Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Гетерогенные равновесия в системе GaAs-Bi; получение и свойства эпитаксиальных слоев GaAs

Диссертация: Гетерогенные равновесия в системе GaAs-Bi; получение и свойства эпитаксиальных слоев GaAs
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В результате выполнения работы выявлен характер физико-химического взаимодействия компонентов в системе Ga — JU — Bv, для области составов и температур (частный треугольник Ga-GaAs-bC, Т" 700−900°С), представляющих интерес для ЖЭ GaJls, легированного BL. Показано, что разрез GaJU-Bl является квазибинарным и триангулирующим, система характеризуется положительным отклонением от закона Рауля… Читать ещё >

Содержание

  • Введена е
  • Глава I. Физико-химические особенности поведения ИБП в GcJs
    • 1. 1. Основные черты поведения примесей в арсениде галлия
    • 1. 2. Изовалентные примеси
    • 1. 3. Физико-химические взаимодействия в системах G a A S -ИБП
    • 1. 4. Влияние ИБП на свойства Ga^s
    • 1. 5. Постановка задачи диссертационной работы
  • Глава 2. Исследование гетерогенных равновесий в системе GqJU-BL
    • 2. 1. Изучение фрагментов диаграммы состояния системы Gcq — As — ВС методом ДТА
    • 2. 2. Измерение давления пара в системе
  • Ga-Jls-Bil методом Кнудсена
    • 2. 2. 1. Аппаратура и методика эксперимента
    • 2. 2. 2. Экспериментальные результаты
    • 2. 3. Обсуждение результатов
  • Глава 3. Изучение влияния условий 1ФЭ на основные характеристики эпитаксиальных слоёв
    • 3. 1. Аппаратура для ЖФЭ GaJls<Вс>
    • 3. 2. Методика эксперимента
      • 3. 2. 1. Подготовка аппаратуры и исходных материалов
      • 3. 2. 2. Режимы выращивания эпитаксиальных слоёв
    • 3. 3. Характеристики эпитакспальных слоёв. Gcufts
    • 3. 3. 1, Морфология поверхности.943.3.2, Толщина слоёв
      • 3. 3. 3. Структурные характеристики слоёв
      • 3. 3. 4. Состав и химическая однородность
      • 3. 3. 5. Построение кривых фазовых равновесий в системе Grcix/ls-fcL
    • 3. 4. Обсуждение результатов
  • Глава. 4, Исследование электрофизических и оптических сеойств эпитаксиальных слоёв Gra^s
    • 4. 1. Электрофизические параметры эпитаксиальных слоёв
      • 4. 1. 1. Методика исследования
    • 4. 1. 2, Экспериментальные результаты
    • 4. 2. Спектры фотолюминесценции эпитаксиальных слоёв
      • 4. 2. 1. Методика исследования
      • 4. 2. 2. Экспериментальные результаты
    • 4. 3. Обсуждение результатов
  • О б щ и е в ы в о ды
  • Л и т е ра ту р а

Гетерогенные равновесия в системе GaAs-Bi; получение и свойства эпитаксиальных слоев GaAs (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В последнее время (1979;1983 гг) возрос интерес к процессам легирования эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений типа изовалентными примесями (ИБП) элементов Ш и У групп Периодической системы Д. И. Менделеева. Рядом советских ученых была показана перспектива использования ИБП для улучшения качества полупроводников снижения концентрации фоновых примесей, уменьшения температуры п-р инверсии при выращивании слоёв, улучшения их кристаллической структуры и др. Поведение таких ИВП, как индий, сурьма, в некоторой степени и фосфор, в арсениде галлия изучалось многими авторами. Однако, механизм действия ИВП до сих пор является дискуссионным. Кроме того, среди использованных ИВП практически отсутствовал висмут, применение которого представляется перспективным в силу малого коэффициента распределения между жидкой и твердой фазами, т. е. ожидаемым влиянием висмута на свойства выращиваемых слоев GaJls преимущественно через жидкую фазу.

Весьма актуальной задачей является выяснение физико-химических особенностей поведения ИВП в полупроводниках с целью использования их для улучшения качества получаемых материалов.

