Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Электродные и электрорезистивные свойства халькогенидных стеклообразных сплавов систем As-Ge-Te, Tl-Ge-Te, Cu-As-Te, Cu-As-Se в условиях их коррозии

Диссертация: Электродные и электрорезистивные свойства халькогенидных стеклообразных сплавов систем As-Ge-Te, Tl-Ge-Te, Cu-As-Te, Cu-As-Se в условиях их коррозии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Разработка новых перспективных чувствительных сенсоров возможна лишь на основе систематического изучения свойств и строения разнообразных мембранных материалов в сочетании с их аналитическими характеристиками. Исследование стеклообразных материалов включает следующие направления: фундаментальное изучение объемных и поверхностных твердотельных характеристик, исследование электрохимических свойств… Читать ещё >

Содержание

  • 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Сравнение характеристик стеклообразного и кристаллического состояний вещества
    • 1. 2. Области стеклообразования и диаграммы состояния металлсодержащих теллуридных и селенидных систем
      • 1. 2. 1. Система мышьяк — германий — теллур
      • 1. 2. 2. Система таллий — германий — теллур
      • 1. 2. 3. Система медь — мышьяк — теллур
      • 1. 2. 4. Система медь — мышьяк — селен
    • 1. 3. Ионоселективные электроды на основе кристаллических и стеклообразных халькогенидов
    • 1. 4. Металлические и стеклянные редокс-электроды
    • 1. 5. Электропроводность и электрическое сопротивление стеклообразных полупроводников
    • 1. 6. Химическая стойкость халькогенидных стеклообразных материалов
      • 1. 6. 1. Особенности химического растворения халькогенидных стекол
      • 1. 6. 2. Электрохимическое растворение теллуридных и селенидных стеклообразных сплавов
    • 1. 7. Краткие
  • выводы по обзору литературы и постановка задачи исследования
  • 2. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
    • 2. 1. Объекты исследования
    • 2. 2. Методика исследования электродного поведения халькогенидных электродов с твердофазными мембранами в растворах редокс-систем [Fe (CN)6]3V[Fe (CN)6]4-, С6Н402 /С6Н4(ОН)2, Fe3+/Fe2+, Cr2072'/Cr3+
    • 2. 3. Методика исследования электродных функций халькогенидных электродов с твердофазными мембранами в растворах, содержащих катионы-окислители Си и Fe
    • 2. 4. Методика измерения электрического сопротивления стеклообразных халькогенидных полупроводников

    3. ЭЛЕКТРОДНОЕ ПОВЕДЕНИЕ МЕТАЛЛСОДЕРЖАЩИХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ СПЛАВОВ И ИСХОДНЫХ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ В УСЛОВИЯХ ИХ КОРРОЗИИ В РАСТВОРАХ РЕДОКС-СИСТЕМ [Fe (CN)6]37[Fe (CN)6]4 С6Н402 /С6Н4(ОН)2, Fe3+/Fe2+,

    Cr2072'/Cr3+.

    3.1. Электродные потенциалы кристаллических Си, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Те, PbS, FeS2, CuFeS2 и стеклообразных сплавов систем As-Ge-Te, Tl-Ge-Te, Cu-As-Te, Cu-As-Se в растворах редокс-системы [Fe (CN)6]3″ /[Fe (CN)6]4-.

    3.2. Электродные потенциалы кристаллических Си, Ge, As, Те, PbS, FeS2, CuFeS2 и стеклообразных сплавов систем As-Ge-Te, Tl-Ge-Te, Cu-As-Te, Cu-As-Se в растворах редокс-системы С6Н402 /С6Н4(ОН)2.

    3.3. Электродные потенциалы кристаллических Си, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Те, PbS, FeS2, CuFeS2 и стеклообразных сплавов систем As-Ge-Te,

    Tl-Ge-Te, Cu-As-Te, Cu-As-Se в растворах редокс-системы Fe /Fe

    3.4. Электродные потенциалы кристаллических Си, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Те, PbS, FeS2, CuFeS2 и стеклообразных сплавов систем As-Ge-Te, Tl-Ge-Te, Cu-As-Te, Cu-As-Se в растворах редокс-системы Cr2072VCr3+.

    4. ЭЛЕКТРОДНЫЕ СВОЙСТВА МЕТАЛЛСОДЕРЖАЩИХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ СПЛАВОВ В УСЛОВИЯХ ИХ КОРРОЗИИ В ВОДНЫХ РАСТВОРАХ КАТИОНОВ-ОКИСЛИТЕЛЕЙ

    4.1. Электродные функции стеклообразных сплавов систем As-Ge-Te, Tl-Ge-Te, Cu-As-Te и Cu-As-Se в растворах, содержащих катионы Си2+.

    4.2. Электродные функции стеклообразных сплавов систем As-Ge-Te, Tl-Ge-Te, Cu-As-Te и Cu-As-Se в растворах, содержащих катионы Fe3+

    4.3. Механизм формирования Си2+ и Ре3±электродных функций и химическая устойчивость стеклообразных халькогенидных мембран систем As-Ge-Te, Tl-Ge-Te, Cu-As-Te и Cu-As-Se

    5. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ В ВОДНЫХ РАСТВОРАХ, СОДЕРЖАЩИХ КАТИОНЫ-ОКИСЛИТЕЛИ

    5.1. Ионорезистивные характеристики стекол и стеклокристаллов системы Cu-As-Se. Ill

    5.2. Ионорезистивные характеристики стекол теллуридных систем Tl-Ge-Te, Cu-Ge-Te и Cu-As-Te.

    5.3. Взаимосвязь ионорезистивных и электродных характеристик халькогенидных стекол.

