Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Процессы при ионном распылении поверхности твердых тел и энерго-масс-спектрометрия вторичных ионов

Диссертация: Процессы при ионном распылении поверхности твердых тел и энерго-масс-спектрометрия вторичных ионов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Перечисленные приложения ВИЭ и ИФЭ являются наиболее развитыми к настоящему времени, но и они из-за отсутствия удовлетворительных теорий этих процессов не дают надежных количественных результатов без применения эталонов. Данное обстоятельство делает необходимым как дальнейшее развитие уже предложенных, так и создание новых теоретических моделей' процессов, приводящих к ВИЭ и ИФЭ, а также… Читать ещё >

Содержание

  • Использованные обозначения и аббревиатуры
  • Глава 1. Современное состояние исследований процессов при ионном распылении поверхности твердых тел
    • 1. 1. Элементы теории атомных столкновений
      • 1. 1. 1. Сечения столкновений
      • 1. 1. 2. Сечение рассеяния и прицельный параметр
      • 1. 1. 3. Упругие столкновения
    • 1. 2. Элементы теории прохождения ускоренных частиц через вещество
    • 1. 3. Элементы теории ионного распыления
      • 1. 3. 1. Классификация механизмов распыления
      • 1. 3. 2. Теория распыления путем каскадов атомных столкновений
      • 1. 3. 3. Модели теплового пика, горячего пятна и ударных волн
      • 1. 3. 4. Механизмы распыления за счет электронных процессов и химических реакций
      • 1. 3. 5. Особенности распыления многокомпонентных мишеней
      • 1. 3. 6. Моделирование процессов распыления на ЭВМ
      • 1. 3. 7. Сравнение теоретических и экспериментальных энергетических спектров вторичных атомов
  • Выводы
  • Глава 2. Возбуждение и ионизация вторичных атомов
    • 2. 1. Классификации теоретических моделей ионообразования
    • 2. 2. Классификация микропроцессов, ответственных за ионообразование
      • 2. 2. 1. Микропроцессы в твердом теле вблизи поверхности
      • 2. 2. 2. Микропроцессы на поверхности
      • 2. 2. 3. Взаимодействие атома с поверхностью и микропроцессы в приповерхностной области вакуума
      • 2. 2. 4. Микропроцессы в свободных вторичных атомных частицах
    • 2. 3. Модели ионизации вторичных атомов в условиях распыления за счет каскадов атомных столкновений
      • 2. 3. 1. Модели электронного обмена
      • 2. 3. 2. Модели разрыва связей
    • 2. 4. Термодинамическое описание процессов ионизации и возбуждения
    • 2. 5. Квазичастичный подход к описанию возбуждения вторичных атомов
      • 2. 5. 1. Неравновесная статистическая модель возбуждения атомов в каскадах атомных столкновений
      • 2. 5. 2. Модель возбуждения вторичных атомов поверхностными плазмонами
  • Выводы
  • Глава 3. Экспериментальная техника и методики измерений энергетических спектров вторичных ионов
    • 3. 1. Требования, предъявляемые к условиям эксперимента
    • 3. 2. Важнейшие узлы аналитических установок ЭМСВИ
      • 3. 2. 1. Ионная оптика
      • 3. 2. 2. Ионные пушки
      • 3. 2. 3. Анализаторы
      • 3. 2. 4. Детекторы заряженных частиц
    • 3. 3. Установки и методики исследования закономерностей энергетических спектров вторичных ионов
      • 3. 3. 1. Установка «ВИМС-2» НИИЯФ ТПУ (Томск)
      • 3. 3. 2. Методические особенности эксперимента ВИМС
      • 3. 3. 3. Установка «ЭВРИКА» ИМФ НАН Украины (Киев)
      • 3. 3. 4. Установка «БГОА» физико-технического отделения общества исследований окружающей среды (г. Нюрнберг)
      • 3. 3. 5. Установка для исследований энергетических и угловых распределений вторичных ионов кафедры физической электроники МГУ (г. Москва)
    • 3. 4. Сравнение ЭСВИ, полученных в разных установках
    • 3. 5. Основные технические недостатки и способы их устранения
  • Выводы
  • Глава 4. Экспериментальные закономерности энергетических спектров вторичных ионов
    • 4. 1. Связь параметров ЭСВИ с физическими характеристиками распыляемой поверхности
      • 4. 1. 1. Металлы и полупроводники
      • 4. 1. 2. Диэлектрики и материалы, близкие к диэлектриками
      • 4. 1. 3. Гетерогенные системы
    • 4. 2. Зависимости параметров ЭСВИ от геометрии эксперимента
      • 4. 2. 1. Зависимость параметров ЭСВИ от полярного угла эмиссии
      • 4. 2. 2. Зависимость параметров ЭСВИ от азимутального угла эмиссии
      • 4. 2. 3. Зависимость параметров ЭСВИ от угла падения первичного пучка
    • 4. 3. Связь параметров ЭСВИ с вакуумными условиями и состоянием поверхности
    • 4. 4. Зависимость параметров ЭСВИ от параметров первичного пучка
      • 4. 4. 1. Зависимость параметров ЭСВИ от химической активности и массы первичных ионов
      • 4. 4. 2. Зависимость параметров ЭСВИ от величины заряда первичных ионов
    • 4. 5. Изотопические эффекты во вторичной ионной эмиссии и других явлениях, связанных с физико-химическими воздействиями на поверхность
      • 4. 5. 1. Изотопические эффекты в ЭСВИ
      • 4. 5. 2. Изотопический эффект при отражении ионных пучков
      • 4. 5. 3. Изотопические эффекты при взаимодействии поверхности с химически активными растворами
      • 4. 5. 4. Изотопические эффекты при ионной имплантации
      • 4. 5. 5. Изотопические эффекты при водородном насыщении материалов
      • 4. 5. 6. Изотопический эффект при термодиффузии меди в никеле
  • Выводы
  • Глава 5. Теоретическое описание ЭСВИ
    • 5. 1. Описание ЭСВИ при распылении гомогенных материалов
      • 5. 1. 1. Модель формирования ЭСВИ при распылении металлов и материалов со свойствами близкими к металлам
      • 5. 1. 2. Модель формирования ЭСВИ при распылении диэлектриков и материалов со свойствами близкими к диэлектрикам
    • 5. 2. Описание ЭСВИ при распылении гетерогенных материалов
      • 5. 2. 1. Модель формирования ЭСВИ при распылении гетерогенных материалов с металлическими и близкими к металлам свойствами компонент
      • 5. 2. 2. Модель формирования ЭСВИ при распылении гетерогенных материалов с диэлектрическими и близкими к диэлектрикам свойствами компонент
    • 5. 3. Обратная задача спектроскопии энергетически распределений вторичных ионов при распылении гетерогенных материалов
  • Выводы
  • Глава 6. Практические
  • приложения ЭМСВИ
    • 6. 1. Исследования поверхности технологических пластин кремния
    • 6. 2. Исследования дисперсных композиционных порошков продуктов плазмохимического
    • 6. 3. Исследования изотопов легких элементов в металлах, насыщенных изотопами водорода
    • 6. 4. ЭМСВИ в исследованиях результатов ионной имплантации в металлы
  • Выводы

Процессы при ионном распылении поверхности твердых тел и энерго-масс-спектрометрия вторичных ионов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Явления, сопровождающие взаимодействие ускоренных (до 1−10 кэВ) ионов с поверхностью играют важную роль во многих областях современной науки и техники (физика плазмы, микроэлектроника, ядерная и термоядерная энергетика, нано-размерные технологии и др.). Успешное развитие этих областей, а также решение таких актуальных задач, как, например, получение материалов с заранее заданными свойствами или проблема первой стенки термоядерного реактора требует понимания всего круга взаимосвязанных процессов, протекающих при ионной бомбардировке поверхности твердых тел. Поэтому в настоящее время широким фронтом ведутся фундаментальные исследования явлений и, приводящих к этим явлениям, процессов, протекающих при распылении поверхности пучками ускоренных ионов. К таким явлениям относятся, в частности, вторичная ионная эмиссия (ВИЭ) и ионно-фотонная эмиссия (ИФЭ). Суть этих явлений состоит в том, что среди вторичных атомов, молекул и кластеров, образующихся при распылении, наблюдаются ионизованные с различной кратностью (в этом случае говорят о ВИЭ) и возбужденные на различные уровни нейтральные и ионизованные частицы (наблюдаемый радиационный распад этих уровней называют ИФЭ).

Изучение ВИЭ и ИФЭ на уровне процессов, которые приводят к этим явлениям необходимо для более глубокого понимания целого ряда других явлений, связанных с ними: ионно-электронной эмиссии, ионолюминесценции, дефектообразования в приповерхностных слоях и др.

Несмотря на относительно короткий промежуток времени, в течении которого систематически изучаются эти явления (с 1950;х годов — ВИЭ, с 1960;х — ИФЭ), они используются в большом числе приложений, наиболее известными из которых являются следующие [1,10−13]. 1. Методы вторичной ионной масс-спектрометрии (ВИМС) и ионно-фотонной спектроскопии (ИФС), широко используемые для изучения элементного и химического состава поверхности и приповерхностных слоев.

2. Ионная масс-спектральная и ионно-фотонная микроскопии, применяемые для изучения распределений веществ по поверхности твердого тела.

