Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Оптическая спектроскопия сильнокоррелированных соединений: монооксид меди и манганиты лантана

Диссертация: Оптическая спектроскопия сильнокоррелированных соединений: монооксид меди и манганиты лантана
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Европейской конференции по магнетизму EMMA (Сарагоса 1998, Киев 2000), Международной конференции по тройным и многокомпонентным соединениям (Салфорд 1997), Международной конференции по магнетизму ITCM (Варшава 1994), Международном симпозиуме по сильнокоррелированным электронным системам (Кабурн 1997), Международном симпозиуме по прозрачным проводящим оксидам (Ираклион, Крит 2006), Московском… Читать ещё >

Содержание

  • Список сокращений
  • 1. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЙ И ОБРАЗЦЫ
    • 1. 1. Методика измерения поглощения твердых тел
    • 1. 2. Методика измерения коэффициента зеркального отражения твердых тел при нормальном угле падения света
    • 1. 3. Методики измерения температурной зависимости пропускания и магнитопропускания твердых тел
    • 1. 4. Расчет погрешностей определения отражения и поглощения света
    • 1. 5. Методика измерения эффекта Фарадея
    • 1. 6. Методика приготовления оптических поверхностей образцов
    • 1. 7. Объекты исследования
    • 1. 8. Технологии получения образцов
    • 1. 9. Выводы
  • 2. ОПТИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ СиО
    • 2. 1. Краткая характеристика физических свойств СиО
    • 2. 2. Край фундаментального поглощения в монокристаллах СиО
    • 2. 3. Влияние радиационного облучения на край фундаментального поглощения СиО
    • 2. 4. Влияние магнитного упорядочения на край фундаментального поглощения СиО
    • 2. 5. Проявление корреляционных эффектов в области фундаментальной полосы СиО. Кластерная модель
    • 2. 6. Влияние облучения электронами и ионами Не+ на межзонные переходы в СиО
    • 2. 7. Аномалии оптического поглощения в области фундаментальной полосы при магнитных фазовых переходах в СиО
    • 2. 8. ИК спектры поглощения монооксида меди
    • 2. 9. Влияние облучения высокоэнергетическими частицами на центры зарядовой неоднородности в СиО
      • 2. 9. 1. Облучение электронами
      • 2. 9. 2. Облучение ионами Не+
      • 2. 9. 3. Облучение ионами N+
      • 2. 9. 4. Облучение нейтронами
    • 2. 10. Линейный дихроизм в необлученном и облученном СиО в ИК области спектра
    • 2. 11. Спектры зеркального отражения СиО
    • 2. 12. Особенности оптических свойств СиО как сильнокоррелированной системы и описание спектров в рамках теории эффективной среды
  • 2.
  • Выводы
  • 3. ОПТИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛОВ И МОНОКРИСТАЛЛОВ МАНТ АНИТОВ ЛАНТАНА
    • 3. 1. Краткая характеристика физических свойств манганитов лантана
    • 3. 2. Край фундаментального поглощения в монокристаллах манганита лантана
    • 3. 3. Спектры зеркального отражения и оптической проводимости манганитов лантана
    • 3. 4. Влияние магнитного упорядочения на спектры поглощения манганитов лантана
    • 3. 5. Центры зарядовой неоднородности в спектрах ИК-поглощения манганитов лантана. лантана
    • 3. 8. Особенности оптических свойств манганитов лантана как сильнокоррелированной системы
    • 3. 9. Выводы
  • 4. ПРОЯВЛЕНИЕ НАНОСКОПИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОЙ СТРУКТУРЫ В ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВАХ ПЛЁНОК МАНГАНИТОВ ЛАНТАНА
    • 4. 1. Проявление неоднородностей в области фундаментальной полосы в спектре плёнок ЬахМпОз
    • 4. 2. Влияние изотоп-замещения ионов О кислородом О на спектры поглощения плёнок (Ьа0.5Рго.5)о.7Сао.зМпОз
    • 4. 3. Линейный дихроизм в плёнках манганитов, наведенный текстурой подложки
    • 4. 4. Выводы
  • 5. ЭФФЕКТ ГИГАНТСКОГО МАГНИТОПРОПУСКАНИЯ И РАЗДЕЛЕНИЕ ФАЗ В ПЛЁНКАХ МАНГАНИТОВ С KMC
    • 5. 1. Эпитаксиальные плёнки LaxMn03 с избытком и вакансиями лантана (
    • 5. 2. Плёнки (Ьа1.хРгх)о.7Сао.зМпОз с изовалентным легированием ионами празеодима (0< хРг<1)
    • 5. 3. Плёнки LaMn03 легированные одновалентными ионами Ag+ и Na+
    • 5. 4. Роль интерфейса в плёнках с замещением La3+ двухвалентными ионами Са2+ и Sr2+
    • 5. 5. Плёнки с вариантной структурой
    • 5. 6. Влияние типа подложки на характерные температуры плёнок манганитов лантана
  • О 1 о
    • 5. 7. Спектры магнитопропускания плёнок манганитов лантана
    • 5. 8. Проявление электронных и спиновых неоднородностей в спектрах эффекта Фарадея в плёнках Lao.7Sro.3Mn
    • 5. 9. Выводы
  • 6. СИЛЬНОКОРРЕЛИРОВАННЫЕ СиО И МАНГАНИТЫ ЛАНТАНА -НОВЫЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ПРАКТИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ
    • 6. 1. Нанокристаллический СиО — материал для селективных поглотителей солнечной энергии
    • 6. 2. Модулятор ИК-излучения и другие устройства на эффекте магнито-пропускания и гигантского изменения пропускания от температуры в манганитах лантана
    • 6. 3. Эффект магнитопропускания в гетероструктуре ШМОз/ Ьао. з5Рго.з5Сао.зМпОз
    • 6. 4. Гетероструктура Зто^Зго^МпОз/Шо^Бго^МпОз со слабой температурной зависимостью магнитопропускания и магнитосопротивления
    • 6. 5. «Магнитная линза» на основе гетероструктуры манганит/ВТСП. ^^
    • 6. 6. Выводы

Оптическая спектроскопия сильнокоррелированных соединений: монооксид меди и манганиты лантана (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

1.

Актуальность темы

К сильнокоррелированным системам относятся соединения переходных металлов с сильным кулоновским отталкиванием между 3d электронами. Сильнокоррелированные соединения обладают тесной взаимосвязью зарядовых, спиновых, орбитальных и решёточных степеней свободы, а также богатством фазовых диаграмм. Особенности свойств сильнокоррелированных соединений во многом связаны с двойственной природой электронных состояний (локализованных и делокализованных), которая проявляется в переходных металлах и их соединениях [1]. Одной из особенностей сильнокоррелированных соединений является тенденция к зарядовому и магнитному разделению фаз [2- 3]. К материалам с сильной корреляцией между ¿-/-электронами относятся оксиды 3d металлов, в том числе, оксиды меди, обладающие высокотемпературной сверхпроводимостью (ВТСП), и манганиты R^AJVlnOs, где Rредкоземельный ион, А — Ag, Na, Sr, Ва, Са и др., обладающие колоссальным магнитосопротивлением (KMC).

Уже в пионерской работе по поглощению света в монокристалле высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu307s, проведенной при участии автора диссертации [4], в полупроводниковой фазе были обнаружены вклады в поглощение локализованных электронных состояний и делокализованных состояний поляронного типа. В отличие от YBa2Cu307.5 в антиферромагнитном (АФМ) полупроводнике монооксиде меди СиО отсутствуют делокализо-ванные носители заряда. Общность природы локализованных состояний в YBa2Cu307.5 и в монооксиде меди, базовом материале купратных ВТСП соединений, была установлена в [5]. В СиО, также как и в классической ВТСП-системе YBaCuO, наблюдаются электронные неустойчивости, которые проявляются в аномалии магнитострикции [6- 7]. Это позволило сделать предположение о том, что электронное состояние в СиО неоднородно. Изучение неоднородного электронного состояния типичного сильнокоррелированного соединения CuO и связи его с магнитным состоянием является актуальной задачей физики сильнокоррелированных соединений.

В отличие от CuO манганиты лантана легко легируются, поэтому при легировании или отклонении от стехиометрии концентрация носителей в них меняется в широких пределах, что позволяет изучить поведение локализованных и делокализованных состояний и связь их с магнитной подситемой moho-, поликристаллах и плёнках. Большой интерес к этим соединениям обусловлен наблюдаемым в них колоссальным магнитосопротивлением и переходом металл-изолятор (МИ) вблизи температуры Кюри (Тс) (см. обзоры [2- 3- 8−11]). Явление KMC обусловлено сильной взаимосвязью между магнитной и электронной подсистемами. Эффект KMC может проявляться не только на постоянном токе, но и давать отклик в оптическом диапазоне. Эффект гигантского магнитопропускания ИК-излучения — аналог гигантского магни-тосопротивления — был обнаружен нами в магнитной полупроводниковой шпинели HgCr2Se4 около 20 лет назад [12]. Под действием магнитного поля пропускание ИК-излучения монокристалла HgCr2Se4 менялось на несколько десятков процентов. Такие большие по величине эффекты могут быть использованы для создания магнитоуправляемых оптоэлектронных устройств. Естественно ожидать большой величины эффекта магнитопропускания в манганитах с колоссальным магнитосопротивлением. Изучение природы явлений KMC и магнитопропускания в манганитах необходимо для создания новых функциональных материалов. Сильная взаимосвязь между магнитной и электрической подсистемами проявляется и в других магнитооптических эффектах, например, в эффекте Фарадея. До начала работы была известна лишь одна публикация по эффекту Фарадея в La0.7Ca0.3MnO3, величина котоо poro достигала больших значений (-60−10 град/см при 3 эВ) [13].

