Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Физико-технологическое моделирование ионно-легированных МОП-транзисторных структур

Диссертация: Физико-технологическое моделирование ионно-легированных МОП-транзисторных структур
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Проведен анализ влияния диффузионного перераспределения и сегрегации примесей, имплантированных в систему вЮг-Эг Показано, что для практически применяемых параметров технологии результирующий профиль можно описать гауссовским распределением с погрешностью не более 10% для фосфора и 5% для бора. Использование дважды интегрируемого гауссовского распределения легирующей примеси позволяет избежать… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. Моделирование МОП-транзисторныхктур (литературный обзор)
    • 1. 1. Общие принципы моделирования в микроэлектронике
      • 1. 1. 1. Иерархия моделей
      • 1. 1. 2. Система фундаментальных уравнений физики полупроводниковых приборов
      • 1. 1. 3. Геометрические модели МОП-приборов
    • 1. 2. Модели физических параметров
      • 1. 2. 1. Профиль распределения легирующей примеси
      • 1. 2. 2. Модели подвижности носителей заряда
    • 1. 3. Модели МОП-транзисторов с неоднородным распределением примеси в подзатворной области
    • 1. 4. Модели базовых элементов МОП ИС
    • 1. 5. Методы определения электрофизических параметров МОП-структур
  • ГЛАВА 2. Полуаналитическое моделирование статических параметров ионно-легированных МОП-приборов
    • 2. 1. Профили распределения концентрации имплантированной примеси в подзатворных областях МОП-приборов
    • 2. 2. Расчет параметров ОПЗ в полупроводниках с гауссовским распределением легирующей примеси. Полуаналитическая модель ионно-легированного МОП-транзистора обогащенного типа
    • 2. 3. Моделирование МОП-транзистора обедненного типа

Физико-технологическое моделирование ионно-легированных МОП-транзисторных структур (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

В современной технологии микроэлектроники и, в первую очередь, в МОП-производстве основным методом легирования полупроводников является процесс ионной имплантации, применяемый, в частности, для корректировки порогового напряжения обогащенных МОП-транзисторов, предотвращения смыкания истоковых и стоковых областей на слаболегированных подложках, создания встроенных каналов. Распределение легирующей примеси в приграничной области полупроводника определяет статические характеристики МОП-приборов, а так как вследствие ионной имплантации это распределение становится существенно неоднородным, то возникает необходимость наиболее полного учета влияния неоднородного распределения примеси на характеристики приборов. Применяемые в большинстве существующих аналитических моделей МОП-приборов простые аппроксимации профиля легирования приводят к большим погрешностям моделирования, а использование более точных численных моделей, учитывающих реальный профиль распределения легирующей примеси, требует значительных вычислительных ресурсов и приводит к значительному увеличению времени расчёта, что ограничивает их применение для оптимизации технологических процессов на стадии производства МОП ИС. В связи с этим актуальной задачей является создание оптимального метода расчета электрофизических характеристик ионно-легированных полупроводников и, на его основе, комплекса моделей основных элементов МОП интегральных схем, имеющих достаточно высокую точность при минимальных вычислительных ресурсах. 5.

Все модели в большей или меньшей степени идеализируют моделируемый объект, в частности, в моделях МОП-приборов, как правило, не рассматриваются такие параметры, как зарядовые свойства границы раздела окисел-полупроводник и планарная неоднородность параметров изготовления, а их влияние учитывается полуэмпирически. В первую очередь это такие параметры, определяющие рабочие характеристики МОП-приборов, как распределение плотности граничных состояний и планарная неоднородность распределения малой дозы легирующей примеси. Повышение точности методов электрофизического контроля указанных параметров в процессе производства ионно-легированных МОП ИС представляется не менее актуальной задачей.

Цель работы. Разработка метода расчета областей пространственного заряда в ионно-легированных полупроводниках и, на его основе, комплекса технологически ориентированных аналитических и полуаналитических моделей базовых элементов МОП ИС: ионно-легированных транзисторов обедненного и обогащенного типа, п (р)-канальных и КМОП инверторов, а также повышение точности методов электрофизического контроля основных параметров ионно-легированных МОП-структур: распределения плотности граничных состояний и планарной однородности малой дозы имплантированной примеси.

Для реализации этой цели в работе решались следующие задачи:

1. Разработка полуаналитического метода расчета параметров областей пространственного заряда (ОПЗ) в ионно-легированных полупроводниках.

