Математическое моделирование процесса образования пленочных структур на подложках
Необходимость обработки больших массивов информации в реальном масштабе времени ставит задачу создания устройств функциональной электроники, объединяющих функции ввода, преобразования и вывода информации для последующей её обработки в цифровом коде с помощью традиционных принципов. Создание таких устройств функциональной электроники опирается на интеграцию различных физических эффектов и разных… Читать ещё >
Содержание
- СПИСОК ОСНОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
- ГЛАВА 1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ И ТЕОРЕТИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ ПРОЦЕССА ОБРАЗОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК
- 1. 1. Обзор экспериментальных данных по диффузии в твердых телах
- 1. 2. Полуэмпирическое уравнение диффузии
- 1. 3. Корректная постановка задач и методы их решения
- Выводы по первой главе
- ГЛАВА 2. МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ДИФФУЗИОННОГО РОСТА ТОНКИХ ПЛЕНОК НА ПОДЛОЖКАХ
- 2. 1. Построение математической модели диффузионного роста тонкой пленки на подложке
- 2. 2. Разрешимость математической модели диффузии в процессе роста тонкой пленки
- 2. 3. Математическая модель диффузии вещества в различных соприкасающихся средах
- 2. 4. Численные расчеты по предложенным моделям
- Выводы по второй главе
- ГЛАВА 3. ЭКОНОМИКО-МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОИЗВОДСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК
- 3. 1. Экономико-математическая модель объемов производства тонких пленок
- 3. 2. Экономико-математическая модель объемов производства тонких пленок с учетом затрат на их производство
- Выводы по третьей главе
Математическое моделирование процесса образования пленочных структур на подложках (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Актуальность темы
диссертационной работы. В последние годы довольно часто встречается утверждение о свершившемся переходе человечества в новую эпоху — эпоху всеобщей информатизации. Эта истина столь же справедлива, сколь и банальна. Действительно, информационный обмен резко возрастает, а современные технические возможности позволяют записывать, хранить, быстро передавать, обрабатывать и воспроизводить огромные массивы информации, причём объём памяти и быстродействие средств вычислительной техники растут необычайно. Этот рост связан с бурным развитием цифровой микроэлектроники, которое происходит з направлении повышения степени интеграции на базе традиционных схемотехнических решений, когда носителем информации является электрическое состояние ячеек схемы, построенных на активных и пассивных элементах, а также в направлении повышения быстродействия интегральных схем. Степень интеграции до недавнего времени повышалась за счёт уменьшения минимального топологического размера элементов и ячеек, а также за счёт увеличения размеров кристаллов. Достигнутые в настоящее время результаты — десятки мегабит в кристалле и единицы наносекунд по времени выборки бита — выглядят достаточно впечатляюще. Однако именно сейчас в развитии цифровой микроэлектроники наметились серьёзные проблемы, которые связаны с принципиальными ограничениями конструктивно-технологических приёмов, лежащих в основе планарной технологии, и касаются прежде всего ограничений по степени интеграции. Анализ перспектив развития этого направления показывает, что как по технологическим, так и по принципиальным физическим причинам минимальный топологический размер не может быть существенно ниже практически достигнутой сегодня величины порядка 1 мкм: возникают неразрешимые в данном подходе проблемы взаимовлияния ячеек и соединений между ними — так называемых токоведущих дорожек.
Необходимость освобождения от «тирании межсоединений» диктует потребность поиска новых видов носителей информации и принципов её обработки и соответственно новых материалов. В качестве подобных носителей уже сравнительно долгое время используются разнообразные динамические неоднородности — изменяющиеся во времени локальные области неравновесных состояний в континуальныхсредах. Примерами динамических неоднородностей, широко используемых в настоящее время для решении отдельных частных задач радиоэлектроники и вычислительной техники, являются поверхностные акустические волны, цилиндрические магнитные домены, модуляции электростатического потенциала в линейках и матрицах приборов с зарядовой связью, квантовых ямах и т. д.
