Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Диагностические методы оценки качества и надежности полупроводниковых приборов с использованием низкочастотного шума

Диссертация: Диагностические методы оценки качества и надежности полупроводниковых приборов с использованием низкочастотного шума
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на международных научно-технических семинарах «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «(Москва, 2001;2004 гг.), Всероссийской научно-технической конференции молодых ученых и студентов (Красноярск, 2002 г.), IV Международной научно-технической конференции (Зеленоград, 2002 г.), IX международной научно-технической… Читать ещё >

Содержание

  • Общая характеристика работы
  • Глава 1. МОДЕЛИ МЕХАНИЗМОВ ШУМА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ
    • 1. 1. Виды шумов в полупроводниковых приборах
    • 1. 2. НЧ шум в различных полупроводниковых приборах
    • 1. 3. Физические модели механизмов 1/f шума в полупроводниковых приборах
      • 1. 3. 1. Модель на основе генерационно-рекомбинационной теории
      • 1. 3. 2. Объяснение 1/f спектра случайным распределением поверхностного потенциала
      • 1. 3. 3. Генерация НЧ шума, обусловленная подвижностью свободных носителей заряда в поверхностной зоне инверсионных слоев
      • 1. 3. 4. Модель с использованием туннельного эффекта
    • 1. 4. Возможности НЧ шума как прогнозирующего параметра надежности
  • Выводы к главе 1
  • Глава 2. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ НИЗКОЧАСТОТНОГО ШУМА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
    • 2. 1. Предварительный усилитель. Т!
    • 2. 2. Основной усилитель
    • 2. 3. Детекторы и фильтры
    • 2. 4. Корреляционный метод измерения низкочастотного шумов
    • 2. 5. Установка для измерения низкочастотного шума
  • Выводы к главе 2
  • Глава 3. СПОСОБЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНО НАНАДЕЖНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ ПО НИЗКОЧАСТОТНЫМ ШУМАМ
    • 3. 1. Диагностика биполярных транзисторов по шумам переходов
    • 3. 2. Определение потенциально нестабильных полупроводниковых приборов по ампер-шумовым характеристикам
    • 3. 3. Способы контроля качества и надежности полупроводниковых приборов с использованием шумов и воздействия электростатических разрядов
    • 3. 4. Способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов
    • 3. 5. Способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов с использованием разности температур
    • 3. 6. Способ разделения полупроводниковых резисторов по надежности
    • 3. 7. Влияние электростатических разрядов на значения низкочастотного шума варикапов типа KB
  • Выводы к главе 3

Глава 4. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ РАССМОТРЕННЫХ ДИАГНОСТИЧЕСКИХ МЕТОДОВ ПО РАЗЛИЧНЫМ КРИТЕРИЯМ.73 4.1. Исследование достоверности новых способов диагностики полупроводниковых приборов на примере транзисторов КТ3102ГМ.

4.3. Исследование достоверности новых способов диагностики полупроводниковых приборов с использованием ЭСР на примере транзисторов КТ502А.-.

Выводы к главе 4.

Диагностические методы оценки качества и надежности полупроводниковых приборов с использованием низкочастотного шума (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

Среди множества проблем современной полупроводниковой электроники особое место занимает проблема качества и надежности выпускаемой продукции. Страны с развитой электронной промышленностью (США, Япония и др.) ежегодно затрачивают огромные средства на повышение качества и надежности своей продукции [1].

Известно, что в полупроводниковых приборах (ПП) (диодах и транзисторах) на ряде технологических операций возникают внутренние механические напряжения (МП) как результат нагрева (термические МН), легирования (концентрационные МН), нанесения и травления различных функциональных слоев (структурные и межфазные МН). В поле механических напряжений резко ускоряется подвижность точечных дефектов, изменяется их равновесная концентрация и дефектная структура эволюционирует в направлении формирования макроскопических дефектов, наличие которых у ПП резко ухудшает ее надежностные характеристики [2].

Одной из особенностей производства ПП является то, что в каждой выпускаемой партии приборов, полностью соответствующей по качеству и надежности требованиям нормативно-технической документации, то есть техническим условиям (ТУ) и конструкторской документации (КД), имеются приборы, различающиеся по надежности на два и более порядка, то есть присутствуют приборы со скрытыми дефектами, которые могут отказать как в период приработки, так и в период нормальной работы, и приборы, которые обладают повышенной по сравнению с основной массой приборов надежностью. Для устранения из партии потенциально ненадежных ПП проводятся сплошные отбраковочные испытания, включающие испытания при повышенной и пониженных температурах, термоциклирование, электротермотренировку (ЭТТ) и т. п.