На основании большого числа экспериментальных данных во всех обзорах по манганитам отмечена их склонность к разделению фаз, т. е. образованию при слабом легировании манганита ферромагнитных (ФМ) высоко-проводящих «капель» в АФМ диэлектрической матрице. Надежные экспериментальные данные, свидетельствующие о фазовом расслоении, могут быть получены только при комплексном исследовании оптических, электрических, магнитооптических и магнитотранспортных свойств манганитов.

При теоретическом описании электронной структуры сильнокоррелированных соединений существуют определенные трудности. Зонные подходы с учетом сильных межэлектронных корреляций (например, [14−17]) в целом дают описание электронной структуры и величину ширины запрещенной зоны (2^) купратов и манганитов, но не могут объяснить детали оптических спектров при энергиях Е<�Её, т. е. в РЖ-диапазоне. Эти подходы не учитывают фазовое расслоение в легированных соединениях. Трудности описания сильнокоррелированных соединений в рамках зонного подхода привели к разработке полуэмпирических кластерных моделей. Применение кластерного подхода к сильнокоррелированным соединениям купратов и манганитов позволило описать особенности энергетического спектра как в области высоких, так и низких энергий [18−20], показать возможность расслоения фаз, приводящего к нетривиальному поведению оптических, магнитных и транспортных свойств [18- 21−23]. Теория эффективной среды, учитывающая наличие проводящих областей в непроводящей матрице, была успешно применена для моделирования спектров оптической проводимости купратов и манганитов [24- 25].

В настоящей работе основными методами изучения электронной структуры, локализованных и делокализованных состояний, разделения фаз в манганитах и монооксиде меди являются оптические методы, обладающие высокой информативностью. Исследованы оптические свойства в широком спектральном диапазоне, включающем видимый и ближний ИК-диапазон, в котором происходят межзонные переходы и лежит край фундаментального поглощения, а также средний ИК-диапазон, где проявляется взаимодействие света со свободными носителями заряда и существуют полосы локальных состояний. Для сильнопоглощающих объектов, какими являются сильнокоррелированные соединения, обычно используют изучение спектров отражения или высокочастотной проводимости, полученых путем обработки спектров отражения методом Крамерса-Кронига. Этот метод имеет ряд недостатков, связанных с приближениями при математической обработке и зависимостью от качества поверхности образца. Оптическая щель может быть лишь грубо оценена из измерений отражения. Для определения Eg обычно используют спектры поглощения. Работы по изучению спектров поглощения СКС практически отсутствуют, хотя именно измерение поглощения является прямым оптическим методом изучения объёмных свойств материала. В настоящей работе использовано преимущественно оптическое поглощение для детального изучения энергетического спектра СиО и манганитов.

Работа направлена на решение фундаментальной проблемы физики магнитных явлений и физики конденсированного состояния — взаимосвязь электронной и магнитной подсистем в сильнокоррелированных соединениях: монооксиде меди и манганитах.

Исследования по теме диссертации выполнены по проблеме 1.2.3 (физика конденсированного состояния), № гос. per. 01.960. 3 496 по теме «Исследование физических явлений в магнитных полупроводниках и выяснение возможности их применения», № гос. per. 01.2.00 103 137 по теме «Неоно-родные состояния и интерфейсные явления в магнитных полупроводниках», № гос. per. 01.2.006 13 391 «Расслоение фаз, эффекты размерности и контактных явлений в магнитных полупроводниках», по гос. контракту № 02.513.11.3142 и при поддержке проектов РФФИ № 04−02−16 630, 07−02−68 и программы ОФИ РАН и Президиума УрО РАН «Новые материалы и структуры».

2. Цель работы заключается в установлении связи оптических и электрических явлений с электронной структурой и магнитным упорядочением в СиО и манганитах лантана, являющихся системами с сильными электронными корреляциямив определении природы изменения оптических свойств сильнокоррелированных соединений под действием магнитных полей, температуры, радиационного облучения и легированияв выработке рекомендаций для целенаправленного создания новых функциональных материалов и физических принципов устройств для оптоэлектроники.

3. Задачи диссертационной работы включали:

3.1. Комплексное исследование оптических, магнитооптических, транспортных и магнитотранспортных свойств монокристаллов, поликристаллов, плёнок и гетероструктур сильнокоррелированных соединений на основе монооксида меди и манганитов лантана. Изучение природы эффекта магнито-пропускания (магнитопоглощения), эффекта Фарадея и оптического отклика на переход металл-изолятор в манганитах лантана.

3.2. Выяснение электронной структуры и роли переходов с переносом заряда в формировании края фундаментального поглощения и структуры фундаментальной полосы в СиО и манганитах лантана. Изучение влияния магнитного упорядочения на оптические и электрические свойства СиО и манганитов лантана.

3.3. Выяснение природы примесного поглощения, механизмов взаимодействия света с носителями заряда и проявления зарядовых и магнитных неоднородностей в ИК спектрах сильнокоррелированных соединений.

3.4. Разработка физических принципов действия и конструкций ИК устройств, использующих особенности спектра поглощения в нанокристалличе-ском СиО, эффекты гигантского магнитопропускания и оптического отклика на переход металл-изолитор в манганитах лантана. Создание макета модулятора ИК-из лучения.

4. Научную новизну работы определяет ряд впервые полученных важных результатов:

4.1. Обнаружены особенности в спектрах поглощения сильнокоррелированных соединений монокристаллов СиО и манганитов лантана, которые объяснены в рамках единого подхода — кластерной модели, учитывающей сильные электронные корреляции. По спектрам поглощения монокристаллических образцов определены энергия края фундаментального поглощения и характер переходов, формирующих край поглощения СиО и манганита ЬаМп03.

4.2. В оксиде меди обнаружен оптический отклик на магнитные фазовые переходы в температурной зависимости интенсивности полосы поглощения при 3.1 эВ. В легированных манганитах лантана вблизи температуры Кюри обнаружен оптический отклик на переход металл-изолятор в температурных зависимостях пропускания ИК-излучения.

4.3. Установлена природа зарядовых неоднородностей в СиО и манганитах. Разработан способ обнаружения разделения фаз в манганитах лантана на основе сопоставления температурных зависимостей пропускания света и электросопротивления без поля и в магнитных полях.

4.4 Обнаружены эффекты гигантского магнитопропускания ИК-излучения в манганитах с колоссальным магнитосопротивлением. Величина и температура максимума магнитопропускания зависят от уровня, типа легирования, от среднего радиуса катиона в лантановой подрешётке.

4.5. Обнаружены резонансоподобные полосы поглощения в СиО не связанные с электронными переходами (резонансы Ми), а также осцилляции линейного дихроизма в плёнках Ьа0.7Са0.зМпОз, природа которых объяснена в рамках теории эффективной среды, учитывающей наномасштабные неоднородности.

4.6. Показано, что СиО и манганиты лантана являются функциональными материалами для создания ИК-устройств. Создан рабочий макета модулятора РЖ-излучения на основе эффекта магнитопропускания.

5. Научная и практическая ценность работы:

5.1. Работа вносит вклад в развитие физических представлений о взаимодействии света с сильнокоррелированными магнетикамио характере оптических переходов в системах с сильными электронными корреляциямимонооксиде меди и манганитах лантана. Способ сопоставления оптических и электрических данных для выявления зарядовых и магнитных неоднородно-стей может быть использован при исследовании других сильнокоррелированных соединений.

5.2. Обнаруженные в манганитах с колоссальным магнитосопротивлени-ем эффекты магнитопропускания и температурного изменения пропускания вблизи температуры Кюри являются физическим базисом для практического применения этих эффектов в различных устройствах ИК-диапазона. Разработан и изготовлен макет модулятора ИК-излучения на эффекте магнитопропускания в пленке Ьа0.82№ 0.18МпОз+5. Показана возможность создания магнитной линзы на основе гетероструктуры ВТСП/манганит лантана. Предложено использовать особенности спектров поглощения нанокристаллического СиО для создания селективных поглотителей солнечной энергии, а большую величину линейного дихроизма в СиО — для создания поляризаторов света в широкой ИК-области.

6. Личный вклад автора. Результаты, изложенные в диссертации, получены автором в кооперации с сотрудниками лаборатории магнитных полупроводников ИФМ УрО РАН, сотрудниками ведущих научных центров России (ИФМ УрО РАН, УрГУ, МГУ) и Украины (ФТИНТ). Личный вклад автора включает выбор темы исследования, постановку цели и задач диссертационной работы, формирование комплекса методик исследований, обеспечивающих решение поставленных задач, разработку и усовершенствование установок для оптических исследований сильнопоглощающих материалов, проведение оптических, магнитооптических и электрических измерений, анализ полученных результатов, обобщение результатов работы в публикациях и отчетах по проектам и создание рабочих макетов оптоэлектронных устройств ИК-диапазона.

7. Научные положения, выносимые на защиту:

7.1. Определение природы края фундаментального поглощения, межзонных переходов и примесного поглощения в СиО и манганитах лантана.

7.2. Выяснение роли облучения высокоэнергетическими частицами СиО и легирования манганитов лантана в формировании их оптических свойств.

7.3. Установление взаимосвязи между магнитной и электрической подсистемой СиО и манганитов при исследовании оптических свойств в области межзонных переходов и примесного поглощения.

7.4. Выяснение роли локализованных и делокализованных состояний в формировании ИК-спектров этих сильнокоррелированных соединений.

7.5. Изучение природы эффектов магнитопропускания и оптического отклика на МИ-переход в манганитах с KMC.

7.5 Разработка физических принципов действия класса ИК устройств, управляемых магнитным полем и/или температурой. Создание макета ИК модулятора.

