Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Влияние параметров центров захвата на фотоэлектрические свойства кристаллов типа силленита

Диссертация: Влияние параметров центров захвата на фотоэлектрические свойства кристаллов типа силленита
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Достоверность результатов исследований обусловлена корректностью и взаимопроверяемостью различных методик. Результаты экспериментальных исследований согласуются с приведенными в данной работе расчетными данными и результатами экспериментальных работ, выполненных другими авторами. Полученные экспериментальные и теоретические зависимости подтверждают предположения, сделанные в работах других… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ ТИПА СИЛЛЕНИТА
    • 1. 1. Методы получения кристаллов типа силленита
    • 1. 2. Кристаллическое строение кристаллов типа силленита
    • 1. 3. Энергетический спектр локальных состояний в запрещенной зоне кристаллов со структурой силленита
    • 1. 4. Природа локальных состояний в запрещенной зоне кристаллов со структурой силленита
    • 1. 5. Особенности процессов фотогенерации подвижных носителей заряда в кристаллах типа силленита
  • Выводы
  • ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ И УСТРОЙСТВА
    • 2. 1. Экспериментальная установка для вакуумной технологии
      • 2. 1. 1. Особенности метода магнетронного нанесения пленок
      • 2. 1. 2. Конструкция катодных узлов
      • 2. 1. 3. Источник электропитания магнетронной распылительной системы
      • 2. 1. 4. Устройство стабилизации давления в рабочем объеме
      • 2. 1. 5. Устройство стабилизации температуры подложки
    • 2. 2. Методики измерений электрических и оптических свойств пленок
    • 2. 3. Физико-химические методы подготовки пластин для вакуумной технологии
    • 2. 4. Методика получения проводящих слоев
      • 2. 4. 1. Материалы для проводящих слоев
      • 2. 4. 2. Режимы получения прозрачных проводящих электродов
    • 2. 5. Методика получения диэлектрических слоев
      • 2. 5. 1. Диэлектрические материалы
      • 2. 5. 2. Режимы получения диэлектрических слоев
    • 2. 6. Методики измерения фотоэлектрических свойств образцов
      • 2. 6. 1. Методика измерения термостимулированных токов
      • 2. 6. 2. Методика измерения спектральных характеристик поглощения и фотопроводимости
      • 2. 6. 3. Методика измерения температурной зависимости фототока
  • Выводы
  • ГЛАВА 3. ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ СТАЦИОНАРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОТОКА КРИСТАЛЛОВ ТИПА СИЛЛЕНИТА
    • 3. 1. Четырехуровневая модель механизма электронных переходов типа уровень прилипания — уровень рекомбинации
    • 3. 2. Анализ численных методов решения плохо обусловленных систем нелинейных уравнений
    • 3. 3. Алгоритм решения кинетических уравнений для четырехуровневой модели электронных переходов
      • 3. 3. 1. Система кинетических уравнений для четырехуровневой модели
      • 3. 3. 2. Алгоритм расчета температурной зависимости фототока
    • 3. 4. Результаты расчета и их анализ
  • Выводы
  • ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ ЛЕГИРОВАНИЯ НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ ТИПА СИЛЛЕНИТА
    • 4. 1. Термостимулированный ток в легированных кристаллах титаната висмута
    • 4. 2. Исследование температурных зависимостей темнового и фототока легированных кристаллов титаната висмута

Влияние параметров центров захвата на фотоэлектрические свойства кристаллов типа силленита (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

К числу элементов систем преобразования, регистрации и обработки оптической информации, позволяющих выполнять операции в реальном масштабе времени, относятся пространственно-временные модуляторы света (ПВМС) [1−3], выполненные на основе электро-, акустои магнитооптических эффектов в различных материалах. Особое место среди этих устройств занимают ПВМС, выполненные на основе фоторефрактивных кристаллов типа силленита, обладающих фоточувствительностью и электрооптическим эффектом Поккель-са [4], например, практически важных монокристаллов В^БЮго, В^веОго, В112ТЮ20 [5].

На основе этих кристаллов разработаны твердотельные преобразователи изображения типа ПРОМ, ПРИЗ [5]. В основе работы таких преобразователей лежит фотовозбуждение электронов, которые захватываются на ловушки, образуя пространственный заряд. От локальной напряженности электрического поля, создаваемого этими зарядами в объеме кристалла, зависят его оптические характеристики.

Большое влияние на свойства кристаллов оказывают связи между атомами в элементарной ячейке и их изменения под действием различных технологических обработок следующего характера:

— активное воздействие с целью изменения оптических характеристик кристаллов (легирование, термическая обработка, радиационное облучение и т. д.);

— пассивные воздействия, связанные с изготовлением различного рода функциональных слоев, механической обработкой в процессе создания ПВМС.