Данная работа посвящена изучению поведения примеси Bi. в GaJU при получении эпитаксиальных слоев методом жидкофазной эпи-таксии (ЖЭ).

В связи с этим целью данной работы являлось изучение гетерогенных равновесий в области трехкомпонентной системы Ga-JUBi, представляющей интерес для разработки режимов ЖЭ арсенида галлия, легированного висмутом, исследование условий получения и основных характеристик эпитаксиалышх слоёв Grails < Ъ1У «.

В результате выполнения работы выявлен характер физико-химического взаимодействия компонентов в системе Ga — JU — Bv, для области составов и температур (частный треугольник Ga-GaAs-bC, Т" 700−900°С), представляющих интерес для ЖЭ GaJls, легированного BL. Показано, что разрез GaJU-Bl является квазибинарным и триангулирующим, система характеризуется положительным отклонением от закона Рауля, а общее давление пара над растворами-расплавами определяется преимущественно давлением пара висмута.

Изучено влияние условий Шд GawAsна состав, химическую однородность, морфологию и структурное совершенство эпитак-сиальных слоёв при одновременном использовании висмута в качестве растворителя и легирующей примеси. Определены коэффициенты распределения (Кв.) и растворимость (С^?) висмутапри этом установлено, что величина Kg. возрастает с повышением температуры то кристаллизации, а максимальная растворимость висмута (~8.10 см ^ рассчитанная на основе экспериментальных данных с использованием модельных представление термодинамики растворов, достигается при температурах I050-II50°C.

На основе диффузионной модели массопереноса в жидкой фазе с учётом полученных в эксперименте толщин эпитаксиалышх слоёв рассчитаны коэффициенты диффузии растворенных компонентов в растворах-расплавах на основе висмута.

Исследовано и проанализировано влияние bi. на основные электрофизические и оптические характеристики эпитакспальных слоёв арсенида галлия.

Положения, выносимые на защиту:

I. Разрез Ga As — BL трехкомпонентной системы Ga — Д s — ВС является квазибинарным и триангулирующим.

2. Общее давление пара над растворами-расплавами Groi-JU-BC в интервале 700−900°С определяется давлением пара висмута,.

3. Взаимодействие компонентов в жидких растворах описывается моделью строгорегулярных растворов с параметром взаимодействия 2390 Дж/моль.

4. Взаимодействие компонентов в твердых растворах GaJU-БС на основе арсенида галлия описывается моделью квазирегулярных л растворов с параметром взаимодействия ОС = 182 320 — 112Т>Дж/шль (Ттемпература К)•.

5. Использование fti в качестве растворителя при жидко разной эпитаксии открывает перспективу получения слоёв GraJis с пониженной концентрацией фоновых примесей.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ.

1. Установлено, что разрез GaAs-ВС трехкомпонентной системы Ga — .AsЪ1 является квазибинарным и триангулирующим, благодаря чему висмут может быть использован в качестве растворителя при получении эпитаксиальных слоёв Grails <1 ВО методом жидко$азной эпитаксии.

2. Показано, что взаимодействие компонентов в квазибинарной системе Ga .As — BL при температурах, превышающих температуру ликвидуса характеризуется положительным отклонением от закона Рауля" Общее давление пара над растворами-расплавами GraJlsBl в области температур 700−900°С определяется главным образом давлением пара висмута, что позволяете принципе, использовать для получения эпитаксиальных слоёв Grails< BL> изотермический вариант ШЭ с испаряющимся растворителем.

39 Определены коэффициенты распределения висмута в условиях получения эпитаксиальных слоёв Ga-fls из висмутовых раствос роверасплавов: установлено, что величина Кввозрастает от 5.10 до 2,8.10″ ^ с повышением температуры кристаллизации от 700 до 800 °C,.

4. На основе экспериментальных данных по составу эпитаксиальных слоёв GraJs < BL> с привлечением термодинамических моделей растворов оценены параметры взаимодействия для жидкой (&) и твердой (0ств) фаз в системе GaAs — Bi. и рассчитаны кривые предельной растворимости висмута в арсениде галлия для температур 400−1200°С. Показано, что максимальная растворимость на уровне ~ 8.10*®-см" «®достигается при температурах Ю50−1150°С.

