Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Механизм образования, стабилизации и физические характеристики высокотемпературных сверхпроводящих пленок Nb3Ge и Nb3Si

Диссертация: Механизм образования, стабилизации и физические характеристики высокотемпературных сверхпроводящих пленок Nb3Ge и Nb3Si
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

На основе полученных пленок ЫЬ^Сд-е изготовлены и исследованы сверхпроводящие мостиковые и туннельные контакты. На ВАХ мостиков из ЮЬ^Се наблюдались когерентные явления в СВЧ полеустойчивые регулярные ступеньки тока при водородных температурах. На ВАХ туннельных контактов ИЬ^еРЬ наблюдались нелинейные явления — самоиндуцированная резонансная структура и особенности, которые могут быть… Читать ещё >

Содержание

  • Глава I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 1. Получение высокотемпературного сверхпроводящего соединения ЫЬ56е
    • 1. 2. Стабилизация фазы МЬ^е
    • 1. 3. Попытки создания ВСФ
    • 1. 4. Аномальные свойства соединений со структурой А
    • 1. 5. Исследование электронных характеристик соединения К1Ь3бе
  • Глава 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Методика изготовления образцов."
    • 2. 2. Оптимизация режимов осаждения
    • 2. 3. Измерение критической температуры и резистивных характеристик образцов
    • 2. 4. Измерение температурной зависимости верхнего критического магнитного поля
    • 2. 5. Исследование морфологии, структуры и химического элементного состава образцов
    • 2. 6. Приготовление мостиковых и туннельных контактов на основе пленок ЫЬ^Ов Измерение критических токов, ВАХ мостиков и туннельных переходов. #
    • 2. 7. Изготовление полосковых СВЧ резонаторов из
  • Ь3Се и измерение их добротностей
  • Глава 3. ОБРАЗОВАНИЕ И СТАБИЛИЗАЦИЯ НЕРАВНОВЕСНОЙ ФАЗЫ А15 В ПЛЕНКАХ
    • 3. 1. Свойства пленок № «бе, изготовленных в различных условиях
      • 3. 1. 1. Жесткие режимы
      • 3. 1. 2. Мягкие режимы
    • 3. 2. Стабилизация фазы Nb3Ge кислородом
      • 3. 2. 1. Влияние присутствия кислорода при осаждении пленок Nb~Ge на их Т.,
      • 3. 2. 2. Морфология пленок Nb-Ge
      • 3. 2. 3. Распределение химических элементов вблизи поверхности пленок Nb~Ge
    • 3. 3. Взаимосвязь электрофизических характеристик и структуры пленок Nb-Ge
      • 3. 3. 1. Рентгенографическое изучение пленок, полученных в мягких режимах
      • 3. 3. 2. Особенности структуры пленокК1Ь""6е, Полученных в жестких режимах
      • 3. 3. 3. Корреляции TR с резистивными характеристиками образцов и предельное значение Тк в NbjGe. ЮО
    • 3. 4. Синтез сверхпроводящей фазы Nb3St
      • 3. 4. 1. Образование фазы AI5 в пленкахNb-Ge-S
      • 3. 4. 2. Стабилизация фазы AI5 в пленках Nb~S
  • Глава 4. ЭЛЕКТРОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СОЕДИНЕНИЯ Nb3Ge
    • 4. 1. Температурная зависимость пленок NbjGe
    • 4. 2. Метод и алгоритм определения электронных характеристик
    • 4. 3. Температурная зависимость сопротивления пленок Nb-Ge и Nb-Si,
  • Глава 5. ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ
    • 5. 1. Механизм роста и стабилизация ВСФ NbxGe и
    • 3. S- в пленках
      • 5. 2. Зависимость электронных характеристик соединения N^Ge- от длины свободного пробега и температуры
      • 5. 3. Факторы, определяющие высокие TR Nb^Ge и других соединений со структурой AI
  • Глава 6. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ПЛЕНОК МЦбе В КАЧЕСТВЕ ЭЛЕМЕНТОВ МИКРО- И СВЧ ЭЛЕКТРОНИКИ
    • 6. 1. Туннельные и мостиковые контакты на основе пленок NbsGe
    • 6. 2. Сверхпроводящие микрополосковые СВЧ резонаторы из

Механизм образования, стабилизации и физические характеристики высокотемпературных сверхпроводящих пленок Nb3Ge и Nb3Si (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Основным сдерживающим фактором повсеместного применения сверхпроводимости в энергетике, электронике и других отраслях техники, а также в научно-исследовательской практике является необходимость охлаждения сверхпроводников до гелиевых температур. Столь глубокое охлаждение вызывает технические трудности и в ряде случаев приводит к экономической неэффективности применения сверхпроводящих устройств. Использование более перспективного хладоагента — жидкого водорода, который является более дешевым и имеет более высокую теплоту испарения по сравнению с жидким гелием, позволит в значительной мере преодолеть такие затруднения. В этой связи привлекают внимание материалы, обнаруживающие сверхпроводимость при температуре кипения жидкого водорода ТНС£20,4 К. Все они относятся к классу ниобиевых соединении, имеющих структуру А15. Среди них единственным материалом, полностью переходящим в сверхпроводящее состояние при температуре Т^>ТН, является ИЬ^бе. Этот самый высокотемпературный сверхпроводник обладает также очень высокими значениями критического магнитного поля и критической плотности тока, что обусловливает исключительный научный и практический интерес к этому интерметаллиду. Для эффективного практического использования «водородных, сверхпроводников необходимо иметь достаточный запас разности Т^ - Тн, поэтому одной из наиболее актуальных задач в области сверхпроводимости является максимальное повышение критической температуры сверхпроводников. Еще более высокие, чем в ИЬ^бе, значения критической температуры Тк ожидаются в сверхпроводящем соединении N13 с. Однако на пути создания наиболее высокотемпературных сверхпроводников встала задача преодоления их нестабильности. Технологические трудности получения этих соединений обусловливают тот факт, что предельных значений Тк не удалось пока достигнуть не только в МЬ35а, но и в МЬ^Се • По этой же причине они остаются относительно малоизученными. В то же время высокотемпературные сверхпроводники являются интересным и сложным объектом исследования. Всестороннее изучение их структуры, механизма роста и стабилизации, сверхпроводящих и электронных характеристик представляют прежде всего интерес с точки зрения выяснения причин их высоких Тк и дальнейшего повышения критических параметров ИЬ^е, К1Ь35с и других материалов.

