Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Дефекты с глубокими уровнями в тонких слоях ZnSe и разрывы зон в квантово-размерных структурах на основе ZnSe/ZnCdSe и ZnTe/ZnCdTe, выращенных методом эпитаксии из молекулярных пучков

Диссертация: Дефекты с глубокими уровнями в тонких слоях ZnSe и разрывы зон в квантово-размерных структурах на основе ZnSe/ZnCdSe и ZnTe/ZnCdTe, выращенных методом эпитаксии из молекулярных пучков
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

При изменении отношения эквивалентных давлений молекулярных пучков селена и цинка на ±25% относительно значения Р§ е Рхп = 2:1 или скорости роста слоев 2п8е от 0,6 до 2 мкм/ч на подложках СаА5(100) имеет место перестройка энергетического спектра дефектов с глубокими уровнями. При переходе от условий обогащения поверхности 2п8е атомами Ъа к условиям обогащения поверхности атомами 8е снижается… Читать ещё >

Содержание

  • ВВЕДЕНИЕ.&bdquo
  • ГЛАВА 1. Электрофизические свойства некоторых полупроводниковых соединений А2В6 и квантово-размерных структур на их основе
    • 1. 1. Электрофизические свойства 2п8е и 2пТе
      • 1. 1. 1. Дефекты в соединениях АВ
      • 1. 1. 2. Проблемы легирования ZnSe и ZnTQ
      • 1. 1. 3. Дефекты с глубокими уровнями в ZnSe, обнаруженные электрическими методами
      • 1. 1. 4. Дефекты с глубокими уровнями в 2пТе. обнаруженные электрическими методами
    • 1. 2. Особенности квантово-размерных структур с одиночными и множественными квантовыми ямами на основе 2п8е^пСс18е и ЪпХъ/ЪпС&Те
  • ПОСТАНОВКА ЗАДАЧ ДИССЕРТАЦИИ
  • ГЛАВА 2. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в квантово-размерных структурах
    • 2. 1. Физические основы РСГУ
    • 2. 2. Особенности применения РСГУ для характеризации объектов с квантовыми ямами
    • 2. 3. Установка релаксационной спектроскопии глубоких уровней
    • 2. 4. Погрешность определения энергии ионизации ГУ по наклону кривой Аррениуса
  • ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 2
  • ГЛАВА 3. Исследование электрофизических свойств эпитаксиальных слоев 2п8е на (ОООваАз
    • 3. 1. Особенности роста и параметры образцов
    • 3. 2. Экспериментальные результаты и их обсуждение
  • ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 3
  • ГЛАВА 4. Разрывы зон в квантово-размерных структурах с одиночной квантовой ямой на основе 7пСс18е/7п8е и 7пСс1Те/2пТе
    • 4. 1. Обоснование предлагаемого метода определения относительных разрывов зон
    • 4. 2. Особенности получения и параметры исследуемых образцов
    • 4. 3. Оптические переходы в квантово-размерных структурах на основе гпЭе/гпСсШе и 7, пТе/7,пСс1Те
    • 4. 4. Токовая релаксационная спектроскопия глубоких уровней в квантово-размерных структурах с одиночной КЯ
    • 4. 5. Расчет энергий размерного квантования носителей заряда в квантоворазмерных структурах
    • 4. 6. Расчет энергии связи экситона, локализованного на тяжелой дырке
    • 4. 7. Расчет параметра разрыва зоны проводимости с использованием экспериментальных данных KJI и РСГУ
    • 4. 8. Теоретический расчет параметра разрыва зоны проводимости в квантово-размерных структурах с одиночной КЯ
    • 4. 9. Расчет изменения положения энергетических зон, вызванного деформационными напряжениями из-за рассогласования постоянных кристаллических решеток
    • 4. 10. Деформационные напряжения в слоях, обусловленные различием температурных коэффициентов линейного расширения материалов слоев
    • 4. 11. Расчет критической толщины пленок ZnCdSe (Te) в структурах с одиночными КЯ
    • 4. 12. Сопоставление результатов эксперимента и теории, обсуждение полученных результатов
  • ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 4
  • ГЛАВА 5. Разрывы зон в квантово-размерных структурах с множественными квантовыми ямами на основе ZnCdSe/ZnSe и ZnCdTe/ZnTe
    • 5. 1. Особенности определения относительных разрывов зон в квантово-размерных структурах с множественными квантовыми ямами
    • 5. 2. Параметры исследуемых квантово-размерных структур
    • 5. 3. Оптические переходы в МКЯ-с груктурах на основе ZnSe/ZnCdSe и ZnTe/ZnCdTe
    • 5. 4. Расчет параметра разрыва зоны проводимости с использованием экспериментальных данных КЛ и РСГУ
    • 5. 5. Теоретический расчет параметра разрыва зоны проводимости в квантово-размерных структурах с множественными КЯ
    • 5. 6. Расчет критической толщины многослойной структуры для образцов с множественными КЯ
    • 5. 7. Сопоставление результатов эксперимента и теории, обсуждение полученных результатов
  • ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 5

Дефекты с глубокими уровнями в тонких слоях ZnSe и разрывы зон в квантово-размерных структурах на основе ZnSe/ZnCdSe и ZnTe/ZnCdTe, выращенных методом эпитаксии из молекулярных пучков (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Широкозонные полупроводниковые соединения группы А2В6 — 7п8е, 7пТе обладают уникальными фотоэлектрическими и люминесцентными свойствами и представляют интерес для оптоэлектроники.

