Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Исследование зарядовых дефектов в структурах металл-диэлектрик-полупроводник в условиях сильнополевой туннельной инжекции

Диссертация: Исследование зарядовых дефектов в структурах металл-диэлектрик-полупроводник в условиях сильнополевой туннельной инжекции
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Г., 20Ю г.), I — IV Всероссийских школах-семинарах студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Наноинженерия» (Москва, Калуга, 2008, 2009, 2010, 2011), I и Ш Всероссийских школах-семинарах студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Наноматериалы» (Рязань, 2008, 2010), 1-й Всероссийской школа-семинаре студентов, аспирантов и молодых ученых по тематическому направлению… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. Зарядовые дефекты и методы контроля дефектности структур металл-диэлектрик полупроводник и приборов на их основе."
    • 1. 1. Дефекты изоляции и зарядовые дефекты МДП-структур
    • 1. 2. Методы контроля дефектности МДП-структур
    • 1. 3. Процессы накопления зарядов и генерации дефектов в МДП-структурах на основе термической двуокиси кремния в условиях сильнополевой туннельной инжекции
    • 1. 4. Единый подход к исследованию и контролю дефектов изоляции и зарядовой стабильности диэлектрических пленок МДП-структур
  • Выводы к главе 1
  • ГЛАВА 2. Разработка инжекционного метода контроля дефектности диэлектрических слоев МДП-структур, реализующего единый подход к исследованию и контролю дефектов изоляции и зарядовой стабильности
    • 2. 1. Система параметров комплексной оценки зарядовой нестабильности и дефектности МДП-структур
    • 2. 2. Выбор инжекционных методов определения параметров. МДП-структур
    • 2. 3. Методика комплексной оценки зарядовой нестабильности и дефектности МДП-структур
    • 2. 4. Экспериментальные установки, применяемые для исследования и контроля зарядовых дефектов в условиях сильнополевой инжекции носителей
  • Выводы к главе 2
  • ГЛАВА 3. Моделирование процессов переноса и накопления зарядов в зарядовых: дефектах МДП-структур
    • 3. 1. Исследование влияния характеристик областей зарядовых дефектов на напряжение микропробоя МДП-структур
    • 3. 2. Модель зарядовой нестабильности МДП-структур, содержащих зарядовые дефекты
      • 3. 3. Исследование процессов переноса заряда в зарядовых дефектах МДП-структур Si-Si02-poli-S
      • 3. 4. Моделирование процессов накопления зарядов в зарядовых. дефектах МДП-структур в условиях сильнополевой туннельной инжек-циш
  • Выводы к главе
  • ГЛАВА 4. Исследование процессов переноса и накопления зарядов в зарядовых дефектах МДП-структур в производстве: полупроводниковых приборов.'.-.9 I
    • 4. 1. Исследование влияние: режимов: сильнополевой туннельной ин-жекции электронов в подзатворный диэлектрик МДП-структур на результатыхтатистического контроля зарядовой дефектности
    • 4. 2. Влияние технологических факторов! на зарядовую дефектность МДП-транзисторов
    • 4. 3. Автоматизированная установка контроля качества МДП-структур, реализующая? инжекционный метод контроля параметров диэлектрических слоев- в производственных условиях. Г1Ф
      • 4. 4. Оперативное управление технологическим процессом получения подзатворного диэлектрика МДП-транзисторов:. 118'
  • Выводы к главе 4

Исследование зарядовых дефектов в структурах металл-диэлектрик-полупроводник в условиях сильнополевой туннельной инжекции (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Основу современной микроэлектронной индустрии составляет кремниевые МДП* технологии, доминирующие в цифровой технике и находящие все более широкое применение в аналоговой и микросистемной технике. Значительное число отказов полупроводниковых приборов и интегральных схем приходится на диэлектрические слои. Особое значение качество диэлектрических слоев имеет для полевых приборов и интегральных схем на основе структур металл-диэлектрик-полупроводник. Выявление потенциально ненадежных структур всегда имело важное значение для МДП-ИМС аппаратуры специального назначения. Остро данная проблема встала в настоящее время, когда производство ИМС характеризуется большой номенклатурой, малыми партиями, ограниченными сроками разработки и освоения производства. Обеспечение высокого качества изделий микроэлектроники в таких условиях предполагает разработку эффективных методов контроля качества и выявления потенциально ненадежных ИМС, позволяющих оценивать на ранних стадиях технологического процесса такие характеристики подзатворных диэлектрических слоев, как инжекционная стойкость, качество границы полупроводник-диэлектрик, плотность зарядовых дефектов, радиационную стойкость и др.