5.Установлено, что кинетика роста эпитаксиальных слоёв из висмутовых растворов-расплавов лимитируется преимущественно диффузионными примесями в жидкой фазе, а значения коэффициентов диффузии атомов растворенных компонентов изменяются в пределах ~(0,7+1,3), Ю" 5 см2/с в температурном интервале 700−800°С.

6. В результате измерения электрофизических параметров и исследования спектров фотолюминесценции эпитаксиальных слоёв Grails установлено, что легирование висмутом приводит к уменьшению концентрации мелких доноров и увеличению степени компенсации мелких примесей в арсениде галлия. Показано, что наличие фоновых цримесей, в частности меди, мэжет в значительной мере нивелировать влияние веодимой изовалентной примеси.

Автор выражает глубокую благодарность научному руководителю, лауреату Государственной премии, профессору, доктору физико-математических наук В. И. Фистулю за предложение темы исследований, постановку работы, неоценимую помощь на всех этапах ее выполнения, а также за повседневное внимание и теплое человеческое отношение на протяжении Есего срока обучения в аспирантуре МИТХТ им. М. В. Ломоносова.

Автор искренне признателен научному консультанту, доценту, кандидату технических наук Р. Х. Акуурину за систематическую помощь, обучение тонкостям технологии, дружеское отношение.

Автор также благодарен проф., д.х.н.В. Б. Уфимцеву за обсуждение результатов термодинамических исследований, с.н.с., к.х.н.С.Б.Ев-геньеву, м.н.с., к.х.н. В. Г. Зиновьеву, инж.Б. Г. Вишневскому и другим сотрудникам кафедры технологии полупроводниковых материалов за помощь в проведении экспериментальных исследований.