В настоящее время уделяется значительное внимание изучению электрофизических свойств пленок 2п8е и 2пТе, выращенных на инородных подложках методом эпитаксии из молекулярных пучков. В литературе приводятся данные для большого количества глубоких уровней, наблюдаемых в гетероэпитаксиальных пленках 7п8е и 7пТе. Однако до сих пор данные о природе глубоких центров в пленках ZnSe и 7пТе несистематизированы и практически не установлена взаимосвязь между электрофизическими свойствами пленок 7п8е и 7пТе и технологическими режимами э п итакс и ал ьн о го роста пленок. Поэтому изучение электрофизических свойств гетероэпитаксиальных пленок соединений А" В, выращенных при различных условиях роста, является весьма актуальной задачей.

В связи с интенсивным развитием полупроводниковой микрои наноэлектроники значительное внимание уделяется изучению оптических и электрических свойств квантово-размерных структур 7п8е/7пСс18е и 7пТе/7пС (1Те. Как правило, квантово-размерные структуры создаются на основе резких гетеропереходов. Величины разрывов энергетических зон в гетеропереходах и квантово-размерных структурах относятся к важнейшим фундаментальным свойствам данных структур. Для структур на основе 7п8е/7пСс18е и 7пТе/7пС (ЗТе относительные разрывы зон определены не достаточно надежно.

К настоящему времени существует ряд теоретических моделей для определения разрывов энергетических зон в гетеропереходах, от модели Андерсона для идеального гетероперехода до более сложных моделей, таких как теория атомных орбиталей Харрисона, теория самосогласованного пограничного потенциала и др. Однако при практическом применении теоретические расчеты дают большой разброс результатов из-за имеющейся свободы в выборе используемых при расчете параметров структур. Кроме того, особенности получения конкретных образцов также могут приводить к колебаниям величин разрывов энергетических зон.

Как правило, для исследования энергетических зон соединений А~В применяют оптические методы контроля. Согласно [1], наиболее надежными считаются данные, полученные в экспериментах по фотоэлектронной спектроскопии в ультрафиолетовой и рентгеновской областях спектра на очень тонких гетеропереходах при условии, что технология изготовления самих переходов очень высока. Определение параметров разрыва зон в гетеропереходах, в том числе и в к ван го во-размер ных структурах возможно только в случае исследования перечисленными методами специально приготовленных объектов [1].

Одними из перспективных методов по изучению оптических и электрических свойств полупроводниковых структур являются фотои катодолюминесцен ция и релаксационная спектроскопия глубоких уровней (РСГУ). Методы люминесценции позволяют получить информацию о ширине запрещенной зоны материала КЯ, величинах энергий основных состояний электронов и тяжелых (легких) дырок, а также о величине энергии связи экситана в КЯ. РСГУ дает информацию о глубоких центрах. Квантовую яму можно рассматривать как гигантскую ловушку для носителей заряда (ИЗ) [2−3], поэтому с помощью РСГУ можно определить величину энергетического интервала между уровнем размерного квантования, с которого происходит эмиссия носителей заряда, и краем соответствующей зоны в барьере.

В этих условиях представляется актуальным разработка метода экспериментального определения разрывов энергетических зон конкретныхтипов структур и сопоставление экспериментальных результатов с предсказаниями различных теоретических моделей.

Изучение особенностей зонной диаграммы в квантово-размерных структурах на основе Хп8е/2пС (18е и гпТе^пСёТе позволит прояснить сложившуюся ситуацию с неопределенностью величин относительных разрывов энергетических зон.

Целью диссертации является определение влияния технологических режимов молекулярно-пучковой эпитаксии на энергетический спектр дефектов с глубокими уровнями (ГУ) в пленках 2п$е, выращенных на подложках ОаАз (ЮО), и разработка методики определения параметров разрыва зон в квантово-размерных структурах на основе полупроводников А2В6, содержащих одиночную и множественные квантовые ямы (КЯ) различной конфигурации.

Научная новизна представленных в работе результатов заключается в следующем:

1. Проведены исследования глубоких центров в пленках 2п8е, позволившие обнаружить зависимость энергетического спектра глубоких центров от типа реконструкции поверхности и скорости роста пленок 7п8е.

