Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Влияние адсорбционно-десорбционных процессов на фазовые переходы в твердых телах

Диссертация: Влияние адсорбционно-десорбционных процессов на фазовые переходы в твердых телах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Одним из наиболее интересных и практически важных активных воздействий на поверхность образца является адсорбция. Поэтому взаимному влиянию адсорбционно — десорбционных процессов и фазовых переходов уделено центральное место в настоящей работе. Было обнаружено, что обратимая адсорбция ряда молекул (Н20 и NH3) снижает температуру фазового перехода полупроводник — металл. Анализ полученных… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. МОДЕЛИ ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА МЕТАЛЛ ПОЛУПРОВОДНИК
    • 1. 1. Краткие сведения о материалах, претерпевающих фазовый переход металл — полупроводник
    • 1. 2. Основные модели ФПМП
      • 1. 2. 1. Модель Мотта — Хаббарда
      • 1. 2. 2. Модели, учитывающие электрон — фононное взаимодействие
      • 1. 2. 3. Модели, учитывающие электрон — электронное и электрон — фононное взаимодействие
      • 1. 2. 4. Модель Хирна
    • 1. 3. Модель фононного ангармонизма ФПМП
      • 1. 3. 1. Модельный гамильтониан
      • 1. 3. 2. Свободная энергия кристалла
      • 1. 3. 3. Определение подгоночных параметров модели ФПМП

Влияние адсорбционно-десорбционных процессов на фазовые переходы в твердых телах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Одной из центральных и наиболее сложных задач физики твердого тела является проблема фазовых переходов. Наиболее интересными с научной и прикладной точек зрения можно считать сегнетоэлектрический и ферромагнитный фазовые переходы, а также переход полупроводник — металл. Многолетние исследования привели к накоплению обширного экспериментального материала и созданию большого числа теорий, рассматривающих конкретные фазовые перехода. Наименее изученным является фазовый переход полупроводник — металл. Сложность рассматриваемой проблемы не позволила исследователям предложить теорию, удовлетворительно описывающую этот фазовый переход. Более того, в литературе отсутствуют теоретические модели, объясняющие всю совокупность экспериментальных данных для отдельных веществ, в которых наблюдается фазовый переход полупроводник — металл.

Понимание механизма фазового перехода невозможно без изучения влияния различных внешних воздействий на его характеристики. Накопленный в литературе обширный экспериментальный материал по этому вопросу касается исследования влияния активных обработок на весь объем образца. Вместе с тем, поверхность является наиболее дефектной частью кристалла. Поэтому на ней в первую очередь образуются зародыши новой фазы, в результате чего фазовый переход должен начинаться именно с поверхности и затем распространяться на весь объем твердого тела.

Изучение влияния поверхностных воздействий на фазовые переходы интересно и с практической точки зрения. Чувствительность поверхности к этим воздействиям, как правило, негативно сказывается на стабильности работы различных устройств микроэлектроники. С другой стороны кардинальное изменением свойств твердого тела при фазовом переходе делает такие объекты перспективным материалом для создания газоанализаторов. Несмотря на всю важность рассмотрения поверхностных воздействий на вещества, претерпевающие фазовые переходы, в литературе уделено явно недостаточное внимание этому вопросу. В частности, к моменту постановки настоящей работы подобные исследования фазовых переходов полупроводник — металл вообще не проводились.

Исследование механизмов влияния внешних поверхностных воздействий на фазовые переходы в твердых телах требует достаточно обширных знаний по физике поверхности. Вместе с тем эта область науки, в основном, развита для модельных полупроводниковых объектов, типа германия и кремния. Электронные и адсорбционные явления на поверхностях других твердых тел, претерпевающих фазовые переходы, практически не исследованы.

Одним из наиболее эффективных поверхностных воздействий является адсорбция. В литературе описаны систематические исследования адсорбционных воздействий только на сегнетоэлектрический фазовый переход. Прямые измерения адсорбции в области фазовых переходов в твердых телах отсутствуют. Основное внимание исследователей было направлено на изучение фазовых переходов в самой адсорбционной фазе на поверхности инертного твердого тела. Взаимодействию адсорбата и адсорбента, претерпевающего фазовый переход, достаточного внимания не уделялось. Вместе с тем такие твердые тела позволяют исследовать адсорбционно — десорбционные характеристики поверхностей, имеющих один и тот же стехиометрический состав, находящихся при близких температурах, но в различных фазах, обладающих различными свойствами.

Цель работы. Изучение роли внешних поверхностных явлений в протекании фазовых переходов различного типа в твердых телах, включающем обе фазы и область критических температур. Для решения этой проблемы были поставлены следующие задачи:

1. Разработка теории фазового перехода полупроводник — металл и проведение на ее основе расчетов влияния внешних воздействий на характеристики фазового перехода.

2. Исследование адсорбционно — десорбционных характеристик твердых тел в интервале температур, близким к критической.

3. Изучение влияния активных поверхностных воздействий (термовакуумных обработок и облучение ультрафиолетовой радиацией) на фазовые переходы в твердых телах.

4. Выяснение возможности воздействия на электронную и фононную подсистемы вещества, претерпевающего фазовый переход полупроводник — металл.

5. Рассмотрение возможности фотосенсибилизации фазового перехода полупроводник — металл путем фотовозбуждения молекул красителей, адсорбированных на поверхности образца.

6. На основании планируемых исследований разработка новых методыовдиагностики фазовых переходов в твердых телах.

7. Установление возможности использования информации о влиянии адсорбционных воздействий на систему поверхностных состояний полупроводников и диэлектриков к твердым телам, претерпевающим фазовые переходы.

8. На основании изученных адсорбционно — десорбционных характеристик образцов разработка новых физических принципов работы газоанализаторов.

Для решения поставленных задач был использован широкий комплекс методов исследования, включающий электрофизические (измерение проводимости, вольт — фарадные и вольт — амперные характеристики, эффект поля), адсорбционные и масс — спектроскопические измерениякоронный разрядэлектронографиюмагнитооптические методыатомную силовую спектроскопиюфотоакустические методы, растровую электронную микроскопию.

В качестве объектов исследования были выбраны следующие образцы. Фазовый переход полупроводник — металл изучался на пленках диоксида ванадия, объемные свойства которых изучены наиболее полно. Кроме того этот материал обладает удобной для экспериментальных исследований критической температурой (Тс = 340К). Ряд измерений был проведен на структурах полупроводниксегнетоэлектрик (Вао, 9 Sr0, i ТЮ3, PbTi03: La, Pbo, 95Sro, o5 (Zn0,530, 47)03 + Nb205. Такие образцы позволяют проводить исследование взаимного влияния пленки сегнетоэлектрика, претерпевающего фазовый переход типа «смещения», и полупроводниковой подложки. Цикл экспериментов был проведен на сегнетоэлектрических ленгмюровских пленках, в которых наблюдается сегнетоэлектрический фазовый переход другого типа -" порядокбеспорядок". В качестве модельных ферромагнетиков были выбраны химически чистые образцы железа и никеля.

Научная новизна работы заключается в исследовании взаимного влияния поверхностных воздействий и фазовых переходов в твердых телах и установлении механизмов этих явлений. В результате исследований были получены следующие оригинальные результаты, ВЫНОСИМЫЕ НА ЗАЩИТУ:

1. Предложена модель фазового перехода металл — полупроводник и на ее основе разработана теория фазового перехода в диоксиде ванадия. На базе предложенной модели проведен теоретический расчет ряда параметров этого вещества, а также влияния некоторых внешних воздействий (одноосного вдоль кристаллографической оси с и гидростатического давлений) на характеристики образцов. Получено хорошее соответствие теории и эксперимента.

2. Обнаружен эффект влияния обратимой адсорбции донорных молекул и ионов на температуру фазового перехода полупроводник — металл. Вскрыты механизмы воздействия адсорбции на критическую температуру перехода.

3. Впервые установлено увеличение адсорбции ряда молекул при температуре сегнетоэлектрического фазового перехода первого рода. Предложен новый метод диагностики фазовых переходов в твердых телах путем измерения изотерм адсорбции.

4. Зарегистрировано резкое увеличение десорбционной способности поверхности твердого тела при критической температуре фазовых переходов как первого (переходы полупроводник — металл и сегнетоэлектрик — параэлектрик), так и второго (ферромагнитный переход) рода. Проведено сравнение этой характеристики для ряда веществ в различных фазах.

5. Установлена повышенная чувствительность металлической фазы диоксида ванадия к термовакуумным обработкам и облучению ультрафиолетовой радиацией. Обнаружено влияние этих воздействий на температуру фазового перехода полупроводник — металл и ширину петли температурного гистерезиса.

6. Впервые обнаружен эффект фотосенсибилизации фазового перехода полупроводник — металл. При освещении образца в полосе поглощения красителя, адсорбированного на его поверхности, наблюдалось снижение температуры фазового перехода.

7. На примере фазового перехода полупроводник — металл предложен метод диагностики фазового перехода первого рода путем измерения фототермической деформации поверхности. Этим методом изучено движение границ раздела фаз в объеме и на поверхности пленки при фазовом переходе.

8. Установлено влияние слабосорбированных молекул воды на динамику движения доменной границы в нитевидных монокристаллах железа. Предложен механизм обнаруженного эффекта.

Практическая ценность работы:

1. Обнаруженное и подробно исследованное в работе кардинальное изменение адсорбционно — десорбционных свойств при фазовых переходах как первого, так и второго рода, позволило предложить новые методы диагностики фазовых переходов. Для этих целей использовались измерения изотерм адсорбции при различных температурах либо спектры термои фотодесорбции, полученные методом масс — спектроскопии. Другим, разработанным в работе, методом обнаружения фазового перехода первого рода является измерение импульсной фототермической деформации поверхности.

2. Полученные в работе экспериментальные данные о влиянии активных внешних поверхностных воздействий (адсорбции, термовакуумных обработок, облучения ультрафиолетовой радиацией, химического травления) дают ценную информацию, которая может быть использована при создании стабильных приборов на основе исследованных веществ для нужд микроэлектроники. В частности, показана возможность управления напряжением переключения в пленках диоксида ванадия с помощью внешних поверхностных воздействий.

3. Снижение температуры фазового перехода полупроводник — металл в пленках диоксида ванадия при адсорбции донорных молекул воды и аммиака позволяет предложить селективный газовый анализатор на эти молекулы, отличающийся высокой чувствительностью.

1 2.

4. Разработанный в работе способ оценки энергии наиболее высокочастотных колебательных мод адсорбированных на поверхности полупроводника молекул по величине энергии активации релаксационного процесса позволяет предложить новый физический принцип избирательного газового анализа, в том числе химически инертных молекул и молекул с изотопозамещенными атомами.

5. Проведенные исследования взаимодействия сегнетоэлектрических пленок Ленгмюра — Блоджетт и полупроводниковой подложки позволяют создавать структуры с контролируемыми свойствами для нужд молекулярной электроники.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ.

В настоящей работе была поставлена задача изучения роли поверхностных явлений в фазовых переходах, происходящих без изменения агрегатного состояния вещества. Мы ограничились тремя наиболее интересными с нашей точки зрения переходами, наблюдаемыми в твердых телах: полупроводник — металл, сегнетоэлектрическом и ферромагнитном фазовыми переходами. Наименее изученным и в то же время удобным для выполнения поставленной задачи оказался фазовый переход полупроводникметалл. Поэтому исследованиям этого перехода посвящены три первые главы настоящей работы. Измерения, посвященные сегнетоэлектрикам, описаны в четвертой главе, ферромагнетикам — в пятой.

В качестве модельного объекта для исследований фазового перехода полупроводник — металл был выбран диоксид ванадия, обладающий удобной для адсорбционных измерений критической температурой. Объемные свойства этого материала достаточно подробно описаны в литературе. Отсутствие теоретической модели, удовлетворительно объясняющей всю совокупность экспериментальных данных заставило провести теоретические расчеты, восполняющие этот пробел. Предлагаемая в настоящей работе модель Пайерлсовского типа не только хорошо описывает экспериментальные результаты, но и позволяет рассчитать ряд характеристик диоксида ванадия, значения которых отсутствует в литературе.

Одним из наиболее интересных и практически важных активных воздействий на поверхность образца является адсорбция. Поэтому взаимному влиянию адсорбционно — десорбционных процессов и фазовых переходов уделено центральное место в настоящей работе. Было обнаружено, что обратимая адсорбция ряда молекул (Н20 и NH3) снижает температуру фазового перехода полупроводник — металл. Анализ полученных результатов позволил сделать вывод, что эффект связан с деформациями поверхности образца, которые сопровождают адсорбцию этих молекул. Другой механизм предлагается для объяснения повышения критической температуры фазового перехода полупроводник — металл при адсорбции ионов из коронного разряда. В этом случае основную роль играют кулоновские поля ионов, либо заряженных поверхностных ловушек, которые могут путем электрострикции деформировать поверхность образца.

В настоящей работе была рассмотрена также обратная задачавлияние фазового перехода в твердом теле на адсорбционные и десорбционные характеристики его поверхности. Прямыми измерениями изотерм адсорбции было обнаружено резкое возрастание числа адсорбированных на поверхности молекул при температуре фазового перехода первого рода (сегнетоэлектрические пленки Ленгмюра — Блоджетт). Причиной этого явления является перестройка кристаллической решетки при фазовом переходе, облегчающая доступ молекулам адсорбата в адсорбент. Если же исследуемый образец поместить в вакуум, то при прохождении температуры фазового перехода будет зарегистрировано возрастание десорбирующихся с его поверхности молекул. Этот эффект наблюдался как для фазовых переходов первого (сегнетоэлектрический и полупроводник — металл), так и второго рода (ферромагнитный). В последнем случае фазовый переход происходит без изменения симметрии кристаллической решетки. Однако при критической температуре наблюдается рост линейного коэффициента термического расширения, что и приводит к возрастанию десорбции. Десорбционные процессы оказывают влияние на электрофизические характеристики материалов: изменение проводимости (диоксид ванадия), необратимость вольт — амперных и вольт — фарадных характеристик (неорганические сегнетоэлектрические пленки).

Изменение постоянных решетки при фазовом переходе первого рода позволило применить метод фототермической деформации поверхности для изучения движения границы раздела полупроводниковой и металлической фаз. На основе полученных результатов был предложен новый метод диагностики фазового перехода первого рода в твердом теле.

Проведенные исследования показали, что наряду с фононной подсистемой определенную роль во взаимосвязи фазового перехода полупроводник — металл с процессами на поверхности образца играет и электронная подсистема полупроводника. На это указывают результаты экспериментов по изучению фотодесорбции при критической температуре перехода, а также обнаруженный в работе эффект фотосенсибилизации фазового перехода, связанный с перезарядкой поверхностных ловушек.

Полученные результаты можно систематизировать следующим образом:

1. Предложена модель фазового перехода металлполупроводник и на ее основе разработана теория фазового перехода в диоксиде ванадия. На базе модели фононного ангармонизма теоретически рассчитано удлинение кристалла вдоль кристаллографической оси с при фазовом переходеизучена температурная зависимость величины энергетической щели в полупроводниковой фазе, теоретически предсказаны сдвиг критической температуры перехода и зависимость ширины энергетической щели при изменении одноосного вдоль оси с и гидростатического давленийпостроена теория влияния примесей замещения на температуру фазового перехода. Все полученные теоретические результаты находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными.

