Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Динамические, шумовые и спектральные характеристики лазеров на квантовых точках

Диссертация: Динамические, шумовые и спектральные характеристики лазеров на квантовых точках
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Показано, что для увеличения предельной частоты модуляции, и реализации высоких скоростей оптической передачи в лазерах на основе квантовых точек требуется увеличение насыщенного усиления, что может быть достигнуто увеличением числа слоев с квантовыми точками. Проведена оптимизация конструкции многослойных массивов квантовых точек, которая позволила реализовать низкопороговую лазерную генерацию… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Мощностные характеристики лазеров на квантовых точках и их надежность
    • 1. 1. Синтез структур с квантовыми точками на промышленных установках молекулярно-пучковой эпитаксии
    • 1. 2. Стабильность генерации через основное состояние квантовых точек
    • 1. 3. Мощные лазеры на квантовых точках
    • 1. 4. Надежность лазеров на квантовых точках
  • Выводы по Главе 1
  • Глава 2. Динамические характеристики лазеров на квантовых точках
    • 2. 1. Введение, методы измерения и анализа динамических лазерных характеристик
    • 2. 2. Модуляционные характеристики лазеров на квантовых точках
  • Влияние компрессии усиления
    • 2. 3. Высокоскоростная передача данных с использованием лазеров на квантовых точках
    • 2. 4. Влияние модулированного легирования активной области акцепторной примесью на температурную зависимость динамических характеристик и дифференциального усиления
    • 2. 5. Модуляционные характеристики лазеров с распределенной обратной связью на квантовых точках
  • Выводы по Главе 2
  • Глава 3. Исследование коэффициента уширения линии генерации (а-фактора) в лазерах на квантовых точках
    • 3. 1. Введение
    • 3. 2. Экспериментальное определение коэффициента уширения линии генерации в лазерах на квантовых точках спектрального диапазона
    • 1. 3. мкм
    • 3. 3. Влияние модулированного легирования акцепторной примесью на температурную зависимость коэффициента уширения линии генерации
    • 3. 4. Влияние паразитной оптической обратной связи на характеристики лазеров на квантовых точках
  • Выводы по Главе 3
  • Глава 4. Полупроводниковые лазеры на основе квантовых точек со сверхширокими спектрами усиления и генерации
    • 4. 1. Введение
    • 4. 2. Формирование широких спектров усиления в массиве квантовых точек
    • 4. 3. Лазеры с широким диапазоном внешней перестройки на основе массивов квантовых точек с преднамеренно внесенной разупорядоченностью
    • 4. 4. Инжекционные лазеры на основе квантовых точек со сверхширокими спектрами генерации
  • Выводы по Главе 4
  • Глава 5. Широкополосные лазерные диоды на основе квантовых точек с низким шумом отдельных продольных мод для систем со спектральным уплотнением каналов
    • 5. 1. Введение: шумовые характеристики лазеров на квантовых точках
    • 5. 2. Анализ возможности использования индивидуальной продольной моды в системах высокоскоростной оптической связи
    • 5. 3. Высокоскоростная передача данных с помощью широкополосного лазера на квантовых точках
    • 5. 4. Система со спектральным уплотнением каналов на основе многочастотного лазера на квантовых точках
  • Выводы по Главе 5

Динамические, шумовые и спектральные характеристики лазеров на квантовых точках (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

В последние годы объем информации, передаваемой между компьютерами, продолжает быстро расти. По имеющимся оценкам с 2005 по 2009 год мировой трафик вырос 2 до 9 петабайт/месяц. Медные линии уже не справляются с увеличивающимися требованиями к ширине полосы передачи данных. В связи с этим, сети следующего поколения будут базироваться на оптических каналах связи. Таким образом, оптическая передача информации является одной из наиболее перспективных областей применений полупроводниковых лазеров.

В настоящее время в сетях передачи данных используются лазеры с распределенной обратной связью на квантовых ямах. Однако такие лазеры обладают рядом внутренне присущих недостатков, в числе которых низкая температурная стабильность, влияние отражающегося от оптоволокна света на работу лазера (оптическая обратная связь), изменение длины волны излучения при модуляции током (чирп), сложность изготовления, в особенности для высокоскоростной многоканальной связи. Компенсация этих недостатков приводит к высокой стоимости лазерных модулей и препятствует их широкому внедрению.

К моменту начала настоящей работы теоретически было предсказано, что избежать многих недостатков лазеров на основе квантовых ям позволяет использование лазеров с активной областью на основе нульмерных наноструктур — квантовых точек (КТ). В связи с этим в качестве объекта исследования были выбраны лазеры на основе самоорганизующихся КТ в системе материалов 1пОаА1Аз на подложках ОаАэизлучающие в спектральном диапазоне около 1.3 мкм.

Физика и технологияприборов на основе КТ является одной' из наиболее бурно развивающихся областей современной электроники. Вскоре после реализации первого лазера на КТ [1] была экспериментально продемонстрирована возможность достижения низкопороговой генерации, в том числе в непрерывном режиме, показана возможность достижения длины волны генерации в диапазоне оптической связи, а также достигнут значительный прогресс в области теоретического описания свойств лазеров на КТ. Однако не было достигнуто комплексного понимания взаимосвязи приборных характеристик между собой и с фундаментальными физическими свойствами КТ. В результате улучшение одного приборного параметра (например, снижение пороговой плотности тока) сопровождалось ухудшением других (например, 1 резким уменьшением эффективности). Более того, такие важные для приборных применений параметры, как динамические, шумовые и, отчасти, спектральные характеристики оставались вне исследований. Во многих случаях, наблюдаемые свойства структур определялись не физическими свойствами КТ, а невоспроизводимостью ростовых режимов, низким качеством интерфейсов, наличием дефектов и дислокаций.

Основной целью работы являлось комплексное исследование динамических, шумовых и спектральных характеристик лазеров на основе квантовых точек, определение их взаимосвязи с фундаментальными физическими свойствами квантовых точек, определение методов оптимизации приборных характеристик, а также разработка на основе полученных знаний нового поколения оптоэлектронных приборов с улучшенными по сравнению с существующими аналогами характеристиками.

Методы исследования. Лазерные структуры выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием оборудования промышленного класса, что обеспечивает высокое кристаллическое и оптическое совершенство структур, а также высокую воспроизводимость результатов, и дает возможность систематически изучать влияние параметров массивовквантовых точек, определяющих их фундаментальные свойства, на характеристик приборов на их основе. Для изготовления лазеров на квантовых точках использовалась оптическая и электронная литография и плазмохимическое травление. Исследуемые приборные параметры лазеров включали их ватт-амперные характеристики, спектры усиления и генерации, деградационные, модуляционные и шумовые характеристики.

