Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN

Диссертация: Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Светоизлучающие диоды (СД) сине-зеленого диапазона на основе InGaN-структур с квантово-размерной активной областью в совокупности с желто-красными и красными СД на AlGalnPи AlGaAs-гетероструктурах перекрыли по цветовой гамме весь видимый спектральный диапазон, обеспечивая эффективное преобразование электрической энергии в оптическую. Наблюдается активное массовое применение СД: в Москве… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Состояние вопроса по структурам на основе GaN и его твердых растворов
    • 1. 1. Проблемы создания и основные параметры гетероструктур на основе GaN и его твердых растворов
    • 1. 2. Оптические характеристики СД-структур на основе GaN и его твердых растворов
    • 1. 3. ВАХ СД на основе GaN и его твердых растворов
    • 1. 4. Подвижность носителей заряда и механизмы рассеяния в структурах на основе GaN и его твердых растворов
    • 1. 5. Вольт-емкостные характеристики СД на основе GaN с КЯ
    • 1. 6. Определение параметров глубоких уровней
    • 1. 7. Выводы по главе
  • Глава 2. Определение параметров рекомбинационных центров в пространственно неоднородных структурах
    • 2. 1. Туннельная рекомбинация в структурах на основе AlGaN/lnGaN/GaN с ОКЯ и на основе InGaN/SiC
      • 2. 1. 1. Rnp (U) для структур на основе AlGaN/lnGaN/GaN с ОКЯ
      • 2. 1. 2. Исследование структур InGaN/SiC с модулированным легированием и ОКЯ
    • 2. 2. Коэффициент пропускания структуры на основе AlGaN/lnGaN/GaN
      • 2. 2. 1. Определение параметров барьеров, образующих КЯ
      • 2. 2. 2. Расчет коэффициента пропускания
    • 2. 3. Рекомбинация в структурах на основе твердого раствора InGaN/GaN
      • 2. 3. 1. Определение энергии активации процесса туннелирования из 55 зависимости приведенной скорости рекомбинации от температуры 2.4 Выводы по главе
  • Глава 3. Электрические характеристики структур на основе
    • I. nGaN/GaN
      • 3. 1. Описания образцов для исследования
      • 3. 2. В АХ структур на основе твердого раствора InGaN
        • 3. 2. 1. Описание экспериментальной установки для измерения ВАХ
        • 3. 2. 2. Механизмы токопереноса
        • 3. 2. 3. Подвижность и механизмы рассеяния в структурах на основе InGaN/GaN
        • 3. 2. 4. Влияние туннелирования на ВАХ
          • 3. 2. 4. 1. Туннельный ток в структурах с потенциальными и кванто- ^ выми ямами
          • 3. 2. 4. 2. Влияние туннелирования на ВАХ
      • 3. 3. Вольт-фарадные характеристики структур на основе InGaN/GaN
        • 3. 3. 1. Описание экспериментальной установки для измерения ВФХ. 81 3.3.2. С- ^/-характеристики структур на основе InGaN/GaN
        • 3. 3. 3. Определение параметров /?-я-перехода с компенсированным ^ слоем
      • 3. 4. Выводы по главе
  • Глава 4. Электролюминесцентные характеристики структуры ^ на основе InGaN/GaN
    • 4. 1. Описание экспериментальной установки для измерения спек- 98 тров ЭЛ
    • 4. 2. Влияние температуры на спектры ЭЛ структуры на основе 100 InGaN/GaN
    • 4. 3. Влияние тока на спектры ЭЛ при постоянной температуре 104 (Т=293 К, Т= 93 К)
    • 4. 4. Коэффициент полезного действия светодиодов на основе 107 InGaN/GaN
    • 4. 5. Выводы по главе
  • Глава 5. Определение параметров глубоких уровней структуры на основе InGaN/GaN методами емкостной спектроскопии
    • 5. 1. Термостимулированная емкость (ТСЕ)
      • 5. 1. 1. Установка измерения ТСЕ
      • 5. 1. 2. ТСЕ структуры на основе InGaN/GaN
    • 5. 2. Спектры DLTS 117 5.2.1. Установка для измерения спектра DLTS 117 5.2.2 Спектры DLTS структуры на основе InGaN/GaN
    • 5. 3. Выводы по главе 1
  • Заключение
  • Список литературы

Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Светоизлучающие диоды (СД) сине-зеленого диапазона на основе InGaN-структур с квантово-размерной активной областью в совокупности с желто-красными и красными СД на AlGalnPи AlGaAs-гетероструктурах перекрыли по цветовой гамме весь видимый спектральный диапазон, обеспечивая эффективное преобразование электрической энергии в оптическую. Наблюдается активное массовое применение СД: в Москве установлены СД-светофоры, в которых для зеленого света применены элементы на основе нитридовсозданы железнодорожные СД-светофоры с узкой направленностью излученияна одном из небоскребов Нью-Йорка установлен полноцветный СД-экран, смонтированный из 16 млн. элементов. Проектируются телевизоры с экранами более 70 см по диагонали, в которых каждая из 100 тыс. светящихся точек, формирующих изображение, сделана из СД трех цветов — синего, зеленого и красного.

