Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Разработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и ВТСП соединений

Диссертация: Разработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и ВТСП соединений
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Открытие высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП) в 1986 г. послужило предпосылкой сильной активизации научных работ и поиска материалов с новыми свойствами в этой области. Получение сверхтонких кристаллически совершенных ВТСП пленок открывало возможность изучения природы этого явления (не понятой до сих пор) на уроне нескольких элементарных ячеек. Подобные сверхтонкие пленки были получены… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Общий подход к механизмам роста в молекулярно — пучковой эпитаксии (МПЭ). Теория и эксперимент
    • 1. 1. Общие физические аспекты роста в МПЭ. Особенности роста
  • ВТСП соединений
    • 1. 2. Физические особенности роста МПЭ нитридных соединений III-N (AlGalnN)
    • 1. 3. Особенности МПЭ роста нитридных соединений с малым содержанием азота III-V-N (InGaAsN)
  • Глава 2. Нитридные соединения III-N: AlGalnN
    • 2. 1. Получение GaN, AIN и твердых растворов (ТР)
      • 2. 1. 1. Установка МПЭ с плазменными источниками азота
      • 2. 1. 2. Методы создания азотной плазмы для МПЭ и характеристики плазмы из разных источников
      • 2. 1. 3. Получение GaN, AIN и твердых растворов на различных подложках и их свойства
      • 2. 1. 4. Получение кубической модификации GaN
    • 2. 2. Получение и исследование InN
      • 2. 2. 1. Технологические особенности получения МПЭ нитрида индия
      • 2. 2. 2. Физические свойства нитрида индия
    • 2. 3. Получение и исследование колончатых структур нитридов AlGalnN
      • 2. 3. 1. Колончатые структуры GaN и их физические свойства
      • 2. 3. 2. Колончатые структуры InN, их физические свойства и механизм роста
  • Глава 3. Нитридные соединения III-V-N: InGaAsN с малым содержанием азота
    • 3. 1. Выращивание твердых растворов InGaAsN
    • 3. 2. Напряженно — компенсированные’сверхрешетки (НКСР)
    • 3. 3. Гетероструктуры с квантовыми точками
    • 3. 4. Лазеры па основе твердых растворов и НКСР InGaAsN
  • Глава 4. Высокотемпературные сверхпроводники (ВТСП)
    • 4. 1. Установка МПЭ для роста ВТСП соединений с плазменным источником
    • 4. 2. Выращивание ВТСП соединений (системы YbBaCuO и DyBaCuO)
      • 4. 2. 1. Система YbBaCuO
      • 4. 2. 2. Система DyBaCuO
    • 4. 3. Физические свойства ВТСП пленок
    • 4. 4. Механизмы роста тонких пленок ВТСП
  • Глава 5. Квантовые каскадные лазеры (ККЛ)
    • 5. 1. Требования к квантовым каскадным лазерам и состояние проблемы
      • 5. 1. 1. Волноводы и резонаторы. Резонатор Фабри-Перо
      • 5. 1. 2. ККЛ с распределенной обратной связью
      • 5. 1. 3. Специальные конструкции ККЛ
    • 5. 2. Получение и характеризация ККЛ
      • 5. 2. 1. Лазеры с изопериодической сверхрешеткой с трехямной активной областью
      • 5. 2. 2. Лазеры с напряженно-компенсированными сверхрешетками с четырехямной активной областью

Разработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и ВТСП соединений (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Полупроводниковые наноструктуры являются важнейшими объектами исследований современной физики и полупроводниковой оптоэлектроники. Оптоэлектроника и се достижения — неотъемлемая часть жизни современного общества. Развитие этой области и ее элементной базы во многом определяется освоением технологий новых материалов, развитием новых подходов к пониманию процессов синтеза и их взаимосвязи со свойствами материалов и приборных структур, совершенствованием технологии, базируясь на физических основах ростовых процессов.

Конец прошлого века и первое десятилетие 21 века ознаменовались активным освоением таких материалов, содержащих азот, как (АЮа1пЫ) и Ш-У-Кт (1пОаА8Тч[). Интерес к этим материалам и наноструктурам вызван возможностью создания лазеров, фотоприемников и фотопреобразователей со специфическими характеристиками, перекрывающими весь видимый диапазон спектра. Особенно интересные применения наметились в последние годы с открытием неожиданно малой запрещенной зоны у нитрида индия (-0.7 эВ), вместо общепризнанной (~1.9 эВ), что дает возможность перекрывать спектр светового диапазона от ультрафиолетового до инфракрасного в рамках одной нитридной технологии, и делает возможным получение высокоэффективных солнечных элементов, способных в будущем ' заменить существующие источники энергии.

Другими важными направлениями, получившими развитие в эти же годы, являлись получение квантоворазмерных объектов (квантовым точек, ям, проволок, сверхрешеток и колончатых структур) со свойствами, принципиально отличными от свойств объемных материалов, а также (после открытия в 1986 г.) высокотемпературных сверхпроводников.

Первые эксперименты показали, что обычной молекулярнопучковой эпитаксии (МПЭ) недостаточно для реализации таких соединений, и требуется привлечение плазменных источников азота и кислорода.

Интерес к получению и исследованию колончатых наноструктур нитридов (сейчас принят термин Nano-Wires (NW)) определялся особым совершенством этих кристаллов по сравнению со «стандартным» (объемным) материалом, известным для таких кристаллов, полученных ранее в полупроводниковых, но не в нитридных соединениях, которое должно было дать выход в новых применениях. Конкретный выход обозначился в последнее время, когда была показана лазерная генерация на колоннах GaN [1].

Открытие высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП) в 1986 г. послужило предпосылкой сильной активизации научных работ и поиска материалов с новыми свойствами в этой области. Получение сверхтонких кристаллически совершенных ВТСП пленок открывало возможность изучения природы этого явления (не понятой до сих пор) на уроне нескольких элементарных ячеек. Подобные сверхтонкие пленки были получены иностранными авторами, например, в октябре 2009 года, что понималось как большое достижение, о чем говорит и рейтинг журнала Science, где это было опубликовано [2, 3].

Интерес к получению и исследованию квантовых каскадных лазеров (KKJI) вытекает из их высокоскоростной динамики носителей и перекрываемых спектральных диапазонов, в которые попадают как полосы излучения большинства молекул, что делает возможным их спектроскопию и диагностику, так и окон прозрачности атмосферы, что обеспечивает беспроводную высокоскоростную связь на дальние расстояния, в том числе со спутниками.

