Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Спектроскопия глубоких уровней в полупроводниковых структурах

Диссертация: Спектроскопия глубоких уровней в полупроводниковых структурах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В настоящее время для определения параметров ГУ широко используется метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней (РСГУ или DLTS — Deep Level Transient Spectroscopy). Достоинствами метода являются высокая чувствительность, возможность определения параметров ГУ при изменении их заполнения как основными, так и неосновными носителями, возможность исследования ГУ как в полупроводниковых… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ДЕФЕКТЫ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ И МЕТОДЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ В ПОЛУ ПРОВ ОДЕЖКАХ И МОП СТРУКТУРАХ (Аналитический обзор)
    • 1. 1. Дефектообразование в арсениде галлия и системе кремний-диоксид кремния
      • 1. 1. 1. Дефекты с глубокими уровнями в арсениде галлия
      • 1. 1. 2. Радиационные дефекты в кремнии
      • 1. 1. 3. Дефекты в 8Ю2 и на границе 81−8Ю
    • 1. 2. Анализ процессов формирования радиационно- индуцированного заряда в кремниевой МОП структуре
    • 1. 3. Метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках
      • 1. 3. 1. Метод БЬТБ: основы метода и проблемы реализации
      • 1. 3. 2. Способы повышения разрешающей способности
    • 1. 4. Электрофизические методы спектроскопии поверхностных состояний и определения параметров МОП структуры
      • 1. 4. 1. Емкостные методы
      • 1. 4. 2. Бесконтактный метод Кельвина
  • Цели и задачи
  • ГЛАВА 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ МЕТОДАМИ РЕЛАКСАЦИОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
    • 2. 1. Статистический метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках
      • 2. 1. 1. Алгоритм статистической обработки и анализа зависимостей изотермической релаксации емкости
      • 2. 1. 2. Автоматизированный БЬТБ спектрометр
      • 2. 1. 3. Результаты и обсуждение
    • 2. 2. Спектроскопия глубоких уровней методом Laplace-DLTS
    • 2. 3. Определение симметрии точечных дефектов методом Laplace-DLTS
  • Выводы к главе 2
  • ГЛАВА 3. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ДЕФЕКТОВ И ПРОГНОЗ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ МОП ТРАНЗИСТОРОВ
    • 3. 1. Физико-математическая модель накопления и релаксации радиационно-индуцированного заряда
    • 3. 2. Анализ процессов радиационной деградации
    • 3. 3. Методика определения параметров дефектов и прогнозирования радиационной стойкости
  • Выводы к главе 3
  • ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ ФЛУКТУАЦИИ И ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА СВОЙСТВА МОП СТРУКТУРЫ
    • 4. 1. Флуктуационная модель вольт-фарадной характеристики
  • МДГ1 структуры
    • 4. 2. Методы исследования и экспериментальные установки
    • 4. 3. Экспериментальные результаты и обсуждение
  • Выводы к главе 4

Спектроскопия глубоких уровней в полупроводниковых структурах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Важнейшей задачей, которую приходится решать разработчикам и производителям полупроводниковых приборов является определение концентрации и параметров глубоких уровней (ГУ) в полупроводниках. Связано это с тем, что ГУ определяют такую важную характеристику полупроводника как время жизни и влияют на параметры приборов гораздо сильнее, чем мелкие центры. Наличие глубоких центров — некоторых примесей, радиационных дефектов, дефектов термообработки — придаёт полупроводникам как полезные, так и нежелательные свойства. Поэтому исследование свойств ГУ является одним из основных и актуальных направлений современной физики полупроводников, что стимулирует, в свою очередь, развитие методов определения параметров ГУ.

В настоящее время для определения параметров ГУ широко используется метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней (РСГУ или DLTS — Deep Level Transient Spectroscopy). Достоинствами метода являются высокая чувствительность, возможность определения параметров ГУ при изменении их заполнения как основными, так и неосновными носителями, возможность исследования ГУ как в полупроводниковых приборах, изготовленных по реальной технологии, так и в исходном полупроводнике. Вместе с тем, при реализации метода возникает ряд аппаратно-измерительных, вычислительных и методологических проблем, снижающих точность, а иногда и объективность полученных данных, устранение которых особенно важно в практическом отношении.

Другую проблему создают электронейтральные дефекты, образующие ГУ в МОП структурах, не заряжающиеся под температурно-полевыми воздействиями. Такие дефекты существенным образом снижают надежность изделий, но недоступны для обнаружения и исследования электрофизическими методами. Примерами таких латентных дефектов являются напряженные Si-O связи в слоях оксида кремния или наличие в этих слоях атомарного и молекулярного водорода. Никак не проявляясь в исходных электрофизических характеристиках, указанные дефекты катастрофически снижают радиационную стойкость, изделий. Выявление подобных дефектов очень важно* для* разработки специальных изделий, предназначенных к использованию в условиях внешних дестабилизирующих факторов. Это определяет актуальность создания методов исследования дефектов с ГУ в МОП структурах с использованием ионизирующих излучений (ИИ) в качестве тестирующего воздействия.