Компания «Осрам-Оптосемикондакторс» продемонстрировала служебное помещение с плафоном на потолке из 14 тыс. голубых, зеленых, желтых, красных и белых СД. Режим работы устанавливается процессором, что позволяет выбором тока задать освещение того или иного типа от теплого, близкого к свету ламп накаливания, до холодного, как у люминесцентных ламп. Излучение СД в плафоне сфокусировано так, что свет идет вниз, не рассеиваясь к стенам. СД нашли применение и в декоративном освещении архитектурных деталейосвещение моста в Дуйсбурге (Германия) полупроводниковыми светильниками [1].

Таким образом, можно выделить следующие области применения СД, а также лазерных диодов, излучающих в различных областях спектра [2, 3]:

1) увеличение емкости CD и DVD. Плотность записи ~Ш2 (Ядлина волны излучения), за счет замены красного лазерного диода на фиолетовый с уменьшением Я в 2 раза объем памяти возрастает в ~ 4 раза;

2) создание полноцветных дисплейных экранов. Комбинируя InGaN-, AlGaNи GaAlAs-СД, можно получить любой участок видимого спектра;

3) в устройствах отображения информации (указателях пешеходных переходов, устройствах ограничения скорости, в стадионных табло, рекламе), уличных светофорах, системах аварийного оповещения и т. д.;

4) в цветных лазерных принтерах высокого разрешения;

5) в системах связи на основе волоконно-оптических линий;

6) в производстве экономичных осветительных устройств;

7) в системах атмосферной оптической связи, охранных системах, системах автоматики, оптопарах, оптореле;

8) синие СД используются для создания СД белого свечения с малым энергопотреблением, которые можно использовать в условиях повышенной взрывои пожароопасности. Применение таких источников излучения при видеои фотосъемке обеспечивает неискаженную цветопередачу.

Преимуществом осветительных СД-приборов на основе GaN и его твердых растворов является малое потребление энергии, малое тепловыделение, вибростойкость, отсутствие специальных патронов, достаточная гамма излучения, высокая долговечность, широкий диапазон рабочих температур (от -40° до +85 °С).

Исследования свойств нитридов элементов группы III (A1N, GaN, InN) и их сплавов, позволили заключить, что они являются наиболее перспективными материалами для изготовления светои лазерных диодов, излучающих во всей видимой и ультрафиолетовой (240—620 нм) областях спектра. Эти материалы имеют прямую структуру зон с шириной запрещенной зоны от 6.2 эВ (A1N) до 1.9 эВ (InN) или ниже. Для создания СД-структур с преобладающим излучением в синем и ультрафиолетовом спектральных диапазонах обычно используются GaN и твердые растворы на его основе InxGaixN, AlxGaixN. GaN — прямозонный материал, гексагональная модификация которого имеет ширину запрещенной зоны 3.4 эВ при комнатной температуре. Ультрафиолетовое свечение GaN обусловлено рекомбинацией свободных и связанных экситонов гексагональной фазы. Голубое свечение с максимумом при 2.7 эВ обусловлено излучательной рекомбинацией внутри донорно-акцепторных пар, при этом донором является вакансия азота в одном из своих зарядовых состояний. В работе [4] приведены следующие значения внешнего квантового выхода для структур на основе InGaN с КЯ: 18% для синего и 20% для зеленого СД.

Связи атомов металлов с N в гексагональной решетке типа AinBv сильнее, чем связи с As или Р в кубической решетке. Поэтому образование дефектов в идеальной решетке нитридов менее вероятно, чем в решетке арсенидов или фосфидов. Приборы из нитридов должны быть более долговечными. Реальное положение дел определяется дефектами в GaN-структурах: срок службы СД на основе GaN оценивается как >10э часов. В таблице 1.1 приведено сравнение параметров СД из разных материалов по данным работы [2].

Таблица 1.1 Сравнение характеристик некоторых СД.

СветоДИОД Материал Длина волны излучения, нм Интенсивность люминесценции, мккд Выходная мощность, мкВт Квантовый выход, %.

Красный GaAlAs 660 1790 4555 12.83.

Зеленый GaP 555 63 30 0.07.

Зеленый InGaN 500 2000 1000 2.01.

Синий SiC 470 9 11 0.02.

Синий InGaN 450 2500 3000 5.45.