Электродные и электрорезистивные свойства халькогенидных стеклообразных сплавов систем As-Ge-Te, Tl-Ge-Te, Cu-As-Te, Cu-As-Se в условиях их коррозии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность проблемы. Последние два десятилетия характеризуются интенсивным развитием в области исследования, создания и применения твердотельных электрохимических сенсоров, что связано как с применением новых чувствительных материалов для традиционных сенсоров, так и с созданием сенсоров на основе микроэлектронной технологии. Среди твердотельных сенсоров особый интерес представляют мембраны на основе халькогенидных кристаллических и стеклообразных сплавов полупроводниковой проводимости. Перспективность халькогенидных стекол для создания мембран электродов связана с особенностями строения и физико-химических, включая электрические, свойств этих материалов.

Разработка новых перспективных чувствительных сенсоров возможна лишь на основе систематического изучения свойств и строения разнообразных мембранных материалов в сочетании с их аналитическими характеристиками. Исследование стеклообразных материалов включает следующие направления: фундаментальное изучение объемных и поверхностных твердотельных характеристик, исследование электрохимических свойств стекол в растворах, а также механизма ионной и электронной чувствительности на фазовой границе твердое тело/раствор, применение разработанных сенсоров для различных целей: в экологическом мониторинге, лабораторном анализе, промышленном контроле, в частности, в гальванических цехах и т. д.

Однако в настоящее время электрохимическое и коррозионное поведение сенсоров на основе стеклообразных халькогенидных сплавов, а также механизм их функционирования все еще полностью не изучены, поэтому актуальным является получение сведений о механизме взаимодиффузии и коррозии сетки стекла, приводящих к изменению состава поверхностных слоев стекла.

В связи с этим в данной работе для исследования электродного поведения халькогенидных стеклообразных сплавов использована редоксметрия, поскольку реальные растворы обладают некоторым окислительно-восстановительным потенциалом, что может привести к возникновению коррозии электродов в процессе их эксплуатации. Систематического исследования в данном направлении не проводилось.

Цели и задачи исследования. Целью настоящей работы является комплексное исследование влияния процесса коррозионного модифицирования высокопроводящих халькогенидных стеклообразных сплавов на их электродные и резистивные технологические характеристики в агрессивных средах.

В соответствии с поставленной целью были определены главные задачи:

1. Выявление возможности протекания процесса коррозии в момент модификации поверхности электрода при его контакте со средой на основании анализа электрохимического поведения халькогенидных стекол и стеклокристаллов систем As-Ge-Te, Tl-Ge-Te, Cu-As-Te и Cu-As-Se в растворах, содержащих катионы-окислители, и в растворах различных редокс-систем.

2. Установление закономерностей электродного поведения халькогенидных металлсодержащих стеклообразных сплавов в условиях их коррозии при взаимодействии с растворами окислительно-восстановительных систем [Fe (CN)6]37[Fe (CN)6]4-, С6Н402/С6Н4(0Н)2, Fe3+/Fe2+, Cr20727Cr3+ в широком диапазоне редокс-потенциалов.

3. Исследование электродных и резистивных функций теллуридных и селенидных стеклообразных сплавов и процессов, связанных с коррозией этих материалов при взаимодействии образцов с растворами катионов-окислителей.

4. Нахождение взаимосвязи между электродными и резистивными характеристиками халькогенидных полупроводниковых стеклообразных сплавов.

Объекты и методы исследования. В работе были использованы образцы стеклообразных и стеклокристаллических сплавов следующих систем: As-Ge-Te, Tl-Ge-Te, Cu-As-Te и Cu-As-Se. В качестве модельной была избрана теллуридная система As-Ge-Te, как наиболее изученная и хорошо отражающая свойства стекол трехкомпонентных систем, образованных с участием теллура. Металлы взаимодействуют с компонентами халькогенидных стекол и в виде соответствующих структурных единиц входят в ковалентноувязанную сетку стекла. Вследствие этого замена одного из компонентов в системе As-Ge-Te другим элементом должна приводить к изменению электрохимических характеристик стекла. Определенное сходство в положении областей стеклообразования наблюдается в системах Cu-As-Te и Cu-As-Se, поэтому также была исследована селенидная система Cu-As-Se.

В качестве экспериментальных методов использовались потенциометрия редоксметрия, ионометрия) и резистометрия.

Научная новизна. Главные элементы новизны диссертации:

1. Впервые предложено использовать потенциометрию стеклообразных материалов полупроводниковой проводимости в растворах редокс-систем для оценки их коррозионной стойкости и других особенностей.

2. Впервые с помощью предложенного метода редоксметрии систематически исследованы электродные функции мембран на основе халькогенидных стеклообразных и стеклокристаллических образцов на примере систем As-Ge-Te, Tl-Ge-Te, Cu-As-Te и Cu-As-Se, а также исходных компонентов полупроводниковой чистоты в растворах редокс-систем различной природы: органической и неорганической, охватывающих широкий диапазон потенциалов.

3. Впервые продемонстрирована зависимость сопротивления халькогенидных стеклообразных и стеклокристаллических образцов, погруженных в раствор электролита, от концентрации катионов-окислителей.

Практическая значимость работы:

1. Использованные в работе методы исследования (потенциометрия и резистометрия) позволяют оценить коррозионную стойкость стеклообразных сплавов, а также установить механизмы процессов их взаимодействия с агрессивными средами.

2. Полученные в работе результаты и изложенные в ней подходы могут быть использованы для рационального подбора материалов, используемых в качестве мембран ионоселективных электродов, необходимых для разработки технологических электрохимических процессов.

3. Обнаруженный резистивный эффект может быть использован как для фундаментальных, так и для практических целей, например, при формировании датчиков для химического анализа, в гальванических производствах и т. д.

