Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Исследование возможности повышения чувствительности метода СВЧ-магнитосопротивления к изменению подвижности электронов в полупроводниковых структурах с использованием синхронизированного СВЧ-генератора на диоде Ганна

Диссертация: Исследование возможности повышения чувствительности метода СВЧ-магнитосопротивления к изменению подвижности электронов в полупроводниковых структурах с использованием синхронизированного СВЧ-генератора на диоде Ганна
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Наиболее распространенными методами являются волноводные и резонаторные. При использовании волноводных методов рассматривается взаимодействие СВЧ-волны, распространяющейся в волноводе с помещенным в него образцом, и измеряются интенсивность прошедшей и отраженной волн. При измерениях резонансными методами схема настраивается в резонанс изменением размеров электродинамической системы или частоты… Читать ещё >

Содержание

  • 1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ИССЛЕДОВАНИЙ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР НА СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТАХ
    • 1. 1. Волноводные методы измерения электрофизических параметров полупроводников
    • 1. 2. Мостовые методы измерения параметров полупроводников
    • 1. 3. Резонаторные методы измерения параметров полупроводников
    • 1. 4. Измерение параметров материалов методом волноводно-диэлектрического резонанса
    • 1. 5. Автодинные методы измерений
  • 2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МЕТОДА ИЗМЕРЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СИНХРОНИЗИРОВАННОГО СВЧ-ГЕНЕРАТОРА
    • 2. 1. Теория волноводного метода измерения подвижности свободных носителей заряда с использованием эффекта СВЧ-магнитосопротивления
    • 2. 2. Модель полупроводникового синхронизированного СВЧ-генератора, работающего в режиме вычитания когерентных сигналов: синхросигнала и выходного сигнала синхронизированного генератора
    • 2. 3. Измерение подвижности свободных носителей заряда на основе эффекта СВЧ-магнитосопротавления с использованием полупроводникового синхронизированного СВЧ-генератора
  • 3. РЕЗУЛЬТАТЫ КОМПЬЮТЕРНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ^
    • 3. 1. Компьютерное моделирование характеристик полупро- ^ водникового синхронизированного СВЧ-генератора, работающего в режиме вычитания когерентных сигналов: синхросигнала и выходного сигнала
    • 3. 2. Компьютерное моделирование схемы измерений под- 63 вижности свободных носителей заряда в полупроводниковых структурах с использованием синхронизированного СВЧ-генератора
  • 4. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАНИЯ МЕТОДА ИЗМЕРЕНИЙ ПОДВИЖНОСТИ СВОБОДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СИНХРОНИЗИРОВАННОГО СВЧ-ГЕНЕРАТОРА

Исследование возможности повышения чувствительности метода СВЧ-магнитосопротивления к изменению подвижности электронов в полупроводниковых структурах с использованием синхронизированного СВЧ-генератора на диоде Ганна (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Эффективность производства существующих и успешное создание новых полупроводниковых приборов во многом зависит от уровня развития методов измерений электрофизических параметров полупроводниковых материалов. Чаще всего при измерениях применяются контактные методы, т. е. полупроводники измеряют на постоянном или низкочастотном токе [1−3]. Измерения такими методами производятся при наличии контакта зонда с образцом. Зачастую это приводит к разрушению исследуемого материала. Также при использовании таких методов могут возникать характерные для них нежелательные явления, например, связанная с контактом инжекция носителей заряда в материал, контактная разность потенциалов, возникновение термоЭДС, которые приводят к трудноустранимым погрешностям при измерениях, причем влияние этих эффектов может меняться в зависимости от температуры, что создает трудности при проведении измерений в широком интервале температур. С помощью зондовых методов затруднительно также исследовать образцы малой площади с произвольной геометрией.

Достоинством бесконтактных методов, к которым, помимо прочих, относятся СВЧ-методы, является возможность проводить измерения, не разрушая материал и не изменяя его свойства [4−29]. СВЧ-методы основаны на поглощении электромагнитной энергии свободными носителями заряда, на инерционности носителей в СВЧ-поле, на повороте плоскости поляризации волны при искривлении траектории движения свободных носителей заряда, на резонансном поглощении электромагнитной энергии и других специфических эффектах в полупроводниках на СВЧ. Поскольку изменения коэффициента отражения и передачи, добротности и собственной частоты резонатора, обусловленные внесенным образцом, зависят от параметров этого образца, то эту связь можно использовать для их определения. Преимуществом СВЧ-измерений является возможность проводить на одном образце определение нескольких параметров, измерение которых контактными методами требует создания различных установок и использования разных образцов. При отсутствии контакта появляется возможность вынесения измерительных приборов за пределы области температурного воздействия на полупроводник и, как следствие, измерения свойств полупроводников в широком интервале температур. При использовании СВЧ для измерений становится возможным изучение зависимости тех или иных параметров от частоты. Бесконтактность методов открывает новые возможности для изучения анизотропных эффектов. Из-за возможности приложения сильных электрических полей без использования контактов СВЧ-методы могут быть применены для изучения кинетики разогрева носителей в электрическом поле, так как бесконтактность исключает инжекцию. С помощью данных методов возможно проводить экспрессные измерения, измерение и отбраковку полупроводниковых заготовок для приборов, контроль параметров при термообработке. Измерения с помощью СВЧ очень важны для определения параметров пленочных структур, из-за того, что СВЧ-методы исследования пленок позволяют проводить разносторонние измерения без разрушения пленки, что дает возможность использовать прошедшие измерения образцы для производства приборов.