К началу данной работы (середина 1980;х) в мире были сделаны только первые попытки в получении указанных материалов, и стояли задачи достижения высокого уровня понимания процессов роста плазменной МПЭ (ПМПЭ), что требовало проведения широкого спектра исследований для поиска новых подходов в решении поставленных задач, актуальных как с научной, так и с практической точек зрения.

В нашей стране на момент начала диссертационной работы отсутствовала МПЭ технология получения нитридных соединений и сверхрешеток в системе InGaAlAsN, сверхтонких кристаллически совершенных ВТСП пленок с использованием плазменных источников, а также квантовых каскадных лазеров, а их фундаментальные и прикладные исследования не проводились, что определило цель и задачи работы.

Целью диссертационной работы являлась разработка физических основ и создание воспроизводимой технологии получения методом молекулярно — пучковой эпитаксии с применением плазменных источников нитридных соединений Ш-Кт (АЮаЫЫ), (ТпСаАзИ), высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП), и квантоворазмерньтх гетероструктур для фундаментальных исследований и применений в приборах, в частности, в полупроводниковых лазерах.

Для достижения этой цели решался следующий комплекс задач: -Разработка физических основ технологии плазменной МПЭ получения нитридов третьей группы, АЮаГпИ.

— Разработка новой технологии на основе автокаталитического режима роста получения колончатых (30) наноструктур нитридов АЮа1пМ. -Исследование механизмов роста колончатых структур нитридов.

— Разработка технологии получения кристаллически совершенного нитрида индия (1п1М) с новыми свойствами — высокой подвижностью, малой концентрацией носителей и запрещенной зоной, меньшей 1 эВ.

— Разработка плазменной МПЭ технологии для получения лазеров на диапазон 1.3−1.55 мкм на подложках ваЛв на основе нитридных соединений П1-У-1Ч: 1пОаАзК с применением напряженно — компенсированных сверхрешеток.

— Разработка физических основ новой технологии плазменной МПЭ для получения сверхтонких пленок ВТСП соединений.

— Теоретическое и экспериментальное исследование механизмов роста ВТСП соединений. -Разработка технологии получения МПЭ квантовых каскадных лазеров для среднего инфракрасного диапазона (А, ~ 5 мкм).

Научная новизна и практическая значимость работы.

Разработан новый подход к росту слоев и приборных структур методом МПЭ, основанный на определяющем влиянии скоростей роста на основные параметры и механизмы ростового процесса, и установлены критерии по скорости роста, обеспечивающие получение кристаллически совершенных слоев, наноструктур и сверхрешеток с новыми свойствами.

Впервые в нашей стране заложены физические основы и разработана технология плазменной молекулярно-пучковой энитаксии для получения азотных соединений с большим содержанием азота III-N: GaN, AIN, InN и твердых растворов AlGalnN и нитридов с малым содержанием азота III-V-N: InGaAsN и напряженно-компенсированных сверхрешеток на их основе.

Впервые в нитридной системе III-N (AlGalnN) разработана технология получения бездислокационных колончатых наноструктур с минимальным диаметром 20 нм и плотностью < 10″ см~2 с улучшенными кристаллическими и люминесцентными свойствами.

Впервые в мире разработана технология, изменившая представления о свойствах InN и приведшая к получению кристаллически совершенного нитрида индия с новыми свойствами при комнатной температуре: высокой подвижностью (|i~1700 см2/Вс), низкой.

10 «I концентрацией носителей (п<10 см») и шириной запрещенной зоны Eg~0.8 эВ, в отличие от общепринятой ранее Eg ~1.9 эВ.

Впервые продемонстрирована эффективность использования твердых растворов InGaAsN в качестве активной среды низкопороговых лазеров на подложках GaAs и напряженно — компенсированных короткопериодных сверхрешеток GaAsN/InGaAsN для получения эффективной фотолюминесценции (ФЛ) на длину волны 1.55 мкм, сравнимой с ФЛ на 1.3 мкм, а также способ управления длиной волны излучения от 1.3 мкм до —1.8 мкм без ухудшения излучательных характеристик, защищенный патентом.

Впервые разработана технологии плазменной молекулярно-пучковой эпитаксии для получения in situ сверхтонких (несколько постоянных решетки вдоль оси с) кристаллически совершенных ВТСП пленок орторомбической-I фазы с Тс~70 К Впервые предложен способ создания наноструктуры металл-окиссл-сверхпроводник (MOS) с помощью воздействия ионным пучком, защищенный патентом.

Впервые в нашей стране получены молекулярно-пучковой эпитаксией квантовые каскадные лазеры для среднего инфракрасного диапазона на длину волны ~ 5 мкм.

Результаты настоящей работы могут быть использованы при фундаментальных и прикладных исследованиях полупроводниковых гетероструктур в учреждениях Российской Академии Наук: ФИАН им. П. Н. Лебедева, МоскваИФТТ, ЧерноголовкаИПП, НовосибирскИФМ, Н. НовгородГОИ им. С. И. Вавилова, СПб ГПУ, ФТИ им. А. Ф. Иоффе, С.-Петербург.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Результаты теоретического анализа и экспериментальных исследований механизмов роста молекулярно — пучковой эпитаксией с применением плазменных источников в системе соединений III-N (AlGalnN), III-V-N (InGaAsN) и ВТСП (DyBaCuO) обеспечивают получение высококачественных слоев, наноструктур и сверхрешеток с новыми свойствами.

2. Использование при выращивании InN МПЭ с плазменными источниками азота на подложках сапфира низкотемпературного (~300°С) буфера InN, отожженного при высоких температурах позволяет сформировать топкий (—70 нм) монокристаллический слой Alo.3Ino.7N и обеспечивает получение высококачественных монокристаллических гексагональных слоев InN с новыми свойствами при 300 К: подвижностью носителей.

2 19 3.

J.-1700 см /Вс, концентрацией п<10 см" и шириной запрещенной зоны Eg —0.8 эВ.

3. Выращивание нитридных соединений (InN, GaN) в автокаталитическом режиме роста по механизму «пар-жидкость-кристалл» методом плазменной МПЭ (ПМПЭ) обеспечивают получение ианоколонн этих соединений с высоким кристаллическим совершенством, высокой плотностью (>1010см ~2) и улучшенными люминесцентными свойствами.

4. Контролируемое управление длиной волны излучения в диапазоне 1.3 — 1.8 мкм без ухудшения люминесцентных свойств достигается путем выращивания плазменной МПЭ на подложках GaAs светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaAsN с напряженно-компенсированными сверхрешетками GaAsN/InGaAsN с монослойными вставками InAs. Использование одиночной вставки увеличивает длину волны с ~1.4 до ~1.5 мкм, а трех — до ~1.7 мкм.

