Лазерная генерация структурных дефектов и твердофазное разрушение поверхности кремния
Целью данной работы являлось экспериментальное исследование процессов твердофазного разрушения поверхности монокристаллического кремния при импульсном и импульсно-периодическом воздействии субмикросекундных импульсов YAG: Nd лазера. Исследование динамики лазерного твердофазного разрушения поверхности материала при импульсно-периодическом лазерном воздействии (при различном периоде повторения… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА 1. ВВЕДЕНИЕ
- ГЛАВА 2. ГЕНЕРАЦИЯ ДИСЛОКАЦИЙ И РАЗРУШЕНИЕ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ИМПУЛЬСНО-ПЕРИОДИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ YAG: Nd ЛАЗЕРА
- 2. 1. Генерация дислокаций при лазерном воздействии и многоимпульсное лазерное разрушение поверхности кремния (введ. к гл. 2)
- 2. 2. Эксперимент. Экспериментальная установка
- 2. 3. Исследование разрушения поверхности образцов при лазерном воздействии одиночных импульсов
- 2. 4. Экспериментальные результаты полученные при импульсно-периодическом лазерном воздействии в вакууме
- 2. 5. Результаты исследования поверхности облученных образцов после обработки в травителе
- 2. 6. Интерпретация полученных результатов и оценки размера образующихся дислокаций
- 2. 7. Выводы по гл
- ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНЕЙ АТМОСФЕРЫ НА ПРОЦЕССЫ ОБРАЗОВАНИЯ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ И РАЗРУШЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ ПРИ ЛАЗЕРНОМ ВОЗДЕЙСТВИИ
- 3. 1. Диффузия газов в обогащенном дефектами поверхностном слое материала при лазерном воздействии (введ. к гл. 3)
- 3. 2. Экспериментальные результаты, полученные при воздействии одиночных лазерных импульсов в на образцы в атмосфере газов
- 3. 3. Экспериментальные результаты, полученные при импульсно-периодическом лазерном воздействии на воздухе
- 3. 4. Интерпретация наблюдаемых в эксперименте аномальных изменений сигнала рассеяния луча пробного лазера
- 3. 5. Выводы по гл
- ГЛАВА 4. СВЕЧЕНИЕ, НАБЛЮДАЕМОЕ ПРИ ЛАЗЕРНОМ ТВЕРДОФАЗНОМ РАЗРУШЕНИИ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ
- 4. 1. Эмиссия частиц, сопровождающая начальные стадии разрушения материалов (введ. к гл. 4)
- 4. 2. Экспериментальная установка и диагностика свечения при лазерном твердофазном разрушении поверхности кремния
- 4. 3. Результаты регистрации свечения в плоскости, касательной к поверхности образца
- 4. 4. Результаты свечения поверхности
- 4. 5. Интерпретация наблюдаемых экспериментальных фактов свечения в надповерхностной области образца
- 4. 6. Интерпретация зарегистрированного в эксперименте свечения поверхности при воздействии лазерных импульсов
- 4. 5. Выводы по гл
Лазерная генерация структурных дефектов и твердофазное разрушение поверхности кремния (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Итак, существует множество работ, посвященных воздействию лазерного пучка на поверхность полупроводников. Выше была перечислена только малая их часть. Однако, в данной области существуют малоисследованные вопросы, актуальность которых несомненна как с точки зрения фундаментальных аспектов, так и с точки зрения технологических приложений. Данная диссертация посвящена таким малоисследованным и актуальным вопросам.
Целью данной работы являлось экспериментальное исследование процессов твердофазного разрушения поверхности монокристаллического кремния при импульсном и импульсно-периодическом воздействии субмикросекундных импульсов YAG: Nd лазера.
На основании данной цели работы были поставлены задачи исследования:
1. Определение типа, размеров и концентрации структурных дефектов, с генерацией которых в поверхностном слое при лазерном воздействии, связано разрушение материала.
2. Исследование динамики лазерного твердофазного разрушения поверхности материала при импульсно-периодическом лазерном воздействии (при различном периоде повторения и плотности мощности лазерных импульсов).
3. Исследование влияния внешней атмосферы на процессы твердофазного лазерного разрушения поверхности кремния.
