Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Примесная люминесценция в арсениде галлия и низкоразмерных структурах на его основе

Диссертация: Примесная люминесценция в арсениде галлия и низкоразмерных структурах на его основе
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В легированных полупроводниках научный и практический интерес представляет изучение люминесценции комплексов атомов примеси и собственных точечных дефектов кристалла и механизмов влияния таких комплексов на процессы рекомбинации неравновесных носителей заряда. К моменту начала данной работы люминесценция комплексов и процессы рекомбинации неравновесных носителей заряда с их участием… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1.
    • 1.
    • 1.
    • 1.
  • Глава 2.
    • 2.
    • 2.
    • 2.
    • 2.
    • 2.
    • 2.
    • 2.
  • Глава 3. Часть 3.1,
    • 3.
    • 3.
    • 3.
  • Фотолюминесценция примесей в СаАз
  • Фотолюминесценция мелких примесей в СаАз и 3 9 СаАэ/А1СаАз квантовых ямах
  • Фотолюминесценция комплексов в легированном 4 6 СаАз
  • Рекомбинация носителей заряда в СаАэ дельта- 52 легированных структурах
  • Методические вопросы исследования
  • Методики получения исследуемых образцов
  • Методика регистрации стационарной фотолюми- 64 несценции
  • Регистрация кинетики и эволюции спектров не- 68 стационарной фотолюминесценции со временем. Выбор режима работы ФЭУ

Примесная люминесценция в арсениде галлия и низкоразмерных структурах на его основе (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Любой полупроводник — в виде объемного монокристалла, тонкой пленки или низкоразмерной гетероструктурынаходит применение в повседневной жизни лишь при условии, что он обладает необходимыми характеристиками. Набор требуемых параметров может сильно зависеть от прибора, в котором планируется использовать данный полупроводник, однако в большинстве случаев определяющую роль играет тип и концентрация свободных носителей заряда, их подвижность и время жизни. Требуемые параметры обычно достигаются легированием.

Одной из актуальных задач в этой области является целенаправленное управление рекомбинационными процессами полупроводников с помощью легирования. Поскольку энергетические состояния примесей в полупроводниках увеличивают число возможных взаимодействий между электронами, фотонами и фононами, эта задача не является простой, поэтому актуальным является исследование ре-комбинационного излучения легированных полупроводников, которое связано с оптическими переходами через уровни примесей и других дефектов кристалла {"extrinsic luminescence" в англоязычной литературе). Анализ спектрального распределения рекомбинационного излучения, его поляризационных и кинетических характеристик позволяет получать информацию об энергетическом спектре, составе и структуре дефектов кристалла, об их влиянии на процессы релаксации и рекомбинации носителей заряда в полупроводниках и т. д.

Данное направление исследования, будучи традиционным, сохраняет свою актуальность и сегодня, поскольку прогресс техники эксперимента и технологии синтеза полупроводниковых структур дает новые возможности решения существующих задач и ставит перед исследователями новые вопросы. Так, например, в течение длительного времени исследованию механизмов и кинетики излуча-тельной рекомбинации в GaAs, являющимся важным в практическом отношении материалом и модельной системой для исследования процессов рекомбинации в прямозонных полупроводниках, посвящалось большое количество работ. На основе полученных данных была построена картина релаксации и рекомбинации неравновесных носителей заряда при гелиевых температурах в прямозонных нелегированных полупроводниках, из которой следует, что кинетика рекомбинации свободных электронов через уровни водородоподобных акцепторов описывается экспоненциальным законом с характерным временем затухания в несколько микросекунд. Развитие экспериментальной техники позволило нам установить, что принятая картина рекомбинации неравновесных носителей заряда не учитывает существенных механизмов, определяющих кинетику электронов в зоне проводимости СаАэ при гелиевых температурах и приводящих к закону затухания люминесценции, весьма далекому от ожидавшегося простого закона для переходов зона-акцептор.

В силу высокой чувствительности электронных свойств полупроводников к электрически активным примесям актуальной является задача идентификации примесей в нелегированных полупроводниках, определении источников и механизмов вхождения и поиск путей уменьшения концентрации «фоновых» примесей. В связи с этим необходимо развивать методики, обеспечивающие идентификацию примесей, присутствующих в полупроводнике в малых концентрациях. В практически важном случае СаАэ и близких соединений идентификация водородоподобных акцепторных примесей методом люминесценции может быть существенно затруднена из-за перекрытия линий зона-акцептор и донор-акцептор. Поэтому актуальным является развитие методики люминесцентной спектроскопии акцепторов, обеспечивающей улучшение разделения этих линий в спектрах люминесценции .

В легированных полупроводниках научный и практический интерес представляет изучение люминесценции комплексов атомов примеси и собственных точечных дефектов кристалла [1,2,3] и механизмов влияния таких комплексов на процессы рекомбинации неравновесных носителей заряда. К моменту начала данной работы люминесценция комплексов и процессы рекомбинации неравновесных носителей заряда с их участием в эпитаксиальных слоях баАэ, легированных водородоподобными акцепторами, систематически не изучалась. Более того, сформировалось мнение, что в спектрах люминесценции этого материала, в отличие от баАэ, легированного водородоподобными донорами, при всех достижимых уровнях легирования доминирует полоса краевой люминесценции. А влияние примеси сводится к изменению формы линии краевой люминесценции из-за размытия энергетического спектра полупроводника вблизи краев разрешенных зон и формирования «хвостов» плотности состояний. Между тем, исследование механизмов и установление степени влияния комплексов на процессы рекомбинации и времена жизни неравновесных носителей заряда является актуальным в связи с активным использованием сильно легированного акцепторами СаАэ в современных оптои СВЧ-электронных приборах: фотокатодах с отрицательным электронным сродством, гетеробиполярных транзисторах, р: т-диодах и т. д.

Развитие в последние годы технологий молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и эпитаксии из металлоорганических соединений привело к появлению низкоразмерных структур — квантовых ям и сверхрешеток, а в последнее время также квантовых проволок и квантовых точек, обладающих транспортными и рекомбинационными свойствами, отличающимися от свойств объемных полупроводников. Значительное превосходство в целом ряде случаев характеристик приборов на основе квантоворазмерных структур привело к тому, что они уже применяются на практике при создании биполярных и полевых транзисторов и полупроводниковых источников, модуляторов и приемников излучения [4, 5]. Принципиальное отличие характеристик системы носителей заряда в квантоворазмерных структурах от их свойств в объемных материалах и значительные перспективы их применения на практике, очевидно не исчерпывающиеся уже реализованными приборами, обуславливает большой интерес к фундаментальным свойствам структур пониженной размерности, в частности, к свойствам примесей в них [б]. Новые технологии синтеза полупроводниковых структур открывают дополнительные возможности по использованию легирования для получения полупроводников с необходимыми характеристиками. В МЛЭ примеси могут использоваться для создания двумерных систем — потенциальных ям, приводящих к квантованию движения носителей заряда. Для этого при росте структуры формируется слой примеси толщиной менее боровского радиуса соответствующих носителей заряда и концентрацией выше порога вырождения электронного газа (планарное или 8-легирование), что приводит к созданию «самосогласованной» системы ионизованных примесных атомов и носителей заряда [7]. Принципиальные отличия структур с 8-легированным слоем от композиционных гетероструктур состоят в наличии системы вырожденных свободных носителей и монополярности потенциальной ямы, квантующей движение носителей одного знака и отталкивающей носители другого. Вследствие этого рекомбинационные и транспортные свойства 5-легированного материала отличаются от свойств объемных слоев и композиционных структур. К началу данной работы в литературе имелись сообщения об исследовании рекомбинаци-онных свойств 5-легированного донорами GaAs и было показано, что электронная структура 5-п-легированного слоя не проявляется в спектрах люминесценции [8]. Вместе с тем, не был изучен 5-легированный акцепторами GaAs. Остался без ответа фундаментальный вопрос: является ли принципиально возможной рекомбинация носителей заряда, локализованных в квантованной 8-яме, с носителями заряда, расположенными в объеме структуры. Информация об энергетическом спектре и рекомбинационных свойствах дельта-легированных акцепторами структур актуальна, поскольку дельта-легирование активно используется при создании различных исследовательских и приборных структур

Среди большого разнообразия композиционных низкоразмерных структур особый интерес представляют гетероструктуры с энергетической диаграммой второго рода, включающие непрямозонные полупроводники, рекомбинация носителей заряда в которых затруднена необходимостью рассеяния квазиимпульса одного из них. В этом случае вероятность рекомбинации через уровни примеси может быть сравнима с вероятностью собственной рекомбинации, и с помощью легирования можно управлять рекомбинационными параметрами таких структур. Типичными представителями таких структур являются GaAs/AlAs сверхрешетки второго рода, в которых электроны локализованы в Х-долине зоны проводимости AlAs, а дырки — в Г-долине валентной зоны GaAs. Исследования GaAs/AlAs сверхрешеток имеют большое значение для установления фундаментальных свойств широкого класса низкоразмерных структур второго рода на основе материалов типа А3В5 и Si/Ge. Исследования примесной люминесценции в подобных структурах ранее не проводились.

Из изложенного выше следует, что для решения задачи целенаправленного управления рекомбинационными свойствами эпитакси-альных слоев и низкоразмерных структур на основе арсенида галлия с помощью легирования необходимо определишь основные механизмы и степень влияния атомов примеси и комплексов атомов примеси с собственными точечными дефектами кристалла на процессы рекомбинации неравновесных носителей Заряда.

Для достижения сформулированной цели в работе решались следующие основные задачи:

Определение закона затухания люминесценции водородоподоб-ных акцепторов после импульсного возбуждения при гелиевых температурах в арсениде галлия и близких соединениях.

— Идентификация линий люминесценции, связанных с электронными переходами на уровни водородоподобных фоновых акцепторов в слоях СаАэ, полученных методами жидкофазной (ЖФЭ) и молекулярно-лучевой эпитаксии. Анализ механизмов, определяющих концентрацию фоновых примесей в слоях СаАэ, и поиск путей уменьшения их концентрации.

— Выявление линий люминесценции, обусловленных комплексами атомов примеси и собственных точечных дефектов кристалла, в слоях СаАэ, легированных германием, цинком, бериллием и марганцем, основными акцепторными примесями, используемыми при ЖФЭ и МЛЭ.

— Установление роли комплексов в процессах рекомбинации неравновесных носителей заряда в слоях СаАэ, легированных акцепторами. Определение условий роста слоев, при которых концентрация комплексов и их влияние на рекомбинационные параметры слоев минимальны.

Обнаружение люминесценции и исследование механизмов рекомбинации неравновесных носителей заряда в 5-легированных акцепторами слоях баАэ.

Идентификация линий люминесценции, связанных с легирующими примесями, и определение механизмов рекомбинации неравновесных носителей заряда в легированных СаАз/АМэ сверхрешетках второго рода.

Научная новизна работы. Все основные экспериментальные и расчетные результаты диссертационной работы получены впервые. Научная новизна конкретных результатов состоит в следующем:

1. Экспериментально показано, что, в отличие от существовавших представлений, кинетика ФЛ водородоподобных акцепторов в СаАэ при гелиевых температурах является длительной (мил-лисекундной) и неэкспоненциальной. Разработана модель, объясняющая данное явление, и проведена экспериментальная проверка этой модели.

2. Идентифицированы линии ФЛ комплексов, состоящих из атомов легирующей примеси и собственных точечных дефектов кристалла, в слоях СаАв, легированных германием, цинком, бериллием или марганцем. Получены зависимости концентрации комплексов от концентрации акцепторов и условий роста слоев, что позволило предложить элементный состав комплексов. Установлена зависимость концентрации центров безызлуча-тельной рекомбинации, индуцированных марганцем, от его концентрации в слоях.

3. Изучена энергетический спектр комплексов и механизмы рекомбинации неравновесных носителей заряда через их уровни. Установлены механизмы влияния комплексов на эффективность ФЛ слоев СаАэ, легированных акцепторами.

4. В структурах 5-р-легированного баАэ обнаружено и исследовано рекомбинационное излучение, связанное с туннельной рекомбинацией неравновесных электронов, локализованных вблизи 5-слоя, с дырками в потенциальной яме 5-слоя. Предложена модель механизма излучательной рекомбинации, объясняющая наблюдаемые в эксперименте характеристики ФЛ 5-р-легированного материала.

5. В легированных 6аАз/А1АБ сверхрешетках второго рода обнаружена и изучена новая линия ФЛ, связанная с примесями. Получены экспериментальные данные, свидетельствующие о том, что эта линия связана с донорно-акцепторной рекомбинацией электронов, локализованных на донорах, расположенных в слоях А1Аб, и дырок, локализованных на акцепторах в слоях СаАэ. Определена энергия связи электронов на донорах в слоях А1Аэ в сверхрешетках СаАз/А1Аэ второго рода.

Практическая значимость работы заключается в разработке методики люминесцентной спектроскопии водородоподобных акцепторов в СаАэ и близких соединениях, обеспечивающей улучшение разделения линий в спектрах акцепторной ФЛ по сравнению со стандартными методами измерения, простоту определения природы линий в спектре, позволяющей идентифицировать акцепторы, присутствующие в исследуемом образце в концентрациях, значительно (до 10 раз) меньших по сравнению с доминирующими примесями. Методика основывается на наблюдении эволюции спектров нестационарной ФЛ в микросекундном диапазоне времен и применяется для исследования материала с уровнем легирования N0 < 1016 см" 3, полученном в широком диапазоне условий выращивания. Практическую ценность также представляет установление оптимальных условий контроля параметров СаАз/А1СаАБ структур для гетеробиполярных транзисторов методом ФЛ.

В результате проведенных в данной работе исследований разработаны технологические приемы ЖФЭ и МЛЭ, позволяющие уменьшать концентрацию ненамеренно вводимых примесей в слоях СаАБ и А1СаАэ, а также уменьшать концентрацию комплексов в слоях СаАэ, легированных германием, цинком, марганцем или бериллием и улучшать рекомбинационные и транспортные параметры материала. В результате применения чистых слоев А1СаАз в структурах для СВЧ транзисторов типа НЕЕТ (полевой транзистор на основе гетерост-руктур) и РНЕМТ (псевдоморфный транзистор с высокоподвижными электронами) были повышены пробивное напряжение затвор-сток до 25 В и удельная выходная СВЧ мощность приборов на частоте 18 ГГц до 1 Вт/мм. Использование низкотемпературного буферного слоя с короткопериодной СаАз/А1АБ сверхрешеткой повысило выход годных транзисторов.

На защиту выносятся следующие научные положения:

1. Длительное и неэкспоненциальное затухание нестационарной люминесценции водородоподобных акцепторов в нелегированном и слабо легированном СаАэ при гелиевых температурах обусловлено многократно повторяющимися процессами захвата и эмиссии неравновесных электронов ловушками, контролирующими концентрацию неравновесных электронов в зоне проводимости. Дефекты и комплексы точечных дефектов кристалла, формирующиеся при сильном легировании эпитаксиальных слоев СаАэ акцепторами (германием, цинком, бериллием), следующим образом участвуют в процессах рекомбинации неравновесных носителей заряда:

— рассеивают квазиимпульс носителей заряда и увеличивают вероятность межзонной Оже-рекомбинации, а также вероятность непрямой в к-пространстве межзонной излучательной рекомбинациииявляются одновременно центрами излучательной и безызлу-чательной рекомбинации неравновесных носителей зарядапри температурах, близких к комнатной, вероятность бе-зызлучательной рекомбинации на этих центрах превышает вероятность излучательной рекомбинации и вероятность выброса носителей заряда в разрешенные зоны.