Задачей производственников является нахождение такого метода отбраковки ПП в процессе их производства, который позволял бы, во-первых, отбраковывать потенциально-ненадежные приборыво-вторых, заменить длительные и дорогостоящие отбраковочные испытания, например ЭТТ, на диагностические методы, которые были бы не менее эффективными, но более дешевыми.

В настоящее время известно множество диагностических методов отбраковки потенциально-ненадежных 1111 (использование ш-характеристик, тепловых характеристик, и др.), но достоверность этих методов недостаточна для того, чтобы внедрить один из них в технологический процесс изготовления ПП вместо дорогостоящих отбраковочных испытаний. Поэтому главной задачей в разработке новых и модификации известных методов диагностирования 1111 является повышение их достоверности до уровня не менее 90−95%, что требуют национальные стандарты стран с развитой электронной промышленностью.

3].

Наиболее перспективным методом диагностирования 1111 из-за простоты его реализации, является метод низкочастотных (НЧ) шумов. Но достоверность этого метода составляет порядка 50%, а известные модификации позволяют повысить достоверность данного метода только до 70−80% [4].

Зачастую в производстве возникает необходимость не только отбраковки потенциально-ненадежных 1111, но и выделить из партии группу приборов с повышенным уровнем надежности.

Поэтому считаем, что поиск модернизаций диагностических методов с использованием НЧ шумов с целью повышения достоверности отбраковки потенциально-ненадежных ПП до уровня не менее 90−95%, что позволило бы внедрить его в производство вместо ЭТТ, с одновременной возможностью диагностического выделения из партии 1111 группу приборов, имеющую повышенный уровень надежности, является в настоящее время весьма актуальным.

Работа выполнялась по теме ГБ2004;34 «Исследование полупроводниковых материалов, приборов и технологии их изготовления» и ГБ2001;34 «Исследование и моделирование физических процессов в полупроводниковых материалах и приборах» .

Цели и задачи работы. Целью настоящей диссертации является разработка новых диагностических методов отбраковки потенциально-ненадежных 1111 на основе измерения НЧ шумов, способных заменить дорогостоящие и длительные отбраковочные испытания как при производстве ПП, так и на входном контроле предприятийизготовителей радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), а также позволяющих выделить из партии 1111 группу высоконадежных приборов. Для достижения этой цели в работе поставлены следующие задачи:

1. Спроектировать и разработать установку для измерения НЧ шумов.

2. Разработать новые методы диагностирования потенциально-ненадежных ПП, основанные на измерении НЧ шумов, и изменении шумов до и после воздействия электростатических разрядов (ЭСР).

3. Разработать способ выделения группы 1111 повышенной надежности.

4. Провести анализ взаимозависимости новых методов диагностики ПП, сравнение достоверности, получаемых по ним результатов, используя статистические методы.

Научная новизна работы. В работе получены следующие новые научные и технические результаты:

1. На основе непосредственного измерения НЧ шумов ПП разработаны новые диагностические методы:

— способ определения потенциально ненадежных транзисторов на основе сравнения шумов различных переходов биполярных транзисторов;

— два способа разбраковки полупроводниковых приборов на измерении ампер-шумовых характеристик при малых и больших токах.

2. На основе измерения НЧ шумов и воздействия ЭСР разработаны следующие диагностические методы:

— способ определения потенциально ненадежных полупроводниковых приборов (патент N 2 230 335 от 21.10.2002).

— два способа определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов.

3. Разработан способ разделения полупроводниковых приборов по надежности на основе разности температур.

Реализация результатов работы, практическая ценность.

1. Разработана установка для автоматического снятия ампер-шумовых характеристик полупроводниковых приборов. На принцип положенный в основу, подана заявка на изобретение.

2. Разработан способ определения потенциально ненадежных транзисторов, позволяющий путем измерения и сравнения НЧ шумов различных переходов выявить потенциально ненадежные транзисторы. На данный способ получен патент (N 2 234 163 от 07.04.2003).