Научные положения, выносимые на защиту

1. О компрессии усиления.

Лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек характеризуются, по сравнению с лазерами на квантовых ямах, сильной компрессией оптического усиления с ростом концентрации фотонов в резонаторе. Это приводит к сильному демпфированию релаксационных колебаний, насыщению интенсивности генерации через основное состояние, уширению спектра лазерной генерации, возникновению генерации через возбужденное состояние при увеличении тока накачки.

2. О влиянии насыщенного усиления.

В лазерах на квантовых точках увеличение насыщенного усиления приводит к снижению коэффициента уширения линии, уменьшению его зависимости от тока, а также предотвращению генерации через возбужденное состояние вплоть до токов, многократно превышающих порог генерации.

3. О модулированном легировании.

Лазеры на квантовых точках с модулированным легированием акцепторной примесью обладают увеличенной по сравнению с нелегированными структурами температурной стабильностью дифференциального усиления, эффективности модуляции и коэффициента уширения линии.

4. О сверхшироких спектрах усиления и генерации.

В лазерах на основе нескольких слоев квантовых точек, центральная длина волны которых преднамеренно меняется от слоя к слою, уже при малых плотностях тока накачки достигаются сверхширокие спектры усиления и генерации, перекрывающие диапазон длин волн от основного до возбужденных оптических переходов.

5. О шуме интенсивности продольных мод.

В лазерах на квантовых точках относительный шум интенсивности продольных мод мал по сравнению с лазерами на квантовых ямах. Это позволяет использовать отдельные продольные моды для безошибочной передачи данных с высокой скоростью.

Научная новизна работы состоит в следующем.

— Впервые установлена причина возникновения генерации через возбужденное состояние при больших токах инжекции и сформулированы условия генерации на основном состоянии вплоть до высоких выходных мощностей.

— Впервые исследовано явление компрессии усиления в лазерах на квантовых точках, его взаимосвязь с демпфированием релаксационных колебаний, уширением спектров лазерной генерации, уровнем шумов, определен коэффициент компрессии усиления.

— Впервые исследовано влияние модулированного легирования квантовых точек примесью р-типа на температурную стабильность модуляционных характеристик и фактора уширения линии, продемонстрирован эффект уменьшения их температурной зависимости.

— Впервые проведены систематические исследования зависимости эффективности модуляции и фактора уширения линии от числа слоев квантовых точек в активной области. Впервые обнаружен и объяснен эффект уменьшения паразитного влияния оптической обратной связи в лазерах на квантовых точках.

— Впервые предложен метод для достижения сверхшироких однородных спектров усиления и лазерной генерации с помощью нескольких слоев квантовых точек, центральная длина волны которых преднамеренно меняется от слоя к слою.

— Впервые показано, что относительный шум интенсивности отдельных продольных мод в лазерах на квантовых точках мал и продемонстрирована возможность использования продольных мод в качестве, отдельных каналов для параллельной передачи данных.

Таким образом, в ходе работы проведено комплексное исследование приборных характеристик лазеров на основе квантовых точек, выявлены их особенности, обусловленные фундаментальными физическими свойствами самоорганизующихся квантовых точек, а также определены методы оптимизации приборных характеристик путем целенаправленного изменения свойств активной области и конструкции лазеров.

Практическая значимость работы состоит в том, что в ней:

— Впервые реализованы сверхмощные лазеры на квантовых точках (16 Вт в многомодовом лазере и 850 мВт в пространственно-одномодовом лазере) с длиной волны свыше 1.2 мкм и продемонстрирована их высокая надежность (срок службы более миллиона часов).

— Впервые продемонстрированы одночастотные лазеры на квантовых точках с распределенной обратной связью с длиной волны в диапазоне 1.3 мкм, которые могут быть использованы в качестве оптического источника, работающего без системы термостабилизации в оптоволоконных сетях передачи информации средней дальности, обеспечивая температурно-стабильную (25−85°С) безошибочную передачу данных со скоростью 10 Гбит/с.

— В лазерах на квантовых точках продемонстрирован эффект уменьшения влияния паразитной обратной связи, который позволяет реализовать ввод излучения в волокно без оптического изолятора и тем самым упростить лазерный модуль. Продемонстрирована передача данных на расстояние 20 км со скоростью 10 Гбит/с без оптических изоляторов.

— Разработаны мощные (> 200 мВт) одночастотные лазеры, перестраиваемые в широком (> 160 нм) диапазоне длин волн, а также лазеры со сверхширокими (> 75 нм) спектрами генерации и высокой спектральной плотностью мощности излучения (>10 мВт/нм).

— Продемонстрирована возможность использования многочастотного лазера на квантовых точках, обладающего низким шумом отдельных продольных мод, в качестве многоканального оптического передатчика в будущем поколении систем со спектральным уплотнением каналов, обеспечивающих скорость передачи данных > 500 Гбит/с.

Таким образом, в ходе работы разработана технология и продемонстрированы лазеры на квантовых точках" спектрального диапазона 1.2 —1.36 мкм с рекордными характеристиками, превосходящими существующие аналоги, перспективные для высокоскоростной оптической передачи данных, а также для медицинских целей, удвоения частоты, спектроскопии, атмосферного мониторинга и других применений.

В результате диссертационной работы сформировалось новое научное направление в физике полупроводников — физика и технология лазеров на квантовых точках, управление их приборными характеристиками и их использование для высокоскоростной оптической передачи данных.