2. Впервые параметр разрыва зоны проводимости в квантово-размерных структурах на основе 7п8е/7пСс18е и 2пТе/2пСс1Те, имеющих конфигурацию зонной диаграммы первого типа, определен в результате совместного использования экспериментальных данных, полученных методами релаксационной спектроскопии глубоких уровней и катодолюминесценции (КЛ).

3. Развита теоретическая модель Андерсона для определения разрывов зон с учетом внутренних механических напряжений в квантовых ямах и барьерных слоях в квантово-размерных структурах с одиночной и множествен ными квантовыми ямами на основе гетеропереходов 2п8е/2пСс18е и 7пТе/7пСс1Те.

4. Обнаружена зависимость параметра разрыва зоны проводимости в структурах с одиночной и множественными квантовыми ямами на основе 2п8е/7пС<18е и 2пТе/2пСёТе от конфигурации квантово-размерной части структуры.

Положения, выносимые на защиту.

1. При изменении отношения эквивалентных давлений молекулярных пучков селена и цинка на ±25% относительно значения Р§ е Рхп = 2:1 или скорости роста слоев 2п8е от 0,6 до 2 мкм/ч на подложках СаА5(100) имеет место перестройка энергетического спектра дефектов с глубокими уровнями. При переходе от условий обогащения поверхности 2п8е атомами Ъа к условиям обогащения поверхности атомами 8е снижается концентрация ГУ с энергией активации 0,36+0,02 эВ, вместо ГУ с энергией активации 0,84±0,03 эВ появляется ГУ с энергией активации 0,72+0,03 эВ. ГУ с энергией активации 0,56+ 0,02 эВ возникает при форсировании скорости роста эпитаксиальных слоев 7п8е.

2. Методика, основанная на совместном использовании экспериментальных данных релаксационной спектроскопии глубоких уровней и катодолюминесценции, позволяет определять параметры разрыва зон в квантово-размерных структурах, имеющих конфигурацию зонной диаграммы первого типа.

3. Параметр разрыва зоны проводимости в квантово-размерных структурах с одиночными и множественными квантовыми ямами на основе 7п8е/7пС<18е и 7, пТе/2пСсГГе не является фиксированной величиной, а зависит от конфигурации квантово-размерной части структуры.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика — 98» (Зеленоград, 20−22 апреля 1998 г.), IV Всероссийской научно-технической конференции «Методы и средства измерений физических величин» (Нижний Новгород, 16−17 июня 1999 г.), Международной конференции «The Ninth International Conference on И-VI Compounds (II-VI '99)» (Kyoto, Japan, November 1−5, 1999), Международной конференции «Релаксационные явления в твердых телах» (Воронеж, 18−21 октября 1999 г.), Всероссийском совещании «Нанофотоника-2000» (Нижний Новгород, 20−23 марта 2000 г.), 8-м Международном симпозиуме «Nanostructures: physics and technology» (St Petersburg, Russia, June 19−23, 2000).

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы.

Выводы по главе 5.

В МКЯ-структурах, в том числе и СР на основе 7п8е/7пСё8е и 7пСёТе/7пТе методом РСГУ обнаружен сигнал, обусловленный по нашему мнению эмиссией электронов с основного уровня (минизоны) размерного квантования. Обнаружено, что энергия активации этого уровня коррелирует с энергетическим положением линии излучения КЯ в спектрах КЛ. Предложена процедура расчета относительного разрыва зоны проводимости Ос, основанная на экспериментальных данных РСГУ и КЛ при известной ширине КЯ.

Предложена процедура теоретического расчета относительного разрыва зоны проводимости по известным параметрам МКЯ-структуры с учетом упругих напряжений в КЯ и барьерах. Для большинства образцов МКЯ-структур экспериментально подтверждено, что для корректного теоретического расчета относительного разрыва зоны проводимости следует учитывать влияние внутренних упругих напряжений и в КЯ, и в барьерных слоях МКЯ-структуры. Расчетная зависимость параметра (2с (х) с учетом упругих напряжений в КЯ и барьерах достаточно хорошо согласуется с полученными экспериментальными значениями для образцов с высоким содержанием Сё в квантовой яме.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. Экспериментально показано, что при относительно небольшом изменении отношения эквивалентных давлений молекулярных пучков селена и цинка или скорости роста слоев гпЭе на ОаАз (100) имеет место перестройка энергетического спектра дефектов с глубокими уровнями.

2. С использованием математического аппарата токовой РСГУ для перезарядки ГУ и КЯ получено выражение для сечения захвата НЗ квантовой ямой. Теоретически показано, что сечение захвата КЯ определяется ее геометрическими размерами (шириной) и высотой потенциального барьера для НЗ, находящихся на уровнях размерного квантования в яме.

3. Разработана методика расчета относительного разрыва зон, основанная на экспериментальных данных, полученных методами катодолюминесценции и токовой РСГУ, которая была реализована для высокоомных квантово-размерных структурах 2пСс18е/2п8е и 2пСёТе/2пТе с одиночными и множественными квантовыми ямами.