2. Разработка физической модели МОП-транзистора обедненного типа, пригодной для технологически ориентированного моделирования.

3. Разработка физико-технологических моделей статических параметров МОП-транзисторов обедненного и обогащенного типа с ионно6 легированной подзатворной областью на основе полуаналитического метода расчета параметров ОПЗ.

4. Анализ корреляции статических параметров интегрального п (р)-канального МОП-инвертора и создание методики повышения процента выхода годных МОП ИС по статическим параметрам пары тестовых транзисторов.

5. Применение разработанных физико-технологических моделей МОП-транзисторов для оптимизации процесса изготовления КМОП ИС.

6. Повышение точности контроля энергетического спектра граничных состояний в ионно-легированных МОП-структурах.

7. Разработка способа контроля планарной однородности малых доз имплантированной примеси.

При решении поставленных задач использовались методы физического и математического моделирования, численные методы решения трансцендентных уравнений, для экспериментальной апробации новых методик применялись наиболее распространенные электрофизические методы исследования МОП-структур.

Научная новизна. В работе получены следующие новые результаты:

1. Разработан полуаналитический метод расчета параметров ОПЗ в полупроводниках с гауссовским распределением легирующей примеси, показана область практической применимости гауссовской функции для описания профиля имплантированной примеси с учетом диффузионных и граничных эффектов.

2. Разработана физическая модель МОП-транзистора обедненного типа, не использующая полуэмпирических параметров и пригодная для технологически ориентированного моделирования. 7.

3. Разработаны полуаналитические физико-технологические модели статических параметров ионно-легированных МОП-транзисторов обедненного и обогащенного типа.

4. Выделены факторы, обуславливающие корреляцию между статическими параметрами интегрального п (р)-канального МОП-инвертора и проведён анализ их влияния на эту зависимость. Разработаны рекомендации по оптимизации процесса изготовления МОП ИС.

5. Предложен уточнённый метод выравнивания абсолютных значений пороговых напряжений транзисторов КМОП ИС с применением физико-технологической модели обогащенного МОП-транзистора.

6. Предложены способы контроля планарной однородности малых доз имплантированной примеси и электрофизических параметров ионно-легированных МОП-структур высокочастотными вольт-фарадными методами. Проведён анализ изменения энергетических спектров граничных состояний в МОП-структурах после ионной имплантации.

Практическая ценность результатов работы. Представленные в настоящей работе полуаналитические модели базовых элементов МОП ИС могут найти широкое применение в условиях промышленного производства МОП-приборов и интегральных схем, так как содержат ясное физическое описание основных характеристик приборов, не требуют больших вычислительных ресурсов и хорошо согласуются с экспериментальными данными. Существенно повышается точность контроля энергетических спектров граничных состояний ионно-легированных МОП-структур благодаря учету неоднородного распределения легирующей примеси в полупроводнике. Усовершенствованная 8 мкостная методика контроля планарной однородности малой дозы ионной имплантации повышает точность контроля в 2−3 раза.

Положения, выносимые на защиту:

1. Полуаналитический метод расчета параметров ОПЗ в полупроводниках с гауссовским распределением легирующей примеси.

2. Физическая модель МОП-транзистора обедненного типа, не использующая полуэмпирических параметров и пригодная для технологически ориентированного моделирования.

3. Полуаналитические технологически ориентированные модели статических параметров ионно-легированных МОП-транзисторов обедненного и обогащенного типа.

4. Анализ корреляции статических параметров интегрального п (р)-канального МОП-инвертора. Рекомендации по оптимизации процесса изготовления п (р)-канальных МОП ИС.

5. Уточнённый способ выравнивания абсолютных значений пороговых напряжений транзисторов КМОП ИС с применением полуаналитической физико-технологической модели обогащенного МОП-транзистора.

6. Аналитическая модель высокочастотных вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МОП-структур с гауссовским профилем распределения примеси в полупроводнике. Способы контроля планарной однородности дозы имплантированной примеси и энергетического спектра граничных состояний ионно-легированных МОП-структур.