Структура диссертационной работы:
Диссертация состоит из введения, трех глав и заключения. В каждой главе (кроме введения) представлены результаты оригинальных экспериментальных иссследований. Во введении (гл.1) дан краткий обзор научной литературы по рассматриваемой проблеме, приведено содержание работы по главам, изложена научная новизна, актуальность и практическая ценность полученных результатов.
Основные результаты и выводы диссертационной работы могут быть сформулированы следующим образом:
1. Показано, что твердофазное разрушение поверхности монокристаллического кремния при импульсно-периодическом воздействии субмикросекундных импульсов Nd: YAG лазера (tp=300 ns, А=1,06 цт, /=2.5-г3.4 MW/cm) связано с генерацией и увеличением размеров дислокационных петель, образующихся в поверхностном слое материала.
2. Установлена зависимость Nc=f (I, t) критического числа лазерных импульсов Nc, приводящих к разрушению поверхности, от интенсивности (плотности мощности) лазерного импульса I и периода следования импульсов t.
3. Установлено, что при воздействии лазерных импульсов на кремний в присутствии окружающего газа образуются неоднородности рельефа поверхности, релаксирующие через аномально продолжительное время по-окончании лазерного импульса. Измерены пороги появления времена релаксации данных неоднородностей.
4. Показано, что образование таких неоднородностей связано с диффузией атомов газа в насыщенном дефектами поверхностном слое образца.
5. Установлено, что твердофазное разрушение поверхности кремния при лазерном воздействии может сопровождаться нетепловым свечением.
В заключении автор выражает глубокую благодарность своим научным руководителям, доктору физ.-мат. наук, профессору B.C. Голубеву и кандидату физ. — мат. наук А. Ф. Банишеву за предоставленную интересную и актуальную тему диссертационной работы, постоянное внимание, помощь и поддержку в работе.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
.
В данной диссертационной работе были исследованы актуальные вопросы взаимодействия мощного лазерного излучения с поверхностью непрозрачных твердых тел, связанные с генерацией в тонком поверхностном слое материала высокой концетрации структурных дефектов. Экспериментально исследовалось твердофазное разрушение поверхности^ монокристаллического кремния под действием субмикросекундных импульсов YAG: Nd лазера.
Список литературы
- У. Дьюли. Лазерная технология и анализ материалов. — М., Мир, 1986.
- В.П. Вейко, С. М. Метев. Лазерные технологии в микроэлектронике.- София, изд. Б АН, 1991.
- Аратюнян Р.В., Баранов В. Ю., Большов Л. А., Малюта Д. Д., Сербант А. Ю. Воздействие лазерного излучения на материалы.-М.: Наука, 1989.
- Карлов Н.В., Кириченко Н. А., Лукьянчук Б. С. Лазерная термохимия.-М: Наука, 1992.
- А.А. Веденов, Г. Г. Гладуш., Физические процессы при лазерной обработке материалов. М., Энергоатомиздат, 1985.
- Хайбуллин И.Б., Смирнов Л. С., Импульсный лазерный отжиг полупроводников. Состояние проблемы и нерешенные вопросы., ФТП, т. 19, № 4, с.569−591, 1985.
- С.Ю. Карпов, Ю. В. Ковальчук, Ю. В. Погорельский. Итоги науки и техники, серия «Физические основы лазерной и пучковой технологии», т. 1, с.5−48., 1988
- Бобырев В.А., Бойко В. И., Бункин Ф. В., и др., Генерация и отжиг неравновесных дефектов под действием лазерного излучения \ Известия АН СССР.Сер.Физ., 1987, т.51, № 6,с.1180
- Бункин Ф.В., Кирченко Н. А., Лукъянчук Б. С., Термохимическое действие лазерного излучения: фундаментальные проблемы, кинетйка, технология, \ Известия АН СССР.Сер.Физ., 1987, т.51, № 6,c.l 116
- Ю.Бункин Ф. В., Кирченко Н. А., Лукъянчук Б. С., Термохимическое действие лазерного излучения, УФН, т.138, № 1, 1982, с. 45.
- П.В. И. Бойко, Б. С. Лукьянчук, Е. Р. Царев. Лазерная генерация неравновесных дефектов в твердом теле, Труды ИОФАН, т. ЗО, 6(1991).
- J.F. Ready. Effects of High Power Laser Radiation. Academic Press, NY-London, 1971.
