Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Разработка физико-химических основ жидкофазной эпитаксии полупроводниковых нитридов

Диссертация: Разработка физико-химических основ жидкофазной эпитаксии полупроводниковых нитридов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В литературе встречалось очень ограниченное число работ зарубежных авторов, посвященных данной проблеме. Фактически были лишь указания на возможности получения нитрида алюминия из расплавов? е, Са3И2 и нитрида агллия из расплава (та-¡-51 .Б Советском Союзе эта проблема вообще не исследовалась. Сведения о диаграммах состояния систем металл Ш — группы — азот отсутствовали полностью… Читать ещё >

Содержание

  • УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
  • ГЛАВА I. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА И МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ БИНАРНЫХ И ТРОЙНЫХ НИТРИДОВ ГРУППЫ А^
    • 1. 1. Электронное строение и физико-химические свойства бинарных нитридов Ш-б-группы
    • 1. 2. Основные метода получения бинарных нитридов
  • А^В^ и твердых растворов на их основе
    • 1. 3. Электрофизические, оптические, люминесцентные свойства полупроводниковых нитридов А^В^ и твердых растворов на их основе
  • Выводы по главе I
  • ГЛАВА 2. АНАЛИЗ ФАЗОВЫХ РАВНОВЕСИЙ В ТРОЙНЫХ СИСТЕМАХ та — АС -/V, (та — 1п -/V и АС -1п — N И ВЫБОР РАСТВОРИТЕЛЕЙ ДЛЯ йаЦ
    • 2. 1. Анализ моделей, применяемых для расчета фазовых равновесий в системах, А — В
    • 2. 2. Расчет диаграмм состояния двойных (АС — А/
  • Ы /V, 1П — /V) И ТРОЙНЫХ ((то — АС — /V, во — 1п — /V, М — 1п — N) СИСТЕМ
    • 2. 3. Выбор растворителей для эпитаксиального роста
    • 6. а N из жидкой фазы
  • Выводы по главе 2
  • ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЯВЛЕНИЙ НА ГРАНИЦАХ РАЗДЕЛА ФАЗ
  • ПРИ ЖФЭ НИТРИДА ГАЛЛИЯ
    • 3. 1. Анализ процессов на границе газ-жидкая фаза
    • 3. 2. Контактные явления на границе расплав-подложка
  • Выводы по главе 3. ТОО 3 ~ Стр
  • ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА МЕТОДА ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ НИТРИДА ГАЛЛИЯ ИЗ ЖИДКОЙ ФАЗЫ И ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУЧЕННЫХ СЛОЕВ. IOI
    • 4. 1. Разработка метода получения эпитаксиальных слоев нитрида галлия из жидкой фазы
    • 4. 2. Исследование кинетики процесса ЖФЭ нитрида галлия
    • 4. 3. Исследование характеристик слоев нитрида галлия, полученных методом ЖФЭ
  • Выводы по главе
  • ОСНОВНЫЕ НАУЧНЫЕ И ПРАКТИЧЕСКИЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

Разработка физико-химических основ жидкофазной эпитаксии полупроводниковых нитридов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Полупроводниковые нитриды занимают особое место среди материа-я ^ лов группы, А В, в первую очередь в технологическом отношении из-за специфических характеристик азота, входящего в их состав. В группе я ^ материалов, А В они являются наименее изученными по сравнению с фосфидами, арсенидами и антимонидами, что сдерживается трудностями в разработке надежной технологии и вследствие этого недостаточным качеством материала.

Тем не менее, интерес к полупроводниковым нитридам не слабеет, но в последние годы еще больше и больше возрастает, что связано удачным сочетанием свойств (большая ширина запрещенной зоны и прямые оптические переходы в зоне), что делает их перспективными для создания светоизлучающих приборов различного типа с максимумом излучения в области коротких волн, вплоть до ближнего ультрафиолета.

Газофазные методы, которые широко применяются в технологии полупроводниковых нитридов имеют ограничения при получении материала с заданными свойствами. Их характеризуют недостаточная воспроизводимость, большие трудности, связанные с инвертированием типа электропроводности и некоторая специфичность свойств полученных материалов, например, повышенное удельное сопротивление у нитрида алюминия и высокая концентрация свободных электронов у нитрида галлия. С другой стороны, традиционным методом для получения светоизлучающих я ^ структур на основе других материалов, А В является эпитаксиальный рост из жидкой фазы. Поэтому значительный научный и практический интерес представляет изучение возможности эпитаксиального роста этих материалов из жидкой фазы, который характеризуется большим приближением к равновесным условиям.

В литературе встречалось очень ограниченное число работ зарубежных авторов, посвященных данной проблеме. Фактически были лишь указания на возможности получения нитрида алюминия из расплавов? е, Са3И2 и нитрида агллия из расплава (та-¡-51 .Б Советском Союзе эта проблема вообще не исследовалась. Сведения о диаграммах состояния систем металл Ш — группы — азот отсутствовали полностью.

Основные факторы, определяющие процесс жидкофазной эпитаксии и свойства кристаллизуемых слоев можно условно разделить на три группы: I — термодинамические- 2 — кинетические- 3 — методические.

