Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Инерционность междолинного перераспределения электронов в германии и кремнии

Диссертация: Инерционность междолинного перераспределения электронов в германии и кремнии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В случае слабого разогрева экспериментально обнаружена зависимость инерционности междолинного перераспределения электронов в кремнии от степени легирования материала и определена область концентраций, в которой примесным междолинным рассеянием можно пренебречь. В материале такой чистоты измерена температурная зависимость времени междолинной релаксации электронов. Впервые проведен корректный… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА I. РЕЛАКСАЦИЯ СИСТЕМЫ РАЗОГРЕТЫХ ЭЛЕКТРОНОВ В 6д
  • И 3/ (обзор литературы)
    • 1. 1. Инерционность релаксации импульса
    • 1. 2. Инерционность релаксации энергии
    • 1. 3. Инерционность меящолинного перераспределения
    • 1. 4. Характеристика электрон-фононного взаимодействия
    • 1. 5. Выводы и постановка задачи
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЙ
    • 2. 1. Методика дифференциальной подвижности
    • 2. 2. Методика интегральной подвижности
      • 2. 2. 1. Принцип измерения
      • 2. 2. 2. Определение Етв полупроводнике по поступающей в тракт мощности
      • 2. 2. 3. Определение Ет в полупроводнике по абсорбированной образцом мощности
    • 2. 3. Другие детали эксперимента
  • ГЛАВА 3. ЧИСЛЕННОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ИНЕРЦИОННОСТИ МЩОЛИН НОГО ПЕРЕРАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ В КРЕМНИИ
    • 3. 1. Методы расчета
      • 3. 1. 1. Метод Монте-Карло
      • 3. 1. 2. Итерационный метод
    • 3. 2. Междолинная релаксация электронов в случае слабого разогрева
    • 3. 3. Междолинная релаксация электронов в случае сильного разогрева
  • ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ИНЕРЦИОННОСТИ СОСТОЯНИЯ СИСТЕМЫ СВОБОДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В УСЛОВИЯХ РАЗОГРЕВА
    • 4. 1. Инерционность при слабом разогреве
      • 4. 1. 1. Частотная зависимость коэффициента ос в
      • 4. 1. 2. Влияние легирования на инерционность междолинного перераспределения электронов в кремнии
      • 4. 1. 3. Температурная зависимость времени междолинного перераспределения электронов в кремнии
    • 4. 2. Инерционность в сильном постоянном и слабогреющем переменном электрических полях
      • 4. 2. 1. Полевая зависимость ВЧ проводимости электронного кремния
      • 4. 2. 2. Количественный анализ результатов измерения
    • 4. 3. Частотная зависимость скорости диссипации энергии и заселенности долин в условиях сильного разогрева
      • 4. 3. 1. Частотная зависимость скорости диссипации энергии
      • 4. 3. 2. Перераспределение электронов между долинами в переменных электрических полях
    • 4. 4. Влияние многодолинности зоны проводимости на средний ток, протекающий через полупроводник при наличии постоянного и ВЧ полей
      • 4. 4. 1. Определение мгновенных значений проводимости
      • 4. 4. 2. Методика и результаты измерений
  • ГЛАВА 5. ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ В n~Si. III
    • 5. 1. Модель электрон-фононного взаимодействия
    • 5. 2. Определение констант связи с низкоэнергетическими ^ -фононам и
      • 5. 2. 1. Анализ условий проявления рассеяния низкоэнергетическими р- -фононами
      • 5. 2. 2. Полевая зависимость шумовой температуры электронов в n-S
    • 5. 3. Определение характеристик высокоэнергетического рассеяния

Инерционность междолинного перераспределения электронов в германии и кремнии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Постоянно ведутся поиски новых, обладающих перспективными свойствами, материалов. Однако, несмотря на то, что их количество продолжает бурно расти, ве и 5/, благодаря своей технологичности и дешевости, остаются основными материалами, используемыми в промышленности приборостроения. Кроме того, Ве и 5/ являются наиболее хорошо изученными полупроводниками. Поэтому они часто служат модельными материалами при изучении отличительных особенностей новых кинетических явлений. Следовательно, проблема раскрытия новых и более полного использования старых свойств этих полупроводников является весьма актуальной.

По мере того, как электронные устройства все шире применяются практически во всех областях производства и повседневной жизни, полупроводниковая техника, лежащая в их основе, идет по пути повышения быстродействия и миниатюризации. В частности, дальнейшее развитие электронной вычислительной техники, техники связи, телевидения и автоматического управления определяется повышением быстродействия транзисторов [I]. Решение упомянутых проблем тесно связано с эффектом разогрева носителей заряда.

