Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах галогенидов цезия

Диссертация: Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах галогенидов цезия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Так, например, основываясь на выявленных в ходе исследования температурно-зависимых свойств поглощения и люминесценции кристалла Csl, процесс экситонного распада с рождением дефектов можно представить как следствие ряда конфигурационных преобразований АЛЭ, сопровождающихся последовательным увеличением с температурой степени пространственного разделения электронного и ядерного компонентов АЛЭ… Читать ещё >

Содержание

  • СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ
  • ГЛАВА 1. ЦЕНТРЫ ОКРАСКИ И АВТОЛОКАЛИЗОВАННЫЕ ЭКСИТОНЫ В КРИСТАЛЛАХ ГАЛОГЕНИДОВ ЦЕЗИЯ
    • 1. 1. Общая характеристика кристаллов галогенидов цезия
    • 1. 2. Центры окраски
      • 1. 2. 1. Структура центров окраски
      • 1. 2. 2. Оптические характеристики
    • 1. 3. Собственная люминесценция Сб!, СбВг и СбО кристаллов
      • 1. 3. 1. Люминесценция свободных и автолокализованных экситонов
      • 1. 3. 2. Люминесценция при внутризонных и остовно-валентных переходах
    • 1. 4. Распад электронных возбуждений с рождением дефектов в ЩГК
    • 1. 5. Постановка задачи исследования
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И ОБРАБОТКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ
    • 2. 1. Установка люминесцентной и абсорбционной спектрометрии с временным разрешением
    • 2. 2. Обработка экспериментальных данных и анализ погрешностей
    • 2. 3. Образцы для исследования
  • ГЛАВА 3. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ СОЗДАНИЕ ЭКСИТОНОВ И ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ ГАЛОГЕНИДОВ ЦЕЗИЯ
    • 3. 1. Спектры и кинетика релаксации неустойчивого поглощения
    • 3. 2. Трехгалоидные автолокализованные экситоны в кристалле Csl
    • 3. 3. Оценки квантового выхода образования элементарных центров окраски
      • 3. 3. 1. Эффективность образования АЛЭ и F-центров при низкоинтенсивном импульсном облучении
      • 3. 3. 2. Эффекты высокой плотности в кристалле CsCl
      • 3. 3. 3. Рекомбинациснное создание АЛЭ в кристаллах
  • CsBr при двухкаскадном возбуждении
    • 3. 4. Низкотемпературный распад электронных возбуждений и создание дефектов в кристаллах галогенидов цезия
  • Выводы
  • ГЛАВА 4. ТЕРМОАКТИВИРОВАННОЕ ОБРАЗОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ ПРИ ИМПУЛЬСНОМ ЭЛЕКТРОННОМ ОБЛУЧЕНИИИ В КРИСТАЛЛАХ ГАЛОГЕНИДОВ ЦЕЗИЯ
    • 4. 1. Температурные эволюции спектров и кинетики релаксации неустойчивого поглощения
      • 4. 1. 1. CsCl
      • 4. 1. 2. Csl
    • 4. 2. Спектры и кинетики затухания люминесценциии
      • 4. 2. 1. CsCl
      • 4. 2. 2. Csl
    • 4. 3. Внутрицентровая люминесценция и остовно-валентные переходы в кристалле CsCl
    • 4. 4. О существовании «on- и off-center» трехгалоидных автолокализованных экситонов в кристалле Csl
    • 4. 5. Образование F-H пар при распаде термически возбужденных АЛЭ

Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах галогенидов цезия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Разработка методов управления радиационной стойкостью материалов, надежного прогнозирования их поведения в полях ионизирующего излучения для нужд ядерной и термоядерной энергетики, космической и лазерной техники, микрои оптоэлектроники и т. п. тесным образом связана с необходимостью исследования процессов излучательной и безызлучательной аннигиляции электронных возбуждений при воздействии ионизирующего излучения в твердых телах.

Естественно, что изучение этих процессов в первую очередь должно проводиться на модельных объектах. Для систем с преобладающим ионным типом связи модельными являются щелочно-галоидные кристаллы (ЩГК). Эти кристаллы имеют достаточно простую структуру решетки, могут быть получены высокого совершенства.

На сегодняшний день при исследовании процессов, протекающих в ЩГК, находящихся в поле радиации, обнаружены такие фундаментальные явления, как автолокализация дырок и экситонов, теоретически предсказанная Ландау и Френкелем, установлена связь процессов неударного создания структурных дефектов с распадом низкоэнергетических электронных возбуждений (ЭВ). Разработан ряд теоретических моделей, описывающих процессы распада ЭВ с образованием радиационных дефектов в ненарушенных участках решетки. Показано, что основные полученные для ЩГК закономерности могут быть с успехом использованы и при интерпретации наблюдаемых эффектов в других материалах, имеющих другие типы связей.

Однако многие процессы являются специфическими не только для различных классов материалов, но и для разных представителей класса щелочно-галоидных кристаллов. Основные результаты по изучению радиационно-стимулированных явлений в ЩГК представлены в ряде обзоров и монографий [1−9].

Несмотря на то, что ЩГК активно изучаются с позиций радиационной физики уже более 60 лет, внимание к ним исследователей не ослабевает вследствие того, что они находят все новое и новое практическое применение. Щелочно-галоидные кристаллы используются в качестве пассивных лазерных затворов, рабочих сред для оптических квантовых генераторов [10, 11], в качестве оптических материалов для ИКи УФ-областей спектра [12] термолюминесцентных дозиметров ионизирующего излучения [13], оптических запоминающих устройств [14]. Одним из широко применяемых в практике ЩГК является кристалл йодистого цезия. Кристалл Сб1 используется в качестве матрицы в скоростных сцинтиляционных счетчиках [15, 16], как материал для фотокатодов в приемниках и преобразователях УФ-излучения [17]. Перспективными сцинтилляционными материалом является хлорид цезия, в котором при Т>80 К (в большинстве ЩГК при этой температуре собственная люминесценция потушена) наблюдается быстрозатухающее свечение. Природа этого свечения до сих пор однозначно не определена [18−22]. Галогениды цезия (кроме СбР) при нормальных условиях имеют отличную от остальных ЩГК простую кубическую структуру решетки.

Состояние вопроса. В последние 20−30 лет развитие представлений о протекании радиационных процессов в ионных кристаллах обеспечивает один из прогрессивнейших методов исследования — метод люминесцентной и абсорбционной спектроскопии с наносекундным временным разрешением (ЛАСВР). Этот метод стал развиваться после опубликования в 1963 году работы Шульмана и Боага [23], где впервые было применено импульсное возбуждение высокоэнергетическими электронами. Новый толчок развитию методики ЛАСВР дало появление в 70-х годах генераторов мощных импульсных пучков ускоренных электронов наносекундной длительности. В последнее время в качестве источников возбуждения используются мощные импульсные лазеры, иногда в сочетании с электронными ускорителями [24]. Применение лазеров позволило улучшить временное разрешение, которое в настоящее время достигает сотни фемтосекунд. С использованием метода ЛАСВР получен целый ряд важнейших для физики радиационного дефектообразования в ионных кристаллах результатов. К их числу относятся данные по исследованию энергетической структуры двухгалоидных автолокализованных экситонов — ДАЛЭ [25, 26], установление того факта, что генерация Р-Н пар происходит из более высоких экситонных состояний, чем пи сг-излучательных состояний автолокализованных экситонов (АЛЭ) [27]. Было обнаружено, что создаваемые радиацией френкелевские дефекты при температуре вблизи кипения жидкого гелия можно разделить на неустойчивые, которые аннигилируют по экспоненциальному закону и стабильные, разрушение которых происходит по более сложному закону [28]. Позже было показано, что образование неустойчивых и стабильных дефектов происходит по разным законам [29]. Установлено, что при оптическом возбуждении ДАЛЭ эффективно генерируются короткоживущие Б-Н пары [8, 24, 29−31]. Полученные совсем недавно данные по измерению кинетики создания Б-центров при возбуждении лазерными импульсами фемтосекундной длительности показали, что Б-центры формируются за 15−20 пс [32].