4. Установлены конкретные значения параметра разрыва зоны проводимости в квантово-размерных структурах с одиночной и множественными КЯ на основе 7п8е/7пСс18е и гпТе/2пСс1Те.

5. Получены теоретические выражения для относительного разрыва зоны проводимости в квантово-размерных структурах 2пСё8е/Хп8е и 7пСс1Те/7лТе с одиночными и множественными квантовыми ямами, в которых учитываются упругие напряжения, обусловленные рассогласованием параметров кристаллических решеток материалов КЯ и барьеров.

6. Теоретически показано, что упругие напряжения из-за рассогласования параметров кристаллических решеток по крайней мере на порядок величины превышают напряжения, обусловленные рассогласованием температурных коэффициентов линейного расширения материалов КЯ, барьеров и подложки.

7. Теоретически и экспериментально показано, что относительный разрыв зоны проводимости в структурах с одиночной и множественными квантовыми ямами не является фиксированной величиной, а зависит от ширины квантовой ямы и барьерных слоев, толщины квантово-размерной части структуры, концентрации Сё в.

142 квантовой яме.

В заключение выражаю признательность научному руководителю д.ф.-м.н., профессору Садофьеву Юрию Григорьевичу за научное руководство и помощь при выполнении данной работы, Козловскому Владимиру Ивановичу за предоставленные спектры катодолюминесценции, благодарность сотрудникам кафедры Микроэлектроники за внимание к работе и моральную поддержку.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: Пер. с англ. / Под ред. Л. Ченга, К. Плога. М.: Мир. 1989. 584 с.
  2. Jiao K.L., Anderson W.A. Trap behavior in nonintentionally doped AlGaAs/GaAs single quantum well structures // J. Appl. Phys. 1993. V. 73. P. 271−276.
  3. Chretien O., Apetz R., Vescan L., Souifi A., Luth H., Schmalz K., Koulmann J.J. Thermal hole emission from Si/Sii, 4Gex/Si quantum wells by deep level transient spectroscopy //J. Appl. Phys. 1995. V 78. P. 5439−5447.
  4. Hartmann H., Mach R., Selle B. Wide gap II-VI compounds as electronic materials. Preprint 82 of a review publised in «Current topics in materials science». Amsterdam. 1982. V. 9. 572 p.
  5. Warlick EX., Ho E., Petrich G.S., Kolodziejski L.A. Reducing the defect density in MBE-ZnSeAIl-V heterostructures //J. Crystal Growth. 1997. V. 175/176. P. 564−570.
  6. Qiu J., Qian Q.-D., Gunshor R.L., Kobayashi M., Menke D.R., Li D., Otsuka N. Influence of GaAs surface stoichiometry on the interface state density of as-grown epitaxial GaAs heterostructures//Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. P. 1272−1274.
  7. Vanzetti L., Bonanni A., Bratina G., Sorba L., Franciosi A., Lomascolo M., Greco D., Cingolani R. Influence of growth parameters on the properties of ZnSe-GaAs (lOO) heterostructures //J. Crystal Growth. 1995. V.150. P.765−769.
  8. Qian Q.-D., Qiu J., Melloch M.R., Cooper J.A., Kolodziejski Jr., L.A., Kobayashi M., Gunshor R.L. Low interface state density at an epitaxial ZnSe/ epitaxial GaAs interface // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. P. 1359−1361.
  9. Ayyar S.G., Colak S., Marshall Т., Khan В., Cammack D. Observation of hysteresis, transients, and photoeffects in the electrical properties of ZnSe/GaAs heterojunctions // J. Appl. Phys. 1990. V. 68. P. 5226−5233.
  10. Hommel D., Jobst В., Behr Т., Bilger G., Beyersdorfer V., Kurtz E., Landwehr G. Correlation between electrical and structural properties of chlorine doped ZnSe epilayers grown by molecular beam epitaxy // J. Crystal Growth. 1994. V. 138. P. 331−337.
  11. Hierro A., Kwon D., Ringel S.A., Rubini S., Pelucchi E., Franciosi A. Photocapacitance study of bulk deep levels in ZnSe grown by molecular-beam epitaxy // J. Appl. Phys. 2000. V. 87. P. 730−738.
  12. Raisanen A.D., Brillson L.J., Vanzetti L., Bonanni A., Franciosi A. Atomic diffusion-induced deep levels near ZnSe/GaAs (100) interfaces // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 3301−3303.