Апробация работы. Основные результаты, представленные в диссертационной работе, докладывались на Третьей и Пятой Международных 9 конференциях по моделированию приборов и технологий (Обнинск, 1994, 1996), Второй Международной конференции по электромеханике и электротехнологии (Крым, 1996), 1997 MRS Spring Meeting (San-Francisco, 1997), Второй Всероссийской научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Таганрог, 1995), Второй Всероссийской научно-технической конференции «Электроника и информатика» (Зеленоград, 1997).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 15 печатных работ, список которых приведен в конце автореферата, в том числе 7 тезисов докладов на научных конференциях и 8 статей в местной и центральной научной печати.

Структура работы. Диссертационная работа состоит из введения, четырёх глав, заключения с общими выводами и списка литературы из 104 наименований, содержит 35 рисунков и 2 таблицы. Общий объём диссертации составляет 133 страницы.

Выводы.

1. Разработан простой аналитический способ расчета теоретических вольт-фарадных характеристик МОП-структур с гауссовским профилем распределения легирующей примеси в подложке для использования в методах емкостной спектроскопии поверхностных состояний.

2. Предложена прецизионная методика определения энергетических спектров граничных состояний в ионно-легированных МОП-структурах, позволяющая избежать ошибок в определении, вызванных сложным профилем легирования полупроводника. Проведен анализ влияния ионной имплантации на характер энергетического спектра ПС.

3. Предложена методика контроля планарной однородности дозы имплантированной примеси с использованием отношения максимальной и минимальной емкостей МОП-структуры. Учет различия глубины ОПЗ в реальной и эффективной однородно легированной структурах позволяет повысить точность определения дозы с 15−20% до 6−7% как для бора, так и для фосфора. Методика достаточно проста и удобна для автоматизации.

Заключение

.

1. Проведен анализ влияния диффузионного перераспределения и сегрегации примесей, имплантированных в систему вЮг-Эг Показано, что для практически применяемых параметров технологии результирующий профиль можно описать гауссовским распределением с погрешностью не более 10% для фосфора и 5% для бора. Использование дважды интегрируемого гауссовского распределения легирующей примеси позволяет избежать численного решения уравнения Пуассона и свести задачу нахождения параметров ОПЗ к решению трансцендентного уравнения, что при высокой точности предложенного метода минимизирует вычислительные затраты.

2. Разработанные на основе предложенного полуаналитического метода расчета параметров ОПЗ единообразные квазиодномерные полуаналитические модели МОП-транзисторов обогащенного и обедненного типов согласуются с экспериментальными данными с погрешностью не более 5%. Использование в явном виде таких технологических параметров как энергия и доза имплантируемых примесей и параметры термообработок позволяет применять предложенные модели для оптимизации технологических процессов на стадии производства МОП ИС.

3. Проведен анализ корреляционной связи статических параметров пары тестовых транзисторов п (р)-канальных МОП-инверторов. Получены параметрические зависимости тока стока насыщения транзистора обедненного типа от порогового напряжения транзистора обогащенного типа. Рассмотрено влияние свойств границы раздела окисел — полупроводник на эту зависимость с использованием полуаналитического моделирования. Предложены способы оптимизации технологии изготовления МОП ИС для повышения процента выхода годных изделий по статическим параметрам тестовых транзисторов. Предложена точная методика расчета корректирующей дозы ионной имплантации для выравнивания пороговых напряжений транзисторов, •составляющих КМОП инвертор с использованием разработанной полуаналитической модели МОП-транзистора, позволяющая минимизировать затраты на оптимизацию КМОП-процесса.

Разработан простой аналитический способ расчета теоретических вольт-фарадных характеристик МОП-структур с гауссовским профилем распределения легирующей примеси в подложке для корректного исследования параметров границы раздела ионно-легированных МОП-структур емкостными методами. Показано, что ионная имплантация малых доз легирующей примеси не оказывает существенного влияния на характер энергетического спектра граничных состояний.

