Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Исследование и разработка двухколлекторного биполярного магнитотранзистора с повышенной магниточувствительностью

Диссертация: Исследование и разработка двухколлекторного биполярного магнитотранзистора с повышенной магниточувствительностью
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Эффективным методом решения поставленных задач является приборно-технологическое моделирование, позволяющее без проведения многочисленных натурных экспериментов получить представление о происходящих внутри прибора физических процессах, а также установить влияние отдельных конструктивно-технологических параметров на электрические характеристики ДКБМТ и на его ОТЧ. Методика комплексного… Читать ещё >

Содержание

  • ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
  • Глава 1. ПОСТРОЕНИЕ МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫХ МИКРОСИСТЕМ НА ИНТЕГРАЛЬНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ МАГНИТНОГО ПОЛЯ
    • 1. 1. Применение датчиков магнитных полей в науке и технике
    • 1. 2. Интеллектуальные интегральные сенсорные микросистемы, сформированные на основе КМОП процесса
    • 1. 3. Возможные преобразователи магнитного поля интеллектуальной микросистемы
    • 1. 4. Класс магнитотранзисторов
    • 1. 5. Двухколлекторный биполярный магниточувствительный транзистор — преобразователь магнитного поля интегральной микросистемы
    • 1. 6. Критерии качества двухколлекторного биполярного магниточувствительного транзистора
    • 1. 7. Физические эффекты, на которых работают ДКБМТ, и факторы, позволяющие повысить чувствительность
    • 1. 8. Моделирование структур латерального биполярного двухколлекторного транзистора
    • 1. 9. Выводы по первой главе и постановка задачи
  • Глава 2. ИССЛЕДОВАНИЕ МАГНИТОТРАНЗИСТОРА МЕТОДАМИ ЧИСЛЕННОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ
    • 2. 1. Преимущества численного моделирования перед натурным экспериментом
    • 2. 2. Системы приборно-технологического моделирования
    • 2. 3. Этапы моделирования и основные уравнения для магнитотранзистора
    • 2. 4. Моделирование магнитотранзистора в среде ISE TCAD и способ обработки полученных результатов
    • 2. 5. Выбор математической модели расчета и калибровка основных параметров структуры транзистора
    • 2. 6. Настройка модели
      • 2. 6. 1. Тестовый кристалл (ТК)
      • 2. 6. 2. Численное моделирование структуры ДКБМТ
    • 2. 7. Выводы по второй главе
  • Глава 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ КОНСТРУКТИВНО ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ОТНОСИТЕЛЬНУЮ ТОКОВУЮ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ДКБМТ СРЕДСТВАМИ ISE TCAD
    • 3. 1. Описание исходной структуры ДКБМТ, технологии изготовления, принципа и режима работы в магнитном поле и в отсутствие его, инверсия знака относительной токовой чувствительности
    • 3. 2. Влияние дозы ионного пучка на формирование диффузионного кармана транзистора и относительную токовую чувствительность ДКБМТ
    • 3. 3. Влияние концентрации примеси в подложке на относительную токовую чувствительность магнитотранзистора
    • 3. 4. Влияние скорости поверхностной рекомбинации на относительную токовую чувствительность ДКБМТ
    • 3. 5. Исследование влияния расстояния эмиттер-коллектор на ВАХ и относительную токовую чувствительность магнитотранзистора
    • 3. 6. Влияние толщины подложки на относительную токовую чувствительность
    • 3. 7. Влияние положения контакта к подложке на относительную токовую чувствительность ДКБМТ
    • 3. 8. Влияние магнитного поля на дифференциальный ток коллекторов и относительную токовую чувствительность ДКБМТ
    • 3. 9. Влияние расположение базового контакта на относительную токовую чувствительность ДКБМТ
    • 3. 10. Выводы по третьей главе
  • Глава 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ КОНСТРУКТИВНО ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ НА ОТНОСИТЕЛЬНУЮ ТОКОВУЮ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ДКБМТ С ТОПОЛОГИЕЙ ЭМИТТЕР-БАЗА-КОЛЛЕКТОР
    • 4. 1. Описание структуры ДКБМТ
    • 4. 2. Расчет В АХ и относительной токовой чувствительности ДКБМТ
    • 4. 3. Влияние дозы и энергии ионного пучка на формирование диффузионного кармана транзистора
    • 4. 4. Влияние дозы легирования при созданиир+ областей охраны на величину относительной токовой чувствительности транзистора
    • 4. 5. Влияние концентрации примеси в подложке на относительную токовую чувствительность магнитотранзистора
    • 4. 6. Исследование влияния расстояния коллектор-эмиттер на ВАХ и относительную токовую чувствительность магнитотранзистора
    • 4. 7. Влияние положения и размера базового контакта на относительную токовую чувствительность транзистора
    • 4. 8. Влияние расположения контакта к подложке на ВАХ и относительную токовую чувствительность транзистора
    • 4. 9. Влияние скорости поверхностной рекомбинации на относительную токовую чувствительность транзистора
    • 4. 10. Исследование влияния режима работы ДКБМТ на токи электродов и относительную токовую чувствительность
    • 4. 11. Зависимость относительной токовой чувствительности и R-параметра ДКБМТ от индукции магнитного поля
    • 4. 12. Условия возникновения и способы повышения отрицательной относительной токовой чувствительности ДКБМТ
    • 4. 13. Выводы по четвертой главе
  • Глава 5. РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ ДВУХКОЛЛЕКТОРНОГО БИПОЛЯРНОГО МАГНИТОТРАНЗИСТОРА С ПОВЫШЕННОЙ МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЫО
    • 5. 1. Описание структуры, технологии изготовления и принципа действия ДКБМТ в двойном кармане
    • 5. 2. Влияние глубины «-кармана и толщины подложки на чувствительность транзистора
    • 5. 3. Влияние дозы легирующей примеси при формированиир-кармана (базы) и его глубины на величину относительной токовой чувствительности
    • 5. 4. Исследование влияния расстояния коллектор-эмитгер ДКБМТ в двойном кармане на его ОТЧ
    • 5. 5. Влияние величины индукции магнитного поля на относительную токовую чувствительность ДКБМТ в двойном кармане
    • 5. 6. Температурная зависимость относительной токовой чувствительности ДКБМТ в двойном кармане
    • 5. 7. Изготовление тестовых кристаллов и исследование электрических характеристик ДКБМТ в двойном кармане
    • 5. 8. Выводы по пятой главе
  • ВЫВОДЫ И ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

Исследование и разработка двухколлекторного биполярного магнитотранзистора с повышенной магниточувствительностью (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

: Одним из перспективных направлений современной полупроводниковой микроэлектроники является разработка датчиков магнитного поля (ДМП), способных определять направление и измерять величину магнитного поля. Они широко востребованы в медицине, в автомобилестроении, в дефектоскопии, в геологии при исследовании новых месторождений, при создании позиционирующих и навигационных систем и во многих других областях.

Исследование и разработка новых датчиков и устройств для измерения магнитного поля настолько важны, что несколько лет назад в микроэлектронике выделилось отдельное направление, получившее название микромагнитоэлектроника. Новое направление интенсивно развивается и на сегодняшний день насчитывает уже 3 этапа своего развития от создания простых приборов до формирования сложных полнофункциональных микросистем.

Использование существующих ДМП в составе современных интегральных устройств в настоящее время связано с определенными проблемами, среди которых главными являются низкая чувствительность ДМП к магнитному полю и отсутствие общей технологии изготовления функциональной интегральной схемы и ДМП. Актуальной задачей создания современных ДМП для их использования в составе микросистемы является разработка конструкции и технологии полного интегрального исполнения элементов датчика в рамках отработанной КМОП технологии.

