Π”ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, курсовая, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°
ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚

Вранзистор β€” основа построСния элСктронных систСм

Π Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ способы соСдинСния транзистора. Π­Ρ‚ΠΈ Ρ‚Ρ€ΠΈ способа прСдставлСны Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 2.2. ПолСзно Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ свойства Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… схСм: Для транзисторной схСмы вводят понятиС коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ эмиттСрного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€: Π’ Π±Π°Π·Π΅ элСктростатичСского поля Π½Π΅Ρ‚ ΠΈ Π·Π°Ρ€ΡΠ΄Ρ‹ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ½Π΄ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌΡƒ. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π²Π»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром (рис. 2.2b) усиливаСт ΠΈ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

Вранзистор β€” основа построСния элСктронных систСм (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ понятия

Биполярным транзистором Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ с Π΄Π²ΡƒΠΌΡ Ρ€-ΠΏ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΈ Ρ‚рСмя Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ. Один ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ всСгда ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚. Π•Π³ΠΎ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ эмиттСром. Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ всСгда Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚. Π•Π³ΠΎ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΊΠΎΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Π’Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ способСн ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ элСктричСскиС сигналы Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹, Π° Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΡŒΠ± всСвозмоТныС ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ.

По Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ Ρ€-n-Ρ€ (рис. 2.1.b) ΠΈ n-Ρ€-n (рис. 2.1e) Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ транзисторов. На Ρ€ΠΈΡ. 2.1Π° ΠΈ 2.1d ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ условноС ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторов. На Ρ€ΠΈΡ. 2.1c ΠΈ 2.1f ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ транзисторыС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΊΠ°ΠΊ рассмотрСнныС Π½Π°ΠΌΠΈ Ρ€Π΅Π½Π΅Π΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹. ΠŸΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Ρƒ Ρ‚ранзистора всСгда ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ ΠΈ Π΅Π³ΠΎ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ эмиттСрным ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ всСгда Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ ΠΈ Π΅Π³ΠΎ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄.

Вранзистор β€” основа построСния элСктронных систСм.

ΠŸΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… напряТСний Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° ΡΡ‚ΠΈΡ… рисунках. БрСдняя Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ транзистора слабо Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π° примСсями. Π•Π΅ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄, ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π² Π±Π°Π·Ρƒ носитСли (для транзистора Ρ€-n-Ρ€ это Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ, Π° Π΄Π»Ρ n-Ρ€-n это элСктроны), число ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… опрСдСляСт Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ эмиттСрного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Iэ.

Π’ Π±Π°Π·Π΅ элСктростатичСского поля Π½Π΅Ρ‚ ΠΈ Π·Π°Ρ€ΡΠ΄Ρ‹ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ½Π΄ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌΡƒ.

Π—Π°ΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ эмиттСр это ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄, Ρ‚ΠΎ Π΅Π³ΠΎ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Π°Ρ характСристика нСлинСйная ΠΈ ΡΠ²Π»ΡΠ΅Ρ‚ся Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠΌ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ характСристики ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°.

Π‘Π°Π·Ρƒ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ слабо Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ примСсями, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π² Π½Π΅ΠΉ число Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΉ носитСлСй заряда Π½Π΅Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎ. НапримСр, ΠΈΠ· Ρ‚ысячи носитСлСй Π² Π±Π°Π·Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π΅ΡΡΡ‚ΡŒ зарядов. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° практичСски ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ .

Бпособ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзисторов, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 2.1Π°, Π½Π°Π·Π²Π°Π»ΠΈ схСмой с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ. Π—Π΄Π΅ΡΡŒ Π±Π°Π·Π° являСтся ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ для Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° (эмиттСр) ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° (ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€).

Для транзисторной схСмы вводят понятиС коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ эмиттСрного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€:

(1).

(1).

Для ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π° = 990/1000 = 0,99. Для соврСмСнных транзисторов 0,95 0,995. Π‘Ρ‚Ρ€ΠΎΠ³ΠΎ говоря Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° опрСдСляСтся Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ числом носитСлСй, ΠΏΡ€ΠΈΡˆΠ΅Π΄ΡˆΠΈΡ… ΠΎΡ‚ ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, Π½ΠΎ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ для Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Ρ‹ (1), ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ равСнство.

(2).

Π€ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π° (2) позволяСт ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π²Π° ΠΎΡ‡Π΅Π²ΠΈΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°:

Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ эмиттСра Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌ Π½ΡƒΠ»ΡŽ, являСтся Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠΏΠΈΠ΅ΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Π²Π΅Ρ‚Π²ΠΈ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ характСристики Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° (IК0).

ΠŸΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ эмиттСра Π½Π΅ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌ Π½ΡƒΠ»ΡŽ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Π°Ρ характСристика смСщаСтся Π² ΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ½Ρƒ увСличСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π° ΠΏΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½Π½ΡƒΡŽ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Iэ. транзистор биполярный Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Вранзистор, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎ ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ Π² ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ΅ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ (<1).

Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ способы соСдинСния транзистора. Π­Ρ‚ΠΈ Ρ‚Ρ€ΠΈ способа прСдставлСны Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 2.2. ПолСзно Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ свойства Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… схСм:

  • — ΡΡ…Π΅ΠΌΠ° Π²Π»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ (рис. 2.2Π°) ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ;
  • — ΡΡ…Π΅ΠΌΠ° Π²Π»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром (рис. 2.2b) усиливаСт ΠΈ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ;
  • — ΡΡ…Π΅ΠΌΠ° Π²Π»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (рис. 2.2с) усиливаСт Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ.
ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