Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Генерирование мощных наносекундных импульсов на основе полупроводниковых прерывателей тока

Диссертация: Генерирование мощных наносекундных импульсов на основе полупроводниковых прерывателей тока
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Мощные наносекундные генераторы с полупроводниковым прерывателем тока применялись при проведении прикладных исследований в различных областях электрофизики: для генерирования сильноточных электронных пучков и импульсов рентгеновского излучения, исследования электрофизических свойств полупроводников и диэлектриков, накачки газовых лазеров, ионизации воздуха стримерным коронным разрядом для… Читать ещё >

Содержание

  • общая характеристика работы основное содержание работы введение
  • 1. физические основы работы мощных полупроводниковых прерывателей тока
    • 1. 1. Наносекундный обрыв тока в полупроводниках
    • 1. 2. Обнаружение и экспериментальное исследование БОЭ-эффекта
    • 1. 3. Динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковой структуре в режиме БОё-эффекта
  • 2. генераторы маркса с полупроводниковым прерывателем тока
    • 2. 1. Схемы накачки и выбор параметров прерывателя тока
    • 2. 2. Генераторы с промышленными полупроводниковыми диодами
  • 3. генераторы с твердотельной системой коммутации
    • 3. 1. Блок-схема генераторов
    • 3. 2. Звено магнитной компрессии энергии и его согласование с прерывателем тока
    • 3. 3. Установки с твердотельной системой коммутации
    • 3. 4. Сравнительный анализ предложенного подхода
  • 4. боэ-диоды: новые приборы для наносекундного обрыва тока в мощных импульсных системах
    • 4. 1. Разработка БОв-диодов
    • 4. 2. Характеристики ЗОЭ-диодов
  • 5. импульсные генераторы на основе 808-ди0д0в
    • 5. 1. Малогабаритные частотные генераторы
    • 5. 2. Генератор с напряжением 1 МВ и средней мощностью 30 кВт
    • 5. 3. Генератор с субнаносекундным временем обрыва тока в БОБ-диоде

Генерирование мощных наносекундных импульсов на основе полупроводниковых прерывателей тока (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Мощная наносекундная импульсная техника, получившая становление в 60-е годы, традиционно имеет два основных направления своего развития. Первое направление состоит в поиске путей увеличения импульсной мощности и создании установок с максимально возможными величинами импульсного тока и напряжения. Установки этого направления представляют собой уникальные сооружения с рекордно высокими параметрами по импульсной мощности и используются в различных исследовательских программах по инерциальному термоядерному синтезу, получению мощных импульсов лазерного, рентгеновского, нейтронного излучения и т. д. Такие требования к импульсным устройствам, как высокая средняя мощность, частота следования импульсов, срок службы, компактность здесь не являются определяющими.

Второе направление, получившее наиболее интенсивное развитие в последнее десятилетие, связано с технологическим применением мощных наносекундных импульсов. В первую очередь это относится к решению экологических задач по очистке выбросов электрических и тепловых станций, обработке отходов медицины и вредных производств, очистке питьевой воды, стерилизации продукции, а также к созданию новых радиационных технологий. Основой наносекундной импульсной техники в обоих направлениях является генератор мощных импульсов тока и напряжения, энергия которых используется либо непосредственно, либо переводится в энергию соответствующих видов излучения. Для технологических применений наиболее важными характеристиками генераторов становятся высокая частота повторения импульсов и средняя мощность, компактность, надежность в сочетании с ресурсом непрерывной работы в несколько лет. Требуемый для этих целей уровень средней мощности лежит в диапазоне 10 — 1000 кВт при относительно невысоких значениях импульсной мощности 108 — Ю10 Вт, а ресурс установок, предназначенных для промышленного применения, составляет 1010 — 1011 импульсов, что может быть достигнуто разработкой новых систем коммутации энергии с использованием только твердотельных элементов.

Основным процессом в области мощной наносекундной импульсной техники выступает процесс коммутации энергии, и именно успехи в исследовании и разработке новых принципов сильноточной наносекундной коммутации определяют развитие всей области. В связи с этим разработка импульсных наносекундных устройств на основе новых принципов коммутации энергии, позволяющих расширить диапазон частоты следования импульсов и средней мощности, а также увеличить ресурс и надежность работы, является актуальной научно-технической задачей.