Эти воздействия приводят к возникновению разнообразных дефектов кристаллического строения, которые способствуют появлению в запрещенной зоне кристаллов широкого спектра энергетических уровней ловушек и центров рекомбинации с различной концентрацией [6, 7]. Все это приводит к сложным фи6 зическим процессам в нелегированных материалах и резкому их изменению в образцах, подвергнутых различным обработкам. Температурная зависимость фототока является интегральной характеристикой, отражающей влияние изменения параметров центров захвата и рекомбинационных процессов в кристаллах.

В связи с этим возникает необходимость детального исследования влияния параметров центров захвата на оптические и фотоэлектрические характеристики кристаллов. Наиболее важным методом такого исследования является моделирование влияния параметров центров захвата для прогнозирования фотоэлектрических свойств кристаллов. Практически изменение параметров центров захвата достигается применением различных технологических обработок.

Цель работы. Основной целью данной работы является численное моделирование влияния параметров центров захвата на температурную зависимость фототока, механизм электронных переходов и экспериментальные исследования кристаллов со структурой силленита, подвергнутых легированию.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

— разработка алгоритма и программы решения плохо обусловленных систем нелинейных уравнений, описывающих процессы электронных переходов в кристаллах типа силленита;

— моделирование влияния параметров центров захвата на электронные переходы и температурную зависимость фототока в кристаллах со структурой силленита;

— создание экспериментальных методик и установок для получения и исследования свойств функциональных слоев на кристаллах со структурой силленита;

— исследование параметров центров захвата, температурной зависимости фототока и рекомбинационных процессов в нелегированных кристаллах;

— исследование влияния легирования на параметры центров захвата, характер температурной зависимости фототока и рекомбинационные про7 цессы, установление связи между параметрами центров захвата, механизмом рекомбинации и величиной тока в кристаллах.

Методы исследования. Моделирование влияния параметров центров захвата на температурную зависимость фототока и электронные переходы базируется на численных методах решения систем нелинейных уравнений. В экспериментальных исследованиях использовались методики термостимулированных токов (ТСТ), температурной зависимости стационарного фототока, метод маг-нетронно-ионного изготовления функциональных слоев на кристаллах силле-нита, метод четырехзондового измерения электросопротивления тонких пленок, а также оригинальные методики для определения диэлектрических и оптических свойств конструктивных покрытий. Все исследования и расчеты проводились с использованием средств вычислительной техники.

Научные положения и результаты, выносимые на защиту:

1. Экспериментальная установка для магнетронно-ионного нанесения функциональных покрытий на кристаллы со структурой силленита.

2. Алгоритм решения плохо обусловленной системы нелинейных уравнений, описывающих электронные переходы для четырехуровневой модели центров (два уровня захвата, два — рекомбинации).

3. Температурное гашение фототока для четырехуровневой модели определяется либо открытием двух каналов рекомбинации, либо сменой канала рекомбинации, а окончание процесса гашения происходит в момент равенства концентраций дырок на уровнях рекомбинации.

4. Увеличение абсолютного значения фототока в кристаллах достигается за счет уменьшения захвата электронов глубокими ловушками и усилением контроля мелкими ловушками электронных переходов на рекомбинационные уровни, а его уменьшение — за счет преобладания рекомбинационных процессов над процессами термогенерации.

5.

Введение

Ъп, Р, V во все кристаллы типа силленита приводит к значительному повышению фототока при комнатной температуре по сравнению с 8 нелегированными материалами, что вызвано увеличением концентрации центров медленной рекомбинации и их электронного заполнения.

Научная новизна.

1. Приведены конструктивные особенности и требования к установке маг-нетронно-ионного напыления, необходимые для получения качественных функциональных слоев на кристаллах со структурой силленита.

2. Разработаны методики и изготовлены оригинальные конструкции установок для контроля электрофизических свойств функциональных слоев.

3. Разработан алгоритм, позволяющий создать пакет программ для решения плохо обусловленных систем нелинейных уравнений, описывающих электронные переходы в кристаллах со структурой силленита в стационарном случае для четырехуровневой модели (два уровня захвата, два — рекомбинации).

4. Методом моделирования исследовано влияние параметров центров захвата на температурную зависимость фототока и механизм электронных переходов в кристаллах типа силленита.

Достоверность результатов исследований обусловлена корректностью и взаимопроверяемостью различных методик. Результаты экспериментальных исследований согласуются с приведенными в данной работе расчетными данными и результатами экспериментальных работ, выполненных другими авторами. Полученные экспериментальные и теоретические зависимости подтверждают предположения, сделанные в работах других авторов, и не противоречат современным представлениям о фотоэлектрических явлениях в высокоомных фоточувствительных материалах со сложной энергетической структурой запрещенной зоны, технологических особенностях получения тонкопленочных слоев методом магнетронно-ионного распыления материалов.

Практическая ценность работы определяется следующим:

— конструктивные особенности установки магнетронно-ионного нанесения тонких слоев обеспечивают повторяемость свойств получаемых пленок и позволяют ее применение в различных технологических процессах микроэлектроники- 9.