Разработана методика контроля планарной однородности дозы имплантированной примеси по отношению максимальной и минимальной емкостей МОП-структуры. Учет реального гауссовского профиля имплантированной примеси повышает точность контроля до 6−7%.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.А. Вычислительный эксперимент в задачах технологии. // Вестник АН СССР. 1984. № 11. С. 17−29.
  2. К., Сарсон Т. Структурный системный анализ: средства и методы. В 2-х частях. Пер. с англ. Под ред. А. В. Козлинского. М.: Эйтекс. 1993.
  3. Л.И. Методы подобия и размерности в механике. М.: Наука. 1977.
  4. Van Roosbroek W.V., Theory of Flow of Electrons and Holes in Germanium and Other Semiconductors. // Bell. Syst. Techn. J. 1950. V. 29. P. 560−607.
  5. Marhsak A. H. Shrivastava R., Law of the Junction for Degenerate Material with Position-Dependent Band Gap and Electron Affinity. // Solid-State Electron. 1979. V. 22. P. 567−571.
  6. Van Overstraeten R.J., De Man H.J., Mertens R.P., Transport Equation in Heavy Doped Silicon.// IEEE Trans. Electron Devices. 1973. V. ED-20. P. 290−298.
  7. Van Vliet K.M., The Shokley Like Equations for the Carrier Densities and the Current Flows in Materials with a Nonuniform Composition. // Solid-State Electron. 1980. V. 23. P. 49−53.
  8. Frey J., Physics Problems in VLSI Devices.// in: Introduction to the Numerical Analysis of Semiconductor Devices and Integrated Circuits. Boole Press. Dublin. 1981. P. 47−50.
  9. Hess K., Ballistic Electron Transport in Semiconductors. // IEEE Trans. Electron Devices. 1981. V. ED-28. P. 937−940.
  10. Frey J., Transport Physics for VLSI. // in: Introduction to the Numerical Analysis of Semiconductor Devices and Integrated Circuits. Boole Press. Dublin. 1981. P. 51−57.125
  11. Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits. Edited by P. Antognetti at. al. Martinus Nijhoff Publishers. Boston. 1983.
  12. Зи С. Физика полуроводниковых приборов: в 2-х кн. // Пер. с англ. В. А. Гергеля и др.- под ред. Р. А. Суриса. М.: Мир. 1984.
  13. Маллер 3., Кейминц Т. Элементы интегральных схем. // Пер. с англ. Е. З. Мазеля, Л. С. Ходоша. М.: Мир. 1989.
  14. Рао Н.С. at. al. Effects of Diffusion Current on Characteristics of MOST. // IEEE Trans. Electron Devices. 1965. Vol. ED-12, P. 139−145.
  15. Nischida M, Aoyama M. An improved definition for the onset of heavy inversion in an MOS structure with nonuniformly doped semiconductors. IEEE Trans. Electron Devices. 1980 V. ED 27. No 7. P. 1222 — 1230.
  16. Booth R.V. and at. The Effect of Channel Implants on MOS Transistor Characterization. // IEEE Trans. Electron Devices. 1987. V. ED-34. No 12. P. 25 012 509.
  17. Shenai K. Analytical solution for threshold voltage calculation in ionimplanted IGFET’s. //Sol. -St. Electron. 1983. V. 26. P. 761 766.
  18. Wang P. Double boron implant shortchannel MOSFET. // IEEE Trans. 1977. V. ED-24. P. 196−204.
  19. B.A., Миргородский Ю. Н., Тихомиров П. А., Квазиодномерная модель МОП-транзистора с неоднородно легированной подзатворной областью. // Электронная техника, сер. 3. Микроэлектроника. 1990. Вып. 5(139). С. 64−68.
  20. Н.Б., Сидоренко В. П., Модель МОП-транзистора с ионно-легированным индуцированным каналом. // Эл. техника. Сер.З. вып. 4. С. 22−31.
  21. Weng Т. On the shift of threshold voltage of nonuniformly doped MOS transistors. // Sol. -St. Electron. 1980. V. 23. P. 283 284.126
  22. Button R.W., Hansen S.E., Process Modeling of Integrated Circuit Device Technology. // Proc. IEEE. 1981. V. 69. P. 1305−1320.
  23. Lindhard J, Scharff M., Sciott H.E., // Kgl. Danske Videnskab., Selskab., Mat. Phys. Medd. 1963. V. 33. No. 14.