Основные проблемы, возникающие при интерпретации и анализе результатов экспериментальных исследований дефектов с глубокими уровнями в многослойных полупроводниковых структурах (диодах Шоттки, МОП структурах), обусловлены тем, что наблюдаемые изменения электрофизических параметров исследуемых структур являются интегральным результатом дефектообразования, происходящего по разным механизмам в полупроводниках, диэлектриках и границах раздела. Эти проблемы можно разрешить только комплексным подходом, подразумевающим совместное использование набора прецизионных методов исследования дефектов в каждой составляющей исследуемой структуры.

Необходимость решения указанных проблем определяет актуальность разработки прецизионных методов исследования дефектов с глубокими уровнями в слоях и границах раздела многослойных полупроводниковых структур, включая развитие существующих и апробацию разрабатываемых методов.

Цель работы: повышение эффективности методов исследования электрически активных дефектов с ГУ в полупроводниках и МОП структурах и методов, основанных на использовании радиационных воздействий, для обнаружения латентных дефектов, недоступных для контроля электрическими методами. Для этого решались следующие задачи:

1. Разработка прецизионных методик релаксационной спектроскопии ГУ в полупроводниках с использованием алгоритмов статистического поиска и преобразования Лапласа, создание программно-измерительного комплекса для их практической реализации.

2. Разработка методики определения параметров латентных дефектов с ГУ в кремниевых МОП структурах с использованием ИИ' для анализа радиационной стойкости МОП ИС в условиях низкоинтенсивного (космического) облучения.

3. Разработка методики контроля параметров МОП структуры с учетом зарядовых флуктуаций для исследования влияния флуктуаций и ИИ на спектр поверхностных состояний (ПС), электрические параметры и характеристики кремниевой МОП структуры.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Предложен новый, алгоритм обработки и анализа временных релаксационных сигналов, основанный на закономерностях математической статистики.

2. Разработана прецизионная методика определения параметров ГУ, основанная на применении метода Ьар1асе-ОЬТ8 с регуляризацией по Ь-кривой (ЬЬ-БЬТЗ методика), позволяющая определять параметры ГУ с близкими значениями коэффициентов эмиссии.

3. Выявлена особенность ионизации метастабильных центров, проявляющаяся в пересечении зависимостей Аррениуса для ГУ бивалентного центра. Предложена модель кинетики ионизации этих центров, в соответствии с которой наблюдаемое пересечение связано с процессами обмена носителей между уровнями центра и зонами разрешенных энергий.

4. Предложена методика определения параметров радиационных дефектов в МОП транзисторе (МОПТ), основанная на анализе дозовой и температурно-временных зависимостей релаксации порогового напряжения.

5. Разработана флукгуационная модель вольт-фарадной характеристики" — (ВФХ) МОИ структуры, позволяющая учесть наличие флуктуации поверхностного потенциала полупроводника в расчетах спектра ПС и других электрофизических параметров структуры.

Научная и практическая ценность работы;

1. Новый статистический метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках повышает степень достоверностии точности определения параметровГУ, определяющих характер изотермической релаксации емкости (ИРЕ) исследуемой диодной структуры.

2. Новая ЬЬ-БЬТБ методика позволяет определять параметры ГУ с близкими значениями коэффициентов эмиссии, а также параметры не только одновалентных, но и метастабильных центров, что невозможно «, прииспользовании традиционного метода ОЬТЭ.

3. Новую модель ионизации метастабильных центров, основанную на закономерностях перезарядки уровней двукратно ионизируемого глубокого центра в арсениде галлия, можно использовать при определении параметров подобных центров в других полупроводниковых материалах.

4. Предложенная методика для определения параметров радиационных дефектов в МОПТ позволяет установить параметры ГУ и предсказать поведение МОПТ под воздействием ИИ с необходимой мощностью дозы, включая низкоинтенсивное ИИ.

5. Предложенная флуктуационная модель ВФХ МОП структуры позволяет учесть наличие флуктуаций поверхностного потенциала’в расчетах энергетического спектра1, ПС исущественноповысить точность контроля электрофизических параметров МОП структуры.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту.

1. Статистический метод БЬТБ. Регистрация семейства характеристик.

ИРЕ в широком температурном диапазоне и применение алгоритмов 7 статистического поиска решения повышают достоверность, точность определения параметров ГУ и позволяют рассчитать погрешность их определения в рамках приближений традиционного метода DLTS.

2. LL-DLTS методика позволяет определять параметры ГУ с близкими значениями коэффициентов термической эмиссии, а также параметры не только одновалентных, но и метастабильных центров.

3. Экспериментальные результаты исследования глубоких уровней в монокристаллах арсенида галлия. Установленные закономерности, связанные с перезарядкой бивалентных центров. Модель ионизации метастабильных центров.

4. Методика определения параметров радиационных дефектов с ГУ в МОПТ из экспериментальной дозовой зависимости и температурно-временных зависимостей релаксации порогового напряжения.

