Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Электронные свойства неупорядоченных систем на основе n-Ge и YBaCuO-керамики, компенсированных облучением быстрыми нейтронами реактора

Диссертация: Электронные свойства неупорядоченных систем на основе n-Ge и YBaCuO-керамики, компенсированных облучением быстрыми нейтронами реактора
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Указанные расхождения связаны в первую очередь с принципиально различным характером пространственного распределения в невозмущенной матрице кристалла точечных дефектов, входящих в состав РО и изолированных дефектных центров, случайным образом расположенных в решетке. Так, в пределах одной разупорядоченной области дефекты, ее составляющие, распределены коррелированным образом: в центре РОдефекты… Читать ещё >

Содержание

  • РАЗДЕЛ I.
  • ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ СИСТЕМ НА ОСНОВЕ n-Ge, КОМПЕНСИРОВАННОГО ОБЛУЧЕНИЕМ БЫСТРЫМИ НЕЙТРОНАМИ РЕАКТОРА
  • Глава I. ОБЛАСТИ РАЗУПОРЯДОЧЕНИЯ В ГЕРМАНИИ
  • ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Модели разупорядоченных областей в полупроводниках, облученных ядерными частицами высоких энергий
    • 1. 2. Стадии образования РО в германии при облучении ядерными частицами высоких энергий
    • 2. Модели электронных свойств полупроводников с РО
      • 2. 1. Примесная проводимость на постоянном токе
  • Слабое легирование
    • 2. 2. Примесная проводимость на постоянном токе. Сильное легирование
  • Глава II. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ ГЕРМАНИЯ, ОБЛУЧЕННОГО БЫСТРЫМИ НЕЙТРОНАМИ РЕАКТОРА
    • 2. Методика измерения образцов
      • 2. 1. Измерение проводимости
      • 2. 2. Измерение коэффициента Холла образцов Ge 36 2.4 Методика облучение образцов в вертикальных каналах реактора ВВР-М
  • Глава III. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ n-Ge, КОМПЕНСИРОВАННОГО ОБЛУЧЕНИЕМ БЫСТРЫМИ НЕЙТРОНАМИ РЕАКТОРА
    • 3. 1. Характер прыжковой проводимости n-Ge, облученного быстрыми нейтронами реактора в области слабого легирования
    • 3. 2. Влияние флуктуационных уровней на характер прыжковой проводимости n-Ge с разупорядоченными областями
    • 3. 3. Характер прыжковой n-Ge, облученного быстрыми нейтронами реактора проводимости в области сильного легирования
    • 3. 4. Характер прыжковой проводимости Ge, конвертированного облучением в р — тип
    • 3. 5. Модель прыжковой проводимости в Ge, конвертированном облучением в р-тип
    • 3. 6. Концентрационная зависимость параметров прыжковой проводимости Ge, легированного сурьмой, компенсированного облучением быстрыми нейтронами реактора
      • 3. 6. 1. Влияние деформации, созданной разупорядоченными областями на характер концентрационной зависимости прыжковой проводимости n-Ge
    • 3. 7. Особенности влияния разупорядоченных областей на температурную зависимость коэффициента Холла в n- Ge, компенсированном облучением быстрыми нейтронами реактора
  • Выводы к главе III раздела I
  • РАЗДЕЛ II.
  • ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ СИСТЕМ НА ОСНОВЕ YBaCuO -КЕРАМИКИ, КОМПЕНСИРОВАННОЙ ОБЛУЧЕНИЕМ БЫСТРЫМИ НЕЙТРОНАМИ РЕАКТОРА
  • Глава I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
  • Глава II. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ ВТСП ПРИ
  • ОБЛУЧЕНИИ БЫСТРЫМИ НЕЙТРОНАМИ РЕАКТОРА
    • 2. Методика измерения образцов
      • 2. 1. Измерение магнитной восприимчивости и критического тока ti 1 lii — керамики
      • 2. 2. Методика измерения характеристик упругости и внутреннего трения
    • 3. Методика облучения образцов. Облучение образцов в низкотемпературной гелиевой петле реактора ВВР-М
  • ПИЯФ РАН
    • 4. Методика отжига
    • 5. Программное обеспечение для проведения исследований
  • Глава III. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ УСЛОВИЙ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ОТЖИГА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА YBa2Cu307^ КЕРАМИКИ, ОБЛУЧЕННОЙ БЫСТРЫМИ НЕЙТРОНАМИ РЕАКТОРА
    • 1. Режимы отжига образцов YBa2Cu307g керамики
      • 1. 1. Исследование влияния отжига на температурную зависимость удельного сопротивления образцов ВТСП — керамики в несверхпроводящей фазе
      • 1. 2. Влияние условий отжига на концентрацию кислорода
  • ВТСП — керамики
    • 1. 3. Термогравиметрическое исследование особенностей деградации образцов керамики состава YBa2Cu307. g в результате отжига и облучения быстрыми нейтронами реактора
    • 1. 4. Влияние кислорода на характер изменения массы образцов YBa2Cu3078 -керамики в результате отжига. Качественный анализ
    • 1. 5. Модель кинетики заселенности кислородных позиций элементарной ячейки керамики состава YBa2Cu307s в зависимости от условий отжига
    • 1. 6. Уравнение баланса концентрации атомов кислорода на узлах кристаллической решетки
    • 2. Влияние полей локальных упругих напряжений на электронные свойства УВа2Сиз07.5 — керамики

    2.1 Влияние упругих напряжений на транспортный критический ток в облученных гранулированных ВТСГ1 123 2.2. Модель дозовой зависимости транспортного критического тока 1С (Ф) УВа2Сз078 — керамики, облученной быстрыми нейтронами реактора

    2.3 Влияние облучения быстрыми нейтронами реактора на характер распределения дислокаций межзеренной границы ВТСП-керамики

    3 Исследование спектров неупругой релаксации образцов YBa2C307−5 -керамики

    3.1. Модель низкоэнергетического спектра неупругой релаксации УВа2Сз075 -керамики

    3.2 Расчет величины амплитуды пика Р3 внутреннего трения

    ВЫВОДЫ к главе III раздела II

Электронные свойства неупорядоченных систем на основе n-Ge и YBaCuO-керамики, компенсированных облучением быстрыми нейтронами реактора (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

диссертационного исследования низкотемпературной проводимости неупорядоченных систем на основе легированных полупроводников, компенсированных облучением, в значительной степени обусловлена возможностью практического применения полученных данных о характере изменения радиационной стойкости полупроводников при облучении быстрыми нейтронами реактора для прогнозирования и повышения радиационной стойкости полупроводниковых приборов и материалов, а также для инженерных расчетов при выборе оптимальной защиты изделий электронной техники, работающих в условиях космоса, в искусственных радиационных полях вблизи ядерных силовых и исследовательских установок.