2. Впервые был поставлен вопрос о взаимосвязи адсорбционно — десорбционных процессов и фазового перехода полупроводникметалл на примере диоксида ванадия. В рамках решения этой проблемы был обнаружен эффект сдвига критической температуры фазового перехода при адсорбции донорных молекул воды и аммиака. Экспериментально и теоретически показано, что сдвиг температуры фазового перехода определяется формами связи адсорбированных молекул с поверхностью пленки. Исследовано влияние адсорбции ионов из газовой фазы на этот фазовый переход. Установлено увеличение критической температуры перехода, не зависящее от природы ионов и знака их заряда. Полученный эффект может быть объяснен воздействием локальных кулоновских полей адсорбированных ионов.

3. Впервые прямыми измерениями обнаружено возрастание адсорбционной способности твердого тела при критической температуре сегнетоэлектрического фазового перехода первого рода. Эффект связан с изменением межатомных расстояний в кристалле при фазовом переходе и возрастанием подвижности решетки в процессе ее перестройки. Полученные результаты позволили предложить новый метод диагностики структурных фазовых переходов на основе регистрации адсорбционных характеристик твердого тела.

4. Установлен рост десорбции различных молекул с поверхности твердых тел при температуре фазового перехода. Эффект обнаружен для фазового перехода полупроводник — металл, а также сегнетоэлектрического и ферромагнитных переходов. Показано, что основным источником десорбирующихся частиц являются адсорбционные комплексы на поверхности твердого тела, а не атомы, входящие в состав кристаллической решетки. Впервые проведено сравнение десорбционной способности двух фаз.

5. Исследовано влияние термических и радиационных воздействий на пленки диоксида ванадия в полупроводниковой фазе, в области фазового перехода и в металлической фазе на их критическую температуру и ширину петли гистерезиса. Установлено, что стойкость металлической фазы диоксида ванадия к этим воздействиям ниже, чем у полупроводниковой. Возрастание десорбционной способности пленок в металлической фазе приводит к увеличению дефектообразования при облучении ультрафиолетом. Обнаружено формирование кластеров высокотемпературной фазы в результате УФ — облучения образцов, сохраняющихся в диоксиде ванадия при понижении температуры ниже критической.

6. Впервые обнаружен эффект фотосенсибилизации фазового перехода полупроводник — металл в пленках диоксида ванадия, заключающийся в снижении критической температуры при фотовозбуждении молекул красителя, адсорбированных на поверхности образца. Полученный эффект объяснен передачей энергии возбуждения молекул красителя в полупроводник и перезарядкой ловушек в его запрещенной зоне. Повышение энергии электронной подсистемы приводит к снижению температуры фазового перехода полупроводник — металл.

7. Методом импульсной фототермической деформации поверхности исследовано движение границы раздела полупроводниковой и металлической фаз в объеме и на поверхности пленки диоксида ванадия. Показано, что скорость движения границы раздела на поверхности на два порядка больше, чем в объеме пленки. На примере фазового перехода полупроводник — металл предложен новый метод диагностики фазового перехода первого рода.

8. Обнаружено влияние физической адсорбции молекул из газовой фазы на динамику движения доменной границы в нитевидных монокристаллах железа, а также образцах аморфного железа. Показано, что слабосорбированные молекулы воды создают магнитные дефекты на поверхности образца путем ее деформации. На основе частотных зависимостей амплитуды колебаний доменной границы в висперах железа предложен механизм движения доменной стенки, а также рассмотрены возможные пути диссипации энергии на поверхностных магнитных дефектах.

9. На основании полученных экспериментальных данных проанализирована роль поверхностных явлений в фазовых переходах различного типа.