- M. Von Allmen. Laser Beam Interaction with Materials. Springer-Verlag, 1987.
- C.A. Ахманов, В. И. Емельянов, Н. И. Коротеев, В. Н. Семиногов, Воздействие мощного лазерного излучения на поверхность полупроводников и металлов: Нелинейно-оптические эффекты и нелинейно-оптическая диагностика \ УФН, т. 147, вып.4, 1985, с. 675.
- Вьюков Л.А., Емельянов А. В., Ермолов А. В., Лазерные процессы в технологии микроэлектроники, Известия АН СССР. Сер.Физ., 1987, т.51, № 6, с. 1203.
- Ф.Х. Мирзоев, В. Я. Панченко, Л. А. Шелепин, Лазерное управление процессами в твердом теле, УФН, т.166,№ 1, с. 1−32, 1996.
- Вавилов B.C., Кекелидзе Н. П., Смирнов Л. С. Действие излучений на полупроводники: Учебное руководство.-М.: Наука, 1988.
- В.Л. Комолов, Электронно-тепловая генерация дефектов в' слабопоглощающем полупроводнике под действием света, ЖТФ, 1994, т.64, № 7, с. 64.
- И.Е. Поюровская, В. Л. Комолов, Динамика оптического пробоя прозрачных конденсированных сред. \ ЖТФ, Т. 54, № 3, 1984, 583.
- В.И.Емельянов, П. К. Кашкаров, Дефектообразование в приповерхностном слое полупроводников при лазерном воздействии, Шоверхность, 1990, № 2, с. 77.
- Кашкаров П.К., Тимошенко В. Ю., Дефектообразование в полупроводниках под действием импульсного лазерного облучения, \Поверхность, 1995, № 5, с.5−34.
- Ефимова А.И., Кашкаров П. К., Петров В. И., Тимошенко В. Ю., Лазерно-индуцированное образование дефектов в приповерхностных слоях материалов АШВУ\ Поверхность, 1990, № 8, с.94.
- Emel’yanov V.I., Kashkarov Р.К., Laser Induced Defect Formation in Semiconductors, \ Appl. Phys., A, 1992, Vol.55, p.161.
- Кашкаров П.К., Киселев В. Ф., Петров A.B., Влияние лазерного облучения на поверхностные состояния германия \ Поверхность, 1982, № 12, с.47
- J. Borgoin, M. Lannoo: Point Defects in Semiconductors. II Experimental Aspects. Springer Berlin, Heidelberg, 1983.
- M. Ramamoorthy, E.L. Briggs, J. Bernholc, Defect energetics and impurity incorporation mechanisms at the arsenic-passivated Si (100) surface, Phys Rev. В., v.60, pp. 8178−8184, 1999.
- В.Л. Комолов, M.H. Либенсон, Г. Д. Шандыбина, Разогрев и лазерное разрушение полупроводников, Изв. АН СССР, Сер. физ., т.49, № 6, с.1103−1110, 1985.
- Кашкаров П.К., Киселев В. Ф., Нетермические процессы в полупроводниках при лазерном облучении, Изв. АН СССР, Сер. физ., т.50, № 3, с.435−440, 1986.
- Bagratashvili V.N., Banishev A.F., Emel’yanov V.I. et al., Formation of periodic ring structures of defect and voids under laser vapour deposition of metallic films, \ Appl. Phys. A, 1991, 52, 438.
- Mogyorosi P., Piglmayer K. and Bauerle D., «Ar+ Laser-Induced Chemical Etching of Molibdenium in Clorine Atmosphere» \ Surface Science, 1989, 208, 232−244.
- Шлыков Ю.Г. Образование структур дефектов на поверхности полупроводников под действием мощного лазерного излучения. Диссертация на соискание уч. степени канд. физ-мат. наук, спец. 01.04.10, Москва-МГУ, 1997.