Вместе с тем облучение является инструментом варьирования параметров случайно-неоднородного потенциального рельефа в широких пределах путем выбора типа, энергии частиц, а также температуры облучения. Это особенно важно при моделировании свойств аморфных полупроводников, представляющих собой сильно неупорядоченные системы. Уникальные свойства этих материалов способствовали разнообразию их практического применения.

Однако, несмотря на широкое практическое использование, до сих пор до конца не ясны многие фундаментальные физические свойства аморфных материалов. В литературе широко обсуждались новые возможности для создания управляемой модели аморфных полупроводников, которые возникают при облучении кристаллических полупроводников частицами высокой энергии [1]. Как было установлено в этой работе, компенсация n-Ge облучением быстрыми нейтронами реактора на качественном уровне действительно позволяет моделировать важнейшие кинетические свойства аморфных полупроводников. Идея о возможности получения разупорядочения решетки с заданными параметрами потенциального рельефа при облучении нейтронами высокой энергии [1] была впоследствии экспериментально подтверждена в работах [2,3]. Структурные особенности разупорядоченных областей (РО), образующихся, в основном, при облучении быстрыми нейтронами реактора, способствуют образованию потенциального рельефа, возникающего при их перекрытии. Такой рельеф обладает рядом существенных отличий по сравнению со статистически симметричным потенциальным рельефом, который обусловлен случайнонеоднородным распределением в матрице атомов химической примеси или точечных дефектов [4,5]. Как показано в диссертации, эти отличия наглядно проявляются, например, при сравнении концентрационных зависимостей параметров прыжковой проводимости в полупроводниках с РО и точечными дефектами.

Указанные расхождения связаны в первую очередь с принципиально различным характером пространственного распределения в невозмущенной матрице кристалла точечных дефектов, входящих в состав РО и изолированных дефектных центров, случайным образом расположенных в решетке. Так, в пределах одной разупорядоченной области дефекты, ее составляющие, распределены коррелированным образом: в центре РОдефекты вакансионной природы, по периферии — комплексы вакансий и межузельных атомов [5]. В настоящее время исследования корреляционных эффектов в неупорядоченных системах далеки от завершения, однако ясно, что без детальной разработки теории этих эффектов (в том числе эффектов пространственной корреляции) полное понимание низкотемпературной проводимости кристаллических полупроводников невозможно [5].

Однако, несмотря на различный характер изменения электронных свойств облученных полупроводников, при рассмотрении поведения электронов и других элементарных возбуждений в таких веществах, можно отметить некоторые особенности, позволяющие рассматривать их как неупорядоченные системы. Прежде всего это обусловлено двумя общими для всех неупорядоченных систем свойствами силового поля: отсутствием пространственной периодичности потенциальной энергии носителей заряда и наличием в ней случайного слагаемого [6].

Очевидно, в силу сказанного, для неупорядоченных систем должны быть характерны общие закономерности изменения основных параметров, проявляющиеся в эксперименте.

Высокотемпературные сверхпроводники (ВТСП) на базе керамических иттриевых купратов со структурой перовскита YBa2Cu3Og.7i обладающие широким спектром необычных физических свойств, природа которых в настоящее время еще окончательно не выяснена, также являются неупорядоченными системами.

Так, в работе [7] показано, что электронная система ВТСП проявляет признаки локализации носителей, характерной для неупорядоченных систем, уже при самой малой степени разупорядочения, вводимой облучением быстрыми нейтронами реактора. Это позволило в [8] высказать предположение о фундаментальном характере взаимосвязи локализации и возникновения сверхпроводимости в этих системах.

Для проверки этого предположения требуется проведение всестороннего исследования изменения структуры, состава кристаллической решетки, а также характера изменения электронной системы, вызванного облучением быстрыми нейтронами реактора.

Вместе с тем, интерес к исследованию влияния облучения быстрыми нейтронами реактора на электронные свойства неупорядоченных систем на базе иттриевых ВТСП обусловлен также возможностью широкого практического применения этих материалов.

Благодаря достаточно высоким критическим параметрам (критический ток Jc, критическая температура Тс) интерметаллические сверхпроводники с такими кристаллическими структурами наиболее перспективны для практического использования, в том числе и в радиационных полях (сверхпроводящие магнитные системы для термоядерных реакторов и ускорителей, элементная база для высокочувствительных приборов и т. д.).

Физические свойства этих классов материалов чрезвычайно сильно зависят от их степени разупорядочения. Например, от расположения атомов разного сорта, прежде всего кислорода, по соответствующим узлам кристаллической решетки, а также от степени разупорядочения самой решетки.

Поэтому, облучение быстрыми нейтронами реактора, приводящее к образованию радиационных дефектов в ВТСП, являясь эффективным инструментом исследования, может существенно изменить кристаллическую структуру и, следовательно, модифицировать макроскопические свойства высокотемпературных сверхпроводников. Целью исследования является:

• исследование общих закономерностей изменения основных параметров прыжковой проводимости образцов n-Ge с РО, компенсированных облучением быстрыми нейтронами реактора;

• исследование влияния нейтронного облучения на критический ток высокотемпературных сверхпроводников на базе YBaCuO — керамики;

• изучение влияния деформации решетки ВТСП — керамики, обусловленной процессами радиационного дефектообразования, на ее критические параметры;

• исследование механизмов неупругой релаксации энергии ультразвуковых колебаний образцов ВТСП — керамики с различной степенью разупорядочения.

Наиболее существенные результаты диссертационной работы состоят в экспериментальном исследовании и теоретическом описании особенностей влияния нейтронного облучения быстрыми нейтронами реактора на электронные и механические свойства указанных неупорядоченных систем, содержащих следующие элементы научной новизны:

— В неупорядоченой системе на основе n-Ge, компенсированного облучением быстрыми нейтронами реактора:

1. На основании анализа температурной зависимости прыжковой проводимости на постоянном токе в n-Ge, компенсированном облучением быстрыми нейтронами реактора, предложен механизм токового переноса, осуществляемый переносом дырок по энергетическим уровням ядер разупорядо-ченных областей.