Однако следует отметить, что большинство работ выполнено на ЩГК со структурой каменной соли. На начало настоящей работы систематических исследований процессов дефектообразования, выполненных методом ЛАСВР на галогенидах цезия, -Се!, СвВг, СбО, — имеющих простую кубическую решетку не было. Не было сделано также сравнительного анализа эффективности и механизмов образования дефектов в ЩГК типа ШС1 и ЩГК типа СвСЛ, что не позволяло в полной мере судить о той роли, которую оказывает структура решетки на процессы дефектообразования в щелочно-галоидных кристаллах. Не сложилось единого взгляда на природу собственной люминесценции кристаллов Сз1 и СэС1, несмотря на то, что кристалл йодистого цезия, как уже упоминалось, нашел широкое практическое применение.

Существует большой пробел в представлениях о специфике протекания процессов распада ЭВ с образованием дефектов в реальных условиях, в типичной при облучении ситуации, когда электронные возбуждения генерируются в кристалле не с идеальной, а с поврежденной в ходе облучения решеткой. До сих пор актуальной проблемой является изучение так называемых вторичных процессов, — процессов взаимодействия дефектов между собой. Особый интерес представляет слабо изученный класс вторичных реакций, связанный с туннельной рекомбинацией дефектов, влияющий одновременно как на люминесцентные свойства кристаллов, так и на динамику дефектообразования. Актуальность исследования туннельных процессов в твердом теле связана с тем, что создан целый ряд приборов, в основе работы которых лежат туннельные явления.

Практическими потребностями определяется и интерес исследователей к влиянию мощности возбуждения на генерацию дефектов в кристаллах. Применение импульсных электронных пучков позволило обнаружить целый ряд явлений. Это и хрупкое раскалывание диэлектриков [33], «эффект радиационной тряски», связанный с разрушением экситонов акустическими волнами, образующимися при аннигиляции Б-Н пар [34], и многие другие. Существует ряд работ Кравченко В. А. и Яковлева В. Ю. [18, 35, 36], где было показано, что рост плотности возбуждения приводит к снижению эффективности генерации АЛЭ в синглетном и триплетном состояниях и к росту выхода стабильных Б-центров окраски в ЩГК. Однако, изучение плотностных зависимостей генерации радиационных дефектов в кристалле СбС1 не проводилось, что не позволяет в целом представить картину влияния мощности и дозы облучения на процессы дефектообразования в кристаллах галогенидов цезия.

Из вышеизложенного ясно, что, несмотря на широкое практическое применение кристаллов галогенидов цезия в науке и технике до сих пор остаются не достаточно освещенными вопросы, связанные с образованием дефектов при воздействии ионизирующего излучения в этих кристаллах. Этим и обусловлен выбор объекта исследования в настоящей работе. С другой стороны, галогениды цезия (кроме СбБ) имеют отличную от других ЩГК структуру решетки. Поэтому представляет научный интерес исследовать роль строения решетки в процессах образования и аннигиляции дефектов. Общей задачей работы являлось систематическое исследование процессов распада ЭВ на структурные дефекты в ЩГК с решеткой типа СбСЛ, при импульсном электронном облучении с целью выявления общих закономерностей образования дефектов в этих кристаллах.

В связи с этим был определен следующий круг проблем, требующих экспериментального решения.

1. Исследовать спектральные и кинетические характеристики центров поглощения и свечения в ЩГК с простой кубической решеткой при различных режимах импульсного электронного облучения, с целью выявления факторов, влияющих на механизмы генерации и аннигиляции дефектов.

2. Установить особенности протекания процессов распада ЭВ с рождением дефектов, а также особенности взаимодействия дефектов между собой, в кристаллах галогенидов цезия, на примере СэВг, предварительно окрашенных серией электронных импульсов.

Научная новизна. 1. В спектре переходного поглощения кристалла Сб1 при 80 К обнаружена новая полоса с максимумом при 3.4 эВ и установлена ее связь с переходами в дырочном компоненте АЛЭ со структурой Хз". На основании данных анализа спектрально-кинетических свойств люминесценции и наведенного переходного поглощения сделано заключение о том, что в кристалле Сб! ядро автолокализованных экситонов может иметь две конфигурации, — двухи трехгалоидную.

2. Получены прямые экспериментальные результаты, показывающие, что создаваемые в кристалле СбС1 триплетные АЛЭ и короткоживущие Р, Н пары разрушаются в едином мономолекулярном процессе. Сделан вывод о том, что два эти типа дефектов способны при 80 К многократно преобразовываться друг в друга до того, как произойдет их аннигиляция по общему каналу, и тесные" F-H пары дефектов можно рассматривать, следовательно, как одну из структурных морфологии триплетных АЛЭ.

3. Впервые, с использованием техники двойного каскадного возбуждения кристаллов CsBr, выполнены количественные оценки выхода триплетных АЛЭ из реакции (Ук+е)-рекомбинации. Показано, что оптическая стимуляция реакций рекомбинации электронов с заранее созданными Vk центрами приводит к образованию триплетных АЛЭ с квантовой эффективностью, значительно (более чем вдвое) превышающей их выход в случае зона-зонной рекомбинации. Сделан вывод о существовании в облученных ионизирующей радиацией кристаллах эффективного канала безызлучательной рекомбинации электронов с дырками на ранних стадиях автолокализации, конкурирующего с реакцией (Vk+e) и ведущего к снижению выхода триплетных АЛЭ.

4. Установлено, что полосы собственной люминесценции кристалла CsCl с максимумами при 4.6 и 5.2 эВ имеют различную природу: коротковолновая полоса с максимумом при 5.2 эВ обусловлена излучательной аннигиляцией двухгалоидных АЛЭ из возбужденного синглетного состояния, а свечение при 4.6 эВ — остовно-валентными переходами.

5. Предложен новый механизм возникновения быстрозатухающей высокотемпературной УФ-люминесценции с максимумом при 4.1 эВ в кристалле Csl, связанный с созданием трехгалоидного «off-center» АЛЭ и последующей его излучательной аннигиляцией.

6. На примере кристалла CsBr показано, что создание АЛЭ в наинизшем триплетном состоянии возможно не только в результате релаксации свободного экситона или при рекомбинации электрона зоны проводимости с автолокализованной дыркой, но и при туннельном переносе электрона F-центра на свободные уровни Vk-центра.

7. Температурный рост выхода пространственно разделенных Fи Н-центров обусловлен процессом термоактивированного распада экситонов из наинизших релаксированных состояний. В кристалле CsCl релаксированными состояниями являются триплетные АЛЭ и «тесные» F-H пары, а в кристалле Csl — двухгалоидные, трехгалоидные «on-» и «off-center» экситоны.

Автор защищает, 1. Особенности радиационно-стимулированных явлений в чистых кристаллах Csl: высокая сцинтилляционная эффективность при температурах вблизи комнатной, низкий выход радиационных дефектов вызваны тем, что автолокализованные экситоны в этих кристаллах имеют такую решеточную конфигурацию, при которой дырочный компонент АЛЭ локализован не на двух, как в большинстве ГЦГК, а на трех ионах галоида.

2. Возникающие с ростом плотности возбуждения, а также концентрации накопленной дефектности явления, — деградации люминесценции АЛЭ, увеличения вклада стабильного компонента в кинетику релаксации оптической плотности в F-полосе поглощения в кристаллах CsCl и CsBr, усиления коротковолнового свечения в CsBr, — обусловлены изменением вероятности экситонного распада по излучательному и безызлучательному каналам за счет увеличения вклада в общий рекомбинационный процесс реакций захвата электронов колебательно-нерелаксированными дырками.

3. Наряду с известными механизмами создания триплетных АЛЭ (в ходе релаксации свободных экситонов, при захвате электронов проводимости Vk~ центрами, при рекомбинации Fи Н-центров, туннельной перезарядке «тесных» F-H пар) в кристалле CsBr реализуется механизм рекомбинационной сборки АЛЭ посредством туннельного переноса электрона F-центра на свободные верхние уровни дырочных Vk-центров окраски.

4. Двухполосные спектры быстрозатухающей собственной люминесценции кристалла CsCl обусловлены излучательными переходами двух различных типов: коротковолновая полоса с Е=5.2 эВ возникает при излучательной аннигиляции двухгалоидных АЛЭ из релаксированного возбужденного синглетного состояния, свечение в области 4.6 эВ обусловлено, по-видимому, переходами из верхней ЪрС~ валентной в 5/?Cs+ остовную зону.

Практическая ценность работы. Полученные в результате проведенной работы данные о процессах дефектообразования в ЩГК типа CsCl открывает новые возможности для разработки путей сознательного управления радиационной стойкостью материалов.

