Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Оптические свойства гетероструктур (Zn, Cd) Se/ (Zn, Mg) (S, Se) с массивами квантовых точек

Диссертация: Оптические свойства гетероструктур (Zn, Cd) Se/ (Zn, Mg) (S, Se) с массивами квантовых точек
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Я благодарен к.ф.-м.н. С. В. Иванову и С. В. Сорокину за выращенные ими и предоставленные для исследований структуры, а также признателен проф-ру Д. Бимбергу, д-ру А. Хоффманну и г-ну М: Штрассбургу за успешное сотрудничество и проведение совместных исследований в Техническом университете Берлина. Я отмечаю с благодарностью плодотворные обсуждения многих аспектов этой диссертационной работы… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. Обзор литературы
    • 1. 1. Выращивание структур со сверхтонкими слоями соединений А2В
    • 1. 2. Оптические свойства сверхтонких квантовых ям и субмонослойных структур
    • 1. 3. Механизмы стимулированного излучения и лазерной генерации в широкозонньг соединениях А2В6 и квантовых ямах на их основе
  • ГЛАВА 2. Экспериментальное оборудование и методики
  • ГЛАВА 3. Оптические свойства слоев и структур с квантовыми ямами в систем" соединений А2В
    • 3. 1. Люминесцентные свойства слоев 2п88е и гпСс18е
    • 3. 2. Уровни размерного квантования в напряженных гпСс!8е/2п8е квантовых ямах (расчет и сравнение с экспериментом)
  • ГЛАВА 4. Структурные и электронные свойства образцов с массивами квантовых точек
    • 4. 1. Люминесцентные и структурные свойства квантовых точек, полученных при субмонослойном осаждении
    • 4. 2. Вертикальные корреляция и антикорреляция наноостровков
    • 4. 3. Магнитооптические исследования по определению радиуса экситонов, локализованных на квантовых точках
    • 4. 4. Электронный спектр структур с субмонослойными квантовыми точками
    • 4. 5. Сила осциллятора переходов через состояния субмонослойных квантовых точек
  • ГЛАВА 5. Экситон-обусловленный волноводный эффект
    • 5. 1. Условия возникновения экситон-обусловленного волноводного эффекта
    • 5. 2. Расчет экситонного волноводного эффекта в реальных структурах
  • ГЛАВА 6. Стимулированное излучение, усиление и лазерная генерация в субмонослойных структурах с экситон-обусловленным волноводным эффектом
    • 6. 1. Механизмы усиления в структурах с упорядоченными массивами квантовых точек
    • 6. 2. Лазерная генерация без внешнего оптического ограничения в полосковой геометрии при комнатной температуре
    • 6. 3. Лазерная генерация с поверхности: эффект самосогласования мод резонатора со спектром усиления

Оптические свойства гетероструктур (Zn, Cd) Se/ (Zn, Mg) (S, Se) с массивами квантовых точек (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В настоящее время является общепризнанным, что квантоворазмерные гетероструктуры определяют прогресс в физике и технике полупроводников. Наиболее активные исследования таких структур ведутся в системах соединений АЗВ5 и А2В6. Весьма важны и приборные применения квантоворазмерных структур. Например, полупроводниковые лазеры с квантовыми ямами на основе традиционных соединений АЗВ5 являются ключевым элементом в линиях волоконно-оптической связи (ВОЛС), лазерных принтерах, устройствах оптической записи информации (видеои компакт-диски и др.).

В настоящее время все возрастающие требования, предъявляемые к современным оптоэлектронным устройствам, обуславливают необходимое расширение круга материалов, применяемых в оптоэлектронике. Так, уменьшение длины волны излучения полупроводникового лазера с 800 нм (инфракрасный диапазон) до 400 нм (голубой диапазон) позволяет в несколько раз увеличить плотность и, как минимум, на порядок по величине скорость оптической записи информации, что дает возможность существенно расширить круг применений данных устройствувеличить на один — два порядка по величине скорость печати лазерных принтеровзаменить, при сохранении пиковой оптической мощности в несколько сотен милливатт, крупногабаритные и дорогие газовые и твердотельные лазеры в их различных диагностических применениях (спектроскопия, медицина и т. д.).

Появление полупроводниковых светодиодов в сине-зеленой области спектра открывает новые возможности по созданию устройств цветного оптического отображения информации нового поколения, например, таких как плоские полупроводниковые дисплейные матрицы. В связи, с этим в последнее время широкое внимание привлекают к себе широкозонные полупроводниковые соединения А2В6 и нитридов третьей группы.