С одной стороны, вследствие миниатюризации увеличиваются поля, ускоряющие носители заряда в кристалле. Так в современных интегральных схемах поля достигают напряженности 10^ В/см и более [2]. При таких напряженностях электрического поля даже при комнатной температуре в кремнии и германии электроны сильно разогреваются, вследствие чего существенно могут проявиться их свойства, обусловленные многодолинной структурой зоны проводимости. Например, на частотную характеристику прибора может оказать влияние инерционность междолинного перераспределения носителей заряда.

Кроне того, при повышенных плотностях мощности, характерных для устройств уменьшенных размеров, могут возникнуть качественно новые явления, требующие специального изучения. К ним можно отнести эффект самовоздействия, когда сильное электромагнитное поле, разогревая носители заряда, формирует свойства среды, в которой оно распространяется [3]. Очевидно, что характер самовоздействия во многом определяется такими параметрами плазмы, как средняя энергия частиц, их распределение между долинами и пр.

С другой стороны, известно, что сильное электрическое поле обычно уменьшает инерционность релаксационных явлений, определяющих кинетические свойства полупроводника. Поэтому именно с использованием более сильных электрических полей связывают определенные надежды по улучшению быстродействия полупроводниковых приборов.

Сказанное показывает, что первостепенное значение приобретают исследования инерционных свойств, в том числе инерционности междолинной релаксации, системы свободных носителей заряда в сильных электрических полях.

Целью настоящей работы являлось изучение проявления инерционности междолинного перераспределения электронов в бе и # путем наблюдения релаксации электропроводности в переменном электрическом поле. Исследование проводилось в широком диапазоне частот переменного поля и при разных степенях разогрева электронного газа.

Научная новизна. Исследованы частотные зависимости электропроводности Ве и & в сильных С6Ч полях. Установлено, что, в отличие от случая слабого разогрева, анизотропия заселенности долин в условиях проявления инерционности междолинного перераспределения электронов увеличивается с частотой.

В случае слабого разогрева экспериментально обнаружена зависимость инерционности междолинного перераспределения электронов в кремнии от степени легирования материала и определена область концентраций, в которой примесным междолинным рассеянием можно пренебречь. В материале такой чистоты измерена температурная зависимость времени междолинной релаксации электронов. Впервые проведен корректный анализ экспериментальных данных по инерционности междолинного перераспределения с учетом взаимосвязи внут-ридолинного и междолинного механизмов рассеяния. Показано, что в интервале температур (67−300) К междолинное рассеяние? -типа можно описать одним фононом с энергией 540 К.

Рассмотрено, в каких условиях в П-5/ должен проявиться преимущественно тот или иной тип фононов. В результате совместного анализа данных трех экспериментов, — зависимости шумовой температуры электронов от поля, температурной зависимости времени междолинной релаксации и температурной зависимости омической подвижности, — определен набор констант связи, характеризующий интенсивность электрон-фононного взаимодействия в /7−5/ .

Практическую ценность в первую очередь представляют экспериментальные данные по исследованию инерционности процесса междолинного перераспределения. От величины времени междолинной релаксации Т[ будут зависеть частотные характеристики приборов, принцип работы которых основан на эффекте разогрева носителей заряда. Поэтому, результаты исследования зависимостей от величины электрического поля, температуры, степени легирования материала могут быть использованы при создании новых и улучшении параметров уже действующих полупроводниковых приборов.

Важным для практики является установление того факта, что в сильных переменных электрических полях в условиях проявления инерционности междолинных переходов, анизотропия заселенности долин растет с частотой поля, чего нельзя было предположить по данным исследований, проведенных в области слабого разогрева.

В работе предложенная сравнительно простая и тщательно обоснованная модель электрон-фононного взаимодействия в л-&-' может быть использована для теоретических оценок ожидаемых эффектов.

Содержание диссертационной работы изложено в пяти главах.

В первой главе дается краткий обзор работ, посвященных исследованию инерционности процессов релаксации импульса, энергии и междолинного перераспределения. Рассматривается состояние проблемы определения констант связи электронов с колебаниями решетки в /7−5/ .В конце главы формулируются выводы, характеризующие степень завершенности исследований по вопросам, затронутым в обзоре, и приводится постановка задачи.

Вторая глава посвящена методике эксперимента. В ней описаны две ВЧ методики, использованные в исследованиях. Рассмотрена проблема определения ВЧ поля в образце. Описаны блок-схемы измерений, а также приведены некоторые общие данные об образцах.

В третьей главе численными методами на модели /?-$ проанализирован процесс междолинного перераспределения электронов. Исследовано влияние скорости внутридолинной релаксации энергии на инерционность этого процесса. Изучены наиболее общие черты кинетики междолинной релаксации в сильном электрическом поле. Дается краткое описание использованных методов расчета.