3. Послойный элементный анализ, то есть определение профилей распределения химических элементов по глубине твердого тела, необходимый, например, для решения задач, связанных с имплантацией и диффузией.

Перечисленные приложения ВИЭ и ИФЭ являются наиболее развитыми к настоящему времени, но и они из-за отсутствия удовлетворительных теорий этих процессов не дают надежных количественных результатов без применения эталонов. Данное обстоятельство делает необходимым как дальнейшее развитие уже предложенных, так и создание новых теоретических моделей' процессов, приводящих к ВИЭ и ИФЭ, а также разработку и создание новой экспериментальной техники для проведения экспериментальных исследований.

Одним их наиболее информативных способов изучения механизмов ВИЭ является анализ энергетических спектров вторичных ионов (ЭСВИ). Закономерности ЭСВИ, с одной стороны, позволяют понять многие аспекты сложных физических процессов, протекающих при взаимодействии ионов с поверхностью. С другой стороны, при понимании особенностей формирования ЭСВИ из них (энергетических спектров) можно получать уникальную информацию о поверхности и субмикронных приповерхностных слоях и тонких пленках. Совместный анализ ЭСВИ и спектров масс вторичных ионов, как показано в гл. 4, позволяет получить несравненно больше информации (и несравненно дешевле) о элементном и химическом составе поверхности и субмикронных приповерхностных слоев, чем большинство методов диагностики поверхности.

Цель работы: исследования физических механизмов возбуждения и ионизации вторичных атомов и разработка метода диагностики поверхности и приповерхностных слоев твердого тела на основе анализа энергетических спектров вторичных ионов.

Для достижения указанной цели ставились следующие задачи. 1. Систематизация и классификация имеющихся и получение новых экспериментальных и теоретических данных о механизмах ионного распыления и ионообразования при распылении.

2. Разработка физических моделей для расчета вероятностей процессов возбуждения и ионизации вторичных атомов.

3. Создание высоковакуумной установки и разработка методик экспериментальных исследований энергетических спектров вторичных ионов.

4. Создание моделей формирования энергетических спектров вторичных ионов эмитированных из гомои гетерогенных материалов.

5. Разработка методик извлечения информации о физических характеристиках поверхности и приповерхностных слоев из энергетических спектров вторичных ионов.

6. Применение разработанных методик для решения прикладных задач диагностики поверхности в научных и технологических целях.

Среди сложных взаимосвязанных процессов, приводящих к возникновению ионизованных вторичных частиц при ионном облучении поверхности можно условно выделить 3 группы процессов, развивающихся в хронологической последовательности:

1. Процессы взаимодействия первичных ионов с атомами поверхности и приповерхностных слоев, приводящие к развитию каскада атомных столкновений или (при определенной геометрии эксперимента) к прямому выбиванию атомов.

2. Процессы в каскаде атомных столкновений, приводящие к эмиссии атомов в основном состоянии, в состояниях возбуждения и в ионизованном состоянии за пределы твердого тела.

3. Процессы электронного обмена между отлетающим (вторичным) атомом (или ионом) и поверхностью, приводящие к окончательному формированию возбужденных и ионизованных частиц.

Представления о механизмах процессов 1−3 в настоящее время интенсивно развиваются во многих аспектах. Вместе с тем уже сейчас в каждой из трех групп можно выделить некоторые общие положения, на которых строятся модели процессов.

Основные результаты работы были доложены и обсуждены на следующих конференциях, совещаниях и семинарах:

XII и XVII Всесоюзных совещаниях по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 1982, 1987,) — XXIV Межнациональном совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 1994) — Всесоюзном семинаре «Диагностика поверхности ионными пучками» (Запорожье, 1983) — VII Всесоюзной конференции «Взаимодействие атомных частиц с твёрдым телом» (Минск, 1984) — XIX Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике (Ташкент, 1984) — I научно-практической конференции памяти академика JI.B. Киренского (Красноярск, 1985) — 7-th International Conference «Ion Beam Analysis» (Berlin, 1985) — Всесоюзного совещания «Диагностика поверхности ионными пучками» (Ужгород, 1985) — 2-й Всесоюзной конференции «Квантовая химия и спектроскопия твердого тела» (Свердловск, 1986) — V региональной конференции «Молодые учёные и специалисты ускорению научно-технического прогресса» (Томск, 1986) — XIII, IX Всесоюзных конференциях «Взаимодействие атомных частиц с твердым телом» (Звенигород, 1987, 1989) — Н-й Всесоюзной конференции «Физика окисных пленок» (Петрозаводск, 1987) — V, VI Всесоюзных семинарах по вторичной ионной и ионно-фотонной эмиссии (Харьков, 1988, 1991) — I Всесоюзной конференции «Модификация свойств конструкционных материалов пучками заряженных частиц» (Томск, 1988) — Всесоюзном совещании-семинаре «Диагностика поверхности ионными пучками» (Москва, 1990) — VII Всесоюзном симпозиуме по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел (Москва, 1991) — X Всесоюзной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью» (Звенигород, 1991) — Международной конференции «Фундаментальные и прикладные проблемы охраны окружающей среды» (Томск, 1995) — V-й конференции «Аналитика Сибири и Дальнего Востока» (Новосибирск, 1996) — 7-th International Conference on Cold Fusion (Vancouver, 1998) — Rassian-Korean International Symposium on Science and Technology (Томск, 1998) — XV-XVII Международных конференциях «Ion-Surface Interaction» (Звенигород, 2001, 2003, 2005). XXVII-XXXII Международных конференциях по физ. взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 1998, 1999,2000,2001, 2003,2004,2006);

Автор искренне признателен и благодарен за многолетнее плодотворное сотрудничество своим коллегам Шулепову И. А., Косицину Л. Г., Чернову И. П., Пучкаревой Л. Н., Марковой Н.М.

За проявленный интерес к работе, моральную поддержку, ценные замечания и критику автор благодарит к.ф.-м.н. Соловьева Г. Г., к.ф.-м.н. Миннебаева К. Ф., профессоров Молчанова В. А., Машкову Е. С., Ченакина С. П., Попа С. С., Дробнича В. Г., Уразгильдина И. Ф., Юрасову В.Е.