В заключении мне хочется выразить глубокую благодарность профессору В. Ф. Киселеву, под влиянием идей которого выполнено большинство исследований настоящей работы. Я благодарен профессорам ПК. Кашкарову, С. Н. Козлову и Г. С. Плотникову за прочтение рукописи и полезные замечания. я глубоко признателен профессору В. И. Емельянову и своему аспиранту А. Л. Семенову за.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Н.Ф. Переходы металл — изолятор. М., Наука, 1979. 343с.
  2. А.А., Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А. Фазовый переход металл полупроводник и его применение. Л., Наука, 1979, 183с.
  3. Kucharezy K.D., Niklewski Т. Accurate X ray determination of the lattice parameters and the thermal expantion coeffitiens of VO2 near the transition temperature. J. Appl. Crystallogr., 1979, v.12, № 14, p.370 — 373.
  4. Mc Whan D.B., Marezio M., Remeika J.P., Dernier P.D. X ray difraction study of metalic V02. Phys.Rev.B, 1974, v. 10, № 2, p.490 — 495.
  5. Ladd L.A., Paul W. Optical and transport properties of high quality crystal of V2O4 near the semiconductor metallic transition temperature. Sol.Stat. Comm. 1969, v.7 № 4, p.425 428.
  6. Berglund C.N., Guggenhiem H.J. Electronic properties of V02 near the semiconductor metal transition. Phys.Rev. 1969, v.185, p. 1022 — 1033.
  7. De Natale J.F., Hood P.J., Harker A.B. Formation and characterization of grainoziented V02 thin films. J.Appl. Phys. 1989, v.66, № 12, p.5844 -5850.
  8. В.Г., Бегишев A.P., Игнатьев A.C. Электронная структура и ФППМ в структурно разупорядоченной двуокиси ванадия. ФТТ, 1980, т.22, № 1, с. 92 — 99.
  9. А.Р., ГалиевГ.В., Игнатьев А. С., Мокеров В. Г., Пошин В. Г. Влияние нарушений периодичности кристаллической решетки на фазовый переход полупроводник металл в двуокиси ванадия. ФТТ, 1978, т.20, № 6, с. 1643 — 1650.
  10. JI.А., Малиненко В. П., Стефанович Г. Б., Чудновский Ф. А. Исследование ближнего порядка атомной структуры аморфной двуокиси ванадия. ФТТ. 1988, т.30, № 3, с.914 916.
  11. П.Кидалов Д. О., Малиненко В. П., Пергамент А. Л., Стефанович Г. Б. Оптические свойства тонких пленок аморфных окислов ванадия Письма в ЖТФ, 1999, т.25, № 8, с.81−87.
  12. Oppermann Н., Reichelt W., Gerlach U., Wolf E., Bruckner W., Moldenhauer W., Wich H. The range of homogeneity of V02 and the influence of the composition on the physical properties. Phys. Stat. Sol.(a), 1975, v.28, № 2, p.439 446.
  13. Bruckner W., Moldenhauer W., Wich H., Wolf E., Opperman H., Gerlach U., Reichelt W. The range of homogeneity of V02 and the influence of the of composition on the physical properties Phys.Stat.Sol.(a), 1975, v.29, № 1, p.63 70.
  14. Kimizuka H., Ishii M., Kawada I., Saeki M., Nakahira M. Behavior of vanadium dioxide single crystals synthesizer under the various oxigen partial pressures at 1500 K. J. of Sol.Stat. Chem. 1974, v.9, № 1, p.69 77.
  15. В.И., Данилов C.B. Суриков Вал.И Влияние отклонения от стехиометрии на теплофизические свойства двуокиси ванадия. ФТТ, 1986, т.28, № 5, с. 1574 1575.
  16. В.Г., Бегишев А. Р., Игнатьев И. С. Влияние отклонения от стехиометрического состава на электронную структуру и фазовый переход металл изолятор в двуокиси ванандия. ФТТ., 1979, т.21, № 5, с.1482- 1488.
  17. Verleur H.W., Barker Jr. A.S., Berglund C.N. Optical properties of V02 between 0,25 and 5 eV. Phys. Rev. 1968, v. 172, № 3, p.788 798.
  18. В.В., Теруков Е. И., Шелых А. И. Спектр фотопроводимости монокристаллов VO2. ФТТ, 1980, т.22, № 6, с.1686- 1689.
  19. RosevarW.H., Paul W. Hall effect in V02 near the semiconductor metal transition. Phys. Rev. В., 1973, v.7, № 5, p.2109−2111.
  20. В.Г., Раков A.B. Исследование спектров отражения монокристаллов двуокиси ванадия при фазовом переходе полупроводник металл. ФТТ, 1968, т. 10, с. 1556 — 1557.
  21. В.Г., Сарайкин В. В. Изменение оптических свойств двуокиси ванадия при фазовом переходе полупроводник металл. ФТТ, 1976, т. 18, № 7, с. 1801 — 1805.
  22. А.Г., Мирлин Д. Н., Решина И. И., Чудновский Ф. А. Спектр комбинационного рассеяния света и фазовый переход в V02. ФТТ, 1977, т.19, № 1, с.193 199.
  23. .П., Решина И. И., Стефанович Г. Б., Терман М. Ю., Чудновский Ф. А. Проводимость металлической фазы пленок V02 вблизи температуры фазового перехода. ЖТФ, 1986, т.56, № 9, с. 1845- 1849.
  24. Brews J.R. Symmetry consideration in the vanadium dioxide phase transition. Phys. Rev. В., 1970, v. l, № 6, p.2557 2568.
  25. Terauchi H., Cohen J.B. Diffuse X ray scattering due to the lattice instability near the metal — semiconductor transition in V02. Phys.Rev.B., 1978, v. l7, № 6, p.2494 2496.
  26. E., Опперман Г., Райхельт В., Теруков Е. И. Исследование влияния изотопического эффекта на температуру фазового перехода металл диэлектрик в окислах ванандия. Письма в ЖЭТФ, 1978, т.27, № 3, с. 159- 160.
  27. С.В. Магнетизм. М., Наука, 1984,208с.
  28. Ю.В. К теории взаимосвязи электронных и структурных превращений и сверхпроводимости. Труды ФИАН, М., Наука 1975, т.86, с. З 100.
  29. Н., Туз У. Теория проводимости по примесям. УФН, 1963, т.79, № 4, с.691 740.
  30. Hubbard J. Electron correlation in narrow energy bands. Proc. Roy. Soc., 1963, V. A276, № 1365, p.238 257.
  31. Hubbard J. Electron correlations in narrow energy bands II. The degenerate band case. Proc. Roy. Soc., 1964, V. A277, № 1369, p.237 259.
  32. Hubbard J. Electron correlations in narrow energy bands IY. The atomic representation. Proc.Roy.Soc., 1965, V. A285, № 1403, p.542 560.
  33. P.O., Кузьмин E.B., Овчинников С. Г. Основные представления о переходах металл диэлектрик в соединениях 3d — металлов. УФН, 1986, т. 148, № 4, с. 603 — 636.
  34. Poilblanc D., Yunoki S., Maekawa S., Dagotto E. Insulator metal transition in one dimention induced by long — range electronic interaction. Phys.Rev.B., 1997, v.56, № 4, p. R1645 — R1649.
  35. Assaad F.F., Imada M. Doping induced metal insulator transition in two — dimentional Hubbard t — U and extended Hubbard t — U — W models. Phys.Rev.B., 1998, v.58, № 4, p.1845 — 1852.
  36. Kondo H., Moriya T. On the magnetic and metal insulator transition in a two — dimensional Hubbard model. J.Phys.Soc.Jap. 1998, v.67, № 1, p.234−241.
  37. Tasaki H. The Hubbard model an introduction and selected rigorous results. J.Phys.F., 1998, v.10, № 20, p.4353 4378.
  38. Rozenberg M.J. Integer filling metal — insulator transition in the degenerate Hubbard model. Phys.Rev.B., 1997, v.55, № 8, p. R4855 -R4858.
  39. Doniach S. The insulator metal transition. Adv. Phys., 1969, v. 18, № 76, p.819- 848.
  40. Mott N.F., Zinamon Z. The metal nonmetal transition. Rep.Progr. Phys. 1970, v.33, № 19, p.881 — 910.
  41. д. и. Электронные корреляции в узких зонах (модель Хаббарда). ФММ, 1970, т.29, с. 31 57.
  42. Pouget J.P., Launois Н. Metal insulator phase transition in VO2. J. De Phys., 1976, v.37, № 10, p.449 — 457.
  43. B.A., Соколов B.H., Венгалис Б. Ю. Фазовые переходы в полупроводниках с деформационным электрон фононным взаимодействием. Киев, Наук. Думка, 1984, 180с.
  44. Р. Квантовая теория твердых тел. М., Ил, 1956, 259с.
  45. Adler D., Brooks Н. Theory of semiconductor to — metal transitions. Phys. Rev. 1967, v.155, № 3, p.826 — 840.
  46. Г. В., Овчинников С. Г., Петраковский Г. А. Переход металл -диэлектрик в сульфидах 3d металлов М., Наука, 1983, 143с.
  47. Л.Н. Структурный (пайерлсовский) переход в квазиодномерных кристаллах. УФН, 1975, № 2, тЛ 15, с.263 300.
  48. Ciucu С., Apostol М., Corciovei A. Peierls Frohlich transition in quasi -one — dimensional materials. Rev. Roum. Phys. 1987, v.32, № 8, p.889 -899.
  49. Kolomeisky E.B., Straley J.P. Phase transition in the peierls model and the possibility of one dimentional melting. Phys. Rev .Lett., 1996, v.76, № 16, p.2930 — 2933.
  50. M.C., Голубков A.B., Жузе В. П. Микротвердость V02 в области фазового перехода. ФТТ, 1971, т.13, № 12, с.3711−3713.
  51. Adler D., Feinleib J., Brooks H., Paul W. Semiconductor to — metal transitions in transition — metal compounds. Phys.Rev., 1967, v. 155, № 3, p.851 — 860.
  52. Mattis D.C., Langer W.D. Role of phonons and band structure in metal -insulator phase transition. Phys. Rev. Lett., 1970, v.25, № 6, p.376 380.
  53. А.Г., Кудинов E.K. Фазовый переход при сильном электрон -фононном взоимодействии. ЖЭТФ, 1968, т.55, № 4, с.1344 1355.
  54. Л.В., Копаев Ю. В. Возможная неустойчивость полуметаллического состояния относительно кулоновского взаимодействия. ФТТ, 1964, т.6, с.2791 2796 .
  55. Ю.В. К теории взаимосвязи электронных и структурных превращений и сверхпроводимости. Труды ФИАН, М., Наука.1975, т.86, с. З 100.
  56. Gupta М., Freeman A.J., Ellis D.E. Electronic structure and lattive instability of metallic V02. Phys.Rev. 1977, V.18B, p.3338 3351.
  57. Ю.В., Моперов В. Г. Механизм фазовых переходов в окислах ванадия и титана. ДАН СССР, 1982, т.264, № 6, с.1370 1374.
  58. Hotta Т., Takado Y. Effect of electron correlation on phonons in a strongly coupled electron phonon system. Phys.Rev.B, 1997, v.56, № 21, p.13 916−13 926.
  59. Gebhard F., Bott K., Scheidler M., Thomas P., Koch S.W. Phil. Mag.B., 1997, v.75, № 1, p.13−46.
  60. Jeckelmann E. Mott Peierls transition in the extended Peierls — Hubbard model. Phys.Rev. B, 1998, v.57, № 19, p. l 1838−11 841.
  61. Hearn C.J. Phonon softening and the metal insulator transition in V02. J.Phys. C, 1972, v.5, № 12, p.1317 — 1334.
  62. Goodenough J.B. The two components of the crystallographic transition in V02. J. Sol. Stat. Chem., 1971, v.3, № 4, p.490 500.
  63. В.И., Левшин Н. Л., Семенов А. Л. Модель фононного ангармонизма в теории фазового перехода металл полупроводник в V02. Вестник МГУ, сер.физ., астр., 1989, т. ЗО, № 5, с. 52 — 56.
  64. Emeljanov V.I., Levshin N.L., Semenov A.L. Phonon anharmonic Model in the theory of metal semiconductor phase transition in V02. Twelfth Eur. Crystallogr.Meet., USSR, 1989, v. l, p. 185.
  65. A.M. Теория дефектов в твердых телах. М., Мир, 1978, т.1, 569 с.
  66. А., Каули Р. Структурные фазовые переходы. М., Мир, 1984, 408 с.
  67. Handbook of chemistry and physics, NY, Chemical Rubber Co, 1968, 1500p.
  68. Kawakubo Т., Nakagawa T. Phase transition in V02. J.Phys.Soc. Jap., 1964, v. l 9, № 4, p.517−520.
  69. А.Л. Двухпараметрическая модель фазового перехода металл полупроводник в квазиодномерной системе. ФТТ, 1997, т.39, № 5, с. 925 — 928.
  70. Pouquet J.P., Launois Н., D’Haenens J.P., Merenda P., Rice T.M. Electron localization induced by uniaxial stress in pure V02. Phys. Rev. Lett., 1975, v.35, 13, p.873 875.
  71. Berglund C.N., Jayarman A. Hydrostatic pressure dependence of the electronic properties of V02 near the semiconductor — metal transition temperature. Phys. Rev. 1969, v.185, № 3, p.1034 — 1039.
  72. Minomura S., Magasaki H. The effect of pressure on the metal to -insulator transition in V204 and У2Оз. J. Phys. Soc. Jap., 1964, v.19, № 1, p.131 — 132.
  73. Д.И., Жаркова Э. А., Хасина Е. И., Борисов С. П., Стальмахов А. В. Влияние одноосного давления на фазовый переход металлполупроводник в пленках двуокиси ванадия. Микроэлектроника, 1979, т.8, № 1, с. 74 76.
  74. М.С., Голубков А. В., Жузе В. П., Шелых А. И. Микротвердость V02 в области фазового перехода. ФТТ, 1971, т. 13, № 12, с. 2711 -2713.
  75. В.И., Левшин Н. Л., Семенов А. Л. Сдвиг температуры фазового перехода металл полупроводник за счет примесей и дефектов. ФТТ, 1989, т.31, № 10, с. 261 — 264.
  76. В.И., Левшин Н. Л., Семенов А. Л. Влияние примесей замещения на температуру фазового перехода металл полупроводник. Вестник МГУ, сер. физ. астр., 1990, т.31, № 5, с. 99 — 101.
  77. В.И., Левшин Н. Л., Поройков С. Ю., Семенов А. Л. Влияние локальных возмущений на фазовый переход полупроводник металл. Вестник МГУ, сер. физ. астр., 1991, т.32, № 1, с. 63 — 74.
  78. Fisher B. Electrical and Seebeck effect measurements in Nb doped V02. J. Phys. Chem. Sol., 1982, v.43, № 3, p.205 -211.
  79. Futaki H., Aoki M. Effect of various doping elements on the transition temperature of vanadium oxide semiconductors. Jap. J. of Appl. Phys., 1969, v.8, № 8, p.1008 1013.
  80. Magarino J., Tuchendler J., D’Haenens J.P. High frequency EPR experiments in niobium doped vanadium dioxide. Phys. Rev. B, 1976, v.14, № 3, p.865 — 871.
  81. Horlin Т., Niklewski Т., Nygren M. Magnetic electrical and thermal studies of the Vi. xMox02 system with 0 < X < 0,20. Mater. Res. Bull. 1973, v.8, № 2, p.179 190.
  82. Nugren M., Israelsson M. Transition temperature in VixWx02. Mater. Res. Bull. 1969, v.4, № 12, p.881 886.
  83. Reyes J.M., Sager M., Chen R. Transport properties of tungsten doped V02. Canad. J. Phys. 1976, v.54, № 4, p.408 — 412.
  84. Marezio M., Mc Whan D.B., Remeika J.R., Dernier P.D. Structural aspects of the metal insulator transition in Cr — doped V02. Phys. Rev. B, 1972, V.5,№ 7,p.2541 -2551.
  85. Pollert E., Villenluve Q., Menil F., Hagenmuller T. Le systeme Vi xFex02: properties structurales et magnetiques. Mater. Res. Bull, 1976, v. 11, № 2, p. 159 166.
  86. Kosuge K., Kachi S. Phase diagram of FexV,.x02 in the 0 < X < 0,25 region. Mater. Res. Bull., 1976, v. l 1, № 3, p.255 262.
  87. Blauw C., Van der Woude F. The metal nonmetal transition in V02: a 57Fe Mossbauer study. J. Phys. C, 1974, v.7, № 23, p.4361 — 4377.
  88. Blauw C., Leenhouts F., Vander Woude F. Phase transition in the Fe doped V02. Sol. Stat. Comm. 1975, v.17, № 5, p.559 563.
  89. Bruckner W., Gerlach U., Moldenhauer W., Bruckner H.P., Thuss В., Oppermann H., Wolf E., Storbeck I. Metal nonmetal transition in Fe and A1 doped V02. J. de Phys., 1976, v.37, № 4, p.463 — 468.