  13. Spahn W., Ress H.R., Schull K., Ehinger M., Hommel D., Landwehr G. The growth start on the heterovalent GaAs-ZnSe interface under Те, Se and Zn termination // J. Crystal Growth. 1996. V.159. P.761−765.
  14. A.B. Электрические свойства гетероструктур ZnSe/GaAs (100), выращенных методом фотостимулированной газофазной эпитаксии // ФТП. 1997. Т. 31.Вып.1.С. 11−14.
  15. Vos М., Xu F., Anderson Steven G., Weaver J.H. Photoemission studies of interface chemistry and Schottky barriers for ZnSe (100) with Ti, Co, Си, Pd, Ag, Ce, and A1 // Phys. Rev. B. 1989. V.39. P. 10 744−10 751.
  16. Blomfield С.J., Dharmadasa I.M., Prior K.A., Cavenett B.C. Discrete Shottky barriers observed for the metal-n-ZnSe (100) system // J. Crystal Growth. 1996. V. 159. P. 727−731.
  17. Marshall Т., Cammack D.A., Electrical characterization of p-type ZnSe: Li epilayers grown on p±GaAs by molecular-beam epitaxy // J. Appl. Phys. 1991. V. 69. P. 4149−4151.
  18. Imai K., Kuusisto E., Lilja J., Pessa M., Suzuki D., Ozaki H., Kumazaki K. Electrical characterization of Li-doped ZnSe grown by molecular beam epitaxy // J. Crystal Growth. 1992. V. 117. P. 406−409.
  19. Ни В., Karczewski G., Luo H., Samarth N., Furdyna J.K. Deep hole traps in p-type nitrogen-doped ZnSe grown by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63. P. 358−360.
  20. Tanaka K., Zhu Z., Yao T. Study of deep hole and electron traps in nitrogen-doped ZnSe by isothermal capacitance transient spectroscopy and deep level transient spectroscopy //Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 3349−3351.
  21. Matsumoto Т., Egashira K., Kato T. Hole traps in nitrogen-doped ZnSe epitaxial layers // J. Crystal Growth. 1996. V. 159. P. 280−283.
  22. Qurashi U.S., Iqbal M.Z. Deep levels in nitrogen-doped MBE-grown p-ZnSe // Semicond. Sci. Technol. 1997. V. 12. P. 1615−1618.
  23. Matsumoto Т., Kokubo N., Kawakami K., Kato Т., Capacitance-voltage characterization of n-ZnSe/n-GaAs heterojunctions // J. Crystal Growth. 1992. V.117. P.578−582.
  24. Shirakawa Y., Kukimoto H. Deep levels in ZnSe/GaAs heteroj unctions // J. Appl. Phys. 1980. V. 51. P. 5859−5863.
  25. Besomi P., Wessels B.W. Deep level defects in heteroepitaxial zinc selenide // J. Appl. Phys. 1988. V. 53 P. 3076−3084.
  26. V.I., Krysa A.B., Korostelin Yu.V., Sadofyev Yu.G. МВБ growth and characterization of ZnTe epilayers and ZnCdTe/ZnTe structures on GaAs (100) and ZnTe (lOO) substrates // J. Crystal Growth. 2000. V. 214/215. P. 35−39.
  27. Зайцев В В., Багаев B.C., Онищенко EE., Садофьев ЮГ. Излучение свободного и связанного экситонов в напряженных пленках ZnTe, выращенных методом МПЭ на подложках GaAs (100) // ФТТ. 2000. Т. 42 Вып. 1. С. 246−251.
  28. В.И., Крыса А. Б., Садофьев Ю. Г., Турьянский А.Г.
  29. Эпитаксиальные слои ZnTe и квантовые ямы CdZnTe/ZnTe, выращенные МПЭ на подложках GaAs (lOO) с использованием твердофазной кристаллизации затравочного аморфного слоя ZnTe //ФТП. 1999. Т. 33. С. 810−814.
  30. Kumazaki К., Iida F., Ohno К., Hatano К., Imai К. Lattice strain near interface of MBE-grown ZnTe on GaAs // J. Crystal Growth. 1992. V. 117. P. 285−289.
  31. Hishida Y., Toda Т., Yamaguchi T. Characteristics of Li- and CL-doped ZnTe grown by molecular beam epitaxy // J. Crystal Growth. 1992. V. 117. P. 396−399.
  32. Wagner H P, Lankes S., Wolf K., Kuhn W., Link P., Gebhardt W. Spectroscopic investigations of donor and acceptor states in n- and p-doped ZnTe epilayers // J. Crystal Growth. 1992. V. 117. P. 303−308.
  33. Taike A., Momose M., Kawata M., Gotoh J., Mochizuki K. Effect of N-doped ZnTe layers onZnSe/ZnTe graded superlattices//J. Crystal Growth. 1996. V. 159. P. 714−717.
  34. Losee D.L. Admittance spectroscopy of impurity levels in Schottky barriers // J. Appl. Phys. 1975. V. 46. P. 2204−2214.
