Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Инжекционная деградация и модификация структур металл-диэлектрик-полупроводник при сильнополевых и радиационных воздействиях

Диссертация: Инжекционная деградация и модификация структур металл-диэлектрик-полупроводник при сильнополевых и радиационных воздействиях
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Установлено, что при туннельной по Фаулеру-Нордгейму инжекции электронов в МДП-структурах с термической пленкой SiC>2, пассивированной ФСС (концентрация фосфора в пленке ФСС от 0,6 до 2%), плотность накапливаемого отрицательного заряда увеличивается с возрастанием концентрации фосфора в пленке ФСС. Показано, что в пленке ФСС значительно снижается интенсивность процесса генерации положительного… Читать ещё >

Содержание

  • Глава I. Деградация и модификация МДП-структур при сильнополевых и радиационных воздействиях
    • 1. 1. Зарядовая структура и дефекты термических плёнок SiC> на кремнии
    • 1. 2. Воздействие сильных электрических полей на кремниевые МДП-структуры
    • 1. 3. Влияние радиационных и плазменных воздействий на характеристики МДП-структур
    • 1. 4. Методы инжекции заряда в подзатворный диэлектрик
  • МДП-структур
  • Выводы к г л, а в е I
  • Глава II. Метод управляемой токовой нагрузки для исследования МДП-структур
    • 2. 1. Основы метода управляемой токовой нагрузки
    • 2. 2. Использование метода управляемой токовой нагрузки для исследования процессов генерации и релаксации положительного заряда в МДП-структурах
    • 2. 3. Совместное использование методов управляемой токовой нагрузки и токов термостимулированной деполяризации
    • 2. 4. Способы оперативного контроля параметров МДП-структур в рамках метода управляемой токовой нагрузки
    • 2. 5. Установки для реализации метода управляемой токовой нагрузки и его совместного использования с методом ТСД
  • Выводы к г л, а в е II
  • Глава III. Модификация МДП-структур сильнополевой инжекцией, протонным облучением и плазменными обработками
    • 3. 1. Инжекционная модификация МДП структур в сильных электрических полях
    • 3. 2. Влияние параметров пленки фосфорно-силикатного стекла на модификацию МДП-структур
    • 3. 3. Инжекционная обработка МДП-структур с термической пленкой двуокиси кремния
    • 3. 4. Модификация МДП-структур плазмоструйной и высокочастотной плазменными обработками
    • 3. 5. Протонная модификация МДП-структур
    • 3. 6. Модель сильнополевой инжекционной модификации и деградации МДП-структур
    • 3. 7. Моделирование процессов инжекционной модификации и деградации МДП-структур
  • Выводы к г л, а в е III
  • Глава IV. Исследование инжекционной деградации МДП-структур при воздействии сильных электрических полей
    • 4. 1. Деградация МДП-структур с термической SiC>2 при инжекции электронов в сильных электрических полях
    • 4. 2. Зарядовая деградация МДП-структур с термической Si02, пассивированной фосфорно-силикатным стеклом в сильных электрических полях
    • 4. 3. Особенности зарядовой деградации МДП-структур с различными электродами и при инжекции электронов из металлического электрода
    • 4. 4. Генерация и релаксация положительного заряда в МДП-структурах с термической пленкой Si02 при сильнополевой инжекции электронов
    • 4. 5. Послеинжекционная релаксация зарядового состояния МДП-структур с термической пленкой Si (>2 пассивированной
  • Выводы к главе IV
  • Глава V. Деградация МДП-структур при протонных и плазменных воздействиях
    • 5. 1. Зарядовая деградация МДП-структур при протонных облучениях
    • 5. 2. Релаксация зарядового состояния МДП-структур после протонного облучения
    • 5. 3. Влияние плазмоструйной обработки на изменение зарядового состояния МДП-структур
    • 5. 4. Изменение зарядового состояния МДП-структур после воздействия ВЧ плазмы
    • 5. 5. Метод имитационных инжекционных испытаний радиационной стойкости МДП-структур
  • Выводы к главе У
  • Глава VI. Применение метода управляемой токовой нагрузки и результатов исследования инжекционной деградации и модификации МДП-структур в производстве интегральных схем и полупроводниковых приборов
    • 6. 1. Автоматизированная установка контроля качества МДП-структур, реализующая метод управляемой токовой нагрузки
    • 6. 2. Использование метода управляемой токовой нагрузки в производственных условиях
    • 6. 3. Корректировка и контроль технологических режимов получения подзатворного диэлектрика МДП-БИС
    • 6. 4. Влияние технологических факторов на зарядовую дефектность МДП-структур
    • 6. 5. Контроль инжекционной стойкости МДП-структур в сильных электрических полях методом управляемой токовой нагрузки
    • 6. 6. Полупроводниковые приборы с инжекционной модификацией параметров
  • Выводы к главе VI

Инжекционная деградация и модификация структур металл-диэлектрик-полупроводник при сильнополевых и радиационных воздействиях (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Бурное развитие микроэлектроники, наблюдающееся в последнее время, неразрывно связано с успехами кремниевой технологии. Использование кремния в качестве исходного материала для изготовления полупроводниковых приборов (ПП) и интегральных схем (ИС) во многом обусловлено возможностью получения на его поверхности пленки SiCV, которая обладает хорошими изолирующими свойствами, высокой электрической прочностью, широкой шириной запрещенной зоны и вместе с тем позволяет получать высокое качество границы раздела Si-SiC>2 с низкой плотностью поверхностных состояний. Базовым элементом большинства ИС и ПП являются структуры металл-диэлектрик-полу проводник (МДП) с пленкой Si02 в качестве подзатворного диэлектрика. Широкое распространение получили также МДП-структуры на основе термической пленки Si02, пассивированной слоем фосфорно-силикатного стекла (ФСС), который используется для стабилизации электрических характеристик полевых приборов. Образование пленок ФСС может наблюдаться и в системах 81−8Ю2-поликристаллический кремний (Si*), легированный фосфором, являющихся основой современных БИС.

Увеличение степени интеграции и уменьшение линейных размеров элементов ИС, повышает напряженности рабочих электрических полей приближая их к инжекционным. Для некоторых типов ПП и ИС инжекция носителей заряда в подзатворный диэлектрик становится их рабочим режимом. Инжекция заряда в диэлектрическую пленку приводит к изменению зарядового состояния МДП-структуры, постепенной деградации электрофизических параметров и в конечном счете к пробою диэлектрика. Инжекционная стойкость диэлектрической пленки во многом определяет надежность и ресурс работы ПП и ИС, эксплуатируемых в критических условиях, таких как сильные электрические поля, воздействие ионизирующих облучений, инжекция горячих носителей и т. д. Другим важным фактором, определяющим надежность ИС и ПП, является радиационная стойкость МДП-структур, которая тесно взаимосвязана с инжекционной стойкостью. Инжекция носителей заряда в сильных электрических полях, также как и радиационное облучение приводит к активации дефектов в объеме подзатворного диэлектрика и на границе раздела Si-SiC>2 и как следствие к протеканию однотипных де-градационных процессов в МДП-структурах.

Одним из основных механизмов деградации МДП-структур при сильнополевых и радиационных воздействиях является генерация и последующая релаксация положительного заряда в подзатворном диэлектрике. Несмотря на достаточно большое количество работ, посвященных данному вопросу, в настоящее время нет однозначного представления о протекающих при этом физических явлениях. Так, в качестве возможных механизмов генерации положительного заряда обычно рассматриваются межзонная ударная ионизация в пленке S1O2, производимая инжектированными в сильных электрических полях электронами и приводящая к генерации дырок, инжекция дырок из анода, перераспределение водорода и т. д. Для объяснения по-слестрессовой релаксации положительного заряда также используются различные модели, например, транспорта водорода, конверсии захваченных дырок и др. Такое разнообразие используемых моделей обусловлено не только сложностью протекающих явлений, но и нехваткой экспериментальных данных, получение которых невозможно без разработки новых методов исследования, позволяющих получать качественно новую информацию о процессах генерации и релаксации положительного заряда в МДП-структурах.

Перспективным направлением решения задачи создания полупроводниковых приборов, параметры которых можно изменять после их изготовления, является разработка диэлектрических пленок, способных изменять в широком диапазоне свое зарядовое состояние и сохранять его длительное время в процессе эксплуатации, а также разработка новых методов модификации характеристик МДП-структур. Значительное количество исследований в настоящее время посвящено проблеме улучшения характеристик.

МДП-структур путем проведения специальных обработок, к которым относятся плазменная, радиационная, термическая и т. д. В связи с разработкой в последнее время новых методов плазменной обработки, одним из которых является плазмоструйная (ПСО), стало возможным получение новых эффектов, дающих возможность изменять свойства полупроводниковых структур. Особый интерес представляет воздействие протонного облучения на МДП-структуры, дающее возможность проводить имплантацию водорода в различные области структуры. Другим перспективным методом модификации электрофизических характеристик полупроводниковых приборов с МДП-структурой является инжекция заряда в диэлектрик, позволяющая проводить индивидуальную коррекцию параметров каждого прибора.

Одним из перспективных направлений исследования зарядовых явле-нийв диэлектрических пленках, а также прогнозирования инжекционной и радиационной стойкости МДП-приборов является использование сильнополевой туннельной по Фаулеру-Нордгейму инжекции электронов в подза-творный диэлектрик. Применение инжекционных методов позволяет определять характеристики центров захвата носителей и исследовать механизмы зарядовой деградации. К преимуществам инжекционных методов исследования и контроля зарядового состояния МДП-структур при критических воздействиях следует отнести сравнительную простоту реализации, возможность точной дозировки заряда инжектированных носителей и определения как характеристик дефектности изоляции, так и зарядовой стабильности. Кроме того, инжекционные методы являются электрофизическими, а, следовательно, могут использоваться в системах автоматизированного контроля в производстве МДП-БИС. Широкое распространение при проведении инжекционных исследований получил метод постоянного тока, позволяющий управлять инжекционной нагрузкой, а также значительно снизить вероятность пробоя образца. Следовательно, дальнейшее развитие данного метода, направленное на увеличение информативности и повышение точности обрабатываемых экспериментальных данных, а также его совместное использование с другими методами, представляет большой научный и практический интерес.

Цель работы.

Установление фундаментальных закономерностей модификации и деградации свойств структур металл-диэлектрик-полупроводник при сильнополевых и радиационных воздействиях, а также разработка методов контроля и управления параметрами этих структур в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем.

