Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Время-разрешенная оптическая спектроскопия сцинтилляционных кристаллов CsI (Ti)

Диссертация: Время-разрешенная оптическая спектроскопия сцинтилляционных кристаллов CsI (Ti)
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Получены экспериментальные свидетельства реализации в окрашенном кристалле Сз1(Т1) эффективного безызлучательного переноса энергии от основных активаторных центров к (1) центрам окраски посредством индуктивно-резонансного механизма, а именно: возникновение провала в спектре излучения основных активаторных центров при 80 К, сокращение времен жизни комплексов Т1°Ук типа I и II, появление… Читать ещё >

Содержание

  • Список сокращений
  • 1. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ Сз1(Т1)
    • 1. 1. Спектры активаторного поглощения
    • 1. 2. Радио- и фотолюминесценция кристаллов Сз1(Т1)
      • 1. 2. 1. Спектры люминесценции
      • 1. 2. 2. Кинетика люминесценции
      • 1. 2. 3. Запасание светосуммы и термостимулированная люминесценция
      • 1. 2. 4. Механизмы формирования сцинтилляций
        • 1. 2. 4. 1. Внутрицентровые переходы в ионе Т1+
        • 1. 2. 4. 2. Донорно-акцепторные пары Т1°-Ук
        • 1. 2. 4. 3. Автолокализованные экситоны, возмущенные ионом Т1+
    • 1. 3. Оптические свойства радиационно-окрашенных кристаллов Сз1(Т1)
    • 1. 4. Модели ЦО
      • 1. 4. 1. Р и Ук центры окраски
      • 1. 4. 2. Т1° и Т12+центры
      • 1. 4. 3. Сложные активаторные центры
      • 1. 4. 4. Комплекс Т1°Уа+
    • 1. 5. Постановка задачи
  • 2. ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Измерение спектров стационарного поглощения
    • 2. 2. Установка импульсной оптической спектрометрии
  • Импульс-1″
    • 2. 3. Измерение спектров фотопроводимости
  • 3. ЦО И ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ В КРИСТАЛЛАХ Сз1(Т1) ПРИ ИМПУЛЬСНОМ ЭЛЕКТРОННОМ ОБЛУЧЕНИИ
    • 3. 1. Спектры ТОП и люминесценции при Т = 80 К
    • 3. 2. Кинетика затухания ТОП и люминесценции
    • 3. 3. Температурные зависимости ТОП и люминесценции
    • 3. 4. О механизме формирования сцинтилляций в кристалле Сб1(Т1)
    • 3. 5. Выводы по главе
  • 4. ФОТОИНДУЦИРОВАННЫЕ ПРОЦЕССЫ С ПЕРЕНОСОМ ЗАРЯДА В КРИСТАЛЛЕ Сб1(Т1)
    • 4. 1. Образование излучающих комплексов [Т1°Ук] при импульсном каскадном возбуждении
    • 4. 2. Фотоиндуцированная проводимость
    • 4. 3. Выводы по главе 4
  • 5. ОБРАЗОВАНИЕ ЦО В Сз1(Т1)
    • 5. 1. Спектры дополнительного поглощения у-облученных кристаллов
    • 5. 2. Создание ЦО под действием света ближнего УФ диапазона
      • 5. 2. 1. Динамика накопления ЦО
      • 5. 2. 2. Структура и механизмы образования ЦО
    • 5. 3. Влияние термо- и фотобработки на спектры оптического поглощения у- и фотоокрашенных кристаллов
    • 5. 4. Выводы по главе
  • 6. ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ЦО В СИЛЬНООБЛУЧЕННЫХ КРИСТАЛЛАХ Сз1(Т1)
    • 6. 1. Импульсная катодолюминесценция радиационно-окрашенных кристаллов СбЦТГ)
    • 6. 2. О механизмах передачи энергии
    • 6. 3. Закономерности люминесценции ЦО при импульсном оптическом возбуждении
      • 6. 3. 1. Спектры и кинетика затухания люминесценции ЦО при внутрицентровом и УФ возбуждении
        • 6. 3. 1. 1. Т = 80 К
        • 6. 3. 1. 2. Т = 295 К
      • 6. 3. 2. Влияние температуры на характеристики фотолюминесценции при импульсном возбуждении
        • 6. 3. 2. 1. Люминесценция Т1 ус центров окраски
        • 6. 3. 2. 2. Люминесценция основных активаторных центров «
      • 6. 3. 3. О механизмах возбуждения люминесценции светом ближнего УФ диапазона
    • 6. 4. Выводы по главе

Время-разрешенная оптическая спектроскопия сцинтилляционных кристаллов CsI (Ti) (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Хотя в настоящее время появилось много новых коммерчески доступных сцинтилляторов, наиболее предпочтительным сцинтилляционным материалом по-прежнему является Сз1(Т1), открытый более пятидесяти лет назад. По своим свойствам кристалл Сз1(Т1) приближается к идеальному сцинтиллятору, так как он имеет очень высокую конверсионную эффективность (6400 фотонов/МэВ), относительно быстрое время затухания (680 не), высокую плотность (4,53г/см3) и Ъ^ (54), а также характеризуется высокой радиационной стойкостью. Широкое применение кристаллов Сз1(Т1) в сцинтилляционной технике стимулировало многочисленные исследования физических процессов, протекающих в этих кристаллах под действием излучения. В то же время, несмотря на обширную библиографию, остается не выясненным ряд принципиально важных вопросов, связанных с природой сцинтилляционного процесса в этом кристалле, а также с природой и механизмами образования устойчивых при комнатной температуре ЦО, которые могут создаваться в этом кристалле не только ионизирующей радиацией, но и под действием видимого света.