  35. Khan M.R.H., Saji M. Origin of deep levels in the depletion region of p-ZnTe/n -CdTe heterojunction determined by DLTS // J. Appl. Phys. 1985. V 57. P. 4668−4671.
  36. Livingstone M., Galbraith I., Band structure and band offset in Zni, xCdxSe/ZnSe quantum wells // J. Crystal Growth. 1996. V. 159. P.542−545.
  37. Guenaud C., Deleporte E., Filoramo A., Lelong Ph., Delalande C., Morhain C., Tournie E., Faurie J.P. Band offset determination of ZnixCdxSe/ZnSe interface // J. Cryst. Growth. 1998. V. 184/185. P. 839−843.
  38. Е.М., Трубенко П. А., Филимонов Е. Э., Щербаков Е. А. Влияние термического отжига на люминесцентные свойства квантово-размерных структур на основе соединений ZnCdSe/ZnSe // ФТП. 1997. Т. 31. С. 232−234.
  39. М.В., Крестников И. Л., Иванов С. В., Леденцов Н. Н., Сорокин С. В. Расчет уровней размерного квантования в напряженных ZnCdSe/ZnSe квантовых ямах //ФТП. 1997. Т. 31. Вып. 8. С.939−943.
  40. Melnik N.N., Sadofyev Yu.G., Zavaritskaya T.N. Multiphonon relaxation in ZnSe/ZnCdSe superlattice // J. Crystal Growth. 2000. V. 214/215. P. 651−655.
  41. Cingolani R., Prete P., Greco D., Giugno P. V., Lomascolo M., Rinaldi R., Calcagnile L., Vanzetti L., Sorba L., Franciosi A. Exciton spectroskopy in Zni. xCdxSe/ZnSe quantum wells // Phys. Rev. B. 1995. V. 51. P. 5176−5183.
  42. Pellegrini V., Atanasov R., Tredicucci A., Beltram F., Amzulini C., Sorba L., Vanzetti L., Franciosi A. Excitonic properties of Zn i xCdxSe/ZnSe strained quantum wells // Phys. Rev. B. 1995. V. 51. P. 5171−5175.
  43. Liaci F., Bigenwald P., Briot O., Gil В., Briot N., Cloitre Т., Aulombard R.L. Band offsets and exciton binding energies in ZnixCdxSe-ZnSe quantum wells grown by metal-organic vapor-phase epitaxy // Phys. Rev. В. 1995. V. 51. P. 4699−4702.
  44. Pellegrini V., Tredicucci A., Beltram F., Vanzetti L., Lazzarino M., Franciosi A. Band-offset determination in ZnixCdxSe/ZnSe multiple quantum wells // J. Crystal Growth. 1996. V. 159. P. 498−501.
  45. Lankes S., Reisinger Т., Hahn В., Meier C., Meier M., Gebhardt W. Composition dependent determination of band offsets in ZnCdSe/ZnSe and ZnSe/ZnSSe SQW by optical means // J. Crystal Growth. 1996. V. 159. P. 480−484.
  46. Lozykowski H.J., Shastri V.K. Excitonic and Raman properties of ZnSe/ Znj. xCdxSe strained-layer quantum wells //J. Appl. Phys. 1991. V. 69. P. 3235−3242.
  47. Young P.M., Runge E., Ziegler M., Ehrenreich H. Optical absorption and exciton linewidths ofZnbxCdxSe quantum wells //Phys. Rev. B. 1994. V. 49. P. 7424−7431.
  48. Mariette H., Dal1 bo F., Magnea N., Lentz G., Tuffigo H. Optical investigation of confinement and strain effects in CdTe/Cdi.xZnxTe // Phys. Rev. B. 1988. V. 38. P. 1 244 312 448.
  49. Kim T.W., Park H.L. Interband transition and electronic subband studies in CdTe/ZnTe strained single and double quantum wells grown by double-well temperature-gradient vapor deposition // J. Crystal Growth. 1996. V. 159. P. 467−470.
  50. Due T.M., Hsu C, Faurie J P. Linearity (commutativity and transitivity) of valence-band discontinuity in heterojunctions with Te-based Il-VI semiconductors: CdTe, HgTe, and ZnTe // Phys. Rev. Lett. 1987. V. 58. P. 1127−1130.
  51. Mathieu H., Allegre J., Chatt A., Lefebvre P., Faurie J.P. Band offsets and lattice-mismatch effects in strained-layer CdTe/ZnTe superlattices // Phys. Rev. В 1988. V. 38. P. 7740−7748.
  52. В.И., Садофьев Ю. Г., Литвинов В. Г. Разрыв зон в структурах с одиночной квантовой ямой Zn j xCdxTe/ZnTe, выращенных на GaAs (lOO) эпитаксией из молекулярных пучков // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 8. С. 998−1003.
  53. Kozlovsky V.I., Sadofyev Yu.G., Litvinov V.G. Deep level transient spectroscopy and cathodoluminescence of CdxZnt. xTe/ZnTe QW structures grown on GaAs (100) by MBE // J. Cryst. Growth. 2000. V. 214/215. P. 983−987.
