Π”ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, курсовая, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°
ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚

Роль структурных Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ² Π² процСссС Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ дСсорбции-ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ органичСских соСдинСний с повСрхности крСмния

Π”ΠΈΡΡΠ΅Ρ€Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΡΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ для дальнСйшСго Ρ†Π΅Π»Π΅Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ развития этого ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π° ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½Π΅ Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ являСтся Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π° опрСдСлСния ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠ° образования ΠΈ Π΄Π΅ΡΠΎΡ€Π±Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² Π² SALDI. Для построСния ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ морфологичСской структуры ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ, Π½ΠΎ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹, основными ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, химичСский состав повСрхности ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚рация Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ² структуры… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

  • Π“Π»Π°Π²Π° 1. ΠžΠ±Π·ΠΎΡ€ Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ масс-спСктроскопии
    • 1. 1. БСлСктивная фотоионизация
    • 1. 2. ЛазСрная дСсорбция ΠΈ ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡ
    • 1. 3. ΠœΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎ-активированная лазСрная дСсорбция ΠΈ ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡ
      • 1. 3. 1. Π’ ΠœΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌ ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π² ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π΅ ΠœΠΠ›Π”Π˜
      • 1. 3. 2. НСдостатки ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π° ΠœΠΠ›Π”Π˜
    • 1. 4. ΠŸΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎ-актививированная лазСрная дСсорбцияионизация (SALDI)
      • 1. 4. 1. SALDI с ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ наночастиц
      • 1. 4. 2. ЛазСрная дСсорбция ионизация с ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности пористого крСмния (DIOS)
    • 1. 5. ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² эмиттСров ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² SALDI
    • 1. 6. ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ структуры Π°ΠΌΠΎΡ€Ρ„Π½ΠΎΠ³ΠΎ крСмния
    • 1. 7. МодСли повСрхностно Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ дСсорбцииионизации
      • 1. 7. 1. МодСль Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ дСсорбции ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ²
      • 1. 7. 2. МодСль дСсорбции ΠΈ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π² Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ„Π°Π·Π΅

Роль структурных Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ² Π² процСссС Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ дСсорбции-ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ органичСских соСдинСний с повСрхности крСмния (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

ΠΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Π΅ΠΌΡ‹

.

Π Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ Π² ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄Π½ΠΈΠ΅ дСсятилСтия ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π»ΠΎ ΠΊ ΠΏΠΎΡΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΡ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ опрСдСлСния органичСских ΠΈ Π±ΠΈΠΎΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΡ… соСдинСний. К Ρ‡ΠΈΡΠ»Ρƒ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ пСрспСктивных ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Снсивно Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ относится ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ повСрхностно Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ дСсорбции ΠΈ ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ SALDI (Surface Assisted Laser Desorption Ionization). Π’ ΡΡ‚ΠΎΠΌ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π΅ опрСдСляСмыС органичСскиС ΠΈΠ»ΠΈ биоорганичСскиС соСдинСния ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ наносятся ΠΈΠ· Ρ€Π°ΡΡ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ»ΠΈ Π°Π΄ΡΠΎΡ€Π±ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈΠ· Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ„Π°Π·Ρ‹ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ — эмиттСра ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ². Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ эмиттСра Π²ΠΎΠ·Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ Π΄Π΅ΡΠΎΡ€Π±Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² опрСдСляСмых соСдинСний, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ масс-спСктромСтром.

НСсмотря Π½Π° ΡƒΡΠΏΠ΅ΡˆΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π° SALDI для Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΡ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ опрСдСлСния Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… органичСских ΠΈ Π±ΠΈΠΎΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΡ… соСдинСний с ΠΌΠ°ΡΡΠΎΠΉ мСньшС 1000 Π°.Π΅.ΠΌ., ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌ образования ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² всС Π΅Ρ‰Ρ‘ остаСтся ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠΌ дискуссий. Π£ΠΆΠ΅ Π½Π° Ρ€Π°Π½Π½ΠΈΡ… этапах развития ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π° Π±Ρ‹Π»ΠΎ установлСно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ для эффСктивного образования ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡΡ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ структуру (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, пористый ΠΈΠ»ΠΈ ΡˆΠ΅Ρ€ΠΎΡ…ΠΎΠ²Π°Ρ‚Ρ‹ΠΉ слой). ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π² Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ развития ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π° SALDI Π² Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ Π½Π΅ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΊΡ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π»ΠΈΡΡŒ простыС ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ, ΡΠ²ΡΠ·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ образования ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² с ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ями структуры эмиттСра ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ². Однако Π·Π° ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄Π½ΠΈΠ΅ Π³ΠΎΠ΄Ρ‹ накопились ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈ Ρ‚СорСтичСских Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΠ², ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ Π² Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»Π΅ΠΉ.

ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ для дальнСйшСго Ρ†Π΅Π»Π΅Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ развития этого ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π° ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½Π΅ Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ являСтся Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π° опрСдСлСния ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠ° образования ΠΈ Π΄Π΅ΡΠΎΡ€Π±Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² Π² SALDI. Для построСния ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ морфологичСской структуры ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ, Π½ΠΎ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹, основными ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, химичСский состав повСрхности ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚рация Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ² структуры ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° эмиттСра ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ².

ЦСль Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π»Π°ΡΡŒ Π² Ρ‚СорСтичСском ΠΈ ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ исслСдовании Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ², ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ SALDI, ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Π½Π° ΡΡ‚ΠΎΠΉ основС ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ дСсорбции ΠΈ ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ с ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности крСмния.

Для достиТСния поставлСнной Ρ†Π΅Π»ΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ Ρ€Π΅ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ:

— Π‘ΠΎΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ схСму для ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ излучСния Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π΄Π»ΠΈΠ½ Π²ΠΎΠ»Π½ Π² ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ источник SALDI масс-спСктромСтра.

— Π˜ΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ с Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ химичСским составом, ΠΌΠΎΡ€Ρ„ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ΠΉ повСрхности ΠΈ ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€ΠΎΠΉ приповСрхностного слоя Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ эмиттСров ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² Π² ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π΅ SALDI.

— Π˜Π·ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² ΠΎΡ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ излучСния для Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² эмиттСров ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² ΠΈ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΠ² ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ основныС Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ излучСния Π² ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π΅ SALDI.

— ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅ΡΡ‚ΠΈ числСнныС расчёты для ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΊΠΈ измСнСния Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… повСрхностСй ΠΏΡ€ΠΈ воздСйствии Π½Π° Π½ΠΈΡ… ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ излучСния.

— ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅ΡΡ‚ΠΈ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎ-мСханичСскиС расчёты, ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ процСсс пСрСноса ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π° ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ностного ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½ΠΎΠ΄ΠΎΠ½ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π° ΠΊ Π°Π΄ΡΠΎΡ€Π±ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ»Π΅.

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ условия дСтСктирования органичСских соСдинСний ΠΈ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ SALDI Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ» ΠΊΠΎΡ„Π΅ΠΈΠ½Π°.

Научная Π½ΠΎΠ²ΠΈΠ·Π½Π°.

Π’ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ SALDI опрСдСляСтся ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ структурных Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ² Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΎΠ±ΠΎΡ€Π²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… связСй, Π²Ρ‹ΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π² Ρ€ΠΎΠ»ΠΈ Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Π° Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… носитСлСй заряда.

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹ основныС Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ излучСния, состоящиС Π² ΠΎΡ‡ΠΈΡΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΈ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΈ повСрхностного разупорядочСнного слоя, Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… носитСлСй Π² ΡΡ‚ΠΎΠΌ слоС ΠΈ Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΎΠ³Ρ€Π΅Π²Π΅, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π΄Π΅ΡΠΎΡ€Π±Ρ†ΠΈΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… соСдинСний.

Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ для эффСктивной ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ SALDI Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠ° ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ активация повСрхностного разупорядочСнного слоя ΠΏΡƒΡ‚Ρ‘ΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ повСрхности Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π² ΠΏΡ€ΠΈΡΡƒΡ‚ствии ΠΏΠ°Ρ€ΠΎΠ² Π²ΠΎΠ΄Ρ‹.

На ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎ-мСханичСских расчётов ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ локализация ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ заряда Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ностном SiOH-Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ (Π½Π° 4 эВ) ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ°Π΅Ρ‚ Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π° адсорбированной Π½Π° Π½Ρ‘ΠΌ ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ»Π΅.

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π° ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ» ΠΊΠΎΡ„Π΅ΠΈΠ½Π° ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ SALDI, ΠΎ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΠ²ΡˆΠ°Ρ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ -10″ .

На ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ тСорСтичСских ΠΈ ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… исслСдовании ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π° новая модСль SALDI, которая описываСт процСссы формирования ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² ΠΈ ΠΈΡ… Π΄Π΅ΡΠΎΡ€Π±Ρ†ΠΈΡŽ с ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… повСрхностСй.

ΠŸΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ.

ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ»Ρ‘Π½ΠΊΠΈ Π°ΠΌΠΎΡ€Ρ„Π½ΠΎΠ³ΠΎ крСмния a-Si Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ высокоэффСктивных эмиттСров ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² Π² SALDI. Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΏΠ»Ρ‘Π½ΠΊΠΈ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Π²ΠΎΡΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π° ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с ΠΈΠ·Π²Π΅ΡΡ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ эмиттСрами ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² Π² SALDI.

ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Π°Ρ модСль SALDI позволяСт ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ органичСских соСдинСний, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Ρ†Π΅Π»Π΅Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ поиск Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² для использования Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ эмиттСров ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ².

Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ с ΡƒΡ‡Ρ‘Ρ‚ΠΎΠΌ накоплСния Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ» Π½Π° Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ повСрхности ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ SALDI позволяСт Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΡ€Π΄Π½ΠΎ высокиС Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ опрСдСлСния ряда азотсодСрТащих органичСских соСдинСний. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ для тСрапСвтичСского лСкарствСнного ΠΌΠΎΠ½ΠΈΡ‚ΠΎΡ€ΠΈΠ½Π³Π°, для Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ Ρ„Π°Ρ€ΠΌΠ°ΠΊΠΎΠΊΠΈΠ½Π΅Ρ‚ΠΈΠΊΠΈ, Π² Π°Π½Π°Π»ΠΈΡ‚ичСской ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ для Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΡ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ опрСдСлСния органичСских соСдинСний Π² ΠΏΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚Π°Ρ….

ВыносимыС Π½Π° Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρƒ полоТСния.

— Π­Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ SALDI с ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… повСрхностСй опрСдСляСтся ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ структурных Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ² Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΎΠ±ΠΎΡ€Π²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… связСй, Π²Ρ‹ΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π² Ρ€ΠΎΠ»ΠΈ Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Π° Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… носитСлСй заряда.

— Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½ΠΎΠ² Π² ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π΅ SALDI ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ повСрхностныС SiOH-Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹, ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ диссоциации ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ» остаточных ΠΏΠ°Ρ€ΠΎΠ² Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности крСмния.

— Π”ля эффСктивной ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠ° ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ активация эмиттСра ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ², осущСствляСмая ΠΏΡƒΡ‚Ρ‘ΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ повСрхности Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π² ΠΏΡ€ΠΈΡΡƒΡ‚ствии ΠΏΠ°Ρ€ΠΎΠ² Π²ΠΎΠ΄Ρ‹.

— Π›ΠΎΠΊΠ°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ заряда Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ностном SiOH-Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π΅ адсорбции/дСсорбции ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ (Π½Π° 4 эВ) ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ°Π΅Ρ‚ Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π° адсорбированной ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ»Π΅.

— ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ излучСния Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ SALDI Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΎΡ‡ΠΈΡΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΈ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΈ повСрхностного слоя эмиттСра ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ², Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… носитСлСй ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΎΠ³Ρ€Π΅Π²Π΅ приповСрхностного слоя, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π΄Π΅ΡΠΎΡ€Π±Ρ†ΠΈΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… соСдинСний.

— ΠŸΡ€ΠΈ Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… условиях Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π° ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ SALDI позволяСт Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΡ€Π΄Π½ΠΎ высокиС Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ опрСдСлСния ряда азотсодСрТащих органичСских соСдинСний.

Апробация Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π±Ρ‹Π»ΠΈ прСдставлСны Π½Π° Π’сСроссийской ΠΊΠΎΠ½Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ «ΠΠ½Π°Π»ΠΈΡ‚ΠΈΠΊΠ° России» (2004), Ii-ΠΎΠΌ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄ΡƒΠ½Π°Ρ€ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ сСминарС-школС «ΠœΠ°ΡΡ-спСктромСтрия Π² Ρ…имичСской Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ΅, Π±ΠΈΠΎΡ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ΅ ΠΈ ΡΠΊΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ» (2004), XXII ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄ΡƒΠ½Π°Ρ€ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ЧугаСвской конфСрСнция ΠΏΠΎ ΠΊΠΎΠΎΡ€Π΄ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Ρ…ΠΈΠΌΠΈΠΈ (2005, Молдавия), Π½Π° VI ВсСроссийской ΠšΠΎΠ½Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ-школС «Π€ΡƒΠ½Π΄Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ вопросы масс-спСктромСтрии ΠΈ Π΅Ρ‘ Π°Π½Π°Π»ΠΈΡ‚ичСскиС примСнСния» (2010), Π½Π° IV ВсСроссийской ΠΊΠΎΠ½Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ с ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄ΡƒΠ½Π°Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ участиСм «ΠœΠ°ΡΡ-спСктромСтрия ΠΈ Π΅Ρ‘ ΠΏΡ€ΠΈΠΊΠ»Π°Π΄Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹» (2011).

ΠŸΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ.

По Ρ‚Π΅ΠΌΠ΅ диссСртации ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½ΠΎ 3 ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ ΠΈ 6 тСзисов Π΄ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄ΠΎΠ². Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° ΠΈ ΠΎΠ±ΡŠΡ‘ΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

ДиссСртация состоит ΠΈΠ· Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΡ, 4 Π³Π»Π°Π² ΠΈ ΡΠΏΠΈΡΠΊΠ° Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. ДиссСртация ΠΈΠ·Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π° Π½Π° 115 страницах, содСрТит 40 рисунков ΠΈ 4 Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρ‹.

Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹.

1. Π˜ΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ повСрхности крСмния, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ Π°Π½ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ, Π³Π°Π·ΠΎΡ„Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ травлСния, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΡƒΡ‚Ρ‘ΠΌ нанСсСния Π°ΠΌΠΎΡ€Ρ„Π½ΠΎΠ³ΠΎ слоя. Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ SALDI процСсса опрСдСляСтся ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ структурных Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ² Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΎΠ±ΠΎΡ€Π²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… связСй, Π²Ρ‹ΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π² Ρ€ΠΎΠ»ΠΈ Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Π° Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… носитСлСй заряда.

2. ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ расчёты энСргии, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠΉ для ΠΎΡ‚Ρ€Ρ‹Π²Π° ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π° ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ностного SiOH Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π° адсорбции, ΠΈ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ локализация ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ заряда Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ностном Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ (Π½Π° 4 эВ) ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ°Π΅Ρ‚ Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π° адсорбированной Π½Π° Π½Ρ‘ΠΌ ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ»Π΅.

3. Π­ΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ исслСдованы зависимости Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² ΠΎΡ‚ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚ности энСргии ΠΈ Π΄Π»ΠΈΠ½Ρ‹ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ излучСния. Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ SALDI сигнал ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ Π² Π΄ΠΎΡΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Π΄Π»ΠΈΠ½ Π²ΠΎΠ»Π½ излучСния ΠΈ ΡΠΊΡΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ нарастаСт с ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ плотности энСргии Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ излучСния.

4. УстановлСно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ основныС Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ излучСния состоят Π² ΠΎΡ‡ΠΈΡΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΈ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΈ повСрхностного разупорядочСнного слоя, Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… носитСлСй Π² ΡΡ‚ΠΎΠΌ слоС ΠΈ Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΎΠ³Ρ€Π΅Π²Π΅, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π΄Π΅ΡΠΎΡ€Π±Ρ†ΠΈΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… соСдинСний.

5. На ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ» ΠΊΠΎΡ„Π΅ΠΈΠ½Π° ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π° ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ SALDI ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ, ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΠ²ΡˆΠ°Ρ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ 10″ 3. Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ с ΡƒΡ‡Ρ‘Ρ‚ΠΎΠΌ накоплСния Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ» Π½Π° Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ повСрхности ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ SALDI позволяСт Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΡ€Π΄Π½ΠΎ высокиС Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ опрСдСлСния ряда азотсодСрТащих органичСских соСдинСний.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст

Бписок Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹

  1. B.C. О Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ раздСлСния ΠΈΠ·ΠΎΡ‚ΠΎΠΏΠΎΠ² ΠΌΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ рСзонансной Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² ΠΈ Ρ„отодиссоциации ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ» Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ: ΠžΡ‚Ρ‡Ρ‘Ρ‚ ЀИАН Π‘Π‘Π‘Π , 1969 ΠŸΡ€Π΅ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ‚ Π˜Π½Ρ‚ΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡƒΡ‚Π° спСктроскопии РАН Π‘Π‘Π‘Π  -М&bdquo- 1979, № 1, с. 1.
  2. B.C. Авт. свид. № 784 679 с ΠΏΡ€ΠΈΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΎΡ‚ 30.03.70. Π‘ΡŽΠ»Π»Π΅Ρ‚Π΅Π½ΡŒ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠΉ, 1982, № 8, с. 308.
  3. Letokhov V.S. Ambartzumian R.V. IEEE J. Quant. Electron., 1971, v. QE-7, p. 305.
  4. P.B. Калинин Π’. П., Π›Π΅Ρ‚ΠΎΡ…ΠΎΠ² B.C. Письма Π² Π–Π­Π’Π€, 1971, Ρ‚. 13 с. 305.
  5. Hercules D.M., Day R. J., Balasanmugam К., Dang T.A., Li C. P. Lasermicroprobe mass spectrometry. 7. Applications to structural analysis // Anal. Chem. 1982. Vol. 54, N 2. P. 280A-305A.
  6. Tanaka K., Ido Y., Akita S., Yoshida Y., Yoshida T. Proc. Second Japan-ChinaJoint Symposium on Mass Spectrometry. Osaka, Japan, 15−18 September 1987
  7. Tanaka K., Waki H., Ido Y" Akita S" Yoshida Y" YoshidaT., Matsuo T. Protein and polymer analysis up to m/z 100,000 by laser ionization time-of-flight mass spectrometry // Rapid Commun. Mass Spectrom. 1988. Vol. 2, N 8. P. 151−153
  8. Karas M., Bachmann D., Bahr U., Hillenkamp F. Matrix-assisted ultraviolet laser desorption of non-volatile compounds // Int. J. Mass Spectrom. 1987. Vol. 78, N 1. P. 53−68.
  9. Dass C. Fundamentals of contemporary mass spectrometry. New Jersey: John Wiley & Sons. 2007
  10. R. Knochenmuss R. Zenobi MALDI Ionization: The Role of In-Plume Processes. R Knochenmuss Ion formation mechanisms in UV-MALDI, K. Dreisewerd The Desorption Process in MALDI
  11. MALDI MS. A Practical Guide to Instrumentation, Methods and Applications. Edited by Franz Hillenkamp and Jasna Peter-Katalinic' Copyright © 2007 Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim ISBN: 978−3-527−31 440−9
  12. R. Knochenmuss. A quantitative model of ultraviolet matrix-assisted laser desorption/ionization // J. Mass Spectrom. 2002. № 37. C. 867
  13. Sunner J., Dratz E., Chen Y.C. Graphite surface-assisted laser desorption/ionization time-of-flight mass spectrometry of peptides and proteins from liquid solutions //Anal. Chem. 1995. Vol. 67, N 23. P. 4335−4342
  14. S. Alimpiev, S. Nikiforov, A. A. Grechnikov, V. Karavanskii, and Y. O. Simanovsky, RF Patent No. 2 285 253 October 10, 2006
  15. Chen W.-Y., Wang L.-S., Chiu H.-T. Carbon nanotubes as affinity probes for peptides and proteins in MALDI MS analysis // J. Am. Soc. Mass Spectrom. 2004. Vol. 15, N 11. P. 1629−1635.
  16. Pan C., Xu S., Zou H., Guo Z., Zhang Y., Guo B. Carbon nanotubes as adsorbent of solid-phase extraction and matrix for laser desorption/ionization mass spectrometry // J. Am. Soc. Mass Spectrom. 2005. Vol. 16, N 2. P. 263−270.
  17. Ren S.-F., Guo Y.-L. Oxidized carbon nanotubes as matrix for matrix-assisted laser desorption/ionization time-of-flight mass spectrometric analysis of biomolecules // Rapid Commum. Mass Spectrom. 2005. Vol. 19, N 2. P. 255−260.
  18. Ren S.-F., Zhang L., Cheng Z.-H. Immobilized carbon nanotubes as matrix for MALDI-TOF-MS analysis: applications to neutral small carbohydrates // J. Am. Soc. Mass Spectrom. 2005. Vol. 16, N 3. P. 333−339.
  19. Ren S.-F., Guo Y.-L. Carbon nanotubes (2,5-dihydroxybenzoyl hydrazine) derivative as pH adjustable enriching reagent and matrix for MALDI analysis of trace peptides // J. Am. Soc. Mass Spectrom. 2006. Vol. 17, N 7. P. 1023−1027.
  20. Wen X., Dagan S., Wysocki V.H. Small-molecule analysis with siliconnanoparticle-assisted laser desorption/ionization mass spectrometry // Anal. Chem. 2007. Vol. 79, N 2. P. 434−444.
  21. E. P. Go, J. V. Apon, G. Luo, A. Saghatelian. R. H. Daniels, V. Sahi, R. Dubrow, B. F. Cravatt, A. Vertes, and G. Siuzdak, «Desorption/ionization on Silicon Nanowires» //Anal. Chem. 2005 V.77, P. 1641
