Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Оптические потери в ИК материалах и волоконных световодах в области излучения СО лазера

Диссертация: Оптические потери в ИК материалах и волоконных световодах в области излучения СО лазера
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Целью настоящего параграфа является выяснение механизма, определяющего высокие оптические потери в халькогенидных стеклнх в области излучения СО лазера. Для этой цели исследовались лабораторные и промышленные образцы трисульфида и триселенида мышьяка, а также промышленные стекла серии ИКС. На рис. 31 представлены спектры пропускания различных образцов стекол fls^Se^, fls>z S з, а также образцов… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА I. МАТЕРИАЛЫ И ВОЛОКОННЫЕ СВЕТОВОДЫ СРЕДНЕГО ИК
  • ДИАПАЗОНА (ОБЗОР)
    • I. -I. Введение
  • 1−2. ИК материалы для волоконных световодов
  • 1−3. Спектральные измерения малых коэффициентов поглощения
  • 1−4. Волоконные световоды среднего ИК диапазона
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЯ СПЕКТРОВ ПОГЛОЩЕНИЯ В ВЫСОКОПРОЗРАЧНЫХ ИК МАТЕРИАЛАХ И ВОЛОКОННЫХ СВЕТОВОДАХ
  • 2−1. Анализ калориметрических измерений коэффициентов поглощения высокопрозрачных ИК материалов
  • 2−2. Методика спектральных измерений малых коэффициентов поглощения в высокопрозрачных ИК материалах
  • 2−3. Измерение спектров полных потерь в волоконных световодах среднего ИК диапазона. ^
  • Выводы
  • ГЛАВА 3. СОЗДАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ПЕРЕСТРАИВАЕМОГО ЛАЗЕРА НА ОКИСИ УГЛЕРОДА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЙ ОПТИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ В ВЫСОКОПРОЗРАЧНЫХ ИК МАТЕРИАЛАХ
  • 3−1. Перестраиваемый лазер на окиси углерода
  • 3−2. Спектральные характеристики лазеров на окиси углерода с различным изотопным наполнением
  • 3−3. Измерение коэффициентов поглощения твердотельных материалов с помощью СО лазера с селективным и неселективным резонаторами
  • Выводы
  • ГЛАВА 4. ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ШС0К0ПР03РАЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ ГАЛОГЕНИДОВ ТАЛЛИЯ И ВОЛОКОННЫХ СВЕТОВОДОВ НА
  • ИХ ОСНОВЕ
  • 4−1. Оценка минимально-возможных оптических потерь в кристаллах галогенидов таллия
  • 4−2. Измерение спектров малых поглощений примесей в высокопрозрачных кристаллах галогенидов таллия в области I9I0-I620 см"
  • 4−3. Исследование колебательных спектров примесей воды в галогенидах таллия
  • 4−4. Исследование высокопрозрачных кристаллов галогенидов таллия с оптическими потерями менее дБ/км
  • 4−5. Получение монокристаллических волокон на основе галогенидов таллия и исследование их оптических и механических свойств
  • Выводы
  • ГЛАВА 5. ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ШС0К0ДР03РАЧНЫХ ХАЛЬКО-ГЕНЩРЫХ СТЕКОЛ И ВОЛОКОННЫХ СВЕТОВОДОВ НА ИХ ОСНОВЕ
  • 5−1. Оценка минимально-возможных оптических потерь в халькогенидных стеклах, Jls^ и JlSgSeg."
  • 5−2. Примесное поглощение халькогенидных стекол в области излучения СО лазера
  • 5−3. Получение и исследование оптических свойств стеклообразного Д$ 2 Se5 с потерями менее
    • 60. дБ/км
  • 5−4. Получение и исследование волоконных световодов на основе халькогенидных стекол систем JJS-S viJls-Se
  • 5−5. Макет волоконно-оптического кабеля для передачи мощности излучения СО лазера
  • Выводы

Оптические потери в ИК материалах и волоконных световодах в области излучения СО лазера (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Глава I. МАТЕРИАЛЫ И ВОЛОКОННЫЕ СВЕТОВОДЫ СРЕДНЕГО ИК Д Ш 1 А З Ж, А (ОБЗОР) § I-I.

Введение

В настоящее время разработаны и широко применяются волоконные световоды на основе кварцевых стекол, имеющие минимальные оптические потери 0,2 дБ/км на длине волны 1,55 мкм [I] и определяемые фундаментальными механизмами оптических потерь в стеклах: релеевским рассеянием, интенсивность которого меняется с длиной волны как Д ИК решеточным поглощением, ограничивающим из область высокой прозрачности стекол с длинноволновой стороны. Так уже при Л 2 мкм оптические потери в волоконных световодах кварцевого стекла составляют у 10 дБ/км, Однако в последнее время некоторые исследования [2] показали, что имеется ряд материалов стекол и кристаллов, у которых минимум собственных оптических потерь может быть на несколько порядков ниже, чем у кварцевого стекла и область этих потерь находится в средней части ИК спектра. II Как известно, фундаментальные оптические потери в твердом теле определяются тремя механизмами 21 (рис. I, а с коротковолновой стороны краем электронного поглощения и рассеянием (релеевским для стекол или Мандельштам-Бриллюэновским (МБ) для кристаллов), с длинноволновой стороны краем многофононного поглощения, определяемого структурой материала. Комбинация потери в твердом теле и будет описываться уравнением этих трех механизмов будет определять минимально-возможные оптические Р м д fn-fexp (0/Pi)Ppe.

ВЫВОДЫ.

1. Выполнены оценки влияния различных механизмов на уровень оптических потерь в кристаллах галогенидов таллия.

Показано, что область минимума оптических потерь в них ограничивается МБ рассеянием и многофононным поглощением и составляет величину для КРС-5 и КРС-6 — 6 и 12 и Ю-4 дБ/км соответственно на длинах волн 12,9, 7,9 мкм.