Главным компонентом любой магниточувствительной микросистемы (МЧМС) является магниточувствительный элемент (МЧЭ), преобразующий магнитный поток в электрический сигнал. Наиболее важным параметром МЧЭ является магнитная чувствительность. Сравнительный анализ известных из литературы МЧЭ показывает, что наиболее подходящим из них для интегрального исполнения по базовому КМОП процессу является двухколлекторный биполярный магниточувствительный транзистор (ДКБМТ). Важными свойствами ДКБМТ являются линейность выходного сигнала, высокое разрешение, высокое отношение сигнал-шум, возможность создания трехмерных векторных датчиков магнитного поля. К недостаткам ДКБМТ следует отнести недостаточную относительную токовую чувствительность (ОТЧ) известных конструкций, которая не превышает 0,41л" 1.

Чувствительность ДКБМТ может быть существенно повышена путем оптимизации его структуры и разработки более совершенной конструкции. Однако сложные физические процессы в структурах ДКБМТ, обусловленные сочетанием биполярных транзисторных и гальваномагнитных эффектов, недостаточно изучены, что затрудняет поиск путей повышения его ОТЧ. Практически неизученным способом повышения чувствительности является известное из литературы явление электрического управления знаком выходного сигнала (инверсии знака) при неизменном направлении магнитного поля. Физическая природа этого явления до сих пор не исследована.

Эффективным методом решения поставленных задач является приборно-технологическое моделирование, позволяющее без проведения многочисленных натурных экспериментов получить представление о происходящих внутри прибора физических процессах, а также установить влияние отдельных конструктивно-технологических параметров на электрические характеристики ДКБМТ и на его ОТЧ. Методика комплексного исследования структур ДКБМТ с помощью приборно-технологического моделирования в настоящее время отсутствует. Разработка такой методики позволит глубоко изучить физические процессы в ДКБМТ, установить способы оптимизации его структуры и разработать новые структуры с повышенной чувствительностью.

Достоверность полученных с помощью приборно-технологического моделирования результатов необходимо проверить путем экспериментального исследования тестовых образцов разработанных новых структур ДКБМТ.

Целью диссертации является исследование и разработка структуры латерального двухколлекторного магниточувствительного транзистора с повышенной чувствительностью для использования его в качестве преобразователя магнитного поля интеллектуальной магниточувствительной микросистемы.

Для достижения поставленной задачи необходимо решение следующих научно-технических задач:

1) Разработать вычислительную модель структур ДКБМТ и методику их комплексного исследования с помощью приборно-технологического моделирования;

2) По разработанной методике провести комплексное исследование структур ДКБМТ, установить связь конструктивно-технологических и электрофизических параметров областей с электрическими характеристиками прибора и режимом его работы;

3) Численными методами исследовать физические процессы в различных структурах ДКБМТ, механизмы их магнитной чувствительности и определить доминирующие факторы при различных режимах работы;

4) Исследовать явление инверсии знака выходного сигнала ДКБМТ при заданном направлении магнитного поля и проанализировать факторы, приводящие к смене знака выходного сигнала, а также позволяющие повысить ОТЧ прибора;

5) Используя результаты моделирования, провести оптимизацию конструкции ДКБМТ по параметру относительной токовой чувствительности;

6) На основе проведенных исследований разработать и предложить новую конструкцию ДКБМТ, обладающего повышенной магнитной чувствительностью и удовлетворяющего требованиям КМОП процесса. Провести числениые и экспериментальные исследования разработанных структур в диапазоне индукции магнитных полей.

Научная новизна:

1) На основе пакета программ ISE TCAD разработана вычислительная модель и методика расчета магниточувствительных транзисторов.

2) На основе численного моделирования подтверждена ранее обнаруженная экспериментально инверсия знака выходного сигнала при неизменном направлении магнитного поля, позволяющая повысить чувствительность.

3) Исследован механизм инверсии знака выходного сигнала в структуре ДКБМТ, сформированного в подложке. Показано, что при высокой скорости поверхностной рекомбинации изменение знака выходного сигнала обусловлено 8 магнитоконцентрационным эффектом, приводящим к модуляции инжекции эмиттерного р-п перехода.

4) Для структуры ДКБМТ, сформированного в диффузионном кармане, определены факторы, определяющие инверсию знака выходного сигнала. Установлено, что необходимым условием является разделение потока электронов в подложке на два потока, текущие к контактам подложки, достижение среднего уровня инжекции в подложке и заливание ОПЗ коллекторного р-п перехода под эмиттером.

5) Установлено, что уменьшение толщины подложки приводит к повышению ОТЧ в области инверсии знака выходного сигнала для ДКБМТ, сформированного в кармане. Данные исследования позволили разработать структуру ДКБМТ в двойном кармане, обладающую повышенной ОТЧ.

Практическая значимость работы.

1. С использованием средств ISE TCAD разработана методика комплексного исследования и проектирования магииточувствительных транзисторов, позволяющая установить факторы, влияющие на относительную токовую чувствительность, и оптимизировать структуру ДКБМТ с целыо повышения его ОТЧпроводить модификацию существующих и разработку новых конструктивно-технологических решений формирования ДКБМТ.

2. Разработаны практические рекомендации выбора параметров вычислительной модели ДКБМТ, включающие: тип моделиразмеры области моделированиязадание граничных условий, электрофизических параметров областейснижение количества узлов сетки, обеспечивающих заданную точность и уменьшение времени счетавыбор диапазона расчетных величин для визуализации результатов расчетоввыбор режима работы транзисторов.

3. Проведена оптимизация конструкции и технологического маршрута структур ДКБМТ для получения максимальной ОТЧ.

4. Предложена, разработана и запатентована конструкция ДКБМТ в двойном кармане, выполненная по совмещенной КМОП технологии и обладающая повышенной токовой чувствительностью до 1 Тл" 1.

5. В условиях опытного производства НПК «Технологический Центр» изготовлены и экспериментально исследованы тестовые образцы кристаллов с ДКБМТ в двойном кармане, имеющие повышенную ОТЧ.

Реализация результатов работы.

1) Результаты работы (методика проектирования, конструкция, технология изготовления приборов) использованы в опытном производстве Государственного учреждения научно-производственного центра «Технологический центр» МИЭТ, где были изготовлены экспериментальные образцы ДКБМТ с повышенными значениями ОТЧ.

2) Результаты диссертационной работы внедрены в учебный процесс на кафедре ИЭМС МИЭТ, используются в лекционных курсах по учебным дисциплинам «Моделирование технологических процессов», «Современные методы моделирования», в лабораторном практикуме по курсу «Моделирование в среде TCAD» (учебный план ЭКТ факультета, 8, 9, 10 семестры), направления подготовки 210 100−62 «Электроника и микроэлектроника», 210 104−65 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» и 210 100−68 «Электроника и микроэлектроника» (магистерская программа 550 715 «Проектирование и технология интегральных микросхем»), что подтверждено актом внедрения.