  22. Turney K., Drake T.J., Smith J.E. Functionalized nanoparticles for liquid atmospheric pressure matrix-assisted laser desorption/ionization peptide analysis // Rapid Commun. Mass Spectrom. 2004. Vol. 18, N 20. P. 2367−2374.
  23. Chen C.-T., Chen Y.-C. Molecularly imprinted Ti02-matrix-assisted laser desorption/ionization mass spectrometry for selectively detecting a-cyclodextrin // Anal. Chem. 2004. Vol. 76, N 5. P. 1453−1457.
  24. Chen C.-T., Chen Y.-C. Fe304/Ti02 core/shell nanoparticles as affinity probes for the analysis of phosphopeptides using Ti02 surface-assisted laser desorption/ionization mass spectrometry // Anal. Chem. 2005. Vol. 77, N 18. P. 5912−5919.
  25. Kirwan L.J., Fawell P.D., van Bronswijk W. In situ FTIR-ATR examination of poly (acrylic acid) adsorbed onto hematite at low pH // Langmuir. 2003. Vol. 19, N 14. P. 5802−5807.
  26. Sano A., Nakamura H. Chemo-affinity of titania for the column-switching HPLC analysis of phosphopeptides // Anal. Sci. 2004. Vol. 20, N 3.
  27. Teng C.-H., Ho K.-C., Lin Y.-S. Gold nanoparticles as selective and concentrating probes for samples in MALDI MS analysis // J. Am. Chem Soc. 2004. Vol. 126, N 11. P. 3392−3393.
  28. Shieh D.-B., Su C.-H., Chang F.-Y. Aqueous nickel-nitrilotriacetate modified Fe304-NH3 + nanoparticles for protein purification and cell targeting // Nanotechnology. 2006. Vol. 17, N 16. P. 4174−4182.
  29. Lee K-B., Park S., Mirkin C.A. Muticomponent magnetic nanorods for biomolecular separations // Angew Chem. Int. Ed. 2004. Vol. 43, N 23. P. 30 483 050.
  30. Xu C., Xu K., Gu H. Dopamine as a robust anchor to immobilize functional molecules on the iron oxide shell of magnetic nanoparticles // J. Am. Chem Soc. 2004. Vol. 126, N 32. P. 9938−9939.
  31. Pinkse M.W.H., Uitto P.M., Hilhorst M.J. Selective isolation at the femtomole level of phosphopeptides from proteolytic digests using 2D nanoLC-ESI-MS MS and titanium oxide precolumns // Anal. Chem. 2004. Vol. 76, N 14. P. 3935−3943.
  32. Bertozzi C.R., Kiessling L.L. Chemical glycobiology // Science. 2001. Vol. 291, N5512. P. 2357−2364
  33. Xu C., Xu K., Gu H. Nitrlotriacetic acid-modified magnetic nanoparticles as a general agent to bind histidine-tagged proteins // J. Am. Chem Soc. 2004. Vol. 126, N 11. P. 3392−3393
  34. Shariatgorji M., Amini N., Thorsen G., Crescenzi C., Ilag L.L. m-Trap for the SALDI-MS screening of organic compounds prior to LC/MS analysis // Anal. Chem. 2008. Vol. 80, N 14. P. 5515−5523
  35. Amini N., Shariatgorji M., Thorsen G. SALDI-MS signal enhancement using oxidized graphitized carbon black nanoparticles // J. Am. Soc. Mass Spectrom. 2009. Vol. 20, N 6. P. 1207−1213
  36. Rowell E., Hudson K., Seviour J. Detection of drugs and their metabolites in dusted latent fingermarks by mass spectrometry // Analyst. 2009. Vol. 134, N 4. P. 701−707
  37. Benton M., Chua M.J., Gu E., Rowell F., Ma J. Environmental nicotine contamination in latent fingermarks from smoker contacts and passive smoking // Forensic Sci. Int. 2010. Vol. 200, N 1−3. P. 28−34
  38. Pan C" Xu S., Hu L, Su X., Ou J., Zou H" Guo Z., Zhang Y" Guo B. Using oxidized carbon nanotubes as matrix for analysis of small molecules by MALDITOF MS // J. Am. Soc. Mass Spectrom. 2005. Vol. 16, N 6. P. 883−892
  39. Chun-Yuan Lo, Jia-Yi Lin, Wei-Yu Chen, Cheng-Tai Chen, and Yu-Chie Chen J Surface-Assisted Laser Desorption/ionization Mass Spectrometry on Titania Nanotube Arrays Am Soc Mass Spectrom 2008, 19, 1014 -1020
  40. Wei J., Buriak J., Siuzdak G. Desoption-ionization mass spectrometry on porous silicon // Nature. 1999. Vol. 399, N 6733. P. 434−444.
  41. Bisi O., Ossicini S., Pavesi L. Porous silicon: a quantum sponge structure for silicon based optoelectronics // Surf. Sci. Rep. 2000. Vol. 38, N 1−3. P. 1−126.
  42. Kim E.-M. Lee C.-S., Lee S.-H., Kim M.-S., Kim Y.-K., Kim B.-G. Enhancement of Analyte Ionization in Desoprtion/Ionization on Porous Silicon (DIOS)-Mass Spectrometry (MS) // Biotech, and bioprocess engin. 2005. Vol. 10, N 3. P. 212 217.
  43. Shen Z., Thomas J.J., Averbuj Π‘., Broo K.M., Engelhard M., Crowell J.E., Finn M.G., Siuzdak G. Porous silicon as a versatile platform for laser desorption/ionization mass spectrometry // Anal. Chem. 2001. Vol. 73, N 3. P.
