Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Разработка технологии гидрохимического синтеза пленок твердых растворов на основе селенидов свинца и олова для создания высокочувствительных ИК-детекторов

Диссертация: Разработка технологии гидрохимического синтеза пленок твердых растворов на основе селенидов свинца и олова для создания высокочувствительных ИК-детекторов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Главной стороной решения проблемы производства фотодетекторов на основе Pbi-^Sn^Se является создание тонкопленочной технологии. Очевидно^ что серийное производство и широкое применение ИК-детекторов на основе этого материала возможно при условии, что способ их изготовления будет высокопроизводителен, отличаться способностью к проведению целенаправленного синтеза, обладать требуемой… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ, СВОЙСТВА И ПРИМЕНЕНИЕ ПЛЕНОК ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ РЬ^п^е И ИХ СОСТАВНЫХ КОМПОНЕНТОВ (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР)
    • 1. 1. Проблема фоточувствительных материалов для современной ИК-техники. Применение твердых растворов PbiJSnj. Se
    • 1. 2. Технология получения пленок РЬ^Бп^Зе, РЬБе, 8п8е
      • 1. 2. 1. Получение пленок твердых растворов РЬь^п^е физическими методами
      • 1. 2. 2. Химические методы осаждения пленок РЬ^Зп^е, РЬ8е и 8п8е
    • 1. 3. Структура, состав и электрофизические свойства твердых растворов замещения в системе РЬ8е-8п8е
    • 1. 4. Методы сенсибилизации пленок селенидов металлов к ИК-излучению
  • Выводы
  • Глава 2. СИНТЕЗ И АТТЕСТАЦИЯ ОБЪЕКТОВ. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
    • 2. 1. Методика гидрохимического синтеза пленок селенидов свинца, олова и твердых растворов на их основе
    • 2. 2. Определение толщины пленок РЬБе, 8п8е и РЬ^п^е
    • 2. 3. Исследование структуры, фазового, элементного состава и морфологии пленок РЬ8е и РЬ^Пдве
    • 2. 4. Методика термического отжига пленок
    • 2. 5. Нанесение «омических» контактов на поверхность осажденных пленок
    • 2. 6. Измерение фотоэлектрических параметров
    • 2. 7. Измерение постоянной времени и частотной характеристики
    • 2. 8. Определение относительных спектральных характеристик Фоточувствительности
    • 2. 9. Определение термической ширины запрещенной зоны
    • 2. 10. Определение длинноволновой границы поглощения пленок и оптической ширины запрещенной зоны
  • Глава 3. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ГИДРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК В СИСТЕМЕ РЬ8е-8п8е
  • И ИХ ИССЛЕДОВАНИЕ
    • 3. 1. Технология получения твердых растворов РЬ^ЭпдЗе совместным осаждением РЬЭе и 8п8е (МСО)
      • 3. 1. 1. Термодинамический расчет области образования твердых растворов РЬ1т8пх8е при совместном осаждении селеномочевиной РЬ8е и 8п8е из цитратной реакционной смеси
      • 3. 1. 2. Термодинамический расчет области образования РЬ^^п^е при совместном осаждении РЬ8е и 8п8е селеномочевиной из трилонатной системы
      • 3. 1. 3. Термодинамический расчет области образования твердых растворов РЬ1л8пх8е при совместном осаждении РЬ8е и 8п8е селеномочевиной в этилендиамин-ацетатной системе
      • 3. 1. 4. Поиск и оптимизация условий совместного осаждения пленок селенида свинца и олова (II)
    • 3. 2. Технология послойного осаждения пленок РЬ8е и 8п8е (МПО)
      • 3. 2. 1. Оптимизация условий гидрохимического осаждения пленок индивидуального РЬ8е
      • 3. 2. 2. Оптимизация условий гидрохимического осаждения пленок индивидуального селенида олова (II)
      • 3. 2. 3. Гидрохимический синтез тонкослойных композиций на основе
  • РЬ8е и 8п8е
    • 3. 3. Исследование структуры, состава и морфологии совместно осажденных пленок РЬ8е и 8п8е и тонкослойных композиций на их основе
      • 3. 3. 1. Исследование совместно осажденных пленок РЬБе и БпБе из цитратной системы
      • 3. 3. 2. Исследование структуры, состава и морфологии свежеосажденных тонкослойных композиций на основе РЬБе и БиБе
  • Выводы
  • Глава 4. ТЕРМОСЕНСИБИЛИЗАЦИЯ ХИМИЧЕСКИ СООСАЖДЕННЫХ ПЛЕНОК ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ РЬ^Бп^е (МСО) И МНОГОСЛОЙНЫХ КОМПОЗИЦИЙ НА ОСНОВЕ ЗпБе-РЬБе (МПО)
    • 4. 1. Определение условий термосенсибилизации гидрохимически осажденных пленок РЬ1×8пх8е и композиций РЬБе—Эпве
    • 4. 2. Влияние процесса термообработки пленок, полученных методом МСО и МПО на их структуру, состав и морфологию
    • 4. 3. Фотоэлектрические характеристики термически обработанных пленок твердых растворов РЬ^^п^е, полученных методами МСО и МПО
    • 4. 4. Выбор технологии и условий получения пленок твердых растворов РЬ1×8пх8е
  • Выводы
  • Глава 5. РАЗРАБОТКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИК-ДЕТЕКТОРОВ НА ОСНОВЕ ГИДРОХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ПЛЕНОК РЬ^п^е И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
    • 5. 1. Технология изготовления одноэлементных фоторезисторов на основе химически осажденных пленок РЬ8е и РЬи^п^е
    • 5. 2. Исследование фотоэлектрических, частотных, спектральных и температурных характеристик фоторезисторов, изготовленных на основе пленок РЬ^^п^е
    • 5. 3. Исследование влияния процессов корпусирования и «старения» на основные характеристики фоторезисторов
    • 5. 4. Применение разработанных фоторезисторов на основе пленок твердых растворов РЬ^п^е, полученных по технологии МПО
      • 5. 4. 1. Преимущества использования ИК-детекторов на основе пленок Pbi.^Sn^Se (0 < х < 0,132) в фотоприемных устройствах по сравнению с PbSe
      • 5. 4. 2. Фотоприемное устройство кругового обзора для обнаружения лесных пожаров
      • 5. 4. 3. Малоинерционное фотоприемное устройство для температурного контроля буксовых узлов колесных пар
      • 5. 4. 4. Применение пленок твердых растворов Pbi-^Sn^Se в ИК лидарах для экологического мониторинга окружающей среды
  • Выводы

Разработка технологии гидрохимического синтеза пленок твердых растворов на основе селенидов свинца и олова для создания высокочувствительных ИК-детекторов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность работы. Наиболее узким звеном в развитии инфракрасной техники является создание новых высокочувствительных и доступных материалов. ИК-излучение несет информацию о температуре тела, его химическом составе и строении. Регистрация и преобразование ИК-излучения является основой современного тепловидения.

Тепловидение позволяет проводить температурный мониторинг атмосферы, поиск полезных ископаемых, картографирование, контроль за ландшафтом местности и водными бассейнами, изучать небесные тела и озоновый слой Земли, составлять температурные карты поверхности Земли, в приборах ночного видения, в военном деле в тепловых головках наведения, для предотвращения чрезвычайных ситуаций. Наиболее информативны для этих целей средний (3—5 мкм) и дальний (5—14 мкм) ИК-диапазоны.

Среди широко используемых материалов, чувствительных к ИК-излучению, благодаря своей универсальности занимают твердые растворы замещения Cd^Hgi^Te (KPT) и Pb^Sn^Te (СОТ). Однако для них характерна низкая стабильность свойств, необходимость сложного технологического оборудования для изготовления и высокая коммерческая стоимость. Все это сдерживает развитие и широкое использование тепловидения. Актуальной задачей является создание и разработка эффективной технологии синтеза альтернативных им соединений. К перспективным материалам следует отнести твердые растворы замещения в системе селенид свинца-селенид олова (П). Их уникальность заключается в присущей им инверсии зон проводимости при формировании общей структуры, в результате чего наблюдается уменьшение ширины запрещенной зоны с увеличением содержания олова и сдвиг диапазона спектральной чувствительности в длинноволновую область спектра вплоть до 12 мкм.

Главной стороной решения проблемы производства фотодетекторов на основе Pbi-^Sn^Se является создание тонкопленочной технологии. Очевидно^ что серийное производство и широкое применение ИК-детекторов на основе этого материала возможно при условии, что способ их изготовления будет высокопроизводителен, отличаться способностью к проведению целенаправленного синтеза, обладать требуемой воспроизводимостью характеристик и низкой себестоимостью. Указанными качествами обладает технология гидрохимического осаждения пленок. Однако к настоящему времени для РЬ^^п^е она не разработана. Практически отсутствуют публикации по этому направлению и даже в редких работах не ставилась задача оптимизации условий получения твердого раствора РЬ^Эп^е в направлении создания эффективной технологии изготовления высокочувствительных ИК-детекторов с пороговыми характеристиками близкими к предельным.

Из результатов ранее выполненных исследований можно заключить, что перспективными технологическими приемами гидрохимического синтеза РЬ| л8пх8е являются: 1) Совместное осаждение селенидов свинца и олова с последующей сенсибилизацией слоев путем отжига. Назовем ее технология МСО (т.е. с использование метода соосаждения). 2) Послойное осаждение индивидуальных селенидов свинца и олова в виде многослойных композиций с последующей их термообработкой или технология МПО.