Легирование слоев СаАБ марганцем при ЖФЭ из раствора-расплава на основе висмута приводит к формированию двух типов дефектов, характерных только для данного способа получения материала. Один из дефектов является сильно связанным с решеткой центром излучательной, а другой — центром безыз-лучательной рекомбинации. Использование примесей с глубокими уровнями, такими как марганец, дает возможность изучать процессы ионизации экситонов и экситон-примесных комплексов встроенным электрическим полем, возникающим вследствие флуктуаций в пространственном распределении ионизированных доноров и акцепторов.

В дельта-легированных акцепторами слоях СаАэ неравновесные электроны локализуются в потенциальном минимуме, образующемся вблизи 5-слоя благодаря притяжению электронов к неравновесным дыркам, захваченным в потенциальную яму 5-слоя. Излучательная рекомбинация неравновесных носителей заряда в 5-р-слоях СаАБ происходит в результате туннелирования неравновесных электронов сквозь потенциальный барьер 5-р-слоя.

5. Легирование А1Аб и СаАэ слоев сверхрешеток второго рода соответственно донорами и акцепторами приводит к появлению канала межслоевой донорно-акцепторной рекомбинации неравновесных носителей заряда. Анализ поляризационных характеристик излучения, обусловленного донорно-акцепторной рекомбинацией, позволяет получать информацию о строении гетерогра-ниц сверхрешеток, выращенных на высокоиндексных подложках.

Достоверность представленных в диссертационной работе результатов подтверждается воспроизведением полученных результатов в различных лабораториях России и за рубежом.

Апробация работы. Результаты, полученные в данной работе, докладывались на 5-ой Всесоюзной школе по физико-химическим основам электронного материаловедения (Иркутск, 1988) — 7-ой и 8-ой Всесоюзным конференциям по росту кристаллов (Москва, 1988), (Харьков, 1992) — 3-м Международном симпозиуме по молекулярнолучевой эпитаксии (Болгария, 1989) — семинаре по проблеме «Примеси, дефекты и деградационные явления в полупроводниковых материалах и приборах» (Ленинград, 1989) — 1-ой Всесоюзной конференции «Физические основы твердотельной электроники» (Ленинград, 1989) — 3 Всесоюзной и 4-ой Международной конференциях по физике и технологии тонких полупроводниковых плёнок (Ивано-Франковск, 1990, 1993) — 1-ом Международном симпозиуме по эпи-таксиальному росту кристаллов (Венгрия, 1990) — ХХ-ой конференции по сверхрешеткам и микроструктурам (ГДР, 1990) — ХИ-й Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Киев, 1990) — Российской конференции «Микроэлектроника-94» (Звенигород, 1994) — Международной конференции по методам характеризации полупроводников (США, 1995) — 16-й Общей конференции отделения твердого тела Европейского физического общества (Бельгия,.

1997) — Международной конференции «Центры с глубокими уровнями в полупроводниковых структурах» (Ульяновск, 1997) — 9-ой Международной конференции по твердым пленкам и поверхности (Дания,.

1998) — 8, 9 и 10-ой Международной конференциях «Центры с мелкими уровнями в полупроводниках» (Франция, 1998; Япония, 2 000- Польша, 2002) — 19, 20 и 21-ой Международных конференциях по дефектам в полупроводниках (Португалия, 1997; США, 1999; Германия, 2001) — IV Международном симпозиуме по поверхностным волнам в твердых телах и слоистых структурах (Санкт Петербург, 1998) — Международной конференции по высоко мощной микроволновой электронике: измерения, идентификация, применения (Новосибирск, 1999) — 2-м Российско-украинском семинаре «Нанофизика и нано-электроника» (Украина, 2000) — 12-ой Международной конференции по динамике неравновесных носителей заряда в полупроводниках (США, 2001) — 1-й и 3-ей Международных конференциях по физике низкоразмерных структур (Черноголовка, 1993, 2001), 1-ой, 2-й, 3-й, 4-ой и 5-ой Российских конференциях по физике полупроводников (Нижний Новгород, 1993; Зеленогорск, 1995; Москва, 1997, Новосибирск, 1999; Нижний Новгород, 2001), а также обсуждались на семинарах в Институте физики полупроводников СО РАН.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 38 статей в реферируемых журналах [9−46], а также тезисы докладов в трудах различных конференций.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, литературного обзора, изложения методических вопросов исследования, трех оригинальных глав, заключения. Общий объем диссертации составляет 478 страниц, включая 134 рисунка, 12 таблиц и список литературы.

Основные результаты и выводы пятой главы.

Таким образом, в данной части диссертации сообщается об обнаружении и исследовании излучательной рекомбинации размерно-квантованных носителей в потенциальной яме 8-легированного слоя. Показано, что б-легирование ОаАБ акцепторами приводит к появлению в спектре ФЛ интенсивных полос люминесценции размерно-квантованных дырок. Изучены зависимости ФЛ б-р-легированных структур от уровня легирования и степени уширения 5-слоя, интенсивности возбуждения и температуры измерения, а также нестационарная ФЛ 8-слоя, исследована ФЛ сверхрешеток 8-р-слоев. Показано, что излучательная рекомбинация дырок в 8-р-легированном баАэ обусловлена непрямыми в пространстве переходами. Предложена модель процесса рекомбинации неравновесных носителей заряда, согласно которой благодаря притяжению электронов к избыточным дыркам, захватываемым в потенциальную яму 8-слоя, параллельно 8-слою образуются «плоскости» неравновесных электронов, пространственно отделенных от дырок в яме 8-слоя.

В 6аАз/А1Аз сверхрешетках 2-рода обнаружена полоса ФЛ, которая демонстрирует поведение характерное для донорно-акцепторной рекомбинации: максимум этой полосы смещается в область низких энергий при повышении температуры измерений, понижении интенсивности возбуждающего света и с увеличением времени задержки после импульса возбуждения. Интенсивность полосы возрастает при увеличении концентрации примеси в слоях сверхрешеток. Из аппроксимации экспериментальной зависимости энергетического положения этой полосы при Т=77К от интенсивности возбуждения расчетной зависимостью была определена энергия связи носителей заряда на примесях, составляющих донорно-акцепторные пары. Полученные значения энергий связи электронов на донорах в слоях А1Аз превышают известные литературные данные для энергии связи в объемных слоях А1Аэ. Обнаружена сильная линейная поляризация полосы вдоль направления [-233] в спектрах ФЛ сверхрешетках, выращенных на подложках (311)А баАэ, при регистрации ФЛ, распространяющейся в направлении нормально к плоскости слоев. Высокая степень линейной поляризации, наблюдаемая на высокоэнергетичном крыле полосы, обусловлена формированием на гетерогранице сверхрешеток системы фасеток (квантовых проволок), ориентированных вдоль того же направления, которые приводят к проявлению одномерных свойств.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В настоящей работе было проведено экспериментальное исследование процессов рекомбинации неравновесных носителей заряда через уровни акцепторов и их комплексов в намеренно нелегированных и в сильно легированных акцепторами эпитаксиальных слоях баАэ, а также в низкоразмерных структурах на основе 5-легированного акцепторами баАэ и легированных 6аАз/А1Аз сверхрешетках второго рода.

В результате проведенных исследований примесной люминесценции арсенида галлия и низкоразмерных структур на его основе были получены следующие основные результаты и выводы.

1. Установлены оптические переходы через энергетические состояния, индуцированные примесями, в однородно и дельта-легированных акцепторами слоях ваАв и СаАз/А1АБ сверхрешетках второго рода:

— впервые обнаружены и идентифицированы линии фотолюминесценции, связанные с переходами на уровни комплексов точечных дефектов кристалла в слоях СаАв, легированных цинком, бериллием и марганцем;

— впервые обнаружены и идентифицированы полосы фотолюминесценции, связанные с рекомбинацией неравновесных электронов с дырками, локализованными на уровнях размерного квантования в потенциальной яме 5-р-слоя в СаАэ;

— впервые идентифицирована полоса фотолюминесценции, обусловленная донорно-акцепторной рекомбинацией электронов, локализованных на донорах в слоях А1Аэ, и дырок, локализованных на акцепторах в слоях СаАэ, 6аАз/А1Аз сверхрешеток второго рода.

2. Определен энергетический спектр состояний, инициированных примесями, в однородно и дельта-легированных акцепторами слоях СаАв и СаАБ/А1АБ сверхрешетках второго рода:

— установлена энергетическая структура комплексов атомов легирующей примеси и собственных точечных дефектов кристалла в.

СаАэгСе, определена энергия активации безызлучательной рекомбинации через уровни комплекса Еа=69 мэВ и энергия термической активации комплекса Еь=19 мэВпредложена энергетическая диаграмма комплекса точечных дефектов кристалла в СаАз:2п, объясняющая малую, по сравнению с величиной Ед-ЙС0с=157 мэВ (здесь Йсос — энергия максимума полосы ФЛ), энергию термической активации комплекса — 41 мэВ и отсутствие сдвига полосы фотолюминесценции с температуройпредложена энергетическая диаграмма центра, индуцированного марганцем, в СаАэгМп, объясняющая значительное различие энергий связи носителей заряда на центре — 41 мэВ и на легирующем акцепторе Мпеа — НО мэВ при близких значениях энергий максимумов соответствующих полос фотолюминесценцииустановлено, что в 5-легированном акцепторами СаАг электроны локализуются вблизи 5-р-слоя благодаря притяжению к неравновесным дыркам, захватываемым в потенциальную яму 5-р-слоя. Энергия локализации электронов с структурах одиночным, 5-слоем составляет 20−34 мэВ. Ширина полосы фотолюминесценции 5-р-слоя определяется энергией Ферми дырок в 5-слоепоказано, что энергия связи электронов на донорах (кремнии) в слоях А1Аэ СаАз/А1Аз сверхрешеток второго рода — 115 мэВ значительно превышает энергия связи в объемном А1Аэ — 83 мэВ.

Изучены механизмы рекомбинации неравновесных носителей заряда через энергетические состояния примесей и комплексов точечных дефектов кристалла: впервые экспериментально показано, что кинетика фотолюминесценции водородоподобных акцепторов в СаАэ при криогенных температурах длительная (миллисекундная), а затухание интенсивности фотолюминесценции происходит по закону, близкому к степенному 1(1:) ~ 1/1:а, где а=0,3−1,5. Разработана и экспериментально подтверждена модель процесса рекомбинации, объясняющая наблюдаемый закон затухания люминесценции многократным захватом неравновесных электронов на ловушкиустановлено два механизма влияния комплексов точечных дефектов кристалла на эффективность фотолюминесценции сильно легированного акцепторами СаАэ: (1) неравновесные носители заряда, захваченные комплексами, при температурах, близких к комнатной, рекомбинируют безызлучательно, (2) заряженные комплексы рассеивают. квазиимпульс носителей заряда и увеличивают вероятность межзонной Оже-рекомбинациипоказано, что излучательная рекомбинация неравновесных носителей заряда в З-р-СаАэ происходит в результате туннелирования неравновесных электронов сквозь потенциальный барьер 8-р-слоя.

Выполнен цикл работ по идентификации примесей и определению элементного состава комплексов точечных дефектов кристалла в слоях баАэ: показано, что эффект уменьшения концентрации примесей в СаАэ при замене раствора-расплава галлия на висмут имеет место только при низких температурах роста и обусловлен, главным образом, различной природой основных примесей в исходных галлии (сера, углерод) и висмуте (кремний), а также уменьшением растворимости кремния в висмуте при уменьшении температуры ростаустановлены условия роста высокочистых слоев СаАэ методом ЖФЭвыявлено, что уменьшение концентрации акцепторов (углерода, цинка магния), а также повышение концентрации доноров (серы и селена) в СаАэ при МЛЭ с использованием крекинга мышьяка связано с различным встраиванием в СаАэ исходных соединений примеси с мышьяком и их компонентов, получающихся при крекинге мышьякаустановлены условия роста высокочистых слоев СаАэ методом МЛЭопределен вероятный состав комплексов точечных дефектов кристалла в СаАг.-Се и СаАгггп, предложена модель формирования комплекса в СаАз:2п, в состав которого не входят атомы цинкапродемонстрировано, что марганец инициирует образование центров безызлучательной рекомбинации в СаАэгМп, которые, скорее всего, являются донорами, ограничивающими максимально достижимый уровень легирования слоев, выращенных из висмута;

— выявлены центры безызлучательной рекомбинации, связанные с включениями бериллия в баАвзВе, формирование которых в концентрации, сравнимой с концентрацией атомов легирующей примеси, стимулируется при отжиге слоев при высоком гидростатическом давлении.

5. Выполнены работы по оптической характеризации структур, направленные на улучшение их потребительских свойств:

— установлены условия низкотемпературного роста методом МЛЭ полуизолирующих слоев СаАэ с малой концентрацией глубоких центров, использование которых в сочетании с короткопериодной сверхрешеткой в качестве буферных слоев в структурах для СВЧ транзисторов улучшает выход годных приборов;

— определены условия роста методом МЛЭ высокочистых слоев твердых растворов А1СаАБ, использование которых в структурах для мощных СВЧ транзисторов типа НЕЕТ и РНЕМТ позволило повысить пробивные напряжения затвор-сток до 25 В и удельную выходную мощность СВЧ приборов на частоте 18 ГГц до 1 Вт/мм;

— установлены технологические приемы роста слоев СаАэ, сильно легированных акцепторами (германием, цинком и бериллием), позволяющие в несколько раз уменьшить концентрацию комплексов и увеличить эффективность их люминесценции.

Совокупность полученных в работе результатов и сделанные на их основе выводы, являются существенным вкладом в развитие спектроскопии люминесценции полупроводников, расширяют существующие представления об энергетических состояниях, связанных с примесями и комплексами атомов примесей с собственными точечными дефектами кристалла, а также о процессах рекомбинации неравновесных носителей заряда через эти состояния в СаАэ и низкоразмерных структурах на его основе. Результаты исследований являются основой для развития локальных неразрушающих методов контроля параметров структур для перспективных приборов современной оптои СВЧ электроники.

Диссертационная работа выполнена в Институте физики полупроводников Сибирского Отделения РАН. Личный вклад автора заключается в постановке задач исследований, в подготовке и проведении экспериментов по спектроскопии фотолюминесценции, анализе, интерпретации и обобщении полученных экспериментальных данных, в разработке моделей и подготовке публикаций по материалам исследований. В процессе выполнения настоящего исследования под научным руководством автора А. М. Гилинским и Т. С. Шамирзаевым защищены диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.

Автор благодарен Н. А. Якушевой, Ю. Б. Болховитянову, Н. С. Рудой и А. В. Каткову за предоставление для исследований образцов чистого и сильно легированного акцепторами СаАэ, выращенных методом ЖФЭ, В. П. Мигалю, Д. И. Лубышеву, В. В. Преображенскому, Б. Р. Семягину, М. А. Путято, А. И. Торопову, Н. Т. Мошегову,.

А.К.Бакарову и А. К. Калагину за возможность исследования выращенных ими методом МЛЭ образцов чистого и сильно легированного бериллием СаАэ, 8-легированных СаАэ структур и СаАз/А1Аз сверхрешеток. Автор глубоко признателен О. А. Шегаю за предоставление данных по составу мелких донорных примесей в слоях чистого СаАэ, полученных с использованием метода субмиллиметровой лазерной магнетоспектроскопии, В. Я. Принцу за проведение и интерпретацию 1-У и С-У измерений в чистом СаАэ, полученном методом МЛЭ при низких температурах, И. П. Петренко за определение концентрации атомов цинка в слоях СаАэ^п методом ионной масс-спектроскопии, Е. Х. Хайри за проведение отжига 8-легированных образцов, Д. В. Петрову и А. В. Цареву за подготовку и участие в исследованиях ФЛ чистого СаАэ в присутствии поверхностных акустических волн, а также польским коллегам из группы проф. Я. Бак-Мисюк, выполневшим исследования кристаллической структуры слоев СаАэ: Ве методом дифракции рентгеновских лучей и определившим концентрацию атомов бериллия методом вторичной ионной масс-спектроскопии.