Необходимость обработки больших массивов информации в реальном масштабе времени ставит задачу создания устройств функциональной электроники, объединяющих функции ввода, преобразования и вывода информации для последующей её обработки в цифровом коде с помощью традиционных принципов. Создание таких устройств функциональной электроники опирается на интеграцию различных физических эффектов и разных видов динамических неоднородностей (несущих информацию) в одном устройстве. Использование же новых видов носителей информации неизбежно должно привести к появлению новых принципов обработки информации, позволяющих, в частности, параллельно переносить большие информационные пакеты из одной континуальной среды в другую.
Создание объектов (устройств), позволяющих объединить функции ввода, преобразования и вывода информации упирается в изучение физического процесса — образование тонких пленок на подложках. Исследованию такого процесса посвящено значительное число работ [101, 103, 106, 107, 109, 110, 3, 19, 40, 47, 94]. Однако до настоящего времени математическое описание такого процесса находится в неудовлетворительном состоянии. Не существует единой и универсальной математической модели образования тонких пленок на подложках для всевозможных материалов и различных условий. Существующие модели зависят от ряда факторов: температуры, типа и компактности решетки, вида химической связи, природы диффундирующей примеси и т. д.
Поэтому тема диссертационной работы, посвященная построению математической модели процесса образования тонких пленок на подложках, является актуальной и практически значимой.
Диссертация посвящена решению следующей важной как с теоретической, так и с практической точек зрения научной задачи — обосновать возможность применения модели диффузионного осаждения атомов вещества на подложку для описания процессов диффузионного роста тонких пленок на подложках и дальнейшего проникновения атомов пленки в эти подложки.
Объект и предмет исследования. Объект исследования — тонкие пленки, образующиеся на подложке.
Предметом исследования является процесс диффузии при образовании тонких пленок на подложках.
Цель диссертационной работы — построить математическую модель процесса адсорбции при высоких температурных режимах вещества, находящегося в газообразном состоянии, на поверхность твердой подложки и дальнейшего проникновения его атомов в подложкуи использовать ее для построения экономико-математической модели процесса производства таких материалов.
Поставленная цель требует решения следующих задач исследования:
1. Построить математическую модель образования тонких пленок на подложках, позволяющую рассчитать количество оседающего на подложку вещества в результате адсорбции.
2. Построить математическую модель проникновения атомов пленки в подложку. На ее основе предложить методику оценки концентрации и глубины проникновения этих атомов в подложку за заданное время.
3. Исследовать на адекватность результатов расчетов, выполненных в рамках предложенных математических моделей экспериментальным данным.
4. Предложить экономико-математическую модель производства пленочных структур, учитывающую технологию их производства и позволяющую определить максимальную прибыль предприятия, занимающегося производством пленочных структур.
Методология и методы проведённых исследований. Решение поставленных задач основывается на использовании результатов и методов уравнений математической физики, интегральных уравнений, математической статистики, численных методов, физики твёрдого тела, кристаллографии, материаловедения, аппаратных средств Microsoft Office Excel, пакета прикладных программ MathCAD Professional.
Достоверность и обоснованность полученных в диссертационном исследовании теоретических результатов обеспечивается корректным применением математического аппарата и инструментальных средств, в частности, языка программирования Free Pascal, пакета прикладных программ MathCAD Professional, для описания математических моделей диффузии при образовании пленочных структур на подложках, что подтверждается согласованностью расчетных данных в рамках построенных моделей с экспериментальными данными.
Научная новизна полученных результатов.
1. Предложена математическая модель диффузионного осаждения атомов вещества на подложку для расчета количества вещества, находящегося в газообразном состоянии и оседающего на эту подложку.
2. Разработана математическая модель диффузии атомов пленки в подложку. С ее помощью произведена оценка концентрации и глубины проникновения атомов пленки в подложку за заданное время.