В рамках количественной модели прыжковой проводимости со скользящей энергией активации на основании n-Ge с разупорядоченными областями предложен алгоритм обработки экспериментальных результатов, позволяющий получить данные о соотношении среднего геометрического размера РО и усредненного по ансамблю расстояния между ними. Установлено, что влияние РО на электронные свойства n-Ge может быть обусловлено действием широкого спектра электрофизических и механических факторов, связанных с их присутствием в матрице материала. Показано, что возможная причина немонотонного (с максимумом) хода температурной зависимости коэффициента Холла в n-Ge, компенсированном облучением быстрыми нейтронами реактора, обусловлена влиянием полей локальных упругих напряжений, окружающих РО.

В неупорядоченной системе на основе YBaCuOкерамики, облученной быстрыми нейтронами реактора:

Обнаружен эффект восстановления сверхпроводящего резистивного перехода при отжиге керамики в атмосфере азота при Тотж «600°С ч- 700 °C после потери ими сверхпроводящих свойств на стадии предварительного отжига при более низкой температуре. Установлено, что облучение быстрыми нейтронами реактора приводит к понижению температуры отжига, способствующего восстановлению сверхпроводимости на ~ по сравнению с необлученным материалом.

На основании результатов термогравиметрического исследования рассчитаны температурные зависимости заселенности кислородных позиций решетки сверхпроводящей керамики при отжиге в атмосфере сухого воздуха и азота.

Предложена модель, в рамках которой дано объяснение немонотонного хода дозовой зависимости транспортного критического тока YBaCuOкерамики, в процессе облучения быстрыми нейтронами реактора на начальной стадии облучения. Проведено сравнение расчетов с экспериментальными результатами измерения критического тока в YBaCuOкерамике, облученной быстрыми нейтронами реактора в низкотемпературной гелиевой петле реактора ВВР-М при температуре облучения ~ ЗОК. 4. Исследован спектр неупругой релаксации образцов YBaCuOкерамики, исходной и облученной быстрыми нейтронами реактора. Установлена дислокационная природа пика Р3 внутреннего трения Q'(T), дано объяснение причин температурного гистерезиса этого пика.

Теоретическая значимость исследования состоит в том, что показана необходимость привлечения дополнительных представлений о полях внутренних механических напряжений, возникающих в образцах в результате нейтронного облучения, а также наличие в них флуктуационных уровней, что не использовалось в стандартных моделях, описывающих электронные свойства неупорядоченных систем на основе полупроводников и ВТСП — материалов, компенсированных облучением быстрыми нейтронами реактора.

Основные положения и выводы, содержащиеся в диссертации, могут быть использованы при дальнейшем развитии теории неупорядоченных систем.

Практическая значимость исследования заключается в возможности практического применения полученных данных о характере изменения радиационной стойкости полупроводников и ВТСП при облучении быстрыми нейтронами реактора для прогнозирования и повышения радиационной стойкости полупроводниковых приборов и материалов, а также для инженерных расчетов при выборе оптимальной защиты изделий электронной техники, работающих в условиях космоса, в искусственных радиационных полях вблизи ядерных силовых и исследовательских установок.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Температурная зависимость прыжковой проводимости n-Ge, конвертированного облучением быстрыми нейтронами реактора в р-тип характеризуется скользящей энергией активации и описывается выражением ст"ехр[-(7-/Г)" 2], где «• /(*){*(1 — /(*)¦+ е ¦ f (k) 1{Хъп f (k) = + S — среднее расстояние между РОRpo — средний размер РОа- постоянная спада волновой функции дырких ~ диэлектрическая постоянная. Такой характер обусловлен не влиянием на нее кулоновской щели, как в случае компенсации химическими примесями или точечными раадиационными дефектами, а связан с особенностями дырочного транспорта между разупорядоченными областями, возникающими при облучении частицами высоких энергий, которые рассмотрены в рамках предложенной модели.

Экспериментальные результаты исследования немонотонного хода температурной зависимости концентрации носителей заряда n-Ge, облученного быстрыми нейтронами реактора, описываются в рамках модели, учитывающей влияние полей локальных упругих напряжений, возникающих вокруг РО, на энергетический спектр германия. Модель кинетики заселенности кислородных позиций элементарной ячейки керамики состава YBa2Cu3075 в зависимости от условий отжига в атмосфере сухого азота и на воздухе необлученной, а также подвергнутой облучению быстрыми нейтронами реактора.

Экспериментальные результаты исследования немонотонного характера дозовой зависимости транспортного критического тока в облученной гранулированной YBaCuO — керамике с максимумом при Ф «1.61 017см~2 и разработанную для их описания модель, учитывающая влияние полей упругих механических напряжений на электронные свойства ВТСП. Результаты исследования экспериментально обнаруженного гистерезис-ного характера температурной зависимости дислокационного пика внутреннего трения УВа2Сз07. йкерамики (исходной и облученной быстрыми нейтронами реактора). Аналитическое выражение амплитудного значения пика, полученное в рамках предложенной модели низкоэнергетического спектра неупругой релаксации.

Достоверность и надежность результатов работы обеспечена тщательной проработкой использованных в диссертации экспериментальных методик, соответствием экспериментальных данных с результатами теоретических расчетов, а также использованием нескольких методик при получении и проверке наиболее важных результатов.

Апробация результатов исследования.

Основные результаты работы докладывались на международной конференции «Радиационные дефекты в полупроводниках» в Тбилиси в 1970 г., на 12 международной конференции по дефектам в полупроводниках в Амстердаме в 1982 г., на международной конференции «Радиационная физика полупроводников и родственных материалов» в Ташкенте в 1984 г., на I, II, III, IV Межотраслевом Совещании по радиационной физике твердого тела в Севастополе в 1991, 1992, 1993 и 1994 г. г., на Республиканском семинаре по радиационной физике полупроводников в Киеве в 1984 г., на семинаре по радиационной физике полупроводников в Новосибирске в 1985, 1988 г. г., на рабочем Совещании по исследованию ВТСП в СПб в 1990 г., на международном рабочем совещании «» Effect on strong disordering in HTSC June, 25−29 Zarchny, 1990, на ICMC conference Kiev, 1991, Int. Conf. On HTSC and local. Phen Moscov. 1116 May, 1991, на 29 Совещании по физике низких температур в Казани, 1992 г., на 13 Совещании по использованию нейтронов в ФТТ в СПб, 1995 г. на International Workshop on Superconductivity «Suitable Materials and Processing for HTS Applications: Towards the Next Decade», June 15 -18, 1997, The Royal Wai-koloan, Hawaii, USA.