5. Флуктуационная модель ВФХ МОП структуры, в соответствии с которой в расчетах спектра ПС и других электрофизических параметров структуры необходимо учитывать флуктуации поверхностного потенциала полупроводника.

Личный вклад автора. Основные экспериментальные данные, включенные в диссертацию, получены лично автором или при его непосредственном участии. Автором выполнен анализ и интерпретация полученных результатов. Сформулированы выводы и научные положения, выносимые на защиту.

Апробация работы. Основные результаты диссертации были представленыи обсуждены на следующих конференциях: XI, XIIи XVI международных научно-технических конференциях «Радиолокациянавигация, связь» (Воронеж, 2005, 2006, 2010) — V и VIII международных научно-технических конференциях «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (Москва, 2006, 2009) — IX, X и XI международных научно-технических конференциях «Кибернетика и высокие 8 технологии XXI века» (Воронеж, 2008, 2009, 2010) — 59 и 60 международных совещаниях по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра (Чебоксары, 2009; С.-Петербург, 2010).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 23 научных работ, в том числе 9 — в изданиях, рекомендованных ВАК РФ.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Объем диссертации составляет 149 страниц текста, включая 46 рисунков.

Список литературы

состоит из 139 источников.

3. Результаты исследования ГУ в монокристаллах арсенида галлия методом 1Х-ОЬТ8 позволили установить закономерности, связанные с перезарядкой метастабильных центров. Предложена модель ионизации двукратно ионизируемого центра, учитывающая процессы обмена носителей заряда между уровнями центра и зоной разрешенных энергий.

4. Проведен анализ радиационной стойкости МОП транзисторов, основанный на единой модели механизмов образования дефектов (Еи /V центров) в слое 8Ю2 и на границе 8Ь-8Ю2, учитывающий, наряду с процессом накопления радиационно-индуцированного заряда, длинно-временные эффекты туннельной и термической разрядки, сопровождающие его накопление в радиационных полях низкой интенсивности.