Обнаруженные нелинейные эффекты в эффективности создания неустойчивых и стабильных дефектов при изменении плотности возбуждении или концентрации предварительно накопленных дефектов необходимо учитывать при оценке эффективности работы различных устройств (сцинтилляторов, дозиметров ионизирующих излучений).

Данные по исследованию вторичных реакций следует учитывать при разработке приборов, в основу работы которых положены туннельные явления.

Публикации и вклад автора. Результаты по теме диссертационной изложены в 9 работах. Работы являются коллективными и автору принадлежат результаты и выводы, изложенные в диссертации.

Лпробаиия работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на: шестой международной конференции «Радиационные гетерогенные процессы» (Кемерово, 1995), IX международной конференции по радиационной физике и химии ионных кристаллов (Томск, 1996), международной конференции «Сцинтилляционные материалы и их применение» (Екатеринбург, 1996), 2″ и, З’и и 4″ и областных научно-практических конференциях студентов, аспирантов и молодых ученых (Томск, 1996, 1997, 1998), Всероссийском школе-семинаре «Люминесценция и сопутствующие явления» (Иркутск, 1997), первом Всероссийском симпозиуме по твердотельном детекторам ионизирующих излучений (Екатеринбург, 1997).

Объем и структура диссертационной работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. Содержит 162 страницы, в том числе 122 машинописного текста, 53 рисунка, 6 таблиц и библиографию из 215 наименований.

Основные результаты и выводы.

Изучение процессов аннигиляции электронных возбуждений и дефектов в предварительно окрашенных импульсами радиации кристаллах СвВг при 80 К привело к следующим заключениям:

1. Анализ экспериментальных результатов, показывающих, что в кристаллах СвВг рост дозы предварительного облучения приводит к деградации люминесценции АЛЭ в си л-излучательном состоянии и разгоранию в более коротковолновой области, чем область свечения синглетных АЛЭ позволил сделать заключение о том, что в условиях, когда в кристаллах накоплено большое число собственных дефектов увеличивается вклад в общий рекомбинационный процесс актов рекомбинации электронов с дырками, находящимися на стадии энергетической релаксации.

2. Установлено, что часть дефектов в кристалле бромистого цезия, создаваемых в ходе многоимпульсного облучения разрушаются посредством туннельного механизма.

3. Совокупность полученных экспериментальных результатов по изучению туннельных явлений в кристалле СбВг показывает, что создание АЛЭ в наинизшем триплетном состоянии возможно не только в результате релаксации свободного экситона или при рекомбинации электрона из зоны проводимости с автолокализованной дыркой, но и при туннельном переносе электрона Р-центра на свободные верхние уровни Ук-центра.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В диссертации изложены материалы первого систематического исследования процессов распада электронных возбуждений с рождением дефектов в щелочно-галоидных кристаллах типа CsCl при воздействии наносекундных импульсов ускоренных электронов в области Т>80 К.

На основе изучения влияния температуры, мощности электронного пучка и дозы предварительного облучения выявлены общие для класса закономерности дефектообразования, которые в целом по своей природе подобны процессам генерации дефектов в ЩГК с ГЦК-структурой, но имеют и свои отличительные черты.

Так, например, основываясь на выявленных в ходе исследования температурно-зависимых свойств поглощения и люминесценции кристалла Csl, процесс экситонного распада с рождением дефектов можно представить как следствие ряда конфигурационных преобразований АЛЭ, сопровождающихся последовательным увеличением с температурой степени пространственного разделения электронного и ядерного компонентов АЛЭ. Поскольку при 80 К в области Е>2.0 эВ наряду с поглощением дырочного компонента двухгалоидных АЛЭ нам впервые удалось обнаружить полосу поглощения с максимумом при 3.4 эВ которая по своим спектральным характеристикам совпадает с полосой поглощения центров семейства Хз", а время релаксации оптической плотности в этой полосе поглощения равно времени затухания тс-люминесценции, то вероятнее всего, что ядерная подсистема АЛЭ в Csl за время жизни до излучательной аннигиляции успевает многократно трансформироваться из двухв трехгалоидную конфигурацию и обратно. При этом следует считать, что излучательные переходы из возбужденного состояния в основное АЛЭ осуществляется в тот период, когда дырка локализована на двух ионах галоида. С ростом температуры от 80 до 300 К происходит преобразование трехгалоидного «on-center» АЛЭ в «off-center» конфигурацию, которую следует считать ответственной за высокотемпературную люминесценцию кристалла йодистого цезия.

Изучение спектральных характеристик быстрозатухающей люминесценции кристалла CsCl в зависимости от температуры радиационного воздействия позволило определить, что двухполосная структура спектров обусловлена излучательными переходами двух различных типов. Поскольку было установлено, что полуширина полосы при 5.2 эВ с ростом температуры увеличивается пропорционально корню квадратному из Т, что считается типичным для внутрицентровых переходов в системах с большим стоксовым сдвигом, поэтому логичным представляется связать происхождение полосы при 5.2 эВ, как это было сделано ранее Пули и др. с излучательной аннигиляцией АЛЭ из синглетного состояния, и считать обусловленным остовно-валентными переходами не весь спектр собственной люминесценции CsCl, а его низкоэнергетическую часть, — широкую асимметричную полосу с максимумом при 4.6 эВ.

Для кристаллов Csl и CsCl обнаружено, что с ростом Т образца при облучении наблюдается: 1) сокращение времени жизни АЛЭ в триплетном состоянии и «тесных» F-H пар- 2) увеличение эффективности генерации пространственно разделенных F-H пар центров окраски.

Эти факты рассматриваются нами как прямое доказательство реализации в кристаллах CsCl и Csl, также как и в других ЩГК термоактивированного механизма распада экситонов из наинизших релаксированных состояний. В кристалле CsCl этими состояниями являются триплетные АЛЭ и «тесные» F-Н пары, а в кристалле Csl — двухгалоидные, трехгалоидные «on-» и «offcenter» экситоны.

Исследование влияние мощности импульсного возбуждения в кристалле CsCl и дозы предварительного облучения в бромистом цезии на элементарные процессы создания первичных дефектов показало, что в условиях высокой скорости генерации (e-h) пар, сравнимой со скоростью автолокализации дырок и при больших концентрациях точечных дефектов процессы образования автолокализованных экситонов при 80 К оказываются сильно подавленными, в то время как пространственно разделенные дефекты, в таких условиях, создаются с повышенной эффективностью. Наблюдаемые явления связываются нами с конкуренцией в процессе захвата электроном проводимости дырок двух типов: термализованных Ук-центров и короткоживущих дырочных состояний, предшествующих образованию термализованных Ук-центров. Эту точку зрения подтверждают полученные нами, на основе прямых оптико-абсорбционных измерений, данные по выходу АЛЭ из реакций рекомбинаций Ук+е. Оказалось, что выход АЛЭ при селективном выделении реакций рекомбинаций Ук+е более чем в два раза превышает их выход при зона-зонном возбуждении.

Анализ пострадиационных процессов в кристалле СбВг показал, что часть создаваемых в ходе многоимпульсного облучения электронных и дырочных дефектов разрушаются атермически посредством туннельного механизма. В спектре люминесценции, сопровождающей туннельную рекомбинацию дефектов, присутствуют две полосы с максимумами при 2.7 и 3.6 эВ, обусловленные, как показали опыты по оптической стимуляции, переносом электрона Б-центра на различные уровни Ук-центра. Полученные экспериментальные данные свидетельствуют о том, что наряду с образованием АЛЭ в триплетном состоянии в результате релаксации свободного экситона или захвата Ук-центром электронов из зоны проводимости реализуется механизм туннельного переноса электрона с уровня Б-центра на свободные состояния Ук-центра.

Исходя из вышеизложенного, можно утверждать, что процессы генерации стабильных дефектов тесно взаимосвязаны с динамикой электронно-дырочных процессов и конфигурацией автолокализующихся экситонов.

Автор выражает искреннюю благодарность своим научным руководителям: проф. Лисицыну В. М. и проф. Яковлеву В. Ю. за предоставление темы и руководство работой, а также сотрудникам лаборатории «Импульсной спектрометрии» доценту Куликову В Д. и старшему научному сотруднику Чинкову ЕЛ. за постоянную практическую помощь.