Так, анализ литературных данных показывает, что возникновение сцинтилляций в видимой области спектра вполне однозначно можно связать с рекомбинацией создаваемых под действием ионизирующей радиации Т1° и Ук центров, однако единого мнения о структуре создаваемых при этом центров свечения нет. В различное время выдвигались гипотезы о том, что излучение обусловлено внутрицентровыми переходами в ионе Т1+, донорно-акцепторной рекомбинацией между электронным Т1° и дырочным У^ центрами, излучательной аннигиляцией возмущенных ионами Т1+ двухгалоидных экситонов со структурой (1г~е) Прямых экспериментальных подтверждений правильности и однозначности какой-либо из моделей в литературе не приводится.

Формирование переднего фронта сцинтилляционного импульса при комнатной температуре традиционно связывается с захватом Т1° центрами подвижных выше 90 К Ук центров, но в такой интерпретации не находят объяснения факты несущественной зависимости длительности переднего фронта от сорта ионизирующих частиц (у, р, а, импульсные электронные пучки различной плотности). Существование подобных неоднозначностей препятствует формированию целостных представлений о механизмах люминесценции в кристалле Сз1(Т1).

Одной из особенностей этого кристалла является его способность к окрашиванию под действием света видимого диапазона. Известно, что создаваемые при этом ЦО эффективно конкурируют с основными активаторными центрами в процессе захвата электронных возбуждений, приводя к изменению спектрального состава и энергетического выхода сцинтилляций. Основные свойства ЦО и их характеристической люминесценции (спектральные, термические, поляризационные) были установлены еще в 50-е гг. прошлого века, однако относительно их структуры, а также причин существенного влияния на люминесцентные свойства Сз1(Т1) какой-либо устоявшейся и надежно аргументированной точки зрения не существует. Более того, не обсуждается и даже не ставится вопрос о возможных механизмах образования ЦО под действием видимого света.

Во многом это связано с отсутствием информации систематического характера о динамике излучательных процессов, составе и кинетике эволюции первичных радиационных дефектов в активированных таллием кристаллах иодида цезия.

Знание природы ЦО и люминесценции, структуры энергетических состояний и механизмов релаксации, туннелирования и термически стимулированных процессов в Сб1(Т1) существенно для развития теории щелочных галоидов, легированных шпионами. Кроме того, понимание оптических свойств Сз1(Т1) также необходимо для нахождения оптимальных эксплуатационных качеств этого материала, так как кристаллы, Сз1(Т1) широко используются в качестве сцинтилляторов.

В связи с этим представляется перспективным наряду с традиционной люминесцентной методикой использовать метод абсорбционной спектроскопии с наносекундным временным разрешением, что позволит значительно повысить достоверность идентификации получаемой информации о природе создаваемых радиацией дефектов и динамике рекомбинационных процессов в нано-, микрои миллисекундном диапазонах.

Цель работы и задачи исследования.

Целью диссертации является проведение комплексного исследования закономерностей создания и эволюции первичных радиационных дефектов (короткоживущих ЦО и люминесценции) при облучении кристаллов Сз1(Т1) импульсными пучками ускоренных электронов и лазерного излучения, а также накопления ЦО под действием оптического излучения и их влияния на люминесцентные свойства Сб1(Т1).

Для достижения цели работы потребовалось решить следующие задачи'.

1. Проведение систематических исследований спектрально-кинетических характеристик транзитного оптического поглощения и люминесценции образцов Сб1(Т1) различной предыстории при возбуждении импульсными пучками ускоренных электронов и лазерного излучения в широком временном, спектральном и температурном интервалах.

2. Отработка методик исследования процессов создания и преобразования ЦО в различных режимах оптической и термической обработки гамма-облученных образцов, измерения спектров возбуждения объемной фотопроводимости в образцах с различным содержанием таллия.

3. Проведение анализа и определение численных значений констант релаксационных и термоактивированных процессов. Разработка на основе полученных результатов модельных представлений о структуре первичных радиационных дефектов и устойчивых при комнатной температуре ЦО, о механизмах формирования сцинтилляционного импульса в кристаллах.

Сб1(Т1) и накопления в их объеме ЦО под действием света ближнего УФ диапазона.

Научная новизна.

1. Впервые выполнены исследования спектрально-кинетических характеристик короткоживущего оптического поглощения, наводимого в кристаллах Сз1(Т1) импульсными электронными пучками наносекундной длительности и показано, что первичными радиационными дефектами в этих кристаллах являются Т1° и Ук центры окраски;

2. На основе сопоставительного анализа кинетики затухания катодолюминесценции и переходного оптического поглощения в широком температурном интервале 78 — 300 К установлено, что активаторная люминесценция в Сз1(Т1) возникает в результате туннельных электронных переходов между основными состояниями Т1° и Ук центров;

3. Впервые обнаружено явление возникновения токов сквозной проводимости кристаллов Сз1(Т1) под действием фотонов с энергией много меньшей ширины запрещенной зоны и показано, что в кристаллах с.

•7 содержанием таллия выше 4−10″ вес. % формируется примесная подзона проводимости.

4. При изучении динамики накопления центров окраски под действием УФ излучения получены результаты, прямо свидетельствующие о том, что центры окраски типа (1) и (и) имеют электрические заряды противоположного знака по отношению к решетке и показано, что ответственным за изменение сцинтилляционных характеристик в радиационно-окрашенных кристаллах Сз1(Т1) является центр окраски со структурой в виде комплекса (Т12+у<�Г).

5. Впервые предложена схема фотоиндуцированных электронных переходов с переносом заряда, адекватно описывающая явление образования центров окраски в кристалле Сз1(Т1) под действием видимого света;

6. Изучены спектрально-кинетические закономерности люминесценции ЦО и основных активаторных центров при оптическом возбуждении переходов в примесную подзону проводимости и показано, что инерционный процесс испускания люминесценции лимитируется передачей энергии.

2 О центрам свечения с донорного 6 Р3/2 уровня Т1 центра.