Положения диссертационной работы, выносимые на защиту:

1. При взаимодействии стеклообразных и стеклокристаллических материалов систем As-Ge-Te, Tl-Ge-Te, Tl-Ge-Te, Cu-As-Te, Cu-As-Se и исходных компонентов As, Те, Ge, Си с растворами редокс-систем [Fe (CN)6]37[Fe (CN)6]4-, С6Н402/СбН4(0Н)2, Fe3+/Fe2+, Cr20727Cr3+ происходит модификация поверхности электродов, связанная с протеканием процесса окисления или восстановления в поверхностном слое.

2. Найденные закономерности электрохимического поведения халькогенидных стеклообразных материалов систем As-Ge-Te, Tl-Ge-Te, Cu-As-Te и Cu-As-Se в

Л I ^ I растворах катионов-окислителей Си и Fe, а также в растворах редокс-систем: [Fe (CN)6]37[Fe (CN)6]4', С6Н402/С6Н4(0Н)2, Fe3+/Fe2+, Cr20727Cr3+ могут быть использованы для оценки их коррозионных характеристик.

3. Обосновано влияние механизма потенциалообразования на границе халькогенидное стекло — раствор на химическую стойкость образцов. По характеру отклонения электродного поведения полупроводниковых стекол и стеклокристаллов в растворах редокс-систем от редокс-потенциала среды можно оценить степень и механизм их коррозионной стойкости.

4. Электрическое сопротивление халькогенидных полупроводниковых стеклообразных образцов подчиняется логарифмической зависимости от активной концентрации катионов меди Си2+ в водных растворах, в которые погружаются халькогенидные резисты.

Апробация результатов работы. Основные положения и результаты работы были доложены и обсуждены на постоянных научных семинарах Калининградского государственного университета (Калининград, 2002), на XIII Международном симпозиуме по неорганическим стеклам ISNOG (Пардубице, Чехия, 2002), на Международной научной конференции, посвященной 90-летию высшего рыбохозяйственного образования в России «Инновации в науке и образовании — 2003» (Калининград, 2003), на V Всероссийской конференции по анализу объектов окружающей среды «Экоаналитика-2003» с международным участием (Санкт-Петербург, 2003), на конференции по некристаллическим неорганическим материалам «CONCIM 2003» (Бонн, Германия, 2003), на Международной научной конференции, посвященной 100-летию КГТУ «Инновации в науке и образовании -2004» (Калининград, 2004), на конференции, посвященной памяти Норберта Крайдла NKMC-2004 (Тренчин, Словакия, 2004), на III-V Международных конференциях молодых учёных и студентов «Актуальные проблемы современной науки» (Самара, 2002;2004), на 1-ом Международном форуме «Актуальные проблемы современной науки» (Самара, 2005).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 15 печатных работ.

1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

1. Впервые систематически изучены электродные функции и электрическое сопротивление металлсодержащих полупроводниковых стекол в условиях их коррозии в агрессивных средах в широком диапазоне величин редокс-потенциала. Установлено влияние коррозионных процессов на электродные и резистивные характеристики халькогенидных стекол и стеклокристаллов.

2. Впервые исследованы электродные функции стекол систем Ge-As-Te, Tl-Ge-Te, Cu-As-Te, а также стекол и стеклокристаллов системы Cu-As-Se в растворах редокс-систем [Fe (CN)6]37[Fe (CN)6]4-, СбНА/С^ОНЬ, Fe3+/Fe2+, Cr2072VCr3+ в широком диапазоне редокс-потенциалов. Установлено, что отклонение электродных потенциалов изученных халькогенидных сплавов от потенциалов агрессивной окислительно-восстановительной среды связано с коррозионным селективным окислительно-восстановительным процессом, преимущественно с взаимодействием поверхности халькогенидов с окисленной формой редокс-системы.

3. Показано, что по характеру отклонения электродного потенциала стекол и стеклокристаллов в растворах редокс-систем в широком диапазоне потенциалов от редокс-потенциала среды можно оценить степень и механизм их коррозионной стойкости.

4. Проведено систематическое потенциометрическое изучение электродного поведения стекол систем Ge-As-Te, Tl-Ge-Te, Cu-As-Te, а также стекол и стеклокристаллов системы Cu-As-Se в растворах солей катионов-окислителей Си2+ и Fe3+. Установлено, что ионометрические характеристики халькогенидных стеклообразных сплавов по отношению к указанным катионам обусловлены главным образом окислительно-восстановительным механизмом потенциалообразования после окислительной модификации мембран на основе стеклообразных сплавов, обусловленной коррозионными процессами.

5. Впервые установлен резистивный эффект в халькогенидных стеклах и стеклокристаллах, заключающийся в логарифмической зависимости электрического сопротивления полупроводниковых сплавов от активной концентрации катиона-окислителя в водных растворах, в которые погружаются халькогенидные резисты. Механизм установленного эффекта связан с коррозионной модификацией поверхности халькогенидного полупроводника. Резистивный эффект изучен на примере систем Cu-As-Se, Cu-As-Te, Cu-Ge-Te, Tl-Ge-Te в растворах, содержащих л I катионы Си. Эффект наиболее четко проявляется у сплавов селенидной системы Cu-As-Se, которые наименее подвержены коррозии и у которых устанавливаются стационарные равновесия между частицами раствора и поверхностью халькогенида.