3. Построена и исследована экономико-математическая модель производства пленочных структур, учитывающая технологию их производства, которая используется для расчета максимальной прибыли предприятия, производящего такие структуры.
Практическая значимость изложенных в диссертационной работе научных результатов состоит в возможности создания на их основе технологических разработок процесса образования тонких пленок на подложках. Результаты исследований представляют определенный интерес для специалистов, занимающихся технологическими разработками в опто-и микроэлектронной промышленностях и т. д.
Основные положения диссертации, выносимые на защиту:
1. Математическая модель диффузионного роста тонких пленок на подложках, позволяющая определить количество вещества, оседающего на подложке за заданное время при заданной температуре.
2. Математическая модель диффузии вещества в двух соприкасающихся средах, используемая для определения концентрации диффундирующего вещества и глубины проникновения его атомов в подложку за заданное время.
3. Экономико-математическая модель производства тонких пленок, учитывающая технологию их производства, позволяющая оценить максимальную прибыль предприятия, производящего пленки, при минимальных его затратах на их производство.
Реализация и внедрение. Математическая модель образования тонких пленок на подложке внедрена в производственную деятельность ООО 1111 «Грунт», что подтверждается соответствующим актом о внедрении результатов диссертационного исследования (Приложение 1).
Отдельные положения диссертационного исследования использованы в учебном процессе Ставропольского государственного университета при обучении студентов 2 курса специальности «Физика» по учебной дисциплине «Вычислительная физика», что подтверждено актом об использовании научных результатов в учебном процессе (Приложение 2).
Апробация результатов исследования. Результаты проведенных исследований докладывались на VI и VII Всероссийском симпозиуме по прикладной и промышленной математике (г. Сочи, 2005 г., г. Кисловодск, 2006 г. и г. Йошкар-Ола, 2006 г.) — IV Всероссийской конференции «Прогрессивные технологии в обучении и производстве» (г. Камышин, 2006 г.) — 50-й, 51-й и 52-й научно-методической конференции преподавателей и студентов СГУ «Университетская наука — региону» (г. Ставрополь, 2005 — 2007 гг.) — VII Международной научно-технической конференции «Математическое моделирование, обратные задачи, информационно-вычислительные технологии» (г. Пенза, 2007 г.).
Опубликованность результатов. Основные результаты диссертации опубликованы в 13 печатных работах: из них пять — в изданиях, включенных в перечень научных и научно-технических журналов, издаваемых в Российской Федерации, рекомендуемых ВАК для опубликования основных результатов диссертационных исследований («Обозрение прикладной и промышленной математики», «Вестник Ставропольского государственного университета»), семь — в сборниках материалов Международных, Всероссийских и региональных конференций.
Зарегистрирован программный продукт «Расчет концентрации примеси при диффузии в твердых телах (РКП при ДТТ)» в ФГНУ «Государственный координационный центр информационных технологии, отраслевой фонд алгоритмов и программ» (свидетельство об отраслевой регистрации № 8266 от 10.05.2007 г.).
Структура и объем диссертации
Диссертация состоит из введения, трёх глав, заключения, списка литературы (содержащего 110 наименований) и четырех приложений. Работа содержит 13 рисунков и 8 таблиц.
Выводы по третьей главе.
В главе три получены следующие результаты.
1. Разработана экономико-математическая модель производства тонкопленочных материалов на подложках, учитывающая технологию производства. Она позволяет рассчитать максимальную прибыль предприятия от производства определенного вида продукции (тонкая пленка — подложка).
2. Предложена математическая модель производства тонкопленочных материалов на подложках с учетом затрат на их производство. С ее помощью можно рассчитать максимальный суммарный доход и минимальный объем затрат в процессе производства тонкопленочных материалов.
3. Показано, что предложенные экономико-математические модели могут быть применены не только для производства тонкопленочных материалов на подложках, но и для сплавов.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
.
