Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Исследование состава и структурного совершенства полупроводниковых гетероэпитаксиальных систем методом электроотражения

Диссертация: Исследование состава и структурного совершенства полупроводниковых гетероэпитаксиальных систем методом электроотражения
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Основные методы модуляционной спектроскопии — поверхностное барьерное электроотражение и электропоглощение — обладают рядом особенностей, обусловленных перестройкой электронного энергетического спектра приповерхностного слоя кристалла и спецификой электрофизических и оптических процессов в электрических полях узких приповерхностных каналов / 50 /. Метод электроотражения / dO / обладает более… Читать ещё >

Содержание

  • Глава I. Электроотраление в полупроводниках
    • 1. 1. Зонная структура полупроводников
    • 1. 2. Электрооптические эффекты в полупроводниках
    • 1. 3. Модуляционные методики и использование электроотраления для определения параметров зонной структуры
    • 1. 4. Влияние структурного совершенства кристаллов на спектры электроотражения
    • 1. 5. Внутренние напряжения в гетероэпитак-сиальных системах и их влияние на энергетический спектр
    • 1. 6. Релаксация внутренних напряжений в гете-роэпитаксиальных системах о Вывода
  • Глава 2. Методика эксперимента и обработки результатов
    • 2. 1. Методика экспериментальных исследований спектров электроотражения и кривизны ге-теросистем
    • 2. 2. Обработка спектров электроотражения
  • Выводы
  • Глава 3. Исследование состава, однородности и степени структурного совершенства пленок твердых растворов
    • 3. 1. Определение состава монокристаллов твердых растворов методом электроотражения
    • 3. 2. Влияние внутренних механических напряжений на спектры электроотражения гетеросис-тем
    • 3. 3. Определение состава гетероэпитаксиальных пленок и однородности его распределения
    • 3. 4. Использование электроотражения для контроля состава твердых растворов
    • 3. 5. Влияние структурного совершенства пленок на спектры электроотражения
  • Выводы
  • Глава 4. Влияние внешних воздействий на спектры электроотражения пленок
    • 4. 1. Влияние ионной импланктации и отжига на спектры электроотражения пленок
    • 4. 2. Влияние у- облучения на спектры электроотражения
  • Выводы III

Исследование состава и структурного совершенства полупроводниковых гетероэпитаксиальных систем методом электроотражения (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Развитие методов эпитаксиального осаждения тонких пленок привело к значительному прогрессу в разработке и создании новых типов полупроводниковых приборов, как в исследовательских лабораториях, так и в промышленности, наряду с технологическими аспектами, эпитаксиальное наращивание открывает новые физические возможности, связанные с гетероэпитаксией / I, 36 /.

Гетероэпиткасиальная система представляет собой контакт монокристаллических слоев двух /или более/ разных материалов. Для практического использования гетероструктур необходимо.-: знание физических свойств обоих контактирующих материалов. Поскольку зонная структура является основным фактором, определяющим большинство физических свойств полупроводниковых пленок, важное значение имеет изучение особенностей энергетического спектра пленки, представляющей одну из основных частей гетероперехода. Свойства второй компоненты / подложки /, как правило, являются известными.

Свойства гетерогенной системы — не просто сумма или усреднение свойств составляющих фаз, они приобретают новое качество благодаря наличию межфазных границ раздела / ГР /. Именно это обстоятельство привлекло внимание исследователей к полупроводниковым гетеропереходам.

В полупроводниковых гетероэпитаксиальных системах неотъемлемо присутствуют внутренние механические напряжения, обусловленные несоответствием параметров решеток компонент гетеро-систем, неравенством их коэффициентов термического расширения / КТР / и некоторыми другими причинами.

Эти напряжения существенным образом влияют на состояния электронов в гэтеросистемах, вызывая сдвиг и расщепление энергетических зон. Кроме того, возникающие при релаксации упругих напряжений структурные дефекты создают собственные уровни и зоны разрешенных энергетических состояний для электрона, которые попадают в запрещенную зону кристаллов — компонент гетеросис-темы.

Дислокации также своими деформационными и электрическими полями вызывают модуляцию краев разрешенных зон подложки и пленки .

Такая перестройка спектра может радикально изменить оптические и электрофизические свойства компонентов гетеросистем по сравнению со свойствами соответствующих монокристаллов, что имеет важное значение как с точки зрения физических исследований, так и для полупроводникового приборостроения.

