Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Применение метода каналографии для выявления каналирования в узких каналах кремния и изучение его закономерностей

Диссертация: Применение метода каналографии для выявления каналирования в узких каналах кремния и изучение его закономерностей
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В настоящее время интенсивно исследуются такие ориентацион-ные явления, как каналирование и эффект теней. Интерес к этим явлениям обусловлен, с одной стороны, тем, что они существенно расширили наши представления о механизме взаимодействия быстрых заряженных частиц с упорядоченными структурами, а с другойвозможностью широкого их использования в прикладных целях. Однако, несмотря на большое число… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА I. Основные результаты экспериментального и теоретического исследования закономерностей каналирования заряженных частиц в кристаллах
    • 1. 1. Общие сведения о каналировании и эффекте теней
    • 1. 2. Континуумная модель
    • 1. 3. Критические параметры каналирования
    • 1. 4. Потери энергии и деканалирование
    • 1. 5. Влияние дефектов кристалла на каналирование
    • 1. 6. Методика типичных экспериментов по изучению эффектов каналирования и теней
    • 1. 7. Изучение каналирования с помощью точечного альфа-источника
  • ГЛАВА II. Описание экспериментальной. установки и техники эксперимента
    • 2. 1. Изготовление точечных альфа-источников
    • 2. 2. Изготовление тонких образцов монокристалла кремния
    • 2. 3. Отжиг кристаллов. Отбор образцов для исследования
    • 2. 4. Конструкция экспериментальной камеры
    • 2. 5. Техника получения каналограмм при различных температурах кристалла
    • 2. 6. Определение оптимальных условий проявления канал ограмм. Построение и анализ характеристических кривых почернения
    • 2. 7. Индицирование каналограмм
    • 2. 8. Методы изучения каналограмм
  • 9−50 9- 13 13 — 18 18 — 28
    • 76. — 82
  • ГЛАВА III. Изучение закономерностей каналирования альфа-частиц в кремнии с использованием каналограмм, полученных при комнатной температуре
    • 3. 1. Качественное описание каналограммы
    • 3. 2. Исследование геометрических параметров каналов
    • 3. 3. Влияние качества кристаллов на параметры каналограмм
    • 3. 4. Изучение угловых характеристик плоскостного каналирования альфа-частиц в кремнии
    • 3. 5. Изучение высоты и площади пиков плоскостного каналирования в зависимости от эффективной толщины кристалла
    • 3. 6. Оценка длины пробегов альфа-частиц в режиме плоскостного каналирования
    • 3. 7. Определение отношения вероятностей деканалиро-вания и захвата альфа-частиц в плоскостных каналах кремния
    • 3. 8. Изучение закономерностей осевого каналирования
    • 3. 9. Некоторые результаты по наблюдению каналирования в высокоиндексных осевых и плоскостных каналах
  • ГЛАВА IV. Исследование температурных закономерностей каналирования альфа-частиц в плоскостных каналах кремния
    • 4. 1. Влияние температуры кристалла на основные параметры низкоиндексных линий
    • 4. 2. Изучение температурных закономерностей каналирования в узких каналах. Открытие и закрытие каналов
    • 4. 3. 0 возможном влиянии междоузельных атомов на каналирование
    • 4. 4. Влияние анизотропии тепловых колебаний на температурное закрытие узких каналов
    • 4. 5. Определение критических параметров каналирования в узких плоскостных каналах кремния

Применение метода каналографии для выявления каналирования в узких каналах кремния и изучение его закономерностей (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В настоящее время интенсивно исследуются такие ориентацион-ные явления, как каналирование и эффект теней. Интерес к этим явлениям обусловлен, с одной стороны, тем, что они существенно расширили наши представления о механизме взаимодействия быстрых заряженных частиц с упорядоченными структурами, а с другойвозможностью широкого их использования в прикладных целях. Однако, несмотря на большое число уже имеющихся публикаций, некоторые стороны описываемых явлений остались неизученными. Так, например, экспериментально каналирование изучалось только в трех-четырех наиболее широких низкоиндексных осевых и плоскостных каналах. И совершенно нет сведений о наблюдении, и, тем более, изучении ка-налирования в высокоиндексных каналах. Между тем, эта область исследования весьма интересна. В частности, выявление наиболее узкого канала, каналирование в котором еще возможно, позволило бы получить прямую и независимую оценку верхней границы критического параметра приближения частицы к ряду или плоскости. Каналирование в таких каналах должно быть весьма чувствительно к дефектам кристаллической решетки и амплитуде тепловых колебаний атомов и поэтому могло бы оказаться тонким инструментом изучения указанных свойств кристаллов.