К первым относятся факторы, определяющие характер фазовых равновесий в системе.

Кинетические факторы оказывают существенное влияние на процесс жидкофазной эпитаксии при неравновесных условиях кристаллизации. В этих условиях кинетика роста слоев во многом определяется коэффициентами диффузии в жидкой фазе атомов кристаллизуемого вещества и энергией активации процессов на границах фаз.

К методическим относятся факторы, связанные с особенностями методики и технологических режимов проведения процесса: температура роста, скорость изменения температуры, метод создания пересыщения в расплаве и т. д.

Исследование указанных факторов является необходимым этапом при разработке методики ЖФЭ полупроводниковых материалов. Задачей данной диссертационной работы является разработка физико-химических основ получения полупроводниковых нитридов из жидкой фазы, а именно:

1 — Анализ фазовых равновесий в бинарных и тройных системах металл Ш группы — азот.

2 — Теоретически обоснованный выбор растворителя дщя нитрида галлия.

3 — Исследование явлений, имеющих место на границах расплавгаз и расплав — подложка в процессе ЖФЭ нитрида галлия.

4 — Разработка метода получения слоев нитрида галлия из жидкой фазы. Исследование кинетики процесса роста слоев и исследование характеристики полученных слоев.

Научная новизна полученных результатов.

1. Впервые проведен анализ фазовых равновесий в бинарных и тройных системах металл Ш группы — азот, в результате которого построены диаграммы состояния этих систем.

2. Впервые проведен теоретически обоснованный выбор эффективных растворителей для нитрида галлия.

3. Впервые исследовано смачивание слоя нитрида галлия расплавами 1п, Вь, Р6 .

4. Впервые определен коэффициент диффузии азота в жидком индии при температуре роста слоя нитрида галлия (Т = 1333 К).

Практическая ценность работы.

1. Теоретически определены и экспериментально исследованы наиболее эффективные растворители для нитрида галлия (1п, 51 ,.

Р$). Установлены оптимальные условия их работы.

2. Получены эпитаксшальные слои нитрида галлия из жидкой фато зы с относительно низкой концентрацией свободных электронов (10 о см" «°) на сапфировых подложках.

Внедрение результатов.

Результаты диссертационной работы запланированы к внедрению в исследовательской работе института физики при национальном центре. научных исследований Социалистической Республики Вьетнама, а также внедрены в работах, проводимых в Проблемной лаборатории электрофизических процессов в диэлектриках и полупроводниках ЛЭТИ им. В. И. Ульянова (Ленина), что подтверждается соответствующими документами.

Апробация результатов.

Материалы диссертационной работы докладывались на:

— У Всесоюзном семинаре «Методы получения, свойства и области применения нитридов», Рига, февраль, 1984 г.

— научно-технических конференциях профессорско-цреподаватель-ского состава Ленинградского ордена Ленина электротехнического института имени В. И. Ульянова (Ленина), Ленинград, 1983, 1984, 1985гг.

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 2 и принято к публикации 2 печатных работы.

Основные положения, выносимые на защиту.

I. Существует подтвержденная термодинамическим анализом возможность эпитаксиального роста полупроводниковых нитридов из жидкой фазы.

2, Особенности солидуса систем с участием №, 1п и малая растворимость нитрида алюминии в металлических расплавах приводят к большим трудностям при реализации метода ЖФЭ для АСН ,.

Ы, а также твердых растворов кШ — и (то N — ]пН в широком диапазоне составов. Вместе с тем, использование метода ЖФЭ для нитрида галлия можно считать перспективным.

3. Использование метода ЖФЭ позволяет снизить концентрацию свободных электронов в эпитаксиальных слоях нитрида галлия, по крайней мере, на порядок величины по сравнению с методом ГФЭ.

ОБЩИЕ НАУЧНЫЕ И ПРАКТИЧЕСКИЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ.

1. Впервые проведен термодинамический анализ фазовых равновесий в бинарных и тройных системах металл Ш группы — азот. Показана термодинамически обоснованная возможность эпитаксиального роста полупроводниковых нитридов из жидкой фазы.

2. Получение твердых растворов из жидкой фазы в системах 0о-11^-А/ и Сто — 1пN в широком диапазоне составов затруднено особенностями солидусов этих систем. Вместе с тем, использование метода ЖФЭ для нитрида галлия можно считать перспективным.

3. Впервые проведен теоретически обоснованный выбор эффективных растворителей для нитрида галлия. Ими оказались 1п, Ш, Р&- .

4. Явление вытекания расплава в атмосфере аммиака имеет место для — -всех расплавов, содержащих галлий. Механизмом вытекания является образование нитридной фазы Сто! V на поверхности расплава и вытекание расплава по капиллярам, образующимся в слое нитрида галлия.

5. Среди металлов 7/7, /3/, Р8 висмут обладает наименьшими краевыми углами смачивания подложек из с* -Оз, и подложек со слоем ОаИ • Краевые углы смачивания зависят от материала подложки и характера газовой среды.