Целями диссертационной работы являлись:

• исследование эффекта наносекундного обрыва сверхплотных токов в полупроводниковых диодах;

• разработка новых сильноточных наносекундных прерывателей тока для мощных импульсных генераторов частотного режима работы;

• разработка схемного подхода для построения мощных наносекундных генераторов с твердотельной системой коммутации энергии на основе полупроводниковых прерывателей тока;

• создание мощных компактных генераторов наносекундного диапазона с высокой частотой повторения импульсов для научных и практических целей.

Научная новизна.

Основные результаты работы относятся к категории полученных впервые. Наиболее важные из них:

1. Обнаружен и экспериментально исследован БОБ-эффект: наносекунд-ный обрыв сверхплотных токов в полупроводниках. Показано, что эффект наблюдается в р± р — п — п+ -структурах при времени накачки порядка Ю-8 — Ю-6 с и плотности обратного тока 1 — 60 кА/см2. Время обрыва тока при этих условиях лежит в диапазоне от единиц до десятков наносекунд.

2. Установлено, что качественное отличие ЗОБ-эффекта от других принципов коммутации тока в полупроводниковых приборах состоит в том, что развитие процесса обрыва тока происходит не в базе структуры, а в ее узких высоколегированных областях. При этом база структуры во время обрыва тока остается заполненной плотной избыточной плазмой.

3. Показано, что при ЗОБ-эффекте на стадии обрыва тока существует механизм автоматического равномерного распределения напряжения по последовательно соединенным полупроводниковым структурам. Впервые реализован наносекундный сильноточный генератор, полупроводниковый прерыватель которого состоит из 1200 штук последовательно соединенных структур и работает при напряжении 1 МВ.

4. Экспериментально обнаружен субнаносекундный обрыв тока в р± р — п — п+ -структуре. Показано, что при уменьшении времени обратной накачки с 30 до 10 не время обрыва тока уменьшается с 4 — 5 не до 500 пс.

5. Предложен и реализован способ увеличения импульсной мощности емкостных генераторов Маркса с помощью полупроводникового прерывателя тока на основе высоковольтных выпрямительных диодов. Впервые в полупроводниковом прерывателе тока достигнута разрывная мощность 5 ГВт, обрываемый ток 45 кА и скорость обрыва тока 1012 А/с.

6. Разработан новый схемный подход для построения мощных наносе-кундных генераторов с полностью твердотельной системой коммутации энергии, в котором функцию оконечного усилителя импульсной мощности выполняет полупроводниковый прерыватель тока.

7. Созданы высоковольтные полупроводниковые приборы нового классаSOS-диоды, представляющие собой твердотельные наносекундные прерыватели тока высокой плотности и имеющие рабочее напряжение в сотни кВ, обрываемый ток — единицы и десятки кА, время обрыва тока — единицы наносекунд и частоту следования импульсов килогерцового диапазона.

8. Разработан субнаносекундный SOS-диод с рекордным значением скорости обрыва плотности тока, составляющей 6−1012 А/см2 с. Впервые I полупроводниковым прерывателем тока сформированы импульсы с амплитудой 150 кВ, скоростью нарастания напряжения 1014 В/с, длительностью 2 не и частотой следования 5 кГц при обрыве тока величиной 1 кА за время 500 пс.

Положения, выносимые на защиту.

1. SOS-эффект — наносекундный обрыв сверхплотных токов в полупроводниках — наблюдается в р± р — п — п+ кремниевых структурах при времени накачки порядка Ю-8 — 10″ 6 с и плотности обратного тока 1 — 60 кА/см2 и представляет собой качественно новый принцип отключения ^ тока в полупроводниковых приборах с токовой инжекцией заряда.

2. На стадии обрыва тока SOS-эффект характеризуется автоматическим равномерным распределением напряжения по последовательно соединенным структурам, что дает возможность создавать прерыватели тока с напряжением мегавольтного уровня путем последовательного соединения структур без использования внешних делителей напряжения.

3. Применение высоковольтных выпрямительных диодов в качестве полупроводникового прерывателя тока позволяет увеличить импульсную мощность емкостных генераторов Маркса. Такой прерыватель тока характеризуется разрывной мощностью гигаваттного диапазона, обрываемым током в десятки кА, скоростью обрыва тока порядка 1012 А/с и рабочим напряжением в сотни кВ.