- Emel’yanov V.I., «Generation-Diffusion-Deformational Instabilities and Formation of Ordered Defect Structures on Surfaces of Solids under the Action of Strong Laser Beams», \ Laser Physics, 1992, 2, 4, 390
- Б.Л.Володин, В. И. Емельянов, «Дефектно-деформационный механизм образования пор, дислокационных петель и дислокационных структур и его экспериментальные проявления», \Известия акад. наук, сер.физ., 1991, 55, № 7, с.1274−1285
- Emel’yanov V.I., Shlykov Yu.G. «Entropy Barrier of Diffusion-Strain Nucleation of Clusters of Point Defect in Laser-Irradiated Solids», \ Laser Physics, 1996, v.6, 4, pp.712−720
- Емельянов В.И., Кашкаров П. К., Шлыков Ю. Г., «Диффузионно-деформационная нуклеация кластеров точечных дефектов. Сравнение с экспериментом», \ Препринт физического факультета МГУ, 1997 г., № 15 /1997,14 с
- Eshelby J.D., 1956, The Continuum Theory of Lattice Defects, Solid State Physics, 3, (New York: Academic Press)
- Вейко В.П., Шахно E.A., Индуцированное лазером локальное осаждение тонких пленок, Оптический журнал, т. 65, № 10, с. 102, 1998.
- Ю.Т. Левицкий. Макроскопические дефекты структуры и свойства материала.: М., Наука, 1988 200 с.
- А.Я. Нашельский Технология полупроводниковых материалов.: М., Метуллургия, 1972 432 с.
- Н. Baumgart, F. Phillipp and H.J. Leamy, Defect formation in CW CO2 laser annealed silicon. Proc. Laser and Electron-Beam Interaction With Solids, Elsevier Sc. Publ. Сотр., 1982, pp. 355−360.
- G.EJ. Eggermont, D.F. Allison, S.A. Gee and all, Characterization of Laser Induced Backside Damage For Gettering Purposes. Proc. Laser and Electron-Beam Interaction With Solids, Elsevier Sc. Publ. Сотр., 1982, pp. 615−620.
- J. Narayan, Pulsed Laser Anealing of Al, Ni, and MgO Containing Nickel Precipitates. Proc. Laser and Electron-Beam Interaction With Solids, Elsevier Sc. Publ. Сотр., 1982, pp. 389−394.
- C.B. Винценц, С. Г. Дмитриев, О. Г. Шагимуратов. Мгновенные профтли квазистатических деформаций и смещений поверхностей твердых тел пр локальном импульсном лазерном облучении., ФТТ, Т. 38, № 4, с. 993, N1996.
- Банишев А.Ф., Новиков М. М. Образование обратимых и необратимых структурных дефектов на поверхности кремния под действием лазерного импульса, ФХОМ, 1992, № 4, с. 55−58.
- Физико-химические. методы обработки ' поверхности полупроводников. Под ред. Луфт Б. Д., М.:'Радио и связь, 1982, 136 с.
- Банишев А.Ф., Емельянов В. И., Володин Б. Л., Мерзляков К. С., «Образование периодических структур дислокаций при лазерном воздействии на поверхность полупроводников» \ Физ. Тверд. Тела, 1990, Т.32, С. 2529.
- Вейко В.П., Дорофеев И. А., Либенсон М. Н. и др., «Образование периодических структур на поверхности кремния под действием импульса неодимового лазера миллисекундной длительности», \ Письма в ЖТФ, Т.10, вып.1,с.15, 1984
- Вейко В.П., Либенсон М. Н., Яковлев Е. Б., «Формирование регулярных структур на поверхности кремния под действием миллисекундного импульса неодимового лазера», \Известия Акад. наук сер. Физ., 1985, Т.49, N 6, С.1236
- Banishev A.F., Emel’yanov V.I. and Novikov M.M., «Defect Oredering and Changes in Silicon Surface Morphology under Linearly Polarized Millisecond Pulsed Laser Irradiation» \ Laser Physics, 1992, 2,2,178−189
- Emel’yanov V.I., «Generation-Diffusion-Deformational Instabilities and Formation of Ordered Defect Structures on Surfaces of Solids under the Action of Strong Laser Beams», \ Laser Physics, 1992, 2, 4, 390
- J. Lauzeral, D. Walgraef, and N.M. Ghoniem, Rose Deformation Patterns in Thin Films Irradiated by Focuced Laser Beams, Phys. Rev. Lett., V. 79, N 14, pp. 2706−2706.
- C.S.Lee, N. Koumvakalis, M.Bass. Single and Multiple Pulse Catastrophic Damage in Diamond-Turned Cu and Ag Mirrors at 10.6, 1.06, and 0.532 pm, Opt. Eng., Vol. 22, N 4, 1983, pp. 419−423.