2. Изучены спектральные зависимости коэффициентов объемного поглощения высокочистых кристаллов КРС-5 и КРС-6. Показано, что основной поглощающей примесью в области 5,2 — 6,3 мкм является вода и органические примеси, содержащие связи С=0.

3. Совместно с ГИРЕ^ЕТ получены кристаллы галогенидов таллия с поглощением 3 * 10 дБ/км на длинах волн 5,54 и 10,6 мкм. Изучено влияние многократной кристаллизационной очистки, а также зонной плавки на уровень оптического поглощения кристаллов КРС-5 и КРС-6 в области излучения СО лазера. Показана высокая эффективность этих методов для очистки галогенидов таллия от органических примесей и воды.

ГЛАВА 5. ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ БЫС0К0ПР03РАЧНЫХ.

ХАЛЬКОГЕНВДЫХ СТЕКОЛ И ВОЛОКОННЫХ СВЕТОВОДОВ НА ИХ ОСНОВЕ.

§ 5−1. Оценка минимально-возможных оптических потерь в халькогенидных стеклах J^S^S g и [97].

Одной из важнейших характеристик стекол как материалов для волоконных световодов является величина и область минимально-возможных оптических потерь. Знание этой характеристики прзво-ляет.тправильно выбрать методы исследования этих стекол, технологию очистки сырья и материала, область возможных применений волоконных световодов на основе этих стекол.

Из всего многообразия ХГ стекол были выбраны два состава: Дэг и Й£>£ Se3, отличающиеся как широкой областью пропускания, так и широкой областью стеклообразования.

Конечно, выбор этих стекол не ограничивает возможность исследования других стекол в ИК волоконной оптике, в том числе и более сложных по составу. Исследование простых стекол таких, как fls^Sj и А^г^Ъ позволяет оценить их предельные возможности, исследовать технологические методы очистки этих материалов, методы изготовления из них волоконных световодов. Результаты этих исследований можно использовать для других стекол.

Величина собственных потерь для стекол обуславливается тремя механизмами: краями коротковолнового и длинноволнового поглощения и потерями на релеевское рассеяние. В настоящем параграфе приводятся оценки собственных потерь в ХГ стеклах Rsz S3 выполненные путем экстраполяции краев электронного и фононного поглощения в область малых потерь, а также расчета и измерения уровня оптических потерь, связанных с релеевским рассеянием.

Известно ,^98″ <, что спад поглощения как с коротковолновой, так и с длинноволновой стороны можно описать экспоненциальными функциями частоты.

Pt (i>)*fil ^р'(Щ).

PrW* Pi «*р (-*/**).

14).

15) где Jbe «ftp «и l) z — постоянные вещества.

Измерение спектров краев поглощения стекол fls^Sd и fls^Se^ проводилось на спектрофотометрах СФ-8 и ИКСВ-I. Технология изготовления этих образцов стекол flSz^>3 и As^Se^ описана в [l7 ] Толщина образцов составляла от I до 20 мм. Измеренные значения поглощения показаны на рис. 28 а. Эти данные хорошо аппроксимируются прямыми линиями, которые ограничивают область высокой прозрачности стекол, для которых в соответствии с (14) и (15) имеем: для 6,9*Ю~16 см" 1, ^ = 468 см" .

Д^З р>р= 8-Ю" 5 см" 1, 74 см" 1.

Ре $.

— I.

3-ю" 13 см" 1, -р/ = 404 см" 1.

72 см" 1.

9.I02CM-If.

Уровень релеевского рассеяния излучения с длиной волны Я обычно оценивается следующим выражением [98-]:

— 16.

8>

Ж3 9 ть8 pZtc Tcj/fr 10.

16) где tl — показатель преломления, р — коэффициент фотоупругости, jb-р — сжимаемость материала, — температура стеклования, /С — постоянная Больтцмана. Параметры, входящие в (16) взяты нами из работ [9, 63, 99]: для ДSz S3 ^ I 06 = «Р = 0,302, Tjjf = 444°К, J3t = 0,72-Ю» 11- для /fs^Se/* 1,06= 2,58- Р = 0,282 — = 45I°K- = 0,67'Ю" 11.

Релеевское рассеяние для стекол ДS3 описывается уравнением 4,7'Ю (17) а для стекол ЛS^ Se^ уравнением ps = 5,6*I0″ 21 i> * (18) где ps и «9 в см» 1. Рассчитанные значения потерь на релеевт ское рассеяние приведены на рис. 28 (кривые 3 и 3). Потери на релеевское рассеяние в этих стеклах были измерены на Д = 1,06 мкм по методу сравнения с эталоном [iooj. В качестве эталона брался образец чистого Si0& • Результаты измерений показаны на рис. 28 точками. Важно считать, что роль релеевского рассеяния в ХГ стеклах как фактора, ограничивающего пропускание с коротковолновой стороны, более определяющее, чем в кислородных стеклах SiOz и.

Суммируя все три вида потерь, можно получить, что минимальные потери в й$ 2, S3 и flS2, Se3 равны (3,0 и 2,3)дБ/км о т.

7 и 5,4*10 см) на длинах волн 5,2 и 5,8 мкм (1920 и 1720 см" 1).

В работе [42] была сделана аналогичная оценка минимума оптических потерь стекол Сгв~Р~~$>, было показано, что на длинах волн 5−6 мкм они составляли 0,1−0,01 дБ/км. Надо отметить, что анализ спектров краев поглощения и физических параметров, определяющих релеевское рассеяние позволяет сделать вывод, что почти для всех составов ХГ стекол возможный минимум оптических потерь лежит в области от 4 до 6 мкм и составляет величину в пределах 0,1 * 0,01 дБ/км (м Ю" 7 -г 10″ ®-см «1). fide/m -.6 a).