— приведенные методики определения электрических и оптических свойств тонких пленок позволят оперативно оценивать качество тонкопленочных структур;

— результаты моделирования электронных переходов и температурной зависимости фототока определяют направления для целенаправленного влияния на фотоэлектрические свойства кристаллов со структурой сил-ленита;

— применение легирования приводит к изменению параметров центров захвата по сравнению с нелегированными материалами;

— легирование Ъа кристаллов со структурой силленита позволяет получать фоторегистрирующие среды с высокой фоточувствительностью в области видимого спектра и рабочими температурами до 300 К.

Диссертационная работа выполнялась в рамках госбюджетных НИР по заказу Министерства образования РФ 4.6/93 «Разработка вакуумной технологии создания твердотельных элементов обработки оптической информации на основе фоторефрактивных кристаллов», 4.91.5 «Разработка и исследование твердотельных регистрирующих сред и элементов интегральной оптики на основе фоторефрактивных кристаллов» и региональной научно-технической программы «Вуз — Черноземье».

По материалам диссертации опубликовано 19 работ, получено 1 авторское свидетельство.

Работа состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы. Она изложена на 159 листах, включает 49 рисунков, 4 таблиц.

Список литературы

включает 144 наименования.

Выводы.

В результате проведенных исследований влияния легирования на фотоэлектрические свойства можно сделать выводы:

1. Легирование титаната висмута оказывает существенное влияние на его фотопроводимость.

2. Увеличение концентрации ловушек с Е{ «0,4 — 0,5 эВ и одновременное уменьшение их концентрации с Е1 < 0,3 эВ в В^ТЮго^ приводит к резкому снижению фоточувствительности при низких температурах из-за перехода электронов с г-центров рекомбинации на ловушки.

3.

Введение

Р, а так же А1 и Р приводит к росту концентрации как мелких, так и глубоких уровней. При этом увеличение концентрации центров с Е1=0,34 эВ приводит к резкому росту фототока, особенно при низких температурах.

4. Увеличение электронного заполнения центров с Е^ > 0,7 эВ в В^ТЮге, легированном ванадием, фосфором, алюминием приводит к резкому росту тем-новоготока.

5. В специально нелегированных кристаллах со структурой силленита в области Ы? < 2,5 эВ зависимости, а = Щп")-идентичны в материалах В1120е02о, В1128Ю2о, В112ТЮ20. При Иу > 2,5 эВ коэффициент поглощения в В112ТЮ2о превышает его значение для других кристаллов.

6. При введении 2х в материалы образуются дефекты, энергетически расположенные в нижней части запрещенной зоны. Концентрация этих дефектов наибольшая при содержании ЪлО в шихте 0,05 — 0,1 вес.%.

7. Увеличение интенсивности засветки приводит к сдвигу Тр в сторону более высоких температур, что хорошо согласуется с результатами численного моделирования.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В результате проведенных исследований получены следующие основные результаты:

1. Создана экспериментальная установка для магнетронно-ионного нанесения функциональных покрытий на исследуемые образцы кристаллов типа силленита. В состав установки входят следующие разработанные устройства: магнетронный распылительный узел (МРУ) с радиально сканирующей зоной распыленияисточник электропитания МРУ, позволяющий стабилизировать любой из трех параметров: напряжение, ток, мощностьсистема стабилизации давления в рабочем объемесистема стабилизации температуры подложки, позволяющая поддерживать температуру ее в диапазоне 20 — 1000° С с точностью ±-0,2°С. Данная установка позволяет получать прозрачные проводящие покрытия с прозрачностью не ниже 75% и поверхностным сопротивлением 1000 — 1500 Ом/О и диэлектрические защитные слои на основе окислов алюминия и кремния.

2. Разработаны устройства для измерения электросопротивления и прозрачности проводящих слоев.

3. Разработан алгоритм и пакет программ для решения плохо обусловленной системы нелинейных уравнений, описывающей механизм электронных переходов в кристаллах типа силленита, в которых концентрации носителей заряда на различных уровнях и при разных температурах различаются на десятки порядков.

4. Методами численного моделирования на ЭВМ проведены исследования влияния параметров центров захвата в широкозонных кристаллах со структурой силленита на температурную зависимость фототока и механизм электронных переходов. Показано, что для четырехуровневой модели электронных переходов на температурной зависимости фототока могут существовать области температурного гашения фототока. В зависимости от.

145 параметров центров захвата эти области могут быть широкими, узкими или совсем отсутствовать.

5. Существование температурного гашения фототока объясняется возникновением двух каналов рекомбинации или переходом рекомбинационных процессов с одного канала на другой. Окончание температурного гашения происходит в момент равенства концентраций дырок на уровнях рекомбинации.

6. Проведены исследования термостимулированного тока в легированных и нелегированных кристаллах титаната висмута. Для этих кристаллов определены параметры уровней захвата.

7. Исследованы температурные зависимости фототока в нелегированных и легированных кристаллах? М^Юго, В1120е02о, В^ТЮго с различными параметрами центров захвата.