7. Получены прямые экспериментальные свидетельства реализации в окрашенном кристалле Сз1(Т1) эффективного безызлучательного переноса энергии от основных активаторных центров к (V) центрам окраски посредством индуктивно-резонансного механизма.

Научная и практическая значимость работы. Полученные в ходе данной работы данные вносят вклад в понимание процессов создания и эволюции первичных радиационных дефектов в кристаллах Сз1(Т1) и могут быть использованы для создания новых сцинтилляторов с улучшенными характеристиками.

Защищаемые положения:

1. Первичными радиационными дефектами, создаваемыми в кристалле Сз1(Т1) под действием наносекундных импульсных электронных пучков, являются Т1° и Ук центры окраскиактиваторная люминесценция в Сз1(Т1) возникает в результате туннельных электронных переходов между основными состояниями Т1° и Ук центров без промежуточной стадии образования околопримесных двухгалоидных экситонов в триплетном спиновом состоянии, как это считалось ранее.

2. Форма сцинтилляционного импульса при комнатной температуре определяется преимущественно двумя типами процессов: нарастающая ветвь определяется созданием излучающих комплексов [Т1°Ук] двух структурных морфологий в результате захвата УкА центрами окраски термически высвобожденных с уровней Т1° центров электронов (электронно-рекомбинационный механизм испускания люминесценции) — длительность затухания на спадающей ветви определяется временем жизни комплексов [Т1°Ук] до спонтанной туннельной излучательной аннигиляции.

3. Внутри запрещенной зоны широкощелевых кристаллов Сб1 с т содержанием таллия выше 4*10 вес.% формируется примесная подзона.

2 О проводимости, обусловленная 6 Р3/2 состоянием Т1 центров.

4. Люминесценция центров окраски, ответственная за изменение спектра сцинтилляций в радиационно-окрашенных кристаллах Сз1(Т1), обусловлена дырочными центрами со структурой в виде комплекса [Т1~ ус" ]. Механизмом образования стабильных при комнатной температуре центров окраски под действием видимого света в кристалле Сз1(Т1) является фотоиндуцированный перенос электронов валентной зоны на уровни ионов таллия, локализованных вблизи анионных либо катионных вакансий.

5. В кристалле Сз1(Т1) реализуется эффективный безызлучательный процесс переноса энергии от основных активаторных центров к (?) центрам окраски со структурой [Т1~ ус ] посредством индуктивно-резонансного механизма.

Апробация работы. Научные результаты и положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и семинарах: II, V и VI Международной конференции студентов и молодых ученых «Перспективы развития фундаментальных наук» (Томск, 2005, 2008, 2009) — III Всероссийской конференции молодых ученых «Фундаментальные проблемы новых технологий в 3-ем тысячелетии» (Томск, 2006) — XII и XIII Международной научно-практической конференции студентов и молодых ученых «Современные техника и технологии СТТ» (Томск, 2006, 2007) — X Международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах ФХП-10» (Кемерово, 2007) — XI Международной школе-семинаре по люминесценции и лазерной физике (Иркутск, 2008) — IV Уральском семинаре «Люминесцентные материалы и твердотельные детекторы ионизирующих излучений ТТД-2008» (Екатеринбург, 2008) — 13-й Международной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов КРС-14 (Астана, Казахстан, 2009).

Публикации. По теме диссертационной работы опубликовано 14 печатных работ. Основное содержание диссертации отражено в 7 публикациях.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, шести глав, заключения, списка использованной литературы из 136 наименований. Основная часть работы изложена на 111 страницах машинописного текста, содержит 51 рисунок и 7 таблиц.

Основные результаты и выводы работы заключаются в следующем:

1. Первичными радиационными дефектами, создаваемыми в кристалле Сз1(Т1) импульсным электронным пучком, являются Т1° и Ук центры окраски.

Активаторная люминесценция в Сз1(Т1) возникает в результате туннельных электронных переходов между основными состояниями Т1° и Ук центров: Длительность экспоненциального затухания люминесценции* определяется временем жизни комплексов [Т1°Ук] двух структурных морфологий до спонтанной излучательной аннигиляции, без промежуточной стадии образования пертурбированных ионами Т1+ экситонов (12~е~)* в триплетном спиновом состоянии.

2. Возникновение инерционной стадии разгорания активаторной люминесценции при Т>170К не связано с созданием околопримесных двухгалоидных экситонов в результате прыжковой миграции Ук к Т1° центрам (дырочно-рекомбинационный механизм), как это считалось ранее, а обусловлено образованием комплексов [Т1°Ук] в результате захвата термически высвобожденных в 6Р (Т1) подзону проводимости электронов Т1° центров на комплексы [ГГ1^] (электронно-рекомбинационный механизм).

3. Опытами по импульсному каскадному возбуждению кристаллов Сз1(Т1) установлено, что оптическое возбуждение переходов б2Р½ —>62Р3/2 в Т1° центрах при 80 К приводит к созданию комплексов [П" ^] двух структурных морфологий. Показано, что образование этих комплексов является результатом фотоиндуцированного переноса электронов от одиночных Т1° центров на уровни Укл центров, минуя собственную 68(Сб+) зону проводимости.

4. Выполненными впервые исследованиями спектров возбуждения объемной проводимости кристаллов Сз1(Т1) установлен факт возникновения токов проводимости под действием фотонов из области 2,9 — 4,0 эВ и получены тем самым прямые экспериментальные свидетельства существования в этих кристаллах примесной подзоны проводимости.

Условием формирования примесной подзоны проводимости является взаимное перекрытие волновых функций 6Р состояния таллия. Показано, что соответствующее выполнению этого условия критическое значение расстояния между ионами примеси находится внутри диапазона (6 — 38) нм.