Усиленный интерес к изучению релаксации внутренних напряжений в ГС проявился после того, как выяснилось, что она является причиной деградации полупроводниковых гетеролазеров / 45 /. Уто поставило на повестку дня вопрос об устранении внутренних напряжений в ГС.

Одним из методов уменьшения напряжений в гетеросистеме может служить компенсация несоответствия параметров решетки используемых материалов. С этой целью проводятся осаждения пленок твердых растворов, параметры решетки которых можно плавно регулировать путем изменения состава.

Удобным объектом для сравнения свойств материала в виде пленки и объемного образца является германий. Во-первых, зонная структура и свойства объемного монокристаллического германия хорошо изучены. Во-вторых, пленки этого материала можно легко получать с различной степенью совершенства кристалличес.

— б кой структуры. Очень удобными в этом отношении являются пленки германия, осажденные методом термического испарения в вакууме.

Для обеспечения резкости гетероперехода желательно проводить эпитаксиальное осаждение при низких температурах. Как правило, минимальная температура эпитаксии для различных веществ зависит от различия в постоянных решетки. Чем это различие меньше, тем ниже температура подложки, при которой можно ожидать реализации эпитаксиального роста. В связи с этим очень перспективной считается система германий — арсенид галлия, обладающая небольшим рассогласованием параметров решетки и минимальным различием КТР / 79 /.' Однако при этом даже наиболее совершенные монокристаллические пленки обладают повышенной дефектностью по сравнению с массивным материалом, что обычно связывают с возникновением и релаксацией внутренних механических напряжений. Как указывалось выше, последние могут быть уменьшены путем использования пленок твердых растворов. В случае гетероэпитаксиаль-ной системы Ge-GaAs наиболее подходящим для этой цели материалом является кремний, образующий с германием твердый раствор бе|-х Six с неограниченной растворимостью.

Свойства гетероэпитаксиальных пленок твердых растворов Si на 6aAs изучены недостаточно. В частности, не исследовался вопрос о степени однородности твердого раствора и ее влиянии на внутренние механические напряжения в гетероэпи-таксиальной системе Si^G^^ - GaAs.

Уменьшение внутренних напряжений может быть также достигнуто путем стимуляции процесса их релаксации с помощью внешних воздействий, таких как уоблучение или отжиг.

Однако для практического использования этого метода необходимо предварительно исследовать влияние урадиации на.

— 7 свойства гетероэпитаксиальной системы.

Наиболее обширную информацию об энергетическом спектре полупроводника можно получить, исследуя его оптические свойства. Оптические спектры материала позволяют судить о его зонной структуре и характере электронных переходов / 53 /.

В последнее время значительно возрос интерес к исследованию свойств твердых тел с помощью методов дифференциальной /Модуляционной/ спектроскоп&trade- /72 /. Общей характерной чертой всех модуляционных методов является измерение производной определенной оптической величины по некоторому динамическому параметру / электрическое поле, давление, магнитное поле, температура и др. /. Оказалось, что при измерении этой производной удается фиксировать исключительно малые изменения оптических параметров благодаря применению фазочувстительных методов синхронного детектирования.

Основные методы модуляционной спектроскопии — поверхностное барьерное электроотражение и электропоглощение — обладают рядом особенностей, обусловленных перестройкой электронного энергетического спектра приповерхностного слоя кристалла и спецификой электрофизических и оптических процессов в электрических полях узких приповерхностных каналов / 50 /. Метод электроотражения / dO / обладает более высоким разрешением. В пределах слабых полей измерение электроотражения эквивалентно изучению третьей производной оптических констант по энергии фотона.

Из изложенного вытекает актуальность и важность настоящей работы, в которой метод электроотражения использован для исследования энергетической структуры, состава и степени структурного совершенства гетероэпитаксиальных / ГЭ / пленок.

Были поставлены и решены следующие основные задачи:

1. Разработка метода определения состава твердых растворов.

SixGetx для малых концентраций Si / х0.04 /.

2. Выяснение связи однородности пленки твердого раствора по составу с технологическими условиями их получения.

3. Исследование влияния урадиации на свойства пленок твердых растворов и их границы раздела с подложкой. при выполнении работы получены следующие основные результаты:

1. Уточнены литературные данные по зависимости положения критических точек Ej, Ej + Ар твердых растворов SixGe13C от состава х и разработана методика определения х и его распределения по толщине и площади пленки.

2. Показано, что при определении состава пленок SixGe1?(методом электроотражения необходимо учитывать наличие внутренних механических напряжений в пленках.