— 124 -№ 10 В.

В, ev б).

5 6 7 8 5 мкм.

Рис, 28. Спектр собственных оптических потерь в халькогенидных стеклах RszS и /?S2Se3.

Отметим, что уровень потерь в имеющихся стеклах очень высок,.

2 3 1 составляет величину 10 + 5*10 см и определяется поглощением примесями. На рис. 28 кривая 4 показывает спектр поглощения стекла flSzSez. Из этого рисунка видно, что для достижения минимума оптических потерь в ХГ стеклах fls^S> 3 необходимо снизить концентрацию этих примесей на 4−5 порядков.

Приведенные величины минимума оптических потерь носят оценочный характер, но тем не менее они показывают на возможность использования ХГ стекол систем /7S — S и ДS-Se как материала для изготовления световодов среднего ИК диапазона.

Поскольку световоды из халькогенидных стекол перспективны для созданий линий оптической связи среднего ИК диапазона большое значение имеет величина материальной дисперсии: М () этих стекол. Для ее расчета воспользовались экспериментальными значениями спектральной зависимости показателя преломления стеклообразного Rs^ie^, приведенными в [iOl]. Дисперсию мы описали пятичленной формулой Селмейера. дифференцирование которой позволило определить зависимость материальной дисперсии от длины волны. Она приведена на рис. 29. Значения коэффициентов /Си JL в формуле Селмейера определялись минимизацией среднеквадратичного отклонения расчетных и экспериментальных значений И (Л) • Оно составило 8,6 10″ ®. Из рис. 29 видно, что величина М (Л) в широком спектральном интервале не превышает 20!? с/нм.км и обращается в нуль на длине волны 489 мкм (2045 см" *), которая близка к длине волны минимума собственных оптических потерь (спектральная зависимость которых представлена на рис. 29). Для Rs^Se^ в литературе нет данных по дисперсии показателя преломления, что не позволило рассчитать для него зависимость материальной дисперсии от длины волны.

Надо отметить, что при исследовании края электронного погло.

МДс/нм-км.

•10.

3000 2500 2000 т-«-1-Ч.

3 4 54.

Дсм" 1.

— 1— ч б чч. V ч ч.

Рис. 29. Спектральная зависимость материальной дисперсии в /Jsz S3 • щения некоторых халькогенидных стекол происходит отклонение от прямой линии (урбаховской зависимости). Это происходит как пра.

Т Р т вило при значениях j^IO * 10 см. На рис. 30 показаны края двух образцов стекол flSz ^ 3 • Образец $ I имел поглощео т т т ние в области 5−6 мкм 1'10″ ° см, образец № П — 1*10 см. По-видимому, общей причиной отклонения от урбаховской зависимости являются оптические потери на примесях и дефектах. Показательна в этом отношении работа [Ю2], в которой исследовался край поглощения стекла /Js^Se^ синтезированного из Se различной степени чистоты, и Se содержащего следы кислорода. Для стекол с Se чистоты 99,99 $ отклонение от урбаховской зависимости УФ края поглощения не наблюдалось, а для стекол с «Se со следами кислорода такое отклонение наблюдается. Эти данные также хорошо подтверждаются этой работой, т. е. для стекол с более низким поглощением в средней ИК области (5−6 мкм) отклонения от урбаховской зависимости не наблюдается в то время, как для более поглощающего стекла (II, рис. 29) такое отклонение наблюдается, что доказывает связь этого отклонения с чистотой стекла. Для построения области минимально-возможных оптических потерь использовалась зависимость I рис. 30.

§ 5−2. Примесное поглощение халькогенидных стекол в области излучения СО лазера [ЮЗ].

Уровень оптических потерь как в промышленных, так и лабораторных образцах халькогенидных стекол в настоящее время еще довольно высок и обычно превышает Ю3 дБ/км? 20 j. Столь высокий уровень потерь, по сравнению с теоретическим, обусловлен как примесным поглощением (в особенности окислами исходных элементов, молекулами воды и некоторых растворенных в стекле газов),.

E, eir.

Рис. 30. Край электронного поглощения стекла.

IJ^(I800 см-1) = I. IO^CM" 1 ПjyieOO см" 1) = I ЛОГ1 см" 1 так и поглощением и рассеянием излучения на различных включениях в стекле, размеры которых составляют от нескольких микрон до десятков и даже сотен микрон20j .

Целью настоящего параграфа является выяснение механизма, определяющего высокие оптические потери в халькогенидных стеклнх в области излучения СО лазера. Для этой цели исследовались лабораторные и промышленные образцы трисульфида и триселенида мышьяка, а также промышленные стекла серии ИКС. На рис. 31 представлены спектры пропускания различных образцов стекол fls^Se^, fls>z S з, а также образцов стекла ИКС-29, которое обладало наименьшими оптическими потерями среди всех марок исследованных нами промышленных ХГ стекол. Длина образцов — от 50 до 100 мм. В спектрах видны полосы поглощения примесных молекул Нг>0, H^Se, HgS, ионов ОН" «, а также связей fls-0, Se~0, S~0 •.

Видно, что в области излучения СО лазера для рассматриваемых стекол нет примесных полос поглощения, которые могли бы обуславливать высокий уровень оптических потерь в них. Наибольший вклад в потери этой области может внести поглощение излучения на т крыле" полосы поглощения около 1587 см соответствующей деформационному колебанию молекул воды (Н-О-Н).

Для изучения вклада колебания молекул Н^О в оптические потери в области излучения СО лазера, были записаны спектры пропускания стекол S3 и fls^Se3 в этой области на инфра!-красном Фурье-спектрометре 3FS -115 (разрешение 0,1 см, фотометрическая точность 0,5%).