6. Впервые установлена взаимосвязь между электродными и резистивными функциями халькогенидных стекол, помещенных в растворы катионов-окислителей, связанная с одинаковой коррозионной природой модификации поверхности мембран электродов и резистов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Большая советская энциклопедия / Гл. ред. A.M. Прохоров. т. 24. — М.:
  2. Советская энциклопедия, 1976. 608 с.
  3. Химия. Большой энциклопедический словарь / Гл. ред. И. Л. Кнунянц. М.:
  4. Большая Российская энциклопедия, 2000. 792 с.
  5. Химическая энциклопедия: В 5-ти т. / Гл. ред. Н. С. Зефиров. т. 4. — М.: Большая
  6. Российская энциклопедия, 1995. 639 с.
  7. Толковый словарь по химии и химической технологии. Основные термины / Подред. Ю. А. Лебедева. М.: Русский язык, 1987. — 528 с.
  8. Аморфные полупроводники II Под ред. Бродски М.- Пер. с англ. под ред. А.А.
  9. , В. А. Алексеева. М.: Мир, 1982. — 419 с.
  10. А. Химия твердого тела. Теория и приложения / Пер. с англ. P.P. Кауля, И.Б.
  11. Куценка- Под ред. Ю. Д. Третьякова. В 2х ч. — Ч. 1. — М.: Мир, 1988. — 336 с.
  12. А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела / Пер. с нем.
  13. Г. З. Виноградовой, А. В. Колобова, И.Б. Куценка- Под ред. И. В. Танананева, С. А. Дембовского. М.: Мир, 1986. — 558 с.
  14. О.В. Отжиг спаев стекла с металлом. Л.: Энергия, Ленингр. отд-е, 1980.-140 с.
  15. М.М. Стекло: структура, свойства, применение // Соросовскийобразовательный журнал. 1996. -№ 3. — С. 49−55. Ю. Захаров В. П., Герасименко B.C. Структурные особенности полупроводников в аморфном состоянии. — Киев: Наук, думка, 1976. — 280 с.
  16. Металлические стекла: ионная структура, электронный перенос и кристаллизация
  17. Под ред. Г.-Й. Гюнтеродта, Г. Бека.- Пер. с англ. под ред. В. А. Алексеева, Е. Г. Максимова. М.: Мир, 1983. — 376 с.
  18. С.А., Чечеткина Е. А. Стеклообразование. М.: Наука, 1990. — 279 с.
  19. М.А. Синтез и строение силикатных стекол. Минск: Наука и техника, 1968.-450 с.
  20. Проблемы научной терминологии по стеклу // ФХС. 1991. — Т. 17. — № 3. — С. 509−511.
  21. С.В. К определению понятия «стеклообразное состояние» // ФХС. 1991.-Т. 17.-№ 3.-С. 511−514.
  22. Мазурин О.В. В защиту традиционного подхода к определению термина «стекло»
  23. ФХС.-1992.-Т. 18. -№ 3. С. 514−517. М. Минаев B.C. К определению некристаллического вещества и его разновидностей" // ФХС. — 1991. — Т. 17. -№ 1.-С. 175−179.
  24. М.Д. Развитие концепции P.JI. Мюллера о стеклообразующей способности расплавов" // ФХС. 1992. — Т. 18. -№ 3. — С. 1−22.
  25. М.И. Стекло и стеклообразное состояние // ФХС. 1991. — Т. 17. -№ 4. -С. 680−681.
  26. М.Д. Об основах определения термина «стекло» // ФХС. 1992. — Т.18.-№ 6.-С. 152−159.
  27. Определение понятия «стеклообразное состояние» II ФХС. 1994. — Т. 20. — № 5.-С. 658−680.
  28. В. А. Шудегов В.Е. Принципы организации аморфных структур. СПб.: Изд-во С-Петербургского Университета, 1999.-228 с.
  29. АппенА.А. Химия стекла. JL: Химия, 1970.-352 с.
  30. М.М., Мазурин О. В. Современные представления о строении стекол и их свойствах. -Л.: Наука, 1988. 198 с.
  31. Г. А. Стеклообразные полупроводники. Обзоры по электронной технике. Серия: полупроводниковые приборы. Вып. 1. — М.: Институт «Электроника», 1971.-40 с.
  32. Р.Л. Структура стеклообразных тел // Элекропроводность стеклообразных веществ. -JI.: Ид-во Ленингр. ун-та, 1968. С. 212−235.
  33. В. С. Стеклообразные полупроводниковые сплавы. М.: Металлургия 1991.-407 с.2Ъ.Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах / Пер. с англ. под ред. Б. Т. Коломиеца М.: Мир, 1982. — Т. 1. — 368 с.
  34. З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. Л.: Изд-во ЛГУ, 1983.-344 с.
  35. Борисова З. У Химия стеклообразных полупроводников. Л.: Изд-во ЛГУ, 1972. -246 с.
  36. Hilton A.R., Jones С.Е., Brau М. Non-oxide IVA VA — VIA chalcogenide glasses //
  37. Phys. Chem. Glass. 1966. — V. 7. — № 4. — P. 105−126.
  38. B.P. Стеклообразные сплавы с большим содержанием теллура в системе As-Ge-Te // Вестник ЛГУ. ~ 1969. № 4. — № 22. — С. 135−139.
  39. В.Р., Борисова З. У. Стеклообразование в системе мышьяк германий -теллур // ЖПХ. — 1966. — Т. 39. — № 5. — С. 987−991.
  40. Savage J., Nielsen S. Chalcogenide glasses transmitting in the infrared between 1 and 20 ц a state of the art review // Infrared Phys. — 1965. — Vol. 5. — № 4. — P. 195−204.
  41. М.Д., Тверьянович A.C., Ядрышникова B.H. Стеклообразование и критические скорости охлаждения в системе As-Ge-Te // ФХС. 1988. — Т. 14. -№ 3.-С. 377−380.