5. При изучении влияния у-облучения и высокотемпературного отжига на спектры оптического поглощения кристаллов Сз1(Т1) обнаружен эффект «длинноволнового смещения» края поглощения Т1+ центров. Этот эффект связывается с влиянием анионных и катионных вакансий, наведенных облучением, на энергетические уровни ионов ближайшего окружения. Предложена схема электронных переходов, впервые позволяющая объяснить возможность окрашивания кристаллов Сз1(Т1) под действием дневного света.

6. При изучении динамики накопления ЦО под действием УФ излучения получены результаты, прямо свидетельствующие о том, что ЦО типа 0) и (И) имеют электрические заряды противоположного знака по отношению к решетке. Предложена модель (V) центров в виде комплекса (Т12+ус-), в котором избыточный положительный заряд иона Т12+ компенсируется отрицательным зарядом катионной вакансии.

7. Получены экспериментальные свидетельства реализации в окрашенном кристалле Сз1(Т1) эффективного безызлучательного переноса энергии от основных активаторных центров к (1) центрам окраски посредством индуктивно-резонансного механизма, а именно: возникновение провала в спектре излучения основных активаторных центров при 80 К, сокращение времен жизни комплексов Т1°Ук типа I и II, появление интенсивной полосы свечения (^-центров, присутствие в кинетике затухания полосы (1) центров временных стадий, характерных для Т1°Ук центров.

8. Предложена модель процессов, адекватно описывающая набор данных, полученных при изучении спектральных и температурно-зависящих характеристик фотостимулированной люминесценции ЦО, предполагающая, что свечение ЦО обусловлено передачей энергии с общего для них.

2, 0 донорного уровня Ф состояния 6 Р½ Т1 центра, а свечение основных активаторных центров — передачей энергии с уровня X состояния 62Рз/2 Т1° центра.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В результате проведенных исследований с использованием методов импульсной абсорбционной и люминесцентной спектроскопии с наносекундным временным разрешением впервые изучены закономерности создания и эволюции первичных радиационных дефектов при облучении кристаллов Сз1(Т1) импульсными пучками ускоренных электронов и лазерного излучения, а также накопления ЦО под действием оптического излучения ближнего УФ диапазона и их влияние на люминесцентные свойства Сз1(Т1).