Основные результаты диссертационной работы представлены в следующих публикациях:

1. R.F.KonopIeva, I. V. Nazarkin On hopping conduction in Ge with disordered regions //International Conference on Radiation Defects in Semiconductors. Tbilisi, p.784 — 788, 1979.

2. Р. Ф. Коноплева, И. В. Назаркин Активационная проводимость легированного германия, компенсированного облучением быстрыми нейтронами реактора.// ФТП, т. 16, вып.4,с.675−679, 1981.

3. Evseev V.A. Borisov В.A. Konopleva R. F., Nazarkin I. V., Chekanov V.A. Using reactor-neutron compensated germanium crystals to simulate the properties of amorphous semiconductors //12 International Conference of Defects in semiconductors. Amsterdam, 361 — 368, 1982.

4. Коноплева P. Ф., Назаркин И. В. Исследование характера прыжковой проводимости в германии n-типа в области промежуточного легирования, облученного быстрыми нейтронами. В кн. Радиационная физика полупроводников и родственных материалов.// ФАН, Ташкент, 228с, 1984.

5. Borisov В.А. Chekanov V.A. Evseev V. A Nazarkin I. V. Elektrophysical properties of disordered systems based on cryst. Ge compensated by fast neutron irradiation //Physica Status Solidi 122(b) p.349−359.1984.

6. Evseev V.A. Borisov B.A. Chekanov V.A. Chudakov M. V, Konopleva R. F., I. V. Nazarkin Electrical and optical properties of reactor neutron-irradiated High-Tc superconductors materials //HTSC investigations and problems in the PIC apparatus base Workshop. Leningrad, p. 213−225, 1990.

7. Konopleva R. F., Evseev V.A., Borisov B.A., Davydov V.Yu. Nazarkin I. V., Chekanov V.A. Chudakov M. V Effect of neutron and high temperature annealing on the electrical and optical properties of high-Tc superconductors materials. International Workshop proceedings. «Effect on strong disordering in HTSC //June, 25−29 Zarchny, USSR, p.25−29, 1990.

8. Коноплева P. Ф., Назаркин И. В., Чудаков M.B. Борисов Б. А. Дюмин А.Н. Лебедев В. Н. Лукьянов Ю.Г. Исследование условий высокотемпературного отжига на электрические свойства УВаСиО-керамики, облученной быстрыми нейтронами //Препринт ЛИЯФ № 1603, 1990.

9. Konopleva R. F., Evseev V.A., Borisov В.А., Davydov V.Yu. Nazarkin 1. V., Chekanov V.A. Chudakov M. V Neutron irradiation influense on the prop. YBaCuO thin films and ceramics //Thesese of ICMC conference Kiev, June, p.8−12 1991.

10.Konopleva R. F., Evseev V.A., Borisov B.A., Davydov V.Yu. Nazarkin I. V., Chekanov V.A. Chudakov M. V Modification of electrica and optical properties of high-Tc mater. under neutron irradiation and high-temperatures //Proceedings of International Conference on HTSC and localization Phen Moscov. 11−16 May, v.30,p.l 1−15, 1991.

11 .Назаркин И. В., Коноплева Р. Ф., Чеканов В. А Исследование особенностей деградации керамики состава YBaCuO в результате отжига и облучения быстрыми нейтронами реактора //Препринт ЛИЯФ № 1742, 1991.

12.Евсеев В. А., Коноплева Р. Ф., Назаркин И. В., Пустовойт А. К., Чеканов В. А. Исследование изменения свойств ВТСП материалов при различных температурах облучения. Труды 2 Межотраслевого совещания «Радиационная физика твердого тела», Севастополь, 60 — 62, 1992.

13.Коноплева Р. Ф., Назаркин И. В. О некоторых особенностях температурной зависимости коэффициента Холла в резистивном состоянии ВТСП-материалов //Препринт ПИЯФ № 1905, 1993.

14.Коноплева Р. Ф., Борисов Б. А., Назаркин И. В., Чеканов В. А. Дозовые и температурные зависимости критического тока YBaCuO — пленок в процессе облучения нейтронами реактора в низкотемпературной гелиевой петле реактора ВВР-М ПИЯФ// Тезисы доклада 13 Совещания по и спользоавнию нейтронов в физике твердого тела, 20 — 22 июня, 1995.

15.Konopleva R.F., Nazarkin I. V., Chekanov V.A. Effect of elastic stress fields on the critical transport current of irradiated granulated high-temperature superconductors // Journal of Advanced Materials, 3(6), 448−491, 1996.

16.R. F. Konopleva, I.V. Nazarkin, V. A. Chekanov Modification of the properties of YBaCuO ceramics by low-temperture (~ 30K) neutron irradiation in the he.

Hum loop// The 1997 International Workshop on Superconductivity (Thee 3 rd joint ISTEC/MRS Workshop), June 15 -18, 1997, p.337.

17.Коноплева Р. Ф., Борисов Б. А., Назаркин И. В., Чеканов В. А. Исследование критического тока в YBaCuO пленках в процессе облучения нейтронами реактора в низкотемпературной гелиевой петле при температурах 25−300К. //ФТТ, 40 (11), 1961 — 1968, 1998.

18.Р. Ф. Коноплева, И. В. Назаркин Особенности влияния разупорядоченных областей на температурную зависимость коэффициента Холла в nGe, компенсированном облучением быстрыми нейтронами реактора. //Препринт ПИЯФ, 2003.

19.Р. Ф. Коноплева, И. В. Назаркин Исследование спектров неупругой релаксации УВа2Сз07^ -керамики методом ультразвуковой резонансной спектроскопии // Препринт ПИЯФ, 2003.

20.Р. Ф. Коноплева, И. В. Назаркин Прыжковая проводимости Ge, конвертированного облучением быстрыми нейтронами реактора в р — тип // Препринт ПИЯФ, 2003.