8. Апробация работы. Основные результаты работы были представлены и доложены на следующих конференциях и симпозиумах:

Европейской конференции по магнетизму EMMA (Сарагоса 1998, Киев 2000), Международной конференции по тройным и многокомпонентным соединениям (Салфорд 1997), Международной конференции по магнетизму ITCM (Варшава 1994), Международном симпозиуме по сильнокоррелированным электронным системам (Кабурн 1997), Международном симпозиуме по прозрачным проводящим оксидам (Ираклион, Крит 2006), Московском Международном симпозиуме по магнетизму MISM (Москва 1999, 2002, 2005), Международной конференции по магнетизму и магнитным материалам MMM-Intermag (Нью-Мехико 1994), Международном Евро-Азиатском симпозиуме EASTMAG (Екатеринбург 2001, Красноярск 2004), Международной конференции «Функциональные материалы» ICMF (Симферополь 2003, 2005), Международной зимней школе-семинаре физиков-теоретиков «Коуровка» (Екатеринбург 2006), Международной школе-семинаре «Новые магнитные материалы микроэлектроники» (Москва 1994, 1996, 1998, 2000, 2002, 2004, 2006), Международном семинаре по радиационной физике (Снежинск 1999), Международной конференции «Физика электронных материалов» (Калуга 2002), Международной конференции «ВТСП и новые неорганические материалы инженерии» (Москва 2004), Международном Феофилов-ском симпозиуме по спектроскопии кристаллов, активированных ионами редкоземельных и переходных металлов (Екатеринбург 2004), Международной конференции «Забабахинские научные чтения» (Снежинск 2005), Всероссийской научно-практической конференции «Оксиды. Физикохимические свойства и технология» (Екатеринбург 1995, 1998, 2000), Конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва 1997), Уральской школе-семинаре по физике полупроводников (Екатеринбург 1999, 2004), Объединенной конференции по магнитоэлектронике (Екатеринбург 2000), Уральской конференции «Достижения в области магниторезисторных материалов» (Екатеринбург 2001), совещании по физике низких температур НТ (Екатеринбург 2003), отчетных сессиях ИФТТ РАН по итогам выполнения фундаментальных исследований ОФН РАН (Черноголовка 2004, 2005, 2006), на сессиях секции «Магнетизм» объединенного научного совета «Физика конденсированных сред» РАН.

9. Публикации. Основные результаты работы изложены в 54 публикациях в журналах, включённых ВАК в «Перечень» ведущих рецензируемых журналов и в сборниках трудов конференций.

10. Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, шести разделов, заключения и списка литературы. Объем работы составляет 291 страницу, включая 109 иллюстраций, 7 таблиц и список литературы из 243 наименований.

6.6. Выводы.

1. Показана возможность использования нанокристаллического СиО с меньшей энергией края поглощения, чем у монокристаллов, для создания селективных поглотителей в низкотемпературных коллекторах солнечной энергии.

2. Создан рабочий макет и определены технические характеристики модулятора РЖ-излучения на основе эффекта магнитопропускания в манга-нитах лантана, показаны возможности применения эффектов гигантского магнитопропускания и температурного изменения пропускания света вблизи Тс, для создания ряда оптоэлектронных устройств ПК-диапазона.

3. Показана возможность получения слабой температурной зависимости колоссального магнитосопротивления и гигантского магнитопропускания на примере гетероструктуры 8то.558го.45МпОз/Шо.558го.45МпОз, состоящей из слоев с различной Тс.

4. Создана «магнитная линза» на основе гетероструктуры манганит-ВТСП, позволяющая концентрировать магнитное поле в слое манганита с колоссальным МС. Получен выигрыш в величине магнитного поля, что является существенным для магнитоуправляемых оптоэлектронных устройств.

5. Показано, что зависимость МТ (7) в гетероструктуре 8то.558го.45МпОз/Шо.558го.45МпОз формируется вкладами магнитопропускания верхнего, нижнего и промежуточного слоев, сильно отличающихся по Тс, а зависимость МТ (Н) имеет гистерезис при Т=80 К, что свидетельствует о магнитной неоднородности гетероструктуры. В гетероструктуре ШМО3/Ьа0.з5Рг0.35Са0.зМпОз магнитопропускание определяется эффектом в слое Ьао.ззРго.збСао.зМпОз. Наличие промежуточных слоев приводит к понижению величины МТ и ТшахМт по сравнению с данными плёнки Ьао.збРго.збСао.зМпОз.

Заключение

.

При исследовании оптических свойств монокристаллов антиферромагнитного полупроводника оксида меди необлучённых и облученных высокоэнергетическими частицами и монокристаллов, поликристаллов и пленок манганитов лантана, легированных ионами различной валентности, обнаружены особенности, характеризующие эти материалы как сильнокоррелированные соединения, выявлена взаимосвязь магнитной и электронной подсистем. Получены следующие важные в научном и прикладном отношении результаты:

1. Обнаружены особенности в спектрах поглощения сильнокоррелированных соединений монокристаллов СиО и манганитов лантана, которые объяснены в рамках единого подхода — кластерной модели, учитывающей сильные электронные корреляции. Спектр фундаментального поглощения обусловлен переходами в базовых кластерах, а переходы в дырочных и электронных кластерах формируют ИК-полосы поглощения. Облучение СиО высокоэнергетическими частицами и легирование манганита лантана приводят к перераспределению спектрального веса из высокоэнергетической в низкоэнергетическую область, усилению ИК-полос локализованных состояний, а в случае манганитов лантана — к появлению вклада де-локализованных состояний. Эти изменения спектров являются характерными для сильнокоррелированных соединений. Край фундаментального поглощения в СиО и манганитах описывается в рамках зонного подхода.

2. Показано, что оптические спектры СиО и манганитов лантана могут быть описаны в рамках модели эффективной среды, учитывающей разделение фаз, т. е. высокопроводящие капли в диэлектрической матрице. Разделение фаз в монокристаллах СиО является наномасштабным, носители локализуются в отдельных областях, перенос заряда между которыми затруднен. В манганитах лантана разделение фаз зависит от концентрации легирующего элемента и от температуры вблизи и ниже температуры Кюри (Тс). Предложен способ обнаружения разделения фаз в манганитах лантана и других сильнокоррелированных соединениях, основанный на сопоставлении температурных зависимостей пропускания ИК-излучения и электросопротивления, магнитопропускания и магнитосопротивления.

3. В оксиде меди обнаружен оптический отклик на магнитные фазовые переходы в температурной зависимости интенсивности полосы поглощения при 3.1 эВ. В легированных манганитах лантана вблизи Тс обнаружен оптический отклик на переход металл-изолятор в температурных зависимостях пропускания ИК-излучения, который связывается с существованием ниже Тс высокопроводящих капель и изменением их объема при изменении температуры и магнитного поля.

4. Обнаружен эффект гигантского отрицательного магнитопропускания в легированном монокристалле и пленках манганитов лантана. Спектральная зависимость эффекта определяется изменением под действием магнитного поля поглощения света как локализованными, так и делокализованными носителями. Магнитопропускание достигает максимума в составах с максимальным объемом металлической ферромагнитной фазы, в отличие от магнитосопротивления, которое максимально вблизи порога перколяции. Величина магнитопропускания зависит от типа легирующего элемента, уровня легирования, отклонения от стехиометрии, изотопзамещения ки.

1А 1 Я слорода О на О, от толщины плёнки и слабо зависит от типа подложки. Большая величина магнитопропускания достигается в манганитах с большим изменением пропускания при переходе металл-изолятор и полупроводниковым ходом электросопротивления и пропускания в парамагнитной области.

5. Показано, что напряжения в интерфейсе пленка-подложка приводят к появлению тонкой структуры в спектре фундаментального поглощения ЬахМпОз, текстура подложки ЬаАЮ3 наводит большой линейный дихроизм в пленке Ьа0. б7Са0.ззМпОз, наличие структурных доменов в пленках.

Lao.sAgo.iMnCb с вариантной структурой приводит к появлению туннельного магнитосопротивления, предложен способ разделения вкладов колоссального и туннельного магнитосопротивления. 6. Показано, что нанокристаллический СиО является эффективным материалом для создания селективных поглотителей солнечной энергии Монокристаллы СиО с большой величиной линейного дихроизма могут быть использованы для создания поляризаторов ИК-излучения. Изготовлен рабочий макет ИК-модулятора на основе эффекта магнитопропускания в плёнке манганита лантана, работающий при комнатной температуре. На основе гетероструктуры манганит-ВТСП создана «магнитная линза» для уменьшения величины управляющего магнитного поля. Показана возможность получения колоссального магнитосопротивления и гигантского магнитопропускания со слабой температурной зависимостью.

Автор считает своим приятным долгом выразить глубокую благодарность коллегам Лошкаревой H.H., Москвину A.C., Бебенину Н. Г, Ганыпиной Е. А., Каулю А. Р., Горбенко О. Ю. и Гижевскому Б. А. за совместную творческую работу, постоянный интерес к работе и поддержку, а также Архипову В. Е., Белевцеву Б. И., Васильеву В. Г. Дружинину A.B., Ермакову А. Е., Зенко-ву Е.В., Козлову Е. А., Кочедыкову В. А., Карабашеву С. Г., Мостовщиковой Е. В., Муковскому Я. М., Наумову C.B., Слободину Б. В. и Уймину М. А. за плодотворное сотрудничество на разных этапах выполнения работы и предоставление образцов для исследований, Тугушеву С. Н. и Кузнецову B.JI. за помощь при модернизации установок и создании технических устройств, всем сотрудникам лаборатории магнитных полупроводников. Я благодарен бывшему зав. лабораторией магнитных полупроводников ИФМ УрО РАН профессору Алексею Андреевичу Самохвалову за мое становление как ученого.