Автор выражает искреннюю признательность А. С. Терехову,.

Б.В.Морозову, С. М. Чикичеву, С. И. Стенину, Л. С. Брагинскому за плодотворное творческое общение, повседневную помощь и поддержку, Л. С. Смирнову и А. Ф. Кравченко за ценные замечания по диссертационной работе.

Автор благодарит коллег по Сектору люминесцентных методов контроля параметров полупроводниковых структур ИФП СО РАНА.М.Гилинского и Т. С. Шамирзаева — за постоянное и плодотворное сотрудничество, а также студентов и аспирантов — А. Е. Николаенко, С. С. Чипкина, Д. А. Петракова, А. К. Сулайманова, Д. В. Гуляева, принимавших участие в выполнение данной работы.

Кроме этого, автор искренне благодарен всем коллегам по своей работе в Институте физики полупроводников, благодаря постоянному плодотворному взаимодействию с которыми только и могла состояться эта работа, и выражает признательность за финансовую поддержку Российскому фонду фундаментальных исследований и Министерству промышленности науки и технологий.

Показать весь текст

Список литературы

  1. М., Бургуен Ж., Точечные дефекты в полупроводниках, Теория. Москва, Мир, 1984, 264с.
  2. А., Янушкявичус 3. Точечные дефекты в полупроводниковых соединениях. Вильнюс, Мокслас, 1988, 153с.
  3. Ф., Химия несовершенных кристаллов. Москва, «Мир», 1969, 654с.
  4. Cho A. Twenty years of molecular beam epitaxy. J. Crystal Growth, 1995, v.150, p.1−6.
  5. Herman M.A. Semiconductor superlattices in optoelectronic devices. Opto-Electronics Review, 1993, № 3, p.83−94.
  6. M. Полупроводниковые сверхрешетки. Москва, Мир, 1989, 240с.
  7. Ploog К., Hauser М., Fischer A. Fundamental studies and device application of 5-doping in GaAs layers and in AlxGaixAs/GaAs heterostructures. Appl. Phys. A, 1988, v.45, p.233−244.
  8. Perry C.H., Lee K.S., Zhou W., Worlock J.M., Zrenner A., Koch F., Ploog K. Magneto-optical studies of a silicon delta-doping layer in n-GaAs. Surf.Sci., 1988, v.196, p.677−682.
  9. P.И., Журавлев К. С., Терехов А. С. Одноэлектронные характеристики ФЭУ-83 при локальной засветке фотокатода. ПТЭ, 1986, № 4, с.130−131.
  10. Н.А., Журавлев К. С., Шегай О. А. Об «очистке» арсенида галлия висмутом. ФТП, 1988, т.22, в.11, с.2083−2086.
  11. Yakusheva N.A., Zhuravlev K.S., Chikichev S.I., Shegai О.A. Liquid Phase Epitaxial Growth of Undoped
  12. Gallium Arsenide from Bismuth and Gallium Melts. Crystal Research Technology, 1989, v.24, № 2, p.235−246.m
  13. H.C., Болховитянов Ю. Б., Журавлев К. С., Шегай О. А., Якушева Н. А. Высокочистый p-GaAs, выращенный из раствора GaAs в Bi, легированного иттербием. Письма в ЖТФ, 1990, т.16, в.9, с.37−40.
  14. Rudaya N.S., Bolkhovitjanov Yu.B., Zhuravlev K.S., Shegai O.A., Yakusheva N.A. High purity p-GaAs grown
  15. Ф from Bi melt doped by Yb. Proceedings of the 1st1. ternational Conference on Epitaxial Growth, Budapest, Hungary. 1991, v.32−34, p.542−544.
  16. К.С., Якушева Н. А., Шамирзаев Т. С., Шегай О. А., Погадаев В. Г. Влияние легирования гадолинием висмутового раствора-расплава на остаточные примеси в зпитаксиальном GaAs. ФТП, 1993, щ т.27, в.9, с.1186−1866.
  17. К.С., Принц В. Я., Лубышев Д. И., Семягин Б. Р., Мигаль В. П., Гилинский A.M. Электронные свойства буферных слоев GaAs, полученных методом МЛЭ при температурах роста от 360 до 640°С. ФТП, 1994, т.28, в.11, с.1937−1946.
  18. Gilinsky A.M., Zhuravlev K.S. Identification ShallowI
  19. Acceptors in GaAs Using Time-Delayed
  20. Photoluminescence Spectroscopy. In: «Semiconductor Characterization: Present Status and Future Needs» Eds. W.M.Bullis, D.S.Seiler, and A.C.Diebold, AIP press, New York. 1996, p.649−653.
  21. Gilinsky A.M., Zhuravlev K.S. Characterization of | shallow acceptors in GaAs by microsecond-scale timeresolved photoluminescence. Appl.Phys.Lett., 1996, v.68, № 3, p.373−377.
  22. К.С., Калагин А. К., Мошегов Н. Т., Торопов А. И., Шамирзаев Т. С., Шегай О. А. Влияние температуры зоны крекинга твердотельного источника мышьяка на состав фоновых примесей в GaAs, полученном методом МЛЭ. ФТП, 1996, т.30, в.9, с.1704−1717.
  23. Zhuravlev K.S., Petrov D.V., Bolkhovityanov Yu.B., Rudaja N.S. Effect of Surface Acoustic Waves on Low-Temperature Photoluminescence of GaAs. Appl.Phys.Lett. 1997, v.70, № 25, p.3389−3391.
  24. Ф 20. Журавлев К. С., Гилинский A.M.. Подвижная линияакцепторной фотолюминесценции «чистого» GaAs. Письма в ЖЭТФ, 1997, т.65, в.1, с.81−85.
  25. К.С., Торопов А. И., Бакаров А. К., Раков Ю. Н., Мякишев Ю. Б. Применение высокочистых слоев AlxGai-xAs в эпитаксиальных структурах для мощных полевых СВЧ транзисторов. Письма в ЖТФ, 1999, т. 25щ., в.15 с.8−15.
  26. Zhuravlev K.S., Toropov A.I., Shamirzaev T.S., Bakarov А.К. Photoluminescence of high quality AlGaAs layers grown by molecular beam epitaxy. Appl.Phys.Lett., 2000, v.76, № 9, p.1137−1139.
  27. К.С., Гилинский A.M., Царев А. В., Николаенко А. Е. Кинетика фотолюминесценции GaAs подвоздействием поверхностной акустической волны. ФТП, 2001, т.35, № 8, с.932−936.
  28. А.К., Журавлев К. С., Торопов А. И., Шамирзаев Т. С., Мякишев Ю. Б., Раков Ю. Н. Мощные полевые СВЧ-транзисторы на основе эпитаксиальных структур AlGaAs/GaAs. Автометрия, 2001, № 3, с.89−96.
  29. Gilinsky A.M., Zhuravlev K.S. Milisecondphosphorescence of free electrons in pure GaAs. Appl.Phys.Lett., 2001, v.79, № 21, p.3455−3457.
  30. К.С., Терехов A.C., Якушева H.A. Фотолюминесценция комплексов в эпитаксиальном p-GaAs сильно легированном германием. ФТП, 1988, т.22, в.5, с.777−779.
  31. К.С., Лубышев Д. И., Мигаль В. П., Преображенский В. В., Стенин С. И., Терехов A.C. Сильнолегированный бериллием GaAs, полученный методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1990, т.26, № 9, с. 19 771 978.
  32. К.С., Морозов Б. В., Терехов A.C., Якушева H.A. Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GaAs:Ge. ФТП, 1990, т.24, в.4, с. 702−705.
  33. К.С., Якушева H.A. Влияние состава GaixBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием. ФТП, 1990, т.24, в.5, с.829−835.
  34. К.С., Чикичев С. И., Штаске Р., Якушева H.A. Исследование комплексообразования в эпитаксиальном сильно легированном p-GaAs:Ge методом фотолюминесценции. ФТП, 1990, т.27, в.9, с.1645−1649.
  35. К.С., Катков A.B. Влияние изовалентного легирования In и Sb на фотолюминесценцию комплексов в эпитаксиальном сильно легированном p-GaAs:Ge. ФТП, 1991, т.25, в.1, с.88−92.
  36. К.С., Терехов A.C., Шамирзаев Т. С. Температурная зависимость рекомбинации через уровни комплексов в сильно легированном p-GaAs. ФТП, 1991, т.25, в.10, с.1811−1814.
  37. К.С., Шамирзаев Т. С., Преображенский В.В.,
  38. .Р., Костюченко В. Я. Выбор экспериментальных условий для фотолюминесцентного контроля структур для гетеробиполярных транзисторов, ЖТФ, 1997, т.67, в. 12, с.26−30.
  39. К.С., Шамирзаев Т. С., Якушева Н. А. Связанные с марганцем центры рекомбинации в эпитаксиальном GaAs, выращенном из расплава висмута. ФТП, 1998, т.32, в.1, с.50−56.
  40. К.С., Шамирзаев Т. С., Якушева Н.А. Свойства
  41. Щ легированных марганцем слоев арсенида галлия, выращенных методом жидкофазной эпитаксии из расплава висмута. ФТП, 1998, т.32, в.7, с.791−798.
  42. К.С., Шамирзаев Т. С., Якушева Н. А., Петренко И. П. Новый центр рекомбинации в сильно легированном цинком арсениде галлия, полученном методом жидкофазной эпитаксии. ФТП, 1998, т.32, № 10,с.1184−1189.
  43. Shamirzaev T.S., Zhuravlev K.S., Yakusheva N.A., Petrenko I.P. New complex defect in heavily zinc -doped GaAs grown by liquid phase epitaxy, physica status solidi (b), 1998, v.210, № 2, p.317−320.
  44. Shamirzaev T.S., Zhuravlev K.S., Yakusheva N.A., Petrenko I.P. New impurity-induced defect in heavily1. zinc-doped GaAs grown by liquid phase epitaxy.
  45. Semiconductor Science and Technology, 1998, № 13, p. l-7.
  46. Shamirzaev T.S., Zhuravlev K.S., Yakusheva N.A. Free exciton recombination in heavily manganese doped GaAs grown by liquid phase epitaxy from bismuth solution.
  47. Solid State Communication, 1999, v.32, № 7, p.791−798.
  48. A.M., Журавлев К. С., Лубышев Д. И., Мигаль В. П., Семягин Б. Р. Фотолюминесценция б-р легированного арсенида галлия. Письма в ЖЭТФ, 1989, т.50, в.3, с.141−143.
  49. Gilinsky A.M., Zhuravlev K.S., Lubyshev D.I., Migal V.P., Preobrazhenskii V.V., Semiagin B.R. Radiative recombination of holes in delta-p-doped gallium arsenide. Superlattices and Microstructures, 1991, v.10, № 4, p.399−402.
  50. Gilinsky A.M., Zhuravlev K.S., Lubyshev D.I., Migal V.P., Preobrazhenskii V.V., Semiagin B.R.ty Nonequillibrium Electronic Planes in d-p-doped
  51. Gallium Arsenide. Physics of Low-Dimensional Structures, 1994, v.3, p.53−58.
  52. К.С., Чипкин С. С., Гилинский A.M., Шамирзаев Т. С., Преображенский В. В., Семягин Б. Р., Путято М. А. Донорно-акцепторная рекомбинация в GaAs/AlAs-сверхрешетках II типа. ФТТ, 1998, т.44, № 9,1.с.1734−1739.
  53. Braginsky L.S., Toropov A.I., Bakarov A.K., and Zhuravlev K.S. Photoluminescence of 8-doped GaAs/AlAs type-II superlattices. Physics of Low-Dimensional Structures, 2002, v.1−2, p.281−291.
  54. T.C., Журавлев К.С., Bak-Misiuk J., Misiuk
  55. A., Domagala J.Z., Adamczewska J. Трансформацияспектров фотолюминесценции слоев GaAs, сильно легированных бериллием, после гидростатическогосдавливания. ФТП, 2004, т.38, № 3, с.289−292.
  56. Kohn W. Shallow Impurity States in Silicon and Germanium" in Solid State Physics: Advances in
  57. Research and Application, Ed. F. Zeitz and D. Turnbull, Eds., Academic, New York, 1957, v.5, p.257−320.
  58. Lipari N.O., Baldarechi A. Angular Momentum Theory and Localized States in Solids. Investigation of Shallow Acceptor States in Semiconductors Phys.Rev.Lett. 1970, v.25, p.1660−1664.
  59. Ashen D.J., Dean P.J., Hurle D.T.J., Mullin J.B. and White A.M., and Greene P.D. The incorporation and characterisation of acceptors in epitaxial GaAs. J.Phys.Chem. Solids, 1975, v.36, № 10, p.1041−1053.
  60. Rao E.V.K., Alexandre F., Masson J.M., Allovon M., Goldstein L. Low-temperature photoluminescence
  61. Ф properties of high-quality GaAs layers grown bymolecular beam epitaxy. J. Appl. Phys., 1985, v. 57, № 2, p.503−508.
  62. Ozeki M., Nakai N., Dazai K., and Ryuzan 0. Photoluminescence Study of Carbon Doped Gallium Arsenide. Jpn.J.Appl.Phys., 1974, v.13, p.1121−1126.
  63. Szafranek I., Piano M.A., McCollum M.J., % Stockman S.A., Jackson S.L., Cheng K.Y.,
  64. Stillman G.E. Growth-induced shallow acceptor defect and related luminescence effects in molecular beam epitaxial GaAs. J. Appl. Phys., 1990, v.68, № 2, p.741−754.
  65. Hunter A.T. and McGill T.C. «Selective excitation luminescence in bulk-grown GaAs». Appl.Phys.Lett., 1982, v.40, p.169−171.
  66. Reynolds D.C., Bajaj K.K., Litton C.W. Study ofshallow impurity states in compound semiconductors using high resolution photoluminescencespectroscopy. Sol.St.Commun., 1985, v.53, p.1061-* 1067.
  67. Bimberg D., Munzel H., Steckenborn A., Christen J. Ш
  68. Kinetics of relaxation and recombination of nonequilibrium charge carriers in GaAs: carrier capture by impurities. Phys.Rev.B, 1985, v.31, № 12, p.7788−7799.
  69. Я.Ю., Рейманд И. Я., России В. В., Травников В. В. Кинетика образования и энергетической релаксации экситонов в GaAs. Письма в ЖЭТФ, 1991, т.53, № 7, с.377−381.
  70. Д.З., Халфин В. Б., ТруканМ.К., Агафонов В. Г., Абдулаев А. Температурная зависимость эффективности и времен жизни излучательных переходов в прямозонном полупроводнике типа GaAs. ФТП, 1978, т.12, № 7, с.1368−1379.
  71. Dingle R. Radiative lifetimes of donor-acceptor pairs in p-type gallium arsenide. Phys. Rev., 1969, v.184, № 3, p.788−796.
  72. Standard Test Methods for Photoluminescence Analysis of Single Crystal Silicon for III-V Impurities. Standard of American Society for Testing and Materials. Designation: F1389.
  73. Masselink W.T., Chang Y.-C., Morkoc H., Reynolds D.C., Litton C.W., Bajaj K.K., Yu P.W. Shallow impurity levels in AlGaAs/GaAs semiconductorquantum wells. Solid-State Electronics, 1986, v.29, № 2, p.205−214.
  74. Masselink W.T., Chang Y.-C. and Morkoc H. Bindingenergies of acceptors in GaAs-AlxGaixAs quantum wells. J.Vac.Sci.Technol., 1984, v. B2, p.376−382.
  75. Miller R.C., Gossard A.C., Tsang W.T. and Munteanu 0. Extrinsic photoluminescence from GaAs quantum well. Phys.Rev.B, 1982, v.25, p.3871−3877.