В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие основные задачи:

1) разработка нового метода контроля электрофизических параметров кремниевых МДП-структур, позволяющего проводить исследования процессов генерации и релаксации зарядового состояния образца в сильных электрических полях, а также влияние радиационных воздействий на свойства структур;

2) разработка новых способов модификации электрофизических характеристик МДП-структур на основе сильнополевых и радиационных воздействий;

3) экспериментальные исследования деградационных процессов в модифицируемых МДП-структурах при сильнополевых и радиационных воздействиях и интерпретация новых результатов;

4) моделирование процессов модификации и деградации МДП-структур в условиях управляемой сильнополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик;

5) разработка автоматизированных средств технологического контроля и модификации электрофизических характеристик полупроводниковых приборов и интегральных схем в условиях промышленного производства, а также разработка новых полупроводниковых приборов, реализующих принципы инжекционной модификации параметров.

Научная новизна.

1. Разработаны теоретические основы метода управляемой токовой нагрузки. Обоснован выбор режимов многоуровневого токового воздействия, прикладываемого к МДП-структуре при различных режимах контроля, а также предложена методика расчета основных параметров МДП-структуры из временной зависимости напряжения, прикладываемого к образцу.

2. Разработан новый способ измерения величины положительного заряда, генерируемого в термической плёнке двуокиси кремния при туннельной по Фаулеру-Нордгейму инжекции электронов из кремния. Использование этого способа позволило получить качественно новые экспериментальные данные о кинетике накопления положительного заряда при больших плотностях туннельного тока.

3. Предложен новый способ исследования релаксации зарядовых состояний МДП-структур после сильнополевых «стрессовых» нагрузок, позволяющий контролировать стекание заряда в широком диапазоне внешних электрических полей, в том числе в условиях туннельной по Фаулеру-Нордгейму инжекции электронов в диэлектрик. На основе его использования впервые получены экспериментальные зависимости, характеризующие релаксацию положительного заряда в термической пленке Si02 при управляемой сильнополевой туннельной инжекции.

4. Установлена возможность управляемого изменения туннельной по Фаулеру-Нордгейму инжекцией электронов в сильных электрических полях величины термостабильного заряда, накапливаемого в двухслойном SiC>2-ФСС подзатворном диэлектрике МДП-структур.

5. Показана возможность модификации термической пленки Si02 сильнополевой инжекцией электронов, протонным облучением и плазменными обработками, позволяющими повышать пробивное напряжение и ин-жекционную стойкость диэлектрика.

6. Предложены модели инжекционной модификации и деградации МДП-структур с термической пленкой Si02, пассивированной ФСС, учитывающей режимы сильнополевой управляемой инжекции электронов в диэлектрик и технологические параметры диэлектрической пленки.

7. Обнаружены и интерпретированы новые деградационные эффекты в МДП-структурах с термической плёнкой Si02, пассивированной слоем ФСС, при сильнополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик, а именно показано, что с пленкой ФСС связано образование в подзатворном диэлектрике электронных ловушек, плотность которых возрастает с увеличением толщины пленки и концентрации фосфораустановлено, что присутствие пленки ФСС оказывает существенное влияние на генерацию и релаксацию положительного заряда, накапливаемого в пленке Si02 как в процессе сильнополевой инжекции электронов, так и после снятия сильного электрического поля.

8. На основе экспериментальных исследований сильнополевой инжек-ционной деградации определены параметры электронных ловушек и характеристики зарядовой деградации, наблюдающиеся в МДП-структурах после протонного облучения и плазменных обработок.

9. Показано, что совместное использование методов управляемой токовой нагрузки и токов термостимулированной деполяризации позволяет проводить поляризацию структуры в режиме контролируемой инжекции заряда и, тем самым, значительно расширять диапазон исследуемых физических явлений, протекающих в МДП-структурах в сильных электрических полях, благодаря получению комплексной информации о процессах накопления и релаксации зарядов в диэлектрике.

Практическая ценность работы.

1. Разработан метод управляемой токовой нагрузки и автоматизированная установка для его реализации, позволяющие в частности измерять: низкочастотную вольт-фарадную характеристику МДП-структуры, вольт-амперную характеристику, напряжение микропробоя, временную зависимость изменения напряжения на структуре, характеризующую процесс зарядовой деградации, величину заряда, инжектированного в диэлектрик, вплоть до пробоя образца. Метод и установка используются в производственном процессе на ОАО «Восход» — Калужский радиоламповый завод и применяются для контроля параметров подзатворного диэлектрика ИС серий: 564, 537, КБ1013, 1095, 1156, 1633, МС-СТ1, МС-СН1, диэлектрических пленок в ИС: 1417, 140, а также для измерения параметров МДП-структур непосредственно в процессе облучения на каскадном ускорителе КГ-500 в НИИ ядерной физики им. Д. В. Скобельцина Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова.

2. Разработаны четыре новых способа ускоренного измерения напряжения микропробоя МДП-структур, позволяющие более чем на порядок повысить производительность контроля изолирующих свойств диэлектрических слоев по ОСТ 11 20.9903—86, а также увеличить точность определения параметров захваченного в диэлектрике заряда по результатам измерения приращения напряжения микропробоя при различной полярности верхнего электрода.

3. Разработан способ контроля зарядовой стабильности МДП-систем по результатам измерения токов ТСД. Поляризация образца в этом способе осуществляется сильнополевой инжекцией заряда в диэлектрик в режиме протекания постоянного тока до достижения максимальной величины приращения напряжения на МДП-структуре.

4. На базе комплексных исследований разработаны рекомендации и осуществлена корректировка технологических режимов процесса получения подзатворного диэлектрика серийно выпускаемых КМДП-ИС 564 серии, что позволило на ОАО «Восход» — Калужский радиоламповый завод повысить на 3−5% выход годных и увеличить надежность ИС (операционная карта технологического процесса ТВО 734 525 ТК2. Обработка термическая, лист 34).

5. Предложен метод модификации электрофизических характеристик МДП-структур путём сильнополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик в режиме протекания постоянного инжекционного тока. Метод позволяет непосредственно во время модификации контролировать изменение параметров МДП-структуры.

6. Предложены способы модификации МДП-структур с термической пленки Si02 сильнополевой инжекцией электронов, протонным облучением и плазменными обработками, позволяющие снижать зарядовую дефектность, а также повышать инжекционную и радиационную стойкость ИС и ПП с такой структурой.

7. Разработаны конструкции низковольтного слаботочного стабилитрона на основе МДП-транзистора (МС-СН1 ТВО 205 002−15ТУ) и высоковольтного слаботочного стабилизатора тока на основе ДМДП-транзистора (МС-СТ1 ТВО 205 002−16ТУ), начат их серийный выпуск. Конструкция низковольтного слаботочного стабилитрона, позволяет проводить инжекционную модификацию параметров этого прибора. Использование разработанного в диссертации метода модификации МДП-структур на основе сильнополевой инжекции электронов в подзатворный диэлектрик позволяет изменять напряжение стабилизации стабилитрона МС-СН1 в диапазоне 0,5-г4 В.

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Метод управляемой токовой нагрузки, основанный на приложении к МДП-структуре многоуровневого токового воздействия и измерении временной зависимости падующего на ней напряжения, позволяющий в рамках одного метода без перекоммутации образца контролировать изменение зарядового состояния структуры в режиме заряда емкости и сильнополевой инжекции заряда в диэлектрик, а также исследовать процессы генерации и релаксации зарядов в МДП-структурах, в условиях контролируемой инжекции заряда в подзатворный диэлектрик.

2. Новые способы модификации МДП-структур на основе сильнополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик, протонного облучения и плазменных обработок, основанные на управлении величиной термостабильного отрицательного заряда, накапливаемого в объеме подзатворного диэлектрика, и изменении зарядовых характеристик диэлектрика.

3. Модели модификации и деградации МДП-структур с термической плёнкой Si (>2 и плёнкой Si (>2, пассивированной ФСС, в условиях управляемой сильнополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик.

4. Закономерности деградационных процессов в МДП-структурах с термической плёнкой двуокиси кремния и плёнкой SiC>2, пассивированной фосфорно-силикатным стеклом в сильных электрических полях, в условиях управляемой инжекции электронов в диэлектрик и при радиационных воздействиях.

5. Результаты применения сильнополевой туннельной инжекции и радиационных воздействий для модификации и контроля электрофизических характеристик МДП-структур в условиях промышленного производства изделий твердотельной электроники и полупроводниковые приборы на основе МДП-структур с инжекционной модификацией параметров.

Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих научно-технических конференциях, совещаниях, симпозиумах и семинарах: Всесоюзной научно-технической конференции «Автоматизация исследования, проектирования и испытаний сложных технических систем» (Калуга, 1989 г.) — III Всесоюзной конференции «Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов» (Кишинев, 1991 г.) — Всероссийских научно-технических конференциях «Автоматизация исследования, проектирования и испытаний сложных технических систем и технологических процессов» (Калуга, 1993,1994 г.) — Международной научно-технической конференции «Физические аспекты надежности, методы и средства диагностирования интегральных схем» (Воронеж, 1993) — Международных научно-технических конференциях «Приборостроение-95» (Винница-Львов, 1995 г.), «Приборостроение-96» (Судак, 1996 г.),.

Приборостроение-97″ (Симеиз, 1997 г.), «Приборостроение-98» (Винница-Симферополь, 1998 г.), «Приборостроение-99» (Ялта, 1999 г.), «Приборо-строение-2000» (Винница-Симеиз, 2000 г.), «Приборостроение-2001» (Винница-Симеиз, 2001 г.) — I и II Международных конференциях по электротехническим материалам и компонентам МКЭМК-95 (Крым, 1995 г.), МКЭМК-97 (Москва, 1997 г.) — Ill, V Российско-Китайском (Калуга, 1996 г., Байкальск, 1999 г.) и IV, VI Китайско-Российском (Пекин, 1997, 2001 г.) симпозиумах «Перспективные материалы и технологии» — II и III Международных конференциях по модификации поверхности (Сумы, 1996, 1999 г.), VI — XI Межнациональных совещаниях «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь, 1996, 1997, 1998, 1999, 2000, 2001 г.), II и III Международной конференциях по электромеханике и электротехнологии МКЭЭ-96 (Крым, 1996 г.), МКЭЭ-98 (Клязьма, 1998) — II Всероссийской научно-технической конференции «Электроника и информатика-97» (Зеленоград, 1997 г.) — 27 — 32 Международных научно-технических семинарах «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 1996, 1997, 1998, 1999, 2000, 2001 г.) — III Международной научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика» (Зеленоград, 1997 г.) — Всероссийской научно-технической конференции «Микрои наноэлектроника-98» (Звенигород, 1998 г.) — Азиатско-тихоокеанской конференции «Анализ поверхности и границы раздела» (Сингапур, 1998 г.) — Всероссийских научно-технических конференциях «Прогрессивные технологии, конструкции и системы в при-борои машиностроении» (Калуга, 1999, 2000, 2001 г.) — XXIX — XXXI Международных конференциях по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, МГУ, 1999, 2000, 2001 г.) — 10-ой конференции «Диэлектрики в микроэлектронике» (Барселона, 1999 г.) — Девятой международной конференции «Физика диэлектриков» (Санкт-Петербург, 2000 г.) — весенних заседаниях Европейского Общества исследования материалов (Страсбург, 1998, 2000 г.) — Российской научной конференции «Радиационная стойкость электронных систем — Стойкость — 2001» (Лыткарино, 2001 г.) — Меж.