  54. Kozlovsky V.I., Sadofyev Yu.G., Litvinov V.G. Band alignment in ZnCdTe/ZnTe and ZnCdSe/ZnSe SQW structures grown on GaAs (lOO) by MBE // Nanotechnology. 2000. V.ll.P. 1−5.
  55. Л.С., Сорокин B.K. Основы пленочного полупроводникового материаловедения. М.: Энергия. 1973. 296 с.
  56. Yao Т., Zhu Z., Wu Y.H., Song C D., Nishiyama F., Kimura K., Kajiyama H., Miwa S., Yasuda T. Nitrogen doping and carrier compensation in p-ZnSe // J. Crystal Growth. 1996. V. 159. P. 214−220.
  57. Ren W., Yang X. Deep centers in S+ implanted ZnSe // J. Crystal Growth. 1990. V. 101. P. 454−457.
  58. Kosai K. Electron traps in ZnSe grown by liquid-phase epitaxy // J. Appl. Phys.1982. V. 53(2). P. 1018−1022.
  59. Shirakawa Y., Kukimoto H. The electron trap associated with an anion vacancy in ZnSe and ZnSxSebx // Solid State Commun. 1980. V. 34. P.359−361.
  60. Verity D., Bryant F.J., Scott C.G., Shaw D. DLTS investigation of some II-V1 compounds //J. Crystal Growth. 1982. V. 59. P. 234−239.
  61. Haase M.A., Qiu J., DePuydt J.M., Cheng H. Blue-green laser diodes // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. P. 1272−1276.
  62. Nasibov A.S., Kozlovsky Y. I, Reznikov P.V., Skasyrsky Ya.K., Popov Yu.M. Full colour TV projector based on A2B6 electron-beam pumped semiconductor lasers // J. Crystal Growth. 1992. V. 117. P. 1040−1044.
  63. В.Я., Вугальтер ГА. Физика квантовых низкоразмерных структур. М.: Логос. 2000. 248 с.
  64. А.П. Полупроводниковые сверхрешетки // Успехи физических наук. 1985. Т. 147. Вып. 3. С. 485−521.
  65. Л.В. О влиянии ультразвука на электронный спектр кристалла // ФТТ. 1962. Т. 4. Р. 2265−2267.
  66. Шик А. Я. Сверхрешетки периодические полупроводниковые структуры // ФТП. 1974. Т. 8. Вып. 10. С. 1841−1864.
  67. Johnston W.D. Coloumb interaction in semiconductor lasers // Phys. Rev. B. 1972. V. 6. P. 1455−1464.
  68. H.B., Тищенко В В., Бродин М С. Энергетическое состояние экситонов и спектры фотолюминесценции напряженных сверхрешеток ZnS-ZnSe // ФТП. 2000. Т.34. Вып. 5. С. 588−593.
  69. Mathieu Н., Lefebvre P., Christol P. Simple analytical method for calculating exciton binding energies in semiconductor quantum wells // Phys. Rev. B. 1992. V. 46. P. 40 924 101.
  70. Bassani F., Saminadayar K., Tatarenko S., Kheng K., Cox R.T., Magnea N., Grattepain C. Indium doping of CdTe layers and CdTe/Cdi.xZnxTe microstructures // J. Crystal Growth. 1992. V. 117. P. 391−395.
  71. Gourgon C., Eriksson В., Dang L.S., Mariette H., Vieu C. Photoluminescence of CdTe/ZnTe semiconductor wires and dots // J. Crystal Growth. 1994. V. 138. P. 590−594.
  72. Пингус С М., Стенин С И., Торопов А. И., Труханов Е. М. Морфологическаястабильность и механизмы роста гетероэпитаксиальных пленок. Препринт 5−86. Новосибирск. СО АН СССР. 1986. 34 с.
  73. Л.Н. Структура и свойства переходных слоев, образующихся в процессе эпитаксии // Обзоры по электронной технике. 1972. Сер. Полупроводниковые приборы. Вып. 10(47). 48 с.
  74. Van der Merve J.H. Interfacial misfit and bonding between oriented films and their substrates // Single Crystal Films. McMilan. N.Y. 1964. P. 139−163.
  75. Cibert J., Gobil Y., Le Si Dang, Tatarenko S., Feuillet G., Jouneau PH., Saminadayar K. Critical thikness in epitaxial CdTe/ZnTe // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. P. 292−294.
  76. Pinardi K., Jain U., Jain S.C., Maes H.E., Van Overstraeten R., Willander M. Critical thickness and strain relaxation in lattice mismatched II—VI semiconductor layers // J. Appl. Phys. 1998. V.83. P. 4724−4733.
  77. Lang D.V. Deep level transient spectroscopy: a new method to characterize traps in semiconductors // J. Appl. Phys. 1974. V. 45. P. 3023−3032.
  78. Л.С., Лебедев А. А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука. 1981. 176 с.