6. Получены слои нитрида галлия из жидкой фазы на подложках методом принудительного охлаждения в цроцессах со следующими технологическими параметрами.

— Состав расплава, мае. %.

60 1п — 30 (5 С — 10 Сто.

— Парциальное давление аммиака, Па.

1,3-ТО3.

— Температура начала роста, К :

— Скорость охлаждения, К/мин :

0,25, 0,5, I.

7. Полученные слои имеют как поликристаллическую, так и монокристаллическую структуру. Концентрация свободных электронов состо о тавляла ~ 10 см, что на порядок величины ниже, чем в слоях нитрида галлия, выращенных в процессе ГФЭподвижность электронов достигает значения ~ 80 см2/В с.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Г. В., Куанк О. П., Полшцук B.C. Получение и методы анализа нитридов. — Киев, Наукова думка, 1978.
  2. Van Vechten A. Quantum dielectric Tneory of Electronegativity in Covalent Systems, Ionization Potential and. Interband Transition Enegies.-Physical Rev., v.187,Ho.3,p.1007−1020,1962.
  3. Lagerstedt 0., Monemar B. Variation of Lattice Parameters in Gall with Stoichiometry and Doping.-Phys.Rev.B, v.19,No.6,p.3064−3070, 1979.
  4. IV. «Bruhl H.G., Fitzl G. Variation of Lattice Parameters ч with Growth Condition in GaH.-Phys. Stat. Sol (a), 1980, v.61,Io.2, p.493−496.
  5. Seifert W., Tempel A. Cubic Phase Gallium Eitride by Chemical Vapour Deposition.-Phys.Stat.Sol.(a), 1974, v.23, No.1,p.39−40.
  6. Tilor K.M., Lennie C. Some Properties of Aluminium ITitride.- J. Electrochem.Soc., 1960, v.107, Ко.4, p.308.
  7. A.H., Оплеснин В. Л., Подценежный E.H., Соколов Е. Б. Эпитаксиальные слои нитрида галлия и нитрида алюминия на сапфире. Электр.тех., сер. З, Мизсроэлектр., В.5 (45), 1973.
  8. Lorenz М.В., Binkowski B.B. Preparation, Stability and Luminesce' nee of gan.-J.Electrochem.Soc., v.109, No.1, 1962, p.24.
  9. Juza R., Hahn H. Uber die Kristall Strukturen von Cu^N, GaN, ШШ.-Anorg. Chem., B.239, Ко.3,1938, S. K.282.
  10. Esterstrom R.B. Synthesis and Growth of Single Crystals of СИШ.-J. Mater. Sei., v.5, Ho.12, 1970, p.1102.
  11. M.H. Физико-химические свойства элементов. M. ГНИТЛ, 1952.
  12. С.П., Самсонов Г. В., Фесенко B.B. О составе пара над GaH... -ЖПХ, т.36, В. 12, 1964, с. 2974.
  13. Sime R.J., Margrave J.L. Gaseous Metal Nitridess The Vapour Pressure of GaK and Evidence for a Complex Gaseous liitrides.- J.Phys. Chem., 1956, v.60, Ho, 6, p.810−817.
  14. Munir Z.A., Searsy A.W. Activation Energy for the Sublimation of GaK.-J.Phys. Chem., v.42, 1965, p.4223.
  15. Schoonmaker E.G., Buhl L., Lemley S. Vaporisation Cathalysis. The Decomposition of Gallium- itride.-J. Phys.Chem., v.69,1965,p.3455−3460.
  16. Jg. Mc’Chesney J.B., Brindenbaugh P.M., 0*Corner PB. Thermal Stability of InK at Elevated Tempertatures and Nitrogen Pressures.-Mat. Res.Bui., v.5, Ho.9, 1970, p.782.
  17. H.A. Сложные алмаз^оподобные полупроводниковые материалы. М., Советское радио, 1968.
  18. H.A. Химия алмазноподобных полупроводников. Изд-во ЖУ, 1963.
  19. В.М., Долгинов 1.М., Третьяков Д. Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М., Советское радио, 1975.
  20. Pischer A.G. Techniques for Melt-Growth of Luminescent GaN.-J. Electrochem. Soc., v.117, Ho.2, 1970, p.41.
  21. Witzke H.D., Uber Wachstum und Eigenschaften von AIN-Einkristal len.-Preiberger Porschungshefte, Mineralogie-Lagerstattelehre, 1965, S.195.
  22. М.Д., Буханевич В. Ф. Химическая и термодинамическая устойчивость нитридов элементов Ш группы. ЖПХ, т.7, В. II, 1962, с. 2487.
  23. Logan R.L."Thurmond C.D. Hetегоepitaxial Thermal Gradient Solutio Growth of GaN.-J.Electrochem.Soc., 1972, v.119,No.12,p.1727−1736.
  24. Halm. H., Juza R. Untersuchungen uber die Nitride von Cadmium, Galliu Indium und Germanium.-Z.Anorg.Chem., B.244,1940,S. K.111.