Большие значения ширины запрещенной зоны, напряжения пробоя и ряд других особенностей системы AniN позволяет рассчитывать на создание транзисторов с параметрами, превосходящие достижимые в структурах на основе AmBv Сильные, порядка 106 В/см, встроенные пьезоэлектрические поля в гетероструктурах AlGaN/GaN позволяют при правильно выбранной геометрии структуры увеличить изгиб зоны проводимости на границе AlGaN/GaN и тем самым поднять концентрацию носителей в канале. Изменения электронного потенциала и энергий формирования дефектов, вызванные внутренними полями в структурах GaN/AlGaN (0001) вюртцитной модификации, приводят к высокой плотности двумерного электронного газа, что позволило создать мощные полевые транзисторы с близкими к GaAs/AlGaAs (001) характеристиками.

Структуры на основе Ш-нитридов обладают важными отличиями от систем на основе арсенидов: первое состоит в малой величине разрыва в зоне проводимости, второе состоит в заметно меньших размерах квантовых точек (-100 А) в нитридных системах по сравнению с арсенидными. Благодаря однодолинному устройству нижней зоны проводимости нит-ридные структуры AlGaN/InGaN/GaN могут создать конкуренцию материалам GaAs/AlGaAs в приборах с поперечным транспортом.

Гетероструктуры с туннельно-связанными квантовыми ямами (КЯ) привлекают внимание как альтернатива традиционным полупроводниковым приборам. На основе таких структур создаются различные приборы: генераторы сверхвысокочастотных колебаний, логические элементы. Принцип действия этих приборов основан на туннельном взаимодействии состояний в КЯ, обладающих разной проводимостью (подвижностью).

Таким образом, нитридные гетероструктуры являются многообещающими для применения не только в оптоэлектронике (СД, инжекцион-ные лазеры, фотоприемники), на их основе созданы мощные высокочастотные полевые транзисторы, работающие при высоких температурах.

Из приведенных отраслей использования Ш-нитридов и их физических особенностей следует, что проведение исследований, направленных на изучение механизмов, ответственных за формирование электрических и электролюминесцентных характеристик СД-структуры на основе InGaN является актуальным.

Цель работы:

Изучение механизмов, определяющих излучательные и безызлуча-тельные рекомбинационные процессы, а также формирующих прямые вольт-амперные характеристики (ВАХ) светодиодов с квантовыми ямами на основе твердого раствора InGaNразработка физических принципов диагностики параметров исследуемых структур на основе InGaN/GaN.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Исследование механизмов, формирующих туннельно-рекомбинационные токи структур на основе твердого раствора InGaN.

2. Разработка методов определения параметров рекомбинационных уровней на основе анализа зависимости приведенной скорости рекомбинации от напряжения R"p = f (u) с учетом туннелирования и выводов обобщенной модели рекомбинации.

3. Экспериментальное исследование электрических и электролюминесцентных характеристик структур InGaN/GaN. Определение параметров изучаемых структур и рекомбинационных уровней в них.

Основные результаты работы можно сформулировать следующим образом:

1. Показано, что из обобщенной модели рекомбинации с учетом туннели-рования можно получить выражения, описывающие ВАХ и зависимость приведенной скорости туннельной рекомбинации от напряжения для структур с КЯ.

2. На основе обобщенной модели рекомбинации разработан метод определения параметров рекомбинационных уровней из анализа зависимости приведенной скорости рекомбинации от напряжения с учетом туннели-рования. Проведен расчет параметров уровней для структур на основе AlGaN/InGaN/GaN и для структур InGaN/SiC с модулированным легированием и КЯ. Данный метод можно использовать только в определенной области температуры, которая ограничена положительными значениями дискриминантов квадратных уравнений.

3. Определены параметры потенциальных барьеров исследуемой двухбарьерной структуры на основе AlGaN/InGaN/GaN с ОКЯ. С ростом температуры наблюдается уменьшение высоты второго барьера, высота первого барьера не меняется с изменением температуры.

4. Определен основной механизм токопереноса в структурах на основе InGaN/GaN — прыжковая проводимость с участием туннелирования. Зависимость энергии активации тока от напряжения на структуре согласуется с характером изменения плотности состояний вблизи уровня Ферми при росте внешнего напряжения смещения.

5. Для гетероструктуры на основе InGaN/GaN в области напряжений до 3 В наблюдается увеличение подвижности носителей заряда с ростом напряжения как для образца № 1, так и для образца № 10, при этом она проходит участки насыщения. Участок насыщения подвижности может быть связан с участком минимума плотности состояний вблизи уровня Ферми. Увеличение подвижности в области напряжения (U >2 В) для образца № 10 можно объяснить зависимостью времени жизни и концентрации свободных носителей от U.

