Исследование закономерностей формирования волнообразных микро-и наноструктур ионными пучками на поверхности кремния

Задача формирования волнообразных микрои наноструктур на поверхности кремния ионными пучками возникла под влиянием двух основных факторов.

Первым фактором явился возрастающий интерес к физике и технологии структур субмикронного и, в особенности, нанометрового масштаба [1]. Однако минимальные размеры элементов при использовании традиционных литографических методов их формирования ограничены ~ 100 нм. В случае создания наноструктур в диапазоне 10 -нЮО нм с помощью техники остро сфокусированных ионных пучков или зондовой сканирующей микроскопии (АСМ, СТМ) имеются серьезные ограничения, связанные с производительностью. Более того, применение указанных способов становится нереальным для формирования массивов наноструктур с высокой плотностью элементов. Альтернативный вариант решения проблемы создания массивов наноструктур на поверхности полупроводниковых материалов может базироваться на явлении самоорганизации, т. е. на спонтанном формировании наноструктур, происходящем при определенных условиях воздействия на поверхность [2,3].

Явление самоорганизации поверхности твердых тел в виде волнообразного микрорельефа (ВМ) под действием низкоэнергетичной ионной бомбардировки и стало вторым фактором, стимулирующим появление настоящего исследования. Однако, несмотря на то, что одно из первых упоминаний о ВМ на кремнии датируется 1977 годом [4], интерес к нему и, соответственно, информация были крайне ограничены. Определенное оживление картины произошло через 10 лет в 1988 году [5], когда данный тип топографии поверхности попал в поле зрения специалистов, использующих ионные пучки в методах послойного анализа полупроводниковых материалов. Арсенал пучков от ионов инертных газов расширился до химически активных ионов (Cs+, 02+, N2+), а наряду с кремнием объектами изучения стали ваАэ, А3В5 и другие материалы. Вместе с тем, к началу настоящей работы (1996г.) представленные в литературе экспериментальные данные были весьма неполными и не позволяли судить о степени управляемости процессом образования ВМ. Более того, оставался открытым вопрос о существовании волнообразного нанорельефа (ВНР), т. е. о возможности достижения нанометрового масштаба периода структуры.

Понятие «структура» подразумевает достаточно высокую степень управления процессом ее формирования и параметрами. Поэтому в качестве одной из основных задач работы ставится получение совокупности данных о зависимости процесса формирования ВМ и ВНР от основных экспериментальных параметров воздействия потока ионов на поверхность кремния: типа ионов, энергии, угла бомбардировки и температуры образца. Актуальным является не только изучение условий создания периодических анизотропных микрои наноструктур (ВМ и ВНР) во всей области ионной бомбардировки, но и установление внутреннего строения отдельных элементов структуры — индивидуальных волн. Естественным и важным этапом работы должно стать детальное исследование с привлечением широкого набора аналитических методов таких фундаментальных аспектов взаимодействия с поверхностью низкоэнергетических химически активных ионов как формирование модифицированного слоя и распыление. Эти процессы играют важную роль в формировании топографии поверхности.

Выбор кремния в качестве объекта изучения вполне закономерен. Он был и в обозримом будущем остается одним из базовых материалов высоких технологий. Основное внимание в работе планируется сосредоточить на волнообразном рельефе с пространственным периодом структуры в диапазоне от 10 до 100 нм. Это обусловлено, в частности, результатами работ [6,7]. Авторам [6] удалось сформировать кремниевые квантовые проволоки с поперечным сечением около 100 нм, на их основе создать транзистор и при температурах жидкого гелия наблюдать квантовые эффекты. В исследовании [7] отмечается важность создания квантовых приборов именно на кремнии и их функционирования при комнатных температурах. Последнее условие может быть реализовано только при достижении характерного размера около 10 нм. Следует отметить, что наноструктуры на основе кремния представляют интерес не только для наноэлектроники, но и оптоэлектроники. В последние годы значительное развитие получили работы по созданию на базе кремния материалов оптоэлектроники. Так, например, в публикациях [8, 9] представлены результаты исследования оптоэлектронных свойств оксидных слоев кремния, содержащих включения кремния нанометрового масштаба.

В обзоре [3] явления самоорганизации с образованием квантовых точек и проволок рассматриваются исключительно для материалов А3В5. В настоящее время и тем более к началу данной работы примеры формирования массивов периодических анизотропных наноструктур на кремнии в литературе отсутствуют. Поэтому новизна исследования не вызывает каких — либо сомнений.