Следует отметить, что СВЧ-методы являются оптимальными при использовании исследуемых материалов и структур в приборах полупроводниковой СВЧ-электроники, поскольку исследования с помощью зондовых методов могут давать недостаточно информации для конструирования СВЧ-устройств с заданными характеристиками. Преимущества полупроводниковых СВЧ-приборов по сравнению с их вакуумными аналогами придают актуальность разработке новых методов определения параметров полупроводников.

СВЧ-методы классифицируют по физическим эффектам, на которых основаны методы измерения, по типу используемой схемы измерений и по характеру взаимного расположения образца и электродинамической системы. В основе деления СВЧ-методов по физическим принципам лежат эффект поглощения электромагнитной энергии свободными носителями заряда, инерционность носителей в СВЧ-поле, поворот плоскости поляризации волны при искривлении траектории движения носителей заряда, ре-зонансы. По типу используемой схемы СВЧ-методы делят на волновод-ные, мостовые, резонаторные. Рассматривая взаимное расположение исследуемого образца и электродинамической системы СВЧ-методы делят на методы измерения «проходными» системами, когда образец помещается внутри системы и методы измерения «накладными» системами, когда образец прикладывается к открытому концу СВЧ-тракта, к отверстию в резонаторе или является частью их стенок.

Наиболее распространенными методами являются волноводные и резонаторные. При использовании волноводных методов рассматривается взаимодействие СВЧ-волны, распространяющейся в волноводе с помещенным в него образцом, и измеряются интенсивность прошедшей и отраженной волн. При измерениях резонансными методами схема настраивается в резонанс изменением размеров электродинамической системы или частоты генератора. Эти методы основаны на поглощении электромагнитной энергии свободными носителями заряда и изменении эквивалентных размеров резонатора при помещении в него полупроводника. По результатам определения изменения характеристик резонатора могут быть определены диэлектрическая проницаемость и электропроводность материала, изменение электропроводности, вызванное наложением магнитного поля, освещением образца и т. д. Если зависимость между изменением электропроводности и поглощением в образце является линейной, то можно найти величину времени установления неравновесных процессов в полупроводниках, таких как объемное время жизни неосновных носителей и скорость поверхностной рекомбинации.

Введение

исследуемого образца в измерительную резонаторную систему приводит к смещению резонансной частоты и изменению добротности резонатора, по изменению которых рассчитываются параметры образца.

Одним из методов, основанных на эффекте поглощения электромагнитной энергии, является метод СВЧ-магнитосопротивления, суть которого заключается в определении подвижности свободных носителей заряда по изменению в магнитном поле величины мощности, проходящей через волновод, содержащий полупроводниковую эпитаксиальную структуру.

В настоящей работе исследовалась возможность повышения чувствительности СВЧ-методов измерения подвижности свободных носителей, электропроводности и толщины эпитаксиального слоя полупроводниковых структур, при использовании режима вычитания когерентных сигналов: синхросигнала и сигнала от синхронизированного генератора на диоде Ганна. Использование явления синхронизации позволяет изменять разность фаз между выходным сигналом автогенератора и синхросигналом, регулируя частоту синхросигнала, и таким образом добиваться в схемах сравнения заданной величины мощности выходного сигнала на общ^й нагрузке или, в случае почти полного гашения сигнала, резко повысить фазовую чувствительность схемы сравнения.

С учетом вышесказанного была сформулирована цель диссертационной работы: экспериментальное и теоретическое обоснование возможности повышения чувствительности метода СВЧ-магнитосопротивления к изменению подвижности электронов в полупроводниковых структурах с использованием синхронизированного СВЧ-генератора на диоде Ганна, работающего в режиме вычитания когерентных сигналов, синхросигнала и выходного сигнала.