16 дународной конференции по физике плазмы (Квебек, 2000 г.) — 7-й Европейской конференции по вакууму и 3-й Европейской тематической конференции по твердым покрытиям (Мадрид, 2001 г.) — 15-ом Международном вакуумном конгрессе Американского вакуумного общества, 48-м Международном симпозиуме и 11-й Международной конференции по твердотельным поверхностям (Сан-Франциско, 2001 г.).

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 126 работ, в том числе 3 авторских свидетельства СССР и 1 патент РФ на изобретения.

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения, списка литературы и приложения. Общий объем работы 340 страниц, включая 88 рисунков.

Список литературы

содержит 306 наименований.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Разработан метод управляемой токовой нагрузки, основанный на приложении к МДП-структуре многоуровневого токового воздействия и измерении временной зависимости падающего на ней напряжения, позволяющий в рамках одного метода без перекоммутации образца контролировать изменение зарядового состояния структуры как в режиме заряда емкости, так и режиме сильнополевой инжекции заряда в диэлектрик. Метод позволяет, в частности, измерять: низкочастотную вольт-фарадную характеристику МДП-структуры, вольт-амперную характеристику, напряжение микропробоя, временную зависимость изменения напряжения на структуре, характеризующую процесс зарядовой деградации, величину заряда, инжектированного в диэлектрик, вплоть до пробоя образца.

2. Предложен новый способ исследования процессов генерации положительного заряда в подзатворном диэлектрике МДП-структур при туннельной по Фаулеру-Нордгейму инжекции электронов из кремния, в котором наряду со стрессовым уровнем тока, обеспечивающим генерацию положительного заряда, вводится дополнительный измерительный уровень инжекционного тока, на котором осуществляется оценка изменения заряда диэлектрика. Использование этого способа позволило получить качественно новые экспериментальные данные о кинетике накопления положительного заряда при больших плотностях туннельного тока.

3. Разработан новый способ исследования релаксации зарядового состояния МДП-структур после сильнополевых «стрессовых» нагрузок, основанный на использовании трехуровневой инжекционной токовой нагрузки. Первый уровень тока используется для «стрессового» изменения зарядового состояния структуры, второй — для проведения измерения, а третий — для «послестрессовой» выдержки образца. Его использование позволило впервые получить экспериментальные данные о релаксации положительного заряда в термической пленке S1O2 при управляемой туннельной инжекции электронов.

4. Разработаны четыре новых способа ускоренного измерения напряжения микропробоя (а. с. № 1 637 603, а. с. № 1 637 604, патент РФ № 1 829 787), позволяющие более чем на порядок повысить производительность контроля изолирующих свойств диэлектрических слоев по ОСТ 11 20.990 386, а также увеличить точность определения параметров захваченного в диэлектрике заряда по результатам измерения приращения напряжения микропробоя при различной полярности верхнего электрода. Показано, что совместное использование методов управляемой токовой нагрузки и ТСД дает возможность комплексного исследования изменения зарядового состояния МДП-структур, позволяя устранить неопределенности, связанные с параметрами захваченного в диэлектрике заряда (а. с. № 1 632 189).

5. Показано, что отрицательный заряд, накапливающийся в плёнке ФСС в структурах Si-Si02^CC-Al в процессе туннельной инжекции электронов в сильных электрических полях, может использоваться для модификации электрофизических характеристик МДП-приборов с такой структурой. Предложен способ модификации МДП-структур путём сильнополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик в режиме протекания постоянного инжекционного тока, позволяющий непосредственно во время модификации контролировать изменение параметров МДП-структуры.

6. Предложены способы модификации МДП-структур с термической пленки Si02 сильнополевой инжекцией электронов, протонным облучением и плазменными обработками, позволяющие снижать зарядовую дефектность, повышать инжекционную и радиационную стойкость ИС и ПП с такой структурой на основе изменения зарядовых характеристик диэлектрика.

7. Разработаны модели модификации и деградации МДП-структур с термической плёнкой Si02 и плёнкой SiC>2, пассивированной ФСС, в условиях управляемой сильнополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик, учитывающие основные механизмы изменения зарядового состояния диэлектрика, такие как захват электронов на ловушки в ФСС, накопление положительного заряда, захват электронов на первичные электронные ловушки в Si02.

8. Установлено, что при туннельной по Фаулеру-Нордгейму инжекции электронов в МДП-структурах с термической пленкой SiC>2, пассивированной ФСС (концентрация фосфора в пленке ФСС от 0,6 до 2%), плотность накапливаемого отрицательного заряда увеличивается с возрастанием концентрации фосфора в пленке ФСС. Показано, что в пленке ФСС значительно снижается интенсивность процесса генерации положительного заряда по сравнению с SiC>2, и в рамках модели межзонной ударной ионизации предложено количественное описание этого явления. Установлено, что в структурах с поликремниевым затвором, легированным фосфором, на границе затвор-диэлектрик может образовываться пленка ФСС, наличие которой приводит к образованию в диэлектрике электронных ловушек и уменьшению толщины слоя Si02, в котором протекают процессы межзонной ударной ионизации. Установлено, что поле, создаваемое отрицательным зарядом, накапливаемым в ФСС, может оказывать существенное влияние на «послестрес-совую» релаксацию положительного заряда в термической пленке Si02.

9. Определены параметры электронных ловушек и характеристики инжекционной деградации, наблюдающиеся в МДП-структурах после протонного облучения и плазменных обработок. Найдено, что при определенных режимах плазменной обработки могут значительно снижаться плотность и скорость генерации новых электронных ловушек в двуокиси кремния, возникающих при сильнополевой инжекции заряда электронов в диэлектрик более 1 мКл/см и приводящих к необратимой деградации диэлектрика. Показано, что при протонном облучении в объеме пленки Si02 на.

16 18 блюдается генерация электронных ловушек с сечениями захвата 10″ -г 10″ см2, плотность которых возрастает с увеличением флюенса и доли протонов, имплантированных в двуокись кремния.

10. Для реализации метода управляемой токовой нагрузки в производственных условиях была разработана автоматизированная установка, используемая в производственном процессе на ОАО «Восход» — Калужский радиоламповый завод и применяемая для контроля параметров подзатворного диэлектрика ИС серий: 564, 537, КБ1013, 1095, 1156,1633, МС-СТ1, МС-СН1, диэлектрических пленок в ИС: 1417, 140, а также для измерения параметров МДП-структур непосредственно в процессе облучения на каскадном ускорителе КГ-500 в НИИ ядерной физики им. Д. В. Скобельцина Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова.