  25. Л. А., Пичугин И. Г., Чан Хи Бинь. Химическое травление нитрида галлия. Сб. Известия ЛЭТИ, Науч.тр. (Ленингр.элект-ротехн. ин-т им. В. И. Ульянова (Ленина), 1984, Вып.338, с.35−38.
  26. М. 3−5 Semiconductor Compounds.-Handbook of Electronic Materials, 1971, v.2
  27. M. Разработка методов получения и исследование основных свойств эпитаксиальных слоев нитридов галлия и индия. Диссертация на соиск. уч. ст. канд.техн.наук ЛЭТИ, 1976.
  28. Г. В. Нитриды. Киев., изд. Наукова думка, 1969.
  29. Sirota N.N., Golodushko V.Z. Tesisy dokladov 5 vsesoysnoi konf. po chim. svyasy vpolupr. polumetallach, 1974, p.98.
  30. Maru^ka H.P., Tietjen J.S. Preparation and Properties of Vapour Deposited Single Crystalline GaU.-Appl.Phys.Lett., 1969, v.15,No. 10, p.327−331.
  31. Thurmond C.D., Logan R.A. The Equilibrium Pressure of N2 over GaU, J.Electrochem. Soc., 1972, v.119,No.5,p.622−626.
  32. В.Ф., Болгар A.C. Термодинамические свойства нитридов. Киев, Наукова думка, 1980.
  33. Foster L.M. Lattice Parameter Criterion for miscibility gaps in the 3−5 and 2−6 pseudobinary solid solutions.electrochem. Soc., 1974, v.121,No.12,p.W8W 1662−1665.. ЮиРозери В. Структура металлов и сплавов. М., Мир, 1938.
  34. М.Т. «Winslow D.K. Vacuum Deposition of A1N Acoustic Transducers. -Appl. Phys. Lett., 1968, v.13,No.8,p.286
  35. Noreika A.I., Francombe M.H., Zeitman S.A. Dielectric Properties of Reactively Sputtered Films of АШ.-J. Vacuum Sci.Techn., 1969, v.6, No.1,p.194.
  36. Mirach S., Reimer H. Preparation and Electrical Properties of AlAIN-Si Structures.-Phys.Stat.Sol.(a), 1972, v.11,p.631.
  37. Т.Д., Петушина И. А., Томошполъский Ф. Г. Тонкие слои нитрида алшиния, полученные методом ионного реактивного распыления.
  38. B.C., Усынина Н. А., Славикова М. М., Трубицын A.M. Свойства пленок ain, полученных реактивным распылением. -Изв.ВУЗов, Физика, 1973, № 6, с.149−15I.
  39. B.C., Усынина Н. А., Трубицын A.M. и др. Влияние постоянного электрического поля на структуру пленок нитрида алюминия. В кн.: Получение и свойства тонких пленок. Киев. ИПМ, АН УССР, 1974, В.2, с.8−11.
  40. B.C., Романовский М. Н., Славникова М. М. и др. Пленки аш «полученные реактивным распылением и реактивным испарением. В кн.: Исследование нитридов. Киев, 1975, с.92−94.
  41. О.Н., Летейко Л. В., Любопытова Е. В. и др. Еленки a IN на si и Ge . ФТП, 1976, т.10, B. II, с.2123−2126.
  42. Winztal S., Wnuk В."Majewska G."Niemyski Т. Aluminium Nitride Thin Films and their Properties.-Thin Solid Films, 1976, v.36,No.2, p.251.
  43. М.Д., Андреева А. Ф., Дехтерук B.H. Некоторые особенности реакционного синтеза пленок нитридов элементов Ш-б-подгруппы. -В кн: структура и физические свойства тонких пленок. Тез.докл. респ.конф., Ужгород, 1977, с. 206.
  44. Shuskus A.I., Reeder Т.М., Paradis E.L. RF-Sputtered Aluminium Mtride Films on Sapphire.-Appl.Phys.Lett., 1974, v, 24, No.4,p, 155»
  45. Shuskus.A.I."Paradis E.L. Heteroepitaxy of.AIN.and ZnO on (0001) and (0112)-Sapphire by RF-Sputtering.-Proc.Int. Microelectronic1. Symp., 1975, p.426.
  46. Rutz R.F., Harrio R.R., Cuomo J.J. An A1H switchable memory resistor capable of 20 MHz cycling rate and 500 picosecond switching time.-IBM J. of Res. and Develop., 1973, v.17,No.1,p.61.
  47. Kosicki B.B., Khang D. Preparation and Structural Properties of GaH Thin Films.-J.Vacuum Sci. Tecbnol., 1969, v.6,Ho.1,p.593−597.
  48. Harin T., Usuba T., Adaci H., Sfcybata Y. Reactive Sputtering of gallium nitride thin films for GaAs mis-structures.-J.Appl.Phys. Lett., 1978, v.32,Uo.4,p.252−253.
  49. Knights J.C.jLujan R.S. Plasma Deposition of GaP and GaH.-J.Appl. Phys., 1978, v.49,10.3,p.1291−1293.
  50. K. «Hakajama K."Shingu P., 0tsuki A. Fundamental Adsorptior Edge in GaH, InH and Their Alloys.- Sol. State Comm., v.11,Ho.5,p.61