5. Созданы методом МПЭ в системе GaAs/InGaAsN низкопороговые лазеры для диапазона 1.1−1.55 мкм с плотностью порогового тока при 300 К J//,=60 А/см на длину волны %= 1.1 у мкм и Jth=350 А/см на A,=1.3 мкм, а также в системе InP/lnAlAs/InGaAs квантовые каскадные лазеры с ~5 мкм, ./,/-4 кА/см, мощностью излучения Р~ 1 Вт, характеристической температурой То~200 К и температурой генерации до 450 К.

6. Использование плазменного источника кислорода на основе полого катода в ПМПЭ и снижение температур роста до 400^J40°C при скоростях 0.01−0.1 Â-/сек обеспечивают двумерный характер роста, а также получение in situ монокристаллических орто-1 ВТСП сверхтонких (100−600A) однофазных пленок БуВагСизОх с х=6.8 и температурой перехода Тс~70 К, переходящих после отжига в кислороде при 400 °C в пленки с х=6.9 и Тс= 88 К.

Апробация работы. Материалы диссертации докладывались и обсуждались на Всероссийских и Международных конференциях, совещаниях и симпозиумах:

1.7-th EURO МВЕ Workshop, 7−10 March, Italy (1993).

2.8-th Int.Conf.on МВЕ, Japan (1994).

3.Euro-MRS'98 Spring Conf., 16−19 Jine, Strasbourg, France (1998). 4.10-th Intern.Conf. on MBE, Cannes, France (1998).

5.3-rd Intern.Conf. on Nitride Semicond.(ICNS-3), July 4−9, Montpellier, France (1999).

6.7-th Int. Conf. onthe Formation of Semicon. Interfaces (ICFSI-7), June, Sweeden (1999). 7.7-th Int.Symp." Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia (1999).

8. Всеросс. совещание «Нитриды Ga, In и AI — структуры и приборы», Москва (1999).

9. 14-th Int.Conf.on Phenomena in Ionized Gases, Warsow, Poland (1999).

10.4-ой Всероссийской Конф. По физике полупроводников, Новосибирск, Россия (1999). 11.11 -th Int.Conf.on МВЕ, September 11−15, Beijing, China (2000). 12. 9-й Нац. Конференции по росту кристаллов, Москва, Россия, 2000. 13.10-Int.Conf. on Solid Films and Surfaces (ICSFS-10), July 9−13, Princet.Univ., USA (2000). 14.1nt.Workshop on Nitride Semicond. (IWN-2000), September 24−27, Nagoya, Japan (2000). 15.8-th Int.Simpos." Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia (2000). 16.4-е Всероссийское Совещание по нитридам галлия, С-Петербург, Россия (2000). 17.6-th Int.Conf. on Atomically Controlled Surfaces and Nanostr.(ACSIN-6), USA (2001). 18.6-th Intern.Conf. on Solid State and Integrated-Circuit Techn. (ICSICT-2001), China (2001). 19.25-th Int. Conf. on Physics of Semiconductors, Osaka, Japan (2001). 20.14-th International Workshop on Inelastic Ion-Surface Collisions, Netherlands (2002). 21.Inter. Conf. on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices (ICSNN), France (2002). 22.12-th International Conference on MBE, September 15−20, San Francisco, USA (2002). 23.12-th EURO-MBE Workshop, February 16−19, Bad Hofgastein, Austria (2003).

24. Всеросс.конф. «Полупроводниковые лазеры: физика и технология», С-Петербург (2010).

25. International Forum on Nano-Thechnology «Rusnanotech», November 1−3, Moscow (2010).

Публикации. Основные результаты работы опубликованы в 62 печатных работах, в том числе: 45 научных статей, 15 докладов в материалах конференций, совещаний, симпозиумов, 2 патента.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, 5 глав, заключения, списка цитированной литературы, списка основных публикаций автора по теме диссертации.

Основные результаты диссертационной работы сводятся к следующему:

1. Проведен анализ физических основ процесса синтеза и механизмов роста в молекулярнопучковой эпитаксии без привязки к материалам, основанный на определяющем влиянии скоростей роста на основные параметры и механизмы ростового процесса, что привело к получению кристаллически совершенных слоев, наноструктур и сверхрсшеток с новыми свойствами.

2. Проведен анализ физических особенностей роста молекулярнопучковой эпитаксией с плазменными источниками нитридных соединений III-N (AlGalnN) и III-V-N (InGaAsN), проверка и сравнение последних достижений теории роста нитридов с экспериментом, приведшая к получению высококачественных эпитаксиальных пленок, гетероструктур и сверхрешеток в этих системах.

3. Проведен анализ механизма роста наноколончатых («Nano-Wires») структур нитридов (InN, GaN) в автокаталитическом режиме (без внешних катализаторов), и показано, что в плазменной МПЭ он происходит по механизму Пар — Жидкость — Кристалл (ПЖК).

4. Впервые в нитридной системе III-N (AlGalnN) разработана технология получения наноколончатых структур InN и GaN с минимальными диаметрами от 20 нм и с плотностью < 10йсм" 2 с повышенным кристаллическим совершенством. Проведенными исследованиями фотолюминесценции (ФЛ) и просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) показано, что такие колонны обладают улучшенными люминесцентными свойствами и являются бездислокационными при их диаметре, меньшем 50 нм.

5. Впервые в мире разработана технология, изменившая представления о свойствах InN и приведшая к получению кристаллически совершенного нитрида индия с новыми свойствами при комнатной температуре: подвижностью ц~ 1700 см2/Вс, концентрацией п<1019см" 3 и запрещенной зоной Eg ~0.8 эВ.

6. Разработана технология получения светоизлучающих структур (лазеров) для диапазона 1.3 — 1.55 мкм в нитридной системе СаАяЛпОаАзЫ с применением напряженно-компенсированных сверхрешеток. С использованием монослойных вставок ЫАэ такая технология позволяет изменять длину волны излучения в диапазоне 1.3 — 1.8 мкм без существенного ухудшения интенсивности ФЛ. Способ и структура защищены патентом.

7. Впервые продемонстрировано, что использование квантоворазмерных гетероструктур на основе ТР ЬЮаАзМ в качестве активной среды позволяет реализовать низкопороговые лазеры на подложках арсенида галлия. Разработана технология получения низкопороговых лазеров на подложках ОаАэ с квантовыми ямами и квантовыми точками в нитридной системе ОаАзЛпОаАзМ для диапазона 1.1 — 1.55 мкм. Получены лазеры с.