На основании приведенных выше результатов исследования можно сделать следующие выводы:
1. Рассмотрено полуэмпирическое уравнение диффузии, которое представляет собой дифференциальное уравнение с частными производными. Оно составляет основу прикладных математических моделей. Установлено, что до настоящего времени полного исследования решения полуэмпирического уравнения диффузии не проведено.
2. Приведены теоретические исследования о корректности постановки задач математической физики. Указаны требования корректности. Обозначены способы выбора параметра регуляризации для решения некорректно поставленных математических моделей.
3. Для описания процесса осаждения атомов вещества при адсорбционно-десорбционном процессе от точечного источника на подложку построена математическая модель диффузии, учитывающая начально-граничные условия, позволяющая определить количество оседающего на подложку вещества за заданный промежуток времени.
4. Указаны условия существования и единственности решения начально-граничных задач, описывающих диффузию при росте тонких пленок на подложках.
5. Предложена математическая модель диффузии вещества в различных соприкасающихся средах, описывающая диффузионный рост тонкой пленки на подложке от площадного источника и дальнейшего проникновения атомов пленки в глубину подложки. Эта модель позволяет определить глубину залегания атомов пленки в подложке, а также оценить концентрацию диффундирующего вещества на заданной глубине подстилающей поверхности.
6. Для расчета максимальной прибыли предприятия от производства определенного вида продукции разработана экономико-математическая модель производства тонкопленочных материалов на подложках.
7. Построена экономико-математическая модель производства тонкопленочных материалов на подложках с учетом затрат на их производство. С ее помощью можно рассчитать максимальный доход и минимальный объем затрат при производстве тонкопленочных материалов.
Список литературы
- Абросимова, Г. Е. Влияние температурной обработки на скорость звука и упругие волны в аморфном сплаве Zr52.5Zr17.9Ti5 Текст. / Г. Е. Абросимова и др. // Физика твердого тела. 2004. — Т. 46. — Вып. 10. -С. 1801−1805.
- Адамсон, А. Физическая химия поверхностей Текст. / А. Адамсон.- М.: Мир, 1979. 568 с.
- Аксенов, В.Л. Фазовый переход смешанного типа в модели сегнетоэлектрика Текст. /B.JI. Аксенов // Физика твердого тела. — 1976. Т. 18. — Вып. 10. — С. 2922−2933.
- Аксенов, B.JI. Динамика решётки сегнетоэлектриков с примесями Текст. / В. Л. Аксенов, X. Бретер, Н. М. Плакида // Физика твердого тела. 1978. — Т.20. — № 5. — С. 1469−1476.
- Алексеев, Е.Р. Решение задач вычислительной математики в пакетах Mathcad 12, MATLAB 7, Maple 9 Текст. / Е. Р. Алексеев, О. В. Чеснокова. М.: НТ Пресс, 2006. — 496 с.
- Андриевский, В.Ф. Диффузия цинка в незащищенную поверхность InP Текст. / В. Ф. Андриевский, Е. В. Гущинская, С. А. Малышев // Физика и техника полупроводников. 2004. — Т. 38. — Вып. 1. — С. 6871.
- Арсенин, В.Я. О решении некоторых интегральных уравнений первого рода типа свертки методом регуляризации Текст. / В. Я. Арсенин, В. В. Иванов // Журнал Высшая математика и математическая физика. 1968. — № 2.
- Арсенин, В.Я. О применении метода регуляризации к интегральным уравнениям первого рода типа свертки Текст. / В. Я. Арсенин, Т. И. Савелова // Журнал Высшая математика и математическая физика. -1969.-№ 9.
- Бакушский, А.Б. Итеративные методы решения некорректных задач Текст. / А. Б. Бакушский, A.B. Гончарский. М.: Наука, 1989.-426 с.
- Бакушский, А.Б. Некорректные задачи. Численные методы и приложения Текст. / А. Б. Бакушский, A.B. Гончарский. М.: Издательство Московского государственного университета, 1989. — 202 с.
