т. А. Экситонные процессы в щелочно-галоидных кристаллах. // Тр. ИФА АН ЭССР. 1969. № 36. С 3−56.
    188. Ч.Б., Куусманн И. Л. Люминесценция, автолокализация и распад экситонов в ионных кристаллах. // УФН. 1977. Т. 120, № 3. С. 504 505.
    189. Ч.Б., Витол И. К., Эланго М. А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах. // УФН. 1977. Т. 122, № 2. С. 223−251.
    190. Gorlich P., Karras Н., Kotitz G. On the fluorescence of synthetic LiF crystals. // Phys. Stat. Sol. 1963. V. 3. P. 1803−1807.
    191. Pringsheim P., Yuster P. Absorption bands and luminescence of lithium fluoride, irradiated at low temperature. // Phys. Rev. 1950. V. 78, N 1, P. 293−296.
    192. Г., Хаусманн А., Зандер В. Электронная структура точечных дефектов. М.: Атомиздат, 1977. 205 с.
    193. А.Е., Цаль Н. А. Об одной модели образования Х-центров в щелочно-галоидных кристаллах. // ФТТ. 1968. Т. 10, № 3. С. 935−937.
    194. А.Н., Михайлин В. В. Введение в спектроскопию твердого тела. М: МГУ, 1987. 192 с.
    195. Randall J., Wilkins М. Phosphorescence and electron traps. // Proc. Roy. Soc. (London) 1945. V. A184, N 1. P. 366−372.
    196. Э.Д. Исследование процессов тушения радиолюминесценции щелочно-галоидных кристаллов. // Радиационная физика. Рига, 1967.Вып.5. С. 7−77.
    197. Антонов-Романовский В. В. Кинетика фотолюминесценции кристалло-фосфоров. М.: Наука, 1966. 342с.
    198. Антонов-Романовский В.В. О диффузионной кинетике рекомбинаци-онной люминесценции. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1971. Т. 35. № 7. С. 1290−1300.
    199. А.И., Календарев Р. И., Бердичевская Г. Ю. Комплексное исследование неизотермических релаксационных процессов в щелочно-галоидных кристаллофосфорах. // ФТТ. 1966. Т. 8, № 9. С. 2532−2535.
    200. Chen R. Calculation of activation energy and frequency factors from glow curves. // J. Appl. Phys. 1969. Y. 40, N 2. P. 570−586.
    201. Lambert M., Guinier A. Imperfections de structure der LiF irradie aux neutrons: reassemb lements d’atomes interstitiels. // C. R. Acad. Sci. 1957. V. 245, N 5. P. 526−528
    202. Lambert M., Berge P., Mazieres C., Quinier A. Nouvelles preuves de la precipitation de lithium metallique dan les sels de fluoride lithium irradies par neutrons thermiques. // C. R. Acad. Sci. 1959. V. 249. P. 2054−2056
    203. Lambert M., Mazires Ch., Guinier A. Precipitation de lithium dans les monocristaux de fluorore de lithium irradies aux neutrons thermiques. // J. Phys. Chem. Sol. 1961. V. 18, N 2/3. P. 129−131.
    204. Л.Ф. Центры окраски в облученных кристаллах фторида лития. // Электронные и ионные процессы в твердых телах. Мецниере-ба, Тбилиси, 1968. Вып. 3. С. 16−26.
    205. Л.Ф., Политов Н. Г. Квазиметаллические центры в кристаллах LiF. // ФТТ. 1970. Т. 12, № 1. С. 124−127.
    206. Н.Г., Ворожейкина Л. Ф. Термические превращения радиационных дефектов в кристаллах фторида лития.//ФТТ.Т.12,№ 2.С.343−350
    207. Л.Ф., Политов Н. Г. Металлические и квазиметаллические центры в ионных кристаллах. // Электронные и ионные процессы в тв. телах. Мецниереба, Тбилиси, 1971.Вып. 4. С. 36−87.
    208. Kubo К. Colloidal Li metal in neutron-irradiated LiF crystals. // J. Phys. Soc. Japan. 1963. V. 18, N 11. P. 1703.
    209. И.С. Коллоидальные центры окраски в кристаллах фторида лития. И ФТТ. 1969. Т. 11, № 7. С. 1829−1831.7 1Q
    210. Ring P.J., O’Keefe J.G., Bray P.J. Li and F nuclear magnetic resonance in neutron-irradiated LiF. // Phys. Rev. Lett. 1958. V. 1, N 12. P. 453−455.
    211. Kaplan R., Bray P.J. Electron-spin paramagnetic resonanse studies of neutron-irradiated LiF. // Phys. Rev. 1963, V. 129. P. 1919 -1921.
    212. Knitson C.D., Hoopers H.O., Bray G.J. A nuclear magnetic resonance study of decomposition in neutron-irradiated LiF. // Phys. Chem. Sol. 1966. V. 27, N 1. P. 147−149.
    213. Kirn J.W., Kaplan R., Bray P J. Investigation of metal lithium in neutron irradiated LiF by ESR technique. //Phys. Rev. 1960. V. l 17, N3. P.740−742.
    214. А.Я., Шварц К. К. Природа парамагнитных дефектов в облученных на реакторе кристаллах LiF. // Изв. АН Латв. ССР. Сер. физ. и техн. наук. 1968. № 2. С. 48−52.
    215. А.Я., Шварц К. К., Экманис Ю. А. Парамагнитная релаксация в радиационных коллоидах лития. // ФТТ. 1970. 1. 12, № 2. С. 487−491.
    216. Л.И., Калабегишвили Т. Л., Политов Н. Г., Соболевская С. В. ЭПР коллоидов лития в облученных нейтронами кристаллах LiF. // ФТТ. 1967. Т. 9, № 10. С. 2986−2987.
    217. Д.Т., Политов Н. Г., Соболевская С. В. Центры окраски и коллоиды в кристаллах фтористого лития. //Электронные и ионные процессы в твердых телах. Тбилиси: Мецниереба, 1973.Вып.5. С.36−55
    218. В.И., Кристапсон Я. Ж., Шварц К. К., Экманис Ю. А. Коллоидальные центры и процессы радиолиза в щелочно-галоидных кристаллах. //Радиационная физика. Рига: Зинатне, 1973.Вып. 7. С. 143 -196.
    219. Scott А.В., Smith W.A., Thomson М.А. Alkali halides colored by colloidal metal. // J. Phys. Chem. 1953. V. 57, N 8. P. 757−759.
    220. B.M., Васильев H.H., Протасеня А. Л. и др. О механизме образования N-центров в у-облученных кристаллах LiF. // Тез. докл. VII Всесоюзн. конф. по радиационной физике и химии неорганических материалов. Рига, 1989. Ч. 1. С. 244−245.
    221. Я.Ж. Радиационные коллоидальные центры в щелочно-галоидных кристаллах. // Изв. АН Латв. ССР. Сер. физ. и техн. наук. 1970. № 1. С. 34−46.
    222. К.К., Люшина А. Ф., Витол А. Я. Коллоидальные центры в облученных кристаллах LiF-Mg. // ФТТ. 1969. Т. 11, С. 1885−1887.
    223. П.С., Костенко С. С., Шуралева Е. И. Влияние термического отжига на преобразования центров окраски в Y-облученных кристаллах LiF различной чистоты. // Электронные возбуждения и структурные дефекты кристаллов. Хабаровск, 1986. С. 33−52.
    224. Morehead F. F.,. Daniels F. Storage of Radiation energy in crystallin lithium fluoride and metamict materials // J. Phys. Chem. 1952. V.56, N2. P.546−548.
    225. А.А., Буйко B.M., Кидибаев M.M. Радиационные дефекты в кристаллах LiF: ОН и LiF: U, Na. // Тез. докл. V всесоюзн. совещ. по радиационной физике и химии кристаллов. Рига, 1983.
    226. Alybakov А.А., Bujko V.M., Kidibaev M.M. Thermal destruction of centers due to hydroger atoms in X-irradiated LiF: OH single crystals. // Crystal Reseach and Technology. 1982. V. 18, N 11. P. K129-K131.
    227. Alybakov A.A., Kidibaev M.M., Tojchiev N. EPR and optical absorption spectra of X-irradiated NaF: U, Li crystals. // Crystal Research and Technology. 1984. V.19. N 11. P. K97-K99.
    228. А.А., Буйко В. М., Кидибаев М. М., Тойчиев К. Радиационные дефекты в монокристаллах NaF:U, Li. //. Радиационная физика полупроводников и родственных материалов: Тез. докл. Ташкент, 1984
    229. М.М. Изменение спектров оптического поглощения кристаллов LiF: U, Na под действием облучения. // Изв. АН Кирг. ССР. 1986. Т.2. С. 17−18.