В четвертой главе изложены результаты экспериментального исследования процессов релаксации энергии и междолинного перераспределения электронов в германии и кремнии. Для /7-Л' приводятся температурная и концентрационная зависимости времени междолинной релаксации электронов, измеренные в условиях слабого разогрева, а также полевые зависимости малосигнальной ВЧ проводимости при 78 К. Далее излагаются результаты исследований анизотропии проводимости. п-бе и /7−5/ в сильных переменных электрических полях. В конце главы приводятся результаты измерения проводимости в скрещенных электрических полях.

В пятой главе показано, что существуют физические явления, определяемые главным образом взаимодействием электронов с фонона-ми отдельных групп. На основе этого подобраны эксперименты, в результатах которых наиболее убедительно проявились черты этого взаимодействия. Приводится набор констант связи электронов с колебаниями решетки для /7−5/, определенный по данным таких экспериментов.

В заключении сформулированы основные результаты, полученные в диссертационной работе.

На основании полученных результатов на защиту выносятся следующие основные положения:

1. Динамика междолинного перераспределения электронов качественно меняется при переходе от слабого разогрева к сильному, причем, характеризовать инерционность этого процесса с помощью времени релаксации в условиях слабого разогрева можно даже при наличии сильного неупругого рассеяния.

2. Интенсивность междолинного рассеяния fтипа в п~81 в интервале температур (674−300) К можно описать при помощи одного фонона с энергией 540 К.

3. В сильных переменных электрических полях, в отличие от случая слабого разогрева, в условиях проявления инерционности междолинного перераспределения носителей зарада анизотропия заселенности долин растет с частотой.

Основные результаты опубликованы в работах:

I. Гинтилас Ш., Денис В. Исследование электропроводности электронного кремния в сильном переменном электрическом поле. -Лит.физ.сб., 1980, т.20, № 3, с.31−37.

2. Алякна Ю., Гинтилас Ш., Денис В. Диссипация энергии и междолинное распределение электронов в Ве и & в сильных ВЧ полях. — Тезисы докладов 1У симпозиума «Плазма и неустойчивости в полупроводниках», Вильнюс, 1980, с.85−86.

3. Гинтилас Ш. Высокочастотная проводимость пв сильных электрических полях. — Тезисы докладов республиканской конференции молодых ученых" Физика, технология и производство полупроводниковых приборов", Вильнюс, 1980, с.47−48.

4. Алякна Ю., Гинтилас Ш., Денис В. Диссипация энергии и мевдо-линное перераспределение электронов в & и в сильных ВЧ полях. — Ш, 1982, т.16, в.10, с.1820−1824.

5. Гинтилас Ш., Денис В., Мартунас 3., Шеткус А. Температурная зависимость времени междолинной релаксации в электронном кремнии. — Тезисы докладов У симпозиума «Плазма и неустойчивости в полупроводниках», Вильнюс, 1983, с.119−120.

6. Викторавичюс В., Гинтилас Ш., Милюшите Р. Определение константы взаимодействия электронов с низкотемпературными ^ - фонона-ми в /7—5/. — Тезисы докладов республиканской конференции молодых ученых «Физика, технология и производство полупроводниковых приборов», Вильнюс, 1984, с.18−19.

7. Гинтилас Ш., Мартунас 3. К вопросу о температурной зависимости Т{ в п-81. — Тезисы докладов республиканской конференции молодых ученых «Физика, технология и производство полупроводниковых приборов», Вильнюс, 1984, с.29−30.

8. Гинтилас Ш., Денис В., Мартунас 3., Шеткус А. Температурная зависимость времени междолинной релаксации в электронном кремнии. — ФТП, 1984, т.18, в.2, с.324−326.

Результаты докладывались на:

Четвертом и пятом всесоюзных симпозиумах «Плазма и неустойчивости в полупроводниках» (Вильнюс, 1980, 1983 г. г.).

Республиканских конференциях молодых ученых «Физика, технология и производство полупроводниковых приборов» (Вильнюс, 1980, 1984 г. г.).

Результаты также обсуждались на семинарах Института физики полупроводников АН Литовской ССР.

Основные результаты диссертационной работы сформулируем в виде следующих кратких положений:

1. Особенности динамики междолинного перераспределения определяются степенью разогрева электронного газа. В слабогреющих электрических полях изменение заселенности долин протекает экспоненциально. По мере увеличения разогрева экспоненциальность этого процесса нарушается. Возникает асимметрия кривых нарастания и спада неравновесной заселенности долин. Причем на кривой нарастания появляются черты осцилляционного характера, а процесс спада разбивается на два этапа, — быстрый и медленный, — соответствующие междолинному перераспределению горячих и остывших носителей. Значимость быстрого этапа с ростом поля увеличивается.

2. Время междолинного перераспределения электронов T? измерено в образцах n-Si разной степени легирования. Эксперимент проведен при температуре 78 К в условиях слабого разогрева. В обто о ласти концентраций электронов п> 3*10 см" ° наблюдалось уменьшение инерционности междолинной релаксации. Показано, что зависимость T? от степени легирования материала обусловливается, как увеличением связи между активной и пассивной областями-пространства в результате е-е соударений, так и междолинным рассеянием на ионизированных примесях.