Актуальность выполненных исследований подтверждается их включением в Государственную программу «Ренессанс» и тематику исследований, проводимых в рамках единого заказ-наряда УГТУ-УПИ по направлению «Разработка физико-химических основ получения из водных сред материалов на основе халькогенидов, оксидов и галидов металлов с широким спектром заранее заданных электрофизических и химических свойств» (1999—2010 гг.). Кроме того, об актуальности проводимых исследований свидетельствует поддержка работы Российским фондом фундаментальных исследований: № 05−08−50 249-а «Исследование кинетики химического осаждения и формирования пленок пересыщенных твердых растворов халькогенидов металлов регулируемого состава» (2005;2006 гг.) — № 06−03−8 103-офи «Разработка целенаправленного гидрохимического синтеза и исследование функциональных свойств новых материалов на основе тонких пленок халькогенидов металлов для фотодетекторов и химических сенсоров» (2006;2007 гг.).

Делью диссертационной работы являлась разработка и оптимизация эффективной технологии получения пленок твердых растворов РЬ^Бп^е методом гидрохимического осаждения для создания высокочувствительных ИК-детекторов, изготовление и исследование их фотоэлектрических и эксплуатационных свойств. Работа была построена на сравнительном исследовании пленок, полученных как путем гидрохимического соосаждения РЬ8е и 8п8е, так и их послойного осаждения с последующей термообработкой.

Для достижения поставленной цели в работе необходимо было решить следующие задачи:

1. Определить области совместного осаждения селенидов свинца и олова (II) в реакционных смесях с различными комплексообразующими агентами с выбором перспективных составов.

2. Исследовать и оптимизировать технологические условия синтеза пленок РЬ^^ц^е путем совместного осаждения селенидов свинца и олова (II) в цитратной системе.

3. Исследовать и оптимизировать технологические условия послойного осаждения селенидов свинца и олова (II) с формированием тонкопленочных композиций.

4. Оптимизировать технологические параметры термосенсибилизации слоев, полученных соосаждением РЬБе и 8п8е и тонкопленочных композиций (8п8е-РЬ8е)" с изучением состава, структуры, морфологии и фоточувствительных свойств.

5. Провести сравнительные исследования фотоэлектрических и спектральных характеристик полученных пленок твердых растворов замещения РЬ^^н^е по разработанным технологиям с выбором наиболее перспективной из них.

6. Изготовить экспериментальные образцы высокочувствительных фоторезисторов на основе пленок РЬь^ПдЗе, исследовать их пороговые, частотные и эксплуатационные характеристики и испытать их в составе фотоприемных устройств различного назначения.

Научной новизной обладают следующие результаты диссертационной работы:

1. Установлены влияние рН, температуры, состава реакционной смеси на процесс соосаждения из водных растворов селенидов свинца (II) и олова (II) и условия термоактивации полученных пленок твердых растворов РЬ^БПдЗе (О <х < 0,087).

2. Впервые послойным гидрохимическим осаждением РЬ8е и 8п8е с последующей термообработкой тонкопленочных композиций получены твердые растворы замещения РЬ^^ц^е, содержащие до 13,2 мол. % БпБе.

3. Состав, структура, фотоэлектрические и спектральные характеристики химически осажденных пленок твердых растворов РЬм-^п^е, установление взаимосвязи между их функциональными свойствами и условиями получения.

4. Пороговые, частотные, спектральные и эксплуатационные характеристики разработанных на основе химически осажденных пленок РЬ^Бп^Зе одноэлементных фоторезисторов для среднего и дальнего ИК-диапазона.

Практическая ценность.

1. Установлены технологические параметры синтеза и термосенсибилизации многослойных композиций на основе пленок РЬ8е и 8п8е и слоев, полученных их соосаждением.

2. Разработана технология гидрохимического осаждения фоточувствительных к ИК-излученшо пленок твердых растворов РЬ^Зп^е (0 < х < 0,132) путем формирования многослойных композиций.

3. Разработаны технологические условия изготовления высокочувствительных ИК-детекторов на основе пленок твердых растворов РЬ^^п^е, для комплектации тепловизионного устройства раннего обнаружения лесных пожаров и комплектации аппаратуры теплового контроля буксовых узлов колесных пар железнодорожного транспорта.

Положения диссертации, выносимые на защиту.

1. Результаты по определению условий соосаждения PbSe и SnSe из цит-ратной системы и их послойного осаждения из этилендиамин-ацетатной и три-лонатной реакционных смесей с получением тонких пленок.

2. Результаты по изучению состава, структуры, морфологии и фотоэлектрических свойств пленок Pb^Sn^Se, полученных соосаждением и послойным осаждением селенидов свинца и олова (II).

3. Взаимосвязь условий термосенсибилизации пленок Pbi-^Sn^Se и композиций (PbSe—SnSe)" (температуры, режима термообработки, соотношения площадей поверхности пленок к рабочему объему, легирующей добавки) с фотоэлектрическими характеристиками.

4. Пороговые, частотные, спектральные и эксплуатационные характеристики разработанных одноэлементных фоторезисторов на основе Pb^Sn^Se, в том числе результаты их испытаний в составе аппаратуры температурного контроля буксовых узлов колесных пар железнодорожного транспорта и теплови-зионных устройствах для обнаружения лесных пожаров.

Личный eroiafli автора состоял в постановке задач исследования, планировании экспериментов, непосредственном участии в их проведении, обработке и анализе полученных результатов, изготовлении одноэлементных фоторезисторов и ИК-детекторов на их основе с последующим исследованием их основных характеристик.

Апробация работы. Основные результаты и положения диссертационных исследований докладывались и обсуждались на третьем семинаре СО РАН-УрО РАН по термодинамике и материаловедению (Новосибирск, 2003), 7-й Международной конференции «Прикладная оптика-2006» (С-Петербург, 2006), 5-th Int. Conf. in Inorg. Mat. (Ljubljana, Slovenia, 2006), IV International Scientific and Practical Conference «Emergency Situations» (Minsk, 2007), International Conference «High.Mat.Tech:» (Kiev, 2007), Международной научно-практической конференции «Актуальные проблемы пожарной безопасности» (Москва, 2008), VTIT International Scientific Conference (Kislovodsk, 2008) — Второй Всероссийской научно-технической конференции и XII Школы молодых ученых «Безопасность критичных инфраструктур и территорий» (Екатеринбург, 2008).

Публикации. По результатам исследований опубликовано 16 печатных работ, в том числе 4 статьи в журналах, рекомендуемых ВАК, 3 статьи в научных сборниках, тезисы 7 докладов Международных и Всероссийских конференций, 2 патента РФ.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав с выводами, библиографического списка, включающего 281 наименование цитируемой литературы. Материал изложен на 192 страницах машинописного текста. Работа содержит 68 рисунков, 7 таблиц и 1 приложение.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ.

1. Расчетом ионных равновесий в цитратной, трилонатной и этилендиамин-ацетатной системах с учетом обратимого характера разложения селеномочеви-ны и условий зародышеобразования определены граничные условия осаждени-ия селенидов свинца и олова (И), а также их гидроксидных фаз. Найдены области рН совместного осаждения РЬБе и 8п8е, потенциально пригодных для синтеза твердых растворов РЬк^п^е.

2. На основе анализа структуры, состава и кинетики роста пленок селенидов свинца и олова (II) установлено образование твердых растворов РЬ^^п^е (О < х < 0,132) соосаждением РЬ8е и 8п8е в цитратной системе и оптимизированы условияих получения.

3. Гидрохимическим осаждением РЬ8е из этилендиамин-ацетатной и 8п8е из трилонатной системы определены оптимальные условия получения-многослойных композиций (РЬ8е-8п8е)" с числом слоев от двух до восьми.

4. Впервые установлено образование твердых растворов* РЬ^Зп^е (0- < х < 0,132) путем термического отжига химически осажденных многослойных композиций (8п8е-РЬ8е)" (п = 1, 2, 3, 4).

5. Сравнительные рентгеновские и электронно-микроскопические исследования пленок РЬ^^п^е, полученных соосаждением и послойным осаждением РЬ8е и 8п8е, показали, что после термоактивации изменяется* фазовый и элементный состав пленок и их морфология.

6. Установлено, что увеличение числа слоев в тонкопленочных композициях способствует увеличению содержания селенида олова (II) в твердом растворе РЬк^ПдЗе и возрастанию неоднородности размеров и состава кристаллитов в пленке.

7. Предложен режим и разработаны условия термического отжига пленок, полученных как соосаждением, так и послойным осаждением РЬ8е и 8п8е (рабочая-температура, содержание легирующей добавки, соотношение объема негерметично закрытой емкости и площади поверхности пленки) — обеспечивающие достижение высоких фотоэлектрических характеристик и сдвиг длинноволновой границы спектральной чувствительности в длинноволновую область спектра. Показано, что более предпочтительной является технология послойного осаждения ЗпБе и РЬБе с числом слоев равном 4.

8. Разработана технология охлаждаемых и неохлаждаемых высокочувствительных фоторезисторов на основе гидрохимически осажденных пленок твердых растворов РЬ^ПдЗе (0 < х < 0,132) для ИК-области спектра (1,0−7,0 мкм), обеспечивающая достижение обнаружительной способности 0*(?цпах- 1000) до 2−1010 см-Вт1Гц½ при постоянной времени 3—12 мкс и не имеющих аналогов в отечественной и зарубежной оптоэлектронике. Установлена высокая стабильность их свойств во времени, исследованы пороговые, частотные, спектральные и эксплуатационные характеристики.