3. Разработаны способы определения потенциально ненадежных и потенциально нестабильных полупроводниковых приборов на основе измерения НЧ шума до и после воздействия ЭСР, позволяющие отбраковать потенциально ненадежные и нестабильные транзисторы. На данные способы получены патенты на изобретения (N 2 230 335 от 21.10.2002, N 2 234 104 от 26.02.2003, N 2 249 227 от 27.03.2005).

4. Разработан способ разделения полупроводниковых приборов по надежности на основе разности значений интенсивности шумов до и после температурного отжига после воздействия ЭСР. На данный способ подана заявка на изобретение.

5. Разработаны 2 способа разбраковки полупроводниковых приборов по сравнению ампершумовых характеристик приборов. На разработанные способы поданы заявки на изобретения.

6. Разработан способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов с использованием разности температур. На данный способ подана заявка на изобретение.

Основные положения и результаты выносимые на защиту.

1. Принцип работы автоматизированной установки снятия ампер-шумовых характеристик полупроводниковых приборов.

2. Три способа определения потенциально ненадежных 1111, основанных на измерении НЧ шума.

3. Три способа определения потенциально ненадежных 1111, основанных на измерении НЧ шума, воздействии ЭСР и последующего температурного отжига.

4. Способ разделения полупроводниковых приборов по надежности с использованием 114 шума и разности температур.

5. Сравнительный анализ различных диагностических способов по их достоверности.

Апробация работы.

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на международных научно-технических семинарах «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «(Москва, 2001;2004 гг.), Всероссийской научно-технической конференции молодых ученых и студентов (Красноярск, 2002 г.), IV Международной научно-технической конференции (Зеленоград, 2002 г.), IX международной научно-технической конференции «Радиолокация, навигация, связь» .

Воронеж 2003), 41 — 44 научных конференциях профессорско-преподавательского состава, научных работников, аспирантов и студентов ВГТУ (Воронеж, 2001;2004 гг.).

Публикации.

Основные результаты работы изложены в 17 публикациях, 4 патентах на изобретения.

В совместных работах автору принадлежит поиск и разработка принципов новых методов, проведение экспериментов, анализ и обобщение результатов.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Работа содержит 98 страниц текста, включая 10 рисунков, 22 таблицы и список литературы из 108 наименований.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И РЕЗУЛЬТАТЫ.

В настоящей диссертации изложена научно-техническая разработка, обеспечивающая решение важной прикладной задачи — замене длительных и дорогостоящих отбраковочных испытаний новыми диагностическими методами контроля качества и надежности ПП как при производстве, так и на входном контроле у изготовителей радиоэлектронной аппаратуры.

Изучение природы шумов в ПП и на этой основе разрабатывать способы прогнозирования их качества и надежности необходимо продолжать.

Но уже сейчас можно сделать выводы по известным способам прогнозирования по шумам, что в зависимости от способа и установленного критерия зависит достоверность прогнозирования по шумам потенциально ненадежных изделий, сочетание измерение шумоввнешнее воздействие — измерение шумов дает более достоверные результаты прогнозирования потенциально ненадежных приборов, чем просто измерение шумов.

В диссертации получены следующие научно — технические результаты:

1. Исследование зависимости НЧ шума транзисторов от типа перехода, от ампер — щумовой характеристики при малых и больших токах позволило разработать три новых диагностических способа. На способы поданы заявки на изобретения и уже получен один патент (N 2 234 163 от 7.04.2003).

2. Исследование зависимости НЧ шума транзисторов от воздействия электростатических разрядов и последующего отжига позволило разработать три новых диагностических способа. На способы поданы заявки на изобретения и уже получено два патента (N 22 303 335 от21.10.2002 и N 2 234 104 от26. 02.2003).

3. Исследование зависимости НЧ шума полупроводниковых резисторов от воздействия ЭСР и последующего отжига позволило разработать способ разделения полупроводниковых приборов по надежности. На способ подана заявка на изобретение.

4. Разработана установка для автоматического снятия ампер — шумовых характеристик ПП. На принцип положенный в основу установки, подана заявка на изобретение.

5. Проведена оценка достоверности разработанных диагностических способов по сравнению с испытаниями на надежность.

Получено, что предложенные способы оценки шумов приборов с использованием ЭСР и температурного отжига, имеют достоверность не хуже 0.91 — 0.94, т. е. эти способы можно рекомендовать для внедрения в производство транзисторов вместо электротермотренировки.