3) Результаты работы по теме диссертации использованы при выполнении научно-исследовательских работ в МИЭТ «458-ГБ-Иптеграция-ИЭМС» «Увеличение интенсивности фундаментальных, прикладных исследований и образовательного процесса в области микрои наноэлектроники путем укрепления материальнотехнической базы ЦКП», 2004, № гос. регистрации 1 200 302 079; «547-ГБ-53-Межд. сотр.-ИЭМС» «Исследование и разработка современных методов проектирования интегральных элементов и микросхемной техники на базе научно-образовательного центра, создаваемого в МИЭТ с привлечением зарубежных партнеров», 2004, № гос. регистрации 1 200 311 520- «РИ — 112 / 001/775» «Исследование и разработка перспективных структур для элементной базы микрои наноэлектроники, микросистемной техники», 2004, № гос. регистрации 1 200 511 377- «2006;РИ-112/001/196» «Разработка методов проектирования и конструктивнотехнологических решений для создания элементов микрои наноэлектроники, микросистемной техники», № гос. регистрации 1 200 612 573, что подтверждено актом внедрения.

4) Результаты работы по теме диссертации использованы при выполнении аспирантского гранта на тему «473-ГБ-Гасп-53 -ИЭМС» «Исследование и разработка латерального биполярного двухколлекторного магниточувствительного транзистора с высокой величиной относительной магниточувствительпости с помощью приборно-технологической САПР», 2002.

Представляются к защите.

1. Разработанная вычислительная модель ДКБМТ, реализованная в среде приборно-технологического моделирования, и методика расчета структур ДКБМТ, обеспечивающие возможность их исследования с целью повышения относительной токовой чувствительности.

2. Полученные с использованием системы приборно-технологического моделирования ISE TCAD закономерности, связывающие величину ОТЧ ДКБМТ с электрофизическими и конструктивно-технологическими параметрами прибора.

3. Конструкция и технологический процесс формирования ДКБМТ в двойном кармане, выполненного по совмещенной КМОП технологии и обладающего повышенной токовой чувствительностью до 1 Тл" 1.

4. Результаты экспериментального исследования тестовых образцов ДКБМТ в двойном кармане, изготовленных на основе базового КМОП технологического маршрута и имеющих увеличенную до 1Тл" ' величину ОТЧ.

Апробация результатов работы.

Результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях: VIII международная научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Радиоэлектроника, электротехника и энергетика», Москва, 2002; IX всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика — 2002», Москва, Зеленоград, 2002; 4-я Международная научно — техническая конференция «Электроника и информатика — 2002», Москва ЗеленоградДесятая всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика — 2003», Москва ЗеленоградXV научно-техническая конференция с участием зарубежных специалистов «Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления «ДАТЧИК — 2003», Москва, 2003; 11-я всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика — 2004», Москва Зеленоград, 2004; 12-я всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика — 2005», Москва Зеленоград, 2005; Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микроэлектронных систем — 2005», Москва, 2005; V Международная научно-техническая конференция «Электроника и информатика -2005», Москва, Зеленоград, 2005; International Conference «Microand nanoelectronics — 2007», Moscow — Zvenigorod, Russia, 2007; EDM-2008, 9th International Workshops and Tutorials on Electron Devices and Materials, 2008; на научных семинарах кафедры ИЭМС.

Достоверность результатов. Достоверность разработанных моделей и методики исследования магниточувствительных элементов, выполненных по интегральной технологии — двухколлекторных биполярных магниточувствительных транзисторов, подтверждена результатами компьютерного моделирования, а также результатами экспертизы материалов конференций. По теме диссертационной работы получены два патента РФ на изобретения: 1) патент РФ на изобретение 2 239 916 с приоритетом по дате подачи заявки от 31.01.2003 — прототип- 2) патент на изобретение № 2 284 612 от 27.09.2006 г.

Публикации. Результаты диссертации опубликованы в 39 печатных работах, из которых 20 статей, в том числе 9 статей в изданиях, входящих в перечень ВАК, 19 тезисов докладов. Имеются 2 электронные публикации. По теме диссертации получены 2 патента.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, приложений, содержащих акты внедрения и использования результатов работы, списка используемых источников из 194 наименований.

9. Основные результаты работы внедрены в НПК «Технологический центр» при выполнении НИР и использованы в учебном процессе на ЭКТ факультете МИЭТ.

Таким образом, на основании проведенных в диссертации исследований разработана и экспериментально реализована структура латерального двухколлекторного магниточувствительного транзистора, выполненного по совмещенной КМОП технологии, обладающего повышенной до ГГл" 1 относительной токовой чувствительностью, что позволяет его использование в качестве преобразователя магнитного поля интеллектуальной магниточувствительной микросистемы.

Полученные результаты могут быть использованы при создании широкого класса изделий научно-технического направления «микромагнитоэлектроника», работа которых связана с магнитным полем. Среди таких изделий устройства позиционирования передвижных и стационарных объектов, бесконтактные устройства измерения тока, разнообразные автомобильные системы, средства контроля за здоровьем человека, устройства дефектоскопии и некоторые другие.

ВЫВОДЫ И ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ.

Общим результатом диссертационной работы является исследование и разработка двухколлекторного биполярного магниточувствительного транзистора с повышенной чувствительностью, который может применяться в качестве преобразователя магнитного поля в составе интегральной магниточувствительной микросистемы, выполненной по базовой КМОП технологии.

Объектом исследования являлась структура латерального двухколлекторного биполярного транзистора, сформированного в диффузионном кармане р-типа на кремниевой подложке л-типа.

Метод исследования магнитотранзистора — численный расчет с использованием средств приборно-технологического моделирования ISE TCAD.

В работе получены следующие основные результаты:

1. Проведен литературный обзор исследований в области создания датчиков магнитного поля и их использования в интегральных магниточувствительных микросистемах. Показано, что наиболее перспективным прибором в качестве преобразователя магнитного поля современной интеллектуальной интегральной микросистемы является двухколлекторный биполярный магниточувствительный транзистор, обладающий высокой относительной токовой чувствительностью, низкой потребляемой мощностью, высоким пространственным разрешением, достаточной линейностью выходных характеристик и формируемый по отработанной КМОП технологии, совместимой с технологией создания всей интеллектуальной микросистемы.

2. Разработана вычислительная модель структур ДКБМТ, методика их комплексного исследования с помощью приборно-технологического моделирования, способы обработки и визуализации полученных результатов. Разработаны практические рекомендации выбора параметров вычислительной модели ДКБМТ, включающие: тип моделиразмеры области моделированиязадание граничных условий, электрофизических параметров областейснижение количества узлов сетки, обеспечивающих заданную точность и уменьшение времени счетавыбор диапазона расчетных величин для визуализации результатов расчетоввыбор режима работы транзисторов.

3. Проведена настройка электрофизических параметров модели в системе ISE TCAD для достижения наилучших результатов моделирования. Путем.

206 сравнения расчетных и экспериментальных результатов показана адекватность выбранной модели расчета.

4. На основе численного моделирования подтверждена ранее обнаруженная экспериментально инверсия знака выходного сигнала ДКБМТ при неизменном направлении магнитного поля, позволяющая увеличить ОТЧ.

5. По разработанной методике проведено комплексное исследование структур ДКБМТ. Для структуры ДКБМТ, сформированного в подложке, исследовано влияние скорости поверхностной рекомбинации на ОТЧ и механизм инверсии знака выходного сигнала. Показано, что при высокой скорости поверхностной рекомбинации изменение знака выходного сигнала обусловлено магнитоконцентрационпым эффектом, приводящим к модуляции инжекции эмиттерного р-п перехода. Для структуры ДКБМТ, сформированного в диффузионном кармане, определены факторы, определяющие инверсию знака выходного сигнала. Установлено, что необходимым условием является разделение потока электронов в подложке на два потока, текущие к контактам подложки, достижение среднего уровня инжекции в подложке и заливание ОПЗ коллекторного р-п перехода под эмиттером.