Автор выражает глубокую признательность научному руководителю доктору физико-математических наук Р. Ф. Коноплевой за постановку задачи исследования, всестороннее содействие в работе, постоянное внимание и плодотворное обсуждение ее результатов. Считаю приятным долгом выразить слова признательности В. А. Чеканову, В. А. Евсееву, И. П. Жаровой, Г. В. Ко-лобанову, без участия которых выполение работы было бы невозможным.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В настоящей работе впервые выполнены комплексные исследования электронных свойств неупорядоченных систем на основе Ge и высокотемпературных сверхпроводников на базе иттриевых купратов, компенсированных облучением быстрыми нейтронами реактора: показана принципиально важная роль влияния полей механических упругих напряжений на процессы электронного транспорта в таких системах.

Экспериментально и теоретически исследовано многообразие форм влияния упругодеформированного состояния на изменение электронных свойств неупорядоченных систем и рассмотрены случаи, когда такое влияние является определяющим.

Наиболее существенные результаты диссертационной работы, на которых строятся ее основные положения, состоят в экспериментальном исследовании и теоретическом описании особенностей влияния нейтронного облучения быстрыми нейтронами реактора на электронные и механические свойства указанных неупорядоченных систем, заключаются в следующем: -в неупорядоченой системе на основе n-Ge, разупорядоченного облучением быстрыми нейтронами реактора:

1. Предложен механизм токового переноса на постоянном токе в n-Ge, компенсированном облучением быстрыми нейтронами реактора, осуществляемый переносом дырок по энергетическим уровням ядер разупорядоченных областей. Разработан алгоритм обработки экспериментальных результатов, позволяющий получить данные о соотношении среднего геометрического размера РО и усредненного по ансамблю расстояния между ними.

2. Показано, что возможная причина немонотонного (с максимумом) хода температурной зависимости коэффициента Холла в n-Ge, компенсированном облучением быстрыми нейтронами реактора, обусловлена влиянием полей локальных упругих напряжений, окружающих РО.

— В неупорядоченной системе на основе YBaCuOкерамики, облученной быстрыми нейтронами реактора:

1. Обнаружен эффект восстановления сверхпроводящего резистивного перехода при отжиге керамики в атмосфере азота при Тотж «600°С 4- 700 °C после потери ими сверхпроводящих свойств на стадии предварительного отжига при более низкой температуре. Установлено, что облучение быстрыми нейтронами реактора приводит к понижению температуры отжига, способствующего восстановлению сверхпроводимости на ~ 100 °C по сравнению с необлученным материалом. В рамках модели бесконечного кластера локально напряженных областей дано качественное объяснение изменения характера температурной зависимости удельного сопротивления и увеличения температуры сверхпроводящего перехода образцов, последовательно отожженных в атмосфере сухого азота.

2. Предложена модель, в рамках которой дано объяснение немонотонного хода дозовой зависимости транспортного критического тока YBaCuOкерамики, облученной быстрыми нейтронами реактора на начальной стадии облучения. Проведено сравнение расчетов, выполненных в соответствии с предложенной моделью, с экспериментальными результатами измерения критического тока в YBaCuOкерамике, облученной быстрыми нейтронами реактора в низкотемпературной гелиевой петле реактора ВВР-М при температуре облучения ~ ЗОК.

3. Исследован спектр неупругой релаксации образцов YBaCuOкерамики, исходной и облученной быстрыми нейтронами реактора. Установлена дислокационная природа пика Р3 внутреннего трения Q1 (Т), дано объяснение причин температурного гистерезиса этого пика.