Показать весь текст

Список литературы

  1. М.И., Королев С. Ю., Бордюжа O.JL Повышение надежности интегральных микросхем в процессе серийного производства // Матер, докл. науч.-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.: 1996. С. 250−260.
  2. М.И., Ануфриев Л. П., Бордюжа O.JI. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем в процессе серийного производства.- Мн.:Из-во «Интеграл», 1997.-390 с.
  3. М. И., Королев С. Ю. Физические основы надежности интегральных микросхем. Воронеж: Из-во Воронежского университета, 1995.-200 с.
  4. Ю.С. Низкочастотные шумы плоскостных транзисторов. Изв. ЛЭТИ. 1963. N51. С.32−44.
  5. Ю.С. Шумы транзисторов на звуковых частотах. Изв. вузов, Приборостроение. 1967. N2. С.8−10.
  6. А.К., Врачев А. С. Теория низкочастотных шумов. —М: Энергия. 1972.С.56−67
  7. В., Кулешов В. Н. Шумы в полупроводниковых устройствах., М., Сов. Радио. 1977.С.124−135
  8. М.Б., Тарбар Н. П., Петричук М. В. Исследование механизмов формирования l/f-шума в р-n переходах // Физика и техника полупроводников. 1990. Т. 24, N9. С. 1659.
  9. Г. Е., Армонавичус В.П. l/f-шум в кремниевых р-n переходах и биполярных транзисторах // Сб. тез. докл. науч.-техн. конф. «Флуктуационные явления в физических системах». Вильнюс. 1988.С. 143.
  10. Ю.Широков А. А., Пряников B.C. Низкочастотные шумы р-n перехода с глубокими примесями в области пространственного заряда // ФТП. 1976. Т.10, N12. С. 2397.
  11. З.Потемкин В. В. XIII Международная конференция по шумам. Паланга, май-июнь 1995 // Мат. докл. науч-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М: 1996. С.5−17.
  12. М. Шумы в электронных приборах и системах/ Пер. с англ. М.: Мир, 1986.-399 с.
  13. Н.Б. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Радио и связь, 1990. 296 с.
  14. Г. Е., Армонавичюс В. П. 1/f — шум диффузионной компоненты эмиттерного тока в биполярных транзисторах. //Сб. тез. докл. 4-ой Всесоюзной конференции «Флуктуационные явления в физических системах». Пущино. 1985. С. 57.
  15. Ш. М. Новые экспериментальные исследования механизма шума 1Я7/УФН. 1977. Т.123, вып. 1.С.131−136.
  16. М. С. Шум типа 1Я7/ТИИЭР. 1985. Т 145, № 2. С 60−67.
  17. Гоц С.С. К оценке диапазона частот фликкер-шума // Мат. докл. науч-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М: 1996. С.48−53.
  18. А.П., Ткаченко Н. Н., Серов Л. А. Влияние технологических условий изготовления эмиттера на низкочастотные шумы биполярных транзисторов//Микроэлектроника.-1985. Т.24, № 1. С. 42−44.
  19. Л.А., Ткаченко Н. Н., Шемендюк А. П. Дефектообразование в эпитаксиальных слоях и шумовые свойства биполярных транзисторов //
  20. Мат. докл. науч-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М: 1996. С.103−105.
  21. Кремниевые планарные транзисторы. / Под ред. Я. А. Федотова. — М.: Сов. Радио. 1973.-336 с.
  22. Г. Е. Импульсный шум в биполярных транзисторах. // Мат. докл. науч-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М: 1998. С.45−49.
  23. Kltinpening 1/f noise in р-n diodes. //Physica 1980. Vol. 98, p.289.
  24. Г. Е. Шумы в р-n переходах и биполярных транзисторах, сформированных на кремниевых пластинах, имеющих свирлевые дефекты // Мат. докл. науч-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М: 1995. С.89−94.
  25. В. А., Дурнин И. Д. О возможностях контроля качества интегральных микросхем серии К 106 на кристаллах по критериям избыточного шума // Электронная техника. 1980. сер. 8.вып. 4 (82). С. 76−78.
  26. В.В., Степанов А. В. О стационарном характере шума 1/f в низкочастотном диапазоне // Радиотехника и электроника, 1980. Т. 25, № 6. С. 1269.
  27. ГОСТ 17 772–92. Приемники излучения полупроводниковые и фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик.