9. Разработанные экспериментальные образцы высокочувствительных фоторезисторов на основе гидрохимически осажденных пленок РЬ^БпдЗе внедрены ООО «ИЦ Уралсемикондактор» (г. Екатеринбург) для изготовления быстродействующей аппаратуры температурного контроля буксовых узлов колесных пар железнодорожного транспорта, ФПУ кругового обзора для раннего обнаружения лесных пожаров и использованы Институтом оптики атмосферы СО РАН (г. Томск) в оптоэлектронной аппаратуре мониторинга окружающей среды.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , В.Г. Тепловизионные приборы нового поколения / В. Г. Волков,
  2. A.B. Ковалев, В. Г. Федчишин // Специальная техника. 2001. — № 6. -С. 64−71.
  3. , В.В. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники / В. В. Мартынов, Т. Е. Базарова // М.: Высшая школа. -1990.- 128 с.
  4. , Л.Н. Основные направления разработок фотоприемников и фотоприемных устройств для тепловидения в период 1970—1998 гг..г. / Л.Н. Курбатов//Прикладная физика. 1999. — № 3.- С. 1−13.
  5. , В.И. Фундаментальные достижения-оптики и лазерной физики для медицины / В. И. Конов, В. В. Осико, И. А. Щербаков // Вестник РАН. — 2004.- Т. 74. № 2. — С. 443 — 456.
  6. , Т.А. Электрические и фотоэлектрические свойства анизотип-ного гетероперехода Pb0,93Sn0>07Se/PbSe / Т. А. Гаврикова, В. А. Зыков // Физика и техника полупроводников. — 1997. — Т. 31. — № 11.
  7. , Р.Ж. Фотоприемники видимого и ИК диапазонов / Р. Ж. Киес, П. В. Крузе, Э. Г. Патли // Пер. с англ. под ред. В. И. Стафеева. — М.: Радио и связь. 1985.-328 с.
  8. , В.Г. Фотоприемники и фотоприемные устройства на основе поликристаллических и эпитаксиальных слоев халькогенидов свинца /
  9. B.Г. Буткевич, В. Д. Бочков, Е. Р. Глобус // Прикладная физика. — 2001. — № 6. -С. 66−112.
  10. , Л.Н. Очерк истории приемников инфракрасного излучения на основе халькогенидов свинца / Л. Н. Курбатов // Вопросы оборонной техники.- Сер. 11.- 1995. В. 3(146) — 4(147). — С. 3. — 1996. — В. 1−2. — С. 3.
  11. , В.Г. Фотоприемники на основе халькогенидов свинца: состояние работ в ГУП «НПО „Орион“» и перспективы развития / В. Г. Буткевич,
  12. Е.Р. Глобус, Г. А. Казанцев, Ю. П. Бугров, Л. Я. Лебедева // Прикладная физика.- 1999. № 2. (http://www.vimi.ru).
  13. , A.M. Оптическая электроника / A.M. Василевский, М. А. Кропоткин, В. В. Тихонов // Л.: Энергоатомиздат. 1990. — 176 с.
  14. , A.A. Оптико-электронные системы измерения температуры /
  15. A.A. Поскачей, ЕЛ. Чубаров // М.: Энергоатомиздат. — 1988. — 248 с.
  16. , М.Б. Американский рынок ИК-систем с применением фоторезисторов на основе сульфида и селенида свинца / М. Б. Ушакова // Обзор ОНТИ ГУП «НПО „Орион“. 1998. — 43 с.
  17. , В.Д. Матричное фотоприемное устройство на основе селенида свинца / В. Д. Бочков, Б. Н. Дражников, Г. А. Казанцев, Э. И. Кафтаненко, М. Л. Храпунов // Прикладная физика. 1999. — № 2. — С. 46−49.
  18. , Г. А. Фоточувствительные* слои PbSe со смещенной длинноволновой границей фоточувствительности / Г. А. Казанцев, Ю. А. Глебов,
  19. B.Г. Буткевич, Н. Ю. Зверева, Т. А. Камышина // Прикладная физика. — 1999.- № 2. (http://www.vimi.ru).
  20. , К.В. Фурье-спектрометр АОСТ для исследования МАРСА и ФОБОСА с борта КА „ФОБОС-ГРУНТ“ / К. В. Гречнев, A.B. Григорьев, Л. В. Засова и др. // ИКИ РАН.: Выездной семинар „Космическое приборостроение“. 2006. — Таруса. — Россия. — С. 39−40.
  21. , А.М. Оптоэлектронные приборы и их зарубежные аналоги / A.M. Юшин // Справочник. В 5 тт. — Т. 3 — М.: ИП Радиософт. — 2000. — 512 с.
  22. , Ф.Ф. Твердые растворы халькогенида свинца и олова и фотоприемники на их основе / Ф. Ф. Сизов // Зарубежная электронная техника.- 1977.-Т. 24.-С. 3−48.
  23. Мс Cann, P.J. IV-VT MIR lasers for breath analysis / P.J. Mc Cann, K. Namjou, C. Roller, G. Mc Millen // 8th International Conference on Mid-Infrared Optoelectronics, Materials and Devices. Bad Ischl. — Austria. — 2007. — P. 117—125.
  24. Zogg, H. Lead chaleogenide IR-emitters and detectors on Si-substrates / H. Zogg, M. Arnold, D. Zimin, K. Alchalabi, K. Kellermann // Moldavian Journal of the Physical Sciences. V. 5. — № 1. — 2006. — P. 88−96.
  25. C.B. Миграция точечных дефектов в соединениях AIVBVI в поле лазерной волны / С. В. Пляцко // Физика и техника полупроводников. — 2002.- Т. 36. В. 6. — С. 666−673.
  26. С.В. Генерация объемных дефектов в некоторых полупроводниках лазерным излучением в области прозрачности кристалла / С. В. Пляцко // Физика и техника полупроводников. 2000. — Т. 34. — В. 9. — С. 1046—1052.
  27. McCann, P.J. IV-VI semiconductor MID-IR lasers / P.J. Мс Cann, Y. Selivanov, P.N. Lebedev // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2006. — V. 891.- P. (0891- EE01- 05.1- 0891- EE01- 05.12).
  28. Bychkova L.P. Temperature dependence of the threshold current of PbSe/PbSnSe DH lasers / L.P. Bychkova, OX Davarashvili, A.P. Shotov // Quantum Electronics. 1993. — V. 23. — № 4. — P. 292−295.
  29. , M.C. О временных задержках генерации излучения в лазерных диодах на основе халькогенидов свинца / М. С. Мурашов, А. П. Шотов // Квантовая электроника. — 1995. — № 12. — С. 1255−1256.
  30. Grisar, R. Properties of diffused PbSnSe homojunction diode lasers / R. Grisar- W. Riedel H. Preier // Quantum Electronics. IEEE Journal. — 1981. — V. 17. -Iss. 5.-P. 586−592.
  31. , А.П. Гетеролазеры PbS/PbSSe/PbSnSe с квантовым размерным эффектом в активной области / А. П. Шотов, Ю. Г. Селиванов // Письма в ЖЭТФ. 1998. — Т. 45. — В. 1. — С. 5−7.
  32. Hirota Eizi, Plasma diagnosis by high-resolution spectroscopy of transient molecules / Hirota Eizi // Pure & Appl. Chem. V. 70. — № 6. — 1998. -P. 1145−1150.
  33. , А.П. Физические исследования узкозонных полупроводников и разработка инфракрасных перестраиваемых диодных лазеров / А. П. Шотов // Вестник АН СССР. 1986. — № 6. — С. 3−9.
  34. Alwan, Dr. A Study On the Structure and Electrical Properties of Pbo, 9Sn0. iSe/Si Heterojunction/ Dr. Alwan, M. Alwan // Eng & Tech. 2007. -V. 25.-№ 10.-P. 211.
  35. Zogg, H. Lead Chalcogenide on Silicon Infrared Focal Plane Arrays for Thermal Imaging / H. Zogg, K. Alchalabi and D. Zimin 11 Defence Science Journal. — 2001. — V. 51. № l.-P. 5345.
  36. Mukherjee, S. Fabrication of an electrically pumped lead-chalcogenide laser on a 110.-oriented PbSnSe substrate / S. Mukheijee, D. Li, D. Ray, F. Zhao, S.L. Elizondo, J. Ma and Z. Shi // IEEE Photonics Technology Letters. 2008. — № 20. -P. 629−631.
  37. Moskalenko, K.L. Tunable diode laser spectroscopy application for ammonia and methane content measurements in human breath / K.L. Moskalenko, A.I. Nadezhdinskii, E.V. Stepanov // Proc. SPIE. -1993. V. 2205. — P. 448−452.
  38. , П.В. Автоматизированная система управления для диодной лазерной спектроскопии и ее аналитических приложений / П. В. Зырянов, Е. В. Степанов, А. Н. Глушко // Препринт ИОФАН. 2003. — № 1. — 27 с.
  39. , Э.Ю. Особенности роста и электрофизические свойства эпитак-сиальных пленок Pb.xSnxSe:In / Э. Ю. Салаев, И. Р. Нуриев, Х. Д. Джалилова, Н. В. Фараджев //Прикладная физика. 1999. — № 3. — С. 57—59.
  40. Li, C.P. Strain relaxation in PbSnSe and PbSe/PbSnSe layers grown by liquidphase epitaxy on (lOO)-oriented silicon / C.P. Li, P.J. Mc Cann, X.M. Fang // Journal of Crystal Growth. 2000. — № 208. — P. 423−430.
  41. Hoshino, T. Fabrication procedures of photovoltaic lead-chalcogenide-on-silicon infrared sensor arrays for thermal imaging / T. Hoshino, H. Zogg, C. Maissen, J. Masek, S. Blunier // Microelectr. Eng. 1991. — V. 15. — № 1. — P. 293−296.
