Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Синтез методов и средства неразрушающего контроля качества полупроводниковых изделий на основе моделей неизотермического токораспределения в приборных структурах

Диссертация: Синтез методов и средства неразрушающего контроля качества полупроводниковых изделий на основе моделей неизотермического токораспределения в приборных структурах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Как показывают многочисленные исследования, испытания и анализ отказов радиоэлектронных компонетов РЭА в реальных условиях эксплуатации предельные функциональные возможности и надежность даже бездефектных полупроводниковых изделий, и в особенности мощных 111 111 и ИС, во многом определяются эффектами неоднородного, а при некоторых режимах и неустойчивого, распределения плотности тока, мощности… Читать ещё >

Содержание

  • Глава II. ервая. Модели токораспределения и теплоэлектрических процессов в полупроводниковых изделиях
    • 1. 1. Теплоперенос и термогенерация в полупроводниковых изделиях
      • 1. 1. 1. Теплоперенос в конструкциях полупроводниковых изделий
      • 1. 1. 2. Процессы термогенерации в приборных структурах
      • 1. 1. 3. Токораспределение в базовых приборных структурах
    • 1. 2. Теплоэлектрические модели полупроводниковых изделий
      • 1. 2. 1. Линейные тепловые модели
      • 1. 2. 2. Нелинейные теплоэлектрические модели
      • 1. 2. 3. Тепловая неустойчивость токораспределения
      • 1. 2. 4. Предельные режимы работы полупроводниковых изделий
      • 1. 2. 5. Тепловые модели полупроводниковых изделий с дефектами
    • 1. 3. Обобщенная аналитическая модель токораспределения
    • 1. 4. Квазилинейная модель локальной тепловой обратной связи
      • 1. 4. 1. Самосогласованный теплоэлектрический режим
      • 1. 4. 2. Температурные поля в структурах с неоднородностями
    • 1. 5. Квазилинейная тепловая модель с поперечным теплопереносом
    • 1. 6. Выводы
  • Глава вторая. Неизотермическое токораспределение в бездефектных приборных структурах
    • 2. 1. Токораспределение в биполярных гребенчатых структурах
      • 2. 1. 1. Модель и исходная система уравнений
      • 2. 1. 2. Изотермическое приближение
      • 2. 1. 3. Приближение локальной тепловой обратной связи
      • 2. 1. 4. Экспериментальная проверка аналитических моделей
      • 2. 1. 5. Выравнивание и повышение устойчивости токораспределения
    • 2. 2. Эффект оттеснения эмиттерного тока в биполярных структурах
      • 2. 2. 1. Структуры с круглым эмиттером
      • 2. 2. 2. Влияние лавинного умножении в коллекторном переходе
      • 2. 2. 3. Гребенчатые структуры с длинными дорожками
    • 2. 3. Токораспределение в полевых транзисторах
    • 2. 4. Токораспределение в термисторных структурах
      • 2. 4. 1. Термисторы цилиндрической конструкции
      • 2. 4. 2. Термисторы бусинковой конструкции
    • 2. 5. Неизотермическое токораспределение в диодных структурах
    • 2. 6. Выводы
  • Глава третья. Аналитические модели теплоэлектрических процессов в полупроводниковых изделиях с дефектами
    • 3. 1. Квазистационарный теплоэлектрический режим
      • 3. 1. 1. Приближение локальной тепловой обратной связи
      • 3. 1. 2. Оценка влияния поперечного теплопереноса
    • 3. 2. Переходные тепловые процессы в структурах с дефектами
      • 3. 2. 1. Нагрев импульсной мощностью
      • 3. 2. 2. Нагрев линейно нарастающей мощностью
      • 3. 2. 3. Нагрев периодической мощностью
    • 3. 3. Тепловые процессы в многоэлементных структурах
    • 3. 4. Тепловые процессы в симметричных транзисторных структурах
      • 3. 4. 1. Модель и основные уравнения
      • 3. 4. 2. Влияние температуры на устойчивость токораспределения
      • 3. 4. 3. Особенности теплоэлектрических процессов в гребенчатых структурах с неоднородностями
    • 3. 5. Выводы
  • Глава. четвертая. Методы и средства измерения теплофизических характеристик полупроводниковых изделий
    • 4. 1. Задачи и пути совершенствования методов и средств измерения тепловых параметров полупроводниковых изделий
      • 4. 1. 1. Анализ современных косвенных методов и средств измерения температуры в приборных структурах
      • 4. 1. 2. Принципы и особенности измерения тепловых характеристик полупроводниковых изделий в непрерывном режиме
    • 4. 2. Измерение тепловых параметров полупроводниковых изделий с применением гармонического закона изменения мощности
      • 4. 2. 1. Отклик температуры на гармоническую греющую мощность
      • 4. 2. 2. Преобразование теплового импеданса двухполюсников
      • 4. 2. 3. Измерение теплового импеданса стабилитронов
      • 4. 2. 4. Измерение теплового импеданса двухполюсников с симметричной ВАХ
      • 4. 2. 5. Измерение теплового импеданса биполярных транзисторов
    • 4. 3. Применение комбинации гармонической и линейно изменяющейся греющей мощности для измерения теплоэлектрических характеристик
    • 4. 4. Измерение теплофизических характеристик полупроводниковых изделий с применением импульсно-модулированной греющей мощности
      • 4. 4. 1. Измерение тепловых параметров диодов
      • 4. 4. 2. Измерение тепловых параметров биполярных транзисторов
      • 4. 4. 3. Методы и средства измерения тепловых параметров ЦИС
      • 4. 4. 4. Метод температурных волн для диагностики ЦИС
    • 4. 5. Измерение теплофизических характеристик полупроводниковых изделий методом сравнения
      • 4. 5. 1. Измерение теплового сопротивления двухполюсников
      • 4. 5. 2. Измерение теплового сопротивления биполярных транзисторов
      • 4. 5. 3. Измерение теплового сопротивления МДП транзисторов
    • 4. 6. Измерение параметров тепловой неустойчивости токораспределения в мощных биполярных транзисторах
      • 4. 6. 1. Средства измерения параметров «пятнообразования»
      • 4. 6. 2. Автоматизированный контроль температурной границы области безопасной работы мощных биполярных транзисторов
    • 4. 7. Выводы
  • Глава II. ятая. Экспериментальные исследования теплофизических характеристик полупроводниковых изделий
    • 5. 1. Теплофизические характеристики мощных биполярных транзисторов
      • 5. 1. 1. Зависимости температурного коэффициента прямого падения напряжения на эмиттерном переходе от тока и температуры
      • 5. 1. 2. Зависимости тепловых параметров от параметров электрического режима и температуры корпуса
      • 5. 1. 3. Термодеформации транзисторных структур
    • 5. 2. Влияние внешних факторов на условия и параметры локализации тока в мощных ВЧ и СВЧ транзисторах
      • 5. 2. 1. Зависимость параметров локализации тока от температуры
      • 5. 2. 2. Оценка параметров «горячих пятен»
      • 5. 2. 2. Влияние проникающих излучений
    • 5. 3. Теплофизические характеристики стабилитронов
    • 5. 4. Теплофизические характеристики цифровых интегральных схем
    • 5. 5. Выводы
  • Глава III. естая. Влияние тепловых параметров полупроводниковых изделий на характеристики электронных устройств
    • 6. 1. Усилители с симметричным включением биполярных транзисторов
      • 6. 1. 1. Искажения тепловой природы в дифференциальном каскаде
      • 6. 1. 2. Искажения тепловой природы в двухтактных усилителях
    • 6. 2. Тепловые переходные процессы в транзисторных ключах
    • 6. 3. Погрешности тепловой природы измерительных преобразователей с дифференциальным включением датчиков
    • 6. 4. Выводы
  • Глава. седьмая. Контроль качества полупроводниковых изделий по теплофизическим характеристикам
    • 7. 1. Физико-технические основы обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий
      • 7. 1. 1. Причины, механизмы и статистические закономерности проявления отказов полупроводниковых изделий
      • 7. 1. 2. Методы неразрушающего контроля
    • 7. 2. Контроль качества мощных биполярных транзисторов
      • 7. 2. 1. Отказы мощных транзисторов при электротермотренировке
      • 7. 2. 2. Отбраковка по переходным тепловым характеристикам
      • 7. 2. 3. Контроль качества по тепловому сопротивлению
      • 7. 2. 4. Оценка качества по параметрам тепловой неустойчивости
    • 7. 3. Контроль качества полупроводниковых диодов
    • 7. 4. Контроль качества интегральных микросхем
      • 7. 4. 1. Контроль качества линейных интегральных схем
      • 7. 4. 2. Контроль качества цифровых интегральных схем
      • 7. 4. 3. Оценка стойкости к повреждению цифровых интегральных схем при действии коротких импульсов напряжения
    • 7. 5. Выводы

Синтез методов и средства неразрушающего контроля качества полупроводниковых изделий на основе моделей неизотермического токораспределения в приборных структурах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность проблемы. Постоянное повышение требований к качеству и надежности радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) определяет необходимость применения комплекса мер по обеспечению высокого качества и надежности изделий электронной техники (ИЭТ), составляющих основу элементной базы современной РЭА: полупроводниковых приборов (111 111) и интегральных схем (ИС). Одним из перспективных направлений при формировании такого комплекса мер является разработка и совершенствование методов и средств неразрушающего контроля и диагностики качества полупроводниковых изделий. Такие методы и средства активно разрабатываются по мере изменения и совершенствования технологии производства 111 111 и ИС, появления новых классов приборов, расширения их функциональных возможностей и областей применения. Они основываются на комплексном исследовании физических процессов в структуре и конструкции изделий, которые приводят к отказам или ускоряют их наступление. При этом особое внимание уделяется изучению роли в этих процессах различного рода дефектов структуры и конструкции изделий.

Как показывают многочисленные исследования, испытания и анализ отказов радиоэлектронных компонетов РЭА в реальных условиях эксплуатации предельные функциональные возможности и надежность даже бездефектных полупроводниковых изделий, и в особенности мощных 111 111 и ИС, во многом определяются эффектами неоднородного, а при некоторых режимах и неустойчивого, распределения плотности тока, мощности и температуры в приборных структурах. Различного рода дефекты структуры и конструкции 111 111 и ИС приводят как правило к увеличению неоднородности распределения плотности мощности и температуры в структурах изделий, что существенно ограничивает диапазон допустимых электрических режимов, ускоряет механизмы деградации и отказов изделий. Указанные выше эффекты проявляются в отклонении реальных теплофизиче-ских характеристик (ТФХ) 111 111 и ИС от расчетных. Физико-технические основы методов неразрушающего контроля качества полупроводниковых изделий по ТФХ заложены в работах Н. М. Ройзина, В. Л. Аронова, Я. А. Федотова, Н. Н. Горюнова, Д. К. Закса, Б. С. Кернера, Б. К. Петрова, В. Ф. Сынорова, В. Ф. Синкевича, А. А. Чернышева и др. К началу 80-х годов был накоплен значительный опыт разработки и применения таких методов.