Показать весь текст

Список литературы

  1. И.А., Пензина Э. Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах.//Иркутск: Вост.-сиб.кн. изд-во. -1977. 208 с.
  2. Ч.Б., Витол И. К., Эланго М. А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах.// УФН. -1977.-т.22, вып.2.-с.223−251
  3. Э.Д., Лусис Д. Ю., Чернов С. А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов// Рига: Зинатне.- 1979. -252 с.
  4. М.Й., Лущик Ч. Б., Машовец Т. В., Холодарь Г. А., Шейнкман М. К., Эланго М. А. Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений// УФН,-1985.-т. 147, вып.З.-с.523−558
  5. Э.Д., Гаврилов В. В., Дейч Р. Г., Чернов С. А. Быстропротекающие радиационностимулированные процессы в щелочно-галоидных кристаллах// Рига: Зинатне.- 1987.- 183 с.
  6. Itoh N. Creation of lattice defects by electronic excitation in alkali halides.//Adv.in Phys.-1982.-vol.31, No.5.-p.491−551
  7. Williams R.T., Song K.S. The self-trapped exciton. //J. Phys. and Chem. Solids.- 1990.- v.51, N7.- pp.679−716
  8. A.M. Новое поколение твердотельных лазеров.// УФН 1986,-т.148, вып.1.- с.7−33
  9. Т.Т., Воронько Ю. К., Миров С. Б. и др. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. -1982.- t.46,N8.- с.1600−1610
  10. Hilsh R., Pohl R.W. Uber die ersten ultravioletten Eigen-frequenzen einiger eifacher Kristalle.// Z. Phys. -1928, — Bd.48,N4.-pp.999−1003
  11. K.K., Грант 3.A., Меж Т. К., Грубе М. М. Термолюминесцентная дозиметрия. // Рига: Зинатне.- 1968. 188 с.
  12. К.К., Готлиб В. И., Кристансон Я. Ж. Оптические регистрирующие среды. // Рига: Зинатне.- 1976. 184 с.
  13. В.О., Ломоносов И. Й., Писаревский А. Н. и др. Сцинтилляционный метод в радиометрии.// М.: Госатомиздат, — 1961.- 430 с.
  14. В.К. Сцинтилляционный метод детектирования излучений. // М.: Изд-во МИФИ- 1982. 88 с.
  15. Coleman C.I. Imaging detectors for the ultraviolet. // Appl. Opt. -1981.- v. 20, N 21, — pp.3693−3703
  16. Й.П., Кравченко В. А., Маловичко A.B., Яковлев В. Ю. Двухгалоидная дырочная автолокализация и люминесценция в галогенидах тяжелых металлов.// ФТТ.-1989.- т.31, в.7.- с.22−25
  17. Я.А., Рачко З. А., Яансон Я. Л. Люминесценция, обусловленная переходами между валентными зонами в галогенидах цезия. // Оптика и спектроскопия. 1986. — т.60, в.6. — с. 1100−1102
  18. A.C., Михайлик В. П., Пидзырайло С. Н. Остовно-валентная люминесценция в кристаллах CsBr. // ФТТ.- 1992.-т.34, в.2, — с.681−685
  19. Kubota S., Itoh М., Ruan J. et. al. Observation of interatomic radiative transition of valence electron to outermost-core-hole states in alkali halides. //Phys. Rev. Lett. 1988.-v.60, N22.- pp. 2319−2322
  20. Ю.М., Куусманн И. Л., Либлик П. Х. и др. Излучательные переходы между анионной и катионной валентными зонами в в кристаллах CsBr. // ФТТ, — 1987.- т.29, в.4, — с.1026−1029
  21. Schulman J.H., Boag J.W. Color centre formation by pulse irradiation of alkali halides.//Phys. Stat. Sol.- 1963.- v.3.-pp.516−522
  22. Williams R.T. Intersystem crossing, polarization and defect formation induced by optical excitation of self-trapped excitons in alkali halides.// Phys. Rev. Lett.1976.- v.36, N10, — pp. 529−539
  23. Fuller R.G., Williams R.T., Kabler M.N. Transient optical absorbtion by self-trapped excitons in alkali halides crystals. // Phys. Rev. Lett.- 1970.- v.25, N 7,-pp.446−449
  24. Williams R.T., Kabler M.N. Excited-state absorbtion spectroscopy of self-trapped excitons in alkali halides .//Phys. Rev. В.- 1974, — v.9, N4. pp. 1897−1907
  25. Kondo Y., Hirai M., Ueta M. Transient formation of color centers in KBr crystals under the pulsed electron beam.//J.Phys. Soc.Jap.-1972.-vol.33,No. 1.-p. 151 157
  26. Kondo Y., Hirai M., Yoshinari Т., Ueta M. Color center formation and bleaching in KC1 and NaCl by electron pulse at 15 K. //J.Phys.Soc.Jap.-1971.-vol.30,No.2.-440−448
  27. Yoshinari Т., Iwano H., Hirai M. F-H center formation by the optical conversion in self-trapped excitons in KC1 crystals.//J.Phys.Soc.Jap.-1978.-v.45, N.3.-p.936−943
  28. SodaK., Itoh N.//J.Phys.Soc.Jap.-1980-v.48, N.5. -p. 1618−1624
  29. Tanimura K., Itoh N. Selective nonradiative transitionsat excites of the self-trapped exciton in alkali halides.//J.Phys.Chem.Solids.-1984.-v.45, N.3.-p.323−340
  30. Sugiyama Т., Fujiwara H., Suzuki Т., and Tanimura K. Femtjsecond time-resolved spectroscopy of self-trapping processes of holes and electron-hole pairs in alkali bromide crystals. // Phys. Rev. B.-1996.-v.54, N21.- pp.15 109−15 119
  31. Д.И., Семин Б. Н., Таванов Э. П. и др. Высокоэнергетическая электроника твердого тела. // Новосибирск: Наука.- 1982. 227 с.
  32. Э. Д., Гаврилов В. В., Чернов С. А., Эцин С. С. Экспериментальное наблюдение эффекта «радиационной тряски» в щелочно-галоидных кристаллах. // ФТТ.- 1984.- т.26, вып.2.- с.321−326
  33. В.А. Люминесценция и образование центров окраски в галогенидах цезия под действием импульсных электронных пучков. // Автореферат дис. канд. физ.-мат. наук. Томск.-1988. — 19 с.
  34. В.А., Яковлев В. Ю. Образование F-центров и АЛЭ в сильновозбужденных ЩГК. // ФТТ, — 1988.- т. ЗО, N3, — с.706−710
  35. .К., Фридкин В. М., Инденбом В. Л. Современная кристаллография: в.4т.-т.2-Структура кристаллов.-М: Наука-1979
  36. Акустические кристаллы. Справочник.//Блистанов А.А., Бондаренко B.C., Чкалова В. В. и др.- под ред. М. П. Шаскольской.-М.:Наука.-1982.-с.632
  37. Onodera I. Energy bands in CsI//J.Phys. Soc.Jap.-1969-v.25,N2-pp.469−480
  38. Rossler U. Energy bands of CsI (Gree's function method) //Phys. stat. sol.-1969- v.34,Nl.-pp.207−212
  39. Дж. Оптические спектры твердых тел. Пер. с англ. М., Мир,-1969.- 174 с.
  40. Satparthy S. Electron energy bands and cohesiveproperties of CsCl, CsBr and Csl//J. Phys. Rev. В.-1986, — v.33,N12.- pp. 8706−8715
  41. Teegarden K., Baldini G. Optical absorption spectra of alkali halides at 10°K // Phys. Rev.- 1967.- v.155, N3, — p.896
  42. Frohlich D., Staginnus В., Onodera I. Two-photon spectroscopy in Csl and CsBr//Phys. stat. sol-1970.- v.40, N2.-pp.547−556
  43. Avakian P., Smakula A. Color centers in caesium halide single crystals.-Phys. Rev.- 1960, — v.120, N6, — pp.2007−2014
  44. Rabin H., Shulman I.H. Color centeres in CsCl-type alkali halides.- Phys. Rev.-1962.- v.125, N5.- pp. 1584−1596
  45. Ч.Б., Васильченко E.A., Либлих П. Х., Лущик А. Ч., Лущик Н. Е. Люминесценция, автолокализация и распад на дефекты экситонов в ионных кристаллах (CsBry/Изв.АН CCCP.-1982.-t.46, N2. -с.343−348