    230. Alybakov A.A., Gubanova V.A., Kidibaev М.М. Anomalous change of absorption spectra of X-irradiated LiF: U and LiF: U, Na crystals when heating. // Phys. State. Sol. 1986. V. 135, N 1. P. K49-K52.
    231. Alybakov A.A., Gubanova V.A., Kidibaev M.M. Absorotion bands of U4+ and U3+ ions in X-irradiated LiF: U, Me crystals. // Phys. Stat. Sol. 1986. V. 137. P. 3.
    232. А. А., Буйко В. M., Кидибаев М. М. Спектры оптического поглощения облученных кристаллов LiF:U, Си и их аномальное изменение при нагревании. // Изв. АН Кирг. ССР. 1986. С. 5.
    233. М.М., Алыбаков А. А., Буйко В. М. Радиационные эффекты в кристаллах NaF:U, Си и NaF: U, Ti. // Тез. докл. VII Всес. совещ. по ра-диац. физике и химии ионных кристаллов. Рига, 1986. С. 304−305.
    234. В.М., Казакбаева З. М., Кенжебаев Б. К., Кидибаев М. М. Радиа-ционно-стимулированные эффекты в активированных кристаллах фтористого натрия. / // Радиационные гетерогенные процессы: Тез. докл. V Всесоюзн. совещ. Кемерово, 1990. С. 42.
    235. А.А., Кидибаев М. М., Кенжебаев Б. К. Дозиметрические и сцинтилляционные свойства кристаллов LiF:U- LiF: U, Sc и LiF: U, Sr. // Радиационно-стимулированные явления в твердых телах. Свердловск, УПИ 1989. С. 86−90.
    236. А. А., Кидибаев М. М., Королева Т. С. и др. Изменение зарядового состояния примесных ионов U6+ в кристаллах LiF:U, Me. // Тез. докл. VIII конф. по радиационной физике и химии неорганич. материалов РФХ-8. Томск, 1993. С. 34−35.
    237. Braunlich P., Scharmann A. Ein einfaches Model fur die Deutung der Termolumineszens und der thermisch stimulierten Leitfahigkeit von A1 ka 1 ihalogeniden. // Z. Phys. 1964. Bd. 177, N 3. P 320−336.
    238. В.А., Орлова Т. Е., Шульдинер А. В. Влияние деформации на термостимулированную люминесценцию облученных кристаллов LiF. // ФТТ. 1995. Т. 37. С. 675−681.
    239. Rao K.V., Scharma J. // Physica, 1962. V. 28, P. 653−657.
    240. Rao K.V.//Zs. Phys. 1963. V. 172, P. 258−262, 274.
    241. Dalvi A.G.U., Sastry M. D, Itoh B.D. Trap level spectroscopy of acti nide-doped phosphors: ILiF: U022+ and LiF:241 Am. //J. Phys. C: Solid St. Phys. 1984. V. 17, N 32. P. 5851−5863.
    242. Cameron J.R., Daniels F., Johnson N. Kenney G. Radiation Dosimeter Utilizing the thermoluminescence of LiF.//Science. 1961.V.134, P.333−334
    243. Cameron J.R., Zimmerman D., Kenney G. et al. Thermoluminescent Radiation Dosimetry Utilizing LiF.//Health Phys. 1964. V. 10, N. 1. P. 25−29.
    244. Cameron J.R., Zimmerman D., Kenney G. Thermoluminescent Radiation Dosimetry with Lithium Fluoride. // Rad. Res. 1963. V.19, N1. P. 199−200.
    245. Frank M., Dubrau H.J., Lindertat H., Herforth I. Thermoluminescent Dosimetry with Lithium Fluoride. // Keruenergie. 1964. V. 7, N 3. P. 570−573.
    246. Hartin W.J. An Improved LiF Dosimetry System. // Health Physics. 1966. V. 12, P. 1181.
    247. Karzmark C.J., White J., Fowler J. F. LiF Thermoluminescent Dosimetry. // Phys. Med. Biol. 1964. V. 9, N 1. P. 273−286.
    248. Goldstein N., Tochilin E., Miller W. G. Millired and Megared Dosimetry with LiF. // Health Physics. 1968. V. 14. P. 159−162.
    249. Dubois M., Berge P., Benveniste M., Blanc G. Influence of Impurities on the Optical Properties of Irradiated Lithium Fluoride. // J. Phys. (Paris) 1964. V. 25. P. 1017−1023.
    250. Kawai K., Itoh N., Suita N. The Effect of Impurities (Varions Ions) on the Thermoluminescence of LiF. // Radioisotopes (Tokyo). 1966. V. 15, N 5, P. 215−220.
    251. Claffy E.W. Impurity Absorption Bands in Thermoluminescent LiF. // Phys. Stat. Sol. 1967. V. 22, N 1. P. 71−76.
    252. Klick C. C, Claffy E.W., Gorbics S.G. et al. Thermoluminescence and Color Centers in LiF: Mg. // J. Appl. Phys. 1967. V. 38. P. 3867−3874.
    253. K.K., Кристапсон Я. Ж., Лусис Д. Ю., Подинь А. В. Фтористый литий: оптические свойства и применение в термолюминесцентной дозиметрии. // Радиационная физика. Рига: Зинатне, 1967. Вып. 5. С. 179−236.
    254. Stoebe T. G, Watanabe S. Termoluminescence and lattice defects in LiF. // Phys. State. Sol. (a). 1975. V. 29, N. 1. P. 11−29.
    255. А.И. Примесные центры, радиационные и фотохимические процессы с их участием в кристаллах фтористого лития. Дис. д-ра физ.-мат. наук. Иркутск- Рига, 1988. 376 с.
    256. М., Штольц В. Твердотельная дозиметрия ионизирующего излучения. М: Атомиздат, 1973. 247 с.
    257. К.М. Термолюминесцентные LiF-детекторы (обзор)// ПТЭ. 1979. № 3, С. 21−28.
    258. P., Gopalakrishnan А. К., Rao S. М. D, Nambi К. S. V. New LiF (Mg. Dy) Phosphors for Thermolurnnescent Dosimetry. // Indian J. Pure and Appl. Phys. 1981. V. 19, N 4. P. 323−325.
    259. Nakajima Т., Murayama Y., Matsusama T. Development of a new highly sensitive LiF thermoluminescent dosimeter and its applications. // Nucl. Instrum. Methods. 1978. V. 157, N 1. P. 155−162.
    260. O.H., Колотилин В. В., Тарасова JI.M. и др. Термолюминесцентные и дозиметрические свойства высокочувствительного LiF. // Тез. докл. VII Всесоюзн. конф. по радиационной физике и химии неорганических материалов. Рига, 1989. Ч. 2. С 7530.
    261. К.К., Меже Т. К., Грубе М. М. Некоторые вопросы техники измерения в термолюминесцентной дозиметрии. // Радиационная физика. Рига, Зинатне, 1967. Вып.5. С. 237−257.
    262. Niewiadomski I. Doping methods and some thermoluminescen-ce and dosiffietric properties of LiF: Cu, Ag and CaF: Mn. // Nucleonica. 1967. V. 12, N4. P. 281−301.
    263. Г. А. Радиолюминесценция и послесвечение ще-лочно-галоидных кристаллофосфоров. // Радиационная физика. Рига: Зинатне, 1967.Вып.5. С. 103−122.
    264. В.И. Термоактивационная экзоэлектронная спектроскопия фторидов лития и натрия: Дис.канд.физ.-мат. наук. Екатеринбург, 1992. 197 с.
    265. Alybakov A.A., GubanovaV. A., Kidibaev М.М. Thermostimulated exoelectron emission of X-irradiated LiF: U, Na single. // The 9-th international symposium of exoelectron emission and applications. Wroclav, Poland, 1989. V. 2. P. 465−469.
    266. А.А., Губанова B.A., Кидибаев M.M., Кенжебаев Б. К. Изменение спектров поглощения кристаллов NaF:U, Си при облучении и последующем нагревании. //. Оптика анизотропных сред: Тез. докл. Москва, 1990.
    267. Kidibaev М.М., Kazakbaeva Z.M., Kenzhebaev В.К., Esengeliev. TSEE and TSL doped NaF single crystals. // Proc. 10-th Int. SymP. on Exoelectron Emission and Appi. Tbilisi, 1991. P. 356.