За ценные замечания по содержанию рукописи диссертации, полезные советы при подготовке к защите и моральную поддержку автор благодарит научного консультанта профессора Тюрина Ю.И.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.И. Вторичная ионная эмиссия металлов. М.: Наука, 1978. — 240с.
  2. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Под ред. Р. Берета// Пер. с англ. под ред. В. А. Молчанова. -М.: Мир, 1980.-Вып. 1.-336 с.
  3. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Под ред. Р. Берета. // Пер. с англ. под ред. В. А. Молчанова. М.- Мир, 1984. — Вып. 2. — 366 с.
  4. Sigmund P. Sputtering of singl and multiple component materials // J. Vac. Sei. Technol 1980. — V. 17(1). — P. 396−399.
  5. P. Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы: Сб. статей. /Пер. с англ. под. ред. Вавилова B.C. М.: Мир, 1980. — С. 194.
  6. Kelly R. Thermal effects in sputtering // Surf Sei. 1979. — V. 90. — P. 280−318.
  7. Kelly R. The mechanism of sputtering. Part I: Prompt and Slow Collisional Sputtering //Rad. Eff. 1984. — V. 80. — P. 273−280.
  8. Ю.В., Рязанов A.M., Фирсов О. Б., Явлинский Ю. Н. Взаимодействие атомных частиц с твердым телом // Вопросы теории плазмы / Под ред. Б. Б. Кадомцева. М.: Энергоиздат, 1982. — Вып. 12. -С. 205−227.
  9. Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел: сб. статей. Пер. с англ./ Под ред. Е. С. Машковой. М.: Мир, 1989. — 349 с.
  10. В.Т. Ионный зонд. Киев: Наукова думка, 1981. — 328 с.
  11. В.Т. Ионный микрозондовый анализ. Киев: Наукова думка, 1992. -344 с.
  12. В.И., Черепин В. Т. Физические методы исследования поверхности твердых тел. Киев: Наукова думка, 1982. — 399 с.
  13. Поп С.С., Белых С. Ф., Дробнич В. Г., Ферлегер В. Ф. Ионно-фотонная эмиссия металлов. Ташкент: ФАН, 1989. — 199 с.
  14. Распыление под действием бомбардировки частицами // Под ред. Береша Р. Виттмака К. Пер. с англ. / Ред. Молчанов В. А., М.: Мир, 1998. Вып. 3. -551 с.
  15. К. Взаимодействие излучения с твердым телом и образование элементарных дефектов. М.: Атомиздат, 1979. — 296 с.
  16. Е.С., Молчанов В. А., Фальконе Дж. Пространственные распределения частиц, распыленных под действием ионной бомбардировки. III. Наклонное падение // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2000. — № 8. — С. 78−94.
  17. В.В., Семенов Д. С. Расчет угловых распределений атомов, распыленных легкими ионами // Поверхность. Физика, химия, механика. -1982. -№ 3.-С. 54−57.
  18. В.В., Семенов Д. С., Тельковский В. Г. Линейные ограниченные каскады в теории распыления аморфных веществ // Поверхность. Физика, химия, механика. 1983. — № 5. — С.5−12.
  19. В.В. Распыление аморфных металлов с высоким атомным номером // Поверхность. Физика, химия, механика. 1987. — № 3. — С. 67−73.
  20. В.В., Семенов Д. С., Тельковский В. Г. Распыление в механизме формирования униполярных дуг // Взаимодействие ионов и плазмы с поверхностью твердого тела: Сб. научн. трудов МИФИ. /Под ред. В. Г. Тельковского. М: Энергоатомиздат, 1986. — С. 38−46.
  21. Pletnev V.V. Sputtering of amorphous metals // Vakuum. 1993. — V. 44. — P. 935−941.
  22. Дж., Плетнев В. В., Попович П. А. Расчет пространственного и энергетического распределения атомов, эмитированных из тонкой пленки под действием ионной бомбардировки // Известия РАН, сер.: Физическая. 1998. -Т. 62.-№ 4.-С. 680−689.
  23. Roosendaal Н.Е., Sanders J.B. On the energy distribution and angulardistribution of sputtered particles // Rad. Eff. 1980. — V. 52. — P. 137−144.
  24. Roosendaal H.E., Haring K.A., Sanders J.B. Surface disruption as an observable factor in the energy distribution of sputtered particles // Nucl. Instrum. and Meth. -1982.-V. 194.-P. 579−591.
  25. Proc. Symp. on Sputtering./ Eds. N. Varga et al. Wien. — 1980. -511 c.
  26. Sigmund P., Claussen C. J. Sputtering from elastic-collision spikes // Appl. Phys. 1981. — V. 52. — № 2. — P. 990−996.
  27. Sigmund P., Szymonsky M. Temperature-Dependent Sputtering of Metals and Insulators // Appl. Phys. A. 1984. — V. A33. — P. 141−152.
  28. Л.Д., Лифшиц E.M. Гидродинамика. M.: Наука, 1988. — 733 с.
  29. Biersack J.P. Computer simulation in sputtering // Nucl. Istr. and Meth. in Phys. Res. 1987. — V. B27. — P. 21−36.
  30. Eckstein W. Transport of ion in matter. Computer simulation // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1984. — V. B2. — P. 550−556.
  31. Szymonsky M. Sputtering mechanisms of compound solids //Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res.- 1982.-V. 194.-P. 523−530.
  32. Berres W., Bay H.L. The velocity Distribution of Sputtered Zn Atoms for Normal and Oblique Angle of Incidence //Appl. Phys. 1984. — V. A33. — P. 235−242.
  33. Hou M., Reid I., Thompson M.W. Computer studies of surfaces recoil ejection mechanisms from gold single crystals // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1980. -V. 170.-P. 337−341.
  34. Scheider P.-J., Eckstein W., Verbeek H. Computer studies of sputtering mechanisms // Nucl. histr. and Meth. in Phys. Res.-1984. V. B2. — P. 665−670.
  35. А.И., Крылова E.A., Машкова E.C. Пространственное распределение распыленного вещества при бомбардировке поликристаллов ионами // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. — № 7. — С. 18−24.
  36. Williams P. The sputtering process and sputtering ion emission //Surf. Sci. -1979.-V. 90.-P. 588−634.
  37. B.B., О моделях образования возбужденных частиц при ионнойбомбардировке твердых тел // Поверхность. Физика, химия, механика. -1982. -№ 4.-С. 62−71.
  38. М.А. Теоретические модели механизма вторичной ионной эмиссии // Металлофизика. 1978. — Вып. 72. — С. 3−15.
  39. Krauss A.R., Gruen D.M. Secondary-ion emission from clean and oxygen-covered beryllium surfaces // Surf. Sci. 1980. — V. 92. — P. 14−28.
  40. Н.Н. Неравновесная модель возбуждения атомов в каскадах атомных столкновений // Материалы XII Междунар. конф. по взаимод. ионов с поверхностью. М. — 1995. — Т. 1. — С. 263−266.
  41. Carter G., Armour D.G., Snowdon K.J. Cascade and quasi thermal processes in excited atom sputbering // Rad. Eff. 1978. — V. 35. — P. 175−187.
  42. Wright R.B., Gruen D.M. Secondary photon emission studies of ion bombarded beryllium // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1980. — V. 170. — № 3. p. 577 583. (атакже J. Chem. Phys.- 1980. — V. 72.-P. 147).
  43. Kelly R. On the origin of sputtered excited atoms // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1982. — V. 194. — P. 583−588.
  44. О.Б. Качественная трактовка средней энергии возбуждения электронов при атомных столкновениях // ЖЭТФ. 1959. — Т. 36. — С. 1517— 1521.
  45. Prival H.G. A model of the ion sputtering process // Surf. Sci. 1978. — V. 76. -P. 443−450.
  46. Anderson P.W. Localised Magnetic States in Metals // Phys. Rev. 1961. — V. 124.-P. 41−54.
  47. Urazgil’din I.F., Gusev M. Yu., Klushin D.V., Sharov S.V. Effect of the band structure on charge exchange during atom-surface collisions // Phys. Rev., В 1994.-V. 50.-P. 5582−5590.
  48. Oechsner H., Sroubek Z. The formation of Ta+ secondary ions at oxygen-covered Та surfaces // Surf. Sci. 1983. — V. 127. — № 1. — P. 10−20.
  49. Gunnarsson O., Lundquist B.I. Exchange and correlation in atoms, molecules, and solids by the spin-density-functional formalism // Phys. Rev., В 1976. — V. 13. -P. 4274−4280.
  50. Blandin A., Nourtier A., Hone D.W. Localisated time-dependent perturbation in metals: formalism and simple examples // J. Physique / Paris. 1976. — V. 37. — P. 369−378.
  51. Brako R., Newns D.M. Theory of electronic processes in atom scattering from surfaces // Rep. Prog. Phys. 1989. — V. 52. — P. 655−661.
  52. Lang N.D. Studies of the Atom-Surface Interaction and Charge Exchange in Sputtering//Proc. 2 Int. Workshop, Schloss Elman, Oct.15−17, 1984. Berlin, 1985. -P. 2−8.
  53. Lang N. D. Ionization probability of sputtered atoms // Phys. Rev. B. 1983. — V. 27.-№ 4.-P. 2019−2029.
  54. Yu M.L., Lang N.D. Mechanism of atom and ion emission during sputtering // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1986. — V. В14. — P. 403−413.