Однако изучение каналирования в высокоиндексных каналахэто непростая задача, вследствие того, что с уменьшением ширины каналов уменьшаются критический угол каналирования, доля канали-рованных частиц и разница в потерях энергии каналированных и неканал ированных частиц. Поэтому с использованием общепринятой методики исследования, когда узкий пучок заряженных частиц поочередно направляется в те или иные каналы, эта задача пока не решается. Пожалуй, единственную" возможность наблюдения и изучения ряда закономерностей каналирования в узких каналах дает сейчас методика с использованием точечного, плотностью неколлимирован-ного альфа-источника, разработанная на кафедре радиафионной физики ТашГУ им. В. И. Ленина в 1969;73 годах. Хотя при изучении деталей углового и пространственного распределения каналирован-ных частиц она не может заменить общепринятую, однако обладает таким преимуществом, как возможность одновременного наблюдения каналирования сразу во многих плоскостных и осевых каналах.

Исследование каналирования в высокоиндексных каналах возможно только в весьма совершенных кристаллах. В настоящее время этому условию в наибольшей степени удовлетворяет кремний. Однако в предыдущих работах с использованием точечного альфа-источника на каналограммах кремния было обнаружено только шесть типов линий, соответствующих следующим плоскостным каналам: {III}, {ПО},.

Ширина наиболее узкого из них примерно в два раза превышает удвоенное значение критического параметра приближения альфа-частиц к плоскости. Поэтому были основания полагать, что отсутствие более высокоиндексных линий на каналограммах не связано с какими либо принципиальными задруднениями, а обусловлено, скорее всего, недостаточно высоким качеством используемых кристаллов и несовершенством техники получения каналограмм.

Исходя из сказанного, основной целью данной работы явилось выявление и исследование каналирования в ненаблюдавшихся ранее высокоиндексных осевых и плоскостных каналах кремния, а также, учитывая более высокое качество получаемых каналограмм, определение и уточнение ряда параметров картин каналирования в низкоиндексных каналах. Для этого в диссертации были поставлены следующие задачи, решение которых выносится на защиту:

I. Совершенствование методики эксперимента с целью обнаружения каналирования в таких высокоиндексных каналах, минимальная.

— 7 ширина которых близка к теоретически предсказываемому пределу. Сюда входят: а) разработка метода изготовления тонких (10−20 мкм) монокристаллических образцов кремния с рабочей поверхностью до I см^, обладающих высоким структурным совершенствомб) разработка конструкции изотропных альфа-излучателей сферической формы диаметром —100 мкм с необходимой для эксперимента активностьюв) разработка и создание экспериментальной установки, позволяющей получать каналограммы на больших (до 20 см) расстояниях от альфа-источника в широком интервале температур.

2. Исследование основных параметров (угловых размеров и интенсивности) обнаруженных линий и пятен на каналограммах в зависимости от качества кристаллов, их эффективной толщины и геометрических параметров каналов.

3. Изучение ряда температурных закономерностей каналирования с помощью каналограмм. Проверка предположения о возможности обнаружения эффектов температурного «закрытия» и «открытия» узких каналов. Оценка (на основе данных о «закрытии и «открытии» каналов) значений критического параметра приближения альфа-частиц к стенкам высокоиндексных плоскостных каналов.

Научная новизна данной работы заключается в следующем.

1. Впервые получены каналограммы, подтверждающие факт существования каналирования в 23 типах плоскостных каналов кремния (при комнатной температуре), причем в 17 типах из них оно экспериментально обнаружено впервые. Также впервые зафиксировано ка-налирование в более чем ста типах осевых направлений.

2. Для 5 типов плоскостных каналов впервые определены угловая ширина пиков каналирования, их высота и площадь в зависимости от эффективной толщины кристалла. Впервые определены угловые размеры 8 типов осевых пятен.

3. С помощью используемой методики впервые проведено определение пробегов альфа-частиц в режиме каналирования для каналов [ill} и {НО}, а также отношение вероятностей деканалирования и захвата для восьми типов плоскостных каналов.

4. Впервые обнаружены эффекты «открытия» узких каналов (не наблюдавшихся при комнатной температуре) с понижением температуры и, наоборот, «закрытие» более широких каналов с ее повышением.