На рис. 32 представлена форма рассматриваемой полосы поглощения при комнатной температуре для стекол ДSoS*. flSaSe,. Интенсивность полосы в максимуме приведена к единице. Оказалось, что для обоих стекол полоса имеет лоренцеву форму: j CM ~1.

Рис. 31. Спектры пропускания халькогенидных стекол.

1 — flSz Se3 L = 100 мм.

2 — flszSe3 L = 50 Мм.

3 -flszSe3 L= 50 мм.

4 — RSZ S3 50 mm.

5 — ИКС29 L = 70 мм гдер — частота в см" *) с полушириной (д т) /2) =8,5 см" * для {Is&S3 и 9,4 см" * для flSg Se$ и максимумом поглощения на частотах равны 1587,1 и 1580,5 см~* соответственно. Экстраполяция высокочастотного крыла полосы для всех рассматриваемых нами стекол в области излучения СО лазера дает значения объемного поглощения J5V существенно меньше, чем измеряемые калориметрическим методом с помощью перестраиваемого СО лазера [51]. В таблице 13 приведены значения объемного поглощения Ji у в максимуме поглощения молекулами воды (полученные спектрофото-метрическим методом), значения J3V (= 1800 см" *) (полученные калориметрическим методом) вдали от полосы воды, а также отт ношения fey (1800 см) к вкладу в поглощение от крыла полосы т т колебания воды j^yf^O (1800 см) на частоте 1800 см. Видно, что J3y (1800) значительно превышаетHgO (1800). Учитывая это обстоятельство, а также то, что никаких других полос поглощения в области I9I0-I600 см" * ни спектрофотометрическим, ни калориметрическим методом обнаружено не было, мы предположили, что наблюдаемое высокое неселективное поглощение халькогенидными стеклами в области генерации СО лазера происходит на включениях, которые легко можно видеть в HSzSt, с помощью обычного, а в flS^Se*, и в ИКС-29 — инфракрасного микроскопа.

При увеличении 280х в поле зрения микроскопа МИК-4 в стеклах /)s2 Se5 № 1−2 наблюдалось несколько десятков включений с размерами от нескольких до 20 мкм. В образце Rs^&z3 3 таких включений efc) меньше десяти, а в образце fS2SB3 № 4 наблюдались лишь отдельные включения. Именно в этом образце измерен наименьший коэффициент объемного поглощения в области излучения СО.

Рис. 32. Контур поглощения деформационного колебания (V^) воды в стеклах fls2S5(I) и Rsz$e5i2). лазера. Сопоставление количества включений в остальных образцах и значений J$v (IB00) для них показало, что эти величины хорошо коррелируют мезкду собой.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. Созданы установка и методика спектральных измерений малых коэффициентов поглощения в ИК материалах с использованием перестраиваемого СО лазера. Для этой цели созданы широкополосные источники перестраиваемого лазерного излучения на изотопах окиси угле.

ТО ТА TP ТА рода СО и СО и исследованы их спектральные характеристики.

2. Выполнена оценка влияния различных фундаментальных механизмов оптических потерь на уровень предельных потерь в кристал.

• лах галогенидов таллия и халькогенидных стекол. Показано, что величина возможного минимума оптических потерь составляет 10 дБ/км для КРС-5 и КРС-6 на длинах волн 13 и 8 мкм и 10″ «^ дБ/км для fiSz S3 и RSzS&z на Длинах волн 5,2 и 5,8 мкм.

3. Установлено, что основнымипоглощающими примесями в области 5,1−6,3 мкм в кристаллах галогенидов таллия является вода и органические примеси, содержащие связи С=0. Показана высокая эффективность кристаллизационной и зонной очистки кристаллов КРС-5 и КРС-6 от органических примесей и воды. Совместно с ГИРЕДМЕТ получены кристаллы КРС-5 и КРС-6 с поглощением 3−10 дБ/км на длинах волн 5,5 и 10,6 мкм.

4. Показано, что основным механизмом оптических потерь в халькогенидных стеклах систем fls-S и Rs-?>e, полученных прямым синтезом простых веществ, является поглощение на микровключениях. Совместно с ИХАН получены стекла с поглощением 60 * 100 дБ/км в области 5,1−6,3 мкм.