  55. Hagstrum H. D. Non-elastic Ion-Surface Collisions. / Edited by N.H. Tolk, J.C. Tully, W. Heiland, C.W. White. New — York-San Francisko — London: Academic Press.- 1977.-P. 1−25
  56. Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. -М., Мир, 1989.-568 с.
  57. Д., Майер Д. Основы анализа поверхности твердых тел и тонких пленок. М., Мир, 1989. — 342 с.
  58. Н.Н. Основы изотопного, химического и структурного анализа поверхности методами атомной физики: Учебное пособие. Томск: ТПУ, 2002. -198 с.
  59. Norskov J.K., Lundguist B.I. Secondary-ion emission probability in sputtering //
  60. Phys. Rev. 1979. -V. 19.-No.ll-P. 5661−5665.
  61. Braco R., Newns D.M. Charge exchange in atom-surface scattering: thermal versus quantum mechanical non-adiabaticity // Surf. Sci. 1981. — V. 108. -No.l. -P. 253−270.
  62. В.А., Ледянкин Д. В., Уризгильдин И. Ф., Юрасова В. Е. Квазирезонанасный электронный обмен при эмиссии вторичных ионов с поверхности кремния // Письма в ЖЭТФ. 1986. — Т. 44. — С. 398101.
  63. Yurasova V.E. Secondary particle emission from metals under ion bombardment in the region of phase transition. Charged-particle and photon emission // Vacuum. -1986. V. 36. — № 10. — 3. 609−630.
  64. Urazgil’din I.F., Borisov A.G. The formation of excited secondary Si atoms // Vacuum. 1991. -V. 40. — P. 461166.
  65. М.Ю., Клушин Д. В., Уразгильдин И. Ф., Шаров С. В. Влияние особенностей зонного спектра на перезарядку атомов при их столкновении с поверхностью// ЖЭТФ. 1993. — Т. 103. — С. 2102−2105.
  66. Klushin D.V., Gusev М. Yu., Lysenko S.A. and Urazgil’din I.F. Effect of the local electronic temperature on secondary-ion spectra // Phys. Rev., В 1996. — V. 54.-№ 10.-P. 7062−7066.
  67. Д.Г., Борисов А. Г., Уразгильдин И. Ф. Расчет электронного обмена между атомной частицей и поверхностью твердого тела с произвольной плотностью электронных состояний // Изв. РАН. Сер. Физическая. 1998. — Т. 62.-№ 4.-С. 769−772.
  68. Garrett R.F., MacDonald R.J., O’Connor D.J. Comments on the physical significance of E* value for excited sputtered atoms // Surf. Sci. 1983. — V. 131. --№ 1. — P. L399-L405.
  69. Sroubek Z. Theory of charge States in sputtering // Nucl. histr. and Meth. in Phys. Res.- 1982.-V. 194.-P. 533−539.
  70. Sroubek Z. Ionisation of atoms sputtering from AIHBV compounds // Nucl. mstr. and Meth. in Phys. Res. 1983. -V. 218. — P. 336−339.
  71. Sroubek Z. Electronic excitations in collision cascades and the ionisation of sputtered particles // Appl. Phys.Lett. 1984. — V. 45. — No.28. — P. 849−851.
  72. Е.Ю., Матулевич Ю. Т. Поведение электронной подсистемы твердого тела в каскаде столкновений. Динамика электронной температуры // Изв. РАН, сер. Физическая. 2000. — Т. 64. — № 4. — С. 787−790.
  73. Н.Н. О проявлении взаимодействия атомных частиц, движущихся вблизи поверхности металлов, с плазмонами в экспериментах по ионно-фотонной эмиссии // Томский политех, ин-т. Деп. в ВИНИТИ. — 1985. -№ 1378−85.-21 с.
  74. Н.Н., Тюрин Ю. И., Колоколов Д. Ю., Шигалугов С. Х. Модель возбуждения вторичных атомов поверхностными плазмонами // Известия ТПУ. Т.308. — № 6. — 2005. — С. 18−23.
  75. Н.Н. Некоторые вопросы образования спектра ионно-фотонной эмиссии при распылении переходных и редкоземельных металлов // Томский политех, ин-т. Деп. в ВИНИТИ. — 1983. — № 442−84. — 27 С.
  76. Н.Н. О возбуждении атома, движущегося вблизи металлической поверхности, поверхностными плазмонами // Тез. 1-й научно-практической конф. памяти акад. JI.B. Киренского. Красноярск, 1985. С. 87.
  77. Kasai Н., NakanishiH., Okiji A. Ionization probability of atoms sputtered from metal surface // Journ. of Phys. Soc. of Jap. 1986. — V. 55. — № 9. — P. 32 103 217.
  78. Sroubek Z. Ionisation of low-energy atoms ejected from ion-bombardment solid surface // Phys. Rev., B. 1982. — V. 25. — No.9. — P. 6046−6052.
  79. Л.Д., Лифшиц E.M. Квантовая механика. M., Наука. — 1974. -752 с.
  80. Yu M.L. Effect of surface chemistry on secondary-ion yields at ion sputtering // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1987. — V. В18. — P. 542−549.
  81. Mann K., Yu M.L. Effect of chemical bonding on positive secondary-ion yields in sputtering // Phys. Rev. 1987. — V. B35. — P. 6046−6051.
  82. Andersen C.A., Hinthorne J.R. Ion microprobe mass analyser // Science. 1972. -V. 175.-P. 853−859.
  83. Jurela Z. Periodicity of the degree of positive ionization of sputtered atoms in the conception of thermal spikes // Nucl. Instr. and Meth. 1982. — V. 194. — P. 597— 601.
  84. Andersen C.A., Hinthorne J. R. Thermodynamic approach to the quantitative interpretation of sputtered ion mass spectra // Anal. Chem. 1973. — V. 45. — No.8. -P. 1421−1438.
  85. Andersen C. A. A critical discussion of the local thermal equilibrium model for the quantitative correction of sputtered ion intensities // NBS. 1975. Spec. Publ. -№ 427.-P. 79−119.
  86. Jurela Z. The application of nonequilibrium surface ionization to the emission of secondary ions // Int. J. Mass Spect. and Ion Phys. 1975. — V. 17. — № 1. — P. 7788.
  87. Coles J.M. A study of the feasibility of a surface plasma influencing secondary ion and photon emission under medium energy ion bombardment // Surf. Sci. 1979. -V. 79.-№ 2-P. 549−574.
  88. Arlinghaus H., Bispinck H. Examination of the LTE model for the sputtering process with spectroscopy of ion induced photon (SUP) // Surf. Sci. 1983. — V. 134. -P. 567−570.
  89. Yu M.L. Mechanism of atomic ion emission during sputtering // Nucl. histr. and Meth. 1986.-V.B14.-P. 403−413.
  90. Shimizu R., Okutani T., Ishitani T. Simultaneous measurement of photon and ion emission from ion bombarded A1 in oxygen atmosphere // Surf. Sci. 1977. — V. 69. -P. 349−353.
  91. Rudenauer F.G., Steiger M., Werner H.W. On the use of Saha-Eggert equation for quantitative SIMS analysis using Ar primary ions // Surf. Sci. 1976. — V. 54. -P. 553−558.
  92. Morgan A. E., Werner H. M. Quantitative analysis of low alloy steels bysecondary ion mass spectrometry // Anal. Chem. 1976. — V. 48. — P. 699−703.
  93. Simons D. S., Baker J. E., Evans C.A. Evaluation of the local thermal equilibrium for quantitative secondary ion mass spectrometry analysis // Anal. Chem. 1976.-V. 48.-P. 1341−1346.
  94. Schroer J. M. Calculation from first principles of the yield of ions and excited neutral atoms sputtered from metal surface // Surf. Sci. 1973. — V. 35. — P. 486 489.
  95. MacDonald R. J. A study of the interaction of oxygen with chromium using ion bombardment induced photon and secondary ion emission // Surf. Sci. 1977. — V. 67.-P. 237−250.
  96. Jurela Z. The application nonequilibrium surface ionization to the emission of secondary ions // J. Mass Spect, and Ion Phys. 1973. — V. 12. — P. 33−42.
  97. Good-Zamin P., Shehata M. Т., Squires D. В., Kelly R. On the problem of whether exited states atoms among sputtered particles are of thermal origin // Rad. Eff. 1978. — V. 35. — P. 139−143.
  98. Wittmaack K. Secondary ion production due ion-surface bombardment // Inelastic ion-surface collisions. Academic press. Inc. New-York San Francisco — London. -1977.-P. 153−199.
  99. B.C., Рамендик Г. И. О возможности описания с помощью квазиравновесной модели относительного выхода вторичных ионов в масс-спектрометрии // Журн. анал. хим. 1991. — Т. 46. — Вып. 2. — С. 241−252.
  100. З.Я., Ионов Н. И. Поверхностная ионизация. М., 1969.-410 с.
  101. В.Г. О некоторых особенностях формирования вторичной ионной эмиссии из полярных (слабопроводящих) матриц // Поверхность. Физика, химия, механика. -1986.- № 3. С. 23.
  102. Ramendik G.I., Grechishnikov A.V., Tyurin D.A. et al. Without a reference procedure of a quantitative analysis by mass spectrometry methods // Int. J. Mass Spectrom. And Ion Processes. 1985. V. 63. P. 11−15.
  103. Г. И., Тюрин Д. А., Крючкова Д. И. и др. О перспективах разработкибезэталонных методик количественного анализа методом искровой масс-спектрометрии // ЖАХ. 1985. — Т. 40. — № 7. — С. 1210−1214.
  104. Неравновесная колебательная кинетика // Сб. статей. Пер. с англ. под ред. М.Капители. — М.: Мир, 1989. — 392 с.