Работа выполнялась в группе Радиационной физики твердого тела Отдела исследования коденсированного состояния Отделения нейтронных исследований ПЙЯФ им. Б. П. Константинова РАН.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А. Р. Рывкин С.М., Шлимак И. С. Компенсированный быстрыми нейтронами n-Ge как модель аморфного полупроводника// Письма в ЖЭТФ. 1972, т. 15, с. 605 -607.
  2. РФ., Юферев А. А. Электрические свойства германия, компенсированного разупорядоченными областями //ФТП. 1973, т.7, с. 2086 -2091.
  3. Konopleva R.F., Juferev А.А. On Disordered Regions in fast Neutron Compensated Germanium //Phys. Stat. Sol.(a). 1971, v. 21, p. 49 52.
  4. Р.Ф.Коноплева. Электрофизические свойства неупорядоченных систем: Препринт № 670,ФТИ, 1980, 61 с.
  5. Р.Ф.Коноплева. Гальваномагнитные свойства неупорядоченных систем: Препринт № 671, ФТИ, 1980, 26 с.
  6. .И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979, 416 с. 1. О ftQ
  7. Ananyev A., Gerashenko A., Mikhalev К. et al. Си and *yY NMR and spin Sucseptibility of УВа2Си306,9 Disordered be Neutron Irradiation //Physica C283 287, 1997, p. 1337 — 1338.
  8. Sadovskii M. V. Superconductivity and Localization//arXiv:cond-mat/9 308 018, 1999, v.3, 27 Mar
  9. Р.Ф., Литвинов В. Л., Ухин H.A. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. М.: Атомиздат, 1971. 174 с.
  10. B.C., Ухин Н. А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М., Атомиздат, 1969. 310 с.
  11. Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. М., :Мир, 1973. 290 с.
  12. Р.Ф., Остроумов В. Н. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием. М.: Атомиздат, 1975. 127 с.
  13. Физические процессы в облученных полупроводниках. Под ред. Л. С. Смирнова. Новосибирск .: Наука, 1977, 256 с.
  14. И.Д., Семенюк А. К., Хиврич В. И. Радиационные эффекты в кремнии. Киев.: Наукова думка, 1974. 199 с.
  15. Cleland J.W., Crawford J.H. Nature of Bombardment Damage and Energy Levels in Semiconductors // J. Appl. Phys., 1959, v.30, p. 1204−1213.
  16. Gossik B.R. Disordered Regions in Semiconductors Bombarded by Fast Neutrons//J. Appl. Phys., 1959, v.30, p. 1214−1219.
  17. Holmes D.K. Leibfried G Range of Radiation Induced Primary Knock-onc in the Hard Core Approximation // J. Appl. Phys., 1960, v.31, p. 1046−1053.
  18. H.A. Модель разупорядоченных областей в кремнии, создаваемых быстрыми нейтронами // ФТП, 1972, т.6, вып.5, с. 931−937.
  19. А.И., Смирнов JI.C. Резонансное рассеяние носителей заряда на разупорядоченных областях в полупроводниках. В кн.: Радиационные дефекты в полупроводниках. Минск, БГУ, 1972, с. 237 238.
  20. А.И., Смирнов J1.C. О взаимодействии разупорядоченных областей и окружения в полупроводниках //Физика и техника полупроводников, 1973, т. 7, вып. 11, с. 2227 2229.
  21. В.М. Об аномально высокой подвижности внедрений в полупроводниках и связанных с ним эффектах. В кн.: Физическая химия в микроэлектронике. Красноярск, 1976, с. 21 — 29.
  22. В.В., Васильев А. В., Кожевников В. П., Смагулова С. А., Смирнов Л. С. Взаимодействие разупорядоченных областей с точечными дефектами в кремнии n-типа //Физика и техника полупроводников, 1978, т. 12, вып. 6, сЛ 104 1108.
  23. Rolle М.Е., Corelli J.С. Study of Atomic Disorder Produced by Fast Neutron in Si Using Infrared Spectroscopy // J. Appl. Phys., 1976, v.47, No 1, p. 37 42.
  24. Totterdell D.H.J., Newman R.C. The Effect of Irradiation Induced Lattice Strain on the Width Local Mode Absorbtion Line in Si // J. Phys. C: Solid St. Phys. 1975, v.8, No5, p.589 — 598.
  25. В. В. Смирнов JI.C. О взаимодействии радиационных дефектов с дислокациями в германии // Физика твердого тела, 1966, т.8, вып. 12, с. 3403 3404.
  26. Вопросы радиационной технологии полупроводников. Под. ред. Л. С. Смирнова, М.: Наука, 1980, 292 с.
  27. П.И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев.: Наукова думка, 1975, 703 с.
  28. Akhmetov A. D. .Bolotov V. V, L.S.Smirnov, Kharchenko V.A. The Defect Accumulation and Irradiation-Induced Lattice Strain in Si at High-Dose Neutron Irradiation // Phys. Stat. Solidi (a), 1983, v.75, p. 601 606.
  29. Hung C. S., Gliessman J. R. Resistivity and Hall effect on Germaniumn at low temperatures // Phys. Rev., 1954, v.96, p. 1226−1231.
  30. . И., Эфрос A. JI. Примесная зона и проводимость компенсированных полупроводников // ЖЭТФ, 1971, т. 60, с. 867 872
  31. Fritzsche Н., Cuevas М. Impurity conduction in transmutation doped p-type germanium // Phys. Rev., 1960, v. l 19, p. 1238 1244.
  32. Miller A., Abrahams E. Impurity conduction at low concentrations// Phys. Rev., 1960, v. l20, p.745 753.
  33. Mott N. F., Twose W. D. The theory of impurity conduction // Adv. Phys., 1961, v, 10, p, 107- 112
  34. H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. В 2-х томах, М.: Мир, 1982, 662с.
  35. РФ., Назаркин И. В. Активационная проводимость легированного Ge, компенсированного облучением быстрыми нейтронами реактора // ФТП, 1982, т. 16, вып. 11, с. 675 679.
  36. .И. Прыжковая проводимость сильно легированных полупроводников//ФТП, 1973, т.7, с. 112−117.
  37. Schlimak I.S., Emtzev V.V. Dependence of the activation energy of conductivity on the compensation degree in germanium // Phys. Stat. Sol.(b), 1971, v.47, p. 325 329.
  38. Нгуен Ван Лиен, Шкловский Б. И., Эфрос A.JI. Энергия активации прыжковой проводимости слабо легированных полупроводников // ФТП, 1979, т. 13, в.11, с. 2192−2209.
  39. Ryvkin S.M., Shlimak I.S. A doped highly compensated crystalline semiconductor as a model of amorphous semiconductors // Phys. Stat. Sol.(a)., 1973, v.16, p. 515 -520.
  40. .И. Прыжковая проводимость сильно легированных полупроводников // ФТП, 1973, т.7, с. 112−115.