Показать весь текст

Список литературы

  1. И.С. Пространственно-временные модуляторы света. Томск: Изд-во Томск, ун-та, 1983. 264 с.
  2. А.А., Касасент Д., Компанец И. Н., Парфенов А. В. Пространственные модуляторы света. М.: Радио и связь, 1987. 320 с.
  3. Ю.Д., Ковтонюк Н. Ф., Савин А. И. Преобразователи изображений в структурах полупроводник диэлектрик. М.: Наука, 1987. 176 с.
  4. Современная кристаллография (в четырех томах). Том 4. Физические свойства кристаллов /Шувалов Л.А., Урусовская А. А., Желудев И. С. и др. М: Наука, 1981. 496 с.
  5. М.П., Степанов С. И., Хоменко А. В. Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике. СПб.: Наука. С.-Петербургское отд-ние, 1992. 320 с.
  6. Hou S.L., Lauer R.B., Aldrich R.E. Transport process of photoinduced carriers in Bi12SiO20// J.Appl. Phys. 1973. V. 44. N 6. P. 2652 2658.
  7. O.A., Гусев B.A., Детиненко B.A., Елисеев А. П., Малиновский В. К. Уровни энергии в запрещенной зоне кристаллов Bii2GeO20, Bii2SiO20 // Автометрия. 1981. № 5. С.38−47.
  8. Минералы. М.: Наука, 1965. 617 с.
  9. Sillen L.G. X-Ray studies on bismuth Trioxide//Ark. Kemi, Miner Geol A. 1937. B.12.N18. S.l.
  10. Levin E.M., Roth R.S. Polimorphism of bismuth sesquioxide//J. Res. Nat. Stand. A. 1964. V. 68. N 2. P.197 203.
  11. Catttow G., Shroder H. Die kristallstruktur der Hochtemperaturmodifikation von Wismut (Ill)-exid (6=Bi203)// Z. anorg. and allg. Chem. 1962. B. 318. N 3. S.178 -186.
  12. Schumb W.G., Rittner E.S. Polimorphism of Bismuth Trioxide//J. Amer. Chem. Soc. 1943. V. 65. N 5. P.1055 1068.
  13. Ballman A.A. The growth and properties of piezoelectric bismuth germanium147oxide// J. Cryst. Growth. 1967. V.l. N 1. P.37 -40.
  14. А.И., Барышев C.A., Никифорова Т. Н., Антонов Т. Н., Федулов С. А. Выращивание и оптические свойства монокристаллов Bi^GeCW/ Кристаллография. 1969. Т. 14. N 1. С. 152 153.
  15. Г. М., Богач В. Н., Красилов Ю. И., Пахомов В. И., Федоров П. М., Бурков В. И., Скориков В. М. Некоторые физико-химические свойства силикатов и германатов висмута силленит-типа// Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1970. Т. 6. N 2. С. 284 288.
  16. А.И., Барышев С. А., Никифорова Т. Н., Антонов Т. Н., Федулов С. А. Выращивание и оптические свойства монокристаллов Bii2Si02o// Кристаллография. 1968. Т. 13. N 5. С.914 915.
  17. Е.И., Скориков В. М., Сафронов Г. М., Миткина Т. Д. Система Bi203 Si02// Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1970. Т.6. N 8. С. 1374−1377.
  18. .Н., Шалдин Ю. В., Питовранова Н. Е. Синтез и электрооптические свойства монокристаллов Si-силленита// Кристаллография. 1968. T.13.N6. С.1106- 1108.
  19. МЛ., Кузнецов В. А., Лобачев А. Н. Выращивание кристаллов Bij2TiO20 гидротермальным методом// Рост кристаллов из высокотемпературных водных растворов. М.: Наука, 1977. С. 190 197.
  20. Whiffin Р.А.С., Bruton Т.М., Brice J.C. Stimulated rotational instabilities in melten bithmuth silicon oxide// J. Cryst. Growth. 1976. V.32. N 2. P. 205 210.
  21. A.T., Копылов Ю. Л., Кравченко В. Б., Куча В. В. Зависимость оптической однородности монокристаллов германосилленита от условий роста// Кристаллография. 1978. Т.23. N 1. С. 174 -179.
  22. Е.Н., Аршакуни А. А. Система окись висмута двуокись германия// Неорганическая химия. 1964. Т.9. N 2. С. 414 — 421.
  23. В.Н., Романюк Н. А., Стефанский И. В. О температурной зависимости дисперсии двупреломления кристаллов дигидрофосфатов ам148мония// Оптика и спектроскопия. 1965. Т. 18. N 5. С. 838 842.
  24. Brice J.C., Bruton Т.М., Hill O.F., Whiffrn P.A.C. The Czochralski growth of Bi12SiO20 crystals// J. Cryst. Growth. 1976. V.32. N 2. P.205 210.
  25. Hill O.F., Brice J.C. The composition of crystals of bismuth silicon oxide// J.Mater. Sci. 1974. V.9. N 8. P. 1252 1253.
  26. Mori Т., Okamoto Т., Saito M. Suppression of the conductivity of Bii2Ge02o and application to electro-optic light valve// J. Electron. Mater. 1979. V.8. N 3. P. 261−267.