После демонстрации в 1991 году специалистами ЗМ Со. (США) первого полупроводникового лазера на основе гетероструктуры ZnSe/ZnCdSe, работающего в импульсном режиме при Т=73{С в зеленом оптическом диапазоне [1, 2], ведущие производители оптоэлектронной техники (ЗМ Со. (США) [1], Sony Со. (Япония) [3], N-A Philips Со. (США) [4, 5], Sharp Со. (Япония) [6], Matsushita Electric Ind. Со. (Япония) [7], Nichia (Япония) [8] и др.) активно включились в исследования по разработке технологии создания непрерывных полупроводниковых гетеролазеров в этом диапазоне длин волн. В настоящее время фирма Nichia разработала непрерывный промышленный полупроводниковый лазер на основе GaN, имеющий длину волны излучения -410 нм [9].

В то же время промышленный лазер, работающий в зеленой области видимого спектра, пока не создан. В связи с этим сохраняется интерес к соединениям А2В6, так как эта система является наиболее перспективной как раз для создания зеленого лазера, необходимого для ряда важных применений (проекционное телевидение, медицина и т. д.). Кроме того, соединения А2В6 были и являются основными материалами для изучения оптических процессов в широкозонных полупроводниках и гетероструктурах на их основе, так как их оптические свойства можно рассматривать как модельные. В случае нитридов третьей группы плохая однородность твердых растворов и доменная структура эпитаксиальных пленок иногда затрудняют детальное понимание физических процессов. Таким образом, изучение основных свойств А2В6 наноструктур может служить базисом для разработок новых физических концепций управления световыми потоками в широкозонных полупроводниках. Это особенно справедливо для структур с квантовыми проволоками и квантовыми точками.

За последние годы разработка технологии получения непрерывных полупроводниковых лазеров на основе широкозонных соединений А2В6, работающих в зелено-голубой области спектра при комнатных температурах, превратилась в одно из ведущих направлений исследований в современной полупроводниковой оптоэлектронике. При этом, в отличие от случая нитридов третьей группы где наилучшие результаты получены методом газофазной эпитаксии из металооорганических соединений, для соединений А2В6 молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) является, на данный момент, единственным эффективным технологическим методом, позволяющим получать подобные инжекционные гетероструктуры. В настоящее время реализован зеленый лазер, непрерывно работающий >400 часов при комнатной температуре (Sony Ltd.) [10]. Тем не менее, параметры лазеров на основе соединений А2В6 пока, в целом, не достаточны для их широкого технического применения, что свидетельствует о настоятельной необходимости проведения новых исследований.

Считается общепризнанным, что дальнейший прогресс в улучшении параметров сине-зеленых гетеролазеров (таких, как пороговая плотность тока, выходная оптическая мощность, время жизни при комнатной температуре и т. д.) связан с:

• существенным расширением круга используемых материалов А2В6, главным образом четверных твердых растворов ZnMgSSe, ZnMgSeTe, ZnBeSSe, обеспечивающих более полное оптическое и электронное ограничение в лазерных гетероструктурах;

• выбором оптимальных контактных, изолирующих и конструкционных материалов при изготовлении диодов;

• применением структур с пониженной размерностью, особенно, использование квантовых точек в активной области лазера.

Квантовые точки позволяют резко увеличить удельное усиление, улучшить температурную стабильность, снизить пороговую плотность тока лазера, уменьшить перегрев зеркал, подавить рост дислокаций и др.

Основная цель данной работы — разработка новых принципов управления световыми потоками в полупроводниках с помощью низкоразмерных гетероструктур (гп, Сс!)8е/(гп, М?)(8,8е) с массивами квантовых точек, полученных методом субмонослойного осаждения в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии.

Для достижения этой цели в ходе работы решались следующие основные задачи: исследование оптических свойств эпитаксиальных слоев ZnMgSSe и 2пСс18ерасчет и сравнение с экспериментом уровней размерного квантования в 2пСё8е/2п8е квантовых ямах, что позволило определить некоторые основные параметры объемных 2п8е и Сс18еустановление взаимосвязи между структурными и оптическими свойствами квантовых точек, полученных путем субмонослойного осаждения при молекулярно-пучковой эпитаксии исследование электронног^спектра структур с квантовыми точкамичисленное моделирования* волноводов с утечками, в которых увеличение показателя преломления в активной области достигается за счет резонансного характера спектров поглощения и/или усиления в квантовых точкахисследование механизмов усиления и лазерной генерации в структурах без внешнего волноводареализация лазерной генерации с поверхности.

На защиту выносятся следующие научные положения:

1. Результаты оптических и магнитооптических исследований субмонослойных (0.7−1.0 монослоя) структур согласуются с наличием СсШе островков в гпБе матрице, образующихся путем самоорганизации (высота 1−2 монослоя, латеральные размеры -30−40А и плотность ~1012 см" 2).