  42. Zogg, H. Heteroepitaxial IV-VI infrared sensors on Si-substrates with fluoride buffer layers / H. Zogg, W. Vogt, H. Melchior // Nucl. Instrum. and Methods Phys. Res. A. 1987. — V. 253. — № 3. — P. 418−422.
  43. John, J. IR-sensor array fabrication in PbixSnxSe-on-Si heterostructures / J. John, A. Fach, J. Masck, P. Mullcr, C. Paglino, H. Zogg // Appl. Surf. Sci. 1996. — V. 102.-P. 346−349.
  44. Hoshino, T. Monolithic PbixSnxSe infrared sensor arrays on Si prepared by low-temperature processes / T. Hoshino, C. Maissen, H. Zogg, J. Masek, S. Blunier, A.N. Tiwari, S. Teodoropol, W.J. Borer // Infr. Phys. 1991. — V. 32. -P. 169- 175.
  45. , C.A. Получение, структура и некоторые свойства монокристалл-лических пленок селенида свинца / С. А. Семилетов, И. П. Воронина // ДАН СССР. 1963. — Т. 152. — № 6. — С. 1350−1353.
  46. , И.П. Электрические свойства монокристальных (эпитак-сиальных) пленок PbSe / И. П. Воронина, С. А. Семилетов // Физика твердого тела. 1964. — Т. 6. -№ 5. — С. 1540−1541.
  47. Egerton, R.F. Epitaxial films of PbTe, PbSe and PbS grown on silica substrates / R.F. Egerton, C. Juhasz//Br. J. Appl. Phys. 1967. -V. 18. -P- 1009−1011.
  48. Poh, K.J. The structure and growth of epitaxial PbSe films / K.J. Poh, J.C. Anderson// Thin Solid Films. 1969. — V. 3. — № 2.- P. 139−156.
  49. , Б.А. Зонная структура твердых растворов на основе соединений А4В6/ Б. А. Волков, О. А. Панкратов, А. В. Сазонов // ФТТ. 1984. — Т. 26. — № 2.- С. 430−435.
  50. , B.C. Твердые растворы в полупроводниковых системах. Справочник / B.C. Земсков, В. Б. Лазарев и др. // М.: Наука. — 1978. 203 с.
  51. , Б.А. Зонная структура твердых растворов на основе соединений A1VBVI / Б. А Волков, О. А. Панкратов, А. В. Сазонов // ФТТ. 1984. — Т. 26.- В. 2. С. 430−459.
  52. , Н.П. Узкозонные полупроводники. Получение и физические свойства / Н. П. Гавалешко, П. Н. Горлей, В. А. Шендеровский // Киев: Наукова Думка. 1984.-288 с.
  53. Hohnke, O.K. Epitaxial PbSe and Pbj. xSnxSe: Growth and electrical properties / D.K. Hohnke, S.W. Kaiser // J. Appl. Phys. 1974. — V. 45. 2. — P. 892−897.
  54. Tao, T.F. Epitaxial growth of Pbo, 9i8Sno, o82Se films on CaF2 and BaF2 substrates / T.F. Tao, C.C. Wang //J. Appl. Phys. 1972. — V. 43. — № 3. — P. 1313−1316.
  55. Strauss, A.J. Inversion of Conduction and Valence Bands in PbiJSnJSe Alloys/ A.J. Strauss // Phys. Rev. 1967. — V. 157. — N 3. — P. 608−611.
  56. Taylor, S.E. On time delays in lead salt semiconductor diode lasers / S.E. Taylor. // Appl. Phys. A: Materials Science and Processing. — 1986. — V. 39.- N 2. — P. 91−94.
  57. , А.Д. Кристаллизация твердых растворов селенида свинца-селенида олова из- паровой фазы под воздействием лазерного излучения / А. Д. Абрамишвили, В. А. Мошников // Изв. ЛЭТИ. 1992. — В. 443. — С. 13−19.
  58. , А.Д. Условия получения монокристаллов твердых растворов селенида свинца-селенида олова из паровой фазы под воздействиемлазерного излучения / А. Д. Абрамишвили, Д. А. Яськов // Изв. ЛЭТИ. — 1990. -В. 420.-С. 3−6.
  59. , И.Н. Анализ структурных характеристик нанокристаллических слоев селенида свинца / И. Н. Серов, М. А. Иошт, С. В- Кощеев и др. // Микросистемная техника. —2004. — № 8 — С. 17—20.
  60. Teghil R. Laser induced ablation and epitaxial growth of SnSe / R. Teghil, A. Giardini-Guidoni, A. Mele, S. Piccirillo, G. Pizzella, V. Marotta // Thin Solid Films.- 1994.-V. 241.-№ 1−2.-P. 126−128.
  61. Teghil, R. Pulsed lazer induced ablation applied to epitaxial Growth of semiconductor materials: Selenides and tellurides plume analysis / R. Teghil,
  62. A. Giardini-Guidoni, A. Mele, S. Piccirillo, M. Coreno, V. Marotta, T.M. Di Palma // Surface and Interface Analysis. 1994. — V. 22. — P. 181−185.
  63. , B.M. Структура границ сопряжения эпитаксиальных кристаллов /
  64. B.М. Косевич, JI.C. Палатиик, С. Н. Григоров // ФТТ. 1971. — Т. 13. — № 1. -С. 302−304.
  65. , А.Г. Структура и электрофизические свойства эпитаксиальных пленок халькогенидов олова / А. Г. Миколайчук, Д. М. Фрейк / Физика твердого тела. 1969. — Т. 11. — № 9. — С. 2520−2525.
  66. , А.Г. Получение эпитаксиальных слоев халькогенидов олова / А. Г. Миколайчук, Я: И. Дутчак, Д. М. Фрейк // Кристаллография. — 1968. -Т. 13. № 3. — С. 576−580.
  67. Subba Rao, Т. Structural characterization of tin selenide thin films / T. Subba Rao, B. K Samantharay. A.K. Chaudhuri //J. Mater. Sci. Lett. 1985. — V. 4. — P. 743−745. ¦.•'¦
  68. Streltsov, E.A. Electrochemical deposition of PbSe films / Е.A. Streltsov, N. Pl Osipovich- L.S. Ivashkevich, A.S. Lyakhov, V.V. Sviridov // Elcctrochimica
  69. Acta.- 1998. -V. 43.-P. 869−873.
  70. Molin, A.N. Electrochemical deposition of PbSe thin films from aqueous solutions / A.N. Molin, A.L. Dikusar // Thin Solid Films. 1995. — V. 265. -P. 3−9.
  71. Ivanou, D.K. Electrochemical deposition of nanocrystaline PbSe layers onto p-Si (100) wafers / D.K. Ivanou, E.A. Streltsov, A.K. Fedotov, A.V. Mazanik // Thin Solid Films.-2005.-V. 487.-P. 49−53.
  72. Saloniemi, H. Electrodeposition of lead selenide thin films / H. Saloniemi, T. Kanniainen, M. Ritala, M. Leskela, R. Lappalainen // J. Mater. Chem. — 1998. -V. 8.-P. 651−654.
  73. Beaunier, L. Epitaxial electrodeposition of lead selenide films on Indium phosphide single crystals / L. Beaunier, H. Cachet, M. Froment // Materials Science in Semiconductor Processing. — 2001. V. 4. — P. 433436.
  74. Vaidyanalhan, R. Quantum confinement in PbSe thin films electrodeposited by electrochemical atomic layer epitaxy (EC—ALE) / R. Vaidyanathan, J.L. Stickney, U. Happek // Elecirochimica Acta. 2004. — V. 49. — P. 1321−1326.
  75. Zogg, H. Photovoltaic infrared sensor arrays in monolithic lead chalcogenides on silicon / H. Zogg, C. Maissen, J. Masek, T. Hoshino, S. Blunier, A.N. Tiwari // Semicond. Sci. Technol. 1991. — V.6.-P. 36−41.
  76. Suzuki, M. Effect of reduced growth temperature on crystalline qualities and dopant diffusion in PbiJSnJSe/PbSe layers grown by MBE / M. Suzuki, T. Seki // Thin Solid Films. 1999. — V. 343−344. — P. 317−319.
  77. Wu, H.Z. Molecular beam epitaxy growth of PbSe on BaF2-coated Si (111) and observation of the PbSe growth interface / H.Z. Wu, X.M. Fang, R. Salas. Jr., D. Mc Alister, P.J. Mc Cann // J.Vac. Sci. Technol. 1999. -V. 17.-P. 1263−1266.
  78. Zogg, H. Two-dimensional monolitic lead chalcogenide infrared sensor array on silicon read-out chip / H. Zogg, K. Alchalabi, D. Zimin, K. Kellerman, W. Buttler // Nucl. Instrum. and Methods Phys. Res. A. 2003. — V. 512. — P. 440−444.
  79. Rumianowski, R.T. Growth of PbSe thin films on Si substrates by pulsed laser deposition method / R.T. Rumianowski, R.S. Dygdala, W. Jung, W. Bala // J. Cryst. Growth. 2003. — V. 252. — P. 230−235.
  80. Singh, J.P. Thermally stimulated currents in epitaxially grown tin selenide films/ J. P. Singh, R. K. Bedi // Jpn. J. Appl. Phys. 1990. — V. 29. — № 6. -P. 1869−1871.
  81. Rastogi, A.C. A new electrochemical selenization technique for preparation of metal-selenide semiconductor thin films / A.C. Rastogi, K.S. Balakirishnan, A. Garg // J. Electrochem. Soc. 1993. -V. 140. — № 8. — P. 2373−2375.
  82. Engelken, R.D. Electrodeposition and analysis of tin' selenide films / R.D. Engelken, A.K. Berry, T.P. Doren, J.L. Boone, A. Shahnazary // J. Electrochem. Soc. 1986.-V. 133.-N3.-P. 581−585.
  83. Subramanian, B. Electrodeposition of Sn, Se, SnSe and the material properties of SnSe films / B. Subramanian, T. Mahalingam, C. Sanjeeviraja, M. Jayachan-dran,.M.J. Chockalingam // Thin Solid Films.- 1999.- V. 357.- № 6.- P. 119−124.