Для достижения поставленной цели были решены следующие задачи:

• разработка модели полупроводникового синхронизированного СВЧ-генератора, работающего в режиме вычитания когерентных сигналов: синхросигнала и выходного сигнала синхронизированного генератора;

• разработка теоретических основ повышения чувствительности метода СВЧ-магнитосопротивления к изменению подвижности электронов в полупроводниковых структурах с использованием синхронизированного СВЧ-генератора на диоде Ганна, работающего в режиме вычитания когерентных сигналов: синхросигнала и выходного сигнала.

• компьютерное моделирование метода измерения подвижности свободных носителей с использованием синхронизированного СВЧ-генератора;

• экспериментальная реализация метода и схемы измерений подвижности свободных носителей заряда в полупроводниковых структурах с использованием синхронизированного СВЧ-генератора на диоде Ганна.

Новизна исследований, проведенных в ходе диссертационной работы, состоит в следующем:

• разработаны теоретические основы повышения чувствительности метода СВЧ-магнитосопротивления к изменению подвижности электронов в полупроводниковых структурах и схема измерений с использованием синхронизированного СВЧ-генератора на диоде Ганна, работающего в режиме вычитания когерентных сигналов: синхросигнала и выходного сигнала;

• проведено компьютерное моделирование метода измерений подвижности свободных носителей заряда в полупроводниковых структурах с использованием синхронизированного СВЧ-генератора на диоде Ганна;

• экспериментально реализован метод измерения подвижности свободных носителей заряда в полупроводниковых эпитаксиальных структурах с использованием схемы измерений на основе синхронизированного СВЧ-генератора.

Достоверность полученных теоретических результатов обеспечивается строгостью используемых математических моделей, корректностью упрощающих допущений, сходимостью вычислительных процессов к искомым решениям, выполнимостью предельных переходов к известным решениям, соответствием результатов расчета эксперименту. Достоверность экспериментальных результатов обеспечена применением стандартной измерительной аппаратуры, обработкой экспериментальных данных с использованием стандартных методов.

Практическая значимость полученных результатов заключается в следующем:

• обоснована теоретически и реализована экспериментально схема измерений подвижности свободных носителей заряда в полупроводниковых структурах методом СВЧ-магнитосопротивления с использованием синхронизированного СВЧ-генератора на диоде Ганна, работающего в режиме вычитания когерентных сигналов: синхросигнала и выходного сигнала;

• проведен сравнительный анализ погрешностей косвенных измерений подвижности с использованием выражения для методической погрешности косвенных измерений по заданным характеристикам аппаратурных погрешностей измерений мощности СВЧ-сигнала и величины индукции магнитного поля в обычно используемой и в исследуемой схеме измерений, с помощью которой реализуется режим вычитания когерентных сигналов: синхросигнала и выходного сигнала синхронизированного автогенератора;

• измерена подвижность свободных носителей заряда в эпитаксиальных структурах из СаАь с помощью схемы измерений, использующей режим вычитания когерентных сигналов: синхросигнала и выходного сигнала синхронизированного автогенератора.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Использование метода измерений на основе синхронизированного генератора на диоде Ганна, работающего в режиме вычитания когерентных сигналов: синхросигнала и выходного сигнала, позволяет повысить чувствительность метода СВЧ-магнитосопротивления к изменению подвижности электронов в полупроводниковых структурах.

2. Величина подвижности свободных носителей заряда в эпитаксиальных полупроводниковых структурах при использовании метода измерений на основе синхронизированного СВЧ-генератора на диоде Ганна может быть определена по измеренным значениям мощностей СВЧ-сигналов, поступающих в нагрузку при наличии магнитного поля и без него, на частоте, соответствующей минимуму мощностно-частотной характеристики в полосе синхронизации.

3. Воздействие магнитного поля на полупроводниковую эпитаксиальную структуру в методе измерений подвижности свободных носителей заряда на основе эффекта СВЧ-магнитосопротивления с использованием синхронизированного генератора приводит к изменению положения минимума на мощностно-частотной характеристике в полосе синхронизации в режиме вычитания когерентных сигналов на общей нагрузке.

4. В методе измерений, в котором реализуется режим вычитания когерентных сигналов: синхросигнала и выходного сигнала синхронизированного генератора на диоде Ганна, на порядок и более, увеличивается разность мощностей СВЧ-сигналов, поступающих в нагрузку при воздействии магнитного поля на полупроводниковую эпитаксиальную структуру в волноводе и без него.

5. Изменение мощности выходного СВЧ-сигнала при изменении толщины и электропроводности эпитаксиального слоя внесенной в волновфшый тракт полупроводниковой структуры может быть увеличено на д$а порядка и более, при использовании синхронизированного генератора на и диоде Ганна, работающего в схеме вычитания когерентных сигналов: синхросигнала и выходного сигнала.