6. На основании результатов моделирования установлены закономерности, связывающие величину ОТЧ с геометрическими, технологическими и электрофизическими параметрами структуры и проведена оптимизация структуры ДКБМТ в кармане по параметру относительной токовой чувствительности.

7. В результате проведенных исследований предложена, разработана и запатентована конструкция ДКБМТ в двойном кармане, выполненная по совмещенной КМОП технологии и обладающая повышенной токовой чувствительностью.

8. Разработан и реализован технологический маршрут изготовления ДКБМТ в двойном кармане. В условиях опытного производства НПК «Технологический Центр» изготовлены тестовые образцы кристаллов с ДКБМТ в двойном кармане, имеющие повышенную до 1 Тл" 1 ОТЧ. Сравнение результатов экспериментального исследования образцов и расчетов подтверждает справедливость разработанной методики моделирования и адекватность численного моделирования.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Электронная версия бюллетеня «Магнитное общество»: www.NdFeB.ru/bull.htm
  2. А.Ф. Кравченко, «Магнитная электроника», Издательство сибирского отделения РАН, Новосибирск, 2002, стр.85
  3. D. Tanase, J.F.L. Goosen, P.J. Trimp, P.J. French, «Three-dimensional Magnetic Sensor for use in Intravascular Interventions», Proceedings of the SeSens workshop, December 1, 2000, pp.693−696.
  4. Keiji Tsukada, D.Eng.Hitoshi Sasabuchi, Toshio Mitsui, MD, Ph. D., Measuring Technology for Cardiac Magneto-field Using Ultra-sensitive Magnetic Sensor -For High Speed and Noninvasive Cardiac Examination- Hitachi Review Vol. 48(1999), No 3., pp.116−119.
  5. Электронный адрес Института ядерной физики http://www.inp.nsk.su/
  6. В. Датчики компании Klaschka. // CHIP NEWS. 2007, № 4 (117), с. 16−26.
  7. Электронный адрес компании Платан www.platan.ru
  8. Sci. Technol. 18 (2007) R31-R46.
  9. Электронный адрес http://www.navgeocom.ru/gps/bearinggps/index.htm
  10. M.JI. Микромагнитоэлектроника. // Учебник, том 1. Москва. — 544 с.
  11. Официальный сайт компании РНПО Росучприбор http://www.rosuchpribor.ru
  12. Электронный адрес: http://users.kaluga.ru/abakumov/worlcingl .html
  13. В.В., Chaplygin U.A., Galushkov A.I., Shubin S.V., «Integrated magnetic sensors arrays», Physical, Chemical, and Biological Sensors IWRFRT2000, May 29−31, 2000, St Petersburg, Russia.
  14. Электронный адрес: http://www.compitech.ru/html.cgi/arhiv/0106/stat134.htm
  15. Электронный адрес: http://www.kirensky.ru/joun sc/but/
  16. Электронный журнал Chip News, #4 (97), 2005, стр. 55. Электронный адрес: http://wvvw.chip-news.ru/archive/chipnews/200 504/Article 13 .pdf
  17. Официальный сайт компании Honeywell: wmv.honevwell.com
  18. А.И., Чаплыгин Ю.А./ Интегральные магниточувствительные микросистемы//Известия ВУЗов, Электроника. 2000 г., № 4−5. С. 124−127.
  19. К.О. Petrosjanc, P.A. Kozynko, «Automatic Electro-Thermal Analysis in Mentor Graphics PCB Design System», Proceeding of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS07), pp. 599−602.
  20. M.A. Королев, «Интеллектуальные силовые ИС интегрированные микросистемы», Известия вузов. Электроника, № 5, 2001 г., стр.11−12.
  21. В.А. Гридчин, В. П. Драгунов, «Физика микросистем», Часть I, Новосибирск, 2004 г.
  22. Электронный адрес: http://www.ingentaconnect.com/ Maloberti, Valentino Liberali and Piero Malcovati, «Signal Processing for Smart Sensors», IEEE, 1995.
  23. Электронный адрес: http://wvvw.ingentaconnect.com/ H. Baltes, A. Haberli, P. Malcovati, F. Maloberti, «Smart Sensors Interfaces», IEEE, 1996.
  24. Электронный адрес: http://www.ingentaconnect.com/ A. Pauchard, B. Furrer, Z. Randjelovic, A. Rochas, D. Manic and R.S. Popovic, «Integrated Microsystem For Blue/Ultraviolet Detection», IEEE, 1996.
  25. Электронный адрес: http://www.ingentaconnect.com/ M. Schneider, R. Castagnetti, M.G. Aleen, and H. Baltes, «Integrated Flux Concentrator Improves CMOS Magnetotransistors», IEEE, 1995, pp.151−156.
  26. Электронный адрес: http://www.inaentaconnect.com/ P. Malcovati, F. Maloberti,
  27. A.Pesucci and M. Poletti, «A 12 Bit AID Interface for 3D Magnetic Sensor», Proceedings of IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS"97), Hong Kong, pp. 1−4, 1997.
  28. Электронный адрес: http://www.ingentaconnect.com/ Javier Ramirez, Elisabete Galeazzo, Antonio Ramirez, Mauricio Perez, Oscar Calderon, «A Cascode Magnetic Field Sensors», IEEE, 1995.
  29. Электронный адрес: http://www.ingentaconnect.com/ Pavel Ripka, «New directions in fluxgate sensors», accepted for JMMM, Version 2, 04/1/99, pp/1−13.
  30. Электропный адрес: http://www.ingentaconnect.com/ CMOS Hall-Sensor System for Absolute Magnetic Linear Length Measurement, Ralf Wunderlich, Klaus Schumacher.
  31. Электронный адрес: http://lmis3.epfl.ch/research/old/high3d/ Microsystem for High Accuracy 3D Magnetic Fileld Measurements, Ch. Schott, D. Manic, R.S. Popovic.
  32. Ch.Roumenin, P. Nikolova and A. Ivanov, «A New Multisensor Based on the Diode Hall Effect», The 13th European Conference on Solid-State Transducers (EUROSENSORS XIII), September 12−15, 1999, The Hague, The Netherlands.
  33. Ф.Д. Касимов, Интегральные магнитоэлектронные и манитопегатронные элементы и схемы, Петербургский журнал электроники, 3, 2003, стр. 65−70.
  34. Е.Б. Лукьянепко, О. Н. Негоденко, Л. А. Зинченко, Ю. П. Мардамшин, Моделирование датчика магнитной индукции на основе негатрона с магнитотранзистором, Тезисы докладов, «Перспективные технологии и интеллектуальные системы», стр. 137−141.
  35. С.И. Касаткин, A.M. Муравьев, Н. В. Плотников, Ф. А. Пудонин, Л. А. Ажаева, В. Д. Ходжаев, «Элементы на основе многослойных магниторезистивных структур», Sensors & Systems, № 5, 2004, стр. 22−27.
  36. В.В. Амеличев, А. И. Галушков, В. В. Дягилев, С. И. Касаткин, A.M. Муравьев, В. В. Лопатин, А. А. Резнев, А. Н. Сауров, B.C. Суханов / Микроэлектронная магниторезистивная технология // Нано- и микросистемная техника, № 3, 2007, стр. 22−26.
  37. Электронный адрес: http://www2.fep.tsure.ru/ Гурип.Н.Т., Бакланов С. Б., Новиков С. Г., Воронцов С. И., «Радиационно-модифицированные магнитосимистры».