  46. Ч.Б., Васильченко Е. А., Лущик А. Ч. Низкотемпературный распад экситонов с рождением дефектов в ионных кристаллах.//Вопр. ат. науки и техн., сер. физики рад. поврежд. и рад. материаловед.-1981 .-вып. 1(15).-с. 17−27
  47. Ч.Б., Васильченко Е. А., Лущик А. Ч. и др. ВУФ-спектроскопия экситонов и френкелевские дефекты в CsBr // Тр. ИФ АН ЭССР.- 1980,-т.51.- с.7−38
  48. Ч.Б., Васильченко Е. А., Либлих П. Х. и др. Динамика автолокализации и распада экситонов в CsBr при 4.2 К // Тр. ИФ АН ЭССР.-1981.-t.52.-c.7−52
  49. А.Ч., Лущик Н. Е., Васильченко Е. А. и др. Люминесценция и дефекты в кристаллах CsBr// Тез. докл. XXVII Всес. совещ. по люминесценции (кристаллофосфоры).- Рига.- 1980.- с.86
  50. Ч.Б., Васильченко Е. А., Лущик А. Ч. и др. Распад экситонов на дефекты и поляризованная люминесценция при рекомбинации дефектов в CsBr // Письма в ЖЭТФ.- 1980.- т.32.- с.568−571
  51. Ч.Б., Витол И. К., Васильченко Е. А. Туннельная перезарядка френкелевских дефектов в CsBr // ФТТ.-1981.- т.23, — с.1636−1642
  52. Lushchik N.E., Soovik Н.А., Tajirov М.М. et. all //.Radiative and non-Radiative recombination of Frenkel Defects in CsBr and KBr.// In: International Conference Defects in Insulating Crystals (Abstracts).-Riga.-1981.- pp.264−265
  53. Ч.Б., Васильченко E.A., Колк Ю. В. и др. Низкотемпературный распад электронных возбуждений с рождением пар Френкеля в щелочногалоидных кристаллах.// Тезисы V Всес. совещ. по радиационной физике и хим. ионных кристаллов, — Рига.-1983, — с.98−100
  54. Е.А., Лущик А. Ч., Лущик Ч. Б. Образование вакансий иинтерстициалов в щелочногалоидных кристаллах при оптическом создании экситонов.// ФТТ,-1981.- т.23.- с. 481−487
  55. А.Ч. Вгз -центры в облученных рентгеновской радиацией кристаллах CsBr.// Тр. ИФ АН ЭССР.- 1980.- т.51. -с.39−56
  56. Л.А., Лущик А. Ч. Дырочные процессы в CsBr // Тр. ИФ АН ЭССР.- 1975.- т. 44.- с.69−87
  57. Chowdari B.W.R., Ikeya М., ItohN. Optical absorbtion spectra of H-centre in CsBr.//Sol.St.Comm.-1971 .-v.9, N.10.-p. 157−158
  58. Yensen R.E. Colloid absorbtion band in CsBr.// J. Appl. Phys. -1963.-v.34,N10.- pp.3134−3135
  59. Schrey P., Balzer R., Peisl H. Release of stared energy of X-irradiated in KC1 and CsBr.// Phys. stat. sol.- 1978, — v. B85, N2, — pp. 553−559
  60. Lynch D.W., Brother A.D., Robinson D.A. Some propertiesof F and F-aggregate centeres in cesium halides.// Phys. Rev.- 1965.- v. 139, N 1A.- pp.285−292
  61. Lynch D.W.Color centeres in additively colored CsBr.// Phys. Rev.- 1962.-v.127,N5.- pp. 1537−1542
  62. Monnier R., Song K.S., Stoneham A.M. The self-trapped hole in cesium halides.//! Phys. C. -1977.- v.10, N22.-pp.4441−4448
  63. Moran P.R. Effects of dynamics Lattice distortion on the structure of the F-band in cesium halides.// Phys. Rev.- 1964.-v.137, N3A.- pp. 1016−1027
  64. Pilloud J.J., Jaccard C. Dynamics Properties of X2~ centres in cesium halides.//Phys. stat. sol.(b).- 1979.- v. 92, N2.-pp. 233−239
  65. Pilloud J.J., Jaccard C. ESR of X2″ centres in CsBr: Tl+. // Phys. stat. sol.(b).-1978.- v.90, N 2, — pp. K161-K164
  66. B.A., Лисицын B.M., Яковлев В. Ю. Образование F-центров и автолокализованных экситонов в кристалле CsBr под действием импульсных электронныхпучков.//ФТТ.-1986.-т.28, Nll.-c. 3473−3477
  67. Spinolo G. New data on the relaxed excited state of the F-center.// Phys. Rev.-1965.-v.137, N 5A.- pp. 1495−1496
  68. Saidoh M., Itoh N. Ionic size effects on the radiation-induced dynanics motion of interstirial halogen in alkali halides.// Phys. stat. sol.(b).- 1975.- v.72, N2.-pp.707−717
  69. D hertoghe J., Jacobs G. Self-trapped exciton and F-centre formation by picosecond laser pulses in alkali bromides and iodides.// Phys. stat. sol.(b).- 1980.-v.95, N1.- pp. 291−300
  70. Van de Wiele F., Jacobs G. Color centres in CsBr single crystals irradiated at liquid-helium temperature.// Phys. Rev.-1965.- v. 139, N3A.-pp. 924−928
  71. Van de Wiele F., Jacobs G. Optical and thermal properties of color centres in CsBr single crystals irradiated at liquid-helium temperature.// Phys. stat. sol.- 1966.-v.17, N1. pp. 177−184
  72. .Т. Радиолиз и дефекты ионных кристаллов АХВУП.// Автореферат дис. докт. хим. наук Ленинград.-1975
  73. Alcala R., Caves R., Orera C.M. Cfesiun cjlljids in X-irradiated CsCl and CsBr.//J. Phys. C.- 1982.-v.15, N6,-pp.1129−1136
  74. Г. В. Радиолиз монокристаллических образцов бромида и иодида цезия.// Автореферат дис. канд. хим. наук- Ленинград.- 1983.-24 с.
  75. Lefrant S., Rzerka Е., Taurel L., Hughes A.E. Characterization of V-centres in pure and doped alkali iodides.// In: Defects in insulating crystals.- Riga.-1981.- p. 133
  76. Sidler Т., Pellaux J., Nouailhat A., Aegerter M.A. Study of Vk centres in Csl crystals.// Sol. stat. comm.- 1973.- v.13, N4.- pp. 479−482
  77. Ong C.K. Lattice static calculation of F-centre absorbtion energy in caesium halides.// J. Phys. C.- 1982, — v.15, N3.-pp. 427−433
  78. Pilloud J.-J., Jaccard C. ESR of Vk centres in Csl.// Sol. stat. comm.- 1975.-v.17, N7.- pp. 907−909
  79. Barland M., Duval E., Nouailhat A. Migration of Vk centres in Csl crystal.// J. Phys. C.- 1981, — v. 14, N29.- pp. 4237−4245
  80. Vanderhaeghe A., Jacobs G. On F- and F2-centres in cesium halides.// Phys. stat. sol.(b).- 1977.- v. B3, N2, — pp.471−477
  81. Э.Д., Дейч Р. Г., Чернов C.A. Образование и разрушение собственных и примесных радиационных дефектов в сцинцилляционном кристалле Csl-Na.// Вопр. атомн. науки и техн. физ. радиац. поврежд. и радиац. материаловед.- 1982, — N2/21.-е.63−65
  82. Э.Д., Гаврилов В. В., Гадонас Р и др. Создание радиационных дефектов в Csl пикосекундными импульсами света. // Тезисы Шестой Всес. конф. по радиационной физике и химии ионных кристаллов, — Рига.- 1986, — ч.2,-с.258
  83. В.Ю. Первичные радиационные дефекты в кристалле Csl. // Тезисы Пятого Всес. совещ. по радиационной физике и химии ионных кристаллов.- Рига.- 1983.- ч.2, — с.315
  84. В.Ю. Создание центров окраски кристаллах Csl при импульсном электронном облучении. // ФТТ, — 1984.- т.26,в.11.- с.3334−3337
  85. В.В., Штанько В. И. Собственные дырочные центры окраски в облученных монокристаллах Csl. // ФТТ.- 1984.-т.26, в.1, — с.236−238
  86. М.М. Низкотемпературное создание ВУФ-радиацией пар дефектов Френкеля в КС1, КВг и CsBr. // Автореферат дис. канд. физ.-мат. наук.- Тарту, — 1983.-15 с.
  87. В.Ю. Время-разрешенная оптическая спектроскопия кристаллов CsCl при каскадном импульсном возбуждении. // ФТТ.- 1992.- т.34, в.4.- с7 651−654