  28. И.Н., Соколик С. А., Гуляева A.M. Повышение надежности фотодиодов из антимонида индия // Мат. докл. науч-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М: 1992. С. 124−128.
  29. И.Н., Соколик С. А., Барлашов И. Б. О природе взрывных и избыточных шумов в фотодиодах на основе антимонида индия. // Мат. докл. науч-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы вполупроводниковых приборах М: 1995. С.208−216.
  30. С.А., Врачев А. С., Чарыков Н. А. Выявление аномалий мощных биполярных транзисторов методом шумовой диагностики. // Мат. докл. науч-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах М: 1992. С.107−112.
  31. Л.А., Ткаченко Н. Н., Шемендюк А. П. Дефектообразование в эпитаксиальных слоях и шумовые свойства биполярных транзисторов. // Мат. докл. науч-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах М: 1996. С.103−105.
  32. А.И., Гуляев A.M., Короневский И. М. Шумовые методы контроля высоковольтных силовых кремниевых диодов. // Мат. докл. науч-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах М: 1996. С. 185−190.
  33. А.С. Возможности низкочастотного шума как прогнозирующего параметра при оценке качества и надежности изделий электронной техники.// Мат. докл. науч-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М: 1996. С. 191−197
  34. С.А., Мурзов А. Л., Гуляев A.M. Установка для исследования температурной зависимости спектров мощности низкочастотного шума. // Мат. докл. науч-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М: 1992. С.44−48.
  35. B.C. Прогнозирование отказов полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1978.-120 с.
  36. И.В., Осадчая Н. В. Методы структурной диагностикиполупроводниковых пластин, используемых для БИС и СБИС // Сб. тез. докл. конф. «Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов». Кишинев. 1991. 4.II. С. 91.
  37. В.И., Лавренко С. П. Физические основы надежности интегральных схем // Сб. тез. докл. конф. «Физические основы надежности, методы и средства диагностирования интегральных схем». Воронеж. 1993. С. 24−44.
  38. Г. В., Дьяченко A.M. Прогнозирование качества ИС на основе анализа внутренних напряжений // Сб. тез. докл. конф. «Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов» Кишинев. 1991. Ч. II. С. 136.
  39. А.С., Кукоев И. Ю., Нарышкин А. К. Моделирование сигналов фликкерного типа. // Мат. докл. науч-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М: 1997. С.122−125.
  40. Потемкин В.В. XII Международная конференция по шумам. Паланга, май — июнь 1995// Мат. докл. научн. техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.: 1996. С. 5−17.
  41. К.П. Основания кинетической теории. М.: Наука 1966.- 390 с.
  42. А.С. Синтез сигнала со спектром 1/f типа на основании механической модели износа. // Мат. докл. науч-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М: 1997. С.114−121.
  43. Г. П. Избыточные шумы в структурах металл диэлектрик — полупроводник // Радиотехника и электроника. 1999. Том 44. N12. С. 1413−1430
  44. Н.Г., Врачев А.С, Чарыков Н. А. Шумовые свойства и устойчивость мощных биполярных транзисторов ко вторичномупробою. // Мат. докл. науч-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М: 1995. С.229−234.
  45. А. Основы теории фотопроводимости. М.: Мир, 1966. 380 с.
  46. Mongomery С. Bell Syst. Tecxn. J. 1952. N5. V. 31. p. 950.
  47. В. Ф., Рыжов А. С., Сутягин В. Я. Полупроводниковые приборы и их применение. М.: Советское радио, 1964.-240 с.
  48. Е. Н. A quantitative theory of 1/f type noise due interface states in thermally oxidized silicon. // The Bell System Technical. 1967. N 9. V. 46. P. 2019−2033.
  49. Abowits G., Arnold E. Surface states and 1/f — noise in MOS transistors. // IEEE. 1967. N11. V. 14. P.775−777.
  50. Хайезаде, Маккафри О роли материала и способов обработки при изготовлении монолитных транзисторов с низким уровнем шума типа 1/f.// ТИИЭР. 1969. N 9. С. 59−64.