Апробация работы. Результаты, вошедшие в диссертационную работу, докладывались и обсуждались на Всероссийских и международных конференциях и симпозиумах: 9−15 Международных симпозиумах «Наноструктуры: Физикаи Технология» (Санкт-Петербург, 2000, 2001, 2002, 2003, 2004, 2005, 2007) — Международных конференциях Западная фотоника (Сан ХосеСША 2006, 2007, 2008, 2009, 2010) — Международных конференциях Европейская фотоника (Страсбург, Франция, 2004; Мюнхен, Германия, 2007) — 25 — 28 Международных конференциях по физике полупроводников (Осака, Япония, 2000; Эдинбург, Великобритания, 2002; Флагстафф, США, 2004, Вена, Австрия 2006) — 31 Европейской конференции по оптической коммуникации (Глазго, Шотландия, 2005) — 12 Международной конференции по микроволновому излучению и телекоммуникации (Севастополь, Украина, 2002) — Конференциях по лазерам и электрооптике (CLEO) (Сан Франциско, США, 2004; Балтимор США 2005; Лонг Бич США 2006) — 5 Белорусско-Российском семинаре «Полупроводниковые лазеры и системы» (Минск, Беларусь, 2005) — 19 международной конференции по полупроводниковым лазерам (Шимане, Япония, 2004) — 29 ежегодной конференции по волоконно-оптической связи (Лос-Анджелес, США, 2004) — 2 Международной конференции по полупроводниковым квантовым точкам (Токио, Япония, 2002) — 12 Международной конференции по динамике неравновесных носителей в полупроводниках (Санта-Фе, США, 2001) — Международном симпозиуме по электронным приборам и материалам (Тайпей, Тайвань, 2002). Результаты исследований опубликованы в 65 научных статьях.

Основные результаты работы

1. Продемонстрирована высокая однородность и воспроизводимость параметров структур с квантовыми точками, синтезируемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии.

2. Показано, что в лазерах на квантовых точках при увеличении тока накачки может происходить насыщение интенсивности излучения на длине волны основного оптического перехода и возникновение линии генерации на длине волны возбужденного оптического перехода. На основе скоростных уравнений для носителей заряда и фотонов разработан теоретический подход для описания ватт-амперных характеристик лазеров на квантовых точках. Показано, переход к генерации через возбужденное состояние обусловлен относительно медленной скоростью релаксации носителей заряда на основное состояние и их накоплением на возбужденном состоянии. Показано, что порог генерации через возбужденное состояние возрастает при уменьшении оптических потерь и при увеличении насыщенного усиления на основном состоянии.

3. Продемонстрировано, что в лазерах на квантовых точках возможно подавление перехода к генерации через возбужденное состояние вплоть до высоких токов накачки и достижение высокой дифференциальной эффективности 88% и выходной мощности на длине волны около 1.3 мкм (16 Вт в многомодовом режиме, 850 мВт в пространственно-одномодовом режиме).

4. Продемонстрировано, что амплитудно-частотная характеристика лазеров на квантовых точках диапазона 1.3 мкм сильно демпфирована вследствие высокого значения коэффициента компрессии усиления, которое оценено равным 10 см и более чем на порядок: превышает типичные значения для: лазеров на квантовых: ямах. Это обусловлено относительно> низкой скоростью захвата носителей заряда наосновное состояние квантовых точек.

5. Показано, что для увеличения предельной частоты модуляции, и реализации высоких скоростей оптической передачи в лазерах на основе квантовых точек требуется увеличение насыщенного усиления, что может быть достигнуто увеличением числа слоев с квантовыми точками. Проведена оптимизация конструкции многослойных массивов квантовых точек, которая позволила реализовать низкопороговую лазерную генерацию в структурах, содержащих 10 рядов КТ 1пАз/1пСаА8, излучающих в диапазоне длин волн 1.3 мкм. Продемонстрировано, что увеличение числа слоев квантовых точек в активной области лазеров с 5 до 10 позволяет увеличить частоту релаксационных колебаний с 5.6 до 7 ГГц. Продемонстрирована безошибочная передача на скорости 10Гбит/с при комнатной температуре с помощью лазера на основе 10 рядов квантовых точек.

6. Показано, что в лазерах с квантовыми точками модулированное легирование активной области акцепторной примесью позволяет повысить температурную стабильность дифференциального усиления и, как результат, эффективности модуляции по сравнению с нелегированнымианалогами. Продемонстрированы одночастотные температурно-стабильные лазеры с распределенной обратной связью с модулированным-легированием активной области и длиной волны генерации свыше 1.32 мкм. Продемонстрировано, что подобные лазеры позволяют реализовать безошибочную передачу на скорости 10 Гбит/с при повышенных температурах (до 85°С) с дальностью связи до 20 км.

7. Показано, что в лазерах на основе квантовых точек значение коэффициента уширения линии генерации может быть уменьшено с помощью увеличения числа слоев квантовых точек в активной области. Продемонстрированы рекордно-низкие значения а-фактора (менее 4) при комнатной температуре вплоть до 12-кратного превышения порога лазерной генерации в лазерах спектрального диапазона 1.3 мкм на основе 10 рядов квантовых точек. В то же время показано, что повышение температуры влазерах с нелегированной активной областью вызывает сильный рост а-фактора особенно при высоких значениях тока накачки.

8. Показано, что модулированное р-легирование активной области лазеров на основе многослойных массивов квантовых точек позволяет достичь высокой температурной и токовой стабильности а-фактора. В лазере на основе 10 рядов квантовых точек с-легированием достигнуты рекордно-низкие значения а-фактора (3.2) при 80 °C и токе, превышающем пороговое значение в 4 раза.

9. В лазерах на основе квантовых точек, благодаря низким значениям а-фактора, продемонстрировано значительное (20 дБ) повышение порога срыва когерентности по сравнению с лазерами на основе квантовых ям. При передаче данных на расстояние 20 км со скоростью ЮГбит/сек пороговое значения обратной связи, при которых происходит срыв когерентности, составило -12 дБ, что согласно стандартной спецификации позволяет использовать данные лазеры без дополнительных оптических изоляторов.

Ю.Предложен метод управленияформой' спектров усиления* лазерных диодов с помощью-использования-нескольких слоев квантовых точек, центральная длина волны которых преднамеренно меняется от слоя к слою. Экспериментальнопродемонстрировано, что использование этого метода позволяет уже при, малых плотностях тока накачки достичь сверхбольшой ширины спектров усиления за счет вклада основного, а также первого и второго возбужденных оптических переходов. Продемонстрирована1 возможность непрерывной перестройки длины волны пространственно-одномодового лазера на основе подобной активной области в диапазоне длин волн 175 нм. Выходная мощность превышала 200 мВт в данном спектральном диапазоне, максимальная выходная мощность составила более 600 мВт.

11.Развита аналитическая модель для описания эффекта уширения спектра генерации в лазерах на основе квантовых точек, проведена оптимизация активной области и конструкции лазерного диода на основе предсказаний модели. Впервые продемонстрирована многочастотная лазерная генерация через основное состояние массива квантовых точек с шириной спектра более 26 нм при спектральной плотности мощности более 10мВт/нм. Показано, что использование нескольких слоев квантовых точек, центральная длина волны которых преднамеренно меняется от слоя к слою, позволяет достичь сверхшироких спектров лазерной генерации (более 75 нм), обладающих высокой спектральной однородностью плотности мощности.