5. Обнаружены некоторые аномалии в закрытии каналов, которые были объяснены наличием слабой анизотропии тепловых колебаний атомов при повышенных температурах кристалла.

6. Впервые экспериментально определены критические параметры приближения альфа-частиц к стенкам высокоиндексных плоскостных каналов для статической решетки и с учетом тепловых колебаний.

Научное и практическое значение выполненной работы состоит прежде всего в том, что она расширила область экспериментального исследования каналирования в сторону значительно более узких каналов. Полученные результаты могут быть использованы при создании теоретической модели, описывающей механизм формирования каналограмм. Обнаруженная корреляция между числом высокоиндексных линий и пятен на каналограммах и характером отжига экспериментальных образцов говорит о перспективности использования метода при изучении качества кристаллов. Высокая температурная чувствительность каналирования в высокоиндексных каналах может позволить применить его для исследования анизотропии тепловых колебаний атомов в совершенных структурах.

Настоящая работа состоит из четырех глав. В первой главе даны теоретические основы каналирования, необходимые для понимания излагаемого материала. Вторая глава посвящена методическим вопросам эксперимента и описанию экспериментальной установки. Основные научные результаты представлены в третьей и четвертой главах.

Основные результаты, представленные в диссертации, опубликованы в работах /Ш-121/. Они указывают на перспективность использования точечных альфа-источников при изучении эффекта ка-налирования и связанных с этим вопросов. Достоинства этого метода проявляются, в особенности, в таких экспериментах, которые не могут быть осуществлены на ускорителях. Это, в частности, касается одновременного наблюдения каналирования сразу в большом числе плоскостных и осевых каналов, обнаружения таких высокоиндексных каналов, условия каналирования в которых близки к критическим.

Безусловно, анализ картин каналирования в ряде случаев оказывается непростым. Сложный характер их формирования приводит, в частности, к тому, что измеряемые угловые размеры линий и пятен оказываются значительно меньше углов каналирования, предсказываемых теорией. Однако сравнительное сопоставление угловых размеров и интенсивностей линий и пятен весьма корректно, поскольку они проявляются на одной каналограмме в идентичных условиях. Кроме того, как показано в настоящей работе, наблюдается вполне четкая связь измеряемых параметров линий и пятен с геометрическими параметрами каналов, а также качеством используемых кристаллов. Это указывает на перспективность использования точечных альфа-источников при исследовании неизвестных кристаллических структур, оценке качества кристаллов, определении местоположения примесных атомов.

Таким образом, несмотря на значительное число уже проведенных исследований, возможности этого метода еще далеко не исчерпаны. Несмотря на свою простоту, он может быть полезным при решении целого ряда задач как научного, так и прикладного характера.

Автор выражает глубокую признательность научному руководителю В. В. Скворцову, а также членам кафедры радиационной физики за полезные обсуждения и помощь в работе.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Настоящая диссертационная работа явилась частью исследований эффекта каналирования, проводимых на кафедре радиационной физики ТашГУ с применением точечных альфа-ичточников. Перечислим основные методические разработки и научные результаты, составившие ее содержание.

1. Разработан метод изготовления монокристаллических образо цов кремния толщиной 10−20 мкм с рабочей поверхностью до I см, обладающих высоким структурным совершенством, что позволило наблюдать каналирование в таких каналах, ширина которых близка к теоретически предсказываемому пределу.

2. Разработаны конструкция и метод изготовления изотропных точечных альфа-источников сферической формы с необходимой для с эксперимента активностью (~ 10 альфа-частиц/сек.).

3. Сконструирована и изготовлена экспериментальная вакуумная установка, позволяющая получать каналограммы на больших расстояниях от альфа-источника (до 20 см) при различных температурах.

4. Получено свыше 200 каналограмм с различных образцов кристаллов в разных условиях. На лучших из них было обнаружено каналирование (при комнатной температуре) в 23 типах плоскостных каналов и свыше 150 типов осевых. В большинстве из них каналирование наблюдалось впервые. Произведена расшифровка каналограмм, определены геометрические параметры зафиксированных каналов.

5. Изучено влияние отжига на параметры каналограмм. Показано, что отжиг приводит к увеличению числа наблюдаемых линий и пятен на каналограммах, уменьшению угловой ширины и возрастанию интенсивности. Эти результаты могут быть использованы при оценке качества кристаллов.

6. Для 8 типов наиболее широких плоскостных каналов проведено изучение основных параметров линий (интенсивности и угловой ширины) в зависимости от эффективной толщины кристалла и температуры (от -180° до 450°С). Произведено измерение угловой ширины 10 типов низкоиндексных пятен.