Апробация работы:

Основные результаты диссертационной работы доложены на: XV International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications M3KON-2004, Poland, Warszawa, May 17−19,2004;

Всероссийской научно-техннической конференции «Актуальные проблемы радиоэлектроники». Самара, 30 июня 2003 г. Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева;

II Международной научно-технической конференции «Физика и технические приложения волновых процессов». Самара, 7−13 сентября 2003 г. Самарский государственный университет. Самара;

13-й Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо'2003). Севастополь, 8-^2 сентября 2003 г.;

Четвертой Международной научно-технической конференции «Микроэлектронные преобразователи и приборы на их основе» (МЭПП-2003 Баку-Сумгаит). Баку-Сумгаит 16−18 декабря 2003 г.;

Восьмой Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники». Див-номорское, Россия, 14−19 сентября 2002 г.;

Всероссийской научно-технической дистанционной конференция «Электроника». Зеленоград, 19−30 ноября 2001 г.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 9 работ [30−38].

Личный вклад автора выразился в участии в проведении всего объема экспериментальных работ, в создании теоретических моделей, описывающих результаты экспериментов, проведении компьютерного моделирования и анализе полученных результатов.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех разделов, заключения, списка литературы и приложения.

Основные результаты и выводы диссертационной работы заключаются в следующем:

1. Разработаны теоретические основы повышения чувствительности метода СВЧ-магнитосопротивления к изменению подвижности электронов в полупроводниковых структурах с использованием синхронизированного СВЧ-генератора на диоде Ганна, работающего в режиме вычитания когерентных сигналов: синхросигнала и выходного сигнала.

2. Показано, что на основе измерений мощности синхросигнала, выходной мощности синхронизированного генератора и мощностей СВЧ-сигналов, поступающих в нагрузку при наличии магнитного поля и без него, на частоте, соответствующей минимуму МЧХ в полосе синхронизации, в исследуемой СВЧ-схеме вычитания когерентных сигналов, может быть определена величина подвижности свободных носителей заряда в эпитаксиальных полупроводниковых структурах.

3. Установлено, что при воздействии магнитного поля на полупроводниковую эпитаксиальную структуру в схеме измерений подвижности свободных носителей заряда методом СВЧ-магнитосопротивления с использованием синхронизированного генератора изменяется положение минимума на мощностно-частотной характеристике выходного сигнала в полосе синхронизации в режиме вычитания когерентных сигналов на общей нагрузке.

4. Показано, что разность мощностей СВЧ-сигналов, поступающих в нагрузку при воздействии магнитного поля на полупроводниковую эпитаксиальную структуру в волноводе и без него, в схеме измерений, в которой реализуется режим вычитания когерентных сигналов, увеличивается, на порядок и более, по сравнению с известными решениями.