•у квантовыми ямами 1пСаАз (Ы) с порогами 60 А/см (КЯ 1по. з50аАй) на длину волны ~ 1.1 мкм и 350 А/см (КЯ In0.35GaAsN0.023) на длину волны 1.3 мкм. Получены непрерывные лазеры на основе КЯ In0.35GaAsN0.023, излучающие при комнатной температуре на 1.3 мкм с внешней эффективностью 0.57 Вт/А, внутренними потерями 5.5.см" 1 и внутренней эффективностью 90%, выходной мощностью непрерывного излучения в одномодовом режиме 180 мВт.

8. Разработан плазменный источник кислорода на основе полого холодного катода, обеспечивающий как сохранение условий МПЭроста (достаточный вакуум в ростовой камере), так и достаточное внедрение кислорода в твердую фазу, необходимое для получения ВТСП соединений.

9. Проведены комплексные исследования методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и рентгеноструктурного анализа низкотемпературного роста МПЭ окислов БугОз, ВаО и СиО, необходимых для получения высококачественных ВТСП соединений БуВагСизОхС высоким содержанием кислорода (х>6.8).

10. Проведен анализ механизмов роста ВТСП соединений, определивший границы осуществления двумерного роста при низких температурах, зависящие от скоростей роста, необходимых для выращивания плазменной МПЭ ВТСП соединений, приведший к получению высококачественных ВТСП пленок.

11. Впервые разработана технология получения плазменной МПЭ при рекордно низких температурах ~ 400 °C монокристаллических сверхтонких (100 — 600 A) пленок ВТСП ОуВагСизОх in situ орторомбической-I фазы с содержанием кислорода х=6.8, постоянной решетки c=11.72A и температурой перехода Тс ~70 К, которые при отжиге в атмосфере кислорода при 400 °C (не превышающей температуру эпитаксии) переходят в пленки с х=6.9, с= 1.70 A и критической температурой Тс= 88 К.

12. Разработан способ создания двумерной наноструктуры металл/ окисел/ сверхпроводник (MOS) на основе монокристаллических сверхтонких ВТСП пленок DyBaCuO, защищенный патентом.

13. Разработан технологический цикл получения квантовых каскадных лазеров на средний инфракрасный диапазон длин волн (к ~ 4.5 — 5.0 мкм), включающий рост и постростовую обработку, и проведены исследования лазерных структур с помощью рентгеновской дифракции, атомно-силовой и сканирующей микроскопии, ВИМС-профилирования.

14. Впервые в нашей стране получены МПЭ квантовые каскадные лазеры на длину волны А,~5 мкм с генерацией при комнатной температуре с характеристиками на уровне мировых: пороговой плотностью тока Jtir~4 кА/см, мощностью излучения ~1 Вт, характеристической температурой Го~200 К, температурой генерации до ~450 К.

Проведенные исследования и разработки и полученные в работе результаты являются решением научной проблемы, имеющей важное народнохозяйственное значение — создание физических основ и разработка новой воспроизводимой технологии получения методом МПЭ полупроводниковых наноструктур и ВТСП соединений.

В заключение хочу поблагодарить всех соавторов и сотрудников лаборатории и ФТИ им. А. Ф. Иоффе за плодотворный совместный труд на протяжении многих лет. Особенно Н. М. Шмидт за помощь в оформлении и обсуждение результатов.