6. Зависимость барьерной емкости от приложенного напряжения в координатах С’ъ = f{U) линейна, напряжение отсечки составляет 3.58^-3.61 В. Эта величина превышает значение ширины запрещенной зоны InGaN, что указывает на наличие компенсированных слоев в исследуемой структуре. Предложен способ определения напряжения отсечки структуры на основе InGaN/GaN с учетом компенсированного слоя и линейного распределения примеси. Определен градиент легирующей примеси, ширина компенсированного слоя L.

7. Из ВФХ и температурных зависимостей прямых ВАХ структуры на основе InGaN/GaN установлено наличие двух групп локализованных состояний. Оценена характерная плотность состояний интерфейса.

8. На спектрах ЭЛ структуры на основе InGaN/GaN наблюдаются два максимума: с энергией 2.91 эВ (излучательная рекомбинация в квантовой яме) — с энергией 3.41 эВ при 7М53 К (межзонные излучательные переходами в GaN). Интенсивность максимума Йотах =2.91 эВ растет с увеличением температуры при Т < 243 К из-за притока туннелирующих в КЯ носителей заряда при изменении внутреннего электрического поля и состояний на гетерогранице. При Т > 243 К интенсивность максимума ha) max =2.91 эВ уменьшается с ростом температуры (температурное гашение ЭЛ).

9. Зависимость КПД от тока через образец rj = /(/) имеет немонотонный характер с максимумом в диапазоне / = 3 -ь 6 мА, принимая при этом значения в диапазоне 0.2-^-3.57%. При этом на зависимости 5 = /(/) можно выделить три участка: участок резкого увеличения с наклоном «= 2.68, что связано с преобладанием излучательного канала рекомбинацииучасток линейного роста с наклоном «= 1.1, что соответствует постоянному внутреннему квантовому выходу. В этой области токов наблюдается максимум на зависимости 77 = /(/) — участок с наклоном «= 0.68. Предполагается существование нескольких механизмов увеличения безызлучательной рекомбинации: прежде всего, это связано с возрастанием падания напряжения на компенсированном слоес утечками носителей заряда из КЯ в соседние широкозонные слои GaNс переходом носителей в неосновную долину InGaN и рекомбинацией с участием фононов (также усиливаются процессы рассеяния с участием фононов) — пиннинг уровня Ферми на гетерогранице с высокой плотностью состояний вызывает подавление инжекции в КЯ в результате эффективность ЭЛ уменьшается с ростом тока через образец. 10. На ТСЕ и на спектре DLTS проявляется один и тот же уровень с энергией 0.2 эВ. Вероятно, этот уровень связан с акцепторным состоянием Mg. Установлена зависимость сечения захвата как от степени заполнения КЯ, так и от степени заполнения самого уровня. Научная новизна:

1. Показано, что на основе обобщенной модели рекомбинации и учете процессов туннелирования можно описать зависимость туннельного тока от напряжения для частного случая — структур с КЯ.

2. Разработаны физико-математические модели новых методов определения параметров уровней (энергии и коэффициентов захвата электронов и дырок), участвующих в формировании рекомбинационного потока, на основе анализа зависимости Rnp = f (u) с учетом туннелирования.

3. Определены параметры глубоких центров исследуемой структуры с помощью предлагаемых методов и методами емкостной спектроскопии. Доказана достоверность разработанных новых методов. Установлена зависимость сечения захвата от степени заполнения как квантовой ямы, так и самого уровня.

4. Определены параметры потенциальных барьеров квантовых ям (высота и ширина) структуры AlGaN/lnGaN/GaN. Рассчитан коэффициент пропускания структуры без учета электрического поля и с учетом внешнего и внутреннего полей. По коэффициенту пропускания определены энергия уровней в КЯ, сдвиг максимумов коэффициента пропускания под действием внешнего напряжения смещения.

Практическая значимость:

1. Теоретически обоснован и экспериментально проверен на структурах AlGaN/InGaN/GaN, InGaN/SiC, InGaN/GaN метод определения параметров уровней, участвующих в создании рекомбинационного потока, и процесса туннелирования из зависимостей Rnp = f (u), Rnp = /(l/т).

2. Предложен способ определения напряжения отсечки исследуемой структуры с учетом компенсированного слоя и линейного распределения примеси. Определен градиент легирующей примеси, оценена ширина компенсированного слоя.

3. Определен характер зависимости подвижности носителей заряда структуры InGaN/GaN от прикладываемого напряжения и температуры. Расчеты показали, что приборы на основе InGaN/GaN будут обладать подвижностью, не зависящей от приложенного напряжения (участок насыщения на зависимости /л-f (U) в определенном диапазоне напряжения смещения.

4. Установлено, что в отличие от структур на основе InGaN/SiC с модулированным легированием, температурное гашение интенсивности излучения структур на основе InGaN/GaN наблюдается в области высоких температур (Т > 243 К). При этом интенсивность излучения при комнатной температуре превосходит интенсивность излучения при азотных температурах.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Обобщенная рекомбинационная теория описывает туннельно-рекомбинационные процессы в исследуемых структурах с КЯ. Предложенные методы на ее основе позволяют вычислить параметры рекомбина-ционных уровней (энергия, коэффициент захвата), которые согласуются с результатами независимых экспериментов.