  88. К.И., Лущик А. Ч., Лущик Ч. Б. и др. Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах CsCl. // ФТТ.- 1992, — т.34, в.Ю.- с.1690−1695
  89. К.И., Лущик А. Ч., Лущик Ч. Б. и др. Экситонные и электронно-дырочные процессы в CsCl и CsCl.Tl кристаллах. // ФТТ.- 1992.-т.34, В.11.- с.1831−1835
  90. Oliviera P.M. and Naffeo В. Vk-centres in cesium halides by the MSXa method .// Phys. stat. sol.(b).- 1981.- v. 104, N2.- pp.453−458
  91. Pallaux J.P. Determination des energies de migration thermique des centers Vk dans Csl. // Helv. Phys. Acta. 1976. — v.49, N5.- pp. 700−701
  92. A.C., Волков Н. Г., Ляпидевский B.K. и др. Зависимость времени нарастания сцинцилляционного импульса в Csl от концентрации активатора и температуры. //ПТЭ.- 1975.- N1.- с. 61−63
  93. Fitchen M. F-band shape in the CsCl structure under pressure. // Phys. Rev.-1964.- v.134, N6A.- pp. l 599−1602
  94. Lynch D.W., Robinson D.A. Study of the F-center in several alkali halides.// Phys. Rev.- 1968.- v.174, N3,-pp. 1050−1059
  95. М.Г., Макушев К. А., Пензин Э. Э. и др. F-подобные центры окраски в кристаллах С si. // Изв. вузов «Физика».- 1985.- N8.- с.114−115
  96. Fowler W.B. Physics of color centres.// Ed. Fowler W.B.-N.I.- L: Acad, press.- 1968.-pp.54−179, 627−630
  97. Pellaux J.P., Sidler Т., Nonallhat A., Aegerter M.A. Radio and thermoluminescence studies in Csl doped with F-centres .// Sol. stat. comm.- 1973.-v.13, N7.- pp.979−981
  98. E.A. Роль туннелирования в процессах накопления радиационных дефектов и в теории диффузионно-контролируемых реакций. // Автореферат дис. докт. физ.- мат. наук. Рига. — 1975.- 40 с.
  99. Д.К., Тале И. А., Котомин Е. А. Единый подход к описанию процессов накопления и отжига радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах. //Учен. зап. Латв. ун-та, — 1975, — т.245, в.4 с. 24−72
  100. А.А. Вероятность спонтанного излучательного перехода между пространственно-разделенными локализованными состояниями. // Учен. зап. Латв. ун-та.- 1975.- т.234.- с.26−41
  101. И.Й., Котомин Е. А. Теория диффузионно-контролируемой рекомбинации донорно-акцепторных пар. // Учен. зап. Латв. ун-та.- 1974.-т.208.- с. 78−108
  102. А.А. Кинетика туннельной рекомбинации в ионных кристаллах: две модели .// Учен. зап. Латв. ун-та.- 1975.- т.234, — с. 42−58
  103. Frenkel J. On the transformation of light into heat in solids. // Phys. Rev.-1931.-v.37, N1.- pp. 17−255
  104. Я.й. О поглощении света и прилипании электронов и дырок в кристаллических диэлектриках. // ЖЭТФ,-1936.-т.6,в.6.-с.647−665
  105. В.Н. Теория экситонов. // М: Наука.- 1968.-383с.
  106. Р. Теория экситонов. // Пер. с англ. М: Мир.- 1966.- 219с.
  107. Э.И. О высоте автолокализованного барьера. // Физика низких температур 1977.- т. З, в.4.- с.524−527
  108. Э.И. Сосуществование свободных и автолокализованных экситонов в кристалле. //Изв. АН СССР. Сер. физ.- 1976.- т.40, в.9, — с. 17 931 800
  109. В.В., Шерман А. В. Адиабатические поверхности и оптические спектры автолокализующихся экситонов. // Тр. ИФ АН ЭССР.1976.-в.46, — с.120−142
  110. Fowler W.B., Marrone M.J., Kabler M.N. Theory of self-trapped exciton luminescence in halide crystals. // Phys. Rev. B. 1973, — v.8, N12.- pp. 5909−5919
  111. Mott N.F., Stoneham A.M. The lifetime of electrons, holes and excitons before self-trapping.// J. Phys. С.- 1977, — v.10, N17, — pp.3391−3398
  112. Sumi H. Polaron conductions from band to hopping types. // J. Phys. Soc. Jap.- 1972. v.33, N2, — pp.327−342
  113. Sumi H., Toyoezawa Y. Discontinuty in the polaron ground state.// J. Phys. Soc. Jap.- 1973.- v.43, N4, — pp. 137−145
  114. Gallinar J.-P., MattisD.C. Effects of exciton hopping upon the mass of an exciton. //Phys. Rev. B. 1985 -v.35,N8.-pp. 4914−4918
  115. Sumi A. Phase diagram of an exciton in the phonon field. //J. Phys. Soc. Jap.1977,-v.43, N4.-pp. 1286−1305
  116. Toyozawa Y. Self-loalization of elementary exitations.//Appl. 0pt.-1980.-v.19, N23,-pp. 4101−4103
  117. Toyozawa Y. Tynntling process from free state to self-trapped state of exciton. //J. Phys. Soc. Jap.- 1981.-v.50,Nl.-pp.l235−1345
  118. Nigashimura Т., Nakaoka Y., Iida T. Stability and optical properties of self-trapped exciton in alkali halides. // J. Phys. С.- 1984, — v. 17.- pp.4127−4140
  119. H., Ohigashi Ch., Tanaka Y., Tomira M. // Resonance luminescence lones of free excitons in alkali iodide single crystals. // J. Phys. Soc. Jap.- 1977.-v.13, N1,-pp. 157−163
  120. Kabler M.N., Patterson D.A. Evidense for a triplet state of the self-trapped excitonin alkali halides crystals.//Phys. Rev.Lett.-1967.-v.l9,N.ll.-p.652−654
  121. Pooley D., Runciman W.A. Recombination luminescence in alkali halides.//J.Phys.C.:Sol.St.Phys.-1970.-v.3, N.8.-p.l815−1824
  122. И.Л., Либлик П. Х. Коротковолновая катодолюминесценция бромидов щелочных металлов. // Тез. XXVII совещ. по люминесценции.-Эзерниеки.- 1980, — с.84
  123. Vasirchenko Е., Lushchik N" Lushchik Ch. Migration of excitons and holes in luminescent crystals of CsBr. // J. Luminescence.- 1972, — v.15, N2.- pp. 117−131
  124. H.E., Соовик X.A. О поляризации люминесценции свободных и автолокализованных экситонов в Nal, KI и CsBr. // Изв. АН СССР, сер. физ.-1976.- т.40.- с. 1922−1925
  125. Itoh М., Tanimura К and ItohN. Optikal studies of self-trapped excitons in CsCl and CsBr. //J. Phys. Soc. Jap.-1993, — v.62, N8.- pp.2904−2914
  126. П.Г. Регистрация ЭПР возбужденных состояний по люминесценции в ионных кристаллах. //Изв. АН СССР. 1981,-т.45, в.2.-с. 253−260
  127. Marrone M.J., Patten F.W., Kabler M.N. EPR in triplet states of the self-trapped exciton. // Phys. Rev. Lett.- 1973.- v.31, N7, — pp. 467−471
  128. Gwin R., Murray R.B. Scintillation process in Csl (Tl). I. Comparison with activator saturation model. II. Emission spectra and the possible role of self-trapped holes // Phys. Rev.- 1963.- v.131, N2, — pp. 501−508, 508−512
  129. Lamatsch H., Rossel J., Saurer E. Kinetics of self-trapped exciton recombination in Csl.// Phys. stat. sol. (b).- 1971, — v.48, N1, — pp. 311−318
  130. Lamatsch H., Rossel J., Saurer E. Lokalized and self-trapped excitons in Csl.//Phys. stat. sol. (b).- 1970.-v.41, N2.-pp. 605−614
  131. Iida T., Nakaoka Y., Von der Weid J.P., Aegerter M.A. Self-trapped excitons in caesium iodide. I. Theory. //J. Phys. С,-1980.- v. 131, N6.- pp. 983−992