Настоящая работа посвящена изучению взаимосвязи структуры со сверхпроводящими, резистивными и электронными характеристиками пленок Г^Ь-бе, а также выяснению механизма роста и механизмов стабилизации высокотемпературных сверхпроводящих фаз (ВСФ) в пленках ||Ьбе и № - 51. Цель работы — повышение Тк вМ^Сте, поиск путей создания других высокотемпературных сверхпроводников.

Научная новизна и практическое значение работы состоят в следующем:

В результате проведенных исследований получены образцы с рекордно высокими значениями температуры сверхпроводящего перехода, критической плотности тока и критического магнитного поля.

Выяснена каталитическая роль кислорода при образовании ВСФ И^бе и. Разработаны энергетическая модель и различные методы стабилизации этих фаз. Проведен широкий комплекс исследований, подтверждающий развитые в настоящей работе представления о механизме образования и стабилизации ВСФ в пленках. Изучены зависимости сверхпроводящих, структурных и других свойств пленок ИЬ-бе, № -Ое и NЬ —-^о от режимов их изготовления, различные корреляции Тк и резистивных характеристик образцов в нормальном состоянии. Обнаружены и исследованы осциллирующие зависимости Т&bdquoи резистивных характеристик от состава пленок Л синтаксическое срастание фазы А15 и гексагональной фазы N?5 Се^, концентрационная зависимость микроналряжений вфазе и химического состава различных фаз, а также ряд других интересных, ранее неизвестных явлений в пленках системы Исследованы причины высоких Тк в пленках составовсущественно отличающихся от стехиометрического. Измерена температурная зависимость критического магнитного поля пленок ИЬ^Ств при параллельной и перпендикулярной полю ориентациях плоскости образцов. Дано объяснение повышенного критического поля в направлении, перпендикулярном плоскости пленки.

Впервые предложен метод определения электронных характеристик сверхпроводников второго рода с произвольным соотношением между длиной свободного пробега электронов и длиной когерентности по экспериментальным данным, полученным из магнитных, оптических и туннельных измеренийразработан алгоритм их расчета на основе теории Гинзбурга-Ландау, не содержащий подгоночных параметров и учитывающий поправки на сильную связь. Рассчитаны физические параметры сверхпроводящего и нормального состояний пленок, причем ряд из них определен впервые. Впервые обнаружена сильная зависимость совокупности электронных характеристик пленок М^бе от длины свободного пробега электронов и температуры, связываемая с размытием узкого пика в плотности электронных состояний, расположенного вблизи, энергии Ферми. Ширину пика удалось оценить.

На основе сверхпроводящих пленок изготовлены и исследованы туннельные и микромостиковые оверхпроводящие контакты, а также полосковые СВЧ резонаторы с рекордно высокой добротностью.

Результаты исследований опубликованы в приведенных ниже работах и апробированы на 6-ти Всесоюзных конференциях и совещаниях.

Выводы.

1. На основе полученных пленок ЫЬ^Сд-е изготовлены и исследованы сверхпроводящие мостиковые и туннельные контакты. На ВАХ мостиков из ЮЬ^Се наблюдались когерентные явления в СВЧ полеустойчивые регулярные ступеньки тока при водородных температурах. На ВАХ туннельных контактов ИЬ^еРЬ наблюдались нелинейные явления — самоиндуцированная резонансная структура и особенности, которые могут быть идентифицированы как субгармоники щели ИЬ^е .

2. Впервые достигнуты значения добротности в сверхпроводящих о полосковых резонаторах из МЬ^е 75.10 при температуре 2,0 К и 33. Ю3 при 4,2 К.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В диссертации получены следующие основные результаты:

1. Выполнены комплексные исследования, позволившие расширить представление о взаимосвязи структурных и физических свойств пленок Nb-Ge, Nb-Ge~$i и Nb-Si, полученных геттерным катодным распылением. Вскрыта специфика структуры пленочных образцов по сравнению с массивными. Установлено, что для таких систем значения Т&bdquo-, резко снижаясь при отклонении состава фазы AI5 от стехиометричес-кого, остаются высокими в относительно широком диапазоне концентраций Nb в пленках из-за наличия пространственных микрофлуктуаций состава фазы AI5. Обнаружены осциллирующие зависимости резистивных характеристик таких пленок и Тк пленок Nb-Ge от состава, выявлена связь этих явлений с процессами рекристаллизации неравновесных фаз и возникновением микронапряжений. Обнаружено и изучено синтаксическое срастание фаз AI5 и гексагональной Nb^GegO.^. в пленках Nb-Ge.

2. Показано, что образование высокотемпературных сверхпроводящих фаз NbgGe иSi в пленках происходит по механизму пар-жидкость-кристалл, развита модель стабилизации этих фаз кислородом.

Предложены и осуществлены новые методы стабилизации таких неравновесных фаз. Разработана методика воспроизводимого изготовления пленок с высокими критическими параметрами.

На пленках NbgGe впервые достигнуты температура начала перехода в сверхпроводящее состояние Т" = 24,5 К и полная сверхпроводимость при 23,0 К. Получены пленки NbqSl со значениями 18,8.

19,0 К.

3. Предложен универсальный метод и разработан не содержащий подгоночных параметров алгоритм определения электронных характеристик сверхпроводников 2-го рода по температурной зависимости критического магнитного поля. Получены экспериментальные данные об электронных характеристиках NbgGe, ряд характеристик определен впервые.