2. Основным механизмом токопереноса в гетероструктурах InGaN/GaN является туннельно-рекомбинационный процесс. Зависимость энергии активации тока от напряжения на структуре согласуется с характером изменения плотности состояний вблизи уровня Ферми и длины прыжка при росте внешнего напряжения смещения.

3. Комплексный анализ емкостных и вольт-амперных характеристик и разработанные в работе методики позволяют определить ряд важных параметров структур с квантовыми ямами: контактная разность потенциалов, ширина компенсированного слоя, градиент легирующей примеси, высота потенциального барьера, подвижность, профиль легирования, коэффициент пропускания, энергии уровней в квантовой яме.

4. Температурные зависимости энергетического положения и интенсивности максимумов спектра излучения исследуемой структуры обусловлены особенностями рекомбинационных процессов в квантовой яме InGaN и широкозонном слое GaN.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.Ю. Свет из гетероперехода//Природа. 2001. № 6. С. 38 46.
  2. Р.З. Голубые светодиодыН Соровский образовательный журнал. 2001. т. 7. № 3. С. 75−83.
  3. JI. Современное состояние полупроводниковых излучающих прибо-/?ов//Электронные компоненты. 2000. № 2. С. 22 -27.
  4. Mukai Т., Yamada М., Nakamura S. Characteristics of InGaN-based JJV/Blue/Green/Amber/Red Light-Emitting-Diodes// Jpn. J. Appl. Phys. 1999. Vol. 38. L. 3976−3981.
  5. О.И., Бутин А. В., Гапонова Д. М., Данильцев В. М., Дроздов М. Н., Дроздов Ю. Н., Мурель А. В., Шашкин В. И. Особенности эпитаксиалъного наращивания GaN при пониженном давлении в реакторе МОГФЭИФТП. 2005. т. 39. вып. 1.С. 21−24.
  6. Ю.Сизов B.C., Сизов Д. С., Михайловский Г. А., Заварин Е. Е., Лундин В. В., Цацульников А. Ф., Леденцов Н. Н. Исследование латерального транспорта носителей в структурах с квантовыми точками InGaN в активной области!/ФТП. 2006. т. 40. вып. 5. С. 589 596.
  7. В.В., Мездрогина М. М. Послесвечение вюрцитных кристаллов GaN, легированных редкоземельными металлами! ФТТ. 2004. т. 46. вып. 12. С. 2129−2134.
  8. В.Г., Ввозный А. В., Слетов М. М. Зонная структура и пространственное распределение заряда в AlxGai.xN/M>Tn. 2000. т. 34. вып. 1. С. 36 -40.
  9. В.Е., Золила К. Г., Туркин А. Н., Юнович А. Э., Ковалев А. Н., Маняхин Ф. И. Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетерост-руктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами! I ФТП. 1997. т. 31. вып. 11. С. 1304−1309.
  10. В.Е., Туркин А. Н., Юнович А. Э., Ковалев А. Н., Маняхин Ф. И. Люминесцентные и электрические свойства светодиодов InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами! ФТП. 1999. т. 33. вып. 4. С. 445−449.
  11. А.Н., Маняхин Ф. И., Кудряшов В. Е., Туркин А. Н., Юнович А. Э. Люминесценция р-п-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при ударной ионизации!/ФТП. 1998. т. 32. вып. 1. С. 63 66.
  12. Н.С., Логинова Е. А., Дуванова Н. В. Спектры электролюминесценции и электрические характеристики структуры InGaN/SiC //Ученые записки Ульяновского государственного университета. Серия Физическая. 2004. вып. 1(16). С. 3−7.
  13. Н.С., Логинова Е. А., Дуванова Н. В. Исследование времени релаксации и поперечной подвижности в структуре InGaN/SiC//y4eHbie записки Ульяновского государственного университета. Серия Физическая. 2004. вып. 1(16). С. 26−29.
  14. Н.С., Логинова Е. А., Дуванова Н. В. Структуры InGaN/SiC с модулированным легированием!/Ученые записки Ульяновского государственного университета. Серия Физическая. 2004. вып. 1(16). С. 30 39.
  15. С.В., Грушко Н. С., Тишкин В. В. Модель голубой люминесценции в структурах на основе GaN// Труды международной конференции ОПТИКА. ОПТОЭЛЕКТРОНИКА И ТЕХНОЛОГИИ. Ульяновск. 2001. С. 17
  16. Е.В., Игнатьев И. В. Эффект размерного квантования в сверхтолстых GaAs квантовых ямах!/ Четвертая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Санкт-Петербург. 2002. С. 71.