  132. Falco L., Von der Weid J.P., Aegerter M.A., Iida T., Nakaoka Y. Self-trapped excitons in caesium iodide. II. Magneto-optikal properties. // J. Phys. C -1980, — v.13, N6.-pp.993−1007
  133. Pellaux J.F., Von der Weid J.P., Aegerter M.A. Self-trapped excitons in causium iodide. III. Polarization of the emissions. // J. Phys. C.- 1980.- v. 13, N6.-pp. 1009−1018
  134. Nakaoka Y., Iida T. Stability of relaxed states of excitons in caesium halides. // Phys. stat. sol. (b).- 1980.- v.102, N2.- pp.509−519
  135. Nasu K., Toyzawa T. Tunneling process from free statets self-trapped state of exciton. //J. Phys. Soc. Jap.- 1981.-v.50,Nl.-pp. 235−245
  136. Towyama T., Monta I., Ishiguro M. The Luminescence in Csl.Tl. // J. Phys. Soc. Jap.- 1968.- v.25, N4, — pp. 1133−1138
  137. Chen C.H., McCan M.P., and Wang J.C. Room-temperature two-photon induced luminescence in pure Csl. //J. Sol. Stat. Comm.- 1987,-v.61, N9,-pp. 559 562
  138. Nishimura H., Sakata M., Tsujimoto T., Nakayama M. Origin of the 4.1eV luminescence in pure Csl scintillator. // Phys. Rev. В.- 1995.- v.51, N4.- pp. 21 672 172
  139. Belsky A.N., Vasifev A.N., Mikhalin V.V. et. al. Experimental study of the excitation thereshold of fast intrinsic luminescence of Csl. // Phys. Rev. В.- 1994.-v.49, N18.- pp. 13 197−13 200
  140. Ш. И., Абдрахманов M.C. УФ-люминесценция Csl при возбуждении субнаносекундными импульсами электронов.// Тез. докл. IV Межд. конф. Кемерово.- Кузбассвузиздат -1995.- с.82
  141. М.С. Быстрая люминесценция ионных кристаллов при возбуждении импульсами электронов. // Автореферат дис. канд. физ.-мат. наук. Саласпилс.-1991.-17 с.
  142. А.С., Михайлик В. П., Пидзырайло Н. С. и др.
  143. Спектрально-кинетические параметры быстрой рентгенолюминесценции кристаллов Csl.// ЖПС, — 1992.- т.56, в.5−6.- с. 810−813
  144. В.В., Гектин А. В., Ширан Н. В., Чаркина Т. А. Быстрая ультрафиолетовая люминесценция кристаллов Csl. // Оптика и спектроскопия.-1989, — т.66, в.5.- с.961−962
  145. Kubota S., Sakurage S., Hashimoto S. et. al. // Nucl. Instram. method.-1988, — v.268.-p.275
  146. Leung C.H., Brunei G., Song K.S. Off-centre equilibrium configuration of the self-trapped exciton in alkali chlorides.// J.Phys.C:Sol.St.Phys.-1985.-v.l8.-p.4459−4477
  147. Williams R.T., Song K.S., Faust W.L., Leung C.H. Off-center self-trapped excitons and creation of lattice defects in alkali halide crystals.//Phys.Rev.B -1986.-v.33, N.10.-p.7232- 7240
  148. K.Kan'no, K. Tanaka, T.Hayashi.//Rev. Solid. State Sci. 1990-v.24 -p. 383
  149. Э.Д., Гаврилов B.B., Дейч Р. Г., Чернов С. А. Сверхбыстрая люминесценция Csl.// Письма в ЖЭТФ, — 1988.- т.47, в.2, — с. 116−117
  150. Deich R., Karklina М., Nagli L. Intraband luminescence of Csl. //Sol. Stat. Commun.- 1989, — v.71, N10.- pp.859−862
  151. И.Ф. Электроная и оптические спектры галогенидов цезия и активированных кристаллов иттрий-аллюминиевого граната. // Авторефератдис. канд. физ.-мат. наук, — Свердловск.- 1991.- 20 с.
  152. Kikas A., Elango М. Monte Carlo simulation of the cross-luminescence excitation spectrum in a CsBr crystal. // Nucl. Instrum. and Method in Phys. Research.- А308, — 1991.-pp.211−214
  153. Andriessen J., Porenbos P., Van Euk. C.W.E. Molekular cluster calculation of cross-luminescence in BaF2, CsF, CsCl and CsBr.// Nucl. Trach. and Radiat. Meas.- 1993.-v.21, N1 .-pp. 139−141
  154. Lushchik Ch., Lushchik A., Vasilchenco E. Exciton and point defects creation in alkali halides.//in:Proc.Intern.Conf.on defects in insulating crystals//Riga:Zinatne.-1981.-p.323−342
  155. Lushchik Ch. Creation of Frenkel defects pair by excitons in alkali halides .// In: Physics of radiation effects in crystals. Ed. by Johnson R.A. and Orlov A.N.-Elsevier Science Publ. B.V.-1986.- ch.8.-pp.473−525
  156. Williams R.T. Photochemistry of F-center formation in halides crystals. // Semicond. and Insulators.-1978.- v.3, N2.-pp.251−283
  157. B.M. Эволюция дефектности в ионных кристаллах после импульсного радиационного возбуждения.//В сб. Сильноточные импульсные электронные пучки в технологии. -Новосибирск: Наука.- 1983.-с.61−72
  158. Toyozawa Т. Self-trapping and defect reactions.//Semicond.& Ins.-1983.-v.5, N4/4.-p. 175−200
  159. Lushchik Ch., Liidja G., Jaek I. The mechanism of formation of color centers in ionic crystals by ultraviolet irradiation.//in: Proc. Int. Conf. on semicond.Phys.-Pr.-1960.-p.717−721
  160. Parker J.H.Jr. Exciton-induced F-center growth in KI and KBr crystals. // Phys. Rev.-1961, — v.124, N3.-pp. 703−712
  161. Ч.Б., Лийдья Г. Г., Эланго M.A. Электронно-дырочный механизм создания центров окраски в ионных кристаллах. //ФТТ.- 1964.- т.6, в.8,-с.2256−2262
  162. Lushchik A., Felbach Е., Frorip Н. et. al. Relaxation of excitons in wide-gap CsCl crystals. // J. Phys. Condens. Matter. 1994, — v.6, N12.- pp.2357−2366
  163. Ч.Б. Излучательный и безызлучательный распад экситонов в ионных кристаллах. // Изв. АН Латв. ССР, сер. физ. и техн. наук.- 1984.- в.2.-с.57−67
  164. Rabin Н., Klick С.С. Formation of F centers at low and room temperatures./ZPhys.Rev.-1960,-v. 117, N.4-p. 1005−1010
  165. Behr A., Peisl H., Waidelich W. Production and thermal annealing of lattice defects in KCl.//J.Phys.-1967.-v.28, N. C4. -p.163−177
  166. Saidoh M., Itoh N. H-center interactions during thermal annealing in KBr.//J.Phys.and Chem.Solids.-1973.-v.34, N.7.-p. 1165−1171
  167. Ч.Б., Гиндина P.А., Лущик H.E. и др. Распад экситонов с рождением анионных и катионных дефектов в KCl-Na.//Tp. ИФ АН ЭССР-1982.-t.53.-с. 146−171
  168. Kan’no Ken Ichi, Nakai Y. Defect formation with UV-laser irradiation in alkali halides.//Semicond.&Insulators.-1983.-v.5. -p.493−504
  169. Tanimura K., Itoh N. Generation of lattice defects by exciton interaction in Rbl: lattice instability under dense electronic excitation.//Phys.Rev.Lett.-1988.-v.60, N.26.-p.2753−2756
  170. Suzuki Y., Abe H., Hirai M. Relaxation of self-trapped excitons in alkali chloride crystals by time delayed double excitation in picosecond range.//in: -p.71−72
  171. Itoh N., Eshita Т., Williams R.T. Anticorrelation between yelds of recombination luminescence and recombination-induced defect formation in alkali-metal halides.//Phys. Rev. B: Condens. Matter.-1986.-vol.34,No6.-p.4230−4234
  172. Williams R.T., Craig B.B., Faust W.L. F center formation in NaCl: picosecond spectroscopic evidence for halogen diffusion on lowest potencial surface.//Phys. Rev. Lett. 1984. -vol.52, No.19. -p.1709−1712
