Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Оптоэлектронные свойства светоизлучающих кремниевых структур

Диссертация: Оптоэлектронные свойства светоизлучающих кремниевых структур
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Для решения поставленной задачи был привлечен комплекс современных экспериментальных методов, включающих регистрацию ФЛ и ИК поглощение на свободных носителях заряда с временным разрешением, ИК спектроскопию, радиоспектроскопию (ЭПР) и т. д. Данный комплекс методов позволял детальное изучение исследуемых структур. Так, например, одновременная регистрация сигналов ФЛ и ИК поглощения на свободных… Читать ещё >

Содержание

  • Список часто используемых обозначений и сокращений
  • Гл. 1 Обзор литературы
    • 1. 1. Основные виды светоизлучающих кремниевых структур
    • 1. 2. Структурные и оптоэлектронные свойства пористого кремния
      • 1. 2. 1. Получение и структурные свойства
      • 1. 2. 2. Теплофизические свойства
      • 1. 2. 3. Оптоэлектронные свойства
    • 1. 3. Свойства ионов Ег3+ в кремниевой матрице
      • 1. 3. 1. Ионы Ег3+ в матрице монокристаллического кремния
      • 1. 3. 2. Ионы Ег3+ в матрице аморфного гидрогенизированного кремния
    • 1. 4. Процессы, происходящие при взаимодействии интенсивного лазерного излучения с полупроводниками
    • 1. 5. Выводы из обзора литературы и постановка задачи
  • Гп.2 Методика эксперимента
    • 2. 1. Подготовка образцов
      • 2. 1. 1. Монокристаллический кремний
      • 2. 1. 2. Пористый кремний
      • 2. 1. 3. Аморфньш кремний
    • 2. 2. Регистрация ПК и ЭПР спектров
    • 2. 3. Измерение фотолюминесценции
    • 2. 4. Регистрация динамики поглощения на свободных носителях заряда
    • 2. 5. Измерительные ячейки
    • 2. 6. Облучение образцов мощными лазерными импульсами
  • Гп.З Исследование оптоэлектронных свойств пористого кремния
    • 3. 1. Влияние состава поверхностного покрытия на фотолюминесценцию монокристаллического кремния
    • 3. 2. Образцы пористого кремния
    • 3. 3. Влияние поверхностного покрытия пористого кремния на его оптоэлектронные свойства
    • 3. 4. Рекомбинационные процессы в пористом кремнии
      • 3. 4. 1. Модель
      • 3. 1. 2. Температурные зависимости амплитуд сигналов фотолюминесценции и ИК поглощения на свободных носителях заряда
      • 3. 1. 3. Временные зависимости сигналов фотолюминесценции и ИК поглощения на свободных носителях заряда
      • 3. 1. 4. Влияние диэлектрических сред на амплитуды фотолюминесценции и ИК поглощения на свободных носителях заряда
      • 3. 1. 5. Кинетики сигналов фотолюминесценции и ИК поглощения на свободных носителях заряда от пористого кремния в диэлектрической среде
    • 3. 5. Модификация оптоэлектронных свойств пористого кремния
      • 3. 5. 1. Влияние дейтерия на процесс естественного окисления пористого кремния
      • 3. 5. 2. Моделирование процессов нагрева и плавления полупроводников мощным лазерным излучением
      • 3. 5. 3. Лазерно-индуцированное дефектообразование и плавление монокристаллического кремния
      • 3. 5. 4. Лазерно-индуцированное дефектообразование и плавление пористого кремния
    • 3. 6. Выводы к главе
  • Гп.4 Процессы релаксации электронного возбуждения в аморфном гидрогенизированном кремнии, содержащем ионы Ег3*
    • 4. 1. Образцы а-БШ<�Ег>
    • 4. 2. Корреляция фотолюминесценции с концентрацией «оборванных связей»
    • 4. 3. Влияние температуры на фотолюминесценцию а-81:Н<�Ег>
    • 4. 4. Кинетики фотолюминесценции
    • 4. 5. Модель релаксации электронного возбуждения в аморфном гидрогенизированном кремнии, содержащем ионы Ег
    • 4. 6. Выводы к главе