4. Для создания мощных наносекундных генераторов с полностью твердотельной системой коммутации энергии преимуществами обладает подход, в котором используется полупроводниковый прерыватель тока, выполняющий функцию оконечного усилителя мощности. Такой подход исключает необходимость применения звеньев магнитного сжатия энергии наносекундного диапазона времени, упрощает устройство и повышает его удельные характеристики.

5. Разработанные ЭОЭ-диоды, представляющие собой твердотельные на-носекундные прерыватели тока высокой плотности, имеют рабочее напряжение в сотни кВ, обрываемый ток — единицы и десятки кА, время обрыва тока — единицы наносекунд, частоту следования импульсов ки-логерцового диапазона, и для увеличения мощности допускают параллельно-последовательное соединение без применения выравнивающих элементов.

6. На базе БОБ-диодов возможна разработка наносекундных импульсных генераторов с твердотельной системой коммутации со следующим диапазоном выходных параметров: энергия импульса — 10~1 — 104 Джнапряжение — 104 — 106 Вток — 102 — 105 Адлительность импульса — 10″ 7 — 10″ 9 счастота следования импульсов — 10″ 1 — 104 Гцсредняя мощность — 101 — 105 Вт.

7. Уменьшение времени обратной накачки до 10 — 15 не при плотности обратного тока 103 — 104 А/см2 приводит к субнаносекундному обрыву тока в ЗОЭ-диоде. Время обрыва тока величиной 1 кА составляет 500 пс, а на БОЗ-диоде формируется импульс длительностью 2 не со скоростью нарастания напряжения 1014 В/с.

Практическая ценность работы определена созданием мощных наносекундных импульсных устройств нового класса на основе полупроводниковых прерывателей тока. Разработанные устройства имеют полностью твердотельную систему коммутации энергии, в связи с чем сочетают высокую частоту следования импульсов и среднюю мощность, компактность, надежность и имеют практически неограниченный срок службы. Именно эти качества позволяют устройствам данного класса получить широкое практическое применение в различных электрофизических промышленных технологиях.

Реализация результатов работы.

Мощные наносекундные генераторы с полупроводниковым прерывателем тока применялись при проведении прикладных исследований в различных областях электрофизики: для генерирования сильноточных электронных пучков и импульсов рентгеновского излучения, исследования электрофизических свойств полупроводников и диэлектриков, накачки газовых лазеров, ионизации воздуха стримерным коронным разрядом для удаления токсичных примесей, а также в качестве источников питания широкополосных электромагнитных излучателей. Ниже перечислены российские и зарубежные организации, использующие результаты диссертационной работы и эксплуатирующие коммерческие образцы разработанных устройств и приборов:

1. Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург.

2. Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск.

3. Всероссийский НИИ технической физики, Снежинск (Челябинск-70).

4. Компания British Aerospace Defence, Ltd., Бристоль, Великобритания.

5. Ливерморская национальная лаборатория, Ливермор, США.

6. Компания Vitronics, Inc., Итэнтаун, США.

7. Исследовательский центр Карлсруэ, Карлсруэ, Германия.

8. Техасский технический университет, Лаббок, США.

9. Военно-морская исследовательская лаборатория, Вашингтон, США.

10. Компания LG Industrial Systems, Ltd., Аниянг, Южная Корея.

11. Ядерный исследовательский центр SOREQ NRC, Йавне, Израиль.

12. Университет Кумамото, Кумамото, Япония.

Апробация работы и публикации.

Материалы работы докладывались на научных семинарах в Институте электрофизики УрО РАН, ЕкатеринбургИнституте сильноточной электроники СО РАН, ТомскИнституте общей физики РАН, Москвана семинарах зарубежных организаций: Ливерморской национальной лаборатории им. Ло-уренса, Ливермор, СШАфирмы Бритиш Аэроспэйс, Бристоль, ВеликобританияТехасского технического университета, Лаббок, СШАкомпании LG Индастриал Системз, Аниянг, Корея, а также на национальных и международных конференциях: VII, VIII, IX Симпозиумах по сильноточной электронике (Томск, 1988; Свердловск, 1990; Пермь-Москва, 1992) — Научно-технической конференции «Создание комплексов электротехнического оборудования сильноточной техники», Москва, 1989; IX, X, XI Международных конференциях по мощным пучкам частиц (США, 1992, 1994 и Чешская Республика, 1996) — Международной конференции общества SPIE (США, 1995) — IX, X, XI Международных конференциях по мощной импульсной технике (США, 1993, 1995, 1997).