    268. Moszynski M., Lindblad Th. Deterini nation of the scintillation light yield for NaF. // Nucl. Instrum. and Mrth. Phys. Res. 1988. V. A264, N 2−3. P. 388−390.
    269. JI.В., Скориков В. М., Жуков В. М., Шульгин Б. В. Неорганические сцинтилляционные материалы. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1991. Т. 27, № 10. С. 2005−2029.
    270. Charkina Т.A., Eidelman L.G. et al. // Book of Abstracts Int. Conf. on Inorganic Scintillators and Their Appl. Netherlands: Delft, 1995. P. 105.
    271. Charkina T.A., Eidelman L.G. et al. // Ibid, P. 161.
    272. Rhodes N.J., Johnson M.W. The role of inorganic scintillators in neutron detector technology. // Proc. Int. Conf. on Inorganic Scintillators and Their Application. Netherlands: Delft, 1996. P. 73−83.
    273. С.А., Кидибаев M.M., Соболев И. А., Обухов В. Т. Дозиметрические и сцинтилляционные свойства активированных кристаллов фтористого натрия. // Тез. докл. II Республ. конф. по физике твердого тела. Ош, 1989. С. 164.
    274. Т.А., Шульгин Б. В., Алыбаков А. А., Кидибаев М. М., Казакбаева З. М. Сцинтилляционные свойства активированных кристаллов LiH и LiF (NaF). // Тез. докл. Межгосударств, конф. Сцинтилято-ры-93. Харьков, 1993. С. 36.
    275. Л.М., Добржанский Г. Ф., Чадаева В. В. и др. Выращивание активированных кристаллов фтористого лития. // Кристаллография. 1959. Т. 4., вып. 5. С. 794 -795.
    276. Ф.Д. Связь между спектральными свойствами и явлениями тушения в кристаллофосфорах // Известия АН СССР. Серия физика 1951. Т. 15. № 5
    277. А.Е. Геохимия. Л.: ГХТИ, 1934. Т.1.
    278. Г. Б. Кристаллохимия . М.: МГУ, 1960. 357 с.
    279. Lupei V., Voicu I. EPR of Mn4+ in LiF: U, Mn. // J. Phys. and Chem. Solids. 1976. V. 37. P. 1093−1096.
    280. К.К., Хижняков В. В. Теория квазилинейчатых электронно-колебательных спектров в кристаллах. // Оптика и спектроскопия 1963. Т. 14, № 3. С. 362−370.
    281. А.А. Ионные и электронные свойства щелочно-галоидных кристаллов. Томск, 1968. 304 с.
    282. Frenkel J. On the transformation of light into heat in solids. I // Phys. Rev. 1931. V37, N 1. P. 17−25.
    283. Дж., Винйард Дж. Радиационные эффекты в твердых телах. М.: ИЛ, 1960.
    284. П.Д., Дубовик В. И. Новая методика дозиметрии -излучения на кристаллах LiF:H~. // Физика твердого тела и новые области ее применения: Тез. докл. II Республ. конф., Караганда, 1990. С. 81 .
    285. Т.Ш., Соболевская С. В. ЭПР частиц металлического лития в кристаллах LiF. // Электронные и ионные процессы в твердых телах. Тбилиси: Мецниереба, 1974. Вып. 7. С. 19−28.
    286. Д.Д., Соболевская С. В. Влияние превращений радиационных дефектов на электропроводность и ЭПР кристаллов LiF. // Электронные и ионные процессы в твердых телах. Тбилиси: Мецниереба, 1975. Вып. 8. С. 19−28.
    287. Т.Ш., Соболевская С. В. Эволюция частиц металического лития при отжиге кристаллов LiF. // Электронные и ионные процессы в твердых телах. Тбилиси: Мецниереба, 1977.Вып. 9 С. 39−45
    288. Ген М.Я., Пертинов В. И. Электронный парамагнитный резонанс на мелкодисперсном литии // Ж. экспериментальной и теоретической физики. 1965. Т. 48, № 1. С. 29−33.
    289. Lord N.W. Hyperfme structure of F-center spin resonance in lithium fluoride and sodium fluoride. // Phys. Rev. 1957. V. 105, N 2. P. 756−757.
    290. A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М.: Высшая школа, 1971. 336 с.
    291. Д. Люминесценция кристаллов. М.: ИЛ, 1961. 199 с.
    292. Ч.Б. Исследование центров захвата в кристаллах методом термического обесцвечивания // ЖЭТФ. 1956. Т. 30, № 3. С. 488−499.
    293. З.Х., Соовик Т. А. О нарастании и затухании сцинтилляций в активированных таллием щелочных иодидах // Тр. ИФА АН ЭССР. 1966. № 31. С. 275−277.
    294. Р.К. Характеристики сцинтилляторов // Успехи физ. наук. 1956. Т. 58, вып. 3. С. 519−553.
    295. Дж. Сцинтилляционные счетчики. М.: ИЛ, 1955. 150 с.
    296. А.А., Кидибаев М. М., Ерухимович С. М. Старцев B.C., Шульгин Б. В. Неорганический сцинтиллятор // А. С. 1 304 584 СССР. Б. И., 1986.
    297. М.М., Алыбаков А. А., Викторов Л. В., Кружалов А. В., Шульгин Б. В. Неорганический сцинтиллятор. //А. С. 1 382 206 СССР.
    298. А. А., Губанова В. А., Кидибаев М. М., Кенжебаев Б. К. Термолюминесцентный дозиметр // А.С. 1 384 028 СССР. Б.И., 1987.
    299. М.М., Тойчиев Н. Спектры ЭПР ионов U5+ в облученных кристаллах LiF:U, Me. // Изв. АН Респ. Кыргызстан. Физ. -тех. сер. Фрунзе, 1991. Т 2. С. 71−73.
    300. М.М., Королева Т. С., Умурзаков Б. С. Дозиметрические и сцинтилляционные свойства кристаллов LiF:U, Me. // Ин-форм. листок № 38 (7145). Бишкек, 1995. С. 1−7.
    301. Kidibaev М.М., Koroleva T.S. et al. Some properties of scintillators on the basis of LiF and NaF single crystals. // Int. Conf. on Inorganic Scintillators and their Applications, SCINT-95. Netherlands, 1995. P. 147.
    302. Kidibaev M.M., Koroleva T.S. et al. Some properties of scintillators on the basis of the LiF and NaF single crystals. // Циклотроны и их применение: Тез. докл. Технического совещания. Екатеринбург, 1995. С. 40−42.
    303. .С., Королева Т. С., Кидибаев М. М. Влияние акцепторной примеси на эффективность перестраиваемых лазеров на центрах окраски. // Новое в лазерной медицине: Материалы международной научно-практической конф. Бишкек, 1995. С. 181−183.
    304. М.М., Королева Т. С., Умурзаков Б. С. Генерация центров окраски и их термоустойчивость в кристаллах LiF:U, Me. // Детектирование ионизирующих излучений: Межвузовский сборник Екатеринбург, УГТУ, 1996. С. 15−23.
    305. А.А., Добржанский Г. Ф., Губанова В. А. Выращивание ионных кристаллов с малой плотностью дислокаций. // Кристаллография. 1964. Т. 9, вып. 6. С. 940−942.
    306. В.Н., Куликаускас B.C., Черепанов А. Н., Шульгин Б. В., Кидибаев М. М. Определение содержания и местоположения примесей урана и церия в кристаллах NaF. // Поверхность. Рентгеновские, синхро-тронные и нейтронные исследования. 2003. № 8. С. 49−51.
    307. Т.С., Pedrini Ch., Moretti Р., Шульгин Б. В., Черепанов А. Н., Иванов В. Ю. Модифицирующее влияние ионных пучков на монокристаллы фторида натрия и лития. // Поверхность. Рентгеновские, син-хротронные и нейтронные исследования. 2005. № 4. С. 3−8.
    308. Koroleva T.S., Shulgin B.V., Pedrini Ch., Ivanov V.Yu., Raikov
    309. D.V., Tcherepanov A.N. New scintillation materials and scintiblocs for neutron and y-rays registration. // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 2005. Vol. A537. P. 415−423.
    310. .К., Кидибаев М. М., Королева Т. С., Черепанов А. Н., Райков Д. В., Иванов В. Ю., Рябухин О. В. Ионолюминесценция кластеров Eu2±Eu3+ в монокристаллах NaF:Eu. // ФТТ. 2005. Т. 47, вып. 8. С. 1415−1416.