Оригинальность подхода к решению проблемы создания наноструктур на кремнии заключается в использовании низкоэнергетичных ионных пучков, что в технологическом плане представляется достаточно выигрышным. Легко получаемые и управляемые ионные пучки являются привлекательным инструментом, а сами наноструктуры в перспективе могут быть интегрированы в элементы традиционной кремниевой микротехнологии. По этой причине представляет интерес, не ограничиваясь только кремнием, расширить исследование до тонкослойных структур на его основе. Положительные результаты в данном случае должны усилить практическую значимость работы в целом.

Таким образом, целью настоящей работы является исследование закономерностей управляемого формирования на поверхности кремния массивов волнообразных микрои наноструктур, а также изучение процессов, происходящих при взаимодействии низкоэнергетических химически активных ионных пучков с кремнием и лежащих в основе образования данных структур.

При постановке задачи о формировании наноструктур на кремнии с помощью ионных пучков публикации в литературе в основном носили экспериментальную направленность. Это объективно отражало тот факт, что представления о волнообразном микрорельефе находились лишь на стадии аккумуляции экспериментальных данных. Учитывая сложность явления, цель исследования могла быть достигнута только в ходе прямых экспериментов, что и определило в целом экспериментальный характер настоящей работы.

Изложенный в диссертационной работе материал является аргументированным обоснованием следующих основных научных положений, выносимых на защиту:

1. Динамика и морфология волнообразного микрои нанорельефа при распылении кремния низкоэнергетичными пучками ионов и кислорода. In situ регистрация процесса рельефообразования по изменению эмиссии оже-электронов с поверхности.

2. Зависимости процесса рельефообразования и периода структуры от основных экспериментальных параметров: типа ионов, их энергии, угла бомбардировки, температуры образца кремния. Существование в случае пучка ионов азота устойчивой к распылению структуры и управление ее периодом в нанометровом масштабе размеров.

3. Угловые зависимости состава поверхности и процесса распыления кремния ионами азота. Строение модифицированного бомбардировкой ионами азота приповерхностного слоя кремния. Взаимосвязь процессов взаимодействия ионов азота с кремнием и свойств волнообразного рельефа.

4. Формирование волнообразных наноструктур на заданном микроучастке поверхности кремния. Контролируемое создание массивов кремниевых проволок с нанометровым масштабом поперечного сечения на материале кремний на диэлектрике.

Защищаемые положения в значительной степени отражают научную новизну работы, которая состоит в том, что в ней впервые:

1. Исследован процесс развития волнообразного нанорельефа и его морфология при распылении поверхности кремния пучком ионов азота. Регистрация процесса образования волнообразного нанорельефа осуществлялась in situ по изменению эмиссии оже-электронов с поверхности.

2. Получены зависимости процесса рельефообразования и периода структуры при бомбардировке поверхности кремния ионами азота от энергии ионов, угла бомбардировки и температуры образца.

3. Измерены угловые зависимости состава поверхности и процесса распыления кремния ионами азота. В широком диапазоне экспериментальных параметров исследован приповерхностный слой кремния, модифицированный ионной бомбардировкой, и определено внутреннее строение индивидуальной волны.

4. С помощью пучка ионов азота сформированы волнообразные наноструктуры на заданном микроучастке поверхности кремния и на материале кремний на диэлектрике (КНД). Структуры на КНД представляют собой массив кремниевых проволок с нанометровым масштабом сечения.

1. Гуляев Ю. В., Сандомирский В. Б., Суханов А. А., Ткач Ю. Я. Физические ограничения минимальных размеров элементов современной микроэлектроники. -УФН, 1984, т. 144, вып. 3, с. 475−495.

2. Routkevitch D., Tager A. A., Haruyama J., Almawlawi D., Moskovits M., Xu J. M. Nonlitographic Nano Wire Arrays: Fabrication, Physics and Device Applications. — IEEE Transactions on Election Devices, 1996, v. 43, № 10, p. 1646−1657.

3. Леденцов H. H., Устинов В. М., Щукин В. А., Копьев П. С., Алферов Ж. И., Бимберг Д. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. Обзор. Физика и техника полупроводников, 1998, т. 32, № 4, с. 385 410.