7. Определен средний пробег альфа-частиц в режиме каналиро-вания в каналах {III} и {ПО} при различных температурах.

8. Обнаружены эффекты «открытия» и «закрытия» высокоиндексных каналов при пониженных и повышенных температурах соответственно. Обнаружена некоторая аномалия в закрытии каналов, которая была объяснена наличием анизотропии тепловых колебаний атомов в кремнии при повышенных температурах.

9. По результатам закрытия узких каналов определены критические параметры приближения альфа-частиц к стенкам плоскостных каналов для статической решетки и с учетом тепловых колебаний.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Robinson M.Т., Oen О.S. Slowing down of energetic atoms in crystals.- Phys. Rev., 1963, V. 132, p.2385−2397.
  2. А.Ф. Влияние кристаллической решетки на некоторые атомные и ядерные процессы. УФН, 1965, т.87, с. 585−592.
  3. А.Ф. Об одном эффекте, сопровождающем ядерные реакции на монокристаллах, и о его использовании в различных физических исследованиях. ДАН СССР, 1965, т.162, № 3, с. 546−550.
  4. Tulinov A.F., Kulikauskes V.S., Malov М.М. Proton scattering from a tungsten single crystals.- Phys. Lett., V. 18,1. No 3, p.304−306.
  5. А.Ф., Ахметова Б. Г., Пузанов А. А., Бедняков Г. И. О новом методе исследования свойств монокристаллов. Письма в ЖЭТФ, 1965, т. 2, № I, с. 48−52.
  6. А.Ф. Исследование взаимодействия быстрых заряженных частиц с монокристаллами. Дис.. докт. физ-мат. наук. -Москва, МГУ, 1967. — 218 с.
  7. Domeij В., Bjorkquist, Anisotropic emission of oC -particles from a monocrystalline source.- Phys. Lett., 1965, V. 14-, p. 127−130.
  8. Domeij B., Crystal lattice effect in the emission of charged particles from monocrystalline sources.- Nucl. Instr. and Methods, 1965, V.38, p.207−211.
  9. Й. Влияние кристаллической решетки на движение быстрых заряженных частиц. УФН, 1969, т. 99, с. 268.
  10. Chadderton L.Т. A correspondence principle for the channeling of fast charged particles.- Phil. Mag., 1968, V. 18, p.155−161,
  11. М. Каналирование частиц в кристаллах. УФН, 1969, т. 99, с. 297−304.
  12. В.В., Кумахов М. А. Критерий применимости статического подхода в теории ориентационных эффектов. Труды 1У Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами, Москва 1972. — М: изд. МГУ, 1973, с. 98−104.
  13. Lehman С., Leibfried G. Long-Range channeling effects in irradiated crystals.- J.Appl.Phys., 1963, v.34, p.2821−2825.
  14. Lindhard J., Nielsen V., Scharff M. Approximation method in crystal scattering by screened Coulomb field.- Dansk. Vid. Selsk. Mat. Fys. Medd., 1968, V.36, No10,32 pp., ill.
  15. Bethe H.A. Molieres theory of multiple scattering.-Phys. Rev., 1953, V.86, p.1256−1266.
  16. Erginsoy C. Anisotropic effects in interaction of energetic charged particles in a crystal lattice.- Phys. Rev. Lett., 1965, V.15, N08, p.360−364.
  17. Steenstrup S., Pathak A.P. Energy loss spectra in planar channeling.- Rad. Eff., 1981, V.55, No1−2, p.17−22.
  18. Gemmel D.S. Channeling and related effects in the motion of charged particles through crystals.- Rev. of Mod. Phys., 1974, V.46, No1, p.129−227.
  19. М.А. Критический угол каналирования. Труды 1У Все-союзн. совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с монокристаллами, Москва, 1972. — М.: изд. МГУ, 1973, с. 34−46.
  20. Ellison J.A. Planar-channeling spatial density under statistical equilibrium.- Phys. Rev., 1978, V.18,1. No3, p.1028−1038.
  21. Barret G.H. Monte Carlo channeling calculations.- Phys. Rev., 1971, V. B3, No5, p.1527−1536.
  22. Morgan D.V., Van Vliet D. Critical approach distances and critical angles for channeling, — Rad. Eff., 1971, V.8,p.51−62.