5. Получены совместно с ИХАН и исследованы волоконные световоды из халькогенидных стекол систем fls — S и Rs~ S& с оптическими потерями 0,5−5-1 дБ/м в области 3,5−6 мкм. На основе этих световодов создан макет волоконно-оптического кабеля для передачи мощности излучения СО лазера, для медицинских и технологических целей на уровне 5−7 Вт.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Miya Т., Terunuma Y., Hosaka Т., Miyashita Т.
  2. Ultimate low-loss single-mode fibre at 1,55 m. Elect.bett., 1979, 11, И2 4, pp.106−108
  3. Gentile A.L., Braunstein M., Pinnow D.A., Harrington J.A., Henderson D.M., Hobrock L.M., Myer J., Pactor R.C.
  4. Fiber Optics: Advances in Research and Development, Plenum Publ., № 4, 1977, pp.105−118
  5. Van ITitert L.G., Nemple S.H.
  6. ZnCl2 glass: A potential ultra-low-loss optical fiber material. Appl.Phys.Lett., 1978, Ш 1, pp.57−594. Goodman C.H.L.
  7. Devices and materials for 4fi m band optical communication. JEEE J. Solid-State Circuits and Trans.Elect.Devices, 1978,2, W 5, pp.129−1375. Canon J.R.
  8. Optical fibre materials for operating wavelength longer than 2jvt m. J. of Hon-Cryst.Solids, 1980, 42, S3 2, pp.239−2466. Miyashita Т., Manabe T.1.frared optical fibers. JEEE J. of Quant.Elect., 1982, 18, № 10, pp.1432−14 507. Nassau K.
  9. The material dispersion zero in infrared optical waveguide materials. The Bell Syst, Techn.Journ., 1981, 60, № 3, pp.327−337
  10. В.Г., Сысоев В.К.
  11. Оценка чувствительности волоконно-оптических датчиков на основе ИК световодов. Квантовая электроника, 1984, II, № I, ос.194−196
  12. Е.М., Гречушников Б. Н., Дистлер Г. И., Петров И. П. Оптические материалы для инфракрасной техники. М. Наука, 196 510. Harrington J.A.
  13. A new frontier for optical fiber. Opt, Spectra, 1981, IS 2, pp.39−42ц. Дарвойд К. И., Карлова E.K., Карлов H.B., Кузьмин Г. П., Ли-сицкии И.С., Сисакян Е.В.
  14. Исследование некоторых свойств кристаллов КРС в 10-микронной области спектра. Квантовая электроника, 1975, 2, В 4, сс.765−772
  15. В.Г., Карева В. А., Макин B.C., Смирнов В. Н. Поглощение щшсталлов КРС-5 и КРС-6 в области 10,6 мкм. О.М.П., 1978, № 6, сс.35−37
  16. В.Г., Дианов Е. М., Жукова Л. В. Козлов Ф.Н., Масычев В. И., Морозова Е. Г., Плотниченко В. Г. Оптические потери в кристаллах КРС-5 и КРС-6 . Квантовая электроника, 1979, 6, $ 3, сс.648−648
  17. Solid solutions of metal halides Tinder a reactive atmosphere. Mater. Res, Bull., 1976, 1J., № 10, pp.1043−1053 16. Flannery M, Sparks M.
  18. Extrinsic absorption in infrared laser-window materials. US Dep. Commer. Nat.Bur.Stand, Spec, Publ., 1977, № 509,pp. 5−23
  19. Hilton A.R., Jones C.E., Brau M.
  20. Non-oxide IVA-VA-VIA- Chalcogenide Glasses. Phys.Chem.Glass, 1966, 2, H3 4, pp. 105−112
  21. Moynihan C.T., Macedo P#B., Maklad M.C., Mohr R.K., Howard R.C. Intrinsic and impurity infrared absorption in As2Se^ glass.
  22. J" of Non-Cryst.Solids, 1975, Ц, № 2, pp.369−385
  23. В.Г., Дианов E.M., Плотниченко В. Г., Девятых Г.Г.,
  24. И.В., Улеватых Б. В., Чурбанов М. Ф., Кратена Л., Лежал Д.
  25. Оптические потери в AsgSe^.
  26. Proc.Conf. «Amorphous Semiconductors-78″, Pardubice, 1978, pp.683−684
  27. E.A., Носов В. Б., Кокорина В. Ф. Оптическое поглощение бескислородных стекол на основе мышьяка, германия и селена. Физика и химия стекла, 1977, 3, Л 6, сс.624−62 921. Skolnik L.H.
  28. A review of techniques for measuring small optical losses in infrared transmitting materials. Opt.Prop.of High Transp. Sol., H-Y., 1975, pp.405−42 522. Hordvik A.
  29. Measurement techniques for small absorption coefficient: recent advances. Appl. Optics, 1977, Ш 11, pp.2827−2833
  30. В.Г., Дианов E.M., Никитин Е. П. Калориметрический метод определения объемного и поверхностного поглощения в прозрачных ИК материалах. Квантовая электроника, 1978, 5, Д» 6, сс .1065−107 124. Pinnow D.A., Rich T.C.
  31. Development of calorimetric mathod for making precision optical absorption measurement. Appl.Opt., 1973, 12″ № 5, pp.984−992
  32. Т.И., Дианов E.M., Никитин Е. П., Прохоров A.M. Измерение малых коэффициентов поглощения стекол калориметрическим методом. Квантовая электроника, 1976, 3, № II, сс.2500−250 526. Bernal Е.В.
  33. Heat flow analysis of laser absorption calorimatry, Appl. Opt., 1975, 11, KS 2, pp.314−32 127. Rosenstock H.B.
  34. Absorption measurement by laser calorimetry. J.Appl.Phys., 1979,0, ® 1, pp.102−11 028. Miles P.A.
  35. State profile calorimetry of laser materials. Appl.Opt., 1977, 16, W 11, pp.2897−290 129. Gregory D.A., McCown R.B.
  36. Automated analysis of laser calorimetric data. Appl.Opt., 1979, 18, K! 12, pp.3161−3164
  37. E.C., Дорофеева В. Г., Карева B.A., Макин B.C., 1. Смирнов B.H.