4. Carter G., Nobes М. J., Whitton J. L., Tanovic L., Williams J. S. Experimental and theoretical studies of bombardment induced surface morphology changes. Proc. VII Intern. Conf. on Atomic collisions in solids, Moscow, 1977, p. 178−182.

5. Stevie F. A., Kahora P. M., Simons D. S., Chi P. Secondary ion yield changes in Si and GaAs due to topography changes during 02' or Cs+ ion bombardment. J. Vac. Sci. Technol., 1988, v. A4, p. 76−80.

6. Colinge J. P., Baie X., Bayot V., Grivei E. A silicononinsulator quantum wire. -SolidState Electronics, 1996, v. 39, № 1, p. 49−51.

7. Laobandung E., Guo L., Wang Y., Chou S. Y. Observation of quantum effects and Coulomb blokade in silicon quantumdot transistors at temperature over 100 K. -Appl. Phys. Lett., 1995, v. 67, № 7, p. 938−940.

8. Lewis G. W., Nobes М. J., Carter G., Whitton J. L. The mechanisms of etch pit and ripple structure formation on ion bombarded Si and other amoiphous solids. Nucl. Instr. and Methods, 1980, № 170, p. 363−369.

9. Wilson R. G., Stevie F. A., Magee C. W. Secondary Ion Mass Spectrometry. New York, John Wiley & Sons, 1989, p. 852.

10. Смирнов В. К. Ионнои электроннозондовый анализ структур СБИС. -Диссерт. на соиск. уч. степени докт. физ.-мат. наук, Ярославль, 1995, с. 315.

11. Carter G., Vishnyakov V. Ne+ and Ar Ion Bombardment induced Topography on Si. Surf, and Interf. Anal., 1995, v. 23, p. 514−520.

12. Carter G., Vishnyakov V., Martynenko Yu. V., Nobes M. J. The effects of ion species and target temperature on topography development on ion bombarded Si. -J. Appl. Phys., 1995, v. 78, № 6, p. 3559−3565.

13. Carter G., Vishnyakov V., Nobes M. J. Ripple topography development on ion bombarded Si. Nucl. Instr. Methods (B), 1996, v. 115, p. 440−445.

14. Vishnyakov V., Carter G., Goddard D. Т., Nobes M. J. Topography development on selected inert gas and self-ion bombarded Si. Vacuum, 1995, v. 46, № 7, p. 637 643.

15. Magee C. W., Honig R. E. Depth Profiling by SIMS depth resolution, dynamic range and sensitivity. — Surf, and Interf. Anal., 1982, v. 4, № 2, p. 35−41.

16. Duncan S., Smith R., Sykes D. E., Walls J. M. Surface morphology of Si (100), GaAs (100) and InP (100) following 02+ and Cs+ ion bombardment. Vacuum, 1984, v. 34, № 1−2, p. 145−151.

17. Wittmaack K. Effect of surface roughening on secondary ion yields and erosion rates of silicon subject to oblique oxygen bombardment. J. Vac. Sei. Technol., 1990, v. A 8 (3), p. 2246−2250.

18. Karen A., Okuno K., Soeda F., Ishitani A. A study of the secondaryion yield change on the GaAs surface caused by the 02: ionbeaminduced rippling. J. Vac. Sei. Technol. A, 1991, v. 9, № 4, p. 2247−2252.

19. Eist К., Vandervorst W. Influence of the composition of the altered layer on the ripple formation. J. Vac. Sei. Technol., 1994, v. A 12 (6), p. 3205−3216.

20. Eist К. The analysis of Si-based structures with secondary ion mass spectrometry. Physical aspects related to the use of oxygen bombardment. Ph.D. thesis, Antwerpen, Belgium, September 1993, p. 1−273.

21. Смирнов В. К., Курбатов Д. А., Потапов Е В. Исследование взаимодействия пучков ионов азота и кислорода с поверхностью кремния. Известия РАН, Сер. физич., 1992, т. 56, № 3. с. 71−76.

22. Alay J. L., Vandervorst W. XPS Analysis of Ion-beam-induced Oxidation of Substrates. Surf, and Interf. Anal., 1992, № 19, p. 313−317.

23. Beyer G. P., Patel S. В., Kilner J. A. A SIMS study of the altered layer in Si using 1S02 primaries at various angles of incidence. Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Research, 1994, v. В 85, p. 370−373.

24. Полонский Б. А., Протопопов О. Д. Пространственное разрешение в растровой оже-спектроскопии. Поверхность, 1988, № 8, с. 122−126.