11. На основе экспериментальных и теоретических исследований разработаны рекомендации и осуществлена корректировка технологических режимов процесса получения подзатворного диэлектрика серийно выпускаемых КМДП-ИС 564 серии, что позволило на ОАО «Восход» — Калужский радио ламповый завод повысить на 3−5% выход годных и увеличить надежность ИС (операционная карта технологического процесса ТВО 734 525 ТК2. Обработка термическая, лист 34). С учетом предложенных методов модификации разработаны конструкции низковольтного слаботочного, стабилитрона на основе МДП-транзистора (МС-СН1 ТВО 205 002−15ТУ) и высоковольтного слаботочного стабилизатора тока на основе ДМДП-транзистора (МС-СТ1 ТВО 205 002−16ТУ), на ОАО «Восход» — Калужский радиоламповый завод начат их серийный выпуск.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.П., Булавинов В. В., Коноров П. П. Электроника слоев Si02 на кремнии,— Л.: ЛГУ, 1988.-304 с.
  2. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Кн.1/ Пер. с англ. Под ред. Р. А. Суриса. М.: Мир, 1984. — 456 с.
  3. B.C., Попов В. Д., Шальнов А. В. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС.-М.: Энергоатомиздат, 1988.- 256 с.
  4. Н.В. Система кремний-двуокись кремния в МОП-структурах. Минск: Наука и техника, 1986.-240 с.
  5. В.М. Долговременные нестационарные процессы в МДП-структурах с аморфными диэлектриками на основе кремния/ Дисс. док. физ.-мат. наук. 05.27.01 -М., 1996.
  6. А.А. Высокополевая туннельная инжекция в системах металл-диэлектрик-полупроводник и разработка методов их контроля / Дисс. док. техн. наук. 01.04.07 -М., 1998.
  7. Ю.Р., Шилин В. А. Основы физики приборов с зарядовой связью. М.: Наука, 1982. — 320 с.
  8. В.А. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП-структурах. Новосибирск. Наука, 1993.280 с.
  9. Arnold D., Cartier Е., DiMaria D.J. Theory of high-field electron transport and impact ionization in silicon dioxide // Phys. Rev. B. 1994. Vol.49. № 15. P.10 278−10 297.
  10. DiMaria D.J., Cartier E., Buchanan D.A. Anode hole injection and trapping in silicon dioxide// J. Appl. Phys. 1996. Vol.80. № 1. P.304−317.
  11. Fischetti M.V. Generation of positive charge in silicon dioxide during avalanch and tunnel electron injection // J.Appl.Phys.-1985, v.57, no. 8, p.2860−2879.
  12. Gadiyak G.V. Hydrogen redistribution in thin silicon dioxide films under electron injection in high field // J. Appl. Phys, 1997, v. 82, no. 11, p.5573−5579.
  13. Al-kofahi I. S., Zhang J. F., Groeseneken G. Continuing degradation of the Si02 /Si interface after hot hole stress// J. Appl. Phys. 1997. Vol.81. № 6. P.2686−2692.
  14. Khosru Q. D. M., Yasuda N., Taniguchi K., Hamaguchi C. Generation and relaxation phenomena of positive charge and interface trap in a metal-oxide-semiconductor structure// J. Appl. Phys. 1997. Vol.81. № 6. P.4494−4503.
  15. МОП-СБИС. Моделирование элементови технологических процессов / Под ред. П. Антонетти и др.: Пер. с англ. М. Радио и связь. 1988. 496 с.
  16. В.Г., Горбань А. П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник.-Киев. Наукова думка, 1978. 316с.
  17. В.Н., Кучумов Б. М., Сальман Е. Г. Строение и свойства структур Si-Si02-Me. Новосибирск.: Наука. 1981. 94 с.
  18. A.M. Ловушки для электронов в термических пленках Si02 на кремнии // Микроэлектроника,-1986.-Т. 15, — Вып. 5.-С. 434−442.
  19. Avni Е., Shappir J. Modeling of charge-injection effects in metal-oxide-semiconductor structures // J. Appl. Phys, 1988, v. 64, no. 2, p.734−742.
  20. Balk P., Eldridge J.M. Phosphosilicate glass stabilization of FET devices//Proc.IEEE. 1969. Vol.57. P. 1558−1563.
  21. H.A., Козлов A.M., Неустроев C.A. Влияние термообработки структур Si-Si02 в атмосфере РС13 на их элекотрофизические характеристики // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника,-1977.-Вып.б.-С. 18−23.
  22. И.П., Эпов А. Е. Зарядовая нестабильность кремниевых МДП-структур в сильных электрических полях// Микроэлектроника. 1985. — Т.14. — Вып.2. — С.173−176.
  23. Mikhailovskii I.P., Potapov P.V., Epov А.Е. Sign of the charge accumulated in thermal Si02 films of silicon MIS structures under high electric field condition// Phys. Stat. Sol.(a). 1986. Vol.94. P.679−685.
  24. Технология СБИС. В 2х кн., кн. 2/ Под ред. Зи С. М. -М.: Мир, 1986,-С. 404.26. ОСТ 1120.9903−86.
  25. Измерения и контроль в микроэлектронике/Под ред. А. А. Сазонова. -М.: Высшая школа, 1984.-367 с.
  26. Микросхемы интегральные. Методы ускоренных испытаний на безотказность и долговечность. Отраслевой руководящий документ РД 11 0755−90.
  27. Управление качеством электронных средств / Под ред. О.П. Глуд-кина. М.: Высшая школа, 1992. — 414 с.
  28. В.Ф., Черняев В. Н. Диэлектрические пленки в микроэлектронике. М.: Энергия, 1977. — 368с.
  29. Г. А., Мухачев В. А. Пробой тонких диэлектрических пленок.-М.: Сов. Радио, 1977. 72 с.
  30. Физические основы надежности интегральных схем / Под ред. М.Миллера. М.: Сов. радио, 1976. — 320 с.
  31. Ч.Е. Статическое электричество в электронике. -М.: Энергия, 1980. 136 с.
  32. В.М., Личманов Ю. О., Семанович Е. В. Влияние протяженных дефектов на пробой тонкопленочных МДП-структур // Письма в ЖТФ. 1993. — Т. 19.-Вып. 24. — С. 11−16.
  33. Kimura., Mitsuhashi J., Kogama H. Si/Si02 interface states and neutral oxide traps induced bu surface microroughness // J. Appl. Phys.-1995.-Vol. 77.-№ 4. P. 1569−1575.
  34. Г. В., Stathis J. Физическая модель и результаты численного моделирования деградации Si/Si02-CTpyKTypbi при отжиге в вакууме // ФТП, 1998, т. 32, № 9, с. 1079−1082.
  35. Г. В. Моделирование распределения водорода при инжекции электронов в пленках Si02 в сильных электрических полях // ФТП.-1997.-Т.31.-№ 3.-С.257−263.
  36. DiMaria D.J., Buchanan D.A., Stathis J.H. Interface states induced by the presence of trapped holes near the silicon-silicon-dioxide interface// J. Appl. Phys, 1995, v.77, no. 5, p.2032−2040.
  37. Interface states induced by the presence of trapped holes near the silicon-silicon-dioxide interface // D.J. DiMaria, D.A. Buchanan, J.H. Stathis et al. J.Appl. Phys. 1995. Vol.77. № 5. P. 2032−2040.
  38. B.A., Назаров A.M., Травков И. В. Моделирование процесса накопления объемного заряда в диэлектриках МДП-структур при облучении// ФТП. 1990. Т.24. Вып.6. С.969−977.
  39. Knoll М., Brauning D., Fahrner W.R. Comparative studies of tunnel injection and irradiation on metal oxide semiconductor structures // J. Appl. Phys. 1982. Vol.53. No.10. P.6946−6952.
  40. Nissan-Cohen Y., Shappir J., Frohman-Bentchkowsky D. High-field and current-induced positive charge in thermal Si02 layers // J. Appl. Phys.-1985,-Vol.57,-№ 8.-P. 2830−2839.
  41. Ricco В., Fischetti M.V. Temperature dependence of the current in Si02 in the high field tunneling regimme // J.Appl. Phys.-1984.-Vol. 55.- № 12. -P.2557−2562.
  42. Solomon P., Klein N. Impact ionization in silicon dioxide at fields in breakdown range // Solid State Communications. 1975. Vol.17. No.ll. P. 13 971 400.
  43. Fischetti M.V. Model for the generation of positive charge at the Si-Si02 interface based on hot-hole injection from the anode // Phys. Rev. B. 1985. Vol. 31. N. 4. P. 2099−2106.
  44. А.П., Тюлькин B.M. О механизме генерации положительного заряда в структуре Si- Si02 в сильных полях // Письма ЖТФ.-1982.-Т.8.-Вып.23.-С. 1423−1427.
  45. S., Ни S. Correlation between breakdown and process-induced positive charge trapping in thin thermal Si02 // J. Electrochem. Soc.-1986.-Vol.133.- № 8. P.1705−1712.
  46. Efimov V.M., Meerson E.E., Evtukh A.A. Study of tunnel currents of electrons and holes in thermal Si02 with charge accumulation in the dielectric// Phys. Stat. Sol. (a). -1985, — Vol.91.- P.693−703.
  47. Chen C., Wu C. A characterization model for constant current stressed voltage-time characteristics of thin thermal oxides grown on silicon substrate // J. Appl. Phys. 1986. Vol.60. No.ll. P.3926−3944.
  48. Chen C.F., Wu C.Y. A characterization model for rampvoltage-stressed I-V charactiristics of thin thermal oxides grown silicon substrate // Solid State Electronics. 1986. Vol. 29. — № 10. — P. l059−1068.
  49. Avni E., Sonnenblick Y., Nissan-Cohen Y. The effect of gate material on oxide degradation due to charge-injection in metal-oxide-semiconductor capacitors // Solid State Electronics.-1988.-Vol.31.-№> 2.-P.245−250.
  50. Электронный захват в МДП-структурах с термическим оксидом кремния при туннельной инжекции / В. С. Солдатов, Н. В. Соболев, И.Б. Вар-лашов и др. // Изв. вузов. Физика,-1989.-№ 12.-С.82−84.
  51. Пространственное распределение зарядов, прогенерированных туннельной инжекцией электронов из кремния в термический диоксид
  52. МДП-структуры / В. С. Солдатов, А. Г. Воеводин, И. Б. Варлашов и др. // ФТП.-1990.-Т.24.-Вып.9.-С.1611−1615.
  53. Влияние пассивации на динамику накопления заряда в МДП-структурах при туннельной инжекции / В. С. Солдатов, Н. В. Соболев, И. Б. Варлашов, О. В. Сопов, А. А. Смотраков // Электронная техника. Сер.2 Полупроводниковые приборы.-1987.-Вып.6. -С.25−28.
  54. B.C., Воеводин А. Г., Коляда В. А. Модель генерации поверхностных состояний в МДП-структурах при туннельной инжекции // Поверхность. Физика, химия, механика.-1990.-№ 7.-С.92−97.