  51. Hovel H.J., Cuomo J.J. Electrical and Optical Properties of RF-sputtered GaH and InH.-Appl.Phys.Lett., v.20,1972,Ho.2,p.71.
  52. Pasternak J., Soukowa L. Herstellung durmer Schichten von Aluminium, Gallium, sowie Indium Hitriden unter eines Gasentladung.- Phys. Stat.Sol., v.3,Ho.5, 1972, p.71.
  53. Sapphire by Reactive Evaporation.-Appl.Phys. Lett., 1975, v.26,Ho.) p.261
  54. Iosida S., Misawa S., Fuji Y. et al. Reactive Molecular Beam Epitaxy of Alrnninium Nitride.- j.Vac.Sci.Tecimol., 1979, v.16,No.4j p.990.
  55. M.T., Ванг Ч. У., О’клок Г.Д. и др. Эпитаксиальное выращивание и пьезоэлектрические свойства аш, GaN и GaAs на сапфире и шпинели. В кн: Материалы для оптоэлектроники. М., Мир, 1976, с.294−307.
  56. Lakin К.М., Liu J.К., Wang K.L. Aluminium Nitride on Sapphire.-Ultrasonic Symp. Proc., 1974, p.302.
  57. Liu J.K., Lakin K.M., WangK.L. Growth Morfology and Surface Асош tic Wave Measurement of AIN-films on Sapphire.-J.Appl.Phys, 1975, v.46,No.9,p.3703.
  58. Wang K.L., Lakin K.M., Liu J.K. Growth and Properties of Silicon Films on Aluminium Nitride Films on Sapphire.- J.Appl.Phys., 1976, v.47,No.4,p.1580.
  59. Pizzarello F., Coker J. The Structural and Piezoelectric Properties of Epitaxial A IN on AlgO^.-J.Electron Mater., 1975, No.4,p.2i
  60. Morita M., Uesugi N., Isogai S. et al. Epitaxial Growth of
  61. Aluminium Nitride on Sapphire Using Metal-Organic Chemical vapour Deposition.-Japan J. Appl Phys., 1981, v.20, No.1,p.17−20.
  62. В.П., Метонидзе З. А. Особенности гетероэпитаксии нитрида галлия при использовании триметилл галлия и аммиака.
  63. Сб. докладов У всес. совещ. по росту кристаллов., Тбилиси, 1977, т.2, с.67−68.
  64. Niki J.J., Juzt W."Bertinger R. Preparation of Epitaxial Gallium Nitride.-Mat.Res.Bull., 1975, v.10, p.1097−1104.
  65. Baner J., Biste L., Bolze D. Optical Properties ofAIN Prepared by Chemical and Plasmachemical Vapour Deposition.-Phys.Stat.Sol.(a), 1977, v.39,No.1,p.173.
  66. Н.Г., Плетюшкин A.A. Исследование условий получения нитрида алшиния из газовой фазы. В кн.: химия и физика нитридов. Киев, Наукова думка, 1968, с. 90.
  67. A.A., Славина Н. Г. Получение нитрида алюминия разложением паров AiciynNH^ Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1968, т.4, $ 6, с.893−898.
  68. A.A., Славина Н. Г. Исследование процесса получения нитрида алюминия из газовой фазы при температуре 700.1000°С.-в кн: Методы получения, свойства и применение нитридов. Киев, НПМ, АН УССР, 1972, C. II3-II9.
  69. Н.Г., Плетюшкин A.A. Изучение кинетики получения нитрида алшиния разложением паров моноаммиаката хлористого алюминия.
  70. В кн: Исследование нитридов, Киев, 1975, с.88−91.о
  71. Chu T.L., Kelm R.W. The Preparation and Properties of AlH-films.-J.Electrochem.Soc., 1975, v.122,No.7,p.987.
  72. ПаяагушЕСин A.H., Вальков Н. Г., Бондаренко B.C. Получение и некоторые свойства эпитаксиальных слоев auj на ^ А12о^ Изв. АН СССР, Неорг. матер, 1979, т.15, Л 10, с.1793−1795.
  73. Ф.Ф., Демидов Д. М., Зыков A.M., Савин Г. С. Получение нитрида алюминия пиролизом моноаммиаката хлорида алюминия. -ЖПХ, 1978, т.51, МО, с.2171−2175.
  74. Е.Б., Печнов В. П., Наида Г. А. и да. Особенности гете-роэпитаксии нитрида алюминия. В кн: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. Ленинград, 1979, с.351−358.
  75. Л.А. Получение и исследование эпитаксиальных пленоки нитевидных кристаллов нитрида галлия. Диссертация на соиск. уч. ст. канд. техн. наук, ЛЭТИ, 1974.
  76. Chu T.L. Gallium Nitride Films.- J.Electrochem. Soc., 1971, v.118, Ко.7,P.1200−1203.
  77. Morimoto J. Pew Characteristics of Epitaxial GaN- Etching and Thermal Deposition.- J.Electrochem.Soc, 1974, v.121, p.1383−1384.
  78. Chu T.L., Ing D.W., loreika A.P. Epitaxial Growth of Aluminium Hit-ride.-Solid.Stat.Electronics, 1967, v. 10, No.10,p.1023.