3. В высокоомном n-Si, в котором примесным междолинным рассеянием можно пренебречь, измерена зависимость времени междолинной релаксации электронов T? от температуры в интервале (67−120) К. Проведен анализ экспериментальных данных по ТЛТ) с учетом взаимосвязи внутридолинного и междолинного механизмов рассеяния. Показано, что в интервале температур (67−300) К междолинное рассеяние fтипа можно описать одним фононом с энергией 540 К.

4. В высокоомном л-<5/ при температуре 78 К наблюдалась зависимость инерционности высокочастотной (ВЧ) проводимости от степени разогрева электронного газа постоянным электрическим полем напряженностью до 3 кВ/см. Установлено, что в диапазоне частот 3−10 ГГц инерционность междолинного перераспределения электронов заметно проявляется на величине ВЧ проводимости до полей I кВ/см. На частоте 38 ГГц инерционность ВЧ проводимости наблюдалась во всем исследованном диапазоне полей.

5. Установлено, что в сильных переменных электрических полях, в отличие от случая слабого разогрева, в условиях проявления инерционности междолинного перераспределения электронов анизотропия заселенности долин в ве и 5/ растет с частотой. Эффект обусловлен тем, что перераспределение электронов между долинами в сильном электрическом поле происходит значительно быстрее, чем возвращение системы в равновесное состояние после выключения поля.

6. Предложен способ экспериментального наблюдения частотной зависимости процесса диссипации энергии в сильных переменных электрических полях. Исследования р-6е в диапазоне частот (3−38) ГГц при температуре 78 К показали, что в электрических полях напряженностью до 3 кВ/см такая зависимость отсутствует.

7. Численными методами проанализированы условия, при которых в должен проявиться преимущественно тот или иной тип фоно-нов. В результате совместного рассмотрения тщательно подобранных экспериментальных данных: зависимости шумовой температуры электронов от электрического поля, температурной зависимости времени «еждолинной релаксации и температурной зависимости омической подвижности определен набор констант связи, характеризующий интенсивность электрон-фононного взаимодействия в .