2. Структуры с СсШе островками обладают оптическими свойствами структур с квантовыми точками.

3. В случае вертикального складирования массивов квантовых островков возникает их вертикальное упорядочивание, которое может быть двух типов: вертикальная корреляция и вертикальная антикорреляция. Изменение типа вертикальной корреляции, осуществляемое путем изменения толщины барьеров между массивами квантовых островков, позволяет управлять электронным спектром подобных структур и приводит к кардинальным изменениям в спектрах фотолюминесценции.

4. За счет резкой модуляции показателя преломления вблизи экситонного резонанса возможно осуществление эффективного волноводного эффекта в полупроводниковых структурах без использования толстых широкозонных слоев с меньшим показателем преломления, ограничивающих активную область.

5. Осуществлена резонансная (безфононная) лазерная генерация через состояния квантовых точек вплоть до комнатной температуры в структурах без внешнего оптического ограничения.

Основные результаты работы сводятся к следующему:

1. При помощи ПЭМВР показаЬо, что субмонослойные (0.7−1.0 монослоя) внедрения Сс18е в матрицу (гп,]У^)(8,8е) представляют собой массивы однородных наноостровков высотой от 1 до 2 монослоев, с латеральными размерами 30−40А и плотностью ~1012 см" 2.

2. Продемонстрированы оптические свойства структур с наноостровками характерные для структур с упорядоченными по размеру квантовыми точками.

3. Показано уменьшение энергии оптических переходов и изменение поляризации люминесценции с торца при изменении типа вертикального упорядочивания вертикально складированных массивов наноостровков путем изменения толщины барьеров между слоями.

4. Показана большая сила осциллятора экситонных переходов квантовых точек по сравнению с квантовыми ямами.

5. Проведены численные расчеты, показывающие возможность осуществления экситон-обусловленного волноводного эффекта за счет сильной модуляции показателя преломления вблизи экситонного резонанса с большой силой осциллятора.

6. В структурах с субмонослойными квантовыми точками показан резонансный (безфононный) механизм усиления вследствие отсутствия экранировки экситонов при больших плотностях возбуждения и снятия правил отбора по импульсу из-за локализации экситонов.

7. В структурах без внешнего оптического волновода с широкозонной матрицей (7п1М^88е) лазерная генерация осуществляется до комнатных температур за счет экситон-обусловленного волноводного эффекта.

8. Показана возможность осуществления лазерной генерации с поверхности в структурах с произвольной толщиной микрорезонатора вследствие эффекта самосогласования мод резонатора со спектром усиления, обусловленного резкой модуляцией показателя преломления вдоль спектра усиления.

Л1, №.

ШШИ.

Я благодарен к.ф.-м.н. С. В. Иванову и С. В. Сорокину за выращенные ими и предоставленные для исследований структуры, а также признателен проф-ру Д. Бимбергу, д-ру А. Хоффманну и г-ну М: Штрассбургу за успешное сотрудничество и проведение совместных исследований в Техническом университете Берлина. Я отмечаю с благодарностью плодотворные обсуждения многих аспектов этой диссертационной работы с докторами ф.-м.н. С. А. Пермогоровым, А. Н. Резницким, Р. П. Сейсяном. Особо хочу поблагодарить весь коллектив группы оптических исследований низкоразмерных гетероструктур (гр. Леденцова Н.Н.): М. В. Максимова, А. Ф. Цацульникова, И. В. Кочнева, А. В. Лунева, Ю. М. Шернякова, А. В. Сахарова, Б. В. Воловика, Д. А. Бедарева и зав.лаб. квантоворазмерных гетероструктур д.ф.-м.н. Копьева П. С. за предоставленную возможность работать в этом коллективе.