H.Н.Леденцова и В. М. Устинова, способствовавших получению квантовых каскадных лазеров, С. В. Иванова за предоставленные возможности, П. С. Копьева за обсуждение результатов и стимулирование к их оформлению. Отдельно Н. Ф. Картенко за помощь и идейную поддержку и основную работу в достижении результатов по ВТСП, и Б. Т. Мелеха, подтолкнувшего меня к написанию этого произведения.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. M.Sakai, Y. Inose, K. Ema, T. Ohtsuki, H. Sekiguchi, A. Kikuchi, and K.Kishino. Random laser action in GaN nanocolumn. Appl.Phys.Lett., 97, 15 1109(2010).
  2. M.G.Lagally. Atom motion on surfaces. Physics today, 46, 24−31 (1993).
  3. T.Irisawa, Y. Arima and N.Kuroda. Periodic changes in the structure of a surface growing under MBE conditions. J.Cryst.Growth, 99, 491−495 (1990) —
  4. T.Nishinaga, T. Shitara, K. Mochizuki, and K.I.Cho. Surface diffusion and related phenomena in MBE growth of III-V compounds. J.Cryst.Growth, 99, 482−490 (1990).
  5. J.-P.Locquet, A. Catana, E. Machler, C. Gerber, and J.G.Bednorz. Block-by-block deposition: A new growth method for complex oxide thin films. Appl.Phys.Lett., 64, 372−374 (1994).
  6. T.Ishibashi, Y. Okada, and M.Kawabe. Surface Diffusion of Bi2Sr2Cu06+x Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy. Jpn.J.Appl.Phys., 33, L763-L765 (1994).
  7. I.K.Marmorkos and S. Das Sarma. Kinetic simulation of molecular beam epitaxial growth dynamics. Surface Science Lett., 237, L411-L416, (1990) —
  8. S.Das Sarma. Numerical studies of epitaxial kinetics: What can computer simulation tell us about nonequilibrium crystal growth. J.Vac.Sci.Technol. A, 8, 2714−2726 (1990).
  9. H.-J.Ernst, F. Fabre, R. Folkerts, J.Lapujoulade. Observation of a Growth Instability during Low Temperature Molecular Beam Epitaxy. Phys. Rev. Lett., 72, 112−115 (1994).
  10. N.Newman, J. Ross, and V.Rubin. Thermodynamics and kinetic processes involved in the growth of epitaxial GaN thin films. Appl.Phys.Lett., 62, 1242−4 (1992).
  11. M.V.Averyanova, S.Yu.Karpov, I.N.Przhevalskii, M.S.Ramm, R.A.Talalaev. Theoretical Model for Analysis and Optimization of Group Ill-Nitrides Growth by MBE. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, Art.31 (1996).
  12. S.Yu.Karpov, Yu.N.Makarov, and M.S.Ramm. The role of gaseous species in group IIInitride growth. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, Art.45 (1997).
  13. C.D.Eddy, Jr, T.D.Moustakas, and J.Scanlon. Growth of gallium nitride thin films by ECR microwave MBE. J.Appl.Phys., 73, 448−455 (1993).
  14. S.H.Cho, H'.Sakamoto, K. Akimoto, Y. Okada, and M.Kawabe. Epitaxial Growth of GaN on Sapphire (0001) Substrates by ECR MBE. Jap.J.Appl.Phys., 34, L236-L239 (1995).
  15. I.A.Buyanova, W.N.Chen, and B.Monemar. Electronic properties of Ga (In)NAs Alloys. MRS Internet J. Nitride Semicond.Res. 6, 2−20 (2001).
  16. W.Shan, W. Walukiewicz, J.W.Ager III, E.E.Haller, J.F.Geisz, D.J.Friedman, J.M.Olson, and S.R.Kurtz. Band Anticrossing in GalnNAs Alloys. Phys.Rev.Lett., 82, 1221- 1224 (1999).
  17. I.Vurgaftman and J.R.Meyer. Band parameters for nitrogen-containing semiconductors. J.Appl.Phys., 94, 3675−3695 (2003).
  18. R.Kudrawiec. Alloying of GaNAs with InAsN: A simple formula for the band gap parametrization of GalnNAs alloys. J.Appl.Phys., 101, 23 522−9 (2007).
  19. T.D.Veal, L.F.J.Piper, P.H.Jefferson, I. Mahboob, C.F.McConville, M. Merrick, T.J.C.Hosea, B.N.Murdin, and M.Hopkinson. Photoluminescence spectroscopy of reduction in dilute InNAs alloys. Appl.Phys.Lett., 87, 182 114−6 (2005).
  20. S.Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S.Nagahama. High-power single quantum well structure for blue and violet light-emitting diods. Appl.Phys.Lett. 67, 1868−70 (1995).
  21. S.C.Jain, M. Willander, and R. Van Overstraeten. Ill-nitrides: Growth, characterization, and properties J. Appl. Phys, 87, 965 (2000).
  22. H.P.Maruska and J.J.Tietjen. The preparation and properties of vapor deposited single crystalline GaN. Apll.Phys.Lett., 15, 327−9 (1969).
  23. R.Dingle, K. LShaklee, R.F.Leheny, and R.B.Zetterstrom. Stimulated Emissioin and Laser Action in GaN. Appl.Phys.Lett., 19, 5−7 (1971).
  24. M.A.Khan, R.A.Skogman, and J.M.Van Hove. Photoluminescence characteristics of AlGaN-GaN-AlGaN quantum wells. Appl.Phys.Lett., 56, 1257−9 (1990).
  25. S.Nakamura, M. Senoh, and T.Mukai. p-GaN/n-InGaN/n-GaN Double Heterostructure LED. Jap.J.Appl.Phys., 32, L8-L11 (1993).
  26. I.Akasaki and H.Amano. in GaN and Related Materials, edited by J.I.Pankov and T.D.Moustakas (Academic, New York, 1998), pp.459−472.
  27. S.Nakamura. The Roles of Structural Imperfections in InGaN Based Dlue LED. Science, 281, 956−961 (1998).
  28. M.Heldner and H.P.Kabelitz. Reliability of turbomolecular vacuum pumps: A comparison of rolling element and magnetic bearing systems. J.Vac.Sci.Technol. A 8, 2772−2777 (1990).
  29. W.C.Lee, G.W.Yoffe, d.G.Schlom, and J.S.Harris, Jr. Accurate measurement of MBE substrate temperature. J.Cryst.Growth, 111, 131−135 (1991).
  30. K.Iwata, H. Asahi, S.J.Yu, K. Asami, H. Fujita, M. Fushida, and S.Gonda. High Quality GaN Growth on (0001) Sapphire by ECR MBE. Jpn.J.Appl.Phys., 35, L289-L292, (1996).
  31. W.Braun, L. Daweritz, and K.H.Ploog. Origin of Electron Diffraction Oscillation during Crystal Growth. Phys.Rev.Lett., 80,4935−4938 (1998) —