  76. Miller R.C., Gossard A.C., Tsang W.T. and Munteanu 0. ^ Bound excitons in p-doped GaAs quantum wells. Solid
  77. St. Commun., 1982, v.43, p.519−522.
  78. Properties of Aluminium Gallium Arsenide, ed. by Sadao Adachi, INSPEC, London, UK, 1993.
  79. Goiran M., Martin J.L., Leotin J.L., Planel R., and Askenazy S. Measurement of effective mass in AlAs by cyclotron. resonance in high magnetic field. Physica B, 1992, v.177, p.465−468.
  80. Rheinlander B., Neuman H., Fischer P., and Kuhn G. Anisotropic effective masses of electrons in AlAs. phys. status solidi, 1972, B49, K167.
  81. Mooney P.M. Donor-related levels in GaAs and AlxGai xAs". Semicond.Sci.Technol., 1991, v.6, p. Bl-B8.
  82. Carneiro G.N., Weber G. Binding energies of groundand excited donor states bound to X valleys in GaAs/AlAs type-II quantum wells. Phys.Rev.B, 1998, v.58, p.7829−7833.
  83. Lee S.T., Petrou A., Dutta M., Pamulapati J., Newman P.J., Fu L.P. Photoluminescence study ofsilicon donors in n-type modulation-doped GaAs/AlAs quantum wells. Phys.Rev.B, 1995, v.51, № 3, p.1942−1945.
  84. .И., Эфрос A.J1. Электронные свойства легированных полупроводников. М.:Наука, 1979, 416с.
  85. Abram R.A., Rees G.J., Wilson B.L.H. Heavily doped Щ semiconductors and devices. Advances in Physics, 1978, v.27, № 6, p.799−892.
  86. . Оптические процессы в полупроводниках. М.:Мир, 1973, 456с.
  87. А., Дин П. Светодиоды. М.: Мир, 1979, 686с.
  88. Redfield D., Wlttke J.P., Pankove J.I. Luminescence Properties of Energy-Band-Tail States in GaAs: Si.
  89. Phys.Rev.B, 1970, v.2, № 2, p.1830−1839.
  90. В.Jl., Сидоров В. Г. Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия. ФТП, 1988, т.22, в.8, с.1358−1364.
  91. Cardona М., Olego D. Photoluminescence in heavily doped GaAs: I. Temperature and hole concentration dependence. Phys.Rev.B., 1980, v.22, № 2, p.886−893.
  92. Jiang De-Sheng, Makita Y., Ploog K., Quelsser H.J.
  93. Electrical properties and photoluminescence of Te-doped GaAs grown by molecular beam epitaxy. J.Appl.Phys., 1982, v.53, № 2, p.999−1006.
  94. H.van Gong. Emission near the absorbtion edge in a degenerate GaAs crystal. J.Phys.Solids, 1980, v.41,ш p.1231−1234.
  95. Domanevskii D.S., Krasovskii V.V., Prokopehya M.V., Vilkotskil V.A., Zhokhovets S.V. The Origin of the1. purity States in Heavily Doped Semiconductors, phys.stat.sol (b), 1986, v.133, p.693−700.
  96. А.П., Осипов В. В. Краевая люминесценция прямозонных полупроводников. УФН, 1981, т.133, в. З, с.427−477.
  97. В.И. Сильно легированные полупроводники. М.: Наука, 1967, 415с.
  98. Baraff G.A., Schluter М. Electronic Structure, Total Energies, and Abundances of Elementary Point Defects$ in GaAs. Phys.Rev.Lett., 1985, v.55, № 12, p.13 271 330.
  99. Jansen R.W., Sankey O.F. Theory of relative native-and impurity-defect abundances in compound semiconductors and the factors that influence them. Phys.Rev.B, 1989, v.39, № 5, p.3192−3206.
  100. Van Vechten J.A. «A Simple Man’s View of the
  101. Thermochemistry of Semiconductors», Materials, properties and preparation/ed. Seymour P. Keller. Handbook on Semiconductors, 1980-XIII, vol. 3, p. l-111. Amsterdam etc.: North-Holland, 925p.
  102. Puska M.J. Electronic structures of point defects in III-V compound semiconductors. J.Phys.C.: Condens. Matter, 1989, v. l, p.7347−7366.
  103. Wenzl H., Mika K., Henkel D. Phase relation and pointdefect equilibria in Gals crystal growth. J.Cryst.Growth, 1990, v.100. p.377−394.
  104. Corbel G., Stucky M., Hautojarvl P., Saarinen K., Moser P. Positron-annihilation spectroscopy of native vacancies in as-grown GaAs. Phys.Rev.B, 1988, v. 38, k № 12, p.8192−8208.
  105. Gosele J., Morehead P. Diffusion of zinc in gallium arsenide: A new model. J.Appl.Phys. 1981, v.52, № 7,p.4617−4619.
  106. В.Jl., Холодаръ Г. А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев, «Наукова думка», 1969, 186с.
  107. В.К., Фистуль В. И. Изоэлектронные примеси в полупроводниках. Состояние проблемы. ФТП, 1984, т. 18, в.8, с.1345−1362.
  108. Blom G.M. Native defects and stoichiometry in AlGaAs. J.Cryst.Growth, 1976, v.36. № 1, p.125−137.
  109. Krispin P. Thermochemlcal Model Applied to a Deep-Level Defect in GaP. phys.stat.sol (a), 1982, v. 69, p.193−200.
  110. П.Л. Комплексный метод определения схемы и энергий активации образования дефектов вполупроводниках А2В6. Неорг. материалы, 1980, т.16, № 9,с.1509−1513.
  111. Van Vechten J.A. Thernodinamics of deep levels In semiconductors. Mat.Res.Soc.Symp.Proc., 1985, v.46, p.83−103.
  112. И.А., Вилисова М. Д., Лаврентьева М. Г., Рузайкин М. П. ¦ Закономерности легирования иформирования примесно-вакансионных комплексов вусловиях газовой эпитаксии арсенида галлия. Препринт № 9, Томск, 1990, 23с.
  113. И.Я., Остапенко С. С., Шейнкман М. К. Поляризованная люминесценция глубоких центров в монокристаллах GaAs:Те (Sn). ФТТ, 1985, т, 27, в. З, ^ с.748−756.
  114. Williams E.W. Evidence for self-activated luminescence In GaAs: the gallium vacancy donor center. Phys.Rev. 1968, v.168, p.922−928.
  115. Glinchuk K.D., Prokhorovich A.V. Effect of the 0,94, 1,0, 1,2 and 1,3 eV radiative centers on the Intrinsic luminescence intensity In GaAs. phys.stat.sol.(a), 1977, v.44, p.777−785.
  116. Hwang C.J. Evidence for Luminescence Involving Arsenic Vacancy-Acceptor Centers in p-Type GaAs. Phys.Rev., 1969, v.180, № 3, p.827−832.
  117. Glinchuk K.D., Guroshev V.I., Prokhorovich A.V., Zayats N.S. Effect of Past Electron Irradiation and Annealing on the Luminescence in GaAs (Zn) crystals. Cryst.Res.Technol., 1986, v.21, № 6, p.811−818.
  118. Klick C.C., Schulman J.H. Luminescence in Solids. In: Sol.St.Phys., v. 5, Ed. by P. Seitz, D. Turnbull, N.Y., 1957, p.97−173.
  119. В.И., Глинчук К. Д., Прохорович А. В. О механизме температурного гашения полос фотолюминесценции 0,8 и 1,3 эВ в арсениде галлия. ФТП, 1975, т.9, в.10. с.2032−2036.
  120. К.В., Прохорович А. В. Люминесценция арсенида галлия. (Обзор). Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Под ред. С. В. Свечникова, Киев, 1971, в.5, с.100−108.
  121. .М., Гарбузов Д. З., Ермаков А. Н. Исследование природы длинноволновых полос в спектрахрекомбинационного излучения диффузионных р-п переходов в арсениде галлия. ФТП, 1967, т.1, с.1375−1379.
  122. Lum W.Y., ClawsonA.R., Elder D.I., Wieder H.H. Epilayer-substrate interfaces of Ge-doped GaAs grown by liquid phase epitaxy. J.Appl.Phys. 1978, v.49, № 6, p.3333−3336.
  123. Scott G.B., Duggan G., Dawson P., Wiemann G. A photoluminescence study of berillium-doped GaAs grown by molecular beam epitaxy. J.Appl.Phys. 1981, v.52, № 11, p.6888−6894.
  124. Roztoczy F.E., Ermarils P., Hayashi I., Schwarts B. Germanium-Doped Gallium Arsenide. J.Appl.Phys., 1970, v. 41, № 1, p.264−270.
  125. Kressel H., Ettenberg M. Electroluminescence and photoluminescence of GaAs: Ge prepared by liquid phase epitaxy. Appl.Phys.Lett., 1973, v.23, № 9, p.511−513.
  126. Wood C.E.C., Metze G.M., Berry J.D., Eastman L.F. Complex free-carrier profile synthesis by «atomic-plane» doping of MBE GaAs. J. Appl. Phys., 1980, v.51, № 1, p.383−387.
  127. Ploog K. Molecular beam epitaxy of artificially layered III-V semiconductors: ultrathin-layer (GaAs)m (AlAs)n superlattices and delta (5-) doping in GaAs. Physica Scripta, 1987, v.119, p.136−146.
  128. Schubert E.F. Delta-doping of III-V compound semiconductors: fundamentals and device applications. J. Vac. Sci. Technol. A, 1990, v.8, № 3, p.2980−2996.
  129. Schubert E.F., Stark J.В., Ullrich В., Cunningham J.E. Spatial localization of impurities in 5-doped GaAs. Appl.Phys.Let., 1988, v.52, № 18, p.1508−1510.
  130. Sipahi G.M., Enderlein R., Scolfaro L.M.R., Leite J.R., da Silva E.C.F., Levine A. Theory of luminescence spectra from 5-doping structures: application to GaAs. Phys.Rev.B, 1998, v.57, № 15, p.9168−9178.
  131. Bending S., Zhang C., von Klitzing K., Ploog K. Magnetotunelling measurement of space-charge accumulation in S-doped quantum wells. Phys. Rev. B, 1989, v.39, № 2, p.1097−1103.
  132. Eisele I. Quantized states in delta-doped Si layers. Superlat. Microstruct., 1989, v.6, № 1, p.123−128. Eisele I. Delta-type doping profiles in silicon. Appl. Surf. Sci., 1989, v.36, p.39−51.
  133. Huant S., Stepniewski R., Martinez G., Thierry-Mieg V., Etienne B. Magneto-optical properties of shallow donors in planar-doped GaAs-GaAlAs multi-quantum-wells. Superlat. Microstruct., 1989, v. 5, № 3, p.331−334.
  134. Schwartz N., Muller F., Tempel G., Koch F., Weimann G. Resonant excitation of a layer of Si donors in GaAs. Semicond. Sci. Technol., 1989, v.4, p.571−573.
  135. Schubert E.F., Cunningham J.E., Tsang W.T. Electron-mobility enhancement and electronic-concentration enhancement in 5-doped n-GaAs at T=300 K. Sol. State Commun., 1987, v.63. № 7, p.591−594.
  136. В.П., Лубышев Д. И., Преображенский В. В., Овсюк В. Н., Семягин Б. Р., Стенин С. И. Молекулярно-лучевая эпитаксия модулированных структур GaAs. Электронная промышленность, 1989, № 6, с.6−8.
  137. Masselink W.T. High differential mobility of hot electrons in delta-doped quantum wells. Appl. Phys. Lett., 1991, v.59, № 6, p.694−696.
  138. Schubert E.F., Ploog K. The 8-doped field-effect transistor. Japanese J. Appl. Phys., pt.2, 1985, v.24, № 8, p. L608-L610.
  139. Zeindl H.P., Bullemer В., Eisele I., Tempel G. Delta-doped MESFET with MBE-grown Si. J. Electrochem. Soc., 1989, v.136, № 4, p.1129−1131.
  140. Pearton S.J., Fen F., Abernathy C.R., Hobson W.S., Chu S.N.G., Kovalchik J. Carbon and zinc delta doping for Schottky barrier enhancement on n-type GaAs. Appl. Phys. Lett., 1989, v.55, № 13, p.1342−1344.
  141. Muller G., Zrenner A., Koch F., Ploog K. Barrier tuning by means of a quantum interface-induced dipole in a doping layer. Appl. Phys. Lett., 1989, v.55, № 15, p.1564−1566.
  142. Shen T.-H., Elliot M., Williams R.H., Westwood D. Effective barrier height, conduction-band offset, and the influence of p-type 8 doping at heterojunction interfaces: the case of the InAs/GaAs interface. Appl. Phys. Lett., 1991, v.58, № 8, p.842−844.
  143. Wang Y.H., Yarn K.F., Chang C.Y. Current-injection three-terminal GaAs regenerative switches. Int. J. Electronics, 1990, v.68, № 5, p.693−704.
  144. Cunningham J.E., Timp G., Chang A.M., Chiu Т.Н., Jan W., Schubert E.F., Tsang W.T. Spatial localization of Si in selectively 8-doped AlxGaxxAs/GaAs heterostructures for high mobility and density realization. J. Cryst. Growth, 1989, v.95, p.253−256.
  145. Schubert E.F., Pfeiffer L., West K.W., Izabelle A. Dopant distribution for maximum carrier mobility in selectively doped Al0.30Ga0.70As/GaAs heterostructures. Appl.Phys.Let., 1989, v.54, № 14, p.1350−1352.
  146. Henning J.C.M., Kessener Y.A.R.R., Koenraad P.M., Leys M.R., van der Vleuten W., Wolter J.H., Frens A.M. Photoluminescence study of Si delta-doped GaAs. Semicond. Sci. Technol., 1991, v.6, p.1079−1087.
  147. A.M., Копьев П. С., Надточий М. Ю., Устинов В. М. Переходы с участием размерно-квантованных подзон в спектре фотолюминесценции 8-легированного GaAs. ФТП, 1989, т.23, № 12, с.2133−2137 .
  148. Wagner J., Fischer A., Ploog К. Photoluminescence from the quasi-two-dimensional electron gas at a single silicon 8-doped layer in GaAs. Phys. Rev. B, v.42, № 11, p.7280−7283.
  149. Wagner J., Ruiz A., Ploog K. Fermi-edge singularity and band filling effects in the luminescence spectrum of Be-5-doped GaAs. Phys.Rev.B, 1991, v.43, № 14, p.12 134−12 138.
  150. Richards D., Wagner J., Schneider H., Hendorfer G., Maier M., Fischer A., Ploog K. Two-dimensional hole gas and Fermi-edge singularity in Be 8-doped GaAs. Phys. Rev. B, 1993, v.47, № 15, p.9629−9640.
  151. В. JI., Журавлев К. С., Лубышев Д. И., Мигаль В. П., Семягин Б. Р. Излучательная рекомбинацияфотодырок, локализованных в потенциале 5-легированных nini-сверхрешеток. Письма в ЖЭТФ, 1989, т.50, № 11, с.476−478.
  152. Shibli S.M., Scolfaro L.M.R., Leite J.R., Mendoca С.А.С., Plentz F., Meneses E.A. Hole confinement effects on multiple Si 5-doping in GaAs. Appl. Phys. Lett., 1992, v.60, № 23, p.2895−2897.
  153. Schubert E.F., Cunningham J.E., Tsang W.T. Realization of the Esaki-Tsui-type doping superlattice. Phys.Rev.B, 1987, v.36, № 2, p.1348−1351.