  84. Qiao, Z. Fabrication of Sn-Se compounds on a gold electrode by electrochemical atomic layer epitaxy / Z. Qiao, W. Shang, C. Wang // J. Electroanalyt. Chem. -2005. -V.576.-№ 1. P. 171−175.
  85. Zainal, Z. Electrodeposition of tin selenide thin film semi conductor: effect of the electrolytes concentration on the film properties / Z. Zainal, A.J. Ali, A. Kassim, M-.Z. Hussein // Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2003. — V. 79. -№ 2. -P. 125−132.
  86. Subramanian, B: Brush plating of tin (II) selenide thin films / B. Subramanian,
  87. C. Sanjeeviraja, М. Jayachandran // J. Cryst. Growth. — 2002. — V. 234. -№ 2−3. P. 421−426.
  88. Dobson, K.D. Thin semiconductor films for radiative cooling applications / K.D. Dobson, G. Hodes, Y, Mastai // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2003. — V. 80.- № 3. — P. 283−296.
  89. Mane, R.S. Chemical deposition method for metal chalcogenide thin films / R.S. Mane, CD. Lokhande // Mat. Chem. Phys. 2000. — V. 65. — № 1. — p. 1−31.
  90. Grozdanov, I. A simple solution growth technique for PbSe thin films / I. Grozdanov, M. Najdoski, S.K. Dey // Mater. Lett. 1999. — V. 38. — № 1.- P. 28−32.
  91. Milner, C. Lead selenide photoconductive cells / C.J. Milner, B.N. Watts / Nature. 1949. — V. 163. — P. 322−326.
  92. , А.Б. К вопросу о механизме химического осаждения тонких пленок селенида свинца / А. Б. Лундин, Г. А. Китаев // Неорг. материалы. — 1965.- Т. 1. № 12.-С. 2102−2106.
  93. , Т.П. Гидролиз селеномочевины в водных растворах / Т. П. Соколова // Физико-химия процессов на межфазных границах. Тр. вузов Российской Федерации. Сб. 128. Свердловск. — 1976. — С. 35—38.
  94. , Г. Г. Получение селенида свинца селеносульфатным способом / Г. Г. Рыбникова, В. А. Поповкин, В. Г. Буткевич, А.В. Новосело-ва // Изв. АН СССР. Неорг. матер.-1964.-Т. 3.-№ 2.-С. 1934−1937.
  95. , Г. М. Анализ условий осаждения селенидов металлов из водных растворов селеносульфатом натрия / Г. М. Фофанов, Г. А. Китаев» // Ж. неорг. химии.-1969.-Т. 14.-№ 1.-С. 616−620.
  96. Kainthla, R.C. Solution growth of CdSe and PbSe films / R.C. Kainthla,
  97. D.K. Pandya, K.L. Chopra // J. Electrochem. Soc. 1980. — V. 127. — № 2. -P. 277−283.
  98. Kale, R.B. Room temperature chemical synthesis of lead selenide thin films with preferred orientation / R.B. Kale, S.D. Sartale, V. Ganesan, C.D. Lokhande, Y.-F. Lin, S.-Y. Lu // Appl. Surf. Sci. 2006. — V. 253. — № 2. — P. 930−936.
  99. Hankare, P.P. Synthesis and characterization of chemically deposited lead selenide thin films / P.P. Hankare, D. Delekar, V.M. Bhuse, K.M. Garadkar, S.D. Sabane, L.V. Gavali // Materials Chemistry and Physics. 2003. — V. 82.- № 2. — P. 505−508.
  100. Candea, R.M. Properties of PbSe films prepared by chemical «anorganic» deposition / R.M. Candea, D. Dadarlat, R. Turou, E. Indrea // Phys. Stat. Sol. A.- 1985.-V.90.-P. 791−795.
  101. Pramanik, P. A chemical method for the deposition of tin (II) selenide thin films / P: Pramanik, S. Bhattacharya // J. Mat. Sei. Lett. 1988. — V. 7. -P. 1305−1306.
  102. , В.Ф. Получение твердых растворов замещения* в системе свинец—олово-селен соосаждением из водных растворов / В. Ф. Марков, JI.H. Маскаева, Л. Д. Лошкарева, С. Н. Уймин, Г. А. Китаев // Неорг. матер.- 1997. Т. 33. -№ 6. — С. 665−668.
  103. , Н.Х. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBV1 / Н. Х. Абрикосов, Л. Е. Шелимова // М.: Наука. 1975. — 195 с.
  104. Szczerbakow, A. Investigation of the composition of vapor-grown Pbj^Sn^Se crystals (x < 0,4) by means of lattice parameter measurements /
  105. A. Szczerbakow, H. Berger I I J. Cry si. Growth. 1994. -V. 139. — № 1−2. -P. 172−178.
  106. , A.B. Энергетический спектр узкозонных многокомпонентных твердых растворов на основе халькогенидов свинца-олова PbSnTe, PbSnSe и др. / A.B. Сазонов // Дис.канд. физ. -мат. наук. Москва. — 1984: — 121 с.
  107. , В.И. Исследование системы PbSe-SnSe / В. И. Штанов,
  108. , A.J. / A.J. Strauss // Trans. Metallurg Soc. AIME. 1968. — V. 242. -№ 3.-P. 354.
  109. , Э.С. Локальная симметрия решетки PbixSnxSe в области бесщелевого состояния / Э. С. Худжакулов // Физика и техника полупроводников. — 2004. — Т. 38. — В. 7. — С. 775—777.
  110. Melngailis, J. Measurements in PbixSnxSe / J. Melngailis, T.C. Harman, W.C. Kernan, Shubnicov de Haas // Phys. Rev. — B. — 1972. — V.5. — № 6. -P. 2250−2257.
  111. , И.И. Влияние гидростатического давления на спектры излучения лазеров Pbi.xSnxSe / И. И. Засавицкий, Б. Н. Мацонашвили, В .И. Погодин, А'.П: Шотов // Физика и техника полупроводников. — 1974. Т. 8. — № 4. -С. 732−736:.
  112. Balkanski, M. Band structure and optical properties of small gap semiconductors and alloys / M: Balkanski // J. Luminescence: — 1973. — V. 7. -P. 451−476.
  113. , В.П. Исследование влияния облучения быстрыми электронами на электрофизические свойства Pbi^SnfSe / В. П. Зломанов, Е. А. Ладыгин, Б. П. Пырегов, Е. П. Скипетров // Физика и техника полупроводников. — 1985. -Т. 19.-В. 1.-С. 53−57.
  114. , В.И. Самокомпенсация электрически активных примесей собственными дефектами в полупроводниках типа А^ВУ1 / В. И. Кайданов, С. А. Немов, Ю. Й. Равич // Физика и техника полупроводников. — 1994. — Т. 28. -В. З.-С. 269−393.
  115. Muller, P. Properties of epitaxial Pb^Sn^Se on CaF2 covered Si (lll) substrates / P. Muller, A. Fach, J. John, J. Masek, C. Paglino, Hi Zogg // Appl. Surface Sci. 1996. — V. 102: -№ 2. -P: 130−133.
  116. ASTM X-ray diffraction date cards, Philadelphia, 1968. № 6−0354.
  117. Lee, M.H. Structural and' optical characterizations of multi-layered and multi-stacked PbSe quantum dots / M.H. Lee, WJ. Chung, S.K. Park, M.S. Kim, H.S. Seo, J. J: Ju //Nanotechnology. -2005. V. 16.-P. 1148−4152.
  118. Vaidyanathan, R. Quantum confinement in PbSe thin films electrodeposited by electrochemical atomic layer epitaxy (EC—ALE) / R. Vaidyanathan, J.L. Stickney, U. Happek // Electrochimica Acta.-2004. V.49.-P. 1321−1326.
  119. , Л.Е. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении / Л. Е. Шелимова, Н. Н, Томашик, В. И, Грыцив. — М.: Наука. — 1991.- 368 с.
  120. , В.А. Селениды и теллуриды редкоземельных металлов /
  121. B.А. Оболончик, Г. В. Лашкарев. — Киев: Наукова думка. — 1966. — 162 с.
  122. , В.А. Селениды / В. А. Оболончик. — М.: Металлургия. — 1972.- 296 с.
  123. Pawley, G.S. Diatomic ferroelectrics / G.S. Pawley, W. Cochran, R.A. Cow-ley, G. Dolling // Phys. Rev. Lett. 1966. — V. 17. — № 14. — P. 753−756.
  124. Bate, R.T. Paraelectric behavior of PbTe / R.T. Bate., D.L. Carter., J.S. Wrobel Phys. Rev. Lett. — 1970. — V. 25. — № 3. — P. 159−162.
  125. Alperin, H.A. Softening of the transverse-optic mode in PbTe / H.A. Al-perin, S.J. Pickart, J.J. Rhyne, V.J. Minkiewicz // Phys. Lett. A. 1972.- V. 40. № 4. — P. 295−296.
  126. Chattopadhyay, T. Temperature and pressure induced phase transition in IV-VI compounds/ T. Chattopadhyay, A. Werner, H.G. von Schnering, J. Pannetier // Revue Phys.Appl. 1984. — V. 19. — № 9. — P. 807−813.
  127. , Н.Б. Сверхпроводимость соединений PbTe и PbSe под высоким давлением / Н. Б. Брандт, Д. В. Гицу, Н. С. Попович, В. И. Сидоров,
  128. C.М. Чудинов // Письма в ЖЭТФ. 1975. — Т. 22. — В. 4. — С. 225−229.
  129. Zemel, J.N. Electrical and optical properties of epitaxial films of PbS, PbSe, PbTe and SnTe / J.N. Zemel, J.D. Jensen, R.B. Schoolar // Phys. Rev. 1965. -V. 140.-P. A330—A340.