I am grateful to Dr. S.V. Ivanov and S.Y. Sorokin for the growth of samples. I would like to thank Prof. D. Bimberg, Dr. A. Hoffmann and M. Strassburg for successful collaboration and common investigations in Technical University of Berlin. Also I would like to thank Dr. S.A. Permogorov, Dr. A.N. Reznitsky, Dr. R.P. Sesyan for fruitful discussions of many aspects of this work. I am very grateful to a crew of Prof. N.N. Ledentsov (M.V. Maximov, A.F. Tsatsul’nikov, I.V. Kocbnev, A.V. Lunev, Yu.M. Shernyakov, A.V. Sakharov, B.V. Volovik, D. A. Bedarev) and a chief of laboratory of quantumsize heterostructures for possibility to work in this crew.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. М.А. Haase, J. Qiu, J.M. DePuydt, H. Cheng, «Blue-green laser diodes», Appl.Phys.Lett., 59, 1272−1274 (1991).
  2. H. Jeon, J. Ding, W. Patterson, A.V. Nurmikko, W. Xie, D.C. Grillo, M. Kobayashi, R.L. Gunchor, «Blue-green injection laser diodes in (Zn, Cd) Se/ZnSe quantum wells»,
  3. Appl.Phys.Lett., 59, 3619−3621 (1991).N
  4. A. Ishibashi, Y. Mori, «Advances in blue laser diodes», J.Cryst.Growth, 138, 677−685 (1994).
  5. G. Sun, Kh. Shahzad, J.M. Gaines, J.B. Khurgin, «Room-temperature photopumped blue lasing in ZnSe-ZnS0.06Se0.94 double heterostructures», Appl.Phys.Lett., 59, 310−311 (1991).
  6. J.M. Gaines, R.R. Drenten, K.W. Haberem, T. Marshall, P. Mensz, J. Petruzzello, «Blue-green injection laser containing pseudomorphic Zni.xMgxSySei.y cladding layers and operating up to 394K», Appl.Phys.Lett., 62, 2462−2464 (1993).
  7. Y. Tomomura, S. Hirata, T. Okumura, M. Kitagawa, A. Suzuki, H. Takiguchi, «Dependence of device characteristics on quantum wells thickness in ZnSe/ZnCdSe multi-quantum well blue-green laser diodes», J.Cryst.Growth, 138, 764−767 (1994).
  8. Sh. Hayashiu, A. Tsujimura, Sh. Yoshii, K. Okhawa, Ts. Mitsuyu, «Zni.xCdxSe (x=0.2−0.3) single-quantum-well laser diodes without GaAs Buffer Layers», Jpn.J.Appl.Phys., 31, L1478-L1480 (1992).
  9. S. Nakamura, MRS Bulletin, May 1998, p.37−43
  10. E. Kato, H. Noguchi, MNagai, H. Okiyama, S. Kijima, A. Ishibashi, «Significant• * ', progress in II-VI blue-green laser diode life time», Electr.Lett., 3^, 2t>? <�¦?"-*¦ (.?998).rv ^ *, 1 * ~ '
  11. J.M. Worlock, F.M. Peeters, H.M. Cox, P.C. Morais, «Quantum-wire spectroscopy and epitaxial-growth velocities in InxGai. xAs-InP heterostructures», Phys.Rev.B, 44, 89 238 926 (1991).
  12. R. Notzel, N.N. Ledentsov, L. Daweritz, K. Ploog, M. Hohenstein, «Semiconductor quantum-wire structuresjflirectly grown on high-index surfaces», Phys.Rev.B, 45, 35 073 515 (1992).
  13. H. Akiyama, T. Someya, H. Sakaki, «Concentrated oscillator strength of one-dimensional excitons in quantum wires observed with photoluminescence excitation spectroscopy», Phys.Rev.B, 53, R16160-R16163 (1996).
  14. G. Biasiol, E. Kapon, Y. Ducommun, A. Gustafsson, «Self-ordering of quantum-wire superlattices on V-grooved substrates», Phys.Rev.B, 57, R9416-R9419 (1998).
  15. P. Tomasini, K. Arai, Y.H. Wu, T. Yao, «Fabrication of ZnSe/ZnS quantum wires using high index GaP substrate», J.Appl.Phys., 80, 6539−6543 (1996).
  16. L. Goldstein, F. Glass, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G.Le. Roux, «Growth by molecular beam epitaxy and characterization of InAs/GaAs strained-layer superlattices», Appl.Phys.Lett., 47,1099−1101 (1985).
  17. P.M. Petroff, S.P. Den Baars, «MBE and MOCVD growth and properties of self-assembling quantum dot arrays in III-V semiconductor structures», Superlattices and Microstructures, 15, 15 (1994).