Показать весь текст

Список литературы

  1. М.Г., Пелевин О. Н., Сахаров Б. А. Физико-химические основы получения разлагающихся голупроЕодниковых соединений. -М.:Металлургия, 1974.-392 с.
  2. Patusft М-.В-, liec^ems М. Pfiase E^uMria, lit Ternary1(1-V systems Progress in So&d Sfcrte Cflewistrij, v.*, РЯ-33−83.
  3. Андреев B.M., Долгинов Л Л. .Третьяков Д. Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроюдниковых приборов. Под ред. Алфёрова Ж.И.-М.:Сов.радио, 1975.-328 с.
  4. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение. Под ред. Кесаманлы Ф. П. и Наследова Д.Н.-М.:Наука, 1973.-472 с.
  5. О.В., Гимельфарб Ф. А., Мильвидский М. Г. и др. Политермический разрез GaJU -Ни. .-Изв.АН СССР, Не органические материалы, 1972, т. 8 вып.6, с.1049−1052.
  6. ТесЯиоеодо.- X Cry st. Growl*, 49H>v. 27, (И, pp. 5.
  7. Rosztoczi^ F. E., Long S.I., Kuicsfiita. 1. LPE GqJls formicrowave аррбСсчКоц 0″. Cryst. Growlfl j 49T4, 205−214., II. Turner W. У, Petitt G.J., Жи$(ле Ы- G- luvnLr*sсексе of GaAs in Oxi^eu. J. %?. PflyS., 496b- v. 3- pp. 32H — 32?6 .
  8. Т.К., Боборыкина E.H. и др. Электронфононное взаимодействие при оптических переходах глубокий примесный уровень -разрешённые зоны в арсениде галлия, легированном медью.-«Физ. соедин. А%5.Материалн Всес.Конф.», Л., 1979, с.114-П7.
  9. Ю.Г., Дворецкий С. А., Залетин В. М. Природа и источники неконтролируемого легирования эпитаксиального арсенида галлия.-Электронная техника, сер.12,1974, вып.3(21), с.59−60.
  10. Е.В., Мильвидский М. Г., Сабанова Л. Д., и др. Роль примесей и дефектов в формирование свойств нелегированных слоев арсенида галлия.-Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 4.2,1977, с.248−252.
  11. М.Г., Соловьёва Е. В. Электрические свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированных кремнием.-ФТП, 1979, т.13,вып.3, с.553−557.
  12. Look 1 .С., Pomrenke Gemot S. Л study о Лг О, А еЛ/ conversion. acceptor in GaJU — J- Лррв. P^S-, 4985, v. Ы ,№ 6, pp. 32Ц-9−3254 .
  13. Е.Ф., Недзевецний Д. С. Тонкая структура времен затухания полос краевого излучения в кристаллах GiqP .-ДАН СССР, 1963, т.152,с.309−312.
  14. С raja W. Isoedectroviic i три г i ties in semiconductors Fes1-когрегргоб^ете,974, V- 5, NiAi, pp. 65 .
  15. Яест. P.J. Recow6i. nq1fow processes assosiaUcl wilfl slates in gaUumi phosphide У Luminescence > 49>0, v. A } pp. 398-•
  16. Д.З. Излучательная рекомбинация через изоэлект-ронные ловушки.-В сб.:Материалы Пятой Зимней школы по физике полу проводников. -Л., 1973, с.219−256.21• Сирота Н. Н. Физико-химическая природа фаз переменного состава.-Минск,"Наука и техника", 1970,
  17. Van Veckten > Thurmond С. 3). Entropy, о| ionization avid•temperature variation of ionizalicn CeveCs of defect in Semiconductors Phys. Rev. В, 4976, v. 44, № 8, pp. 3539- 355*0 .
  18. В.К., Дойчо И. К., Петухов А. Г. Локальная плотность электронных состояний в полупроводнике с дефектами.-ФТП, 1980, т.14,вып.I, с.7−12.
  19. HopjieCd J.J., Thomas 3). G., Lynch R.T. Isoefiecfromc donors and ac&eptors phys. Re* Letters, <1966, v. 0,/V"6, pp. 312-Ы5 •