    311. В.А., Абросимов А. В., Королева Т. С., Черепанов А. Н. Локальная кристаллическая структура примесных ионов Zn2+ в кристалле LiF-U, Zn. // ФТТ. 2005. Т. 47, вып. 8. С. 1420−1422.
    312. А.Н. Особенности термостимулированных процессов в монокристаллах фторида натрия и лития. // Радиационная физика: труды междунар. Летней школы Бишкек-Каракол, 2004. С.37−38.
    313. А.Н. Влияние пучков тяжёлых ионов на состояние дефектности поверхностных слоев кристаллов NaF. // Проблемы спектроскопии и спектрометрии: Межвузовский сборник научных трудов. Екатеринбург: ГОУ ВПО УГТУ-УПИ. 2003. Вып. 12. С. 39−40.
    314. А.Н., Багаев В. Н., Куликаускас B.C. Исследование кристаллов NaF методом резерфордовского обратного рассеяния. // Проблемы спектроскопии и спектрометрии: межвуз. сб. науч. тр. Екатеринбург: УГТУ-УПИ, 2003. Вып. 12. С. 41−45.
    315. .В., Нешов Ф. Г., Черепанов А. Н., Королева Т. С., Кидибаев М. М. Сцинтилляционные экраны на базе фторидов. // Проблемы спектроскопии и спектрометрии: Межвузовский сборник научных трудов. Екатеринбург: ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2003. Вып. 14. С. 50−53.
    316. А.Н. Исследование кристаллов NaF-Me методом обратного рассеяния. Расчет местоположения примеси. // Проблемы спектроскопии и спектрометрии: Межвузовский сборник научных трудов. Екатеринбург: ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2003. Вып. 15. С. 62−69.
    317. Т.С., Черепанов А. Н., Шульгин Б. В., Pedrini Ch. Оптические свойства кристаллов LiF-U при низких температурах. // Проблемы спектроскопии и спектрометрии: межвуз. сб. науч. тр. Екатеринбург: ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2003. Вып. 15. С. 135−136.
    318. Т.С. Спектрально-кинетические характеристики кристаллов фторида лития и натрия. // Проблемы спектроскопии и спектрометрии: межвуз. сб. науч. тр. Екатеринбург: ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2004. Вып. 16. С. 63−79.
    319. А.И., Джолдошов Б. К., Королева Т. С., Кидибаев М. М., Кортов B.C., Шульгин Б. В., Черепанов А.Н., Платонов
    320. B.В. Термостимулированная экзоэлектронная эмиссия нанокристаллов NaF-U. // Проблемы спектроскопии и спектрометрии: межвуз. сб. науч. тр. Екатеринбург: ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2004. Вып. 16. С. 99−107
    321. А. Н. Шульгин Б.В., Королева Т. С. Теоретические основы выращивания волоконных монокристаллов: метод микровытягивания. // Проблемы спектроскопии и спектрометрии: межвуз. сб. науч. тр. Екатеринбург: ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2005. Вып. 18. С. 21−32.
    322. А.Н. Теоретические основы выращивания волоконных монокристаллов: метод лазерного разогрева. Проблемы спектроскопии и спектрометрии: межвуз. сб. науч. тр. Екатеринбург: ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2005. Вып. 18. С. 33−40.
    323. .К., Кидибаев М. М., Королева Т. С., Мусаев К. Термости-мулированная люминесценция кристаллов LiF-U, Fe и LiF-U, Sc //Сб. Структура и свойства моно- и поликристаллических материалов. -Фрунзе, Илим. 1990. С.27−29.
    324. Т.С., Кидибаев М. М., Шульгин Б. В., Умурзаков Б. С. Неорганические сцинтилляторы для детектирования ионизирующего излуче-нияю // Труды Международного семинара «Голография и оптическая обработка информации». Бишкек, 1997.-С. 129−131.
    325. Р.Т., Кидибаев М. М., Королева Т. С., Мусаев К. Сцинтилля-тор для регистрации нейтронов. // Вестник (научный сборник) Кырг. гос. пед. Университета, серия «Математика, физика, информатика», № 1, 1998.-С. 88−91.
    326. Н., Кидибаев М. М., Королева Т. С., Мусаев К.Новые парамагнитные центры в примесных кристаллах LiF: U, Me и NaF: U, Me // Вестник (научный сборник) Кырг. гос. пед. Университета, серия «Математика, физика, информатика», № 1, 1998. С. 95−98.
    327. М.М., Королева Т. С., Шульгин Б. В. Радиационная стойкость сцинтилляционных кристаллов LiF-U, Me и NaF-U, Me. // Сб. научных работ «Радиационная физика». Бишкек: Илим, 1998. — С. 28−32.
    328. М.М., Королева Т. С., Муеаев К. М., Шульгин Б. В. Окрашивание кристаллов LiF-U, Me и NaF-U, Me ионными пучками. // Сб. научных работ «Радиационная физика». Бишкек: Илим, 1998. С. 36−41.
    329. Kidibaev М.М., Koroleva T.S., Musaev К.М., et al. Scintillation detectors on the basis of LiF-U, Me and NaF-U, Me. // Труды 1-го Всероссийского симпозиума по твердотельным детекторам ионизирующих излучений. -Екатеринбург, 1998.-С. 147−148.
    330. М.М., Королева Т. С., Мусаев К., Тойчиев Н. Спектры ЭПР ионов U5+ в облученных примесных кристаллах фторидов лития и натрия. //Межвузовский сборник трудов «Проблемы спектроскопии и спектрометрии». Екатеринбург, 1998. — С. 71−75.
    331. М.М., Королева Т. С., Мусаев К. К., Жапарова С. А. Дозиметрические и сцинтилляционные свойства кристаллов NaF:Cu. // Изв. НАН КР, Илим, № 4, 1998. С. 10−12.
    332. Kidibaev М.М., Musaev К.М., Koroleva T.S. et al. Scintillation detectors on the basis of LiF-U, Me and NaF-U, Me. // Сб. Образование и структура электронных центров окраски в щелочногалоидных кристаллах. Кара-кол-Екатеринбург, 1999.-С. 147−148.
    333. Т.С., Кидибаев М. М. Использование информационных технологий для исследования кинетики процессов радиационного окрашивания кристаллов LiF:U, Me. // Вестник Международного университета Кыргызстана, № 1 (5). Бишкек, 1999. — С. 72−75
    334. М.М., Термечикова Р. Б., Королева Т. С. Радиационная обстановка в Иссык-Кульской области. II Труды 4-ой Всероссийской научно-практической конференции «Новое в экологии и безопасности жизнедеятельности». СПб, 1999. — С. 129−130.
    335. Т.С., Кидибаев М. М., Мусаев К. М. Исследование влияния ка-тионной примеси на оптические свойства необлученных кристаллов LiF-U. // Вестник Иссык-Кульского университета, № 1. Каракол, Кыргызская Республика, 1999. — С. 16−20.
    336. М.М., Королева Т. С., Джапарова С. А., Мусаев К. Образование коллоидных частиц щелочного металла в кристаллах LiF-U, Me. // Журнал Наука и новые технологии, серия 'физика, математика', № 4. -Бишкек, 1999. С. 3−6.
    337. Koroleva T.S., Kidibaev М.М., Japarova S. New crystal detectors for registration of nuclear radiations. // Science and new technology, Physics, mathematics, N 1. Бишкек, 1999. — C.36−38.
    338. А.А., Яковлев В. Ю., Королева Т. С. и др. Спектроскопические характеристики кристаллов LiF-U, Sr. // Межвузовский сборник научных трудов «Проблемы спектроскопии и спектрометрии», вып.З. -Екатеринбург, 1999. С. 34−38.
    339. М.К., Белых Т. А., Королева Т. С. Наведенное поглощение в кристаллах на основе NaF-U (I). // Материалы Уральского семинара «Сцинтилляционные материалы и их применение». Екатеринбург, 2000. С. 53−55.
    340. М.К., Белых Т. А., Королева Т. С. Наведенное поглощение в кристаллах на основе NaF-U (II). // Материалы Уральского семинара «Сцинтилляционные материалы и их применение». Екатеринбург, 2000. — С. 58−59.
    341. М.М., Королева Т. С., Мусаев К. и др. Scintillation detector for termal neutron and neutrino registration on the basis of LiF-U. // Материалы Уральского семинара «Сцинтилляционные материалы и их применение». Екатеринбург, 2000. — С. 60−61.
    342. .В., Королева Т. С., Жукова Л., и др. Fiber optics scintillators and scintillation systems. // III Ural Workshop on advantaged scintillation and storage optical materials. Ekaterinburg, 2002. — P. 6−7.