Показать весь текст

Список литературы

  1. С.В., Кацнельсон М. И., Трефилов А. В. Локализованное и де-локализованное поведение электронов в металлах // ФММ. — 1993. — Т. 76. -3 и 4.-С. 4−89 и 3−93.
  2. Nagaev Е. L. Colossal Magnetoresistance and Phase Separation in Magnetic Semicondactors. Loundon: Imperial College Press UK, 2002. — 458 p.
  3. Dagotto E. Nanoscale Phase-Separation and Colossal Magnetoresistance. -Berlin: Springer-Verlag, 2002. 453 p.
  4. А. А., Чеботаев H. M., Лошкарева H. H., Сухоруков Ю. П., Костылев В. А., Гижевский Б. А., Наумов С. В. Оптические свойства и особенности механизма проводимости монокристаллов YBa2Cu307.5 Н Письма в ЖЭТФ. 1988. — Т. 47. — 7. — С. 338−340.
  5. А. А., Лошкарева Н. Н., Сухоруков Ю. П., Груверман В. А., Гижевский Б. А., Чеботаев Н. М. Оптические свойства монокристаллов СиО // Письма в ЖЭТФ. 1989. — Т. 49. — 8. — С. 456−459.
  6. Т. И., Самохвалов А. А., Смоляк И. Б., Чеботаев Н. М., Наумов С. В. Магнитные свойства монокристаллов и поликристаллов СиО // Письма в ЖЭТФ. 1989. — Т. 50. — 1.- С. 29−32.
  7. И. Б., Москвин А. С., Наумов С. В., Самохвалов А. А. Монокристалл СиО: аномалии теплового расширения и магнитострикции // Письма в ЖЭТФ. 1989- Т. 50. — 1. — С. 29−32.
  8. Imada М., Fujimori A., Tokura Y. Metal-insulator Transitions // Rev. Mod. Phys. 1998. — Vol. 70, № 4. — P. 1000−1263.
  9. Salamon Myron B. The physics of manganites: structure and transport // Rev. Mod. Phys. 2001. — Vol. 73, № 3. — P. 583−628.
  10. Ю.Королева Л. И. Магнитные полупроводники. Москва: МГУ, 2003. — 312 с.ll.Barner К. New trends in the Characterization of CMR-manganites and related materials. Kerala: Research Singpost, 2005. — 286 p.
  11. Lawler J. F., Lunney J. G., Coey J. M. D., Magneto-optic Faraday effect in (La, xCax) Mn03 films // J. Appl. Phys. Lett. 1994. -V. 65. — P. 3017−3018.
  12. Anisimov V.I., Korotin M.A., Mazin I.I. Localization in YBa2Cu307 induced by the self-interaction correction to the density function theory // Phys. C. 1988. -V. 156.-P. 717−719.
  13. M.A. Формирование орбитального и спинового упорядочений и их влияние на физические свойства сильнокоррелированных оксидных соединений 3d металлов. Автореферат на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук. -Екатеринбург, 2003. 48 с.
  14. Solovyev I., Hamada N., Terakura К. t2g versus all 3d localization in LaM03 perovskites (M=Ti-Cu): First-principles study // Phys. Rev. B. 1996. — V. 53. -11.-P. 7158−7170.
  15. Pickett W. E., Singh D. J. Electronic structure and half-metallic transport in the LabxCa^Mn03 system // Phys. Rev. B. 1996. — V. 53. — P. 1146−1160
  16. Moskvin A. S. Pseudo-Jahn-Teller-centers and phase separation in the strongly correlated oxides with the nonisovalent substitution. Cuprates and manganites // PhysicaB.- 1998.-Vol. 252.-P. 186−196.
  17. А. С. Природа необычного физического поведения медных оксидов. Екатеринбург: УрГУ, 1995. — 178 с.
  18. Moskvin A. S. One center charge transfer transitions in manganites // Phys. Rev. B. 2002. — V. 65. — P. 205 113 (9).
  19. Moskvin A. S., Avvakumov I. L. Doped manganites beyond conventional double-exchange model // Physica B. 2002. — V. 322. — P. 371−389.
  20. Moskvin A.S., Panov Yu.D. Generalization of the shell model and correlation effects in strongly correlated oxides // Phys. Rev. B. 2003. — V. 68. — P. 12 5109(12).
  21. Moskvin A.S., Ovchinnikov A.S. The singlet-triplet magnetism and induced spin fluctuations in the high-Tc copper oxides // Phys. C. 1998. — Vol. 296. -P. 250−268.
  22. A. S. Moskvin, E. V. Zenkov, Yu. D. Panov. Nanoscale inhomogeneities and optical properties of doped cuprates // Journal of Luminescence. 2001. — V. 94/95.-P. 163−167.
  23. А. С., Зенков E. В., Панов Ю. Д., Лошкарева Н. Н., Сухоруков Ю. П., Мостовщикова Е. В. Разделение фаз и проявление наноскопиче-ских неоднородностей в оптических спектрах манганитов // ФТТ. 2002. -Т.44.-8.-С. 1452−1454.
  24. Ю. И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977. -367 с.
  25. Л. Применения операционных усилителей и линейных ИС. -М.: Изд-во Мир, 1985. 573 с.
  26. А. Н., Никитин В. А. О выборе нормалей и методах группировки призменных инфракрасных спектрометров // УФН. 1955. Т. 56. -1.-С. 1−53.
  27. А.с. 1 022 086 СССР. Устройство для определения магнитных и магнитооптических характеристик материалов / А. Ф. Гуничев, А. В. Дружинин, А. А. Самохвалов, Н. Н. Лошкарева- заявлено 25.02.82.
  28. Ф. Ф., Уханов Ю. И. Магнетооптические эффекты Фарадея и Фогта в применении к полупроводникам. Киев: Наукова думка, 1979. — 178 с.
  29. О. И. и др. Механическая обработка полупроводниковых материалов / Брук В. А., Никифоров С. М., Денисов Н. И. М.: Высшая школа, 1983.- 109 с.
  30. В. Г., Волкенштейн Ф. Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников. М.: Наука, 1978. — 288 с.
  31. Ю. В. Р-Т-х-диаграммы состояний двойных металлических систем. М.: Металлургия, 1990. — Т. 1. — 400 с.
  32. Пат. 2 124 716 Российская Федерация / Козлов Е. А., Абакшин Е. В., Тар-жанов В. И. заявлено 24.12.98.
  33. . А., Козлов Е.А., А.Е.Ермаков, Лукин Н. В., Наумов С. В., Самохвалов А. А., Арбузов В. Л., Шальнов К. В., Дегтярев М. В. Микроструктура СиО после ударно-волнового воздействия и размола в вибромельнице // ФММ. 2001. — Т. 92. — 2. — С. 52−57.
  34. И. Н., Ермаков А. Е., Трапезников В. А., Шур Я. С. Зависимость намагниченности насыщения аэрозольных порошков никеля от состояния поверхности частиц, исследованной методом электронной спектроскопии // ФММ. 1974. — Т. 38. — С. 313−322.
  35. В. Г., Фотиев А. А., Ивакин А. Г. Получение Ьао.боСео.о7 $го.ззМпОз и Lao.67Sro.33Mn03 методом осаждения из растворов // ЖНХ. 1994. — Т. 39. — С. 3−5.
  36. А. Р., Горбенко О. Ю., Каменев А. А. Роль гетероэпитаксии в разработке новых тонкопленочных функциональных материалов на основе оксидов // Успехи химии. 2004.- Т. 73. — 9. — С. 932−952.
  37. О. Yu., Kaul A. R., Babushkina N. A., Belova L. М. Giant magnetoresistive thin films of (La, Pr)0.7(Ca, Sr) o.3Mn03 prepared by aerosol MOVCD // J. Mat. Chem. 1997. — V. 7. — 5. — P. 747−752.
  38. JI. В., Махнев А. А., Кириллова М. М., Самохвалов А. А., Чеботаев Н. М. Оптическое поглощение в монокристалле СиО в области фундаментального поглощения // СФХТ. 1990. — Т. 3. — С. 323−326.
  39. Koffiberg F. P., Bonko F. A. A photoelectrochemical determination on the potion of the conduction and valence band edges of p-type CuO // J. Appl. Phys. 1982. — V. 53. — 2. — Р. 1173−1177.
  40. Edwards H. L., Derro D. J., Barr A. L., Markert T. J., de Lozanne A. I. Spatially Varying Energy Gap in the CuO Chains of YBa2Cu307. x Detected by Scanning Tunneling Spectroscopy // Phys. Rev. Lett. 1995. — V. 75. — 7. — P. 13 871 390.
  41. F., Parravicini G. В., Salghetti-Drioli F. Optical gap of CuO // Phys. Rev. B. 1995. — V. 52. — P. 1433−1436.
  42. А. А., Виглин H. А., Гижевский Б. А., Лошкарева H. H., Осипов В. В., Солин Н. И., Сухоруков Ю. П. Малоподвижные носители заряда в СиО//ЖЭТФ.- 1993.-Т. 103.-3.-С. 951−961.
  43. А. А., Гижевский Б. А., Лошкарева Н. Н., Костылев В. А., Чеботаев Н. М., Показаньева Г. К., Наумов С. В., Сухоруков Ю. П. Малая подвижность носителей заряда в соединении УВа2Сиз07.§ // ФММ. 1988. -Т. 65.-5.-С. 930−933.
  44. А. С. Псевдо-Ян-Теллеровский механизм образования сильнокоррелированной бозе-системы в атомных кластерах: Проблема ВТСП // Письма в ЖЭТФ. 1993, — Т. 58. — 5. — С. 342−348.