  38. Поглощение щелочно-галоидных кристаллов в области 10,6 мкм. О.М.П., 1977, № 12, сс.29−30
  39. Allen S.D., Rudisille J.E.
  40. Bulk and surface calorimetric measurement at C0-wavelengths. Appl.Opt., 1977, 16, IS 11, pp.2914−2917
  41. Rowe J.M., Harrington J.A.
  42. Extrinsic absorption in KC1 and KBr at COp-laser frequences.
  43. J.AppL.Phys., 1976, № 11, pp.4926−492 833. Vora H.V., Ohmer M.C.
  44. Bulk and surface absorptions in the 9,2−10,8 m region in EaCl and KC1. J.Appl.Phys., 1979, 50, В 7, pp.4936−494 134. bin T.X., Rokrbeek W., Urban W.1.ng Wavelength Operation of a ew СО-laser up to 8,18 m. Appl.Phys., 1981, B26, № 2, pp.73−76
  45. SPIE v. 320 «Advances in Ш Fibers II», Los Angeles Technical Symposium, 26−28 Jan.1982
  46. Pinnow D.A., Gentile A.L., Standlee A.G., Timper A. Polycrystalline fiber optical waveguide. Appl.Phys.Lett., 1978, 22, В 1, pp.28−29
  47. В.Г., Бочкарев Э. П., Голованов В. П., Дарвойд Т. И., Дианов Е. М., Казанцев С. В., Конев Ю. С., Поляков Е. В., Прохоров АЛЛ.
  48. Волоконные световоды из галогенидов таллия для среднего ИК-ддаапазона. Квантовая электроника, 1981, 8, $ 2, сс.398−400
  49. Bridges T.Y., Hasiak Y., Stand A.R.
  50. Single crystal AgBr infrared optical fibers. Opt.Lett., 1980, N2 3, pp.85−86 39* Васильев А. В., Дианов Е. М., Длитрук Л. Н., Плотниченко В. Г., Сысоев В. К.
  51. Монокристаллические волоконные световоды среднего ИК диапазона. Квантовая электроника, 1981, 8, № 6, сс. 1 378 137 940* Kapany U.S., Simms H.J.
  52. Recent development of infrared fiber optics. Infrared Phys., 1965, j>, N2 2, pp. 69−80
  53. Boniort J.Y., Brehm C., Dopant P.H., Guignoto D., Sergent C.Le. Infrared glass optical fiber for 4 to 10 m bands. Proc. 6th Europ.Conf.Opt.Commun" 86−19 Sep.1980, pp.61−64 42. Shibata S., Terunuma Y., Hanabe Т.,
  54. Ge-P-S Chalcogenide Glass Fiber, Jap.J.Appl.Phys., 1980, 19, m 10, pp. L603-L605
  55. Н.И., Гурьянов A.H., Девятых Г. Г., Дианов Е. М., Плотниченко В. Г., Скрипачев И. В., Сысоев В. К., Чурбанов М. Ф. Инфракрасные волоконные световоды из халькогенидных стекол. Квантовая электроника, 1982, 9, I 2, сс. 438 440
  56. В.Г., Сысоев В. К., бирсов И.Г. Исследование оптической однородности высокопрозрачных твердотельных материалов методом лазерной калориметрии. Квантовая электроника, 1981, 8, В 7, сс. 14 851 503
  57. В.Г., Сысоев В. К., Фирсов И.Г.
  58. Анализ калориметрических измерений коэффициентов поглощения высокопрозрачных твердотельных материалов. ЖТФ, 1981,51, J& 9, сс.1903−1908
  59. В.Г., Сысоев В. К., Фирсов И.Г.
  60. Анализ калориметрических измерений коэффициентов поглощениявысокопрозрачных твердотельных материалов (программа счета).
  61. Препринт ШАН, 1980, № 181, сс.1−34
  62. Allen S#D*, Harrington J.A.
  63. Optical absorption in KC1 and NaCl at infrared laser wavelengths,
  64. Appl.Opt., 1978, 12, № 11, pp.1679−1680
  65. Hass M., Davisson J.W., Rosenstok H.B., Babinskiny V.B. Measurement of very low absorption coefficients by laser calorimetry. Appl.Opt., 1975, Н" Ii2 5, pp. 1128−1130
  66. Rosenstock H. B#, Hass M., Gregory D.A., Harrington J.A. Analysis of Laser calorimetric data. Appl.Opt., 1977, .16, Ш 11, pp.2837−284 750. Самарский A.A.
  67. Об одном экономичном разностном методе решения многомерного параболического уравнения в произвольной области. Ж.вычислит.матем. и мат. физики, 1962, 2, В 5, сс. 787 811
  68. Е.М., Масычев В. И., Плотниченко В. Г., Сысоев В. К. Измерение коэффициентов объемного и поверхностного поглощения высокопрозрачных твердых тел в области излучения СО лазера. Квантовая электроника, 1980, 7, $ 6, сс.1342−1345
  69. Е.М., Митичкин А. И., Панова А. Н., Плотниченко В. Г., Сысоев В. К., Удовиченко А.В.
  70. Измерение коэффициентов объемного и поверхностного поглощения высокопрозрачных твердых тел в области излучения С02лазера. Квантовая электроника, 1980,7, № 6, сс.1345−134 753. Лыков А.В.
  71. Теория теплопроводности. ТТЛ, Москва, 1952
  72. В.Г., Сысаев В.К.
  73. Измерение спектров поглощения высокопрозрачных ИК материаловметодом лазерной калориметрии. О.М.П., 1983, № 12,1.455* Плотниченко В. Г., Сысоев В.К.
  74. Измерение спектров полных потерь в волоконных световодах ближнего и среднего Ж диапазона. Ж.П.С., 1983, 38, № 3, сс.509−513
  75. А.В., Гурьянов А. Н., Дианов Е. М., Лужин В. Г., Неуструев В. Б., Никитин Е. П., Юшин A.G. Исследование оптических потерь в стеклянных волоконных световодах. Квантовая электроника, 1977, ^ 4, сс.937−941
  76. В.В., Люзюк B.C., Олейников А. Я., Тихомиров Н. А., Чаморскш Ю. К. Точное измерение спектров полных потерь в волоконных световодах. Радиотехника и электроника, 1979, № 2, сс. 909 919