  27. A.B., Лукша O.B., Малеш M.B., Окачко И. И., Полянский В. Ф. Получение и некоторые электрофизические свойства пленок герма-ната висмута// Структура и физические свойства тонких пленок. Тез. докл. респ. конф. Ужгород, 1977. С.324 325.
  28. Mitsyi Т., Wasa К., Nayakava S. Structures and optical properties of RF-sputtered Bi12SiO20 films// J. Electrochem. Soc.:Solid St. Technol. 1976. N 1. P. 94−96.
  29. B.A., Жбанов O.B., Клипко A.T., Покровский Л. Д. Получение пленок силиката висмута и их диффузионное взаимодействие с электродами// Автометрия. 1976. N 1. С. 53 54.
  30. И.Л., Косцов Э. Г., Стерелюхина Л. Н. Исследованиеб центров прилипания в пленках силиката висмута// Автометрия. 1974. N4. С.55−57.
  31. В.Ф., Косцов Э. Г., Покровский Л. Д. Фотоэлектрические свойства пленок силиката висмута// Автометрия. 1980. N1. С. 113−115.
  32. Abrahams S.C., Jamieson Р.В., Bernstein J.L. Crystal structure of piezoelectric Bismuth Germanium Oxide Bi12Ge02o// J. Chem. Phys. 1967. V.47. N10. P.4034−4041.
  33. Harwig H.A. On the structure of Bismuth sesquioxide: the a-, p-, y- and
  34. Harwig H.A. and Weenk J.W. Phase relation in Bismuth sesquioxide// Z. anorg. und allg. Chem. 1978. B. 444. N7. S. 167 -174.149
  35. Ю.А. и др. Фотоэлектрические свойства Bii2Ge02o // ФТП. 1978. Т.12. Вып 10.
  36. О.А., Детиненко В. А., Малиновский В. К. Энергетический спектр и природа глубоких уровней в кристаллах германата висмута// ФТТ. 1981. T.23.N1.C.195−201.
  37. В.Д. и др. Фото- и термолюминесценция Bii2GeO20 // Автометрия. 1980. № 1.С. 102−106.
  38. В.А., Елисеев A.M. Фотолюминесценция Bii2GeO20 // Автометрия. 1981. № 5. С.47−52.
  39. А.П., Надолинный В. А., Гусев В. А. Вакансионные центры в монокристаллах Bii2R02o (R=Si, Ti, Ge) // В кн.: Тез. докл. Междунар. конф. «Дефекты в диэлектрических кристаллах». Рига: Зинатне. 1981.
  40. Urbach F. The long-wavelength edge of photographic sensitivity and of the electronic absorption of solids// Phys. Rev. 1953. V.95. N5. P. 1324 1331.
  41. Антонов-Романовский B.B. Кинетика фотолюминесценции кристалло-фосфоров. М.: Наука, 1966.324 с.
  42. Wardzynski W., Lukasiewicz Т., Zmija J. Reversible Photochromic Effects in Doped Single Cristals of Bismuth Germanium (Bii2GeO20) and Bismuth Silicon Oxide (Bi12SiO20) // Opt. Comm. 1979. V.30. N 2. P.203−205.
  43. В.И., Красинькова M.B. Оптические свойства Bii2SiO20, легированного хромом// Письма в ЖТФ. 1983. Т.9. N 8. С. 467 471.
  44. Oberschmid R. Absorption center of Bii2GeO20 and Bii2SiO20 crystals// Phys. Stat. Sol. (a). 1985. V.89.N 1. P.263 270.
  45. С.И. Особенности фоторефрактивного эффекта в кристаллах с биполярной проводимостью// ЖТФ. 1982. Т.52. N 10. С.2114 2116.
  46. Lauer R.B. Thermally stimulated current and luminescence in Bii2Si02o and Bii2GeO20// J. Appl. Phys. 1971. V.42. N 5. P. 2147 -2149.
  47. Lauer R.B. Photoluminescence in Bii2SiO20 and Bi12Ge02o// Appl.Phys.Lett. 1970. V.17.N4. P.178 179.150
  48. Структурные исследования монокристаллов Ge- и Ti- силленитов/ С. Ф. Радаев, ЛА. Мурадян, В. И. Симонов и др. // Высокочистые вещества. 1990. № 2. С.158−164.
  49. В.А., Ридер Е. Э., Канепит В. Н. и др. Нейтроноструктурное исследование монокристалла титаната висмута // Кристаллография. 1989. Т.38. В.7. С.628−631.
  50. Ч. введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. 791 с.
  51. . Оптические процессы в полупроводниках.М. :Мир, 1973. 456 с.
  52. В.Е., Любченко А. В., Шейнкман М. К. Неравновесные процессы в фотопроводниках. Киев: Наукова думка, 1981. 264 с.
  53. Г. П., Бродовой В. А., Шепель Л. Г. О механизме температурного гашения люминесценсции и стимуляции фототока в компенсированном GaAs// ФТП. 1976. Т.10. В.10. С.1915 1919.
  54. О механизме рекомбинации носителей заряда в CdTe (Ge)/ П. Гешл, Ю. В. Воробьев, В. Н. Захарченко, А.Г.Ильюшенко// Укр. физ. журнал. 1983. Т.23. № 2. С.297 299.