25. Okamoto Y., Akadi Y. Surface topographic change during SIMS measurement. -Proc. of the 9-th Internat. Conf. on Secondary Ion Mass Spectrometry. SIMS IX / Eds. Benninghoven A. et al., Chichester: Wiley, 1994, p. 496−499.

26. Смирнов В. К., Курбатов Д. А., Потапов Е. В. Исследование взаимодействия пучков ионов азота и кислорода с поверхностью кремния. Известия РАН, сер. физич., 1992, т. 56, № 3, с. 71−76.

27. Смирнов В. К., Курбатов Д. А., Потапов Е. В., Жохов А. В. Локализованные по глубине изменения вторично-ионной эмиссии кремния при бомбардировке поверхности ионами N^. Поверхность, 1993, № 10, с. 65−73.

28. Смирнов В. К., Симакин С. Г., Макаров В. В., Потапов Е. В. Послойный анализ сверхтонких слоев легирования Ge в кремнии методом вторично-ионной масс-спектрометрии. Микроэлектроника, 1994, т. 23, вып. 5, с. 61−69.

29. Смирнов В. К., Потапов Е. В., Симакин С. Г., Макаров В. В. Разрешение по глубине при послойном анализе 5-легированного кремния методом вторично-ионной масс-спектрометрии. Труды ФТИ РАН, 1995, № 9, с. 19−25.

30. Karen A., Okuno K., Soeda F., Ishitani A. A study of the secondary-ion yield change on the GaAs surface caused by the 0-{ ion-beam-induced rippling. J. Vac. Sei. Technol., 1991, v. A9, № 4, p. 2247−2252.

31. Cirlin E. H., Vajo J. J. SIMS with sample rotation. Proc. of the 8-th Internal Conf. on Secondary Ion Mass Spectrometry. SIMS VIII / Eds. Betininghoven A. et al., Chichester: Wiley, 1992, p. 347−350.

32. Zalar A. Improved depth resolution by sample rotation during Auger electron spectroscopy depth profiling. Thin Solid Films, 1985, № 124, p. 223−230.

33. Zalar A. Auger Electron Spectroscopy Depth Profiling During Sample Rotation. -Surf, and lnterf. Anal., 1986, v. 9, p. 41−46.

34. Zalar A. Sample rotation in Auger electron spectroscopy depth profiling. J. Vac. Technol., 1987, v. A5, № 5, p. 2979−2980.

35. Elst K., Vandervorst W., Adams F., Tian C. Material and Temperature Dependence of the Ripple Formation. Abstracts book of the Eighth International Conference. National Physical Laboratory, England, Liveipool, 1994, p. 50.

36. Bradley R. M., Harper J. M. Theory of ripple topography induced by ion bombardment. J. Vac. Sci. Technol. A, 1988, v. 6, № 4, p. 2390−2395.

37. Mayer Т. M., Chason E., Howard A. J. Roughening instability and ion-induced viscous relaxation of Si02 surfaces. J. Appl. Phys., 1994, v. 76, № 3, p. 16 331 643.

38. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Выпуск II: Пер. с англ. / Под ред. Р. Бериша. М.: Мир, 1986, 488 с.

39. Вавилов В. С., Кекелидзе Н. П., Смирнов JI. С. Действие излучений на полупроводники. М.: Наука, 1988, 192 с.

40. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Пер с англ. / Под ред. Р. Бериша. М.: Мир, 1984, 336 с.

41. Шелякин J1. Б., Шульце Р.- Д. Г., Юрасова В. Е. Некоторые особенности формирования поверхностной структуры монокристаллов при ионной бомбардировке. Физика плазмы, 1975, т. 1, с. 488−495.

42. Chason Е., Mayer Т. М., Kellerman В. К., Mcllroy D. Т., Howard A. J. Roughening Instability and Evolution of the Ge (001) Surface during Ion Sputtering. Phys. Rev. Let., 1994, v. 72, № 19, p. 3040−3043.

43. Sigmund P. Collision theory of displacement damage, ion range and sputtering. -Rev. Roum. Phys., 1972, v. 17, № 7−9, p. 823−1105.

44. Carter G., Nobes M. J. Probabilistic and deterministic approaches to surface contour evolution during sputtering. Vacuum, 1994, v. 45, № 5, p. 539−546.