  51. Tanaka Т., Nagano К. The 1/f — noise MOS transistors. // Japan J. Appl. Phys. 1980. N 8. V. 8. P. 1020−1026.
  52. О. В., Урицкий В. Я. Подвижность носителей тока в инверсионных слоях на поверности кремния. Физика и техника полупроводников, 1969. N 9. Т. 3 с. 1414−1416.
  53. Sah С., Heilscher F. Evidence of the supface origin of the 1/f — noise. // Phys. Rev. Lett. 1966. N 18. V. 17. P. 956−958.
  54. Jantsch O. A theory of 1/f noise at semiconductor surfaces. // Solid — State Electronics. 1968. N 2. V. l 1. P. 267−272.
  55. Т.А. Обобщенная активационно — дрейфовая модель формирования низкочастотного шума. // Мат. докл. науч-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М: 1999. С.76−82.
  56. A.M., Короневский И. М., Кукоев И. Ю. Прогнозирование отказов диодов по шумовым и вольтфарадным характеристикам. // Мат. докл. науч-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М: 1997. С.98−100.
  57. Ю.С. Шумы транзисторов на звуковых частотах //Известия вузов. Приборостроение. 1967. N 2. С. 8−10
  58. А.С. О связи низкочастотного шума с устойчивостью неравновесных структур //Известия вузов. Радиофизика. 1989. Т.32. N7. С. 885−890.
  59. М.И., Жарких А. П. Влияние электростатических разрядов на значения низкочастотного шума однопереходных транзисторов // Матер, докл. научн. техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.: 2002. С. 113−115.
  60. Л.П., Ульман Н. Н. Методика прогнозирования надежности варикапов по низкочастотному шуму// Известия ЛЭТИ. 1974. N 146. С. 60−65.
  61. Г. П. Взаимосвязь 1/f шума и эффектов нелинейности в металлических пленках// Письма в ЖЭТФ, 1991. Т. 54, Вып. 9, С. 510.
  62. А.Н. К вопросу о спектре фликкер — шума // Радиотехника и электроника. 1959. Т 4, № 1. С.54−62.
  63. Н.Н., Паничкин А. В. Влияние гамма — излучения на шумовые характеристики интегральных КМОП структур. // Мат. докл. науч-техн.сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М: 1995. С.247−251.
  64. Бранке. Измерение шумов в полевых транзисторах // ТИИЭР. 1963. Т. 51. N2. С. 412.
  65. Холлэди, Бранке. Избыточные шумы в полевых транзисторах // ТИИЭР. 1963. Т. 51. N 11. С. 1649.71 .Справочная книга радиолюбителя-конструктора. Том 1. М.: Сов. Радио. 1993.-336 с.
  66. В. С. Корреляционный метод обнаружения и измерения слабых сигналов. Из — во Недра. 1965. 240 с.
  67. М.И., Жарких А. П. Влияние ЭСР на значения низкочастотных шумов транзисторов КТ209. // Сб. научн. трудов «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Воронеж: ВГТУ. 2001. С. 197−200.
  68. М.И., Емельянов В. А., Николаева Е. П., Жарких А. П. Способы определения потенциально ненадежных полупроводниковых приборов // Сб. научн. трудов «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Воронеж: ВГТУ. 2003. С. 79−87.
  69. М. И., Жарких А. П., Ануфриев J1. П. Влияние технологии защиты кристаллов транзисторов на их электрические параметры // Сб .докл. 4-й межд. научн. техн. конф. «Электроника и информатика». Зеленоград. 2002. С. 39−40.
  70. Н.Н., Лукашев Н. В. Устройство для быстрой оценки шума МОП транзисторов// Матер, докл. научн. — техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.: 1997. С. 111−113.
  71. Шор Р. Малошумящие транзисторные усилители. /М.: Сов. радио. 1978. -567 с.
  72. Ван дер Зил Шум (источники, описание, измерение). М.: Сов. радио. 1973.-229 с.
  73. O.JT. Сравнение спектрального и фрактального анализа при обработке случайных процессов с интенсивностью 1/f // Матер, докл. научн. — техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.: 1997. С. 234−235
  74. Авторское свидетельство СССР N 421 942, G 01 R 19/00.
  75. Авторское свидетельство СССР N 640 217, G 01 R 31/26.