Впервые прослежено изменение совокупности электронных характеристик с приближением структуры образцов NbgGe к идеальной. Обнаружена сильная зависимость ряда характеристик от длины свободного пробега электронов и температуры. Получены данные, свидетельствующие о существовании единой физической причины этого явления, заключающейся в размытии пика плотности электронных состояний, расположенного вблизи энергии Ферми.

В рамках представления Макмилана показано, что при столь же высоких значениях N (0), как и у соответствующих переходных металлов, высокотемпературные сверхпроводники со структурой AI5 обладают более эффективным электрон-решеточным взаимодействием.

4. Показана перспективность применения пленок NbgGe в элементах сверхпроводниковой микроэлектроники, в силовых магнитных и токовых системах.

На основе пленок NbgGe изготовлены и исследованы сверхпроводящие туннельные и микромостиковые контакты, а также полосковые СВЧ резонаторы, в которых впервые достигнута добротность 7,5−10^.

Впервые получены образцы со значениями критического тока 1,5-Ю5 А/см2 при температуре 20,4 К и 2-Ю7 А/см2 при 14 К.

В заключение автор выражает глубокую благодарность руководителю А. И. Головашкину за постоянное внимание и руководство работой. Автор признателен А. И. Адолину, Ю. Ф. Ельцеву, А.Л. Карузско-му, С. И. Красносвободцеву, И. С. Левченко, Н. Н. Лобанову, А. Н. Лыкову, В. П. Мартовицкому, В. В. Родину, А. И. Скворцову, Н.Е. Хлебо-вой, В. И. Цебро, Н. П. Шабановой, А. Л. Шелехову за помощь в проведении экспериментов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Jorda J.L., Flukiger R., Muller J. The Phase Diagram of the Niobium-Germanium System. — J.Less.-Comm.Met., 1978, v.62, p.25−37.
  2. Matthias B.T., Geballe Т.Н., Willens H.H., et al. Superconductivity of ivb^Ge. phys.Rev.A, 19b5, v. 139, И 5, p.1501−1503.
  3. Glaeson Т., Ivarsson J. f Rasmusaen S.iS. Superconductivity of № 5Ge3. J.Appl.Phya., 1977, v.48, ii 9, p.3998−3999.
  4. H.H., Воронова И. В., Лаврова O.A. и др. Сверхпроводимость массивного Hb^Ge выше 22К. ЖЭТФ. Письма, 1974, т.19, № 8, с.510−512.
  5. H.A., Петрусевич И. В., Нисельсон Л. А. Получение герма-нидов lib совместным восстановлением высших хлоридов водородом. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1972, т.8, № 12, с.2083−2092.
  6. Gavaler J. R, Superconductivity in Sb-Ge Films Above 22K. -Appl.Phys.Lett., 1973, v.23, N 8, p.480−482.
  7. Testardi L.R., Wernik J.H., Royer Yv.A. Superconductivity with Onset Above 23K in iib-Ge Sputtered Films. Sol. St .Comm., 1974, v.15″ N 1, p.1−4.
  8. Theuerer H.C., Hauser J.J. Getter Sputtering for the Preparation of Thin Film Interfaces. Trans.Met.Soc.AIMS, 1965, v.233, Ii 3, p.588−590.
  9. Chencinski ii., Cadieu F.J. The Synthesis of Iib-Ge by RF Sputtering. J. Low Temp.Phys., 1974, v.1b, N 5/6, p.507−517.
  10. Kampwirth R.T., Wu C.T., Hafstrom J.W. IJb^Ge and Nb^Sn Films Prepared by High-Rate Magnetron Sputtering. Adv.Cryog.Bng., 1978, v.24, p.405−472.
  11. Tarutani L.E., Kudo M., Taguchi S. jj W Structure Superconducting ihin Filme. — Proc, 5th Int.Cryog.Eng.Conf.(Kyoto, 1974). — London: IPG Science and Technology Press, 1974, p.477−479.
  12. Braginski A.I., Roland G.W. Chemical Vapor Deposition of Superconducting Wb^Gs Having High Transition Temperatures.-Appl.Phys.Lett., 1974, v.25, N 12, p.7b2−7b3.
  13. HammOftdR.H. Electron Beam Evaporation synthesis of A15 Superconducting Compounds- Accomplishments and Prospects. -IEEE Trans.Magn., 1975, v.11, Ii 2, p. 201−207.
  14. Sigsbee H.A. Growth of A15 Ub^Ge by Co-Evaporation. IEEE Trans.Magn., 1977, v.13, N2, p.307−310.
  15. Paidassi S., Spitz J., Besson J. Chemical Vapor Deposition of Ub^Ge on Continuous Stainless Steel Tapes. — Appl.Phys. Lett, 1978, v.33, N 1, p.105−107.
  16. A.K., Барыбин A.A., Вендик О. Г. и др. Сверхпроводящие пленки с критической температурой 24К. ЖТФ. Письма, 1979, т.5, гё 23, с.1461−1463.
  17. Ogushi Т., Watanabe Т., Yudo М., et al. Nb^Ge Prepared by High Rate Sputtering in a Container Coold by Liquid Я2″ -Jap, Jour.Appl.Phys., v.19, Я 10, p.2003−2009.
  18. Testardi L.R., Meek R.L., Poate J.M., et al. Preparation and Analysis of Superconducting i^Jb-Ge Films. Phys.Rev.B, 1975, v.11, If 11, p.4304−4317.
  19. Dynes R.C., Poate J.M., Testardi L.R., et al. Superconductivity Defects and Stoichiometry in A15 Materials. IEEE Trans.Magn., 1977, v.13, ii 1, p.640-b43.