  38. Электронный адрес: http://www2.fep.tsure.ru/ Сеченов Д. А., Мамиконова
  39. B.М., Василенко А. Л., «Кремниевый преобразователь магнитного поля».
  40. Электронный адрес: http://www2.fep.tsure.ru/ Амеличев В. В., Амеличева Н. Л., Чаплыгин Ю. А., «Интегральный датчик тока на основе биполярного магнитотранзистора».
  41. Электронный адрес: http:/Avww2. fep.tsure.ru/ Галушков А. И., «Магннточувствнтельные КМОП ИС и микроэлектронные матричные микросистемы для измерения распределенных магнитных полей».
  42. Электронный адрес: hUp://vwvw.autex.spb.ru B.B. Амеличев, А. И. Галушков, C.A. Поломошнов, «Исследования режима самокомпенсации температурного изменения чувствительности ячейки интегрального матричного преобразователя магнитного поля».
  43. А.В. Козлов, Р. Д. Тихонов / «Исследование структурной зависимости чувствительности биполярного магнитотранзистора, сформированного в диффузионном кармане» // ОБОРОННЫЙ КОМПЛЕКС научно-техническому прогрессу России, № 4, 2003, стр.56−60.
  44. В. В., Галушков А. И., Зубепко Ф. Г., Чаплыгин Ю.А./ Биполярный магнитотранзистор, изготовленный по самосовмещепной КМОП-технологии// Электронная промышленность, 1989 г., № 12, С. 3−48.
  45. В.В. Амеличев, А. И. Галушков, Ф. Г. Зубенко, к.ф.-м.п., Ю. А. Чаплыгин, к.ф.-м.н., «Интегральные датчики магнитного поля», Электронная промышленность, 3/1992, стр.58−59.
  46. А.И., Амеличев В. В., Чаплыгин Ю. А., Зубенко Ф.Г./ Биполярный магнитотранзистор, изготовленный по самосовмещенной КМОП -технологии// Электронная промышленность, 1992, № 3, стр.58−59.
  47. А.И., Макеров А. В., Сауров А. Н., Чаплыгин Ю. А., Шелепин Н.А./ Пороговая магнитоуправляемая интегральная схема// Электронная промышленность, № 8, 1993, С. 34- 35.
  48. Л.Ф., Марколенко П. Ю., Магнитоуправляемый выпрямитель переменного тока на основе тиристоров, Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001, № 1, стр.16−17.
  49. А.И.- Сауров A.H.- Чаплыгин Ю.А./ Магниточувствительный биполярный транзистор//Патент РФ 2 055 419С1, 1996 г.
  50. А.И., Чаплыгин Ю.А./ Кремниевые магниточувствительные интегральные схемы// Известия ВУЗов, Электроника, 1997 г. № 1, С. 5−6.
  51. А.А. Абакумов. В. В. Амеличев, А. И. Галушков, Ю. А. Чаплыгин, С.В. Шубин/ Интегральная магниточувствительная матрица// Патент РФ 2 140 117, 1999 г.
  52. А.И.- Сауров А.Н.- Чаплыгин Ю.А./ Магниточувствительный биполярный транзистор//Патент РФ 2 127 007С1, 1999 г.
  53. Р.Д., Королёв М. А., Смирнов С. Ю., Чаплыгин Ю.А./ Оптимизация структуры планарного биполярного магниточувствительного транзистора// Оборонный комплекс научно-техническому прогрессу России, 2003, № 2, С. 66−70.
  54. В.В. Амеличев, Р. Д. Тихонов, М. В. Шорин, М. А. Королев, Ю. А. Чаплыгин, «Исследование возможности повышения чувствительности биполярных латеральных магниточувствительных транзисторов», Известия вузов. Электроника. № 1, 2002, стр. 40−43.
  55. R.D. Tikhonov/ An investigation of relative current sensitivity of bipolar magnetotransistor// Тезисы доклада P2−112 на международной конференции «Микро- и наноэлектроника 2003» (МНЭ-2003), Звенигород, 6−10 октября 2003 г.
  56. Р.Д. Тихонов/ Концентрационно-рекомбинациопный механизм чувствительности биполярных магнитотранзисторов// Микроэлектроника, 2004, том 33, № 6, С. 464−467.
  57. Р.Д. Тихонов/ Исследование биполярного магнитотранзистора с базой в кармане// Датчики и системы, 2004, № 9, С. 24−27.
  58. Р.Д. Тихонов/ Исследование биполярного магнитотранзистора с базой в кармане// Датчики и системы, 2004, № 12, С. 42−46.
  59. Р.Д. Тихонов/ Исследование механизмов чувствительности биполярного магнитотранзистора с базой в кармане// Микроэлектроника, 2005, том 34, № 3, с. 196−209.
  60. Р.Д. Тихонов/ Повышение чувствительности биполярного магнитотранзистора// Измерительная техника, 2005, № 2, с. 55−60.
  61. Т.В. Корнеева/ Контрольно-измерительная техника: Экспресс-информация, 2008, № 5.
  62. Электронный адрес: http://ieeexplore.ieee.org:/ Three-Dimensional Analysis of, а MAGFET at 300 К and 77 К//ESSDERC 2002, pp. 151−154.
  63. Электронный адрес: http://ieeexplore.ieee.org/ 2D Nonlinearity Simulation of the Vertical Hall Sensor using SESES // pp.643−648.
  64. Электронный адрес: http://www.cr.org/ Optimization of Integrated Magnetic Field Sensors// Modeling and Simulation of Microsystems 2001, pp. 120−123.
  65. Dr.Thomas Bever, Dr. Udo Ausserlcchner, «Semiconductors: Technical information, technologies and characteristic data», Publicis Corporate Publishing, 2nd revised and considerably enlarged edition, 2004, pp.216−231.
  66. Г. П. Балтес, P.C. Попович/ Интегральные полупроводниковые датчики магнитного поля// ТИИЭР, т.74, № 8, 1986, стр.60−86.
  67. Roumenin Ch.S./ Bipolar magnetotransistor. An invited review.// Sensors and Actuators, 1990, v.24, #2, pp.83−105.
  68. И.М. Викулин, Л. Ф. Викулина, В. И. Стафеев, Магниточувствительные транзисторы. Обзор. // Физика и техника полупроводников, 2001 г., том 35, вып. 1. стр.3−10.
  69. Р.Г. Джексон/Новейшие датчики//Техносфера, Москва, 2007, с. 145−151.
  70. G. Vertesy, A. Gasparics, J. Szollosy, High Sensitivity Magnetic Field Sensor, Preparation, Properties, and Applications of Thin Ferromagnetic Films, 2000, pp. 29−34.
  71. Нанотехнологии в электронике. / Под ред. Ю.А. Чаплыгина// Техносфера, Москва, 2005. -448с. с. 373−375.
  72. Г. А., Стафеев В.И./ Магнитодиоды, магниторезисторы и их применение//Москва, Радио и связь, 1987 г., С. 88.75.3айцев Ю.В., Марченко А. Н., Ващенко В. И. Полупроводниковые резисторы в электротехнике. М.: Энергоиздат, 1988. — 136 с.
  73. А., Тушинский Я. Датчики Холла и магниторезисторы: Пер. с польск.// Под. ред. O.K. Хомерики. М.: Энергия, 1971.-351 с.
  74. А.Н., Свешников С. В., Смовж А. К. Полупроводниковые сенсорные потенцеометрические элементы. -М.: Радио и связь, 1988.- 192 с.
  75. М. Магнитные датчики. Пер. с японск. ВЦП №И-0 9852 // Денси гидзюцу. Т.25. № 5, 1983. — с. 11−20.
  76. O.K. Полупроводниковые преобразователи магнитного поля. -М.: Энергоиздат, 1986. 136 с.