- Бахвалов, Н.С. Численные методы Текст. / Н. С. Бахвалов. М.: Наука, 1973. — 614 с.
- Березин, И.С. Методы вычислений. Т. 1 Текст. / И. С. Березин, Н. П. Жидков. М.: Физматгиз, 1962. — 472 с.
- Березин, И.С. Методы вычислений. Т. 2 Текст. / И. С. Березин, Н. П. Жидков. М.: Физматгиз, 1962. — 402 с.
- Берлянд, М. Е. Современные проблемы атмосферной диффузии и загрязнения атмосферы Текст. / М. Е. Берлянд. JL: Гидрометеоиздат, 1975. — 448 с.
- Боголюбов, H.H. Некоторые вопросы статистической механики Текст. / H.H. Боголюбов, Б. И. Садовников. М.: Наука, 1975. -308 с.
- Болтакс, Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках Текст. / Б. И. Болтакс. Л.: Мир, 1972. — 362 с.
- Бонч-Бруевич, B.JI. Электронная теория неупорядоченных полупроводников Текст. / В.Л. Бонч-Бруевич и др. М.: Наука, 1981.-486 с.
- Брус, А. Структурные фазовые переходы Текст. / А. Брус, Р. Каули. М.: Мир, 1984. — 408с.
- Вержбицкий, В.М. Основы численных методов Текст.: учебник для вузов / В. М. Вержбицкий. М.: Высшая школа, 2005. — 840 с.
- Вержбицкий, В.М. Численные методы Текст. / В. М. Вержбицкий. М.: Высшая школа, 2001. — 612 с.
- Вержбицкий, В.М. Численные методы Текст.: линейная алгебра и нелинейные уравнения / В. М. Вержбицкий. М.: Высшая школа, 2000. — 612 с.
- Верлань, А.Ф. Математическое моделирование непрерывных динамических систем Текст. / А. Ф. Верлань, С. С. Москалюк. -Киев: Наукова думка, 1988. 362 с.
- Верлань, А.Ф. Интегральные уравнения: методы, алгоритмы, программы Текст. / А. Ф. Верлань, B.C. Сизиков. Киев: Наукова думка, 1986. — 426 с.
- Выгодский, М.Я. Справочник по высшей математике Текст. / М. Я. Выгодский. М.: Наука, 1977. — 872 с.
- Галай, Е.О. Квантовостатистическая модель образования пленки на кристаллической подложке Текст. / Е. О. Галай // Современные проблемы науки и образования. М.: Издательство Российской академии естествознания. — 2006. — Т. 2. — С. 65−66.
- Гихман, И. И. Введение в теорию случайных процессов Текст. / И". И. Гихман, А. В. Скороход. М.: Наука, 1965. — 656 с.
- Гихман, И. И. Теория случайных процессов Текст. / И. И. Гихман, А. В. Скороход. М.: Наука, 1971. -Т.1.-664 с.
- Готра, З.Ю. Технология микроэлектронных устройств Текст. / З. Ю. Готра. М.: Радио и связь, 1991. — 528 с.
- Гребенников, А.И. Метод сплайнов и решение некорректных задач теории приближений Текст. / А. И. Гребенников. М.: Издательство Московского государственного университета, 1983. — 164 с.
- Данилов, H.H. Курс математической экономики Текст. / H.H. Данилов. М.: Высшая школа, 2006. — 407 с.
- Денисов, A.M. Введение в теорию обратных задач Текст. / A.M. Денисов. М.: Издательство Московского государственного университета, 1994. — 208 с.
- Долбак, А.Е. Диффузия Си по чистой поверхности Si(lll) Текст. /
- A.Е. Долбак, P.A. Жачук, Б. З. Олыпанецкий // Физика и техника полупроводников.- 2001.- Т. 35.- Вып. 9. С. 1063−1066.