  130. Sectharama Bhat, K. Electrical-conductivity changes in PbTe and PbSe Films on exposure to the atmosphere / K. Seetharama Bhat, V. Damodara Das // Phys. Rev. B. 1985. -V. 32. -№ 10. -P. 6713−6719.
  131. , Я.П. Температурные зависимости электрических свойств монокри-сталлических пленок n-PbSe при облучении а-частицами / Я. П. Салий, Р. Я. Салий // Физика и техника полупроводников. — 2000. — Т. 34. С. 667−669.
  132. , М. Т. Polycrystalline lead selenide х-у addressed uncooled focal plane arrays / M.T. Rodrigo, F J. Sanchez, M.C. Torquemada, etc. // Infrared Physics and Technology. 2003. — V. 44. — № 4. — P. 281−287.
  133. Hens, Z. Electrodeposited nanocrystalline PbSe quantum wells: synthesis, elecirical and optical properties / Z. Hens, E.S. Kooij, G. Allan, B. Gran-didier, D. Vanmaekelbergh // Nanotechnology. 2005. — V. l 6. — P. 339−343.
  134. , Я.П. Механизм кинетики электрофизических свойств поликристаллических пленок p-PbSe при облучении а-частицами / Я. П. Салий // Физика и техника полупроводников — 2006. — Т. 40. — В. 2. — С. 177—179.
  135. , Т.П. Термодинамическая оценка стабильности твердых растворов на основе халькогенидов свинца / Т. П. Сушкова, Г. В. Семенова, Е. В. Стрыгина // Вестник ВГУ. Серия: Химия. Биология. Фармация. — 2004. -№ 1.-С. 94−100.
  136. Ю.Р. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS / Ю. Р. Равич, Б. А. Ефимова, И. А. Смирнов // М.: Наука. 1968. — 383 с.
  137. Polity, A. Study of vacancy defects in PbSe and PbixSnxSe by positron annihilation / A. Polity, R. Krause-Rehberg, Y. Zlomanov, etc. // Journal of Crystal Growth. 1993. -№. 131. — P. 271−274.
  138. Lin, P.J. Energy bands of PbTe, PbSe and PbS / P.J. Lin, L. Kleinman // Phys. Rev. 1966. — V. 142. — № 2. — P. 478−489.
  139. Martinez, G. Electronic structure of PbSe and PbTe. Band structures, densities of state and effective masses / G. Martinez, M. Schluter, M.L. Cohen // Phys. Rev. 1975.-Y. 11.-№ 2. -P. 651−659.
  140. Lucovsky, G. Effects of resonance bonding on the properties of crystalline and amorphous semiconductors / G. Lucovsky, R.M. White // Phys. Rev. 1973. — V. 8. — № 2. — P. 660−667.
  141. Kawamura, H. Electron-phonon interaction induced phase transition in IV-VI compounds / H. Kawamura // Proc. 3d Int. Conf. Phys. Narrow Gap Semicond. 1977. — P. 7−24.
  142. , И.А. Об эффективной массе носителей тока в селенистом свинце / И. А. Смирнов, Б. Л. Мойжес, Е. Д. Нецеберг // ФТТ. — 1960. Т. 2.- № 8.-С. 1992−2005.
  143. , К.Д. О структуре зон носителей тока в PbSe / К. Д. Товстюк, Я. С. Буджак, М. В. Тарнавская // Укр. физ. журнал. 1963. — Т. 8. — № 7.- С. 795−797.
  144. Wu, Н. Experimental determination of deformation potentials and band nonparabolicity parameters for PbSe / H. Wu, N. Dai, P. J. Mc Cann // Phys. Rev. B.- 2002. V. 66. — P. 453 031−453 037.
  145. Das, R. K. Electronic structure of high density carrier states in PbS, PbSe and PbTe / R. K. Das, S. Sahoo, G.S. Tripathi // Semicond. Sci. Technol. 2004. -V. 19.-P. 433−441.
  146. , Б.А. Кристаллические структуры и симметрия электронного спектра полупроводников группы А4В6 / Б. А. Волков, О. А. Панкратов // ЖЭТФ.- 1978.-Т.75.-В. 4.-С. 1362−1379.
  147. , Б.А. Поведение диэлектрической проницаемости полупроводников А4В6 при структурных фазовых переходах / Б. А. Волков, В. П. Кушнир, О. А. Панкратов // ФТТ. 1982. — Т. 24. — В. 2. — С. 415122.
  148. , Б.А. Температурная зависимость электронной диэлектрической проницаемости полупроводников А4В6 / Б. А. Волков, В. П. Кушнир // ФТТ.- 1982.-Т. 24.-В. 11.-С. 3293−3297.
  149. , Б.А. Поведение полупроводников А4Вб в статическом электрическом поле / Б. А. Волков, В. П. Кушнир // ФТТ. 1983. — Т. 25. — В. 6. -С. 1803−1811.
  150. , Е.Д. Ширина запрещенной зоны PbSe при высоких температурах / Е. Д. Девяткова, В. А. Саакян // ФТТ. 1967. — Т. 9. — № 9. -С. 2750−2751.
  151. , А.В. Теплопроводность твердых растворов полупроводников /
  152. A.В. Иоффе, А. Ф. Иоффе // ФТТ. 1960. — Т. 2. — № 5. — С. 781−792.
  153. Yashina, L.V. The application of VLS growth technique to bulk semiconductors / L.V. Yashina, V.I. Stanov, ZG. Yanenko // J. Cryst. Growth. -2003. -V. 252. -№ 1−3. -P: 68−78.
  154. Iordanishvili, V.E. Thermoconductivity of PbSnSe films condensed at different temperatures (in Russian) / V.E. Iordanishvili, V.A. Bojkov, V.A. Kutasov // Solid State Phys. 1983. — 28. — № 1. — P. 263−265.
  155. , Я.С. Термомагнитные и магнитные свойства селенистого свинца / Я. С. Буджак, К. Д. Товстюк // Изв. АН СССР. Серия физическая. — 1964. -Т. 28. -№ 8.-С. 1318−1320.
  156. Ovsyannikov, S.V. Thermomagnetic and thermoelectric properties of semiconductors (PbTe, PbSe) at ultrahigh pressures / S.V. Ovsyannikov, V.V. Shche-nnikov // Phys. B: Cond. Matter. 2004. — V. 344. — P. 190−194.
  157. , H.B. Исследование термоэлектрических свойств теллурис-того и селенистого свинца / Н. В. Коломоец, Т. С. Ставицкая, JI.C. Стильбанс // ЖТФ. — 1957. Т. 27.-№ 1.-С. 73−81.
  158. , С.А. Особенности электрической компенсации примеси висмута в PbSe / С. А. Немов, Т. А. Гавриков, В. А. Зыков, П. А. Осипов, В. И. Прошин // Физика и техника полупроводников. — 1998. Т. 32. — № 7. — С. 775—777.
  159. , С.А. Примесь Bi в PbSe / С. А. Немов, П. А. Осипов // Физика и техника полупроводников. — Т. 35. — В. 6. — С. 731—733.
  160. , В.А. Влияние примеси висмута на концентрацию носителей тока в эпитаксиальных слоях PbSe:Bi:Se / В. А. Зыков, Т. А. Гаврикова, В. И. Ильин, С. А. Немов, П. В. Савинцев // Физика и техника полупроводников. — 2001. — Т. 35. — В. 11.-С. 1311−1315.
  161. , В.А. Явление самокомпенсации в тонких слоях PbSeiTl /
  162. , Р. Полупроводники / Р. Смит // Пер. с англ.— М.:Мир. — 1982 — 560 с.
  163. Baleva, М. On the temperature dependence of the energy gap in PbSe and PbTe / M. Baleva, T. Georgiev, G. Lashkarev // J. Phys.: Cond. Matter.- 1990. -№ 1.-P. 2935−2940.
  164. Nabi, Z. Pressure dependence of band gaps in PbS, PbSe and PbTe / Z. Nabi, B. Abbar, S. Mecabih, A. Khalfi, N. Amrane // Computational Materials Science. -2000.-V.18.-P. 127−131.
  165. Lach-hab, M. Electronic structure. calculations of lead chalcogenides PbS, PbSe, PbTe / M. Lach-hab, D.A. Papaconstantopoulos, M.J. Mehl // J. of Phys. and Chem. of Solids. 2002. — V. 63. — P. 833−841.
  166. Delin, A. Full-potential optical calculations of lead chalcogenides / A. Delin, P. Ravindran, O. Eriksson, J.M. Wills // Int. J. of Quant. Chem. 1998. — V. 69. -P. 349−358.
  167. , А.Д. Влияние анизотропии зонной структуры на оптические переходы в сферических квантовых точках на основе сульфида и селенида свинца / А. Д. Андреев, A.JI. Липов // Физика и техника полупроводников.- 1999.-Т. 33.-В. 12.-С. 1450−1455.
  168. Dantas, N.O. Optical properties of PbSe and PbS quantum dots embedded in oxide glass / N.O. Dantas, R.S. Silva, F. Qu // Phys. Stat. Sol. B. 2002.- V. 232.-P. 177−181.
  169. Albanesi, E.A. Calculated optical* spectra of IV—VI semiconductors PbS, PbSe and PbTe / E.A. Albanesi, E.L. Peltzer у Blanca, A.G. Petukhov // Comput. Mater. Sci. -2005. V. 32. — P. 85−95.
  170. Kumar, S. Studies on thin films of lead chalcogenides / S. Kumar, Z.H. Khan, M: A. Majeed Khan, M. Husain // Curr. Appl. Phys. 2005. — V. 5. -P. 561−566.
  171. Zhao, F. Influence of oxygen passivation on optical properties of PbSe thin films / Zhao F., S. Mukheijee, J. Ma, D. Li, S. L. Elizondo and Z. Shi // Appl. Phys. Lett.-2008.-№ 92. P. 211 110.
  172. Elizondo, S. Dielectric Charge Screening of Dislocations and Ionized Impurities in PbSe and MCT // S. Elizondo, F. Zhao, J. Kar, J. Ma, J. Smart, D. Li, S. Mukheijee and Z. Shi // Journal of Electronic Materials. 2008. — V. 37.- № 9. — P. 1411−1414.