Оптоэлектронные свойства светоизлучающих кремниевых структур (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность проблемы. На сегодняшний день кремний является основным материалом полупроводниковой техники. Этот материал обладает запрещенной зоной (7.1 эВ) идеально подходящей для работы в диапазоне комнатных температур, и его оксид (8Ю2) характеризуется необходимой о технологической эластичностью для компоновки до 10 приборов в одной интегральной схеме [1]. Такой высокий уровень интеграции обуславливает высокоскоростную работу устройств, ограниченную только задержкой распространения сигнала в соединениях между устройствами. Существенное улучшение эффективности кремниевой электроники может быть достигнуто при использовании оптических коммуникаций.

Однако интеграция кремниевой электроники с внешней оптоэлектроникой требует создание гибридных технологий, которые часто достаточно сложны и дорогостоящи. Наиболее успешное решение этой проблемы может быть достигнуто созданием оптоэлектронных приборов, основанных на кремнийсодержащих материалах. Главным требованием, накладываемым на светоизлучающие устройства, основанные на кремнии, является высокая эффективность излучения при комнатной температуре в спектральном диапазоне 0.45−1.6 мкм. Такой диапазон длин волн удовлетворяет требованиям волноводной оптики, а также достаточен для использования в цветных дисплеях.

Для увеличения эффективности люминесценции кремния предложены и активно разрабатываются несколько различных методов [1−3]. В одних модифицируется структура энергетических зон, в других, в кремниевую матрицу вводят ионы редкоземельных элементов, как активаторы люминесценции.

В данной работе в качестве основных объектов" исследования были выбраны: пористый кремний — как материал с модифицированной зонной структурой, характеризующийся достаточно эффективной фотолюминесценцией (ФЛ) в видимой области спектраи аморфный гидрогенизированный кремний, содержащий трехвалентные ионы эрбия (Ег3+).

— как материал, обладающий люминесценцией на длине волны 1.54 мкм. В работе были поставлены следующие конкретные задачи.

1. Всесторонне изучить оптоэлектронные свойства пористого кремния и определить факторы, влияющие на эффективность его ФЛ;

2. Исследовать возможность управления характеристиками ФЛ пористого кремния;

3+.

3. Экспериментально изучить особенности ФЛ ионов Ег, внедренных в матрицу аморфного гидрогенизированного кремния;

4. Установить механизм передачи энергии электронного возбуждения от аморфной матрицы к ионам Ег3+.

Для решения поставленной задачи был привлечен комплекс современных экспериментальных методов, включающих регистрацию ФЛ и ИК поглощение на свободных носителях заряда с временным разрешением, ИК спектроскопию, радиоспектроскопию (ЭПР) и т. д. Данный комплекс методов позволял детальное изучение исследуемых структур. Так, например, одновременная регистрация сигналов ФЛ и ИК поглощения на свободных носителях заряда позволяет однозначно идентифицировать характер релаксации электронного возбуждения (излучательный или безызлучательный). Для модификации исследуемых объектов использовалось интенсивное излучение эксимерного лазера {]?= 1^1000мДж/см2).

Научная новизна. В результате исследования выявлен ряд важных закономерностей релаксации электронного возбуждения в изучаемых структурах:

1. Получены новые данные о характере релаксации электронного возбуждения в пористом кремнии с кислородным и водородным покрытием поверхности;

2. Показано, что природа ФЛ пористого кремния может быть объяснена в рамках модели, предполагающей существование экситонов при комнатной температуре;

3. Обнаружена аномальная устойчивость водородного покрытия пористого кремния к облучению интенсивными лазерными импульсами;

4. Обнаружено снижение температуры плавления пористого кремния по сравнению с монокристаллическим кремнием;

5. Проведено детальное исследование характеристик ФЛ аморфного.

Гп з+ гидрогенизированного кремния, содержащего ионы Ег, в диапазоне температур 300−5 К.

6. Экспериментально установлен механизм возбуждения ионов Ег3+ в матрице аморфного гидрогенизированного кремния;

7. Получены новые данные о влиянии кислорода на параметры ФЛ ионов Ег3+, внедренных в матрицу аморфного гидрогенизированного кремния.