  41. Sasaki W., Yamanouchi С. Quantitative study of the effect of compensation on impurity conduction in heavily doped n-type germanium // J. Non-Cryst. Solids, 1970, v.4, p. 183 -186.
  42. А.Г. Прыжковая проводимость и ход плотности локализованных состояний в окрестности уровня Ферми // ФТП, 1977, т.11, с.595−601.
  43. Шик, А .Я. Фотопроводимость случайно-неоднородных полупроводников // ЖЭТФ, 1975, т.68, с. 1859−1864.
  44. JI.B., Прошко Г. П. Инфракрасное поглощение в сильно легированном германии // ФТТ, 1963, т.5, с. 3378 3382 .
  45. Р.Ф. Радиационные дефекты в полупроводниках при облучении частицами высоких энергий. Диссертация на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук, Ленинград, 1984, 368 с.
  46. Е.В. Методы исследования эффекта Холла. М.: Советское радио, 1974, 328 с.
  47. Г. Я., Гарусов Е. А., Егодуров С. Д., Коноплев К. А., Пикулик Р. Г., Потапов И. А., Чмшкян Д. В. Радиационные характеристики реактора ВВР-М ЛИЯФ им Б.П.Константинова АН СССР //Препринт № 1436, ЛИЯФ, 1989.
  48. Д., Виниард Д. Радиационные эффекты в твердых телах. М.: ИЛ., 1961.
  49. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И. П., Миронов А. Г., Эндерлайн Р., Эссер Б. Электронная теория неупорядоченных полупроводников, М.:Наука, 1981, 383 с.
  50. Л.Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика. Теоретическая физика, т. III. М.:Наука, 1974.
  51. В.Л., Холодарь Г. А. Радиационная физика полупроводников. Киев.: Наукова Думка, 1979, 374 с.
  52. А.Г., Ионов АН., Корчажкина Р. Л., Шлимак И. С. Проводимость сильно легированного компенсированного германия // ФТП, 1973, т.7, с.1914
  53. Redfield D., Crandall R. Energy dependence of conduction in band tails. — Proc. X Int. Conf. On the Physics of Semiconductors. Cambridge, 1970, p. 574−579.
  54. Hopping Transport in Solids Eds. M. Pollak, B.I.Shklovskii. Elsevier, 1991, p. 408.
  55. Arkhipov V.I., Emelyanova E.V., Andriassens G.J. Onsager Approach to the universal cross-over in variable range hooping with Coulomb interactions //Solid State Commun, 2000, 115, p. 131 -136.
  56. Schiff L. Quantum Mechnics (McCraw Hill, New York), 1968, 3d ed., p.278.
  57. Lin C.-H., Wu GY. hopping conduction in granular metals // Physica В., 2000, 279, p.341−345.
  58. Sheng P., Abeles B. Voltage-Indused Tunneling Conduction in Granular Metels at Low Temperatures // Phys.Rev.Lett., 1972, v.28., No 1, p.34−38.
  59. Ambegaokar V., Halperin B.I., Langer J.S. Hopping conductivity in disordered systems // Phys. Rev., 1971, v. B4, p. 2612−1620.
  60. И.С. О прыжковой проводимости германия в области про-межуточой концентрации примесей // ФТП, 1076, т. 13, в.4, с. 766−769.
  61. Rollin В.V., Russel J.P. Impurity conduction in copper doped germanium //Proc. Phys. Soc., 1963, v.81, p. 571−575.
  62. Ray R.K., Fan H.Y. Impurity conduction in silicon // Phys. Rev., 1961, v.121, p. 768−671.
  63. O.B., Лагунова T.C., Наследов Д. Н. и др. Проводимость по примесям в n-GaAs//ФТП, 1973, т.7, с. 1919−1922.
  64. Akhmetov A.D., Bolotov V.V., Smirnov L.S., Kharchenko V.A.. The Defect Accumulation and Irradiation-Induced Lattice Strain in Si at High-Dose Neutron Irradiation // Phys. Stat. Solidi (a), 1983, v.75, p. 601 606.
  65. А.Г., Андреев А. Г., Алексеенко М. В. Прыжковая проводимость «к=0.3″ серии образцов Ge: Ga: эффект насыщения, перескоки по ближайшим соседям и переходк прыжкам с переменной длиной // ФТП, 1992, т.26, в. 3, с. 431.
  66. К.В. Физика полупроводников. М., Энергия, 1976, с. 416.
  67. Н.А. Влияние сложных структурных повреждений на свойства полупроводников. В кн. Радиационная физика неметаллических кристаллов, т. Ш, чЛ, Киев.: Наукова Думка, 1971, с. 66−93.
  68. А., Ухин Н. А. Облучение германия n-типа электронами с энергией 28 Мэв // ФТП, 1970, т.4, с. 1152−1558.
  69. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение. Под ред. Ф. П. Кесаманлы и Д. Н. Наследова. М.:Наука, 1973, 472 с.
  70. Ю.М. и др. Исследование явлений переноса в соединениях типа AmBv // „Изв. АН СССР. Сер.физ.“, 1964, т.28, № 6, с. 951- 958.
  71. DavisE.A., Compton W. Dale Compensation dependence of Impurity Conduction in Antimony Doped Germanium // Phys. Rev., 140, № 6a, p. A2183 -A2194.
  72. П.И., Клочков В. П. Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев. .Наукова Думка, 1975, 703 с.
  73. В.О., Клотыньш Э. Э. Определение параметров локального уровня в полупроводниках. Рига.:3инатне, 1978, 190 с.
  74. Proc. Int. Conf. Hight-Temperature Superconductivity Materials and Mechanismd of Superconductivity, M2S-HTSC-(I), (II), (III),(IV). Physica C153−155, 1988- Physica C162−164, 1990- Physica C185−189, 1991- Physica C235−240, 1994
  75. Goshchitskii B.N., Kozhevnikov V.L., Sadovskii M.V. High Tc studies in Sverdlovsk // Int. J. Mod. Phys. В, 1988, vol.2, n. 6, p. 1331 -1379.
  76. А. С., Csikai J., Pepelnik R., Halasz I., Kirschner I., Kovacs Gy., Porjesz T., Trager T. Non-bulk superconductivity induced by neutron irradiation in multiphase YBa2Cu307 and TICaBaCuO //Physica C, 1990, v.165, №.1, p. 83−90.
  77. Puzniak R., Wisniewski A., Baran M., Szymczak H., Zhang Pingxiang, Wang Jingrong, Zhou Lian, Pytel K., Pytel B. Enhancement of critical current density in fast neutron irradiated melt-textured YBa2Cu307-x // Cryogenics 1999, vol.33, №.3,p.261−265.
  78. К. и др. Некоторые химические свойства оксидов, обладающих высокотемпературной сверхпроводимостью. „Высокотемпературныесверхпроводники“. М.: МИР, 1988, с. 54.
  79. И.В., Быков А.Б, Забиров И. П. Новые данные о зависимости критической температуры от содержания кислорода в сверхпроводящем соединении YBaCuO // Письма в ЖЭТФ, 1988, т.48, в.8, с. 449 -452.