5. Предложена методика определения параметров радиационных дефектов из экспериментальной дозовой зависимости, полученной при большой мощности дозы радиации, и температурно-временных зависимостей релаксации порогового напряжения МОПТ. Установленные параметры позволяют предсказать поведение МОП транзистора под воздействием ИИ с необходимой мощностью дозы, включая низкоинтенсивное излучение.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Nichols D.K. A review of dose rate dependent affects of total ionizing dose irradiations / D.K. Nichols // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1980. V. NS-27, № 2. P. 1016−1024.
  2. Winokur P. S. Interface state generation in radiation — hard oxides / P. S Winokur, H.E. Boesch // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1980. V. NS-27, № 6. P. 1647−1650.
  3. Barnes C.E. Gamma induced trapping levels in Si with and without gold doping / C.E. Barnes // J. Electron. Mat 1979. V. 8, № 4. P. 437−457.
  4. Scoggan G.A. Effect of electron beam radiation on MAS structures as influenced by silicon dopant / G.A. Scoggan, T.P. Ma // J. Appl. Phys. 1977. V. 48, № 1. P. 294−300.
  5. В.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках / В. В. Емцев, Т. В. Машовец // М.: Радио и связь, 1981. 320 с.
  6. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках: Пер. с англ. / А. Милне // М.: Мир, 1981.-480 с.
  7. Ю П. Основы физики полупроводников: Пер. с англ. / П. Ю, М. Кардона // М.: Физматлит, 2002. 560 с.
  8. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн.: Пер. с англ. / С. Зи // М.: Мир, 1984. Кн. 1. 456 с. Кн. 2. — 456 с.
  9. Reddy C.V. Nature of the bulk defects in GaAs through high-temperature quenching studies / C.V. Reddy, S. Fung, C.D. Beling // Phys. Rev. B. 1996. V. 54, № 16. P. 11 290−11 297.
  10. Yokota K. EL2, EL3, and EL6 defects in GaAs highly implanted with sulfur K. Yokota et al. // J. Appl. Phys. 2000. V. 88, № 9. P. 5017−5021.
  11. B.H. С/-пик в спектрах DLTS n-GaAs, облученного быстрыми нейтронами и протонами (65 Мэв) / В. Н. Брудный, В. В. Пешев // ФТП. 2003. Т. 37, вып. 2. С. 294−300.
  12. Lang D.V. Radiation Effects in Semiconductors / D.V. Lang // Inst. Phys. Conf. Ser. № 31. London — Bristol, 1977. — 70 p.
  13. Pons D. Irradiation induced defects in GaAs / D. Pons, J.C. Bourgoin // J. Phys. C: Sol. St. Phys. 1985. V. 18. P. 3839−3844.
  14. Bourgoin J.C. Native defects in gallium arsrnide / J.C. Bourgoin, H.J. Bardeleben, D.J. Stivenard // J. Appl. Phys. 1988. V. 64, R65. P. 2567−2573.
  15. Bourgoin J.C. Study of defects in GaAs by differential thermal analysis / J.C. Bourgoin, H.J. Bardeleben, D. Stivenard // Phys. St. Sol. 1987. V. 62. P. 499−504.
  16. B.B. Высокотемпературное облучение GaAs / B.B. Пешев, C.B. Смородинов // ФТП. 1997. Т. 31, № 10. С. 1234−1235.
  17. Т.А. Зависимость кинетики отжига А-центров и дивакансий от температуры, энергии и дозы облучения в кристаллах п-кремния / Т. А. Пагава // ФТП. 2002. Т. 36, вып. 10. С. 1159−1162.
  18. Palmetshofer L. Defect levels in silicon bombarded with light ions/ L. Palmetshofer, J. Reisinger // J. Appl. Phys. 1992. V. 72. P. 2167−2176.
  19. Deep level transient spectroscopy analysis of fast ion tracks in silicon / A. Hallen et al. // J. Appl. Phys. 1990. V. 67. P. 1266−1272.
  20. Hazdra P. Divacancy profiles in MeV helium irradiated silicon from reverse I-V measurement / P. Hazdra, J. Vobecky // Sol. St. Phenomena. 1999. V. 6970. P. 545−552.
  21. Lifetime in proton irradiated silicon / A. Hallenet al. // J. Appl. Phys. 1996.1. V. 79. P. 3906−3910.
  22. Kuchinskii P.V. The effect of thermal and radiation defects on the recombination properties of the base region of diffused silicon p-n structures / P.V. Kuchinskii, V.M. Lomako 11 Sol. St. Electron. 1986. V. 29. P. 10 411 051.
  23. B.C. Дефекты в кремнии и на его поверхности / B.C. Вавилов, В. Ф. Киселев, Б. Н. Мукашев // М.: Наука, 1990. 216 с.
  24. Lutz J. Impatt Oscillations In Fast Recovery Diodes Due To Temporarily Changed Radiation induced Deep Levels / J. Lutz // Sol. St. Electron. 1998. V. 42. P. 931−936.
  25. T.A. Влияние концентрации основных носителей тока и интенсивности облучения на эффективность введении радиационных дефектов в кристаллах кремния / Т. А. Пагава, З. В. Башелейшвили // ФТП. 2002. Т. 36, вып. 10. С. 1157−1158.
  26. В.Г. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник / В. Г. Литовченко, А. П. Горбань // Киев: Наукова думка, 1978. 316 с.
  27. Nicollian Е.Н. MOS (metal-oxide-semiconductor) physics and technology /
  28. E.H. Nicollian, J.R. Brews // New York: Wiley, 1984. 760 p.
  29. Revesz A.G. Chemical and structural aspects of the irradiation behavior of Si02 films on silicon / A.G. Revesz // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1977. V. 24, № 6. P. 2102−2107.