  55. И.П., Овсюк В. Н., Эпов А. Е. Неоднородное накопление положительного заряда в кремниевых МДП-структурах в сильных полях// Письма в ЖТФ.-1983.-Т. 9.-Вып. 17.-С. 1051−1054.
  56. Н.А. Влияние неконтролируемых примесей на однородность свойств системы Si-Si02 / Электроника и информатика 97: II Всерос. научно-техн. конф. с международным участием.-М., МИЭТ, 1997.-С. 133.
  57. Н.А., Шурчков И. О. Структурно-примесные и электрофизические свойства системы Si-Si02. М.: Радио и связь, 1993.-192 с.
  58. Г. Я., Зайцев Н. А., Матюшкин И. В. Зависимость эффективной величины барьера при туннелировании в МОП-структурах от структурно-примесного состава переходного слоя на границе Si-Si02 // Микроэлектроника. 2001. Т. 30. № 5. С. 369−376.
  59. Н.А., Красников Г. Я., Неустроев С. А. Воздействие паров РС13 на свойства структур Si-Si02 // Изв. АН СССР: Неорган, материалы.-1989.-Т.25.-№ 3.-С.403−405.
  60. Nature of efforts in P and В dope Si02 / Offenberg M., Maier M., Balk P. // J. Vacuum Sci and Tachnel.-1986. -Vol.4.-№ 3.-P. 1009−1012.
  61. Oldham T.R., McCaarrity J.M. Ionization of Si02 by heavy charged particles // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1981. Vol. NS-28. N6. P.3975−3980.
  62. И.В., Листопадов Ю. М., Назаров А. И. Деградация межфазной границы раздела Si-Si02 при полевых и радиационных воздействиях//Письма в ЖТФ.-1995.-Т. 21.-Вып. 10.-С. 1−4.
  63. Радиационные эффекты в короткоканальных МДП-приборах/ М. Н. Левин, С. Г. Кадминский, А. В. Татаринцев и др.// Микроэлектроника.-1992.-Т. 21.-Вып. 2.-С. 34−41.
  64. Влияние электронного облучения на характеристики МДП-структур при исследовании в растровом электронном микроскопе М.Г. Кар-тамышев, А. Н. Невзоров, А. А. Обухов и др. // Микроэлектроника. 1990. — Т. 19.-Вып. 1.-С. 22−30.
  65. Altken J.M., Yuong D.R. Electron trapping by radiation induced positive charge in Si02 // J. Appl. Phys. 1976. — Vol. 47.-P. 1196−1201.
  66. Altken J.M., Yuong D.R., Pan K. Electron trapping in electron-beam irradiated Si02 // J. Appl. Phys. 1978. — Vol. 49. — P. 3386−3391,
  67. В.А. Влияние ионизирующего излучения на свойства МДП-приборов / Обзоры по электроной технике. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1978. Вып.4. С.3−31.
  68. B.C., Согоян А. В., Черепко С. В. Водородно-электронная модель формирования поверхностных состояний в облученных МОП-приборах //ВАНТ. 1998. Вып. 1−2. С.70−73.
  69. Zhang J. F., Zhao С. Z., Groeseneken G., Degraeve R., Ellis J. N., Beech C.D. Hydrogen induced positive charge generation in gate oxides// J. Appl. Phys. 2001. Vol.90. No.4. P.1911−1919.
  70. Zhang J. F., Al-kofahi I. S., Groeseneken G. Behavior of hot hole stressed Si02/Si interface at elevated temperature// J. Appl. Phys. 1997. Vol.81. № 6. P.843−850.
  71. M.H., Кадменский С. Г., Гитлин B.P. Рентгеновская технология корректировки пороговых напряжений МДП-приборов и интегральных схем // Радиационная физика твердого тела. Труды VIII Межнационального совещания. Москва, 1998. С.444−447.
  72. Способ изготовления МДП-транзисторов / Авторское свидетельство СССР № 1 176 777, кл. H01L 21/268. 1984.
  73. Способ изготовления МДП-транзисторов / Авторское свидетельство СССР № 1 464 797, кл. H01L 21/268. 1987.
  74. Способ изготовления МДП-транзисторов / В. Р. Вахтель, В. Р. Гитлин, И. И. Евсеев и др. // Авторское свидетельство СССР № 1 419 418, кл. H01L 21/268. 1987.
  75. В.В., Козлов В. А. Модифицирование полупроводников пучками протонов: легирование радиационными дефектами // Физика взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Тез. докл. XXX Междун. конф. М.: Изд-во МГУ, 2000. С. 126.
  76. Коррекция характеристик кремниевых pin- фотодиодов с помощью имплантации протонов и термообработки / В. П. Астахов, С. А. Бедняков, Д. А. Гиндин и др. // Радиационная физика твердого тела. Труды VIII Меж-нац. Совещания. М., 1998. С. 109−113.
  77. Н.В., Соловьев Г. Г. Радиационная стойкость кремния. М., Энергоатомиздат, 1989.
  78. А.Н., Лысенко B.C. ВЧ плазменная обработка как метод радиационно-термического наводораживания микроэлектронных кремниевых структур // Микроэлектроника. 1994. Т.23. № 4. С.45−65.
  79. Плазменная технология в производстве СБИС / Под ред. Н. Айнспрука, Д.Брауна. М.: Мир, 1987. 469 с.
  80. Ma Т.Р., Ma W.H.-L. The Effect of RF Annealing Upon Electron-Beam Irradiated MlS-structures // Solid State Electron. 1979. V.22. P.663−666.
  81. А.П., Коноров П. П., Кручинин A.A. Электролюминисцен-ция и особенности электронного токопереноса в слоях двуокиси кремния на кремнии в сильных электрических полях. Вестн. Ленингр. Ун-та, 1984.-№ 16.-С. 23−28.
  82. А.П., Коноров П. П., Кручинин А. А. Электронные процессы в структурах Si-Si02 в сильных электрических полях // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника,-1985.-№ 7.-С.43−48
  83. DeKeersmaecker R.F., DiMaria D.J. Electron trapping and detrapping characteristics of arsenic-implanted SiC>2 layers // J. Appl. Phys.-1980.-Vol.51. -№ 2. P.1085−1101.
  84. DiMaria D.J. Determination of insulator bulk trapped charge densities and centroid from photocurrent-voltage characteristics of MOS structures // J. Appl. Phys.-1976.-Vol.47.-№ 6.-P.2354−2360.
  85. Young D.R. Electron current injected into Si02 from p-type Si depletion regions//J. Appl. Phys.-1976.-Vol.47.-№ 5.-P.1575−1581.
  86. Nicollian E.N., Berglund C.N. Avalanche injection of electrons into insulation Si02 using MOS structures // J. Appl. Phys.-1970.-Vol.41.-№ 7.-P.3052−3057.
  87. Nicollian E.N., Berglund C.N., Schmidt P.F. Electrochemical charging of thermal Si02 films by injected electron current // J. Appl. Phys.-1971.-Vol.42.-№ 13.-P.5654−5664.
  88. Nicollian E.N., Goetzberger A., Berglund C.N. Avalanche injection currents and charging phenomena in thermal Si02 // Appl. Phys. Lett.-1969.-Vol.15.-№ 6.-P.758−764.
  89. Roblin P., Samman A., Bibyk S. Simullation of hot electron trapping and aging of nMOSFET’s // IEEE Trans. Electron Devices.-1988.-Vol.35.-№ 12.-P.2229−2237.
  90. Chen Y., Tang T. Numerical simulation of avalanche hot-carrier injection in shot-channel MOSFET’s // IEEE Trans. Electron Devices.-1988.-Vol.35.-№ 12.-P.2180−2188.
  91. Kamocsai R.L., Porod W. Hot electrons and traps in a-Si02 // Solid-State Electronics.-1989.-Vol.32.-№ 12.-P. 1825−1829.
  92. Weinberg Z.A. On tunneling in metal-oxide-silicon structures // J. Appl. Phys.-1982.-Vol.53. № 7. — P.5052−5056.
  93. Weinberg Z.A., Harstein A. Effect of silicon orientation and hydrogen anneling on tunneling from Si into Si02 // J.Appl. Phys.-1983.-Vol. 54.-№ 5.-P. 2517−2521.
  94. Lenzlinger M., Snow E.H. Fowler-Nordheim tunneling in to thermally grown Si02 // J.Appl. Phys.-1969.-Vol.-40.-№ l.-P. 278−286.
  95. Av-Ron M., Shatzkes M., Di Stefako Т.Н., Gdula R.A. Electron tunneling at Al-Si02 interfaces //J.Appl. Phys.-1981. -Vol. 52.-№ 4.-P. 2897−2894.
  96. P.A., Филаретов Г. А., Шапиро Л. А. Исследование надёжности затворного диэлектрика МДП-структур // Микроэлектроника.-1980.-Т.9.-Вып. 4.-С. 347−354.
  97. В .Я., Гуртов В. А., Листопадов Ю. М. Захват зарядов в окисле ПДП-систем Si-Si02 с поликремниевым затвором // Микроэлектроника, — 1990.-Т. 19.-Вып. 3 .-С. 263−268.
  98. Solomon P. High-field electron trapping in Si02 // J. Appl. Phys.-1977.-Vol.48. № 9. — P. 3843−3849.
  99. E.H., Боханкевич В. И., Гахов Ю. Д. Информационно-измерительный комплекс для диагностирования качества диэлектрических слоев БИС // Электронная промышленность,-1989.-Вып. 2.-С. 14−15.
  100. Lou L.F., Tettemer G.L. Characterization of metal-oxidesemiconductors capacitors with a fast-ramp technique // J. Appl. Phys.-1988,-Vol.63.-№ 11.-P.5398−5464.
  101. А.И., Холомина Т. А., Лактюшкин O.H. Электрофизические методы исследования и контроля параметров МДП-систем. Рязань, РРТИ, 1983.-64 с.
  102. Ning T.N. Thermal reemission of trapped electrons in Si02 // J. Appl. Phys.-1978.-Vol.49.-№ 12.-P.5997−6003.
  103. Holand S., Hu S. Correlation between breakdown and process-induced positive charge trapping in thin thermal Si02 //J. Electrochem. Soc. 1986. Vol.133. No.8.P.1705−1712.
  104. Nissan-Cohen Y., Shappir J., Frohman-Bentchkowsky D. Measurement of Fowler-Nordheim tunnelling currents in MOS structures under charge trapping conditions // Solid-State Electronics.-1985.-Vol.7.-№ 8.-P.756−761.
  105. T.B., Гуртов В. А., Лалеко В. А. Временные характеристики пробоя пленок двуокиси и нитрида кремния // Микроэлектроника.-1988.-Т. 17. Вып.З. — С.244−247.
  106. В.В., Барышев В. Г. Особенности определения параметров МДП-структуры при заряде её импульсом постоянного тока // Труды МГТУ № 569, 1997. С.67−71.
  107. В.В., Барышев В. Г., Столяров А. А. Метод постоянного тока в контроле МДП-структур // Петербургский журнал электроники. 1997. № 3. С.69−72.
  108. В.В., Барышев В. Г., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А. Ин-жекционный метод исследования зарядовых характеристик систем металл-диэлектрик-полупроводник // Перспективные материалы. 1998. № 4. С.61−65.
  109. Bondarenko G.G., Andreev V.V., Loskutov S.A., Stolyarov А.А. The method of the MIS structure interface analysis // Surface and Interface Analysis. 1999. V. 28. P.142−145.