  20. Che6ikoy"sky J. R., Phi-Ctips J. C. Quantum defect Hhtory of beats of formation and structural «transition energies of iiquicj and Sotid simp6e metaP абЕоуь and compounds P/iyft. R"v. 6, -1978 > v./l?, Ns6, pp.2453−24??.
  21. Н.В., Уфимцев В. Б., Фистуль В. И. „Очистка“ арсенида галлия изовалентными примесями.-Письма в ЖКБ, 1982, т.8,вып.10,с.620−623.
  22. Ю.Ф., Ганина Н. В. Мильвидский М.Г., Чалдышев В. В., Шмарцев Ю. В. Фотолюминесценция твердых растворов Got S6X и Ga^jfn^s (* 0,01).ЖП, 1983, т.17,вып.1^ O. I08-II4.
  23. Ю.А., Васильков В. М., Дорошенко Н. А. Зависимость энергии ионизации флувтуационных уровней в твердых растворах 7n Btx от температуры и давления.-4ТП, 1977, т. II, вып.11,c.22I5−22I6.
  24. P.X., Зиновьев В. Г., Уфимцев В. Б., Бублик В. Т. Морозов А.Н. О донорной природе виседута в антимониде индия.-ФТП, 1982, т.16,вып.2, с.202−206.
  25. BaCdereschL Л. Theory of isoeCec+ronic iraps.- J. Luminescence > 49 75, v. 7 j MM, pp. 7<3- 9A .31* fWeftds S.T. The efectrcmit structure oj impurifias cmd other poirjl defects „и Semiconductor* Rev. Mod. phys., 4976, v.50, 4 j pp.79?-858 .
  26. Берг А., Дин P. Светодиоды.-Пер.с англ. под ред. Юно ей ча А.Э., М.: Мир, 1979,-686 с.
  27. Захаров А.Ю., Щербак Я, Я. Локальные уровни в твердых растворах.-ФТП, 1976, т.10,выл.4, с.775−777.
  28. PhiWps J. С. HieCLclric Theorg Iwpur’i^ BlhcIiV^ Energies. IT.
  29. Dene" — and Isoefectfomc Impurities „и GaP--phys. Rev. v.^Ns/^pp.isvS'-iHe.
  30. Шел LVl. Isoeieclvowc impurities w sermconduttors: a survey oj Ending mecRamsms J. Phi^s. С Sofrd St. PhflsUi, 1974, pp. 4936 4944 •
  31. Е.Б., Петухов А. Г., Баженов B.K. Резонансный уровень сурьмы в арсениде галлия.-ФТП, 1981, т.15,вып.4,с.768−771.
  32. Е.А., Петров А. Л., Хабаров Э. Н. Примесные состояния кремния в германии"-ФТП, 1981, т.15,вып.5,с.985−987.
  33. Е.В., Рытова Н. С., Мильеидский М. Г., Ганина Н. Б. Электрические свойства арсенида галлия, легированного изовалент-ными примесями (GaAs: S6, GaJls 'Лп).-ФТП, 1981, т.15,вып. II, с.2141−2146.
  34. Н.С., Соловьёва Е. В., Мильвидский М. Г. О механизме воздействия изовалентных примесей и 56 на ансамбль точечных дефектов в GqJU .-ФТП, 1982, т.16,вып.8,с.1491−1494.
  35. А.Н. Оптические переходы в полупроводниковых твердых растворах.-ФТП, 1977, т. П, вып. З, с.425−455,41“ Fe? dman Herqenro"to К.М. RatialiVe RecovnfetMalion af Isoefoctroyuc pornt Iefe. ct- м Ge.-J. App€. pHys. v. 13, pp. 5563−5568.
  36. Morgan T.N., Wetter Б.- Bhar^avq R. A/. Optical properties o{ Cd-0 and Hw-О Compeers m GaP p^s. R*v., 4G66, v. 466 j pp. 751−753.
  37. Неиг^ С.Н. jleqnP. J., Cu+hfeert J.D. IVew Red Pair Luminescence -fi-cm Gq P. — Phys. R*v.) >1968, v. 466 } Ni Ъ } pp. 75*4 756 .44. lean P. J. Isoetectronic"Trap Li-Li-0 in GaP. ptu.js. RtV. Bj A97<, pp. 2596- 2642 .
  38. Strmgfei€ow G.6., Ho№ Т.Н., Burmei ster G-P. Etectricaf properties of ti’ibrogevi doped GaP-- J. Appt PH^s ., 4975, v. № 7, pp. 3006-„3044.
  39. K^imon G.G., Dicker M.F. Nitrogen sides vj Ga (AsP) and ihe £см§-- гаи^г, short- rang? modeC: a sgsfemalic Sludg — Rev. В, separataS-003-fg,
  40. A.B., Лазарев В. Б. и др.Физико-химические свойства полупроводниковых веществ.Справочник.-М.:Наука, 1979,-340 с.