  173. Freik, D.M. Scattering mechanisms of electrons in monocrystalline PbTe, PbSe and PbS / D.M. Freik, L.I. Nykyruy, V.M. Shperun // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. 2002. — V. 5. — № 4. -P. 362−367.
  174. ASTM X-ray diffraction date cards, Phyladelphia, 1968. № 14−159.
  175. Rau, H. High temperature equilibrium of atomic disorder in SnS / H. Rau // J. Phys. Chem. Solids. 1966. — V. 27.-№ 4. — P. 761−769-
  176. Agarwal, A. Impact of electrical resistance and TEP in layered SnSe Crystals under high pressure / A. Agarwal, P: H. Triverdi, D. Lakshminarayana // Crystal Research and Technology. 2005. — V. 40. — № 8. — P. 789−790.
  177. Yu, J.G. Growth and electronic properties of the SnSe semiconductor / J.G. Yu, A.S. Yue, O.M. Stafsudd // J: Cryst,. Growth. 1981. — V. 54. — № 2.- P. 248−252.
  178. Quan, D. T. SnSe thin films synthesized by solid state reactions / D.T. Quan // Thin Solid Films. 1987.-V. 149.-№ 2.-P. 197−203.
  179. Subba Rao, T. Electrical and photoelectronic properties of SnSe thin films / T. Subba Rao, A.K. Chaudhuri // L Phys. D: Appl. Phys. 1985. — V. 18. -№ 6. -P. 135−139. ' .
  180. Quan, D.T. Electrical properties and optical absorption of SnSe evaporated thin films / D.T. Quan // Phys. Stat. Sol. A. 1984. -V. 86. — P. 421126.
  181. , P. Фотопроводимость твердых тел / P. Бьюб // пер. с англ. — М.: ИЛ.-1962.-558 с.
  182. , Г. Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения / Г. Хасс, Р.Э. Тун- пер. с англ. — М: Мир. — 1968. -331 с.
  183. Petritz, R.L. Theory of photoconductivity in semiconductor films / R.L. Petritz// Phys. Rev. 1956. -V. 104.-№ 6.-P. 1508−1516.
  184. Yasuoka, Y. Thermally stimulated current of vacuum deposited PbSe films / Y. Yasuoka, M. Wada // Jpn. J. Appl. Phys. 1974. — V. 13. — № 11. — P. 1797 -1803.
  185. Humphrey, J.N. Photoconductivity in lead selenide. Experimental / J.N. Humphrey, W.W. Scanlon // Phys. Rev. 1957. — V. 105. — № 6. — P. 469 476.
  186. , E.M. Кинетические характеристики сенсибилирующих отжигов поликристаллических слоев селенида свинца / Е. М. Гамарц, Н. В. Голубченко, В. А. Мошников, Д. Б. Чеснокова // Материалы электронной техники. — 2003. -№ 4.-С. 25−32.
  187. Candea, R.M. Effects of thermal annealing in air on VB COD and' CAD PbSe films / R.M. Candea, R. Tureu, G. Borodi, J. Bram // Phys. Slat. Sol. A.1987. — V. 100. -№ 1. —P. 149−155.
  188. Biro, L.P. The influence of thermal annealing on the physical properties of chemically deposited PbSe films / L.P. Biro, A J. Darabout, P. Fitor // Europhys. Lett.- 1987. V.4. — № 6. — P. 691−696.
  189. , Л.В. Влияние термообработки на макроструктуру слоев PbS и PbSe /Л.В. Дегтева, Г. П. Тихомиров // Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1971. -Т. 7.-С. 1263−1265.
  190. , В.П. Исследование механизмов окисления на поверхности полупроводниковых структур селенида свинца / В. П. Попов, П. А. Тихонов, В. В. Томаев // Физика и химия стекла. 2003. — Т. 29. — № 5. — С. 686−694.
  191. , А.Е., Определение профиля диффузии кислорода в поликристаллических слоях селенида свинца методами ядерного микроанализа /
  192. A.Е. Гамарц, В. М. Лебедев, В. А. Мошников, Д. Б. Чеснокова // Физика и техника полупроводников. 2004. — Т. 38. — № 10. — С. 1195−1198.
  193. , В.П. Изучение взаимодействия селенида свинца с кислородом /
  194. B.П. Зломанов, О. И. Тананаева, A.B. Новоселова // Журн. неорган, химии. -1961.-Т. 6.-В.12.-С. 2753−2757.
  195. , Б.А. Изучение взаимодействия селенида свинца с кислородом / Б. А. Поповкин, Л. М. Ковба, В. П Зломаиов, A.B. Новоселова // ДАН СССР. -1959.-Т. 129.-№ 4.-С. 809−812.
  196. Ganesan, N. The influence of gas adsorption and temperature on the electrical resistivity of SnSe thin films / N. Ganesan, V. Sivaramakrishnan // Scmicond. Science and Technol. 1987. -V. 2. -№ 8. — P. 519−523.
  197. , И.М., Физические свойства осажденных и активируемых слоев A, VBVI / И. М. Раренко, Н. В. Гавриленко, B.C. Грабко и др. // Надежность микроэлектронных схем и элементов: сб. — Киев: Наукова думка. — 1982. — С. 101−119.
  198. , Н.В. Фоточувствительные структуры на основе поликристаллических слоев селенида свинца / Н. В. Голубченко, М. А. Иошт, В. А. Мошников, Д.Б. Чес-нокова // Перспективные материалы. — 2005. — № 3. — С. 31−35.
  199. , Н.В. Исследование микроструктуры и фазового состава поликристаллических слоев селенида свинца в процессе термического окисления / H. Bi Голубченко, В: А. Мошников, Д. Б. Чеснокова // Физика и химия стекла. 2006. — Т. 32. — № 3. — С. 464−478.
  200. , Н.В. Влияние примесей на кинетику и механизм, термического окисления поликристаллических слоев PbSe / Н. В. Голубченко,
  201. В.А. Мошников, Д. Б. Чеснокова // Неорган, материалы. — 2006. — Т. 42. № 9. -С. 1040−1049.
  202. Bob V. Мс. Lean, Method of production of lead selenide photodetector ctlls. // Pat. USA № 2.997.409 cl. 117−201 23.08.61.
  203. Martin, Y.M. Arrays of termally evaporated PbSe infrared on sisubstrates operating at room temperature / Y.M. Martin, Hermandez Y.L. // Semicond. Sci. Technol.- 1996.-V. 11.-P. 1740−1744.
  204. Thomas H. Johnson. Solutions and methods for depositing lead selenide / Thomas H. Johnson. // Pat USA № 3.178.312. cl. 117 201 — 13.04.65.
  205. , В.П. Изучение взаимодействия селенида свинца с кислородом / В. П. Зломанов, А. В. Новоселова // ДАН СССР. 1961. — Т. 247. — № 3.- С. 607−609.
  206. , А.С. Диаграммы парциальных давлений систем Pb-Se-O и Sb-Se-O / А. С. Пашинкин, М. М. Спивак // Неорган, матер. 1988. — Т. 24.8. — С. 1332−1337.
  207. , И.И. Физические свойства осажденных в активируемых условиях слоев AIVBV1 / И. И. Раренко и др. // В сб. Надежность микро-электронных схем и элементов. Киев: Наукова думка. — 1982. — С. 101—119.
  208. Briones, F. The role of oxygen in the sensitization of photoconductive PbSe films / F. Briones, D. Golmayo, G. Ortiz // Thin Solid Films. 1981. — V. 79.- № 4.- P. 385−395.
  209. Humphrey, J.N. Photoconductivity of lead selenide: Theory of the mechanism of sensitization / J.N. Humphrey, R.L. Petritz // Phys. Rev. 1957. — V. 105.6. P. 1736−1740.
  210. Martin, J.M. Arrays of thermally evaporated photodetectors deposited on Si substrates operating at room temperature / J. M. Martin, J. L. Hernandez, L. Adell, A. Rodrigues, F. Lopez// Semicond. Sci. Technol. 1996. — V. 11. -P. 1740−1744.
  211. Torquemada, M.C. Role of halogens in the mechanism of sensitization of uncooled PbSe infrared photodetectors / M.C. Torquemada, M.T. Rodrigo, O. Ver-gara, etc. // Appl. Phys. 2003. — V. 93. — № 3. — P. 1778−1784.
  212. Kwuan, S.H. Halogen vapor deposition of chalcogenide crystals: Lead sulfide / S.H. Kwuan, C.G. Fonstad, A. Colozzi, A. Linz // J. Appl. Phys. 1974. — V. 45. — № 8. — P. 3273−3276.
  213. Stober, D. Chemical transport reactions during crystal growth of PbTe and PbSe via vapour phase influenced by Agl / D. Stober, B.O. Hildmann, H. Bottner, S. Schelb, K.H. Bachem, M. Binnewics // J. Cryst. Growth. 1992. -V. 121. — № 4. — P. 656−664.
  214. Zainal, Z. Effects of annealing on the properties of SnSe films / Z. Zainal, S. Nagalingam, A. Kassim, M.Z. Hussein, W.M. Yunus // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2004. — V. 81. — № 2. — P. 261−268.
  215. A.E. Многослойные структуры PbSe/por-Si/Si и их электрофизические свойства / А. Е. Гамарц, Ю. М. Канагеева (Спивак) // Изв. государственного электротехн. ун-та). Сер. Физика твердого тела и электроника. — 2005. — В 1. — С. 9—16.