  79. Йим У.Н., Стофко Е.Дж., Занзупчи П. Д. и др. Эпитаксиальные выращивания А1К и оптическая ширина его запрещенной зоны.
  80. В кн: Материалы для оптбэлектроники. М., Мир, 1976, с.282−293.
  81. CallaghanM. P. «Patterson Е. «Richards В.P., Y/allace С.A. The Growth, Crystallographic and Electrical Assesment of Epitaxial Layers of AIM on Corundum Substrates.-J.Cryst.Growth, 1974, v.22,Ho.2,p.85.
  82. B.B. Исследование процессов получения люминесцентных материалов на основе нитрида галлия. Диссер. на соиск. уч. ст. канд. техн. наук, ЛЭТИ, 1980.
  83. A.B. Хлоридно-гидридный метод осаждения нитрида алюминия. Технология полупроводниковых соединений, М., 1982, с.9−15.
  84. Jacob J., Boulou М."Furtado М. Trans. Labortoires de Electronique et de Physique applique, 280/7711, Mai 1977.
  85. И.Г. Методы получения, свойства и области применения нитридов типа А?. В сб. Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. Ленинград, 1979, с.103−121.
  86. С00. Воробьева A.B., Тайдо Т. К., Греков Ф. Ф. и др. О механизмевзаимодействия Ga* Sn, и сплавов Ga AI с Ш3 — ЖПХ, 1975, Т. Х Ш, М, с.889−891.
  87. E0I. Тананаев Н. В., Кувшинова Т. Е. Взаимодействие с газообразным аммиаком при высоких температурах. ЖНХ, т. 10, J?6, 1965, с.1507−1508.
  88. Г02. Jonson W.C., Parsons J.В., Crew М.С. litrogen Compounds of Galliui J.Phys.Chem., v.36,1932,p.2651−2654.
  89. Schoonmaker R.C., Burton C.E. Gallium litrider Inorg. Synt., 1963, v.7,p.16−20.
  90. Lorenz M.B., Binkowski B.B. Preparation, Stability and Luminesce: ce of Gal.- J.Electrochem.Soc., v.109,Ко.1,1962,p.24(see ref.8)
  91. Addamiano A. Preparation of Gal using reaction between GaP or GaAs and IHy- J.Electrochem.Soc., 1961, v.108,Ко.11,p.1072−1074.
  92. Grimmeis H.G., Roth R., Maak J. Luminescence und Photoleitung Eigenschaften von dotierten Gal.- Z.laturforsch., 1960, B.15a, S.799−804.
  93. Г. В., Лютая- М.Д. Получение нитрида галлия. ЖПХ, т.36, В.8, 1962, с. 1680.
  94. Long G., Foster L.M. Aluminium Nitride, a refractory for Aluminium to 2000 °C.- J.Am.Ceram.Soc., 1959, v.42,p.53.
  95. Dugger C.O. The Synthesis of Aluminium Nitride Single Crystals.-Mater.Res.Bull., 1974, v.9 «P*331−336.
  96. Slack G.A., Mc’Nelly T.F. Growth of High Purity AUJ-Crystals.-J.Cryst.Growth, 1976, v.34, No.2,p.263.
  97. П1. Madar R., Jacoh G., Hallais J., Fruchart R. High Pressure Solution Growth of Gallium Nitride,-J.Cryst.Growth., 1975, v.31,p.197−2 203.
  98. Hawrylo F.Z., Pankove J.I. Method of ifritaxially Depositing Gallium Nitride from the Liquid Phase.- USA Patent, cl. HO1 I 7/3?2002. 1973.
  99. И.Г., Панек M. 0 некоторых особенностях кристаллизации нитрида галлия из жидкой фазы. В сб.: Получение и свойства мэнких пленок, Киев, 1982, с.49−51.
  100. Иосимаса 0. Эпитаксиальное выращивание Gc^tf на сапфире.-Мацусита Оэнки санге к.к. Заявка 56−160 400, Япония, заявл. 06.05.80, Ш5−60 161.
  101. Baranov В., Dawaretz L., Gutan V.B. et al. Growth and Properties of Al^Ga^^ epitaxial layers.-Phys.Stat.Sol. (a), 1978, v.49,No.2, p.629−636.
  102. Hagen J., Metcalf R.D., Wickenden D., Clark W. Growth and Properties of Ga^Al-j^N compounds.-J.Phys.С: Solid State Phys., 1978, v.11,No.4,p.L.143-L.146.
  103. О.Л., Сидоров В. Г., Соколов Е. Б., Соловьев Ю.П. Электрофизические свойства твердых растворов GaN ain
  104. В кн: Проблемы физики и технологии пшрокозонных полупроводников. Л., 1979, с.358−363.
  105. И.Г., Царегородцев A.M. Исследование хлоридно-гидрид-ного метода получения твердых растворов Ai^Ga-,^ . Сб. тез .докл. У Всесоюзного семинара по свойствам, методу получения и области применения нитридов, т.2, Рига, 1984, с. 128.