Широко используемые в исследовательской практике прямые и бесконтактные методы измерения температурных полей 111 111 и ИС, основанные на регистрации инфракрасного излучения с поверхности приборных структур и применении различного рода термоиндикаторов, нетехнологичны, имеют низкое быстродействие, трудно поддаются автоматизации и не применимы на стадиях выходного и входного контроля качества. Значительная группа методов диагностики качества основана на выявлении аномалий неизотермических ВАХ полупроводниковых изделий при появлении неустойчивости токораспределения в приборных структурахпри этом изделие в процессе контроля подвергается запредельным энергетическим воздействиям, что ограничивает применение этих методов в производственных условиях. Применяемые в производственных условиях косвенные методы контроля тепловых свойств 111 111 и ИС сводятся к измерению отдельных тепловых параметров (теплового сопротивления переход-корпус) в фиксированном электрическом режиме. С точки зрения оценки тепловых свойств 111 111 и ИС в реальных условиях применения и режимах работы информативность этих методов невысокапри расчетах функциональных свойств, тепловых режимов и надежности электронных устройств используются усредненные значения тепловых параметров 111 111 и ИС, без учета их зависимости от параметров электрического режима и внешних воздействий.

Таким образом, совершенствование известных и разработка новых эффективных промышленно ориентированных методов и средств нераз-рушающего контроля качества полупроводниковых изделий, позволяющих более адекватно оценивать неоднородность распределения тока и температуры в приборных структурах, температурные запасы и параметры предельных режимов работы изделий с учетом условий их применения, представляет актуальную задачу.

Цель и задачи исследования

Целью работы является совершенствование известных и разработка новых более эффективных производственно ориентированных методов и средств неразрушающего контроля и повышение достоверности оценки качества полупроводниковых изделий по интегральным теплофизическим характеристикам с учетом условий применения и режимов эксплуатации изделий в электронных устройствах.

Для достижения поставленной цели были поставлены следующие задачи:

1. Разработать аналитические физико-математические модели теплоэлек-трических процессов в структурах полупроводниковых изделий, позволяющие рассчитывать эффекты неоднородного распределения тока, плотности мощности и температуры, вызванные регулярными и случайными неодно-родностями структуры и конструкции изделия, температурной зависимостью плотности мощности и эффектами поперечного теплопереноса.

2. Показать возможность аналитического количественного описания влияния различного рода неоднородностей и дефектов структуры и конструкции полупроводниковых изделий на кинетику перераспределения мощности и температуры и устойчивость токораспределения в приборных структурах.

3. Проанализировать проявление эффектов неоднородного токораспределения в приборных структурах на интегральных теплоэлектрических характеристиках полупроводниковых изделий и на этой основе исследовать возможности применения комбинации различных видов модуляции греющей мощности для синтеза более эффективных по сравнению с известными косвенных методов и средств измерения теплофизических характеристик полупроводниковых изделий, в частности зависимостей теплового импеданса приборов от частоты и параметров электрического режима.

4. Исследовать механизмы влияния температуры окружающей среды и проникающих излучений на тепловые параметры и устойчивость токо-распределения в мощных биполярных ВЧ и СВЧ транзисторах.

5. Аналитически оценить влияние разброса тепловых параметров полупроводниковых изделий на характеристики электронных устройств с их применением, в частности с симметричным включением активных элементов.

6. Исследовать статистические закономерности и особенности выборочных распределений базовых типов ППП по величине теплофизических параметров. По результатам ускоренных испытаний определить возможность и оценить эффективность отбраковки потенциально ненадежных приборов по диагностическим, в том числе теплофизическим параметрам.

Методы исследований. При решении поставленных задач использовались базовые положения физики полупроводников и полупроводниковых приборов, методы теории теплопереноса, математической физики и математической статистики, а также численные методы с применением ЭВМ. Обработка экспериментальных результатов проводилась с использованием методов и алгоритмов теории погрешностей.

Научная новизна.

1. Развита аналитическая теплоэлектрическая модель планарных структур 111 111 и ИС, связывающая неизотермическое распределение плотности мощности и температуры в активной области структуры с изотермической неоднородностью плотности мощности, обусловленной действием регулярных и случайных причин различной физической природы, с учетом влияния поперечного теплопереноса.

2. Впервые теоретически получены и экспериментально подтверждены аналитические выражения для неизотермического токораспределения в структурах биполярных транзисторов с учетом совместного влияния распределенных сопротивлений токоведущей металлизации, активных и пассивных областей структуры и зависимости коэффициента передачи тока от эмиттерного тока и коллекторного напряжения. Показано, что лавинное умножение в коллекторном переходе приводит к уменьшению неоднородности токораспределения, обусловленной эффектом оттеснения эмиттерного тока. Показана возможность и определены условия применимости двухсекционной модели токораспределения, согласно которой полный ток транзистора в процессе работы перераспределяется между двумя частями активной области структуры, разделенной линией средней плотности тока, форма и размеры которых не зависят от параметров электрического режима.

3. На основе моделей неизотермического токораспределения в базовых приборных структурах (биполярных и полевых транзисторов, диодов и термисторов) установлена связь неоднородности распределения тока и температуры с интегральными теплоэлектрическими характеристиками изделий. В частности, у термисторов с цилиндрической симметрией внутренняя ТОС проявляется в квадратичной зависимости полного сопротивления термистора от мощности постоянного тока.

4. На основе дискретной теплоэлектрической модели выявлены различия кинетики перераспределения плотности мощности и температуры в структурах с теплофизическими и электрофизическими дефектами при изменении греющей мощностиустановлена связь параметров дефектов с предельной мощностью, рассеиваемой структурой.

5. Разработаны научно-технические основы синтеза автоматизированных косвенных методов и средств измерения теплофизических характеристик полупроводниковых изделий с применением комбинаций различных видов модуляции греющей мощности (гармонической, линейной, амплитудно-, частотнои широтно-импульсной).

6. Разработаны новые, более быстродействующие по сравнению с известными, способы и устройства измерения теплофизических параметров и характеристик полупроводниковых приборов методом сравнения.

7. Впервые экспериментально установлено и теоретически объяснено: наличие минимума на зависимости напряжения локализации тока в мощных ВЧ биполярных транзисторах от температуры корпуса и возрастание напряжения локализации тока в мощных ВЧ и СВЧ биполярных транзисторов при уоблучении с ростом дозы облучения.

8. Впервые теоретически рассмотрены и получены расчетные формулы для оценки дополнительных погрешностей и искажений сигналов в электронных устройствах с симметричным включением активных элементов, обусловленных технологическим разбросом тепловых параметров активных элементов.

9. Выявлены условия, причины и закономерности проявления двухмо-дальности распределений мощных биполярных транзисторов по величине теплового сопротивления. На основе выборочных испытаний показано, что во вторую моду распределения попадают дефектные приборы с аномально неоднородным распределением тока и температуры в структуре. Практическая ценность и реализация результатов работы.

1. Предложены рекомендации по изменению геометрии структур и конструкции мощных биполярных транзисторов, позволяющие уменьшить неоднородность токораспределения и повысить устойчивость транзисторов к тепловому пробою.

2. Разработан комплекс методов и средств диагностики качества 111 111 и ИС по зависимостям теплового импеданса изделий от частоты и мощности, в частности метод температурных волн для диагностики качества ППП и ИС с распределенными независимыми источниками тепла, а также способ и устройство автоматизированного контроля температурной границы области безопасной работы мощных биполярных транзисторов.

3. Разработаны и внедрены на промышленных предприятиях, в конст-рукторско-технологических бюро, научных организациях и учебных заведениях гамма измерительных приборов, установок и устройств, а также соответствующие методики для контроля качества и отбраковки ППП и ИС по теплофизическим характеристикам:

— Установка для измерения теплофизических параметров мощных транзисторов УИТЭП внедрена на входном контроле п/я В-8828;

— Установка для измерения теплоэлектрических параметров мощных транзисторов УИТП-1МТ внедрена на заводе «Искра»;

— Установка для измерения теплоэлектрических параметров аналоговых микросхем УИТЭП-2 внедрена на входном контроле п/я В8828;

— Установка для измерения теплоэлектрических параметров логических интегральных микросхем УИТЭП-3 внедрена на п/я В8828;

— Установка для измерения теплоэлектрических параметров мощных транзисторов УИТЭП-1М внедрена на Сарапульском радиозаводе;

— Измеритель теплового сопротивления СВЧ диодов (в составе установки УИТЭП-4) внедрен на Ульяновском механическом заводе;

— Установка для контроля качества мощных транзисторов внедрена на Ульяновском радиоламповом заводе.

4. Разработаны рекомендации по выбору оптимальных режимов измерений теплофизических параметров 111 111 и ИС в целях диагностики качества. Получены параметры статистических распределений мощных транзисторов по величине теплового сопротивления и напряжения локализации тока, необходимые при проектировании электронных блоков и узлов РЭА с их применением.

Результаты диссертационной работы используются в учебном процессе на радиотехническом факультете Ульяновского государственного технического университета при проведении занятий по дисциплинам «Основы метрологии и радиоизмерений» и «Метрология, стандартизация и сертификация» для студентов специальности «Радиотехника» и «Телекоммуникации», а также при подготовке и проведении спецкурсов и ежегодных школ-семинаров в совместном учебно-научном центре УлГТУ и УО ИРЭ РАН, созданном в рамках проектов А-0066 и Б 0107 ФЦП «Интеграция» .

Апробация работы. Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на: Всесоюзной НТК «Вопросы теории проектирования аналоговых измерительных преобразователей» (Ульяновск, 1980) — Межвузовской НТК «Автоматизация контрольно-поверочных работ в электроприборостроении» (Ульяновск, 1986) — Всесоюзной НТК «Пути развития электронных средств и задачи высшей школы в подготовке специалистов соответствующей квалификации» (Ульяновск, 1991) — Международной НТК «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (Саратов, 1996) — Региональной научно-практической конференции «Наука производству: Конверсия сегодня» (Ульяновск, 1997) — Всероссийской НТК «Современные проблемы проектирования и эксплуатации радиотехнических систем» (Ульяновск, 1998) — Международной НТК «Методы и средства преобразования и обработки аналоговой информации» (Ульяновск, 1999) — Ежегодной школе-семинаре «Актуальные проблемы физической и функциональной электроники» (Ульяновск, 1999, 2000, 2001, 2002) — VIII-ой и IX-ой Международных НТК «Оптические, радиоволновые и тепловые методы и средства контроля качества материалов, промышленных изделий и окружающей среды» (Ульяновск, 2000, 2004) — V-ой Всесоюзной НТК «Методы и средства измерений физических величин» (Нижний Новгород, 2000) — Международной НТК «Континуальные логико-алгебраические исчисления и нейроматематика в науке, технике и экономике» (Ульяновск, 2001, 2005) — 2-ой Международной НТК «Измерение, контроль, информатиза-ция» (Барнаул, 2001) — Всероссийской НТК «Современные проблемы радиоэлектроники» (Красноярск, 2001) — 3-ей Всероссийской НТК «Современные проблемы создания и эксплуатации радиотехнических систем» (Ульяновск, 2001) — Всероссийской НТК «Приборы и приборные системы» (Тула, 2001) — Международной НПК «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения"-МШШАТ1С-2004 (Москва, 2004).