5. Установлено, что изменение мощности выходного СВЧ-сигнала при изменении толщины и электропроводности эпитаксиального слоя внесенной в волноводный тракт полупроводниковой структуры может быть увеличено на два порядка и более, при использовании синхронизированного генератора на диоде Ганна, работающего в схеме вычитания когерентных сигналов: синхросигнала и выходного сигнала.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. JI. В. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высш. шк., 1987. 239 с.
  2. Н. Ф., Концевой Ю. А. Измерения параметров полупроводниковых материалов. М. 1970.
  3. П., Ортон Дж. В. Методы измерения электрических свойств полупроводников. Зарубежная радиоэлектроника, 1981. ч. I, с. 3−50- ч. 2, № 2, с. 3−49.
  4. Д.А. СВЧ-методы измерения параметров полупроводников. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1985. 55 с.
  5. Е.М., Литвак-Горская Л.Б., Плохова Л. А., Зарубина Т. С. Методы определения параметров полупроводниковых плёнок на СВЧ. — В кн.: Полупроводниковые приборы и их применение/ Под. ред. Е. А. Федотова, М.: 1970. Вып. 23. С. 3−48.
  6. Ю.Г., Давыдов А. Б. Волноводные методы измерения электрофизических параметров полупроводников на СВЧ// Дефектоскопия. 1978. № 11. С. 63−87.
  7. Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В. Физика полупроводниковых радиочастотных и оптических автодинов. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2003. 312 с.
  8. Д.А., Скрипаль A.B. Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1999. 376 с.
  9. М. Н., Берч Дж. Р., Кларк Р. Н. Измерение характеристик материалов// ТИИЭР. 1986. Т. 74, № 1. С. 206−220.
  10. Ягу дин Г. X. Измерение электрофизических параметров полупроводников с помощью электромагнитных полей СВЧ диапазона. Обзоры по электронной технике. Сер. Полупроводниковые приборы и микроэлектроника. М.: ЦНИИ Электроника, 1968, вып. 21. 68 с.
  11. П.Викторов В. А., Лункин Б. В., Совлуков A.C. Радиоволновые измерения параметров технологических процессов. М.: Энергоатомиздат, 1989. 208 с.
  12. Неразрушающий контроль. В 5 кн. Кн. 4. Контроль излучениями: Практ. пособие. Под ред. В. В. Сухорукова. М.: Высш. шк., 1992. 321 с.
  13. Приборы для неразрушающего контроля материалов и изделий. Справочник. В 2-х книгах. Кн. 1. Под ред. В. В. Клюева. М.: Машиностроение, 1986. 352 с.
  14. JI. И., Гаманюк В. Б., Усанов Д. А. К вопросу об определении проводимости и диэлектрической проницаемости полупроводников на СВЧ// Радиотехника и электроника. 1972. Т. 17, № 2. С. 426−428.
  15. Этуотер. Определение времени жизни носителей в полупроводниках на СВЧ// ТИРИ. 1961. Т.49. № 9. С.1671−1672.
  16. Бхар. Исследование полупроводников с помощью СВЧ методов // ТИИЭР. 1963. Т.51. № 11. С. 1597−1605.
  17. П.Завьялов А. С., Дунаевский Г. Е. Измерения параметров материалов на сверхвысоких частотах. Томск: Изд. Томского ун-та, 1985. 214 с.
  18. К.С., Армстронг Д. Б. Выражения в явном виде для проводимости и диэлектрической проницаемости объемных полупроводников в волноводе // ТИРИ. 1962. Т.50, № 2. С.272−273.
  19. Нолмс Д А., Фойхт Д. Л. Измерение проводимости и диэлектрической проницаемости полупроводников на СВЧ // ТИИЭР. 1964. Т.52. № 1. С. 107−108.
  20. М.В. Измерение комплексной диэлектрической проницаемости полупроводников СВЧ методом // ТИИЭР. 1964. Т.52. № 2. С. 194.
  21. Ю.К. Электромагнитный метод анализа слоистых полупроводниковых и металлических структур. Рига.: Зинатне. 1970. 272 с.
  22. В.А., Кулешов Е. М., Пунько И. Н. Радиоволновая эллипсометрия. Под ред. И. С. Ковалева. Минск.: Наука л техника. 1985.104 с.
  23. Новые СВЧ методы изучения поверхностной рекомбинации и времени жизни / Джекобе X., Брэнд, Мэйндл и др. // ТИИЭР. 1963. № 4. С.608−620.
  24. В.Д. Методы измерения на СВЧ с применением измерительных линий. М.: Сов.радио. 1972. 144 с.
  25. A.A. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах. М.: Физматтиз. 1963.147 с.
  26. P.A., Сретенский В. Н. Радиотехнические измерения. М.: Сов.радио. 1963. 102 с.
  27. В. Б., Медведев Ю. В., Петров A.C. Резонатор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1981. Вып. 4. С .4951.
  28. Прибор для измерения толщины полупроводниковых эпитаксиальных пленок на низкоомных подложках./Гордиенко Ю.Е., Старостенко В. В., Дудкин H.A., Шевченко В.Е.// Приборы и техника эксперимента. 1974. № 4. С. 196−199.