Автор защищает.

1. Новые данные о характере релаксации электронного возбуждения в пористом кремнии с кислородным и водородным покрытием;

2. Феноменологическую модель рекомбинации неравновесных носителей заряда в пористом кремнии;

3. Новую информацию о воздействии интенсивного лазерного излучения на пористый кремний;

4. Методику получения низко дефектного поверхностного покрытия пористого кремния при естественном окислении;

5. Новые данные о параметрах ФЛ ионов Ег3+ в матрице аморфного гидрогенизированного кремния;

6. Выводы о влиянии кислорода на ФЛ ионов Ег3+ в матрице аморфного гидрогенизированного кремния;

7. Качественную модель возбуждения и релаксации ионов Ег3+ в матрице аморфного гидрогенизированного кремния.

Практическая ценность. В работе изучены оптоэлектронные свойства светоизлучающих кремниевых структур различных типов. Полученные данные могут быть использованы при создании светоизлучающих приборов. Так, например, в пористом кремнии с водородным и кислородным покрытием принципиально различны механизмы ФЛ, что необходимо учитывать в технологических приложениях. Формирование низкодефектного покрытия пористого кремния при естественном окислении может быть применено для стабилизации его поверхности, что необходимо при создании надежных светоизлучающих структур на основе пористого кремния. Также в работе предложен количественный метод экспресс-диагностики качества поверхностного покрытия монокристаллического кремния. Изучение механизмов возбуждения и релаксации ионов Ег3+ в матрице аморфного гидрогенизированного кремния, а также влияние кислорода на эффективность ФЛ, указывают направление дальнейших исследований на пути создания эффективных светоизлучающих приборов на основе аморфного кремния.

Апробация работы. Материалы, вошедшие в диссертацию, опубликованы в работах [4−14] и докладывались на следующих конференциях: International Symposium «Nanostructure: Physics and Technology», St. Peterburg, Russia, 23−27 June 1997; International Conference «Porous Semiconductors: Science and Technology», Mallorca, Spain, 16−20 March 1998; 5th International Conference on Nanometer scale Science and Technology, Birmingham, UK, 31 August-4 September 1998; E-MRS-99, Strasbourg, France, 1−4 June 1999; Международная конференция для молодых ученых «Оптика-99», Снкт.-Петербург, Россия, 1921 Октября 1999; International Conference «Porous Semiconductors: Science and Technology», Madrid, Spain, 12−17 March 2000.

Структура работы. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав и заключения. В первой главе приведен обзор литературы, посвященный основным типам светоизлучающих кремниевых структур, и подробно рассмотрены характеристики изучаемых объектов. В этой главе также анализируются некоторые особенности взаимодействия лазерного излучения с полупроводниками. В конце первой главы сделаны выводы из обзора литературы и сформулирована постановка задач исследования. Во второй главе изложена методика эксперимента. Третья глава посвящена исследованию оптоэлектронных свойств пористого кремния. В четвертой главе экспериментально рассмотрены процессы возбуждения и релаксации ионов Ег3+, внедренных в матрицу аморфного гидрогенизированного кремния.

4.6. Выводы к главе 4.

1. Детально исследованы характеристики ФЛ ионов Ег3+ в матрице аморфного гидрогенизированного кремния в диапазоне температур 3005 К. Времена релаксации ФЛ при Т=5 К (40−60 мкс) указывают на более.

Заключение

.

В работе рассмотрены оптоэлектронные свойства кремниевых светоизлучающих структур различных типов. Были получены следующие основные результаты:

1. Методами одновременной регистрации ФЛ и ИК поглощения на свободных носителях заряда установлены различные механизмы ФЛ рогс водородным и кислородным покрытием;

2. Предложена модель рекомбинационных процессов в рог-81 с водородным покрытием, предполагающая наличие в пористом кремнии подсистем свободных и связанных в экситоны неравновесных носителей заряда. Полученные экспериментальные данные полностью объяснимы в рамках указанной модели. В частности, в полном согласии с выводами модели находятся температурные зависимости сигналов ФЛ и ПСН, а также зависимости амплитудных и временных характеристик указанных сигналов от диэлектрических свойств среды, окружающей квантовые нити пористого кремния;

3. Обнаружен эффект аномального естественного окисления рог-81, приготовленного в электролите, содержащем тяжелую воду, в результате которого происходит формирование низкодефектного поверхностного покрытия рог-8к.