На защиту выносятся:

1. Теоретическая модель, аналитические выражения и результаты расчетов неизотермического токораспределения в базовых приборных структурах с совместным учетом влияния распределенных сопротивлений токоведущей металлизации, пассивных и активных областей приборных структур в приближении локальной тепловой обратной связи (самосогласованного тепло-электрического режима), а также рекомендации по повышению однородности и устойчивости токораспределения в мощных биполярных транзисторах путем изменения геометрии и оптимизации параметров структуры и конструкции приборов.

2. Обобщенная дискретная теплоэлектрическая модель, результаты расчета распределения тока и температуры, переходных теплофизических характеристик и условий тепловой неустойчивости в структурах 111 111 и ИС с неоднородностями и дефектами различной физической природы.

3. Технические принципы и конкретные способы и структурные схемы устройств для автоматизированного косвенного измерения теплофизических характеристик 111 111 и ИС и параметров тепловой неустойчивости биполярных транзисторов, основанные на комбинированном применении различных видов модуляции греющей мощности: гармонической, линейной, амплитудно-, частотнои широтно-импульсной, включая метод температурных волн диагностики качества цифровых интегральных схем, а также способ и структурную схему устройства автоматизированного контроля температурной границы области безопасной работы мощных биполярных транзисторов.

4. Теоретическое обоснование и конкретные реализации нового метода измерения тепловых параметров дискретных 111 111 — метода сравнения.

5. Результаты экспериментальных исследований зависимостей теплового импеданса биполярных транзисторов, стабилитронов и цифровых интегральных микросхем от частоты и параметров режима измерения.

6. Результаты экспериментального исследования и анализа влияния температуры и проникающих излучений на тепловую неустойчивость то-кораспределения в мощных ВЧ и СВЧ биполярных транзисторах.

7. Расчетные формулы для оценки погрешностей и искажений сигналов в электронных устройствах с симметричным включением преобразовательных и активных элементов, обусловленных технологическим разбросом тепловых параметров П1111.

8. Статистические закономерности и особенности выборочных распределений ППП и ИС различных классов по величине тепловых параметров, результаты выборочных ускоренных испытаний и разработанные на этой основе методики отбраковки дефектных и потенциально ненадежных приборов. Методика оценки качества ППП и ИС по крутизне зависимости теплового сопротивления переход корпус от греющей мощности.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 98 научных работ, включая 1 монографию, 49 научных статей, 17 тезисов докладов на научно-технических конференциях и семинарах, 1 учебно-методические указания, 5 отчетов о НИР, 25 авторских свидетельств и патентов на изобретения.

Личный вклад автора. Основные научные результаты получены автором лично. В большинстве научных работ и изобретениях, выполненных в соавторстве, автор определял постановку задачи и разрабатывал теоретические модели для описания исследуемых явлений. Идея ряда исследований и изобретений принадлежат профессору Н. Н. Горюнову. Реализация прикладных разработок и экспериментов осуществлялась с участием А. А. Широкова, О. А. Дулова, сотрудников и студентов кафедры «Радиотехника» УлГТУ. Работы по внедрению результатов исследований проводились под руководством и при личном участии автора.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, семи глав, заключения, списка литературы, включающего 302 наименования, 13 приложений. Общий объем диссертации составляет 328 страниц и содержит 14 таблиц и 147 рисунков.

Основные результаты работы, изложенные в седьмой главе, опубликованы в статьях [170, 171, 177, 180, 182, 222], представлены в отчетах о НИР [76, 77, 142, 143, 144] и доложены на научно-технических конференциях [201, 203].

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В результате выполнения комплекса научно-технических исследований осуществлено решение научной проблемы, имеющей важное народнохозяйственное значение — разработаны теоретические основы и технические принципы создания эффективных автоматизированных методов и средств диагностического контроля качества полупроводниковых изделий по теп-лофизическим характеристикам. Основные результаты и выводы, полученные при решении данной проблемы, заключаются в следующем.

1 Развита квазилинейная аналитическая теплоэлектрическая модель планарных структур ППП и ИС, связывающая неизотермическое распределение плотности мощности и температуры в активной области структуры с исходной изотермической неоднородностью, обусловленной действием причин различной физической природы, с учетом влияния поперечного теплопе-реноса. Установлено, что крутизна зависимости средней температуры активной области структуры с неоднородностью от полной мощности потерь пропорциональна мере неоднородности.

2. Теоретически получены и экспериментально подтверждены аналитические выражения для неизотермического токораспределения в структурах биполярных транзисторов с учетом влияния распределенных сопротивлений токоведущей металлизации, активных и пассивных областей структуры и зависимости коэффициента передачи тока от эмиттерного тока и коллекторного напряжения. Показано, что при постоянном токе эмиттера с ростом коллекторного напряжения неоднородность токораспределения растет, а эффективная площадь эмиттера уменьшается, по закону (UUкэ)-1- падение напряжения на сопротивлении пассивных областей приводит к ограничению роста неоднородности токораспределенияпри преобладающем действии одной из причин неоднородного токораспределения форма и положение линии средней плотности тока, разделяющей активную область структуры на две части, между которыми в процессе работы транзистора перераспределяется полный ток, не зависят от параметров режималавинное умножение в коллекторном переходе приводит к уменьшению неоднородности токораспределения, обусловленной эффектом оттеснения эмиттерного тока;

Предложены варианты геометрии гребенчатых структур и конструкции мощных БТ, позволяющие уменьшить неоднородность токораспределения и повысить устойчивость транзисторов к тепловому пробою.

3. Установлена связь неоднородности распределения тока и температуры в базовых приборных структурах (биполярных и полевых транзисторов, полупроводниковых диодов и термисторных датчиков) с интегральными те-плоэлектрическими храктеристиками изделий. В частности, у термисторов с цилиндрической симметрией внутренняя ТОС проявляется в квадратичной зависимости полного сопротивления термистора от мощности постоянного тока и приводит к дополнительным погрешностям термисторных датчиков.

4. На основе дискретной теплоэлектрической модели приборной структуры с дефектами выявлено различие кинетики перераспределения плотности мощности и температуры в структурах с электрофизическими и теплофи-зическими дефектами при изменении греющей мощностиустановлена связь параметров дефектов с предельной мощностью, рассеиваемой структурой.

5. Разработаны научно-технические основы синтеза автоматизированных косвенных методов и средств измерения теплофизических характеристик полупроводниковых изделий с применением комбинаций различных видов модуляции греющей мощности (гармонической, линейной, амплитудно-, частотнои широтно-импульсной).

6. Теоретически обоснованы и разработаны новые, более быстродействующие по сравнению с известными, способы и устройства измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов методом сравнения.

7. Разработаны и экспериментально апробированы на различных классах приборов методы и средства диагностики качества ППП и ИС по зависимостям теплового импеданса от частоты и мощности, включая метод температурных волн для диагностики качества ИС, а также способ и устройство автоматизированного контроля температурной границы области безопасной работы мощных биполярных транзисторов.

8. Разработаны средства измерения параметров тепловой неустойчивости мощных биполярных транзисторов, имеющие более высокую точность по сравнению с известными. С помощью указанных средств впервые экспериментально установлено и на основе развитых моделей неизотермического токораспределения теоретически объяснено: наличие минимума на зависимости напряжения локализации тока в мощных ВЧ биполярных транзисторах от температуры корпуса;

— возрастание напряжения локализации тока в мощных ВЧ и СВЧ биполярных транзисторов при уоблучении с ростом дозы облучения;

9. Впервые теоретически рассмотрены и получены расчетные формулы для оценки дополнительных погрешностей и искажений сигналов в электронных устройствах с симметричным включением активных элементов, обусловленных технологическим разбросом тепловых параметров активных элементов.

10. Получены параметры статистических распределений мощных транзисторов по величине теплового сопротивления и напряжения локализации тока в различных режимах измерения, необходимые при проектировании электронных блоков и узлов РЭА с их применением. Выявлены условия, основные причины и закономерности проявления двухмодальности распределений мощных биполярных транзисторов по величине теплового сопротивления при изменении режимов измерения. На основе выборочных испытаний показано, что во вторую моду распределения попадают дефектные приборы с аномально неоднородным распределением тока и температуры в структуре.

11. Разработаны и внедрены на промышленных предприятиях, в кон-структорско-технологических бюро и научных организациях установки и устройства для измерения тепловых параметров и теплоэлектрических характеристик 111 111 и ИС, а также методики контроля качества и отбраковки 111 111 и ИС по теплофизическим характеристикам.