Продемонстрировано, что шум относительной интенсивности выделенной продольной моды в лазере на квантовых точках составляет менее -125 дБ/Гц и более чем на 10 дБ/Гц ниже значений в лазерах на квантовых ямах. Этот результат может быть объяснен взаимосвязью между демпфированием релаксационных колебаний, которое имеет место в лазерах на квантовых точках, и флуктуациями. плотности фотонов в резонаторе. Продемонстрирован лазер на КТ у которого интегральное значение шума относительной интенсивности составляет менее 0.2% каждая для каждой из 50 продольных мод.

13. Экспериментально продемонстрирована безошибочная передача

13 данных (вероятность ошибок <10″) со скоростью 10 Гбит/с с помощью спектрально-выделенной моды резонатора Фабри-Перо лазера на квантовых точках.

14.Предложена новая конструкция оптического источника для систем многоканальной оптической связи со спектральным уплотнением каналов на основе лазерного диода на квантовых точках, способного одновременно излучать большое число продольных оптических мод, каждая их которых служит отдельным каналом для передачи данных.

Таким образом, в ходе работы проведено комплексное исследование динамических, шумовых и спектральных характеристик лазеров на основе квантовых точек, определена взаимосвязь приборных характеристик с фундаментальными физическими свойствами квантовых точек, проведена оптимизация активной области, конструкции лазерных диодов и методов их изготовления, которая позволила достичь высокую воспроизводимость характеристик, высокую мощность в сочетании с длиной волны излучения в диапазоне около 1.3 мкм, высокую скорость передачи данных в широком диапазоне температур, высокую устойчивость по отношению к паразитной оптической обратной связи, сверхширокие спектры усиления иt генерации. Можно констатировать, что в результате работы создано новое поколения оптоэлектронных приборов с улучшенными по сравнению" с существующими аналогами характеристиками.

Благодарности. В заключение считаю своим приятным долгом поблагодарить за дружескую поддержку и помощь своих коллег, сотрудников лаборатории нанофотоники СПб АУ НОЦНТ РАН, а также сотрудников лаборатории физики полупроводниковых гетероструктур Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе, чьи исследования внесли значительный вклад в эту работу. Выражаю искреннюю признательность член-корр. РАН проф. А. Е. Жукову, член-корр. РАН проф. В. М. Устинову, член-корр. РАН проф. П. С. Копьеву, член-корр. РАН проф. H.H. Леденцову, д.ф.-м.н. М. В. Максимову, д.ф.-м.н. А. Ю. Егорову, к.ф.-м.н. Ю. М. Шернякову, к.ф.-м.н. Н. Ю. Гордееву, к.ф.-м.н. Д. А. Лившицу, к.ф.-м.н. И. Л. Крестникову, к.ф.-м.н. А. Е. Губенко и к.ф.-м.н. С. С. Михрину совместно с которыми были проведены многие эксперименты по эпитаксиальному выращиванию структур на основе самоорганизующихся квантовых точек, а также исследованию их оптических и структурных свойств. Отдельную благодарность хочу выразить академику Ж. И. Алферову за постоянно ощутимый интерес к работе и неоценимую помощь. Я также благодарен и многим другим сотрудникам СПб АУ НОЦНТ РАН и ФТИ.