Материалы диссертации опубликованы в 37 печатных работах. По материалам работы получено 5 авторских свидетельств на изобретения и 5 патентов.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ.

Диссертация состоит из введения, пяти частей и заключения. В первой части рассмотрены физические основы работы мощных полупроводниковых прерывателей тока. Приведены результаты исследований ЗОЭ-эффекта. Свойства вОБ-эффекта анализируются в сравнении с другими механизмами коммутации тока в полупроводниках. Во второй части рассмотрены вопросы обострения мощности емкостных генераторов с помощью индуктивного накопителя и полупроводникового прерывателя тока на основе промышленных выпрямительных диодов. Третья часть посвящена описанию схемных решений по построению сильноточных наносекундных устройств с полностью твердотельной системой коммутации, в которой полупроводниковый прерыватель тока выполняет функцию оконечного усилителя мощности. Предложенный подход анализируется в сравнении с известными схемными решениями на основе магнитных ключей. В четвертой части приведены результаты разработки ЗОЭ-диодов — новых высоковольтных приборов для наносекундного обрыва тока высокой плотности. Описаны характеристики ЗОЭ-диодов и даны рекомендации по их использованию в мощной импульсной технике. В пятой части дано описание частотных импульсных генераторов на основе ЗОЗ-диодов и приведены результаты экспериментов по субнаносекундному обрыву тока. В заключении приведены основные результаты, полученные в работе, и список литературы.

Основные результаты, полученные в работе, сводятся к следующему:

1. Обнаружен и исследован эффект наносекундного обрыва сверхплотных токов в полупроводниках, получивший название SOS-эффекта. Установлены области его существования и исследована физическая картина явления. Показано качественное отличие SOS-эффекта от других принципов коммутации тока в полупроводниковых приборах. Показано и экспериментально подтверждено, что SOS-эффект представляет собой основу для построения полупроводниковых прерывателей тока нового класса, сочетающих мегавольтный уровень рабочего напряжения и обрываемый ток в единицы и десятки кА при наносекундном времени его отключения.

2. Разработан новый схемный подход для построения мощных наносе-кундных генераторов с полностью твердотельной системой коммутации энергии, в котором функцию оконечного усилителя импульсной мощности выполняет полупроводниковый прерыватель тока. Такой подход исключает необходимость применения звеньев магнитного сжатия энергии наносекундного диапазона времени, что позволяет в несколько раз увеличить частоту следования импульсов и среднюю мощность наносекундных высоковольтных генераторов.

3. Для работы в условиях SOS-эффекта разработана новая полупроводниковая структура, на основе которой созданы высоковольтные полупроводниковые приборы нового класса — SOS-диоды, представляющие собой твердотельные наносекундные прерыватели тока высокой плотности и имеющие рабочее напряжение в сотни кВ, обрываемый ток — единицы и десятки кА, время обрыва тока — единицы наносекунд и частоту следования импульсов килогерцового диапазона.

4. На основе SOS-диодов разработаны наносекундные частотные генераторы высоковольтных импульсов с полностью твердотельной системой коммутации. Эксплуатация установок продемонстрировала высокую надежность как SOS-диодов, так и генераторов в целом. Полученные результаты являются основой для создания компактных наносекундных генераторов с выходным напряжением от 100 кВ до 1 MB, средней мощностью в единицы и десятки кВт и частотой следования импульсов от сотен Гц до единиц кГц.