  154. Schubert E.F., Cunningham J.E., Tsang W.T. Perpendicular electronic transport in doping superlattices. Appl.Phys.Lett., 1987, v.51, № 11, p.817−819.
  155. Schubert E.F., Ullrich В., Harris T.D., Cunningham J.E. Quantum-confined interband absorption in GaAs sawtooth-doping superlattices. Phys.Rev.B, 1988, v.38, № 12, p.8305−8308.
  156. Ullrich В., Zhang C., Schubert E.F., Cunningham J.E., v. Klitzing K. Transmission spectroscopy on sawtooth-doping superlattices. Phys.Rev.B, 1988, v.39, № 6, p.3776−3779.
  157. Dohler G.H. Semiconductor superlattices a new material for research and application. Physica Scripta, 1981, v.24, p.430−439.
  158. Dohler G.H. Doping superlattices («n-i-p-i crystals»). IEEE J. Quantum Electron., 1986, v. QE-22, № 9, p.1682−1695.
  159. Schubert E.F., Harris T.D., Cunningham J.E., Jan W. Multisubband photoluminescence in sawtooth doping superlattices. Phys.Rev.B, 1989, v.39, № 15, p.1 101 111 015.
  160. Schubert E.F., van der Ziel J.P., Harris T.D., Cunningham J.E., Harris T.D. Tunable stimulated emission of radiation in GaAs doping superlattices. Appl.Phys.Lett., 1989, v.55, № 8, p.757−759.
  161. Schubert E.F., Fischer A., Horikoshi Y., Ploog K. GaAs in sawtooth superlattices laser emitting at wavelengths A>0,9 цт. Appl.Phys.Lett., 1985, v.47, № 3, p.219−221.
  162. Г. Е. Поляризация экситонного излучения кремния под действием магнитного поля при одноосной деформации. ФТТ, 1977, т.19, № 6, с.1653−1664.
  163. П.Д., Иванов А. В., Ломасов Ю. Н., Рогачев А. А. Рекомбинационное излучение неравновесных электронно-дырочных пар, связанных со слоем поверхностного заряда в кремнии. Письма в ЖЭТФ, 1983, т.38, № 1, с.5−8.
  164. П.Д., Иванов А. В., Ломасов Ю. Н., Рогачев А. А. Двумерная электронно-дырочная система на поверхности кремния. Письма в ЖЭТФ, 1984, т.39, № 9, с.432−436.
  165. П.Д., Монахов A.M., Рогачев А. А., Харциев В. Е. Стабильность квазидвумерных электронно-дырочных систем. ФТТ, 1985, т.27, № 2, с.576−578.
  166. П.Д., Иванов А. В., Ломасов Ю. Н., Рогачев А. А. Двумерное состояние неравновесных электронно-дырочных пар, связанных со слоем поверхностного заряда в кремнии. ФТТ, 1985, т.27, № 6, с.1690−1696.
  167. П.Д., Рогачев А. А. Оптическая спектроскопия двумерных электронов и дырок на поверхности кремния. ФТТ, 1985, т.27, № 11, с.3443−3446.
  168. В.M., Рогачев A.A., Силов А. Ю. Магнитопроводимость неравновесных электронов и дырок, связанных со слоем поверхностного заряда в кремнии. ФТТ, 1986, т.28, № 4, с.1212−1215.
  169. В.М., Рогачев A.A., Степанов В. И., Чурилов А. Б. Двумерная электронно-дырочная плазма на границе раздела германий-электролит. Письма в ЖЭТФ, 1986, т.43, № 6, с.284−287.
  170. П.Д., Бакун A.A., Крутицкий A.B., Рогачев A.A., Рубцов Г. П. Экситоны, связанные со слоем поверхностного заряда в кремнии. Письма в ЖЭТФ, 1987, т.46, № 11, с.427−430.
  171. П.Д., Бакун A.A., Медведев Б. К., Мокеров В. Г., Рогачев A.A., Рубцов Г. П. Двумерная электронно-дырочная система в области гетероперехода в структурах GaAs-AlGaAs с модулированным легированием. ФТП, 1987, т.21, № 3, 449−455.
  172. В.М., Рогачев A.A., Степанов В. И., Чурилов А. Б. Двумерные электронно-дырочные слои границе раздела германий-электролит. ФТТ, 1987, т.29, № 6, 1713−1722.
  173. П.Д., Бакун A.A., Концевой Ю. А., Кузнецов Ю. А., Рогачев A.A., Романова Т. Л., Рубцов Г. П. Квантовые размерные эффекты в системе неравновесных электронов и дырок на поверхности кремния. ФТТ, 1987, т.29, № 8, 2412−2419.
  174. П.Д., Бакун A.A., Рогачев A.A., Рубцов Г. П. Экситонный резонанс на уровне Ферми двумерных электронов на поверхности кремния. ФТТ, 1988, т. 30, № 12, 3560−3564.
  175. В.М., Рогачев A.A., Силов А. Ю., Степанов В. И. Двумерная электронно-дырочная плазма на межфазнойгранице арсенид галлия-электролит. Письма в ЖТФ, 1988, т.14, № 23, С.2183−2187.
  176. Bolkhovityanov Yu.B., Bolkhovityanova R.I., airi E.H., Chikichev S.I., Yudaev V.I. A multipurpose graphite boat for LPE growth of multilayer heterostructure. Gryst. Res. Technol., 1982, v.17, № 12, p.1491−1499.
  177. В.П., Лубышев Д. И., Преображенский В.В, Овсюк В. Н., Семягин Б. Р., Стенин С. И. Молекулярно-лучевая эпитаксия модулированных структур GaAs. Электр, промышленность, 1989, № 6, с. 6−8.
  178. Miller D.L., Bose S.S., Sullivan G.J. Design and operation of a valved solid-source As2 oven for molecular beam epitaxy. J.Vac.Sci.Technol.B, 1990, v.8, N.2, p.311−315.
  179. Gouskov L., Bilac S., Pimentel J., Gouskov A. Fabrication and electrical properties of epitaxial layers of GaAs doped with manganese. Sol. Stat. Electronics, 1977, v.20, p.653−656.
  180. Enquist P., Wicks G.W., Eastman L.F., Hitzman C. Anomalous redistribution of beryllium in GaAs grown by molecular beam epitaxy. J. Appl.Phys., 1985, v.58, № 11, p.4130−4134.
  181. А.С. Модулированное легирование полупроводниковых гетероструктур. В кн.: Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. М.: Мир, 198 9, 584 с.403−427.
  182. Henini M., Rodgers P.J., Crump P.A., Gallagher B.L., Hill G. The growth and physics of ultra-high-mobility two-dimensional hole gas on (311)A GaAs surface. J. Cryst. Growth, 1995, v.150, p.451−454.
  183. Shastry S.K., Zemon S., Kenneson D.G., Lambert G.
  184. Control of residual impurities in very high purity GaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy. Appl. Phys. Lett., 1988, № 2, p.150−152.
  185. A.H., Писаревский A.H. Одноэлектронные характеристики ФЭУ и их применение. М.: Атомиздат, 1971, 210 с.
  186. С.С., Гулаков И. Р., Перцев А. Н., Резников И. В. Одноэлектронные фотоприемники. М.: Энергоатомиздат, 1986, 160 с.
  187. А.Б., Родригес Х.-А., Румянцев В. Д. Бесконтактное измерение электрических и фотоэлектрических параметров гетероструктур с р-п-переходом в люминесцирующем материале. ФТП, 1991, т.25, № 1, с.143−151.
  188. Henry С.Н., Logan R.A. The origin of large dark spots in AlxGai-xAs-GaAs heterostructure photoluminescence. Appl. Phys. Lett., 1977, v.31, № 3, p.203−205.
  189. Candy B.H. Photomultiplier characteristics and practice relevant to photon counting. Rev. Sci. Instrum., 1985, v.56, № 2, p.183−193.
  190. Candy B.H. Photon counting circuits. Rev. Sci. Instrum., 1985, v.56, № 2, p.194−200.
  191. Kinoshita S., Ohta H., Kushida T. Subnanosecond fluorescence-lifetime measuring system using single photon counting method with mode-locked laser excitation. Rev. Sci. Instrum., 1981, v.52, № 4, p.572−575.
  192. Yamazaki I., Tamai N., Kume H., Tsuchiya H., Oba K. Microchannel-plate photomultiplier applicability to the time-correlated photon counting method. Rev. Sci. Instrum., 1985, v.56, № 6, p.1187−1194.
  193. Е.А. Наносекундная электроника в экспериментальной физике. М.: Энергоатомиздат, 1987, 216 с.
  194. Я.Э., Кангро А. Р., Элерт М. А. Инфракрасный ФЭУ-83 в режиме счета фотонов. ПТЭ, 1976, № 1, с.160−161.
  195. И.Р., Люцко A.M., Перцев А. Н. Сацункевич М.Б. Об электронном распределении импульсов Ф.Э.У. с большим коэффициентом пролета. ПТЭ, 1970, № 3, с.209−211.
  196. Нгуен Куакг Минь, Люцко A.M., Перцев А. Н. Влияние пролета электронов мимо доводов в жалюзийных ФЭУ на одноэлектронное распределение импульсов. Опт.-мех. промышленность, 1970, т.12, с.8−10.
  197. Ю. М., ДричкоИ. Л., Дьяконов А. М., Пристинский Д. А., Смирнов И. Ю., Торопов А. И. В сборнике трудов 4-й Российской конференции по физике полупроводников (Новосибирск), 1999, с. 109.
  198. Wixforth A., Scriba J., Wassermeier M., Kotthaus J.P., Weimann G., and Schlapp G. Surface acoustic waves on GaAs/AlxGai-xAs heterostructures, Phys. Rev. В, 1989, v.40, p.7874−7887.
  199. В.И. Введение в экспериментальную спектроскопию. М."Наука", 1979, с. 308.
  200. Г. С. Оптика.-Б-е изд., перераб. М."Наука", 1976, 92 бс.
  201. De Vos J.A. A new determination of the emissivity of the tungsten ribbon. Physica, 1954, v.20, p.690−701.
  202. K.K. Элементарная теория колебательной структуры спектров примесных центров кристаллов, М.: Наука, 1968, 230с.
  203. Г., Корн Т. Справочник по математике (длянаучных работников и инженеров) 2-е издание М: Наука, 1970, 72Ос.
  204. Glinchuk K.D., Prokhorovich A.V., ZayatsN.S. Photoluminescence of copper-doped n-GaAs after irradiation by 2 Mev electrons, phys.stat.sol. (a), 1982, v.72, p.715−719.
  205. Vorobkalo F.M., Glinchuk K.D., Prokhorovich A.V. The characteristics of the 0.93 to 1.0 eV luminescence bands in GaAs. phys.stat.sol. (a), 1971, v.7, p.135−140.
  206. А.Ф., Конаныхин А. Б., Морозов Б. В. Фотолюминесцентный метод определения диффузионной длины не основных носителей заряда в эпитаксиальных структурах на широкозонных подложках. ФТП, 1980, т.14, в.2, с.311−315.
  207. Nelson R.J., Sobers R.G. Minority-carrier lifetime and internal quantum efficiency of surface-free GaAs. J. Appl. Phys., 1978, v.49, № 12, p.6103−6108.
  208. Casey H.C., Stern F. Concentration-dependent absorption and spontaneous emission of heavily doped GaAs. J. Appl.Phys., 1976, v.47, № 2, p.631−643.
  209. Williams F.E. Theory of the energy levels of donor-acceptor pairs. J. Phys. Chem. Solids, 1960, v. 12, p.265−275.
  210. Thomas D.G., Hopfield J.J., Augustyniak W.M. Kinetics of radiative recombination at randomly distributed donors and acceptors. Phys. Rev., 1966, v.140, № 1A, p. A202-A220.
  211. Thomas D.G., Hopfield J.J., Colbow K. Light from distant pairs. В кн.: 7th Internat. Confer, on the physics of semiconductors. Radiative recombination in semiconductors. Paris, 1964. Dunod, Paris, 1965, p.67−80.
  212. Dean P.J. Interimpurity recombination in semiconductors. В кн.: Progress in Solid State Chemistry, v. 8, p.1−126. Pergamon Press, New York, 1973.
  213. Harris T.D., Trautman J.K., Colonell J.I. Dynamics of selectively excited donor acceptor pairs in GaAs. Mater. Sci. Forum, 1990, v.65−66, p.21−28.
  214. Williams E.W., Bebb H. Barry. Photoluminescence II: Gallium Arsenide. В кн.: Semiconductors and semimetals, v.8, p.321−392. Academic Press, New York, 1972.
  215. Stillman G.E., Wolfe C.M. Electrical characterization of epitaxial layers. Thin Solid Films, 1976, v.31, №½, p.69−88.
  216. Briones F., Collins D.M. Low-temperature photoluminescence of lightly Si-doped and undoped MBE GaAs. J. Electron. Mater., 1982, v.11, p.847−866.
  217. Kaminska M., Liliental-Weber Z., Weber E.R., George Т., Kortright J.В., Smith F.W., Tsaur B-Y., Calawa A.R. Structural properties of As-rich GaAs grown by molecular beam epitaxy at low temperatures. Appl. Phys. Lett., 1989, v.54, № 19, p.1881−1883.
  218. Look D.C., Robinson G.D., Sizelove J.R., Stutz C.E. Donor and acceptor concentrations in molecular beam epitaxial GaAs grown at 300 and 400 °C. Appl. Phys. Lett., 1993, v.62, № 23, p.3004−3006.
  219. С.Г., Шик А.Я. Влияние флуктуаций состава и легирования на неравновесные свойства полупроводника. ФТП, 1988, т.22, № 12, с.2192−2198.
  220. Schubert E.F., Gobel Е.О., Horikoshi Y., Ploog К., Quisser H.J. Alloy broadening in photoluminescencespectra of AlxGai-xAs. Phys. Rev. B, 1984, v. 30, № 2, p.813−820.
  221. В.JI., Кравченко А. Ф., Паханов Н. А., Терехов А. С. Влияние осциллирующей ЭДС Дембера на спектры фотоЭДС арсенида галлия. ФТП, 1980, т.14, № 9, с.1768−1771.
  222. Hoogenstraaten W. Electron traps in zinc-sulphide phosphors. Philips Research Reports, 1958, v.13, № 6, p.515−693.
  223. Martin G.M., Mittonneau A., Mircea A. Electron traps in bulk and epitaxial GaAs crystals. Electron Lett. 1977, v.13, № 7, p.191−193.
  224. Mittonneau A., Martin G.M., Mircea A. Hole traps in bulk and epitaxial GaAs crystals. Electron Lett. 1977, v.13, № 22, p.666−668.
  225. Lang D.V. Deep-level transient spectroscopy: a new method to characterize traps in semiconductors. J. Appl. Phys., 1974, v.45, № 7, p.3023−3032.
  226. Lang D.V. Fast capacitance transient apparatus: application to ZnO and О centers in GaP p-n junctions. J. Appl. Phys., 1974, v.45, № 7, p.3014−3022.
  227. Бонч-Бруевич В. Jl., Калашников С. Г. Физика полупроводников. 2-е изд. М.: Наука, 1990, 688с.
  228. Lax М. Giant traps. J. Phys. Chem. Solids, 1959, v.8, № 1, p.66−73.
  229. Lax M. Cascade capture of electrons in solids. Phys. Rev., 1960, v.119, № 5, p.1502−1523.
  230. H.H. Численные методы. M.: Наука, 1978,512с.
  231. С.К., Рябенький B.C. Разностные схемы (введение в теорию). М.: Наука, 1977, 439с.
  232. Мак-Кракен Д., Дорн У. Численные методы и программирование на Фортране. М.: Мир, 1977, 584с.