Показать весь текст

Список литературы

  1. К.П., Квурт А. Я., Миндлин Н. Л., Рубаха Е. А., Синкевич В. Ф. Исследование переходных тепловых характеристик транзисторных структур с дефектами// Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы.-1982.- Вып. 5. С. 66−70.
  2. И.И., Харитонов В. В. Численный анализ явлений переноса в полупроводниковых приборах и структурах. 1. Общие принципы построения методов решения фундаментальной системы уравне-ний//Инженерно-физический журнал. 1983. — № 2. — С. 284−293.
  3. И.И., Харитонов В. В. Численное моделирование элементов интегральных схем с учетом тепловых эффектов// Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. 1988. — № 12. — С. 41−45.
  4. Д.Ю., Адамов Ю. Ф., Мокеров В. Г., Щевелев И. М. Расчет элементов защиты от электростатического разряда для микросхем на арсе-ниде галлия//Радиотехника и электроника 1998. — № 4. — С. 485−493.
  5. А.С., Лукица И. Г. Потерять качество потерять независимость// Петербургский журнал электроники. — 2002. — № 2. — С. 3−14.
  6. В.В., Годовицин В. А., Громов Д. В., Кожевников А. С., Раваев А. А. Влияние мощных импульсных микроволновых помех на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы//Зарубежная радиоэлектроника. 1995. — № 1. — С. 37−53.
  7. В.Л., Козлов В. А. Определение теплового сопротивления транзисторов с использованием дифференциальных параметров//Сборник научных трудов «Полупроводниковые приборы и их применение» /Под ред. Я. А. Федотова. М.: Сов. радио, 1965.- Вып.14.- С. 72−94.
  8. В.Л., Концевой Ю. А., Кудрявцев Е. Н., Морозов Ю. И., Родионов А. В. Исследование рекомбинационного излучения мощных СВЧ транзисторов//Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1984. — Вып.5. — С.84−88.
  9. В.Л., Федотов Я. А. Исследование и испытание полупроводниковых приборов. М.: Высшая школа, 1975. — 325 с.
  10. В.Л. Определение максимальной температуры в мощном транзисторе при потере термической устойчивости//Сборник научных трудов «Полупроводниковые приборы и их применение» /Под ред. Я. А. Федотова. М.: Сов. радио, 1967.- Вып. 17.- С. 87−95.
  11. И. Архангельский А. Я., Савинова Т. А. Электротепловые модели компонентов и модель теплового взаимодействия для расчета интегральных схем//Известия вузов MB и ССО СССР. Радиоэлектроника. 1986. — Т. 29.-№ 12-С. 45−50.
  12. В.И., Годовицин В. А. Руденко А.И. Влияние размеров макроскопических дефектов полупроводникового материала на характеристики теплового пробоя// Радиотехника и электроника. 1984. — № 7 — С. 1235−1238.
  13. В.В., Кожевников В. А., Дикарев В. М., Горохов B.C. Мощные ВЧ- и СВЧ- кремниевые транзисторы для систем радиосвязи и телевещания//Электронная промышленность. 2001- № 5. — С. 6−14.
  14. В.В., Концевой Ю. А., Федорович Ю. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985.-264 с.
  15. Н.А., Заболотный Н. А., Ребони В. О. Некоторые результаты исследования тепловых режимов структур мощных транзисторов импульсными ИК-методами//Электронная техника.Сер.8.-1978.-Вып. 5(67).-С. 31−36.
  16. Н.А., Ковалев Н. Ф., Лебедев А. К., Ребони В. О. Автоматизированный контроль температурных границ безопасной работы транзисторов// Электронная техника. Сер. 8. -1980.- Вып. 5(83). С. 89−120.
  17. Р. Теплопроводность твердых тел. М.: Мир, 1979. — 354 с.
  18. А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов: Под ред. И. В. Грехова Л.: Энергоатомиздат. — 1986. — 248 с.
  19. А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. М.: Высшая школа, 1989. — 320 с.
  20. А.Н. Идентификация электрофизических и электрических параметров моделей транзисторных структур в температурном диапазоне// Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. -1985. Вып. 2(175). — С.58−63.
  21. Э.Ф., Грехов И. В., Крюкова Н. Н. Локализация тока в кремниевых диодах при большой плотности прямого тока// Физика и техника полупроводников. 1970. — Т. 4. — № 10. — С. 1955−1962.
  22. С.Ю., Клейнфельд Ю. С., Синкевич В. Ф. Влияние дефектов металлизации на предельные режимы работы мощных биполярных транзисторов//Электронная техника. Сер.2. -1990. Вып. 4. С. 81−89.
  23. В.П. Тепловые методы неразрущающего контроля. М.: Радио и связь, 1984. — 200 с.
  24. Ван-дер-Зил А. Прогнозирование момента отказа по низкочастотному шуму транзистора //Электроника. 1966 — Т.24. — С. 51−59.
  25. В.А. Классификация и методы уменьшения температурных погрешностей датчиков на основе твердотельных струк-тур//Датчики и системы. 2001. — № 12. — С. 6−7.
  26. В.А., Синкевич В. Ф. Особенности лавинно-тепловой неустойчивости тока в кремниевых р — и-структурах при наличии локальной неоднородности// Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1990. — Вып. 3(206). — С. 84−86.
  27. В.В., Горюнов Н. Н., Чернышев А. А. Причины, механизмы отказов и надежность полупроводниковых приборов.- М.: Знание, 1977.-76 с.
  28. И.М., Стафеев В. И. Физика полупроводниковых приборов.- М.: Советское радио, 1980. 296 с.
  29. В.А., Синкевич В. Ф. О возможных механизмах отказов мощных транзисторов// Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1972. — Вып. 1. — С. 51−62.
  30. В.А., Синкевич В. Ф. Приближенный анализ нестационарных перегревов в мощных планарных транзисторах// Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1971. — Вып. 4. — С. 68−74.
  31. Л.И. Основы метрологии, оценка погрешностей измерений, измерительные преобразователи: Учебное пособие. Москва: МГУС, 2001.- 108 с.
  32. К.Л., Киданов В. А., Ястребов А. С. Физические особенности и классификация слоистых полупроводниковых и диэлектрических структур с неоднородностями//Проектирование и технология электронных средств 2001. — № 3. — С.34−36.
  33. И.Е., Козлов Н. А., Рабодзей А. Н., Синкевич В. Ф. Способ контроля качества полупроводниковых приборов// А.С. СССР № 1 692 262, G 01 R 31/26.- 1989.
  34. П.С., Запорожец А. Г., Томиленко Г. В., Шапкин А. А. Расчет механических напряжений в кристалле эпитаксиального полупроводникового прибора при подаче на него электрической мощности// Электронная техника. Сер. 8. 1972.- Вып.1.- С. 74−81.
  35. П.Б., Кириллов А. В., Лебедев А. А., Романов Л. П., Смирнов В. А. Тепловой расчет /?-г-и-диодов на основе карбида кремния// Физика и техника полупроводников. 2004. — Том 38.- Вып.4. — С. 504−511.
  36. М.И., Андреев А. В. Входной контроль полупроводниковых изделий//Микроэлектроника. 2003. — № 5. — С. 391−400.
  37. М. И. Андреев А.В., Ануфриев Л. П., Емельянов В. А. Технологические методы повышения надежности ИС в процессе серийного производства// Микроэлектроника. -2004. № 1. — С. 24−34.
  38. М.И., Ануфриев Л. П., Бордюжа О. Л. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем в процессе серийного производства. Минск: Интеграл, 1997. — 390 с.
  39. М.И., Адамян А., Каехтин А. Строганов А. Диагностические методы контроля качества и прогнозирующей оценки надежности полупроводниковых изделий//СЫр News. 2002.- № 1. — С. 48−51.
  40. М.И., Коваленко П. Ю. Тренировка ИЭТ и электронных блоков с их применением//Петербургский журнал электроники. 2001. -№ 2. — С. 49−59.
  41. М.И., Коваленко П. Ю. Отбраковочные технологические испытания средство повышения надежности ИС//Петербургский журнал электроники. — 1999. — № 3. — С. 59−66.
  42. Н.Н., Амазаспян В. Н. Исследование отказов, вызываемых неравномерностью распределения тока в полупроводниковых приборах // Электронная техника. Сер. 8. Управление качеством, метрология, стандартизация. 1972. — Вып.4. — С. 20−24.
  43. Н.Н., Гусарова С. П. Исследование токораспределения в кремниевых мощных транзисторах методом люминесцентного излучения //Электронная техника. Сер. 8. -1978.- Вып. 3.- С. 108−112.
  44. Н.Н. Свойства полупроводниковых приборов при длительной работе и хранении. М: Энергия, 1970. — 104 с.
  45. З.Ю., Голяка Р. Л., Халявка А. И. Монолитные полупроводниковые интегрированные цепи на эффектах теплопередачи// Известия вузов. Радиоэлектроника. -1999. № 1. — С. 59−65.
  46. П.Д. Анализ и расчет тепловых режимов полупроводниковых приборов. М.: «Энергия», 1967. — 144 с.
  47. Н.С., Данюшевский Ю. З. Диодные генераторы и усилители СВЧ. М.: Радио и связь, 1986. — 184 с.
  48. Н.С. Неразрушающий контроль качества продукции радиоэлектроники. М.: «Стандарт», 1976. — 206 с.
  49. Действие проникающей радиации на изделия электронной техни-ки//Кулаков В.М., Ладыгин Е. А., Шаховцов В. И. и др. /Под ред. Е. А. Ладыгина. М.: Сов. радио, 1980. — 224 с.
  50. В.И., Моин И. И. Биполярные кремниевые СВЧ- тран-зисторы//Электронная промышленность. 2003. — № 2. — С. 53−57.
  51. В.Д. Исследование теплового механизма поражения полупроводниковых структур мощным сверхвысокочастотным излучени-ем//Радиотехника и электроника. -2000. -Т.45, № 11. С. 1389−1392.
  52. В.Д. Решение уравнения теплопроводности в задачах функционального поражения полупроводниковых элементов входных цепей радиоприемных устройств//Радиотехника и электроника. -2000. -Т.45. № 3, С. 367−370.
  53. В.Д. Учет эффекта нелинейной теплопроводности в задачах функционального поражения полупроводниковых структур/радиотехника и электроника. -2000. -Т.47. № 12, С. 1503−1508.
  54. В.Д. Оценка статистических характеристик теплового поражения полупроводниковых приборов//Радиотехника. 2004. — № 10. — С. 38−43.
  55. О.А., Карпов С. А., Сергеев В. А., Широков А. А., Юдин В. В. Устройство автоматического измерения области безопасной работы транзистора/ А.с. СССР № 1 529 941 МКИ G01 R 31/26 (разрешение на опубликование -Бюллетень изобретений 1999. -№ 14).
  56. О.А., Сергеев В. А. Методы и средства контроля области безопасной работы мощных биполярных транзисторов //Проблемы и решения современной технологии. Сборник научных трудов ПТИС. Тольятти: ПТИС. -1998.- Вып.4.- Часть И.- С. 9−17.