Показать весь текст

Список литературы

  1. З.Л., Щукин И. П. Люминесценция центров окраски в кристаллах Cs1.Tl) // Оптика и спектроскопия. — 1956. — Т. 1, № 2. — С. 190−197.
  2. В.Ю. Создание центров окраски в кристаллах Csl при импульсном электронном облучении // ФТТ. 1984. — Т. 26, вып. 11. — С. 3334−3337.
  3. Nagirnyi V., Stolovich A., Zazubovich S. Pecularities of triplet relaxed excited-state structure and luminescence of a CsI: Tl crystal // J. Phys.: Condens. Matter. 1995. -V. 7. — P. 3637−3653.
  4. Spaeth J-M., Meise W., Song K.S. The nature of x-ray-induced luminescence and hole centers in CsI: Tl studied by optically detected electron paramagnetic resonance // J. Phys.: Condens. Matter. 1994. -V. 6. — P. 3999−4008.
  5. Quaranta A., Gramegna F., Kravchuk V., Scian C. Radiation damage mechanisms in CsI (Tl) studied by ion beam induced luminescence // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res.: B. 2008. — V. 266. — P. 2723−2728.
  6. Masunaga S., Morita I., Ishiguro M. Optical properties of CsI: Tl, CsBs: Tl // J. Phys. Soc. Japan. 1966. -V. 21, № 24. — P. 638−644.
  7. Stillman M.J., Jacobs P.W.M., Oyama Cannon K., Simkin D.J. Absorption and magnetic circular dichroism spectra of CsI: Tl+ // Phys. Status Solidi b. -1984.-V. 124.-P. 261−270.
  8. Chernov S.A., Trinkler L., Popov A.I. Photo- and thermo-stimulated luminescence of Csl-Tl crystal after UV light irradiation at 80 К // Radiation Effects and Defects in Solids. 1998. — V. 143. — P. 345−355.
  9. Simkin D.J., Belliveau T.F., Sivasankar V.S. et al. Luminescence of In+ and Tl+ in Alkali halides with the cesium chloride structure // J. Lumin. 1984. -V. 31, № 2.-P. 320−322.
  10. Asami K., Naka Т., Ishiguro M. Assignment of the Optical Absorption Bands in CsI: Tl and CsBr: Tl by Application of High Pressure // Phys. Status Solidi b.- 1981.-V. 104, № 1.-P. 145−149.
  11. Asami К., Ishiguro M. Pressure Effects on the Absorption and Emission of FA Centers in KC1 // Phys. Status Solidi b. 1983. — V. 120, № 2. — P. 205 209.
  12. Asami K., Ishiguro M. Emission spectra in KI: T1 and RbI: Tl phosphors with CsCl-type structure // Phys. Rev. B. 1979. — V. 19, № 11. — P. 5902−5905.
  13. Eppler R.A., Drickamer H.G. The effect of pressure on the spectra of the Tl+ ion in alkali halide lattices // J. Phys. Chem. Solids. 1958. — V. 6, № 2−3. -P. 180−183.
  14. Masunaga S., Ishiguro M. Absorption Spectra of Rubidium Halide-Thallium Phosphors with the CsCl-Type Structure // J. Phys. Soc. Japan. 1968. — V. 25, № 5.-P. 1337−1342.
  15. В.Б., Шамовский JI.M., Дунина А. А., Горобец Б. С. Два типа центров люминесценции в CsI(Tl) // Оптика и спектроскопия. 1974. -Т. 37, вып.4.-С.717−723.
  16. Gwin R., Murray R.B. Scintillation process in CsI (Tl) // Phys. Rev. 1963. -V. 131, № 2.-P. 501−508.
  17. Woody C.L., Kierstead J.A., Levy P.W., Stoll S. Radiation Damage in undoped Csl and CsI (Tl). // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1992. — V.39, № 4. — P. 524−531.
  18. Babin V., Kalder K., Krasnikov A., Zazubovich S. Luminescence and defects creation under photoexcitation of CsI: Tl crystals in Tl+ -related absorption bands // J. Lumin. 2002. — V. 96. — P. 75−78.
  19. Nikl M., Hlinka J., Mihokova E. et al. Decay kinetics of CsI: Tl luminescence excited in the A absorption band // J. Phys.: Condens. Matter. 1994. — V. 6. -P. 293−300.
  20. Ranfagni A., Mugnai D., Bacci M. et al. The optical properties of thalliumlike impurities in alkali halide crystals // Adv. Phys. 1983. — V. 32, № 6. — P. 823−905.
  21. Jacobs P.W.M. Alkali halide crystals containing impurity ions with the ns2 ground-state electronic configuration // J. Phys. Chem. Solids. 1991. — V.52, № 1.-p. 35−67.
  22. Zazubovich S. Polarization spectroscopy of ns2 impurity ions in alkali halides I I Int. J. Mod Phys. В. 1994. — V. 8. — P. 985−1031.
  23. Nagirnyi V., Zazubovich S., Zepelin V. et al. A new model for the visible emission of the CsI: Tl crystal // Chem. Phys. Lett. 1994. -V. 227, № 4−5. -P. 533−538.
  24. Song K.S., Williams R.T. Self Trapped Excitons / ed. M. Carbona et al. -Berlin: Springer. 1993. -105 p.
  25. Ю.Р., Канторович JI.H., Котомин E.A., и др. Модели процессов в широкощелевых твердых телах с дефектами. Рига: Зинатне. — 1991. -382 с.
  26. Я.Р., Валбис Я. А., Кандерс У. К. Туннельная люминесценция чистых и активированных Т1 и Ag щелочно-галоидных кристаллов // Изв. АН ЛатвССР: Сер. Физ. и Техн. Наук. 1973. — Т 73. — С. 741−746.
  27. С.А., Попов А. И., Тринклер Л. Э. Процессы возбуждения люминесценции в сцинтилляционном кристалле CsI(Tl) // Оптика и спектроскопия. 1996. — Т. 80, № 4. — С. 661−664.
  28. Valentine J.D., Moses W.W., Derenzo S.E. et al. Temperature dependence of Csl (TI) gamma-ray excited scintillation characteristics // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res.: A. 1993. -V. 325. — P. 147−157.
  29. Babin V., Fabeni P., Kalder K. et al. Photo- and thermally stimulated luminescence and defects in UV-irradiated CsI: Tl and CsI: Pb crystals // Rad. Meas. 1998. — V. 29. — P. 333−335.
  30. Barland M., Duval E., Nouailhat A., Aegerter M. Migration of Vk centers in Csl crystal // J. Phys. C: Solid State Phys. 1981. — V. 14, № 29. — P. 42 374 245.
  31. Song K.S. On the migration of Vk-centers in alkali halides // J. Phys. Chem. Solids.-V. 31, № 6.-P. 1389−1397.