  18. M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, O. Vatel, «Self-organized growth of regular nanometer-scale InAs dots on GaAs», Appl.Phys.Lett., 64, 196−198 (1994).
  19. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P. S. Kop’ev, D. Bimberg, «Spontaneous ordering of arrays of coherent strained islands», Phys.Rev.Lett., 75, 2968−2971 (1995).
  20. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, P. S. Kop’ev, D. Bimberg, «Strain-induced formation and tuning of ordered nanostructures on crystal surface», Surf.Sc., 352−354,117(1996).
  21. V.A. Shchukin, D. Bimberg, V.G. Malyshkin, N.N. Ledentsov, «Vertical correlations and anticorrelations in multisheet arrays of two-dimensional islands», Phys.Rev.B, 57 12 262−12674(1998).
  22. V.A. Shchukin, D. Bimberg, Rev.Mod.Phys., in print (1998).
  23. R.J. Phaneuf, E.D.Williams, «Surface phase separation of vicinal Si (lll)», Phys.Rev.Lett., 58,2563−2566 (1987).
  24. R. J. Phaneuf, E.D.Williams, N.C. Bartlet, «Temperature dependence of vicinal Si (lll) surface», Phys.Rev.B, 38,1984−1993 (1988).
  25. J.W. Cahn, Trans.Met.Soc., 242,166 (1968).N
  26. P.D.Wang, N.N. Ledentsov, C.M. Sotomayor Torres, P. S. Kop’ev, V.M.Ustinov, «Optical characterization of submonolayer and monolayer InAs structures grown in a GaAs matrix on (100) and high-index surfaces», Appl.Phys.Lett., 64, 1526−1528 (1994).
  27. V. Bressler-Hill, A. Lorke, S. Varma, P.M. Petroff, K. Pond, W.H.Weinberg, «Initial stages of InAs epitaxy on vicinal GaAs (001)-(2×4)», Phys.Rev.B, 50, 8479−8487 (1994).
  28. D.E. Eaglesham, M. Cerullo, «Dislocation-free Stranski-Krastanow growth of Ge on Si (100)», Phys.Rev.Lett., 64, 1943−1946 (1990).
  29. J.-W. Mo, D.E. Savage, B.S. Swatzentruber, M.G. Lagally, «Kinetic pathway in Stranski-Krastanow growth of Ge on Si (001)», Phys.Rev.Lett., 65,1020−1023 (1990).
  30. Z. Zhu, E. Kurtz, K. Arai, Y.F. Chen, D.M. Bagnall, P. Tomashini, F. Lu, T. Sekiguchi, T. Yao, T. Yasuda, Y. Segawa, «Self-organized growth of II-VI wide bandgap quantum dot structures», Phys.Stat.Sol.(b), 202, 827−833 (1997).
  31. I. Suemue, K. Uesugi, H. Suzuki, H. Nashiki, M. Arita, «Low-dimensional II-VI semiconductors structures: ZnSe/MgS superlattices and CdSe self-organized dots», Phys.Stat.Sol.(b), 202, 845−856 (1997).
  32. M. Lowisch, M. Rabe, N. Hoffmann, R. Mitdank, B. Stegemann, F. Henneberger, M. Grundmann, V. Turck, D. Bimberg, «Zero-dimensional excitons in (Zn, Cd) Se quantum structures», Proc. ICPS 23, World Scientific, Singapore, 1457−1460 (1996).
  33. M. Lowisch, M. Rabe, B. Stegemann, F. Henneberger, M. Grundmann, V. Turck, D. Bimberg, «Zero-dimensional excitons in (Zn, Cd) Se quantum structures», Phys.Rev.B, 54, R11074-R11077 (1996).
  34. F. Gindele, C. Markle, U. Woggon, W. Langbein, J.M. Hvam, K. Leonardi, K. Ohkawa, D. Hommel, «Exciton localization in CdSe islands buried into a quantum well of Zni. xCdxSe», J.Cryst.Growth, 185/185, 306−310 (1998).
  35. F. Flack, N. Samarth, V. Nikitin, P.A. Crowell, J. Shi, J. Levy, D.D. Awschalom, «Near-field optical spectroscopy of localized excitons in strained CdSe quantum dots», Phys.Rev.B, 54, R17312-R17315 (1996).
  36. K. Leonardi, H. Heineke* K. Okhawa, D. Hommel, H. Selke, F. Gindele, U. Woggon, «CdSe/ZnSe quantum structures grown by migration enhanced epitaxy: Structural and optical investigations», Appl.Phys.Lett, 71, 1510−1512 (1997).
  37. N.N. Ledentsov, «Ordered arrays of quantum dots», Proc. ICPS 23, World Scientific, Singapore, 19−26 (1996).