    343. В.Ю., Шульгин Б. В., Михайлов С. Г., Соломонов В. И., Кидибаев М. М., Королева Т. С., Жамангулов A. Scintillation materials on the base of irradiated (Li, Na) F-U, Me crystals with colour centers. // III Ural
    344. Workshop on advantaged scintillation and storage optical materials. -Ekaterinburg, 2002. P. 8−10.
    345. Т.С. Создание новых волоконно-оптических материалов на базе фторидов щелочных металлов. // Труды междун. конф. «Развитие информационно-коммуникационных технологий в информационном обществе: состояние и перспективы», Бишкек, 2004. С. 97−104.
    346. Koroleva T.S., Shulgin B.V., Pedrini Ch., Ivanov V.Yu., Raikov D.V., Tcherepanov A.N. New scintillation materials and scintiblocs for neutron and y-rays registration. // Nuclear Instruments and Methods in Phys. Res. 2005. A537. P. 415−423.
    347. T.C. Исследование термостимулированных процессов (TCJI и ТСЭЭ) в волоконных кристаллах NaF-Cu и NaF-U, Cu. // Известия НАН КР, 2005 № 4. С. 27−34.
    348. В.А., А.В.Абросимов, Королева Т. С., Черепанов А.Н. Локальная примесная структура примесных ионов Zn2+ в кристалле LiF: U, Zn. // Физика твердого тела, 2005. т.47, вып.8. С. 1420−1422.
    349. В.Ю., Шульгин Б. В., Черепанов А. Н., Кидибаев М. М., Джолдошов Б., Королева Т. С., Pedrini Ch. Время-разрешенная ВУФ-спектроскопия объемных и волоконных кристаллов фторида натрия. // Вестник Карагандинского университета № 4. 2005. С. 48−61.
    350. Т.С. Методы выращивания кристаллических волокон на основе фторида натрия. // Вестник Кыргызско-Российского Славянского университета, т.5, № 7. 2005. С. 100−104.
    351. А., Королева Т.С., Pedrini Ch., Dujardin С. и др. Формирование структуры поверхности волоконных монокристаллов фторида натрия // Материаловедение. Научно-технический и производственный журнал № 2 (107), 2006, С. 37−41.
    352. .В., Иванов В. Ю., Черепанов А. Н., Королёва Т. С. и др. Получение нанокристаллов фторида натрия методом лазерной абляции. // Материаловедение. Научно-технический и производственный журнал № 3(108), 2006, С. 43−47.
    353. Сцинтилляционный детектор. / Шульгин Б. В., Райков Д. В., Иванов В. Ю., Черепанов А. Н., Коссе А. И., Соломонов В. И., Королева Т. С., Кидибаев М. М. // Патент РФ № 2 248 588. Б.и., 20.03.2005, № 8.
    354. Сцинтиллятор для регистрации тепловых нейтронов / Шульгин Б. В., Петров B. JL, Райков Д. В., Иванов В. Ю., Черепанов А. Н., Королева Т. С. // Патент РФ № 2 244 320. Б.и., 10.01.2005, № 1.
    355. Способ изготовления сцинтилляционных экранов для визуализации рентгеновского излучения / Шульгин Б. В., Черепанов А. Н., Иванов В. Ю., Нешов Ф. Г., Ушаков Ю. А., Королева Т. С., Кидибаев М. М. // Патент РФ № 2 243 573. Б.и., 27.12.2004, № 36.
    356. Сцинтиллятор для визуализации рентгеновского излучения / Шульгин Б. В., Черепанов А. Н., Иванов В. Ю., Петров B. JL, Королёва Т. С., Кидибаев М. М. // Патент РФ № 2 242 025. Б.и., 10.12.2004, № 34.
    357. Сцинтилляционный датчик электронного и (3-излучения / Черепанов А. Н., Шульгин Б. В., Петров B. JL, Королева Т. С. // Патент РФ № 2 251 124. Б.и., 27.04.2005, № 12.
    358. Световолоконный сцинтилляционный детектор / Шульгин Б. В., Черепанов А. Н., Иванов В. Ю., Королёва Т. С., Pedrini Ch., Hautefeuille В., Tillement О., Lebbou К., Fourmigue J.-M. // Патент РФ № 2 262 722 от 20.10.2005 по заявке № 2 004 102 631 от 29.01.2004.
    359. Сцинтиллятор для визуализации рентгеновского излучения / Черепанов А. Н., Шульгин Б. В., Королёва Т. С., Pedrini Ch., Dujardin Ch. // Патент РФ № 2 261 459 от 27.09.2005 по заявке № 2 004 102 632 от 29.01.2004.
    360. Способ изготовления инфракрасного светофильтра / Иванов В. Ю., Шульгин Б. В., Черепанов А. Н., Королева Т. С., Голиков Е. Г., Кружалов
    361. A.В., Нешов Ф. Г., Петров В. Л. // Патент РФ № 2 269 802 от 10.02.2006 по заявке № 2 004 123 343 от 28.07.2004.
    362. Шихта для получения термолюминофора / Шульгин Б. В., Королёва Т. С., Черепанов А. Н., Кидибаев М. М. // Патент РФ № 2 264 634 от 20.11.2005 по заявке № 2 004 108 644 от 23.03.2004.
    363. Сцинтиллятор для регистрации тепловых нейтронов / Шульгин Б. В., Черепанов А. Н., Иванов В. Ю., Королева Т. С., Маркс С. В., Петров В. Л. // Патент РФ № 2 270 463 от 20.02.2006 г. по заявке № 2 004 133 464 от 16.11.2004.
    364. Сцинтилляционный детектор / Шульгин Б. В., Королева Т. С., Петров
    365. B.Л., Райков Д. В., Жукова Л. В., Жуков В. В., Шульгин Д. Б. // Патент РФ № 2 190 240. Б.и., 2002, № 27.
    366. Термолюминесцентный дозиметрический комплекс / Шульгин Б. В., Черепанов А. Н., Королева Т. С., Иванов В. Ю., Слесарев А. И., Анипко А. В., Джолдошов Б. К., Pedrini Ch., Hautefeuille В., Fourmigue J.-M. // Патент РФ по заявке № 2 004 123 332 от 28.07.2004.
    367. Способ изготовления гетероструктур / Королева Т. С. и др. /Патент РФ № 2 282 214 от 20.08.2006
    368. Сцинтилляционный детектор / Шульгин Б. В., Иванов В. Ю., Королева Т. С. и др. // Патент РФ по заявке № 2 006 103 686 от 08.02.2006
    369. Способ получения сцинтиллирующего состава для регистрации нейтрино / Б. В. Шульгин, Королева Т. С. и др. / Патент РФ по заявке № 2 005 140 702/28(45 329) от 26.12.2005
    370. Световолоконный сцинтилляционный детектор рентгеновского излучения / Шульгин Б. В., Жукова Л. В., Петров В. Л., Райков Д. В., Черепанов А. Н. // Патент РФ № 2 248 011. Б.и., 10.03.2005, № 7.
    371. Сцинтиллятор для регистрации нейтронов / Ивановских К. В., Иванов
    372. B.Ю., Петров В. Л., Черепанов А. Н., Шульгин Б. В. // Патент РФ по заявке № 2 004 138 913 от 30.12.2004.
    373. Сцинтилляционный детектор нейтронов / Райков Д. В., Шульгин Б. В., Арбузов В. И., Кружалов А. В., Черепанов А. Н., Петров В. Л., Райков П. В., Ищенко А. В. // Патент РФ по заявке № 2 004 133 470 от 16.11.2004.
    374. В.Н., Черепанов А. Н. Обработка и моделирование спектров резерфордовского обратного рассеяния: методические указания. / Екатеринбург: ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2004. 32 с.
    375. Рост кристаллов: Сборник статей. М.: Наука, 1957−1968. Т. 1−8.
    376. Дж. Термодинамические работы. М—Л.: Гостехиздат, 1950.
    377. Дж. Кристаллизация. М.: Металлургия, 1965.
    378. B.C., Лисицина Е. Е. Синтетические аналоги и имитация природных драгоценных камней М.: Недра, 1981. 160 с.
    379. Р., Паркер Р.Рост монокристаллов. М.: Мир, 1974.
    380. Г. Рост кристаллов. М.: Изд-во иностр. лит., 1954.
    381. К.Т. Методы выращивания кристаллов. Ленинград: Недра, 1968.
    382. ГузикС., Облаковский Я. Искусственные монокристаллы / М., Металлургия, 1975.