  24. Biersack J.P. Calculation of projected ranges analytical solutions and a simple general algorithm // Nucl. Inst. & Methods. 1981. V. 182/183. P. 199.
  25. W.K., // Philips Res. Repts., Suppl. 1975. No. 8.
  26. Ishivara H. and at. in: Ion Implantation in Semiconductors. Plenum Press, New York. 1975.
  27. Ryssel H., Ruge I., lonenimplantation. Teubner. Stuttgart. 1978.
  28. Gibbons J., Johnson W.S., Mylorie S.W., Projected Range Statistics. Halsted Press. Strandsberg. 1975.
  29. Selberherr S., Guerro E., Simple and Accurate Representation of Implantation Parameters by Low Order Polynomials. // Solid State Electron., 1981.V. 24. P. 591−593.
  30. Lee H. at al. Modeling and measurement of surface impurity profiles of laterally diffused regions. // IEEE J. Sol.-St. Circuits. 1978. V. S€-13. P.455−461.
  31. Baccarini G., Landini F. and Ricco B. Depletion-mode MOSFET model including a field-dependent surface mobility // IEEE Proc. 1980. V. 127. P. 62.
  32. Ohno U. and Okuto Y. Electron mobility in n-channel depletion-type MOS transistors // IEEE Trans. Electron Devices. 1982. ED-29. P. 190.
  33. Wu C.Y. and Daih Y.W. An accurate mobility model for the l-V characteristics of n-channel enhancement-mode MOSFETs with single-channel boron implantation // Solid-St. Electron. 1985. V.28. P. 1271.
  34. Wu C.Y. and Hsu K.C. Mobility models for the l-V characteristics of buried-channel MOSFETs // Solid-St. Electron. 1985. V.28. P. 917.127
  35. Jacoboni C., Canali C., Ottaviani G., Quaranta A.A., A Review of Some Charge Transport Properties of Silicon. // Solid-State Electron. 1977. V.20. P. 77−89.
  36. Seeger K., Semiconductor Physics. Springer. Wien. 1973.
  37. Caughey D.M., Thomas R.E., Carrier Mobilities in Silicon Empirically Related to Doping and Field. // Proc. IEEE. 1967.V.52. P. 2192−2193.
  38. Engl W.L., Dirks H., Models of Physical Parameters. // in: Introduction to the Numerical Analysis of Semiconductor Devices and Integrated Circuits. Boole Press. Dublin. 1981. P. 42−46.
  39. Caughey D.M., Thomas R.E. Carrier Mobilities in Silicon Empirically Related to Doping and Field. // Proc. IEEE. 1967. V. 52. P. 2192−2193.
  40. Coen R.W., Muller R.S., Velocity of Surface Carriers in Inversion Layers in Silicon. //Solid-State Electron. 1980. V.23. P. 35−40.
  41. Sabnis A.G., Clemens J.T., Characterization of the Electron Mobility in the Inverted <100> Si-Surface. // Proc. Int. Electron Devices Meeting. 1979. P. 18−21.
  42. Sun S.C., Plummer J.D., Electron Mobility in Inversion and Accumulation Layers on Thermally Oxidized Silicon Surfaces. // IEEE Trans. Electron Devices. 1980. V. ED-27. P. 1497−1508.
  43. Selberherr S., Zweidimensionale Modelirung von MOS-Transistoren. Wien. Technische Universitat. 1981.
  44. N.D., // Solid-St. Electron. 1987. V. 30. P. 559.
  45. Bhattacharya A.B. et al., // IEEE Trans. Electron Devices. 1985. ED-32. P.545.
  46. Hung Chen T. and Shur M.S., // IEEE Trans. Electron Devices. 1985. ED-32.1. P. 18.
  47. Dang L.M. and Iwai H. Modeling the impurity profile in an ion-implanted layer of IGFET for the calculation of threshold voltages // IEEE Trans. Electron Devices.1 281 981. ED-27. P. 199.
  48. Rao G. R. M., // Solid-St. Electron. 1978. V. 21. P. 495.
  49. Dasgupta A. and Lahiri S. K., A new boron implanted model suitable for analytical modeling of threshold voltage of MOSFETs // Sol.-St. Electron. 1987. V. 30. P. 1283−1287.
  50. Taylor G. W., Chatterjee P. K. and Chao H. H. A device model for buried-channel CCD’s and MOSFET’s with gaussian impurity profiles // IEEE Trans. Electron Devices. 1980. ED-27. P. 199.