  38. S.H.Xin, P.D.Wang, Aie Yin, C. Kim, M. Dobrovolska, J.L. Merz, J.K. Furdina, «Formation of self-assembling CdSe quantum dots on ZnSe by molecular beam epitaxy», Appl.Phys.Lett., 69, 3884−3886 (1996).
  39. M. Rabe, M. Lowisch, F. Kreller, F. Henneberger, «Self-assembled visible-bandgap II-VI quantum dots», Phys.Stat.Sol.(b), 202, 817−826 (1997).
  40. D. Hommel, K. Leonardi, H. Heinke, H. Selke, K. Ohkawa, F. Gindele, U. Woggon, «CdSe/ZnSe Quantum Dot Structures: Structural and Optical Investigations», Phys.Stat.Sol.(b), 202, 835−843 (1997).
  41. В.И. Марченко, «Возможные структуры и фазовые переходы на поверхности кристаллов», Письма в ЖЭТФ, 33, 397−399 (1981).
  42. А.Ф. Андреев, «Стрикционные сверхструктуры в двумерных фазовых переходах», Письма в ЖЭТФ, 32, 65^-656 (1980).
  43. Ж.И. Алферов, Д. Бимберг, Ф. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, С. С. Рувимов, В. М. Устинов, И. Хейденрайх, «Напряженные субмонослойные гетероструктуры и гетероструктуры с квантовыми точками», УФН, 165, 224 (1995).
  44. N. Magnea, «ZnTe fractional monolaeyrs and dots in CdTe matrix», J.Cryst.Growth, 138, 550−558 (1994).
  45. Q.X. Zhao, V. Calvo, P. Lefebvre, J. Allegre, A. Bellabchara, N. Magnea, «An optical study of the self-organized growth of ZnTe strained islands in CdTe quantum wells», Proc. ICPS 23, World Scientific, Singapore, 1449−1452 (1996).
  46. S. Yamaguchi, Y. Kawakami, Sz. Fujita, Sg. Fujita, Y. Yamada, T. Mishina, Y. Masumoto, «Recombination dynamics of localized excitons in CdSe/ZnSe/ZnSxSei.x single-quantum-well structure», Phys.Rev.B, 54, 2629−2634 (1996).л-«» .&bdquo-И
  47. S. Yamaguchi, H. Kurusu, Y. Kawakami, Sz. Fujita, Sg. Fujita, «Recombination dynamics of localized biexcitons in ultra thin CdSe/ZnSe/ZnSxSeix single quantum well structures», Proc. ICPS ?3, World Scientific, Singapore, 2107−2110(1996).
  48. U. Woggon, W. Petri, A. Dinger, S. Petillon, M. Hetterich, M. Grun, K.P. O’Donnel, H. Kalt, C. Klingshrim, «Electronic states and optical gain in strained CdS/ZnS quantum structures», Phys.Rev.B, 55, 1364−1367 (1997).
  49. V. Calvo, P. Lefebvre, V. Allegre, A. Bellabchara, H. Mathieu, Q.X. Zhao, N. Magnea, «Evidence of the ordered growth of monomolecular ZnTe islands in CdTe/(Cd, Zn) Te quantum wells on a nominal (001) surface», Phys.Rev.B, 53, R16164-R16167 (1996).
  50. Q.X. Zhao, N. Magnea, J.L. Pautrat, «Electronic and optical properties of the fractional ZnTe-monolayer superlattice structures», J.Cryst.Growth., 159,425−428 (1996).
  51. P. Lefebvre, V. Calvo, N. Magnea, Th. Taliercio, J. Allegre, H. Mathieu, «Optical investigation of CdTe monomolecular islands in wide ZnTe/(Zn, Mg) Te quantum wells: Evidence of self-ordering», Phys.Rev.B, 56, 3907−3912 (1997).
  52. E.L. Ivchenko, A.V. Kavokin, V.P. Kochereshko, P. S. Kop’ev, N.N. Ledentsov, «Exciton resonance reflection from quantum well? Quantum wire and quantum dot structures», Superlattices and Microstructures, 12, 317 (1992).
  53. P.D. Wang, N.N. Ledentsov, C.M. Sotomayor Torres, I.N. Yassievich, A. Pakhomov, A.Yu. Egorov, P. S. Kop’ev, V.M. Ustinov, «Magneto-optical properties in ultrathin InAs-GaAs quantum wells», Phys.Rev.B, 50, 1604−1610(1994).
  54. A.A. Sirenko, T. Ruf, 'N.N. Ledentsov, A.Yu. Egorov, P. S. Kop’ev, V.M.Ustinov, A.E. Zhukov, «Resonant spin-flip Raman scattering and localized exciton luminescence in submonolayer InAs-GaAs structures», Sol.St.Comm., 97,169−174 (1996).
  55. J.M. DePuydt, M.A. Haase, S. Gusha, J. Qiu, H. Cheng, B.J. Wu, G.E. Hofler, G. Meis-Haugen, M.S. Hagedorn, P.F. Baude, «Room temperature II-VI lasers with 2.5 mA threshold», J.Cryst.Growth" 138, 667−676 (1994).