- Дьяконов, В.П. Энциклопедия Mathcad 200Ii и Mathcad 11 Текст. /
- B.П. Дьяконов. М.: Солон-Пресс, 2004. — 832 с.
- Заславский, Г. М. Стохастичность динамических систем Текст. / Г. М. Заславский. М.: Наука, 1984. — 208 с.
- Иванов, В.К. Теория линейных некорректных задач и ее приложения Текст. / В. К. Иванов, В. В. Васин, В. П. Танана. М.: Наука, 1978.-306 с.
- Изюмов, Ю.А. Фазовые переходы и симметрия кристаллов Текст. / Ю. А. Изюмов, В. Н. Сыромятников. М.: Наука, 1984. -248 с.
- Ильченко, А.Н. Экономико-математические методы Текст. / А. Н. Ильченко. М.: Финансы и статистика, 2006. — 288 с.
- Краснов, M.JI. Интегральные уравнения Текст. / M.JI. Краснов, А. И. Киселев, Г. И. Макаренко. М.: Наука, 1976. — 436 с.
- Курносов, А.И. Технология производства полупроводниковых приборов Текст. / А. И. Курносов, В. В. Юдин. М.: Высшая школа, 1974.-400 с.
- Лаврентьев, М.М. Некорректные задачи математической физики и анализа Текст. / М. М. Лаврентьев, В. Г. Романов, С. П. Шишатский. -М.: Наука, 1980. 206 с.
- Ладыженская, O.A. Краевые задачи математической физики Текст. / O.A. Ладыженская. М.: Наука, 1973. — 406 с.
- Ладыженская, O.A. Линейные и квазилинейные уравнения параболического типа Текст. / O.A. Ладыженская, В. А. Солонников, H.H. Уральцева. М.: Наука, 1967. — 736 с.
- Ландау, Л. Д. Собрание трудов Текст. / Л. Д. Ландау. М.: Наука, 1969. — Т. 1. — 512 с.
- Марчук, Г. И. Математическое моделирование в проблеме охраны окружающей среды Текст. / Г. И. Марчук. М.: Наука, 1982. — 320 с.
- Марчук, Г. И. Методы вычислительной математики Текст. / Г. И. Марчук. М.: Наука, 1989. — 608 с.
- Морозов, В.А. Регулярные методы решения некорректно поставленных задач Текст. / В. А. Марчук. М.: Наука, 1987. — 472 с.
- Матюшин, В.М. Низкотемпературная диффузия индия в германии, стимулированная атомарным водородом Текст. / В. М. Матюшин // Физика и техника полупроводников.- 2001.- Т. 35.- Вып. 3.- С. 301 304.
- Моделирование элементов и технологических процессов Текст. / Под ред. П. Антонетти и др.- Пер. с англ. М.: Радио и связь, 1988. -496 с.
- Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах Текст. / Н. Мотт, Э. Дэвис. М.: Наука, 1982. — 328 с.
- Назыров, Д.Э. Диффузия европия в кремнии Текст. / Д. Э. Назыров // Физика и техника полупроводников.- 2003.- Т. 37.- Вып. 5.- С. 570 571.
- Назыров Д.Э. Диффузия тербия в кремнии Текст. / Д. Э. Назыров // Физика и техника полупроводников.- 2006.- Т. 40.- Вып. 6.- С. 650 651.
- Назыров, Д.Э. Диффузия иттрия в кремнии Текст. / Д. Э. Назыров, М. И. Назарбаев, A.A. Иминов // Физика и техника полупроводников.-2006.- Т. 40.- Вып. 7.- С. 788−789.
- Никоненко, В.А. Математическое моделирование технологических процессов Текст. / В. А. Никоненко — под редакцией Г. Д. Кузнецова. М.: МИСиС, 2001.-48 с.
- Официальный сайт компании «Высокие технологии» Электронный ресурс.: содержит сведения о деятельности компании. Электронные данные — Киев, [200-]. — Режим доступа: http://www.galvanicka.narod.ru. — Загл. с экрана.