45. Volkert C. A. Stress and plastic flow in silicon during amorphization by ion bombardment. J. Appl. Phys., 1991, v. 70, № 7, p. 3521−3527.

46. Volkert C. A. Density changes and viscous flow during structural relaxation of amorphous silicon. J. Appl. Phys., 1993, v. 74, № 12, p. 7107−7113.

47. Snoeks E., Weber Т., Cacciato A., Polman A. MeV ion irradiation-induced creation and relaxation of mechanical stress in silica. J. Appl. Phys., 1995, v. 78, № 7, p. 4723−4732.

48. Сотников В. M. Роль распыления и перераспыления в самоорганизации волнового рельефа при ионной бомбардировке. Поверхность, 1990, № 1, с. 102−107.

49. Сотников В. М. Движение волн регулярного рельефа, генерируемого на поверхности твердого тела, при ионной бомбардировке. Поверхность, 1990, № 6, с. 20−24.

50. Сотников В. М. Моделирование распыления рельефной поверхности ионами аргона. Поверхность, 1992, № 10−11, с. 14−20.

51. Сотников В. М. Генерация волнового рельефа в результате перемещения атомов поверхности, возбужденных при ионной бомбардировке. Известия АН, сер. физическая, 1992, № 6, с. 22−29.

52. Gutzmann A., Klaumunzer S., Meier P. Ion-Beam-Induced Surface Instability of Glassy Fe4oNi4oB2o. Phys. Rev. Let., 1995, v. 74, № 12, p. 2256−2259.

53. Hajdu C., Paszti F., Lovas I., Freid M. Stress model for the wrinkling of ion-implanted layers. Phys. Rev. B, 1990, v. 41, № 7, p. 3920−3922.

54. Freid M., Pogany L., Manuaba A., Paszti F., Hajdu C. Experimental verification of the stress model for the wrinkling of ion-implanted layers. Phys. Rev. B, 1990, v. 41,№ 7, p. 3923−3927.

55. Методы анализа поверхности: Пер. с англ. / Под ред. А. Зандерны. М.: Мир, 1979, 582 с.

56. Вудраф Д., Делгар Т. Современные методы исследования поверхности: Пер. с англ. М.: Мир, 1989, 564 с.

57. Vajo J. J., Doty R. E., Cirlin E. H. Influence of 02+ energy, flux and fluency on the formation and growth of sputteringinduced ripple topography on silicon. J. Vac. Sci. Technol. A, 1996, v. 14, № 5, p. 2709−2720.

58. Kim K. J., Moon D. W., Jung K.-H. Mechanism of Facet Formation on Ni Surface by Oxygen Ion Sputtering. Proc. of the 11-th Internat. Conf. on Secondary Ion Mass Spectrometry. SIMS XI / Eds. G. Gillen et al., Chichester: Wiley, 1998, p. 419−422.

59. Кривелевич С. А., Кибалов Д. С., Леггшин П. А., Смирнов В. К. Влияние температуры на структуру поверхности при воздействии ионных пучков. -Тез. докл. VI Межнационального совещания «Радиационная физика твердого тела». МГИЭМ, Москва, 1996, с. 105−106.

60. Смирнов В. К., Кривелевич С. А., Кибалов Д. С., Лепшин П. А. Структурирование поверхности кремния ионными пучками. Труды ФТИАН, 1997, т. 12, с. 62−85.

61. Смирнов В. К., Кривелевич С. А., Лепшин П. А., Кибалов Д. С. Морфология поверхности при бомбардировке кремния ионами азота. Материалы VII Межнационального совещания «Радиационная физика твердого тела». МГИЭМ, Москва, 1997, с. 59−61.

62. Кривелевич С. А., Кибалов Д. С., Лепшин П. А., Смирнов В. К. Влияние температуры на структуру поверхности при воздействии ионных пучков. -Физика и химия обработки материалов, 1998, № 2, с. 27−32.

63. Смирнов В. К., Лепшин П. А., Кривелевич С. А., Кибалов Д. С. Зависимость процесса рельефообразования при бомбардировке кремния ионами азота от энергии и угла бомбардировки. Неорганические материалы, 1998, т. 34, № 11, с. 1081−1084.

64. Чокин К. Ш., Переверзев Е. Ю. Пробеги ионов азота низкой энергии в кремнии. Поверхность, 1990, № 5, с. 57−60.