- C.S.Lee, N. Koumvakalis, M.Bass. A Theoretical Model For Multiple-Pulse Laser-Induced Damage to Metal Mirrors, J. Appl. Phys, Vol. 54, N 10, 1983, pp. 5727−5731.
- P.M.Fauchet, «Gradual surface transitions on semiconductors induced by multiple picosecond laser pulses», WPhys. Lett., 1983, 93A, 3, 155−162
- Jones S.C., Braunlich P et al., «Recent Progres on Laser-Induced Modification and Intristic Bulk Damage of Wide-Gap Optical Materials», \ Opt. Eng., 1989, Vol. 28, p. 1039
- Володин Б.Л., Емельянов В. И., Шлыков Ю. Г., «Взрывное накопление точечных дефектов как механизм многоимпульсного разрушения поглощающих сред» \ Квантовая электроника, 1993, Т.20, 1, С.57
- Р.М. Fauchet, А.Е. Siegman. Appl. Phys., А32, р.135−140., 1983
- S.C.Jones, P. Braunlich, R.T.Casper, P. Kelly, F-center accumulation as amechanism of multiple-pulse, laser-induced bulk damage in KBr and KI at 532 nm, WNucl. Instrum. Meth.Phys. Res., Beam Interact. Mat., 1990, В 46, 231−234
- Колдунов М. Ф., Маненков А. А. Механизмы взаимодействия мощных сверхкоротких лазерных импульсов с прозрачными твердыми телами.\ Известия АН сер. фяз. Т.63, № 4, 1999, с.786−796.
- Колдунов М. Ф., Маненков А. А., Покотило И. Л. Взаимосвязь характеристик лазерного излучения в статистической теории \ Квантовая электроника, т. 30, № 7, 2000, с. 592−597.
- Демчук А.В., Пристрем A.M., Данилович Н. И., Лабунов В. А., Образование периодических структур на кремнии при воздействии лазерного излучения миллисекундной длительности \ ЖТФ, т.56. вып.4., 1986, с. 810.
- Демчук А.В., Лабунов В. А., Поверхностные периодические структуры в перекристаллизованных слоях поликристаллического кремния импульсным лазерным излучением наносекундной длительности \ Поверхность, 1992, № 4, с.85.
- Демчук А.В., Лабунов В. А., Образование дендритных структур прилазерной перекристаллизации слоев поликристаллического кремния на монокристаллических кремниевых подложках. \ Поверхность, 1991, № 7, с. 82.
- В.В. Воронов, С. И. Долгаев, С. В. Лаврищев и др. Формирование конических микроструктур при импульсном лазерном испарении твердых тел \ Квантовая электроника, т.30, № 8, 2000, с. 710−714.
- А.Ф. Банишев, В. С. Голубев, А. Ю. Кремнев, Генерация и накопление дислокаций на поверхности кремния при воздействии импульсно-периодического излучения YAG: Nd^a3epa. ЖТФ, т. 71, № 8, 33,2001.
- А. F. Banishev, V.S. Golubev, A.Yu. Kremnev, Investigation of structural defect accumulation and relaxation on silicon surface under periodic-pulse laser radiation, Proc. SPIE, V. 4429, p. 88−95, 2001.
- G.H. Gilmer, Т. Diaz de la Rubia, D.M. Stock, M. Jaraiz, Diffusion and interactions of point defects in silicon: molecular dynamics simulations, Nucl. Ins. and Meth. in Phys. Res. В, V. 102, pp. 247−255, 1995.
- Г. В.Гадияк, Г. А. Качурин, И. Е. Тысченко. Влияние конкурирующих стоков на эволюцию профилей распределения имплантируемого в кремний азота: численное моделирование \ ФТП, т.30, вып.11, 1996, с. 1960
- В.В.Михнович, Т. В. Фирсова. Модель кинетики формирования радиационных дефектов в кремниевых диодных структурах \ ФТП, т.24, вып.1, 181(1990).
- Дж.Кристиан. Теория фазовых превращений в металлах и сплавах. М.:Мир, 1978, Ч.1,с.806.
- А.Ф. Банишев, В. С. Голубев, А. Ю. Кремнев, Инициируемая воздействием лазера аномальная диффузия кислорода в обогащенном дефектами поверхностном слое кремния. Письма в ЖТФ, Т.26, вып.2, с. 8, 2000.