    383. В.Д. Кристаллы и кристаллизация. М.:Госгеолтехиздат, 1954.
    384. Н.Г. Материалы квантовой электроники. М.:Советское радио, 1972.
    385. В.Н., Вольпян А. Е., Курдумов Г. М. Направленная кристаллизация и физико-химический анализ. М.: Химия, 1976. 200 с.
    386. Curie P. Sur la formation des cirstaux et sur les constantes capullaries de leur differentes faces. // Bull. Soc. Mineral. France. 1885. Vol. 18. P. 145.
    387. Ю.В. // Механизм и кинетика кристаллизации. Минск, 1969.1. C. 399−407.
    388. Volmer М. Kinetic der Phasenbildung. Dresden-Leipzig, 1939. 220 p.
    389. Странский И.Н., P. Каишев К теории роста кристаллов и образования кристаллических зародышей. // УФН. 1939. Т. 21, вып. 4. С. 408−465.
    390. KosselW. Zur Theorie des Kristallwachsturos. // Nachr. Gessel. Wiss. Gottingen, Maht-Phys. KI. 1927. P. 135−143.
    391. Stranski I.N. Zur Theorie des Kristallwachstums. // J. Phys. Chem. 1928. № 136. P.259−278.
    392. К. Проблемы роста кристаллов. М., 1968. С. 13−26.
    393. КанДж. Теория роста кристалла и движения границы раздела фаз в кристаллических материалах. // УФН. 1967. Т. 91, вып. 4. С. 677−689.
    394. Т.А. Кинетика кристаллизации многокомпонентных сплавов. // Докл. АН СССР, 1978. Т. 238, № 1. С. 277−331.
    395. А.А. Слоисто-спиральный рост кристаллов. // УФН. 1961. Т. 73, вып. 2. С. 277−331.
    396. А.А. Физико-химические проблемы кристаллизации. / Алма-Ата, 1969. С. 8−40.
    397. Burton W.К., Cabrera N., Frank F.S. Role of Dislocations in Crystal Growth. // Nature. 1949. Vol. 163, № 4141. P. 398−399.
    398. В.И., Осико В. В., Прохоров A.M., Татаринцев В. М. Получение высокотемпературных материалов методом прямого высокочастотного плавления в холодном контейнере. // Успехи химии. 1978. Т. XLVII, вып. 3. С. 385−427.
    399. К.А., Кутикова Е.И.. Изумрудные копи. К. А. Власов, М.: АН СССР, 1960.
    400. Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. 792 с.
    401. Kyropoulos S. Dielektrizitatskonstanten regularer Kristalle. // Zs. Phys. 1930. Bd. 63. P. 849−854.
    402. А.А., Захаров В. Ю., Стрелов В. И. Исследование нелинейной математической модели расчета тепловых полей кристаллов, выращиваемых по методу Чохральского. // Поверхность. Рентгеновские, син-хротронные и нейтронные исследования. 2004. № 6. С. 99−102.
    403. Э.Т. Обратное рассеяние быстрых ионов: Теория, эксперимент, практика. Ростов: Ростовский ун-т, 1988. 160 с.
    404. .С., Пекер JI.К. Схемы распада радиоактивных ядер. А < 100. М.: Атомиздат, 1958. 1014 с.
    405. А.Н. Атомная физика: учеб. пособие для студентов вузов. М.: Высш. шк., 1989. 439 с.
    406. Дж., Эриксон JL, Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников (кремний и германий): перевод с англ. под ред. канд. физ.-мат. наук В. М. Гусева / М.: Мир, 1973. 296 с
    407. А. Плавление и кристаллическая структура / Пер. с англ. Горина С. Н. и Зацепина A.M.- под. ред. Китайгородского А. И. -М.: Мир, 1969. 420 с.
    408. А. Расплавленное состояние вещества / Пер. с англ. В.А. Польского- под. ред. Ю. Н. Тарана. М.: Мир, 1982. 375 с.
    409. Crystal growth from the melt / Editor T. Fukuda. Springer-Verlag. 2003. 178 p.
    410. Yoshikawa A., Akagi Т., Nikl M., SolovievaN., LebbouK., Dujardin C., Pedrini C., Fukuda T. // Nucl. Instr. and Meth. 2002. Vol. A486. P. 79.
    411. Физический энциклопедический словарь / Гл. ред. Прохоров A.M.- ред. кол. Алексеев Д. М. и др. -М.: Сов. энциклопедия, 1983. 928 с.
    412. В.П., Осипова В. А., Сукомел А. С. Теплопередача: Учебник для вузов. 4-е изд., перераб. и доп. М.: Энергоиздат, 1981. 416 с.
    413. Feigelson F. The Laser Heated Pedestal Growth method: a powerful tool in the search for new high performance laser crystals. // Springer Ser. Opt. Sci. 1985. Vol. 47. P. 129.
    414. Эрдеи-Груз Т. Основы строения материи. Пер. с нем. Смирнова В.Ф.- под ред. и с предисл. Жданова Г. Б. М.: Мир, 1976. 488 с.
    415. Н., Н. Мермин Физика твердого тела. Под ред. проф. Кага-нова М.И.- перевод с англ. канд. физ-мат. наук К. И. Кугеля и канд. физ-мат. наук Михайлова А. С. Т. 2. М.: Мир, 1979. 424 с.
    416. A.D. // Adv. Phys. 1993. Vol. 42. P. 173−264.
    417. Gaponenko S.V. Optical Properties of Semiconductor Nanocrystals. / Cambridge, 1998. 312 p.
    418. P.А., Глейзер A.M. Размерные эффекты в нанокристал-лических материалах. // ФММ, 1999. Т. 88, № 1. С. 50 73.
    419. С.П. Спектроскопия диэлектрических нанокристаллов, активированных ионами редкоземельных и переходных металлов. // ФТТ. 2002. Т. 44, вып. 8. С. 1348−1355.
    420. В.К., Петров С. А., Пузырев М. В. Формирование наноструктуры на поверхности пленки, осажденной из лазерно-эрозионной плазмы в вакууме. // Инж.-физ. журнал. 2004. Т. 77, № 4. С. 83−85.
    421. Meltzer R.S., Yen W.M., Zheng H., Feofilov S.P., Dejneka M.J., Tissue B., Yuan H.B. Effect of the matrix on the radiative lifetimes of rare earth doped nanoparticles embedded in matrices. // J. Lumin. 2001. Vol. 94&95. P. 217−220.
    422. Meltzer R.S., Yen W.M., Zheng H., Feofilov S.P., Dejneka M.J., Tissue В., Yuan H.B. Interaction of rare earth ions doped in nanocrystals embedded in amorphous matrices with two-level systems of the matrix. // J. Lumin., 2001. Vol. 94&95. P. 221−224.
    423. Meltzer R.S., Yen W.M., Zheng H., Feofilov S.P., Dejneka M.J. Relaxation between closely spaced electronic levels of rare earth ions doped in nanocrystals embedded in glass. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 66, № 22. P. 224 202−1-6.
    424. Kuhn H.-R., Guillong M., Gunther D. Size-related vaporisation and ionisa-tion of laser-induced glass particles in the inductively coupled plasma. // Anal. Bioanal. Chem. 2004. Vol. 378. P. 1069−1074.
    425. Lenk A., Witke T. In situ investigation of laser ablation. // J. Anal. Chem. 1995. Vol. 353. P. 333−336.
    426. Russo R.E., Mao X.L., Liu C. and Gonzalez J. Laser assisted plasma spectrochemistry: laser ablation. // J. Anal. At. Spectrom. 2004. Vol. 19. P. 1084−1089.
    427. Bogaerts A., Chen Zh. Nanosecond laser ablation of Cu: modeling of the expansion in He background gas, and comparison with expansion in vacuum. // J. Anal. At. Spectrom. 2004. Vol. 19. P. 1169−1176.
    428. Motelica-Heino M., Donard O.F.X., Mermet J.M. Laser ablation of synthetic geological powders using ICP-AES detection: effects of the matrix, chemical form of the analyte and laser wavelength. // J. Anal. At. Spectrom. 1999. Vol. 14. P. 675−682.
    429. Durrant S.F. Laser ablation inductively coupled plasma mass spectrometry: achievements, problems, prospects. // J. Anal. At. Spectrom. 1999. Vol. 14. P. 1385−1403.
    430. Koch J., Feldmann I., Jakubowski N., Niemax K. Elemental composition of laser ablation aerosol particles deposited in the transport tube to an ICP. // Spectrochimica Acta. 2002. Part В 57. P. 975−985.