  76. Авторское свидетельство СССР N 291 172, G 01 R 31/26.
  77. Авторское свидетельство СССР N 1 236 929, G 01 R 31/26.
  78. Авторское свидетельство СССР N 310 201, G 01 R 31/26.
  79. Авторское свидетельство СССР N 1 674 020, G 01 R 31/26.
  80. А.С. Низкочастотный шум — свойство диссипативных систем. // Мат. докл. науч-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М: 1996. С43−56.
  81. В.А., Горлов М. И., Дурнин И. Д. Выборочный неразрушающий контроль качества интегральных схем с ТТЛ логикой в ходе серийного производства // Электронная техника. Сер. 8. 1977. Вып. 2. С. 66−69.
  82. А. с. СССР N 669 872 от 3.03.76 // А. В. Голомедов, И. Д. Дурнин, В. А. Некрасов и др. Кл. G 01 R 31/26.
  83. Патент N 2 234 163 от 07.04.03 // М. И. Горлов, А. П. Жарких, В. А. Емельянов Кл. G 01 R 31/26.
  84. М.И., Емельянов В. А., Николаева Е. П., Жарких А. П. Способы разбраковки транзисторов по ампер-шумовым характеристикам // Матер, докл. научн. техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.: 2003. С.309−313.
  85. М.И., Жарких А. П. Способ определения потенциально ненадежных полупроводниковых приборов// патент РФ N 2 230 335. Опубл. 10.06.2004. Бюл. Ы 16.
  86. М. И., Емельянов В. А., Жарких А. П. Определение ненадежных полупроводниковых приборов по шумовым характеристикам // Петербурский журнал электроники: 2003. N 2. С. 40−44.
  87. Авторское свидетельство СССР, N 490 047, G 01 R 31/26, 1976.
  88. М. И., Емельянов В. А., Жарких А. П., Строгонов А. Прогнозирование потенциально ненадежных полупроводниковых приборов по критериям низкочастотного спектра. // Инженерная микроэлектроника: 2004. N 6. С. 19−27.
  89. М.И., Жарких А. П. Влияние электростатических разрядов на низкочастотный шум однопереходных транзисторов.// Метрология. N 10. 2003. С. 21−25.
  90. М.И., Жарких А.П, Емельянов В. А. Связь 1/f шума с электростатическими разрядами транзисторов типа КТ 133А. // Матер, докл. научн. техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.: 2002. С. 111−114.
  91. М.И., Емельянов В. А., Адамян А. Г., Жарких А.П, Строгонов А. В. Диагностические методы оценки надежности полупроводниковых изделий с использованием электростатических разрядов. // Инженерная микроэлектроника. N 10. 2002. С. 30−33.
  92. М.И., Ануфриев Л. П., Жарких А.П, Смирнов Д. Ю. Влияние электростатических разрядов на интегральные схемы типа КА 1034HP3. // Сб. научн. трудов «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Воронеж: ВГТУ. 2003. С. 74−78.
  93. М.И., Николаева Е. П., Новокрещенова Е. П., Жарких А.П Влияние электростатических разрядов на варикапы типа KB 107.. // Сб.научн. трудов «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Воронеж: ВГТУ. 2003. С. 70−73.
  94. А. П., Горлов М. И. Установка для измерения НЧ шумов// Сб .докл. Всероссийской научн. техн. конф. «Современные проблемы радиоэлектроник». Красноярск. 2001. С. 38.
  95. М.И., Емельянов В. А., Жарких А. П., Смирнов Д. Ю. Способ определения потенциально ненадежных полупроводниковых приборов// патент РФ N 2 234 104. Опубл. 10.08.2004. Bkwi. N 22.
  96. Д. Статистика для физиков. Москва, Мир, 1970 -296 с.
  97. М.И., Адамян А. Г., Жарких А. П. Оценка полупроводниковых изделий с использованием электростатических разрядов. // Петербурский журнал электроники. 2002. N3. С.59−63.
  98. М.И., Жарких А. П. Влияние-электростатических разрядов на низкочастотный шум однопереходных транзисторов.// Техника машиностроения N 5(39). 2002. С. 126−127.
  99. М. И., Жарких А. П., Емельянов А. В., Определение ненадежных полупроводниковых приборов по шумам. // Петербурский журнал электроники: 2005. N 1. С.
  100. М.И., Жарких А. П. Способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов// патент РФ N 2 249 227. Опубл. 27.03.2005. Бюл. И 9.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!