- A.F. Banishev, V.S. Golubev, A.Yu. Kremnev. Abnormal increase of time of oxygen diffusion with oxidation of silicon surface under action of powerful laser pulses. Proc. SPIE, Vol. 3888, p. 339, 2000. AHPLA' 99, 1−5 November 1999, Osaka, Japan.
- Шипатов Э.Т. Имплантация ионов в полупроводники: Учеб. пособие.-Ульяновск:УлГУ, 1998.-199 с.
- Палатник JI.C., Черемской П. Г., Фукс М.Я.- Поры в пленках. М.:Энергоиздат, 1982. 214с.
- Вавилов B.C., Челядинский А. Р. Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения. УФН, 1997, т. 153, № 3, с. 347−358.
- Свойства элементов: Справ, изд. В 2-кн. Кн. 1. Под ред. Дрица М.Е.-М.: Металлургия, 1997, 432 с.
- B.Burton and M.V. Speight., The coarsening and annigilation kinetics of dislocation loops. Phil. Mag. A, 1986, Vol. 53, N 3, pp. 385−402.
- И.В.Крылова, Экзоэмиссия. Химический аспект., Успехи химии, 1976, т.55, № 12, с. 2138.
- И.В.Крылова, Экзоэмиссия, сопровождающая адсорбцию, десорбцию и фазовые переходы на поверхности., Изв. АН. Сер. Физ., Т.62., № 10, 1998, с. 2009.
- Конюшкина Н.И., Крылова И. В., Алексеев В. А., Ашурлы З. И. О возможности применения метода экзоэмиссии для контроля состояния поверхности материалов ИК- оптики \ Поверхность, 1990, № 8, с.67
- Р.И.Минц, И. И. Мильман, В. И. Крюк, Экзоэлектронная эмиссия полупроводников., УФН, 1976, т.119, № 4, с. 750.
- J.T.Dickinson, L.B. Brix, L.C. Jensen, Electron and Positive Ion Emission Accompanyng Fracture of Wint-o-green Lifesavers and Single-Crystal Sucrose, J.Phys.Chem., 1984, Vol.88, pp. 1698−1701.
- J. Т. Dickinson, A. Jahan-Latibari, L. S. Jensen. Electron emission and acoustic emission from the fracture of graphite/epoxy composites., J. of Material Sciences, vol.20, p. 229−236, 1985.
- B .Н.Смирнов, Оптико-механическая промышленность, № 7, с. 1, 1986.
- В.П.Крутякова, В. Н. Смирнов. Свечение щелочно-галлоидных кристаллов под действием импульсов излучения с А,=10.6 мкм., ЖТФ, т. 48, №.4, с. 844, 1978.
- В.Н.Смирнов, Вл.Н.Смирнов. Анализ характера напряженного состояния прозрачного диэлектрика, обусловленного нагревом поглощающих включений импульсами оптического излучения., ЖТФ, т. 48, №.4, с. 860, 1978.
- В.П.Крутякова, В. Н. Смирнов, Исследование природы свечения щелочно-галоидных кристаллов под действием импульсов излучения с А,=10.6мкм., Письма в ЖТФ, т. З, № 22, с. 1190.
- Э.Ф. Лазнева, И. Н. Федоров., Исследование испарения и десорбции с поверхности никеля при лазерном воздействии \ Письма в ЖТФ, том 12, вып. 7, с. 393, 1986.
- А.Ф.Банишев, Е. А. Балыкина, «Разрушение поверхности кремния и меди при импульсном и импульсно-периодическом воздействии YAG: Nd-лазера», Квантовая электроника, N6, с. 557, 1997.
- А.Ф. Банишев, В. С. Голубев, А. Ю. Кремнев, Разрушение поверхности кремния в твердой фазе при воздействии импульсов YAG: Nd-лазера. Квантовая электроника, Т. 25, № 10, с. 941, 1998.
- A.F.Banishev, V.S.Golubev, A.Yu.Kremnev. Emission of particles by solid-phase laser-induced destruction of silicon surface. Proc. SPIE, vol.3734, p. 271, 1999.
- М. Ф. Колдунов, А. А. Маненков, И. Л. Покотило., Теория лазерного разрушения диэлектрических покрытий, обусловленного поглощающими включениями, Оптический журнал, 1996, № 2, с. 31.