  17. Н.С., Лакалин А. В., Семенова О. А. Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе GaN// Ученые записки Ульяновского государственного университета. Серия Физическая.2001. вып.2(11). С.41−44.
  18. БочкареваН.И., Ефремов А. А., Ребане Ю. Т., Горбунов Р. И., Клочков А. В., Шретер Ю. Г. Неоднородность инжекции носителей заряда и деградация голубых светодиодов! IФТП. 2006. т. 40. вып. 1. С. 122 -127.
  19. А.Н., Маняхин Ф. И., Кудряшов В. Е., Туркин А. Н., Юнович А. Э. Изменения люминесцентных электрических свойств светодиодов из ге-тероструктур InGaN/AlGaN/GaN при длительной работе!7 ФТП. 1999. т. 33. вып. 2. С. 224−231.
  20. Н.И., Zhirnov Е.А., Ефремов А. А., Ребане Ю. Т., Горбунов Р. И., Шретер Ю. Г. Туннельно-рекомбинационные токи и эффективность электролюминесценции InGaN/GaN светодиодов! ФТП. 2005. т. 39. вып. 5. С. 627−632.
  21. Ф.И. Причины спада выходной мощности излучения и внешнего квантового выхода светодиодных структур AlGaN/InGaN/GaN с квантовыми ямами при больших напряжениях прямого смещения! Материалы электронной техники. 2004. № 1. С. 45 49.
  22. И.В., Закгейм Д. А. Анализ причин падения эффективности электролюминесценции светодиодных гетероструктур AlGalnN при большой плотности тока накачки// ФТП. 2006. т. 40. вып. 7. С. 861 867.
  23. И.В., Елисеев П. Г., Осинский М. А., Перлин П. Спонтанное излучение квантово-размерной области гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN при большом токе накачки!/Квантовая электроника. 1996. т. 23. № 12. С. 1069−1071.
  24. Д.С., Сизов B.C., Заварин Е. Е., Лундин В. В., Фомин А. В., Цацуль-ников А.Ф., Леденцов Н. Н. Кинетика и неоднородная инжекция носителей в нанослоях ЬЮаШФТП. 2005. т. 39. вып. 2. С. 264 268.
  25. Меш М.В., Компан ME. Исследование зависимости фотолюминесценции GaN от интенсивности возбуждения!/Шестая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Санкт-Петербург. 2004. С. 15.
  26. А.Н., Редькин А. Н., Таций В. И., Barthou С., Benalloul Р. Элементарные полосы голубого свечения нелегированных пленок нитрида галлияНФШ. 2004. т. 35. вып. 9. С. 1039−1042.
  27. В.Ю., Беляков Л. В., Сресели О. М., Зиновьев Н. Н. Донорно-акцепторная фотолюминесценция слабокомпенсированного GaN:Mg// ФТП. 1999. т. 33. вып. 12. С. 1428 1435.
  28. В.В., Мездрогина М. М. Влияние миграции энергии на форму линииизлучения в структурах с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN/ADTT. 2006. т. 48. вып. И. С. 2067−2073.
  29. В.Я., Гапонова Д. М., Гавриленко В. И., Красильник З. Ф., Ревин Д. Г., Звонков Б. Н., У скова Е.А. Диагностика функции распределения горячих дырок в квантовых ямах в сильных электрических полях//ФТП. 2000. т. 34. вып. 9. С. 1114−1119.
  30. В.Е., Константинов О. В. Учет кулоновского взаимодействия электронов и дырок в квантовых точках на основе InGaN/M>Tn. 1998. т. 32 вып. 10. С. 1235−1239.
  31. В. Д. Влияние кулоновской корреляции на прыжковую проводимость//ФТП. 2000. т. 42. вып. 5. С. 805 808.
  32. Н.С., Лакалин А. В., Евстигнеева Е. А. Исследование вольт-амперных характеристик светодиодов, изготовленных на основе GaN с квантовой ямой//Ученые записки Ульяновского государственного университета. Серия Физическая.2001. вып.2(11). С. 34 39.
  33. Шур М. С. Физика полупроводниковых приборов. В 2 книгах. М.: Мир, 1992. кн. 1. 479 с.
  34. Г. И., Горбацевич А. А., Капаев В. В., Копаев Ю. В., Трофимов В. Т. Аналог эффекта Ганна при туннельном переносе между квантовыми ямами с разной подвижностью// ФТП. 2001. т. 35. вып. 11. С. 1357−1361.
  35. С.О., Брунков П. Н. Осцилляции тока в сверхрешетках GaAs/AlGaAs с различным уровнем легирования//Шестая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой оггго- и наноэлектронике. Санкт-Петербург. 2004. С. 45.
  36. Н.И., Irvine K.G. Вольт-амперные характеристики GaN и AlGaNp-i—n-диодов// ФТП. 1998. т. 32. вып. 3. С. 369 372.
  37. С.Н., Разжувалов А. Н. Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/AlxGaixN (0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта//ФТТ. 2001. т. 43. вып. 3. С. 529 534.