  57. О.А., Сергеев В. А., Широков А. А. Устройство автоматического измерения области безопасной работы транзистора/А.с. СССР № 1 354 953 МКИ G01 R 31/26 (разрешение на опубликование -Бюллетень изобретений 1999. -№ 14.).
  58. О.А., Широков А. А., Афанасьев Г. Ф., Сергеев В. А. и др. Установка для измерения теплоэлектрических параметров мощных транзисторов// Информационный листок о научно-техническом достижении. — Ульяновск: ЦНТИ. 1985. — № 85−26. — 4 с.
  59. Г. Н., Семяшкин Э. М. Теплообмен в радиоэлектронных аппаратах. JL: «Энергия», 1968. — 360 с.
  60. Евдокимова H. JL, Ежов B.C., Иванов А. И., Козлов Н. А., Синке-вич В. Ф. Тепловой пробой мощных полевых транзисторов на арсениде галлия//Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1985. Вып. 2. — С. 42−50.
  61. Евдокимова H. JL, Ежов B.C., Минин В. Ф., Перельман Б. Л. Оценка качества мощных транзисторов по их предельно допустимым и теплофизиче-ским параметрам//Электронная промышленность. 2003.- № 2. — С. 244- 249.
  62. И.Е., Козырь И .Я., Горбунов Ю. И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность: Учебное пособие для вузов. 2-е изд., — М.: Высшая школа, 1986. — 464 с.
  63. А.Г., Горюнов А. Н., Кальдса А. А. Тепловизионные приборы и их применение /Под ред. Н. Д. Девяткова. М.: Радио и связь, 1983.- 168 с.
  64. Н.В., Шерстюк В. А., Студенков Н. И. Исследование границ области безопасной работы мощных транзисторов для активных импульсных режимов//Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы 1985. — № 2.- С. 35−41.
  65. Д.И. Параметры теплового режима полупроводниковых микросхем. М.: Радио и связь, 1983. — 128 с.
  66. А.Л., Асвадурова Е. И. Расчет тепловых параметров полупроводниковых приборов: метод эквивалентов. М.: Радио и связь, 1983.-184 с.
  67. С.М. Перекрестное взаимное тепловое влияние в матрицах поверхностно излучающих лазеров с «вертикальным» выводом излучения/Мазика и техника полупроводников.-2001.-Т.35.- Вып.4.-С. 499−503.
  68. В.В., Беляев В. Н., Сегал Ю. Е. Фоменко Ю.Л. Пайка полупроводниковых кристаллов к основаниям корпусов/ТПетербургский журнал электроники. 2001. — № 2. — С. 60−67.
  69. . Измерение теплового сопротивления ключ к обеспечению нормального охлаждения полупроводниковых компонен-тов//Электроника. — 1978. — № 14. — С. 43−51.
  70. . Электрический метод быстрой проверки качества напайки кристалла//Электроника. 1979. — № 8. — С. 60−65.
  71. Измерения в электронике: Справочник// В. А. Кузнецов, В. А. Долгов, В. М. Коневских и др.//Под. ред. В. А. Кузнецова.- М.: Энер-гоатомиздат, 1987.-512 с.
  72. Карел оу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. М.: Наука, 1964.-487 с.
  73. Э. Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям. М.: «Наука», 1976. — 576 с.
  74. Э.М. Математические методы теории теплопроводности. М.: Высшая школа, 1979. — 415 с.
  75. Э.М. Тепловое разрушение// Доклады академии наук. Энергетика. 2003. — № 2. — С. 84−96.
  76. Я.А., Миндлин Н. Л. Диагностический неразрушающий контроль мощных микросхем//Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы -1980.- Вып. 4.- С.74−79.
  77. Г. А. Основы обеспечения качества микроэлектронной аппаратуры. М.: Радио и связь. 1991. — 232 с.
  78. .С. Особенности теплового пробоя транзистора в импульсном режиме//Микроэлектроника. 1976. — Т.5. — Вып. 3. — С. 257−267.
  79. .С., Осипов В. В., Синкевич В. Ф. Тепловой пробой транзисторов в режиме постоянного и переменного сигнала//Радиотехника и электроника. 1975. — Т.20 — № 10. — С. 2172−2184
  80. .С., Нечаев A.M., Рубаха Е. А., Синкевич В. Ф. Кинетика теплового шнурования при флуктуационной неустойчивости в транзисторных структурах //Радиотехника и электроника. 1980. — Т.ХХУ. — № 1. — С. 168−176.
  81. .С., Осипов В. В. Теория теплового пробоя транзистора// Радиотехника и электроника. 1975. — Т.20. — № 8. — С. 1694−1703.
  82. .С., Осипов В. В. Нелинейная теория неизотермического шнурования тока в транзисторных структурах //Микроэлектроника. 1977. — Т.6. — № 4.- С. 337−353
  83. .С., Рубаха Е. А., Синкевич В. Ф. Анализ токораспределения в структурах мощных ВЧ и СВЧ транзисторов с неоднородностью// Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы.- 1978.- Вып.1. С. 15−29.
  84. .С., Рубаха Е. А., Синкевич В. Ф. Способ отбраковки мощных транзисторов // А.с. СССР № 619 877 G01R31/26 Бюллетень изобретений. — 1978. — № 30.
  85. JI.A. Решение нелинейных задач теплопроводности. -Киев: Наукова думка, 1976, — 136 с.
  86. В.П. Двумерные осесимметричные нестационарные задачи теплопроводности/Под ред. А. Г. Шашкова. Минск.: Наука и техника, 1986. — 392 с.
  87. В.П., Абдельразак Н. А., Юрчук Н. И. Физико-математические модели для теорий неразрушающего контроля теплофизических свойств// Инженерно-физический журнал. 1995 — Т.68. — № 6. -С. 1011−1022.
  88. Н.А., Нечаев A.M., Синкевич В. Ф. Тепловое шнурование тока в структурах мощных МДП- транзисторов//Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1984. — Вып. 1.- С. 29−38.
  89. Н.А., Синкевич В. Ф. Кинетика теплового расслоения тока в статическом и импульсном режимах работы мощных транзисто-ров//Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1984. -Вып 2. — С. 35−45.
  90. Конструкции корпусов и тепловые свойства полупроводниковых приборов /Под общей ред. Н. Н. Горюнова. М.: Энергия, 1972. — 120 с.
  91. Контрович M. JL, Черторийский А. А., Широков А. А. Электро-флуктуационный метод диагностики неоднородного токораспределения в биполярных транзисторных структурах//Известия Самарского научного центра. -1999. № 2. — С. 72−77.
  92. Ю.А., Литвинов Ю. М., Фаттахов Э. А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1982. — 238 с.
  93. Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров . М.: Наука, 1974. — 831 с.
  94. Ф.П., Гатальский Г. В., Иванов Г. М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах.- Минск: Наука и техника, 1978. 232 с.
  95. Кремниевые планарные транзисторы / Под ред. Я. А. Федотова. -М.: Советское радио, 1973. 336 с.
  96. A.M. О причинах искажений усилителей в области низких звуковых частот //Опыт, результаты, проблемы: Повышение конкурентоспособности радиоэлектронной аппаратуры /Под ред. Л. И. Волгина. -Таллин: Валгус. 1985. — Вып. 3. — С. 66−89.
  97. ЮЗ.Лукица И. Г. Стандартизация ИЭТ в условиях рынка игра по международным правилам//Петербургский журнал электроники. — 1999. -№ 2.-С. 3−10.
  98. Е.З. Мощные транзисторы. М.: Энергия, 1969. — 280 с.
  99. Л.К., Малов Ю. И. Дифференциальные уравнения математической физики. М.: МГТУ им. Н. Э. Баумана, 1996. — 286 с.
  100. Материалы используемые в полупроводниковых приборах/Под ред. К. Хогарта. Пер. с англ. по ред В.П. Жузе// Москва.: Мир, 1968. 344 с.
  101. Методы и средства оптической пирометрии /Под ред. А.И. Гор-дова. М.: Наука, 1983. — 150 с.
  102. А.К. Техника статистических вычислений. М.: Наука, 1971.-576 с.
  103. Мощные высокочастотные транзисторы/ЛО.В. Завражнов, И. И. Каганова, Е. З. Мазель и др. /Под ред. Е. З. Мазеля. М.: Радио и связь, 1985.- 176 с.
  104. Н.М., Сандомирский В. Б. Применение метода температурных волн к исследованию свойств полупроводников//Физика и техника полупроводников. 1983. — Том 17. — № 4. — С. 633−636.
  105. Л.О., Чепыженко А. З. Обеспечение стойкости аппаратуры связи к ионизирующим и электромагнитным излучениям. М.: Радио и связь, 1988.-296 с.
  106. ПЗ.Нейвон Д. Х. Теорема о выделении тепла в полупроводниковых приборах //ТИИЭР. 1978. — Т. 66. — № 4. — С. 184−185.
  107. Неразрушающий контроль элементов и узлов радиоэлектронной аппаратуры / Под ред. Б. Е. Бердичевского. М.: Советское радио, 1976. — 328 с.
  108. A.M., Рубаха Е. А. Синкевич В.Ф. Тепловое шнурование в транзисторных структурах с неоднородностью//Радиотехника и электроника.-1981. № 8. — С. 1773−1782
  109. A.M., Рубаха Е. А., Синкевич В. Ф. Механизмы отказов и надежность мощных СВЧ транзисторов. Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1978. — Вып. 10. — 80 с.
  110. A.M., Синкевич В. Ф. Условия шнурования тока в полупроводниковых структурах с неоднородностью// Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1983. — Вып. 2. — С. 45−54.
  111. A.M., Синкевич В. Ф. Детерминированное расслоение тока и изолированные ветви на вольтамперных характеристиках полупроводниковых систем//ФТП. 1984. — Т.18. — Вып.2. — С. 350−353.
  112. И.Ф., Игумнов Д. В. Параметры и предельные режимы работы транзисторов. М.: Советское радио, 1971. — 384 с. 121,Огибалов П. М., Грибанов В. Ф. Термоустойчивость пластин и оболочек. М.: Изд-во МГУ, 1968. — 378 с.
  113. Обеспечение тепловых режимов изделий электронной техники/ А. А Чернышев, В. И. Иванов, А. И. Аксенов, Д. Н. Глушкова. М.: Энергия, 1980.-216 с.
  114. В.В. Материалы электронной техники: Учебник для студентов вузов. М.: высш. школа, 1980. -406 с.
  115. Р. Транзисторы. Физические основы и свойства.- Пер. с нем., под ред. И. А. Палехова. М.: Советское радио, 1973. — 504 с.
  116. .Л., Сидоров В. Г. Методы испытаний и оборудование для контроля качества полупроводниковых приборов. М.: Высшая школа, 1979.-215 с.
  117. .К., Воробьев В. В., Сыноров В. Ф. О точности определения температуры р-п переходов в кремниевых мощных транзисторах по прямому напряжению на малом токе //Электронная техника. Сер. 8. 1979. — № 6. — С. 92−98.
  118. .К., Кочетков А. И., Сыноров В. Ф. К вопросу об измерении теплового сопротивления кремниевых транзисторов//Сборник научных трудов «Полупроводниковые приборы и их применение» /Под ред. Я. А. Федотова. М.: Сов. радио, 1974.- Вып.28.- С. 247−254.