  105. В.А. О неполном равновесии, возникающем в результате колебательно-колебательного энергообмена в релаксирующей среде // Журн. прикл. спектроскопии. 1972. — Т. 17. — Вып.6. — С. 992−999.
  106. Л.Д., Лифшиц Е. М. Статистическая физика. М.: Наука, 1964. -457 с.
  107. Н.Н. К вопросу о природе сплошного оптического спектра в исследованиях вторичной фотонной эмиссии при распылении // Тезисы докладов Всесоюзного семинара «Диагностика поверхности ионными пучками». Запорожье. — 1983. — С. 83−85.
  108. В.А., Сабуров А. С., Филимонов Г. М. Влияние собственного кильватерного потенциала на состояние движущегося атома в твердом теле // Поверхность. Ренгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. -2002.-№ 4.-С. 99−100.
  109. В.В., Коваль А. Г., Гоков С. П., Шевченко Д. И. Исследования основных закономерностей ионно-фотонной эмиссии металлов // Известия РАН, серия Физическая. 1998. — Т.62. — № 2. — С. 829−835.
  110. Gersten J.I., Tsoar N. Many-body effects in Auger deexcitation of atoms near solids //Phys. Rev. 1974. — B9. — P. 4038041.
  111. Heinrichs J. Response of Metal Surfaces to Static and Moving Point Charges and to Polarizable Charge Distribution // Phys. Rev., B. 1973. — V. 8. — № 4. — P. 1346−1354.
  112. Lee Т.К., Birman J.L. Molecule adsorbed on plane metal surface. Coupled system eigenstates // Phys. Rev., B. 1980. -V. 22. — P. 5953−5962.
  113. Ли Т.К., Бирман Д. Л. Модель связанных состояний и квантовая теория сил изображения // В кн.: «Гигантское комбинационное рассеяние». Под ред. Р.
  114. Ченга и Т. Фуртака. Перевод с англ. под ред. В. М. Аграновича. — М. — Мир. -1984.-С. 61−74.
  115. .А., Румянцев В. В. Состояния атомов, адсорбированных на поверхности металла//ЖЭТФ.- 1984.-Т. 86.-С. 1715−1720.
  116. Lucas A.A. Self-image excitation mechanism for fast ion scattering by metal surfaces at grazing incidence // Phys. Rev. 1979. — B20. — P. 4991−5000.
  117. Ohtsuki Y.H., O’Hori Т., Kawai R. Interaction of atoms with surface plasmons // Nucl. Instrum. and Meth. 1982. — V. 194. — P. 35−38.
  118. O.M., Ильченко Л. Г., Пашицкий Э. А. Адсорбция щелочных атомов на поверхности переходных металлов с учетом потенциала изображения // ФТТ. -1980.-Т. 22.-С. 1649−1655.
  119. Schmeits М., LucasA.A. Physical adsorption and surface plasmons // Surf. Sci. -1977.-64.-P. 176−196.
  120. Elson J.M., Ritche R.H. Photon interactions at a rough metal surface // Phys. Rev. -1971.- B4.- P. 4129—4135.
  121. Nkoma J., Loudon R., Tilley D.R. Elementary properties of surface polariton // Journ. Phys. 1974. — V. CI. — P. 3547−3551.
  122. Agrwal G.S. Quantization of the surface polariton field and the decay of an atom in the present of dielectric // Opt. Commun. 1975. — V. 13. — P. 375−380.
  123. Babiker M. Interaction of charges with metallic surfaces invalidity of the surface plasmon model // Physica. — 1983. -V. 115 B. — P. 339−345.
  124. И., Нитцан А. Электромагнитная теория: модель сфероида // В кн.: «Гигантское комбинационное рассеяние». Под ред. Р. Ченга и Т. Фуртака / Перевод с англ. под ред. В. М. Аграновича. — М. — Мир. — 1984. — С. 94−109.
  125. Sroubek Z. Theory of charge state in sputtering // Nucl. Instrum. and Meth. -1982.-V. 194.-№ 3.-P. 533−538.
  126. Fuchs P., Kliwer K.L. Surface plasmon in a semi-infinite free-electron gas // Phys. Rev. B. 1971. -V.3.- P. 2270−2276.
  127. P. Квантовая теория света. M.: Мир. -1969. — 624 с.
  128. A.C. Квантовая механика. М.: ГИФМЛ. — 1963. — 543 с.
  129. Сб. «Гигантское комбинационное рассеяние». Под ред. Р. Ченга и Т. Фуртака. — Перевод с англ. под ред. В. М. Аграновича. — М. — Мир. — 1984. -408 с.
  130. Feibelman P.J. Local field at an irradiated adatom on jellium-exact microscopic result // Phys. Rev., B. 1980. — V. 22. — P. 3654−3661.
  131. Д. Элементарные возбуждения в твёрдых телах. М.: Мир. -1965. -465 с.
  132. Watanable Н. Spectrums of an energy loss at passage of electrons through thin films//Journ. Phys. Soc. Japan.- 1954.-V. 8.-P. 1035−1041.
  133. Keiln W. Energiespekten von 35 kV-electronen, die an Festkorper ober flachen reflectiert wurden // Optic. 1954. — Bend 11. -Heft 5. — P. 226−231.
  134. Поп С. С. Оптическая спектроскопия частиц, возбужденных при взаимодействии ионов с поверхностью твердых тел // Сборник трудов Всесоюз. совещ. «Диагностика поверхности ионными пучками». Ужгород: УжГУ. 1977. — С. 178−199.
  135. Veje Е. Study of atomic excitation in sputtering with the use of Mg, AI, Ca, and Cd targets // Phys. Rev. 1983. — V. B28. — P. 5029−5035.
  136. A.P., Одинцова Г. А. Таблицы спектральных линий атомов и ионов. М.: Энергоиздат. — 1982. — 850 с.
  137. Ю.А., Фридрихов С. А. Резонансное упругое рассеяние медленных электронов в твердых телах вблизи порогов неупругих каналов // Поверхность. Физика, химия, механика. 1982. — № 1. — С. 43−48.
  138. С. Научные основы вакуумной техники. М.: Мир. — 1964. — 340 С.
  139. Е.С., Молчанов В. А. Рассеяние ионов средних энергий поверхностями твердых тел. М.: Атомиздат. — 1980. — 255 с.
  140. H.H., Аброян И. А. Диагностика поверхности с помощью ионных пучков. Л.: ЛГУ. — 1977. — 231 с.
  141. Л.А., Лукьянов С. Ю. Движение заряженных частиц вэлектрических и магнитных полях, 2-е изд. М.: Наука. — 1978. — 311 с.
  142. .Э., Маркович М. Г. Фокусировка и отклонение пучков в электроннолучевых приборах. М.: Наука. — 1967. — 325 с.
  143. В. Основы электронной оптики. Перевод с нем. М.-1957.
  144. Н.С. Курс лекций по электронной оптике, 2-е изд. Харьков, 1961.-200 с.
  145. В.М., Явор С. Я. Электронная оптика, 3-е изд. Д., 1968. — 420 с.
  146. Р. Современная физика. -М.: Наука. 1974. — 591 с.
  147. В.Т., Васильев М. А. Методы и приборы для анализа поверхности. -Киев.: Наукова думка. 1982. — 399 с.
  148. Sevier K.D. Low Energy Electron Spectrometry. Wiley. — New York. — 1972.
  149. Roy D., Carette J.D. // Electron Spectrometry for Surface Analysis, Topics in Current Physics, Ibach ed. Springer Verlag. Berlin. — 1977. — V. 4. — P. 13.
  150. А.А., Чупахин M.C. Введение в масс-спектрометрию. M.: Атомиздат, 1977. — 302 с.
  151. В.М., Родникова И. В., Секунова Л. М. Статические масс-спектрометры. Алма-Ата: Наука. — 263 с.
  152. А.А. Физика и техника масс-спектрометрический приборов и электромагнитных установок. М.: Энергоатомиздат. — 1983. — 256 с.
  153. Wittmaack К. Design and performance of quadrupole-based SIMS instruments: a critical review // Vacuum. 1982. — V. 32. — № 2. — P.65−89.
  154. . Современная физика в прикладных науках // Перевод с англ. под ред. Е. М. Лейкина / М.: Мир. 1985. — 272 с.
  155. Н.А., Меламид А. Е. Фотоэлектронные приборы. М.: Энергия. -1974.-327 с.
  156. А.Г., Гаранин В. А., Зайдель И. Н. Вакуумные фотоэлектронные приборы. -М.: Энергия. 1974.-417 с.
  157. А. Л., Ченакин С. П., Черепин В. Т. Установка для анализа энергий и масс заряженных вторичных частиц // Тез. докл. IV Всесоюзн. семинара по вторичной ионной и инно-фотонной эмиссии. Харьков: ХГУ, 1983.-С. 274−276.
  158. A. JI. Ченакин С. П. Черепин В. Т. Энергетические распределения вторичных ионов эмитированных из аморфных и кристаллических сплавов на основе железа // Поверхность. Физика, химия, механика. -1987.- № 6. -С. 126−133.
  159. Физическая энциклопедия // М: Большая Российская энциклопедия. 1994. -Т. 4.
  160. Ч. Введение в физику твердого тела / Перевод с англ. А. А. Гусева. -М.:ГИФМЛ.- 1963. -696 с.
  161. Wittmaack К. Energy dependence of the secondary ion yield of metals and semiconductors // Surf. Sci. 1975. — V. 53. — P. 626−635.
  162. Hennequin J.-E. Distribution energetique et angulaire de l’emission ionique secondaire // J. Phys. 1968. — V. 29. — P. 655−660.
  163. Komori K., Okano J. Dependence of the energy distribution on the emission angel for the secondary ions from the polycrystalline aluminum // Int. J. of Mass. Spect. And Ion Phys. 1978. — V. 27. — P. 379−383.
  164. Oliva A., Falcone G. Secondary ion emission: the role of the angular resolved energy spectrum // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. 1986. — V. 13. — P. 377−382.
  165. Snowdon K.J., MacDonald R.J. Secondary ion energy spectra of polycrystalline transition metals and aluminum // Int. J. of Mass. Spect. And Ion Phys. 1978. — V. 28.-P. 253−256.