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ю.К., Юцене В. Ю. Сверхбыстродействующие биполярные и полевые транзисторы (Обзор). — Вильнюс: Препринт Н018 Института физики полупроводников АН Лит. ССР, 1983, — 60 с.
  2. К., Голоньяк Н. Горячие электроны в слоистых полупроводниковых структурах. В сб.: Физика за рубежом. — М.: Мир, 1982, — 216 с.
  3. Ф.Г., Гуревич Ю. Г. Горячие электроны и сильные электромагнитные волны в плазме полупроводников и газового разряда. М.: Наука, 1975, — 400 с.
  4. Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях. М.: Мир, 1970, — 384 с.
  5. Schmidt-Tiedemann K. J# Experimentelle Untersuchunger zum Problem der hei p en Elektronen in Halbleitern. Ferst-korperprobleme, F#Vieweg, Brownschweig, 1962, Bd. l, S.122−153.
  6. Koenig S.H. Hot and warm electrons A review. — J.Pbys. Chem. Solids, 1959, v.8, К 3, p.227−234.
  7. П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1975, — 584 с.
  8. Е.М., Гурвич Ю. А., Орлова С. Л., Птицина Н. Г. Рассеяние электронов на заряженных примесях в бе в условиях циклотронного резонанса. ФТП, 1976, т.10, в.12, с.2328−2333.
  9. Gersbenson Е.М., Gusinskii E.N., Habinovicb R.I., Soina N .V. A study of hole scattering in 6e by cyclotron resonance. -Phys.Stat.Sol. (b), 1974, v.64, N 1, p.367−375.
  10. Yao Т., Inagaki К., Maekawa S. Nonstationary conduction and direct observation of momentum relaxation time in n-Ge. -In: Proc. 11th Int. Conf. Phys. Semicond., Warszawa, 1972, Warszawa, PWN-Polish Scientific Publishers, 1972, p.417.
  11. Benedict T.S., Shockley W. Microwave observation of the collision freguency of electrons in germanium. Pbys.Kev., 1953, v.89, N 5, p.1151−1153.
  12. Chang?lin K.S., Armstrong D.B., Gunderson P.D. Charge carrier inertia in semiconductors. Proc. IEEE, 1964, v.52, N 6, p"677−685.
  13. А., Пирагас К. Влияние сильного неупрутого механизма рассеяния на релаксацию энергии электронов. ФТТ, 1978, т.20, № б, с.1822−1828.
  14. В., Канцлерис Ж., Мартунас 3. Теплые электроны. В кн.: Электроны в полупроводниках /Под ред. Пожелы Ю. — Вильнюс: Мокслас, 1983, с. 145.
  15. А., Пожела Ю., Реклайтис А. Динамика разогрева электронов. В кн.: Электроны в полупроводниках /Под ред. Пожелы Ю. — Вильнюс: Мокслас, 1978, — 200 с.
  16. Zimmermann J., Leroy X", Constant Е. Monte Carlo calculation of microwave and far-infrared hot-carrier mobility in n-Si. J.Appl.Phys., 1978, v.49, К 6, p.3378−3383.
  17. Hammar С. New efficient method for calculating hot electron effects applied to n-Ge. ?hys.Stat.Sol. (a), 1972, v. ll, N 2, p.495−499.- 136
  18. Costato M., Fontanesi S, Reggiani Iu. Electron energy relaxation time in Si and Ge. J.Phys.Chem.Solids, 1973, v.34, p.547−564.
  19. Ю.К., Репшас К. К. Термоэдс в полупроводниках, обусловленная горячими носителями тока. Лит.физ.сб., 1966, т.6, № 4, с.523−537.
  20. А.Б. Влияние межэлектронных соударений на подвижность теплых электронов в п-Вв и n-Si при температуре 78 К. ФТП, 1968, т.2, в.10, с.1484−1488.
  21. А.П., Пенин Н. А. Разогревание носителей заряда в германии р -типа слабым электрическим полем. ФТП, 1976, т.10, в.5, с.911−917.
  22. Л.Е., Комиссаров B.C., Стафеев В. И. Средняя энергия горячих электронов в поперечных магнитных полях в n-JnSfi. ФТП, Х973, т.7, в.1, с.88−94.
  23. Erlbach Е., Gunn J. Noise temperature of hot electrons in germanium. Phys.Kev.Lett., 1962, v.8, N 7, p.280−282.
  24. Dienys V., Dargys A. Microwave experiments including avalanche. Jour, de Phys., 1981, v.42, suppl. N 10, p.07−33.
  25. Gibson A.F., Granwille J.W., Paige E.G.S. A study of energy-loss processes in germanium at high electric fields using microwave techniques. J.Phys.Chem.Solids, 1961, v.19, N ¾, p, 118−127.
  26. Banys Т., Dargys A., Pozhela J. Investigation of Ge conductivity relaxation in high microwave fields. Hays.Stat. Sol., 1969, v.36, N 2, p.755−760,
  27. Dargys A., Banys I. Dependence of the phenomenological energy relaxation time on electric field in n-Si and n-Ge at
  28. E. Phys.Stat.Sol. (b), 1972, v.52, N 2, p.699−706.
  29. Dienys V., Kancleris Z., Martunas Z. Fregnency dependence of warm carrier conductivity in germanium. Phys .Stat .Sol. (Ъ), 1980, v.101, N 1, p"145−152.
  30. В., Мартунас 3. Исследование электропроводности электронного кремния в переменных слабо греющих электрических полях. ФТП, 1978, т.12, в. б, с. I2I9-I222.