65. Shimizu R. Quantitative Analysis by Auger Electron Spectroscopy. Jap. J. Apply. Phys., 1983, v. 22, 1 11, p. 1631−1642.

66. Markwitz A., Baumann H., Grill W., Knop A., Krimmel E. F., Bethge K. Investigations of ultrathin silicon nitride layers produced by low-energy ion implantation and EB-RTA. Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B, 1994, v. 89, p. 362−368.

67. De Coster W., Brijs В., Alay J., Vandervorst W. RBS, AES and XPS analysis of ion beam induced nitridation of Si and SiGe alloys. Vacuum, 1994, v. 45, № 4, p. 389 395.

68. Petravic M., Williams J. S., Svensson B. G., Conway M. Ion beam induced nitridation and oxidation of silicon. Proc. of the 11-th Intern. Conf. on Secondary Ion Mass Spectrometry. SIMS XI / Eds. G. Gillen et al., Chichester: Wiley, 1998, p. 331−334.

69. Pan J. S., Wee A. T. S., Huan С. H. A., Tan H. S., Tan K. L. AES analysis of silicon nitride formation by 10 keV N+ and N-.+ ion implantation. Vacuum, 1996, v. 47, № 12, p. 1495−1499.

70. Pan J. S., Wee A. T. S., Huan С. H. A., Tan H. S., Tan K. L. AES analysis of nitridation of Si (100) by 2−10 keV N2″ ion beams. Appl. Surf. Sci., 1997, v. 115, p. 166−173.

71. Veisfeld N., Geller J. D. Ion sputtering yields measurements for submicrometer thin films. J. Vac. Sci. Tecnol. A, 1988, v. 6, p. 2077;2081.

72. Wittmaack K., Poker D. B. Interface broadening in sputtering depth profiling through alternating layers of isotopically purified silicon. 1. Experimental results. -Nucl. Instr. Meth. B, 1990, v. 47, p. 224−235.

73. Wittmaack K. The effect of the angle of incidence on secondary ion yields of oxygen bombarded solids. — Nucl. Instr. Meth., 1983, v. 218, p. 307−311.

74. Homma Y., Maruo T. Comparison of Beam induced Profile Broadening Effects of Galium and Copper in Oxygen — Bombarded Silicon. — Surf. Interf. Anal., 1989, v. 14, p. 725−729.

75. Bischoff L., Teicchert J. Focused Ion Beam Sputtering of Silicon and Related Materials. Manuscript FZR-217, Foschungszentmm, Rossendorf, 1998, 36 p.

76. Берт H. А., Сошников И. П. Изучение распыления фосфида, арсенида и антимонида галлия при бомбардировке ионами Аг+ с энергией 2−8 кэВ. ФТТ, 1993, т. 35, с. 2501−2508.

77. Берт Н. А., Сошников И. П. Распыление полупроводниковых мишеней AlxGaixAs Аг+ ионами с энергией 2−14 кэВ. ЖТФ, 1997, т. 67, с. 113−117.

78. Зигмунд П. Распыление ионной бомбардировкой, общие теоретические представления. В кн. «Распыление твердых тел ионной бомбардировкой» / Под ред. Р. Бериша, М.: Мир, 1984, с. 23−98.

79. Reuter W. A SIMS-XPS study on silicon and germanium under 02+ bombardment. -Nucl. Instr. Meth. B, 1986, v. 15, p. 173−175.

80. Белый В. И., Васильева JI. Л., Гриценко В. А., Гинковер А. С., Репинский С. М., Синица С. П., Смирнова Т. П., Эдельман Ф. Л. Нитрид кремния в электронике. Новосибирск, Наука, 1981, 200 с.

81. Sander P., Kaiser U., Jede R., Lipinsky D., Gnschow O., Benninghoven A. Secondary ion and neutral formation from oxygen loaded Si (100). J. Vac. Sci. Technol. A, 1985, v. 3, p. 1946;1954.

82. Warmoltz N., Werner H. W., Morgan A. E. The dependence of the angle of incidence of the steady state sputter yield of silicon bombarded by oxygen ions. -Surf. Interf. Anal., 1980, v. 2, p. 46−52.

83. Андерсен X., Бай X. Измерения коэффициента распыления. В кн. «Распыление твердых тел ионной бомбардировкой» / Под ред. Р. Бериша, М.: Мир, 1984, с. 194−280.