    431. Bogaerts A., Chen Zh., Gijbels R., Vertes A. Laser ablation for analytical sampling: what can we learn from modeling? // Spectrochimica Acta. 2003. Part В 58. P. 1867−1893.
    432. R.E., Мао X., Borisov O.V. Laser ablation sampling. // Trends in analytical chemistry. 1998. Vol. 17. P. 8.521.3исман Г. А., Тодес О.M. Курс общей физики. М.:Наука, 1972. Т. 3. 500 с.
    433. J. //Phys. Rev. 1931. Vol. 37, № 17. P. 1276.
    434. N.F. // Trans. Faraday Soc. 1938. Vol. 84. P. 809.
    435. Е.Ф., Захарченя Б. П., Рейнов H.M. // Доклады АН СССР. 1954. Т. 99. № 231. С. 527.
    436. Rao К.К., Moravec T.J., Rife J.C., Dexter R.N. // Phys. Rev. 1975. Vol. В 12. P. 5937.
    437. Song K.S., Williams R.T. Self-trapped Excitons. Springer-Verlag, Berlin, 1993.
    438. Lushchik A.Ch., Vasil’chenko E.A., Galaganov V.G., Kolk J.V., See-man V.O., Frorip A.G. // Izv. Akad. Nauk Latv. SSR, Ser. Fiz. Tekh. 1990. Vol. 3. P. 33.
    439. Pustovarov V.A., Shul’gin B.V., Kirm M., Kidibaev M.M., Zhamangu-lov А.А. И Optics and Spectroscopy. 2000. Vol. 88. P. 713.
    440. Goldberg А.В., McClureD.S., Pedrini C. Optical absorption and emission spectra of Cu+:NaF single crystals. // Chem. Phys. Lett. 1982. Vol. 8, № 5. P. 508−511
    441. Kirm M., Lushchik A., Steeg В., Vasilchenko E., VielhauerS., Zimmerer G. Excitation of intrinsic and extrinsic luminescence by synchrotron radiation in NaF crystal. // Radiation Effects and Effects in Solids. 1999. Vol. 149. P. 19−23.
    442. McClure D.S. and Pedrini C. // Phys. Rev. 1985. Vol. В 32. P. 8465.
    443. В., Courtois В., Pedrini C. // J. Phys. France. 1989. Vol. 50. P. 2105
    444. Moine В., P (klrini C., Courtois В. И J. Lumin. 1991. Vol. 50. P. 31.
    445. Winter N.W., PitzerR.M., Temple D.K. // J. Chem. Phys. 1987. Vol. 86. P. 3549.
    446. Chernov V. et al.//Radiation measurements. 1998.Vol. 29,№ 3−4,P. 365−372
    447. Г. Квантовая механика: пер. с англ. / М.: Мир, 1965.
    448. А.И., Казанский Ю. А., Матусевич Е. С. Основы экспериментальных методов ядерной геофизики. / М.: Атомиздат, 1975.
    449. Г. А. Взаимодействие излучений с веществом и моделирование задач ядерной геофизики / М.: Энергоатомиздат, 1982. 224 с.
    450. В.И., Михайлов С. Г. Импульсная катодолюминесценция и ее применение для анализа конденсированных веществ. / Екатеринбург: УрО РАН, 2003. 184 с.
    451. О.И. Полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком. // Квант, электр. 1994. Т. 21. № 12. С. 1113−1136.
    452. В.М. и др. Лазер на R6G с катодолюмиенсцентной накачкой / //Квант, электр. 1984. Т. 11. № 8. С. 1670−1671.
    453. В.И. Катодолюминесцентная микроскопия. // УФН. 1996. Т. 166, № 8. С. 859−870.
    454. О.И., Дарзник С. А., Елисеев П. Г. Полупроводниковые лазеры. / М.: Наука, 1975. 416 с.
    455. Д.И. и др.Высокоэнергетическая электроника твердого тела / Новосибирск: Наука, 1975. 327 с.
    456. Д.В. Радиационно-оптические и сцинтилляционные свойства материалов для комбинированных радиационных детекторов // Дис.. канд. физ.-мат. наук. Екатеринбург. 2003.
    457. А.П. и др. Физические величины: справочник /под ред. Григорьева И. С., Мейлихова Е. З. //М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.
    458. Динамическая теория биологических популяций / Под ред. Полуэктова Р. А. М.: Наука, 1974. 456 с.
    459. А.А., Москвин Н. А., Феофилов П. П. // Опт. и спектр. 1964. Т. 16, вып. 4. С. 619−627.
    460. W.A., Wong E.Y. // J. Chem. Phys. 1979. Vol.71. P. 1838−1843.
    461. A., Lupei V., Ursu I. // J. Phys. C: Solid State Phys. 1985. Vol. 18, № 32. P. 6099−6107.
    462. Т.С. Спектроскопия радиационных дефектов в активированных кристаллах фторида лития: Автореф. дис.. канд. физ.-мат. наук. Бишкек, 1996.
    463. Shulgin B.V., Raikov D.V., Kidibaev М.М. et al. // Collected Abstracts of Int. Conf. on Lum. And Opt. Spectroscopy of Condensed Matter. Osaka, Japan. 1999. PD2−9. P. 171.
    464. Н.И., Красилов Ю. И., Сытько В. В. // Журн. прикл. спектр. 1982. Т. 37, № 4. С. 585−591.
    465. F., Grundig Н., Hilsh R. // J. Phys. 1966. Vol. 189. P. 79−83.
    466. A. //Acta Phys. Austriaca. 1957. Bd. 10, P. 353−364.
    467. A., Dolejsi J. // Czech. J. Phys. 1959. Vol. 9. P. 578−589.
    468. В. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел // М: 1981. С. 61−97.
    469. Дж. Статистика полупроводников. / М: 1964. 392 с.
    470. Г. А. Эктоны. Ч. 1. / Екатеринбург: УИФ «Наука», 1993.
    471. Н.А. О длине экранирования в примесном полупроводнике. // ФТП. 1983. Т. 17, вып. 3. С. 431−436.
    472. Ю.Д., Моливер С. С., Сагалович Г. Л. Влияние поверхностого изгиба зон на экзоэлектронную эмиссию. // Радиационно-стимулированные явления в твердых телах: межвуз. сб. науч. тр. Свердловск: УПИ, 1985. Вып. 7. С. 13−19.
    473. Л.Д., Лившиц Е. М. Квантовая механика. / М: 1974. 752 с.
    474. Huntington Н.В., Seitz F. Mechanism for self-diffusion in metallic copper. // Phys. Rev. 1942. Vol. 61. P. 315.
    475. Huntington H.В. Self-consistent treatment of the vacancy mechanism for metallic diffusion. // Phys. Rev. 1942. Vol. 61. P. 325.
    476. Huntington H.B. Mobility of interstitial atoms in face centered cubic metal. // Phys. Rev. 1953. Vol. 91. P. 1092.
    477. Brooks H. Lattice vacancies and interstitials in metals in impurities and imperfections. // American society for metals. Cleveland, 1955.
    478. FumiF.G. Vacancies in monovalent metal. // Phil. Mag. 1955. Vol. 46. P. 1007.
    479. Дж., Винйард Дж. Радиационные эффекты в твердых телах / пер. с англ. Брегера А.Х.- под ред. Жданова Г. С. / М.: Изд-во иностр. лит., 1960. 244 с.
    480. Mott N.F., Littleton M.J. Conduction in polar crystals. // J. Electrolytic conduction in Solid Salts, Trans. Farad. Soc. 1938. Vol. 34. P. 485.
    481. Dienes G.J. Activation energy for diffusion of coupled pairs of vacancies in alkali halide crystals. // Journ. Chem. Phys. 1948. Vol. 16. P. 620.
    482. Cotrell A.H. Dislocation theory of yielding and strain ageing of iron. // Proc. phys. Sos. 1949. Vol A62. P. 49.
    483. Woods W.K., Bupp L.P., Fletcher J.F. Radiation damage to artificial graphite. // Proc. of Int. Conf. on the Peaceful Uses Atomic Energy, United nations. 1956. Vol. 7. P. 455. Paper № 746.
    484. Kosiba W.L., Dienes G.J., Gurinsky D.H. Some effects produced in graphite by neutron irradiation in the BLN Reactor. // Proc. of Conf. on Carbon. Buffalo, New York, 1956.
    485. А.И., Жамангулов А. А., Кидибаев M.M., Кортов B.C., Шульгин Б. В. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26, вып. 9. С. 60−64.