  45. J. В., Brown P. J., Wanklyn В. M. Magnetism in cupric oxide // J. Phys. C: Solid State Phys. 1988. — V. 21. — P. 2917−2929.
  46. Brown P. J., Chattopadhyay T, Forsyth J. В., Nunez V. Antiferromagnetism in CuO studied by neutron polarimetry // J. Phys.: Condens. Matter. 1991. — V. 3.-P. 4281−4287.
  47. Ain M, Reichardt W, Hennion B, Pepy G and Wanklyn В M. Magnetic excitations in CuO. // Physica C. 1989. — V. 162−164. — P. 1279−1280.
  48. .А., Самохвалов A.A., Чеботаев H.M., Наумов С. В., Пока-заньева Г.К. Электросопротивление и термо-эдс СиО. // СФХТ. 1991. -Т. 4. — 4. — С. 827−830.
  49. Я., Косута Я. Полумагнитные полупроводники. М.: Мир, 1992. -367 с.
  50. Guha S., Peebles D., Wientin Т. J. Zone-center (q=0) optical phonons in CuO studied by Raman and infrared spectroscopy // Phys. Rev. B. 1991. — V. 43. -16.-P. 13 092−13 101.
  51. Hardee K. L., Bard A. J. Semiconductor Electrodes. X. Photoelectrochemical Behavior of Several Polycrystalline Metal Oxide Electrodes in Aqueous Solutions // J. Electrochem. Soc. 1977. — Vol. 124. — P. 215−221.
  52. Varshni Y.P. Temperature dependence of the energy gap in semiconductors // Physica. 1967. — V. 34. — P. 149−157.
  53. Gmelin E. Cupric oxide-CuO: its structural, electrical, thermal and magnetic properties // Indian Journal Pure and Applied Physics. 1992. — V. 30. — P. 596−608.
  54. Masumi Т., Yamaguchi H., Ito Т., Shomoyama H. New fine structures near the optical absorption edge of CuO at low temperatures // J. Phys. Soc. Jap. 1998. -V. 67.- l.-P. 67−70.
  55. Zheng X. G., Xu С. N., Tomokiyo Y., Tanaka E., Yamada H., Soejima Y. Observation of Charge Stripes in Cupric Oxide // Phys. Rev. Lett. 2000. — V. 85.-P. 5170−5173.
  56. Skettrup Т. Urbach’s rule derived from thermal fluctuations in the band-gap energy // Phys.Rev. B. 1978. -V. 6. — 18. — C. 2622−2631.
  57. M., Гюнтеродт Г. Рассеяние света в твердых телах. Электронное рассеяние, спиновые эффекты, морфические эффекты / Под ред. Кардоны М. Мир: Москва. — 1986. — 408 с.
  58. Wakamura К., Onari S., Arai Т., Kudo. Latties vibration on semiconducting spinel.//J. Phys. Soc. Jap. 1970. -V. 31. — P. 1845−1853.
  59. Метфессель 3., Маттис Д. Магнитные полупроводники. М.: Мир, 1972. -408 с.
  60. J. Е., Tang S. Effective interactions in an oxygen-hole metal // Phys. Rev. B. 1989. — Vol. 40. — P. 2179−2183.
  61. А. А., Номерованная Л. В., Кириллова М. М., Чеботаев Н. М., Наумов С. В., Коротин М. А. Эволюция межзонного оптического поглощения и электронная структура монокристаллов YBa2Cu3Oy (6<у<7) // СФХТ. 1991. — Т. 4. — 4. — С. 700−707.
  62. В. В., Pisarev R. V., Burau A., Weber H-J., Barilo S.N., Zhigunov
  63. D.I. A polarimetric study of optical anisotropy in the rare-earth cuprates R2Cu04 // J.Phys.: Cond. Matter. 1995. — V. 6. — 25. — P. 4795−4805.
  64. Kelly M. K., Barboux P., Tarascon J. M., Aspnes D. E. Optical properties of copper-oxygen planes in superconducting oxides and related materials // Phys. Rev. B. 1989. — V. 40. — P. 6797−6805.
  65. Edwards H. L., Barr A. L., Markert T. J., de Lozanne A. I. Modulations in the CuO Chain Layer of YBa2Cu307. Charge Density Waves? // Phys. Rev. Lett. 1995. — V. 75. — 8. — P. 1154−1157.
  66. Mook H. A., Dai P., Lee D., Dogan F., Aepli G., Boothroyd А. Т., Mostoller M.
  67. E. Incommensurate One-Dimensional Fluctuations in YBa2Cu306.93 // Phys. Rev. Lett. 1996. — V. 77. — 2. — P. 370−373.
  68. Yang В. X., Thurston T. R., Tranquada J. M., Shirane G. Magnetic neutron scattering study of single-crystal cupric oxide // Phys. Rev. B. 1989. — V. 39. -P. 4343−4349.
  69. Ota S. В., Gmelin E. Incommensurate antiferromagnetism in copper (II) oxide: Specific-heat study in a magnetic field // Journal Thermal Analysis. 1992. -V. 38.-P. 635−638.
  70. Eberhard G. Specific heat and magnetic ordering in CuO single crystals // Indian Journal Pure and Applied Physics. 1992. — V. 30. — P. 596−561.
  71. И. Б., Москвин А. С., Наумов С. В., Самохвалов А. А. Монокристалл СиО: аномалии теплового расширения и магнитострикции // Письма в ЖЭТФ. 1992.- Т. 56. — 11. — С. 584−586.
  72. Thomas G. A. High temperature superconductivity: materials, mechanism and devices. Scottish Universities Summer School in Physics, I. Tanstall D.P. II. Barford W. III. Series. 1991. — P. 137.
  73. Kim Y. H., Cheong S. W., Fisk Z. Phase separation of charge carriers in La2Cu04 // Physica C. 1992. — V. 200. — P. 201−206.
  74. А. В, Горбунов А. В., Тимофеев В. Б. Спектроскопия фотоинду-цированного отражения света в диэлектрических монокристаллах La2Cu04 // Письма в ЖЭТФ. 1992. — Т. 56. — С. 604−607.
  75. Ching W. Y., Xu Yong-Nian, Wong К. W. Ground-state and optical properties of Cu20 and CuO crystals // Phys. Rev. B. 1989. — V. 40. — P. 7684−7695.
  76. Ю. С., Болотин Г. А., Чеботаев Н. М., Наумов С. В., Самохвалов А. А. Исследование фононов и магнитных возбуждений в монокристалле СиО методом комбинационного рассеяния света // СФХТ. — 1991. — Т. 4. — С. 1422−1426.
  77. Alexandrav A. S., Kabanov V. V., Ray D. K. Polaron theory of mid-infrared conductivity a numerical cluster solution // Physica С: Superconductivity. -1994. V. 224/ - ¾. — P. 247−255.
  78. В. С., Ухии Н. А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: АтомиздатД969. — 312 с.
  79. А. М., Smith L. W. Defect phenomena in superconducting oxides and analogous ceramic oxides // J. Phys.: Condens. Mater. 1991. — V. 3. — P. 225−278.
  80. Г., Венер Г. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой / Подред. Р.Бериш. М.: Мир, 1984. — С. 24. 89. Sekara К., Satyama P. V., Mahapatra D. P., Dev В. N., Mishra N. С., Acharya
  81. B. S., Sen P. MeV 4 Не -irradiation induced effects in CuO // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B. 1993. — V. 83. — ½. -P. 140−144.
  82. P. Ф. и др. Особенности радиационного повреждения частицами высоких энергий / Литвинов В. Л., Ухин Н. А. М.: Атомиздат, 1971. -176 с. 91.0ксенгендлер Б. Л. Инверсон-дефектон нового типа // Письма в ЖЭТФ. -1976.-Т. 24.-1. -С. 12−15.
  83. Д. И., Сорвина В. П., Белялина М. Г. Энергетический порог эффекта дальнодействия при ионном облучении металлических фольг // Высокочистые вещества. 1995. — № 2. — С. 47−51.
  84. В. В. Модификация свойств конструкционных материалов пучком заряженных частиц // Тез. IV Всероссийской конференции. -Томск, 1996.-С. 3−4.
  85. Esteban-Cubollo А., Diaz С., Fernandes A., Dias L.C., Richter G., Pecharoman
  86. C., Moya J.S., Torrecillas R. Obtaining silver monodispersed nanoparticals suppoted on submicrometer particals // Abstract book of the topicall meetting of the Europien Ceramic Society NNN. St-Peterburg, 2004. — P. 44.
  87. Chaterjee К., Satpati В., Satyam P. V., Chakravorty D. Metal-to-metal transition in copper nanoshells on copper oxide nanoparticles // J. Appl. Phys. -2004. V. 96. — 1. — P.683−687.
  88. Arima Т., Tokura Y., Torrance J. B. Variation of optical gaps in perovskite-type 3d transition-metal oxides // Phys. Rev. B. 1993. — V. 48. — 23. — P. 1 700 617 009.
  89. Jung J.H., Kim K.H., Eom D.J., Noh T.W., Choi E.J., Yu J., Kwon Y.S., Chung Y. Determenation of electron band structures of CaMn03 and ЬаМпОз using optical-conduktivity analyses // Phys. Rev. B. 1997. — V. 55. — 23. — P. 15 489−15 493.
  90. Takenaka K., Iida K., Sawaki Y., Sugai S., Moritomo Y., Nakamura A. Optical reflectivity spectra measured on cleaved surfaces of Lai. xSrxMn03: Evidence against extremely small Drude weight // J. Phys. Soc. Jpn. 1999. -V. 68.-3.-P. 1828−1831.