Заключение

Показать весь текст

Список литературы

  1. А. Ф. Цацульников, Н. Н. Леденцов, М. В. Максимов и др., «Фотолюминесценция массивов вертикально связанных напряженных квантовых точек InAs в матрице GaAs (lOO)», ФТП 30(10), 1822−1830 (1996).
  2. А. Е. Жуков, А. Ю. Егоров, А. Р. Ковш и др., «Инжекционный лазер на основе массива вертикально совмещенных квантовых точек InGaAs в матрице AlGaAs», ФТПЪ1(4), 483−487 (1997).
  3. V.M.Ustinov, А. Е. Zhukov, A. Yu. Egorov et al., «Extremely low threshold AlGaAs/InGaAs quantum dot injection laser», Inst. Phys. Conf. Ser. No 155(7), 557−560 (1997).
  4. А. Ю. Егоров, A. P. Ковш, A. E. Жуков и др., «Термодинамический анализ процесса роста четверных соединений AIIIBV при молекулярно-пучковой эпитаксии на примере соединений GaxInixPYAsiY» ФТП, 31(10), 1153−1157(1997)
  5. С. В. Зайцев, Н. Ю. Гордеев, В. И. Копчатов и др., «Лазеры на квантовых точках: основные компоненты пороговой плотности тока» ФТП 31(9), 1106−1108 (1997)
  6. Ю. М. Шерняков, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков и др., «Инжекционный гетеролазер с квантовыми точками, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре с выходной мощностью 1 Вт», Письма в ЖТФ, 23(4), 51−54 (1997).
  7. А. Р. Ковш, А. Е. Жуков, А. Ю. Егоров и др., «Влияние поверхностной концентрации квантовых точек в активной, области на характеристики инжекционных лазеров», ФШ 32(9), 1114−1118 (1998).
  8. A. P. Ковш, A. E. Жуков, А. Ю. Егоров и др., «Особенности усиления в инжекционных лазерах на основе самоорганизующихся квантовых точек», Ф777 33(2), 215−223 (1999).
  9. A. R. Kovsh, А. Е. Zhukov, A. Yu. Egorov et al., «Molecular beam epitaxy (MBE) growth of composite (In, Al) As/(In, Ga) As vertically coupled quantum dots and their application in injection lasers», J. Cryst. Growth 201−202(1), 1117−1120 (1999).
  10. A. E. Жуков, A. P. Ковш, В. М. Устинов и др., «Характеристики усиления инжекционных лазеров на квантовых точках», ФТП 33(9), 1111−1114(1999).
  11. А. Р. Ковш, Д. А. Лившиц, А. Е. Жуков и др., «Инжекционный гетеролазер на основе квантовых точек с выходной мощностью излучения 3.3 Вт», Письма вЖТФ 25(11), 41−46 (1999).
  12. А. Е. Zhukov, A. R. Kovsh, V.M.Ustinov et al., «Gain characteristics of quantum dot injection lasers», Semicond. Sci. Technol. 14(1), 118−123
  13. А. Р. Ковш, A. E. Жуков, H. А. Малеев и др., «Лазерная генерация с длиной волны излучения в районе 1.3″ мкм в структурах на основе квантовых точек InAs», ФТП 33(8), 1020−1023 (1999).
  14. Б. В. Воловик, А. Ф. Цацульников, Д. А. Бедарев и др., «Длинноволновое излучение в структурах с квантовыми точками, полученными при стимулированном распаде твердого- раствора на напряженных островках», ФШЗЗ (8), 990−995 (1999).
  15. A. R. Kovsh, А. Е. Zhukov, D. A. Livshits et al, «3.5 W CW operation of quantum dot laser», Electron. Lett. 35(14), 1161−1163 (1999).
  16. C. С. Михрин, А. Е. Жуков, A. P. Ковш и др., «Пространственно одномодовый лазер диапазона 1.25−1.28 мкм с квантовыми точками InAs на подложке GaAs», Ф777 34(1), 117−120 (2000).
  17. А. Ф. Цацульников, Б. В. Воловик, Д. А. Бедарев и др., «Механизмы распада твердого раствора InGaAlAs, стимулированного квантовыми точками InAs», ФТП 34(3), 330−333 (2000).
  18. В. М. Устинов, Н. А. Малеев, А. Е. Жуков и др., «Вертикальногизлучающие приборы на основе структур с квантовыми точками», Успехи физических наук 171(8), 855−856 (2001).
  19. М. Kuntz, N. N. Ledentsov, D. Bimberg et al, «Spectrotemporal response of 1.3 jim quantum-dot lasers», AppL Phys. Lett. 81(20), 3846−3848 (2002).
  20. С. С. Михрин, А. Е. Жуков, A. P. Ковш и др., «Высокоэффективные (tid>80%) длинноволновые (Я>1.25 мкм) лазеры на основе квантовых точек на подложках GaAs», ФТП т. 36(11), 1400−1406 (2002).
  21. А. R. Kovsh, N. A. Maleev, А. Е. Zhukov et al, «InAs/InGaAs/GaAs quantum dot lasers of 1.3 mm range with high (88%) differential Efficiency», Electron. Lett. 38(19), 1104- 1106 (2002).
  22. Ch. Ribbat, R. L. Sellin, I. Kaiander et al., «Complete suppression of filamentation and superior beam quality in quantum-dot lasers», Applied Physics Letters, 82(6), 952−954 (2003).
  23. A. R. Kovsh, N. A. Maleev, A. E. Zhukov et al., «InAs/InGaAs/GaAs quantum dot lasers of 1.3 jim range with enhanced optical gain», J. Cryst. Growth. 251(1−4), 729−736 (2003)
  24. A. E. Жуков, A. P. Ковш, С. С. Михрин и др., «Метаморфные лазеры спектрального диапазона 1.3 мкм, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs», ФТП, 37(9), 1119−1122 (2003).
  25. М. Kuntz, G. Fiol, М. Lammlin et al., «10 Gbit/s data modulation using 1.3 (Ш1 InGaAs quantum dot lasers», Electron. Lett. 41(5), 244−245 (2005).
  26. A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, D. A. Livshits et al., «Output power and its limitation in ridge-waveguide 1.3 цт wavelength quantum-dot lasers», Semicond. Sci. Technol., 18(8), 774−781 (2003).
  27. A. E. Жуков, А. П. Васильев, A. P. Ковш и др., «Лазерная генерация на длине волны 1.5 мкм в структурах с квантовыми точками на подложках GaAs», ФТП, 37(12), 1461−1463 (2003).
  28. А. R. Kovsh, А. Е. Zhukov, N. A. Maleev et al., «High power lasers based on submonolayer InAs/GaAs quantum dots and InGaAs quantum wells», Proc. ofSPIE, 5023, 353−356 (2003).
  29. M. Kuntz, G. Fiol, M. Laemmlin et al., «Direct modulation and mode locking of 1.3 im quantum dot lasers», New J. Phys., 6(181), 1−11 (2004).
  30. K. T. Tan, C. Marinelli, M. G. Thompson et al., «High bit rate and elevated temperature data transmission using InGaAs quantum-dot lasers», IEEE Photon. Technol. Lett., 16(5), 1415−1417 (2004).
  31. G. Huyet, S. P. Hegarty, D. O’Brien et al., «Damping and feedback characteristics of quantum dot semiconductor lasers», Proc. of SPIE, 5452, 509−517 (2004).