  77. В.И., Плотниченко В. Г., Сысоев В. К. Перестраиваемый лазер на окиси углерода. Квантовая электроника, 1981, 8, & 7, сс.1540−1550
  78. В.И., Плотниченко В. Г., Сысоев В. К. Спектральные и энергетические характеристики перестраиваемого лазера на окиси углерода для измерения оптических потерь в высокопрозрачных твердотельных материалах.
  79. Препринт ШИАН, 1981, JS 17, сс.1−51
  80. Dennis R.B., McKenzie Н.А., McLlehand S., Hamza P.H. Investigation of the spectral content of a CW CO laser output using a high-resolution scanning Fabri-Perotinterferometer. Opt. and Laser Technol., 1976, K2 10, pp.22 122 661. Bhaumik M.L.
  81. High-efficiency electric discharge СО-laser. Inst. Phys.
  82. Conf. Ser. Ш 29, 1976, pp.243−267
  83. Справочник физических величин под ред. Кикоина И. К., • М. Атомиздат, 1976, с.720
  84. Справочник по лазерам под ред. Прохорова A.M., М.Сов.Радио, 1978, сс.108−110
  85. В.П., Завертяев М. В., Кочетков Ю. А., Очкин В. Н., Соболев Н.Н.
  86. Селекция линий генерации электроразрядного СО-лазера. Квантовая электроника, 1978, 5, № 9, сс.1896−1903
  87. В.И., Плотниченко В. Г., Сысоев В. К. Спектральные характеристики лазеров на окиси углерода с различным изотопным наполнением. Квантовая электроника, 1982, 9, № II, сс.2303−2306 бб" Масычев В.й., Сысоев В.К.
  88. Спектральные характеристики отпаянных лазеров на изотопах молекулы СО при комнатной температуре. Препринт ФИАН, 1983, Jfc 269, сс.1−18
  89. Dale R.M., Hermann М., York J., McKelas A., Hagler S", Strathy J.1.proved laser frequences and Dunham coefficients for isotopically substituted carbon monoxide. Can.J.Phys., 1979, 51t К 5, pp.677−688
  90. Johns J., McEellar A., Weits D.
  91. Wavelength measurements of -'C O laser transitions.
  92. J.Mol.Spect., 1974, J2I, Ш 3, pp.539−545
  93. В.И., Плотниченко В. Г., Сысоев В.К.
  94. Измерение коэффициентов поглощения твердотельных материаловс помощью СО лазера с селективным и неселективным резонаторами. Ж.П.С. 1983, 38, В 2, с.343
  95. Исследование стабильности мощности непрерывного лазера на окиси углерода. Квантовая электроника, 1983, 10, $ 2, сс.402−40 771* Алейников B.C., Масычев В.И.
  96. О стабильности мощности непрерывного СО лазера, работающего на основной пространственной моде. Квантовая электроника, 1979, 6, В 7, сс.1556−1559 72. Harrington J.A., Gregory D.A., Otto N.T.1.frared absorption in chemical laser window materials.
  97. Appl.Opt., 1976, KS 8, pp. 1953−1959
  98. E.M., Лисицкий И. С., Плотниченко В. Г., Сулимов В.Б., 1. Сысоев В.К.
  99. Оценка минимально-возможных оптических потерь в кристаллах галогенидов таллия. Оптика и Спектроскоп., 1984, 58, № 3, сс.457−460
  100. А.П., Дианов Е. М., Лисицкий И. С., Нестерова Т. М., Плотниченко В. Г., Сысоев В.К.
  101. Монокристаллы галогенидов таллия с оптическими потерями менее 10 дБ/км. Квантовая электроника, 1982, 9, № 4, сс.796−79 875. Мотулевич Г. П.
  102. Молекулярное рассеяние света в кристалле. Труды ФИАН, 1950,5,1−4976. Борн М., Хуан Кунь
  103. Динамическая теория кристаллических решеток. М. ИЛ, 1958
  104. В.М., Богданов G.B., Дарвойд Т. И., Лисицкии И. О., Сапожников А.В., Шалопут Д. В.
  105. Акустические характеристики монокристаллов КРС-5. О.М.П., 1977, № 8, сс.36−3978. Uchuda Н.
  106. Direct measurement of photoelastic coefficients by ultrasonic light diffraction technique. Jap.J.Appl.Phys., 1969″ 8, № 7, pp.329−333
  107. И.С., Толсторожев М. Н., Каневский И. Н., Озерецкий С. Н., Белоусов А. П., Иванычев В.В.
  108. Механические свойства моно1фисталлов КРС-5 и КРС-6. О.М.П., 1976, & 4, сс.41−4480. Butvina L.U., Dianov Е.М.
  109. Optical absorption by free carriers in materials for IR fibers. Infrared Optical Materials and Fibers III* Proc" SPIE, № 484, 1984, Arlington, 3−4 May, 1984
  110. Hidaka Т., Morikawa Т., Shimada J.
  111. Spectroscopic small loss measurements on infrared transparent materials. Appl.Opt., 1980, 12, K! 22, 3763−376 982. Dithler C.J.
  112. Extrinsic absorption in 10.6 jM m laser-window materials due to molecular-ion impurities. J.Appl.Phys., 1974, 45. Ш 6, pp.2668−267 283. Митчелл Дж., Смит Д.
  113. . М., Химия, 1980, сс.378−49 584. Юхчевич Г. В.
  114. Успехи в применении ИК спектроскопии для характеристики ОН связей. Успехи химии, 1963, 32, № II, сс. 13 971 423
  115. Brom j.M., Devore Yr., Franzen H.F.1.frared Spectrum and Structure of Matrix Isolated Thallous Oxide, J. of Chem.Phys., 1971, 51″ ш б" PP.2742−274 986. Чапыжников А.Б.
  116. Влияние ряда кислородосодержащих цримесей на спектральную прозрачность монокристаллов галогенидов таллия в средней ИК области спектра. Дипломная работа, Москва, Институт Стали и Сплавов, 1982, сс.1−120
  117. Catalano Е., Milligan D.E.1.frared spectra of HgO, Ъ20 and HDO in Solid Argon, Krypton, Xenon. J.Chem.Phys., 1959, jto, P 1, pp.45−47