  119. .К., Сыноров В. Ф. Влияние распределенного сопротивления базы на плотность эмиттерного тока в дрейфовых триодах с круговым эмиттером. //Известия вузов СССР. Физика. 1969. — № 1. — С. 7−11.
  120. .К., Кочетков А. И., Сыноров В. Ф. Расчет эмиттерных стабилизирующих сопротивлений в мощных транзисторах// Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1972.- Вып. 1. — С. 19−26.
  121. К.О., Рябов Н. И. Моделирование электрических и тепловых режимов элементов БИС с малыми размерами// Известия вузов MB и ССО СССР. Радиоэлектроника. 1986. — Т.29. — № 1 — С. 93−95.
  122. К.О., Рябов Н. И., Харитонов И. А., Кравченко Л. Н., Сапельников А. Н. Проектирование сверхбыстродействующих цифровых интегральных схем на основе арсенида галлия с учетом тепловых эффек-тов//Известия вузов. Электроника. 2001. — № 4. — С. 37−44.
  123. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ. /Под. ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола. М.: Радио и связь, 1988. — 496 с.
  124. Полупроводниковые приборы: Транзисторы: Справочник/ В. Л. Аронов, А. В. Баюков, А. А. Зайцев и др.//Под общ. ред. Н. Н. Горюнова. -М.: Энергоатомиздат, 1983. 904 с.
  125. Питти, Адаме, Каррел, Джорджи, Валек. Слагаемые надежности полупроводниковых приборов //ТИИЭР. 1974. — Т. 62.- № 2 — С. 6−37.
  126. Проектирование и технология производства мощных СВЧ- транзисторов / В. И. Никишин, Б. К. Петров, В. Ф. Сыноров. и др.— М: Радио и связь, 1989.-272 с.
  127. B.C. Прогнозирование отказов полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1978. — 196 с.
  128. А.Н. Метод контроля однородности токораспределения в мощных биполярных транзисторах/ЛГезисы докладов Всесоюзной НТК «Метрология, проблемы микроэлектроники». М, 1991. -С. 79.
  129. А.Н. Метод контроля однородности токораспределения в мощных высоковольтных транзисторах//Электронная промышленность. -1981.-Вып. 9(105) -С. 29−31.
  130. А.Н., Долгов В. В., Моторин А. Ю., Сычев И. М. Устройство для неразрушающего контроля присоединения полупроводниковго кристалла к корпусу// А.С. СССР № 1 649 473 G 01 R 31/26 Бюллетень изобретений — 1991 — № 18,
  131. Радиационные методы в твердотельной электронике/ B.C. Вавилов, Б. М. Горин, Н. С. Данилин и др. М.: Радио и связь, 1990. — 184 с.
  132. Разработка аппаратуры и методов прогнозирования отказов переключательных и ограничительных диодов// Отчет о х/д НИР № 9−24/91, Гос. per. № 1 910 023 457, Ульяновск, УльПИ, 1992. — 33 с.
  133. Разработка методов и средств определения безопасной работы мощных транзисторов. Отчет о НИР. Гос. per. № 81 010 993. Ульяновск: УлПИ — 1981.- 119 с.
  134. Разработка неразрушающих методов обеспечения надежности РЭА. Отчет о НИР гос. per. № 0186.122 220.- Ульяновск: УлПИ -1986.-97 с.
  135. Расчет на ЭВМ распределений плотности тока и температуры в транзисторных структурах /Б.С. Кернер, А. Л. Нечаев, Е. А. Рубаха, В. Ф. Синкевич //Микроэлектроника. 1978. -Т.7. — Вып. 2.- С. 147−151 .
  136. Расчет силовых полупроводниковых приборов/Дерменжи П.Г., Кузьмин В. А., Крюкова Н. Н. и др. Под ред В. А. Кузьмина М.: Энергия, 1980−184 с.
  137. РД 11 1004−2000, «Транзисторы биполярные мощные. Методы контроля области безопасной работы».
  138. ., Хаким Е. Радиационная стойкость транзисторов и их устойчивость ко второму пробою //Электроника. 1964. — Т.37. — № 6. — С. 781.
  139. Jl.У., Бриджес Дж., Майлетта Дж. Электромагнитный импульс и методы защиты /Пер. с англ. Под ред. Н. А. Ухина. М.: Атом-издат, 1979. — 328 с.
  140. РМ 11 0004−84, Контроль неразрушающий. Методы диагностики состояния полупроводниковых приборов по производным вольт-амперным характеристикам/ВНИИ «Электронстандарт». 1984. — 43 с.
  141. Н.М., Аврасин Э. Г. Теория токораспределения и тепловых процессов в мощных транзисторах в стационарных и импульсных режимах //Полупроводниковые приборы и их применение /Под ред. Я. А. Федотова. М.: Сов. радио, 1963. Вып.10.- С. 56−130.
  142. Н.М., Мостовлянский Н. С. Исследование физических процессов в мощных транзисторах, определяющих их надежность в импульсных режимах/ЯТолупроводниковые приборы и их применение /Под ред. Я. А. Федотова. М.: Сов. радио, 1963. Вып. 10. — С. 131−166.
  143. Н.М. Неустойчивость распределения тока и проблема надежности в транзисторной электронике//Известия вузов. Радиотехника. -1965. Т.VIII. — № 2. — С. 131.
  144. Л.Л., Спокойный Ю. Е. Обеспечение тепловых режимов при конструировании РЭА. М.: Сов. радио, 1976. — 232 с.
  145. К.С. Физические принципы действия полупроводниковых приборов. М.: Изд-во МГУ, 1986. — 256 с.
  146. Е.З. Устройство для отбраковки полупроводниковых приборов / А.с. СССР № 667 918. Бюллетень изобретений — 1979 — № 22.
  147. А.С., Власов В. А. Надежность полупроводниковых приборов. М.: Знание, 1972. — 72 с.
  148. В.А. Контроль качества мощных транзисторов по тепло-физическим параметрам Ульяновск: УлГТУ, 2000 — 253 с.
  149. В.А., Мулев В. М. Распределение тока в гребенчатых структурах мощных транзисторов в режиме больших токов//Электронная техника. Сер.З. Полупроводниковые приборы. 1981. — Вып. 1. — С. 6−9.
  150. В.А. Сравнительный анализ двух методов измерения теплофизических параметров полупроводниковых приборов//Сборник научных трудов Московского технологического института — М.: МТИ—1981 — Вып.45.-С. 47−50.
  151. В.А., Горюнов Н. Н., Широков А. А. Измерение параметров теплоэлектрической модели мощных полупроводниковых прибо-ров//Электронная техника. Сер.8. Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания. 1982. — Вып.6. — С. 40−41.
  152. В.А. Изотермическое токораспределение в гребенчатых структурах мощных транзисторов//Депонированная статья. — М.: ЦОСИФ ЦНИИ «Электроника». 1982. — Деп. № РА-3536. — 7 с.
  153. В.А. Изотермическое распределение тока в биполярных транзисторных структурах// Депонированная статья. — М.:ЦОСИФ ЦНИИ «Электроника». 1982. — Деп. № РА-3535. — 9 с.
  154. В.А., Широков А. А., Дулов О. А. Установка для отбраковки потенциально ненадежных мощных транзисторов//Электронная техника. Сер.8. Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания. 1982. — Вып.5. — С. 46−47.
  155. В.А., Дулов О. А., Широков А. А., Романов Б. Н. Установка для измерения теплофизических параметров мощных транзисторов// Информационный листок о научно-техническом достижении. Ульяновск: ЦНТИ. — 1983. — № 83−8. -4 с.
  156. В.А., Дулов О. А., Широков А. А., Романов Б. Н. Установка для измерения теплофизических параметров мощных транзисторов// Электронная техника. Сер.8. Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания. 1983. — Вып.4. — С. 51−52.
  157. В.А., Юдин В. В., Афанасьев Г. Ф., Романов Б. Н. Установка для измерения теплоэлектрических параметров логических интегральных схем// Информационный листок о научно-техническом достижении. Ульяновск: ЦНТИ. — 1985. — № 85−27. — 4 с.
  158. В.А. Оценка качества и надежности мощных транзисторов по теплоэлектрическим параметрам// Методы и средства неразрушающего контроля качества компонентов РЭА: Тематический сборник научных трудов. Ульяновск: УлПИ. — 1987. — С. 22−26.
  159. В.А., Юдин В. В. Исследование стойкости к повреждению логических интегральных микросхем при действии импульсов напряже-ния//Депонированная статья. М.: ЦОСИФ ЦНИИ «Электроника"-1989-№ Р-5034−6 с.
  160. В.А., Юдин В. В., Тамаров П. Г. Измерение теплового сопротивления КМОП ИМС//Автоматизация испытаний и измерений: Межвузовский сборник научных трудов. — Рязань: РРТИ. 1990. — С. 66−69.
  161. В.А. «Горячие пятна» в мощных биполярных транзисто-рах//Петербургский журнал электроники-1997. -Вып.2.~С. 40−42.
  162. В.А. Влияние сопротивления металлизации на токораспределение в полевых транзисторах//Проблемы и решения современной технологии: Сборник научных трудов Тольятти: ПТИС- 1999- С. 45−53.
  163. В.А. Преобразование теплового импеданса двухполюсников в электрический сигнал//Методы и средства преобразования и обработки аналоговой информации: Труды международной НТК. Ульяновск: УлГТУ. — 1999. -Том 3. — С. 111−114.
  164. В.А. Распределение эмиттерного тока в гребенчатых структурах мощных транзисторов//Радиоэлектронная техника: Сборник научных трудов Ульяновск: УлГТУ. — 1999. — С. 3−10.
  165. В.А. Механические колебания и термодеформации в мощных транзисторах//Петербургский журнал электроники.-1999.-№ 2.-С. 37−39.
  166. В.А., Дулов О. А., Широков А. А. Установка для контроля качества аналоговых интегральных схем//Научно-технический калейдоскоп. Сер. Приборостроение, радиотехника и информационная техника. -Ульяновск: СНИО. 2000. — № 1 — С. 27−31
  167. В.А. Контроль качества и отбраковка мощных транзисторов по теплофизическим параметрам//Научно-технический калейдоскоп. Сер. Приборостроение, радиотехника и информационная техника. — Ульяновск: СНИО. 2000. — № 1. — С. 37−43.
  168. В.А. Тепловые переходные процессы в ключевых транзисторных схемах// Проблемы и решения современной технологии: Сборник научных трудов- Тольятти: ПТИС 2000 — Вып.6. Часть II.- С. 53−58.
  169. В.А. Отбраковочные испытания в современной системе обеспечения качества изделий электронной техники//Научно-технический калейдоскоп. Сер. Метрология, сертификация и управление качеством. -Ульяновск: СНИО. 2000. — № 2. — С. 49−54.
  170. В.А. Устройство для измерения теплового сопротивления МОП и КМОП цифровых интегральных микросхем//Радиоэлектронная техника: Сборник научных трудов Ульяновск: УлГТУ. — 2000. — С. 3−7.
  171. В.А., Васильев А. Н. Умножители частоты на двухполюсниках с температурозависимой вольтамперной характеристикой// Радиоэлектронная техника: Сборник научных трудов Ульяновск: УлГТУ. — 2000. — С. 8−13.