  32. G. Huyet, D. O’Brien, S. P. Hegarty et al., «Reduced sensitivity to external feedback in quantum dot lasers», Proc. of SPIE, 5631, 21−28 (2004).
  33. A. R. Kovsh, N. N. Ledentsov, S. S. Mikhrin et al., «Long-wavelength (1.3 -1.5 micron) quantum dot lasers based on GaAs», Proc. of SPIE, 5349, 31−452 004).
  34. Krestnikov, D. Livshits, S. Mikhrin et al., «Reliability study of InAs/InGaAs quantum dot diode lasers», Electron. Lett., 41(24), 1330−1331
  35. A. Wilk, A. R. Kovsh, S. S. Mikhrin et al, «High-power 1:3 mm InAs/GalnAs/GaAs QD lasers grown in a Multiwafer MBE production system», J. Cryst. Growth., 278(1−4), 335−341 (2005).
  36. JI. Я. Карачинский, Т. Kettler, H. Ю. Гордеев и др., «Непрерывный режим генерации одномодовых метаморфных лазеров на квантовых точках спектрального диапазона 1.5 мкм», ФТП, 39(12), 1464−1468 (2005).
  37. S. S. Mikhrin, A. R. Kovsh, I. L. Krestnikov et al, «High power temperature-insensitive 1.3 цт InAs/InGaAs/GaAs quantum dot lasers», Semicond. Set Technol., 20(5), 340−342 (2005).
  38. Z. Mi, S. Fathpour, P. Bhattacharya et al., «Temperature dependent output characteristics of ?"-doped 1.1 and 1.3 jim quantum dot lasers», Proc. of SPIE, 5722, 60−71 (2005).
  39. И. И. Новиков, H. Ю. Гордеев, Л. Я. Карачинский и др., «Влияние р-легирования активной области на температурную стабильность характеристик лазеров на InAs/GaAs-квантовых точках», ФТП, 39(4), 502−506 (2005).
  40. М. Laemmlin, G. Fiol, С. Meuer et al., «Self organized quantum dots for 1.3 jim photonic devices», Proc. of SPIE, 6350, 63500M (l-9) (2006).
  41. M. Rossetti, L. Li, A. Fiore et al., «High-Power Quantum-Dot Superluminescent Diodes With p-Doped Active Region», IEEE Photon. Technol. Lett., 18(18), 1946−1948 (2006).
  42. F. Gerschutz, M. Fischer, J. Koeth et al., «Temperature insensitive 1.3 |xm InGaAs/GaAs quantum dot distributed feedback lasers for 10 Gbit/s transmission over 21 km», Electron. Lett., 42(25), 1457−1458 (2006).
  43. D.-Y. Cong, A. Martinez, K. Merghem et al, «Optimisation of a-factor for quantum dot InAs/GaAs Fabry-Perot lasers emitting at 1.3 |im», Electron: Lett., 43(4), 222−224 (2007).
  44. P. Crump, S. Patterson, S. Elim et al, «Extending the Wavelength Range of Single Emitter Diode Lasers for Medical and Sensing Applications: 12xx-nm quantum dots, 2000-nm wells, > 5000-nm cascade lasers», Proc. of SPIE, 6456, 64560E (1−11) (2007).
  45. A.E. Жуков, A.P. Ковш, E.B. Никитина и др., «Инжекционные лазеры с широким спектром генерации на основе самоорганизующихся квантовых точек», ФТП, 41(5) 625 630 (2007).
  46. A. Gubenko, I. Krestnikov, D. Livshtis et al., «Error-free 10 Gbit/s transmission using individual Fabry-Perot modes of low-noise quantum-dot laser», Electron. Lett., 43(25), 1430−1431 (2007).
  47. A. Kovsh, I. Krestnikov, D. Livshits et al., «Quantum dot laser with: 75 nm broad spectrum of emission», Opt. Lett., 32(7) 793−795 (2007).
  48. И. И. Новиков, H. Ю. Гордеев, M. В. Максимов и др., «Инжекционные лазеры на квантовых точках с высоким оптическим усилением и длиной волны излучения более 1300 nm», Письма вЖТФ, 34(23), 27−32 (2008).
  49. А. Е. Жуков, А. Р. Ковш, «Полупроводниковые лазеры на основе квантовых точек для систем оптической связи», Квант. Электроника, 38(5), 409−423 (2008).
  50. A. Kovsh, A. Gubenko, I. Krestnikov et al., «Quantum dot comb-laser as efficient light source for silicon photonics», Proc. of SPIE, 6996, 69960V (112) (2008).
  51. М. V. Maximov, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov et al, «A 1.33 pm InAs/GaAs quantum dot laser with a 46 cm-1 modal gain», Semicond. Sci. Technol., 23(105 004), 1−4 (2008).
  52. И. И. Новиков, H. Ю. Гордеев, M. В. Максимов и др., «Инжекционные лазеры на квантовых точках с высоким оптическим усилением и длиной волны излучения более 1300 нм», Письма в ЖТФ, 34(23), 27−32. (2008)
  53. А. Yu. Nevsky, U. Bressel, I. Ernsting et al, «A narrow-line-width external cavity quantum dot laser for high-resolution spectroscopy in the near-infrared and yellow spectral ranges», Appl Phys. B, 92(4), 501−507 (2008).
  54. D.-Y. Cong, A. Martinez, K. Merghem et al, «Temperature insensitive linewidth enhancement factor of p-type doped InAs/GaAs quantum-dot lasersemitting at 1.3 unn, Appl. Phys. Lett., 92(19), 19 1109(1−3) (2008).
  55. A. Ramdane, A. Martinez, S. Azouigui et al., «Recent advances in long wavelength quantum dot based lasers», Proc. ofSPIE, 6900(690 008) (2008).
  56. G.L. Wojcik, D. Yin, A. R. Kovsh et al, «A single comb laser source for short reach WDM interconnects», Proc. of SPIE, 7230, 72300M (1−12) (2009).
  57. D. Livshits, D. Yin, A. Gubenko et al, «Cost-effective WDM optical interconnects enabled by quantum dot comb lasers», Proc. of SPIE, 7607, 76070W (l-9) (2010).
  58. A. E. Zhukov, M. V. Maximov, N. Yu. Gordeev et al, «Quantum dot lasers with controllable spectral and modal characteristics», Semicond. Sci. Technol. 26,14 004 (2011).
  59. R. Dingle and C.H. Henry, «Quantum effects in heterostructure lasers», US Patent, 3 982 207 (1996)
  60. Y. Arakawa and H. Sakaki, «Multidimensional quantum well laser and temperature dependence of its threshold current», Applied Physics Letters, v.40, No. 11, pp. 939−941 (1982)
  61. G. Park, O.B. Shchekin, D.L. Huffaker and D.G. Deppe, «Low-threshold oxide-confined 1.3-цт quantum-dot laser», IEEE Photonics Technology Letters, v. 12, No.3, pp.230−232 (2000)
  62. L.V. Asryan and R.A. Suris, «Inhomogeneous line broadening and the threshold current density of a semiconductor quantum dot laser», Semiconductor Science and Technology, v. l 1, No.4, pp.554—567 (1996)
  63. M. Grundmann and D. Bimberg, «Theory of random population for quantum dots», Physical Review B, v.55, No.15, pp.9740−9745 (1997)