  32. Pilloud J.J., Jaccard C. Dynamic properties of X2~ centres in cesium halides // Phys. Stat. Sol. B. 1979. -V. 92. — P. 233−239.
  33. Sidler Т., Pellaux J.-P., Nouailhat A., Aegerter M.A. Study of Vk centres in Csl crystals // Sol. State Commun. 1973. — V. 13, № 4. — P. 479−482.
  34. Pellaux J.-P., Sidler Т., Nouailhat A., Aegerter M.A. Radio and thermoluminescence studies in Csl doped with F centres // Sol. State Commun. 1973. -V. 13, № 7. — P. 979−981.
  35. Ч.Б. Электронные возбуждения и электронные процессы в люминесцирующих ионных кристаллах // Труды ИФА АН ЭССР. 1966. -№ 31.-С. 19−83.
  36. Fukuda A. Jahn-Teller effect on the structure of the emission produced by excitation in the A band of KT. Tl-type phosphors. Two types of minimum on the Г4(3Т14) adiabatic potential-energy surface // Phys. Rev. B. 1970. -№ 1. -P. 4161−4178.
  37. Seitz F. Imperfections in Nearly Perfect Crystals / ed. by W. Shockley. New York: Wiley. — 1952. — 490 p.
  38. Illingworth R. Luminescence decay of KI (T1), KBr (Tl), and KCl (Tl) // Phys. Rev. A 1964. -V. 13, № 2. — P. 508−517.
  39. Donahue J., Teegarden K. Luminescence from Perturbed Exiton States // J. Phys. Chem. Sol. 1968. -V. 29, № 12. — P. 2141−2151.
  40. Towayama Т., Morita I., Ishiguro M. The Luminescence in CsI: Tl // J. Phys. Soc. Japan.-1968.-V. 25, № 4.-P. 1133−1138.
  41. Song K.S., Leung C.H., Spaeth J.M. Zero-field splitting of the self-trapped exciton in alkali fluorides and alkaline-earth fluorides // J. Phys.: Condens. Matter. 1990. -V. 2, № 30. — P. 6373−6379.
  42. Song K.S., Leung C.H. A theoretical study of the pi -luminescence from self-trapped excitons in alkali halide crystals // J. Phys.: Condens. Matter. 1989. -V. 1, № 44. — P. 8425−8435.
  43. Song K.S., Baetzold R.C. Structure of the self-trapped exciton and nascent Frenkel pair in alkali halides: An ab initio study // Phys. Rev. B. 1992. — V. 46.-P. 1960−1969.
  44. Baetzold R.C., Song K.S. Transient absorption energies of the self-trapped exciton in alkali halide crystals // Phys. Rev. B. 1993. — V. 47. — P. 1199— 1202.
  45. Williams R.T., Song K.S., Faust W.L., Leung C.H. Off-center self-trapped excitons and creation of lattice defects in alkali halide crystals // Phys. Rev. B. 1986. -V. 33. — P. 7232−7240.
  46. Kan’no К., Tanaka K., Kosaka H. et al. Decay time measurements of intrinsic luminescence in alkali halides using single-bunched light pulses from UVSOR // Phys. Scr. — 1990. -V. 41, № 4. P. 120−123.
  47. Kan’no K., Tanaka K., Hayashi T. New aspects of intrinsic luminescence in alkali halides // Rev. Solid State Sci. 1990. — V. 4. — P. 383−386.
  48. Matsumoto Т., Kawata Т., Miyamoto A., Kan’no K. Time-resolved spectroscopic study on the type I self-trapped excitons in alkali halide crystals. I. Emission spectra and decay behavior // J. Phys. Soc. Japan. -1992. V. 61, № 11. — P. 4229−4241.
  49. Matsumoto Т., Kawata Т., Miyamoto A., Kan’no K. Proc. 12th Int. conf. on defects in insulating materials / ed. O. Kanert, J.-M. Spaeth. Singapore: World Scientific. — 1993, P. 327−329.
  50. Rabin H., Klick C.C. Formation of F centers at low and room temperatures // Phys. Rev.-1960.-V. 117, № 4.-P. 1005−1010.
  51. Townsend P.D. A new interpretation of the Rabin and Klick diagram // J. Phys. Chem: Solid State Phys. 1973. -V. 6. — P. 961−966.
  52. Л.П., Колесникова Т.A. // Оптика и спектроскопия. 1979. -Т. 47.-С. 292−295.
  53. Л.В., Нагорная Л. Л., Шпилинская Л. Н. Влияниекислородсодержащих примесей на окрашиваемость кристаллов CsI(T^) // Рост и свойства кристаллов. Харьков: ВНИИ монокристаллов. -1980.-№ 6.-С. 24−27.
  54. Л.П. Фотохимическое и радиационное окрашивание детекторов ионизирующих излучений на основе иодидов щелочных металлов // Изв. АН СССР Сер. физ. 1986. — Т. 50, № 3 — С. 547−550.
  55. Л.П., Колесникова Т. А. Фотохимическое и радиационное окрашивание детекторов CsI(T?) // ЖПС. 1986. — № 1.- С. 2−15.
  56. Trefilova L.N., Kudin A.M., Kovaleva L.V. et al. Role of sodium in radiation defect formation in Csl ciystals // Rad. Meas. 2001. — V. 33. — P. 687−692.
  57. JI.H. Роль примесных ионов СОз «в процессах создания центров свечения и окраски в кристаллах иодида цезия: Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10. Харьков. -2000. — 151с.
  58. И.А., Горбачев В. М., Кузянов В. В. и др. Радиационные эффекты в монокристаллах иодистого цезия, активированного таллием, при воздействии гамма-излучения // Атомная энергия. 1973. — Т. 35, № 5. -С. 364−366.
  59. . П.П. Анизотропия люминесценцирующих центров окраски в кристаллах CsI(Tl) // Оптика и спектроскопия. 1956. — Т. 1. — С. 952 954.
  60. С.Г., Штанько В. И. Парные активаторные центры окраски в кристалле CsBr(In) // Оптика и спектроскопия. 1970. — Т. 29, №.1. -С. 109−118.
  61. B.C., Зазубович С. Г. Поляризованная люминесценция парных активаторных центров в необлученных и в рентгенизированных кристаллах CsBr(Ga) и CsI (Ga) // Оптика и спектроскопия. 1970. — Т. 29, №.5.-С. 925−930.
  62. А.К., Штанько В. И. Люминесценция сложных активаторных центров в кристаллах галогенидов цезия // Труды 25 Всесоюзной конференции по люминесценции. — Львов. 1978. — С. 88−90.
  63. А.К., Штанько В. И. Радиационные превращения в кристаллах CsI(Tl) // Технология, процессы, аппараты и качество промышленных люминофоров. Ставрополь: ВНИИ люминофоров. — 1978. — С. 61−65.