  41. Л. Фазовое равновесие в системах .-В кн.: Технология полупроводниковых соединений. Под ред.Нашельского.М.: Me таллургия, 1967, с.23−33.
  42. В.Б., Акчурин Р. Х. Физико-химические основы жид-кофазной эшатаксии.-М. :Металлургия, 1983,-224 с.
  43. Лу1%а5 б, ft. Liquid phase epilog oj %x 6As. — J- Etectron-cherruSoc., 4970, v. 447, A/2 M, pp. 4393- 4597 •
  44. Wagner J. W. Preparalibn and properli’ei of feu6kalto^ s — J* EtecirocVtem. Soc. j 4970^ v. >147 ,^9, pp. 4495-ИЗ* .
  45. WuT.V., Pearson G.L. Phase diagram, cr^sM ^row/th q"d ftand structure О4 Уих Gq ^xj|s J. Phyi. Chew.
  46. PoCEack M.A., Л/ahor^ R.E., leas L.V. Liquidus sofidui isolhermsin 4he 3"" — Ga -As system — J- Efcctrochem. Soc., 4975″, v. 44, pp. 4550−4552.
  47. ЛиЦраь Q.i. GQ-GqP-GaJ)s ternary phase digram--J. Eeectrochem. Soc. v.*!7, Nt 5, pp. ?0t> *03.
  48. Panish M.B. Galium-
  49. MUeeer E.K., Ricbcirds J.J. NUscigifrfy of HI V semiconductors studied 8^-jfiash evaporation. — J. Appt Phgs., 4961*, v. Ъ5, p. .
  50. Avityp<*“ G. Лм James L. W- Ucjuid epitoxiaC „jrovrttf oj GqJ) sS& and Us use as a Kigb-efficiency, Cong-vMveeen^thlhrtshoCd photoemittes .-J
  51. Phys., 4970, v. M,, PP- 2165- 2475 .
  52. Nahonj R.E.^Poeeack Wmt"r J.C., Wtfiams K. M- Growth and yro-yertes o| ttquid-phase epitaxtae Gafts,^ —1 App (. vAMJ/“, pp.1607-
  53. Соловьева E.B., Каратаев В. В., Мильвидский М. Г., 0свен-ский В.Б., Столяров О. Г. Влияние типа и концентрации точечных структурных дефектов на электрофизические свойства не легированного арсенида галлия.-ФТТ, 1972, т.14,вып.2, с.528−532.
  54. Уо"о И-, Suzuki У., yshi/ Т., Matoishirn<�“ Kimato W. Mofecufar fameptwy GaS6 qnd GaS6xAs1. jf Japanese J. phgs., 4970, у. ЩММ, PP- 2094−2096.
  55. Take"aka Jnoue M.-SuVqJaji J. Growth of GeAs^S^ cryslafs By, steady state E^uid- phase epitoxy J. phys. T ph^s.^976 jV-^ j L94 — Lg? T.
  56. Foster L.M., Woods J.F. Thermodynamic qnq^sis cj U-V aCCo^s semiconductor phase diagrams 1 Eiectrothervi 5oc-, 4972 } v. /V* kjpp. SOI» 507 .- 157
  57. Koichi Sugii^amq and Kunishige Ое- Phase TKci grain oj-1he GaAs^ system — Japan- J. Appi Fh^S- - 4977, v.46,AM, pp. 497- >196 .
  58. H.B., Мильвидский М. Г., Ухорокая Т. А. Особенности поведения сурьмы при жидкофазной эпитаксии арсенида галлия.-Изв. АН СССР.Неорган.материалы, 1981, т.7, № 9, с.1537−1540.
  59. A.M. Диаграммы состояния двойных и тройных систем. -М. :Металлургия, 1978.-с.214.
  60. Л. — Kwhn G. Phasendiq^ramme von Geitem.IV. Losfiichkei ten von Verfrndungen in MetaCten -- J. Uss- Common MeMs, 4971″, V-37, pp. $ 40−342 .
  61. R*6ehstem M. SoeufeiCities oj GaAs in МеМ? Гс SoCverifs.- J. Eleclrc-chem.Soc., 49 € 6, v. Ate 7, pp. 752−75 5 .
  62. Ю.М., Гашимзаде Ф. М. и др.Арсенид галлия. Полу-чение и свойства. Под ред. Кесаманлы Ф. П. и Наследова Д.Н.-М.: Наука, 1973. -472 с.
  63. .И., Корольков В. И., Маслов В. Н. и др.Исследова-ние вольтамперных характеристик диффузионных р-п переходов в
  64. Ga Jls0j6g P0j55 .-^ТП, 1967, т. I, вып.2,с.260
  65. Анастасьева Н.А., Бублик 3.Т., Григорьев Ю. А. и др. Иссле-дование точечных дефектов в арсениде галлия, легированном изова-лентными примесями.-Кристаллография, 1982, т.27,вып.6,с.1140−1142.