  166. Rudat M.A., Morrison G.H. Energy spectra of ions spattered from elements by02+: a comprehensive study // Surf. Sci. 1979. — V. 82. — P. 549−576.
  167. Witmaack K. Current density effects in secondary ion emission study // Nucl. Instrum. and Meth. 1976. — V. 132. — P.381−385.
  168. Vasile M.J. Velocity dependence of secondary ion emission // Phys. Rev. B. -1984.-V. 29.-№ 7.-P. 3785−3794.
  169. Okutani Т., Shimisu R. Measurement of The Energy Distribution of Secondary Ions Pure Metals and Alloys // Jnt. J. Appl. Phys. 1981. — V. 20. — № 8. — P. 14 351 442.
  170. Blattner R.J., Nadel S., Evans C.A. et al. Improvement depth resolution in ouger depth profiling of multilayred thin films by reactive ion sputtering // Surf. Interface Anal.- 1979.-V. l.-P. 32−35.
  171. Rabalais J. W. Ion Induced Surface Alterations Due to Electronic Charge Exchange and Chemical Reactions // Israel Journal of Chemistry. 1982. — V. 22. -P. 65−374.
  172. К.Ф., Черныш B.C. Установка для исследований энергетических и угловых распределений вторичных ионов методом масс-спектрометрии // Тез. докл. У Всесоюзн. семинара по вторичной ионной и ионно-фотонной эмиссии. -Харьков.-1988.-4.2.-С. 141−143.
  173. В.М., Миннебаев К. Ф., Уразгильдин И. Ф., Черныш B.C. Угловые и энергетические распределения вторичных ионов при распылении поликристаллов // Вестник МГУ, сер. З: Физика. Астрономия. 1990. — Т. 31. -№ 1. -Р.28−33.
  174. Э. Физика поверхности. М.: Мир, 1990. — 536 с.
  175. В. Компьютерное моделирование взаимодействия частиц споверхностью твердого тела. М.: Мир, 1990. — 536 с.
  176. Н.Н. Неравновесная модель возбуждения атомов в каскадах атомных столкновений //Материалы XV Международной конференции «Ion-Surface Interaction» (Звенигород, 27−31 авг. 2001 г.). М. — 2001. — Т. 1. — С. 48893.
  177. В.П., Носиковский П. И., Косицын Л. Г. Установка для исследований вторичной ионной эмиссии материалов // Рукопись деп. В ВИНИТИ № 7115−84 ДСП. 28 с.
  178. Л. Б. Тельковский В.Г. Применение особенностей энергетического распределения вторичных ионов для анализа состояния поверхности твердых тел // Поверхность. Физика, химия, механика. 1982. — № З.-С. 93−97.
  179. Kraus A.R., Gruen D.M. Ion sputtering yield measurement by integration of secondary ion energy distribution using a retardation-dispersive ion energy analyzer //Appl. Phys. 1977. — V. 14. — P. 89−97.
  180. Kraus A.R., Gruen D.M. The application of secondary ion emission to impurity control in tokomaks // Journal of Nuclear Materials. 1979. — V. 85/86. — P. 11 791 183.
  181. Jurela Z. Average energy of sputtering ions from fifteen polycrystalline targets // Int. Journ. of Mass Spectrom. and ion Phys. 1975.-V. 18.-P. 101−110.
  182. Jurela Z. Energy distribution of secondary ions from 15 polycrystalline targets // Rad. Eff. -1973. V. 19.-P. 175−180.
  183. Dawson P.H. SIMS studies of the adsorption of Ог, CO, CO2 on titanium using low primary energies // Surf. Sci. 1977. — V. 65. — P. 41−62.
  184. Shapiro M.H., Haff P.K., Tombrello T.A., Harrison D.E. Simulation of isotopic mass effects in sputtering // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1985. — V. В12. -P. 137−145.
  185. Shimizu N., Hart S.R. Isotope fractionation in secondary ion mass apectromrtry // J. Appl. Phys. 1982. -V. 53(3). — P. 1303−1311.
  186. Gnaser H., Hutcheon J.D. Velocity-dependent isotope fractionation in secondary ion emission // Phys. Rev., B. 1987. — V. 35. — № 1. — P. 877−879.
  187. Gnaser H., Hutcheon J.D. Preferential emission of light isotopes in the initial stage ofsputtering//Surf. Sci.- 1988.-V. 195.-P. 499−511.
  188. Gnaser H., OechsnerH. Isotopic mass effect in sputtering: dependence on fluency and emission angle // Nucl. Instr. And Meth. In Phys. Res. 1990. — V. B48. — P. 544−548.
  189. Shwarz S.A. Measurement of the secondary ion mass spectrometry isotope effect // J. Vac. Sci. Technol. 1987. — V. A5(3). — P. 308−312.
  190. Н.Н., Косицын Л. Г., Маркова Н. М., Шулепов И. А. О изотопическом эффекте во вторичной ионной эмиссии // Тезисы докладов Всесоюзного семинара по вторичной ионной и ионно-фотонной эмиссии. -Харьков. ХГУ. — 1988. — 4.1. — С. 69−71.
  191. Okajima Y. Formation of Мо+ ions from metal oxygen bombardment by 13 keV Ar+ ions // J. Appl. Phys. 1984. — V. 55(1). — P. 230−234.
  192. A.C. № 1 651 724. H 01 J 49/00, G 01 N 23/225 Способ определения химического состава металлов и полупроводников / Никитенков Н. Н., Маркова Н. М., Косицын Л. Г., Шулепов И. А., Усов Ю. Н. Заявка № 4 400 900. Приоритет от 31.03.1988.
  193. Wright Н.В., Gruen D.M. Discussion of the origin of the secondary photon and secondary ion emission during energetic particle irradiation of solids // J. Chem. Phys.- 1980.-V. 72(1).-P. 147−171.
  194. Vasile M.J. Evidence for the auger neutralisation mechanism in secondary ion emission//Surf. Sci.-1982.-V. 115.-P. L141-L146.
  195. Vasile M.J. The velocity dependence of secondary ion yields // Nucl. Instrum. and Meth. is Phys. Rev. 1983. — V. 218. — P. 319−323.
  196. Bayly A.R., MacDonal R.J. The energy spectra of secondary ions emitted during ion bombardment // Rad. Eff. 1977. — V. 34. — P. 169−181.
  197. Snowdon K.J., MacDonald R.J. Secondary ions energy spectra of polycrystalline transitions metals and aluminium // Int. J. of Mass Spectrom. and Ion Phys. // 1978. -V. 28. P. 233−256.
  198. Snowdon K.J. A comparison of experimental secondary ions energy spectra of polycrystalline metals with theory // Rad. Eff. 1978. — V. 38. — P. 235−242.
  199. Blaise G., Slodzian G. Influence des processue d’echange electronigue atome-metal sur la production des ions secondaires lents // Revue de physique appliquee.1973.-V. 8.-P. 247−257.
  200. Blaise G., Slodsian G. Effects compares de oxygene sur 1'emmission ionigeue et le potential de surface des metaux //Surf. Sci. -1973. V. 40. — P. 708−714.
  201. Yu M.L. Velocity dependence of the ionisation probability of sputtered atoms // Phys. Rev. Lett. 1981. — V. 47. — № 18.-P. 1325−1328.
  202. Yu M.L. Work-function dependence of negative -ion-production during sputtering // Phys. Rev. Lett. 1978. — V. 40. — № 9. — P. 574−577.
  203. Ю.А., Чернова Е. Е., Хаханина Т. Н., Никитенков Н. Н. О механизме процесса очистки поверхности кремния от кремнийорганики в активированных растворах серной кислоты // Томский политехи, институт / Деп. в ВИНИТИ 10.07.95.-№ 2068-В95. 26 с.
  204. Ю.А., Чернова Е. Е., Хаханина Т. И., Никитенков Н. Н. О механизме процесса очистки кремниевых поверхностей от примесей металлов, соединений хлора и брома // Томский политехи, институт /Деп. в ВИНИТИ 10.07.95. № 2069 — В95. — 35 с.
  205. Способ определения процесса ионного травления. // Заявка № 54−29 410, Япония, Публ. 1979. IX. № 2 736.
  206. Г. Ф., Ефремов А. А., Диденко П. И. Структура межфазных границ и распределение вторичных ионов по энергиям // Сборник трудов Всесоюзного совещания «Диагностика поверхности ионными пучками». Ужгород. — УжГУ.- 1985.-С. 15−16.
  207. А.Н., Бамбуров В. Г., Никитенков H.H., Швейкин Г. П. Приповерхностное протонно-ионное легирование оксидов // Препринт института химии УрО АН СССР / Под ред. Р. Н. Плетнева. Свердловск. -1991.-89 с.
  208. H.H., Шулепов И. А., Косицын Л. Г. и др. Послойный анализ боросиликатных стекол методом ЭМСВИ в сочетании с ЭОС, POP, ЯО II Тезисы докладов Всесоюзного совещания-семинара «Диагностика поверхности ионными пучками». М.- 1990.-С. 171−172.
  209. В.И., Черныш B.C., Ширков A.B., Шмелев Ю. А. Ионно-фотонная эмиссия кобальта при температуре фазового перехода // Поверхность. Физика, химия, механика. 1982. — № 6. — С. 70−74. Проверить название
  210. В.А., Дубский Г. А., Рожков A.M. и др. Вторичная ионная эмиссия кобальта при полиморфном превращении // Поверхность. Физика, химия, механика. 1984. — № 9. — С. 50−52.
  211. М.И. Ионная имплантация в металлах // Поверхность. Физика, химия, механика. 1982. — № 4. — С. 27−50.