  30. Grunthaner F, J. Radiation-induced defects in Si02 as determined with XPS /
  31. F.J. Grunthaner, P.J. Grunthaner, J. Maserian // IEEE Trans. Nucl. Phys. 1982. V. 29, № 6. P. 1462−1466.
  32. Griscom D.L. Diffusion of radiolytic molecular hydrogen as a mechanism for the post-irradiation buildup of interface states in Si02-on-Si structures / D.L. Griscom // J. Appl. Phys. 1988. V. 58, № 7. P. 2524−2533.
  33. Lenahan P.M. Radiation-induced paramagnetic defects in MOS structures /
  34. P.M. Lenahan- P.V. Dressendorfer // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1982: V. 29, № 6. ~P. 1459−1461.
  35. Lenahan P.M. Hole traps and-trivalent silicon centers in metal-oxide-silicon devices / P.M. Lenahan, P: V. Dressendorfer // J.Appl.Phys. 1984. V. 55, № 10. P. 3495−3499.
  36. Witham H.S. The nature of the deep hole trap in MOS oxides / H.S. Witham, P.M. Lenahan // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1987. V. 34, № 6. P. 1147−1151.
  37. Native defects at the Si-Si02 interface-amorphous silicon revisited / D.K. Biegelsen et al. // Applications of Surface Science. 1985. V. 22. P. 879−890.
  38. Jupina M.A. Spin dependent recombination: a 29Si hyperfine study of radiation-induced Pb centers at the Si-Si02 interface / M.A. Jupina, P.M. Lenahan // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1990. Y. 37, № 6. P. 1650−1657.
  39. Aitken J.M. Electron trapping in electron-beam irradiated Si02 / J.M. Aitken, D.R. Young // J.Appl.Phys. 1978. V. 49, № 6. P. 3386−3391.
  40. Schmitz W. Radiation induced electron traps in silicon dioxide / W. Schmitz, D.R. Young // J. Appl. Phys. 1983. V. 54, № 11. P. 6443−6447.
  41. Devine R.A. Ion implantation and ionizing radiation effects in thermal oxides /
  42. R.A. Devine // Structure and Bonding in Non-Crystalline Solids. New York, 1986. P. 519−527.
  43. McWhorter P.J. Radiation response of SNOS nonvolatile transistors / P.J. McWhorter, S.L. Miller, T.A. Dellin // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1986. V. 33, № 6. P. 1414−1419.
  44. Grove A.S. A model for radiation damage in metal-oxide-semiconductor structures / A.S. Grove, E.H. Snow // Proc. IEEE. 1966. V. 54. P. 894−895.
  45. Stanley A.G. A model for shifts in the gate tum-on voltage of insulated-gate field-effect devices induced by ionizing radiation / A.G. Stanley // IEEE Trans. Electron Dev. 1967. V. 14. P. 134−138.
  46. Mitchell J.P. Radiation-induced space-charge buildup in MOS structures / J.P. Mitchell // IEEE Trans. Electron Dev. 1967. V. 14, № 11. P. 764−774.
  47. Churchill’J.N. Dynamic model for e-beam irradiation of MOS capacitors / J.N. Churchill, F.E. Holmstrom, T.W. Collins // J. Appl. Phys. 1979. V. 50, № 6. P. 3994−4002.
  48. Churchill J.N. Modeling of irradiation-induced changes in- the electrical properties of metal-oxide-semiconductor structures / J.N. Churchill, F.E. Holmstrom, T.W. Collins // Advances in Electronics and Physics. 1982. V. 58. P. 1−79.
  49. M.H. Моделирование воздействия ионизирующих излучений на МДП структуру / М. Н. Левин, A.B. Татаринцев, Ю. В. Иванков // Конденсированные среды и межфазные границы. 2002. Т. 4, № 3. С. 195 202.
  50. Saturation of threshold voltage shift in MOSFET’s at high total dose / H.E. Boesch et al. // IEEE Trans. Nucl. Phys. 1986. V. 33, № 6. P. 1191−1197.
  51. Measurement of low-energy X-ray dose enchancement in MOS devices with silicide gates / J.M. Benedetto et al. // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1987. V. 34, № 6. P. 1540−1543.
  52. Dozier C.M. Photon energy dependence of radiation effects in MOS structures / C.M. Dozier, D.B. Brown // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1980. V. 27, № 6. P. 1694−1698.
  53. McWhorter P.J. Modeling the anneal of radiation-induced trapped holes in a varying thermal environment / P.J. McWhorter, S.L. Miller, W.M. Miller // IEEE Trans. Nucl. Phys. 1990. V. 37, № 6. P. 1682−1689.
  54. Brown D.B. Electron-hole recombination in irradiated Si02 from a microdosimetry viewpoint / D.B. Brown, C.M. Dozier // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1981. V. 28, № 6. P. 4142−4144. .
  55. McLean F.B. A framework for understanding radiation-induced interface statesin Si02 MOS structures / F.B. McLean // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1980. V. 27, № 6.-P. 1651−1657.
  56. Beckmann K.H. Hydrides and hydroxyls in thin silicon dioxide films / K.H. Beckmann, N.J. Harrick //J. Electrochem. Soc. 1971. V. l 18, № 4.P. 614−619.140
  57. Aslam M. Nature of electron and hole traps in MOS Systems with Poly-Si electrode / M. Aslam, R. Singh, P. Balk // Phys. Stat. Sol.(a). 1984. V. 84. P. 659−668.
  58. Sah C.T. Origin of interface states and oxide charges generated by ionizing radiation / C.T. Sah // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1976. V. 23, № 6. P. 1563−1568.