  172. В.А. Автоматизированные средства измерения теплового сопротивления цифровых интегральных микросхем/ЛЗестник УлГТУ. Сер. Информационные технологии- Ульяновск: УлГТУ-2000.- № 3- С. 69−72.
  173. В.А. Эффект оттеснения эмиттерного тока при лавинном умножении в коллекторном р-п переходе//Микроэлектроника.- 2001 № 4. — С. 298−301.
  174. В.А. Измерение тепловых параметров изделий электронной техники методом сравнения//Измерение, контроль, информатизация: Материалы 2-ой Международной НТК/Под ред. А .Я. Якунина Барнаул: АлГТУ. — 2001. — С. 86−89.
  175. В.А. Оценка погрешности замещения при измерении мощности с помощью терморезисторных датчиков/ЯТроблемы и решения современной технологии: Сборник научных трудов ПТИС. Тольятти: ПТИС. — 2001.- Вып. 9. — С. 25−28.
  176. В.А. Измерение теплового импеданса стабилитронов// Научно-технический калейдоскоп- Ульяновск: СНИО.-2001, № 2 -С. 98−101.
  177. В.А. Метод и устройство автоматизированного контроля теплового сопротивления полупроводниковых диодов//Электронная техника: Сборник научных трудов. Ульяновск: УлГТУ. — 2001. — С. 3−9.
  178. В.А. Измерение тепловых параметров изделий микроэлектроники методом сравнения// Электронная техника: Сборник научных трудов. Ульяновск: УлГТУ. — 2001. — С. 10−13.
  179. В.А. Приборы и методы измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов и интегральных схем//Приборы и приборные системы: Материалы Всероссийской НТК. Тула: ТулГУ. — 2001.- С. 122−125.
  180. В.А. Косвенные методы оценки параметров «горячих пятен» в мощных биполярных транзисторах//Современные проблемы создания и эксплуатации радиотехнических систем: Материалы 3-ей Всероссийской НТК. Ульяновск: УлГТУ. — 2001. — С. 244−246.
  181. В.А. Влияние проникающих излучений на устойчивость токораспределения в мощных ВЧ и СВЧ транзисторах//Известия вузов. Радиоэлектроника. 2002. — № 3 — С. 55−59.
  182. В.А. Измерение теплового сопротивления полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором// Проблемы и решения современной технологии: Сборник научных трудов ПТИС. М.: МГУС. -2001.-Вып. 10.-С. 19−23.
  183. В.А. Влияние разброса теплофизических параметров транзисторов на характеристики симметричных транзисторных схем// Управление, радиоэлектроника, информатика Запорожье- Вып. 1 —2001.- С. 18−22.
  184. В.А., Дулов О. А. Автоматизированный контроль области безопасной работы мощных биполярных транзисторов// Актуальные проблемы электронного приборостроения: Тезисы докладов Международной НТК. Саратов: СГТУ. — 1996. — С. 81−82.
  185. В.А., Дулов О. А. Контроль качества биполярных транзисторов по коэффициенту обратной связи //Наука производству. Конверсия сегодня: Тезисы докладов научно-практической конференции. Ульяновск: УлГТУ. — 1997. — Часть 1. — С. 55−56.
  186. В.А. Портативный измеритель теплового сопротивления транзисторов//Там же. Часть 2. — С. 58−59.
  187. В.А. Методы оценки и контроля температурных запасов СВЧ полупроводниковых диодов//Современные проблемы проектирования и эксплуатации радиотехнических систем: Тезисы докладов НТК Ульяновск: УлГТУ. — 1998. — С. 74−75.
  188. В.А. Измерение параметров сигналов, компонентов цепей и полупроводниковых приборов: Методические указания к лабораторным работам/Сост. В. А. Сергеев. Ульяновск: УлГТУ, 1998. — 44 с.
  189. В.А., Васильев А. Н. Умножитель частоты инфранизкоча-стотных сигналов на терморезисторе//Актуальные проблемы физической и функциональной электроники: Тезисы докладов 2-ой школы семинара — Ульяновск: УлГТУ. — 1999. — С. 37−38.
  190. В.А., Васильев А. Н. Измерение тепловых параметров двухполюсников методом сравнения//Там же. С. 79−81.
  191. В.А. Диагностика качества СБИС методом температурных волн//Методы и средства измерений физических величин: Тезисы докладов 5-ой Всероссийской НТК Нижний Новгород: ННГТУ.- 2000-Часть 2. — С. 22−23.
  192. В.А. Неизотермическое токораспределение в терморезисторах структурах//Актуальные проблемы физической и функциональной электроники: Тезисы докладов 4-ой школы-семинара. Ульяновск: УлГТУ. — 2001. — С. 32−33.
  193. В.А., Васильев А. Н. Расчет температурных полей в твердотельных приборных структурах с применением программного пакета ANSYS// Там же. С. 32−33.
  194. В.А. Погрешности тепловой природы измерительных преобразователей с дифференциальным включением датчиков// Датчики и системы 2003. — № 2 — С. 11−14.
  195. В.А. Токораспределение в терморезисторных структурах// Известия вузов. Электроника 2002. — № 4 — С. 39−44.
  196. В. А. Широков А.А., Дулов О. А. Установка для измерения теплоэлектрических параметров мощных транзисторов// Петербургский журнал электроники. 2002. — № 1. — С. 6−9.
  197. В.А. Методы и средства измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов и интегральных схем//Электронная промышленность 2004.-№ 1.- С. 45−48.
  198. В.А., Ходаков A.M. Электротепловая модель для расчета температурных полей в структурах полупроводниковых приборов с дефек-тами//Там же. С. 97−101.
  199. В.А. Переходные тепловые процессы в полупроводниковых приборах при воздействии переменной мощности// Там же. -Часть 1. -С. 179−182.
  200. В.А. Косвенные методы измерения теплофизических характеристик полупроводниковых приборов и интегральных схем с применением комбинированных видов модуляции мощности//Там же. Часть 2. -С. 222−225.
  201. В.А. Оценка погрешности термисторных датчиков при измерении СВЧ мощности методом замещения//Датчики и системы. 2004. -№ 12. -С. 9−12.
  202. В.А. Характеристики и особенности выборочных распределений мощных биполярных транзисторов по теплофизическим парамет-рам//Известия Самарского научного центра РАН.-2004.- Вып.1.- С. 154−160.
  203. В.А. Аналитическая модель неизотермического распределения плотности мощности в структурах мощных биполярных транзи-сторов//Известия вузов. Электроника. 2005. — Вып.З. — С. 22−28.
  204. В.А., Горюнов Н. Н., Широков А. А. Способ измерения тепловой постоянной времени переход-корпус полупроводниковых прибо-ров/А.с. СССР № 808 831, G 01 В 5/18- Бюллетень изобретений 1981 — № 8.
  205. В.А., Горюнов Н. Н., Широков А. А., Дулов О. А. Способ измерения тепловой постоянной времени переход-корпус полупроводниковых приборов/ А.с. СССР № 845 563 МКИ G 01 J 5/26 (разрешение на опубликование -Бюллетень изобретений 1999. -№ 14).
  206. В.А., Горюнов Н. Н., Мулев В. М. и др. Мощный транзистор с гребенчатой структурой / А.с. СССР № 978 235 МКИ Н 01 L 23/02 -Бюллетень изобретений 1982. — № 44.
  207. В.А., Широков А. А., Дулов О. А. Устройство для отбраковки мощных транзисторов/ А.с. СССР № 983 596 МКИ G 01 R 31/26 -Бюллетень изобретений 1982. — № 47.
  208. В.А. Устройство для измерения теплового сопротивления транзисторов/ А.с. СССР № 1 020 789 МКИ G01 R 31/26 -Бюллетень изобретений 1983. — № 20.
  209. В.А., Широков А. А., Горюнов Н. Н. Устройство для отбраковки мощных транзисторов/ А.с. СССР № 1 245 094 МКИ G01 R 31/26 (разрешение на опубликование -Бюллетень изобретений 1999. -№ 14).
  210. В.А., Голенкин П. А. Устройство для отбраковки мощных транзисторов/ А.с. СССР 1 247 796 МКИ G01 R 31/26 Бюллетень изобретений — 1986.-№ 28
  211. В.А., Афанасьев Г. Ф., Романов Б. Н., Юдин В. В. Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем/ А.с. СССР № 1 310 754 МКИ G01 R 31/28 Бюллетень изо-бретений-1987.- № 18.
  212. В.А., Юдин В. В., Горюнов Н. Н. Способ измерения теплового сопротивления цифровых интегральных микросхем и устройство для его осуществления// А.с. СССР № 1 613 978 МКИ G01 R 31/28 Бюллетень изобретений — 1990. — № 40.
  213. В.А. Устройство для отбраковки транзисторов/А.с. СССР № 172 9210 МКИ G01 R 31/26 (разрешение на опубликование -Бюллетень изобретений 1999. -№ 15).
  214. В.А., Юдин В. В. Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводниковых диодов/ Патент РФ 2 003 128 МКИ G01 R 31/26 -Бюллетень изобретений -1993.- № 41−42.
  215. В.А., Юдин В. В. Устройство для измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводниковых диодов/ Патент РФ № 2 087 919 МКИ G01 R 31/26 Бюллетень изобретений -1993.- № 23.
  216. В.А. Способ измерения теплового сопротивления двухполюсников с известным положительным температурным коэффициентом тока/ Патент РФ № 2 166 764 МКИ G01 R 31/26 Бюллетень изобретений-2001.- № 13.
  217. В.А., Васильев А. Н. Способ измерения теплового сопротивления двухполюсников с известным температурным коэффициентом сопротивления/ Патент РФ № 2 167 429 МКИ G01 R 31/26 -Бюллетень изобретений 2001. — № 14.
  218. В.А. Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем/ Патент РФ № 2 172 493 МКИ G01 R 31/28 Бюллетень изобретений-2001.- № 23.
  219. В.А. Устройство для измерения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем/ Патент РФ № 2 174 692 МКИ G01 R 31/28 Бюллетень изобретений-2001.- № 28.
  220. В.А. Способ определения теплового сопротивления переход-корпус полупроводниковых диодов/ Патент РФ № 2 178 893 МКИ G01 R 31/26 Бюллетень изобретений -2002.- № 3.
  221. В.А. Устройство для измерения теплового сопротивления транзисторов / Патент РФ № 2 185 634 МКИ G 01 R 31/26 Бюллетень изобретений — 2002. — № 20.
  222. В.А. Устройство для отбраковки цифровых интегральных микросхем/ Патент РФ № 2 187 126 МКИ G 01 R 31/28 Бюллетень изобретений — 2002.- № 22.
  223. В.А. Способ измерения теплового сопротивления двухполюсников/ Патент РФ № 2 206 900 МКИ G 01 R 31/26 Бюллетень изобретений — 2003. — № 17.
  224. В.А. Устройство для измерения тепловых параметров двухполюсников методом сравнения/ Патент РФ № 2 227 922 МКИ G 01 R 31/26 Бюллетень изобретений — 2004. — № 12.
  225. Г. Б., Усатенко В. Г. Электрофизические методы диагностирования в задачах управления качеством и надежностью. Киев: Знание, 1989. — С. 24.