Особой чувствительностью к электрически активным дефектам обладают методы, использующие критические воздействия радиационные, термополевые, инжекционные. Одним из таких методов * является сильнополевая туннельная инжекция электронов по Фаулеру-Нордгейму в подзатворный диэлектрик. В целом деградационные процессы в МДП-структурах в критических условиях изучены достаточно подробно. Разработаны методы определения параметров и характеристик МДП-структур в условиях сильнополевой туннельной инжекции. Однако они в большинстве своем не адаптированы к условиям производства интегральных схем. Определены механизмы и процессы накопления зарядов в диэлектрических слоях, изучена их кинетика, Однако широкому использованию данных методов препятствует недостаточная изученность процессов протекающих в областях дефектов и локальных неоднородностей в критических условиях. Это связано с малыми размерами дефектовневозможностью непосредственного изучения электрофизичеких процессов в областях локальных неоднородностей, что предполагает применение косвенных методов, и вызывает необходимость разработки новых подходов и методов исследования.

Поэтому актуальной задачей является разработка инжекционных методов оценки качества диэлектрических слоев и выявления потенциально ненадежных интегральных схем основанные на исследованиях зарядовых дефектов в МДП-структурах в условиях сильных электрических полей.

Цель работы: установление физических механизмов накопления зарядов, особенностей переноса заряда и распределения полей в областях зарядовых дефектов, влияния их характеристик на устойчивость диэлектрических слоев к воздействию токополевых перегрузок при испытаниях и в" процессе эксплуатации, а также разработка комплексного инжекционного метода контроля дефектности изоляции и зарядовой дефектности.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

— сформировать систему параметров для оперативного контроля качества технологического процесса получения подзатворного диэлектрика МДП-ИМС.

— разработать модель накопления зарядов в МДП-структуре, содержащей зарядовые дефекты разных видов в режимах заряда емкости структуры и инжекции электронов в диэлектрик постоянным током;

— исследовать влияние характеристик зарядовых дефектов на изменение вольт-амперной характеристике (ВАХ) МДП-структур;

— на основе физического моделирования процессов накопления зарядов в зарядовых дефектах МДП-структур установить изменение их характеристик в условиях сильных электрических полей и инжекции носителей в различных электрических режимах, с последующим использованием результатов моделирования для разработки методик производственного контроля и прогнозирования их инжекционной и радиационной* стойкости;

— исследовать влияние зарядовых дефектов на инжекционную стойкость диэлектрических слоев, изготовленных по разным технологиям;

— разработать производственный комплексный инжекционный метод контроля дефектности изоляции и зарядовой дефектности диэлектрических слоев МДП-структур.

Научная новизна.

1. Разработана модель МДП-структуры с зарядовыми дефектами в условиях заряда емкости структуры и инжекции электронов постоянным током, позволяющая исследовать влияние электрофизических параметров зарядовых дефектов на ВАХ МДП-структуры.

2. На основе проведенного моделирования исследованы зависимости ВАХ МДП-структур с зарядовыми дефектами от плотности положительного заряда в диэлектрике, высоты потенциального барьера и толщины диэлектрической пленки в локальных областях зарядовых дефектов ипроведена оценка параметров зарядовых дефектов структур, попадающих в главный пик гистограммы распределения^МДП-структур по напряжению, микропробоя.

3. С использованием модели зарядового состояния’МДП-структур с зарядовыми дефектами при сильнополевой туннельной инжекции электронов из кремния, учитывающие неравномерное протекание инжекционного тока, проведены исследования электронных процессов в локальных областях зарядовых дефектов: различной природы в условиях сильнополевой туннельной инжекции.

4. Выполнены исследования влияния зарядовых дефектов на инжекционную стойкость диэлектрических слоев МДП-структур с термической пленкой БЮг.

Практическая значимость работы.

1. Разработан инжекционный метод оценки качества диэлектрических слоев МДП-структур на ранних стадиях технологических процессов, основанный на анализе временной зависимости напряжения на структуре при подаче на нее импульсов постоянного тока, и аппаратура для его реализации в производственных условиях.

2. Разработана система параметров характеризующих качество диэлектрических слоев МДП-структур в условиях производства МДП-ИС.

3. Предложены алгоритмы инжекционных воздействий и методики обработки результатов измерений', позволяющие характеризовать как, дефекты изоляции, так и дефекты зарядовой стабильности.

4. Проведена апробация разработанных методик при аттестации технологических процессов получения диэлектрических слоев изделий микроэлектроники.

5. Предложены рекомендации по совершенствованию технологического процесса формирования подзатворного диэлектрика МДП-транзисторов серии'2П7146 на ЗАО «ВЗПП-Микрон» (г. Воронеж) и ОКБ «МЭЛ» (г. Калуга).

Основные положения и результаты, выносимые на защиту результаты исследования влияния электрофизических параметров-зарядовых дефектов на ВАХ диэлектрических слоев. МДП-структур с термической пленкой 8Юг и характера и степени изменения зарядового состояния и токовой нагрузки зарядовых дефектов в условиях сильнополевой инжекции- - производственный комплексный инжекционный метод контроля дефектности изоляции и зарядовой дефектности диэлектрических слоев МДП-структур, на ранних стадиях технологического процесса, основанный на анализе временной зависимости напряжения на структуре при подаче на нее импульсов постоянного тока, позволивший осуществить единый подход к исследованию дефектности изоляции и зарядовой стабильности;

— результаты применения инжекционного метода оценки качества диэлектрических пленок для контроля зарядовой дефектности и стабильности МДП-структур в условиях производства МДП-приборов.