  59. Lay S.K. Interface trap generation in silicon dioxide when electrons are captured by trapped holes / S.K. Lay // J. Appl. Phys. 1983. V. 54, № 5. P. 2540−2546.
  60. Релаксационные процессы в МДП элементах интегральных схем, вызванные ионизирующим излучением и импульсным магнитным полем / А. Г. Кадменский и др. // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19, № 3. С. 41−45.
  61. Levin M.N. Relaxation processes induced in Si-Si02 systems by ionizing radiation and pulsed magnetic field treating / M.N. Levin, V.M. Maslovsky // Solid State Communications. 1994. V. 90, № 12. P. 813−816.
  62. Lang D.V. Deep level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors / D.V. Lang // J. Appl. Phys. 1974. V. 45, № 7. P. 3023−3033.
  63. JI.C. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках / Л. С. Берман, А. А. Лебедев // Л.: Наука, 1981.- 176 с.
  64. Johnson N.M. Constant-capacitance DLTS measurement of defect-density profiles in semiconductors / N.M.Johnson, D.J.Baterlink // J. Appl. Phys. 1979. V. 50, № 7. P. 4828−4833.
  65. Meese J.M. Defect symmetry from stress transient spectroscopy / J.M.Meese, J.W.Farmer, C.D.Lamp // Phys. Rev. Letters. 1983. V. 51, № 14. P. 12 861 289.
  66. Deep-level transient spectroscopy and photolumine-scence studies of electron-irradiated Czochralski silicon / O.O. Awadelkarim, H. Weman, B.G. Svensson, J.L. Lindstrom // J. Appl. Phys. 1986. V. 60, № 6. P. 1974−1979.it
  67. Hofinann K. Process-induced interface and bulk states in MOS structures / K. Hofmann, M. Schulz // J. Electrochem. Soc.: Sol. St. Science and Technology. 1985. V. 132, № 9. P. 2201−2208.
  68. Karwath A. Deep level’transient spectroscopy on single isolated intrface traps in field effect transistors / A. Karwath, M. Schulz // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52, № 8. P. 634−637.
  69. Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в лазерных структурах InAs/GaAs с вертикально связанными квантовыми точками / М. М. Соболев и др. // ФТП. 1997. Т. 31, № 10. С. 1249−1255.
  70. Исследование глубоких электронных состояний в текстурированных поликристаллах p-CdTe стехиометрического состава методом DLTS. / Е. А. Боброва, Ю. В. Клевков, С. А. Медведев, А. Ф. Плотников // ФТП. 2002. Т. 36, № 12. С. 1426−1431.
  71. М.М. Высокотемпературный диод на основе эпитаксиальных слоев GaP / М. М. Соболев, В. Г. Никитин // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24, № 9. С. 1−7.
  72. Нестационарная спектроскопия поверхностных состояний в режиме постоянного подпорогового тока МДП транзистора / М. Н. Левин, Е. Н. Бормонтов, А. В. Татаринцев, В. Р. Гитлин // ЖТФ. 1999. Т. 69, № 8. С. 60−64.
  73. Borsuk J.A. Current transient spectroscopy: a high-sensitivity DLTS system / J.A. Borsuk, R.M. Swanson // IEEE Trans. Elektron Devices. 1980. V. ED-27, № 12. P. 2217−2226.
  74. Brotherton S.D. Photocurrent deep level transient spectroscopy in silicon / S.D. Brotherton // J. Appl. Phys. 1984. V. 55, № Ю. P. 3636−3643.
  75. A.A. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней / А. А. Денисов, В. Н. Лактюшкин, Ю. Г. Садофьев // Обзоры по электронной технике. Сер. 7. Вып. 15 // М.: ЦНИИ «Электроника», 1985. -54 с.
  76. Л.С. Анализ сигналов релаксации емкости, состоящих из нескольких экспонент / Л. С. Берман // ФТП. 1998. Т. 32, № 6. С. 688−689.142
  77. Nolte D.D. Optimization of the Energy Resolution of Deep Level Transient
  78. Spectroscopy / D.D. Nolte, Haller E.E. // J. Appl. Phys. 1987. V. 62, № 3. P. 900−906.
  79. Laplace transform deep level transient spectroscopic studies of defects in semiconductors / L. Dobaczewski, P. Kaczor, I.D. Hawkins, A.R. Peaker // J. Appl. Phys. 1994. V. 76, № 1. P. 194−198.
  80. Dobaczewski L. Laplace-transform deep-level spectroscopy: The technique and its implications to the study of point defects in semiconductors / L. Dobaczewski, A.R. Peaker, K. Bonde Nielsen // J. Appl. Phys. 2004. V. 96, № 9. P. 4689−4728.
  81. Provencher S.W. A constrained regularization method for inverting data represented by linear algebraic or integral equations / S.W. Provencher // Computer Phus. Communications. 1982. V. 27. P. 213−227.
  82. А.П. Методы решения некорректных задач/ А. П. Тихонов, В. Я. Арсенин // М.: Наука, 1979.- 288 с.
  83. В.А. Регулярные методы решения некорректно поставленных задач // М.: Наука, 1987.- 240 с.
  84. Lawson C.L. Solving least squares problems / C.L. Lawson, R.J. Hanson // Prentice-Hall: Englewood Cliffs, 1974.- 340 p.
  85. Hansen P. S. Analysis of discrete ill-posed problems by means of the L-curve / P. S. Hansen // SIAM Review. 1992. V. 34. P. 561−580.