  212. B.JI., Саломатин A.A., Шишкин Б. Б., Чернов И. П., Мамонтов А. П., Никитенков H.H. Электронная микроскопия кристаллов вольфрама и молибдена, облученных у- квантами // Вестник МГУ. сер. 3: Физика, астрономия. — 1988. — Т. 29. — № 5. — С. 86−87.
  213. A.A., Маштакова В. А., Шишкин Б. Б., Чернов И. П., Мамонтов А. П., Никитенков H.H. Влияние облучения у- квантами на эмиссионные свойства вольфрама и молибдена // Атомная энергия. 1989. — Т. 66. — Вып.1. -С. 53−55.
  214. Р.Г., Крючков Ю. Ю., Малютин В. М., Пирогов В. А., Никитенков H.H. и др. Перемешивание тонких металлических структур Au/Cu и Cu/Mo под действием мощных ионных пучков // Поверхность. Физика, химия, механика. -1990.-№ 11.-С. 135−142.
  215. Zavodchikov V.H., Nikitenkov N.N., Puchkareva L N., Yatis A.A. Investigation of implanted layers with SIMS and RBS methods // Abstr. of 7-th Inter. Conf. Ion
  216. Beam Anal. Berlin. — 1985. — P. 286−287.
  217. Zavodchikov V.H., Nikitenkov N.N., Puchkareva L N., Yatis A.A. SIMS and RBS investigation of implanted layers // Nucl. Instrum. and Meth. B. 1986. — V. 17. -№ l.-P. 62−65.
  218. Ю.Н., Широков A.A., Никитенков H.H. Исследование профилей химического состава анодных окислов и свойств МОП структур на арсениде индия // Тезисы докладов 2-й Всесоюзной конференции «Физика окисных пленок». Петрозаводск. — 1987. — 4.2. — С. 87.
  219. H.H., Косицын Л. Г., Маркова Н. М., Шулепов И. А. Послойная энерго-масс-спектрометрия оксидных пленок на InAs // Материалы IX
  220. Всесоюзной конференции «Взаимодействие атомных частиц с твердым телом» М.: МИФИ. 1989. — Т. 1. — Ч. 2. — С. 245−247.
  221. Н.К., Кравцов В. И., Поздняков А. Г., Никитенков H.H., Яновский В. П. Электронная и ионная спектроскопия тонкопленочных контактов металл-полупроводник // Электроника. сер. 3: Микроэлектроника. — 1989. -Вып.1(297).-С. 225−226.
  222. И.А., Филимонова И. Ю., Мелев В. Г., Никитенков H.H. Исследование гетероструктур InP/GaAs, полученных методом газофазной эпитаксии // Электронная техника. сер: Материалы. — 1990. — № 6(251). — С. 46−50.
  223. Н.К., Поздняков А. Г., Кравцов В. И., Красильникова Л. М., Никитенков H.H. и др. Межфазные взаимодействия в контактах Au/V/GaAs // Поверхность. Физика, химия, механика. 1991. — № 10. — С. 96−101.
  224. В.И. Краткий справочник химика // Л.: «Химия». 1964. — 620с.
  225. В.А., Хавин З. Я. Краткий химический справочник // Л.: Химия. -1977.-376 с.
  226. Физико-химические свойства оксидов: Справочник / под ред. Г. В. Самсонова. М.: Металлургия. 1978. — 543 с.
  227. B.C. Эмиссионные свойства материалов: Справочник. Киев.:
  228. Наукова думка. 1981. — 620 с.
  229. К.С., Тимошинин B.C., Данилова Т. Т. и др. Молекулярные постоянные неорганических соединений. JL: Химия. 1968. — 406 с.
  230. А.Г., Мельников В. Н. Изучение взаимодействия кислорода с поверхностью арсенида индия // Поверхность. Физика, химия, механика. -1984.- № 3.-С. 100−106.
  231. Э.С., Тураев Н. Ю., Умаров Ф. Ф., Нижная СЛ. Теория рассеяния атомов средних энергий поверхностью твердого тела. Ташкент: ФАН, 1987. -210 с.
  232. В.М., Миннебаев К. Ф., Черныш B.C. Энергетические и угловые распределения ионов, распыленных из поликристалла алюминия // Тез. докл. V Всесоюзн. семинара по вторичной ионной и ионно-фотонной эмиссии. -Харьков: ХГУ, 1988.-4.1.-С. 64−65.
  233. К.Ф., Уразгильдин И. Ф., Черныш B.C. Особенности механизма формирования вторичных ионов. // Тез. докл. Всесоюзн. совещания-семинара «Диагностика поверхности ионными пучками». Донецк. — 1988. — С. 70−71.
  234. Dennis Е., MacDonald R.J. The energy spectra of sputtering ions // Rad. Eff. -1972.-V. 13.-P. 243−250.
  235. И.Ф. Вторичная ионная эмиссия // Изв. РАН, сер.: Физическая. 1996. — Т. 60. — № 7. с. 44−61.
  236. Д.В., Лысенко С. А., Гусев М. Ю. и др. Особенности формирования энергетических спектров вторичных ионов при различных углах эмиссии // Изв. РАН, сер.: Физическая. 1996. — Т. 60. -№ 4. — С. 174−176.
  237. А.Г., Литвинов В. А., Физгеер Б. М. Исследование энергетических спектров вторичных ионов // Известия АН СССР. Сер. Физическая. 1985. — Т. 49.-№ 9.-С. 1816−1820.
  238. Коваль, А Г., Физгеер Б. М., Литвинов В. А. Исследование поверхности ниобия в вакууме и в атмосфере кислорода методом ВИМС // Поверхность. Физика, химия, механика. 1986. -№ 3. — С. 108−118.
  239. А. Г., Мельников В. Н., Маньковский Н. К. Изучение взаимодействия паров воды с поверхностью арсенида галлия // ЖФХ. 1981. — Т. 55. — С. 176 181.
  240. А.Г., Литвинов В. А., Физгеер Б М., Лукацкий О. И. О распределении по энергии вторичных ионов с поверхности меди и ванадия // Поверхность. Физика, химия, механика. 1987 — № 2. — С. 147−149.
  241. А.Г. Количественные характеристики вторичной эмиссии заряженных и возбужденных частиц // Изв. АН, сер: физ. 1988. — Т. 52, № 8. -С.1599−1603.
  242. В.А., Физгеер Б. М., Коваль А. Г. Влияние кислорода на энергетические спектры вторичных ионов, распыленных с поверхности ниобия // Поверхность. Физика, химия, механика. 1989. — № 6. — С. 48−54.
  243. Коваль, А Г., Физгеер Б. М., Литвинов В. А. Влияние кислорода на энергетические спектры вторичных ионов, распыленных с поверхности полупроводников // Изв. вузов, сер. Физика. 1990. — 311. — С. 88−92.
  244. Ю.В., Соболев А. Ю., Коваль А. Г. Влияние ускоряющего поля на энергетическое распределение вторичных ионов // Поверхность. Физика, химия, механика. 1991. — № 7. — С. 65−69.
  245. А.Г., Литвинов В. А., Физгеер Б. М. О влиянии кислорода на энергетические спектры вторичных ионов // Поверхность. Физика, химия, механика. 1991. — № 9. — С. 113−117.
  246. А.Г. Энергетических распределения вторичных ионов и вероятности ионизации атомарных частиц, распыленных с поверхности металлов с различной электронной структурой // Радиотехника и электроника. 1992. — Т. 37.-№ 11.-С. 2055−2062.
  247. А. Г., Мельников В. Н., Изучение взаимодействия кислорода с поверхностью фосфида галлия с помощью метода масс-спектрометрии вторичных ионов // ЖФХ. 1984. — Т. 58. — С. 2823−2828.
  248. В.А., Коваль А. Г. Энергетические распределения вторичныхионов распыленных с поверхности щелочно-галлоидных соединений // Поверхность. Физика, химия, механика. 1995. — № 2. — С. 82−87.
  249. В.А., Коваль А. Г., Грицаенко C.B. Исследования процессов ионизации атомов, распыленных с чистой и частично окисленной поверхности бериллия // Поверхность. Физика, химия, механика. 1997. -№ 1. — С 41−47.
  250. В.А., Коваль А. Г., Грицаенко C.B. Коэффициенты вторичной ионной эмиссии с поверхности металлов полупроводников и диэлектриков // Радиотехника и электроника 1998. Т. 43.-№ 10.-С. 1254−1261.
  251. В.В. Исследование процессов взаимодействия металлов с кислородом и объемными примесями методами масс-спектрометрии вторичных ионов: Дис. Канд. физ.-мат. наук. Харьков.: ХГУ, 1983.-208 с.
  252. Коваль, А Г., Физгеер Б. М., Литвинов В. А. Энергетические спектры вторичных ионов, образующихся при бомбардировке металлов ионами аргона // Рукопись деп. В УкрНИИНТИ 01.04.86. № 962-Ук.
  253. Schrooer J.M., Rhodin T.N., Bredley R.G. A quantum-mechanical model for the ionization and excitation of atoinb during sputtering // Surf. Sci. 1973. — V. 34. — № 3.-P. 571−580.
  254. Yu M.L., Reuter W. Secondary ion emission from binary alloy systems. Part 1: 02+ bombardment // J. Appl. Phys. 1981. — V. 52(3). — P. 1478−1488.
  255. Yu M.L., Reuter W. Secondary ion emission from binary alloy systems. Part 2:
  256. Ar+ bombardment with 02 adsorption // J. Appl. Phys. 1981. — V. 52(3). — P. 14 891 498.
  257. Wittmaack K. Secondary ion yield variation due to cesium implantation in silicon //Surf. Sci.- 1983.-V. 126.-P. 573−580.
  258. Wittmaack K. The effect of work-function changes on secondary ion energy spectra // Phys. Scripta. 1983. — V. 6. — P. 71−75.
  259. Garrison B.J., Diebold A.C., Lin J.-H., Sroubek Z. Theory of charge transfer for desorption of ions from surfaces // Surf.Sci. 1983. — V. 124. — P. 461−488.
  260. MacDonald R.J., Martin PJ. A study of the interaction of oxygen with chromium using ion bombardment induced photon and secondary ion emission // Surf. Sci. -1977.-V. 67.-P. 237−250.
  261. H.B., Крынецкий Б. Б., Мишин B.A., Прохоров A.M. Селективная фотоионизация атомов и ее применение для разделения изотопов и спектроскопии // УФН. 1979. — Т. 127. — Вып. 4. — С. 593.