  51. Taylor G. W., Darley H. M., Frye R. C. and Chatterjee P. K. A device model for an ion-implanted MESFET// IEEE Trans. Electron Devices. 1979. ED-26. P. 172.
  52. Brews J. R., Threshold shifts due nonuniform doping profiles in surface chanell MOSFETs. // IEEE Trans, Electron Devices. 1979. ED-26. P. 1696−1710.
  53. Chatterjee P. K., Leiss J. E. and Taylor G. W., // IEEE Trans. Electron Devices. 1981. ED-29. P. 1810.
  54. Ratnam P. and Saiama C. A. T. A new approach to the modeling on nonuniformly doped short-channel MOSFETs // IEEE Electron Devices. 1984. ED-31. P. 1289.
  55. Karmalkar S. and Bhat K. N. // IEEE Electron Device Lett. 1987. EDL-8, P.457.
  56. Karmalkar S. and Bhat K. N. // IEEE J. Solid-State Circuits. 1989. SC-24,139.
  57. Karmalkar S. and Bhat K. N. The shifted-rectangle approximation for simplifying the analysis of ion-implanted MOSFETs and MESFETs // Solid-State Electronics. 1991. V.34. P. 681−692.
  58. Ratnakumar K N. and Meindi J. D" // IEEE J. Solid-State Circuits. 1982. SC-17, P. 937.129
  59. Rogers D. M., Hayden J. D. and Rinerson D. D., // IEEE Trans. Electron Devices. 1986. ED-33, P. 955.
  60. Chern J.G.J, at. all. Computer-aided device optimization for MOS/VLSI // IEEE Trans. Electron Devices Letters, 1980. V. EDL-1, pp. 170−172.
  61. Шур M. Физика полупроводниковых приборов: в 2-х кн. / пер. с англ. A.A. Кальфа и др. М.: Мир. 1992.
  62. Э. И др. Равномерные численные методы решения задач с пограничным слоем. М.:Мир. 1983.
  63. П.М., Крупкина Т. Ю. Моделирование МОП-транзистора с узким каналом.//Эл. техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1981. Вып. 3. С.12−20.
  64. Т.Ю., Шишигина Л. Ю. Моделирование МОП-транзистора с коротким каналом. //Эл. техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1981. Вып. 2. С.28−34.
  65. Т.Ю., Романов С. Н. Оптимизация параметров МОП-транзистора по пороговому напряжению. // Эл. техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1985. Вып. 4. С. 47−54.
  66. Т.Ю. Расчет характеристик МОП-транзистора с неоднородным распределением примеси в подложке. // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1985. Т. 28. № 12 Сс.31−34.
  67. Sigmon T.W., Swanson R. MOS threshold shifting by ion-implantation. // Sol.-St. Electr. 1973. V.16. P.1217.
  68. Moschwitzer A. A simple threshold model for depletion MOST. // Phys. St. Sol. 1979. V.53. P.43
  69. П.М., Песоченко O.A., Шишина Л. Ю. Моделирование МОП-транзистора обедненного типа с малыми размерами. // Микроэлектроника. 1986. Т. 15. С. 156−162.
  70. Huang J.S.T., Taylor G.W. Modeling of an ion-implanted silicon gate depletion mode IGFET// IEEE Trans. Electron Devices, 1975, V. ED-22, P. 995.
  71. Yau L.D. A simple theory to predict the threshold voltage of short channel IGFET. // Sol.-St. Electr. 1974. V.17. P. 1059−1063.
  72. Akers L.A., Sanchez J.J. Threshold voltage models of short, narrow and small geometry MOSFETs: a review. //Sol.-St. Electr. 1982. V.25. P. 621−641.
  73. Технология СБИС. / Под ред. С. Зи: Пер. с англ. В 2-х кн. М.: Мир. 1986.456 с.
  74. В.Ф., Левин А. Ю., Быкадорова Г. В. Оптимизация допусков на дозу имплантации и статические параметры тестовых транзисторов в производстве МОП СБИС. //Деп. ВИНИТИ. 1989. № 3783-В89.
  75. В.А., Сурис Р. А. Теория поверхностных состояний и проводимости в структурах металл- диэлектрик- полупроводник // ЖЭТФ. 1983. Т. 84. Вып. 2. С. 719−736.
  76. Berglund С. Surface states at steam-grown Si-Si02 interfaces // IEEE Trans. Electron. Dev. 1966. ED-13. № 11. P. 701−712.
  77. Terman L.M. An investigation of surface states at a silicon silicon oxide interface employing metal — oxide — silicon diodes // Sol.-St. Electron. 1962. V. 5. № 3. P. 155−163.131