- Официальный сайт ООО «ИМПЭКС ИНВЕСТ» Электронный ресурс.: содержит сведения о деятельности компании. Электронные даные — Москва, [200-]. — Режим доступа: http://www.impex-i.ru. -Загл. с экрана.
- Павлов, Л.П. Методы определения основных параметров полупроводников Текст. / Л. П. Павлов. М.: Высшая школа, 1975. 206 с.
- Прохоров, Ю.В. Теория вероятностей: Основные понятия. Предельные теоремы. Случайные процессы Текст. / Ю. В. Прохоров, Ю. А. Розанов. М.: Наука, Издание 2-е, 1973. — 496 с.
- Пытьев, Ю.П. Математические методы интерпретации эксперимента Текст. / Ю. П. Пытьев. М.: Высшая школа, 1989. -538 с.
- Самарский, A.A. Численные методы Текст. / A.A. Самарский, A.B. Гулин. М.: Наука, 1989. — 196 с.
- Самарский, A.A. Численные методы математической физики Текст. / A.A. Самарский, A.B. Гулин. М.: Научный мир, 2000.
- Семенчин, Е.А. Моделирование структурных фазовых переходов в плёнках Текст. / Е. А. Семенчин, Е. О. Галай // Фундаментальные исследования. 2006.- № 4.- С. 67−68.
- Семенчин, Е.А. Об одном способе исследования многокритериальных задач Текст. / Е. А. Семенчин, Т. В. Коротина // Наука Кубани.- 2004.- № 1.- С. 20−24.
- Семенчин, Е.А. Моделирование структурного фазового перехода типа несоразмерная-соразмерная фаза Текст. / Е. А. Семенчин, Е. О. Тарасенко // Вестник Ставропольского государственного университета.- 2006.- Вып. 47.- Ч. 2.- С. 5−9.
- Сизиков, B.C. Математические методы обработки результатов измерений Текст. / B.C. Сизиков. СПб: Политехника, 2001. — 240 с.
- Сизиков, B.C. Использование регуляризации для устойчивого вычисления преобразования Фурье Текст. / B.C. Сизиков // Вычислительная математика и математическая физика.- 1998.- Т. 38.-№ 3.- С. 376−386.
- Слепян, Л.И. Интегральные преобразования в нестационарных задачах механики Текст. / Л. И. Слепян, Ю. С. Яковлев. Л.: Судостроение, 1980. — 208 с.
- Стечкин, С.Б. Сплайны в вычислительной математике Текст. / С. Б. Стечкин, Ю. Н. Субботин. М.: Наука, 1976. — 384 с.
- Струков, Б.А. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах Текст. / Б. А. Струков, А. П. Леванюк. М.: Наука, 1995. — Изд. 2е. — 265 с.
- Тарасевич, Ю.Ю. Математическое и компьютерное моделирование. Вводный курс Текст.: учебное пособие / Ю. Ю. Тарасевич. 2-е изд., испр. — М.: Едиториал УРСС, 2002. — 144 с. -400 экз. — ISBN 5−354−180−3.
- Тарасенко, Е.О. Экономико-математическая модель производства пленочных структур Текст. / Е. О. Тарасенко, Е. А. Семенчин // Математическое моделирование, обратные задачи, информационно-вычислительные технологии: сборник статей VII
- Международной научно-технической конференции, 2007 г. / Пензенская государственная сельскохозяйственная академия.-Пенза, 2007.-С. 146−149.
- Тихонов, А.Н. Методы решения некорректных задач Текст. / А. Н. Тихонов, В .Я. Арсенин. М.: Наука, 1986. — 224 с.
- Тихонов, А.Н. О методах решения некорректно поставленных задач Текст. / А. Н. Тихонов // Международный конгресс математиков / Московский государственный университет.-Москва, 1966.- С. 76−82.