  216. Pathinettam Padiyan, D: Electrical and photoelectrical properties of vacuum deposited SnSe thin films / D. Pathinettam Padiyan, A. Marikani, K.R. Murali // Crystal Research and Technology. 2000.- - V. 35. — P. 949−957.
  217. , В.П. Исследование процесса травления полимеров в растворах бихромата калия в серной кислоте / В. П. Пильников, JI.H. Маскаева, Г. А. Китаев, В. А. Лисовая // Изв. ВУЗов Химия и хим. технол. — 1976. — Т. 19. -В. 7.-С. 1093−1098.
  218. Rietveld- Н.М. A profile refinement method for nuclear and magnetic structures / H.M. Rietveld // Appl. Cryst. 1969. -V. 2. — № 2. — P. 65−71.
  219. Bush, D.Lr. A survey of using programs for the Rietveld profile refinement / D.L. Bush, J.E. Post // Reviews in mineralogy. 1990. -V. 20. — P. 369.
  220. Rodriges-Carvajal, J. The programs for Rietveld refinement / J. Rodriges -Carvajal // Physica B. 1993. — V. 192. — P. 55.
  221. Vegard, L. Die Konstitution der Mischkristalle und die Raumfullung der Atome / L. Vegard // Z. Phys. 1921. — Bd. 5. — S. 17.
  222. , A.B. Рентгенометрические параметры твердых растворов / A.B. Чичагов, JI.B. Сипавина-М.: Наука. 1982. — 171 с.
  223. , Р.Д. Установка для измерения пороговых параметров фотоприемников / Р. Д. Мухамедьяров, В. И. Стук, О. Ю. Блинов, В. Н. Жуков, Г. А. Китаев // Приборы и техника эксперимента. — 1976. — № 6. — С. 234.
  224. , В.Н. Модулятор лучистого потока с синхронным двигателем / Р. Д. Мухамедьяров, В. Н. Жуков, О. Ю. Блинов // ОМП. 1977. — № 3. — С. 31−33.
  225. , Р. Инфракрасные системы / Р. Хадсон // Пер. с англ. — М.: Мир. -1972.-С. 284.
  226. , Г. Измерение* лазерных параметров / Г. Хирд // Пер. с англ.- М.: Мир. 1970. — С. 145.
  227. , JI.A. Единицы физических величин и их размерности / JI.A. Сена // Уч.- спр. рук. М.: Наука. — 1988. — 432 с.
  228. , Г. А. Синтез тиомочевины из сероводорода и цианамида / Г. А. Китаев, И. Т. Романов // Изв. ВУЗов Химия и хим. технология. — 1976. -Т. 19. —№ 6.-С. 941−943.
  229. , Г. А. Кинетика разложения тиомочевины в щелочных средах / Г. А. Китаев, И. Т. Романов // Изв. ВУЗов Химия и хим. технология. 1974. -Т. 17. — № 9.-С. 1427−1428.
  230. , Дж.Н. Ионные равновесия / Дж.Н. Батлер // М.: Химия. — 1989.- 462 с.
  231. , В.Б. Аналитическая химия олова / В. Б. Спиваковский // М.: Наука. 1975. — 250 с.
  232. , В.Ф. Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов металлов: моделирование и эксперимент / В. Ф. Марков, JI.H. Маскаева, П. Н. Иванов // Екатеринбург: УрО РАН. 2006. — 218 с.
  233. , Ю.Ю. Справочник по аналитической химии: Справ, изд. / Ю. Ю. Лурье. // М.: Химия. 1989. — 448 с.
  234. , Ю.Г. Курс коллоидной химии / Ю. Г. Фролов // М.: Химия. -1989.-462 с.
  235. , В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов и их тиомочевинных координационных соединений: дисс.. д-ра хим. наук / В. Н. Семенов. — Воронеж. — 2002. — 355 с.
  236. , Л.Н. Роль аниона при гидрохимическом осаждении твердых растворов замещения сульфидов металлов / Л. Н. Маскаева, В. Ф. Марков, П. Н. Иванов, Т. А. Петухова // Вестник УГТУ—УПИ. Серия химическая. — 2003. -С. 59−63.
  237. , Н.В. Интерпретация полярографических волн полимеризо-анных гидроксосолей / Н. В. Аксельруд // ДАН СССР. 1954. — Т. 98. — № 5.- С. 799−802.
  238. , В.Ф. Определение температурных зависимостей констант гидролитического разложения тио- и селеномочевины / В. Ф. Марков, Л. Н. Маскаева, Г. Г. Дивинская, И. М. Морозова // Вестник УГТУ-УПИ. Серия химическая. -2003. -Т. 23. -№ 3. -С. 120−125.
  239. , В.Л. Физико-химические превращения реальных кристаллов вминеральных системах / В. Л. Таусон, М. Г. Абрамович // Новосибирск: Наука. i- 1988.-272 с.
  240. , В.Н. Произведения растворимости / В. Н: Кумок, О. М. Кулешова, Л. А. Карабин // Новосибирск: Наука. Сиб. Отд. — 1983. 266 с.
  241. Справочник химика: В 6 т. / Химические равновесия и кинетика, свойства растворов. Электродные процессы // M. — JL: Химия. 1964. — Т.З. -С. 1005.
  242. , Г. А. Растворимость цианамида свинца в щелочных средах / Г. А. Китаев, Т. П. Соколова // Журн. Неорг. Химии. — 1975. — Т.20. — № 3. -С. 839−841.
  243. , В.Ф. Получение высокочувствительных к ИК-излучению пленок PbS, осажденных из галогенидсодержащих растворов / В. Ф. Марков, А. В. Шнайдер, М. П. Миронов, В. Ф, Дьяков, Л. Н. Маскаева // Перспективные материалы. 2008. — № 3. — С. 28−32.
  244. , Л.Н. Гидрохимический синтез, структура и свойства пленок пересыщенных твердых растворов замещения-MeJPbi^S (Me — Zn, Cd, Cu, Ag): дисс. д.х.н. / Л. Н. Маскаева. — Екатеринбург. — 2004. — 386 с.
  245. ASTM X-ray diffraction date cards, Phyladelphia. 1968. — № 6−0354.
  246. Humphrey, J.N. Photoconductivity of Lead Selenide: Theory of the Mechanism of Sensitization / J.N. Humphrey, R.L. Petritz // Phys.rev. -1957. V. 105. — №-6. -P. 1736−1740.
  247. , Н.А. Гидрохимический синтез, состав, структура, морфология исвойства пленок PbSe, SnSe, PbjrSntSe / Н. А. Третьякова // дисск-та хим.наук. — Екатеринбург. — 2006. — 164 с.
  248. Мухамедзянов, Х.Н., Низкотемпературные исследования соосажденных пленок селенидов свинца и олова / Х.Н. Мухамедзянов- М. П. Миронов,
  249. Jl.IL Маскаева, Н. А. Третьякова, В. Ф. Марков // Химия и хим. технология. Сб. трудов. Екатеринбург. — 2006. С. 114—119.
  250. B.A. Фоточувствительность поликристаллических пленок на основе PbixCdxSe / B.A. Ильин, А.А. Петров- М: С. Писаревский // Петербург. Журн. Электроники. 2001. — № 4. — С. 93−100.
  251. , В.В. Исследование продуктов^ окисления селенида свинца методом ИК-спектроскопии / В: В. Томаев, И. В. Чернышева, П. А. Тихонов //• Физика и химия стекла. 2007. — Т.ЗЗ. — № 6. — С. 883−889.
  252. , Д.В. Поверхностные состояния кристаллов селенида свинца / Д-В. Казанцев, Ю.Г. Селиванов- В: Т. Трофимов, E.F. Чижевский // Письма: в ЖЭ ГФ- 1995. — Т. 62. — Вып. 5. — С. 422−426.
  253. , Ж. Инфракрасная термофафия. Основы, техника, применение / Ж. Госсорг//Пер. с франц. — М.: Мир. 1988. — 416 с.
  254. Hamamatsu Photonics / Cat. № KSPD1073E02 Jun. 2009 DN.
  255. , Б.Н. Аэрокосмические фотоприемные устройства в видимом и инфракрасном диапазонах / Б. Н. Формозов // Учеб. Пособие СПб. ГУАП. -2002.- 120 с.
  256. , М.П. Фотоприемное устройство кругового обзора для обнаружения лесных пожаров / М. П. Миронов, В. Ф. Дьяков, В. Ф. Марков, Р. Д. Мухамедьяров, Х. Н. Мухамедзянов, JI.H. Маскаева. Пожарная безопасность. 2008. — № 3. — С. 103−106.
  257. В.В. Инфракрасные системы «смотрящего» типа / В. В. Тарасов, Ю. Г. Якушенков // М.: Логос. 2004. — 443 с.
  258. Н.П. О стратегии, тактике и технике охраны лесов от пожаров / Н. П. Курбатский // Лесн. хоз-во. 1971. — № 6. — С. 64−68.
  259. C.B. Лесная пирология / C.B. Залесов // Екатеринбург: Баско. 2006. — 304 с.
  260. Э.Н. О применении дистанционных методов обнаружения лесных пожаров/Э.Н. Валендик, Р. В. Исаков и др. // Сб. Исследование Земли из Космоса. — 1986. — № 4.
  261. Grysdale D. An Introduction to fire dynamics / D. Grysdale // Chichester -Weinhein New York — Brisbane — Singapore — Toronto: John Wiley and Sons. -1998.-451 p.
  262. Е.Е. Автоматизация контроля буксовых узлов в поездах / Е. Е. Трестман, С. Н. Лозинский, В. Л. Образцов // М.: Транспорт. — 1983. — 352 с.
  263. В.И. Инфракрасные системы обнаружения перегретых букс / В. И. Самодуров: Учеб. пособие. — Свердловск: УЭМИИЖ. 1980. — 59 с.
  264. Директор-Гл. конструктор ООО «Исследовательский Центр Уралсемикондактор», к.ф.-м.н.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!