  64. Trefilova L., Charkina Т., Kudin A. et al. Radiation defects creation in CsI (Tl) crystals and their luminescence properties // J. Lumin. 2003. — V. 102−103.-P. 543−550.
  65. Van Puymbroeck W., Andriessen J., Schoemaker D. Complex Ga°(4p1) and In^P1) in KC1. Electron-spin-resonance study // Phys. Rev. B. 1981. — V. 24, № 5.-P. 2412−2429.
  66. JI.E., Станько Н. Г. Фотоионизация ионов Т1+ в кристалле КС1-Т1, NaCl-Tl интенсивным возбуждением в А-полосе поглощения // Изв. АН Латв. ССР. 1986. — № 3. — С. 30−35.
  67. Dietrich Н.В., Purdy А.Е., Murray R.B., Williams R.T. Kinetics of self-trapped holes in alkali-halide crystals: experiments in Nal (Tl) and KI (T1) // Phys. Rev. B. 1973. — V. 8, № 12. — P. 5894−5901.
  68. Rogulis U., Spaeth J.-M., Cabria I. et al. Optical properties of Tl2+ hole centres in alkali halides. Part I: Investigation with optical detection of paramagnetic resonance // J. Phys.: Condens. Matter. 1998. — № 10. — P. 6473- 6482.
  69. Hadley W.B., Polick S., Kaufman R.G., Hersh H.N. Energy storage and luminescence in KI: T1 at low temperatures // J. Chem. Phys. — 1966. — V. 45, № 6.-P. 2040−2048.
  70. Hersh H.N. Color centers in KI containing impurity electron acceptors KI-T1 // J. Chem. Phys. 1959. — V. 30. — P. 790−800.
  71. P.А. Дис. д-ра. физ.-мат. наук. 1968.
  72. Г. А., Кондратько М. Я., Виноградова Т. Г. Стабильные центры окраски в галогенидах цезия // ЖПС. 1966. — № 4. — С.278−280.
  73. В.И. Коллоидообразование в кристаллах CsBr-In, инициируемое ионизирующим излучением: Автореф. дисс. канд. хим. наук: физическая химия № 073. Ленинград, 1969. — 19 с.
  74. Rogulis U., Spaeth J.-M., Elsts Е., Dolgopolova A. Tl-related radiation defects in CsI (Tl) // Rad. Meas. 2004. — V. 38. — P. 389−392.
  75. M.E., Grinyov B.V. // Inorganic scintillation crystals: new and traditional materials. Kharkov, Ukraine: Acta Press. — 2000. — P. 146−153.
  76. Baranov P.G., Khramtsov A. EPR study of impurity colour centres in P-state in alkali halides // Phys. Stat. Solidi B. 1980. — V. 101. — P. 153−161.
  77. Goovaerts E., Andriessen J., Nistor S.V., Schoemaker D. Electron-spin-resonance study of the atom defects in KC1 and relativistic many-body analysis of the hyperfine structure. // Phys. Rev. B. 1981. — V. 24. — P. 2949.
  78. Ueta M., Kondo Y., Hirai M., Yoshinary T. F-centre formation in KC1 by a pulsed electron beam at 80 К // J. Phys. Soc. Japan 1969. — V. 26, № 4. — P. 1000−1006.
  79. B.K., Яковлев В. Ю. Радиационное создание дефектов в кристаллах KI при облучении мощным потоком электронов наносекундной длительности // ФТТ. 1980. — Т. 22, вып. 8. — С. 22 502 252.
  80. И.А., Пензина Э. Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Иркутск: Вост.-Сиб. кн. Изд. 1977, — 208 с.
  81. Х.Н. В кн.: Центры окраски в ЩГК. М.: Иностр. Лит. 1958. — С. 150−153.
  82. Konitzer J., Hersh. Н. Color centers in X-rayed or ultraviolet-irradiated potassium iodide // J. Phys. Chem. Sol. 1966. -V. 27, № 4. — P. 771−781.
  83. Goryletsky V.I., Zaslavsky B.G., Kudin A.M. et al. // Materials of electronic engineering, Moscow, MISiS. 2000. — P. 37−40.
  84. Полосы поглощения F-центров только при малых конц. Т1
  85. Avakian P., Smakula A. Color centers in cesium halide single crystals // Phys. Rev. 1960. — V. 131, № 6. — P. 2007−2014.
  86. Rabin H., Schulman J.H. Color centres in CsCl-type alkali halides // Phys. Rev.-1962.-V. 125.-P. 1584−1596.
  87. Delbecq C.J., Ghosh A.K., Yuster P.H. Trapping and annihilation of electrons and positive holes in KC1-T1C1 // Phys. Rev. V. 151, № 2. — P. 599−609.
  88. C.J., Ghosh A.K., Yuster P.H. 2P1/2-+2P3/2 transitions of Tl° in alkali-halide crystals // Phys. Rev. 1967. -V. 154. — P. 797−798.
  89. Mollenauer F., Vieira N.D., Szeto L. Optical properties of the T1°(I) center in KC1 //Phys. Rev. B. 1982. -V. 27, № 9. — P. 5332−5346.
  90. Ahlers F J., Lohse F., Sparth J.M., Mollenauer L.F. Magneto-optical studies of atomic thallium in KC1: Magnetic circular dichroism tagged by spin resonance // Phys. Rev. B. 1983. -V. 28, № 3. — P. 1249−1255.
  91. Thoms M., von Seggern H., Winnacker A. Optical and thermal properties of electron- and hole-trapping sites in the x-ray storage phosphor RbI: X (X=T1+, In+, Pb2+, Eu2+) // J. Appl. Phys. 1994. — V. 76, № 3. — P. 18 001 808.
  92. Ohno N. Time resolved photoluminescence of exciton-polaritons in orthorhombic Til // J. Lum. 2006. — V. 119−120. — P. 47−50.
  93. Л.П., Ковалева Л. В., Саломатов B.T. и др. Центры свечения и механизм образования активаторных центров А20(А2+) в кристаллах CsI (T^) // Монокристаллы, их получение и свойства. Харьков: ВНИИ монокристаллов. — 1982. -№ 8. — С. 11−17.
  94. В.И., Колотилин В. В., Котов Г. В. Коагуляция примесных радиационных дефектов в кристаллах CsBr-In. // Журн. физ. хим. 1980. — Т. 54, № 10. — С. 2578−2582.
  95. Shpilinskaja L.N., Zosim D.I., Kovaleva L.V. et al. // Proceedings of 5th International conference on inorganic scintillators and their applications, Moscow. 1999. — P. 538−540.
  96. Захряпин, Гладышев Г. Е., Громов JI.A. Диффузия таллия в поле у-излучения // ФТТ. 1983. — Т. 25, № 4. — С. 1152−1154.
  97. Gellermann W., Koch К.Р., Luty F. Recent progress in color center lasers // Laser Focus. 1982. — № 4. — p. 71−78.