- Тихонов, А.Н. Численные методы решения некорректных задач Текст. / А. Н. Тихонов, A.B. Гончарский, В. В. Степанов, А. Г. Ягола. М.: Наука, 1990. — 406 с.
- Фаддеев, Д.К. Вычислительные методы линейной алгебры Текст. / Д. К. Фаддеев, В. Н. Фаддеева. М.: Физматгиз, 1963. — 430 с.
- Фельдман, JI. Основы анализа поверхности и тонких пленок Текст. / JI. Фельдман, Д. Майер. М.: Мир, 1989. — 344 с.
- Физика сегнетоэлектрических явлений Текст. / Под ред. Г. А. Смоленского. М.: Наука, 1985. — 256 с.
- Физические свойства высокотемпературных сверхпроводников Текст. / Под ред. Д. М. Гинзберга. М.: Мир, 1990. — 640 с.
- Фридман, А. Уравнения с частными производными параболического типа Текст. / А. Фридман. М.: Мир, 1968. — 428 с.
- Хлудков, С.С. Диффузия хрома в GaAs при равновесном давлении паров мышьяка Текст. / С. С. Хлудков, О. Б. Корецкая, Г. Р. Буршанова // Физика и техника полупроводников.- 2006.- Т. 40.-Вып. 9.- С. 1025−1027.
- Хлудков, С.С. Диффузия хрома в арсениде галлия Текст. / С. С. Хлудков, О. Б. Корецкая, А. В. Тяжев // Физика и техника полупроводников.- 2004.- Т. 38.- Вып. 3.- С. 274−277.
- Экономико-математические методы и прикладные моделч Текст. / Под ред. В. В. Федосеева. 2-е изд., перераб. и доп. — М.: ЮНИТИ-ДАНА, 2005. — 304 с.
- Яноши, JI. Теория и практика обработки результатов измерений Текст. / JI. Яноши. М.: Мир, 1968. — 328 с.
- Яценко, Ю.П. Интегральные модели систем с управляемой памятью Текст. / Ю. П. Яценко. Киев: Наукова думка, 1991. — 284 с.
- Aubry, S. Toward a Rigorous Molecular Theory of Metastability Text. / S. Aubry // Ferroelectrics.- 1980, — Vol. 24, — P. 53−59.
- Bishop, A.R. Phonon Properties. III. Solitons Text. / A.R. Bishop //Rev. Mod. Phys.- 1980.- V. 52.- № 2.- P. 144−153.
- Caplain, A. Energies de formation et demigration des iacunes fer-nickel de structure G.F.C. par la method l’anisotropie magntique induite Text. / A. Caplain, W. Chambron // Acta Metall.- V. 9.- P. 1001−1019.
- Frenkel, J. On the transformation of light into heat in solids Text. / J. Frenkel, T. Kontorowa // Phys. Z. Sowjetution. 1938. — Bd. 13. — S. 110.
- Metiu, H. Statistical Mechanical Theory of the Kinetics of Phase Transitions Text. / H. Metiu, R. Kitahara, J. Ross // Phluctuation Phenomena. Eds. Montroll E.W., Lebowitz J.L.North-Holland. 1979. -P. 231−291.
- Nishiama, H. Martensitic Theory Transformations Text. / H. Nishiama. Academic, New-York. -1981.-315 p.
- Robledo, A. The liquid-solid transition of the hard sphere system from uniformiry of the chemical potential Text. / A. Robledo //J.Chem.Phys.- 1980.-V.72.- P. 1701−1712.
- Takeno, S. A Theory of Phonon-Like Excitations in Non-Crystalline Solids and Liquids Text. / S. Takeno, M. Goda // Progress of Theoretical Physics.- 1972.- V. 45.- № 9.- P. 790−806.
- Takeno, S. Phonon-Like Excitations in Liquid Helium Text. / S. Takeno, M. Goda // Progress of Theoretical Physics.- 1972.- V. 48.-№ 3.- P. 724−730.