  90. A.A., Бабкин E.B., Баранов A.B. Особенность магнитных и электрических свойств монокристаллических пленок FeV204. ФТТ, 1989, т.31, № 10, с.175 181.
  91. Е.В., Сапаров С. И., Чарыев А. А. Особенности магнитных и электрических свойств монокристаллических пленок FeV204 вблизи температуры Кюри. ФТТ, 1992, т.34, № 4, с. 1088 1090.
  92. Л.Ф., Ярош Э. М. Рентгенографическое исследование твердых растворов V2xFex04 в области фазовых переходов. ФТТ, 1985, т.27, № 3, с.904 907.
  93. Brtickner W., Gerlach U., Bruckner H.P., Moldenhauer W., Oppermann H. Influence of nonstoichiometry on the phase transition in Ga-, Al- and Fe -doped V02. Phys. Stat. Sol.(a), 1977, v.42, № 1, p.295 303.
  94. Bruckner W., Gerlach U., Moldenhauer W. Phase transitions and semicondactor metal transition in VixGax02 syngle crystals. Phys. Stat. Sol. 1976, v.38, № 1, p.93 — 102.
  95. Bruckner W., Gerlach U., Thuss B. Phase diagram VixA1x02. Phys. Stat. Sol. (a), 1977, v.40, № 2, p. K131 K134.
  96. Ю.Ю., Дроботенко B.B., Захарова C.B., Макин Г. И., Терман М. Ю. Легированнные пленки диоксида ванадия, полученные по МОС технологии. В сб. «Физика окисных пленок „, Петрозаводск, 1991, т.1, с. 31.
  97. Pouget J.P., Launois Н., D’Haenens J.P., Merenda P., Rice T.M. Electron localization induced by uniaxial stress in pure V02. Phys. Rev. Lett. 1975, v.35, № 13, p.873 875.
  98. Н.И., Леванюк А. П., Морозов А. И., Сычов А. С. Дефекты вблизи точек фазовых переходов: приближение квазиизолированных дефектов, ФТТ, 1983, т.25, № 10, с.2975 2978.
  99. А.П., Сигов А. С. Структурные фазовые переходы в кристаллах с дефектами. Изв. АН СССР, сер. физ., 1985, т.49, № 2, с.219 226.
  100. С.Г. Недиагональный беспорядок и переход металл -диэлектрик в узкозонном металле. ЖЭТФ, 1978, т.75, № 3, с. 1000 -1006.104.3айман Дж. Модели беспорядка. М., Мир, 1982, 592с.
  101. А.С., Левшин Н. Л., Поройков С. Ю., Ревина Е. Н., Хитрова В. И. Влияние УФ освещения на характер фазового перехода полупроводник — металл в пленках V02 с различной структурой приповерхностного слоя. Кристаллография, 1995, т.40, № 2, с. 355 — 357.
  102. Ryabova L.A., Serbinov I.A., Darevsky A.S. Preparation and properties of pyrolysis of vanadium oxide films. J. Electrochem. Soc. 1972, v. 119, № 4, p.427 429.
  103. Л.А., Антохина В. У., Сербинов И. А. Пиролиз ацетилацетона ванадила. ЖПХ, 1972, т.45, № 9, с.2103 2104.
  104. Nyberg G.A., Buhrman R.A. High optical contrast in V02 thin films due to improved stoichiometry. Thin. Sol. Films 1988, v. 147, p. l 11 116.
  105. O.Rogers K.D., Coath J.A., Lovell M.C. Characterization of epitaxially grown films of vanadium oxides. J.Appl. Phys. 1991, v.70, № 3, p. 1412 -1415.
  106. Ш. Малиненко В. П., Стефанович Г. Б., Чудновский Ф. А. Фазовый переход металл полупроводник в структурно — разупоря-доченной двуокиси ванадия. Письма в ЖТФ, 1983, т.9, № 12, с. 754 — 757.
  107. Chang H.L.M., You Н., Guo J., Lam D.J. Epitaxial Ti02 and V02 films prepared by MOCVD. Appl. Surf. Sci. 1991, v.48 49, p. 12 — 18.
  108. ИЗ.Бугаев A.A., Гаврилюк А. И., Гурьянов A.A., Захарченя Б. Л., Чудновский Ф. А. Метастабильная металлическая фаза в пленках двуокиси ванадия. Письма в ЖТФ, 1978, т.4, № 2, с. 65 69.
  109. Duchene J., Terraillon М., Pailly М. R.F. and D.C. reactive sputtering for crystalline and amorphous V02 thin films deposition. Thin Sol. Films., 1972, v.12, № 2, p.231 -234.
  110. Ю. А. Барышников Ю.Ю., Захаров И. Л. Макин Г. И.Терман М. Ю. Изучение влияния структуры пленок диоксида ванадия на их электрофизические свойства. Изв. АН СССР, сер. неорг. мат., 1987, т.23, № 9, с. 1571 1575.
  111. Я.А. Введение в химию полупроводников. М., Высшая школа, 1975,302с.
  112. Ю.Ю., Дроботенко В. В., Терман М. Ю., Токарева Л. Н. Особенности химического травления пленок диоксида ванандия вблизи температуры фазового перехода металл полупровдник. Изв. АН СССР, сер. неорг. мат., 1990, т.26, № 2, с. 304 — 307.
  113. Landolt Bornstein. Numerical date and functional relationships in science and technology, New Series, 1984, Group 3, v. 17, subg, p. 185 -193.
  114. De Natale J.F., Hood P.J., Harker A.B. Formation and characterization of geainoriented V02 thin films. J. Appl. Phys. 1989, v.66, № 12, p.5844−5850.
  115. C.H., Левшин Н. Л., Смирнов Н. И. Влияние адсорбции молекул воды на температуру фазового перехода полупроводник -металл в пленках V02. Препринт физич. ф-та МГУ, 1987, № 5, 4с.
  116. В.Ф., Козлов С. Н., Левшин Н. Л., Смирнов Н. И. Управление фазовым переходом полупроводник металл в пленках V02 методом адсорбционных воздействий. ФТТ, 1988, т.30, с. 924 — 926.
  117. В.Ф., Левшин Н. Л., Поройков С. Ю. Обратимое влияние адсорбции на фазовый переход полупроводник металл в адсорбенте. Сб. „Современные проблемы теории адсорбции.“ М., ПАИМС, 1995, т.2, с. 166 — 172.
  118. Kiselev V.F., Kozlov S.N., Levshin N.L. On the mechanism of dissipation of energy released in the capture of charge carries to adsorptive slow states of a semiconductor. Phys. Stat. Sol. (a), 1981, v.66, № 1, p.93 101.
  119. С.Н., Левшин Н. Л. Влияние адсорбции воды на кинетику перезарядки медленных состояний кремния. Вестник МГУ, сер физ. астр., 1983, т.24, № 3,с.76 79.
  120. Н.Л. Исследование механизма медленного захвата носителей заряда на поверхности полупроводника. Диссертация КФМН, М.: МГУ, 1982, 187с.
  121. Kiselev V.F., Krylov O.V. Adsorption processes on semiconductor and dielectric surfaces. Berlin, Springer Verlag, 1985, 237p.
  122. Kiselev V.F., Krylov O.V. Electronic phenomena in adsorption and catalysis. Berlin, Springer Verlag, 1987, 279p.
  123. A.B. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М., Наука, 1971, 480с.
  124. В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. М., Наука, 1970, 399с.
  125. А.Е., Зарифьянц Ю. А., Киселев В. Ф., Козлов С. Н. О кинетике хемосорбции и заряжения поверхности полупроводника. ДАН СССР, 1974, т.217, № 5, с. 1099 1102.
  126. С.Н. О кинетике заряжения поверхности полупроводника при адсорбции. Изв. вузов, физика, 1975, № 2, с.116 120.
  127. Н.Л., Смирнов Н. И. Об изменении температуры фазового перехода полупроводник металл в пленках V02 при адсорбции донорных молекул. В сб. „Физика окисных пленок“, Петрозаводск, 1987, т.2, с.20−21.
  128. В.И., Левшин Н. Л., Семенов А. Л. Деформационный механизм сдвига критической температуры фазового перехода металл полупроводник в пленке V02 при адсорбции. Вестник МГУ, сер.физ., астр. 1988, т.29, № 6, с.98−100.
  129. В.Ф., Левшин НЛ., Поройков С. Ю. Влияние поверхностных эффектов на фазовый переход полупроводник металл в пленках VO2. В сб. „V Всесоюзное совещание по когерентному взаимодействию излучения с веществом“. Симферополь, М. 1990, с. 190.
  130. Н.Л., Поройков С. Ю. Влияние адсорбционно -десорбционных процессов на фазовый переход полупроводник -металл в пленках диоксида ванадия. В сб. „Физика окисных пленок“ Петрозаводск, 1991, т.2, с. 27.
  131. В.Ф., Левшин Н. Л., Поройков С. Ю. Особенности структурных фазовых переходов в полупроводниковых микро и наноструктурах. В сб."Физика окисных пленок“ Петрозаводск, 1994, с. 41.
  132. И. А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Адсорбция газов. Иркутск, ИГУ, 1984, с. 138.
  133. А.Б., Козлов С. Н., Киселев В. Ф. Об электропроводности и молекулярной подвижности адсорбированной на поверхности двуокиси кремния воды. ДАН СССР, 1976, т.228, № 4, с.877 880.
  134. A.M., Швец А. А., Казанский В. Б. Изучение адсорбции на ванадий силикатных катализаторах по спектрам с переносом заряда ионов V5+. Кинет, и катализ. 1973, т.14, № 4, с.1062 1064.
  135. Lindon P.J.D., Harrison N.H., Gillan H.J. Mixed dissociative and molecular adsorption of water on the rutile (110) surface. Phys.Rev.Lett., 1998, v.80, № 4, p.762—765.
  136. Kvlividze V.I., Brants R.A., Kiselev V.F., Bliznakov G.M. On the state of ammonia in the adsorbed phase. J. Catalysis, 1969, v.13, № 3, p.255 260.
  137. Г. П., Сербинов И. А., Рябова JI.A. Переключение в системе V02 диэлектрик — полупроводник. Письма в ЖТФ, 1977, т. З, № 8, с. 342 — 345.
  138. В.Ф., Крылов О. В. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков. М., Наука, 1978, 255с.147.3енгуил Э. Физика поверхности. М., Мир, 1990, 536с.
  139. Martinz М.Р., Aberman R.A. Interaction of 02, CO, H20, H2 and N with thin chromium films studied by internal stress measurements. Thin Sol. Films, 1982, v.89, № 2, p.133 138.
  140. А.И., Страхов JI.П. Влияние кислорода на внутренние напряжения в напыленных пленках теллурида кадмия. ФТТ., 1970, т.12, № 11, с.3319 3321.
  141. Н.Л., Поройков С. Ю. Влияние локальных кулоновских полей на фазовый переход полупроводник металл в пленках V02. ФТТ, 1991, т.33,№ 3,с.949−951.
  142. Weinberg Z.A., Johnson W.C., Lampert М.А. The migration in high fields in Si02 on silicon induced by coronal discharge on nemetalic surface. J. Appl.Phys., 1976, v.47, № 1, p.248 255.
  143. Hauffe K., Shmidt R. Charging and discharging experiments with zinc oxide single crystal. Phys. Stat. Sol. (a), 1970, v.3, № 1, p.173 185.
  144. В.Б., Жидомирова С. Г., Плотников Г. С. Штарковские сдвиги полосы флуоресценции молекул красителей, адсорбированных на поверхности полупроводника. Хим. физика, 1990, т.9, № 4, с. 485 -492.
  145. Н.Л., Поройков С. Ю. Фотодесорбционные процессы при фазовом переходе полупроводник металл в пленках диоксида ванадия. В сб. „Физика окисных пленок“, Петрозаводск, 1991, т.2, с. 28.
  146. Н.Л., Поройков С. Ю. Фотодесорбционные процессы при фазовом переходе полупроводник металл. Вестник СПбГУ, сер физ. хим., 1992, № 2(11), с.17−21,103- 104.
  147. Н.Л. Влияние фазовых переходов на термодесорбцию с поверхности твердого тела, ФТТ, 1997, т.39, № 3, с.573 576.
  148. Л.И., Зарифьянц Ю. А., Киселев В. Ф., Прудников Р. В. Исследование дегидратации поверхности двуокиси титана методом термодесорбции. Кинет, и катализ., 1971, т.12, № 1, с.258 259.
  149. Van Hien N., Lichtman D. Bandgap radiation induced photodesorption V2O3 powder and vanadium oxide surfaces. J. Vacuum Sci. Technol., 1981, v.18, № 1, p.49 53
  150. Н.Л., Поройков С. Ю. Влияние освещения в ультрафиолетовом диапазоне на фазовый переход полупроводник металл в пленках V02. Вестник МГУ, сер физ., астр., 1990, т.31, № 1, с. 93 — 95.
  151. И.А., Величко В. Я., Гаврилюк А. И., Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А. Влияние ионного облучения на оптические параметры фазового перехода в пленках V02. Письма в ЖТФ, 1978, т.4, № 10, с.565 569.
  152. А.Р., Игнатьев А. С., Мокеров В. Г. Эффект „раздвоения"фа-зового перехода полупроводник металл в монокристаллах двуокиси ванадия под влиянием ионной бомбардировки. Письма в ЖТФ, 1979, т.5, № 1, с. 42 -45.
  153. В.Я. Влияние температуры облучения на параметры фазового перехода в пленках V02. Письма в ЖТФ, 1980, т.6, № 22, с. 1345 1349.
  154. Т.Г., Суворов А. В., Теруков Е. И. Исследование влияния ионной бомбардировки на фазовый переход металл полупроводник в V02. Письма в ЖТФ, 1978, т.4, № 2, с. 108 — 111.
  155. А.В., Теруков Е. И. Влияние ионной бомбардировки на фазовый переход металл диэлектрик в двуокиси ванадия. Письма в ЖТФ, 1978, т.4, № 22, с. 1335 — 1337.
  156. Ufert K.D., Terukov E.I. On the problem of the phase transition in disordered V02 thin films. Phys. Stat. Sol.(a), 1977, v.40, № 2, p. K157 K159.
  157. В.Я. Влияние ионного облучения на фазовый переход в двуокиси ванадия. В сб. „Физика окисных пленок“. Петрозаводск, 1982, с.56−57.
  158. Mezentzeff P., Lifshitz Y, Rabalais J.W. Compositional and chemical modifications of V205 and NaV03 induced by N2+ bombardment. Phys.Rev.B. 1990, v.44, № 3, p.296 301.
  159. И.А., Величко В. Я., Подсвиров O.A., Чудновский Ф. А. Влияние облучения электронами на фазовый переход в пленках V02. Письма в ЖТФ. 1982, т.8, № 13, с.775 778.
  160. А.С., Подсвиров О. А. Деградация фазового перехода в двуокиси ванадия при электронном облучении. Письма в ЖТФ, 1984, т.10, № 17, с.1046 1049.
  161. И.А., Подсвиров О. А. Эффект запаздывания фазового перехода в двуокиси ванадия при импульсном нагреве электронным пучком. Письма в ЖТФ, 1986, т.12, № 24, с.1527 1531.
  162. И.А., Подсвиров О. А. Модификацмя оптических и электрических характеристик фазового перехода пленок двуокиси ванадия и системы ФТИ РОС с помощью электронного облучения. В сб. „Физика окисных пленок“, Петрозаводск, 1987, т.1, с. 12.
  163. И.А., Подсвиров О.А Воздействие электронного облучения на электрические и оптические характеристики фазового перехода в пленках двуокиси ванадия. Тр. Лен. Политех. Института, 1989, № 429, с.61−64.
  164. А.В., Крюкова Л. М., Некурящих Е. В. Особенности структурных превращений в кристаллах V2O5 под действием электронного пучка. Физика и химия обработки материалов. 1989, № 4, с.20−23.
  165. Fan H.J., Marks L.D. Phase transition in V2O5 in a high resolution electron microscope. Ultramicroscopy, 1989, v.31, № 4, p.357 364.
  166. Д.А., Никулин Е. И., Чудновский Ф. А., Шадрин Е. Б. Швайло-Швайковский М.В. Влияние электронной бомбардировки на пленки двуокиси ванади. В сб. „Физика окисных пленок“, Петрозаводск, 1991, т.2, с. 42.
  167. В.Н. Десорбция, стимулированная электронными возбуждениями, как метод анализа адсорбционного слоя. Кинет, и катализ, 1990, т.31, № 2, с.284 291.
  168. В.Г., Сарайкин В. В., Петрова А. Г., Рябинин К. В. Рассеяние света при фазовом переходе полупроводник металл в V02. В сб. „Фазовые переходы металл — диэлектрик“. Львов, 1977, с. 42 — 44.
  169. Becker M.F., Walser R.M., Gunn R.W. Fast laser excitation in V02 of the semiconducting metallic phase transition. In „Picosecond phenomena“, Springer — Verlag, 1978, p.236 — 239.