4. Предложена методика экспресс-диагностики дефектности поверхностного слоя монокристаллического кремния;

5. Обнаружен эффект аннигиляции поверхностных дефектов при лазерном облучении гидрогенизированной поверхности монокристаллического кремния в допороговом режиме;

6. Экспериментально показана аномальная устойчивость водородного покрытия пористого кремния к облучению интенсивным лазерным излучением;

7. Обнаружено снижение температуры плавления пористого кремния по сравнению с монокристаллическим кремнием;

8. Детально исследованы характеристики ФЛ ионов Ег3+ в матрице аморфного гидрогенизированного кремния в диапазоне температур 300.

Показать весь текст

Список литературы

  1. L.C.Kimerling, K.D.Kolenbrander, J. Michel and J. Palm //Light Emission from Silicon!1.Solid State Phys., v.50, p.333 (1997).
  2. S.S.Iyer and Y.H.Xie 11 Light Emission from SiliconII Science v.260, p.40 (1993).
  3. D.J.Lockwood 11 Light Emission from Silicon! I Academic, Boston 1997.
  4. V.Yu.Timoshenko, B.V.Kamenev, J. Rappich, Th. Dittrich //Optical Study of Silicon Nanostructure Evolution// Proceedings of the International Symposium «Nanostructure: Physics and Technology», St. Peterburg, Russia, 23−27 June 1997, p.463.
  5. П.К.Кашкаров, Б. В. Каменев, Е. А. Константинова, А. И. Ефимова, А. В. Павликов, В. Ю. Тимошенко. //Динамика неравновесных носителей заряда в кремниевых квантовых нитях// Успехи Физических Наук, т.168, № 5, стр. 577−582(1998)/
  6. Б.В.Каменев, В. Ю. Тимошенко. //Рекомбинация фотовозбужденных носителей заряда в наноструктурах пористого кремния с различным составом поверхности// Поверхность, т.11, стр.89−94 (1998)/
  7. P.K.Kashkarov, E.A.Konstantinova, A.I.Efimova, B.V.Kamenev, M.G.Lisachenko, A.V.Pavlikov, V.Yu.Timoshenko. //Carrier Recombination in Silicon Quantum Wires Surrounded by Dielectric Medium// Phys. Low-Dim. Struct. ¾, pp. 191−203 (1999).
  8. К.В.Шалимова /7 Физика полупроводников/7 Москва, Энергоатомиздат 1985 (392 с).
  9. А.П.Силин //Полупроводниковые сверхрешетки!7 УФН, т.147, с. 485 (1985).
  10. R.People and S.A.Jeckson //Structurally Induced States from Strain and Confinement, in T.P.Pearsall (ed.), Strained Layer Super lattices// Physics, Academic Press, Boston, pp.119−174 (1990).
  11. R.People and S.A.Jeckson //Indirect, Quasidirect, and Optical Transitions in the Pseudomorphic (4×4)-Monolayer Si-Ge Strained-Layer Superlattice on Si (001)// Phys.Rev., B36, p.1310 (1987).
  12. L.Brey and C. Tejedor //New Optical Transition in Si-Ge Strained SuperlatticesH Phys.Rev.Lett., v.59, p. 1022.
  13. J.Endvall, J. Olajos, H.G.Grimmeis, H. Presting, H. Kibbel, and E. Dasper //Electroluminescence at Room Temperature of a SimGen Strained-Layer SuperlatticeH Appl.Phys.Lett., v.63, p.491 (1993).
  14. A.D.Yoffe //Low-Dimension System: Quantum Size Effects and Electronic Properties of Semiconductor Microcrystallites (zero-dimensional systems) and Some Quasi-Two-DimensionalSustems// Advan.Phys., v.42, p. 173.