3. Показано, что при полном согласовании решеток SixGeAx и.

Ga As / х#0.02 / степень структурного совершенства границы раздела максимальна.

4. Обнаружены отличия во влиянии состава пленок твердых растворов SixGe1-x на свойства свободной поверхности пленки и их границы раздела с подложкой GaAs: с возрастанием х рассеяние носителей на свободной поверхности монотонно возрастает, тогда как на границе раздела оно минимально при.

X = 0.02.

5. Обнаружено уменьшение рассеяния носителей заряда на границе раздела в гетероэпитаксиальных системах под влиянием у — радиации.

Научная новизна.

На основании исследований спектров ЭО в области критической точки Ej показано, что зависимость энергетического положения этой точки от состава твердых растворов StxGe1-x при малых добавках кремния / х 4 0.04 /отличается от известной из литературы / 13, 90 /.

Показано, что при определении состава пленок твердых растворов необходимо учитывать присутствие в них внутренних механических напряжений.

Установлена корреляция между характеристической энергией спектра поглощения и параметром уширения Г спектров 30 в зависимости от состава твердого раствора.

Показано, что влияние у — радиации на свойства гетероэпи-таксиальной системы более существенно сказывается в неравновесных системах по сравнению с равновесными.

Установлено существенное отличие во влиянии урадиации на свойства свободной поверхности пленки и границы раздела ге-тероэпитаксиальнои системы / ГЭС / 6еьх Six — 6а As.

Показано, что под влиянием ионного облучения наряду с изменениями структуры пленок происходит перестройка дислокационной структуры гетеросистем:",.

Практическая ценность.

Разработана методика электроотражения для исследования границы раздела гетеросистем.

Показана возможность варьирования рассеяния носителей на границе раздела с помощью % - радиации.

Разработаны рекомендации по получению однородных пленок твердых растворов Si^ .

— 10.

Работа состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Во введении обоснована актуальность темы диссертационной работы и формулируется постановка задачи.

Выводы.

Исследованы изменения спектров ЭО пленок под влиянием уоблучения, а также ионной имплантации и последующего отжига.

Обнаружено, что облучение пленок германия ионами мышьяка приводит к смещению и размытию края собственного поглощения, смещению и уменьшению спектров ЭОотжиг имплантированных образцов способствует частичному восстановлению оптических спектров пленок.

Анализ изменений в оптических спектрах германиевых пленок при ионном легировании показал, что они обусловлены появлением хвостов плотности состояний в запрещенной зоне германия.

Показано, что по изменению оптических спектров германиевых пленок при ионном легировании и отжиге можно судить об изменении ихкристаллической структуры.

Обнаружено, что под влиянием ионного облучения происходит перестройка дислокационной структуры ГЭС.

Установлено существенное отличие во влиянии у — радиации на свойства свободной поверхности пленки и ГР. Обнаружено, что влияние у — радиации более существенно сказывается в неравновесных системах по сравнению с равновесными.