  91. Tokura Y. Ed., Colossal Magnetoresistive Oxides. N.Y.: Gordon & Breach Science Publishes, 2000. — 226 p.
  92. JI. В., Махнев А. А., Румянцев А. Ю. Оптическая проводимость монокристалла Ьао^го.зМпОз: сравнение с теоретическими зонными расчетами // ФММ. 2000. — Т. 89. — 3. — С. 51−55.
  93. Iliev М. N., Abrashev М. V., Lee H.-G., Popov V. N., Sun Y. Y., Thomsen C., Meng R. L., Chu C. W. Raman spectroscopy of orthorhombic perovslitelike YMn03 and LaMn03 // Phys. Rev. B. 1998. — V. 57. — 5. — P. 2872−2877.
  94. Urushibara A., Moritomo.Y., Arima Т., Asamitsu A., Kido M., Tokura Y. Insulator-metal transition and giant magnetoresistance in LaixSrtMn03 // Phys. Rev. B. 1995. -V. 51. -20. — P. 14 103−14 109.
  95. Ю. А., Скрябин Ю. H. Модель двойного обмена и уникальные свойства манганитов // УФН. 2001.- Т. 171. — 2. — С. 121−148.
  96. Dagotto Е., Hotta Т., Moreo A. Colossal magnetoresistant materials: the key role of phase separation // Phys. Rep. 2001. — V. 344. — P. 1−153.
  97. Nagaev E. L. Colossal-magnetoresistance materials: manganites and conventional ferromagnetic semiconductors // Phys. Rep. 2001. — V. 346. -6.-P. 387−531.
  98. Khomskii D. Phase separation, percolation and giant isotope effect in manganites // Physica B. 2000. — V. 280. — P. 325−330.
  99. Flugge S. Encyclopedia of physics. Berlin-Heidelberg-New York: SpringerVerlag, 1967. — V. XXV/2a. — 412 p.
  100. H.H., Сухоруков Ю. П., Гижевский Б. А., Самохвалов А. А. Модулятор ИК-излучения на магнитном полупроводнике // Письма в ЖТФ. 1989. — Т.15. — 17- С. 83−86.
  101. В. Е. Кристаллические и магнитные структуры орторомбических магнетиков. III. Фазовые диаграммы. Зарядовое и орбитальное упорядочение // ФММ. 2001. — Т. 92. — 5. — С. 16−29.
  102. В. Е. 1. Кристаллические и магнитные структуры орторомбических магнетиков. II. Модели магнитных структур// ФММ. 2001. — Т. 92. -5.-С. 5-15.
  103. Bebenin N. G., Ustinov V. V. Conduction and disorder in LaMn03-based materials // J. Phys.: Condens. Matter. 1998. — V. 10. — P. 6301−6309.
  104. Лошкарева H. H.,.Сухоруков Ю. П, Мостовщикова E. В., Номерованная Л. В., Махнев А. А., Наумов С. В. Эволюция оптических спектров LaMn03 при слабом электронном и дырочном легировании и разделении фаз // ЖЭТФ. 2002. — Т. 121.-2.-С. 412118.
  105. Е.В., Оптическая спектроскопия неоднородных соединений в манганитах с колоссальным магнитосопротивлением: Автореферат на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук. -Екатеринбург, ИФМ УрО РАН, 2003. 24 с.
  106. Л. В., Махнев А. А., Румянцев А. Ю. Эволюция оптических свойств монокристаллов Lai.xSrxMn03 // ФТТ. 1999. — Т. 41. — 8. -С. 1445−1449.
  107. Arima Т., Tokura Y. Optical study of electronic structure in perovskite-type RM03 (R=La, Y- M=Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu) // J. Phys. Soc. Jpn. -1995. V. 64. — 7. — P. 2488−2492.
  108. Jung J. H., Kim К. H., Noh T. W., Choi E. J., Yu J. Midgap states of La,. хСахМпОз: Doping-dependent optical-conductivity studies // Phys. Rev. B. -1998. V. 57. — 18. — P. R11043-R11046.
  109. Kovaleva N. N., Gavartin J. L., Shluger A. L., Boris A. V., Stoneham A. M. Lattice relaxation and charge-transfer optical transitions due to self-trapped holes in non-stoichiometric LaMn03 crystal // E-print archives, Cond-mat / 108 207.
  110. Satpathy S., Popovic Z. S., Vukajlovic F. R. Density-functional studies of the electronic structure of the perovskite oxides: LaixCaxMnC>3 // J. Appl. Phys. 1996. — V. 79. — 8. — P. 4555−4557.
  111. Kim M.W., Moon S.J., Jung J.H., Jaejun Yu, Oarashar S., Murugavel P., Lee J.H., Noh T.W. Effect of orbital rotation and mixing on the optical properties Of orthorhombic RMn03 // Phys. Rev. Lett. 2006. — V. 96. — P. 247 205 (4).
  112. Yamaguchi S., Okimoto Y., Ishibashi K., Tokura Y. Magneto-optical Kerr effects in perovskite-type transition-metal oxides: LaixSrxMn03 and Laj. xSrxCo03 // Phys. Rev. B. 1998. — V. 58. — 11. — P. 6862−6870.
  113. Kim К. H., Jung J. H., Eom D. J., Noh T. W., Jaejun Yu, Choi E. J. Scaling behavior of spectral weight changes in perovskite manganites La0.7-yPryCao.3Mn03 // Phys. Rev. Lett. 1998. — V. 81. — 22. — P. 4983^1988.
  114. Moritomo Y., Machida A., Matsuda K., Ishida M., Nakamura A. Magnetization-dependent behaviors of interband transition between the exchange-split bands in doped manganite films // Phys. Rev. B. 1997. — V. 56. — 9. — P. 5088−5091.
  115. H. H., Сухоруков Ю. П., Носов А. П., Васильев В. Г., Слобо-дин Б. В., Демчук К. М., Бебенин Н. Г. Отражение света от Еа0. б7Вао.ззМпОз в инфракрасной области спектра // ФТТ. 1997. — Т. 39. -С. 1616−1617.
  116. Loshkareva N. N., Sukhorukov Yu. P., Nossov A. P., Vassiliev V. G., Slo-bodin В. V., Bebenin N. G., Ustinov V. V. Interaction of light with charge carriers in Lao.67-xYxBao.33Mn03 (x=0- 0.07) // Sol. State. Commun. 1998. — V. 106/-6.-P. 357−361.
  117. P. И., Бебенин H. Г., Машкауцан В. В., Бурханов А. М., Сухо-руков Ю. П., Устинов В. В., Васильев В. Г., Слободин Б. В. Кинетические, оптические и упругие свойства Lao.6oEuo.o7Sro.33Mn03 // ФТТ. 2000 — Т. 42. — 2. — С. 284−289.
  118. Calvani P., Paolone A., Dore P., Lupi S., Maselli P., Medaglia P.G., Cheong S.-W. Infrared response of ordered polarons in layered perovskites // Phys. Rev. B. 1996. -V. 54. — P. R9592-R9595.
  119. Matsumoto G. Study of (Lai^Ca^)Mn03. I. Magnetic Structure of LaMn03 // J. Phys. Soc. Jap. 1970. -V. 29. — P. 606−615.
  120. S. G., Quijada M., Drew H. D., Tanner D. В., Xiong G. C., Ramesh R., Kwon C., Venkatesan T. Optical Evidence for the Dynamic Jahn-Teller Effect in Ndo.7Sro.3Mn03 // Phys. Rev. Lett. 1996. — V. 77. — 10. — P. 20 812 084.
  121. Jung J. H., Kim К. H., Lee H. J., Ahn J. S., Hur N. J., Noh T. W., Kim M. S., Park J.-G. Optical investigations of La7/8Sr1/8Mn03 // Phys. Rev. B. 1999. -V. 59.-5.-P. 3793−3797.
  122. Nagaev E. L. Colossal-magnetoresistance materials: manganites and conventional ferromagnetic semiconductors // Phys. Rep. 2001. — V. 346. -. 6. — P. 387−531.
  123. Э. JI. Избранные труды. М.: Физматлит, 2004. — 320 с.
  124. М. Ю., Кугель К. И. Неоднородные зарядовые состояния и фазовое расслоение в манганитах // УФН. 2001 — Т. 171. — 6. — С. 577−596.
  125. Dagotto Е. Open questions in CMR manganites, relevance of clustered states and analogies with other compounds including the cuprates // New J. Phys.. -2005.-V. 67.-7.-P. 2−28.
  126. Ml.Wollan E. О., Koeller W. C. Neutron Diffraction Study of the Magnetic Properties of the Series of Perovskite-Type Compounds (l-x)La, хСа. МпОз // Phys. Rev. 1955,-V. 100.-2.-P. 545−563.
  127. Э. JI. Разделение фаз в высокотемпературных сверхпроводниках магнитных материалах // УФН. 1995. — Т. 165. — С. 529−551.
  128. Mostovshchikova E. V., Bebenin N. G., Loshkareva N. N. Volume of metallic phase in lightly doped lanthanum manganite single crystals // Phys. Rev. В.- 2004. V. 70. — P. 12 406 (4 pages).
  129. Боровик-Романов А. С. Антиферромагнетизм и ферриты. M.: Физ.-мат. науки, 1962. — 70 с.
  130. В. С., Архипов В. Е., Королев А. В., Найш В. Е., Муковский Я. М. Структурные и магнитные фазовые переходы в соединении Lao.9Sro.iMn03 // ФТТ. 1999. — Т. 41. -6. — С. 1064−1069.
  131. Yamada Y., Hino О., Nohdo S., Kanao R., Inami T., Katano S. Polaron Ordering in Low-Doping LaixSrxMn03 // Phys. Rev. Lett. 1996. — V. 77. — P. 904−907.