  15. В.А.Кульбачинский //Двумерные, одномерные, нульмерные структуры и сверхрешетки// Москва, физфак МЕУ (1998).
  16. H.Takagi, H. Ogawa, Y. Yamazaki, A. Ishizaki and T. Nakagiri //Quantum Size Effects on Photoluminescence in Ultrafine Si Particles// Appl.Phys.Lett., v.56, p.2379 (1990).
  17. S.Tong, X.N.Liu, L.C.Wang, F. Yan, and X.M.Bao HVisible Electroluminescence from Nanocrystallites of Silicon Films Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition/7 Appl.Phys.Lett., v.69, p.596 (1996).
  18. T.Toyama, T. Matsui, Y. Kurokawa, H. Okamoto, and Y. Hamakawa //Visible Photo- and Electroluminescence from Electrochemically Formed Nanocrystalline Si Thin Films!7 Appl.Phys.Lett., v.69, p. 1261 (1996).
  19. L.T.Canham //Silicon Quantum Wire Array Fabrication by Electrochemical and Chemical Dissolution of Wafers// Appl.Phys.Lett., v.57, p. 1046 (1990).
  20. G.H.Dieke //Spectra and Energy Levels of Rare Earth Ions in Crystals// Wiley, New York (1968).
  21. G.Davies //The Optical Properties of Luminescence Centers in Silicon!7 Physics Reports, v.176, p.83 (1989).
  22. H.Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, and A. Axmann //1.54-u.m Luminescence of Erbium-Implanted III-V Semiconductors and Silicon/7 Appl.Phys.Lett., v.43, p.943 (1983).
  23. K.H.Jung, S. Shin, and D.L.Kwong. //Development in Luminescence PS// J.Electrochem.Soc. v.140, p.3046 ,(1993).
  24. В.А.Лабунов, В. П. Бондаренко, В. Е. Борисенко /¡-Получение, свойства и применение пористого кремния! I Зарубежная электронная техника, № 15, с. З (1978).
  25. A.G.Gullis, L.T.Canham, P.D.J.Calcott //The structural and luminescence properties of porous silicon!'! Appl. Phys. Lett., v.82, p.909 (1997).
  26. M.I.J.Beale, J.D.Benjamin, M.J.Uren, N.G.Chew, and A.G.Cullis //An Experimental and Theoretical Study of the Formation and Microstructure of Porous Silicon!/ J. Crystal Growth, v.73, p.622 (1985).
  27. V.Lehmann, U. Gosele I/Porous Silicon Formation: A quantum Wire Effect// Appl. Phys. Lett., v.58, no.8, pp.856 (1991).
  28. М.С.Бресслер, И. Н. Яссиевич. // Физические свойства и фотолюминесценция ПК// ФТП, т.27, с. 871, (1993).
  29. T.Dittrich, J. Rappich, V.Yu.Timoshenko //Blocking Effect of Charge Transfer at the Porous Silicon/Silicon Interface!7 Appl.Phys.Lett., v.70, p.2705 (1997).
  30. S.V.Bhat, K. Jayaram, D. Victor, S. Muthu, A.K.Sood //Electron paramagnetic resonance study of porous silicon! Appl.Phys.Lett., v.60, p.2116 (1992).
  31. Е.А.Константинова, В. Ю. Тимошенко, П. К. Кашкаров //Особенности спиновых центров на поверхности пористого кремния! Поверхность. Физика, химия, механика, № 2, с. 32 (1996).
  32. Z.Y.Xu, M. Gal, М. Gross UPhotoluminescence Studies on Porous Silicon! Appl.Phys.Lett., v.60, p. 1375 (1992).
  33. M.B.Robinson, A.C.Dillon, D.R.Haynes, S.M.George //Effect of thermal annealing and surface coverage on porous silicon photoluminescence!/ Appl.Phys.Lett., v.61, p. 1414.