5. Экспериментально обнаружен субнаносекундный обрыв тока в SOS-диодах. Показано, что при уменьшении времени обратной накачки с 30 до 10 не время обрыва тока уменьшается с 4 — 5 не до 500 пс. Такие коммутационные характеристики субнаносекундного SOS-диода, как амплитуда напряжения (150 кВ), отключаемый ток (1 кА), время отключения тока (500 пс), скорость отключения плотности тока (6-Ю12 А/см2с), скорость нарастания напряжения на нагрузке (1014 В/с), являются рекордными для полупроводниковых приборов и соответствуют аналогичным характеристикам газовых искровых разрядников высокого давления.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Г. А. Генерирование мощных наносекундных импульсов. М.: Советское радио. 1974. 256 С.
  2. .М., Кремнев В. В., Поталицын Ю. Ф. Сильноточные наносе-кундные коммутаторы. Новосибирск: Наука. 1979. 176 С.
  3. Guenther A., Kristiansen М., Martin Т. Opening switches. N.Y.: Plenum Press. 1987. 313 P.
  4. Mendel C.W., Goldstein S.A. A fast-opening switch for use in REB diode experiments // J. Appl. Phys. 1977. V. 48. N 3. P. 1004−1006.
  5. .М., Месяц Г. А. Генератор мощных наносекундных импульсов с вакуумной линией и плазменным прерывателем // Доклады Академии Наук. 1985. Т. 284. N 4. С. 857−859.
  6. Ю.А., Колганов Н. Г., Ковальчук Б. М. Быстродействующий размыкатель на основе электрически взрываемых проволочек // Приборы и техника эксперимента. 1974. N 6. С. 107−109.
  7. Schoenbach К.Н., Lakdawala V.K., Stoudt D.C. et al. Electron-beam-controlled high-power semiconductor switches // IEEE Trans. On Electron Devices. 1989. V. 36. N 9. P. 1793−1802.
  8. Stoudt D.C., Kenney J.S., Schoenbach K.H.1.ductive energy storage using a fast-opening bulk optically controlled semiconductor switch (BOSS) // Proc. 9th IEEE Int. Pulsed Power Conf. Albuquerque, NM, USA. 1993. V. 1. P. 123−126.
  9. C.A., Мокеев O.K., Носов Ю.Р.
  10. Полупроводниковые диоды с накоплением заряда и их применение. М.: Советское радио. 1966. 153 С.
  11. И.В., Ефанов В. М., Кардо-Сысоев А.Ф., Шендерей С. В. Формирование высоковольтных наносекундных перепадов напряжения на полупроводниковых диодах с дрейфовым механизмом восстановления напряжения // Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9. Вып. 7. С. 435−439.
  12. В.М., Грехов И. В. Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами. Л.: Наука. 1988. 117 С.
  13. Efanov V.M., Kardo-Sysoev A.F., Larionov М.А. et al. Powerful semiconductor 80 kV nanosecond pulser // Abstracts of 11th IEEE Int. Pulsed Power Conf. Baltimore, Maryland, USA. 1997. P. 273.
  14. Grekhov I.V. Mega and Gigawatts-ranges, repetitive mode semiconductor closing and opening switches // Abstracts of 11th IEEE Int. Pulsed Power Conf. Baltimore, Maryland, USA. 1997. P. 108.
  15. Benda H., Spenke E. Reverse recovery processes in silicon power rectifiers // Proc. IEEE. 1967. V. 55. N 8. P. 1331−1354.
  16. В.В., Дударь А. И., Исаков Е. А. и др. Система высоковольтной синхронизации наносекундного сильноточного ускорителя // VIII Всесоюзный симпозиум по сильноточной электронике. Тезисы докладов. Т. 3. С. 216 218. 1990. Свердловск.16. Кнопфель Г.
  17. Сверхсильные импульсные магнитные поля. М.: Мир. 1972. 391 С. 17. Кремнев В. В., Месяц Г. А.
  18. Методы умножения и трансформации импульсов в сильноточной электронике. Новосибирск: Наука. 1987. 226 С.
  19. С.Д. Трансформатор Тесла в сильноточных импульсно-перио-дических ускорителях. Томск: Препринт ИСЭ СО РАН N 47. 1988. 38 С.
  20. В.В., Луконин Е. И., Фурман Э. Г. Импульсная система заряда формирующих линий ускорителя с высокой частотой срабатывания // Приборы и техника эксперимента. 1987. N 6. С. 81−83.