  20. Testardi L.R., Poate J.M., Levinstein H.J. Anomalous Electrical Resistivity and Defects in A15 Compounds. Phys.Rev., 1977, v.15, Ii 5, p.2570−2580.
  21. McMillan W.L. Transition Temperature of Strong-Coupled Superconductors. Phys.Rev., 1968, v.167, N 2, p.331−344.
  22. Labbe J. Relation Between Superconductivity and Lattice Instability in the p W Compounds. — Phys.Rev., 1968, v.172,1. H 2, p.451−455.
  23. H.E. Новые сверхпроводники. УФН, 1968, т.95, № 2, с.253−266.
  24. Matthias В.Т. Higher Temperatures and Instabilities. In: Superconductivity in d- and f-Band Metals. Proc. AIP Conf. (Rochester, 1971). — New York- American Institute of Physics, 1972, v.4, p.367−375.
  25. Phillips J.C., Chemistry of High Temperature Superconductivity in the IMbW Family. — J.Appl.Phys., 1972, v.43, И 8, p.3560−3566.
  26. Testardi L.R. Stuctural Instability, Angarmonicity, and High-Temperature Superconductivity in A15 Structure Compounds.-Phys.Rev.В, 1972, v.5, N11, p.4342r4*49.
  27. Sweedler A.R., Cox D.E., Moehlecke S., et al. Superconductivity and Phase Stability of Itfb-jGe. J. Low Temp.Phys., 1976, v.24, N 5/6, p.645−661.
  28. Luhman Т., Sweedler A.R. Influence ofb-atom Diameter on Annealing Recovery Rates of Superconducting Transition Temperatures in Irradiated A15 U^B) Compouns. Phys.Lett., A, 1976, v.58, N 5, p.355−356.
  29. Gavaler J.R., Miller J.W., Appleton B.R. Oxygen Distribution in Sputtered? b-Ge Films. Appl.Phys.Lett., 1976, v.28, И 4, p.237−239.
  30. Gavaler J.R. Impurity Stabilization of JMb^Ge. In: Superconductivity in d- and f-Band Metals. Proc. 2nd AIP Conf. (Rochester 1976). — JNew Zork — London: Plenum Publishing Corporation, 1У76, If 4, p.421−427.
  31. Sigsbee R.A. Atmosphere Effects on Mb^Ge Growth and Superconductivity. Appl.Phys.Lett., 1976, v.29. И 3, p.211−213.
  32. Hallak А.В., Hammond R.H., Geballe Т.Н., Zubeck R.B. Phase Diagram of Electron-Beam Godeposited itfb^Ge: the Influence of Oxygen and Other Gases. IEEE Trans.Magn., 1977, v. 13, N 1, p.311−314.
  33. B.C., Постников В. В., Железный B.C. О повышении температуры сверхпроводящего перехода в пленочных образцах сплавов Nb-Ge, легированных кремнием. Физ. и химия обработки материалов, 1977, 16 5, с.172−173.
  34. Somekh R.E. The Sputtering of A15 itfb^Ge with Controlled Additions of Oxygen. Phil.Magaz.B, 1978, v.37, N 6, p.713−730.
  35. Krevet B., Schauer VV., Wiichner F., Schulze K. itfucleation and Growth of High-Tc Nb^Ge Coevaporated Films. Appl.Phys.Lett., 1980, v. 36, N 8, p.704−706.
  36. Braginski A.I., Roland G.W., Daniel M.R., et al. Impurity Doping of Chemical Vapor — Deposited iib^Ge and Its Effect on Critical — Current Density. — J.Appl.Phys., 1978, v.49, Iff 2, p.736−741.
  37. Lutz H., Wiesmann H., Bashkirov Y.A. formation of A15 ЯЬуЗе by Electron Beam Co-Deposition. Ferroelectrics, 1977, v.16, H ¼, p.259−261.
  38. Habermeier H.-U. Structure and Superconducting Properties of Nb-jGe Prepared in a UHV System Phys.St.Sol. A, 1981, v.64, N 1, p.195−206.
  39. DayemA.H., Geballe T.H., Siubeck R.B., et al. Epitaxial Growth of High rJCc Superconducting Nb^Q on Nb^Ir. Appl.Phys., Lett., 1977, v.30, N 10, p.541−543.
  40. DayemA.H., Geballe T.H., ?iubeck R.B., et al. Epitaxial Growth of JSb-jGe on Nb-jlr and Nb-^Rh. J.Phys.Chem.Sol., 1978, v.39, N 5, p.529−538.43″ Togson L.L., Rogowski D.A., Khox B.E. Ion Scattering and
  41. Auger Electron Spectrometry of Superconducting Nb^Ge Sputtered Films. J.Appl.Phys., 1976, v.47″ N11, p.5059−5063.
  42. Gavaler J.E., Ashkin M., Braginski it.I., Santhanam A.T. Stabilization of High Tc Nb-jGe. — J.Phys., 1978, v.39, N 1, p.400−401.
  43. Antonovsky A., Toth I.E., Bradford B., Goldman A.M. An Electron Microscopy Study of the A15 Nb^Ge Substrat Interface.-Appl.Phys., 1980, v.51, N 2, p.1111−1115.
  44. Stewart G.R., Newkirk L.B., Valencia F.A. Impurity Stabilized A15 Nbytfb a New Superconductor. — Phys.Rev.B, 1980, v.21, N 11, p.5055−5064.
  45. Kubo S", Iffakamura K., Igarashi M. Examination of the Properties of Superconducting lffb-Ge Films Prepared by DG Magnetron Sputtering. Jap.Jour.Appl.Phys., 1982, v.21, iff 4, p.601−611.
  46. Л.С., Фалько И. И. Кристаллохимическии анализ сверхпроводящих соединений типа АдВ1" — ДАН СССР, 1974, т.217, № 3, с.573−576.
  47. G.R., Douglass D.H. А15 Phases- Occurrence, Geller Radii, and Electronic Structure, J.Low.Temp.Phys., 1974, v, 14, N 5/6, p.565−573.