  32. S.T.Chou, and K.Y.Cheng. High quality InAlAs grown by modulated arsenic molecular beam epitaxy. Appl.Phys.Lett., 63,2815−2817 (1993).
  33. Z.Sitar, M. Paisley, D. KSmith, and R.F.Davis. Design and performance of an cyclotron resonance plasma source for standard MBE equipment. Rev.Sci.Instrum., 61, 2407−2411 (1990).
  34. Y.J.Park, K. Ozasa, P. O'Keeffe, Y. Aoyagi, and S-K.Min. Transient characteristics of nitrogen gas-pulsed ECR plasma. J.Vac.Sci.Technol. A 14, 2814−2819 (1996).
  35. R.Beresford, A. Ohtani, R.S.Stevens, and V.Kinniburgh. Influence of substrate electrical bias on the growth of GaN in Plasma Assisted MBE. J.Vac.Sci.Technol. B 13, 792−795 (1995).
  36. D.Korakakis, K.F.Ludwig, Jr, and T.D.Moustakas. X-ray characterization of GaN/AlGaN multiple quantum wells for ultraviolet laser diodes. Appl.Phys.Lett., 72, 1004−1006 (1998).
  37. A.K.Srivastava, M. Dahimene, T. Grotjohn, and J.Asmussen. Experimental characterization of a compact ECR ion source. Rev.Sci.Instrum. 63, 2556−2558 (1992).
  38. W. C. Hughes, W.H.Rowland, Jr, M.A.L.Johnson, S. Fujita, J.W.Cook, Jr, J.F.Schetzina, J. Ren, and J.A.Edmond. MBE growth and properties of GaN films on GaN/SiC substrates. J.Vac.Sci.Technol. B, 13, 1571−1577 (1995).
  39. S.C.Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. Van Overstracten. Ill- nitrides: Growth, characterization, and properties. J.Appl.Phys., 87, 965−1001 (2000).
  40. K.Dovidenko, S. Oktyabrsky, J. Narayan, and M.Razeghi. Aluminium nitride films on different orientations of sapphire and silicon. J. Appl. Phys., 79, 2439−2443 (1996).
  41. H.Okazaki, A. Arakawa, T. Asahi, O. Oda, and K.Aiki. GaN epitaxial growth on neodium gallate substrates. Solid State Electronics, 41, 263−266 (1997).
  42. U.Grosner, J. Furthmuller, and F.Bechstedt. Initial stages of III- nitride growth. Appl.Phys.Lett., 74, 3851−3853 (1999).
  43. M.E.Lin, G. Xue, G.L.Zhou, and H.Morkoc. P-type zinc- blend GaN on GaAs. Appl.Phys.Letl., 63, 932−4(1993).
  44. S.Liryi and E.Suhir. New approach of the high quality epitaxial growth of lattice-mismatched materials. Appl.Phys.Lett., 49, 140−2(1986).
  45. A.Salvador, W. Kim, O. Aktas, A. Bochkarev, Z. Fan, and H.Morkoc. Near ultraviolet luminescence of Be- doped GaN grown by reactive MBE. Appl.Phys.Lertt., 69, 2692−4(1996).
  46. R.Dingle, D.D.Stokowski, and M.Iligems. Absorption, Reflectance, and Luminescence of GaN Epitexial Layers. Phys.Rev.B, 4, 1211−1218 (1971).
  47. J.Menniger, U. Jalir, O. Brandt, II. Yang, and K.Ploog. Identification of optical transitions in cubic and hexagonal GaN by spatially resolved cathodoluminescence. Phys.Rev., 53, 1881−1885 (1996).
  48. S.A.Nikishin, V.G.Antipov, S.S.Ruvimov, G.A.Seryogin, and H.Temkin. Nucleation of cubic GaN/GaAs (001) grown by gas source MBE with hydrazine. Appl.Phys.Lett., 69, 3227−9 (1996).
  49. S.C.Jain, M. Willander, J. Narayan, R. Van Overstraeten. Ill-nitrides: Growth, characterization and properties. J. Appl. Phys., 87, 965−1001 (2000).
  50. A.G.Bhuiyan, A. Hasimoto, and A.Yamamoto. Indium nitride (InN): A review on growth, characterization, and properties. J. Appl. Phys., 94, 2779−2808 (2003).
  51. I.Vurgaftman and J.R.Meyer. Band parameters for nitrogen- containing semiconductors. J. Appl. Phys., 94, 3675−3696 (2003).
  52. T.L.Tansley and C.P.Foley. Optical band gap of indium nitride. J. Appl. Phys., 59, 32 413 244 (1986).
  53. T.Ohashi, P. Holmstrom, A. Kikuchi, and K.Kishino. High structural quality InN/InGaN multiple quantum wells grown by MBE. Appl.Phys.Lett., 89, 41 907−9 (2006).
  54. V.W.L.Chin, T.L.Tansley, and T.Osotchan. Electron mobilities in gallium, indium, and aluminium nitrides. J. Appl. Phys, 75, 7365−7372 (1994).
  55. Indium Nitride and Related Alloys. Edited by T.D.Veal, C.F.McConville, W.J.Schaff. CRC Press, Taylor & Francis Group, Boca Raton-London- New York, 2010.
  56. В.Л.Гинзбург. О сверхпроводимости и сверхтекучести, а также о «физическом минимуме» на начало XXI века. (Нобелевская лекция. Стокгольм, 8 декабря 2003 г.). УФН, 174, 1240−1255 (2004).
  57. T.Bottcher, S. Einfeldt, V. Kirchner, S. Figge, H. Heinke and D.IIommel. Incorporarion of indium during MBE of InGaN. Appl.Phys.Lett., 73, 3232−4 (1998).
  58. S.-H.Wei, X. Nie, I.G.Batyrev, and S.B.Zhang. Breakdown of the band-gap-common-cation rule: The origin of the small band gap of InN. Phys.Rev. B, 67, 165 209−12 (2003).
  59. J.Wu, W.Walukiewicz. Band gaps of InN and group III nitride alloys. Superlattices and Microstructures, 34, 63−75 (2003).
  60. T.L.Tansley, in Properties of Group III Nitrides, edited by J.H.Edgar (INSPEC, London, 1994), p.39.
  61. T.L.Tansley and E.M.Goldys, in GaN and Related Semiconductors, edited by J.H.Edgar, S. Strite, I. Akasaki, H. Amano, and C. Wetzel (INSPEC, London, 1999), p. 123.
  62. S.Tanaka, S. Iwai, and Y.Aoyagi. Self-assembling GaN quantum dots on AlGaN surface using a surfactant. Appl.Phys.Lett., 69, 4096−8 (1996).
  63. В.М.Косевич, Л. С. Палатник. Электронно- микроскопическое изображение дефектов упаковки. Справочное руководство. М., Наука, с. 223, (1976).
  64. X.H.Wu, L.M.Brown, D. kapolnek, S. Keller, D. keller, S.P.DenBaars, and J.S.Speck. Defect structure of MOCVD- grown epitaxial (0001) GaN/Al203. J.Appl.Phys., 80, 3228−3237(1996).
  65. E.Calleja, M.A.Sanchez-Garcia, F.J.Sanches, F. Calle, F.B.Naranjo, E. Munoz, U, Jahn, and K.Ploog. Luminescence properties and defects in GaN nanocolumns grown by MBE. Phys.Rev.B, 62, 16 826−16 833 (2000).