  55. М.В., Бочкарева С. К. Механизм температурного гашения фотопроводимости в CdS с избытком Cd, легированном Си, Ag и Аи// Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1989. Т.25. № 5. С.717 721.
  56. Bube R.H. Infrared quenching and an unifred deciption of photoconductivity phenomene in cadmium sulfid and selenid// Phys. Rev. 1955. V.99. N4. P.1105 -1116.
  57. А. Основы теории фотопроводимости. M.: Мир, 1966. 192 с.
  58. Rose A. Recombination processes in insulators and semiconductors// Phys. Rev. 1955. V.97. N 2. P.322 328.
  59. T.B., Кудзин А. Ю., Трусева H.A. Термостимулированные токи в монокристаллах Bii2SiO20// ФТТ. 1980. Т.22. В.6. С. 1851 -1854.151
  60. O.A., Детиненко В. А., Соколов А. П. Фотохромный эффект и оптическая запись информации в силленитах германия, кремния и титана// Автометрия. 1983. № 5. С. 34 44.
  61. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963.496 с.
  62. И.С. Стационарные характеристики фототока легированных кристаллов типа силленита//ФТТ. 1985. Т.25. Вып.4. С.1062 1068.
  63. .С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. М.: Энергоатомиздат, 1989. 328 с.
  64. В.М., Умрихин В. В., Барбин С. И. и др. Применение магне-тронно-ионного распыления для получения пленок теллурида висмута// Тез. докл. 4-научн.-техн. конф.'Ъакуумные покрытия 87″. Рига: ЛатНИИТИ, 1987.4.2. С.3−5.
  65. В.М., Умрихин В. В., Барбин С. И. Получение тонкослойных защитных покрытий на меди методом магнетронно-ионного распыления// Тез. докл. 4-научн.-техн.конф. «Вакуумные покрытия 87». Рига: ЛатНИИТИ, 1987.4.2. С.6−7.
  66. В.М., Барбин С. И., Умрихин В. В. и др. Магнетронно-ионное распыление металлов и сплавов// Тез. и матер, докл. регион, научн.-техн. конф. «Материалы и упрочняющие технологии 89». Курск: КПИ, 1989. С.48−50.
  67. .С. Магнетронное распыление универсальный метод получения тонкопленочных структур// Электронная техника. Сер.6. 1983. Вып.6(179). С.65−73.
  68. В.М., Барбин С. И., Умрихин В. В., Репин В. Г. Способ изготовления плавких элементов. A.c. СССР N 1 201 911.
  69. Ю.П. Физика газового разряда. М.: Наука, 1987. 592 с.
  70. В.М., Олемской А. И., Умрихин В. В., Барбин С. И., Репин В. Г. Описание газового разряда как кинетического перехода// Известия ву152зов. Физика. 1986. N6. С.3−8.
  71. Albert P.A., Guarnieri C.R. Influence of biased magnetron deposition parameters on amorphous Gd-Co-Cu properties//!.Vac. Sei. Technol. 1977. V.14.N1.P. 138−140.
  72. Технология тонких пленок/ Под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга в 2-х т. М.: Советское радио, 1977.
  73. .С., Сырчин В. К. Магнетронные распылительные системы. М.: Радио и связь, 1982. 72 с.
  74. .Б., Орлов В. И. Нанесение металлов и их соединений методами магнетронного и диодного распыления// Обзоры по электронной технике.Сер.7. М.: ЦНИИ «Электроника», 1986. Вып. 15(1222). 42 с.
  75. В.В., Бурмистров В. Н. и др. Расчет распределения на плоской подложке толщины покрытия, наносимого магнетронным распылением цилиндрической мишени// В кн. Рост и структура нитевидных кристаллов. Воронеж: ВПИ, 1984. С. 72 76.
  76. И.С., Умрихин В. В., Барбин С. И., Репин В. Г. Планарный магне-тронный распылительный узел с радиально-сканирующей зоной распыления// Тез. научн.-техн.конф. «Вакуумная наука и техника 95». Гурзуф, 1995. С. 75.
  77. В.Г., Шуклин В. Д., Фатьянов В. М., Барбин С. И., Умрихин В. В. Источник питания для магнетронной распылительной системы// Прибо153ры и техника эксперимента. 1990. N 3. С. 230.
  78. .С., Сырчин В. К., Неволин В. К. Исследование разряда в маг-нетронных системах ионного распыления//Электронная техника. Сер.З. 1977. Вып. 3. С. 37 44.
  79. С.И., Ландышев A.B., Умрихин В. В. и др. Исследование процесса магнетронно-ионного распыления теллурида свинца// Тез. докл. Всес.совещ. «Пленочные термоэлектрические преобразователи и устройства на их основе». Москва, 1988. С. 25.
  80. В.А., Данилевич Н. И., Уксусов A.C., Минайчев В. Е. Современные магнетронные распылительные устройства// Зарубежная электронная техника. 1982. Вып. 10. С. З 62.