  48. Goldschmidt H.J. The Constitution of the Iron-Iffiobium-Silicon System. Jour, Iron and Steal Inst., 1960, Iff 2, p*169−180,54″ Muller P. Struktur und Supraleitung von niobreichen Niob-Silizium-Legierungen. Krist. und Technik, 1976, v.11, iff 1, р. КЗ-Кб.
  49. Ю.А., Юпко Л. М., Шишкин Е. А. Диаграмма состоянияlffb-Si . Изв. АН СССР. Металлы, 1980, с.206−211.
  50. Пан В. М, Алексеевский В. П., Попов А. Г., Белетский Ю. И., Юпко Л. М., Ярош В. В. Новый высокотемпературный сверхпроводник. ЕЭТФ. Письма. 1975, т.21, № 8, с.494−496.
  51. Stewart G.R., Olinger В., Iffewkirk L.R. Specific Heat of A15 iffb^Si Produced by Explosive Compression. Sol.St.Comm., 1981, v.39, N 1, p.5−9.
  52. Kawamura H., Tachikawa K. Synthesis of the A15 Iffb^Si Films by the Cemical Vapor Doposition. Phys.Lett. A, 1975, v.55, Iff 1, p.65−66.
  53. Somekh H. B", Evetts J.E. The Sputtering of High Tc Hb3Si and V-^Ge. Sol.St.Comm., 1977, v.24, H 10, p.733−737.
  54. Ogushi T., Hishi K", Hagai H., et al. ifb^Si Prepared by HighRate Sputtering Followed by Quenching,-31 Low Temp.Phys., 1980, v.41, N ½, p.13−23.
  55. Feldman R.D., Hammond R. H#, Geballe Т.Н. Epitaxial Growth of A15 M>3Si. IEEE Trans.Magn., 1981, v.17, H 1, p.545−548.
  56. Someich R.E. Analysis of X-Ray Traces of High Tc m>3Ge and Ifb3Si. J.Phys. 1978, v.39, H 8, p.398−399.
  57. Haase E.L., Meyer 0. High TQ Phases in the Wb-Si, ЖЬ-Ge and №-Ge-Si Ternary Systems. IEEE Trans.Magn., 1981, v.17,1. Я 1, p.541−544.
  58. Weger M. The Electronic Band Structure of V^Si and V-jGa. -Rev.Mod.Phys., 1964, v.36, H 1, p.175−177.
  59. Labbe J., Friedel J. Effect de la Temperature sur L’Instabilite Electronique et le Changement de Rhase Cristalline des Composes du Type V^Si a Basse Temperature. J.Phys., 1966, v.27, N 5−6, p.303−308.
  60. Л.П. К теории свойств сверхпроводников со структурой f-W. -ЖЭТФ, 1973, т.65, № 4, с.1658−1676.
  61. Л.П. Об особенностях электронного спектра соединений со структурой ?-W. ЖЭТФ. Письма, 1974, т.20, № 8,с.571−574.
  62. Mattheiss L.F. Energy Bands for YyL Compounds. Phys.Rev.A, 1965, v.138, N 1, p.112−128.
  63. Mattheiss L.F. APW-LCAO Band Model for A15 Compounds. Phys. Rev., B, 1975, v. 12, N 6, р.21Ы-2180.
  64. Clogston A.M., Jaccarino V. Susceptibilities and Negative Knight Shifts of Intermetallic Compounds. Phys.Rev., 1961, v.121, U 5, p.1357−1362.
  65. Morin F.J., Maita T.P. Specific Heats of Transition Metal Superconductors. Phys.Rev., 1963, v.129, N 3, p.1115−1120.
  66. Labbe J., Barisio S., Priedel J. Strong-Coupling Superconductivity in V^X Type of Compounds. Phys.Rev.Lett., 1967, v.19, N 18, p*1039−1041•
  67. Bardos D.J., Waterstrat R.M., Rowland T.J., et al. The Magnetic Susceptibility of Transition-Metal A15 Type Phases. -J.Low Temp.Phys., 1970, v.3, H 5, p.509−518.
  68. Junod A., Staudenmann J.-L., Muller J., Spitzli P. Superconductivity, Density of — States Models, and Specific Heat of A15 — Type Compounds V-Ga and V-Si. — J. Low Temp.Phys., 1971, v.5, H 1, p.25−43.
  69. Dynes R.C., Varma C.M. Superconductivity and Electronic Density of States. J.Phys.F, 1976, v.6, N 7, p.1215−1219.
  70. Sarachik M.P., Smith G.E., Wernick J.H. The Thermoelectric Power of VjX Compounds. Canad.J.Phys., 1963, v.41, N 10, p.1542−154b.
  71. Woodard D.W., Cody G.D. Anomalous Resistivity of Niobium Stannide. RCA Rev., 1964, v.25, N 3, p.393−404.
  72. А.И., Левченко И. С., Мотулевич Г. П. Свойства пленок сверхпроводящих сплавов m^Ga, полученных испарением в вакууме. ФТТ, 1974, т.16, № 7, с.2100−2102.
  73. А.И., Левченко И. О., Мотулевич Г. П. Характеристики сверхпроводящих сплавов с решеткой типа AI5, полученных методом испарения в вакууме. Труды ФИАН, 1975, т.82, с. 72 — 102.
  74. Lutz Н., Wiesmann Н., Kammerer O.F., Strongin М. Correlation Between the Transition Temperature of IVb^Ge and Hormal State Resistivity. — Phys. Rev. Lett., 1976, v.36, N 26, p.1576−1579.
  75. Cohen R.W., Cody &.D., Halloran J.J. Effect of Permi-Level Motion on? formal-State Properties of Ji '.Tungsten Superconductors. — Phys.Rev.Lett., 1967, v. 19, If 15, p.840−844.
  76. Milewits М." Williamson S.J., i’aub H. Exponential Temperature Dependence of the Electrical Resistivity of V^Si. Phys.Rev. B, 1976, v.13, if 12, p.5199−5210.