  66. Е.В., Мильвидский М. Г., Ганина Н. В. Электрические свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия с изовалентны-ми примесями $? и Dn .-ФТП, 1982, т.16,вып.Ю, с.1810−1815.
  67. Ф.П., Коваленко В. Ф., Марончук И. Е. Влияние алюминия на фотолюминесценцию арсенида галлия.-В сб.:Арсенид галлия.-Томск, 1974, вып.4, с.60−63.1. VerBinduriQSfiqE
  68. Апшинадзе Б.М., Рыбкин С. М., Ярошецкий И. Д., Термическая и ударная ионизация экситонов в GqP при двухфотонном возбуждении. -ФТП, 1969, т. 3, вып. 4, с.535−540.
  69. В.В., Царенков Б. В. Статистическая теория эк-ситонной рекомбинации электронов и дырок в полупроводниках.-ФТП, 1970, т.4,вып.5,с.923−932.
  70. Bachrath R.Z., Lorimor 0.6. Meqsuremerit c?{ 1Ке extrinsicroom-temperature minori'/g carrier? i-fetime m GaP.- J. Яррt- Pbys.,972., v. 43, Nt- 2, pp. BOO 507 .
  71. A.M. Основы механики кристаллической решетки.-М.: Наука, 1972,-280 с.
  72. В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов.-М. .'Металлургия, 1977.-240 с.
  73. В.й. Распределение амфотерной примеси по подре1. Ш Ушеткам многокомпонентных твердых растворов AhBj .-ФТН, 1983, т.17, вып.6,с.II07-III0.
  74. В.Я., Погодин С. А. Основные начала физико-химического анализа.-ГЛ.: АН СССР, 1947.-876 с.
  75. Л.Г. Введение в термографию.-М. :Наука, 1969.-295 с.
  76. С.Б., Ганина Н. В. Фазовые равновесия в системе Ga-Bi -6аЛ$ .-Изв. АН СССР, Не органические материалы, 1984, т. 20, № 4, с.561−562.85″ Несмеянов Ан.Н. Давление пара химических элементов.-М.: Изд. АН СССР, I96I.-396 с.
  77. А.В. Термодинамическая химия парообразного состояния. -Л енинградскоё отделение: Химия, 1970.-208 с.
  78. Полупроводниковые соединения .Под ред. Роберта Виллар-дсона и Харвея Геринга.Перв.с англ. Вигдоровича В. Н. и Нашельского А.Я.- М.:Металлургия, 1967.-728 с.
  79. А.Н., Сазонов Л. А. Измерение давления насыщенного пара хлористого калия и парциальных давлений пара компонентов системы КС6 R&ce методом радиоактивных индикаторов.-ЖНХ, 1957, т.2,гё 5, с. П83-П89.
  80. Т. Термодинамические данные и упругость диссоциаттт уции важнейших соединений, А В .-В кн.: Новые полупроводниковые материалы, М., 1964, с.51−60.
  81. Arthur J.R. Vapor pressures and phase ecjuitt6rioi in ihe Go-Ms System J. Phi^s. С hem., -1967, v. 2B, № 44, pp. 22F7- 2267 .
  82. Titricb N. H-, Netson N. Liquid pbase e. pitaxia? growtt of GermaniumR. C. A. Enters } 1970, v. pp. 49−24.
  83. Uehon H. EpUamat growth -from -the liquid state and ik appfrcqlCen of funnel and €aser dieses RCA Rev-, 4965, v. 24, h, ??-603- € 45 .
  84. Грачев В.М., Сабанова Л. С. Методы и аппаратура жидкостной эпитаксии.-М.: Д974,
  85. В.Б., Акчурин Р. Х. Физико-химические основы жид-кофазной эпитаксии.-М.:Металлургия, 1983.-224 с.
  86. .Д., Перевощиков В. А., Возмилова Л. Н. и др.Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников. Под ред. Луфт Б. Д, -М.:Радио и онязь, 1982.-136 с.
  87. Болховитянов Ю.Б., Болховитянова Р. И., Гуторов Е. И. .Мельников П. Л. Некоторые особенности нелегированных тонких слоев арсенида галлия методом жидкостной эпитаксии.-Электронная техника, серия 6 «Материалы», 1972, вып.2,с.54−57.