  56. A. Ishibashi, «II-VI blue gVeen light emitters», J.CrystGrowth., 159, 555−565 (1996).
  57. A. Nurmikko, R.L. Gunshor, «Blue and green semiconductor lasers: a status report», Semicond.Sci.Technol., 12,1337−1347 (1997).
  58. Е.Ф. Гросс, С. А. Пермогоров, Б. Н. Разбирин, «Движение свободных экситонов и их взаимодействие с фононами», ФТТ, 8,1483−1492 (1966).
  59. S.A. Permogorov, «Hot excitons in semiconductors», Phys.Stat.Sol.(b), 68, 9−42 (1975).
  60. C. Benoit a la Guillaume, J.-M. Debever, F. Salvan, «Radiative recombination in highly excited CdS», Phys.Rev., 177, 567−580 (1969).
  61. H. Haug, S. Koch, «On theory of laser action in dense exciton system», Phys.Stat.Sol.(b), 82,531−543 (1977).
  62. Y. Kawakami, I. Hauksson, H. Stewart, J. Simpson, I. Galbraith, K.A. Prior, B.C.Cavenett, «Exciton-related lasing mechanism in ZnSe-(Zn, Cd) Se multiple quantum wells», Phys.Rev.B, 48,11 994−12 000 (1993).
  63. J.Y. Jen, T. Tsutsumi, I. Souma, Y. Oka, H. Fujiyasu, «Stimulated emission processes in Zni. xCdxSe/ZnSe multiquantum wells», Jpn.J.Appl.Phys., 32, L1542-L1545 (1993).
  64. J.Y. Jen, T. Tsutsumi, I. Souma, Y. Oka, «Variation of stimulated emission processes in Zni. xCdxSe/ZnSe multiquantum wells between 4.2 and 300K», Proc. ICPS 22, World Scientific, Singapore, 1524−1527(1994).
  65. P. Michler, M. Vehse, J. Gutowski, M. Behringer, D. Hommel, M.F. Pereira Jr., K. Henneberger, «Optical gain characteristics and excitonic nonlinearities in II-VI laser diodes», J.Cryst.Growth, 184/185, 575−579 (1998)
  66. A. Dissel, W. Ebeling, J. Gutowski, B. Jobst, К. Schull, D. Hommel, K. Heimeberger, «Bleaching of excitons in a (Zn, Cd) Se/Zn (S, Se)/(Zn, Mg)(S, Se) laser diodes under lasing conditions», Phys.Rev.B, 52, 4736−4739 (1995).
  67. F.P. Logue, P. Rees, J.F. Heffernan, C. Jordan, J.F. Donegan, J. Hegarty, F. Hiei, A. Ishibashi, «Effect of Coulomb enhancement on optical gain in (Zn, Cd) Se/ZnSe multiple quantum wells», Phys.Rev.B, 54, 16 417−16 420 (1996).
  68. J. Ding, H. Jeon, T. Ishihara, M. Hagerott, A.V. Nurmikko, «Excitonic gain and laser emission in ZnSe-based quantum wells», Phys.Rev.Lett., 69, 1707−1710 (1992).
  69. S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, P. S. Kop’ev, J.R. Kim, H.D. Jung, H.S. Park, J.Cryst.Growth, 159,1 (1996).
  70. A. Rosenauer, S. Kaiser, T. Reisinger, J. Zweck, W. Gebhardt, D. Gerthsen, Optik, 102, 63 (1996).
  71. Y.D. Kim, S.L. Cooper, M.V. Klein, Bl.T. Jonker, «Optical characterization of pure ZnSe films grown on GaAs», Appl.Phys.Lett., 62,2387−2389 (1993).
  72. Chris G. Van de Walle,"Band lineups and deformation potentials in the model-solidtheory", Phys.Rev.B, 39-r 1871−1883 (1989).
  73. G. Bastard, «Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures», les Editions de Physique, Les Ulis Cedex, France (1991).
  74. R. Chingolani, P. Prete, D. Greco, P.V. Guigno, M. Lomascolo, R. Rinaldi, L. Calcagnile, L. Vanzetti, L. Sobra, A. Franciosi, «Exciton spectroscopy in Zni. xCdxSe/ZnSe quantum wells», Phys.Rev.B, 51, 5176−5183 (1995).
  75. V. Pellegrini, R. Atanasov, A. Tredicucci, F. Beltram, C. Amzulini, L. Sobra, L. Vanzetti, A. Franciosi, «Excitonic properties of ZnixCdxSe/ZnSe strained quantum wells», Phys.Rev.B, 51, 5171−5175 (1995).
  76. Y. Wu, K. Ichino, Y. Kawakami, S. Fujita, S. Fujita, JpnJ.Appl.Phys., 31, 1737−1744 (1992).
  77. H.J. Lozykowski, V.K. Shastri, «Excitonic and Raman properties of ZhSe/Zn]. xCdxSe strained-layer quantum wells», J.Appl.Phys., 69, 3235−3242 (1991).