  110. В.В., Барышев В. Г., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А., Шахнов В. А. Исследование зарядовой деградации МДП-структур в сильных электрических полях методом управляемой токовой нагрузки // Микроэлектроника. 2000. Т.29. № 2. С. 105−112.
  111. Nafr’ya М., Sun’e J., Y’elamos D., Aymerich X. Degradation and breakdown of thin silicon dioxide films under dynamic electrical stress //IEEE Transactions on electron devices. 1996. Vol. 43. No. 12. P.2215−2226.
  112. B.B., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А., Лоскутов С.A. Метод исследования релаксации зарядового состояния МДП-структур в сильных электрических полях// Физика и химия обработки материалов. 2001. № 2. С.53−58.
  113. Ю.А. Основы термодеполяризационного анализа. -М.: Наука, 1981. 176 с.
  114. Fleetwood D.M., Reber R.A., Jr., Winokur P. S. Effect of bias on thermally stimulated current (TSC) in irradiated MOS devices // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1991. V.38. N.6. P.1066−1077.
  115. Warren W.L., Shaneyfelt M.R., Fleetwood D.M., Winokur P. S.,
  116. Montague S. Electron and hole trepping in doped oxides // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1995. V.42, N. 6. P. 1731−1739.
  117. Ю.Г. Исследование причин нестабильности параметров МДП-структур / Дисс. на соиск. уч. ст. канд. физ.-мат. наук. Рязань, 1977,186 с.
  118. В.В. Контроль МДП-структур методами управляемой токовой нагрузки и токов термостимулированной деполяризации // Перспективные материалы. 2000. № 4. С.91−96.
  119. В.В. Контроль параметров облученных МДП-структур методами управляемой токовой нагрузки и токов термостимулированной деполяризации // Труды 10 Межнационального совещания «Радиационная физика твёрдого тела». Москва, 2000. С.499−503.
  120. В.Г., Столяров А. А., Андреев В. В. Исследование особенностей накопления и растекания отрицательного заряда в тонкопленочном диэлектрике// Электронная техника. Сер.6. 1986. Вып.4. С.45−48.
  121. Andreev V.V., Baryshev V.G., Stolyarov А.А. Instability of the Parameters of Dielectric Layers Under Conditions of High-Field Injection Stresses // J. Advanced Materials. 1995. V.2. № 6. P.451−457.
  122. А. с. СССР № 767 673 Устройство для неразрушающего контроля и измерения напряжения микропробоя в диэлектрике МПД-структур/ В. Г. Барышев, В. И. Боханкевич, А. А. Столяров, Л. Г. Цветков.-Опубл. в Б.И. 1980, № 36.
  123. А. с. СССР № 1 342 252 Способ измерения напряжения микропробоя МДП-структур / В. Г. Барышев, В. Е. Каменцев, А. А. Столяров. -1987. ДСП.
  124. А. с. СССР № 1 409 007 Устройство для измерения напряжения микропробоя МДП-структур / В. Г. Барышев, В. Е. Каменцев, А. А. Столяров. 1988
  125. В.И. Исследование изолирующих свойств подзатворного диэлектрика по вольт-амперным характеристикам МДП-структур // Электронная техника. Сер. 8. Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания. 1980. № 6. С. 50−54.
  126. А.с. СССР № 699 454. Способ определения параметров МДП-структур / В. И. Боханкевич Опубл. в Б.И., 1980, № 43.
  127. Инициирование микропробоя МДП-структур на основе кремния со сверхтонкими диэлектрическими слоями /Н.С. Мукаилов, А. А. Суханов, Г. В. Степанов и др. //Микроэлектроника. 1989. Т. 18. Вып. 6. С.544−548.
  128. Прогнозирование надежности подзатворного диэлектрика / Е. Н. Бабенко, В. И. Боханкевич, Ю. Д. Гахов и др. // Электронная промышленность." 1989.-№ 2.-С. 9−10.
  129. Автоматизированная установка для операционного контроля изолирующих свойств диэлектрических слоев МДП-БИС/ В. Г. Барышев, В. И. Боханкевич, А. А. Столяров и др. // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника, — 1982.-Вып. 4.-С. 62−64.
  130. А.С. 1 637 603 СССР. Способ измерения напряжения микропробоя МДП-структур / В. В. Андреев, В. Г. Барышев, Ю. А. Сидоров, А. А. Столяров. 1991.
  131. А.С. 1 637 604 СССР. Способ измерения напряжения микропробоя МДП-структур/ В. В. Андреев, В. Г. Барышев, Ю. А. Сидоров, А. А. Столяров. 1991.
  132. Патент РФ 1 829 787 от 27.11.2001. Способ измерения напряжения микропробоя МДП-структур / В. В. Андреев, В. Г. Барышев, Ю. А. Сидоров, А. А. Столяров.
  133. A.M., Дворников Б. Д., Кунин В. Я. Зарядовые явления в термических пленках Si02 при лавинной инжекции электронов // Микроэлектроника.-1985.-Т. 14.-Вып.6.-С.525−528.
  134. А.А. Расширение возможностей операционного контроля инжекционностойкого подзатворного диэлектрика в производстве МДП-БИС // Перспективные материалы. 1999. № 1. С.84−88.
  135. В.В., Барышев В. Г., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А. Повышение зарядовой стабильности диэлектрических пленок МДП-систем // Перспективные материалы. 1999. № 2. С.26−31.
  136. Г. Г., Андреев В. В., Столяров А. А., Чухраев И. В., Тка-ченко A.JI. Зарядовая дефектность диэлектрических слоев МДП-структур// Физика и химия обработки материалов. 2001. № 4. С.94−99.
  137. А.С. 1 632 189 СССР. Способ контроля полупроводниковых приборов с МДП-структурой / В. Г. Барышев, А. А. Столяров, В. В. Андреев. 1990.
  138. В.В., Барышев В. Г., Сидоров Ю. А., Столяров А. А. Влияние концентрации фосфора в пленках Si02 на характеристики МДП-систем// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 1993. Вып.З. С.56−59.
  139. В.В., Барышев В. Г., Столяров А. А. Влияние параметров фосфорно-силикатного стекла на электрофизические характеристики МДП-структур Si-Si02−0CC-Al//Труды МГТУ. № 564, 1994. С.86−94.
  140. В.В. Плазменная и инжекционная модификация электрофизических характеристик МДП-структур // Физика и химия обработки материалов. 2001. № 6. С.47−53.
  141. В.В. Корректировка параметров МДП-приборов ин-жекцией электронов в сильных электрических полях // Труды МГТУ. № 577. 2000. С.3−12.
  142. Adams А.С., Murarka S.P. Measuring the phosphorus concentration in deposited phosporosilicate films // J. Electrochem. Soc.- 1979.- Vol.126, — № 2, — P.334−340.
  143. Chow K., Garrison M. Phosphorus concentration of chemical vapor deposited phosphosilicate glass//J. Electrochem. Soc.- 1977.- Vol.124, — № 7.-P.l 133−1136.
  144. B.B., Барышев В. Г., Сидоров Ю. А. Столяров А.А. Инжекция тока в диэлектрик как метод оценки качества МДП-структур // Электронная техника. Сер. 6, Материалы. 1990. Вып.2. С.64−66.
  145. О.В., Балац Б. М., Багрий И. П. Плазменная обработка кремниевых пластин при атмосферном давлении // Электронная промышленность. 1994. № 6. С.27−30.
  146. Maslovsky V.M., Pavlov G.Ya. Effect of electronic arc plasma jet treatment on MOS-structure reliability // Proceedings of MRS Symp. 1995. V.391. P.139−143.
  147. В.В., Барышев В. Г., Бондаренко Г. Г., Масловский В. М., Столяров А. А. Исследование электронных ловушек в МОП-структурах, созданных плазмоструйной обработкой // Физика и химия обработки материалов. 2001. № 5. С.43−47.
  148. В.В., Бондаренко Г. Г., Масловский В. М., Столяров А. А. Влияние плазмоструйной обработки на модификацию МОП структур // Материалы IV Международной конф. «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск, Беларусь. 2001. С.57−59.
  149. Andreev V.V., Lichmanov J.О., Maslovsky V.M., Pavlov G.Ya. The influence of arc plasma jet treatment on charge state of MOS structure // Abstract E-MRS'98 spring meeting. Strasbourg (France), Symposium N, 1998. N-IV/P6.
  150. Andreev V.V., Bondarenko G.G., Maslovsky V.M., Stolyarov A.A. The effect of arc plasma jet treatment upon MOS structure modification // Abstract of contributed papers International Conference on Physics of Plasma. Quebec city, Canada. 2000. P. 154.
  151. Janni J.F. Proton Range-Energy // Atomic Data and Nucl. Data Tables. 1982. V.27. P.147−529.
  152. Bhattacharya A.B., Manchande L., Vase J. Electron traps in Si02 grown in the presence of thrichlorethylene // J. Electrochem. Sos.-1982.-Vol. 129.-№ 12.-P.2772−2778.
  153. Improvement of oxide quality by rapid thermal annealing/ H. Wendt, A. Spitzer, W. Bensch et al. // J.Appl. Phys.-1990.-Vol.67.-№ 12.-P.7531−7535.
  154. Ю.Н., Козлов C.H. Изменение электрофизических параметров системы 8ь8Ю2-металл при инжекционной деградации// Микроэлектроника, — 1993.- Т.22.- Вып.2.- С.20−26.
  155. Mazerjian J., Zamani N. Behavior at Si-Si02 interface abserved by Fowler-Nordheim tunneling // J.Appl. Phys.-1982. -Vol. 53.-№ 1.-P.559−563.
  156. Krieger G., Swanson R.M. Fowler-Nordheim electron tunneling in thin Si-Si02-Al structures // J.Appl. Phys.-1981. -Vol. 52.-№ 9.-P. 5710−5715.
  157. Samanta P., Sarkar C.K. Coupled charge trapping dynamics in thin Si02 gate oxide under Fowler-Nordheim stress at low electron fluence // J. Appl. Phys. 1998. Vol.83. No.5. P.2662−2669.
  158. Hebert K.J., Irene E.A. Fowler-Nordheim tunneling current oscillation at metal/oxide/Si interfaces //J. Appl. Phys. 1997. V.82. № 1. P. 293−296.
  159. Hiroshi Nakatsuji, Yasuhisa Omura. An improved theory for direct-tunneling current characterization in metal-oxide-semiconductor system with nanometer-thick silicon dioxide film // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. V. 39. № 2A. P. 424−431.
  160. Harrell W.R., Frey J. Observation of Poole-Frenkel effect saturation in Si02 and other insulating films. Thin Solid Films. 1999, 352, p. 195−204.
  161. Aymerich-Humet X., Campabadal F., Serra-Mestres F. Oxide thickness determition in Cr-Si02-Si structures by dc current-voltage pairs // Vacuum.-1987.-Vol. 37.-№ 5.-P. 403−405.