  226. Г. Б. Интегральная диагностика электрорадиоизделий по эффектам нелинейности (обзор)//Автоматика и телемеханика. 1980. -№ 12.-С. 132−156.
  227. В.Ф. Физические основы обеспечения надежности мощных биполярных и полевых транзисторов// Электронная промышленность. 2003. — № 2. — С. 232−244.
  228. В.Ф., Соловьев В. Н. Физические механизмы деградации полупроводниковых приборов//Зарубежная электронная техника. -1984. Вып.2. -С. 3−44.
  229. В.Ф. Синкевич, Е. А. Рубаха, A.M. Нечаев и др. Способ измерения максимальной температуры в структуре мощных транзисторов/ А.с. СССР № 746 346. МКИ G 01 R 31/26 Бюллетень изобретений.-1980. — № 12.
  230. С. Аналоговые интегральные схемы. М.: Мир. -1988. — 583 с.
  231. И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. Изд. 4-е, перераб. и доп. М.: Энергия, 1977 — 672 с.
  232. Э. Измерение параметров транзисторов /Пер. с польского под ред. Ю. А. Каменецкого. М.: Сов. радио, 1976. — 288 с.
  233. Стопроцентный входной контроль полупроводниковых прибо-ров//Радиоэлектроника за рубежом. 1984. — Вып. 16. -С. 10−12
  234. Тренировка радиоэлектронной аппаратуры в форсированном режиме/Радиоэлектроника за рубежом. 1985. -Вып ½. — С. 11−14.
  235. В.Н., Чепыженко А. З. Радиационные эффекты в биполярных интегральных микросхемах. М.: Радио и связь, 1989. — 144 с.
  236. Установка для измерения теплоэлектрических параметров мощных транзисторов УИТЭП-1 /Дулов О.А., Афанасьев Г. Ф., Широков А. А., Сергеев В. А., Черторийский А. А. Информационный листок о НТД № 85−26: Ульяновский ЦНТИ. 1985. — 5 с.
  237. В.Г., Якимов А. В., Сорокин JI.H. Выгорание сверхвысокочастотных диодов и транзисторов под воздействием видеомпульсов разной полярности и длительности//Радиотехника и электроника. 2002. Т.47. — № 9. — С. 1138−1144.
  238. Я.А., Мишин В. А. О косвенном измерении температуры «горячих пятен» в транзисторных структурах. Радиотехника и электроника. — 1979. — Т. ХХ1У, № 7. — С. 1473−1474.
  239. Л.П. Методы периодического нагрева в теплофизиче-ском эксперименте//Измерительная техника. 1980.- № 5. — С. 45−47
  240. Физические основы надежности интегральных схем //Под ред. Ю. Г. Миллера. М.: Сов. радио, 1976. — 319 с.
  241. Е., Рейх Б. Влияние нейтронного излучения на второй пробой //ТИИЭР, 1964. Т. 52. № 6. С. 668−675.
  242. П., Хилл У. Искусство схемотехники: В 3-х томах: Т.1. Пер. с англ. 4-е изд. перераб. и доп. — М.: Мир, 1993. — 413 с.
  243. Я.З. Теория линейных импульсных систем М.: Физмат-гиз. — 1963. — 354 с.
  244. А.А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Радио и связь, 1988. — 256 с.
  245. А.А., Тюхин А. А. Контроль тепловых характеристик интегральных схем. //Зарубежная радиоэлектроника. 1983.- № 5. — С. 90−95.
  246. А.А. Разработка и исследование дтлатометриче-ского метода и средств контроля теплофизических параметров полупроводниковых активных элементов Канд. диссертация. — Ульяновск.: УО ИРЭ РАН. — 1997.- 128 с.
  247. А.А. Отбраковка потенциально ненадежных мощных транзисторов по собственным шумам //Электронная техника. Сер. 8.- 1981. -Вып. 7.-С. 21−25.
  248. В.М. Контактное термическое сопротивление. М.: Наука.-1966. — 348 с.
  249. В.В. Измерение параметров теплоэлектрической модели логических интегральных микросхем// Методы и средства неразру-шающего контроля качества компонентов РЭА: Тематический сборник научных трудов. — Ульяновск: УлПИ. 1987. — С. 14−17.
  250. Alwin V.C., Navon H.D. Emitter-Junction Temperature Under Nonuniform Current and Temperature Distribution// IEEE Transactions on Electron Devices. 1976. — V. ED-23. — № 1. — P. 64−66.
  251. Aharoni H., Bar-Lew A. The role of crystal defects in transistor operation at high power levels //Microelectronics. 1975.- V.6. — № 3. — P. 11−15.
  252. Black J.R. RF Power Transistor Metallisation Failure // IEEE Transactions on Electron Devices. 1970. — V. RD-17. № 9. — P. 800−804.
  253. Blackburn D.L., Oettinger F.F. Transient termal response measurements of power transistors //IEEE Trans, on Industrial Electronics and Control Instrumentation. 1975. — V.22. — № 2. — P. 134−141.
  254. Bosch G. Anomalous current distributions in power transistors /Solid State Electronics. 1977. — V. 20. — № 7. — P. 635−640.
  255. Caves K.J.S., Barnes J.A. Optimum length of emitter sfripes in «comb» structure transistors// IEEE Transactions on Electron Devices.- 1965. V. ED-12. № 2.-P. 84−85.
  256. Cheng M.C., Yu F., Habitz P., Ahmadi G. Analytical heat flow modeling of silicon-on- insulator devices// Solid State Electronics. 2004. — Vol. 48 -№ 3.-P. 415−426.
  257. Fletcher N.H. Some aspects of the design of power transistors. //Proc. IRE. 1955. — V. 43. — № 5. — P. 551−559.
  258. Gaur S.P., Navon D.H. Two-dimensional carrier flow in a transistor structure under nonisothermal conditions// IEEE Transactions on Electron Devices. 1976.- V. ED-23. — № 1. — P. 50−57.
  259. Gaur S.P., Navon D.H., Teerlinck I. Transistor Design and Thermal Stability // IEEE Transactions on Electron Devices. 1973. — V. ED-20.- № 6. — P. 527−534.
  260. Hauser J.R. The effects of distributed base potential on emitter current injection density and effective base resistance for stripe transistor geometries. // IEEE Transactions on Electron Devices. 1964. — V. ED-11. — № 5. — P. 237−242.
  261. Hillkirk L.M. Dinamic surface temperature measurement in SiC epitaxial power diodes perfomed under single-pulse self-heating conditions// Solid State Electronics. 2004. — V. 48. — № 12. — P. 2181−2189.
  262. Joy C., Schlig E.S. Thermal properties of very fast transistors // IEEE Transactions on Electron Devices. 1970. — V.17. -№ 8. — P. 586−594.
  263. Jowett Charles E. Failure mechanisms and analysis procedure for semiconductor devices //Microelectronics Journal. 1979. — V.9., № 3. — P. 5−18.
  264. Klein N. Thermal stresses and fatigue in silicon power rectifiers //IEEE Transaction Communications and Electronics 1964. — № 75. — P. 208−217.
  265. Liu W., Bayraktaroglu В Theoretical calculationsof temperature and current profiles in multi-finger heterojunction bipolar transistors// Solid State Electronics. 1993. — Vol. 36, № 1. — P. 125−134.
  266. Marmann A. Reliability of Silicon Power Transistors//Microeltctronics and Reliabilities. 1976. — № 3 — P.69−74.
  267. McAlister S.P., McKinnon, Kovacic S.J., Lafonteine H. Self-heating in multi-emitter SiGe HBTs// Solid State Electronics. 2004. -Vol. 48, № 10−11.- P. 2001−2006.
  268. Melia A.I. Current gain degradation unduced by Emitter-Base avalanche breakdown in silicon planar transistors //Microeltctronics and Reliabilities. 1976. — V. 15. — P. 619−623.
  269. Mueller O., Jurgen Pest. Thermal Feedback in Power Semiconductor Devices // IEEE Transactions on Electron Devices.- 1970. V. ED-17. № 9. — P. 770−782.
  270. Navon D.H., Lee R.E. Effect of non-uniform emitter current distributions on power transistor stability//Solid State Electronics. -1970.- V.13.-P. 981−987.
  271. Oettinger F.F., Blackburn D.I., Rubin S. Thermal characterisation of power transistors // IEEE Transactions on Electron Devices.- 1976. V. ED-23, № 8. -P. 831−838.
  272. Peters W.G., Kermez G.L. Production testing of thermal resistance in power transistors //Quality Assurance. 1975. V. l, № 3. — P. 91−93.
  273. Shafft H.A., French J.G. Second breakdown in transistors.//IRE Trans.- 1969.-V.ED-9.- № 2.-P. 129−141.
  274. Tornton C.G., Simmons C.D. A new high current mode of transistor’s operation //IRE Trans. 1958. — V. ED-5. — № 1. — P. 6−10.
  275. Walshak Lowis G., Pool Walter E. Thermal resistance measurement by IR scanning //Microwave Journal. 1977. — Vol. 20. — № 2. — P. 62−65.
  276. Wunch D., Bell R. Determination of threshold failure levels semiconductor diods and transistors due to pulse voltage// IEEE Trans, on Nuclear Sciensic 1968.- NS-15. — № 6. — P. 244−259.
  277. Zommer N.D., Feucht D.L., Heckel R.W. Reliability and thermal im-pedanse studies in soft soldered power transistors III IEEE Transactions on Electron Devices.- 1976. Vol. ED-23, № 8. — P. 843−850.
  278. Zhu L., Vafai K., Xu L. Modeling of non uniform heat dissipation and prediction of hot spot in power transistors// Int. J. Heat Mass Transfer 1998. -Vol. 41. — № 15. — P. 2399−2407.
  279. Zhou W., Sheu.S., Lious J.J., Huang C. Analysis of non-uniform current and temperature distributions in the emitter finger of AlGaAs/GaAs hetero-junction bipolar transistors// Solid State Electronics 1996. — V. 39. — № 12. — P. 1709−1721.
  280. ТОПОЛОГИЯ, ГЕОМЕТРИЯ И ПАРАМЕТРЫ СТРУКТУРЫ ТРАНЗИСТОРОВ ТИПА КТ803А1. Разрез структуры
  281. Параметры областей структуры
  282. Области структуры Тип проводимости Легирующий элемент Обозначение размера Толщина слоя, мкм Обозначение поверхности Поверхностная концентрация, см"3
  283. Коллектор + п Р н, 120±30 • к, 10- -10л
  284. Коллектор п Р н2 35±7 к2 6−1014- -9-Ю14
  285. База р В Н3 3±1 Б 2−10'8- -101У
  286. Эмиттер + п Р Н4 4±0,3 Э 5-Ю20- -10 213. Параметры покрытий
  287. Обознач. Толщина в мкм Материал ГОСТ, ТУн5 2±0,5 Аи ГОСТ 6855–56н6 4±0,5 Ni МН 2165-БЗ4. Геометрия структуры
  288. Геометрические параметры эмиттерного перехода
  289. Площадь эмиттерного р-п перехода 8э= 8,03 мм Площадь боковой поверхности S60K = 0,23 Sa Периметр эмитерного р-п перехода П = 45 мм Отношение площади эмиттера к периметру 8э/П= 0,2
  290. РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ТЕПЛОВОЙ ЭКВИВАЛЕНТНОЙ СХЕМЫ1. ТРАНЗИСТОРА ТИПА 2Т803А
  291. Рис. П. 2.1. Эквивалентная теплоэлектрическая схема транзистора КТ803А.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!