  29. Г. X., Шибаев А. А., Пономаренко О. Н. Бесконтактные методы неразрушающего контроля электрофизических параметров полупроводниковых структур. Обзоры по электронной технике. Сер. Полупроводниковые приборы, 1973, вып. 4(104). 52 с.
  30. Сумгаит). Баку-Сумгаит 16−18 декабря 2003 г. Баку: ЦП «Мутарджим», 2003. С. 12−14.
  31. Д.А., Скрипаль А. В., Абрамов А. В., Поздняков В. А. СВЧ-метод измерения подвижности свободных носителей заряда в полупроводниковых структурах// Известия вузов. Электроника. 2004. № 2. С. 76−84.
  32. Benedict T. S., Shockly W. Microwave Observation of the Collision Frequency of Electrons in Germanium. Phys. Rev., 1953, vol. 89, p. 1152−1153.
  33. Gunn M. W., Brown J. Measurement or semiconductor properties in a slot-ted-waveguide structure. Proc. IEE, 1965, vol. 112, № 3, p. 463−468.
  34. Gabriel G. J., Brodwin M. E. The Solution of Guided Waves in Jnhomoge-neous Anisotropic Media by Petru bation and Variational Methods. IEEE Trans., 1965, vol. MTT-13, № 5, p. 364−370.
  35. Cheikh R. H., Gunn M. W. Wave propagation in a rectangular waveguide in-nomogemously filled with semiconductors. IEEE Trans. 1968, vol. MTT-16, № 2, p. 117−121.
  36. Molnar В., Kenedy T. A. Evaluation of S- and Se-implanted GaAs by con-tactless mobility measurement// J. Electrochem. Soc. Solid-State Science and Technology. 1978. Vol. 125, № 8. P. 1318−1320.
  37. B.C., Качуровский Ю. Г., Петренко И. В. и др. Измерение подвижности носителей заряда методом СВЧ-магнитосопротивления// Электронная промышленность. 1982. № 9. С.4849.
  38. С.М., Подшивалов В. Н., Фисун А. И. Прибор для бесконтактного определения подвижности носителей заряда в полупроводниковых структурах// Электронная промышленность. 1986. № 3. С. 66−67.
  39. С.Б., Усанов Д. А., Солоухин Н. Г., Братин С. М. Влияние высших типов волн на погрешность измерения подвижности методом СВЧ-магнитосопротивления// Электронная техника. Сер. 8.1990. Вып.1. С. 64−66.
  40. Лабораторные работы по курсу «Измерение параметров полупроводников на СВЧ"/Д. А. Усанов, С. Б. Вениг, В. Б. Феклистов, А. В. Скри-паль// Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1997.140с.
  41. К. С., Армстронг Д. Б., Гандерсон П. Д. Инерция носителей заряда в полупроводниках. ТИИЭР, т. 52, № 6, с. 720−729.
  42. К., Кавасаки К. Метод измерения комплексной диэлектрической постоянной с использованием СВЧ-объемного резонатора // Гифу коге кото сэмма гаккай кие. 1970. № 3. С. 33−37.
  43. В. Terselius and В. Ranby, «Cavity perturbation measurements of the dielectric properties of vulcanizing rubber and polyethylene compounds», J. Microwave Power, vol. 13, pp. 327−335,1978.
  44. A. Parkash, J. K. Vaid, and A. Mansingh, «Measurement of dielectric parameters at microwave frequencies by cavity-perturbation technique», IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. MTT-27, pp. 791−795, 1979.
  45. Л. Г., Босс С. Б., Риддл А. Н. Настройка и согласование резонатора типа ТМ010 с генератором. Приборы для научных исследований, 1983, т. 54, № 12, с. 69—75.
  46. К. Н. Hong and J. A. Roberts, «Microwave properties of liquids and solids using a resonant microwave cavity as a probe,» J. Appl. Phys., vol. 45, pp. 2452−2456,1974.
  47. S. Li, C. Akyel, and R. G. Bosisio, «Precise calculations and measurements on the complex dielectric constant of lossy materials using TM010 cavity perturbation techniques,» IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. MTT-29, pp. 1041−1048, 1981.
  48. R. J. Cook, «Microwave cavity methods» in High Frequency Dielectric Measurement (Conf. Proc., March 1972), J. Chamberlain and G. W. Chantry, Eds. Guildford, U.K.: IPC Science and Technology Press, 1973, pp. 12−27.
  49. E. Ni and U. Stumper, «Permittivity measurements using a frequency tuned microwave TE01 cavity resonator», Proc Inst. Elec. Eng., pt. H, vol. 132, no. l, pp. 27−32,1985.
  50. А. Р. Диэлектрики и их применение. М.- Л.: Госэнергоиздат, 1959.
  51. D. Т. Llewellyn-Jones et al., «New method of measuring low values of loss in the near millimetre wavelength region using untuned cavities,» Proc. Inst. Elec. Eng., vol. 127, pt. A, no. 8, pp. 535−540, Nov. 1980.
  52. J. R. Birch and R. N. Clarke, «Dielectric and optical measurements from 30 to 1000 CHz,» Radio Electron. Eng., vol. 52, no. 11/12, pp. 566−584, Nov./Dec. 1982.