  106. Khan М.А., Stogman К.А., Schulze R.G., Gerschenson М. Properties and ion imlantation of AlGa- N epitaxial single crystalline1. I «afilms prepared by low pressure metalorganic chemical vapour deposition. -Appl. Phys.Lett., 1983, v.83,No.5,p.492−494.
  107. Iosida S., Misawa S., Gonda S. Propertiesof Al Ga- N films pre1. A Ipared by reactive molecular beam epitaxy.-J.Appl.Phys, 1982, v.53 No.5, p.6844−6848.
  108. Rutz R.F., Ultraviolet electroluminescence in AIN.-Appl. Phys. Lett., 1976, v.28,No.7,p.379.
  109. Wang M.T., Winslow D.K., Vacuum deposition of AIN acoustic trancducers.- Appl.Phys. Lett., 1968, v.13, No.8,p.286.
  110. Van Vechten J.A. Assymetry in the displacement energy for Frenkel-pair production in semiconductors and the conversion of n-type All to p-type.-Inst.Phys.Gonf.Ser., 1977, No.31,p.441−447.
  111. Iosida S., Misawa S., Gonda S. Cathodoluminescence of impurity doped AIN-films by reactive evaporation.-Thin Solid Films, 1979, v.58,No.1,p.55.
  112. Ilegems M., Dingle R., Logan R.B. Luminescence of Zn-and Cd-doped GaN.~J.Appl. Phys., 1972, v.43,No.9,P, 4021−4028.
  113. IlegemsM., Montgomery H.G. Electrical Properties of n-type vapoi gfown Gallium Nitride.-J, Phys. Ghem. Solids, 1973, v.34,No.5,p.885−895.
  114. Pankove J.I., Duffy M.T."Miller E.A., Berkeyheiser J.E. Luminescence of insulating Be-doped and Li-doped GaN.-J.Electrochem.Soc, 1973, v.8,p.89−93.
  115. Ilegems M., Dingle R., Luminescence of Be- and big-doped GaN.-J.Appl. Phys*, 1973, v.44, p.4234−4235.
  116. С.С., Лебедев B.B. Соединения А3В5 (справочник), М., Металлургия, 1984.
  117. Furtado М. Preparation et etude du foncionement des dispositifs electroluminescent au GaNsZn.- Presented pour optenir le grade de Docteur de 3-eme cycle, A L’Universite' de Paris, 1978.
  118. Marasina L.A., Pichugin I.G., Tlaczala M. Preparation of InN Epitaxial Layers in InCl^-NH^-sysiem.- Kristall und Technik, B.12,H.6,1977, S. 541−545.
  119. Slack J.A., Mc-lNelly T.F. AIN-Single Crystals.-J.Cryst. Growth 1977, v.42, p.560.
  120. Roskovkova L., Pasternak J. The «Urbach» absorption edge in Aluminium Nitride.-Czech.J.Phys., 1980, B.30,No.5, S.586−591.
  121. Pasternak J., Roskovkova L. Optical absorption edge of A1N-single crystals.-Phys. Stat.Sol.(a), 1968, v.26,p.591.
  122. A.H. Оптические переходы в полупроводниковых твердых растворах, (обзор). ФТП, тЛ1, &3, 1977, с.425−455.
  123. Н.Ф., Чукичев М. В., Храмцов А. П. Оптические свойства нитрида галлия. Часть 1-П. Обзоры в электронной технике, серия 6, «Материалы», 1982, вып.8 (.911).
  124. Pankove J.I., Bloom S., Harbeke G. Optical Properties of GaH.-RCARev., 1975, v.36,p.163−170.
  125. MonemarB. Fundamental energy gap of Gal from photoluminescence excitation spectra.- Phys.Rev., 1974, v. В 10, p.676−678.
  126. Dingle R., Sell D.D., Stokowski S.E., Ilegems M. Absorption, Reflectance and Luminescence of GaN-epitaxial films.-Phys.Rev.В, 1971, v.4,P.1211−1218.
  127. B.A., Евстигнеев A.M., Красико A.H., Андреева А. Ф., Малахов В. Я. Оптические свойства пленок нитрида индия. В кн. «Получение ж свойства тонких пленок», Киев, ИПМ, АН УССР, 1972.
  128. Chu T.L., Ito К., Smeltzer R.K., ChuS.C. Crystal Growth and Charai terization of Gallium Mitride.-J.Electrochem. Soc., 1974, v.121, Ho.1,p.159−162.
  129. B.I. Разработка процессов получения эпитаксиальных слоев нитрида галлия. Диссертация на соискание уч.ст. канд. техн. наук, МИЭТ, 1976.
  130. В.В., Марасина I.A., Пичутин И. Г. Получение электролшинесцентных энитаксиальных слоев нитрида галлия. -Сб. тезисы докладов УТ всесоюзной конференции по электролюминесценции, Днепропетровск, 1977, с. 31.
  131. В.В., Пичутин И.Г, Царегородцев A.M. Универсальная установка для получения эпитаксиальных структур на основе нитридов металлов Ш группы.- Изв. ЛЭТИ, 1978, В.228, с.52−56.