  77. И.М., Викулина Л. Ф., Стафеев В.И./ Гальваномагпитные приборы// М. Радио и связь, 1983.- 104 с.
  78. Пожела 10. К., Сащук А. П. Магнитоконцеитрационные эффекты. Вильнюс: Институт физики полупроводников АН Лит. ССР, 1983. — 44с.
  79. Полупроводниковые преобразователи // Под. ред. Ю. Пожелы. Вильнюс: Моклас, 1980.-73 с.
  80. С. Интегральные кремниевые датчики магнитного поля. (Пер. с англ. статьи из журнала Sensors & Actuators. 1986, № 10, pp. 34−78.)
  81. Manley M.H., Bloodworth G. G. The Carrier Domain Magnetometer: a Novel Silicon Magnetic-Field Sensor// Solid-State Electron Dev. 2/1978, pp. 17−84.
  82. В.Д. Магниточувствительные Z-элементы с частотно-импульсным выходом // Приборы и системы управления. № 6, с. 51- № 7, с. 51. 1997.
  83. Эффект Виганда в теории и практике: Пер. с англ. ВЦП № КЛ 76 677, 1982. -16 с.
  84. Эффект Виганда и его применение: Пер. с англ. ВЦП № Е 7895, 1982. — 17 с.
  85. Эффект Виганда и его применение: эффект магнитной коммутации: Пер. с англ. ВЦП № В 42 295, 1982. — 9 с.
  86. Эффект Виганда: генерирование магнитных импульсов для самых разнообразных применений в промышленности и торговле. ЦНИИТЭ приборостроения, № 20/79. — 15 с.
  87. Д.И., Костина Е. Н., Кузнецова Н. Н. Датчики контроля и регулирования. Справочные материалы. М.: Машиностроение, 1965. -928с.
  88. Н.М., Яковлев Н. И. Цифровые феррозондовые магнитометры. Л.: Энергия, 1978.- 168 с.
  89. Magnetic Sensors. Giant Magneto Resistors. 1999. — 19 p. (Проспект фирмы Simens A.G.)
  90. В.И. Стафеев, Э. И. Каракушан. Магнитодиоды (М., Наука, 1975).
  91. И.М. Викулина, М. А. Глауберман, Л. Ф. Викулина, I-I.A. Канищева. ФТП, 9, 1534(1975).
  92. S. Middelhoek, A.A. Bellecom, U. Dauderstadt, P.J. French, S.R. in 4 Hout, W. Kindt, F. Riedijk, M.J. Veliekoop, Review article: Silicon sensors, Meas. Sci. Technol., 1995, v.6, pp. 1641−1658.
  93. И.М., Глауберман M.A., Егиазарян Г. А. и др. Двухколлекторные магнитотранзисторы // Приборы и системы управления, № 10, 1981. С. 3−5.
  94. L. Ristic, М. Doan, К. Maenaka and Т. Nakamura, PNP Bipolar Transistor as Magnetic Field Sensors, Sensors and Materials, 2. 3, 1990, pp. 163−171.
  95. L. Ristic, K. Maenaka, T. Smy, T. Nakamura, M. Doan, pnp lateral magnetotransistor and influence of n+ buried layer on sensitivity, Appl. Phys. 58 (2), 1991, pp. 149−151.
  96. В.В., Чаплыгин Ю. А. Интегральный сенсор магнитного поля комбинированного типа // Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА, № 2, 1998. С. 41−44.
  97. Robert Bosh, Device for detecting a magnetic field, magnetic field measure and current, US Patent 6 861 717, 2002.
  98. Lux, et al., Microelectronic 3D bipolar magnetotransistor magnetometer, US Patent 5 446 307, 1995.
  99. IO.А. Чаплыгин, А. И. Галушков, М. Г. Путря, В. И. Шевяков, С. Д. Некрасова, Разработка и исследование интегральных датчиков для измерения параметров магнитного поля, Отчет о научно-исследовательской работе, № госрегистрации 1 200 109 301, 2002, 76 стр.
  100. Е.С. Hudson, Jr., «Semiconductive magnetic transducer,» U.S. Patent 3 389 230, 1968.
  101. R. S. Popovic, R. Widmer/ Magnetotransistor in CMOS technology// IEEE Trans. Electron Devices, 1986, v.33, #9, pp. 1334−1340
  102. J.D.Flynn, «Silicon depletion layer magnetometer,» J. Appl. Phys., vol.41, pp. 2750−2751, 1970.
  103. V.Zieren, B.P.M. Duyndam, «Magnetic-field-sensitive multicollector n-p-n transistor,» IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-29, pp. 83−90, 1982.
  104. L.W.Davies, M.S. Wells, «Magneto-transistor incorporated in a bipolar 1С,» in Proc. ICMCST (Sydney, Australia), pp. 34−35, 1970.
  105. L.W. Davies, M.S. Wells, Magneto-transistor incorporated in an integrated circuit, in Proc. I.R.E.E. Australia, pp. 235−238.
  106. S. Takamiya, K. Fujikawa, «Differential amplification magnetic sensor,» IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-19, pp. 1085−1090, 1972.
  107. И.М. Викулип, M.A. Глауберман, Л. Ф. Викулина, Ю. А. Запорожепо, Исследование характеристик двухколлекторного транзистора, Физика и техника полупроводников, 1974, том 8, в. 3, стр. 580−583.
  108. И.М. Викулип, Н. А. Канищева, М. А. Глауберман, Л. Ф. Викулина, Влияние геометрии на магниточувствительные свойства биполярных транзисторов, Физика и техника полупроводников, 1975, том 9, в. 8, стр. 1534−1538.
  109. И.М. Викулин, Н. А. Канищева, М. А. Глауберман, Влияние электрического поля в базе на чувствительность двухколлекториыхмагнитотранзисторов, 1976, Физика и техника полупроводников, том 11, в. 4, стр.785−787.
  110. И.М. Викулин, Н. А. Канищева, М. А. Глауберман, Влияние ЭДС Холла на чувствительность двухколлекторного магнитотранзистора, Физика и техника полупроводников, 1977, том 11, в. 3, стр. 587−588.
  111. I.M. Mitnikova, T.V. Persiyanov, G.I. Rekalova, G. Shtyubner, «Investigation of the characteristics of silicon lateral magnetotransistor with two measuring collectors,» Sov. Phys. Semicond., vol.12, pp. 26−28, 1978.
  112. И.М. Митникова, T.B. Персиянов, Г. И. Рекалова, Г. Штюбпер, Исследование характеристик, кремниевых боковых магнитотранзисторов с двумя измерительными коллекторами, Физика и техника полупроводников, 1978, том 12, в.1, стр. 48−51.
  113. И.М. Викулин, М. А. Глауберман, Н. А. Канищева, Г. А. Егиазарян, Ю. С. Манвелян, Влияние межэлектродных соотношений на электрофизические параметры двухколлекторных магнитотранзисторов, Физика и техника полупроводников, 1981, том 15, в.2, стр. 399−403.
  114. R.S. Popovic and Н.Р. Baltes, «Dual-collector magnetotransistor optimized with respect to injection modulation,» Sensors and Actuators, vol.4, pp. 155−163, 1983.
  115. R. S. Popovic, H.P. Baltes, «An investigation of the sensitivity of lateral magnetotransistors,» IEEE Electron Device Lett., 1983, v.4, #3, pp.51−53.
  116. Ч.С., Двухколлекторпый планарный магнитотранзистор с повышенной магниточувствительпостыо, Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, в.8, стр. 1410−1412.
  117. Ch. S. Roumenin, «Optimized parallel-field magnetotransistor sensor,» Sensors and Actuators, 1988, v.14, v.2, pp.177−190.