  53. F. Kremer and J. R. Izatt, «Millimetre-wave absorption measurements in low-loss dielectrics using an untuned cavity resonator», Int. J. Infrared and Millimetre Waves, vol. 2, pp. 675−694,1981.
  54. J. R. Izatt and F. Kremer, «Millimetre wave measurement of both parts of the complex index of refraction using an untuned cavity resonator,» Appl. Opt., vol. 20, no. 14, pp. 2555−2559, July 1981.
  55. В.А., Дувинг В. Г., Усанов Д. А. Полупроводниковый генератор для измерения диэлектрической проницаемости материалов на СВЧ // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1978. № 8. С. 100−102.
  56. Бесконтактные радиоволновые методы измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов / М. В. Детинко, Ю.В. Ли-сюк, Ю. В. Медведев, А. А. Скрыльников // Изв. вузов. Физика. 1992. Т.35, № 9. С. 45−63.
  57. И.В. Техника и приборы СВЧ: в 2-х т. М.:Высш. шк., 1970. Т. 1. 372 с.
  58. Диэлектрические резонаторы / М. Е. Ильченко, В. Ф. Взятышев, Л.Г. Га-санов и др.- Под ред. М. Е. Ильченко. М.:Радио и связь, 1989. 328 с.
  59. В.А., Хижняк Н. А. Волноводно-диэлектрический резонанс диэлектрического образца в прямоугольном волноводе // Изв. вузов. Радиофизика. 1978. Т. 21. № 4. С. 558−565.
  60. Определение параметров диэлектриков на сверхвысокой частоте с помощью волноводно-диэлектрических резонансов / Коробкин В. А., Пятак Н. И., Бабарика Л. И. и др.// Приборы и техника эксперимента. 1976. № 3. С. 169−171.
  61. Д.А., Писарев В. В., Вагарин А. Ю. Использование автодинных преобразователей частоты на диодах. Ганна для бесконтактных измерений параметров диэлектриков на СВЧ // Дефектоскопия. 1985. № 5. С.82−85.
  62. П.А., Булдыгин А. Ф., Уткин К. К. Расчет и экспериментальное исследование автодинного преобразователя частоты на диоде Ганна // Изв. Вузов MB и ССО СССР. Радиоэлектроника. 1977. Т. 20, № 10. С. 64−70.
  63. JI.B., Кукушкин В. В., Соляков В. Н. О частотных свойствах смесителей на диоде Ганна в миллиметровом диапазоне // Радиотехника. 1981. Т. 26. № 3. С. 666−667.
  64. Д.А., Писарев В. В. Особенности работы генератора на МЭП-диоде в автодином режиме при близких частотах генерации и сигнала // Изв. вузов. MB и ССО СССР. Радиоэлектроника. 1981. Т. 24. № 10. С. 81−82.
  65. П.А., Булдыгин А. Ф., Уткин К. К. Автодинный смеситель на диоде Ганна // Изв. вузов. MB и ССО СССР. Радиоэлектроника. 1974. Т. 17. № 12. С. 82−84.
  66. А.Г., Соколовский И. И. Усилитель-преобразователь на диоде с переносом электронов // Радиотехника. 1980. Т. 35. № 6. С. 40−42.
  67. O.A., Трепанов В. К. Экспериментальное исследование преобразователей частоты на диодах с переносом электронов // Изв. вузов MB и ССО СССР. 1980. Т. 23. № 10. С. 80−82.
  68. Д. А., Скрипаль А. В. Детектирование МЭП-диодами, работающими в активном режиме// Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1980. Вып. 10. С. 62−63.
  69. Эффект автодинного детектирования в генераторе на диоде Ганна с низкочастотным колебательным контуром в цепи питания/Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, А. А. Авдеев, А. В. Бабаян// Радиотехника и электроника. 1996. Т. 41, № 12. С. 1497−1500.
  70. Д. А., Безменов А. А., Орлов В. Б. Детекторный эффект в усилителях на лавинно-пролетных диодах// Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1980. Т. 23, № 10. С. 63−64.
  71. Детекторный эффект в СВЧ-усилителях на транзисторах/Д. А. Усанов, А. А. Безменов, А. Ю. Вагарин, В. М. Логинов// Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1981. Вып. 9. С. 60−61.
  72. Детекторный эффект в СВЧ-усилителях на полевых транзисто-рах/Д. А. Усанов, А. А. Безменов, А. Ю. Вагарин, В. М. Логинов// Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1984. Вып. 1. С. 32−33.
  73. Д. А., Безменов А. А. Детектирование СВЧ-полевыми транзисторами, работающими в активном режиме// Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1986. Вып. 2. С. 19−21.
  74. Использование эффекта автодинного детектирования в полупроводниковых СВЧ-генераторах для создания устройств радиоволнового кон-троля/Д. А. Усанов, В. Д. Тупикин, А. В. Скрипаль, Б. Н. Коротин // Дефектоскопия. 1995. № 5. С. 16−20.
  75. Д. А., Безменов А. А., Коротин Б. Н. Устройство для измерения толщины диэлектрических пленок, напыляемых на металл// Приборы и техника эксперимента. 1986. № 4. С. 227−228.