  81. В.В., Репин В. Г. и др. Универсальный тиристорный регулятор температуры// В кн.: Ультразвук и термодинамические свойства вещества. Курск: КГПИ, 1985. С.168 172.
  82. Справочник по преобразовательной технике// Под ред. И. М. Чиженко. Киев: Техника, 1978.447 с.
  83. Г. А., Умрихин В. В., Вервейко В. Н. и др. Об автоматизации измерителя теплоемкости ИТС-400 на базе микро-ЭВМ «Искра-1256»// В кн.: Ультразвук и термодинамические свойства вещества. Курск: КГПИ, 1986. С.163−166.
  84. В.В., Репин В. Г., Барбин С. И., Фатьянов В. М. Установка для автоматического измерения электросопротивления в интервале температур 20−1000 °СП Заводская лаборатория. 1984. Т.50. N8.- С.53−55.
  85. Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1975. 206 с.154
  86. Й. Шлифовка и полировка стекла. Л.: Стройиздат, 1967. 280 с.
  87. К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы. М.: Мир, 1986. 435 с.
  88. Vossen J.L. Transparent conducting elestrodes, in: Physics of Thin Films. New York: Academic Press, 1977.
  89. Buchanan M. Preparation of conducting and transparent thin films of tin-doped indium oxide by magnetron sputtering// Appl. Phys. Lett. 1980. V.37. P.213.
  90. Webb J.B., Williams D.F. Summary abstrakt: Abrupt transition from insulation to highly conducting layers of ZnO by reactive magnetron sputtering//J.Vac.Sci. andTechnol. 1982. V.20. N3. P.467.
  91. Williams D.F., Buchanan M. Transparent and low-resistance films of ZnO prepared by RF magnetron sputtering// Appl.Phys.Lett. 1981. V.39. N8. P.640- 642.
  92. Howson R.P. Properties of conducting transparent oxide films produced by ion plating onto room-temperature substrates// Appl.Phys.Lett. 1979. V.35. N2. P.161 -162.
  93. Manifacter J.C. In203 (Sn) and Sn02 (Sb) Films. Application to solar energy converion. Part 2. Electrical and optical properties// Mat.Res.Bull. 1979. V.14. P.163 175.
  94. Ю., Иотаутис А., Растянис В. Создание электропроводящих прозрачных слоев ионно-плазменным методом// В кн.: Физическая электроника. Вильнюс: 1980. С. 26 48.
  95. Shiller S., Heisig U., Steinfelder К., Strumfel J. Reactive DC high-rate sputtering with magnetron/plasmatron for industrial application// Vakuum -technik. 1981. V.30. N1. P.3−14.
  96. Shiller S., Beister G., W. Sieber W. Influence of deposition parameters on the optical and structural properties of titanium oxide films produced by reactive dc plasmatron sputtering// Thin Solid Films. 1981. V.86. P. l-7.155
  97. К.JI. Электрические явления в тонких пленках. М.: Мир, 1972. 435 с.
  98. Л.С., Фукс М. Я., Косевич В. М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М.: Наука, 1972. 320 с.
  99. В.М., Трусов Л. И., Холмянский В. А. Структурные превращения в тонких пленках. М.: Металлургия, 1982. 248 с.
  100. Р., Холл П, Гаррис М. Тонкопленочная технология. М.: Энергия, 1972. 336 с.
  101. Olson R. A parilen es electronikal alkalmazasai.// Finommechanika mikrotechnika, 1983. V.22. N 7. P.200 — 202.
  102. Oliver D.S., Vohl P., Aldrich R.E., Behrndt M.E., Buchan W.R., Ellis R.C., Genthe J.E., Goff J.R., Hou S.L., Mc Daniel G.//Image storage and optical readout in ZnS device// Appl. Phys. Lett. 1970. V.17. N 10. P.416 418.
  103. Tanguay A.R. Material requirement for optical processing and computing156devices// Opt.Eng.l985.V.24. N1. P.2 -18.
  104. Физика тонких пленок. T.8. M.: Мир, 1978. 359 с.
  105. Плазменная технология в производстве СБИС/Под ред. Н. Айнспрука, Д.Брауна. М.: Мир, 1987. 469 с.
  106. JI.A., Спектор А. А. Низкотемпературное нанесение пленок двуокиси кремния //Электронная промышленность. 1988. В.7. С.13−14.
  107. Steenbeek К. The abrasion of hot Silicon target by reactive sputtering in Ar -02 // Thin Solid Films. 1985. V.123. N 2. P.239 244.
  108. B.M., Фомин А. А. Осаждение пленок оксидов металлов магнетронным реактивным распылением// Электронная промышленность. 1991. В. 2. С. 24 -25.