  170. A.A., Клочков A.B. Необратимые изменения в пленке двуокиси ванадия при пикосекундном лазерном воздействии. ФТТ, 1984, т.26, № 11, с.3487 3489.
  171. В.А., Шадрин Е. Б. Визуализация непрерывного излучения С02 лазера.В сб."Физика окисных пленок“,.Петрозаводск, 1987, т.2, с.14−15
  172. A.M., Шибко А. Н. Окисление тонких пленок ванадия при лазерном облучении. В сб. „Физика окисных пленок“ Петрозаводск, 1987, т.2, с. 67.
  173. Е.Н., Мансуров А. А., Светлов В. Н., Чудновский Ф. А., Шер Э.М., Янута А. Н. Получение окислов ванадия лазерным напылением. В сб."Физика окисных пленок». Петрозаводск, 1991, т. 1, с. 41.
  174. А.А., Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А. Самосинхронизация мод при использовании в качестве модулятора зеркала, испытывающего фазовый переход металл полупроводник. Письма в ЖЭТФ, 1981, т. ЗЗ, № 12, с. 643 — 646.
  175. В.И., Семенов A.JI. Образование сверхрешеток фаз при равновесном фазовом переходе металл полупроводник в монокристаллических пленках V02. ФТТ, 1990, т.32, № 10, с.3083−3088.
  176. В.В. Образование поверхностной гетерофазной периодической структуры полупроводник металл при лазерном воздействии. ЖЭТФ, 1988, т.94, № 12, с. 50 — 60.
  177. JI.A., Московченко А. В., Персианцев М. И. Нелинейная стадия роста поверхностных периодических структур при лазерном воздействии. ЖЭТФ, 1988, т.94, № 4, с. 62 75.
  178. П.К., Петров В. И., Птицын Д. В. Тимошенко В.Ю. Образование упорядоченных структур на поверхности GaAs при импульсном лазерном облучении. ФТП, 1989, т.23, № 11, с.2080 2082.
  179. В.И., Кашкаров П. К., Чеченин Н. Г., Дитрих Т. Образование периодических структур дефектов на поверхности полупроводников при импульсном лазерном облучении. ФТТ, 1988, т. ЗО, № 8, с. 2259 -2263.
  180. В.И., Уварова И. Ф. Электронно деформационная тепловая неустойчивость и фазовый переход полупроводник — металл под воздействием лазерного излучения с образованием сверхструктур. ЖЭТФ, 1988, т.94, № 8, с. 255 -269.
  181. В.И., Кашкаров П. К. Дефектообразование в приповерхностных слоях полупроводников при импульсном лазерном воздействии. Поверхность. Физ., хим., мех., 1990, № 2, с. 77 85.
  182. В.И., Сумбатов А. А. Кристаллизационно деформационно — тепловая неустойчивость и образование упорядоченных структур при лазерной кристаллизации. Поверхность. Физ. хим. мех. 1988, № 7, с. 122 — 131.
  183. В.Г., Сарайкин В. В. Изменение оптических свойств двуокиси ванадия при ФППМ. ФТТ, 1976, т.18, № 7, с. 1801 1805.
  184. Ю.М., Смирнова Т. В., Чудновский Ф. А. Поглощение света «каплями» металлической фазы вблизи точки фазового перехода полупроводник металл в V02. Письма в ЖЭТФ, 1977, т.25, № 10, с. 373 -476.
  185. Srivastava R., Chase L.L. Raman spectrum of semiconductor and metallic V02. Phys.Rev., 1971, V.27, p.727−732.
  186. Redhead P.A. Thermal desorption of gases. Vacuum, 1962, v.12, № 4, p.203−211.
  187. Kornblit L., Ignatiev A. Photodesorption threshold energies in semiconductors. Surf. Sci., 1984, v. 136, № 2, p. L 57 L 66.
  188. Van Hieu N., Lichtman D. Bandgap radiation induced photodesorption V203 powder and vanadium oxide surfaces. J. Vacuum Sci. Thecnol. 1981, v.18, № 1, p.49 53.
  189. A.M., Швец A.A., Казанский В. Б. Изучение адсорбции на ванадийселикатных катализаторах в переносом заряда V5+. Кинет, и катализ. 1973, т.14, № 4, с.1062 1064.
  190. Roach W.R., Balberg I. Optical induction and detection of fast phase transition in V02. Sol. Stat. Comm. 1971, V.9, № 6, p.551−555.
  191. A.A., Гудялис B.B., Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А. Селективность фотовозбужденного фазового перехода металл -полупроводник в двуокиси ванадия при инициировании его пикосекундными импульсами. Письма в ЖЭТФ, 1981, т.34, № 8, с.452−455.
  192. Vyshkvarko А.А., Kiselev V.F., Paschenko V.Z., Plotnikov G.S. Luminescence quenching kinetics of photo excited adsorbed dye molecules in insulators and insulator — semiconductor structures. J. of Lumin. 1991, v.47, p.327−334.
  193. A.E., Савельева З. И. Метод измерения адсорбции на поверхности монокристалла. ЖФХ, 1969, т.43, № 6, с.1618−1620.
  194. Vintsents S.V., Kiselev V.F., Plotnikov G.S. Energy transfer between exite adsorbate dye molecules and charge defects in insulator -semiconductor structures. Phys. Stat. Sol. (a), 1984, v.35, № 1, p.273−281.
  195. В.Б., Зотеев A.B., Киселев В. Ф., Плотников Г. С. Вибронные эффекты в поверхностных фазах и молекулярная электроника. Вестник МГУ, сер. физ. астр., 1992, т. ЗЗ, № 2, с.3−18.
  196. Gutman Е.Е., Kiselev V.F., Plotnikov G.S. Vibronik effects as a clue to the solution of the selectivity problem of semiconductor gas sensors. Sensors and Actuators B, 1997, v.44, p.468−473.
  197. Л.В., Салецкий A.M. Люминесценция и ее применение, М., МГУ, 1989,279с.
  198. Schulthess G., Wachter P. First observation of photoconductivity in the semiconducting phase of VO2. Sol. Stat. Comm., 1975, v. 15, № 10, p.1645−1649.
  199. С.Ю., Левшин Н. Л., Поройков С. Ю. Влияние адсорбционно десорбционных процессов на эффект переключения в пленке V02. Вестник МГУ, сер. физ., астр., 1990, т.31, № 4, с.97−99.
  200. Mansigh A., Singh R., Krupanidhi S.B. Electrical switching in crystal V02. Sol. Stat. Electron. 1980, v.23, № 6, p.649 654.
  201. П1алимова K.B., Мокроусов B.B., Корнетов B.H. Эффекты переключения в четырехэлектродной структуре на основе пленок двуокиси ванадия. Микроэлектроника, 1976, т.5, № 5, с.459−461.
  202. А.А., Барейкис В.А/, Бондаренко В. М., Веркялис Ю. В., Либерис Ю. С. Исследование тонких пленок V02 в режиме генерации. Письма в ЖТФ, 1977, т. З, № 15, с.752−755.
  203. Fisher В. Moving boundaries and travelling domains during switching of V02 single crystals. J. Phys. C. 1975, v.8, № 13, p.2072−2076.
  204. В.В., Корнетов B.H. Полевые эффекты в пленках двуокиси ванадия. ФТТ, 1974, т. 16, № 10, с.3106−3107.
  205. Kitchen W.J., Proto Jr. and C.R. Properties of vanadium dioxide thermal filaments. J.Appl.Phys., 1971, v.42, № 5, p.2140−2142.
  206. Adam G., Duchene J. Capacitance discharge in V02 threshold switching devices. Sol.Stat.Comm. 1972, v.10, № 12, p.1277−1280.
  207. А.Г., Чугунова М. Е., Елинсон В. М., Сербинов И. А. Иофис Н.А. Переключение с «памятью „в аморфных пиролитических плен-ках двуокиси ванадия. Микроэлектроника, 1976, т.5, № 3, с.282−283.
  208. Г. Л., Пергамент А. Л., Стефанович Г. Б. Переключение в тонкопленочных MOM структурах на основе двуокиси ванадия при низких температурах. В сб. „Физика окисных пленок“ Петрозаводск, 1991, т.1, с. 73.
  209. А.Л. Эффект переключения в MOM структурах с аморфной двуокисью ванадия. В сб. „Физика окисных пленок“ Петрозаводск, 1987, т.2, с.44−45.
  210. А., Барейкис В., Бондаренко В., Либерис Ю. Флуктуации тока и время переключения в монокристаллах диоксида ванадия. ФТТ, 1978, т.20, № 7, с.1980−1984.
  211. Briickner W., Moldenhauer resistivity temperature characteristic and thermal switching. Phys. Stat. Sol. (a), 1978, v.47, p. K99-K102.
  212. Berglund C.N. Thermal filamets in vanadium dioxide. IEEE Tran. on Elec. Dev. 1969, v. ED-16, № 5, p.432−437.
  213. Anklam H.J., Matthech C. Theoretical investigation on the pulse response of V02 coplanar switching devices. Phys.Stat.Sol (a), 1973, v.19, p.433−439.
  214. Duchene J.C., Terraillon M., Pailly M., Adam G.B. Initiation of switching in V02 coplanar devices. IEEE Tran. on Elec. Dev. 1971, v. ED-18, № 12, p.1151−1155.
  215. Duchene J., Adam G., Angier D. Mechanism of negative resistance and filamentary conduction in thermal switching devices. Phys. Stat. Sol.(a), 1971, v.8, p.454−462.
  216. Guntersdorfer M. Schalteffekte in V02. Sol. Stat. Electron., 1970, v.13, № 3, p.369−379.
  217. Jackson J.L., Swaw M.P. The form and stability of carrent voltage characteristics for ideal thermal switching. Appl. Phys. Lett., 1974, v.25, № 11, p.666−668.
  218. Vintzentz S.V., Kiselev V.F., Levshin N.L., Sandomirskii V.B. Kinetics of pulse photothermal surface deformation as a method of studying the phase interface movement in a first order phase transition. Surf. Sci. 1991, v.241, №½, p.225−230.
  219. С.В., Левшин НЛ., Поройков С. Ю. Применение метода импульсной фототермической деформации поверхности для исследования фазового перехода полупроводник металл в пленках диоксида ванадия. В сб. „Физика окисных пленок“, Петрозаводск, 1994, с. 19.
  220. Ю.Д., Сербинов И. А., Рябова Л. А. Нелинейные волны в среде с фазовым переходом полупроводник металл. Письма в ЖЭТФ, 1979, т.29, № 10, с.637−641.
  221. И.А., Калафати Ю. Д., Аганбекян К. А., Рябова Л. А. Использование движущейся межфазной границы при фазовом переходе полупроводник металл для регистрации изображений. Радиотехника и электроника. 1979, № 8, с.1617−1620.
  222. И.А., Калафати Ю. Д., Рябова Л. А. Диссипативные структуры при фазовом переходе полупроводник металл. Письма в ЖТФ, 1980, т.6, № 4, с. 196−200.
  223. Olmstead М.А., Amer N.M. Direct measurements of the polarization dependence of Si (III) 2×1 surface state absorption by use of photothermal displacement spectroscopy. Phys.Rev.Lett., 1984, v.52, № 13, p.1148−1151.
  224. С.В. Определение температуропроводности металлов из кинетики импульсной фототермической деформации поверхности. Поверхность. Физ., хим., мех. 1991, № 7, с.155−157.
  225. Jen С., Farnell G.W., Adler E.L., Oliveira J.E.B. Interactive computer -aided analysis for bulk acoustic wave in materials of arbitrary anisotropy and piezoelectricity. IEEE Trans. Sonics and Ultrason. 1985, v. su 32, № 1, p.56−60.
  226. Von Gutfeld R.J., Mc Donald F.A., Dreyfus R.W. Surface deformation measurements following excimer laser irradiation of insulators. Appl. Phys. Lett., 1986, v.49, № 17, p.1059 1061.
  227. Dreyfus R.W., Mc Donald F.A., Von Gutfeld RJ. Laser energy deposition at sapphire surface studied by pulsed photothermal deformation. Appl. Phys. Lett., 1987, v.56, № 21, p.1491 1493.
  228. C.B., Миргородский В. И., Халилов Ш. С. Влияние ионной имплантации на импульсное фототермическое смещение поверхности GaAs и Si. Поверхность. Физ., хим., мех. 1990, № 9, с.157−159.
  229. Castanede Guzman R., Villagran — Muniz M., Saniger — Blesa J.H., Perez — Martinez O. Photoacoustic phase transition of the ceramic BaTi03. Appl. Phys. Lett., 1998, v.73, № 5, p.623−625.
  230. Vintsents S.V., Sandomirskii V.B. Surface deformation response induced by a laser thermal pulse as the basis for metal thermal diffusivity measurements. Phys. Stat. Sol. (a), 1992, v.133, p. K7 K11.
  231. A.B., Качурин Г. А., Нидаев E.B., Смирнов JI.C. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М., Наука, 1982, 208с.
  232. В.М. Фотосегнетоэлектрики. М., Наука, 1979, 264с.
  233. Э.В. Нелинейный кристалл титанат бария. М., Наука, 1974, 295 с.
  234. Kristoffel N., Konsin P. Vibronic theory of structural phase transitions and displacive ferroelectrics. Phys. Stat Sol. (b), 1988, v.149, p. l 1−40.
  235. Г. М. Зильберберг B.B., Щедрина Н.В.Изменение частоты мягкой моды сегнетоэлектриков полупроводников в постоянном электрическом поле. Изв. вузов, физика, 1988, № 1, с.33−37.
  236. .А., Леванюк А. П. Физические основы сегнетоэлек-трических явлений в кристаллах. М., Наука, 1983, 240с.
  237. Hafid L., Godefroy G., El Idrissi A., Michel Calendini F. Absorption spectrum in near U.V. and electronic structure of pure barium titanate. Sol. Stat. Comm. 1988, v.66, № 8, p.841 — 845.
  238. Castel Mejean L., Godefroy G., Hafid L. Optical absorption in the near ultraviolet region band structure and phase change of ВаТЮз. Jap. J. of Appl. Phys. 1985, v.24, p.651−652.
  239. С.И., Данишевский A.M., Субашиев B.K. О структуре зон кислородно октаэдрических сегнетоэлектриков ВаТЮз, SrTi03 и КТаОз из данных по двухфотонной спектроскопии. ЖЭТФ, 1984, т.86, № 6, с. 2158 — 2169.
  240. Jovanovic A., Wohlecke М., Kapplan S., Maillard A., Godefroy G. Infrared spectroscopy of hydrogen centers in undoped and iron doped ВаТЮз crystals. J.Chem.Sol. 1989, v.50, № 6, p.623−627.
  241. Diaz Guemes M.I., Carreno T.G., Serna C.J. The infrared power spectra of lithium niobate and strontium and barium titanate. Spectrochim. Acta, 1989, v.45A, № 5, p.589−593.
  242. Holtmann L., Unland M., Kratzig E., Godefroy G. Conductivity and light -induced absorption in BaTi03. Appl. Phys. A, 1990, v.51, p. 13−17.
  243. Gover V.C. Photoinduced voltages and frequency shifts in a self pumped phase — conjugating BaTi03 crystal. Optics Lett. 1986, v.11, № 7, p.458 -460.
  244. B.M. Сегнетоэлектрики полупроводники. M., Наука, 1976, 408 с.
  245. A.M., Горелик B.C., Моисеенко В. Н. Особенности гиперрелеевского рассеяния света вблизи точки сегнетоэлектрического фазового перехода в приповерхностном слое титаната бария. Краткие сообщения по физике, 1985, № 5, с.49−52.
  246. Р.Ф., Тейтельбаум Г. Б. Трансформация сегиетоэлектрических фазовых переходов под действием освещения. Письма в ЖЭТФ, 1986, т.44, № 7, с.326−329.
  247. .М., Дьяченко А.А, Шалимов В. В. Фазовые переходы в сегнетоэлектриках во внешнем электрическом поле. Изв. РАН, сер.физ. 1997, т.61, № 5, с.860−866.
  248. Buinov N. S, Syrtsov S.R.Ferroelectric phase transition in the field of non resonance electromagnetic waves. Phys.Stat.Sol. (b), 1984, v.123, p. K165-K167.
  249. И.Г., Самедов O.A., Эюбова H.A., Алиев И. М. Влияние постоянных электрических полей на фазовые переходы в кристаллах KN03. Изв. АН СССР, сер. неорг.мат., 1987, т.23, № 5, с.819−821.
  250. Ю.М., Гурзан М. И., Майор М. М., Сливко В. Ю. Фурцев В.Г., Хома М. М. Управление сегнетоэлектрическим состоянием в окрестности точки Лифшица с помощью электрического поля. ФТТ, 1986, т.27, № 12, с.3676−3678.