Показано, что с помощью X — радиации можно варьировать рассеяние носителей на границе раздела.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Анималу А. Квантовая теория кристаллических твердых тел.М.: Мир, I98I.- 570 с.
  2. Н.А., Конакова Р. В., Лгдш-! И., Матвеева Л. А., Осадчая Н. В., Солдатенко Н. Н, Тхорик Ю. А., Хазан Л С Харман Р., Шилдер Я. Исследование однородности состава и совершенства кристаллической структуры гетероэпитаксиальных пленок Ge 1-хх 9. подложкахCaAs в кн.: Физика поФизика р-П-переходов.- Рига: Зинатне, 1966, верхностных явлешй в полупроводЕмках: Тез. докл. УШ совещан14я.- К.: Наукова дут. ша, 1984, — Ч. I. с. 23.
  3. Н.А., Матвеева Л. А. Применение неразршхающих оптических методов для анализа тонких пленок.- В кн.: II Всесоьэзная конференндя по физике и технологии пленок проблемные вопросы Тез. докладов.- Ивано-Франковск, 1984, Ч. 2, с. 388.
  4. B.C., Кив А.Е., Ниязова О. Р. Механизм! образования и тшграции дефектов в полупроводниках.- М.: Нака, I98I.- 368.
  5. Вопросы рэдиащонной технологии/Под ред. Сьшрнова Л. С. Новосибирск: Наука, 1980, — 269 с.
  6. Бассаш-! Ф., Пастори Парравичини Д? к. Электронные состояния и оптические методы в твер, дых телах:.- М.: На--уа{а, 1982.- 391 с. 8. Вир Г. А., HiiKyc Г. Е. Сигжетрия и деформащонные эффекты в полупроводниках, — М.: Наука, 1972.- 584 с,
  7. В.Н., Евстигнеев A.M., Тягай В. А., Снитко О. В. Влияние механически нарушенного слоя на спектры электро9. Гавриленко В. И., Дракан А. В., Зев В. А., Корбутдк Д. В., Литовченко В. Г. Влияние ионной бомбардировки на спектры электроотра}кения и фотолрэминисценщи твердых растворов. ФШ- 1976, 10, ГР-2, с. 310 315.
  8. В.И., Дубчак А. П., Зуев В. А., Л1−1товченко В.Г., Лысенко B.C. Спектры электроотраженсия поверхност!-! кремния, подвергнутой ионной бомбардировкв.--ШТП, 1975, 9, Шу с. 702 709.
  9. Р.У. Механические свойства тонких конденсированных пленок .-В кн.: Физика тонких пленок, М., Ivkp, Т. 3, с. 225 298.
  10. A.M., Красико А. Н., Тхорик Ю. А., Тягай В. А., Федотова Г. В. Электроотрэ.жение пленок твердых растворов Sei-ySCx 14. 15. 16. 17. бШ, 1973, 7, РЗ, с. 650
  11. В.В., Машовец Т. В. Примесы и точечные дефекты в полупроводникэс— М.: Ращо и связь, I 9 8 I 248 с. Каллуэй Дд{. Теория энергетической зонной структуры.- М.: ?-кр, 1969.- 360 с. Кардона М. Модуляционная спектроскопия.- М.: I/fop, 1972,416 с. Келдыш Л. В. О влиянии сильного электрического поля на оптические характеристики непроводящих кристаллов.- Л{ЭТФ, 1958, 34, Р5, с. II38 I I 4 I 18.
  12. М.С. Физика полупроводников.- М.: Высшэл Шхола. 1969.- 592 с. Клименко А. П., Клочков В. П., Солдатенко Н. Н., Торчун Н. М., Тхорик Ю. А. Монокристаллические пленки германия на арсени15. Клименко А. П., Матвеева Л. А., Тхорик Ю. А., 1мешш Т. Д. Вжтяние совершенства стрзттуры и внутренних напряжений на спектры электроотражения кристаллических пленок германия. Электронная техника, сер. Материалы.- 1977, вып. 2, с. 79 87.
  13. Р.В., Семенова Г. Н., Тхорик Ю. А. и, др. Влияш/ге К- облучения на ВАХ гетеропереходов Ge-SaA5 и диодов с барьером 1ПотткиАц-Сг-6аА5.- УФЖ, 1979, 24, !!9, с. 1308 I3I2. 22. 23. 24. 25.
  14. A.M. Д<[слокации в теоррш упругости.- Киев: Наук. дутлка, 1978.-219 с. Маделунг 0. з и к, а поллгпроводниковых соединений элементов I I I и У групп.- М.: Шр, 1967.- 477 с. Матаре Г. Электроника дефектов в пол-Т1роводниках.- М.: Шр, 1974.- 463 с. Матвеева Л. А. Кандидатская.циссертаЩТЯ. К., 1
  15. Л.А., Семенова Г. Н., Тхорик Ю.А, Ариас И. Изменение оптических спектров германиевых пленок при ионном легироваьши.- Мелодародная конференция «Ионнал иАШлэлтация в полупроводниках и других материалах Тез. докл. Вильнюс, 1983, с. 7 8.