  77. Ting C.S., Snyder T.M., Williamson S.J. Saturation Contribution to the Electrical Resistivity from Electron-Phonon Interaction in Transition Metal Compounds. J. Low Temp.Phys., 1979, v.36, W 5/6, p.531−537.
  78. Allen P.В., Hui J.O.K., Pickett W.E., et al. Anharmonicityas an Explanation for Anomalous Resistance of High T Superconductors. — Sol.St.Comm., 1976, v.18, Л 9−10, p.1157−1159.
  79. Q7. Горьков Л. П., Дорохов О. Н. Сверхпроводящие свойства и структурный переход в соединенияхс решеткой AI5. ЖЭТФ, 1976, т.71, № 5(11), с.1934−1950.
  80. Fisk Z., Webb G.W. Saturation of the High Temperature Normal — State Electrical Resistivity of Superconductors. — Phys. Rev.Lett., 1976, v.3b, N 18, p.1084−1086.
  81. Morton i’i., James B.W., W’ostenholm G.H. The Resistivity of the? -W Compounds. Cryogenics, 1978, v.18, N 3, p.131−136.
  82. Fisk Lawson A.C. Normal State Resistance Behavior and Superconductivity. Sol.St.Comm., 1973, v.13, Я 3, p.277−279.
  83. Wiesmann H., Gurvich M., Chosh A.K., et al. Estimate of Density of — States Changes with Disorder in A15 Superconductors. — Phys.Eev. B, 1978, v.17, N 1, p.122−125.
  84. Crow J.В., Strongin M., Thompson R.S., Kammerer O.F. The Superconducting Transition Temperatures of Disordered 1Tb, W and Mo Films. Phys.Lett. A, 1969, v.30, N 3, p.161−162.
  85. Н.Ф. Свойства сверхпроводников с сильной связью в произвольном магнитном поле вблизи критической температуры.
  86. ФТТ, 1974, т.16, № 8, с.2342−2349.
  87. Rainer D., Bergmann u. Temperature Dependence of tiQ2 end Эб^in Strong Coupling Superconductors. J. Low Temp.Phys., 1974, v.14, N 5/6, p, 501−519.
  88. Werthamer H.R. The Ginzburg Landan Equations and Their Extensions. — In: Superconductivity. — New Yorks Marsel Dekker, INC., 1969, v. 1, p.321−370.
  89. Allen P.В., Pickett W.E., Ho K.M., Cohen M.L. Anomalous Resistivities of A15 Metals Insinghts from Band Theory. — Phys. Rev.Lett., 1978, v.40, H 23, p.1532−1534.
  90. Mattheiss L.F., Testardi L.R., Yao W.ViI. Plasma Energies for A15 Compounds. Phys.Rev. B, 1978, v.17, W 12, p.4640−4643.
  91. Allen P.B., Dynes B.C. Transition Temperature of Strong-Coupled Superconductors Reanalyzed. Phys.Rev. B, 1975, v. 12, 3J 3, p.905−922.
  92. Harper J.M.E., Geballe T.H., Newlcirk L.R., Valencia P.A. Low Temperature Thermal and Electrical Properties of Chemical Vapor — Deposited iib^Cie. — J. Less — Comm. Metals, 1975, v.43, p.5−11.
  93. Stewart G.R., flewkirk L.R., Valencia P.A. Specific Heat of Single Phase Nb^Ge. Sol.St.Comm., 1978, v.26, N 7, p.417−420.
  94. Tsuei C.C., von Molnar S., Coey J.M. Comparison Between the Amorphous and Crystalline (A15) Phase of Nb^Ge. Phys.Rev. Lett., 1978, v.41, M9, p.664−668.
  95. Kihlstrom K.E., Geballe T.H. Tunneling <*2F(t*>) as a Function of Composition in A15 itfbGe. — Phys.Rev. B, 1981, v.24, N 7, p.4101−4104.
  96. Tsuei C.C., Johnson W.L., Laibowitz R.B., Viggiano J.M. The Ratio of Energy Gap to Transition Temperature in Amorphous Superconductors. Sol.St.Comm., 1977, v.24, N 9, p.615−618.
  97. Hopfield J.J. Angular Momentum and Transition Metal Superconductivity. — Phys.Hev., 1969, v.18b, p.443−451.
  98. Qomersall I.R., Gyorffy B.L. Variation of T with Electron-per- Atom Ratio in Superconducting Transition Metals and their Alloys. Phys.Rev.Lett., 1974, v. 33, If 21, p. 1286−1290.
  99. Schrieffer J.R., Scalapino D.J., Wilkins J.W. Effective Tunneling Density of States in Superconductors. Phys.Hev.Lett., 1963, v.10, N 8, p.336−339.
  100. Г. М. Взаимодействие электронов с колебаниями решетки в сверхпроводнике. ЖЭТФ, I960, т.38, 3, с.966−976.
  101. Г. М. Температурные функции Грина электронов всверхпроводнике. ЖЭТФ, I960, т.39, № 5, с.1437−1441.
  102. McMillan W.L., Rowell J.M. Lead Phonon Spectrum Calculated from Superconducting Density of States. Phys.Rev.Lett., 1965, v. 14, xi 4, p.108−112.
  103. Pintschovius L., Smith H.G., Weber W., et al. Phonons and Electron Phonon Coupling in A15's. — In- Superconductivity in d- and f-Band Metals. Proc. 4th Conf.(Karlsruhe, 1982).-Karlsruhe- Kernforschungszentrum GmbH, 1982, p.9−14.
  104. Polak R.A., Tsuei C.C., Johnson R.W. Hybridization and Bonding in Transition Metal Compound Superconductors- X-Ray Photoemission from Crystalline and Amorphous Nb^Ge. Sol.St. Comm., 1977, v.23, N 12, p.879−881.
  105. A.M., Печень E.B. Свойства сверхпроводящих пленок Nb^Ge, полученных в различных режимах катодного распыления. М., 1978, 12с. (Препринт/ФИАН № 261).