  23. Appleton B.R., Erginsoy C., Gibson W.M. The channeling effects in the energy loss of proton in silicon and germanium single crystals.- Phys. Rev., 1967, V.161,p.330−343.
  24. Channeling Theory, Observation and Application. Edited Ъу D.V. Morgan, London, 1973″ 450 pp.
  25. Varelas C., Sizmann R. Determination of critical approach distances and critical angles for channeling.- Rad. Eff., 1972, V.16, p.211−217.
  26. Altmann M.R., Feldman L.C., Gibson W.M. Determination of channeling probability from transmitted particles energy spectra.- Phys. Rev. Lett., 1970, V.24, No9, p.464−467.
  27. Kumakov M.A. Dechanneling of ions.- Phys. Lett., 1970,1. V. A33, p.133−136.
  28. Г. А., Ташлыков И. С. Применение метода ионометриидля исследования сплавов со свинцом и сурьмой. Труды У1 Всесоюзн. совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с монокристаллами, Москва 1974. — М: изд. МГУ, 1975, с. 356−361.
  29. Bjorquist К., Carting В., Domeij В. Calculation on dechanneling of protons in Si and W.- Rad. Eff., 1972, V.12,p.267−270.
  30. Matsunami N., Goto Т., Yhoh N. Energy and temperature dependence of dechanneling by displaced atoms.- Nucl. Instr. and Meth., 1978, V.149, No1−3, p.430−433.
  31. Е.И. Расканалирование ионов. Труды Ш Всесогозн. совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с монокристаллами, Москва, 197I. — М. — изд. МГУ, 1972, с. I0I-II7.
  32. Morgan D.V. A simple model for planar dechanneling calculations." Rad. Eff. Lett., 1979, V.43, No3, p.97−100.
  33. Г. П., Украинская JI.В., Чердынцев В. В. Модель деканали-рования частиц и некоторые ее применения. Труды У1 всесоюзн. совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с кристаллами, Москва, 1974. — М.: изд. МГУ, 1975, с. 49−63.
  34. А.С., Шипатов Э. Т. Расканалирование ионов в дефектных кристаллах. Изв. вузов, Физ., Томск, 1980, с. 33−37.
  35. Waeho Т. Planar dechanneling of proton in Si and Ge.-Phys. Rev., 1976, V.14, No11, p.4830−4837.
  36. В.В., Кумахов M.А. Расчет функций деканалирования ионов для дефектного кристалла. Труды УШ Всесоюзн. совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с кристаллами, Москва, 1976.- М.: изд. МГУ, 1977, с. 15−18.
  37. Bulgakov Y.W. and all. Resonance dechanneling of fast protons in axis-to-plane transmissions in silicon.- Phys. Lett., 1978, V. A68, No3−4, p.355−356.
  38. Rozhkov N.V. Theory of dechanneling.- Phys. Stat. Sol., 1979, V. B96, No1, p.463−468.
  39. Matsunami N., Home L.M. A diffusion calculation of axial dechanneling in Si and Ge.- Rad. Eff., 1980, V.51,1. No1−2, p.111−126.
  40. Campisano S.U., Foti G., Grasso F., Losavio M., Rimini Б. Lindhards multiple scattering description justifies axial and planar dechanneling data.- Rad. Eff., 1972, V.13, p.157−162.
  41. Morita K. Dechanneling of heavy charged particles in diamond lattice.- Rad. Eff., 1972, 7.14, p.195−199.
  42. Davies J.A., Denhartog J., Whitton J.L. Channeling of MeV projectiles in tungsten and silicon.- Phys. Rev., 1968, V.165, No2, p.345−354.
  43. Davies J.A., Erikson L., Whitton J.L. Range measurements inoriented tungsten single crystals. III. The influence of temperature on maximum range.- Can. J. Phys., 1968, V.46, p.573−580.
  44. Feldman L. C., Appleton B.R. Multiple scattering and planar dechanneling in silicon and germanium.- Phys. Rev., 1973″ V. B8, p.935−943.
  45. M.A. О рассеянии ионов на цепочке колеблющихся атомов. Тезисы докладов Х1У Всесоюзн. конференции по эмиссионной электронике, Ташкент, 1970. — Т.: изд. ФАН, 1970, с. 87.
  46. В.В., Кумахов М. А. Рассеяние каналированных ионов в кристалле. Труды 1У Всес. совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с кристаллами, Москва 1972. -М.: изд. МГУ, 1973, с.71−77.