  16. Л.А., Солдатенко Н. Н., Тхорик Ю.А. Остаточные деформации в гетеростр-|уктлграх 6e-Si nGe-GcxAs Электроннал техтдака. Серия б. Материалы, 1980, вып. 7 144 57 63
  17. Л.А., Тхорик Ю. А. Разштие крал фундэ1дентальнего поглощегогя как характеристика стр/ктфы пленок Сб.
  18. Материалыиспользз/емые в полупроводш1ковых приборах: под ред. Хогарта К. М.: Lfep, 1968, 348 с. Мейер Дж. Эрике он Л., Дэвис Дк. PIOHHOO легирование полу- проводШШов.- М.: Мир, 1973, 296 с. Мосс Т., Баррел Г., Эллис В. Полупроводниковая оптоэлектроника.- М.: Ммр, 1976.- 432 с. Неизвестный II.Т., Овсюк Н. Н., Сишоков М.П.- Спектры электроотршкешя E j Ej -ь Aj вСе.-ФШ, 1974, 8, Н57, с. 1
  19. Г. Х., Эттенберг М. Особенности ползгешш гетероэштаксиальных структф типа, А .-В кн.: Рост кристаллов. Теория роста и методд выраливания кристаллов. Вып. 2, М.: Шр, I98I, с. 9 76. 34. Ж. 36. 37.
  20. Оптические свойства полупроводников /под ред. Уиллардсона Р. и Вира А. М.: Ifep, 1970.-488 с. Ормонт Б. Ф. Введение
  21. Р. Полшроводники.- М.: Мир, 1982, 558 с. Торчинская Т. В., Брайловский Е. Ю., Семенова Г. Н., Матвеева Л. А., Шрзажанов М. А., Берд1шских Т.Г., Пузин И. Б., Ариас Н. Избыточные токи и структурные дефекты вЬ-х25. Тхорик Ю. А. Генезис деформащй и деформационные эффекты в гетероэпитаксиальных пленках.-ПТГД, 1979, iBbin. 30, с. 3 24. 42.
  22. Ю.О. МеханТчн! напрукення в гетеросистемах.—В1сн. А УРСР, 1979, т, Н с. 3 8 4 9 Тхорик Ю. А. Дслокаш-ш границы
  23. Ю.А., Хазан Л. С. Устранение напряжений в гетероэго! таксиальных системах путем зарождения дислокационных полупетель на поверхности растлш_ей пленки .-В кн.: Сиьшоз. по процессам роста и синтеза полупроводтжковых кристаллов и пленок."Новосибирск, 1978, с. 169.
  24. Ю.А., Хазан Л. С. Пластическая деформащя и дислокация несоответствия в гетероэпитаксиальных системах.- К.: Назчюва дрша, 1983, 304 с.
  25. В.А., Бондаренко В. Н. Деление электрических сигналов при измерениях спектра электроотрагкешш.-ПТЭ, 1970, 2 с. 236 237.
  26. В.А., Нвстигнеев A.M., Бондаренко В, Н., Снитко О. В. Электроотражение системы электролит-двуокись креш-шя-кремний.- Электрошпшя, 1972, 8, PI2, с. 1773 1780.
  27. В.А., Евстигнеев A.M., Снитко О. В. Электроотралсение системы электролит-двуокись кремния-кремнлй в сильных приповерхностных электрических полях.-ФТП, 1972, б, Ш2, с. 49. 2341 2
  28. В.А., Лысенко B.C., Краиико А. Н. и др.- Определение
  29. В.А., Снитко О.В.- Электроотракение света в полупроводниках.- К.: Наукова дз1ша.1980, 304 с.
  30. В.М., Горелик С С Захаров Б.Г., Лебедев В. В., Hryj/iGHOB В. Г. Напряжения в гетероэпитаксиальных слоях соед11нений А"В Электронная техника, сер. Материалы, вып. 7, 1973, с. 56 63.
  31. В.М., Захаров Б. Г. Макронапряжешгя в эпитаксиэльных структурах на основе соединении -В кн.: Обзоры по Электр, тешике. Сер. 6, Материалы, 1977, вып. 4, с. 1−34.
  32. Ю.й. Оптические свойства полупроводников.- М.: Наука, 1977, 366 с. 54.
  33. Фриде ль Ж. Дслокащш.- М.: Мир, 1976.- 643 с. Цгдльковский И. М. Зонная структлфа полупроводьшков.- М.: Наука, 1978, 328 с.
  34. А.Л. Плотность состояний и межзонное поглощение света в сильнолегированьтых полупроводниках.- У Ш 1973, III, с. 45 Т. о
  35. Aharoni Н., Bar-Lev А., Blech I.A., Hargalit S. Epitaxial grouth of silicon-germanium single crystals, — Thin Solid Films, 1972, Г W2, p. 313 322. 58, Aspness D.E. Linearized thrid derivate spectroscopy uith depletion-barrier modulation, — Phys. Rev, Lett., 1972, 28, N 14, p. 913 916. 59, Aspnes D, Interband masses of higher interband critical points in Ge.-Phys, Rev. Ldbt, 1973* 1» t P* 230. 234,