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих научно-технических конференциях, семинарах и симпозиумах: Межвузовской научной школы молодых специалистов «Концентрированные потоки энергии в космической технике, электронике, экологии и медицине» (Москва, 2009 г., 2010 г.), Региональных научно-технических конференциях «Наукоемкие технологии в приборои машиностроении и развитие инновационной деятельности в вузе» (Калуга, 2007 г.,.

2008 г., 2009 г., 201 От., 2011 г.), International conference «Physics of electronic materials!' (Kaluga, 2008 г.), Всероссийской научно-технической конференции «Наукоемкие технологии в приборои машиностроении и развитие инновационной деятельности в вузе» (Калуга, 2005 — 2011 гг.), 18−20 Международном-совещании «Радиационная физика твёрдого тела». (Севастополь, 2008 г.,.

2009 г., 20Ю г.), I — IV Всероссийских школах-семинарах студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Наноинженерия» (Москва, Калуга, 2008, 2009, 2010, 2011), I и Ш Всероссийских школах-семинарах студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Наноматериалы» (Рязань, 2008, 2010), 1-й Всероссийской школа-семинаре студентов, аспирантов и молодых ученых по тематическому направлению деятельности национальной нанотех-нологической сети «Функциональные наноматериалы для космической техники» (Москва, 2010), международной научно-технической конференция «Нано-технологии функциональных материалов» (Санкт-Петербург, 2010), 41 международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. (Москва, МГУ, 2011).

Личный вклад автора: разработаны инжекционный метод оценки качества диэлектрических слоев МДП-структур и аппаратура для его реализации в производственных условияхразработана модель МДП-структуры с зарядовыми дефектами в условиях заряда емкости структуры и инжекции электронов постоянным током, позволяющая исследовать влияние электрофизических параметров зарядовых дефектов на ВАХ МДП-структурывыполнены все аналитические и экспериментальные исследования характеристик зарядовых дефектов в подзатворном диэлектрике МДП-структурпроведена интерпретация экспериментальных результатов, сформулированы положения, выносимые на защиту.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 17 работ, из которых 2 — в рецензируемых журналах перечня, рекомендованного ВАК Минобрнауки РФ.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы и приложения. Общий объем работы 140 страниц, включая 28 рисунков и 1 таблицу.

Список литературы

содержит 154 наименования.

Общие выводы.

1. Разработана модель МДП-структуры с зарядовым дефектом в условиях заряда емкости структуры постоянным током, позволяющая исследовать, влияние электрофизических параметров зарядовых дефектов на ВАХ МДП-структуры.

2/ На основе проведенного моделирования исследованы зависимости ВАХ МДП-структур с зарядовыми дефектами от плотности положительного заряда в диэлектрике, высоты: потенциального барьера и толщины диэлектрической пленки в1 локальных областях зарядовых дефектов и проведена1 оценка параметров зарядовыхдефектов структур, попадающих в главный пик гистограммы распределения МДП-структур по напряжению мйкропро-боя. Л.

3. С использованием модели зарядового, состояния МДП-структурс зарядовыми: дефектами при сильнополевой туннельной инжекции электронов, из< кремния, учитывающей неравномерное: протекание инжекционного тока,' проведены исследования электронных процессов в локальных: областях зарядовых дефектовразличной природы в условиях сильнополевой туннельной инжекции:

4. Выполнены исследования влияния зарядовых дефектов на.: инжек-ционную стойкость диэлектрических слоев. МДП-структурс термической пленкой 8Ю2.

5. Разработан инжекционный метод оценки качества диэлектрических слоев МДП-структур на ранних, стадиях технологических процессов, основанныйна анализе временной зависимости напряжения на структуре при подаче на, нее импульсов постоянного тока:

6- Разработана система параметров характеризующих качество диэлектрических слоев МДП-структур в условиях производства МДП-ИС.

7. Предложены алгоритмы инжекционных воздействий и методики обработки результатов измерений, позволяющие характеризовать как дефекты изоляции, так и дефекты зарядовой стабильности.

8. Проведена апробация разработанных методик на при аттестации технологических процессов получения диэлектрических слоев изделий микроэлектроники на ЗАО «ВЗПП-Микрон» (г. Воронеж).

9. Предложены рекомендации по совершенствованию технологического процесса формирования подзатворного диэлектрика МДП-транзисторов серии 2П7146 на ЗАО «ВЗПП-Микрон» (г. Воронеж) и ОКБ «МЭЛ» (г. Калуга).

Заключение

.

Выполненная диссертационная работа позволила решить важную научно-техническую задачу, заключающуюся в установление физических механизмов накопления зарядов, особенностей переноса заряда и распределения-полей в областях зарядовых дефектов, влияния их характеристик на устойчивость? диэлектрических слоев к воздействию токополевых перегрузок при испытаниях и в процессе эксплуатации, а такжеразработка комплексного инжекционного метода1 контроля дефектности изоляции и зарядовой дефектности диэлектрических пленок МДП-приборов.