  233. А.Е. Численные методы для ПЭВМ на языках Бейсик, Фортран и Паскаль. Томск, МП «РАСКО», 1991, 272с.
  234. Антонов-Романовский В. В. Кинетика фотолюминесценции кристаллофосфоров. Наука, М., 1966, 324с.
  235. Kamiya Т., Wagner Е. Optical determination of impurity compensation in n-type gallium arsenide. J. Appl. Phys., 1977, v.48, № 5, p.1928−1934.22 5. Зверев B.H. Магнитолримесные осцилляции в арсениде галлия. Письма в ЖЭТФ, 1983, т.37, № 2, с.89−92.
  236. В.Н., Шовкун Д. В. Экспериментальное исследование магнитопримесных осцилляций в арсениде галлия. ЖЭТФ, 1984, т.87, № 5, с.1745−1755.
  237. С.В., Рашба Э. И. Вероятности безызлучательных переходов в акцепторных центрах. ЖЭТФ, 1979, т. 76, № 6, с.2206−2217.
  238. Rocke С., Govorov А.О., Wixforth A., Bohm G., and Weimann G. Exciton ionization in a quantum well studied by surface acoustic waves, Phys.Rev.B, 1998, v.57, p. R6850-R6853.
  239. Rocke C., Zimmermann S., Wixforth A., Kotthaus J. P., and Bohm G. Acoustically Driven Storage of Light in a Quantum Well, Phys.Rev.Lett., 1987, v.78, p.4099−4102.
  240. Yu P.W., Stutz C.E., Manasreh M.O., Kaspi R., Capano M.A. Moving photoluminescence bands in GaASi-xSbx layers grown by molecular beam epitaxy on InPsubstrates. J. Appl. Phys., 1994, v.76, № 1, 504−508.
  241. Heim U, Heisinger P. Luminescence and Excitation Spectra of Exciton Emission in GaAs. phys.stat.solidi (b), 1974, v.66, p.461−476.
  242. Xin L., Fang Z., Zhou В., Zhu S., Xiang X., Wu R. Growth and properties of high purity LPE-GaAs. J.Cryst.Growth, 1982, v.56, p.533−540.
  243. Chand N. MBE growth of high-quality GaAs. J.Cryst.Growth, 1989, v.97, p.415−429.
  244. Koteles E.F., Elman B.S., Zemon S.A. Very high purity GaAs: free exciton dominated 5K photoluminescence and magnetophotoluminescence spectra. Solid State Communications, 1987, v.62, № 10, p.703−706.
  245. Look D.C., Pomrenke G.S. A study of the 0.1 eV conversion acceptor in GaAs. J.Appl.Phys., 1983, v.54, № 6, p.3249−3254.
  246. P.X., Бирюлин Ю. Ф., Ли Дин Као, Фистуль В.И., Чалдышев В. В. Фотолюминесценция GaAs: Bi, полученного жидкофазной эпитаксией. Электрон, техн., 1984, сер.6, № 11, с.78−80.
  247. Wolfe С.М., Stillman G.E. Anomalously high «mobility» in semiconductors. Appl.Phys.Lett., 1971, v.18, № 5, p.205−208.
  248. P.J., Herbert D.C. «Bound Excitons in Semiconductors». In book: Excitons, K. Cho Ed., 1979, pp.55−210. Berlin, Germany: Springer-Verlag, 21A p.
  249. Leitch A.W.R., Ehlers H.L. The characterization of GaAs and AlGaAs by photolumlnescence. Infrared Physics, 1988, v.28, № 6, p.433−440.
  250. Larkins E.G., Hellman E.T., Schlom D.G., Harris J.S., Jr., Kim M.H., Stillman G.E. GaAs with very low acceptor impurity background grown by molecular beam epitaxy. J. Gryst. Growth, 1987, v. 81, p.344−348.
  251. JI.И., Палкин A.M., Созинов В. Н., Шегай O.A., Энтин М. В. Фотомагнитный эффект в условиях циклотронного резонанса. Письма в ЖЭТФ, 1984, т. 40, вып.10, с.408−410.
  252. Oseki М., Nakai К., Dazai К., Ryuzan 0 Photoluminescence Study of Carbon Doped Gallium Arsenide. Japan. J.Appl.Phys. 1974, v.13, № 7, p.1121−1126.
  253. В.Г., Иванов-Омский В.К., Минервин И. Г., Осутин A.B., Поляков Д. Г. Непараболичность и анизотропия энергетического спектра электронов в GaAs. ЖЭТФ, 1985, т.88, вып.6, с.2052−2062.
  254. Scromme B.J., Bose S.S., Lee В., Low T.S., Lepkowski Т.К., DeJule R.Y., Stillman G.E., Hwang J.G.M. Characterization of high-purity Si-doped molecular beam epitaxial GaAs. J.Appl.Phys., 1985, v.58, № 12, p.4685−4702.
  255. Armistead C.J., Davidson A.M., Knowles P., Najda S.P., Stradling R.A., Nicholas R.J., Sessions S.J. Application of High Magnetic Fields in Semiconductor Physics. Ed. by G. Landwehr, Berlin Heidelberg N.Y. — Tokyo, 1983, p.289−295.
  256. H.A., Созинов В. Н. Легирование GaAs теллуром в процессе жидкофазной эптаксии из расплава висмута. Изв. АН СССР, сер. Неорг. матер. 1986, т.22, № 4, с.544−547.
  257. H.A., Велобородов Г. М. Легирование GaAs оловом в процессе жидкофазной эпитаксий из расплава висмута. Изв. АН СССР, сер. Неорг. матер. 1990, т.26, № 1, с.9−13.
  258. Н.В., Уфимцев Б. В., Фистуль В. И. «Очистка» арсенида галлия изовалентным легированием. Письма в ЖТФ, 1982, т. 8, в.10, с.620−623.
  259. Ю.Ф., Никитин В. Г., Нугманов Д. Л., Новиков C.B., Чалдышев В. В. Компенсация остаточных примесей в зпитаксиальном GaAs:Bi. Письма в ЖТФ, 1987, т. 13, в.20, с.1255−1259.
  260. Ю.Ф., Воробьёва В. В., Голубев Л. В., Новиков C.B., Чалдышев В. В., Шмарцев Ю. В. Фотолюминесценция GaAs легированного германием и висмутом. Письма в ЖТФ, 1987, т.13, в.20, с.1264−1267.
  261. Ю.Ф., Ганина Н. В., Новиков C.B., Чалдышев В. В., Шмарцев Ю. В. К вопросу об «очистке» арсенида галлия висмутом. Письма в ЖТФ, 1986, т.12, с.274−276.
  262. Girault В., Chevrier F., Joullie A., Bougnot G. Liquid phase epitaxy of silicon at very low temperatures. J. Cryst. Growth, 1977, v.37, p.169−177.
  263. В.А., Елкин А. Г., Журкин Б, Г., Квит А. В., Октябрьский С. Р., Пережогин Г. А. Механизм влияния редкоземельных элементов на свойства слоев GaAs, выращенных жидкофазной эпитаксией. В сб. «Краткие сообщения по физике», М., ФИАН 1987, № 9, с.32−34.
  264. У.М., Гамидов З. С. Влияние примесей Р.З.Э. на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия. Изв. АН СССР. Неорг. Материалы, 1989, т.25, в.5, стр.855−856.
  265. Raczynska J., Fronc К., Langer J.M., Lemanska A., Stapor A. Donor gettering in GaAs by rare-eath elements. Appl.Phys. Lett., 1988, v.53, № 9, p.761−763.
  266. White A.M., Dean P.J., Day B. On the origin of bound, exciton lines in indium phosphide and gallium arsenide. 1974, v.7, p.1400−1411.
  267. Heiblum M., Mendes E.E., Osterling L. Growth by molecular beam epitaxy and characterization of high purity GaAs and AlGaAs. J.Appl.Phys. 1984, v.54, № 12, p.6982−6983.
  268. Rossi J.A., Wolfe C.M., Stillman C.E., Dimmock J.O. Indentification of exciton-neutral donor complexes in the photoluminescence of high purity GaAs. Sol.St.Commun. 1970, v.8, p.2021−2024.
  269. Almassy R.J. Reynolds D.C., Litton C.W., Bajaj K.K., McCoy G.L. Observation of shallow residial donors in high purity epitaxial GaAs by means of photoluminescence spectroscopy. Sol.St.Commun. 1981, v.38, p.1053−1056.
  270. А.Т., Груздов В. Г., Ракеш Кумар, Мамутин В.В., Полянская Т. А., Савельев И. Г.,
  271. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Под редакцией Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола. Москва, «Радио и связь», 1988, 496с.
  272. Smith F.W., Calawa A.R., Chen C.-L., Manfra M.J., Mahoney L.J. Determination of optical and interband transition in crystaline quartz from X-ray spectroscopical data. IEEE Electron Device Lett., 1988, v.9, p.77−80.
  273. Look D.C., Walters D.C., Mier M., Stutz C.E., Brieryly S.K. Native donors and acceptors in molecular-beam epitaxial GaAs grown at 200C, Appl.Phys.Lett., 1990, v.60, p. 2900−2902.
  274. B.J.- F. Lin, K. Kocot, D.E. Mars, R. Jaeger, Anomalies in MOSFET’s with a Low-Temperature Buffer. IEEE Transactions on Electron Devices, 1990, v. 37, № 1, p.4 6−4 9.
  275. Look D.C., Fang Z-Q., Sizelove J.R., Stutz C.E. New AsGa related center in GaAs, Phys.Rev.Lett., 1993, v.70, N, pp.465−468.
  276. Massies J., Etienne P., Dezaly P., Linh N.T. Stoichiometry effect on surface properties of GaAs (100) grown in situ by MBE. Surf.Sci., 1998, v. 99, № 1, p.121−131.
  277. В.В., Лубышев Д. И., Мигаль В.П.
  278. Температурные переходы сверхструктур на поверхностях {100} GaAs и InAs, выращенных методом МЛЭ. Поверхность, 1989, № 9, с.156−158.
  279. Д.И., Мигаль В. П., Преображенский .В.В., Чалдышев В. В., Шмарцев ЕО.В. Влияние потоков мышьяка и галлия на люминесценцию арсенида галлия, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. ФТП, 198 9, т.23, в.10, с.1913−1916.
  280. Зи С. Физика полупроводниковых приборов, «Мир», т.1, 1984, 455с.
  281. Look D.C., Robinson G.D., Sizelove J.R., Stutz C.E. Donor and acceptor concentrations in molecular beam epitaxial GaAs grown at ' 300 and 400 C, Appl.Phys.Lett. 1993, v.62, № 23, p.3004−3006.
  282. L. Eaves, D.P. Halliday. A model for some defect-related bound exciton lines in the photoluminescence spectrum of GaAs layers grown by molecular beam epitaxy. Journal of Physics C: Solid State Physics, 1984, v.17, № 27, p. L705 L709.
  283. Skolnick M.S., Tu C.W., Harris T.D. High-resolution spectroscopy of defect-bound excitons and acceptors in GaAs grown by molecular-beam epitaxy, Phys.Rev.B, 1986, v.33, p.8468−8474.
  284. Charbonneau S., McMullan W.G., Thewalt M.L.W. Resonant photoluminescence studies of the growth-induced defects in GaAs grown by molecular beamepitaxy, Phys.Rev.B, 1988, v.38, № 5, p.3587−3590.
  285. Kudo K., Makita Y., Takayashu I., Nomyra T., Kobayashi T., Izumi T., Matsumori T. Photoluminescence spectra of undoped GaAs grown by molecular-beam epitaxy at very high and low substrate temperatures, J.Appl.Phys., 1986, v.59, № 3, p.888−891.
  286. BeyeA.C., New G. Nature of the 1.5040 —1.5110-eV emission band in GaAs, J.Appl.Phys., 1985, v.58, № 9, p.3549−3555.
  287. Brions F., Collins D.M. Low temperature photoluminescence of lightly Si doped and undoped MBE GaAs. J.Electron.Mater., 1982, v.11, № 4, p.847−866.
  288. Lu Z.H., Hanna M.C., Szmyd D.Z., Oh E.G., Majerfeld A. Determination of donor and acceptor densities in high-purity GaAs from photoluminescence analysis. Appl.Phys.Lett., 1990, v.56, № 2, p.177−179.
  289. Horikoshi Y., Fischer A., Ploog K. Low-Temperature Photoluminescence of MBE-Grown GaAs subject to an Electric Field. Appl.Phys.A, 1986, v.39, № 1, p.21−30.
  290. Neave J.H., Dobson P.J., Harris J.J., Dawson P., Joyce B.A. Silicon Doping of MBE-Grown GaAs Films. Appl.Phys.A., 1983, v.32, № 4, p.195−200.
  291. Dumke W.P. Optical Transitions Involving Impurities in Semiconductors, Phys.Rev., 1962, v.132, p.1998−2002.
  292. Jonson E.J., Kafalas J.A., Davies R.W. The role of deep-level centers and compensation in producing semi-insulating GaAs. J.Appl.Phys., 1983, v.54, № 1, p.204−207.
  293. Deparis C., Massies J. Surface stoichiometry variation associated with GaAs (001) reconstructiontransitions. J.Cryst.Growth, 1991, v.108, p.157−172.
  294. Ogawa M., Baba T. Heavily Si-Doped GaAs and AlAs/n-GaAs Superlattice Grown by Molecular Beam Epitaxy. Japanese J.Appl.Phys ., 1985, v.24, № 8, p. L572-L574.
  295. C.R., Holland M.C., Kean A.H., Chamberlain J.M., Grimes R.T., Stanaway M.B. 4xl05 cm2 V-1 s"1 peak electron mobilities in GaAs grown by solid source MBE with AS2. J. Crys. Growth, 1991, v. lll, p.14−19.
  296. Neave J.H., Blood P., Joyce B.A. A correlation between electron traps and growth processes in n-GaAs prepared by molecular beam epitaxy. Appl. Phys. Lett., 1980, v.36, № 4, p.311−312.
  297. Kunsel H., Knecht J., Jung H., Wunstel K., Ploog K. The effect of arsenic vapour species on electrical and optical properties of GaAs grown by molecular beam epitaxy. Appl. Phys. A., 1982, v.28, p.167−173.
  298. Garcia J.C., Beye A.C., Contour J.P., Neu G., Massies J., Barski A. Reduced carbon acceptor incorporation in GaAs grown by molecular beam epitaxy using dimer arsenic. Appl. Phys. Lett., 1988, v. 52, № 19, p.1596−1598.
  299. Kerr T.M., Wood C.E.C., Newstead S.M., Wilcox J.D. On residual carbon acceptors in molecular-beam epitaxial GaAs. J. Appl. Phys., 1989, v.65, № 7, p.2673−2676.
  300. Chow R., Fernandez R., Atchley D., Chan K., Bliss D. Characterization of high purity GaAs films grown by molecular beam epitaxy from solid As cracker. J.Vac.Sci.Technol.B, 1990, v.8, № 2, 1990, p.163−167.
  301. Elman B.S., Koteles E.S., Zemon S.A., Chi Y.J. Very high purity GaAs: Free exiton dominated 5Kphotoluminescence and magneto photoluminescence spectra. J. Vac.Sci.Technol. B, 1987, v.5, № 3, p.757−758.
  302. Heiblum M., Mendez E.E., Osterling L. Growth by molecular beam epitaxy and characterization of high purity GaAs and AlGaAs. J.Appl.Phys., 1983, v.54, № 12, p.6982−6988.
  303. Lee J., Koteles E.S., Vassell M.O., Salerno J.P. Influence of elastic scattering from neutral impurities on the exiton-polariton photoluminescence lineshape in GaAs. J. Luminescence, 1985, v.34, p. 6375.