  36. Appl. Phys., 1972, _43, N7, p. 3114 3117. 80, Forman R, A., Aspnes D, E, Cardona П, Transverse electroreflectance in semi-insulating silicon and gallium arsenide,-Hhys, and Chem, Solids, 1970, 3 1 12, p, 227 246.
  37. Franz U. Einflusseines electrischen Felden auf eine optische Absorptionskante, Naturf orschung, 1 958, 2 3 N6, s. 484−489,
  38. Froua A., Handler P., Germano F.A., Aspnes D. E. Electroabsorption effects at the band edges of silicon and germanium. Phys Rev., 1966, Г45, N2, p. 575 583.
  39. Ghosh A.K. Electroreflectance spectra and Band structure of germanium.-Phys. Reu., 1968, 165, N3, p. 888 897.
  40. Handler P., Dasferson S., Koeppen 5, Interference of light and heavy-hole contributions to the electroreflectance spectrum of germanium.-Phys. Rev. Lett, 1969, 2 N24, p. 13 871 391.
  41. Hamakaua Y, Germano F.A., Handler P. Interband electro-optical properties of germanium. Electroreflectance,-Phys. Rev., 1968, 167, N3, p. 709 716.
  42. Herman F. The electronic energy band structure of silicon and Germanium. Proc. Inst. Radio Engr. (N.Y.), 1955, 43, p. 1703,
  43. Gesser U. A., Kuhlmann Uilsdorf D. On the theory of interfacial energy and elastic strain of epitaxial overgrouth in parallel alignment on single crystal substrates.- Phys. Status Solidi, 1967, 22f 89. t P* 95
  44. Khazan L. S., Ratveeva L.A., Semyonova G.N., Tkhorik Yu.A. Account of dislocation structure at stress measurements in heteroepitaxial systems.- Phys. Status Solidi N 21 p. 447 456- 56_, N1, p. 47 54. A, 1979, 54,
  45. Kline 3, S., Pollak F. H., Cardona M. Electroreflectance in Ge Si alloys.-Helv. Phys. Acta, 1968, 4 1 N 6/7, p. 968 967.
  46. Phillips D. C. Critical points and latice vibration spectra, Phys. Rev., 1956, 104, N6, p. 1264 1277,
  47. H., Seraphin B. 0., Пагке1 K.M., Fisher 3.E. Electroreflectance of disordered germanium films,-Phys. Rev, Lett, 1969, 22, N 14, p. 775 778.
  48. Pollak F. H. Modulation spectroscopy under uniaxial stress. Surf. Sci., 1973, _37_, P. Ill, p. 863 896.
  49. Pollak F. H, Cardona M., Piezo-electroreflectance in Ge, GaAs and Si.- Phys. Rev., 1968, 172. N3, p. 816 837.
  50. Pond S, F, Handler P. Flatband electroreflectance af gallium arsenide: I. Experimental results,—Phys. Rev. B, 1972, 6, N6, p. 2248 2257.
  51. Pond S, F, Handler P. Flatband electroreflectance of gallim arsenide: II. Comparison of theory and experiment,.- Phys. Rev. В.- 1973, _8, N6, p. 2869 2879. 107, Rehn U. Interband critical-point symmetry from electroreflectance spectra.- Surf. Sci., 1973, 37_, N2, p443 482. r
  52. Seraphin B. O, Optical. fioldref feet i i silicon*? Phys. Rev, A, 1965, 140, N5, p. 1716 1725.
  53. Seraphin B. O, Electroreflectance studies in GaAs.-
  54. Appl. Phys., 1966, 37, N2, p. 721 728.
  55. B. 0, The effect of an electric field on the reflectivity of germanium, — In: Proc, 7th Int. Conf, Phys, Semicond (Paris 1964). Paris: Dunod, 1964, p, 165 170.
  56. Electroreflectance, — In: Semiconductors and Semimetals, — Eds R.K. Uillardson-, Л. C. Beer. Neu York- London: Acad, press, 1972, vol. 9, p. 1 150.
  57. B. 0., Bottka N. Bond-structire analysis from electroreflectance studies.- Phys. Reu., 1965, 145, N2, p. 628 636.
  58. Tanc 3., Abraham A., Payasora L., Grigorovici R, j Uancu A, Proc, Int. Conf. on Phys, of Non Crystal Solids.-Delft, 1964, p. 45,
  59. Tharmalingam K. Optical absorption in the presence of a uniform field, — Phys. Rev., 1963, 130, N6, p. 2204 2206. 116. Uan der nerucHEquilibrium structure of a thin epitaxial film.-
  60. Appl. Phys., 1970, N11, p, 4725 4731,
Заполнить форму текущей работой

На отлично!