  118. Van Thiel M., Becker E.D., Pimentel G.L.1.frared studies of Hydrogen bonding of water Ъу the matrix isolation technique, J.Chem.Phys., 1957, 27, $ 2, pp.486−490
  119. P.H., Maapooc A.A., Плом Л. А., Яапсон Н. Я. Разработка методики получения кристаллов kci и квг с содержанием примесей ТО-6* дг8. Труды ИФ АН СССР «Электронные возбуждения и дефекты в ионных кристаллах, Тарту, 1979, ?9, сс.45−5590. Oura М.
  120. Optical properties of alkali Halide and Thallium Halidesingle crystals. Rev.Phys.Chem.Japan, 1960, J^O, K2 1, pp.25−30
  121. В.Г., Сысоев В. К., Фирсов И.Г.
  122. Иодид цезия перспективный материал для волоконных световодов видимой и инфракрасной области спектра. О.М.П., 1983, № 9, сс.23−26
  123. Получение профилированных монокристаллов и изделий способом Степанова., /под ред. Ригеля В. Р., Никонорова С.П./ М. Наука, 1981, сс.1−280
  124. Л.Н., Шетобский В. И. Многокапиллярное выращивание волокон лейкосапфира. Кристаллография, 1979, № 4, сс.876−878
  125. Mitra J., Okamura J., Ota С.
  126. Single-crystal CsBr infrared fibers. J.Appl.Phys., 1982, Ш 8, pp.5491−549 795. Himura J., Ota C.
  127. Transmission of C02 laser power by single-crystal CsBr fibers, Appl.Phys.Lett., 1982, 40, HI 9, pp. 773−775
  128. В.A., Бубнов M.M., Дианов Е. М., Конов А. С., Лаптев А.Ю.
  129. Исследование механической прочности волоконных световодов для систем оптической связи. Квантовая электроника, 1981, 8, № 4, сс.844−849
  130. Е.М., Петров Ю. М., Плотниченко В. Г., Сысоев В. К. Оценка минимально-возможных оптических потерь в халькогенидных стеклах. Квантовая электроника, 1982, 9, № 4,сс.798−800
  131. Фотоника /под ред. Балкански М./ М. Мир, 1978, сс. 395 399
  132. Savage G.A., Webber P.J., Pitt A.N.1.frared optical glasses for application in 8−12 thermal imaging systems. Appl.Opt., 1977, 16, Ш 11, pp.2938−2941
  133. Г. Г., Дианов E.M., Каршчев Н. С., Мазавин С. М., Машинский В. М., Неуструев В. Б., Николаичик А. В., Прохоров A.M., Ритус А. И., Соколов Н. И., Юшин А.С.
  134. Материальная дисперсия и релеевское рассеяние в стеклообразной двуокиси германия перспективном материале для волоконных световодов с малыми потерями. Квантовая электроника, 1980, 7, 16 7, сс. 1563−1566
  135. Rodney W.C., Malitson J.H., King T. A*
  136. Refractive index of arsenic trisulfide. J.O.S.A., 1958, 48, Ш 9, pp.633−636
  137. Kameda M., Kobayashi N., Maruyama E., Shimizu T. Electron spin resonance and optical absorption in amorphous Se-As. Phys.Stat.Sol., 1976, BJ2* K2 1» K19-K22.103″ Плотниченко В. Г., Сысоев В.К.
  138. Примесное поглощение халькогенидных стекол в области излучения СО лазера. Физика и Химия Стекла, 1984, 10, № 5, (в печати).
  139. М.Ф., Улеватых Б. Е., Девятых Г.Г.
  140. Очистка селена от серы и углерода цри фотохимическом разложении селено водорода. ДАН, 1979, 29, № 4, сс. 885 888 105* Savage J.A.
  141. Optical properties of chalcogenide glasses. J. of Non-Cryst. Solid., 1982, ??, Ш 1, pp.101−11 610б* Hartman К.О., Hisatsune J.C.1.frared Spectrum of Carbon Dioxide Anion-Radical. J.Chem. Phys., 1966, 44, № 5, pp.1913−1918
  142. M.A., Девятых Г. Г., Дианов Е. М., Плотниченко В. Г., Скрипачев И. В., Сысоев В. К., Чурбанов М. Ф. Стеклообразный AsgSe^ с оптическим поглощением60 дБ/км. Квантовая электроника, 1982, 9, № 7, сс.1465−1466
  143. S., Manabe Т., Horiguchi Т. «» Preparation of Ge-S glass fibers with reduced 0H, CH content. Jap.J.of Appl.Phys., 1981, 20, № 1, pp. L13-Ll6109″ Miyashita Т., Terunuma J.
  144. Optical transmission loss of As-S glass fiber in 1.0−5*5 ш wavelength region. Jap.J.of Appl.Phys., 1982, 21., B8 2, pp. L75-b76
  145. A.M., Баикалов П. И., Васильев А. В., Девятых Г. Г., Дианов Е. М., Плотниченко В. Г., Скрипачев Й. В., Сысоев В. К., Чурбанов М.Ф.
  146. Волоконные световоды на основе стекол As-S и As-Seс оптическими потерями менее I дБ/м. Квантовая электроника, 1983, 10, № 9, сс. 1906−1907
  147. Vasiliev A.V., Dianov Е.М., Plotnichenko V.G., Sysoev V.K., Bagrov A.M., Baikalov P.I., Devyatykh G.G., Scripachev J.V., Churbanov M.F.
  148. Middle IR As-S and As-Se glass fibres with optical losses lower than 1 dB/m. Electronics Letters, 1983, v.19, № 15, pp.589−590
  149. E.M., Masychev V.J., Plotnichenko V.G., Sysoev V.K., Baikalov P.I., Devjjatykh G.G., Konov A.S., Scripachev J.V., Churbanov M.p. «F/ire-optfc СаШ {or Co laze, rpo-user- transmission «8teciro/?-c? £MenГ, № 4, v. 20, a//>/>— № 9-/30 112. Sakuragi S.
  150. B.C., Беляев В. П., Девятков П. Д., Клименко В.й., Мамедли 1.Д., Масычев В. И., Сысоев В. К. Применение лазера на окиси углерода в хирургии. Квантовая электроника, 1983, 10, $ 10, сс.1959−1960
Заполнить форму текущей работой

На отлично!