  21. Л.А., Ватин И. М., Зайцев Э. Ф., Кандыкин В. М. Магнитные генераторы импульсов. М.: Советское радио. 1968. 476 С.
  22. А.Н. Магнитные генераторы мощных наносекундных импульсов (обзор) // Приборы и техника эксперимента. 1990. N 1. С. 23−36.
  23. B.C., Марин О. Ю., Шульженко Г. И. Формирование высоковольтных наносекундных импульсов на серийных диодах // Приборы и техника эксперимента. 1992. N 6. С. 120−124.
  24. Harjes Н.С., Penn K.J., Reed K.W. et al. Status of the repetitive high energy pulsed power project // Proc. of 8th IEEE Int. Pulsed Power Conf. San Diego, CA, USA. 1991. P. 543−548.
  25. Stone R., VanSant J., Bahowick S. et al. Core cooling studies at LLNL and Sandia // Int. Magnetic Pulse Compression Workshop. Granlibakken, CA, USA. February 12−14, 1990. V. 2. P. 104−113.
  26. С.С. Проектирование импульсных трансформаторов. Л.: Энергия. 1971. 148 С.
  27. Duane W.E., Ron D.W. Fast recovery epitaxial diodes (FRED'S) // IEEE Industry Applications Society Annual Meeting. 1988. Part 1. P. 2−7.
  28. B.A., Мешков O.M. Силовые супербыстродействующие эпи-таксиально-диффузионные диоды // Электротехника. 1996. N 12. С. 14−16.
  29. Assalit Н.В., Erikson L.O., Wu S.J. High power controlled soft recovery diode design and application // IEEE Industry Applications Society Annual Meeting. 1979. P. 1056−1061.
  30. Chu С.К., Johnson J.E., Spisak P.В., Kao Y.C. Design consideration on high power soft recovery rectifiers // IEEE Industry Applications Society Annual Meeting. 1980. P. 720−722.
  31. И.В., Гейфман Е. М., Костина Л. С. Исследование переходного процесса переключения силового диода с накоплением заряда // Журнал технической физики. 1983. Т. 53. Вып. 4. С. 726−729.
  32. С.А., Котов Ю. А., Месяц Г. А., Рукин С.Н. SOS-эффект: наносе-кундный обрыв сверхплотных токов в полупроводниках. //Доклады Академии Наук. 1994. Т. 334. N 3. С. 304 306.
  33. С.Н. Генератор высоковольтных импульсов. //Авт. свид. N 1 531 190. БИ. 1989. N 47.
  34. Ю.А., Рукин С. Н. Зарядные и пусковые схемы мегавольтных ГИН частотного режима работы. // VII Всесоюзный симпозиум по сильноточной электронике. Тезисы докладов. Т. 3. С. 102. 1988. Томск.
  35. С.Н. Трехэлектродный разрядник. //Авт. свид. N 1 640 766. БИ. 1991. N 13.
  36. Ю.Н., Рукин С. Н., Сурков Ю. С. Каскадный генератор импульсных напряжений. //Авт. свид. N 1 660 139. БИ. 1991. N 24.
  37. С.К., Рукин С. Н., Словиковский Б. Г. Частотный генератор Аркадьева-Маркса. // VIII Всесоюзный симпозиум по сильноточной электронике. Тезисы докладов. Т. 3. С. 32 34. 1990. Свердловск.
  38. С.Н., Словиковский Б. Г. Автоматический запуск импульсных разрядников. // VIII Всесоюзный симпозиум по сильноточной электронике. Тезисы докладов. Т. 3. С. 76 78. 1990. Свердловск.
  39. С.Н. Частотные ГИН с полупроводниковыми зарядными цепями. //Научно-техническая конференция «Создание комплексов электротехнического оборудования сильноточной техники». Тезисы докладов. Т. 2. С. 103. 1989. Москва.
  40. С.Н., Словиковский Б. Г. Генератор высоковольтных импульсов. //Авт. свид. N 1 734 196. БИ. 1992. N 18.
  41. С.К., Рукин С. Н., Словиковский Б. Г. Устройство для запуска импульсного разрядника. //Патент РФ N 1 769 352. БИ. 1992. N 38.
  42. С.Н. Импульсный разрядник. //Авт. свид. N 1 792 208. 1992.
  43. Kotov Yu.A., Rukin S.N. High repetition rate megavolt Marx generators. // In Proc.: IX Int. Conf. on High Power Particle Beams. Washington, DC, USA, 1992. V. 1. P. 670 -675.
  44. С.К., Рукин С. Н., Словиковский Б. Г. Генератор импульсов высокого напряжения. // Патент РФ N 2 012 129. БИ. 1994. N 8.