  34. Y.M.Weng, Z.N.Fang, X.F.Zong. IILuminescence Studies on PS// Appl.Phys.Lett, v.63, p. 168, (1993).
  35. A.Nakajiama, T.Itakura. UPhotoluminescence of Porous Silicon, Oxidized and Deoxidized Chemically/7 Appl.Phys.Lett., v.61, p.46, (1992).
  36. Y.Xiao, M.J.Heben. //Enhancement and Stabilization of Porous Silicon Photoluminescence by Oxygen Incorporation with a Remote-Plasma Treatment!7 Appl.Phys.Lett., v.62, p. 1152, (1993).
  37. D.Mawhinney, J. Glass, Jr., and T. Yates IIFTIR Study of the Oxidation of Porous Silicon/1 J.Phys.Chem., B101, 1202 (1997).
  38. W.Fulkerson, J.P.Moore, R.K.Williams, R.S.Graves, and D.L.McElroy II Thermal Conductivity, Electrical Resistivity, and See beck Coefficient of Silicon from 100 to 1300 KH Phys.Rev., v.167, № 3, p.765 (1968).
  39. G.Benedetto, L. Boarino, and R. Spagnolo //Evaluation of Thermal Conductivity of Porous Silicon Layers by a Photoacoustic Method// Appl.Phys., A64, p. 155 (1997).
  40. А.А.Углов, И. Ю. Смуров, В. А. Гребенников //Нагрев пористых материалов импульсным лазерным излучением// в сб. под ред. А. А. Углова «Физико-химические процессы обработки материалов концентрированными потоками энергии», Москва, Наука 1989, с. 66.
  41. Y.Kanemitsu. //Light Emission from p-Si and Related Materialsll Phys. Reports, v.263, p. l (1995).
  42. G.D., Chuang Y.C. //Theory of Optical Properties of Quantum Wires in Porous Silicon!/ Phys. Rev. B45, no. 16, p.9202 (1992).
  43. C.Delerue, G. Allan, and M. Lannoo //Theoretical Aspects of the Luminescence of Porous Silicon! Phys.Rev. B48, p. l 1024 (1993).
  44. Buda F., Kohanoff J., Parrinello M. IIOptical Properties of Porous Silicon: a First-Principles StudyII Phys. Rev. Lett., v.69, no.8, p.1272 (1992).
  45. P.Maly // // Phys.Rev. B54, p.7929 (1996).
  46. K.L.Shaklee, and R.E.Nahori // // Phys.Rev.Lett., v.24, p.942 (1970).
  47. M.S.Brandt, H.D.Fuchs, M. Stutzmann, J. Weber, and M. Cardona HThe Origin of Visible Luminescence from «Porous Silicon»: A New Interpretation!7 Sol. St. Comm., v.81,p.307 (1992).
  48. W.E.Carlos, and S.M.Prokes /7Oxygen-associated defects near Si-Si02 interfaces in porous Si and their role in photoluminescence! I J. Vac. Sci.Technol., B13, p.1653 (1995).
  49. F.Koch IIModel and Mechanisms for the Luminescence of Porous Sill Mat. Res. Symp. Proc., v.298, p.319 (1993).
  50. F.Priolo, G. Franzo, S. Coffa, A. Polman, S. Libertino, R. Barklie and D. Carey IIThe Erbium-Impurity Interaction and its Effects on the 1.54 ¡-лт Luminescence of Er3+ in Crystalline Silicon! I Appl.Phys., v.78, p.3874 (1995).
  51. A.Terrasi, F. Priolo, G. Franzo, S. Coffa, F. D'Acapito, and S. Mobilio HEXAFS Analysis of Er Sites in Er-0 and Er-F co-Doped Crystalline Sill J. Luminescence, v.80, p.363 (1999).
  52. J.D.Carey, R.C.Barklie, J.F.Donegan, F. Priolo, G. Franzo, and S. Coffa IIEPR Study of Erbium-Impurity Complexes in Silicon! I J. Luminescence, v.80, p.297 (1999).