  66. M.Godlewski, J.P.Bergman, B. Monemar, U. Rossner, and M.Barski. Time-resolved PL studies of GaN epilayers grown by gas source MBE on (111) Si. Appl.Phys.Lett., 69, 1363−5 (1994).
  67. R.S.Wagner and W.C.Ellis. Vapor-Liquid-Solid Mechanism of Single Crystal Growth. Appl.Phys.Lett., 4, 89−90 (1964).
  68. S.V.Ivanov, P. S.Kop'ev, and N.N.Ledentsov. Thermodynamic analysis of segregation effects in MBE of A3B5 compounds. J.Cryst.Growth, 111, 151−161 (1991).
  69. Е.И.Гиваргизов, А. А. Чернов. Скорость роста нитевидных кристаллов по механизму пар- жидкость- кристалл и роль поверхностной энергии. Кристаллография, 18, 147−153 (1973)-E.I.Givargizov.Fundamental Aspects of VLS Growth.J.Cryst.Growth, 31, 20−30 (1975).
  70. R.K.Debnath, R. Meijers, T. Richter, T. Stoica, R. Calarco, and H.Luth. Mechanism of molecular beam epitaxy growth of GaN nanowires on Si (l 11). Appl. Phys. Lett., 90, 123 117−9 (2007).
  71. K.Hantke, J.D.Heber, C. Schlichenmaier, A. Thranhardt, T. Meier, B. Kunert, K. Volz, W. Stolz, S.W.Koch, W.W.Ruhle. Time-resolved photoluminesccnce of tipe-I and tipe-II (GaIn)As/Ga (NAs) heterostructures. Phys.Rev.B, 71, 165 320 8 (2005).
  72. H.Y.Liu, H. Hopkinson, P. Navaretti, M. Gutierrez, J.S.Ng, and J.P.R.David. Improving optical properties of 1.55 mkm GalnNAs/GaAs multiple quantum wells with Ga (In)NAs barrier and space layer. Appl.Phys.Lett., 83, 4951−3 (2003).
  73. H.F.Liu, N. Xiang, S J.Chua. Influence of N incorporation on In content in GalnNAs/GaNAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Appl.Phys.Lett., 89, 71 905−7 (2006).
  74. A.M.Moy, A.C.Chen, K.Y.Cheng, L.J.Chou, K.C.Hsieh. Growth of GalnAsP quantum wire heterostructures using the strain-induced lateral-layer ordering process. J.Cryst.Growth, 175/176, 819−825 (1997) —
  75. A.Ponchet, A. Rocher, J-Y.Emery, C. Starck, and L.Goldstein. Direct measurement of lateral elastic modulations in zero-net strained GalnAsP/InP multilayer. J.Appl.Phys., 77, 1977−84 (1995).
  76. N.Chang, E.E.Becker, J.P.van der Ziel, S.N.G.Chu and N.K.Dutta. Excellent uniformity and very low (<5 OA/cm) threchold current density strained InGaAs quantum well diode lasers on GaAs substrates. Appl.Phys.Lett., 58, 1704−6 (1991).
  77. J. G. Bednorz and K. A. Muller. Possible high Tc superconductivity in the Ba-La-Cu-O system. Z. Phys. B, 64, 189−193 (1986).
  78. И.С.Шаплыгин, Б. Г. Кахан, В. Б. Лазарев. Получение и свойства соединений Ln2Cu04 (Ln-La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd) и некоторых их твердых растворов. Журнал неорганической химии, 24, 1478−1485 (1979).
  79. W.A.Little. Possibility of Synthesis an Organic Superconductors. Phys. Rev., 134, A1416-A1466 (1964).
  80. И.Г.Беднорц, К. А. Мюллер. Нобелевская лекция. Оксиды перовскитного типа новый подход к высокотемпературной сверхпроводимости. УФН, 156, 323−346 (1988).
  81. B.Visentin, F. Harrault, R. Gobin, a nd P.A.Leroy. A hollow cathode ion source as an electron beam ion source injector for metallic element. Rev.Sci.Instrum., 65, 1129−1131 (1994). Б. И. Москалев. Разряд с полым катодом. Москва, Наука, 1969.
  82. M.Mukaida, S. Miyazawa, M. Sasaura, and K.Kuroda. Preparation of YBaCuO High Tc Thin Films on NdGa03 Substrate by Laser Ablation. Jap.J.Appl.Phys., 29, L936-L939 (1990).
  83. J.Kwo, M. Hong, D.J.Trevor, R.M.Fleming, R.C.Farrow, A.R.Kortan, and K.T.Short. In situ epitaxial growth of YbBaCuC^.x films by MBE with an activated oxygen source. Appl.Phys.Lett. 53, 2683−2685 (1988).
  84. R.A.Laudise, L.F.Schneemeyer, and R.L.Barns. Crystal growth of High Temperature Superconductors Problems, Successes, Opprtunities. J. Cryst. Growth, 85,569−575 (1987).
  85. K.Norimoto, R. Sekine, M. Mori, T. Hanada, M. Kudo, M.Kawai. MBE growth of HTSC Ba2DyCu306.5 thin films using N02 as an oxidant. Appl.Phys.Lett., 61, 1971−1973 (1992).
  86. D.Ohkubo, T. Kachi, and T.Hiori. Epitaxial YBaCuOx thin films with x=6−7 by oxygen indiffusion following laser deposition. J.Appl.Phys., 68, 1782−1786 (1990).
  87. O.Nakamura, E.E.Fullerton, J. Guimpel, and Ivan K.Schuller. High Tc thin films with roughness smaller than one unit cell. Appl.Phys.Lett., 60, 120−122 (1992).
  88. A.Ohtani, K.S.Stevens, and R.Beresford. Microstructure and Photoluminesccnce of GaN grown on Si (l 11) by Plasma-Assisted MBE. Appl.Phys.Lett., 65, 61−63 (1994).
  89. H.-J.Ernst, F. Fabre, R. Folkerts, J.Lapuioulade. Observation of a Growth Instability during Low Temperature Molecular Beam Epitaxy. Phys. Rev. Lett., 72, 112−115 (1994).
  90. M.D.Johnson, C. Orme, A.W.Hunt, D. Graff, J. Sudijono, L.M.Sander, B.G.Orr. Stable and Unstable Growth in MBE. Phys. Rev. Lett., 72, 116−119 (1994).
  91. J.Tersoff, A.W.Denier van der Gon, R.M.Tromp. Critical Island Size for Layer-by-Layer Growth. Phys. Rev. Lett., 72, 266−269 (1994).
  92. T.Ishibashi, Y. Okada, and M.Kawabe. Surface Diffusion of Bi2Sr2Cu06+x Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy. Jap.J.Appl.Phys., 33, L763-L765 (1994).
  93. J.P.Neave, P.J.Dobson, B.A.Jouce, J.Zhang. Reflection high energy electron diffraction oscillations from vicinal surface a new approach to surface diffusion measurements. Appl.Phys.Lett., 47, 100−102 (1985).-
  94. J.M.Van Hove and P.I.Cohen. Reflection high energy electron diffraction measurements of surface diffusion during the growth of GaAs by MBE. J.Cryst.Growth, 81, 13−18 (1987).