    486. B.C., Исаков Г. В., Слесарев А. И. и др. // Дефектоскопия. 1996. № 1. С. 50−59.
    487. В.Г., Главатских И. А., Кортов B.C. // Дефектоскопия. 1998. № 12. С. 14−27.
    488. JI.M. Добржанский Г. Ф., Феофилов П. П. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1961. Т. 25, № 4. С. 448−456.
    489. Фок М. В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров. / М.: Наука, 1964. 412 с.
    490. Э.И. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов. /М.-Л.: ГИТТЛ, 1951. 386 с.
    491. .В. Фото- и радио-люминесценция гидрида лития и цирко-носиликатов. //Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. Свердловск, 1966.
    492. Открытия советских ученых. М.: МГУ, 1988. 478 с.
    493. Д.И., Твердохлебов С. И., Тухфатуллин Т. А. Критическая (взрывная) электронная эмиссия из диэлектриков, индуцированная инжекцией плотного пучка электронов. // Изв. вузов. Физика. 1997. № 11. С. 45−67.
    494. Г. А., Проскуровский Д. И. Импульсный электрический разряд в вакууме. // Новосибирск: Наука, 1984.
    495. Т.С. Электронные спектры, радиационно- и термостимули-рованные процессы в активированных ураном кристаллах (Li, Na) F. / Препринт. Екатеринбург: ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2004. 55 с.
    496. Люминесценция объемных, волоконных и наноразмерных кристаллов LiF и NaF / Черепанов А. Н., Иванов В. Ю., Королева Т. С., Шульгин Б. В. Екатеринбург: ГОУ ВПО УГТУ-УПИб 2006. 304 с.
    497. S.V., Kathuria S.P. // J. Phys. D.: Appl. Phys. 1983. Vol.16. P. 2017−2025.
    498. A.P. Физические основы анализа твердого тела и модификации свойств полупроводников ионами повышенной энергии.// Дис. доктора, техн. наук. Екатеринбург. 1994. УГТУ-УПИ.
    499. Yoshikawa A., Boulon G., Laversenne L., Canibano H., Lebbou K., Col-lombet A., Guyot Y., Fukuda T. Growth and spectroscopic analysis of Yb3±doped Y3A15Oi2 fiber single crystals. // J. of Appl. Phys. 2003. Vol.94, № 9.
    500. Hyoung Jung I., Yoshikawa A., Lebbou K., Fukuda Т., Ho Auh K. Crystal growth by micro-pulling-down of Ca3Ga2Ge4Oi4 (CGG) type Sr3NbixGa3+(5/3)xSi2Oi4 compounds. // J. of Crystal Growth. 2001. Vol.226. P.101−106.
    501. Lebbou K., Itagaki H., Yoshikawa A., Fukuda Т., Carillo-Romo F., Boulon G., Brenier A., Cohen-Adad M.Th. Effect of Yb3+ content on purity and crystal growth ofBa2NaNb50I5. //J. ofCiyst. Growth. 2000. Vol.210. P.655−662.
    502. Lebbou K., Yoshikawa A., Kikuchi M., Fukuda Т., Cohen-Adad M.Th., Boulon G. Superconductor Bi2212 fiber growth from the melt by micro-pulling down technique. // Physica. 2000. Vol. C, № 336. P.254−260.
    503. А.А. Кристаллохимия простых веществ. Новосибирск: Наука. 1979. 182 с.
    504. П.Л. Точечные дефекты и механические свойства ионных кристаллов. // В кн.: Вакансии и точечные дефекты. М.:1961. С. 123−159.
    505. Ч. Введение в физику твердого тела. // М.: Наука, 1978. 792 с.
    506. А.Н. Взаимодействие и миграция точечных и структурных дефектов в диэлектриках на основе щелочно-галлоидных кристаллов (компьютерное моделирование).//Екатеринбург: УрО РАН, 1997. 128 с
    507. И.П. Термодинамика: Учебник для вузов. 4-е изд., перераб. и доп // М.: Высш. шк, 1991. 376 с.
    508. А.К., Кикоин И. К. Молекулярная физика//М.:Наука, 1976.480 с
    509. Г. П. и др. Материаловедение и технология металлов: Учебник для студентов машиностроительных специальностей Вузов. // М.: Высшая школа, 2001. 638 с.
    510. .В., Пустоваров В. А., Райков Д. В. и др. // Проблемы спектроскопии и спектрометрии: Межвузовский сборник научных трудов. Екатеринбург: УГТУ-УПИ. Вып.2. 1999. С.90−94.
    511. А.с. СССР № 463 641. 1975. Стекло. / Дмитриев И. А., Зацепин А. Ф., Шаляпин А. Л., Шульгин Б.В.
    512. В.А., Шульгин Б. В., Сатыбалдиева М. К., Королева Т. С. и др. ВУФ-спектроскопия сцинтилляционных кристаллов LiF-U, Cu и NaF-U, Cu. // Сцинтилляционные материалы и их применение: Материалы Уральского семинара. Екатеринбург: УГТУ, 2000. С. 15−20
    513. А.И., Раджабов Е. А., Егранов А. В. Центры окраски и люминесценция кристаллов LiF. //Новосибирск: Наука. СО, 1984. 112 с.
    514. В.Ю., Шульгин Б. В., Кидибаев М. М., Королева Т. С., Жапарова С. А. Быстрая люминесценция кристаллов на основе NaF. // Проблемы спектроскопии и спектрометрии: Межвузовский сборник научных трудов. Екатерибург, 1999. Вып.2. С. 100−102.
    515. В.А., Шульгин Б. В., Кирм М. и др. // Оптика и спектроскопия. 2000. Т.88, № 5. С. 790−794.
    516. О. Принципы лазеров / О. Звелто- изд. 3-е, перераб. и доп.- пер. с англ. Е. В. Сорокина, И. Т. Сорокиной и К. Ф. Шипилова- под ред. Т. А. Шмаонова. М.: Мир, 1990. 558 с.
    517. И.Н., Семендяев К. А. Справочник по математике для студентов и учащихся втузов. М.-.Наука, 1986. 154 с.
    518. Г., Корн Т. Справочник по математитке для научных работников и инженеров: пер. с англ. М.:Наука, 1968. 720 с.
    519. Н.И., Красилов Ю. И., Сытько В. В. Спектрально-люминесцентные свойства и природа центров свечения в кристаллах LiF:U (VI). Ж. прикладной спектроскопии. 1982. Т.37. № 4. С.585−591.
    520. Н.И., Сытько В. В., Красилов Ю. И., Титков Е. Ф. Люминесценция октаэдрических центров U(VI) в кристалле NaF. Оптика и спектроскопия. 1983. Т.54. № 2. С.279−284.
    521. Т.С., Черепанов А., Шульгин Б. В., Pedrini Ch., Dujardin С. Выращивание волоконных монокристаллов фторида натрия методом микровытягивания. / Материаловедение Научно-технический и производственный журнал № 10 (103). 2005. С. 32−37.
    522. Т.С., Черепанов А., Шульгин Б. В., Pedrini Ch., Dujardin С. Выращивание волоконных монокристаллов фторида натрия методом лазерного разогрева / Материаловедение Научно-технический и производственный журнал. № 11 (104). 2005. С. 36−40.
    523. В.Ю., Черепанов А. Н., Шульгин Б. В., Королева Т.С., Pedrini Ch., Dujardin Ch. VUV spectroscopy of copper-trapped excitons in NaF: Cu and NaF: U, Cu crystals. // Изв.вузов.Физика № 4. т.49, Приложение. 2006. С.49−52.
    524. Королева Т. С. Структурные исследования волоконных монокристаллов фторида натрия. // Вестник Кыргызско-Российского Славянского университета. № 1 т.6, 2006. С. 126−131.
    525. A. H., Королева Т. С., Шульгин Б. В. и др. Люминесценция ионов урана в кристаллах фторида натрия. // Проблемы спектроскопии и спектрометрии: Межвузовский сборник научных трудов. Екатеринбург: ГОУ ВПО УГТУ-УПИ. Вып.22. 2006. С. 25−74.
    526. Т.С. Расчет структуры примесного центра Zn в кристалле LiF-U, Zn. / Известия HAH КР, 2006. № 1. С. 73−77.
    527. Shulgin В.V., Tcherepanov A.N., Ivanov V.Yu., Koroleva Т. S., Kidibaev M.M., Pedrini Ch., Dujardin Ch. Luminescence spectroscopy of NaF: U bulk and fiber crystals. / J. of Lum. 2007, V. 125. N 1−2. P.259−265.
    Заполнить форму текущей работой

    На отлично!