  44. C.M. АлимпиСв Π‘. Π‘., Π“Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² А. А., ΠšΠ°Ρ€Π°Π²Π°Π½ΡΠΊΠΈΠΉ Π’. А., Π‘Π°Π½Π½Π΅Ρ€ Π–., Method of forming rough surface of silicon substrate and electrolyte for anodic etching of silicon substrates, in RF Patent No. 2 217 840. 2003.
  45. Alimpiev S., Nikiforov S., Karavanskii V., Sunner J. On the Mechanism of Laser-Induced Desorption-Ionization of Organic Compounds from Etched Silicon and Carbon Surfaces // J. Chem. Phys. 2001. Vol. 115, N 4. P. 1891 -1901.
  46. Chen Y., Vertes A. Adjustable fragmentation in laser desorption/ionization from laser-induced silicon microcolumn arrays // Anal. Chem. 2006. Vol. 78, N 16. P. 5835−5844.
  47. J. Kanasaki, «Formation and clustering of surface vacancies under electronic excitation on semiconductor surfaces» // Physica Π’ 2006 V. 376, P. 834
  48. F. Sanchez, J. L. Morenza, R. Aguiar, J. C. Delgado, and M. Varela, «Dynamics of the hydrodynamical growth of columns on silicon exposed to ArF excimer-laser irradiation» // Appl. Phys. Lett. 1996 V.69, P.620
  49. Π’. H. Her, R. J. Finlay, C. Wu, and E. Mazur, // Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 2000 V.70, P.383
  50. R.A.Street, Hydrogenated Amorphous Silicon // Cambridge University Press, Cambridge, 2006
  51. И.Π›ΠΈΡ„ΡˆΠΈΡ† О ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π΅ энСргСтичСского спСктра ΠΈ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… состояний нСупорядочСнных кондСнсированных систСм. // УЀН Π’ΠΎΠΌ LXXXIII Π²Ρ‹ΠΏ. 4 1964Π³.
  52. М.Н. Brodsky R.S.Title, «Electron Spin Resonance in Amorphous Silicon, Germanium, and Silicon Carbide» // Phys. Rev. Lett. 1969 V.23, P.581
  53. F. WangR. Schwarz//Phys. Rev. Π’ 1995 vol 52, P. 14 586−14 597
  54. К. P. H. Lui and F. A. Hegmann, //J. Appl. Phys. 2003 V.93, P.9012
  55. A. Esser, К. Seibert, Н. Kurz, G. N. Parsons, Π‘. Wang, Π’. N. Davidson, G. Lucovsky, and R. J. Nemanich, // Phys. Rev. Π’ 1990 V.41, P.2879
  56. R. G. Hennig, P. A. Fedders, and A. E. Carlsson Electronic structure of dangling bonds in amorphous silicon studied via a density-matrix functional method //PHYSICAL REVIEW Π’ 2002 V.66, P. 195 213
  57. A. Matsuda, «Recent understanding of the growth process of amorphous silicon from a silane glowdischarge plasma» // Plasma Phys. Controlled Fusion V. 39, P. A431
  58. A. Matsuda, «Recent understanding of the growth process of amorphous silicon from a silane glowdischarge plasma» // Plasma Phys. Controlled Fusion V. 39, P. A431
  59. Kruse R.A., Li X., Bohn P.W., Sweedler J.V. Experimental factors controlling analyte ion generation in Laser Desorption/Ionization mass spectrometry on porous silicon // Anal. Chem. 2001. Vol. 73, N 15. P. 3639−3645. 123
  60. Xiao Y., Retterer S.T., Thomas D.K., Tao J.-Y., He L. Impacts of surface morphology on ion desorption and ionization in Desorption Ionization on Porous Silicon (DIOS) mass spectrometry // J. Phys. Chem. C. 2009. Vol. 113, N 8. P. 3076−3083.
  61. Luo G., Chen Y., Siuzdak G., Vertes A. Surface modification and laser pulse length effects on internal energy transfer in DIOS // J. Phys. Chem. B. 2005. Vol. 109, N 51. P. 24 450−24 456.
  62. А.А., Π‘ΠΎΡ€ΠΎΠ΄ΠΊΠΎΠ² А. Π‘., АлимпиСв Π‘. Π‘., Никифоров Π‘. М., Бимановский Π―. О., ΠšΠ°Ρ€Π°Π²Π°Π½ΡΠΊΠΈΠΉ Π’. А. // Масс-спСктромСтрия, 2010. 7 (1), 53.
  63. Y., Chen Н., Aleksandrov A., Orlando Th.M. // J. Phys. Chem., 2008 V. 112, P.695 375.0kuno S., Arakawa R., Okamoto K., Matsui Y., Seki S., Kozawa Π’., Tagawa S., Wada Y. // Anal. Chem., 2005 V.77, P.5364
  64. Π’.Π’., ΠŸΠΈΡ…Ρ‚Π΅Π»Π΅Π² А. Π ., Π Π°Π·Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Π° М. О. // Масс-спСктромСтрия, 2006. 3 (2), с.113
  65. Bisi О., Ossicini S., Pavesi L. Porous silicon: a quantum sponge structure for silicon based optoelectronics // Surf. Sci. Rep. 2000. Vol. 38, N 1−3. P. 1−126.
  66. А.А., АлимпиСв Π‘. Π‘., ΠšΠ°Ρ€Π°Π²Π°Π½ΡΠΊΠΈΠΉ Π’. А., Никифоров Π‘. М., Бимановский Π―. О. Бпособ получСния наноструктурированных ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠ΅ΠΊ. // ΠŸΠ°Ρ‚Π΅Π½Ρ‚ Π Π€ № 2 364 983. 05.12.2007
  67. Π•.Π‘. Π’Π΅Π½Ρ‚Ρ†Π΅Π»ΡŒ «Π’Сория вСроятностСй» // ΠΈΠ·Π΄. Π’Ρ‹ΡΡˆΠ°Ρ школа, 2001