  64. G. Park, D.L. Huffaker, Z. Zou, O.B. Shchekin and D.G. Deppe, «Temperature dependence of lasing characteristics for long-wavelength (1.3-fim) GaAs-based quantum-dot lasers», IEEE Photonics Technology Letters, v. 11, No.3, pp.301—303 (1999)
  65. H. Benisty, C.M.'Sotomayor-Torres and C. Weisbuch «Intrinsic mechanism for poor luminsecence properties of quantum-box systems», Physical Review B, v.44, No. 19, pp. 10 945−10 948 (1991)
  66. D. Bimberg, M. Grundmann and N.N. Ledentsov, «Quantum Dot Heterostructures», John Wiley & Sons, Chichester, 328 p. (1999)
  67. M. Sugawara, K. Mukai and H. Shoji, «Effect of phonon bottleneck on quantum-dot laser performance», Applied Physics Letters, v.71, No. 19, pp.2791—2793 (1997)
  68. K. Mukai, N. Ohtsuka, H. Shoji and M. Sugawara «Emission from discrete levels in self-formed InGaAs/GaAs quantum dots by electric carrier injection: influence of phonon bottleneck», Applied Physics Letters, v.68, No.21, pp.3013—3015 (1996)
  69. M. Sugawara, «Self-assembled InGaAs/GaAs Quantum Dots», Semiconductors and semimetals, v.60, Academic Press, San Diego, (1999)
  70. H. Dery and G. Eisenstein, «The Impact of Energy Band Diagram and Inhomogeneous Broadening on the Optical Differential Gain in Nanostructure Lasers», IEEE Journal of Quantum Electronics, v.41, No. l, pp.26−35 (2005)
  71. H. Dery and G. Eisenstein, «Self-Consistent Rate Equations of Self-Assembly Quantum Wire Lasers», IEEE Journal of Quantum Electronics, v.40, No. 10, pp.1398—1409 (2005)
  72. D. Klotzkin and P. Bhattacharya, «Temperature Dependence of Dynamic and DC Characteristics of Quantum-Well and Quantum-Dot Lasers: A Comparative Study», Journal of Lightwave Technology, v. 17, No.9, pp. 1634−1642 (1999)
  73. R. Krebs, F. Klopf, S. Rennon, J.P. Reithmaier and A. Forchel, «High frequency characteristics of InAs/GalnAs quantum dot distributed feedbacklasers emitting at 1.3 jj, m», Electronics Letters, v.37, No.20, pp. 1223−1225 (2001)
  74. T. Riedl, A. Hangleiter, J. Porsche and F. Scholz, «Small signal modulation response of InP/GalnP quantum dot lasers», Applied Physics Letters, v.80, No.21, pp.4015−4017 (2002)
  75. G.-L. Lippi, N. Dokhane, X. Hachair, S. Barland and J.R. Tredicce, «High Speed Direct Modulation of Semiconductor Lasers», Proceedings of SPIE, v.4871, pp.103—114 (2002)
  76. S.L. Chuang, «Physics of Optoelectronic Devices», Wiley-Interscience, New York, Chap. 11, 736 p. (1995)
  77. K.Y. Lau, N. Bar Chaim, I. Ury, Ch. Harder and A. Yariv, «Direct amplitude modulation of short — cavity GaAs lasers up to X — band frequencies», Applied Physics Letters, v.43, No. l, pp. 1−3 (1983)
  78. L. Kam and A. Yariv, «Ultra-high speed semiconductor lasers», IEEE Journal of Quantum Electronics, v.21, No.2, pp.121−138 (1985)
  79. T. Ikegami and Y. Suematsu, «Resonance-like characteristics of the direct modulation of a junction laser», Proceedings of the IEEE, v.55, No. l, pp.122—123 (1967)
  80. R. Nagarajan, M. Ishikawa, T. Fukushima, R. Geels and J. Bowers, «High Speed Quantum-Well Lasers and Carrier Transport Effects», IEEE Journal of Quantum Electronics, v.28, No.10, pp.1990−2008 (1992)
  81. L.A. Coldren and S.W. Corzine, «Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits», Wiley-Interscience, 624 p. (1995)
  82. K. Peterman, «Theoretical analysis of spectral modulation behaviour of semiconductor injection lasers», Optical and Quantum Electronics, v. 10, No.3, pp.233−242 (1978)
  83. K.J. Ebeling, L.A. Coldren, B.I. Miller and J.A. Rentschler, «Single-mode operation of coupled-cavity GainAsP /InP semiconductor lasers», Applied Physics Letters, v.42, No. l, pp.6−8 (1983)
  84. D. Marcuse and L. Tien-Pei, «On Approximate Analytical Solutionos of Rate Equations for Studying Transient Spectra of Injection Lasers», IEEE Journal of Quantum Electronics, v.19, No.9, pp.1397−1406 (1983)
  85. M.-H. Mao, T.-Y. Wu, D.-C. Wu, F.-Y. Chang and H.-H. Lin, «Relaxation oscillations and damping factors of 1.3 |im In (Ga)As/GaAs quantum-dot lasers», Optical and Quantum Electronics, v.36, No. 10, pp.927−933 (2004)
  86. H. Su, L. Zhang, A.L. Gray, R. Wang, P.M. Varangis and L.F. Lester, «Gain compression coefficient and above-threshold linewidth enhancement factor in InAs/GaAs quantum DFB lasers», Proceedings of SPIE, v.5722, pp.72—79 (2005)
  87. R. Olshansky, P. Hill, V. Lanzisera and W. Powazinik, «Frequency response of 1.3 jim InGaAsP high speed semiconductor lasers»,. IEEE Journal of Quantum Electronics, v.23, No.9, pp.1410−1418 (1987)
  88. A Grabmaier, A. Hangleiter, G. Fuchs, J.E.A. Whiteaway and R.Wf. Glew, «Low nonlinear gain in InGaAs/InGaAlAs separate confinement multiquantum well lasers», Applied Physics Letters, v.59, No.23, pp.3024— 3026 (1991)
  89. L.V.T. Nguyen, «Mode-partition Noise in Semiconductor Lasers», Defence Science and Technology Organisation, No. DSTO-TR-0244, 50 p. (2002)
  90. K. Kamath, J. Phillips, H. Jiang, J. Singh and P. Bhattacharya, «Small-signal modulation and differential gain of single-mode self-organized Ino.4Gao.6As/GaAs quantum dot lasers», Applied Physics Letters, v.70, No.22, pp.2952—2953 (1997)
  91. T.C. Newell, D.J. Bossert, A. Stintz, B. Fuchs, K.J. Malloy and L.F. Lester, «Gain and linewidth enhancement factor in InAs quantum-dot laser diodes», IEEE Photonics Technology Letters, v. l 1, No.12, pp.1527−1529 (1999)
  92. S. Ghosh, S. Pradhan and P. Bhattacharya, «Dynamic characteristics of high1speed Ino.4Gao.6As/GaAs self-organized quantum dot lasers at room temperature», Applied Physics Letters, v.81, No.16, pp.3055−3057 (2002)
  93. B. Shchekin and D.G. Deppe, «1.3 pm InAs quantum dot laser with T0 =161K from 0 to 80 °C «, Applied Physics Letters, v.80, No. 18, pp.3277−3279 (2002)