В ходе выполнения работы были решины следующие задачи:

— сформирована система параметров для оперативного контроля качества технологического процесса получения подзатворного диэлектрика МДП-ИМС;

— разработана модель накопления зарядов в МДП-структуре, содержащей зарядовые дефекты, разных видов в режимах заряда емкости? структуры и инжекции электронов в диэлектрик постоянным током;

— исследовано влияние характеристик зарядовых дефектов на изменение вольт-амперной характеристике (ВАХ) МДП-структур;

— на основе физического моделирования процессов накопления зарядов в зарядовых дефектах МДП-структур установлено изменение их характеристик в условиях сильных электрических полей и инжекции носителей в/ различных электрических режимах, с последующим использованием. резуль-татов моделирования для разработки методик производственного контроля и прогнозирования их инжекционной и радиационной стойкости;

— исследовано влияние зарядовых дефектов на инжекционную стойкость диэлектрических слоев, изготовленных по разным технологиям;

— разработан производственный комплексный инжекционный метод контроля дефектности изоляции и зарядовой дефектности диэлектрических слоев МДП-структур.

123 '.¦¦'.

Показать весь текст

Список литературы

  1. B.B., Барышев В. Г., Столяров A.A. Инжекционные методы исследования и контроля структур мегалл-диэлектрик-полунроводник: Монография //М.: Издательство M1."ТУ им: Н-Э. Баумана, 2004. 256 с.
  2. РД 11 0755−90. Микросхемы интегральные. Методы ускоренных испытаний на безотказностей долговечность. // С-Пб.: ВНИИ «Электронстан-дарт». 1990:
  3. Управление качеством электронных средств / Под, ред: O.II. Глудкина. М.: Высшая школа, 1992. 414 с.
  4. Г. А., Мухачев B.A. Пробой тонких диэлектрических пленок. М.: Сов. радио, 1977. 72 с.
  5. В.М., Личманов Ю. О., Семанович Е. В. Влияние протяженных дефектов на пробой тонкопленочных. МДП-структур // Письма' в ЖТФ. 1993. Т. 19, вып. 24. С. 11−16.
  6. .М., Чандракасан- А., Николйч Б. Цифровые интегральные схемы. Методология, проектирования: Издательство Вильяме ИД, 2007. 912 е.: ил.
  7. Н.В. Система кремний-двуокись кремния в МОП структурах. Минск: Наука и техника, 1986. 240 с.
  8. Исследование природы сквозных пор в пленках двуокиешкремния на кремнии / B.C. Данилович и др. // Микроэлектроника. 1975. Т. 4, вып. 1. С.89−92.
  9. Аб.Г., Мустафаев Ар.Г. Проблемы масштабирования- затворного диэлектрика для MOII-технологии // Нано- и микросистемная техника.. 2008: № 4: С: 117−22!
  10. ЭдельмашФ-Jli СтруктурагкомпонентовгБИС- Новосибирск: Наукам. 1980. 256 с. -
  11. Физическая модель процесса старения МОП-структуры / М.А. Бу-. лушева и< др:'.-'У/" Физикамжтехника- полупроводников. 2010. Т. 44, выи. 4. ' С. 527−532.- '
  12. A.B. Проблема загрязненности- технологических- сред микрочастицами в1 современной: микроэлектронике // Электронная- промышленность. 1988. № 3. С. 41−46.
  13. Диэлектрики- в* наноэлектронике / В.А. Гриценко* и- др:. Новосибирск: Изд-во СО РАН- 2010. 258 с.
  14. Введение в фотолитографию / Под ред. В. П. Лаврищева. М.: Энергия, 1977. 400 с.
  15. Н.И., Мартынов В. В., Павалайнян В. С. Перенос дефектов фотошаблона на пленки двуокиси кремния в> процессе контактной фотолитографии // Электронная техника. Сер. 7. 1971. Вып. 5. С. 41−44.
  16. В.А., Попов В. М. Влияние дефектов с аномально высокой скоростью генерации, на характеристики МДП-транзисторов // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1980. Вып. 1. С. 82−86.
  17. С.А., Литовченко В. Г., Соколов В. И. Исследование процессов структурной релаксации, протекающих в системе кремний-окисел при ее формировании // Физика диэлектриков: Тезисы докл. Всесоюз. науч-но-техн. конф. Баку, 1982. С. 115.
  18. Quantum-mechanical study of the1 direct tunneling current in metal-oxide-semiconductor structures / E. P. Nakhmedov et al. // J. Appl. Phys. 2006- - Vol. 95. — P.1203−1214:
  19. B.A., Попова В. М. Метод определения МДП-структур с аномально высокой скоростью генерации неосновных носителей! // Электронная техника. Сер. 8. Управление качеством, стандартизация- метрология, испытания: 1975. № 1 Г. С.60−64.
  20. Ю.С., Пятницкий В. В., Третяк О.В. Локализация заряда на гидрофобной и гидрофильной поверхности кремния и в ' окисной пленке