  132. Ning Zhang, Weiping Ding, Wei Zhong, Dingyu Xing, Youwei Du. Tunneltype giant magnetoresistance in the granular perovskite La0.85Sr0.i5MnO3.// Phys. Rev. В. 1997. — V. 56.-P. 8138−8142.
  133. Shanon R. D. Revised effective ionic radii and systematic studies of interatomic distances in halides and chalcogenides // Acta Crist. A. 1976. — V. 32.- P. 751−767.
  134. . И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. — 416 с.
  135. Willardson R.K., Beer A.G. Semiconductors and semimetals. London: Academic press, 1967. — 488 p.
  136. И. В., Ганьшина Е. А., Грановский А. Б., Гущин В. С., Козлов А. А., Онума С., Масумото Т. Магниторефрактивный эффект в гранулированных сплавах с туннельным магнитосопротивлением // ФТТ. 2005. -Т. 47.-2.-С. 268−273.
  137. M. Bibes, D. Hrabovsky, B. Martinez, A. R. Fert, V. Trtik, M. Varela, J. Fontcuberta. Magneto-optical Kerr effect in laser-patterned Ьаг^гузМпОз epitaxial thin films. // J. Appl. Phys. 2001. — V. 89. — P. 6958−6960.
  138. V. K. Vlasko-Vlasov, Y. K. Lin, D. J. Miller, U. Welp, G. W. Crabtree, V. I. Nikitenko. Direct Magneto-Optical Observation of a Structural Phase Transition in Thin Films of Manganites. // Phys. Rev. Lett. 2000. — V. 84. — P. 2239−2242.
  139. M. Izumi*, Y. Ogimoto, Y. Okimoto, T. Manako, P. Ahmet, K. Nakajima, T. Chikyow, M. Kawasaki, Y. Tokura. Insulator-metal transition induced by interlayer coupling in La0.6Sr0.4MnO3/SrTiO3 superlattices. // Phys. Rev. B. -2001. V. 64. — P. 64 429 (6).
  140. Biswas A., Rajeswari M., Srivastava R. C., Venkatesan Т., Greene R. L., Lu Q., de Lozanne A. L., Millis A. J. Strain-driven charge-ordered state in La0.67Ca0.33MnO3 // Phys. Rev. B. 2001. — V. 63. — P. 184 424 (7).
  141. Biswas A., Rajeswari M., Srivastava R. C., Li Y. H., Venkatesan Т., Greene R. L., Millis A. J. Two-phase behavior in strained thin films of hole-doped manganites // Phys. Rev. B. 2000. — V. 61. — P. 9665−9668.
  142. Zhang L., Israel C., Biswas A., Greene R.L., de Lozanne A. Direct observation of percolation in manganites thin film // Science. 2002. — V. 298. -P. 805−807.
  143. Bibes M., Balcells Li., Valencia S., Foncuberta J. Nanoscal Maltiphase separation at La2/3Cai/3Mn03/SrTi03 interfaces // Phys. Rev. Lett. 2001. — V. 87.-6.-P. 6 7210(4).
  144. Prellier W, Lecoeur Ph., Merecy B. Colossal-magnetoresistive manganite thin films // J. Phys.: Condens. Matter. 2001. — V. 13. — P. R915-R944.
  145. Satpathy S., Popovic Z. S., Vukajlovic F. R. Density-functional studies of the electronic structure of the perovskite oxides: Lai. xCaxMn03 // J. Appl. Phys. -1996. V. 79. — 8. — P. 4555−4557.
  146. Tokura Y., Okimoto Y., Yamaguchi S., Taniguchi H., Kimura T., Takagi H. Thermally induced insulator-metal transition in LaCo03: A view based on the Mott transition // Phys.Rev.B. 1998. -V. 4. — 58. — P. R1699-R1702.
  147. Arima T., Tokura Y., Torrance J. B. Variation of optical gaps in perovskite-type 3d transition-metal oxides // Phys. Rev. B. 1993. — V. 23. — 48. — P. 17 006−17 009.
  148. Babushkina N. A., Belova L. M., Gorbenko O. Yu., Kaul A. R., Bosak A. A., Ozhogin V. I., Kugel K. I. Metal-insulator transition induced by oxygen isotope exchange in the magnetoresistive perovskite manganites // Nature. 1998. — V. 391.-P. 159−161.
  149. Zhao G., Conder K., Keller H., Miiller K. A. Isotope and pressure effects in manganites: Important experimental constraints on the physics of manganites // Phys. Rev. B. 1999. — V. 60. — 17. — P. 11 914−11 917.
  150. Н. Н., Сухоруков Ю. П., Ганыпина Е. А., Мостовщикова Е.
  151. B., Кумаритова Р. Ю., Москвин А. С., Панов Ю. Д., Горбенко О. Ю., Ка-уль А. Р. Изотоп-эффект и разделение фаз в пленках (Ьао.5Рго.5)о.7Сао.зМп03: оптические данные // ЖЭТФ. 2001. — Т. 119. -.3.1. C. 533−545.
  152. Bergman D., Stroud D. Phyical properties of macroscopically inhomogeneous media. Solid State Physics. / Edited H. Ehrenreich and D. Turnbull. New York, 1992.-V. 46.-P. 148.
  153. Bebenin N.G. Lanthanum Manganites near the Curie temperature // Phys. Of Metals and Metallography. 2004. — V. 98. -1. 1. — P. 78−85.
  154. Helman J. S., Abeles B. Tunneling of Spin-Polarized Electrons and Magnetoresistance in Granular Ni Films // Phys. Rev. Lett. 1976. — Vol. 37. -P.1429−1432.
  155. Pi L., Hervieu M., Maignan A., Martin C., Raveau B. Structural and magnetic phase diagram and room temperature CMR effect of La! xAgxMn03 // Solid State Comm. 2003. — V. 126. — P. 229−234.
  156. Ye S. L., Song W. H., Dai J. M., Wang K. Y., Wang S. G.,.Zhang C. L, Du J. J., Sun Y. P., Fang J. Effect of Ag substitution on the transport property and magnetoresistance of LaMn03 // JMMM. 2002. — V. 248. — P. 26−33.
  157. Gorbenko O. Yu., Melnikov О. V., Kaul A. R.,.Balagurov A. M, Babushkina N. A., Koroleva L. I., Demin R. V. Solid solutions LaixAgxMn03+s: evidence for silver doping? Structure and properties // Matt. Science and Engin. B-2005.-V. 116.-P. 64−70.
  158. MOTT H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. — 348 с.
  159. Zener С. Interaction between the d-Shells in the Transition Metals. II. Ferromagnetic Compounds of Manganese with Perovskite Structure // Phys. Rev. 1951.-V. 82.-3.-P. 403−405.
  160. Millis A. J. Electron-lattice coupling in «colossal» magnetoresistance rare earth manganites // J. Appl. Phys. 1997. — V. 81. — 8. — P. 5502−5505.
  161. Bebenin N. G., Zainulina R. I., Mashkautsan V. V., Ustinov V. V. Electronic transport in ferromagnetic Lai. xSrxMn03 single-crystal manganites // Phys. Rev. B. 2004. — V. 69. — P. 104 434 (9).
  162. Nagaev E. L. Colossal-magnetoresistance materials: manganites and conventional ferromagnetic semiconductors // Phys. Rep. 2001. — V. 346. — 6. — P. 387−531.
  163. Pierre J., Robaut F., Misat S., Strobel P., Nossov A., Ustinov V., Vassiliev V. Semiconductor-metal transition and magnetoresistance in (La, Ca) Mn03: Experiments and simple model // Physica B. 1996. — V. 225. — P. 214−224.
  164. Ziese M. Extrinsic magnetotransport phenomena in ferromagnetic oxides // Rep. Prog. Phys. 2002. — V. 65. — P. 143−249.
  165. Gittleman J. I., Goldsrein Y., Bozowski S. Magnetic Properties of Granular Nickel Films // Phys. Rev. B. 1972. — V. 5. — P. 3609−3621.
  166. Mitani S., Takanashi S., Yakushiji K., Yakushiji K., Maekawa S., Fujimori H. Enhanced Magnetoresistance in Insulating Granular Systems: Evidence for Higher-Order Tunneling // Phys. Rev. Lett. 1998. — V. 81. — P. 2799−2802.
  167. Hwang H. Y., Cheong S-W., Ong N. P., Batlogg B. Spin-Polarized Intergrain Tunneling in La2/3Sr1/3Mn03 // Phys. Rev. Lett. 1996. — V. 77. — P. 20 412 044.
  168. Rao R. A., Lavric D., Nath Т. K., Eom С. В., Wu L., Tsui F. Effects of film thickness and lattice mismatch on strain states and magnetic properties of La0.8Ca0.2MnO3 thin films // J. Appl. Phys. 1999. — V. 85. — P. 4794−4796.
  169. Martin C., Maignan A., Hervieu M., Raveau B. Magnetic phase diagrams of ?1у4дМпОз manganites (L=Pr, Sm- ^=Ca, Sr) // Phys. Rev. В.- 1999. V. 60. -P. 12 191−12 199.
  170. А. П., Стробель П. Магнитные и магниторезистивные свойства тонких пленок Еа0.б7Са0.ззМпОз // ФММ. 2002. — Т. 93. — 3. — С. 50−59.
  171. Vengalis В., Maneikis F., Anisimovas F., Butkute R., Dapkus L., Kindurys A. Effect of strains on electrical and optical properties of thin Lao.67Cao.33Mn.O3 films // JMMM. 2000. — V. 211. — P. 35−40.
  172. Blamire M. G., Teo B.-S., Duttel J. H., Durrell J. H., Mathur N. D., Barber Z.