  86. M.H. Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по1.кривой / M.H. Левин, А. В. Татаринцев, А. Э. Ахкубеков // ФТП. 2009. Т. 43, № 5. С. 613−616.
  87. Е.Н. Физика и метрология МДП структур / Е. Н. Бормонтов //1. Воронеж, 1997. -184 с.
  88. Terman L.M. An investigation of surface states at a silicon — silicon oxide interface employing metal-oxide-silicon diodes / L.M. Terman // Sol.-St. Electron. 1962. V. 5, № 3. P. 155−163.
  89. В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда / В. Н. Овсюк // Новосибирск: Наука, 1984.253 с.
  90. .М. Контактная разность потенциалов / Б. М. Царев // М.: Гостехиздат, 1955. 280 с.
  91. Измерение потенциала поверхности кремниевых пластин в процессе производства БИС / И. Ю. Бутусов и др. // Электронная промышленность. 1994. № 4−5. С. 104−105.
  92. Определение чистоты поверхности кремниевых пластин в производстве БИС / И. Ю. Бутусов и др. // Электронная промышленность. 1994. № 4−5. С. 111−113.
  93. Определение параметров границы диэлектрик-полупроводник методом вибрационного динамического конденсатора / E.H. Бормонтов и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 1999. Т.1, № 1. С. 98 101.
  94. Статистический метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках / Е. А. Татохин, A.B. Каданцев, А. Е. Бормонтов, В. Г. Задорожний // ФТП. 2010. Т. 44, вып. 8. С. 1031−1037.
  95. Е.А. Анализ сигналов релаксации емкости и DLTS спектров статистическими методами / Е. А. Татохин, А. Е. Бормонтов // Радиолокация, навигация, связь: Труды XVI междунар. науч.-техн. конф. //Воронеж, 2010. Т. 1. С. 112−123.
  96. Ф. А. Регрессионный анализ в экспериментальной физике / Ф. А. Живописцев, В. А. Иванов // М.: Изд-во МГУ, 1995. 208 с.
  97. Автоматизированный программно-измерительный комплекс релаксационной спектроскопии глубоких уровней / Е. А. Татохин, А. В*. Каданцев, А. Е. Бормонтов, В. Г. Задорожний // Вестн. Воронеж, гос. тех. ун-та. 2009. Т. 5, № 10. С. 40−50.
  98. Автоматизированная установка для емкостной спектроскопии полупроводников / A.B. Каданцев и др. // ПТЭ. 2004. № 6. С. 138−139.144
  99. Автоматизированный’измеритель вольт-фарадных характеристик на базе ЭВМ «Электроника-60» / Б. И. Сысоев, В. Д. Линник, С. А. Титов, М. М. Стрилец // ПТЭ. 1988. № 1. С. 67−71.
  100. А. Я. Delphi 2006. Справочное пособие. Язык Delphi, классы, функции Win32 и .Net / А. Я. Архангельский // М.: Бином, 2006. -1152 с.
  101. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках методом Laplace-DLTS. / М. Н. Левин, А. Е. Бормонтов, А. Э. Ахкубеков, Е. А. Татохин //Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36, вып. 21. С. 61−69.
  102. Спектроскопия глубоких уровней методом Laplace-DLTS. Кинетика ионизации метастабильных центров / М. Н. Левин, А. Е. Бормонтов, А. Э. Ахкубеков, Е. А. Татохин // Конденсированные среды и межфазные границы. 2010. — Т. 12, № 2. — С. 133−142.
  103. Спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках методом LaplaceI
  104. DLTS / М. Н. Левин, А. Е. Бормонтов, А. Э. Ахкубеков, Е. А. Татохин // Кибернетика и высокие технологии XXI века: Труды XI междунар. науч.-техн. конф. //Воронеж, 2010. Т. 1. С. 313−324.
  105. Определение симметрии радиационных дефектов высокоразрешающим методом Laplace-DLTS / М. Н. Левин, А. Э. Ахкубеков, A.B. Татаринцев, А. Е. Бормонтов // Кибернетика и высокие технологии XXI века: Труды IX междунар. конф. // Воронеж, 2008. Т. 2. С. 941−950.
  106. Kimerling L.C. Radiation effects in semiconductors / Ed. By N.B. Urli and J.W. Corbett // London: Inst, of Physics, 1977. 221 p.
  107. К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии / К. Рейви // М.: Мир, 1984.-475 с.
  108. Watkins G.D. Defects in irradiated silicon. I. Electron spin resonance of the Si-A center / G.D. Watkins, J.W. Corbett // Phys. Rev. 1961. V. 121, № 4. P. 1001−1014.
  109. Физические величины / Под ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова // М.: Энергоатомиздат, 1991*. 832 с.
  110. Oldham T.R. Total ionizing dose effects in MOS oxides and devices / T.R. Oldham, F.B. McLean // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2003. V. 50, № 3. P. 483−499.
  111. Fleetwood D.M. Total-dose radiation hardness assurance / D.M. Fleetwood, H.A. Eisen // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2003. V. 50, № 3. P. 552−563.
  112. Methods for the prediction of total-dose effects on modern integrated semiconductor devices in space: a review / V.V. Belyakov et al. // Russian Microelectronics. 2003. V. 32, № 1. P. 31−46.
  113. Lenahan P.M. A comprehensive physically based predictive model for radiation damage in MOS systems / P.M. Lenahan, J.F. Conley // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1998. V. 45, № 6. P. 2413−2423.
  114. Моделирование процессов зарядовой деградации кремниевых МОП структур / М. Н. Левин, А. В. Татаринцев, Е. В. Бондаренко, В. Р. Гитлин, В. А. Макаренко, А. Е. Бормонтов // Вестн. Воронеж, гос. ун-та. Сер. Физика, Математика. 2008. № 2. С. 30−36.