  38. С.Н., Разжувалов А. Н. Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGai.xN (0001)//<2>TfI 2003. т. 37. вып. 4. С. 450−455.
  39. С.Н., Разжувалов А. Н. Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах a -GaN/AlGaN (0001)//OTn. 2006. т. 40. вып. 6. С. 695 700.
  40. Ю., Пожела К., Юцене В. Подвижность и рассеяние электронов на полярных оптических фононах в гетероструктурных квантовых ямахП ФТП. 2000. т. 34. вып. 9. С. 1053−1057.
  41. В.Г., Галлиев Г. Б., Пожела Ю., Пожела К., Юцене В. Подвижность электронов в квантовой яме AlGaAs/GaAs/AlGaAs// ФТП. 2002. т. 36. вып. 6. С. 713−717.
  42. С.И. Время релаксации импульса и температурит зависимость подвижности электронов в полупроводниковых сверхрешетках из слабо взаимодействующих квантовых ям!! ФТП. 1999. т. 33. вып. 10. С. 1240−1245.
  43. С.И. Рассеяние квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/AlxGaixAs на фононахН ФТП. 2004. т. 38. вып. 2. С. 207 212.
  44. М.М., Соболев Н. А., Усиков А. С., Шмидт Н. М., Якименко А. Н., Гусинский А. Н., Найденов В. О. Глубокий уровень, образующийся в слоях GaN при облучении протонами!/ФТП. 2002. т. 36. вып. 12. С. 1437 -1439.
  45. С.А., Лакалин А. В., Солонин А. П. Вольт-емкостные исследования светодиодов на основе гетероструктуры InGaN/GaN// Ученые записки Ульяновского государственного университета. Серия физическая. 2005. вып. 1(17). С. 54−58.
  46. Kim J.S., Kim Е.К., Kim H.J., Yoon E" Park I.-W., Park Y.J. Electrical characterization of InGaN/GaN quantum dots by deep level transient spectroscopy,//Phys. Stat. sol. (b). 2004. Vol. 241. № 12. C. 2811−2815.
  47. C.B., Грушко H.C. Обобщённая модель рекомбинации в неоднородных полупроводниковых структурах// ЖЭТФ. 2000. т. 118. № 11. С. 1222−1229.
  48. С.В., Ионычев В. К., Кузьмин В. В. Туннельная рекомбинация в кремниевых лавинных диодах! ФТП. 1997. т. 37. вып. 1. С. 117 120.
  49. И.П. Вертикальная прыжковая проводимость через виртуальные состояния в сверхрешетках с контролируемым беспорядком// Письма в ЖЭТФ. 1999. т. 69. вып. 12. С. 879 884.
  50. Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических полупроводниках. В 2 т. М.: Мир, 1982. т. 1. 368 с.
  51. С.В., Грушко Н. С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: МГУ, 1995. 399 с.
  52. В. И., Руденко А. И., Андриеш А. М., Иову М. С., Шутов С. Д. Нестационарные инжекционные токи в неупорядоченных твердых телах. Кишинев-Штиинца. 1989. С. 170
  53. Е.А. Исследование электрических и электролюминесцентных характеристик гетероструктур на основе нитрида галлия: Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Ульяновск. 2005. 20 с.
  54. Н.С., Лакалин А. В., Андреев Д. А. Туннельная рекомбинация!/Сб. Критические технологии и фундаментальные проблемы физики конденсированных сред. УлГУ. Ульяновск. 2001. С. 73 90.
  55. Технология тонких пленок под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга. Справочник. -М.: Советское радио. 1977. 767 с.
  56. Ю Питер, Мануэль Кордона Основы физики полупроводников. М.: Физ-матлит, 2002. 560 с.
  57. Н.С., Лакалин А. В., Евстигнеева Е. А. Исследование вольт-амперных характеристик и спектров электролюминесценции светодио-дов с квантовой ямой, изготовленных на основе GaNZ/Известия вузов. Электроника. 2002. № 3. С. 48 56.
  58. JI.С. Ёмкостные методы исследования полупроводников. Л.: Наука, 1972. 104 с.
  59. В.В., Концевой Ю. А., Федорович Ю. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь. 1985. 264 с.
  60. И.Р., Нефедов Н. М., Шашкин В. И. О точности восстановления профиля легирования полупроводников на основе вольт-фарадных измерений в процессе электрохимического травления!'/ФТП. 2001. т. 35. вып. 7. С. 801 807.
  61. В.В., Лундин В. В., Мездрогина М. М. Роль встроенных электрических полей в формировании излучения квантовых ям InGaN/GaN/ADTT. 2005. т. 45. вып. 7. С. 1338−1342.