  251. И.Г., Исмаилов P.M., Алекперов А. И. Влияние постоянного магнитного поля на температуру Кюри сегнетоэлеткриков типа смещения и порядок-беспорядок.Изв. АН Азер. ССР, сер.физ.-тех.и мат., 1983, № 6, с.68−73.
  252. Neumann D.A., McWhan D.B., Littlewood P., Aeppli G., Remeika J.P., Maines R.G. Nucleation near the tricritical point in BaTi03. Phys. Rev. B, 1985, v.32, № 3, p.1866−1868.
  253. Lee J.K., Kang S.G., Kim H. Dielectric properties of Pb (Zni/3Nb2/3)03 ceramics modifined by Ba (Zni/3Nb2/3)03 and BaTi03. J.Mater.Sci., 1998, v.33, № 3, p.693−698.
  254. Ю.Я. Пленочные сегнетоэлектрики. M., Радио и связь, 1984, 193 с.
  255. Zhuang Z.Q., Harmer М.Р., Smyth D.M., Newnham R.E. The effect of octahedrally coordinated calcium on the ferroelectric transition of ВаТЮ3. Mater.Res.Bull. 1987, v.22, p.1329−1335.
  256. Kojima S., Ikeuchi Y., Zhungchang H., Qingrui Y. Raman scattering study of cubic to tetragonal phase transitions in mixed system AxBaixTi03. Jap.J.Appl.Phys. 1996, v.35, № 9b, p.5192−5195.
  257. Maglion M., Bohmer R., Loidl A., Hochli U.T. Polar relaxation mode in pure and iron doped barium titanate. Phys. Rev. B. 1989, v.40, № 16, p. l 1441−11 444.
  258. Takada K., Ichimura H., Smyth D.M. Equilibrium conductivity for Er doped ВаТЮ3. Jap.J.Appl.Phys. 1987, v.26, № 2, p.42−45.
  259. Chavan S.H., Kulkarni P.G. Dielectric and hysteresis studies of the ferroelectric solid solution barium strontium titanate and barium -caltium titanate. Indian J.Phys. 1986, v.60A, p.124−132.
  260. Medong L., Liandl J., Hsiwel L., Zhixiong C., Xi Y. Improved RTCR materials based on BaixPbxTi03 systems. Jap. J.Appl.Phys. 1985, v.24, № 2 p.308−310.
  261. Michel Calendini F.M., Hafid L., Godefroy G., Chermette H. Cubic to tetragonal phase tremsition effects on the electronic structures of pure and iron doped barium titanate. Sol. Stat. Comm. 1985, v.54, № 11, p.951−956.
  262. Hidaka Т., Oka K. Isotope effect in BaTi03 phase transition. Jap. J.Appl.Phys. 1985, v.24, № 2 p.250−251.
  263. Shu Yau W. A new ferroelectric memory device, metal — ferroelectric -semiconductor transistor. IEEE Tran. on Elec. Dev. 1974, v.21, № 8, p.499−504.
  264. Yukinori K., Nobuhiro E., Kiyoshi S. Ferroelectric field effect memory device using bismuth titanate film. J.Jap.Soc.Appl.Phys. 1975, v.44, p. 197 202.
  265. Mitoseriy L., Ricinshi D., Harnagea C., Okuyama M., Tsukamoto Т., Tura V. Grain size dependence of switching properties of ferroelectric BaTi03 ceramics. Jap. J. Appl. Phys., 1996, pt. l, v.35, № 9b, p.5210−5216.
  266. Kanata Т., Yoshikawa Т., Kubota K. Grain size effects on dielectric phase transition of BaTi03 ceramics. Sol. Stat. Comm. 1987, v.62, № 11, p.765−767.
  267. B.B., Лапшин В. И., Фокина Е. Л., Ярмаркин В. К. Аномальные диэлектрические свойства мелкокристаллической керамики BaTi03, полученной с использованием механической активации. ДАН СССР, 1989, т.304, № 4, с.852−854.
  268. Shih W.Y., Shih W.H., Aksay I.A. Size dependence of the ferroelectric transition of small BaTi03 particles: effect of depolarization. Phys. Rev. В., 1994, v.50, № 21, p.15 575−15 585.
  269. Zafar S., Jones R.E., Jiang В., White В., Kanshik V., Gillespie S. The electronic conduction mechanism in barium strontium titanate thin films. Appl.Phys.Lett., 1998, v.73, № 24, p.3533−3535.
  270. McNeal M.P., Jang S.J., Newnham R.E. The effect of grain and particle size on the microwave properties of barium titanate (BaTi03). J.Appl.Phys. 1998, v.83, № 6, p.3288−3297.
  271. Ю.Я. Строение сегнетоэлектрических поверхностей. Изв. АН СССР, сер. физ., 1987, т.51, № 12, с.2263−2268.
  272. Fujisaki Y., Shimamoto Y., Matsui Y. Analysis of decomposed layer aprearing on the surface of barium strontium titanate. Jap. J. Appl. Phys. 1999, v.38, pt2, la — lb, p. L52-L54.
  273. C.B., Мухортов B.M., Мясников Э. Н., Дудкевич В. П. Процессы, приводящие к эффекту памяти в структуресегнетоэлектрическая пленка монокристалл кремния. ЖТФ, 1985, т.55, № 1, с.127−130.
  274. Rohrer G., Narayan S., McMilan L., Kulkarni A. A new technigue for characterization of thin film ferroelectriv memory devices. J.Vacuum.Sci. Technol., 1988, v. A6, № 3. p.1756 — 1758.
  275. К.Ю., Ким С.Г. Исследование эффекта памяти в структурах металл сегнетоэлектрик — полупроводник. Автометрия 1994, № 4, с.22−26.
  276. Такауата R., Tomita Y. Preparation Pb (Zrx Т^.^Оз thin films and their crystallographic, pyroelectric and ferroelectric properties. J.Appl.Phys. 1989, v.65, № 4, p.1666−1670.
  277. Yoneda Y., Okabe T., Sakane K., Terunchi H., Kasatani H., Deduchi K. Structural characterization of BaTi03 thin films grown by molecular beam epitaxy. J.Appl.Phys., 1998, v.83, № 5, p.2458−2461.
  278. Hoerman B.H., Ford G.M., Kaufmann L.D., Wessels B.W. Dielectric properties of epitaxial ВаТЮз thin films. Appl.Phys.Lett. 1998, v.73, № 16, p.2248−2250.
  279. Kwak B.S., Boyd E.P., Erbil A. Metalorganic chemical vapor deposition of Pb Ti03 thin films. Appl. Phys. Lett. 1988, v.53, № 18, p.1702−1704.
  280. Basantakumar S.H., Mansingh A. Phase transition in sol gel derived barium titanate thin films. J.Phys.D., 1998, v.31, № 13, p. l527−1533.
  281. Kim S., Manabe Т., Yamaguchi I., Kumagai Т., Mizuta S. Effect of P (02) and P (C02) on epitaxial grouth of BaTi03 thin films on MgO (lOO) substrates by using metal organic acid solts. Thin Solid Films, 1997, v.310, № 1−2, p. 199−202.
  282. Tsunekawa S., Fukuda Т., Ozaki Т., Yoneda J., Okabe Т., Terauchi H. Study on ferroelectric domain in BaTi03 crystalline films and bulk crystalsby atomic force and scanning electron microscopies. J.Appl.Phys. 1998, v.84, № 2, p.999−1002.
  283. Е.В., Мухортов В. М., Дудкевич В. П., Фесенко Е. Г. Сегнетоэлектрические свойства тонких пленок Pb(ZrTi)C>3, полученных ВЧ катодным распылением. ЖТФ, 1985, т.55, № 5, с.959−961.
  284. Tsuzuki A., Kato К., Kusumoto К., Torii Y. Preparation and characterization of (Bai.xSrx)Ti03 films by sol-gel processing. J.Mater.Sci., 1998, v.33, № 12, p.3055−3058.
  285. Xu Y., Chen C.J., Xu R., Mackenzie J.D. The self biased heterojunction effect of ferroelectric thin film on silicon substrate. J. Appl. Phys., 1990, v.67, № 6, p.2985−2991.
  286. Wu G.Y.Z., Sayer M. Preparation of Pb (Zr, Ti)03 thin films by sol gel processing: electrical, optical and electro optic properties. J. Appl. Phys. 1988, v.64, № 5, p.2717−2724.
  287. А.Г., Шувалов Л. А. Пьезоэлектрические, диэлектрические и упругие свойства электрически деполяризованной керамики ВаТЮ3. Кристаллография, 1999, т.44, № 2, с.297−303.
  288. Л.Б., Петров А. В., Петрухин А. Г., Старостин В. В. Влияние фазового перехода на оптическое перезаряжение ловушек всегнетоэлектрической пленке на кремнии. Поверхность. Физ., хим., мех. 1992, № 12, с.43−45.
  289. А.Г., Петров А. В. Фотоинжекционные процессы в структуре Si -Вао^ГодТЮз. Поверхность. Физ., хим., мех. 1992, № 8, с.124−127.
  290. Li P., Lu Т.М. Conduction mechanism in ВаТЮз films. Phys.Rev.B., 1991, v.43, № 17, p.14 261−14 264.
  291. JI.B., Зунг Л. Г., Прудан A.M., Тер Мартиросян Л.Т., Ткачук Б. В. Влияние радиационных дефектов на электропроводящие свойства пленок (Ва, Sr) Ti03. ЖТФ, 1986, т.56, № 10, с.2058−2059.
  292. К.В., Голобородько Е. А., Завадовский О. Э., Концевой Ю. А., Мухортов В. М., Тиходеев Ю. С. Исследование свойств структур Si -BaxSr!.xTi03. ЖТФ, 1984, т.54, № 9, с.1782−1786.
  293. Д.Н., Косоногов И. А., Савченко Э. А., Рогач Е. Д., Проценко Н. П. Гистерезисные явления в структурах металл сегнетоэлектрик -полупроводник на основе тонких пленок Sn2P2S6- ЖТФ, 1990, т.60, № 3, с. 196−199.
  294. В.Н., Попик Ю. В., Проскуряков Б. Ф. Ориентирующее действие сегнетоэлектрической поляризации пленок при адсорбции дипольных молекул. Поверхность. Физ., хим., мех. 1988, № 6, с.23−27.
  295. В.Н., Попик Ю. В. Электронное состояние поверхности и параметры фазового перехода титаната бария. УФЖ, 1988, т. ЗЗ, № 8, с.1255−1259.
  296. Ю.В., Жихарев В. Н., Беца В.В.Влияние адсорбции на процессы поляризации в сегнетоэлектриках ВаТЮ3 и SbSl. ФТТ, 1982, т.24, № 2, с.486−493.
  297. Ю.В., Беца В. В. Электронное состояние поверхности и локальные уровни в монокристаллах SdSl. ФТТ, 1988, т.30, № 5, с.1282−1288.
  298. Ю.В., Жихарев В. Н., Сейковекий И. Д. Влияние „собственного“ эффекта поля на термостимулированную проводимость сегнетоэлектриков полупроводников. Изв. вузов. Физика, 1990, № 3, с.86−90.
  299. Ю.В., Жихарев В. Н. Влияние адсобрбции на величину поляризации сегнетоэлектриков. Поверхность. Физ., хим., мех. 1989, № 9, с.33−41.
  300. Ю.В., Сейковекий И. Д., Жихарев В. Н. Влияние адсорбции полярных молекул на формирование солитонов в несоразмерной фазе собственного сегнетоэлектрика Sn2P2Se6. ФТТ, 1988, т.30, № 3, с.870−873.
  301. Ю.В., Жихарев В. Н., Сейковекий И. Д. Роль адсорбции дипольных молекул в формировании свойств несоразмерной фазы. Поверхность. Физ., хим., мех. 1990, № 1, с.13−17.
  302. Parravano G. Ferroelectric transition and heterogenous catalysis. J. of Chem. Phys, 1952, v.20, № 2, p.342−343.
  303. Розентуллер Б. В, Спиридонов K. H, Крылов О. В. О влиянии фазового перехода в титанате бария на адсорбцию и катализ. ДАН СССР, 1981, Т.259, № 4, с.895−899.
  304. Вистинь JI. K, Сахарова И. И, Яковенко С. С. Сегнетоэлектрические жидкие кристаллы и их применение. Изв. АН СССР, сер. неорг. мат. 1982, т.18, № 10, с.1656−1661.
  305. Н. Соверменные успехи в синтезе сегнетоэлектрических жидкокристаллических соединений. Изв. АН СССР, сер. физ, 1989, т.53, № 10, с.1860−1869.
  306. Береснев JI. A, Блинов J1. M, Дергачев Д. И, Жиндулис А. И, Клименко И. С, Паеда С. И, Сергеев А. А. Фоточувствительная структурасегнетоэолектрический жидкий кристалл фотопроводник. Письма в ЖТФ, 1988, т.14, № 3, с.263−266.
  307. Furukawa Т. Ferroelectric properties of vinylidene fluoride copolymers. Phase trans., 1989, v. 18, p. 143−211.
  308. Roberts G.G. Polar Langmuir Blodgett thin film layers for non — linear optical and pyroelectric applications. Ferroelectrics, 1989, v.91, p.21−38.
  309. Legrand J.F. Structure and ferroelectric properties of P (VDF TrFE) copolymers. Ferroelectrics, 1989, v.91, p.303−317.
  310. K.JI. Допированные сегнетоэлектрические полимеры. Кристаллография, 1994, т.39, № 5, с.939−957.
  311. Palto S., Blinov L., Dubovik E., Fridkin V., Petukhova N., Verkhovskaya K., Yudin S. Ferroelectric Langmuir Blodgett films. Ferroelectric Lett. 1995, v.19 p.65−68.
  312. Palto S., Blinov L., Dubovic E., Fridkin V., Petukhova N., Sorokin A., Verkhovskaya K., Yudin S., Zlatkin A. Ferroelectric Langmuir Blodgett films showing bistable switching. Europhys. Lett. 1996, v.34, № 6, p.465−470.
  313. Blinov L.M., Fridkin V.M., Palto D.P., Sorokin A.V., Yudin S.G. Critical point in ferroelectric Langmuir-Bladgett polymer films. Phys.Rev.B, 1998, v.57, № 1, p.25−28.
  314. Bune A., Ducharme S., Fridkin V., Blinov L., Palto S., Petukhova N., Yudin S. Novel switching phenomena in ferroelectric Langmuire -Blodgett films. Appl. Phys. Lett. 1995, v.67, № 26, p.3975−3977.
  315. Sorokin A., Palto S., Blinov L., Fridkin V., Yudin S. Ultrathin ferroelectric Langmuir Blodgett films. Mol. Mat. 1996, v.6, p.61−67.
  316. Ploss Beat., Ploss Ber. Phenomenological and microscopical description of the nonlinear dielectric permittivities of P (VDF/TrFE). J.Kor.Phys.Soc., 1998, V.32, pt.3, p. S 1084 S 1086.
  317. Bellet Amalric E., Legrand J.F. Crystalline structures and phase transition of the ferroelectric P (VDF/TrFE) copolymers, a neutron diffraction study. Eur.Phys.J. (Z.Phys.B.) 1998, v.3, № 2, p.225−236.
  318. Takahashi Y. Molecular mechanism for structural changes in poly (vinylidene fluoride) induced by electctric field. J.Macromol. Sci. B, 1998, v.37, № 4, p.421−429.
  319. JI.M., Верховская K.A., Палто С. П., Сорокин А. В. Тевосов А.А. Локальное поле в полимерном сегнетоэлектрике и его влияние на упорядоченность молекул красителя. Кристаллография, 1996, т.41, № 2, с.328−334.
  320. Л.Б., Левшин Н. Л., Невзоров А. Н. Температурная зависимость поляризационного гистерезиса вольт фарадных характеристик структур А1 — (Ba0,9Sr0,i)TiO3 — Si. Вестник МГУ, сер. физ., астр., 1986, т.27, № 3, с.84−85.
  321. Н.Л., Невзоров А. Н., Петрухин А. Г. Влияние состояния поляризации сегнетоэлектрических пленок на электрофизические свойства структур кремний сегнетоэлектрик. Вестник МГУ, сер. физ., астр., 1996, № 3, с.49−55.
  322. И.Л., Косцов Э. Г. Эффект памяти в тонкопленочной структуре металл Bao5Sro55Nb206 — Si02 — Si. Автометрия, 1988, № 4, с.88−96.
  323. В.Б., Петров А. В., Петрухин А.Г, Старостин В. В. Спектры адсорбированных молекул красителей на поверхности структур кремний сегнетоэлектрик. Хим. физика. 1994, т. 13, № 6, с.106−110.
  324. Зайцев В .Б, Киселев В. Ф, Петрухин А. Г, Плотников Г. С, Старостин В. В. Заряженные состояния в сегнетоэлектрических пленках на поверхности полупроводника. Поверхность. Физ, хим., мех, 1995, № 10, с.71−79.
  325. В.Ф. Наноструктуры и метастабильные состояния в адсорбции и катализе. Кинет, и катализ, 1994, т.35, № 5, с.714−723.
  326. Сонин А. С, Струков Б. А. Введение в сегнетоэлектричество. М, Высшая школа, 1970, 271 с.
  327. С.И. Просвечивающая электронная микроскопия монокристаллических пленок титаната бария. Кандидатская дис. М.: МГУ, 1972.
  328. Томашпольский Ю. Я, Попов Ю. М^, Севостьянов М. А, Попов А. В, Артюхов Б. Л. Поверхностные и промежуточные слои в пленках титанатов бария и стронция, полученных катодным распылением. Изв. АН СССР, сер. неорг. мат. 1989, т.25, № 9, с.1508−1512.
  329. Смирнова Е. П, Сотников А. В, Юшин Н. К. Петли переполяризации в сегнетоэлектриках с размытым фазовым переходом. ФТТ, 1995, т.37, № 3, с.752−759.