84. Накамото К. Инфракрасные спектры неорганических и координационных соединений. М.: Мир, 1966, 411 с.

85. Smirnov V. К., Simakin S. G., Potapov Е. V., Makarov V. V. SIMS Depth Profiling of Delta Doped Layers in Silicon. Surf. Interf. Anal., 1996, v. 7, p. 469−475.

86. Stein H. J. Nitrogen in crystalline Si. Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1986, v. 59, p. 523−535.

87. Luckovsky G., Yang J., Chao S. S., Tyler J. E., Crubyty W. Nitrogen-bonding environments in glow-discharge deposited a-SiH films. Phys. Rev. B, 1983, v. 28, № 6, p. 3234−3240.

88. Волгин Ю. H., Уханов Ю. И. Колебательные спектры нитрида кремния. -Оптика и спектр., 1975, т. 38, с. 727−730.

89. Вагин С. П., Реутов В. Ф., Сигле В. О., Чакров П. В. Исследование методом просвечивающей электронной микроскопии дефектной структуры кремния вдоль пробега низкоэнергетических ионов азота. Поверхность, 1992, № 1, с. 48−55.

90. Качурин Г. А., Тысченко И. Е., Попов В. П., Тийс С. А., Плотников А. Е. Имплантация азота в кремний при 700−1100°С. Физика и техника полупроводников, 1989, т. 23, вып. 3, с. 434−438.

91. Wittmaack К. Artifacts in low-energy depth profiling using oxygen primary ion beam beams: Dependence on impact angle and oxygen flooding conditions. J. Vac. Sci. Technol. B, 1998, v. 16, № 5, p. 2776−2784.

92. Кривелевич С. А., Смирнов В. К., Лепшин П. А. Механизм структурирования поверхности полупроводниковых материалов ионными пучками с учетом химической активности ионов. Микроэлектроника, 1998, № 3, с. 221−226.

93. Carter G., Vishnyakov V. Roughening and ripple instabilities on ion-bombarded Si.- Phys. Review B, 1996, v. 54, № 24, p. 54−64.

94. Carter G. Viscoelastic Relaxation on sputter-depth Profiling of Amorphous Materials. Surf. Interf. Anal., 1997, v. 25, p. 36−40.

95. Rudy A.S., Smirnov V.K. A model of Wave-Like Structures Formed by Ion Sputtering of Amorphous Materials. Physica Status Solidi (b), 1999, v. 213, № 1, p. R1-R2.

96. Бачурин В. И., Лепшин П. А., Смирнов В. К., Чурилов А. Б. Инфракрасная спектроскопия поверхности кремния, подвергнутого бомбардировке ионами азота. Письма в ЖТФ, 1998, т. 24, № 6, с. 18−23.

97. Бачурин В. И., Лепшин П. А., Смирнов В. К., Чурилов А. Б. Исследования процесса формирования нитрида кремния при бомбардировке поверхности ионами азота. Известия РАН, Сер. физич., 1998, т. 62, № 24, с. 703−709.

98. Бачурин В. И., Лепшин П. А., Смирнов В. К. Угловые зависимости распыления кремния ионами азота. Материалы XIV Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», Москва, 1999, (в печати).

99. Бачурин В. И., Смирнов В. К., Алексеев И. В. Исследование механизмов распыления диоксида кремния ионами азота. Тез. докл. Российской конф. «Микроэлектроника — 94», Москва, 1994, ч. 2, с, 539−540.

100. Симакин С. Г., Смирнов В. К., Жохов А. В. Количественный послойный анализ кислорода в кремнии в широком диапазоне концентраций с коррекцией шкалы глубин методом ВИМС при бомбардировке поверхности ионами N2+. Поверхность, 1994, № 10, с. 65−73.

101. Ishikawa Y., Shibata N., Fukatsu S. Fabrication of 110.-aligned Si quantum wires embedded in Si02 by low-energy oxygen implantation. Nucl. Inst, and Meth. B, 1999, v. 147, p. 304−309.

102. Технология СБИС: В 2-х кн. Кн. 1. Пер. с англ./ Под ред. С. Зи. М.: Мир, 1986, 404 с.

103. Наумкин А. В. Исследование информационных параметров Ожеэмиссии при ионном возбуждении элементов с z== 11 -18 и 22−23 для целей количественного Ожеанализа. Диссерт. на соиск. уч. степ. канд. физ.-мат. наук, Москва, 1988, с. 175.