  95. J.Faist, F. Capasso, D.L.Sivco, C. Sirtori, A.L.Hutchinson, and A.Y. Cho. Quantum Cascade Lasers. Science, 264, 553−556 (1994).
  96. C. Gmachl, F. Capasso, D.L.Sivco and A.Y.Cho. Recent progress in quantum cascade lasers and applications. Rep.Prog.Phys. 64, 1533−1601 (2001).
  97. A.Tahraoui, A. Matlis, S. Slivken, J. Diaz, M.Razeghi. High performance quantum cascade lasers (A,~llpm) operating at high temperature. Appl.Phys.Lett. 78, 416−418 (2001).
  98. L.Ajili, G. Scalari, J. Faist, II. Beer, E. Linfield, D. Ritchie, G.Davies. High power quantum cascade lasers operating at X~87 and 130 pm. Appl.Phys.Lett. 85, 3986 3988 (2004).
  99. J.Faist, F. Capasso, C. Sirtori, D.L.Sivco, J.N.Baillargeon, A.L.Hutchinson, S-N.G.Chu, and A.Y.Cho. High power mid- infrared (X~5 pm) quantum cascade lasers operating above room temperature. Appl.Phys.Lett. 68, 3680−3682 (1996).
  100. D.Hofstetter, M. Beck, T. Aellen, and J.Faist. High- temperature operation of distributed feedback quantum cascade lasers at X-5.3 pm. Appl.Phys.Lett.78, 396 8 (2001).
  101. M.Beck, D. Hofstetter, T. Aellen, J. Faist, U. Oesterle, M. Ilegems, E. Gini, H.Melchior. Continuous Wave Operation of Mid-Infrared Semiconductor Laser at Room Temperature. Science, 295, 301−305 (2002).
  102. R.Colombelli, F. Capasso, C. Gmachl, A.L.Hutchinson, D. Sivco, A. Tredicucci, M.C.Wanke, A.M.Sergtnt, and A.Y.Cho. Far-infrared surface-plasmon quantum cascade lasers at 21.5 and 24 pm wavelengths. Appl.Phys.Lett., 78, 2620−2 (2001).
  103. J.Faist, C. Gmachl, F. Capasso, C. Sirtori, D. Sivco, J.N.Baillargeon, and A.Y.Cho. Distributed feedback quantum cascade lasers. Appl.Phys.Lett., 70, 2670−2 (1996).
  104. A.Tredicucci, F. Capasso, C. Gmachl, D.L.Sivco, A.L.Hutchinson, A.Y.Cho, J. Faist, and G.Scamarcio. High-power inter-miniband lasing in intrinsic superlattices. Appl. Phys. Lett., 72, 2388−90 (1998).
  105. A.Tredicucci, F. Capasso, C. Gmachl, D.L.Sivco, A.L.Hutchinson, and A.Y.Cho. High performance interminiband quantum cascade lasers with graded superlattices. Appl. Phys. Lett., 73, 2101−3 (1998).
  106. J.Faist M. Beck, T. Allen, and E.Gini. Quantum cascade lasers based on a bound-to-continuum transition. Appl. Phys. Lett., 78, 147−9 (2001).
  107. J.Faist, F. Capasso, C. Sirtori, D.L.Sivco, A.L.Hutchinson, S-N.G.Chu, and A.Y.Cho. Short wavelength (X-3.4 ?im) quantum cascade lasers based on strained compensated InGaAs/AlInAs. Appl.Phys.Lett. 72, 680 (1998).
  108. X.J.Wang, J.Y.Fan, T. Tanbun-Ek, F.S.Choa. Low threshold quantum cascade lasers of room temperature continuous- wave operation grown by MOCVD. Appl.Phys.Lett. 90, 211 103−5 (2007).
  109. V.V.Mamutin, N.N.Ledentsov, N.F.Kartenko, S.I.Goloshapov, M.V.Maksimov and P. S.Kop'ev. In situ low temperature MBE growth of DyBaCuO high temperature superconducting thin films. Proc.7-th EURO MBE Workshop, Italy, L4, 7−10 March, 1993.
  110. V.V.Mamutin, N.F.Kartenko, S.I.Goloshapov, P. S.Kop'ev. Low temperature MBE growth and growth mechanism of DyBaCuO HT superconducting (HTSC) films. Proc. of 8-th Int.Conf.on MBE, В10−22, p.313, Japan, 1994.
  111. V.V.Mamutin, A.A.Toropov, N.F.Kartenko, S.V.Ivanov, A. Wagner, P. Bergman, and B.Monemar. MBE GaN Grown on (101) NdGa03 Substrates. Oral Presentation, Proc. of Euro-MRS'98 Spring Conf., Strasbourg, France, 16−19 June, 1998.
  112. V.V.Mamutin, V.N.Jmerik, V.A.Vekshin, V.V.Ratnikov, S.V.Ivanov, P. S.Kop'ev, M. Sudervall, and M.Willander. Plasma-Assisted MBE Grown of GaN and InGaN on Different Substrates.Abstr.of 10-th Intern.Conf. on MBE, p. 188, Cannes, France, 1998.
  113. V.V.Mamutin, V.A.Vekshin, V.Yu.Davydov, V.V.Ratnikov, T.V.Shubina, V.V.Emtsev,
  114. V.Ivanov, and P. S.Kop'ev. MBE growth of hexagonal InN films on sapphire with different initial growth stages. 3-rd Intern.Conf. on Nitride Semicond. (ICNS-3), Abstracts, Mo-P012, Montpellier, France, July 4−9, 1999.
  115. T.Inushima, V.V.Mamutin, V.A.Vekshin, T. Kumazava, and S.Ohoya. Physical Properties of InN with the band gap energy of 1.1 eV. Abstr. of Xl-th Int.Conf.on MBE, p.454−455, September 11−15, Beijing, China, 2000.
  116. A.Yu.Egorov, V.A.Odnoblyudov, V.V.Mamutin, N.V.Kryzhanovskaya, and V.M.Ustinov. 1.3−1.55 micron InAs/InGaAsN Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy. 12-th EURO-MBE Workshop, Bad Hofgastein, Austria, Abstracts, p. MoM 1.3, February 16- 19,2003.
  117. B.Y.Ber, D.Y.Kasantsev, V.V.Mamutin. Characterization of the device structure of the Quantum Cascade Laser (QCL) by quantitative SIMS profiling. Nano-Technology International Forum «Rusnanotech», Moscow, November 1−3,2010.
  118. В.В.Мамутин, В. М. Устинов, R. Boettcher, and H.Kuenzel. Выращивание МПЭ и характеризация квантовых каскадных лазеров на длину волны 5 мкм. Всероссийский симпозиум «Полупроводн. лазеры: физика и технология». С-Петербург, 10−12 ноября 2010. 3) Патенты П.
  119. Ю.С.Гордеев, В. В. Мамутин, В. М. Микушкин, С. Е. Сысоев. Способ получения структуры «металл/ диэлектрик/ высокотемпературный сверхпроводник. Патент РФ № 2 156 016 от 5.01.99 г., Бюллетень изобретений (БИ) 25, 2000.
  120. В.В.Мамутин, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов. Способ изготовления светоизлучающей структуры и светоизлучающая структура. Патент РФ № 2 257 640 (заявка № 2 004 113 171, приоритет от 28.04.2004), зарегистрирован в Гос. Реестре Изобретений 27.07.2004.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!