  162. Calligaro R.B., Iterative determination of oxide thickness in MOS structures from one DC current/voltage pair // Electron Lett.-1984.-Vol. 20.-№ 2.-C. 70−72.
  163. B.B., Барышев В. Г., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А. Зарядовая деградация МОП-структур при туннельной инжекции электронов из кремния // Перспективные материалы. 2000. № 3. С.49−53.
  164. В.Г., Столяров А. А., Андреев В. В. Зарядовая нестабильность тонкопленочного диэлектрика в системе Si-Si02-OCC-Al при инжекции электронов из А1-электрода // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1987. Вып.4. С.59−61.
  165. Релаксационные процессы в МДП-элементах интегральных схем, вызванные ионизирующим излучением и импульсным магнитным полем / А. Г. Кадменский, С. Г. Кадменский, М. Н. Левин и др. // Письма в ЖТФ.-1993,-Т.19.-Вып.З.-С.41−45.
  166. В.А., Старикова Т. Н., Тишин Ю. А. Релаксационные процессы в МДП-структурах при больших напряжениях // Микроэлектроника.-1979,-Т. 8,-Вып.-С. 351−356.
  167. А.П., Тарантов Ю. А. Особенности релаксации неравновесной емкости структур в сильных электрических полях// Микроэлектроника, — 1979.- Т. 8, — Вып. 4, — С. 376−378.
  168. Е.Г., Вертопрахов В. Н., Перов Г. В. К модели растекания заряда в элементах памяти в режиме хранения // Микроэлектроника.-1988.-Т. 17,-Вып. 1.-С. 72−74.
  169. Fischetti M.V., Laux S.E., Crabbe E. Understanding hot-electron in silicon devices: is there a shortcut? // J.Appl.-Phys.-1995.-Vol.78.-№ 2.-P.1058−1087.
  170. DiMaria D.I., Cartier E., Arnold D. Impact ionization, trap creation, degradation and breakdown in silicon dioxide films on silicon // J. Appl.Phys.-1993.-Vol.73.-№ 7.-P.3367−3383.
  171. Theory of high-field electron transport in silicon dioxide / M.V.Fischetti, D.I.DiMaria, S.D.Brorson et al. // Physical Review B.-1985.-Vol.-31.-№ 12.-P. 8124−8142.
  172. Buchanan D.A., Fischetti M.V., DiMaria D.I. Coulombic and neutral trapping, centers in silicon dioxide // Physical Review B.-1991.-Vol.43.-№ 2.-P.1471−1485.
  173. DiMaria D.I., Fischetti M.V. Vacuum emission of not electrons from silicon dioxide at low temperatures // J. Appl.Phys.-1988.-Vol.64.-№ 9.-P.4684−4690.
  174. DiMaria D.I. Temperature dependence of trap creation in silicon dioxide//J. Appl.Phys.-1990.-Vol. 68.-№ 10.-P.5234−5246.
  175. DiMaria D.I., Stasiak I.W. Trap creation in silicon dioxide produced by hot electrons // J. Appl.Phys.-1989.-Vol. 65.-№ 6.-P.2342−2356.
  176. DiMaria D.J. Dependence on gate work function of oxide charging, defect generation, and hole currents in metal-oxide-semiconductor structures // J. Applied physics. 1997. Vol.81. No.7. P.3220−3228.
  177. DiMaria D.J., Stathis J.H. Explanation for the oxide thickness dependence of breakdown characteristics of metal-oxide-semiconductor structures// Applied physics letters. 1997. Vol.70. No.20. P.2708−2715.
  178. DiMaria D.J., Stathis J.H. Ultimate limit for defect generation in ultra-thin silicon dioxide // Applied physics letters. 1997. Vol.71. No.22. P.3230-.
  179. DiMaria D.J. Electron energy dependence of metal-oxide-semiconductor degradation // Applied physics letters. 1999. Vol.75. No. 16.1. Р.2427−2434.
  180. Fleetwood D.M. Fast and slow border traps in MOS devices// IEEE Transactions on nuclear science. 1996. V.43. No.3. P.779−786.
  181. Fleetwood D.M., Reber R.A. Jr., Winokur P. S. Effects of bias on thermally stimulated current (TSC) in irradiated MOS devices // IEEE Transactions on nuclear science. 1991. V.38. No.6. P.1066−1077.
  182. Paccagnella A., Ceschia M., Verzellesi G. Forward and Reverse Characteristics of Irradiated MOSFETs // IEEE Transactions on nuclear science. 1996. V.43. No.3. P.798−804.
  183. Alurralde M., Victoria M., Caro D., Gavillet D. Nuclear and damage effects in Si produced by irradiations with medium energy protons // IEEE Transactions on nuclear science. 1991. V.38. No.6. P.1210−1215.
  184. Emelianov V.V., Zebrev G.I., Ulimov V.N. Reversible Positive Charge Annealing in MOS Transistor During Variety of electrical and Thermal Stresses // IEEE Transactions on nuclear science. 1996. V.43. No.3 June P.805−809.
  185. Masataka Kato, Kikuo Watanabe Takeaki Okabe Ac-bias annealing effects on radiation-induced interface traps // IEEE Transactions on nuclear science 1991. V.38. No.6. P.1094−1100.
  186. Villard Patrick, Kielbasa Richard A MOSFET Model Including Total Dose Effects // IEEE Transactions on nuclear science. 1996. V.43. No.3. P.810−816.
  187. Burke Edward A. Energy dependence of proton-induce displacement damage in silicon // IEEE Transactions on nuclear science. 1986. V. NS-33. No.6. P.1276−1281.
  188. Warren W.L., Shaneyfelt M.R., Fleetwood D.M., Winokur P. S., Montague S. Electron and Hole Trapping in Doped Oxides // IEEE Transactions on nuclear science. 1995. V.42. No.6. P.1731−1739.
  189. Mrstik B.J., Rendell R.W. Si-Si02 interface state generation during Xrays irradiation and during post-irradiation exposure to a hydrogen ambient // IEEE Transactions on nuclear science. 1991. V.38. No.6. P. l 101−1109.
  190. S’cwank J.R., Winokur P. S., Sexton F.W., Fleetwood D.M. Radiation-induced interface-state generation in MOS devices // IEEE Transactions on nuclear science. 1986. V. Ns-33. No.6. PI 179−1184.
  191. B.B., Бедняков A.A., Бондаренко Г. Г., Кузнецов Н. В., Новиков Л. С., Соловьев Г. Г., Столяров А. А., Лоскутов С. А. Влияние протонного облучения на электрофизические параметры МДП-структур // Физика и химия обработки материалов. 2001. № 3. С.5−11.
  192. В.В., Барышев В. Г., Столяров А. А. Нестабильность параметров диэлектрических слоев в условиях высокополевых инжекционных нагрузок // Перспективные материалы. 1996. № 6. С.39−45.
  193. В.В., Барышев В. Г., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А. Влияние режимов высокополевой инжекции заряда на зарядовую деградацию МДП-систем // Перспективные материалы. 1999. № 1. С.28−32.
  194. Andreev V.V., Barychev V.G., Bondarenko G.G., Stolyrov А.А. Instability of the parameters of dielectric layers under conditions of high-field injection stresses // J. Advanced Materials. 1999. V.5. N.l. P.25−29.
  195. В.В. Модификация МДП-структур высокочастотной плазменной обработкой // Труды 11 Межнационального совещания «Радиационная физика твёрдого тела». Москва, 2001. С.538−542.
  196. В.В. Влияние высокочастотной плазменной обработки на зарядовое состояние МДП-структур // Материалы Международной науч-но-техн.конф. «Приборостроение -99». Ялта, 1999. С. 294.
  197. В.В. Моделирование зарядовой деградации МДП-структур при сильнополевых, плазменных и радиационных воздействиях // Материалы Международной научно-техн.конф. «Приборостроение 2000». Винница-Семииз, 2000. С. 428.
  198. Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1987, — С. 239.
  199. В.И. Комлексная оценка качества МДП-структур по напряжению микропробоя // Электронная промышленность.-1985.-Вып. 3.-С. 34−38.
  200. В.Г., Столяров А. А. Исследование дефектности тонкопленочного диэлектрика методом микропробоя // Электронная техника, сер.6. Материалы. -1983, — Вып.9.- С. 72−74.
  201. Сравнительная оценка методов контроля дефектности диэлектрических пленок / В. Г. Барышев, Ю. А. Сидоров, А. А. Столяров и др. // Электронная техника. Сер.6. Материалы.-1990.-№ 1.-С.72−76.
  202. А.В. Проблема загрязненности технологических сред микрочастицами в современной микроэлектронике // Электронная промышленность. 1988.-№ 3. — С. 41−46.
  203. Ч., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. -М.: Мир, 1985.-496 с.
  204. Я. Основы технологии сверх больших интегральных схем. -М.: Радио и связь, 1985. 480 с.
  205. О.П., Черняев В. Н. Технология испытания микроэлементов радиоэлектронной аппаратуры и интегральных микросхем. М.: Энергия, 1980. — 360 с.
  206. С.В., Зубарев В. В., Тариелашвили Г. Т. Физико-технический анализ причин отказов электрорадиоизделий в составе радиоэлектронной аппаратуры // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 1997. — № 3. — С. 31−34.
  207. Н.И., Кучеров С. И. Контроль дефектности поверхности кремния нематическими жидкими кристаллами // Микроэлектроника. 1997. -Т. 26. — № 5. — С.389−391.
  208. Р.А., Филаретов Г. А., Шапиро А. А. Исследование надежности затворного диэлектрика МДП-структур // Микроэлектроника.-1980. Т. 9. — Вып. 4. — С. 347−354.
  209. В.В. Зарядовая деградация МДП-структур с термической двуокисью кремния при туннельной инжекции электронов // Труды МГТУ. № 573. 1999. С. 52−58.
  210. В.В., Барышев В. Г., Гурбич А. Ф., Истомин И. В., Столяров А. А. Исследование поверхности пленочного диэлектрика после сканирования ртутным зондом // Электронная техника. Сер. 6. Материалы.1988. Вып.4. С.66−68.
  211. Andreev V.V., Baryshev V.G., Bondarenko G.G., Stoliarov A.A. The increase of charge stability of dielectric films of MDS-systems // J. Advanced Materials. 2000. V.5. N.2. P.27−33.
  212. A.A. Повышение качества диэлектрических слоев на основе исследования дефектности изоляции и зарядовой стабильности// J. Advanced Materials.- 1997.- № 6.
  213. В.Г., Столяров А. А., Сидоров Ю. А. Исследование неоднородности зарядового состояния тонкопленочного диэлектрика SiCVOCC в партии полупроводниковых пластин // Электронная техника. Сер.6. Мате-риалы.-1986.-Вып. 1 .-С. 76−78.