  262. В.Г. Изотопические эффекты в динамике решетки // УФН, 2003. Т.173.С. 711−738.
  263. Ю.П., Марков Б. Н. Ядра в лучах лазера. М.: Знание, 1984. -64 с.
  264. Gries W.H. A formula for the secondary ion yield fraction emitted though an energy window // Int. Joum. of Mass Spectr. and Ion Phys. 1975. — V. 17. — P- 7788.
  265. Gries W.H., Rudenauer F.G. A quantitative model for the interpretation of the secondary ion mass spectra of delute alloys // Int. Journ. of Mass Spectr. and Ion Phys. 1975 .-V. 18.-P. 111−127.
  266. Chini H. A new theory of SIMS at metal surface // Surf. Sci. 1975. — V. 54. — № l.-P. 71−78.
  267. Lundquist T.R. Energy distribution of sputtered copper neutrals and ions // J. Vac. Sci. Technol.- 1978.-V. 15.-№ 2.-P. 684−687.
  268. Sroubek Z. The theoretical and experimental study of the ionization processesduring low energy sputtering // Surf. Sci. 1974. — V. 44. — P. 47−53.
  269. Norskov J.R., Lundquist B.I. Secondary ion emission probability // Phys. Rev., B.- 1979.-V. 19.-№ ll.-P. 5661−5665.
  270. Bennighoven A. Zum Mecanismus der ionenbidung and ionenemission bei der vesteorperzertanbung // Z. Phys. 1969. — V. 220. — № 2. — P. 159−165.
  271. MacDonald R.J. An empirical relationship between atoms and ions sputtered from single crystal surface // Surf. Sci. 1974. — V. 43. — P. 653−656.
  272. Tompson M. W. The energy spectrum of ejected atoms during the high energy sputtering // Phil. Mag. 1968. — V. 18. — P. 377−387.
  273. A.A., Смирнов Б. М. Справочник по атомной и молекулярной физике.- М.: Атомиздат, 1980. 240 с.
  274. Ю.В. Взаимодействие частиц с веществом в плазменных исследованиях, М.: Атомиздат, 1978.-271 с.
  275. В.Г. Основы физики полупроводниковых слоистых структур. -Киев: Наукова думка, 1980.-280 с.
  276. А.А., Коварский А. П., Ли-Фату А.В. Ионы «отрицательных» энергий во вторично-ионной эмиссии // Письма в ЖТФ. 1992. — Т. 18. — № 19. -С. 86−90.
  277. С.В. К вопросу о механизме положительной вторичной ионной эмиссии диэлектриков // Поверхность. Физика, химия, механика. 1982. — № 4. -С. 98−101.
  278. В.Н., Глазкова Т. Г., Кощеев В. А. и др. Алгоритмы и программы восстановления зависимостей. М.: Наука, 1984. — 815 С.
  279. Н.Н., Чернова Е. Е., Маркова Н. М. и др. Оценка степенинеоднородности распределения примесей по поверхности пластин кремния // Поверхность. Физика, химия, механика. 1993 — № 10. — С. 74−78.
  280. Патент России № 2 024 993. Способ очистки изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // Хаханина Т. Н., Красавина J1.3., Клюева Т. Б. и ДР.
  281. ЮЛ., Хаханина Т. Н., Клюева Т. Б. Закономерности процесса электровыделения кислорода на платине из растворов серной кислоты // Изв. вузов. Химия и хим. технология. № 9. — 1991. — С. 58−60.
  282. И.В., Иванов А. В., Никитенков Н. Н., Шулепов И. А. Спектральные исследования дисперсных композиционных порошков продуктов плазмохимического синтеза//ФиХОМ. — 1989.- № 6. — С. 64−68.
  283. А.С. № 315 899 МКИ B22 °F 9/28 Приоритет от 1.07.1990 Способ получения ультрадисперсных магнитных порошков / Блинков И. В., Иванов А. В., Никитенков Н.Н.
  284. Chernov I.P., Nikitenkov N.N., Puchkareva L.N., Kolobov Yu. Change Isotopic Composition of Paladium and Titanium induced by Hydrogen Isotopes // Abstracts the Second Rassian-Korean Intern. Symposium on Science and Technol. Tomsk. -1998.-P. 164.
  285. Chernov I. P., Nikitenkov N. N., Puchkareva L. N. et al. Change in isotopic composition of metals enriched in hydrogen // Russian Phys. Journ. 1999. — Vol.42. — № 4. — P. 427−430.
  286. И.П., Никитенков H.H., Пучкарева Л. Н. и др. Изменение изотопного состава металлов при насыщении водородом // Изв. вузов. Физика. 1999. — № 4.-С. 61−65.
  287. И.П., Никитенков Н. Н., Крёнинг М., Баумбах Н. Изменениеизотопного состава лития при насыщении водородом систем титан-алюминий // Изв. ВУЗов. Физика. 1999. — № 11. — С. 29−33.
  288. Chernov I.P., Nikitenkov N.N., Krening М., Baumbach Н. Changes in lithium isotopic composition in hydrogen-enriched Ti/Al systems // Russian Phys. Journ. -1999. Vol.42. — № 11. — P. 947−951.
  289. Nikitenkov N.N., Kolokolov D.Yu., Chernov LP. and Tyurin Yu.I. SIMS investigations of isotope effects at a processed solid surface // Vacuum. 2006. -V.81.-I.2.-P. 202−210.
  290. И.П., Никитенков H.H., Крёнинг M., Баумбах X. Исследования механизма изменения изотопного состава металлов при насыщении водородом // Известия ТПУ. Т. 303(3). — 2000. — С. 62−71.
  291. Н.Н. Никитенков, Д. Ю. Колоколов, Чернов И. П., Тюрин Ю. И. Изотопные эффекты при техногенных воздействиях на поверхность твердых тел // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2006.- № 7. С. 58−64.
  292. И.П., Никитенков Н. Н., Крёнинг М., Баумбах X. Изменения изотопного состава лития в тонкопленочных структурах при насыщении водородом // Известия РАН, сер. Физическая. 2000. — Т. 64. — № 11. — С. 2181— 2185.
  293. D. Yu. Kolokolov, N.N. Nikitenkov, A.V. Skirnevsky, Ju.I. Tyurin. Research of surface isotopic effect at annealing of silicon // Изв. ВУЗов. Физика, 2006. T.49. -№.-C.269−271.
  294. Н.Н., Чернов И. П., Тюрин Ю. И. Изотопные эффекты при техногенных воздействиях на поверхность твердого тела. Часть 1 // Известия ТПУ. Т.307. — № 2. — 2004. — С. 9−14- Часть 2/1 Известия ТПУ. — Т. 307. — № 3.2004.-С. 9−14.
  295. JI.H., Чернов И. П., Никитенков Н. Н. Изменения изотопного состава меди при ионной имплантации в никель // Известия РАН, серия «Физическая». -2002.-Т. 66.-№ 8.- С. 1219−1222.
  296. С.Н., Груич Д. Д., Осипов К. А. Исследование эмиссии ионов и фотонов при бомбардировке кремния многозарядными ионами // Материалы VIII Всесоюзн. конф. по взаимод. атомных частиц с тв. телом. М., 1987. Т. 3. -С. 28−31.
  297. Т.У., Груич Д. Д., Морозов С. Н. Распыление неметаллов в виде ионов при бомбардировке многозарядными ионами // Материалы V Всесоюзн. конф. по взаимод. атомных частиц с тв. телом. Минск, 1978. 4.1. — С. 200−203.
  298. Helbig H.F., Orvek K.J. Isotope Effects in Elastic Ion-Surface Scattering- He+ and Ne+ on Solid and Liquid Ga // Nucl. Instrum. and Meth. 1980. — V. 170. -P.505.
  299. Helbig H.F., Adelman P.J. Isotope Effects in Ion-Scattering Double Spectroscopy // J. Vac. Sci. and Thechn. 1977. — V14. — P.488−493.
  300. Smith D.P. Analysis of surface composition with low-energy backscattered ios // Surf. Sci. 1971. — V.25. — P.171−191.
  301. Erikson R.I., Smith D.P. Electronic processes in low-energy ion-surface scattering // Phys. Rev. Lett. 1975. — V.34. — P.297−300.
  302. Tolk N.H., Tully J.C., Kraus J. et al. Angular dependence of oscillatory structure in low-energy ion-surface scattering // Phys. Rev. Lett. 1976. — V.36. -P.747−750.
  303. А.И., Бугаев С. П., Емельянов B.A. и др. Получение широкоапертурных пучков ионов металлов // Приборы и техника эксперимента. 1987.-№ 3.-С. 139−142.
  304. А.А., Филимонов А. В., Петров Н. Н. Структура материала и дифференциальные характеристики вторично-ионной и ионно-электронной эмиссии // ЖТФ. 1996. — Т. 66. — В. 5. — С. 185−190.
  305. В.Е., Боброва М. К., Шелякин Л. Б. Анализ поверхностидеформированных образцов бронзы, подвергнутых ионному облучению // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. -1999.-№ 9.-С. 45−50.
  306. В.Е., Матулевич Ю. Т., Уразгильдин И. Ф., Шелякин Л. Б. Влияние деформации металла на эмиссию вторичных ионов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2000. — № 8. — С. 64−66.
  307. И.А. Разработка и применение комплекса атомно- и ядерно-физических методов для исследования модифицированных слоев материалов // Дисс. канд. физ. мат. наук. — Томск. — 2004. — 141 с.
  308. Патент № 2 020 645, МКИ 5 Н 01 J 49/32 Энерго-масс-спектрометр вторичных ионов / Никитенков H.H., Косицын Л. Г., Шулепов И. А. Приоритет от 17.12.90. Заявка № 4 891 761. Проиоритет от 17.12.1990
  309. А.П., Моос E.H. Энергораспределение вторичных ионов и работа выхода электронов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2004. — № 5. — С. 44−47.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!