  330. Киселев В. Ф, Крылов О. В. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков. М, Наука, 1978, 255с.
  331. Zafar S., Jones R.E., Jiang В., White В., Chu P., Taylor D., Gillespie S. Oxygen vacancy mobility determined from current measurements in thin Bao, 5Sro, 5Ti03 films. Appl. Phys .Lett. 1998, v.73, № 2, p. 175−177.
  332. Н.Л., Юдин С. Г., Дианкина А. П. Влияние сегнетоэлектрического фазового перехода в пленках Ленгмюра Блоджетт на их адсорбционные свойства. Вестник МГУ, сер. физ., астр., 1997, № 5, с.54−56.
  333. В.Б., Левшин Н. Л., Пестова С. А., Плотников Г. С., Юдин С. Г. Изменение адсорбционных свойств и спектров флуоресценции при сегнетоэлектрическом фазовом переходе в пленках Ленгмюра -Блоджетт. Хим. физика, 2000, № 5, стр.85−90.
  334. Н.Л., Пестова С. А. Влияние фазового перехода на адсорбционные свойства полярных пленок Ленгмюра Блоджетт. В сб."Структура и динамика молекулярных систем“. Казань, УНИПРЕСС, 1999, № 4, с.270−273.
  335. Kiselev V.F., Kurylev V.V., Levshin N.L. The effect of adsorption on the electroconductivity of Pc Fe and Pc Cu films. Phys. Stat. Sol. (a), 1977, v.42, № 2, p. K61-K64.
  336. Gramer K., Fogliato M., Lima S., Magonov S.N., Hellmann E.H., Jakobs M., Hellmann G.P. Atomic force microscopy on tree like crystals in poly-vinylidene fluoride blends. J.Mater.Sci., 1998, v.33, № 9, p.2305−2312.
  337. A.E. Кинетика адсорбции и заряжения поверхности сульфида свинца. Кандидатская дис., МГУ, 1975.
  338. Bashanova А.Е., Kiselev V.F., Saveljeva S.I. Untersuchung der adsorption an quarzeinkristallen: die abhangigkeit der spezifischen adsorptionseigensehaften der oberflache von den dimensionen der quarzteilchen. Zeit. Chem. 1969, v.9, № 2, p.52−54.
  339. Де Бур Я. Динамический характер адсорбции М., ИЛ., 1962, 290 с.
  340. М.М. Основы теории объемного заполнения микропор для неоднородных микропористых структур. В сб. „Адсорбция и адсорбенты"М., Наука, 1987, с.201−206.
  341. К.Г., Скоблинская Н. Н. Сорбция воды и набухание монтмориллонита. В сб. „Связанная воды в дисперсных системах“ М., МГУ, 1972, № 2, с.66−86.
  342. Ю.М., Фейгин JI.A. Ленгмюровские пленки получение, структура, некоторые применения. Кристаллография, 1987, т.32, № 3, с.800−815.
  343. М.М., Сарахов А. И., Кононнок В. Ф. Изменение линейных размеров гранул синтетических целитов при адсорбции неполярных веществ. ДАН СССР, 1972, т.206″, № 4, с.901−904.
  344. В.М., Южаков В. И. О природе вибронных спектров растворов родаминовых красителей. Опт. и спектр. 1986, т.61, № 5, с.966−969.
  345. Bune A.V., Fridkin V.M., Ducharme S., Blinov L.M., Palto S.P., Sorokin A.V., Yudin S.G., Zlatkin A. Two dimensional ferroelectric films. Nature, 1998, v.391, p.274−277.
  346. Н.Л., Юдин С. Г. Влияние полярных пленок Ленгмюра -Блоджетт на медленные состояния поверхности кремния. Вестник МГУ, сер.физ., астр. 1999, № 5, с.27−30.
  347. Kozlov S.N., Levshin N.L. On the distribution function of activation barriers surmounted by charge carriers when captured to slow surface states of a semiconductor. Phys. Stat. Sol. (a), 1981, v.64, № 2, p. K169-K172.
  348. С.Н., Левшин Н. Л. О кинетике медленной релаксации заряда на поверхности германия в широком диапазоне времени. Вестник МГУ, сер. физ., астр., 1979, т.20, № 4, с.68−72.
  349. B.C., Киселев В. Ф., Мукашев Б. Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М., Наука, 1990, 212с.
  350. В.Ф., Крылов О. В. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках. М., Наука, 1979, 234с.
  351. Kozlov S.N. Slow relaxation kinetics on a heterogeneous semiconductor surface. Phys. Stat. Sol. (a), 1977, v.42, p. l 15−124.
  352. Low M.J.D., Madison N., Ramanurty R. Infrared spectra of hydrogen and water on germanium gel surface. Surf. Sci., 1969, v. 13, p.238−250.
  353. C.B. Магнетизм. M., Наука, 1971,1032c
  354. С.Ю., Марголин В. И. Намагниченность поверхности ферромагнетика. Поверхность. Физ., хим., мех. 1989, № 2, с.5−12.
  355. Pink S., Dreusse Н., Model of gas adsorption on magnetic surfaces. Surf.Sci., 1997, v.394, № 1−3, p.192−200.
  356. Maksymowicz A.Z., Whiting J.S.S. Influence of magnetization variation near the surface on spin wave modes. Thin. Sol. Films, 1989, v. 170, p.191−200.
  357. Liu C., Bader S.D. Magneto optical studies of metastable 3d — transition metal films. J. Phys. В., 1989, v.161, p.253−259.
  358. B.E., Кринчик Г. С., Селезнев B.H., Стругацкий М. Б. Поверхностный магнетизм бората железа. ЖЭТФ, 1988, т.94, № 10, с.290−300.
  359. Zubov V.E., Krinchik G.S., Seleznyov V.N., Strugatsky M.B. Near surface magnetic structures in iron borate. J. of Magn. and Magn. Mat. 1990, v.86, p.105−114.
  360. Г. С., Хребтов А. П., Аскочинский А. А., Зубов В. Е. Поверхностный магнетизм гематита. Письма в ЖЭТФ, 1973, т. 17, № 9, с.466−470.
  361. Gradmann U. Surface magnetism. J. of Magn and Magn. Mat. 1991, v. 100, № 1−3, p.481−496.
  362. Zubov V.E., Krinchik G.S., Tablin A.S., Kostyurin. A A. Magneto optical techniques in self — consistent determination of optical and magnetooptical constants of magnetics. Phys. Stat. Sol.(a), 1990, v. l 19, p.297−306.
  363. Schooll D., Donath M., Mauri D., Kay E., Mathon J., Muniz R.B., Siegman H.C. Exchenge interactions at the surface of a ferromaguent. Phys. Rev. B. 1991, v.43, № 16b, p.13 309−13 313.
  364. Г. С. Физика магнитных явлений. М., МГУ, 1985, 336с.
  365. Henrich В., Cochram J.F., Arrott A.S., Purcell S.T., Urquhart K.B., Dutcher J.R., Egclhoff W.F. Development of magnetic anisotropics in ultrathin epitaxial films of Fe (001) and Ni (OOl). Appl. Phys.A., 1989, v.49, p.473−490.
  366. Bruno P., Renard J.P. Magnetic surface anisotropy of transition metal ultrathin films. Appl. Phys. A., 1989, v.49, p.499−506.
  367. E.B. Магнитные фазовые переходы в пленках с поверхностной анизотропией. ФТТ, 1989, т.31, № 9, с. 181−187.
  368. Ю.И. Кластеры и малые частицы. М., Наука, 1986, 367с.
  369. Aguilera Grauja F., Bonarad S., Lopez N.J., Vega A., Montejano -Carrizales J.M., Iriquez M.P., Alonso J.A. Magnetic moments of Ni clusters. Phys.Rev.B., 1998, v.57, № 19, p.12 469−12 475.
  370. Hucht A., Usadel K.D. Reorientation transition of ultrathin ferromagnetic films. Phys.Rev.B., 1997, v.55, № 18, p.12 309−12 312.
  371. Bodker F., Morup S., Oxborrow C.A., Madsen M.B., Nicmantsycrdrief J.W. Surface magnetism in ultrafine a-Fe particles. J. Magn. and Magn. Mat. 1992, v.104−107, № 3 p.1695−1696.
  372. Terashima Т., Bando Y. Magnetism of ultrathin Fe304 films. J.Phys.Soc.Jap.1985, v.54, № 10, p.3920−3924.
  373. Moog E.R., Zak J., Huberman M.L., Bader S.D. Magnetooptic rotation and ellipticity of ultrathin ferromagnetic films. Phys.Rev.B., 1989, v.39, № 13, p.9496−9499.
  374. Thomassen J., May F., Feldmann D., Wittig M., Jbach H. Magnetic live surface layers in Fe/Cu (100). Phys.Rev.Lett. 1992, v.69, № 26, p.3831−3834.
  375. Tang H., Plihal M., Mills D.L. Theory of the spin dynamics of bulk Fe and ultrathin Fe (100) films. J.Magn.Magn. and Mat. 1998, v.187, № 1, p.23−46.
  376. L6ffler J.F., Wagner W. Random and exchange anisotropy in consolidated nanostructured Fe and Ni: role of grain size and trace oxides on the magnetic properties. Phys.Rev.B., 1998, v.57, № 5, p.2915−2924.
  377. Manri D., Scholl D., Slegmann H.C., Kay E. Magnetism in very thin films of permalloy measured by spin polarized cascade electrons. Appl.Phys.A., 1989, v.49, p.439−447.
  378. Kerkmann D. Kerr effect magnetometry of the single monolayer Co/Cu (001). Appl.Phys.A., 1989, v.49, p.523−526.
  379. Qiu Z.Q., Pearson J., Boder S.D. Magnetic. phase transition of ultrathin Fe films on Ag (lll). Phys.Rev.Lett., 1991, v.67, № 12, p.1646−1649.
  380. McCiuire T.R., Hartmann M. Magneto optical properties of amorphous alloy films. IEEE Tran. on Magn. 1985, v. MAG-21, № 5, p. 1644−1646.
  381. Hai Т., Li Z.Y. A study for critical behavior of ferromagnetic thin films. Phys.Stat. Sol. (b), 1989, v.156, p.641−646.
  382. К., Ваша S. Magnetization changes of Fe films due to a Mn -overlayer. Phys.Lett., 1986, v. l 14A, № 1, p.31−33.
  383. Гусев С. А, Короткова Н. А, Розенштейн Д. Б, Фраерман А. А, Шен-гуров В. Г. Получение и исследование ферромагнитных нитей в матрице из пористого кремния. Письма в ЖТФ, 1994, т.20, № 11, с.50−53.
  384. Dillon J.F. Magnetooptics. J. of Magn. and Magn. Mat, 1991, v.100, № 1−3, p.425−439.
  385. Schafer R, Hubert A. A new magnetooptic effect related to non uniform magnetization on the surface of a ferromagnet. Phys.Stat.Sol. (a), 1990, v. l 18, p.271−288.
  386. Hubert A, Blochwande in dicken magnetishen schichten. Z.Angew.Phys. 1971, v.32, № 1, p.58−63.
  387. Кринчик Г. С, Бенидзе O.M. Магнитооптическое исследование магнитных структур при микронном разрешении. ЖЭТФ, 1974, т.67, с.2180−2194.
  388. Yang Z. J, Scheinfein M.R. Combined three axis surface magneto — optical Kerr effects in the study of surface and ultrathin — film magnetism. J.Appl.Phys, 1993, v.74, № 11, p.6810−6823.
  389. Niedova H, Hubert A, Mirecki B, Pucholska I.B. First direct magneto -optical observations of quasi Neel walls in double permalloy films. J.Magn. and Magn. Mat. 1989, v.8Q, № 2−3, p.379−383.
  390. Rave W, Hubert A. Micromagnetic calculation of the thickness dependence of surface and interior width of assimmetrical Bloch walls. J. of Magn. and Magn. Mat. 1998, v. 184, p. 179−183.
  391. Siegmann H.C., Bogus P. S., Kay E. Origins of surface induced magnetic structures. J.Phys.B. 1988, v.69, p.485−488.431.0epen H.P., Kirshner J. Imaging of magnetic microstructures at surface. J.Phys.Colloq. 1988, v., 49, №C8, pt.3, p. 1853−1857.
  392. Aharoni A., Jakubovies J.P. Effect of magnetostriction on 90° domain wall in thin films. J. of Magn. and. Magn. Mat. 1992, v.113, № 1−3, p.58−62.
  393. B.E., Кринчик Г. С., Кулаков А. Д. Структура доменных границ в приповерхностной области монокристаллов железа. ЖЭТФ, 1988, т.94, № 12, с.243−250.
  394. Han B.S. Behavior of vertical Bloch — line chains of hard domains in garnet bubble films. J. of Magn. and Magn. Mat. 1991, v.100, № 1−3, p.455−468.
  395. T.B., Попков А. Ф., Редько В. Г. Влияние микронеодно-родностей на работу регистра хранения информации на блоховских линиях. ЖТФ, 1991, т.61, № 11, с.87−94.
  396. В.И., Никитин А. В., Филиппов Б. Н. Статические и динамические свойства пары ВБЛ в скрученной доменной границе. ФММ, 1991, № 8, с.59−64.
  397. Bland J.A.C., Padgett M.J., Mackay K.D., Johnson A.D. Investigation of the magnetic properties of sandwiched epitaxial Fe and Co films using the magneto optic Kerr effect. J.Phys.Cond.Mat., 1989, v. l, p.4407−4417.
  398. Cowburnn R.P., Ferre J., Gray S.J., Bland J.A.C. Domain wall dynamics pinning and nucleation in ultrathin epitaxial Fe films. Phys.Rev.B., 1998, v.58, № 17, p. l 1507−11 513.
  399. Freeman M.R., Hiebert W.K., Stankiewicz A. Time resolved scanning Kerr microscopy of ferromagnetic structures. J.Appl.Phys., 1998, v.83, № 11, pt2, p.6217−6222.
  400. Hiebert W.K., Stankiewicz A., Freeman M.R. Direct observation of magnetic relaxation in a small permalloy disk by time resolved scanning Kerr microscopy. Phys.Rev.Lett., 1997, v.79, № 6, p. l 134−1137.
  401. Takanashi K., Mitani S., Fujimory H., Sato K., Suzuki Y. Magnetooptical Kerr effect in Fe/Au superlattices modulated by integer atomic layers. J.Magn. andMagn. Mat., 1998, v.177−181. № 2,p.l 199−1200.
  402. Pretorius M., Friedrich J., Ranck A., Schroeder M., Voss J., Wedemeier V., Spanke D., Knabben D., Rozhko I., Ohldag H., Hillebrecht F.U., Kisker E.
  403. Transverse magneto optical Kerr effect of Fe at the Fe 3p threshold. Phys.Rev.B., 1997, v.55, № 21, p.14 133−14 135.
  404. .А., Кулагин H.E. О предельной скорости и вынужденном движении доменной стенки ферромагнетика во внешнем поле, перпендикулярном оси легкого намагничивания. ЖЭТФ, 1997, т. 112, № 3, с.953−974.
  405. Ю.И., Финохин В. И., Джежеря Ю. И. Торможение доменной стенки в ферромагнетике с дефектами. УФЖ, 1991, т.36, № 8, с. 1215 -1220.
  406. Narayan О. Self similar Barkhausen noise in magnetic domain wall motion. Phys. Rev. Lett., 1996, v.77, № 18, p.3855−3857.
  407. .Н., Корзулин Л. Г., Ребрякова E.B. Влияние поверхностной магнитной анизотропии на нелинейную динамику доменных границ с двумерным ремпеределнием намагниченности. ФММ, 1997, т.83, № 6, с.19−27.
  408. О. А. Колебания доменной стенки вблизи порога коэрцитивности. ФТТ, 1994, т.36, № 7, с. 1958−1967.
  409. М.А., Филиппов Б. Н. Колебания доменной границы в магнитном поле ферромагнетиков с неоднородными параметрами. ФММ, 1991, № 8, с.87−96.
  410. В.Г., Горобец Ю. И., Денисов С. И. Дрейф доменных границ в осциллириющем магнитном поле. ЖЭТФ, 1990, т.98, № 4(10), с. 13 451 353.
  411. .А., Киселевский М., Ляхимец С. Н., Мацевский А. Динамика доменных границ и релаксация намагниченности в магнетиках с эффектом магнитного последействия. ЖЭТФ, 1992, т. 101, № 6, с. 18 941 907.
  412. П. А. Движение Д.Г. при наличие поверхностной коэрцитив-ности. В сб.'Тезисы XIY школы семинара. Новые магнитные материалы микроэлектроники“. М., 1994, т.2, с. 15−16.
  413. С.И. Форма равномерно движущейся доменной границы в проводящей ферромагнитной пленке. ФТТ, 1989, т.31, № 7, с.236−237.
  414. JI.M., Кабанов Ю. П. Возбуждение изгибных колебаний блоховских линий в осциллирующей доменной стенке. ЖЭТФ, 1991, т.99, № 5, с. 1632−1639.
  415. В.Е., Кринчик Г. С. Кудаков А.Д. Изменение формы колеблющейся 180° доменной границы в монокристаллах железа при повышении частоты. Письма в ЖТФ, 1988, т.14, № 17, с.1597−1601.
  416. О.В., Киселев В. Ф. Адсорбция и катализ на переходных металлах и их оксидах. М., Химия, 1981, 286с.