  78. F.Liaci, P. Bigenwald, O. Briot, B. Gil, N. Briot, T. Cloitre, R.L. Aulombard, «Band offsets and exciton binding energies in ZnixCdxSe-ZnSe quantum wells grown by metal-organic vapor-phase epitaxy», Phys.Rev.B, 51, 4699−4701 (1995).
  79. S.J. Hwang, W. Shan, J.J.Song, Z.Q. Zhu, T. Yao, «Effect of hydrostatic pressure on strained CdSe/ZnSe single quantum wells», Appl.Phys.Lett, 64,2267−2269 (1994).
  80. Л.Д. Ландау, E.M. Лнфшнц, «Квантовая механика (нерелятивистская теория)», М: Наука (1989).
  81. I.E. Itskevich, М. Henini, Н.А. Carmona, L. Eaves, P.C. Main, D.K. Maude, J.C. Portal, «Photoluminescence spectroscopy of self-assembled InAs quantum dots in strong magnetic field and under high pressure», Appl.Phys.Lett., 70, 505−507 (1997).
  82. G.D. Sanders, Y.-C. Chang, «Effect of band hybridization on exciton states in GaAs-AlxGaixAs quantum wells», Phys.Rev.B, 32, 5517−5520 (1985).
  83. G.D. Sanders, Y.-C. Chang, «Theory of photoabsorption in modulated doped semiconductor quantum wells», Phys.Rev.B, 35,1300−1315 (1987).
  84. M.Grundmann D. Bimberg, «Anisotropy effects on excitonic properties in realistic quantum wells», Phys.Rev.B, 38, 13 486−13 489 (1988).
  85. V. Voiotis, R. Grousson, P. Lavalard, R. Planel, «Binding energies and oscillator strengths of excitons in thin GaAs/GaojAlojAs quantum wells», Phys.Rev.B, 52, 10 725−10 728 (1995).
  86. R. Dahmani, L. Salamanca-Riba, N.V. Nguyen, D. Chandler-Horowitz, B.T. Jonker, «Determination of the optical constants of ZnSe films by spectroscopic ellipsometry», J.Appl.Phys., 76, 514 (1994).
  87. Л.Д. Ландау, E.M. Лифшиц, «Электродинамика сплошных сред», М: Наука (1992).
  88. D.B. Hall, С. Yeh, «Leaky waves in a heteroepitaxial film», J.Appl.Phys., 44, 2271−2274 (1973).
  89. G.Ya. Slepyan, S.A. Maksimenko, V.P. Kalosha, J. Herrmann, N.N. Ledentsov, I.L. Krestnikov, Zh.I. Alferov, D. Bimberg, Phys.Rev.Lett., to be published (1998).
  90. K. Kondo, M. Ukita, H/Yoshida, Y. Kishida, H. Okuyama, S. Ito, T. Ohata, K. Nakano, A. Ishibashi, «A study of internal absorption in Zn (Cd)Se/ZnMgSSe semiconductor lasers», J.Appl.Phys., 76 (1994), 2621
  91. D. Bimberg, N. Kirstaedter, N.N. Ledentsov, Zh.I. Alferov, P. S. Kop’ev, V.M. Ustinov, «InGaAs-GaAs quantum dot lasers», IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 3,196 (1997).
  92. A. Tsujimura, Sh. Yoshii, Sh. Hayashi, K. Ohkawa, Ts. Mitsuyu, «Cavity parameters of ZnCdSe/ZnSe single-quantum-well separate-confmement-heterostructure laser diodes», JpnJ.Appl.Phys., 32, L1750-L1752 (1993).
  93. A. Jakobs, D. Hommel, G. Landwehr, «Optimization of the waveguide properties for ZnSe laser diodes», J.Cryst.Growth, 159,623−627 (1996).
  94. J.F. Donegan, C. Jordan, P. Rees, F. Logue, J.F. Hefferman, J. Hegarty, «A study of internal losses in CdZnSe/ZnSe multiple quantum well materials», J.Cryst.Growth, 159, 653−656(1996).
  95. M. Asada, A. Kameyama, Y. Suematsu, IEEE J.Quant. Electr., 20, 745 (1984).
  96. L.V. Asryan, R.A. Suris, «Inhomogeneous line broadening and the threshold current density of a semiconductor quantum dot laser», Semicond.Sci.Technol., 11, 554−567 (1996).
  97. M. Grundmann, D. Bimberg, «Theory of random population for quantum dots», Phys.Rev.B, 55, 9740−9756 (1997).
  98. G.N. Aliev, A.D. Andreev, R.M. Datsiev, S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, A.B. Kapustina, I.L. Krestnikov, M.E. Sasin, R.P. Seisyan, J.Cryst.Growth, 184/185, 315−319 (1998).
Заполнить форму текущей работой

На отлично!