  88. HiieA J.J. Thickness and surface morphoPog^ oj GaJib LPE Eatersrown supercoofthg, st€p- cooing } equi8i*6riMrrj- cooting, and -iwo-phase, so^ulion lechniques J. CrtjstaC Grow/lb, A974jV. Ztf, ДМ2, pp. •
  89. I’m Longing, Fang Zhqocjiang, et. Growth artd properties of high purity LPE-GaAs — J. СгуЫ Growfb, 49Q2, v.56 pp. 533−540.
  90. Hicks H.&. and NWetj D.F. purify GaAs S^ ^'quid phqse epitiwi^ SoEid Slate Commun. f 4969 j v. 7> pp. И463- 4465 .
  91. Hi kej (ro Miki and Mutsuijuki Otsw^o. High purity GaAs Crystals
  92. Grown Gij Liquid Phase Epitaxy.- J. J) pp?- Pbgs. l№ 2,pp.509. BM 102″ Bauser E. 5u8stra1e orientation and surface morpho? ogy of Ga-As liquid phase epitaxiqC? ayers. J. Cr^s1a€ Growth 3 4974 j v. 27, i, pp. И48- 153 .
  93. В.Т., Дубровина А. Н. Методы исследования структуры полупроводников и металлов.-М.:Металлургия, I978.-272 с.
  94. Бочкэдев В., И. Кеирим-Маркус, Львова M. tПрислан Я. Измерение активности источников бета- и гамма-излучений.-М.: Академия наук СССР, 1953.-242 с.
  95. К.Б., Иофл Б. З., Лукьянов В. Б. и Богатырев. Метод радиоактивных индикаторов в химии.-М.:Высшая школа, 1964.-372 с.
  96. Радиоактивные изотопы и меченые соединения.Каталог.-М.: Атомиздат, 1964.-341 с.
  97. В.Б., Лобанов А. А. Гетерогенные равновесия в технологии полупроводниковых материалов.-М.:Металлургия, 1981.-216 с.
  98. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник.-М.:Наука, 1979.-339 с. с илл.
  99. Термодинамические свойства неорганических веществ.Справочник. -М.:Атомиздат.-460 с. с илл.
  100. Маделунг 0, Физика полупроводниковых соединений элементов Ш и У групп. Перевод с английского. Под ред. Болтанса Б.И.- М.: Мир, 1967.-480 с.
  101. В.И. Введение в физику полупроводников.-2-е изд., перераб. и доп.-М.:Высш.шк., 1984.-352 е., ил.
  102. WaEukteu/icz ИЛ, LagpWski J., and Qqos И-С. Electronmo§ i?ity in y -1^pe Ga^S at 77 K- determincMon of ihe compensation ratio J. Mp? e. Pbys., /98253, AM, pp. 763−770 .
  103. М.Г., Соловьева Е. В. Матер.2 Всес.совещ. по глубоким уровням в полупроводниках, ч.2.Ташкент, 1980, с. 73.
  104. Бирюлин Ю.Ф., Ганина Н. В., Чалдышев Ь. В. .Фотолюминесценция твердого раствора GqJs, (х < 0,01).-ФТП, 1981, л —)чт.15,вып.9,с.1849−1852.
  105. П7. QuisBain Н. J., De Wafcf L. > Clau. ws P. A coherent wiodeCfo de*p бгмеС photo Cumins сел се of Cu-corflarmnatec/ IMype GaJssin$& crystal — J. Electron. Mater., 1978, v. 7, tffi 4, pp. S5 406 .
  106. Н.С., Аширов Т. К., Гуткин А. А. Пьезостробоско-пическое исследование полосы рекомбинационного излучения с максимумом около 1,35 эВ в GaJls, легированном медью.-ФТПД981,т.15,вып.10, с.1970−1977.
  107. Н.С., Аширов Т. К., Гуткин А. А. Анизотропное подавление эффекта Яна-Теллера в глубоких примесных центрах в полупроводниках при одноосном давлении.-ФТП, 1982, т.24,вып.7,с.2046−2052.
  108. Н.С., Аширов Т. К., Гуткин А. А. Примесная фотолюминесценция в Ga Js Си около 1,36 эВ в условиях одноосного сжатия по направлению III. .-ФТП, 1983, т.17,вып.I, с.97−102.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!