  106. А.И., Печень Е. В. Стабилизация решетки AI5 в пленках ub3Ge . М., 1979, 23 с. (Препринт/ФИАН № 131).
  107. А.И., Журкин Б. Г., Карузский A.JI., Новиков В. И., Печень Е. В., Цховребов A.M. Сверхпроводящие микрополосковые СВЧ резонаторы из Nb^SnH Nb^Ge.- М., 1981, 34 с. (Препринт/ ФИАН № 135).
  108. Wu С.Т., Kamerdiner L., Luo H.L. Analyses of Sputtered Films of Fb^Ge. Appl.Phys.Lett., 1977, v.30, N 10, p.543−545.
  109. Технология тонких пленок/ под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга- М.: Сов. радио, 1977, т.1, 664 с.
  110. А.И., Печень Е. В., Скворцов А. И., Хлебова Н. Е. Взаимосвязь характеристик и структуры пленок Nb Ge с высокими Тс. — ФТТ, 1981, т.23, № 5, с.1324−1330.
  111. А.И., Мартовицкий В. П., Печень Е. В., Родин В. В. Рентгенографическое изучение сверхпроводящих пленок irb-Ge ФММ, 1982, т.54, if" I, с.72−74.
  112. Д.М., Зевин Л. С. Рентгеновская дифрактометрия. М.: Физматгиз, 1963, 380 с.
  113. Г. С., Илюшин А. С., Никитина С. В. Дифракционный анализ.- М.: Наука, 1980, 256 с.
  114. А. Рентгеновская металлография. М.: Металлургиздат, 1965, 663 с.
  115. Braun H.F., Saur E.J. Structure and Superconducting Properties of Sputtered Nb^Ge Films. Proc.6 th Int.Cryog.Engin. Conf. (Grenoble, 1976). — London: IPC, 1976, p.411−413.
  116. Chiao R.Y., Feldman M.J., Ohta H., Parrish P.T. Fabrication of Small Microbridges. Rev.Fhys.Appl., 1974, v.9, N 1, p.183−185.
  117. А.И., Лыков A.H. Исследование мостиковых контактов из высокотемпературного сверхпроводника Nb^Sn . ЖЭТФ, 1978, т.74, IS I, с.214−223.
  118. А.И., Лыков А. Н., Печень Е. В. Проявление эффекта Джозефсона на мостиковых контактах из Nb^Ge . Краткие сообщения по физике, 1978, № II, с.6−12.
  119. А.И., Печень Е. В. Свойства пленок высокотемпературного сверхпроводящего сплава Nb^Ge, полученного катодным распылением. ФТТ, 1979, т.21, № 4, с.1248−1249.
  120. А.И., Печень Е. В. Стабилизация высокотемпературной сверхпроводящей фазы Kb^Ge . ФНТ, 1980, т.6, № 4,с.454−464.
  121. А.И., Печень Е. В. Роль кислорода при формировании структуры пленок rn^Ge с высокими критическими температурами. -ЖЭТФ. Письма, 1979, т.29, № 7, с.396−399.
  122. Farrell Н.Н., Isaacs H.S., Strongin М. The Interaction of Oxygen and Nitrogen Reaction Kinetics. Surface Sci., 1973, v.38, IT 1, p.31−52.
  123. Kihlstrom K.E., Hammond R.H., Talvacchio J. et al. Preparation, Tunneling, Resistivity, and Critical Current Measurements on Homogeneous High Tc A15 Nb^Ge Thin Films. — J.Appl.Phys. 1982, v.53, N 12, p.8907−8914.
  124. Letellier В., Renard J.С. Superconducting Properties and
  125. Structure of ilb^Ge Samples Prepared by High Pressure B.C. Sputtering and by Solid State Diffusion. IJ3?№ irans.Magn., 1979, v.15, N 1, p.498−501.
  126. M.А. Теория рассеяния рентгеновских лучей и тепловых нейтронов реальными кристаллами. М.: Наука, 1967, с.336
  127. Pupp W.A. The Presence of iib^Ge^ and itfbO in Highly Superconducting iflb^Ge Films. 'fhin Sol. Films, 1979, v.61, H 3, p.373−377.
  128. H5. Головашкин А. И., Печень Е. В., Шабанова Н. П. Критические магнитные поля и электронные характеристики пленок m^Ge. -M., 1981, 23 с. (Препринт/ФИАН № 238).
  129. А.И., Красносвободцев С. И., Печень Е. В. Изучение стабилизации фазы AI5 в системе wb-Si . 22 Всесоюзн. совещание по физике низких температур (Кишинев, 1982). Тез. докл. — Харьков: ФТИНТ, 1982, ч. З, с.15−16.
  130. Е.В. Стабилизация сверхпроводящей фазы m^si примесью de . Краткие сообщения по физике, 1983, 10, с. 5864.
  131. А.И., Журкин Б. Г., Карузский А. Л., Красносвобод-цев С.И., Мартовицкий В. П., Печень Е. В., Родин В. В. Высокие Тк и нестабильность сверхпроводящих фаз мьс, irb^Ge ,
  132. Kb^Si при приближении их состава к стехиометрическому.-В сб.: Металлофизика сверхпроводников. Материалы 2-го научного семинара (Киев, 1983). Киев, ИФМ АН УССР, 1983, ч.1, с.106−107.
  133. Braun H.F., Haeussler Е.Н., Saur E.J. Anisotropy of Critical Currents and Filds in Sputtered and Evaporated Superconducting m>3Ge Films.-IEEE Trans.Magn., 1977, v.13,N 1, p.327−330.
  134. А.И., Печень E.B., Шабанова Н. П. Температурная зависимость критических магнитных полей и электронные характеристики пленок №>3-Ge . ЖЭТФ, 1982, т.82, № 3, с.850−861.
  135. А.И., Шелехов АЛ. Определение электронных характеристик металлов и сплавов по модуляционным оптическим спектрам. М., 1981, 25 с. (Препринт/ФИАН № 96).