  98. Trefilova L., Grinyov В., Alekseev V. et al. Peculiarity of energy transfer in irradiated CsI (Tl) crystal // Изв. вузов. Физика. 2006. — № 10. Приложение. — С. 141−144.
  99. Bieler Ch., Burkart D., Marks J. et al. Radiation damage of BGO and CsI (Tl) crystals // Nucl. Inst. Meth.: A. 1985. — V. 234. — P. 435−442.
  100. Kobayashi M., Sakuragi S. Radiation damage of CsI (Tl) crystals above 103 rad // Nucl. Inst. Meth. A. 1987. — V. 254. — P. 275−280.
  101. Zhu R.Y. Radiation damage in scintillating crystals // Proceedings of 4th International conference on inorganic scintillators and their applications, Shanghai, China, September 22−25, 1997. P. 73−89.
  102. Woody C.L., Kierstead J.A., Levy P.W., Stoll S. Radiation damage in undoped Csl and CsI (Tl) // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1992. — V. 39, № 4. — P. 524−531.
  103. Hamada M.M., Costa F.E., Shimizu S., Kubota S. Radiation damage of CsI (Tl) scintillators: blocking of energy transfer process of Vk centers to Tl+ activators // Nucl. Instr. Meth.: A. 2002. — V. 486. — P. 330−335.
  104. Юб.Гафиатулина E.C., Чернов C.A., Яковлев В. Ю. Создание экситонов и дефектов в кристалле Csl при импульсном электронном облучении // ФТТ. 1998. — Т. 40, № 4. — С. 640−644.
  105. Г. А. Генерирование мощных наносекундных импульсов. М.: Сов. Радио. — 1974. — 255 с.
  106. В.Ю., Трефилова Л. Н., Мелешко А. А., Ганжа Ю. С. Природа процессов люминесценции в CsI(Tl) при возбуждении импульсным электронным пучком // Изв. вузов. Физика. 2009. — № 8/2. — С. 235−238.
  107. Yakovlev V., Trefilova L., Meleshko A. Time-resolved optical spectroscopy of CsI (Tl) crystals by pulsed electron beam irradiation // J. Lumin. 2009. -V. 129. -P.790−796.
  108. Быстропротекающие радиационно-стимулированные процессы в щелочно-галоидных кристаллах / Алукер Э. Д., Гаврилов В. В., Дейч Р. Г., Чернов С. А. Рига: Зинатне, 1987. — 183 с. 113. .Формула Смакулы-Декстера
  109. Kuzovkov V.N., Kotomin Е.А. Many-particle effects in accumulation kinetics of Frenkel defects in crystals // J. Phys. C. 1984. — V. 17, № 13. — P. 22 832 292.
  110. В.В., Штанько В. И. Собственные дырочные центры в облученных кристаллах Csl // ФТТ. 1984. — Т. 26, № 1. — С. 236−238.
  111. В.А., Лисицын В. М., Яковлев В. Ю. Оптическое поглощение и люминесценция автолокализованных экситонов в Csl при импульсном электронном возбуждении // ФТТ. 1985. — Т. 60, № 3. — С. 662−664.
  112. Schnorer H., Kuzovkov V.N., Blumen A. Segregation in annihilation reactions without diffusion: Analysis of correlations // Phys. Rev. Lett. -1989.-V. 63.-P. 805−808.
  113. Williams F.E. Theory of the energy levels of donor-acceptor pairs // J. Phys. Chem. Solids. 1960. — V. 12, № 3−4. — P. 265−275.
  114. Popov A.I., Chernov S.A., Trinkler L.E. Time-resolved luminescence of Csl-T1 crystals excited by pulsed electron beam // Nucl. Inst. & Meth. B. 1997. -V. 122, № 3.-P. 602−605.
  115. E.T. Кинетика гомогенных химических реакций: Учеб. пособие для хим. спец. вузов. 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высш.шк., 1988. -391 с.
  116. Eby F.S., Teegarden К J., Dutton D.B. Ultraviolet absorption of alkali halides // Phys. Rev. 1959. — V. 96, № 4. — P. 911−920.
  117. Акустические кристаллы. Спр-к. Блистанов А. А., Бондаренко B.C., Чкалова В. В. и др. Под ред. М. П. Шаскольской. М.: Наука. — 1982. -632 с.
  118. Trefilova L., Grinyov В., Alekseev V. et al. The reasons the scintillation efficiency decrease of CsI (Tl) crystals exposed by the high-dosed radiation // Rad. Meas. -2007. -V. 42.-P. 839−842.
  119. Alekseev V., Golub I., Grinberg M. et al. Resonant interaction of defects in irradiated CsI (Tl) crystals // Optical Materials. -2008. V. 30. — P. 711−713.
  120. Yakovlev V., Meleshko A., Trefilova L. Color centers in heavily irradiated CsI (Tl) crystals // J. Lumin. 2008. — V. 128. — P. 1447−1453.
  121. Trefilova L., Grinyov В., Yakovlev V.Yu. et al. Photo- and radiation-stimulated processes in CsI (Tl) crystals // IEEE Transact. Nucl. Sei. 2008. -V. 55, № 3 — P. 1−7.
  122. A.A. Центры окраски в щелочногалоидных кристаллах. -Томск: изд-во ТПУ. 1968. — 390 с.
  123. A.A., Яковлев В. Ю. Импульсная фотолюминесценция у-окрашенных кристаллов CsI(Tl) // Материалы V Международной конференции студентов и молодых ученых «Перспективы развития фундаментальных наук» (20−23 мая). Томск, 2008. — С. 62−64.
  124. Grinyov В., Trefilova L., Golub I. et al. Peculiarity of energy transfer-in irradiated Cs (Tl) // Proceedings of 13th International conference on radiation physics and chemistry of inorganic materials. Tomsk, 2006. -, P. 141−144.
  125. В.Ю. Закономерности создания короткоживущих радиационных дефектов в ЩГК. Дис. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10. -Томск.-1996.-243 с.
  126. Forster Th. Zwischenmolekulare Energiewanderung und Fluoreszenz // Ann. Der. Phys. 1948. -V. 437, № 1−2. -P. 55−75.
  127. Belogurov S., Bressi G., Iannuazzi D. et al. Infrared scintillation in crystals // Proceedings of the 5 Int. conf. on inorganic scintillators and their Industrial application SCINT-5. Moscow. — 2000. — P. 304−308.
  128. А.Ф., Араманович И. Г. Краткий курс математического анализадля втузов. -М. 1971.-736 с. 136. Алукер Э. Д., Лусис Д. Ю., Чернов С. А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов. — Рига, Зинатне, -1979.-252 с. С124
Заполнить форму текущей работой

На отлично!