  47. М.А., Муралев В. А., Телегин В. И. Двумерное кинетическое уравнение при аксиальном каналировании. Труды У Всес. совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с кристаллами, Москва 1973. М.: изд. МГУ, 1974, с. 41−45.
  48. А.Ф., Комаров Ф. Ф. Многократное рассеяние ионов в кристаллах с учетом электронной структуры твердых тел. -Труды УШ Всесоюзн. совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с кристаллами, Москва, 1976. М.: изд. МГУ, 1977, с. 96−101.
  49. М.А., Шармер Г. Атомные столкновения в кристаллах. -М.: Атомиздат, 1980, 190 с.
  50. Oshiyama Т., Mannami М. Diffusion models of dechanneling of energetic H±ions from single crystals, -Phys. Lett., 1981, V. A81, No1, p.43−46.
  51. Davies J.A., Howe L.M., Marsden D.A., Whitton J.L. Dechanneling of MeV protons in tungsten.- Rad. Eff., 1972, V. 12, p. 247−255.
  52. Pontell A., Arminen E., Leminen E. Dechanneling of H and He ions in silicon.- Rad. Eff., 1972, V.12,p.255−263.
  53. Quere Y. On «Measurements» radiation damage Ъу backscatte-ring experiments.- Rad. Eff., 1976, V.28,p.253−257.
  54. МогУ J-" Quere У. Dechanneling Ъу stacking faults and dislocations.- Rad. Eff., 1972, V.13, p.57−63.
  55. Matsunami N., Coto J., Iton N. Energy and temperature dependence of dechanneling Ъу displaced atoms.- Rad. Eff., 1977, V.33, p.209−204.
  56. Barrett J.H. Studies of defects and surfaces by channeling.
  57. Nucl. Instr. and Meth., 1978, V.149, No1−3, p.341−348.
  58. Quere Y. Dechanneling of fast particles by lattice defects.
  59. J. Nucl. Mater., 1974, V.53, p.262−267.
  60. Poti G. Dechanneling by twins.- Phys. Lett., 1977, V. A64, No2, p.265−267.
  61. Quere Y. About the dechanneling due to dislocation loops,-Rad. Eff., 1978, V.38, No3−4, p.131−132.
  62. G., Могу J. Dechanneling par les boucles de dislocation.- J. Phys. Lett., 1979, V.40, No18, p.473−475.
  63. Dearneley G., Mitchell J.V., Nelson R.S. Proton channelingthrough thin crystals.- Phil. Mag., 1968, V.18, No155, P.985−996.
  64. Gemmel D.S., Holland R.E. Blocking effects in the emergence of charged particles from single crystals.- Phys. Rev. Lett., 1965, V.14, No23, p.945−948.
  65. Дж., Эриксон JI., Дэвис Дж. Положение внедренных атомов в кристаллической решетке. В кн.: Ионное легирование полупроводников. — М.: Мир, 1973, с. 146−198.
  66. М.А., Комаров Ф. Ф. Энергетические потери ионов в твердых телах. Минск: изд. БГУ, 1979, 319 с.
  67. Г. А., Ташлыков И. С. Распределение радиационных дефектов и углерода в ионно-легированном кремнии. Труды УП Всесоюзн. совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с кристаллами, Москва, 1975. — М.: изд. МГУ, 1976, с. 231−235.
  68. Davies J.A., Denhartog J., Erikson, Mayer J.W. Ion implantation of silicon.- Canad. J. Phys., 1967, v.45, p.4053−4061.
  69. A.A. Применение ориентационных явлений для определения местоположения примесных атомов в кристаллической решетке. -Труды УШ Всесоюзн. совещ. по физике взаимод. заряж. частицс кристаллами, Москва, 1976. М.: МГУ, 1977, с. 212−221.
  70. Н.А., Дикий Н. П., Светашов П. А. исследование положения атомов гелия в кристаллической решетке вольфрама. ФТТ, 1979, т. 21, № 10, с. 3I4I-3I43.
  71. Ю.В., Отставнов Ю. Д., Пузанов А. А., Тулинов А. Ф. Об ассимметрии теней, возникающих при взаимодействии быстрых заряженных частиц с монокристаллами. ЖЭТФ, 1968, № 55, вып. 5, с. 1690−1696.
  72. Brown F., Marsden D.A., Wegner H. D. Use of blocking in crystals to study the lifetime for fission of U235 by 12 MeV P+. Phys. Rev. Lett., 1968, V.20,1. No25, p.1449−1452.
  73. Ю.В., Отставнов Ю. Д., Тулинов А. Ф. Эффект теней при делении урана. ЖЭТФ, 1969, т. 56, № 6, с. 1803−1809.