  53. W.Jantsch, S. Lanzerstorfer, L. Palmetshofer, M. Stepekhova, H. Preier //Different Er Centres in Si and Their Use for Electroluminescent Devices/! J. Luminescence, v.80, p.9 (1999).
  54. S.Coffa, F. Priolo, G. Franzo, V. Bellani, A. Camera, and C. Spinella // // Phys.Rev. B48, p. l 1782 (1993).
  55. D.L.Adler, D.C.Jacobson, D.J.Eaglesham, M.A.Marcus, J.L.Benton, J.M.Poate, and P.H.Citrin // // Appl.Phys.Lett., v.61, p.2182 (1992).
  56. H.Przybylinska, W. Jantsch, Yu. Suprun-Belevitch, M. Stepikhova, L. Palmetshofer, G. Hendorfer, A.Kozanecki. R.J.Wilson, and B.J.Sealy // // Phys.Rev. B54, p.2532 (1996).
  57. W.Jantsch, S. Lanzerstorfer, M. Stepikhova, H. Preier, L.Palmetshofer. Solid State Phenomena, v.69−70, p.53 (1999).
  58. I.N.Yassievich, L.C.Kimerling // // Semicond. Sci. Technol., v.8, p.718 (1993).
  59. W.Fuhs, I. Ulber, G. Weiser, M.S.Bresler, O.B.Gusev, A.N.Kuznetsov, V.Kh.Kudoyarova, E.I.Terukov, and I.N.Yassievich //Excitation and Temperature Quenching of Er-Induced Luminescence in a-Si:HII Phys.Rev. B56, p.9545 (1997).
  60. М.С.Бреслер, Т. Грегоркевич, О. Б. Гусев, Н. А. Соболев, Е. И. Теруков, И. Н. Яссиевич, Б. П. Захарченя //Механизмы возбуждения итемпературного гашения люминесценции ионов эрбия в кристаллическом и аморфном кремнии/7 ФТТ, т.41, с. 851 (1999).
  61. Yassievich, M. Bresler, and O. Gusev //Defect-Related Auger Excitation of Erbium Ions in Amorphous Silicon// J. Non-Crystall. Sol., v.226, p. 192 (1998).
  62. Н.И.Коротеев, И. Л. Шумай //Физика мощного лазерного излучения/7 Москва, Наука 1991 (312 е.).
  63. M.I.Gallant and Н.М. van Driel //Infrared Reflectivity Probing of Thermal and Spatial Properties of Laser-Generated Carriers in Germanium!7 Phys.Rev. B26, p.2133 (1982).
  64. E.Yablonovich, D.L.Alara, C.C.Chang, T. Gmitter, and T.B.Bright // // Phys.Rev.Lett., v.57, p.249 (1986).
  65. L.C.Kimerling, K.D.Kolenbrander, J. Michel, J. Palm in «Solid State Physics. Advances in Research and Applications». Eds. by H. Ehrenreich and F. Spaepen, Academic Press, New York, 1997, v.50, p.333.
  66. V.Griviskas and J. Linnros IIFree-Carrier Absorbtion and Luminescence Decay of Porous Silicon II Thin Sol. Films, v.255, p.70 (1995).
  67. П.К.Кашкаров, В. Ю. Тимошенко I¡-Механизмы влияния адсорбции молекул на рекомбинационные процессы в пористом кремнии // ФТП, т. ЗО, с. 1479 (1996).
  68. G.C.John, and V.A.Singh // // Phys. Rep., v.263, p.93 (1995).
  69. I.N.Yassievich IIRecombination-Induced Defect Heating and Related Phenomenal I Semicond. Sci. Technol., v.9, p.1433 (1994).
  70. И.К.Кикоин ! ¡-Таблицы физических величин! Москва, Атомиздат 1976.
  71. Е.А.Андрюшкин, А. П. Силин // // ФТТ, т.35, с. 1947 (1993).
  72. T.Matsumoto, Y. Masumoto, S. Nakashima, and N. Koshida // // Thin Sol. Films, v.297, p.31 (1997).
  73. W.Theip 11 Optical Properties of Porous Silicon! I Surf.Sci.Rep., v.29, p.91 (1997).
  74. R.C.Weast (ed.) 11 Handbook of Chemistry and Physics! I CRC Press Inc., Florida 1988−89.