  45. С.К., Рукин С. Н., Тимошенков С. П. Исследование полупроводникового размыкателя тока в мощных импульсных генераторах с промежуточным индуктивным накопителем. // IX Симпозиум по сильноточной электронике. Тезисы докладов. С. 218 219. 1992. Россия.
  46. Ю.А., Рукин С. Н., Филатов А. Л. Сильноточный ускоритель электронов с полупроводниковым прерывателем тока. // IX Симпозиум по сильноточной электронике. Тезисы докладов. С. 220 221. 1992. Россия.
  47. С.К., Рукин С. Н., Словиковский Б. Г., Тимошенков С. П. Устройство запуска частотного разрядника. // IX Симпозиум по сильноточной электронике. Тезисы докладов. С. 289 290. 1992. Россия.
  48. А.И., Рукин С. Н., Словиковский Б. Г., Тимошенков С. П. Частотные искровые разрядники с продольной прокачкой газа. // IX Симпозиум по сильноточной электронике. Тезисы докладов. С. 293 294. 1992. Россия.
  49. Ю.А., Месяц Г. А., Рукин C.H., Филатов А. Л. Твердотельный прерыватель тока для генерирования мощных наносекундных импульсов. //Доклады Академии Наук. 1993. Т. 330. N 3. С. 315 317.
  50. А.И., Любутин С. К., Рукин С. Н., Словиковский Б. Г., Тимошенков С. П. Автоматический запуск частотных искровых разрядников. //Приборы и техника эксперимента. 1993. N 5. С. 106 108.
  51. С.Н. Параллельное включение разрядников в генераторе Аркадьева-Маркса. //Приборы и техника эксперимента. 1987. N 6. С. 100 104.
  52. С.К., Рукин С. Н., Тимошенков С. П. Генератор импульсов высокого напряжения. // Патент РФ N 2 063 103. БИ. 1996. N 18.
  53. Ю.А., Любутин С. К., Рукин С. Н., Филатов А. Л. Сильноточный импульсный ускоритель. // Патент РФ N 2 059 345. БИ. 1996. N 12.
  54. А.И., Рукин С. Н., Словиковский Б. Г., Тимошенков С. П. Мега-вольтный генератор Маркса с частотой следования импульсов 200 Гц. //Приборы и техника эксперимента. 1995. N 2. С. 107 116.
  55. Mesyats G.A., Rukin S.N., Lyubutin S.K., Darznek S.A., Litvinov Ye: A., Tel-nov V.A., Tsiranov S.N., Turov A.M. Semiconductor opening switch research at IEP. // In Proc.: X Int. IEEE Pulsed Power Conference. Albuquerque, NM, USA, 1995. V. 1. P. 298 305.
  56. Rukin S.N., Lyubutin S.K., Kostirev V.V., Telnov V.A. Repetitive 200 kV nanosecond all-solid-state pulser with a semiconductor opening switch. // In Proc.: X Int. IEEE Pulsed Power Conference. Albuquerque, NM, USA, 1995. V. 2. P. 1211 1214.
  57. Lyubutin S.K., Mesyats G.A., Rukin S.N., Slovikovskii B.G., Turov A.M. New solid-state opening switches for repetitive pulsed power technology. // In Proc.: XI Int. Conf. on High Power Particle Beams., Prague, Czech Republic, 1996. V. 1. P. 135 138.
  58. Darznek S.A., Mesyats G.A., Rukin S.N., Tsiranov S.N. Theoretical model of the SOS effect. // In Proc.: XI Int. Conf. on High Power Particle Beams., Prague, Czech Republic, 1996. V. 2. P. 1241 1244.
  59. C.H. Устройство магнитного сжатия импульса. // Патент РФ N 2 089 042. БИ. 1997. N 24.
  60. Lyubutin S.K., Mesyats G.A., Rukin S.N., Slovikovskii B.G. Repetitive nanosecond all-solid-state pulsers based on SOS diodes. // Abstracts of 11th IEEE Int. Pulsed Power Conf. Baltimore, Maryland, USA. 1997. P. 277.
  61. Lyubutin S.K., Mesyats G.A., Rukin S.N., Slovikovskii B.G. Subnanosecond high-density current interruption in SOS diodes. // Abstracts of 11th IEEE Int. Pulsed Power Conf. Baltimore, Maryland, USA. 1997. P. 162.
  62. C.A., Месяц Г. А., Рукин C.H. Динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых прерывателях сверхплотных токов. //Журнал технической физики. 1997. Т. 67. Вып. 10. С. 64−70.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!