  94. C.H. Henry, «Theory of the linewidth of semiconductor lasers», IEEE Journal of Quantum Electronics, v. 18, No.2, pp.259−264 (1982)
  95. A.L. Schawlow and C.H. Townes, «Infrared and optical masers», Physical Review v. l 12, No.6, pp.1940−1949 (1958)
  96. R. de L. Kronig, «On the theory of the dispersion of X-rays», On the theory of the dispersion of X-rays, v.12, No.6, pp.547−556 (1926)
  97. D.C. Hutchings, M. Sheik-Bahae, D.J. Hagan and E.W. Van Stryland, «Kramers-Kronig relations in nonlinear optics», Optical and Quantum Electronics, v.24, No. l, pp. 1−30 (1992)
  98. T.L. Koch and J.E. Bowers, «Nature of wavelength chirping in directly modulated semiconductor lasers», Electronics Letters, v.20, No. 25, pp. 1038−1040(1984)
  99. R.J. Lang, D. Mehuys, D.F. Welch and L. Golgberg, «Spontaneous filamentation in broad-area diode laser amplifiers», IEEE Journal of Quantum Electronics, v.30, No.3, pp.685−694 (1994)
  100. B.W. Hakki and T.L. Paoli, «cw degradation at 300°K of GaAs double-heterostructure junction lasers. II. Electronic gain», Journal of Applied Physics, v.44, No. 9, pp.4113−4119 (1973)
  101. C. Harder, К. Vahala and A. Yariv, «Measurement of the linewidth enhancement factor a of semiconductor lasers», Applied Physics Letters, v.42, No.4, pp.328−330 (1983)
  102. A. Markus, J.X. Chen, O. Gauthier-Lafaye, J.-G. Provost, C. Paranthoen, A. Fiore, «Impact of intraband relaxation on the performance of a quantum-dot laser», IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, v.9, No.5, pp. 1308−1314 (2003)
  103. S. Schneider, P. Borri, W. Langbein, U. Woggon, R.L. Sellin, D. Ouyang and D. Bimberg, «Linewidth enhancement factor in InGaAs quantum-dot amplifiers», ШЕЕ Journal of Quantum Electronics, v.40, No.10, pp.14 231 429 (2004)'
  104. P:K. Kondratko, S.-L. Chuang, G. Walter, T. Chung and N. Holonyak, «Observations of near-zero linewidth enhancement factor in a quantum-well coupled quantum-dot laser», Applied Physics Letters, v.83, No.23, pp.48 184 820 (2003)
  105. P.G. Eliseev, A.A. Ukhanov, A. Stintz and K.J. Malloy, «Gain and linewidth enhancement factor in InAs-quantum-dot and InAs-quantum-dash laser heterostructures», Proceedings of SPIE, v.5023, pp.350−352 (2002)
  106. J. Muszalski, J. Houlihan, G. Huyet and B. Corbett, «Measurement of linewidth enhancement factor in selfassembled quantum dot semiconductor lasers emitting at 1310nm» Electronics Letters, v.40, No.7, pp.428−430 (2004)
  107. S. Melnik, G. Huyet and A. Uskov, «The linewidth enhancement factor a of quantum dot semiconductor lasers», Optics Express, v. 14, No.7, pp.29 502 955 (2006)
  108. S. Fathpour, Z. Mi and P. Bhattacharya, «High-speed quantum dot lasers», Journal of Physics D: Applied Physics, v.38, No.13, pp.2103−2111(2005)
  109. A.A. Ukhanov, A. Stintz, P.G. Eliseev and K.J. Malloy, «Comparison of the carrier induced refractive index, gain, and linewidth enhancement factor in quantum dot and quantum well lasers», Applied Physics Letters, v.84, No.7, pp.1058−1060 (2004)
  110. J.M. Vazquez, H.H. Nilsson, J.-Z. Zhang and I. Galbraith, «Linewidth enhancement factor of quantum-dot optical amplifiers», IEEE Journal of Quantum Electronics, v.42, No. 10, pp.986−993 (2006)
  111. J. Oksanen and J. Tulkki, «Linewidth enhancement factor and chirp in quantum dot lasers», Journal of Applied Physics, v.94, No.3, pp. 1983−1989 (2003)
  112. Carroll, I. O’Driscoll, S.P. Hegarty, G. Huyet, J. Houlihan, E.A. Viktorov and P. Mandel, «Feedback induced instabilities in a quantum dot semiconductor laser», Optics Express, v.14, No.22, pp.10 831−10 837 (2006)
  113. F. Grillot, B. Thedrez, J. Py, O. Gauthier-Lafaye, V. Voiriot, J.L. Lafragette, «2.5 Gbit/s transmission characteristics of 1.3 mm DFB lasers with external optical feedback», IEEE Photonics Technology Letters, v. 14, No. l, pp.101— 103 (2002)
  114. D. O’Brien, S.P. Hegarty, G. Huyet and A.V. Uskov «Sensitivity of quantum-dot semiconductor lasers to optical feedback», Optics Letters, v.29, No. 10, pp. 1072−1074 (2004)
  115. J. Helms and K. Petermann, «A simple analytic expression for the stable operation of laser diodes with optical feedback», IEEE Journal of Quantum Electronics, v.26, No.5, pp.833−836 (1990)
  116. P.M. Varangis, H. Li, G.T.Liu, T.C. Newell, A. Stintz, B. Fuchs, K.J. Malloy and L.F. Lester, «Low-threshold quantum dot lasers with 201 nm tuning range», Electronics Letters, v.36, No. 18, pp. 1544−1545 (2000)
  117. H. Li, G.T.Liu, P.M. Varangis, T.C. Newell, A. Stintz, B. Fuchs, K.J.Malloy and L.F.Lester, «150-nm tuning range in a grating-coupled external cavity quantum-dot laser», IEEE Photonics Technology Letters, v.12, No.7, pp.759−761 (2000)
  118. С. Henry, P. Henry and М. Lax, «Partition fluctuations in nearly single-longitudinal-mode lasers», IEEE Journal of Lightwave Technology, v.2, No.3, pp.209−216 (1984)
  119. G.P. Agrawal, «Mode-partition noise and intensity correlation in a two-mode semiconductor laser», Physical Review A, v.37, No.7, pp.2488−2494 (1988)
  120. M. Krakowski, P. Resneau, M. Calligaro, L. Huiyun and M. Hopkinson, «High Power, Very Low Noise, C.W. Operation of 1.32jim Quantum-Dot Fabry-Perot Laser Diodes», IEEE 20th International Semiconductor Laser Conference, pp.39−40 (2006)
  121. R. Schimpe, «Theory of intensity noise in semiconductor laser emission», Physica B: Condensed Matter, v.52, No.4, pp.289−294 (1983)
  122. M.A. Matin, K.C. Song, B.J. Robinson, J.G. Simmons and D.A. Thompson, «High-responsivity InGaAs/InP-based MSM photodetector operating at 1.3-jim wavelength», Microwave and Optical Technology Letters, v. 12, No.6, pp.310−313 (1998)
Заполнить форму текущей работой

На отлично!