  75. Д.Н.Еорячев, Е. Полисский, О. М. Среселли !/Особенности взаимодействия пористого кремния с тяжелой водой// ФТП, т.32, с. 1016 (1998).
  76. A.Borghesi, G. Guizzetti, A. Sassella, O. Bisi, L. Pavesi //Induction-Model Analysis of Si-H Stretching Mode in Porous Silicon!/ Sol.St.Com., v.89, p.615 (1994).
  77. А.Е.Свешников, А. Н. Боголюбов, В. В. Кравцов !/Лекции по математической физике! Москва, МЕУ 1993 (352 е.).
  78. А.А.Самарский //Теорияразностных схем// Москва, Наука 1989 (616 е.).
  79. J.R.Meyer, M.R.Kruer, and F.J.Bartoli //Optical Heating in Semiconductors: Laser Damage in Ge, Si, InSb, and GaAsH J.Appl.Phys., v.51, p.5513 (1980).
  80. G. Greenfield and J.R.Demos //Thermal Conductivity of Silicon and Germanium from 3 К to the Melting// Phys.Rev., v.134, № 4A, p. A1058.
  81. A.N.Obraztsov, H. Okushi, H. Watanabe, and V.Yu.Timoshenko //Optical Absorption in Porous Silicon Studied by Photoacoustic Spectroscopy// Phys. Stat. Sol. (b), v.203, p.565 (1997).
  82. A.Cruz-Orea, I. Delgadillo, H. Vargas, A. Gudini-Martinez, E. Marin, C. Vazquez-Lopez, A. Calderon, and J.J.Alvarado-Gil //Photoacoustic Thermal Characterization of Spark-Processed Porous Silicon/7 Appl.Phys., v.79, p.8951 (1996).
  83. V.Lysenko, S. Perichon, B. Remaki, R. Barbier, B. Champagnon //Thermal Conductivity of Thick meso-Porous Silicon Layers by micro-Raman Scattering!7 Appl.Phys., v.86, p.6841 (1999).
  84. A.Pusel, U. Watterauer, and P. Hess ПPhotochemical Hydrogen Desorption from H-Terminated Silicon (111) by VUV PhotonsII Phys.Rev.Lett., v.81, p.645 (1998).
  85. V.I.Emel'yanov and P.K.Kashkarov /(Laser Induced Defect Formation in Semiconductors// Appl.Phys., A55, p. 161 (1994).
  86. J.J.Boland // // Phys.Rev., B44, p.1383 (1991).
  87. C.G.Van de Walle // // Phys.Rev., B49, p.4579 (1994).
  88. P.K.Kashkarov, V.Yu.Timoshenko, N.G.Chechenin, A.N.Obraztsov //Laser-Induced Defect Formation and Phase Transition in III-V Compounds!/ Laser Phys., v.2, p.790 (1992).
  89. L.A.Golovan, B.V.Markov, V.Yu.Timoshenko, P.K.Kashkarov /IEvaporation Effect on Laser Induced Solid-Liquid Phase Transition in CdTe and HgCdTeH Sol.St.Com., v.108, p.707 (1998).
  90. S.L.Lai, J.Y.Guo, V. Petrova, G. Ramanath, L.H.Allen //Size-Dependent Melting Properties of Small Tin Particles: Nanocalorimetric Measurements// Phys.Rev.Lett., v.77, p.99 (1996).
  91. М.Бродски //Аморфные полупроводники// Москва, Мир 1982.
  92. В.С.Вавилов, В. Ф. Киселев, Б. Н. Мукашев //Дефекты в кремнии и на его поверхности// Москва, Наука 1990.
  93. N.A.Sobolev, Yu.A.Nikolaev, A.M.Emel'yanov, K.F.Shtel'makh, P.E.Khakuashev, M.A.Trishenkov //Excitation Cross-Section and Lifetime of the Excited State of Erbium Ions in Avalanching Light-Emitting Si: Er:0 Diodes!1 J. Luminescence, v.80, p.315 (1999).
  94. A.Cavallini, B. Fraboni, S. Pizzini, S. Binetti, L. Lazzarini, G. Salviati //Electrical and Optical Analyses of Er-Doped Silicon Grown by Liquid-Phase Epitaxy!/ J. Luminescence, v.80, p.343 (1999).
Заполнить форму текущей работой

На отлично!