  109. Brodcorb W., Salm J., Steinbeiss E. On problems of reaction kinetics in a magnetron sputtering system // Phys. State Solid. A. 1980. V. 57. N 1. P. K49 K53.
  110. Nowicki R.S. Properties of rf sputtered A1203 films deposited by planar magnetron // J.Vac.Sci.Technol. 1977. V. 14. N1. P.127 -133.
  111. B.H., Сальман Е. Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах. Новосибирск: Наука, 1979. 336 с.
  112. П.А., Евстронов В. В., Малкин А. С., Шерняков Ю. М. Криотер-мостат для оптических исследований в диапазоне температур 77- 400 К// ПТЭ. 1981. N 5. С.214−215.
  113. И.С., Кичуткин К. М., Скориков В. М., и др. Термостимулированные токи и термолюминесценция в легированных кристаллах типа силленита//Неорг. матер. 1985. Т.21. N 8. С.438−441.
  114. И.С., Скориков В. М., Петухов П. А. и др. Термостимулированные токи легированных кристаллов Bii2TiO20// ФТТ. 1985. Т.27. N 2. С.597−599.
  115. И.С., Акинфеев П. П., Петухов П. А., Скориков В. М. Определение некоторых электрофизических параметров кристаллов германата вис157мута// Известия вузов. Физика. 1978. N 3. С.121−124.
  116. Urbach F. Stimulationvon Halfttermspektren mit Hilfe von Glow-kurven// Phys.Stat.Solidi. 1962. V.2. N.10. P.1279 1298.
  117. Garlik G.F.J., Gibson A.F. The electron trap mechanism of luminescence in sulfide and silikate phospors// Proc. Phys. Soc. 1948. V.60A. Pt.6. N 342. P.574 590.
  118. Haering R.R., Adams E.N. Theoiy and application of thermally stimulated currents of photoconductors// Phus. Rev. 1960. V. 117. N 2. P.451−454.
  119. Pickard P. S., Davis M.V. Analysis of electron trapping in aluminia using thermally stimulated electrical currents// J.Appl. Phys. 1970. V.42. N 6. P.2636−2643.
  120. Halperin A., Braner A.A. Evaluation of thermal activation energies from glow curves//Phys. Rev. 1960. V.117. N 2. P.408−416.
  121. Abdel-Malik T.G., Abdeen A.M., Aly A.A. Thermally stimulated currents in metal free phtalocyanine single cristals// Phys. Stat. Solid. 1982. A. V.70. N 2. P.703−711.
  122. Lauer R.B. Electron effective mass and conduction band effective density of statesinBi12Si02o//J. Appl. Phys. 1978. V.45. N 4. P. 1794−1797.
  123. М.П., Степанов С. И., Хоменко A.B. Фоточувствительные электрооптические среды в голографии и оптической обработке информации. Л.: Наука. Ленинградское отделение, 1983. 270 с.
  124. И.С. Оптико-электронные процессы в фоточувствительных электрооптических кристаллах типа силленита и многослойных структурах.: Дис. доктора физ.-мат.наук: Томск, 1985. 422 с.
  125. И.С., Спирин Е. А., Умрихин В. В. Сенсибилизация фоторефрак-тивных регистрирующих сред для обработки оптической информации/Известия Курск, гос. техн. универс. 1997. N 1. С.115 125.
  126. И.С., Спирин Е. А., Умрихин В. В. О температурной зависимости фототока в кристаллах типа силленита// Тез. Второй Всерос.научн.-техн.конф. «Электроника и информатика-97». Зеленоград: МГИЭТ, 1997. С. 87.
  127. И.С., Петухов П. А., Скориков В. М. Импульсная фотопроводимость в кристаллах германата висмута// Известия вузов. Физика. 1978. N5. С.132 134.
  128. O.A. О типе основных носителей в кристаллах германата висму-та//Автометрия. 1980. N 1. С.106 108.
  129. В.И., Бобков В. В., Монастырный П. И. Вычислительные методы, том 1. М.: Наука, 1976. 304 с.
  130. Дж., Малькольм М., Моулер К. Машинные методы математический вычислений. М.: Мир. 1980. 279 с.
  131. Шуп Т. Решение инженерных задач на ЭВМ: Практическое руководство. М.: Мир, 1982. 238 с.
  132. Дж. Итерационные методы решения уравнений. М.: Мир, 1985. 264 с.
  133. И.С., Кистенева М. Г., Умрихин В. В. Термостимулированный ток и фототок в легированных кристаллах титаната висмута// В кн.: Ультразвук и термодинамические свойства вещества. Курск: КГПИ, 1993. С. 75 87.
  134. И.С., Кистенева М. Г., Спирин Е. А., Умрихин В. В. Фотоэлектрические свойства кристаллов силленита, легированных цинком// В кн.: Ультразвук и термодинамические свойства вещества. Курск: КГПИ, 1994. С. 90 99.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!