  115. Методика определения параметров радиационных дефектов и прогноза радиационной стойкости МОП транзисторов / М. Н. Левин, Е. В. Бондаренко, А. Е. Бормонтов, А. В. Татаринцев, В. Р. Гитлин // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36, вып. 15. С. 38−44.
  116. Прогнозирование радиационной стойкости МОП ИС в условиях низкоинтенсивного облучения / М. Н. Левин, А. В. Татаринцев, Е. В. Бондаренко, А. Е. Бормонтов, В. Р. Гитлин // Конденсированные среды и межфазные границы. 2010. Т. 12, № 3. С. 226−232.
  117. Анализ радиационной стойкости МОП интегральных схем / М. Н. Левин, А. В. Татаринцев, Л. А. Минин, Е. В. Бондаренко, В. Р. Гитлин, А.Е.
  118. Бормонтов // Кибернетика и высокие технологии XXI века: Труды X междунар. науч.-техн. конф. // Воронеж, 2009. Т. 2. С. 770−784.
  119. Анализ радиационной стойкости МОП интегральных схем / М. Н. Левин, А. В. Татаринцев, Л. А. Минин, Е. В. Бондаренко, В. Р. Гитлин,
  120. A.Е. Бормонтов // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения: Труды VIII междунар. науч.-техн. конф. // Москва, 2009. Ч. 2. С. 74—78.
  121. Schwank J.R. Irradiated silicon gate MOS device bias annealing / J.R. Schwank, W.R. Dawes // IEEE Trans. Nucl. Phys. 1983. V. 30, № 6. P. 11 001 104.
  122. Physical mechanisms contributing to device «rebound» / J.R. Schwank et al. // IEEE Trans. Nucl. Phys. 1984. V. 31, № 6. P. 1434−1438.
  123. Oldham T.R. Spatial dependence of trapped holes determined from tunneling analysis and measured annealing / T.R. Oldham, A.J. Lelis, F.B. McLean // IEEE Trans. Nucl. Phys. 1986. V. 33, № 6. P. 1203−1209.
  124. Моделирование процессов рентгеновской корректировки пороговых напряжений МДП интегральных схем / М. Н. Левин, А. В. Татаринцев,
  125. B.А. Макаренко, В. Р. Гитлин // Микроэлектроника. 2006. № 5. С. 382 391.
  126. Benedetto J.M. The relationship between Co60 and 10-keV X-ray damage in MOS devices / J.M. Benedetto, H.E. Boesch // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1986. V. 33, № 6. P. 1318−1323.
  127. .С. Численное моделирование полупроводниковых приборов / Б. С. Польский // Рига: Зинанте, 1986. 168 с.
  128. B.C. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС / B.C. Першенков, В. Д. Попов, А. В. Шальнов. // М.: Энергоатомиздат, 1988. -256 с.
  129. Н.Н. Численные методы / Н. Н. Калиткин // М.: Наука, 1978. -512 с.
  130. В.А. Твердотельная электроника / В. А. Гуртов // М.: Техносфера, 2005. 406 с.
  131. Влияние радиационного воздействия на характеристики МДП транзистора / Е. Н. Бормонтов и др. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30, вып. 9. -С. 73−81.
  132. Т.Г. Флуктуационная модель вольт-фарадной характеристики МДП структуры / Т. Г. Меньшикова, А. Е. Бормонтов // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36, вып. 9. С. 65−72.
  133. Nicollian Е.Н. The Si-Si02 interface electrical properties as determined by metal-insulator-silicon conductance technique / E.H. Nicollian, A. Goetzberger//Bell Syst. Tech. Jour. 1967. V. 46, № 5. P. 1055−1133.
  134. Теория планарно-неоднородного МОП транзистора в области слабой инверсии. Методика определения поверхностных параметров / Е. Н. Бормонтов и др. // ЖТФ. 2001. Т. 71, вып. 2. С. 61−67.
  135. Nakhmanson R.S. Investigation of metal-insulator-semiconductor structure inhomogeneties using a small-size mercury probe / R.S. Nakhmanson, S.B. Sevastianov // Solid State Electronics. 1984. V. 27, № 10. P.881−891.
  136. Бесконтактный метод исследования потенциального рельефа границы диэлектрик-полупроводник / Т. Г. Меньшикова, А. Е. Бормонтов и др. // Вестн. Воронеж, гос. тех. ун-та. 2005. Т. 1, № 11. С. 83−90.
  137. Garrett C.G. Physical theory of semiconductor surfaces / C.G. Garrett, W.H. Brattain // Phys. Rev. 1955. V. 99, № 2. P. 376−397.
  138. Berglund C.N. Surface states at stream grown Si-Si02 interfaces / C.N. Berglund // IEEE Trans, on ED. 1966. V.13, № 10. P. 701−705.
  139. E.H. Автоматизированная установка для контроля и анализа электрофизических характеристик МДП структур / E.H. Бормонтов, C.B. Головин //Изв. вузов. Электроника. 1998. № 4. С. 95−100.
  140. Влияние планарной неоднородности и ионизирующего излучения на свойства МДП структур / Т. Г. Меньшикова, А. Е. Бормонтов и др. // Вестн. Воронеж, гос. тех. ун-та. 2005. Т. 1, № 11. С. 130−134.
  141. Влияние флуктуаций и радиационного воздействия на свойства кремниевых МДП структур / Т. Г. Меньшикова, А. Е. Бормонтов и др. // Радиолокация, навигация, связь: Труды XII междунар. науч.-техн. конф. // Воронеж, 2006. Т. 2. С. 1336−1344.
  142. Технология СБИС. / Под ред. С. Зи // М.: Мир, 1986. Кн. 1. 405 с.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!