  79. А.А., Лактюшкин В. Н., Садофьев Ю. Г. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней// Обзоры по электронной технике. 1985. Сер. 7. Вып. 15(1141). 52 с.
  80. Н.И. Токовая релаксационная спектроскопия глубоких уровней (i-DLTS) //ФТП. 1993. Т. 27. Вып. 10. С. 1674−1679.
  81. Schmalz К., Yassievich I.N., Rucker Н., Grimmeis H.G. Characterization of Si/Sii. xGex/Si quantum wells by space-charge spectroscopy // Phys. Rev. B. 1994. V. 50. P. 14 287−14 301.
  82. Yoon S.F., Lui P.Y., Zheng H.Q. Characterization of Gao.52Ino.48P/GaAs single quantum well structures grown by solid source molecular beam epitaxy using deep level transient spectroscopy // J. Cryst. Growth. 2000. V. 212. P. 49−55.
  83. Broniatowski A., Blosse A., Srivastava Р.С., Bourgoin J.C. Transient capacitancemeasurements on resistive samples // J. Appl. Phys. 1983. V. 54. P. 2907−2910.
  84. E.B., Лебедев A.A., Лебедев A.A. Влияние последовательного сопротивления диода на нестационарные емкостные измерения параметров глубоких уровней // ФТП. 1985. Т. 19. Вып. 8. С. 1382−1385.
  85. И.В., Шаймеев С. С. Температурная зависимость амплитуды пика DLTS в кремнии с глубокими центрами // ФТП. 1991. Т. 25. Вып. 5. С. 847−851.
  86. Сопряжение датчиков и устройств ввода данных с компьютерами. Пер. с англ. / Под ред. У. Томпкинса, Д. Уэбстера. М.: Мир. 1992. 589 с.
  87. И.Б. Транзисторные термодатчики. М.: Советское радио. 1972. 128с.
  88. К. Л., Купер В. Я. Методы и средства измерений. М.: Энергоатомиздат. 1986. 448 с.
  89. Зайдель, А Н. Ошибки измерений физических величин. Л.: Наука. 1974. 108 с.
  90. Kim С.С., Chen Y.P., Sivananthan S., Tsen S.-C.Y., Smith D.J. Molecular beam epitaxial growth of ZnSe on GaAs substrates: influence of precursor on interface quality // J. Crystal Growth. 1997. V. 175/176. P. 613−618.
  91. Fujita S., Yoshimura N., Wu Y.H., Fujita S. Surface reconstruction and stabilization in MOMBE of ZnSe revealed by in-situ monitoring // J. Crystal Growth. 1990. V. 101. P.78−80.
  92. Ю.Г. Особенности гетеродиффузии и свойства пленок германия на арсениде галлия, полученных эпитаксией из молекулярных пучков // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 10, Вып. 10. С.5−10.
  93. М.А., Хамидов М. М. Фотоэлектрически активные и неактивные медленные центры прилипания электронов в кристаллах ZnSe // ФТП. 1993. Т. 27. Вып. 5. С. 721−727.
  94. Norris С.В. The origin of the 1.59 eV luminescence in ZnTe and nature of the postrange defects from implantation //J. Appl. Phys. 1982. V. 53. P. 5172−5177.
  95. Kozlovsky V.I., Sadofyev Yu.G. investigation of e-h pair compression in molecular beam epitaxy grown ZnCdSe/ZnSe multiquantum wells at volume excitation by electron // J. Vac. Sci. Technol. 2000. V. 18. P. 1538−1541.
  96. Bastard G., Brum J.A. Electronic state in semiconductor heterostructures // IEEE J. Quantum Electronics. 1986. V. 22. P. 1625−1631.
  97. Физические величины. Справочник/А.П. Бабичев, Н. А. Бабушкина, A.M.152
  98. Братковский и др. Под ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат. 1991.1232 с.
  99. Katnani A.D., Margaritondo G. Microscopic study of semiconductor heterojunctions: Photoemission measurement of the valence-band discontinuity and of the potential barriers // Phys. Rev. B. 1983. V.28. P. 1944−1956.
  100. .JI., Пурохит Р. К. Полупроводниковые гетеропереходы: Пер. с англ. / Под ред. Ю. В. Гуляева. М.: Сов. Радио. 1979. 232 с.
  101. Pollak F.K., Cardona М. Piezo-electroreflectence in Ge, GaAs and Si // Phys. Rev. B. 1968. V. 172. P. 816−820.
  102. Van de Walle C.G. Band lineups and deformation potentials in the model-solid theory//Phys. Rev. B. 1989. V. 39. P. 1871−1883.
  103. С.И. Тепловое расширение твердых тел. М.: Наука. 1974. 294 с.
  104. ИЗ. Драгунов В. П., Неизвестный И. Г., Гридчин В. А. Основы наноэлектроники. Новосибирск: Изд-во НГТУ. 2000. 332 с.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!