- М.Н. Либенсон, B.C. Макин, В. А. Ширяев, М. Дж. Сволоу., Поверхностные периодические структуры при оптическом пробое прозрачных диэлектриков, Оптический журнал, 1996, № 2, с. 27.
- Л.Я. Минько, Ю. А. Чивель., Исследование характера начального разрушения металлов при импульсном лазерном воздействии, Оптический журнал, 1996, № 2, с. 60.
- М.Н. Либенсон, B.C. Макин, Ю. И. Пестов, В. В. Трубаев., Образование регулярного рельефа на поверхности кремния под действием поляризованного лазерного излучения, Оптический журнал, 1996, № 2, с. 78.
- Емельянов В.И., Макин В. С., Уварова И. Ф., Образование упорядоченных вакансионно деформационных структур на поверхности металла при лазерном облучении., ФХОМ, 1990, № 2, с. 12.
- Демчук А.В., Лабунов В. А., Формирование поверхностных периодических структур при лазерной перекристаллизации кремниевых слоев с неоднородным рельефом поверхности., ФХОМ, 1990, № 2, с. 31.
- Железный B.C., Логинов В. А., Плотников А. И., Рембеза С. И., Особенности локального плавления кремния при электронно-лучевом нагреве., ФХОМ, 1990, № 2, с. 138.
- А.П. Петраков, В. А. Бушуев., Рентгенодифракционные методы исследования точечных дефектов образующихся в монокристаллах кремния при импульсном лазерном воздействии., Письма в ЖТФ, том 19, вып. 19, с. 92.
- В.И. Емельянов, А. В. Рогачева., Рекомбинационно-стимулированный рост дислокационной петли в полупроводнике приинтенсивной лазерной накачке электрон дырочных пар., Письма в ЖТФ, том 28, вып. 11, 2002, с. 91.
- Chaplanov A.M., Tochitsky E.L., Thin Solid Films, 1984, vol. 116, p. 117−128.
- В. А. Бушуев, А. П. Петраков., Рентгенодифрактометрическая диагностика лазерной диффузии алюминия в кремний., ЖТФ, Т. 70, вып. 5,2000, с. 92−96.
- А. П. Петраков, Е. А. Голубев., Рентгенодифрактометрические исследования изменений структуры приповерхностных слоев кремния в процессе лазерной диффузии бора., ФТТ, 1998, т.40, № 1, с. 156−160.
- В. А. Бушуев, А. П. Петраков., Исследование влияния лазерного отжига на структуру приповерхностных слоев ионно-имплантированного кремния методом рентгеновской дифрактометрии, ФТТ, 1993, т. 35., № 2, с. 355−364.
- В.И. Фистуль, A.M. Павлов., Лазерная имплантация примесей в кремний, ФТП, 1983, т. 17, вып. 5, с. 854−857.
- Стрекалов В.Н., Диффузия в условиях лазерного отжига полупроводников., ФТП, 1986, т. 20, вып. 2, с. 361−363.
- В. Л. Винецкий, Г. Е. Чайка., Диффузия атомов в неметаллических кристаллах, стимулированная рекомбинацией носителей тока., ФТТ, 1982, т.24., вып. 7, с. 2170−2176.
- Атомная диффузия в полупроводниках. Под ред. Д. Шоу, М.:Мир, 1975,688 с.
- Ю.А. Чивель, B.C. Чирвоный, И. В. Сазанович., Пикосекундная лазерная абляция металлов и кремния., Изв. РАН, сер. физ, 2001, т. 65, № 4, с. 555−557.
- Е.А. Шахно., Лазерная абляция тонкой пленки под действием термических напряжений., Изв. РАН, сер. физ, 2001, т. 65, № 4, с. 562−565.
- С. В. Винценц, А. В. Зотеев, Г. С. Плотников., О порогах возникновения неупругих деформаций в поверхностных слоях Si и GaAs при многократном импульсном лазерном облучении., ФТП, 2002, т.36, вып. 8, с. 902−906.
- С.В. Винценц, А. В. Зайцева, Г. С. Плотников., Самоорганизация лазерноиндуцированных точечных дефектов на начальных стадиях неупругих фотодеформаций германия., ФТП, 2003, т. 37, вып. 2, с. 134−141.