  31. Р., Денис В., Мартунас 3. Температурная зависимость феноменологического времени релаксации энергии в электронном кремнии. Лит.физ.сб., 1976, т.16, № 6, с.847−853.
  32. Hess К", Seeger К. Energie Relaxation warmer Ladungstrager in Germanium und Silizium. — Z. Physik, 1969, Bd.218, H.5, s.431−436.
  33. В., Канцлерис Я., Мартунас 3. Инерционность разогрева электронов в кремнии при комнатной температуре. ФТП, 1979, т.13, в.9, с.1706−1709.
  34. Аше М., Бондар В. М., Сарбей О. Г. Зависимость пьезосопротив-ления германия от электрического поля. ФТТ, 1966, т.8,в.4, C. II88-II92.
  35. Dienys V., Kancleris Z. Influence of uniaxial stress and electron-electron scattering on the phenomenological conductivity relaxation time in n-type germanium. Phys .Stat. Sol. (b), 1976, v.78, N 2, p.757−765.- 138
  36. Swerd ИЗ", Hess К", Seeger K. Energy and momentum relaxation of charge carriers in Ge and Si under uniaxial stress.- J.Phys.Chem.Sol., 1978, v.39, N 4, p.393−402.
  37. Dienys V., Kancleris Z. Influence of uniaxial stress on the phenomenological energy relaxation time in n-type silicon.- Phys .Stat .Sol. (b), 1975, v.71, N 2, p.209−211.
  38. И.Б., Мажуолите Г. Э. Влияние межэлектронных столкновений на функцию распределения электронов в сильном электрическом поле. ЖЭТФ, 1966, т.50, в.4, с.1048−1054.
  39. Dienys V., Kancleris Z. Influence of e-e scattering on the phenomenological energy relaxation time in nonpolar semiconductors. Phys. Stat .Sol. (b), 1975, v.67, N 1, p.317−323.
  40. С.П., Олекас А. П. Концентрационная зависимость феноменологического времени релаксации энергии электронов в ri-Si . ФГП, 1980, т.14, в. З, с.546−549.
  41. В., Круконис В., Мартунас 3. Диссипация энергии при разогреве носителей заряда переменным электрическим полем. -Лит.физ.сб., 1979, т.19, № I, с.63−69.
  42. В.А., Митин В. В. Анизотропия проводимости и междолинное перераспределение в легированных полупроводниках при низких температурах. ФТП, 1970, т.4, в.6, с.1051−1058.
  43. Asche М., Boichenko B.L., Bondar V.M., Sarbei O.G. Influence of electron-electron scattering on the anisotropic conductivity at high electric fields in Si. Phys.Stat.Sol., 1971, v.44, N1, p.173−182.
  44. И.М., Томчук П. М. Анизотропия проводимости горячих электронов и межэлектронные взаимодействия. ФТТ, 1965, т.7, № I, с.286−288.
  45. Asche M., Sarbey O.G. Electric conductivity of hot carriers in Si and Ge. Phys.Stat.Sol., 1969, v.33, N 1, p.9−57.
  46. Erlbacli E. New hot-electron negative resistance effect. -Phys.Rev., 1963, v.132, N 5, p.1976−1979.
  47. Аше M., Грибников З. С., Митин В. В., Сарбей О. Г. Горячие электроны в многодолинных полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1982, — 327 с.
  48. Weinreicb G., Sanders T.M.t White M.G. Aconstoelectric Effect in n-type Germanium. Phys.Rev., 1959, v.114, N 1, p.33−44.
  49. Tell В., Weinreich G. Acoustoelectric effect and intervalley scattering rates in antimony-doped germanium. Phys. Rev., 1966, v.143″ N 2, p.584−587.
  50. Seeger K. Beweglichkeitsanisotropie und Relaxation warmer Electronen in n-typ Germanium. Z. Ehysik, 1963, v.172,1. N 1, p"68−79.
  51. В.И., Канцлерис Ж. В., Мартунас З. И. Метод измерения коэффициента нелинейности электропроводности в ВЧ поле. -ПТЭ, 1975, № 5, с.207−208.
  52. А.А., Рыбкин С. М. Новый тип неустойчивости тока в п -германии. Письма ЖЭТФ, 1968, т.7, в.12, с.446−450.
  53. З.С., Кочелап В. А., Митин В. В. Многозначный эффект Сасаки в многодолинных полупроводниках. ЖЭТФ, 1970, т.59, в.5, с.1828−1845.
  54. Ю.А., Кастальский А. А. Экспериментальное исследование междолинного рассеяния горячих электронов в германии. ФТП, 1972, т.6, в.9, с.1773−1778.
  55. Jacoboni С., Canali С., Ottaviani G., Alberigi-Quaranta A. Measurement of intervalley repopulation time in silicon. -In: Proc. 12th Intern. Oonf. Phys. Semicond., Stuttgart, 1974, p.824−828.
  56. Seeger K., Schweitzer D. Energy Relaxation and Intervalley Relaxation of Hot Electrons in n-type Germanium. Journal of the Phys.Soc. of Jap., v.21, supplement, 1966, p.415−419.
  57. Holm-?ennedy J.W., Champlin K.S. Warm-carrier microwave transport in n-Si. J.Appl.Phys., 1972, v.43, N 4, p.1889−1903.
  58. В., Викторавичюс В., Гальдикас А. Частотная зависимость шумов в п-Si в сильных электрических полях. ФТП, 1982, т.16, № 10, с.1868−1870.