  42. Н.Х., Кожарина Т. П., Орлова Г. М., Паннус В. Р. Исследование диаграммы состояния системы GeTe As2Te3 // Вестик ЛГУ. — 1977. — № 4. -С.146−149.
  43. Г. М., Образцов А. А. О характере взаимодействия компонентов вхалькогенидных стеклах по данным исследования их кристаллизации // Структура и свойства некристаллических полупроводников / Под ред. Б. Т. Коломиеца. Л.: Наука, 1976. — С. 62−66.
  44. Г. З. Стеклообразование и фазовые равновесия в халькогенидных системах. Двойные и тройные системы. М.: Наука, 1984. — 176 с.
  45. М.Борисова З. У., Панус В. Р., Викторовский КВ., Орлова Г. М. Стеклообразование в системе As-Te-Tl // ФХС. 1976. — Т. 2. — № 1. — С. 47−50.
  46. АЪ.Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов: Пер. с англ. П. К. Новикова, М. Б. Гутермана, Л. Б. Вульф, Г. В. Инденбаум- Под ред. И. И. Новикова,
  47. И.Л. Рогельберга. М.: Металлургиздат, 1962. — Т. 1. — 608 с.
  48. АА.Насиров Я. Н., Заргарова М. И., Акперов М. М. Диаграмма состояния системы GeTe-TlTe // Неорганические материалы. 1969. — Т. V. — № 9. — С. 1657−1658.
  49. Н.А., Бабанлы М. Б. Фазовые равновесия и термодинамические свойства системы Tl2Te-GeTe-Te // ЖНХ. -1982. Т. 27. — № 6. — С. 1531−1537.
  50. B.C. Новые стекла и некоторые особенности стеклообразования в тройных теллуридных системах // ФХС. 1983. — Т. 9. — № 4. — С. 432−436.
  51. В.А., Блинов Л. Н., Фунтиков В. А., Минаев B.C., Байдаков JI.A. Магнитная восприимчивость полупроводниковых стекол на основе таллия, германия и теллура // ФХС. 1983. — Т. 9. — № 3. — С. 314−316.
  52. Н.Х., Банкина В. Ф., Порецкая J1.B., Скуднова Е. В., Чижевская С. Н. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.: Наука, 1975. -220 с.
  53. Blachnik R., Gather В. Der Schnitt Cu2Te As2Te3 // Z. Naturforsch. — 1971. — Bd. 26.-№ 10.-S. 1073−1074.
  54. З.У., Бычков E.A., Тверьянович Ю. С. Взаимодействие металлов с халькогенидными стеклами. JL: Изд-во ЛГУ, 1991. — 252 с.
  55. В.В., Дембовский С. А., Никитина В. К. Химическое взаимодействие истеклообразование в халькогенидных системах // Структура и свойства некристаллических полупроводников / Под ред. Б. Т. Коломиеца. Л.: Наука, 1976. — С. 44−47.
  56. И.А., Борисова З. У. О взаимодействии стеклообразного триселенида мышьяка с медью и серебром // ФХС. 1984. — Т. 10. -№ 1. — С. 80−83.
  57. Г. М., Алимбарашвили Н. А., Кожина И. И., Дорогокупцева А. П. О характере структурно-химического взаимодействия компонентов в стеклообразной системе As-Se-Cu // ЖПХ. 1972. — № 11. — С. 2385−2389.
  58. U.K., Николаева Е. Р. Основы электрохимических методов анализа. М.: Изд-во МГУ, 1986.- 196 с.
  59. Практическое руководство по физико-химическим методам анализа / Под ред.
  60. И.П. Алимарина, В. М. Иванова. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1987. — 208 с.
  61. Ионоселективные электроды / Под ред. Р.Дарста. М.: Издательство «Мир», 1972.- 430 с.
  62. Дж. Электрохимические методы анализа / Пер. с англ. Б. Г. Кахана, под ред. С. Г. Майрановского. М.: Мир, 1985. — 496 с.
  63. Методы измерения в электрохимии / Под ред. Э. Егер, А. Зилкинд- Пер. с англ.
  64. B.C. Маркинса, В. Ф. Пастушенко, под ред. Ю. А. Чизмаджаева. М.: Мир, 1977. -Т. 1.-588 с.
  65. JI.C. Электрохимические методы анализа. Л.: Изд-во Ленингр. ун-та, 1970.-200 с.
  66. Ионометрия в неорганическом анализе / Л. А. Демина, Н. Б. Краснова,
  67. Б.С. Юрищева, М. С. Чупахин. М.: Химия, 1991. — 192 с.
  68. Э. Теория и применение селективных мембранных электродов на ионы // ЖАХ. 1970. — Т. XXV. -№ 6. — С. 1182−1193.
  69. М.С., Хитрова Н. В., Корнпенко О. И. Оценка селективностиионоселективных электродов // ЖАХ. 1982. — Т. XXXVII. — № 1. — С. 5−13.
  70. Справочное руководство по применению ионоселективных электродов / Пер. сангл. Н. В. Колычевой, А. Р. Тимербаева, под ред. О. М. Петрухина. М.: Мир, 1986.-231 с.
  71. Н.В. Ионоселективные электроды // Соросовский образовательный журнал. 1999.-№ 5. — С. 60−65.
  72. В. Принципы работы ионоселективных электродов и мембранныйтранспорт. М.: Мир, 1985 — 280 с. 7Никольский Б.П., Матерова Е. А. Ионоселективные электроды. — Л.: Химия, 1980. -240 с.
  73. Р. Определение рН. Теория и практика / Пер. с англ. под ред. Б. П. Никольского, М. М. Шульца. Л.: Химия, 1972. — 400 с.
  74. Baucke F.G.K. The modern understanding of the glass electrode response // Fresenius J. Anal. Chem. 1994. — Vol. 349. — No. 8−9. — P. 582−596.
  75. .П., Белюстин А. А. Стеклянные электроды новые аспекты теории, разработки и применения // ЖАХ. — 1980. — Т. XXXV. — № 11. — С. 2206−2225.