  304. Schultheis L., Tu C.W. Influence of a surface electric field on the line shape of the excitonic emission in GaAs. Phys.Rev.B, 1985, v.32, № 10, p.6978−6981.
  305. Sang Boo Nam, Langer D.W., Kingston D.L., Luciano M.J. Determination of concentrations of donors and acceptors in GaAs by an optical method. Appl.Phys.Lett., 1977, v.31, № 10, p.652−654.
  306. Naganuma M., Takahashi K. GaAs, GaP, GaAsixPx films deposited by molecular beam epitaxy, phys.stat.sol.(a), 1975, v.31, p.187−200.
  307. Вуд K.E.K. Молекулярно-лучевая эпитаксия соединений A3B5: свойства примесей и характерные черты процесса внедрения. В кн. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, под ред. Ченга J1. и Плога К. Пер. с англ. М.: Мир, 1989, стр.127−160.
  308. Skromme B.J., Bose S.S., Lee В., Low T.S., Lepkowski T.R., DeJule R.Y., Stillman G.E., Hwang J.C.M. Characterization of high-purity Si-doped molecular beam epitaxial GaAs. J.Appl.Phys., 1985, v, 58, № 12, p.4685−4702.
  309. В.Г. Мышьяк. М:"Металлургия", 1969, 187с.
  310. Chand N., Miller R.C., Sergent A.M., Sputz S.K., Lang D.V. Effect of arsenic source on the growth of high-purity GaAs by molecular beam epitaxy. Appl.Phys.Lett., 1988, v.52, № 20, p.1721−1723.
  311. .А. Роль кинетики и структуры поверхности в МЛЭ. В кн. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, под ред. Ченга Л. и Плога К. Пер. с англ. М.: Мир, 1989, стр.37−64.
  312. Andrews D.A., Heckingbottom R., Davies G.J. The influence of growth conditions on sulfur incorporation in GaAs grown by molecular beam epitaxy. J.Appl.Phys., 1985, v.54, № 8, p.4421−4425.
  313. P. Применение термодинамики для описания процесса молекулярно лучевой эпитаксии. В кн. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетеро-структуры. (под редакцией Л. Ченга и К. Плога) М:"Мир", 1985, с.65−92.
  314. Hoke W.E., Lemonias P.J., Lyman P. S., Hendriks H.T., Weir D., Colombo P. Carbon doping of MBE GaAs and Gao.7Alo.3As films using a graphite filament. J.Cryst.Growth, 1991, v. Ill, p.269−273.
  315. Nagle J., Malik R.J., Gershoni D. A comparison of atomic carbon versus beryllium acceptor doping in GaAs grown by molecular beam epitaxy. J.Cryst.Growth, 1991, v. lll, p.264−268.
  316. Материалы в машиностроении т.З., Под редакцией Ф. Ф. Химушина., М: «Машиностроение», 1968, 446с.
  317. Reynolds D.C., Bajaj К.К., Litton C.W., Yu P.W., Klem J., Peng С.К., Morkoc H., and Sigh J., Excitonic photoluminescence linewidths in AlGaAs grown bymolecular beam epitaxy. Appl.Phys.Lett. 1986, v.48, № 11, pp. 727−729.
  318. Lee S.M., Bajaj K.K. A quantum statistical theory of linewidths of radiative transitions due to compositional disordering in semiconductor alloys. J.Appl.Phys. 1993, v.73, № 4, p. 1788−1796.
  319. Pavesi L., Guzzi M. Photoluminescence of AlxGaixAs alloys. J.Appl.Phys, 1994, v.75, № 10, pp.4779−4842 .
  320. Umansky V., de-Picciotto R., and Heiblum M. Extremely high-mobility two dimensional electron gas: Evaluation of scattering mechanisms. Appl.Phys.Lett, 1997, v.71, p.683−685.
  321. Monemar B., Fundamental Energy Gaps of AlAs and Alp from Photoluminescence Excitation Spectra, Phys.Rev.B, 1993, v.8, p. 5711−5718.
  322. Bebb H.B., Williams E.W. In Semiconductors and Semimetals, ed. By R.K.Willardson (Academic, New York, 1972), v.8, p.181.
  323. Olsthoorn S.M., Driessen F.J.M., and Gilling L.J. Excitonic photoluminescence spectra of AlxGai-xAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Appl.Phys.Lett., 1991, v.58, p.1274−1276.
  324. Casey H.C.Jr. Room-temperature threshold-current dependence of GaAs-AlxGaixAs double-heterostructure lasers on x and active-layer thickness. J.Appl.Phys., 1978, v.49, p.3684−3692.
  325. Grein C.H., Zollner S., Cardona M. Calculation ofintervalley scattering rates in AlxGaixAs: Effects of alloy and phonon scattering, Phys.Rev.B, 1993, v.44, p.12 761−12 768.
  326. Guzzi M., Grilli E., Oggioni S., Staehli J.L., Bosio C., Pavesi L. Indirect-energy-gap dependence on A1 concentration in AlxGai-xAs alloys, Phys.Rev.B, 1992, v.45, p.10 951−10 957.
  327. Chand N., Chu S.N.G., Jordan A.S., and Geva M. Migration and gettering of Si, Be, and ambient-related 0 in AlGaAs/GaAs laser structures. J.Vac.Sci.Technol., 1992, v. BIO, p.807−811.
  328. Zhang D.H., Li C.Y., and Yoon S.F. Influence of substrate misorientation on quality of active region and performance of GaAs/AlGaAs triple-quantum-well lasers grown by molecular beam epitaxy. J.Cryst.Growth, 1997, v.181, p.1−8.
  329. Chand N., Chu S.N.G., and Geva M. Effects of substrate misorientation on incorporation of ambient oxygen and interfacial roughness in AlGaAs/GaAs heterostructures grown by molecular-beam epitaxy. Appl.Phys.Lett., 1991, v.59, p.2874−2876.
  330. Zhuravlev K.S., Efanov A.V., Kellner W., Pascher H. Free exciton spin and recombination dynamics in high-purity AlGaAs layers. Physics B, 2002, v.314, p. SOS-SOS.
  331. Ettenberg M., Kressel H., Gilbert S.L. Minority carrier diffusion length and recombination lifetime in GaAs: Ge prepared by liquid-phase epitaxy. J.Appl.Phys. 1973, v.44, № 2, p.827−831.
  332. Nelson R.I., Sobers R.G. Minority-carrier lifetime and internal quantum efficiency of surface-free GaAs. J.Appl.Phys., 1978, v.49, № 12, p.6103−6108.
  333. Wight D.R., Oliver P.E., Prentice Т., Steward Y.W. Diffusion length in p-type MOCVD GaAs. J.Gryst.Growth, 1981, v.55, p.183−191.
  334. Vigil E., Diaz P. Concentration Dependence of the Electron Diffusion Length in p-Type GaAs. Crystal.Res.Technol. 1984, v.19, № 2, p.285−290.
  335. В.Т., Мильвидский М. Г., Освенский В. Б. Природа и особенности поведения точечных дефектов в легированных монокристаллах соединений А3В5. Изв. ВУЗов СССР, I960, № 1, с.7−22.
  336. Guislain H.J., De Wolf L., Clauws P. Stoichiometry of melt-grown n-GaAs as revealed by photoluminescence measurements. Electron.Mater., 1977, v. 6, № 5, p. 541 567.
  337. Guislain H.J., De Wolf L., Glauws P. A coherent model for deep-level photoluminescence of Cu-contaminated n-type GaAs single crystals. Electron.Mater., 1977, v.7, № 1, p.83−108.
  338. .И., Гарбузов Д. З., Морозов Е.П., Третьяков
  339. Д.Н. Излучательная рекомбинация в арсенидгаллиевых р-п структурах с р-областью, легированной германием. ФТП, 1969, т. З, № 5, с.706−711.
  340. Landsberg Р.Т. The band band Auger effect in semiconductors. Solid-State Electronics, 1987, v. 30, № 11, p.1107−1115.
  341. Г. Н. Междузонные процессы рекомбинации в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения. В кн.: Рекомбинационные процессы в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения. (Труды ФИАН, т.128). М.: Наука, 1981. с.3−65.
  342. Takeshima М. Auger recombination in InAs, GaSb, InP and GaAs. J.Appl.Phys., 1972, v.43, № 10, p.4114−4118.
  343. Benz G., Gonradt R. Auger recombination in GaAs and GaSb. Phys.Rev., 1977, v.16, № 2, p.843−855.
  344. Cusano D.A. Radiative recombination from GaAs directly excited by electron beams. Sol.St.Comm., 1964, v.2, № 11, p.353−358.
  345. Shin K.K., Pettit G.D. J. Electron Mater., 1974, v.3, № 8, p.3910−4088.
  346. Ettenberg M., Neuse G.J. Comparison of Zn-doped GaAs layers prepared by liquid-phase and vapor-phase technique, including diffusion length and photoluminescence. J.Appl.Phys., 1975, v.46, № 8, p.3500−3508.
  347. Hwang G.J. Quantum Efficiency and Radiative Lifetime of The Band-to-Band Recombination in heavily Doped n-type GaAs. Phys.Rev.B, 1972, v.6, № 4, p.1355−1361.
  348. Takeshima M. Impurity-assisted Auger recombination in semiconductors. Phys. Rev B, 1981, v.23, № 2, p.771−780.
  349. В.Г. Прямая и обратная задачи теории кинетических коэффициентов в изотропном приближении. Препринт ИФП СО АН СССР, № 9−84, Новосибирск, 1984, 27с.
  350. A.M. Теория дефектов в твердых телах, т.1, М.:Мир, 1978, с. 285.
  351. Dexter D.L. Optical Properties of Imperfections. In: Sol.St.Phys. Ed. by P. Seltz, D. Tumbull, N.Y., 1958, v.6, № 5, p.355−411.
  352. Glinchuk K.D., Prokhorovich A.V. The Characteristics of the Copper Induced 1.35 eV Emission Band in p-GaAs. phys.stat.sol.(a), 1975, v.29, p.339−345.
  353. O’Rourke R.G. Absorbtion of Light by Trapped Electrons. Phys.Rev. 1953, v.91, № 2, p.265−270.
  354. Rosztogy F.E., Wolfstirn K.B. Distribution Coefficient of Germanium In Gallium Arsenide Crystals Grown from Gallium Solutions. J.Appl.Phys., 1971, v.42, № 1, p.426−429.
  355. Neuman H., Jacobs K., van Nam N., Koj W., Krause C. Properties of Liquid Phase Epitaxial Ge-doped GaAs. phys.3tat.sol (a), 1977, v.44, p.675−678.
  356. В.Т., Морозов А. Н., Освенский В. Б., Гайдай В. И., Гришина С. П., Портной О. Г. Расчёт области гомогенности арсенида галлия. Кристаллография, 1979, v.24, № 6, с.1230−1236.
  357. Hurle D.T.J. Revised calculation of point defect equilibria and non-stoichiometry in gallium arsenide. J.Phys.Chem.Solids, 1979, v.40, p.613−626.
  358. В.Т., Каратаев В. В., Кулагин P.O., Мильвидский М. Г., Освенский В. Б., Столяров О. Г., Холодный Л. П. Природа точечных дефектов в монокристаллах GaAs в зависимости от состава расплава при выращивании. Кристаллография, 1973, т.18, в.2, с.353−356.
  359. Van Vechten J.A. Simple Theoretical Estimates of the Enthalpy of Antistructural Pair Formation and Virtual-Enthalpies of Isolated Antisitae Defects in Zink-Blende and Wurtzite Type Semiconductors. J.Electrochem.Soc., 1975, v.122, p.423−429.
  360. Yakusheva N.A., Prinz V.Ya., Bolkhovityanov Yu.B. Discovery of Electron Traps in LPE GaAs Grown from a Bismuth Melt, phys.stat.sol. (a), 1986, v.95, № 1, p. K43-K4 6.
  361. P.X., Донская И. О., Дулин С. И., Уфимцев В. Б. Расчёт изменения концентрации собственных точечных дефектов в арсенидах галлия и индия при изовалентном легировании висмутом. Кристаллография, 1988, т.33, в.2, стр.464−470.
  362. Н.А., Сикорская Г. А. Инверсия типа проводимости в слоях арсенида галлия, легированного германием в процессе жидкофазной эпитаксии. Электрон, техн. материалы. 1985, № 1(200), с.47−49.
  363. В.В., Якушева Н. А. Амфотерные свойства германия в GaAs:Bi. ФТП, 1989, т.23, в.1, с.44−47.
  364. В.Ф., Краснов В. А., Марончук Ю. Ф. Излучательная рекомбинация арсенида галлия, сильно легированного и компенсированного германием. ФТП, 1984, т.18, в.5, с.925−927.
  365. В.В., Якушева Н. А. Люминесценция глубоких уровней в n-GaAs:Ge, Bi. ФТП, 1989, т.23, в.2, с.221−223.
  366. Shin K.S., Kwar (k М.Н., Choi I.H., Oh M.H., Так Y. В. Photoluminescence investigation of the 1.356 eV band and stoichiometry in undoped GaAs. J.Appl.Phys. 1989, v.65, № 2, p.736−741.
  367. Н.А. Влияние растворителя при жидкофазной эпитаксии GaAs на коэффициенты распределения легирующих примесей. Тез. докл. VI Всесоюз. конф. по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов. М.: Наука, 1988, с. 51.
  368. Zhou J., Li L., Liu M., Lu В., Zhang J. An exploration on the nature of hole traps A and В in LPE n-type GaAs. Materials Lett., 1988, v.6, № 7, p.247−249.
  369. H.A., Чикичев С.И. N-образные изотермы ликвидуса в системе Ga-GaAs-Bi. Изв. АН СССР, Неорг.матер., 1987, т.23, № 10, с.1607−1609.
  370. П.С., Кунакин Ю. И., Матиш А. А., Стрельченко С. С. К вопросу о поведении примесей элементов IV группы в арсениде галлия. Электрон.техн. Материалы, 1987, № 2(223), с.25−28.
  371. Ю.Ф., Ганина Н. В., Мильвидский М. Г., Чадышев В. В., Шмарцев Ю. Ф. Фотолюминесценция твёрдых растворов GaAsi-xSbx и Gai-xInxAs (х<0.01). ФТП, 1983, т.17, в.1, с.108−114.
  372. Beneking Н., Narozny P., Emeis N. High quality epitaxial GaAs and InP wafers by isoelectronic doping. Appl.Phys.Lett., 1985, v.47, № 8, p.828−830.
  373. Bolkhovityanov Yu.B., Bolkhovityanova R.I. The Influence of Indium on p-n Junction Formation in Si-Doped LPE Layers of Gallium Arsenide, phys.stat.sol.(a), 1976, v.37, р. К193-К195.
  374. Blom G.M., Woodall J.M. Effect of Iso-Electronic Dopants. on the Dislocation Density of GaAs. J.Electr. Mat., 1988, v.17, № 5, p.391−396.
  375. Nahory R.E., Pollack., De Winter J.C., Williams. Growth and properties of liquid-phase epitaxial GaAsi-xSbx. J.Appl.Phys., 1977, v.48, № 4, p.1607−1614.
  376. М.Б., Илегемс M. Фазовые равновесия в тройныхсистемах III-V. В сб.: Материалы для оптоэлектроники. М., Мир, 1976, 379с.
  377. В.Я., Хайри Е. Х., Самойлов В. А., Болховитянов Ю. Б. Глубокий уровень, вводимый в GaAs легированием изовалентной примесью Sb. ФТП, 1986, т.20, в.8, с 1332—1395.