  59. С.П., Пожела Ю. К., Субачюс Л. Б. Влияние междолинного рассеяния электронов на явления переноса в кремнии в сильных электрических полях. Лит.физ.сб., 1978, т.18, № I, с.17−27.
  60. А.И., Кириллова С. И., Снитко О. В. Размерное перезаселение долин в сильных электрических полях. II. ФТП, 1979, т.13, в.10, с.1891−1905.
  61. Asche М., Sarbey O.G. Electron-phonon interaction in n-Si. Phys.Stat.Sol. (b), 1981, v.103, H 1, p.11−50.
  62. Smith J.E., Bfc Groddy J.C. Effect of compressive uniaxial stress on high field domains in n-type Ge. Appl.Phys. Lett., 1967, v. ll, N 12, p.372−374.
  63. П.М., Рывкин Б. С. Использование явления разогрева носителей тока светом для определения констант взаимодействия с оптическими фононами в полупроводниках. ФТП, 1973, т.7, № 10, с.2057−2064.
  64. Vorobev L.E., Stafeev V.I., Ushaicov A.V. Infrared birefringence on hot electrons-in n-type Ge. Phys. Stat"Sol. (b), 1972, v.53, N 2, p.431−438.
  65. Long D. Scattering of conduction electrons by lattice vibrations in silicon. Fhys.Rev., i960, v.120, N 6, p.2024−2032.
  66. Г. Теория групп в физике твердого тела. М.: Мир, 197I, — 262 с.
  67. В.И., Воробьев Л. Е., Ушаков А. Ю. Анизотропия показателя преломления в сильных электрических полях и рассеяние электронов в n-Si . ФТП, 1973, т.7, в.5, с.919−924.
  68. Canali С., Jacoboni С., Nava Р., Ottaviani G., Alberigi--Quaranta A. Electron drift velocity in Silicon. Ehys. Rev. B, 1975, v.12, N 4, p.2265−2284.
  69. П.И., Даховский И. В., Коломоец В. В., Федосов А. В. Междолинное рассеяние в n-Si в температурном интервале 78+300 К. ФТП, 1976, т.10, в.8, с.1480−1482.
  70. Аше М., Васецкий В. М., Максимчук А. Г., Сарбей О. Г. Рассеяние электронов в n-Si. УФЖ, 1970, т.15, № 10, с.1692−1700.
  71. Jorgensen М.Н. Electron-phonon scattering and high field transport in n-type Si. Ifcys.Rev.B, 1978, v.18, XT Ю, p.5657−5666.
  72. Costato M., Reggiani L. Lattice-scattering ohmic mobility of electrons in silicon. Phys.Stat.Sol.(b), 1970, v.38, N 2, p.665−674.
  73. П.й., Бабич В. М., Борблик В. Л., Доценко Ю. П., Ко-вальчук В.Б. Механизмы рассеяния носителей тока, ответственные за формирование магнитопьезосопротивления n-Si в области сильных упругих деформаций. ФТП, 1983, т.17, в.6,с.1064−1067.
  74. П.И., Коломоец В. В., Федосов А. В. Отличительные особенности пьезосопротивления германия и кремния п -типа, обусловленные различием механизмов рассеяния электронов в этих кристаллах. ФТП, 1981, т.15, № 4, с.698−701.
  75. Nash J.S., Holm-?ennedy J.W. Determination of intervalley electron-phonon deformation-potential constants in n-sili-con Ъу analysis of high electric field transport properties. Pbys.Eev.B, 1977, v.15, N 8, p.3994−4006.
  76. Norton P., Braggins Т., Levinstein H. Impurity and lattice scattering parameters as determined from Hall and mobility analysis in n-type silicon. Ibys.Rev.B, 1973, v.8, N 12, p.5632−5653.
  77. Brunetti R., Jacoboni 0., Nava Т., Regiani L., Bosman G., Zijlstra R.J.J. Diffusion coefficient of electrons in silicon. J.Appl.Phys., 1981, v.52, N 11, p.6713−6722.
  78. Arthur J.В., Gibson A.F., Granville J. W, The Effect of high Electric Fields on the Absorbtion of Germanium at B&crowa-ve Frequencies. J. Electronics, 1956, v.2, N 2, p.145−153.
  79. Hamaguchi Oh., Inuishi Г. Temperature dependence of mobility of warm carriers in germanium and silicon. J.Phys.Soc. Jap., 1963, v.18, N 12, p.1755−1762.
  80. Vindervogal J., Leroy Y., Bruneel 0., Zimmerman л J. An original measurement of high field effect on microwave conductivity of semiconductors. Rev.Sci.Instr., 1974, v.45, N 7, p.520−521.
  81. В.И., Пожела Ю. К. Анизотропия электропроводности электронного германия и кремния в скрещенных полях. Лит.физ.сб., 1965, т.5, № 4, с.515−528.
  82. В., Пожела Ю. Горячие электроны. Вильнюс: Минтис, 1971, — 289 с.- 143
  83. Morgan T.N. The mobility of electrons heated by microwave fields in n~type germanium. J.Phys.Chem.Solids, 1959, v.8, N 1, p#245−249.87″ Seeger K. Microwave field dependence of drift mobility in germanium. Phys.Rev., 1959, v.114, N 2, p.476−481.
  84. А.И., Пожела Ю. К. Исследование подвижности носителей тока в германии в сильных электрических полях. Труды АН Лит. ССР, сер. Б, 196I, т.2(25), с.99−105.