  76. О.М. Петрухина. М.: Научный мир, 2000. — 144 с. 84. Корыта И., Штулик К. Ионоселективные электроды: Пер. с. чешек. А. Р. Тимербаева, под ред. О. М. Петрухина. — М.: Мир, 1989. — 272 с.
  77. С.И., Шепель А. Ю. Повышенная селективность системы с сульфидными электродами // ЖАХ. 1996. — Т. 51. — № 3. — С. 298−300.
  78. М. Современные методы аналитической химии. / Пер. с нем. под ред. А.В.
  79. Гармана. В 2-х т. — Т. 1. — М.: Техносфера, 2003. — 416 с.
  80. Н. Мембранные электроды / Пер. с англ. В. А. Станкевича, И. С. Ивановой, под ред. А. А. Белюстина. JL: Химия, Ленингр. отд-е, 1979. -360 с.
  81. И. Ионы, электроды, мембраны / Пер. с. чешек. А. Б. Эршлера, под ред.
  82. B.C. Багоцкого. М.: Мир, 1977. — 472 с.
  83. .Ф., Давыдов А. В. Химические сенсоры: возможности и перспективы // ЖАХ. 1990. — Т. XXXXV. — № 1. — С. 1259−1278.
  84. Vlasov Yu.G., Bychkov Е.А. Ion-Selective Chalcogenide Glass Electrodes // Ion
  85. Selective Electrode Reviews. 1987. — Vol. 9. — No. 1. — P. 5−93.
  86. Ch. Т., Trachtenberg I. Ion-Selective Electrochemical Sensors Fe3+, Cu2+//
  87. J. Electrochem. Soc. 1971. — Vol. 118. — No. 4. — P. 571−576. 93. Owen A.E. Chalcogenide Glasses as Ion-Selective Materials // J. Non-Crystalline Solids. — 1980. — Vol. 35−36. — P. 999−1004.
  88. C. Bohnke, J. P. Malugani, A. Saida, G. Robert Conductivity electrique et selective desverres AgP03- MI2 avec M = Pb, Hg I I Electrochim. Acta. 1981. — Vol. 26. -P. 1137−1148.
  89. Ю.Г., Бычков Е. А. Ионоселективные электроды на основе халькогенидных стекол // Ионный обмен и ионометрия. Л.: ЛГУ, 1984. — Вып. 4. — С. 142−149.
  90. Ю.Г., Бычков Е. А., Медведев A.M. Медьселективные электроды на основе халькогенидных стекол системы медь серебро — мышьяк — селен // Ионный обмен и ионометрия. — Вып. 5. — Л.: Изд-во ЛГУ, 1986. — С. 130−149.
  91. Ю.Г. Твердотельные сенсоры в химическом анализе // ЖАХ. 1990.
  92. Т. 45.-№ 7.-С. 1279−1293. 98. Vlasov Yu.G., Bychkov Е.А., begin A.V. Chalcogenide Glass Chemical Sensors:
  93. Research and Analytical Applications // Talanta. 1994. — Vol. 41. — No. 6. — P. 10 591 063.
  94. .Л., Легин A.B., Власов Ю. Г. Химические сенсоры в природной воде: особенности поведения халькогенидных стеклянных электродов для определения ионов меди, свинца, кадмия // ЖАХ. 1996. — Т. 51. -№ 8. — С. 882 887.
  95. Ю.Г., Бычков Е. А., Легин А. В. Сенсоры на основе халькогенидных стекол для анализа жидких сред: исследование материалов, электродные характеристики, аналитические применения // ЖАХ. 1997. — Т. 52. — № 11. -С. 1184−1191.
  96. В.В. Теоретическая электрохимия. JI: Химия, Ленингр. отд-е, 1974.-568 с.
  97. М.М., Писаревский A.M., Полозова ИЛ. Окислительный потенциал. Теория и практика. Л.: Химия, 1984 — 168 с.
  98. М.С. Оксредметрия / Под ред. Б. П. Никольского, В. В. Пальчевского -Л.: Изд-во «Химия», Ленингр. отд-е, 1967. 120 с.
  99. Оксредметрия / Под ред. Б. П. Никольского, В. В. Пальчевского Л.: Химия, 1975.-304 с.
  100. Я., КутаЯ. Основы полярографии. -М.: Мир, 1965. 560 с.
  101. Полярография. Проблемы и перспективы / Под ред. Страдыня Я. П., Майрановского С. Г. Рига: Зинатне, 1977. — 412 с.
  102. Н.И., Штерман B.C., Земская О. А., Сырченков А. Я., Гордиевский А. В. Исследование селективных мембранных электродов. Мембранные электроды с электронной функцией// ЖАХ.-1971.-Т. XXVI.-№ 7.-С. 1281−1284.
  103. Двойной слой и электродная кинетика / Отв. Ред. В. Е. Кааринов. М.: Наука, 1981.-376 с.
  104. О.Л., Бениаминова С. М. Электрохимическое определение малых количеств свинца с применением стеклоуглеродного электрода // ЖАХ. — 1971. — Т. XXVI. № 1.-С. 111−116.
  105. О.Л., Гончаров Ю. А. Инверсионная вольтамперометрия свинца на вращающемся дисковом стеклоуглеродном электроде // ЖАХ. 1974. — Т. XXIX. -№ 1, — С. 85−92.
  106. M.M., Писаревский A.M., Полозова И. П. Стеклянный электрод в оксредметрии // Электрохимия. 1977. — Т. XIII. -№ 6. — С. 939−943.
  107. О.С., Писаревский A.M., Волкрв С. Е., Щульц М. М. Эффект «памяти» в электрических свойствах железосиликатных стекол // Неорганические материалы. 1975. — Т. XI. — № 5. — С. 939−942.
  108. М.М., Писаревский A.M., Чудинова Ю. А., Кукушкина В. А. Некоторые электрохимические параметры электронопроводящих силикатных стекол // Электрохимия. 1973. — Т. IX. — № 7. — С. 211−215.
  109. И.П., Писаревский A.M., Шульц М. М. Стандартный потенциал и температурный коэффициент кислородно-перекисного электрода // Электрохимия. 1977. — Т. XIII. -№ 10. — С. 1560−1562.