  118. Lj. Ristic, T. Smy, H. P. Baltes, «A lateral magnetotransistor structure with a linear response to the magnetic field,» IEEE Trans. Electron Devices, 1989, v.36, #6, pp.1076−1089.
  119. Nathan, K. Maenaka, W. Alegretto, H.P. Baltes, T. Nakamura, «The Hall effect in integrated magnetotransistors,» IEEE Trans. Electron Devices, 1989, v. ED-36, #1, pp.108−117.
  120. Nathan, H. P. Baltes, D. R. Briglio, M.T. Doan, «Noise correlation in dual collector magnetotransistors,» IEEE Trans. Electron Devices, 1989, v.36, #6, pp.1073−1075.
  121. Riccobene, G. Wachutka, J. Burgler, H. Baltes, «Two-dimensional numerical modeling of dual-collector magnetotransistors: evidence for emitter efficiency modulation,» Sensors and Actuators A, 1992, v.31, pp.210−214.
  122. Riccobene, G. Washutka, J. Burgler, H. Baltes, «Operating principle of dual collectors magnetotransistors studied by two-dimensional simulation,» IEEE Trans. Electron Devices, 1994, v.41, #7, pp.1136−1148.
  123. P. Malcovati, R. Castagnetti, F. Maloberti, H. Baltes, «A magnetic sensor with current-controlled sensitivity and resolution,» Sensors and Actuators A, 1995, v.46, #13, pp.284−288.
  124. H. Trujillo, A. Nagy, F. Rodriguez, P. Rodriguez, «Merged lateral bipolar magnetotransistors,» Sensors and Actuators A, 1995, v.50, #3, pp.177−181.
  125. S.-K. Lee, V.-S. Kang, M.-K. Han, «Separated drift field magnetotransistor with a p+ -ring around an emitter,» Jpn. J. of Appl. Phys., 1995, v.34, v.2B, pp.909−912.
  126. U.-S. Kang, M.-K. Han, S.-K. Lee, «Highly sensitivity magnetotransistors with combined phenomena of Hall effect and emitter injection modulation operated in the saturation mode,» Sensors and Actuators A, 1996, v.54, #13, pp.641−645.
  127. Nagy, H. Trujillo, «Highly sensitive magnetotransistor with new topology,» Sensors and Actuators A, 1998, v.65, pp.97−100.
  128. Lj. Ristic, M.T. Doan, M. Paranjape, «3-D magnetic field sensor realized as a lateral magnetotransistor in CMOS technology,» Sensors and Actuators A, 1990, v.22, #13, pp.770−775.
  129. Nathan, H. P. Baltes, «Integrated silicon MT: high sensitivity or high resolution?» Sensors and Actuators A, 1990, v.22, #13, pp.780−785.
  130. Chovet, Ch. S. Roumenin, G. Dimopoulos, N. Mathieu, «Fsion of noise properties of different magnetic-field semiconductor sensors,» Sensors and Actuators A, 1990, v.21−23, pp.790−794.
  131. A.Chovet, Ch.S. Roumenin, G. Dimopoulos and N. Mathieu, Comparison of Noise Properties of Different Magnetic-field Semiconductor, Sensors and Actuators, A21-A23 (1990), pp. 790−794.
  132. K. Maenaka, Ohsakama, M. Ishida, T. Nakamura, «An experimental investigation of the operating principles of vertical magnetotransistors,» Sensors and Actuators, 1989, v. 16, #12, pp.101−108.
  133. М. Metz, «Offset in CMOS Magnetotransistors. Analysis and Reduction.», DISS. ETH № 13 275, 1999
  134. V.Zieren, «Geometrical analysis of the offset in buried collector vertical magnetotransistor,» Sensors and Actuators, 5 (1984) pp. 199−206.
  135. H.Trujillo, A. Nagy / Lateral bipolar magnetotransistors offset compensation through their current mode response // Sensors and Actuators A, 2002, v. 100, № 1, pp.32−36.
  136. S. Kordic, V. Zieren, S. Middelhoek, «A novel method for reducing the offset of magnetic-field sensors,» Sensors and Actuators, 4 (1983) pp.55−61.
  137. Cornel Panait, George Caruntu, The Offset of Magnetotransistors, International Workshop «Computational Problems of Electrical Engineering», Zakopane 2004, pp. 93−96.145a) Электронный ресурс: http://fett.tu-sofia.bg/et/1996/Statii%20ET96
  138. Research%20on%20the%20frequency%20electrical%20characteristics%20ol%20a20tvo-collector%20bipolar%20magnetotransistor.pdf
  139. Hector Trujillo, Agnes Nagy, Lateral bipolar magnetotransistor’s offset compensation through their common mode response, Sensors and Actuators A, 100 (2002), pp. 32−36.
  140. V. Zieran, B.P.M. Duyndam, «Magnetic-field-sensitive multicollector n-p-n transistors, IEEE Trans. Electron Devices, ED-29 (1982) pp.83−90.
  141. V. Zieran, S. Middelhoek, «Magnetic-field vector sensor based on a two-collector transistor structure,» Sensors and Actuators, 2 (1982) pp.251−261.
  142. M. Ishida, H. Fujiwara, T. Nakamura, M. Sahiki, Y. Yasuda, A. Yoshida, T. Ohsakama, Y. Kawase, Silicon magnetic vector sensors for integration, Proc. 4th Sensor Symp., Japan, 1984, pp. 79−83.
  143. К. Maenaka, H. Fujiwara, T. Ohsakama, M. Ishida, T. Nakamura, A. Yoshida, Y. Yasuda, Integrated magnetic vector sensor, Proc. 5th Sensor Symp., Japan, 1985, pp. 179−183.
  144. S. Kordic, Sensitivity of the silicon high-resolution 3-D magnetic-field vector sensor, IDEM Tech. Digest, 1986, pp. 188−191- Integrated 3-D magnetic sensor based on an n-p-n transistor, IEEE Electron Device Lett., EDL-7 (3) (1986) pp. 196−198.
  145. S. Kordic, P. J. A. Munter, Three-dimensional magnetic-field sensor, IEEE Trans., Electron Devices, ED-35 (1988) pp. 771−779.
  146. L. Ristic, T. Doan, 3-D magnetic field sensor realized as a lateral magnetotransistor in CMOS technology, Sensors and Actuators, A21-A23 (1990) pp.770−775.
  147. Ch. S. Roumenin, Three-dimensional magnetic field vector sensor, C.R. Acad. Bulg. Sci., 41 (1) (1988) pp.59−62- 3-D Magnetosensitivity silicon vector microsensor, C. R. Acad. Bulg. Sci., 41 (7) (1988) pp.51−54.
  148. Ch. S. Roumenin, P.T. Kostov, Functional multisensor for magnetic field and temperature measurement, Sensors and Actuators, 8 (1985) pp.307−318.
  149. Ch. S. Roumenin, Performance of a multisensor for magnetic field and temperature at T=77, C.R. Acad. Bulg. Sci., 41 (5) (1988) pp.71−74.
  150. Ch. S. Roumenin, Magnetogradient effect in bipolar differential magnetotransistors, C.R. Acad. Bulg. Sci., 42 (12) (1989) pp.63−66.
  151. J. Burghartz, W. von Munch, Optimization of lateral magnetotransistors with integrated signal amplification, Sensors and Actuators, 11 (1987) pp.91−98.
  152. K. Maenaka, H. Okada, T. Nakamura, Universal magneto-operational-amplifier (MOP), Sensor and Actuators, A21-A23 (1990) pp.807−811.