  417. LombardoS.J., Bell А.Т., A review of theoretical models of adsorption, diffusion, desorption and reaction of gases on metal surface. Surf.Sci.Rep. 1991, v.13, № 1−2, p. 1−72.
  418. Ю.Г., Чуйков Б. А. Кинетика адсорбции газов на поверхности металлов. Поверхность. Физ., хим., мех. 1992, № 9, с.5−27.
  419. Norskov J.K. Chemisorption on metal surfaces. Rep. Progr. Phys. 1990, v.53, № 10, p.1253−1295.
  420. Yanagita H., Sakai J., Aruda Т., Takegi N., Nishijima M. Adsorbed states of H on Ni (lll) at 100K: a vibrational study. Phys.Rev.B., 1997, v.56, № 23, p.14 952−149 955.
  421. П. Н. Пинчук A.M., Пархоменко H.B. Адсорбция молекул водорода на грани (100) оксидов 3d металлов первого переходного периода. ЖСХ, 1992, т. ЗЗ, № 3, с.27−31.
  422. Zommer L., Randzios L.J. Thermodynamic and kinetik properties of hydrogen adsorption on thin iron layers. Therm. Anal., 1992, v.38, № 9, p.1999−2003.
  423. Namba H., Okawa Y., Kuroda H. Rearrengement of sutface steps of the Ni surface by hydrogen adsorption. Surf. Sci. 1991, v.242, № 1−3, p.32−38.
  424. Hung W.H., Schwartz J., Bernasek S.L. Adsorption of H20 on oxidized Fe (100) surface: comparission between the oxidation of iron by H20 and 02. Surf. Sci., 1993, v.294,p.21−32.
  425. Henrich V.E. The nature of transition metal — oxide surface. Prog, in Surf. Sci., 1983, v.14, № 2, p.175−200.
  426. Pache Т., Steinruch H.P., Huber W., Menzel D. The adsorption of H20 on clean oxygen precovered Ni (lll) studied by ARUPS and TPD. Surf.Sci., 1989, v.224, № 1−3, p. 195−214.
  427. Callen B.W., Griffths K., Norton P.R. Reorientation of chemisolbed water on N (110) by hydrogen bonding to second layer. Phys.Rev.Lett., 1991, v.66, № 12, p. 1634−1637.
  428. Brucker C.F., Phodin T.N. Oxygen chemisorption and reaction on a Fe (110) using potoemission and low — energy electron diffraction. Surf.Sci., 1976, v.57, № 2, p.523−539.
  429. Т.К., Савченко В. И., Дадеян К. А., Иванов В. П., Булгаков Н. Н. Адсорбция кислорода и взаимодействие его с водородом на монокристалле никеля с ориентацией (100). Пробл. кинет, и катализ. 1978, т.17, с.115−127.
  430. Bushby S. J, Pope T. D, Callen B. W, Griffiths K, Norton P.R. The low temperature adsorption of oxygen on to Ni oxide. Surf.Sci. 1991, v.256, № 3, p.301−311.
  431. Getzlaff M, Bansmann J, Schonhense G. Oxygen on Fe (llO): magnetic properties of the adsorbate system. J.Magn. and Magn. Mat. 1999, v. 192, p.458−466.
  432. Benndorf C, Meyer L. Co adsorption on stepped Ni (lll) surfaces. J. Vacuumm Sci. and Technol. A, 1990, v8, № 3, p.2677−2681.
  433. Berlowitz P. J, He J. W, Goodman D.W. Overlayer growth and chemisorptive properties of ultra thin Fe films on W (110) and W (100). Surf. Sci, 1990, v.231, p.315−324.
  434. Chen J. G, Erley W, Ibach H. Rairs investigation of the interaction between the coadsorbed NO and oxygen on Ni (l 11): observation of a substantial N -О bond strengthening. Surf. Sci, 1989, v.224, № 1−3, p.215−234.
  435. Sandell A, Nilsson A, Morfensson N. Lying down NO on Ni (100). Surf. Sci. 1991, v.241, № 1−2, p. Ll-L5.
  436. Geisler H, Odorfer G, Illing G, Jaeger R, Freund H. J, Watson G, Plummer E. W, Neuber M, Neumann M. N02 adsorption on Ni (100): acomparission of N02 with C02 adsorption. Surf. Sci., 1990, v.234, p.237−250.
  437. Grunze M., Golze M., Hirschwald W., Fereund H.J., Pulm H., Seip U., Tsai M.C., Ertl G., Kuppecs J. n bondet N2 on Fe (lll): the precursor of dissociation. Phys.Rev.Lett., 1984, v.53, № 8, p.850−853.
  438. Yoshinob J., Zenovi R., Xu J., Xu Zh., Yates J.T. N2 chemisorption on Ni (lll) an infrared investigation under steady staty condition. J.Chem. Phys., 1991, v.95, № 12, p.9393−9400.
  439. Alstrup I., Chorkendorff I., Ullmann S. Dissociative chemisorption of CH4 on Ni (100) with preadsorption oxygen. Surf. Sci., 1990, v.234, p.79−86.
  440. Nuberg G., Westerlung L., Jonsson L., Andersson S. Coadsorption of hydrogen and carbon monoxide on Ni (100) and Pd (100). J.Elec.Spect. and Rel.Phen.1990, v.54−55, p.639−648:
  441. Rangelov G., Bischler U., Memmel N., Bertel E., Dose V., Pabst M., Rosch N. Coadsorption of CO and H on Ni (100): evidence for a strong local CO -H interaction. Surf. Sci., 1992, v.273, № 1−2, p.61−72.
  442. Erdohelyi A., Anneser E., Baner Th., Stephan K., Borgmann D., Wedler G. Interaction of carbon dioxide and oxygen on iron films at 273 K. Surf. Sci. 1990, v.227, p.57−66.
  443. Landoulsi H.B., Vergnon P. Adsorption de C02 sur Fe203. Influence de la structure et de la taille desparticales. Bui. de la Soc. Chem. de France, 1982, pt. I, № 7−8, p.267−272.
  444. Ganzmann I., Borgman D., Wedler G. Coadsorption of CO and 02 on Fe II. Calorimetric and termal desorption spectroscopy. Mol. Phys. 1992, v.76, № 4, p.823−831.
  445. П. Магнетохимия. M., ИЛ., 1958, 458с.
  446. Г. С., Шварцман Р. А., Гущин B.C., Кипнис А. Я. Изменение поверхностных магнитных свойств ферромагнитных металлов при хемосорбции газов.ФТТ, 1974, т. 16, № 6, с. 1682−1685.
  447. Getzlaff М., Schonhenge G. Magnetic exchange effects on adsorbates on iron Fe (llO) films. Surf. Sci., 1995, v.331−333, ptA, p.213−218.
  448. Allan G. Ininerant electron surface magnetism. Surf. Sci. Rep. 1981, v. l, № 3, p.121−156.
  449. С.Ю., Тихонов C.K. Адсорбционные свойства магнетиков. Поверхность. Физ., хим., мех. 1988, № 11, с.37−41.
  450. А.А., Локтев М. И., Рубинштейн A.M. Влияние дисперсности никеля на механизм хемосорбции водорода и кислорода. ДАН СССР, 1972, т.207, № 5, с.1169−1172.
  451. Bansmann J., Getzlaff М., Westphal С., Schonhence G. Surface hysteresis curves of Fe (llO) and Fe (100) crystals in ultrahigh vacuum evidence of adsorbate influences. J. Magn. and Magn. Mat. 1992, v. l 17, p.38−44.
  452. Elmers H.J., Gradmann H. Surface magnetism of oxygen and hydrogen adsorption on Ni (l 11). J.Appl.Phys. 1988, v.63, № 8, p.3664−3666.
  453. Wu R., Freeman A.J. Magnetic properties of Fe overlayers on W (001) and the effect of oxygen adsorption. Phys.Rev.B., 1992, v.45, № 13, p.7532−7535.
  454. Г. С. Шварцман P.A. Осцилляционное влияние магнитного поля на скорость химической реакции. ЖЭТФ, 1974, т.67, № 6(12), с.2326−2334.
  455. Г. С., Шварцман Р. А., Кипнис А. Я. Осцилляции скорости химической реакции на поверхности никеля в магнитном поле. Письма в ЖЭТФ, 1974, т. 19, № 7, с.425−429.
  456. Thomassen J., May F., Feldmann В., Wuttig M., Ibach H. Magnetic live surface layers in Fe/Cu (100). Phys.Rev.Lett. 1992, v.69, № 26, p.3831−3834.
  457. Zubov V.E., Kudakov A.D., Levshin N.L., Pilipenko V.V. Influence of adsor-ption desorption process on dynamics of 180 — degree domain wall in iron. In „International Conference of Magnetism“. Warsaw, Poland, 1994, p.67.
  458. B.E., Кудаков А. Д., Левшин Н. Л., Пилипенко В. В. Влияние адсорбции на динамику 180° доменных границ в приповерхностной области монокристаллов железа. В сб. „Новые магнитные материалы микроэлетроники“. Москва, 1994* т.2, с. 19−20.
  459. Zubov V.E., Kudakov A.D., Levshin N.L., Pilipenko V.V. Influence of adsorption desorption processes on dynamics of 180° domain wall in iron. J. of Magn. and Magn. Mat., 1995. v.140−144, № 3 p.1895−1896.
  460. Ю.Зубов B.E., Кудаков А. Д., Левшин Н. Л., Пилипенко В. В. Влияние физической адсорбции на магнитные свойства поверхности железа. В сб."Проблемы записи и хранения информации в телерадиовещании» АОВНИИТР, Москва, 1995, с.20−21.
  461. Zubov V.E., Kudakov A.D., Levshin N.L., Pilipenko V.V. Anomalous influence of physical adsorption on magnetic properties of iron single crystals. In «SMM12 Soft Magnetic Materials Conference», Crakov, Poland, 1995, p.22.
  462. Zubov V.E., Kudakov A.D., Levshin N.L., Pilipenko V.V. Anomalous influence of physical adsorption on the magnetic properties of iron single crystals. J. of. Magn. and Magn. Mat., 1996, v. 160, p. 19−20.
  463. В.Е., Кудаков А. Д., Левшин Н. Л., Поляков П. А. Механизмы поверхностной диссипации энергии в движущейся доменной границе в монокристаллах железа. Вестник МГУ, сер.физ., астр., 2000, № 1,с.43−45.
  464. Zubov V.E., Kudakov A.D., Levshin N.L., Polyakov P.A. Surface dissipation of energy in moving domain wall. In «Soft Magnetic Materials 14» Balatonfuzed, Hungary, 1999, p.51.
  465. Zubov V.E., Kudakov A.D., Levshin N.L., Polyakov P.A. Surface dissipation of energy in moving domain wall. In «Moscow Int.Sym. on Magnetism» Moscow, 1999, p.24−25.
  466. С.Н. Приповерхностная структура доменных границ в монокристаллах железа и процессы ее преобразования в магнитном поле. Кандидатская, дис. МГУ, 1991.
  467. Brenner S. The grouth of wiskers by the reduction of metal salts. Acta Metal. 1956, v.4, № 1, p.62−74.
  468. Г. В. Нитевидные кристаллы. M., Наука, 1969, 158с.
  469. Henrich В., Urguhart К.В., Dutcher J.R., Parcell S.T., Cochan J.F., Arrott A.S., Steigerwald D.A., Egelhoff W.K. Large surface anisotropics in ultrathin films of becandfec Fe (001). J.Appl.Phys. 1988, v.63, № 8, p.3863−3868.
  470. Jouty M.R., Regis R. Resistance a Toxydation des trichites de FeR. J. de Phys. et le Radium, 1962, v.23, № 2, p.125−127.
  471. Sewell P.B., Stokbridge C.D., Cohen M. An electrometric and electron diffraction study of air formed oxide films on iron. J. Electrochem. Soc., 1961, v.108,№ 10, p.933−941.
  472. В.Д., Гусев Е. П., Девятко Ю. Н., Лебединский Ю. Ю., Рогожкин С. В., Тронин В. Н., Троян В. И. Кинетика начальной стадии островкового роста оксидной фазы на поверхности металла. Поверхность. Физ., хим., мех. 1990, № 8, с.22−30.
  473. Huong R., Xiong H., Lu Q., Hsia Y., Liu R., Ji R., Lu.H., Wang L., Xu Y., Fang G. Investigation of the oxide surface layer on fine iron particles. J., Appl. Phys. 1993, v.74, № 6, p. L102-L104.
  474. Luborsky F.E., Koch E.F., Merelak C.R. Crystallographic orientation and oxidation of submicron whiskers of iron, iron cobalt and cobalt. J.Appl.Phys., 1963, v.34, № 9, p.2905−2909.
  475. B.E., Кудаков А. Д., Федулова T.C. Аномальное поверхностное торможение доменной границы в аморфном ферромагнетике. Письма в ЖЭТФ, 2000, т.71, № 1, с.34−37.
  476. И.П. Движение дислокаций в монокристаллах железа. Кристаллография, 1967, т. 12, № 3, с.474−479.
  477. Bishop J.E.L. The influence of domain wall bowing on eddy current drag. Phys. Stat. Sol.(a), 1971, v.7, p. 117−124.
  478. П.А. Влияние поверхностной диссипации энергии на динамику доменной границы в ферромагнетике. ФММ, 1995, т.79, № 4, с.23−29.
  479. А., Слонзуски Дж. Доменные стенки в материалах с цилиндрическими магнитными доменами. М., Мир, 1982, 382с.
  480. Бонч Бруевич B. JL, Калашников С. Г. Физика полупроводников. М., Наука, 1977, 672с.
  481. В.Ф. О роли фононных возбуждений в явлениях фотоадсорбции и фотокатализа на полупроводниках. Кинет, и катализ., 1978, т.19,№ 5,с.1146- 1151.
  482. Stoneham A.M. Non radiative processes in insulators and semiconductors. Phil. Mag., 1977, v.36, № 4, p.983−997.
  483. Ю.С., Лысоченко C.B., Гайдар A.B. Влияние неравновесных носителей заряда на адсорбционные процессы на поверхности германия. УФЖ, 1985, т.31, № 1, с.117−119.
  484. В.Ф., Козлов С. Н., Левшин Н. Л. Изотопный эффект в кинетике перезарядки медленных поверхностных состояний. Письма в ЖТФ, 1980, т.6, № 9, с.513−515.
  485. С.Н., Левшин Н. Л. Об участии адсорбированных молекул в диссипации энергии, выделившейся при захвате носителей заряда на медленные поверхностные состояния. ФТП, 1980, т.14, № 12, с.2377−2380.
  486. В.Ф., Козлов С. Н., Левшин Н. Л. О возбуждении колебательных мод адсорбированных молекул в актах заряжения поверхности полупроводника. ДАН СССР, 1981, т.256, № 2, с.411−414.
  487. С.Н., Левшин Н. Л. О влиянии легирования поверхности германия ионами цезия на перезарядку медленных состояний. Изв. вузов, физ., 1984, № 1, с.105−108.
  488. В.Ф., Козлов С. Н., Левшин Н. Л. Способ определения содержания молекул в газовой среде. А.С.№ 1 149 353 от 08.12.84.
  489. Г. Б., Киселев В. Ф., Левшин Н. Л., Плотников Г. С. Некоторые новые принципы полупроводникового газового анализа. В сб. «Химические сенсоры 89» Л., 1989, т.2, с. 102.
  490. В.Ф., Козлов С. Н. О роли колебательных возбуждеений молекулярной системы в кинетике медленной релаксации заряда на поверхности полупроводника. Вест. МГУ, сер. физ., астр., 1979, т.20, № 6, с.56−62.
  491. А. Дефекты и колебательный спектр кристаллов. М., Мир, 1968, 432с.
  492. К.К. Элементарная теория колебательной структуры спектров примесных центров кристаллов. М., Наука, 1968, 232 с.
  493. Т.Н. Релаксация заряда медленных состояний на поверхности окиси цинка. Ж. научн. и приклад, фотографии и кинематографии, 1974, т. 19, № 3, с. 221 -223.
  494. Kozlov S.N., Levshin N.L. Izotopic effect in the recombination on nonequilibrium charge carriers on the germanium surface. Phys. Stat. Sol.(a), 1984, v.83, p. К 149-K 152.
  495. C.H., Левшин Н. Л. Влияние гидратации в обычной и тяжелой воде на поверхностную рекомбинацию неравновесных носителей заряда. В сб. «Физика поверхностных явлений в полупроводниках». Киев, 1984, т.2, с.8−9.
  496. Grinev V.I., Kiselev V.F. On the nature and energy spectrum of surface recombination centres. Phys. Stat. Sol. (a), 1981, v.66, p.493−502.
  497. C.H., Левшин н.Л. О возможности электронного возбуждения адсорбированных молекул в актах захвата носителей заряда на адсорбционные поверхностные состояния. Поверхность. Физ., хим., мех. 1986, № 2, с. 146−148.
  498. Д., Шеве Е., Шеве И. Активация газов на твердых поверхностях. Проблемы кинетики и катализа. 1970, т. 14, с.67−72.
  499. .М. Физика слабоионизированного газа. М., Наука, 1972, 416с.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!