  74. Gibson W.M., Nielsen К.О. Direct determination of the lifetime of excited compound nuclei by angular distribution measurements of fission fragments emitted from single crystals.- Phys. Rev. Lett., 1970, V.24,1. No3, p.114−118.
  75. Maruyama M., Tsukada T., Orawa K., Fujmoto P., Komaki K., Mounami M., Sakurai F. Direct measurements of nuclear reaction times by the use of the blocking effect in single crystals.- Phys. Lett., 1969, V.29B, p.414−417.
  76. Р.В., Карамян С. А., Нормуратов Ф., Третьяков С. П. Времена жизни возбужденных составных ядер в диапазоне79 < 2 < 89, измеренные с помощью эффекта теней. Ядерная физика, 1972, т. II, вып. 3, с. 447−458.
  77. В.В., Карамян С. А., Кучер A.M., Нормуратов Ф., Оганесян Ю. Ц. Об измерении времени жизни составного ядра с помощью эффекта теней. Ядерная физика, 1972, т. 16, вып. 2, с. 252−258.
  78. Ю.Ф., Тулинов А. Ф., Чеченин Н. Г. Влияние конечного времени жизни составного ядра на параметры осевой тени. -Труды У1 всесоюзн. совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с кристаллами, Москва, 1974. М.: изд. МГУ, 1975, с. 264−274.
  79. С., Бугров В. Н., Вертеш П., Каманин В. В., Карамян С. А., Макрин Р., Оганесян Ю. Ц., Титирич М. Измерение времени жизни возбужденного составного ядра, в реакциис помощью эффекта теней. Ядерная физика, 1978, т. 28, вып. 2, с. 78−83.
  80. В.Н., Каманин В. В., Карамян С. А., Третьякова С. П. Измерение времени протекания ядерной реакции J). -Ядерная физика, 1978, т. 28, вып. 2, с. 303−307.
  81. В.В., Богдановская И. Н. Простой метод наблюдения осевого и межплоскостного каналирования. Письма в ЖЭТФ, 1970, т. II, № I, с. 3−6.
  82. В.В., Богдановская И. Н. Определение ориентаций монокристаллических пленок при помощи каналограмм. ПТЭ, 1970, № 6, с. 197−200.
  83. A.A., Баклунова Т. Н., Скворцов В. В. Изучение некоторых регистрационных свойств нитроцеллюлозы. Труды Ш всесоюзн. совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с монокристаллами, Москва, 1971. М.: изд. МГУ, 1972, с. 279−284.
  84. А.А., Скворцов В. В. Применение люминофора для ускорения процесса получения каналограмм и визуального их наблюдения. Труды Ш всесогозн. совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с кристаллами, Москва, 1971.- М.: изд. МГУ, 1972, с. 286−291.
  85. Ю.Д. Использование волоконно-оптических и микроканальных пластин для получения каналограмм. Труды УШ всесоюзн. совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с кристаллами, Москва, 1976, — М.: изд. МГУ, 1977, с. 252−257.
  86. В.В. Разработка метода наблюдения каналирования с помощью точечного альфа-источника и изучение некоторых его закономерностей в тонких кристаллах. Дисс.. канд. физ-мат. наук. — Ташкент, ТашГу, 1972, 136 с.
  87. В.В. Об угловом распределении каналированных частиц при отсутствии коллимации падающего пучка. Труды Ш всесоюзн. совещ. По физике взаимод. заряж. частиц с монокристаллами, Москва, 1971. М.: изд. МГУ, 1972, с. 65−73.
  88. А.А., Азизбаев P.M., Завьялов Г. И., Серебро Ю. Д., Скворцов В. В. Наблюдение каналирования в монокристаллах нафталина. Труды УШ всесоюзн. совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с кристаллами, Москва, 1976.- М.: изд. МГУ, 1977, с. 247−251.
  89. Ибрагимов III., Завьялов Г. И., Скворцов В. В. Наблюдение каналирования альфа-частиц в кристаллах висмута. Труды X всесоюзного совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с кристаллами, Москва, 1979.- М.: изд. МГУ, 1981, с. 246−250.
  90. Ю.Д. Особенности формирования картин каналирования на кристаллах золота толщиной 350 и 1100 Труды XI всесоюзн. совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с кристаллами., Москва, 198I. М.: изд. МГУ, 1982, с. 159−163.