  173. Г. А. Генерирование мощных наносекундных импульсов.//М.:Сов. Радио.-1974.-255с
  174. В.Г. Измерение энергетических характеристик наносекундного электронного пучка, выведенного в воздух через фольгу .//ПТЭ.-1980.-с. 165 167
  175. Blair I.M., Pooley D., Smith D. The lifetime of fast recombination luminescence transitions in alkali halides.//J. Phys. C.-1972.-vol.5.-p.l527−1552
  176. B.M., Корепанов В. И., Яковлев В. Ю. Эволюция первичной радиационной дефектности в ионных кристаллах.//Изв. ВУЗов. Физика.- 1996.-т.39, N11.-с.5−29
  177. Williams R.T., Kabler M.N., Hayes W., Stott J.P. Time-resolved spectroscopy of self-trapped excitons in fliorite crystals.// Phys. Rev. В.- 1976.- v. 14, N2.-pp.725−740
  178. В.Ю., Гафиатулина E.C. Оптические свойства и структура автолокализованных экситонов в кристалле Csl. // Тр. 3й обл. науч.-практ. конф. студентов, аспирантов и молодых ученых. Томск, — 1997.-е. 127
  179. В.Ю., Гафиатулина Е. С. Оптические свойства и структура автолокализованных экситонов в кристалле Csl. // Тез. докл. Первый Всероссийский симпозиум по твердотельным детекторам ионизирующих излучений Екатеринбург.- 1997.-е. 182−183
  180. Е.С., Чернов С. А., Яковлев В. Ю. Создание экситонов и дефектов в кристалле Csl при импульсном электронном облучении. // ФТТ -1998- т. 40, в.4. с. 640 — 644
  181. Iwai S., Tokizaki Т., Nakamura A. and et. all. Femtosecond spectroscopy of self-trapping processes of holes and excitons in alkali halides.//! Luminrscence.-1994.-N60−61.-pp. 720−722
  182. У. Введение в физику твердого тела. // Москва: Гос. изд-во физ.-мат. лит. 1963.-696 с.
  183. Ч.Б., Лущик А. Ч. Вибронные механизмы распада экситонов с рождением дефектов в КС1.//ФТТ.-1986.-т.28, N 5. -с. 1360−1367
  184. Sever B.R., Kristianpoller N. and Brown F.C. F center production in alkali halide crystals by monochromatic X-ray and UV radiation.//Phys.Rev.B.-1986.-v.34, N.2.-p. 1257−1263
  185. Brown F.C., Sever B.R., Kristianpoller N. Defect formation in insulators by sinchrotron radiation.//Physica Scripta.-1987.-v.35.-p.-582−585
  186. Townsend P.D. A new interpretation of the Rabin and Klick diagram.//J.Phys.C.-1973.-v.6.-p.961−966
  187. Williams R.T. Optically generated lattice defects in halide crystals.//Optical Engineering-1989.-v.28, N10. -p. 1024−1033
  188. Mercier E., Guillot G., Nouailhat A. Role of Vk centers in the equilibra among centers created by electron irradiation at 4K in KBr.// Phys. Rev. В.- 1978.-v.17, N8.-pp. 3401−3408
  189. JI.А. Динамика нерелаксированных и автолокализованных дырок в щелочно-галоидныхкристаллах. //Тр. ИФ АН ЭССР.-1979, — вып.50.-с.7- 23.
  190. В.Ю., Гафиатулина Е. С. Рекомбинационное создание автолокализованных экситонов в кристалле CsBr. // Тезисы док. на 9й международной конф. по рад. физ. и хим. неорг. материалов Томск.- 1996.-с.95−96
  191. А. А. Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах. // Томск: Изд-во ТГУ, — 1968.- с.390
  192. Э. Д., Гаврилов В. В., Чернов С. А., Эцин С. С. Влияние плотности возбуждения на кинетику релаксации поглощения F-центров и триплетных экситонов в КС1 при импульсном возбуждении. // ФТТ, — 1984.- т.26, вып.5.-сЛ 512−1514
  193. Shibata Т., Iwai S., Tokizaki Т. And et. All. Femtosecond spectroscopic studies of the lattice relaxation initiated by interacting electron-hole pairs under relaxation in alkali halides.// Phys. Rev. В.- 1994, — v.49, N18.- pp. 13 255−13 258
  194. M.A. Элементарные неупругие радиационные процессы. // Москва: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит.- 1988.- 152 с.
  195. В.Д., Лисицын В. М. Рентгенолюминесценция ионных кристаллов в сильных электрических полях. // ФТТ.-1995, — т.37, N8.-с.2424−2427
  196. К. Низкотемпературный излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в иодидах щелочных металлов. // Диссертация на соискание степени к.ф.-м. н.- Тарту.-1987
  197. Н.Г. Введение в молекулярную спектроскопию. Л., Из-во Ленингр. ун-та, 1987. 216 с.
  198. Matsumoto Т., Kawata Т., Miyamoto A. and Kan"no K.-i. Time-resolved spectroscopic study on the type I self-trapped excitons in alkali halides crystals. I. Emission spectra and decay behavior.// J. Phys. Soc. Jap.- 1992.- v.61, N11.-pp.4229−4241
  199. В.Ю., Лисицын B.M., Гафиатулина E.C. Влияние пластической деформации на люминесценцию АЛЭ в кристалле Csl// Тр. 2й обл. науч.-практ. конф. студентов, аспирантов и молодых ученых. Томск. — 1996. — с. 125
  200. Е.С., Яковлев В. Ю. Динамика накопления устойчивых и генерации первичных дефектов в ЩГК при импульсном электронном облучении. // Тезисы док. на 6й международной конф. «Радиационные гетерогенные процессы», — Кемерово.-1995, — с.66−67
  201. В.Ю., Гафиатулина Е. С. УФ-люминесценция предварительно окрашенного кристалла CsBr при импульсном электронном облучении.//Тезисы докл. на международной конференции «Сцинтилляционные материалы и их применение» -Екатеринбург. 1996.-е. 18
  202. Фок М. В. Разделение сложных спектров на индивидуальные полосы при помощи обобщенного метода Аленцева. // Тр. Физ. ФИАН СССР.- 1972.- в.59,-с3−34
  203. С.И. Собр.соч.//ТП.-М.:Изд-во АН СССР.-1952
  204. Suzuki Y., Ohtani Н., Takagi Sh., Hirai M. Self-trapping of holes followed by STE and F-center formation in picosecond range.// J. Phys. Soc. Japan.-1981.-v.50, Nll.-pp3537−3538
  205. В.Ю., Гафиатулина Е.С.Туннельная рекомбинационная люминесценция в кристалле CsBr. // Труды школы-семинара «Люминесценция и сопутствующие явления». -Иркутск.- 1997.- с.158−163
  206. В.Ю., Гафиатулина Е.С. .Туннельная рекомбинационная люминесценция в кристалле CsBr. // Тезисы докл. школы-семинара «Люминесценция и сопутствующие явления». -Иркутск.- 1997.- с.29−31
  207. Д.Э., Гринфелдс А. У., Плеханов В. Г. низкотемпературное послесвечение чистых кристаллов типа NaCl. //В кн.: Люминесцентные приемники и преобразователи ионизирующего излучения. -Новосибирск, Наука.- 1985-С.14−17
  208. У.К. Излучательная туннельная рекомбинация радиационных дефектов в ионных кристаллах. // Автореферат дис. канд. физ.-мат. наук.-Саласпилс.-1980. -15 с.
  209. И.К. Механизмы фото диссоциации и излучательной рекомбинации дефектов в твердой матрице АТВУП // Автореферат дис. докт. физ.-мат. наук. Тарту.-1975. — 32 с.
  210. P.A., Лийдья Г. Г., Лущик Ч. Б., Соовик Т. А. Автолокализация экситонов и оптические явления в ионных кристаллах. // Изв. АН СССР, сер. физ, — 1967.- т.31, N12.- с. 1982−1985
Заполнить форму текущей работой

На отлично!