  173. H., McManus Driscoll J. L., Cohen L. F., Evetts J. E. Strain-induced time-dependent magnetic disorder in ultra-thin La0.7Ca0.3MnO3 films // JMMM. -1999.-V. 191.-P. 359−367.
  174. Ван-дер-Мерве Дж.Х. Монокристаллические пленки. М.: Мир, 1966. -201 с.
  175. Balykina Е. A., Ganshina Е. A., Krinchik G. S., Trifonov A. Yu., Troyanchuk
  176. О. Magneto-optical properties of new manganese oxide compounds // JMMM. 1992. — V. 117. — P. 259−269.
  177. Paulusz A. G., Burras H.I. Luminescence of Mn (IV) complexes // Chem. Phys. Lett. 1972. — V. 17. — P. 527−530.
  178. Kwon C., Robson M. C., Kim K. C., Gu J. Y., Lofland S. E., Bhagat S. M., Trajanovic Z., Rajeswari M., Venkatesan T., Kratz A. R., Gomez R. D., Ramesh R. Stress-induced effects in epitaxial (La0.7Sr0.3)MnO3 films // JMMM. 1997. — V. 172. — P. 229−236.
  179. Hung-Hsiao Lin, Chih-Yuan Wang, Han C. Shih. Characterizing well-ordered CuO nanofibrils synthesized through gas-solid reaction // J. Appl. Phys. 2004. -V. 95.-10.-P. 5889−5895.
  180. Yermakov A. Ye., Feduschak T. A., Sedai V. S., Uimin M. A., Mysik A. A. Magneto-modified catalyst on the base of nanocrytalline CuO // JMMM. -2004. V. 272/276. — P. 2445−2247.
  181. Way Q., Luo W.D., Liao B., Liu Y., Wang G. Giant capacitance effect and physical model of nano crystalline Cu0-BaTi03 semiconductor as a C02 gas sensor // J. Appl. Phys. 2000. — V. 88. — 7. — P. 4818−4824.
  182. Haghiri-Gosnet A.M., Renard J.P. CMR manganites: physics, thin films and devices // J. Phys. D: Appl. Phys. 2003. — V. 36. — P. R127-R150.
  183. Greegg J.F., I Petej, E Jouguelet, C Dennis. Spin electronics—a review //J. Phys. D.: Appl. Phys. 2002. — V. 35. — 18. — P. R121-R159.
  184. Takeshi Obata, Takashi Manako, Yuichi Shimakawa, Yoshimi Kubo. Tunneling magnetoresistance at up to 270 K in Lao.8Sro.2Mn03/SrTi03/Lao.8Sro.2Mn03junctions with 1.6-nm-thick barriers // Appl. Phys. Lett. 1999. — V. 74. — 2. -P. 290−292.
  185. Mitra C., Raychaudhuri, Kobernic G., Dorr K., Muller K.H., Pinto R. A p-n diod with Hole and Electron-doped lanthanum manganites // Appl. Phys. Lett. -2001. -V. 79. 15. — P. 2408−2410.
  186. Hao J. H., Zeng X. Т., Wong H. K. Optical response of single-crystal (La, Ca) MnO§ thin films // J. Appl. Phys. 1996. — V. 79. — 3. — P. 1810−1812.
  187. Heiras J., Pichardo E., Mahmood A., Lorez Т., Perez-Salas R., Siqueiros J.M., Blanco O., Castellanos M. Thermohromism in (Ba, Sr)-Mn oxides // J. Phys. And Chem. of Solids. 2002. — V. 63. — P. 591−595.
  188. Agnihorti O.P., Crupba B.K. Solar Selective Surfases. New York: Wiley, 1981.-555 p.
  189. Tesfamichael Т., Hoel A., Wackelgard E., Niklasson G. A., Gunde M. K., Orel Z. C. Optical characterization and modeling of black pigments used in thickness-sensitive solar-selective absorbing paints // Solar Energy. 2001. -V. 69.-6.-P. 35−43.
  190. V., Oral R. // United State Patent. № 4.310.596. от 12.06.1982.
  191. Karlsson В., Ribbing C.G., Roos A., Valkonen E., Karlsson T. Spectral selectivity of a thermally oxidized stainless steel // Phys. Scripta. 1982. — V. 25. -P. 826−831.
  192. А. И., Онущенко А. А. Квантовый размерный эффект в оптических спектрах полупроводниковых монокристаллов // ФТП. 1982. — Т. 16.-С. 1215−1219.
  193. Wang Y., Herron N. Quantum size effects on the exciton energy of CdS clusters // Phys. Rev. B. 1990. — V. 42. — P. 7253−7255.
  194. Rama Krishna M.V., Friensner R.A. Exciton spectra of semiconductor clusters // Phys. Rev. Lett. 1991. — V. 67. — P. 629−632.
  195. . А., Козлов E. А., Ермаков A. E., Лукин H. В., Наумов С. В., Самохвалов А. А., Арбузов В. Л., Шальнов К. В., Дегтярев М. В. Микроструктура СиО после ударно-волнового воздействия и размола в вибромельнице // ФММ. 2001. — Т. 92. — С. 52−57.
  196. Borgohain К., Murase N., Mahamuni S. Syntesis and properties of Cu20 quantum particles // J. Appl. Phys. 2002. — Vol. 92, № 3. — P. 1292−1297.
  197. Balamurgan В., Menta B. R., Shivaprasad S. M. Surface-modified CuO layer in size-stabilized single-phase Cu20 nanoparticles // Appl. Phys. Lett. 2001. -V. 79.-P. 3176.
  198. Ал. Л., Эфрос А. Л. Межзонное поглощение света в полупроводниковом шаре // ФТТ. Т. 16. — С. 1209−1214.
  199. J. К., Mehrotra V., Russell М. W., Giannelis E. P., Shull R. D., Ziolo Ronald F. Magnetic and optical properties of 7-Fe203 nanocrystals // J. Appl. Phys. 1993. — V. 73. — 10. — P. 5109−5116.
  200. И. H., Ермаков А. Е., Трапезников В. А., Шур Я. С. Зависимость намагниченности насыщения аэрозольных порошков никеля от состояния поверхности частиц, исследованной методом электронной спектроскопии // ФММ. -1974. Т. 38. — С. 313−322.
  201. Е.Р., Парыгин В. Н. Методы модуляции и сканирования света. -М.: Наука, 1970.-296 с.
  202. Rinkevich A., Nossov A., Ustinov V., Vassiliev V., Petukhov S. Penetration of the electromagnetic waves through doped lanthanum manganites // J. Appl. Phys. 2002. — V. 91. — 6. — P. 3693−3697.
  203. B.B., Червоненкис А. Я. Прикладная магнитооптика. М: Энергоиздат, 1990. — 320 С.
  204. Ю.П., Лошкарева Н. Н., Самохвалов А. А., Тугушев С. Н. Магнитооптический ИК модулятор в геометрии Фохта // Письма в ЖТФ. -1996.-Т. 22.-1.-С. 85−90.
  205. Sukhorukov Yu.P., Loshkareva N.N., Tugushev.S.N. Great magnetic linear dihroism in HgCr2Se4 and construction of an IR modulator based on it (great MLD in HgCr2Se4) // JMMM. 1996. — V. 159. — P. 342−344.
  206. E.B., Лошкарева H.H., Сухоруков Ю. П., Шувалов В. А. Разработка магнитооптического полосового фильтра ИК-излучения // Ракетно-космическая техника. Сборник Ц1ЖИМАШ. Москва, серия XV. 1993. -В. 1.-С. 105−110.
  207. H.H., Сухоруков Ю. П., Шувалов В. А., Карташев Е. В., Тугу-шев С.Н., Самохвалов A.A. Магнитооптический фильтр инфракрасного излучения 8−14 мкм // Письма в ЖТФ. 1994. — Т.20. — 9. — С.61−63.
  208. Пат. РФ 2 025 755. Полосовой фильтр / Лошкарева H.H., Сухоруков Ю. П., Шувалов В. А., Карташев Е. В., Чеботаев Н. М., Самохвалов A.A. -4 931 927/25- Заявлено 29.04.91- Опубл. 30.12.94, Бюл. 24. С. 1.
  209. Пат. РФ 2 031 423. Способ модуляции и устройство для его осуществления / Сухоруков Ю. П., Лошкарева H.H., Самохвалов A.A. 5 008 548/25- Заявлено 11.11.1991- Опубл. 20.03.95, Бюл. 8.-С. 1.
  210. В. В., Чернышев Д. Ю., Курбанов А. И., Рунова М. К., Трунов В. А., Окороков А. И. Мезоскопические магнитные неоднородности в низкотемпературной фазе и структура SmixSrxMn03 (х<0.5) перовскита // ФТТ. -2000 -Т. 118.-5 (11).-С. 1174−1187.
  211. I. О., Khalyavin D. D., Trukhanov S. V., Szymczak H., Nabialek A. Magnetotranspot properties of the Sm0.56(Sr0.44.xMex)MnO3 // J. Phys.: Condens. Matter. 1999. — V. 11. — P. 8913−8920.
  212. Kajimoto R., Yoshizawa H., Kawano H., Kuwahara H., Tokura Y., Ohoyama K., Ohashi M. Hole-concentration-induced transformation of the magnetic and orbital structures in Nd1. xSrJCMn03 // Phys. Rev. B. 1999. — V. 60. — P. 95 069 517.
  213. Tokura Y., Tomioka Y., Kuvahara H., Asamutsu A., Moritomo Y., Kasai M. Magnetic-field-induced insulator-metal phenomena in perovskite manganese oxides // Physica C. 1996. — V. 263. — P. 544−549.
  214. Bosak A.A., Samoilenkov S.V., Gorbenko O.Yu., Graboy I.E., Botev A.N., Kaul A.R. Self-turning MOCVD approach to the growth of the very smooth La! xPbxMn03 and PbTi03 epitaxial thin films // Chem. Matter. 2001. — V. 13. -P. 981−986.291
  215. Hwang H.Y. Enhancing the low field magnetoresistive response in perovskite manganites // Appl. Phys. Lett. 1996. — V. 68. — P. 3494−3496.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!