  153. M.A. Глауберман, В. В. Егоров, H.A. Канищева, В. В. Козел, Особенности двумерного моделирования дрейфовых иижекционных структур, Журнал технической физики, 1997, том 67, № 7, стр.39−41.
  154. М. А. Глауберман, В. В. Козел, А. В. Нахабин / Перенос носителей заряда в двухколлекторном магнитотранзисторе // ФТП, 2000, v.34, № 5, стр. 622−624.
  155. М. А. Глауберман, В. В. Егоров, В. В. Козел, Н. А. Канищева / Исследование магниточувствительности транзисторных структур с диффузионным переносом инжектированных носителей // ФТП, 2003, том 37, № 1, стр. 32−37
  156. A.Vinal, N. Masnary, Operating principles of bipolar transistor magnetic sensors, IEEE Trans, on ED, v. ED-31, № 10, 1984, pp. 1486−1494.
  157. A.Nathan, H. Baltes, Rotation of base region hall field in magnetotransistors, Sensors and Actuators, A21-A23, 1990, pp. 758−761.
  158. C.Roumenin, P. Kostov, Optimized emitter-injection modulation magnetotransistor, Sensors and Actuators, 6, 1984, pp. 19−33.
  159. L.Ristic, H. Baltes, T. Smy, I. Filanovsky, Suppressed sidewall injection magnetotransistor with focused emitter injection and carrier double deflection, IEEE Electron Device Letters, v. EDL-8, № 9, 1987, pp. 395−397.
  160. I.Vikulin, M. Glauberman, V. Yegorov, Injection-inversion magnetosensitive strucrure, Sensors and Actuators A, 28, 1991, pp. 185−190.
  161. H.Baltes, L. Andor, A. Nathan and H. Schmidt-Weinmar, Two-dimensional numerical analysis of a silicon magnetic field sensor, IEEE Transactions on Electron Devices, v. ED-31, № 7, 1984, pp. 996−999.
  162. L.Andor, H. Baltes, A. Nathan and H. Gunter Schmidt-Weinmar, Numerical modeling of Magnetic-field-sensitive semiconductor devices, IEEE Transactions on Electron Devices, v. ED-32, № 7, 1985, pp. 1224−1230.
  163. W.Allegretto, A. Nathan, H. Baltes, Numerical Analysis of Magnetic-field-sensitive bipolar devices, IEEE Transactions on Computer-aided Design, v. 10, № 4, 1991, pp. 501−511.
  164. N. PARAMESWARAN, M.S. TYAGI, A two-dimensional analysis of common emitter current gain in a lateral transistor, INT. J. ELECTRONICS, 1976, vol.40, № 6, pp.593−600.
  165. B.B. Батавин, Ю. А. Концевой, Ю. В. Федорович, Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур, Москва «Радио и связь», 264 е., ил. — (Измерения в электронике)., 1985, стр. 149.
  166. С.В., Грушко Н. С., Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1995, стр. 143 180.
  167. S. Popovic, H. Baltes, F. Rudolf, An Integrated Silicon Magnetic Field Sensor Using the Magnetodiode Principle, IEEE Trans. On Electron Devivices, vol. ED-31, № 3, 1984, pp. 286−291.
  168. E.C. Горнев, H. А. Зайцев, M. Ф. Равилов, И. M. Романов, Моделирование элементов микромеханики, Часть I, Микросистсмная техника, № 10, 2002, стр. 18−25.
  169. Е.С. Горнев, Н. А. Зайцев, М. Ф. Равилов, И. М. Романов, Моделирование элементов микромеханики, Часть II, Микросистсмная техника, № 10, 2002, стр. 18−25.
  170. А.Еременко, Н. Зайцев, А. Новоселов, И. Романов, Двумерное приборно-технологическое моделирование. Оптимизация конструкции высоковольтного биполярного прп транзистора, ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес, 4/2002, стр. 58−60.
  171. W. KORDALSKI1, М. POLOWCZYK, and М. PANEK, Horizontally-split-drain MAGFET a highly sensitive magnetic field sensor, Bull. Pol. Ac.: Tech. 55(3) 2007.
  172. Nathan, Andre M.J. Huiser, H.P. Baltes, Two-dimensional numerical modeling of magnetic-field sensors in CMOS Technology, IEEE Trans. On Electron Devices, vol. ED-32, № 7, 1985, pp. 1212−1219.
  173. Arokia Nathan, Henry Baltes, Walter Allegretto, Review of Physical Models for Numerical Simulation of Semiconductor Microsensors, IEEE Trans. On Computer-Aided Design, vol. 9, № 11, 1990, pp. 1198−1208
  174. N.Nedev, N. Smirnov, Two-dimensional modeling of lateral magnetotransistor, Sensors and Actuators, A 45, 1994, pp. 195−201.
  175. Pergamon, Note: An analytical model of the VBE-dependence of current-splitting in CMOS-compatible lateral bipolar transistors, Solid-State Electronics, vol.38, № 8, 1995, pp.1543−1546.
  176. H.Trujillo, F. Rodriguez, J.C.Cruz, An approach to the electrical modeling of bipolar magnetotransistors, Sensors and Actuators, A 56, 1996, pp. 221−225.
  177. Freund, A. Klos, A. Kostka / Conformal mapping techniques for the analitical, two-dimensional calculation of currents in lateral bipolar transistor structures // Solid-state electronics, 1996, v.39, № 4, pp.529−540.
  178. H. Trujillo, A. Nagy, F. Rodriguez / PSPICE modeling of self-heating effects an lateral bipolar magneto-transistors // Sensors and Actuators A, 2000, v.87,№l2, pp.38−45.
  179. H.-Y. Lin, T. F. Lei, C.-Y. Chang, J.-J. Jeng, C.-L. Pan / A novel structure for three-dimensional silicon magnetic transductors to improve the sensitivity symmetry // Sensors and Actuators A, 1996, v.56, № 3, pp.233−237.
  180. N.Nedev, N. Smirnov, A. Boursas, Three-dimensional modeling of galvanomagnetic effects in lateral magnetotransistor structure, Sensors and Actuatos A, 30, 1992, pp. 105−107.
  181. C.Riccobene, K. Garther, G. Wachutka, H. Baltes, W. Fichtner, Full three-dimensional numerical analysis of multi-collector magnetotransistors with directional sensitivity, Sensors and Actuators A, 46−47, 1995, pp. 289−293.
  182. P. Хокни, Дж. Иствуд / Численное моделирование методом частиц, пер. с английского А. С. Липанова и А. Н. Полюдова под редакцией Р. З. Сагдеева и В. И. Шевченко, Москва, Мир, 1987
  183. Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов. Последние достижения: / Пер. с аиг./ Под ред. Д. Миллера. М.: Радио и связь, 1989.- 280с.: ил.
  184. В.Я. Кремлев / Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС // Под ред. Г. Г. Казеннова. М.: Высш. шк., 1990. — 144 е.: ил. 192. ISE TCAD manuals 6.1.
  185. Ю.А. Интерактивные магниточувствительные матрицы для измерения параметров вектора магнитного поля. Дисс. на соиск. уч. степени канд. техн. наук.- М., МИЭТ, — 2004.
  186. И.М. Кремниевые интегральные сенсоры вектора индукции магнитного поля. Дисс. на соиск. уч. степени канд. техн. наук.- М., МИЭТ.-1997.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!