  136. Helfand Е., Werthamer N.R. Temperature and Purity Dependence of the Superconducting Critical Field, Hc2″ II. Phys.Rev., 1966, v.147, I 1, p.288−294.
  137. Maki X. The Magnetic Properties of Superconducting Alloys. II. Physics, 1964, v.1, N 2, p.127−143.
  138. Foner S., McNiff E.J., Jr. Upper Critical Fields of Cubic and Tetragonal Single Crystal and Polycrystalline Wb^Sn in DC Fields to 30 Tesla. Sol.St.Comm., 1981, v.39, N 9, p.959−964.
  139. A.M., Левченко И. О., Мотулевич Г. П., Печень E.B., Шелехов АД. Температурная зависимость электросопротивления пленок Nb-Ge. ФТТ, 1983, т.26, Л I, с.69−76.
  140. А.И., Шелехов А, Л. Алгоритм и программа расчета электронных характеристик металлов и сплавов по термомодуляционным спектрам. М., 1981,33с.(Препринт/ФИАН J& 134).
  141. Wagner К. Б", iSlis W.C. Vapor-Liquid-Solid Mechanism of Single Crystal Growth. Appl.Phys.Lett., 19t>4, v.4,1. И 5, p.89−91.
  142. Dew-Hughes D. Superconducting A15 Compounds: a Review.-Cryogenics, 1975, v.15, p.435−454.
  143. Mitsumaaa S", itfobuaki S, Takeshi A* Superconducting Tc*s of Sputter Deposited lib-Ge Films and Tc lionuniformity within Films. — Jap.Jour.Appl.Phys., 1982, part 1, v.21, N 6, p.840−844.
  144. E.L., ??asadzinski J., Arnold C.B., et al. Tunneling and the Electron-Phonon-Coupled Superconductivity of Nb^Sn.-Phys.Rev. B, 1980, v.22, N 3, p.1214−1217.
  145. А.И., Левченко И. О., Лексина И. Е. и др. Корреляция критической температуры сверхпроводящего перехода с концентрацией электронов проводимости для сплавов ванадия с галлием и ниобия с титаном.-ЖЭТФ, Письма, 1969, т.10,М, с.5Х51АИ 517 •
  146. Dy L.C., 'Williams W.S. Resistivity, Superconductivity and Order-Disorder Transformations in Transition Metal Carbides and Hydrogen Doped Carbides. — J.Appl.Phys", 1982, v.53, N 12, p.8915−8927.
  147. Allen Р. В", Mitrovic B. Theory of Superconducting T. с
  148. Sol.St.Phys"i 1982, v.37, p.1−92.
  149. А.И., Печень E.B., Шабанова Н. П. Зависимость характеристик Mb3Ge и m>3Sn от длины свободного цробега электронов и температуры. В сб.: Металлофизика сверхпроводников. Материалы 2-го научного семинара (Киев, 1983).
  150. Киев: ИМФ АН УООР, 1983, ч.1, с.92−93.
  151. Caton Е., Viswanathan Я. ?formal State Resistivity of Single
  152. Geerk J., Rowell J.M., Schmidt P.H., et al. Electron Tunneling Into A15 tfbGe. In: Superconductivity in d- and f-Band Metals. Proc. 4th Conf.(Karlsruhe, 1982). — Karlsruhe: Kernforschungszentrum GmbH, 1982, p.23−26.
  153. Resonance Properties. Phys.Rev.Lett., 190, v.5, N 4, p.149−152.174"0logston A.M., Jaccarino V. Susceptibilites and Negative Knight Shift of Intermetallic Compounds. Phys.Rev., 1961, v.121, p.1357−1362.
  154. Weber V/. The Phonons of !1ЪуЗп. In: Superconductivity in d- and f-Band Metals. Proc.4th Conf, (Karlsruhe, 1982).-Karlsruhe: Kernforschungszentrum GmbH, 1982, p.15−18.
  155. McMillan W.L. 'Dunneling Model of the Superconducting Proximity Effect. Phys.Rev., 1968, v.175, XST 2, p.537−542.
  156. Hoffstein V., Cohen R.W. She Anisotropic Superconducting Energy Gap of Iftj^Sn. Phye.Lett.A, 1969, v.29, N 10, p. b03-b04.
  157. Kurini S. f Ohora I. Surface Structure of High-®c jtfb-jGe Films. J. Low Temp.Phys., 1982, v.47, И ½, p.111−121.
  158. K.K. Движение вихрей и эффект Джозефсона в сверхпроводящих тонких мостиках. ЖЭТФ, 1971, т.61, .№ 4 (10), с.1700−1711.
  159. Л.Г., Ларкин А. И. Эффект Джозефсона в широких сверхпроводящих контактах. ЖЭТФ, 1975, т.68, & 2, с.766−775.
  160. А.И., Лыков А. Н., Прищепа С. Л. Исследование применимости вихревой модели для мостиковых контактов из сверхпроводников с решеткой AI5. ЖЭТФ, 1979, т.76, 16 4, с.1316−1324.
  161. Hikita М., Nakamura К., Kubo S., et al. Fabrication and I V Characteristics of High — Ic iflb^Ge Microbridges. -Jap.Jour.Appl.Phys*, 1982, v.21, If 1, p. L10-L12.
  162. Diepers H., Martens H. Superconducting Miobium Mode Cavities with High Critical Magnetic Field and High Q Value.-Phys.Lett.A, 1972, v.38, N 3, p.337−338.
  163. DiHardo A.J., Smith J.G., Arams F.R. Superconducting Microstrip High-Q Microwave Resonators. J.Appl.Phys., 1971″ v.42, И 1, p. 186−189.
  164. М.М., Козырев A.B., Леонтьева Н. Ф. и др. Структурные и электрофизические свойства тонких сверхпроводящих пле-ное ниобия. Известия ЛЭТИ, 1979, в.246, с.73−77.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!