  76. Пат. 2 094 811 БШ, МКИ 001 Я 27/26. Устройство на диоде Ганна для измерения параметров диэлектрических материа-лов/Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, Б. Н. Коротин, А. А. Авдеев № 95 115 788/09. Заявл. 07.09.95- Опубл. 27.10.97- Бюл. № 30.
  77. Пат. 2096Т91 Ш, МКИ 001 Л 27/26. Устройство для измерения параметров диэлектрических материалов/Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, Б. Н. Коротин, А. А. Авдеев № 95 115 711/09. Заявл. 07.09.95- Опубл. 20.11.97- Бюл. № 32.
  78. А.С. 1 161 898 СССР, МКИ <301 Я 27/26. Устройство для измерения параметров диэлектрических материалов/Д. А. Усанов, А. Ю. Вагарин, Б. Н. Коротин. № 3 584 535/25- Заявл. 22.04.83- Опубл. 15.06.85- Бюл. № 22.
  79. Д. А., Посадский В. Н., Буренин П. В. и др. Детекторный эффект в усилителях на диодах с переносом электронов// Радиотехника и электроника. 1977. Т. 22, № 5. С. 1085−1086.
  80. Д. А., Вагарин А. Ю., Безменов А. А. Об использовании детекторного эффекта в генераторах на лавинно-пролетных диодах для измерения диэлектрической проницаемости материалов// Дефектоскопия. 1981. № 11. С. 106−107.
  81. Д. А., Скрипаль А. В. Эффект автодинного. детектирования в генераторах на диодах Ганна и его использование для контроля параметров материалов//42-я Всесоюз. науч. сессия, посвященная Дню радио: Тез.докл. М.: Радио и связь, 1987. Ч. 2. С. 31.
  82. Д.А., Вагарин А. Ю., Вениг С. Б. Использование детекторного эффекта в СВЧ генераторе на диоде Ганна для измерения параметров диэлектриков// Дефектоскопия. 1985. № 6. С.78−82.
  83. Д. А., Коротин Б. Н. Устройство для измерения толщины металлических пленок, нанесенных на диэлектрическую основу// ПТЭ. 1985. № 1. С. 254.
  84. Д. А., Коротин Б. Н., Орлов В. Е. Использование эффекта автодинного детектирования в СВЧ-генераторах на туннельном диоде для определения параметров диэлектриков// Дефектоскопия. 1987. № 9. С. 83−84.
  85. У санов Д. А., Скрипаль А. В. Эффект автодинного детектирования в генераторах на диодах Ганна и его использование для контроля толщины и диэлектрической проницаемости материалов// Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1987. Т. 30, № 10. С. 76−77.
  86. Д. А., Скрипаль Ал. В., Коротин Б. Н., Скрипаль Ан. В. СВЧ-толщиномер//Состояние и тенденции развития метрики полупроводниковых и диэлектрических структур: Тез.докл.науч.-тех.совещания. М.: ЦНИИ «Электроника», 1986. Сер.8. Вып.2 (232). С. 43.
  87. А.с. 1 264 109, МКИ G01 R 27/26. Устройство для измерения параметров диэлектрических материалов/Д.А.Усанов, А. В. Скрипаль, Б. Н. Коротин и др., Опубл. 15.10.86. Бюл.№ 38.
  88. А. с. 1 448 821 СССР, МКИ G01 В 15/02./Д. А. Усанов, В. Д. Тупикин, А. В. Скрипаль, Ан. В. Скрипаль (СССР). № 4 102 803/24−28- Заявл. 05.08.86.
  89. А. с. 1 831 121А1 RU, МКИ G01 Е 27/26./Д. А. Усанов, В. В. Писарев, А. А. Авдеев, А. В. Скрипаль и др. № 4 497 352/ 09- Заявл. 20.10.88.
  90. Д. А., Скрипаль А. В., Коротан Б. Н. и др. Информационно-измерительный комплекс для контроля параметров покрытий// Информ. листок о науч.-техн. достижении/Сарат. ЦНТИ. Саратов, 1988.
  91. Д. А., Скрипаль А. В., Семенов А. А. и др. Информационно-измерительный комплекс для контроля параметров покрытий// Аннотация экспонатов «Ученые Поволжья — народному хозяйству». Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1989. С. 80.
  92. Perlman B. S, Upadhyayula C. L, Siekanowicz W.W. Microwave Properties and Applications of Negative Conductance Transferred Electron Devices // Proc. IEEE. 1971. Vol. 59, № 8. P. 1229−1237.
  93. B.C. К теории синхронизации автогенераторов на приборах с отрицательным сопротивлением // Радиотехника. 1975. № 2. С.43−53.
  94. Радиотехнические устройства СВЧ на синхронизированных генераторах / Н. Н. Фомин, B.C. Андреев, Э. С. Воробейчиков и др. / Под ред. Н. Н. Фомина. М.: Радио и связь, 1991. 192 с.
  95. Д.А., Скрипаль A.B., Ульянов Д. В. Влияние магнитного поля на работу полупроводниковых синхронизированных СВЧ-генераторов в режиме гашения мощности //Изв. вузов. Электроника. 2000. № 6. С. 4954.
  96. Д.А., Скрипаль A.B., Абрамов A.B. Оптическое управление полупроводниковыми синхронизированными СВЧ-генераторами, работающими в схеме вычитания сигналов// Известия вузов. Электроника. 2002. № 5. С. 31−39.
  97. .В. Основы метрологии и радиоизмерения: Учеб. пособие для вузов. М.: Радио и связь, 1993. 320 с.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!