  110. Э.А., Батракова Н. С., Степанова Т. А., Мальцева Е. В., Писаревский A.M. Потенциометрический контроль процессов окислительного азосочетания гетероциклических гидразинов // ЖПХ. 1977. — Т. 50. -№ 9. — С. 2055−2057.
  111. Г. Электрофизика / Пер. с нем. под ред. В. И. Раховского. М.: Мир, 1972.-608 с.
  112. Н. Химия твердого тела / Пер. с англ. Ю. И. Михайлова, Э.Ф. Хайретдинова- под ред. В. В. Болдырева. М.: Мир, 1971. — 224 с.
  113. Бонч-Бруевич B.JI., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1990.-685 с.
  114. А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука, 1978. — 615 с.
  115. .Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высш. шк., 1973. — 655 с.
  116. БагоцкийВ.С. Основы электрохимии. М.: Химия, 1988.-400 с.
  117. В.И. Введение в физику полупроводников. М.: Высш. шк., 1984. -352 с.
  118. А.Ф. Физика полупроводников. М-Л.: Изд-во АН СССР, 1957. -492 с.
  119. Зиненко В. И, Сорокин Б. П., Турчин П. П. Основы физики твердого тела. М.:
  120. Изд-во физ-мат. лит-ры, 2001. 336 с.
  121. П.В., Хохлов А. Ф. Физика твердого тела. М.: Высш. шк., 2000. — 494 с.
  122. А.И. Общая физика. Электрические и магнитные явления: Справочное пособие. Киев: Наук, думка, 1981. — 472 с.
  123. О. Теория твердого тела / Пер. с нем. И.В. Мочан- под ред. А. И. Ансельма. М.: Наука, 1980. — 416 с.
  124. И.И. Электронная теория полупроводников. Введение в теорию. -Минск: Изд-во БГУ, 1973. 264 с.
  125. Р.Л. Электропроводность стеклообразных веществ. Л.: Изд-во ЛГУ, 1968.-251 с.
  126. Р.А. Полупроводники / Пер. с англ. под. ред. Н. А. Ленина. М.: Мир, 1982.-558 с.
  127. В.В., Спицына Л. Г. Физика полупроводников и металлов. М.: Металлургия, 1982. — 336 с.
  128. П.С. Физика полупроводников. М.: Высш. шк., 1975. — 584 с.
  129. Специальный практикум по полупроводникам и полупроводниковым приборам / Под ред. К. В. Шалимовой. М.: Государственное энергетическое изд-во, 1962. -304 с.
  130. К. Физика полупроводников / Пер. с англ. Р. Бразиса, А. Матулениса,
  131. A. Тетервова- под ред. Ю. К. Пожелы. М.: Мир, 1977. — 615 с.
  132. Г. И., Никитин С. А. Общий физический практикум. Физика полупроводников. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1989. — 72 с.
  133. Степаненко И. И Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М.: Энергия, 1977.-671 с.
  134. Ю.К. Введение в физику полупроводников— Л.: Наука, Ленингр. отд-е, 1969.-292 с.
  135. Ю.К. Введение в физику полупроводников. М.: Энергия, 1976. -416 с.
  136. .М. Кинетические явления в полупроводниках. Л.: Наука, Ленингр. отд-е, 1970.-303 с.
  137. Зи С. Физика полупроводниковых приборов / Пер. с англ. В. А. Гергеля,
  138. B.В. Ракитина- под ред. Р. А. Суриса. М.: Мир, 1984. — 456 с.
  139. Буш Г., Винклер У. Определение характеристических параметров полупроводников по электрическим, оптическим и магнитным измерениям / Пер. с нем. И. М. Сараевой, Ю.В. Шмарцева- под ред. Н. А. Пенина. М.: Изд-во ин. лит-ры, 1959. — 140 с.
  140. ДэвисД.А. Волны, атомы и твердые тела. Киев: Наук, думка, 1981. — 284 с.
  141. Ф. Физика электронной проводимости в твердых телах / Пер. с англ. Г. Л. Краско, Р.А. Суриса- под ред. Е. И. Майкова. М.: Мир, 1971. — 472 с.
  142. Э.И. Электрические свойства твердых тел. М.: Знание, 1966. — 96 с.
  143. B.C. Физика и химия твердого состояния. М.: Металлургия, 1978. -548 с.
  144. Дж. Диэлектрики, полупроводники, металлы / Пер. с англ. Е. Г. Ландсберг и др.- под. ред. В.Л. Бонч-Бруевича М.: Мир, 1969. — 647 с.
  145. Полупроводники / Под ред. Н.Б. Хеннея- пер. с англ. Б. Ф. Ормонта. М.: Изд-во ин. лит-ры, 1962. — 668 с.
  146. В.Н. Физическая химия твердого тела. М.: Химия, 1982. — 320 с.
  147. П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высш.шк., 1977. -448 с.
  148. Д. Полупроводники / Пер. с англ. Б.Я. Мойжеса- под. ред. С. С. Шалыта. -М.: Изд-во ин. лит-ры, 1957. 160 с.
  149. А.Г., Фогель В. А. Физика и химия полупроводников. Л.: Изд-во «Судостроение», 1965. — 220 с.
  150. А.С., Тверьянович Ю. С., Борисова З. У. Об особенностях кристаллизации халькогенидных стекол, содержащих переходный металл // ФХС. 1988. — Т. 14. — № 2. — С. 289−290.
  151. Ю.С., Борисова З. У., Фунтиков В. А. Металлизация халькогенидных расплавов и ее связь со стеклообразованием // Неорганические материалы. -1979.-Т. XV.-№ П. С. 2117−2121.
  152. Ю.С., Борисова З.У, Попова Т. К. Влияние микронеоднородности наэлектропроводность халькогенидных стекол, содержащих переходные металлы // Вестник ЛГУ. 1984. -№ 4. -№ 22. — С. 100−104.
  153. В.Р., Борисова З. У. Электропроводность системы мышьяк германий -теллур в стеклообразном состоянии // ЖПХ. — 1967. — Т. 40. — № 5. — С. 998−1003.