  214. А.А. Исследование влияния ионной имплантации на дефектность пленок двуокиси кремния, пассивированных фосфорно-силикатным стеклом // Физика и химия обработки материалов,-1998.-№ 2.
  215. В.Г., Столяров А. А., Сидоров Ю. А. Прогнозирование выхода годных схем по дефектности тонкопленочного диэлектрика // Электронная техника. Сер.6. Материалы.-1985.- Вып. 1.-С. 68−70.
  216. Прогнозирование выхода годных БИС по анализу дефектности / В. Т. Гаврилков, В. Н. Дерюгин, В. А. Казинов и др. // Электронная промышленность.-1989,-Вып. 8.-С. 47−48.
  217. Ю.П., Маркова Е. В., Грановская Ю. В. Планирование эксперимента при поиске оптимальных условий. М.: Наука, 1976. 279 с.
  218. Моделирование выхода годных микросхем по дефектности подза-творного диэлектрика/ В. Г. Барышев, О. Д. Парфенов, А. А. Столяров и др.//
  219. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.- 1992.- № 2.- С. 57−58.
  220. Исследование начального несобственного пробоя и дефектов в диэлектрике МОП-структур на основе кремния / Г. Н. Демидова,
  221. H.И.Гаврилин, О. П. Глудкин и др.// Микроэлектроника. 1983. — Т. 12. — Вып.1.-С. 24−28.
  222. Osburn С.М., Weitzman E.J. Electrical conduction and dielectric breakdown in silicon dioxide fields on silicon // J. Electrochem.-1972.-Vol.119-№ 5.-P. 603−610.
  223. Ф.Л. Структура компонентов БИС. Новосибирск, Наука, 1980.-С. 256.
  224. С.А., Цыганков И. Н. Исследование влияния фазовых переходов в окисле на зарядовые и механические свойства системы кремний окисел //Поверхность. Физика, химия, механика. 1982. — № 5. — С. 73−75.
  225. С.А., Митрофанов В. В., Соколов В. И. Процессы, протекающие при формировании системы кремний-окисел, и их влияние на свойства кремниевых планарных структур // Электронная техника. Сер: 2. Полупроводниковые приборы. 1983. — Вып. 1. — С. 50−60.
  226. В.А., Попов В. М. Влияние дефектов с аномально высокой скоростью генерации на характеристики МДП-транзисторов // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1980. — Вып. 1. — С. 82−86.
  227. Г. Я., Родионов А. А. Стабильность параметров МДП-ИС при термических и токовых воздействиях // Электронная промышлен-ность.-1988. № 4. — С.43−44.
  228. Ю.С., Пятницкий В. В., Третьяк О. В. Локализация заряда на гидрофобной и гидрофильной поверхности кремния и в окисной пленки // Микроэлектроника.-1997.-Т. 26.-Вып. 6.-С. 464−469.
  229. Greeuw G., Bakker S., Verwey J.F. Influence of annual temperature on the mobile ion concentration in MOS structures // Solid State Electron.-1984.-Vol.-27. № l.-P. 77−81.
  230. А.Ф., Зелеленов В. И., Устинов В. Ф. Влияние дефектности кремния и эффективного периметра МДП-структур на электрическую прочность подзатворного диэлектрика // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1980. — Вып. 1. — С. 48−51.
  231. Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник / Под ред. А. В. Ржанова.-М.: Наука, 1976.- 219 с.
  232. В.Н., Кузин С. М., Петрова А. Г. Тенденции развития методов и системы операционного контроля технологии СБИС // Электронная промышленность. 1994.- № 3. — С.38−44.
  233. В.В., Барышев В. Г., Столяров А. А., Ткаченко А. Л. Исследование влияния характеристик локальных неоднородностей МДП-систем на максимальную токовую нагрузку при туннельной инжекции // Труды МГТУ. № 573. 1999. С. 59−65.
  234. В.В., Барышев В. Г., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А., Лоскутов С. А., Чухраев И. В. Влияние ионной имплантации на дефектность МДП-структур // Материалы III Международной конф. «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск, 1999. С.89−91.
  235. В.В. Исследование высокополевой зарядовой деградации МДП-систем n-Si-Si02^CC-Al при 295 и 77 К // Тез. докл. научнотехн. конф. с международным участием «Приборостроение-96″. Часть 2. Судак, 1996. С. 71.
  236. В.В., Бондаренко Г. Г., Лоскутов С. А. Влияние магне-тронного напыления алюминия на дефектность МДП-структур // Материалы шестой научно-техн. конф. „Вакуумная наука и техника“. Гурзуф, 1999. С.58−59.
  237. В.В. Совместное использование методов инжекции заряда импульсом постоянного тока и ТСД для контроля нестабильности заряда в МДП-системах // Тез.докл. научно-техн. конф. с международным участием „Приборостроение-95″. Винница-Львов, 1995. С. 69.
  238. А.А. Исследование МДП-структур в условиях туннельной инжекции в неравновесном режиме// Радиационная физика твердого тела: Материалы VII Межнац. совещания.- Севастополь, 1998.
  239. А.А. Исследование характеристик МДП-структур с зарядовыми дефектами/ Методы исследования и проектирования сложных технических систем: Сб. статей.- М.: МГТУ, 1997.- С. 71−76.
  240. А.А. Зарядовая нестабильность параметров МДП-структур при неравномерном распределении тока туннельной инжекции// Известия вузов. Электроника.-1997.-№ 6.-С. 29−36.
  241. В.Д. Влияние неоднородностей на динамические вольт-амперные характеристики МДП-структур // Микроэлектроника.-1989.-Т. 18.-Вып. 5.-С. 447−455.
  242. Hokari Y. Dielectric breakdown wearout limitation of thermally-grown thin-gate oxides // Solid-State Electron. -1990, — Vol.33.- P.75−78.
  243. Fukuda Y., Kadama H. Retention characteristics hole-injection-type EEPROM //Trans. ElectronDevices.-1980.-Vol. 27.-№ 1 l.-P. 2080−2084.
  244. Cottrell P., Troutman R., Ning H. Hot-electron emission in N-Channel IGFET’s // J. Solid State ircuits.-1979.-Vol. 14.-№ 2.-P. 442−454.
  245. В.В. Сильнополевая зарядовая деградация МДПструктур Si-SiC)2-OCC-Al при высоких плотностях туннельного тока // Тез. докл. 3 Международной конференции по электромеханике и электротехнологии. Россия, Клязьма, 1998. С. 59.
  246. Piyas Samanta, Sarcar C.K. Coupled charge trapping dynamics in thin Si02 gate oxide under Fowler- Nordheim stress at low electrical fluence // J. Appl. Phys. 1998. V.83. No.5. P.2662−2669.
  247. Miranda E., Redin G., Faigon A. An effective-field approach for the Fowler-Nordheim tunneling current hrough a metal-oxide-semiconductor charged barrier//J. Appl. Phys. 1997. V.82. No.3. P. 1262−1265.
  248. Lee S.M., Cahill David G. Heat transport in thin dielectric films // J. Appl. Phys. 1997. V.81. No.6. P.2591−2595.
  249. Chen Chun, Wilson William L., Smayling Michael Tunneling induced charge generation in Si02 thin films // J. Appl. Phys. 1998. V.83. No.7. P.3898−3905.
  250. Lenahan P.M., Conley J.F.Jr, Wallase B.D. A model of hole trapping in Si02 films on silicon//J. Appl. Phys. 1997. V. 81. No. 10. P.6822−6824.
  251. Umeda Kazunori, Tanigchi Kenji. Hot-electron-induced quasibreak-down of thin gate oxide // J. Appl. Phys. 1997. V.81. No.l. P.297−302.
  252. Cai Jin, Sah Chih-Tang. Theory of Thermally stimulated charge in metai-oxide-semiconductor gate oxide // J. Appl. Phys. 1998. V.83. No.2. P.851−857.
  253. Kim Jong-Hyun, Sanchez Julian J., DeMassa Thomas A., Quddus Surface plasmons and breakdown in thin silicon dioxide films on silicon // J. Appl. Phys. 1998.V.84. No.3. P.1430−1438.
  254. Briere О., Cottin P., Straboni A. Comparison of rapid ramp voltage and tunneling injection stress experiments for the characterization of thin MOS gate oxides// J. of Non-Cryst. Solids. 1995. Vol.187. P.190−194.
  255. В.В. Контроль инжекционной стойкости структур металл-диэлектрик-полупроводник в сильных электрических полях // Перспективные материалы. 2002. № 2. С.89−93.
  256. B.B., Барышев В. Г., Столяров А. А. Коррекция режимов термического отжига подзатворного диэлектрика КМДП-ИС // Тез.докл. Третьей международной научно-технич. конф.“ Микроэлектроника и информатика». Москва, Зеленоград, 1997. С. 19.
  257. В.В., Барышев В. Г., Столяров А. А. Контроль качества диэлектрических пленок по их стойкости к высокополевым инжекцион-ным нагрузкам // Труды МГТУ. № 567, 1995. С.54−58.
  258. В.В., Барышев В. Г., Столяров А. А. Исследование модели зарядового состояния системы Si-Si02−0CC-Al // Труды МГТУ. № 571. 1998. С.22−29.
  259. В.В., Барышев В. Г., Столяров А. А. Модель зарядового состояния системы Si-Si02-CC-Al в условиях сильных электрических полей и интенсивных токовых нагрузок // Труды МГТУ. № 571. 1998. С.30−37.
  260. Прогнозирование технико-экономических параметров производства кристаллов ИС на пластине / И. В. Журавлева, С. А. Остапчук, А. А. Радаев и др.// Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника,-1990.-Вып. 4.-С. 42−51.
  261. В.В. Использование МДП-структур Si-Si02-OCC-Al в качестве высокостабильных элементов памяти // Сборник трудов Международной научно-техн. конф. «Приборостроение 98». Винница-Симферополь, 1998. С. 249.
  262. И.В., Сережкин Ю. Н. Лавинный пробой р-п перехода в полупроводниках. -Л.: Энергия. 1980.- 152 с.
  263. И.И., Ефимов В. М., Духанова Т. Г. Электропроводность слоев фосфоросиликатного стекла, полученных при низких температурах // Микроэлектроника,-1990.-Т.19.-Вып.6. -С.604−607.
  264. Г. Г., Столяров А. А. Исследование влияния легирования двуокиси кремния фосфором на зарядовую нестабильность МДП-структур в условиях туннельной инжекции // Физика и химия обработки материалов.- 1997.- № 3.- С.22−26.337
  265. Bondarenko G.G., Andreev V.V., Stolyarov A.A., Tkachenko A.L. Modification of metal-oxide-semiconductor devices by electron injection in high-fields// Vacuum. 2002. Vol. 67/3−4. P.507−511.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!