  68. G., Halimaoui A., Herino R. " Porous silicon: The material and its applications in silicon-on-insulator technologies" // Appl. Surf. Sci., 1989, V.41−42, P. 604
  69. Northen T.R., Woo H.K., Northen M.T., Nordstrom A., UritboonthailW., Turner K.L., Siuzdak G. //J. Am. Soc. Mass Spectrom., 2007 V.18, P. 1945
  70. H. Campbell and P. M. Fauchet, Solid State Commun., 1986 V.58, P.739
  71. Π’.Π€., ΠšΡ€Ρ‹Π»ΠΎΠ² О. Π’. «Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ явлСния Π² Π°Π΄ΡΠΎΡ€Π±Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΊΠ°Ρ‚Π°Π»ΠΈΠ·Π΅ Π½Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°Ρ… ΠΈ Π΄ΠΈΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΠΊΠ°Ρ…» // М.: Наука, 1979
  72. Π‘., Π›Π΅Π²ΠΈ Π”ΠΆ. ΠŸΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚Π½Ρ‹Π΅ (таммовскиС) состояния. // М.: ΠœΠΈΡ€, 1973. с. 232 с
  73. Fundamental Physics of Amorphous Semiconductors: Proc. of the Kyoto Summer Institute. Kyoto, Japan, September 8—1 1, 1980/Ed. by F. Yonezawa. Berlin- Heidelberg- New York: Springer-Verlag, 1981
  74. Alex A. Granovsky, Firefly version 7.1.G, www http://classic.chem.insu.su/gran/firefly/index.html
  75. Π”ΠΆ. Π‘Π»Π΅Ρ‚Π΅Ρ€ «Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚ронная структура ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ»» // ΠΏΠ΅Ρ€. Ρ Π°Π½Π³Π». Изд. ΠœΠΈΡ€ 1965
  76. ERNEST R. DAVIDSON and DAVID FELLER «Basis Set Selection for Molecular Calculations» Chem.Rev.(1988).86.661−696.
  77. G.A., Zhurko D.A., ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° chemcraft для Π²ΠΈΠ·ΡƒΠ°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… расчётов молСкулярных систСм URL http://chemcraftprog.com.
  78. П. «Π€ΠΈΠ·ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ химия» Π’. 1 // ΠΏΠ΅Ρ€. Ρ Π°Π½Π³Π». Изд. МИР Москва 1980
  79. НСС К. Park, Xianfan Xu, and Costas P. Grigoropoulos, Nhan Do Leander Klees, P. T. Leung, and Andrew C. Tam Temporal profile of optical transmission probefor pulsed-laser heating of amorphous silicon films // Appl. Phys. Lett. 1992 V.61 (7), P. 17
  80. Singh R., Viatella J. Simulation of Laser Interactions with Materials // Gainesville: University of Florida, 2006.
  81. М.Π‘ΠΎΡ€Π½, Π­. Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ„ «ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Ρ‹ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΊΠΈ» // Изд. Наука 1973
  82. Π‘Π°Π·Π° Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… оптичСских ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ Angstrom Sun Technologies Inc. URL: http://www.angstec.com/
  83. Π‘Π°Π·Π° Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… института ΠΈΠΌ. Π˜ΠΎΡ„Ρ„Π΅ URL: http://www.iΠΎffe.ru/SVA/NSМ/
  84. M.O.Lampert, J.M. Koebel, P. Siffer «Temperarute dependence of the reflectance of solid and luquid silicon» // J. Appl. Phys. 1981 V.52(8)
  85. H. Nagai, Y. Nakata, T. Tsurue, H. Minagawa, K. Kamada, E. Gustafsson, and T. Okutani, // Jpn. J. Appl. Phys., 2000 Part 1 39, P. 1405
  86. Xiao Liu, J. L. Feldman, D. G. Cahill, R. S. Crandall, N. Bernstein 1, D. M. Photiadis, M. J. Mehl, and D. A. Papaconstantopoulos «High Thermal Conductivity of a Hydrogenated Amorphous Silicon Film» // PHYSICAL REVIEW LETTERS 2009 V.102 P.35 901
  87. S. Volz, X. Feng, C. Fuentes, P. Guerin and M. Jaouen «Thermal Conductivity Measurements of Thin Amorphous Silicon Films by Scanning Thermal Microscopy, // International Journal of Thermophysics, Vol. 23, No. 6, November 2002 P. 1645
  88. Hidekazu Kobatake, Hiroyuki Fukuyama, and Izuru Minat Takao Tsukada Satoshi Awaji Noncontact measurement of thermal conductivity of liquid silicon in a static magnetic field // APPLIED PHYSICS LETTERS 2007, V.90, P.094−102
  89. U.J., Szelagiewicz M., Hofmeier U.Ch., Pitt C., Cianferani S. // J. Therm. Anal. Calorim., 1999 V.57, P.45
  90. Alimpiev. S., Grechnikov A., Sunner J., Karavanskii V., Simanovsky Ya., Zhabin S., and Nikiforov S. On the role of defects and surface chemistry for surface-assisted laser desorption ionization from silicon // J. Chem. Phys. 2008. V.128. P. 1 4711(19).
  91. Π’ΠΊΠ»Π°Π΄ соавторов ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