  154. В.Л., Новоселов С. К. Электрические свойства стекол системы As-Te-Cu // Неорганические материалы. 1977. — Т. XIII. -№ 11. — С. 1964−1968.
  155. B.JI., Новоселов С. К. Механизм проводимости в стеклах AsTeCux // ФХС.- 1976. -Т. 2.-№ 6, — С. 546−551.
  156. А.В., Мюллер Р. Л. Электропроводность системы AsSe^Cu в стеклообразном состоянии // ЖПХ. 1962. — Т. 35. — № 10. — С. 2012−2016.
  157. Н.А., Касаткин Б. Е., Борисова З. У. Исследование электропроводности сплавов AsSe^Ou* при переходах стекло кристалл -расплав // Неорганические материалы. — 1974. — Т. X. -№ 12. — С. 2129−2133.
  158. У. Введение в физику полупроводников / Пер. с англ. под ред. В.Л. Бонч-Бруевича М.: Изд-во ин. лит-ры, 1959.-430 с.
  159. В.В., Концевой Ю. А., Федорович Ю. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985. — 264 с.
  160. СМ. Методы измерения основных параметров полупроводников. -Воронеж: Изд-во ВГУ, 1989. 224 с.
  161. Ю.В., Добровольский В. Н., Стриха В. И. Методы исследования полупроводников. Киев: Выща шк., Головное изд-во, 1988. — 232 с.
  162. Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. -М.: Высш. шк., 1987.-239 с.
  163. Н.Ф., Концевой Ю. А. Измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1970. — 432 с.
  164. В.Ф. Практикум по физике полупроводников. М.: Просвещение, 1976. -207 с.
  165. М.В. Физическая химия. Киев: Вища шк., 1975. — 488 с.
  166. Л.И. Теоретическая электрохимия. -М.: Высш. шк., 1984. 519 с.
  167. Киш Л. Кинетика электрохимического растворения металлов / Пер. с англ. Е.В. Овсянниковой- под ред. A.M. Скундина. М.: Мир, 1990. — 272 с.
  168. Новый справочник химика и технолога. Электродные процессы. Химическаякинетика и диффузия. Коллоидная химия / Под общ. ред. С. А. Симановой. -СПб.: АНО НПО «Профессионал», 2004. 838 с.
  169. .Б., Петрий О. А. Электрохимия. М.: Высш. шк., 1987. — 295 с.
  170. В.А., Плесков Ю. В. Электрохимия полупроводников. -М.: Наука, 1965. -340 с.
  171. УгайЯ.А. Введение в химию полупроводников. М.: Высш. шк., 1975. — 302 с.
  172. Е.А., Ерусалимчик И. Г. Электрохимия германия и кремния. М.: Госхимиздат, 1963. — 180 с.
  173. Л.В., Оркина Т. Н., Блинов JI.H. Кинетика травления стеклообразного трисульфида мышьяка в растворах гидроксида натрия, сульфида натрия и моноэтиламина // Физика и химия стекла. 1994. — Т. 20. — № 2. — С. 248−252.
  174. P.JI., Борисова З. У., Гребенщикова Н. И. Кинетика растворения селенида мышьяка в щелочном растворе // ЖПХ. 1961. — Т. 34. — № 3. — С. 533 — 537.
  175. В.А. Химический эквивалент и его использование в качестве параметра для оценки особенностей строения халькогенидных стекол // ФХС. -1996. Т. 22. — № 3. — С. 286−290.
  176. В.А. Влияние строения халькогенидных стекол на их электрохимическое растворение // ФХС. 1996. — Т. 22. — № 3. — С. 275−278.
  177. Funtikov V.A. Electrochemical Dissolution of Glasses // Proc. of Internat. Symposium on Glass Problems.- Istanbul, Turkey, 1996. V. 2. — P. 105−108.
  178. В.А., Антонова HE. Электродное поведение стекол системы Ge-As-Te в водных растворах редокс-систем // Проблемы биологических и химических наук: Материалы постоянных научных семинаров. Калининград: Изд-во КГУ, 2002.-С. 49−51.
  179. Funtikov V.A., Antonova N.E. The Potentiometric Method of an Estimation of Chemical stability of Chalcogenide Glass // Abstracts of Conference on Non-Crystalline Inorganic Materials (Synthesis, Structure, Modeling) «CONCIM 2003». -Bonn, 2003.-P. 120.
  180. Funtikov V.A., Antonova N.E. Electrode Properties of Selenide and Telluride Glasses in Solutions of Copper And Iron Salts // Book of Extended Abstracts of ISNOG 13. -Pardubice, 2002.-P. 724−727.
  181. B.A., Антонова Н. Е. Ионорезистивный эффект в халькогенидныхстеклах // Инновации в науке и образовании 2004: Материалы Международной научной конференции, посвященной 100-летию КГТУ. — Калининград: Изд-во КГТУ, 2004.-С. 238−239.
  182. В.А., Антонова Н. Е., Юрченко О. В. Ионочувствительность резистов на основе селенидных и теллуридных стекол // Актуальные проблемы современной науки: Труды 1-го Междунар. форума. Самара, 2005. — С. 103 104.
  183. В.А., Антонова Н. Е. Ионорезистивный эффект в халькогенидных стеклах и стеклокристаллах // Вестник РГУ им. И. Канта. 2007. — Вып. 1. -С. 72−80.
  184. В.А., Антонова Н. Е. Новый тип ионорезистивных датчиков для проведения химического экспресс-анализа растворов солей меди // Заводская лаборатория. 2007.- № 5. — С. 28−29.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!