  85. Zucker J., Fowler V.J., Conwell E.M. High-field conductivity in germanium and silicon at microwave frequencies. -J.Appl.Phys., 1961, v.32, N 12, р.2б06~2бЦ,
  86. Dienys V., Pozhela J. Anisotropy of the conductivity of n-type germanium at high electric fields. Phys.Stat.Sol., 1966, v.17, К 2, p.769−776.
  87. В., Паужа A., Пожела Ю., Скучас Ю. Резистивные датчики и преобразователи импульсных СВЧ сигналов. В кн.: Электроны в полупроводниках, т.2. Полупроводниковые преобразователи /Под ред. Ю.Пожелы. Вильнюс, Мокслас, 1980, с.9−72.
  88. Р., Денис В., Мартунас 3. Температурная зависимость феноменологического времени релаксации энергии в электронном кремнии. Лит.физ.сб., 1976, т.16, № 6, с.847−853.
  89. М.И., Томашевский А. К., Шаров П. П., Беймуратов Е. А. Измерение мощности на СВЧ. М.: Советское радио, 1976, -168 с.
  90. З.С., Прима Н. А. Низкотемпературное фононное междолинное рассеяние в полупроводниках. УФЖ, 1983, т.28, № 2, с.282−288.
  91. Ю.К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. М.: Наука, 1977, — 368 с.
  92. Fawcett W., Boardmaun A.D., Swain G. Monte Carlo determination of electron transport properties in gallium arsenide. J.Phys.Chem.Solids, 1970, v.31, N 9, p.1963−1990.
  93. Herring C., Vogt E. Transport and deformation potential theory for many-valley semiconductors with anisotropic scattering. Phys.Rev., 1956, v.101, N 3, p.944−960.
  94. Kurosawa T. Monte Carlo calculation of hot electron problems. J .Phys .Soc .Japan, 1966, v.21, Suppl., p"424−426.
  95. Lebwohl P.A., Price P.J. Hybrid method for hot electron calculations. Solid .St .Common., 1971, v.9, N 14, p.1221−1224.
  96. З.И. Исследование германия и кремния в слабо греющих высокочастотных электрических полях. Дис. на соискание ученой степени кацц.физ.-мат.наук. — Вильнюс, 1980, — 154 с.
  97. К. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977, — 615 с.
  98. ЮЗ. Adawi I. Variational treatment of warm electrons in nonpolar crystals. Phys.Rev., i960, v.120, N 1, p.118−127.
  99. Н.Г. Определение внутридолинной подвижности горячих электронов по измерению флуктуаций тока. МП, 1974, т.8, в.8, с.1562−1565.
  100. Nathan M.I. Anisotropy of the conductivity of n-type Ge at high electric fields. Phys.Rev., 1963, v.130, N 6, p.220l-2204.
  101. В., Каружа Я., Книшевская Л., Ярмалис М. Исследование распределения поля СВЧ в прямоугольном волноводе, содержащем стержень из электронного кремния. Рад. и электроника, 1975, т.20, № 2, с.360−363.
  102. В., Скучас Ю., Ярмалис М. Исследование распределения СВЧ-электрического поля в кремнии п -типа вблизи металлического контакта. Радиотехн. и электроника, 1977, т.22, № 4, с.871−872.
  103. Wallace P. R", Joos В. Violation of selection rules for pbo-non-induced intervalley transitions in silicon, J.Phys.C, 1978, v. ll, N 2, p.303~313*
  104. Eaves L#v Stradling R.A., Portal J.C. at ail" A study of intervalley scattering in n~Si by stress dependent longitudinal magnetophonon resonance. Solid. State Commun., 1974, V.15, N 8, p#1281−1285.
  105. НО. Митин В. В. Рассеяние на низкоэнергетических междолинных фо-нонах в кремнии. ФТП, 1983, т.17, в.2, с.325−329.
  106. Perry D.K. First-order optical and intervalley scattering in semiconductors" Phys.Rev.B, 1976, v, 14, N 4, p. l605-l609,112* Jorgensen M. H, Warm-electron effects in n-type Solicon and Germanium. Phys.Rev., 1967, v.156, N 3, p"834−843.
  107. В., Матуленис A., Пожела Ю. и др. Диффузия горячих электронов. В кн.: Электроны в полупроводниках /Под ред. Пожелы Ю. — Вильнюс: Мокслас, 1981, — 212 с.
  108. В., Викторавичюс В., Гальдикас А., Милюшите Р. Шумы, малосигнальная проводимость и диффузия в п-бе и n-Si в сильных электрических полях. ФГП, 1978, т.12, в.1, с.151−155.
  109. В.М., Митин В. В. Вольтамперная характеристика S -типа в кремнии. УФЖ, 1984, т.29, № I, с.123−130.
  110. Jacoboni 0., Minder R., i&gni G. Effects of band non-para-bolicity on electron drift velocity in silicon above room temperature. J.Pbys.Ohem.Solids, 1975, v.36, N 10, p.1129−1133 ¦
  111. Автор выражает благодарность научному руководителю докт. физ.-мат.наук ДЕНИСУ В.Й. за постоянный интерес к работе, а также сотрудникам Лаборатории горячих электронов за всестороннюю помощь, оказанную при выполнении работы.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!