  62. И. В. Курс общей физики: Учебное пособие для втузов, т. 4 Волны. Оптика. М.: Наука: Физматлит, 1998. 256 с.
  63. . Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973. 456 с.
  64. Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высная школа. 1987. 239 с.
  65. D.V.Lang Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors! Journal of Applied Physics. 1974. vol. 45. No. 7. C. 3023 3032
  66. M.M., Ковш A.P., Устинов B.M., Егоров А. Ю., Жуков А. Е., Му-сихин Ю.Г. Емкостная спектроскопия глубоких состояний в InAs/GaAsгетероструктурах с квантовыми точками!/ФТП. 1999. т. 33. вып. 2. С. 184−193.
  67. Gamez-Cutzin Н., Daami A., Garchery L., Sagnes I., Campidelli Y., Bremond G. Si/SiGe valence band offset determination using photoluminescence and DLTS in SiGe quantum-well MOS capacitorsИ Microelectronic Engineering. 1998. 43−44. C. 669−676.
  68. Основное содержание диссертации опубликовано в следующих работах:
  69. Н.С., Потанахина J1.H. Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с одной квантовой ямой// Известия вузов. Физика. 2004. № 11. С. 3 10.
  70. Н.С., Потанахина J1.H. Процесс токопереноса в структурах на основе GaN с одной квантовой ямой// Прикладная физика. 2005. № 6. С. 128- 134.
  71. Н.С., Логинова Е. А., Потанахина Л. Н. Процесс туннельной рекомбинации в пространственно неоднородных структурах// ФТП. 2006. т. 40. вып. 5. С. 584−588.
  72. Н.С., Логинова Е. А., Потанахина Л. Н. Определение параметров рекомбинационных центров в пространственно неоднородных структурах// Заводская лаборатория. 2006. № 2. С 25 30.
  73. А.С., Амброзевич С. А., Грушко Н. С., Потанахина Л. Н. Определение энергии глубоких центров структуры на основе твердого раствора InGaN// Письма в ЖТФ. 2006. т. 32. вып. 4. С. 16 23.
  74. Н. С., Потанахина Л. Н. Отрицательная дифференциальная проводимость в структурах на основе GaN с квантовой ямой// Ученые записки УлГУ. Серия физическая. 2003. вып. 2(15). С. 64−73-
  75. Н.С., Потанахина Л. Н. Определение параметров барьеров в двойной гетероструктуре на основе GaN с одной квантовой ямой// Ученые записки УлГУ. Серия физическая.вып.1(16). 2004. С. 23 26.
  76. Н.С., Потанахина JI.H. Светодиоды InGaN// Ученые записки УлГУ. Серия физическая, вып. 1(17). 2005. С. 45 54.
  77. Н. С., Потанахина JI. Н. Механизмы токопереноса в структурах на основе GaN с квантовой ямой в диапазоне температур 77−297К// Труды 5-ой международной конференции ОПТИКА, ОПТО-ЭЛЕКТРОНИКА И ТЕХНОЛОГИИ. Ульяновск. 2003. С. 77.
  78. Л.Н. Токоперенос в структурах на основе GaN с одной квантовой ямой// Шестая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой оггго- и наноэлектрони-ке. Санкт-Петербург. 2004. С. 75.
  79. В.О., Потанахина Л. Н. Особенности C-V-характеристик структур на основе твердого раствора InGaN// ВНКСФ 11. Екатеринбург. 2005. С. 580−581.
  80. В.О., Потанахина Л. Н. Подвижность и время жизни в структурах на основе твердого раствора InGaN// ВНКСФ 11. Екатеринбург. 2005. С. 582−583.
  81. Л.Н., Амброзевич С. А. Прыжковая проводимость в структурах на основе твердого раствора InGaN// Седьмая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Санкт-Петербург. 2005. С. 69
  82. JI.H., Хайрулина А. С. Спектры электролюминесценции структуры на основе твердого раствора InGaN// Седьмая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опго- и наноэлектронике. Санкт-Петербург. 2005. С. 70
  83. Н.С., Потанахина JI.H., Амброзевич С. А. Спектры и эффективность электролюминесценции структуры на основе InGaN// Аморфные и микрокристаллические полупроводники Сборник трудов 5-ой международной конференции. Санкт-Петербург. 2006. С. 305−306.
  84. Н.С., Потанахина JI.H., Амброзевич С. А. Эффективность электролюминесценции InGaN/GaN светодиодов// Труды международной конференции ОПТО-, НАНОЭЛЕКТРОНИКА, НАНОТЕХНО-ЛОГИИ и МИКРОСХЕМЫ. Ульяновск. 2006. С. 182.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!