  21. Микроэлектроника. 1997. Т. 26, вып. 6. С. 464−469.
  22. Greeuw G., Bakker S., Verwey J.F. Influence of annual temperature on the mobile ion concentration in MOS structures // Solid, State Electron. 1984. Vol. 27, № l.P. 77−81.
  23. Sze S.M., Ng K.K. Physics of Semiconductor Devices. New Jersey: Published by John Wiley & Sons, Inc., Hoboken, 2007. 794 p.
  24. А.П., Булавинов B.B., Коноров П. П. Электроника слоев Si02 на кремнии. Л.: ЛГУ, 1988. 304 с.
  25. Ю.Р., Шилин В. А. Основы физики приборов с зарядовой связью. М.: Наука, 1982. 320 с.
  26. Релаксационные процессы в МДП-элементах интегральных схем, вызванные ионизирующим излучением и импульсным магнитным полем/ А. Г. Кадменский и др. // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19, вып. 03. С.41−45.
  27. Kimura М., Mitsuhashi J., Kogama Н. Si/Si02 interface states and neutral oxide traps induced by surface microroughness // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 77, № 4. P. 1569−1575.
  28. В.А. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП-структурах. Новосибирск: Наука, 1993. 280 с.
  29. В.В., Столяров А. А. Физические основы наноинженерии• /Под редакцией В. А. Шахнова. М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2011. 224 с.
  30. Г. Я., Зайцев Н. А., Матюшкин И. В. К вопросу определения эквивалентной толщины оксида в МДП-транзисторах нанометровых размеров // Микроэлектроника. 2011. Т. 40, № 1. С. 30−35.
  31. Plummer J.D., Deal М., Griffin P.D. Silicon VLSI Technology: Fundamentals, Practice, and Modeling // Prentice Hall Upper Saddle River, NJ. 2000. 807 p.129 — •
  32. В.Ф., Козлов С. Н., Зотеев А. В. Основы физики поверхности твердого тела. Ml: Издательство Московского Университета- Физический факультет МГУ, 1999. 294 с.
  33. Wenguang Z., Weimin L., Clengtao W. Characterization and tribologi-calHnvesttigation of Si (c)2 and Еа20з sol-gel' films // Applied Surface Science. 200K. Volil85i-P34r43-.
  34. Андреев: В: B, Барышев’ВТ7-, Столяров: А-А: Метод постоянного тока в. контроле МДП-структур // Петербургский-журнал электроники. 1997. № 3. С.69−72.
  35. The method of the MIS structure interface analysis / G.G. Bondarenko et ah. // Surface and Interface Analysis. 1999. Vol. 28. P: 142−145.
  36. Метод многоуровневой токовой нагрузки, для исследования, генерации' и релаксации положительного> заряда: вiМДП-структурах / В. В. Андреевой др. // Микроэлектроника. 2003. Т. 32, № 2. С. 152−158.
  37. Study of temperature dependence of positive charge generation in thin dielectric film of MOS structure- under high-fields / G.G. Bondarenko et al. // Thin solid films. 2006. Vol. 515. P. 670−673.
  38. Метод двухуровневой токовой нагрузки для контроля параметров положительного заряда МДП-структур в сильных электрических полях / В. В. Андреев и др. // Перспективные материалы. 2003: № 5. С.94−99.'
  39. Контроль качества диэлектрических слоев интегральных микросхем и изделий микросистемной техники / В. В. Андреев и др. //Наукоемкие технологии. 2010. Т. 11, № 7. С. 44−52.
  40. DiMaria D.J., Cartier Е., Buchanan D.A. Anode-hole injection and trapping in silicon dioxide // J. Appl. Phys. 1996. Vol. 80, № 1. P. 304−317.
  41. Gadiyak G.V. Hydrogen redistribution in thin silicon dioxide filmsrunder electron. injection in high field // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 82, № 11. P. 55 735 579:
  42. Al-kofahiJ. S., Zhang J. F., Groeseneken G. Continuing degradation of the Si02 /Si interface after hot hole stress // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 81, № 6. P. 2686−2692.'
  43. Generation and relaxation phenomena of positive charge and interface trap in a metal-oxide-semiconductor structure / Q.D.M. Khosru et al. // J. Appl. Phys. 1997. Vol: 81, № 6: P. 4494−4503:
  44. Beyer V., Klimenkov J.*, Muller T. Current-voltage characteristics of metal-oxide-semiconductor devices containing Ge or Si nanocrystals in thin gate oxides // Journal of Applied’Physics. 2006. Vol.* 27. N. 1. P. 329−332.
  45. Г. В., Stathis J. Физическая модель и результаты численного моделирования деградации Si/Si02-CTpyKTypbi при отжиге в вакууме // ФТП. 1998. Т. 32, № 9. С. 1079−1082.