  91. A.A., Махмуд Х.Сайед, Скворцов В. В., Изучение некоторых характеристик каналограмм j/a
  92. Махмуд Х.Сайед. Основные закономерности каналирования альфа-частиц в некоторых щелочногаллоидных кристаллах. Дисс.. канд. физ-мат. наук. — Ташкент, ТашГУ, 1977, 131с.
  93. В.В. Влияние малых деформаций изгиба тонких монокристаллов на угловые характеристики каналограмм. Труды 1У Всесоюзн. совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с кристаллами, Москва, 1972. — М.: изд. МГУ, 1973, с. 197−200.
  94. Ю.Д., Завьялов Г. И., Скворцов В. В. Одновременное наблюдение каналирования и эффекта теней с помощью альфа-источников. Труды У1 Всесоюзн. совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с кристаллами, Москва, 1984. — М.: изд. МГУ, 1975, с. I58−161.
  95. A.A., Завьялов Г. И., Серебро Ю. Д., Скворцов В. В. Влияние радиационных дефектов на основные параметры каналограмм. Труды У1 Всесоюзн. совещ. по физике взаимод. заряж, частиц с кристаллами, Москва, 1974. — М.: изд. МГУ, 1975, с. 162−165.
  96. Г. И., Скворцов В. В., Серебро Ю. Д. Изучение влияния тепловых колебаний на каналирование альфа-частиц в монокристалле кремния. в сб.: Ядерная физика. № 627. — Т.: изд. ТашГУ, 1980, с. 50−57.
  97. В.В., Серебро Ю. Д., Завьялов Г. И. Применение точечных альфа-источников для изучения закономерностей каналиро-вания в кристаллах. В сб.: Ядерная физика. № 627. — Т.: изд. ТашГУ, 1980, с. 58−72.
  98. Г. И., Скворцов В. В., Серебро Ю. Д. Изучение предельных условий каналирования альфа-частиц в кремнии. Труды
  99. XI Всесоюзн. совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с кристаллами, Москва, 198I. М.: изд. МГУ, 1982, с. 164−168.
  100. Г. И., Скворцов В. В., Серебро Ю. Д. Влияние анизотропии тепловых колебаний на закономерности каналированияальфа-частиц в узких каналах кремния. В сб.: Радиофизика и спектроскопия, № 888. — Т.: изд. ТашГУ, 1982, с. 50−55.
  101. Г. И. Некоторые результаты по изучению эффекта канал ирования в кремнии методом каналографии. Ташкент, 1982. — 16 с. (Препринт/ИЯФ.: Р — 2 — 85).
  102. Г. И., Скворцов В. В., Серебро Ю. Д. Изучение декана-лирования альфа-частиц из плоскостных каналов {ill} и {ПО} кремния. Тезисы ХШ Всесоюзн. совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с кристаллами, Москва, 1983. — М.: изд. МГУ, 1983, с. 27.
  103. В.В., Завьялов Г. И. Каналирование в узких каналах кремния при пониженных температурах. В. сб.: Ядерно-физические методы контроля полупроводниковых материалов и металлов. — Т.: изд. «ФАН», 1984, с. 127−129.
  104. В.В., Завьялов Г.И.: Изучение плоскостного каналирования альфа-частиц в кремнии при различных температурах. -Ташкент, 1984. 16 с. (Препринт/ИЯФ.: Р — 2 — 146).
  105. Я.Е., Маркус A.M., Файнштейн А. Л. Протонография на просвет тонких металлических пленок. Труды Ш Всесоюзн. совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с монокристаллами,
  106. Москва, 1971.- М.: изд. МГУ, 1972, с. 170−177.
  107. А.Л. Определение произвольной ориентировки кристалла методом протонографии. Кристаллография, 1973, т. 18, с. 349−357.
  108. Г. П., Украинская Л. В. 0 роли электронов в деканалиро-вании частиц из плоскостного канала монокристалла. Тезисы1У Всесоюзн. совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с кристаллами, Москва, 1972. М.: изд. МГУ, 1973, с. 193−196.
  109. М.А., Эльтекова В. В. 0 торможении заряженных частиц в кристаллах. Вестник МГУ, Физика, 1969, № 3, с. II8-I2I.
  110. Могу J. La decanalisation par obstruction.- Rapport CEA-R-4745″ 1976, p.35−37.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!