  78. Iwauchi S. and Tanaka T. Characteristics of silicon silicon dioxide structures formed by DC reactive sputtering // Jap. Jour. Appl. Phys. 1968. V. 7. № 10. P. 12 371 246.
  79. E.H. Физика и метрология МОП-структур. Воронеж. Воронежский госуниверситет. 1997. 184 с.
  80. Garrett C.G., Brattain W.H. Physical theory of semiconductor surfaces // Phys. Rev. 1955. V. 99. № 2. P. 376−397.
  81. Lindner R. Semiconductor surface varactor// Bell Syst. Tech. Jour. 1962. V. 41. № 3. P. 803−831.
  82. P.С. Теория поверхностной емкости // ФТТ. 1964. Т. 6. № 4. С. 1115−1124.
  83. В.В., Концевой Ю. А., Федорович Ю. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь. 1985. 264 с.
  84. .И. Диффузия в полупроводниках. М.: Физматгиз. 1961. 462 с.
  85. Н.Н., Самарски й А.А. Уравнения математической физики. М.- Физматгиз. 1951. 680 с.
  86. Bormontov E.N., Lezhenin V.P. Si-Si02 interface property vs T with respect to boron. // 1997 MRS Spring Meeting. San-Francisco. Symposium E. Abstract #10 425.
  87. A.H. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. М.: Высшая школа. 1989. 320 с.
  88. Bormontov E.N., Lezhenin V.P., Lukashkov V.V. The influence of impurity segregation on the boron-doped HMOSFET performance. // Proc. of the 5th Int. Conf. on Simulation of Devices and Technologies. Obninsk. 1996. P. 103.
  89. Bormontov E.N., Golovin S.V., Lezhenin V.P., Synorov V.F. Quasi-monodimensional numerical-analytic model of MOSFET with nonuniformly doped132sub-gate region. // The Third Int. Conf. on Simulation of Devices and Technologies. Obninsk. 1994. P. 68−69.
  90. H. С., Жидков H.П. Методы вычислений. // М.: Физматгиз. 1962. В 2-х книгах.
  91. A.A., Бормонтов E.H., Головин C.B., Леженин В. П. Расчет порогового напряжения МОП-транзистора с неоднородно легированной подложкой. // Межвуз. сб. научных трудов «Элементы и устройства микроэлектронной аппаратуры». Воронеж. ВГТУ. 1995. С. 83−88.
  92. E.H., Леженин В. П. Численно-аналитическая модель МОП-транзистора с неоднородно легированной подзатворной областью. // Микроэлектроника. 1995. Т. 24. № 5. С. 343−348.
  93. E.H., Леженин В. П., Лукин C.B. Аналитическая модель МОП-транзистора со скрытым каналом. // Тез. докл. II Всероссийской науч.-техн. конф. «Электроника и информатика». Зеленоград. 1997. С. 118−119.
  94. E.H., Леженин В. П., Сай И.В. Полуаналитическая модель МОП-транзистора со встроенным ионно-легированным каналом. // Микроэлектроника. 1997. Т. 26. № 1. С. 38−41.
  95. Е.Н., Вялых С. А., Леженин В. П., Лукин С. В. Оптимизация процесса изготовления п(р)-канальных МОП ИС по статическим параметрам пары тестовых транзисторов. И Микроэлектроника. Т. 27. 1998. С 282−287.
  96. Bormontov E.N., Lezhenin V.P. A semi analytic n (p)-channel MOS inverter model for 1С production process optimization. // Proc. of the 5th Int. Conf. on Simulation of Devices and Technologies. Obninsk. 1996. P. 43.
  97. Nicollian E.H., Goetzberger A. The Si-Si02 interface electrical properties as determined by metal insulator — silicon conductance technique // Bell Syst. Tech. Jour. 1967. V. 46. № 5. P. 1055−1133.
  98. В.Г., Горбань А. П. Основы физики микроэлектронных систем металл диэлектрик — полупроводник. Киев: Наукова думка, 1978. 315 с.
  99. Е.Н., Баев А. А., Головин С. В., Леженин В. П. Способ контроля планарной однородности ионной имплантации // Микроэлектроника. 1998. Т.27. № 5. С. 330−334.
  100. Е.Н., Головин С. В. Автоматизированная установка для контроля и анализа электрофизических характеристик МОП-структур // Известия вузов. Электроника. 1998. № 4. С. 95−100.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!