  46. Г. В. Моделирование распределения водорода при" инжек-ции электронов в пленках SiC>2 в сильных электрических полях // ФТП. 1997. Т. 31, № 3. С. 257−263.
  47. DiMaria D.J., Buchanan D.A., Stathis J.H. Interface states induced by the presence of trapped holes near the silicon-silicon-dioxide interface // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 77, № 5. P: 2032−2040.
  48. Nissan-Cohen Y., Shappir J., Frohman-Bentchkowsky D. High-field and current-induced1 positive charge in thermal Si02 layers // J і. АррГ. Phys. 1985. Vol. 57, № 8. P. 2830−2839-
  49. RiccoiBi, FischettiiMiV. Temperature dependence of the current in Si02 in the high field tunneling regimme// J. Appl: Phys. 1984. Vol. 55, № 12. P.2557−2562.. .
  50. Solomon.Pi, Klein N: Impactionization im silicon dioxide: at fields, in. breakdown range // SolidiState: Communications-, 1975. Vol. 17, Л"" 111 P. 13 971 400: '
  51. Fischetti M.V. ModeFforthe generation ofpositivechargerat the: Si-Si02 interface — based -опШо^Ьо1е-гщёсй^^
  52. Vol. 31, № 4. P. 2099−2106.
  53. А.П., Тюлькин B:M. О механизме генерации положительного заряда в структуре Si- Si02 в сильных полях // Письма ЖТФ. 1982. Т. 8, вып. 23. С. 1423−1427.
  54. Chen С., Wu С. A characterization model for constant current stressed voltage-time characteristics of thin- thermal: oxides grown on? silicon, substrate // J. Appl. Phys. 1986. Vol. 60, № 11. P. 3926−3944.
  55. Зарядовая деградация МДП-систем с термическим оксидом • крем-няя, пассивированным фосфорногсиликатным стеклом,. при высокополевойтуннельной инжекции / В: В. Андреев и др. // Микроэлектроника.: 1997. № 6. G.640−646.
  56. Hydrogen induced positive charge generation int gate oxides / J.F. Zhang et al.-//L Appl. Phys. 2001. Vol. 90, № 4. P. 1911−1919.
  57. Zhang J.F., Al-kofahi I.S., Groeseneken G. Behavior, of hot hole stressediSi (c)2/Sfcinterface, at elevated-temperature7/ JC. Appl: Phys- 19 971 Vol: 8T," № 6- P: 843−850:
  58. В.А. Влияние ионизирующего излучения на свойства МДП-приборов // Обзоры по электронной технике. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1978: Вып.4. С.3−31.
  59. Ultrathin (<4 nm) Si02 and Si-O-N gate dielectric layers for silicon microelectronics: Understanding the processing, structure, and physical and electrical limits / M.L. Green et al. // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 90, №<5. P. 20 572 121.
  60. A.A. Высокополевая туннельная инжекция в системахчметалл-диэлектрик-полупроводник и разработка методов их контроля: Диссертация на соискание ученой степени д-ра. техн. наук. М., 1998. 432 с.
  61. Технология СБИС / Под ред. С. М. Зи. М.: Мир, 1986. Кн. 2. 404 с.
  62. ОСТ 1120.9903−86. М.: 1986. 18 с. 52
  63. Г. Н., Глудкин О. Н., Черняев В. Н. Диагностика дефектов диэлектрика с помощью исследования' начального пробоя МДП (МДМ)-структур // Микроэлектроника. 1982. Т. 11, № 4. С. 356−366.
  64. JESD35-A Procedure for the Wafer-Level Testing of Thin Dielectrics, April 2001.
  65. B.C., Попов В. Д., Шальнов A.B. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС. М.: Энергоатомиздат, 1988. 256 с.
  66. Радиационные эффекты в короткоканальных МДП-приборах /М.Н: Левшги>др. //Микроэлектроника. 1992. Т. 21, вып. 2. С. 34−41'.
  67. Влияние электронного облучения на характеристики МДП-структур при исследовании в растровом электронном микроскопе-/М.Г. Картамышев и др. //Микроэлектроника. 1990. Т. 19, вып. 1. С. 22−30.
  68. Altken J.M., Yuong D.R. Electron* trapping by radiation induced positive charge in Si02// J. Appl. Phys. 1976. Vol. 47. P. 1196−1201.
  69. Altken J.M., Yuong D.R., Pan K. Electron trapping in electron-beam irradiated Si02 // J. Appl. Phys. 1978. Vol. 49. P. 3386−3391.
  70. B.B. Контроль МДП-структур методами управляемой токовой нагрузки и токов термостимулированной деполяризации // Перспективные материалы. 2000. № 4. С.91−96.
  71. Исследование зарядовой деградации МДП-структур в сильных электрических полях методом управляемой токовой нагрузки / В: В. Андреев-, и др. // Микроэлектроника. 2000. Т. 29, № 2. С. 105−112.
  72. Способ’измерения напряжения микропробоя МДП-структур: патент 1 829 787 РФ от 27.11.2001 / В. В. Андреев, В. Г. Барышев, Ю. А. Сидоров, А. А". Столяров:
  73. Влияние температуры на накопление положительного заряда- в МДП-структурах в условиях сильнополевой инжекции / В. В: Андреев и др. // Перспективные материалы. 2006. № 4. С. 32−37.
  74. Исследование влияния- режимов сильнополевой инжекции электронов на модификацию диэлектрических пленок МДП-приборов / В. В. Андреев и др. // Перспективные материалы. 2009. № 2. С. 19−24.
  75. Influence of High Field Electron Injection Regimes on Modification of Dielectric Films of MOS Devices / V.V. Andreev et al. // Inorganic Materials: Applied Research: 2010: Vol. 1, № 2. P. 105−109.
  76. Д.С., Бузунов Н. В. Выявление наноразмерных дефектных областей подзатворного диэлектрика МДП-структур // Наноинженерия: Сборник трудов III Всероссийской школы-семинара*студентов, аспирантов и молодых ученых. М4., 2010. С. 309−312.
  77. Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник / Под ред. АВ< Ржанова. М.: Наука, 1976. 219 с.
  78. В.А., Рыхлицкий C.B. Метод эллипсометрии в науке и технике // Автометрия. 1997. № 1. С. 5−15.
  79. Метод снижения времени инжекции заряда при модификации МДП-транзисторов / В. В. Андреев и др. // Наукоемкие технологии в при-боро- и машиностроении и развитие инновационной деятельности в вузе: Мат. Всероссийской науч.-техн. конф. М., 2007. С. 196.
  80. Investigation of, injection modification influence on charge state of gate insulator in MOS devices / V.V. Andreev et al. // PEM'2008: International' Conf. Proceed: Kaluga, 2008. P. 381.
  81. О физическом прогнозировании надежности тонкопленочных, конденсаторов / З. Ф. Воробей и др. // Электронная техника. Сер. 8. 1974. Вып. 2. С. 91−93.
  82. Устройство для измерения пробивных напряжений полупроводниковых приборов: а.с. 307 360 СССР / Е. З. Рыскин. Опубл. 1971'. Бюлл. № 20:
  83. Е.З. Измерение пробивных напряжений на уровне микротоков // Электронная промышленность. 1974. Вып.4. С.29−30.
  84. Gabler W., Conrad R., Braeunig К. Semiautomatic measurements of thin-film break down voltages // Rev. Sei.Instrum. 1979. Vol. 50, № 10. P. 12 181 222.
  85. Способ измерения напряжения микропробоя МДП-структур: а.с. 1 342 252 СССР /В.Г. Барышев, В: Е. Каменцев, A.A. Столяров. Опубл. 1987.
  86. B.F., Столяров A.A. Исследование дефектности тонкопленочного диэлектрика методом микропробоя // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1983. Вып.9. С. 72−74.
  87. Сравнительная.оценка методов контроля. дефектности диэлектрических пленок / B.F. Барышев и др. // Электронная техника. Сер.6. Матери- ' алы. 1990! № 1. С.72−76.
  88. Андреева ВІВ: Высокополевая туннельная* инжекция> в системах, металл-диэлектрик-полупроводник и разработка* методов, их контроля: Диссертациям соискание ученой степени д-ра техн. наук. Mi, 20 021
  89. Weinberg Z-.A. On tunneling im metal-oxide-silicon structures // J. Appl. Phys. 1982. Vol. 53, № 7. PI' 5052−5056.
  90. Lenzlinger Ml, Snow E.H. Fowler-Nordheim tunneling in to. thermally grown-Si02 // Ji Appl. Phys. 1969. Vol. 40, № 1. P. 278−286:
  91. Andreev V.V., Baryshev V.G., Stolyarov А.А. Instability of the parameters of dielectric layers under conditions of high-fields injection" stresses // Journal of advanced
  92. Chen G.F., Wu C.Y. A characterization model for rampvoltage-stressed'I-V characteristics of thin thermal oxides grown silicon substrate // Solid State Electronics. 1986. Vol! 29, № 10. P. 1059−1068.
  93. Hokari Y. Dielectric breakdown wear out limitation of thermally-grown thin-gate oxides // Solid-State Electron. 1990. Vol. 33.' P. 75−78.
  94. Андреев^ B. B- Сильнополевая зарядовая, деградация- МДП-структур Si-SiCVOCC-AL при высоких плотностях туннельного тока // Тез. докл. 3 Международной конференции* по электромеханике и электротехнологии. Клязьма, 1998. С. 59.
  95. Piyas Samanta, Sarcar C.K. Coupled charge trapping dynamics in thin Si02 gate oxide under Fowler- Nordheim stress at low electrical fluence // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 83, № 5. P. 2662−2669.
  96. Miranda E., Redin G., Faigon A. An effective-field approach for the Fowler-Nordheim tunneling current hrough a metal-oxide-semiconductor charged barrier // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 82, № 3. P.* 1262−1265.