  378. В.Я., Кулагин С. А., Майор В. И. Зависимость параметров остаточных глубоких уровней в n-InxGai-xAs от состава. ФТП, 1987, т.21, в.12, с.2130−2135.
  379. Bolkhovityanov Yu.B., Bolkhovityanova R.I., Marchenko N.E., Morozov B.V. Study of Doping of InxGai-xAs Films with Germanium. phys. stat. sol. (a), 1975, v.31, p.293−300.
  380. P.X. Расчёт изменения концентрации собственных точечных дефектов в арсениде галлия при изовалентном легировании индием и сурьмой. Кристаллография, 1989, т.34, в.2, с.520−523.
  381. Chen J.P., Wie G.R. Effects of In and Sb Doping in LPE Growth Thermodynamics and in GaAs Layer Qualities. J.Electron.Mater., 1989, v.18, № 5, p.399
  382. Yakusheva N. A, Pogadaev V.G. Doping of GaAs with donor impurities Те and Sn during liquid phase epitaxy from mixed gallium-bismuth melt. Cryst. Res. Technol., 1992 v.27, p.21−30.
  383. H.A., Белобородов Г. М. Легирование GaAs оловом в процессе жидкофазной эпитаксии из расплава висмута. Изв. АН СССР. Неорг. Материалы, 1990, т.26, в.1, стр.9−13.
  384. Ishii М., Tanaka Т., Susaki W. Liquid phase epitaxial growth of Zn and S doped GaAs. J. Cryst. Growth, 1979, v.46, p.265−268.
  385. М.Г., Пелевин О. В. Сахаров Б.А. физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. М: Металлургия, 1974, 292с.
  386. Dowsett M.G., Clark Е.A. Practical Surface Analysis (Ion and Neutral Spectroscopy). Ed. D. Briggs and M.P.Seah, New York: John Wiley&Sons Ldt., 1992, v.2, p.229.
  387. . Квантовые процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1986, 304с.
  388. Kitano Т., Watanabe H., Matsul J. Existence of interstitialcy Zn atoms in GaAs: Zn grown by the liquid-encapsulated Czochralski technique. Appl.Phys.Lett., 1989, v.54, № 22, p.2201−2203.
  389. Bosker G., Stolwijk N.A., Hettwer H.-G., Rucki A., Jager W., Sodervall U. Use of zink diffusion into GaAs for determineting properties of gallium interstitials. Phys.Rev.B, 1995, v.52, № 16, p.11 927−11 931.
  390. Tan T.Y., Yu S., Gosele U. Determination of vacancy and self-interstitial contributions to gallium self-diffusion in GaAs. J. Appl. Phys., 1991, v.70, № 9, p.4823−4826.
  391. Wager J.F. Enrgetics of self-diffusion in GaAs. J.Appl.Phys. 1991, v.69 № 5, p.3022−3031.
  392. Kordos P., Jansak L.,' Вепс V. Preparation and properties of Mn-doped epitaxial gallium arsenide. Sol. Stat. Electronics, 1975, v.18, p.223−226.
  393. Bilac S., Arguello Z.P., Arguello C.A., Leite R.C.C. Photoluminescence of Mn doped epitaxial GaAs. Sol. Stat. Electronics, 1978, v.25, p.755−758.
  394. P. Теория экситонов, M.: Мир, 1966, 219с.
  395. Dujardin F., Stebe В. Neutral Acceptor Bound Excitons: Interparticle Distances and Validity of the Pseudo-Donor Model, phys.stat.sol.(b), 1987, v.140, P. K117-K120.
  396. Suffczynski M., Wolniewicz L. Size of exciton bound to a neutral impurity, Phys.Rev.B, 1989, v.40, p. 6250−6257.
  397. Sell D.D., Stokowki S.E., Dingle R., Di Lorenzo J.V. Polariton Reflectance and Photoluminescence in High-Purity GaAs, Phys.Rev.B, 1973, v.7, p.4568−4586.
  398. Ashkinadze B.M., Bel’kov V.V., Krasinskaya A.G. Effects of Hot-Electrons on the Luminescence of GaAs. Sov.Phys.Semicond., 1990, v.24, p.555.
  399. Ilegems M., Dingle R., Rupp L.W. Jr., Optical and electrical properties of Mn-doped GaAs grown by molecular-beam epitaxy. J.Appl.Phys., 1975, v. 46, № 7, p.3059−3065.
  400. Lee T.C., Anderson W.W. Edge emission involving manganese impurities in GaAs at 4.2 K. Solid Stabs Commun., 1964, v.2, p.265−268.
  401. Yu P.W., Park Y.S. Photoluminescence in Mn-implanted' GaAs-An explanation on the 1.40-eV emission. J.Appl.Phys., 1979, v.50, № 2, p.1097−1103.
  402. Yu P.W. Photoluminescence excitation of the 1.441-eV cation antisite emission in p-type GaAs. Phys.Rev.B, 1983, v.27, № 12, p.7779−7781.
  403. Glinchuk K.D., Prokhorovich A.V., Rodionov V.E., Vovnenko V.I. Study of non-linear extrinsic luminescence in GaAs. phys.stat.sol. (a), 1978, v.48, p.593−602.
  404. B.M., Долгинов Л. М., Третьяков Д. Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Советское радио, 1975, с. 328.
  405. Montelius L., Nilsson S., Samuelson L. Hole ionization of Mn-doped GaAs: Photoluminescence versus space-charge techniques. Phys.Rev.B, 1989, v.40, № 8,p.5598−5601.
  406. С.А. Кристаллохимический аспект технологии полупроводников. Новосибирск, Наука, 1976, 198с.
  407. Hansen М., Anderko К. Constitution of binary alloys, McGraw-Hill Book Company, Inc., New-York Toronto London, 1958.41.7. Джафаров Т. Д. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах. Ленинград: Наука, 1978, 208с.
  408. Ilegems М. Beryllium doping and diffusion in molecular beam epitaxy of GaAs and AlxGaixAs. J.Appl.Phys., 1977, v.48, № 3, p.1278−1287.
  409. Duhamel N., Henoc P., Alexandre P., Rao E.V.K. Influence of growth temperature on Be incorporation in molecular beam epitaxy GaAs epilayers. Appl.Phys.Lett., 1981, v.39, № 1, p.49−51.
  410. Bresse J.F., Popandopoulo A.C. Be incorporation in heavily doped molecular beam epitaxy grown GaAs: Evidence of nonradiatave behavior by cathodoluminescence and electron acoustic measurements. Appl.Phys.Lett., 1987, v.51, № 3, p.183−185.
  411. A.H., Чайкина E.M., Комова Э. М., Ермакова Н. Г. Низкотемпературная люминесценция вырожденных р-типа кристаллов прямозонных полупроводашков. ФТП, 1981, т.15, в.2, с.345−352.
  412. С.А., Рогачёв А. А., Рудь Н. П. Спектры люминесценции одноосно деформированного арсенида галлия р-типа вблизи перехода Мотта. Материалы Всесоюзной конференции по физике соединений АЗВ5 Новосибирск, 1981, с. 181.
  413. Kim S., Kim M.-S., Eom K.S., Min S.-K. Lowtemperature photoluminescence characteristics of carbon doped GaAs. J.Appl.Phys., 1993, v.73, p.4703−4705.
  414. Olego D., Cardona M. Photoluminescence in heavily doped GaAs. I. Temperature and hole-concentration dependence, Phys.Rev.B, 1980, v.22, p.886−893.
  415. Fewster F P.F.,. Andrew N.L. Absolute LatticeParameter Measurement. J.Appl.Crystallogr., 1995 v.28, p.451−458.
  416. Jung J. High-pressure-induced defect formation in silicon single crystals. II Mechanism of stress-field formation at precipitates. Philosophical Magazine: Europhisics Journal A, Defects and Mechanical Properties, 1984, v.50, № 2, p257−274.
  417. В.А., Пека Г. П. Излучательная рекомбинация носителей через многозарядные центры в GaAs(Си). ФТТ, 1971, т.13, № 8, с.2406−2412.
  418. Kim Seong-II, Kim Moo-Sung, Kim Yong, Eom Kyong Sook, Min Suk-Ki, Lee Choochon. Low temperature photoluminescence characteristics of carbon doped GaAs. J. Appl.Phys., 1993, v.73, № 9, p.4703−4705.
  419. Schubert E.F., Kuo J.M., Kopf R.F., Luftman H.S., Hopkins L.C., Sauer N.J. Beryllium 8-doping of GaAs grown by molecular beam epitaxy. J. Appl. Phys. 1990, v.67, № 4, p.1969−1979.
  420. Cunningham J.E., Chiu Т.Н., Ourmazd A., Jan W., Kuo T.Y. Diffusion limited 8-doping profiles in GaAs grown by gas source molecular beam epitaxy. J. Cryst. Growth, 1990, v.105, p.111−115.
  421. Cunningham J.E., Kuo T.Y., Ourmazd A., Goosen K., Jan W., Storz F., Ren F., Fonstad C.G. Gas source molecular beam epitaxy growth of heterojunctionbipolar transistors containing 1 monolayer 5-Be. J. Cryst. Growth, 1991, v. Ill, p.515−520.
  422. В.Я., Аншон A.B., Бутанова U.M., Демидов Е. В., Демидова Е. Р., Звонков В. Н., Карпович И. А., Малкина И. Г. Фотолюминесценция в 5-легированных углеродом сверхрешетках в арсениде галлия. ФТП, 1993, т.26, № 10, с.1848−1849.
  423. Damen Т.С., Fritze М., Kastalsky А., Cunningham J.E., Pathak R.N., Wang Н., Shah J. Time-resolved study of carrier capture and recombination in monolayer Be delta-doped GaAs. Appl. Phys. Lett. 1995, v.67, № 4, p.515−517.
  424. Buyanova I.A., Chen W.M., Henry A., Ni W.-X., Hansson G.V., Monemar B. Photoluminescence of the. two-dimensional hole gas in p-type 5-doped Si layers. Phys.Rev.B, 1996, v.53, № 15, p.9587−9590.
  425. Manoogian A., Wooley J.C. Temperature dependence of the energy gap in semiconductors. Canad. J. Phys., 1984, v.62, № 3, p.285−287.
  426. М.И., Перель В. И. О спиновой ориентации электронов при межзонном поглощении света в полупроводниках. ЖЭТФ, 1971, т.60, № 5, с.1954−1965.
  427. Wagner J., Schneider Н., Richards D., Fischer A., Ploog K. Observation of extremely long electron spin relaxation time in p-type 5-doped GaAs/AlxGai-xAsdouble heterostructures. Phys.Rev.B, 1993, v.47, № 8, p.4786−4789.
  428. Fasol G., Ploog К., Bauser Е. Luminescence from hot electrons relaxing by LO phonon emission in p-GaAs and GaAs doping superlattices. Solid State Commun., 1985, v.54, № 5, p.383−387.
  429. Tersoff J. Recent models of Schottky barrier formation. J. Vac. Sci. Technol. B, 1985, v.3, № 4, p.1157−1161.
  430. Chadi D.J. Atomic and electronic structures of (111), (211), and (311) surfaces of GaAs. J. Vac. Sci. Technol. B, 1985, v.3, № 4, p.1127−1169.
  431. Alperovich V.L., Jaroshevich A.S., Scheibler H.E., Terekhov A.S. Determination of built-in electric fields in delta-doped GaAs structures by phasesensitive photoreflectance. Solid State Electron., 1994, v.37, № 4−6, p.657−660.
  432. Scheibler H.E., Alperovich V.L., Jaroshevich A.S., Terekhov A.S. Fourier resolution of surface and interface contributions to photoreflectance spectra of multilayered structures, phys. stat. solidi (a), 1995, v.152, p.113−122.
  433. Sipahi G.M., Enderlein R., Scolfaro L.M.R., Leite J.R. Band structure of holes in p-type 5-dopingquantum wells and superlattices. Phys.Rev.B, 1996−1, v.53, № 15, p.9930−9942.
  434. Enderlein R., Sipahi G.M., Scolfaro L.M.R., Leite J.R. Density functional theory for holes in semiconductors. Phys.Rev.Lett, 1997, v.79, № 19, p.3712−3715.
  435. Enderlein R., Sipahi G.M., Scolfaro L.M.R., Leite J.R. Diaz I.F.L. Comparative studies of photoluminescence from n and p 6-doping wells in GaAs. Mater.Sci.Eng., 1995, V. B35, p.396−400.
  436. Ploog K., Dohler G.H. Compositional and doping superlattices in III-V semiconductors. Advances in Physics, 1983, v.32, № 3, p 285−359.
  437. А.П. Полупроводниковые сверхрешетки. УФН, 1985, т.147, № 3, с.485−521.
  438. Joyce В. A, Neave J.H., Zhang J., Vvedensky D.D., Clarke S., Hugill K.J., Shitara T. and Myers-Beaghton A.K. Growth of III-V compounds on vicinal planes by molecular beam epitaxy. Semicond.Sci.Tecnol. 1990, v.5, № 12, p.1147−1154.
  439. Scalbert D., Cernogora J., Benoit a la Guillaume C., Maaref M., Charfi F.F., Planel R. Nature of the lowest. electron states in short period GaAs-AlAs superlattices of type II. Solid State Comm., 1989, v.70, № 10, p.945−949.
  440. Spain I.L., Scolnick M.S., Smith G.W., Saker M.K., Whitehouse C.R. Photoluminescence spectroscopy in GaAs/AlAs superlattices as a function of temperature and pressure: The influence of sample quality, Phys.Rev.B, 1991, v.43, № 17, p.14 091−14 098.
  441. Cingolani R., Baldassarre L., Ferrara M., Lugara M., Ploog K. Type-I-type-II transition in ultra-shortperiod GaAs/AlAs superlattices, Phys.Rev.B, 1989, v.40, № 9, p.6101−6107.
  442. Finkman E., Sturge M.D., Tamargo M.C. X-point excitons in AlAs/GaAs superlattices. Appl.Phys.Lett., 1986, v.49, p.1299−1301.
  443. Chiari A., Colocci M., Fermi F., Yuzhang Li, Querzoli R., Vinattieri A., Zhuang A. Temperature Dependence of the Photoluminescence in GaAs-GaAlAs Multiple Quantum Well Structures, phys. stat. sol. (b), 1988, v.147, p.421−429.
  444. Г. П., Коваленко В. Ф., Куценко В. Н. Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов. Техн1ка. К. (1986).
  445. Zacks Е., Halperin A. Dependence of the Peak Energy of the Pair-Photoluminescence Band on Excitation Intensity, Phys.Rev.B, 1977, v.6, № 8, p.3072−3075.
  446. Moore K.J., Duggan G., Dawson P., Foxon C.T. Optical, vibrational and electronic properties of short period GaAs-AlAs superlattices. Superlat. and Microstr., 1989, v.5, № 4, p.481−485.
  447. Nakayama Masaaki, Tanaka Isao, Kimura Ikuo, Nishimura Hitoshi. Photoluminescence Properties of GaAs/AlAs Short-Period Superlattices. Jpn.J.Appl.Phys.1990, v.29, № 1, p.41−47.
  448. Gonzalez L., and Ruiz A., Contreras-Solorio D.A., Vilasco V.R., and Garsia-Moliner F. Opticalanisotropy of (113)-oriented GaAs/AlAs superlattices, Phys.Rev.B, 1994, v.49, p.14 020−14 023.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!