  132. В.В., Марасина Л. А., Пичутин И. Г., Царегородцев A.M. Получение нитридов группы А^ методами газофазной эпитаксии. Сб. тезисы докл. 7 симпозиума по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок, Новосибирск, 1978, с. 49.
  133. A.C., Евмененко В. А., Михайлов Л. Н. Некоторые особенност. эпитаксии нитрида галлия. Электронная техника, сер. Полупроводниковые приборы, 1977, № 6, с.32−36.
  134. Brander R.W., Foulkner K.R., Wickenden P.K. Preparation and Propperties of Epitaxial GaN.- Conference on Crystal Growth and Epitaxy from Vapour Phase, Zurich, Switzerland, 1970, Sept.23−26.
  135. I leg ems M. Vapour Epitaxy of GatT.-J. Crystal Growth, 1972, v. 13/14, p.360−364.
  136. Hosp W. Preparation and Morphology of GaN.-Siemens AEG Proc., 1972, B.3, H.3, S.312−315.
  137. Shintani A., Minagava S. The Kinetics of Gall Crystal Growth in System Ga-HCl-NH3.- J. Crystal Growth, 1974, v.32,No.1, p.1−4.
  138. Gillesen K."Schuller K.H., Struk B. High Pressure Vapour Phase Epitaxy of Gall.- Mater. Res.Bull., 1977, v.12,Жо.10,p.955−960.
  139. Pankove J.I. Luminescence in Gail.- J. Luminescence, 1973, v.7, p.114−126.
  140. Madar R., Michel D., Jacob G., Boulou M. Growth Anisotropy in the GaN/AlgO^- System.-J.Cryst.Growth, 1977, v.40,No.2,p.239−252.
  141. Pasternak J., Roskovkova A. Epitaktisches Aufwachsen von A1N-Schichten auf SiC und Si-Einkristallen in Gasentladung.-Phys. Stat.Sol., 1965, v.9, S. K73.
  142. Manchon D.D., Barber A.S., Dean P.J., Zetterstrom R.B. Optical Studies of the Phonones and Electrons in GaN.-Solid.State Comm., 1970, v.8, No.12, p.1227−1229.
  143. Slack J.A. Nonmetallic Crystal with high thermal Conductivity.-Phys.Chem.Sol., 1973, v.34, p.321.
  144. М.Б., Кейси X. Лазеры на гетероструктурах, том 2. М., Мир, 1981.
  145. В.М., Павлова Л. М. Химическая термодинамика и фазовые равновесия. М., Металлургия, 1981.
  146. М.Б., йлегемс М. Фазовые равновесия в тройных системах Ш-У. В сб. «Материалы для оптоэлектроники», М., Мир, 1976.
  147. Hilldebrand J.H., Scott R.L. The Solubility of nonelectrolites.-3 Edition, New-York, USA, 1950.
  148. В.А. Методы практических расчетов в термодинамике химических реакций. М., йзд-во «Химия», 1975.
  149. Г69. Воздвиженский В. М. Прогноз двойных диаграмм состояния. М., Металлургия, 1975.
  150. Т.О. Электроотрщательность элементов и химическая связь. Новосибирск, Изд-во СО АН СССР, 1962.
  151. Stringfellow G.B. Calculation of ternary and quatemery 3−5-phas diagrams.- J.Cryst. Growth, 1974, v.27, p.21−34.
  152. Вол A.E. Строение и свойства двойных металлических систем, томы 1,2. М., Изд-во Физматгиз, 1962.
  153. Ban V.S. Mass-spectrometric studies of vapour-phase crystal grow GaU.- J. Electrochem. Soc, 1972, v.119, Ho.6,p.761−765.
  154. Bismukes Jtj)/im W. Vopour- deposition of semiconducting mononitrides of Scandium, yttrium and the Hare Earth Yemenis.-RCA — Review, 1910, v. 31, N 4, p 560- 691.
  155. Ю.В. Контактные явления в металлических расплавах. -Киев, «Наукова думка», 1972.
  156. Jonson R.E., Detze R.H. J.Phys. Chem., 1964, v.68, Ко.7,p.1744.
  157. Zonkes J.M., Jawyer U.M.- J.Chem. Phys., 1952, v.20, No.10,p.62.
  158. П.П. Термодинамика и кинетика кристаллизации твердых растворов Ga^n^^PyAs^y . Дисс. на соиск. учен. степ, канд. физ.-мат. наук, ЛЭТИ, 1983.
  159. Regel L.R., Nguyen Thanh Nghi. On the Influence of natural convection on mass transfer process in Gallium Phosphide crystals growth from solution.- Mat. Res. Bull., 1983, v.18,p.499−506.
  160. Й. Естественная конвекция. M., Мир, 1983.
  161. М.Г., Пелевин О. В., Сахаров Б. А. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений.
  162. М., Металлургия, 1974. 182. Ильин ЮЛ., Саенко И. В. Растворимость азота в СтаР. Изв. Ш СССР, Неорг. матер., т.16, Л 3, 1980.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!