  97. Lee S.M., Cahill David G. Heat transport in thin dielectric films //J. Appl. Phys. 1997. Vol. 81, № 6. P. 2591−2595.
  98. Chen Chun, Wilson William L., Smayling Michael. Tunneling induced" charge generation in Si02 thin films // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 83, № 7. P. 38 983 905.
  99. Lenahan P.M., Conley J.F.Jr., Wallase B.D. A. model of hole trapping in Si02 films on silicon // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 81, № 10. P. 6822−6824.
  100. Umeda Kazunori, Tanigchi Kenji. Hot-electron-induced quasibreak-down of thin gate oxide // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 81, № 1. P. 297−302.
  101. Cai Jin, Sah Chih-Tang. Theory of Thermally stimulated charge in me-tai-oxide-semiconductor gate oxide // Jt Appl. Phys. 1998. Vol. 83, № 2″. P. 851 857.
  102. Kim Jong-Hyun, Sanchez Julian J., DeMassa Thomas A., Quddus Surface plasmons and breakdown in thin silicon dioxide* films on silicon //J. Appl. Phys. 1998. Vol. 84, № 3. P.' 1430−1438.
  103. Briere O., Cottin P., Straboni-A. Comparisonof rapid ramp voltage and tunneling injection stress experiments for the -characterization of thin MOS gate oxides // J. of Non-Cryst. Solids. 1995. Vol. 187. P. 190−194.
  104. B.B. Контроль инжекционной стойкости структур металл-диэлектрик-полупроводник в сильных электрических полях // Перспективные материалы. 2002. № 2. С.89−93.
  105. Зарядовая дефектность диэлектрических слоев МДП-структур /Г.Г. Бондаренко и др.'// Физика и химия обработки материалов. 2001. № 4. С.94−99.
  106. В.В., Барышев В. Г., Столяров A.A. Исследование модели зарядового состояния системы Si-Sio2-OCC-Al // Труды МЕТУ. 1998: № 571. С.22−29.
  107. В.В., Барышев В. Г., Столяров A.A. Модель зарядового состояния системы Si-SiCb-OCC-Al в- условиях, сильных, электрических полей и интенсивных токовых нагрузок // Труды МГТУ. 1998. № 571. С.30−37. .
  108. Моделирование воздействия ионизирующих излучений на МДП-структуры в режиме сильнополевой инжекции / ДБ. Андреев и др. // Радиационная физика твёрдого^ тела: Труды 20 Международного совещания. Ml, 2010. С. 240−247.
  109. Исследование начального несобственного пробоя и дефектов вдиэлектрике МОП-структур на основе кремния / Г. Н. Демидова, и др.*
  110. Микроэлектроника. 1983. Т. 12, вып. 1. С. 24−28.
  111. Tsujikawa S., Yugami J. Positive charge generation due to species of hydrogen during NBTI phenomenon in pMOSFETs with ultra-thin SiON gate dielectrics // Microelectronics Reliability. 2005. — Vol. 45. — P. 65−69.
  112. Назаров A. H'.,/Лысенко B: C. ВЧ плазменная обработка как метод радиационно-термического- наводораживания микроэлектронных кремниевых структур //Микроэлектроника. 1994. Т.23. № 4. С.45−65.
  113. Felnhofer, D. Gusev, Е. P. Buchanan, D. A. Photocurrent measurements for oxide charge characterization of high-к dielectric metal oxide semiconductor capacitors // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 103. N. 5. P. 54 101 54 101−10.
  114. B.H., Кузин C.M., Петрова А. Г. Тенденции развития ме- тодов и системы операционного контроля технологии СБИС // Электронная промышленность. 1994. № 3. С.38−44.
  115. ЗАКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО «ВЗПП МИКРОН»
  116. Разработанный в диссертационной работе инжекционный метод оценки качества диэлектрических пленок, используется для контроля параметров подзатворного диэлектрика МДП-транзисторов: 2ГГ7146,2 117 147, 211 769. 2П767.
  117. По результатам исследований Васютиным Д. С. даны рекомендации и осуществлена корректировка технологических режимов процесса получения подзатворного диэлектрика серийно выпускаемых МДП-гранзисторов: 2П7146, 2П7147, 2П769. 2П767.
  118. Главный конструктор? V? ЮЛ. Фоменко
  119. Руководитель проектов по СПП A.B. Коновалов1. УТВЕРЖДАЮ"
  120. ЗАКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО
  121. Опытно-конструкторское бюро микроэлектроники"1. ЗЛО «ОКБ МЭЛ»)248033, г, Калуга, ул. Академическая, 2' Телефон: (4842) 72−85−27, тсл/факс: (4842) 54−90−92,54−90−80 E-mail: [email protected] http: okbmel.ru1. УТВЕРЖДАЮ"янрсктор Б МЭЛ"
  122. Начальник научно-технического отдела заместитель технического директора1. A.B. Романов1. В.Ф. Антоненко
Заполнить форму текущей работой

На отлично!