  80. Kupfer Н., Apfelstedt I., Schauer W., Flukiger R., Meier-Hirmer R., Wuhl H., Scheurer H. Fast neutron irradiation of YBa2Cu307 // Z. Phys. B, 1987, vol.69, №.2&3, p. l67−171
  81. Atobe K., Yoshida H. Low-temperature neutron irradiation effects on superconducting Y-Ba-Cu oxides // Phys. Rev. В, 1987, vol.36, №.13, p.7194−7196.
  82. Дж., Чианг С. К., Кренмер Д. С. Влияние условий получения высокотемпературных сверхпроводников на их электрические, магнитные и механические свойства. „Высокотемпературные сверхпроводники“.М.: Мир, 1988, с. 290.
  83. А.К., Борисов Б. А., Коноплева Р. Ф., Порсев Г. Д., Чеканов В. А., Боханов С. О., Чудаков М. В. Установка для низкотемпературных (20 -ь 300К) исследований ВТСП в условиях облучения реакторными нейтронами: Препринт № 1748, ПИЯФ РАН, 1991.
  84. С.Р. //Rev.Mod.Phys., 1964, 36, р. 34−38.
  85. B.C. Внутреннее трение в металлах. М.: Металлургия, 1974, 351 с.
  86. М.А., Головин С. А. Внутреннее трение и структура металлов. М.:Металлургия, 1976, 375 с.
  87. У. Сб."Физическая акустика» Пер. с англ. М.:Мир, 1971,560 с.
  88. И.В., Коноплева Р. Ф., Чеканов В. А. Исследование особенностей деградации керамики состава YBa2 Cu3 07s в результате отжига и облучения быстрыми нейтронами реактора: Препринт № 1742, ЛИЯФ, 1991.
  89. Mukouda I., Shimomura Y. Effects of low-temperature neutron irradiation on Tc of LnBa2Cu307-y (Ln=Y, La) and La2Cu04 // Jpn. J. Appl. Phys. Pt. l 1991, vol.30 №. 11 A, p.2744−2746
  90. А.П., Погребняков A.B. К интерпретации экспериментальных данных о влиянии термодинамических флуктуаций на электропроводность высокотемпературных сверхпроводников в области Т > Тс //СФХТ, 1989, т.2, № 6, с. 53 -55.
  91. В. М., Овечкина Е. Е. Ткаченко Н. В., Шинднес Л. Г. Влияние инертной газовой среды на критический ток в YBa2Cu3Oz керамике.// Сверхпроводимость: физика, химия, техника. 1993, т.6, № 11−12, с. 2090−2094.
  92. Высокотемпературная сверхпроводимость. Фундаментальные и прикладные исследования. 1 вып., Под. ред. А. А. Киселева, Л.: Машиностроение, 1990, 685 с.
  93. Высокотемпературные сверхпроводники. Под ред. Д. Нелсона, М. Уиттинхема, Т. Джорджа. М.:Мир, 1988, 399 с.
  94. Ю. А., Жариков О. В., Новиков Г. В. Наблюдение сверхпроводимости в YBaCuO керамике, допированной йодом и бромом // Письма в ЖЭТФ, 1989, т.49, вып. 1, с. 61−64.
  95. Noel D., Parent L. Thermoanalytical characterisation (DTA and TG) of RbaCuO (R=Y, Gd, Na) superconductors // Thermochim. Acta., 1989, v. 147, p. 109
  96. Zubkus V.E., Lapinskas S., Tornau E.E. On oxygen ordering in YBaCuO //Physica C, 1991, v. 159, № 4, p. 501−507.
  97. С., Синг К. Адсорбция, удельная поверхность, пористость М.:Мир, 1970.
  98. Н.Н., Елесин В. Ф., Мельников В. Л., Штырев Д. А. Кинетика кислорода при низкотемпературном облучении ВТСП YBa2Cu307.y Н. Сверхпроводимость: физика, химия, техника, 1989, т.2, вып. № 11, с. 95−103.
  99. Д.З., Боярская Ю. С., Житару Р. П., Кац М.С., Цуркан В. В. Микромеханические свойства сверхпроводящей иттриевой керамики // Сверхпроводимость: физика, химия, техника, 1989, т.2, вып. № 6, с. 67−71.
  100. Yoshida Н., Morita Н., Noto К. Pressure effect on the superconducting transition temperature for YBa2Cu302,3 compound system // Jpn. J. Appl. Phys., 1987, v.26,№ 5, p L867-L868.
  101. Battlog В., Chen C.H. Single-phase 60K bulk superconductor in annealed YBaCu07s (0.3 < 5 <0.4) with correlated oxygen vacancies in Cu-O chains. 7/Phys.Rev.B., 1987, v.36,№ 10, p. 5719−5721.
  102. А.А.Маклецов. Закономерности деградации высокотемпратурных сверхпроводников под действием нейтронного облучения // СФХТ, 1990, т. З, № 5, с. 900 -904.
  103. Kupfer H., Apfelstedt I., Schauer W., Flukiger R., Meier-Hirmer R., Wuhl H., Scheurer H. Fast neutron irradiation of YBa2Cu307 // Z. Phys. B, 1987, vol.69 №.2&3 p. 167−171.
  104. Cost. J.R., Willis J.O., Thompson J.D., Peterson D.E. Fast-neutron irradiation of YBa2Cu30x // Phys. Rev. B, 1988, vol.37 №.4, p. 1563−1568.
  105. Wisniewski A., BaranM., Przysiupski P., Szymczak H., Pajaczkowska A., Pytel В., Pytel K. Magnetization studies of YBa2Cu307-x irradiated by fast neutrons // Solid State Commun. 1988, vol.65, № 7, p.577−580.
  106. Konopleva R.F., Nazarkin l.V., Chekanov V.A. Effect of elastic stress fields on the critical transport current of irradiated granulated high-temperature superconductors // Journal of Advanced Materials, 1996, 3(6), p. 448−491
  107. Meilikhov E.Z. Modified dislocation model of intergrain tilt boundaries in HTSC // Physica С 271, 1996, p.277 285.
  108. Theodosiu C. Elastic models of crystal defects. Springer Verlag Berlin NY, 1982, p.351.
  109. Е.З. Структурные особенности ВТСП керамик и их критический ток и вольтамперная характеристика // УФН, 1993, т. 163, № 3, с. 27 -54.
  110. С.А., Овидько И. А., Осипов А. В. Критический ток в высокотемпературных сверхпроводниках с неупорядоченными межзеренными границами наклона // Письма в ЖТФ (2ООО), т.26, вып. 14, с. 36 40.
  111. Hirth J.P., Lothe J. Theory of Dislocations. 1968, McCraw Hill, NY.
  112. Метод внутреннего трения в материаловедческих исследованиях. Справочник. Под ред. М. С. Блантера и Ю. В. Пигузова. М.: Металлургия, 1991, с. 248.
  113. П.П. Паль-Валь, JI.H.. Паль-Валь, В. В. Демирский, В. Д. Нацик Изменение низкотемпературного релаксационного спектра керамики YBa2Cu3Ox при уменьшении кислородного индекса (6.95 > х > 6.3) // СФХТ, 1991, т4.,№ 8, с. 1542.
  114. Ю.В. Физическое материаловедение, М.:Наука, 2000, 285 с.
  115. Ш. Дислокации., М.:Мир, 1967, с. 387.
  116. L.Parrini, R. Schaller Thermal stresses in metal matrix composites studied by internal friction //Acta Mater, 1996, v.44, № 12, p.4881−4886.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!