Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Влияние легирования на электронную структуру сверхпроводящих соединений типа А15 на основе ванадия

Диссертация: Влияние легирования на электронную структуру сверхпроводящих соединений типа А15 на основе ванадия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Соединение VjSi имеет TQ= 17 К. Легирование его атомами германия приводит к резкому снижению Тс. Легирование соединения Vj Gs, (Тс= 6 К) различными элементами имеет разные следствия: переход от V2Gt, к Гз (.(at-SO не вызывает существенных изменений физических свойств, в то время как легирование этого соединения атомами алюминия или галлия приводит к резкому росту Тс и к усилению аномалий… Читать ещё >

Содержание

  • 1. ВВЕДЕНИЕ
  • 2. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СВЕРХПРОВОДНИКОВ СО СТРУКТУРОЙ
  • AI5 И РЕНТГЕНО СПЖТРАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ
    • 2. 1. Физические свойства, сверхпроводников со структурой
      • 2. 1. 1. Кристаллическая структура, AI
      • 2. 1. 2. Сверхпроводимость и свойства, металла, в нормальном состоянии. IV
      • 2. 1. 3. Магнитные свойства сверхпроводников
      • 2. 1. 4. Электронная структура сверхпроводников типа AI
    • 2. 2. Рентгеноспектральные методы исследования сверхпроводников типа AI
      • 2. 2. 1. Рентгеноспектральный метод определения зарядов на атомах
      • 2. 2. 2. Рентгеноспектральный метод оценок электронной восприимчивости соединений
      • 2. 2. 3. Рентгеноспектральный метод исследования спинового состояния переходных атомов по рентгеновским
  • К Pi?' ~ линиям
  • 3. МЕТОДИКА РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫХ ИССЛВДОВАНШ
    • 3. 1. Вакуумный двукристальный рентгеновский спектрометр
    • 3. 2. Приготовление образцов исследованных соединений и сплавов
    • 3. 3. Методика получения рентгеновских эмиссионных полос кремния и ванадия
    • 3. 4. Методика, определения энергетических сдвигов Ko (v~2. и K^i, ц — спектров кремния и ванадия в соединениях
    • 3. 5. Методика обработки VKfif' - спектров
  • 4. РЕНТГЕНОВСКИЕ СПЕКТРЫ И ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА СПЛАВОВ ТИПА AI5 НА ОСНОВЕ ВАНАДИЯ
    • 4. 1. Рентгеновские эмиссионные полосы кремния и ванадия и электронная энергетическая структура, сплавов AI
      • 4. 1. 1. Рентгеновские эмиссионные К-полосы кремния и ванадия в сплавах VblSC-GH и VilGa. G*)
      • 4. 1. 2. Электронная энергетическая структура сплавов
  • V3(s>i-Gn и V3tGa. Ge)
    • 4. 2. Энергетические сдвиги — линий кремния и ванадия и заряда на, этих атомах в сплавах AI
      • 4. 2. 1. Энергетические сдвиги — линий ванадия и кремния в сплавах V4(.Si-Ge), Mj^Ga- Gt) и VsUl-Gel
      • 4. 2. 2. Заряды на атомах кремния и ванадия в сплавах V3Csc. Ge) «и VslM-Gd
    • 4. 3. Рентгеновские эмиссионные VKj>— спектры и спиновое состояние а, томов ванадия в спла, вах AI5... SO
  • 5. ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭЛЕКТРОННОЙ ПОДСИСТЕМЫ И ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СПЛАВОВ ТИПА AI5 НА ОСНОВЕ ВАНАДИЯ
    • 5. 1. Влияние легирования на электронную восприимчивость соединений AI
    • 5. 2. Характеристики электронной подсистемы и физические свойства сплавов M^^Si- 0г)
    • 5. 3. Характеристики электронных подсистем и физические свойства, сплавов VblM- Ge.), N[j (G"-- бО и
  • V3CSUA4)

Влияние легирования на электронную структуру сверхпроводящих соединений типа А15 на основе ванадия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Сверхпроводимость — свойство многих веществ, состоящее в том, что их электрическое сопротивление скачком падает до нуля при охлаждении ниже определенной критической температуры Тс, характерной для данного материала. Наряду с нулевым сопротивлением, веществам, находящимся в сверхпроводящем состоянии, присущи уникальные свойства: идеальный диамагнетизм, эффект Джозефсона., квантование магнитного потока в сверхпроводящем кольце и другие. Эти свойства открывают широкие возможности для применения сверхпроводников в научных исследованиях и в технике. В современной технике наблюдается все возрастающая потребность в применении сильных магнитных полей в больших объемах: в установках по исследованию управляемой термоядерной реакции, в физике плазмы, в радиолокации и радиоастрономии, в магнитногидродинамических устройствах, в мощных двигателях и генераторах, в пузырьковых и искровых камерах и т. п. В этих случаях применение сверхпроводящих соленоидов и катушек является единственным экономически эффективным решением.

Однако, переход в сверхпроводящее состояние у исследованных к настоящему времени веществ происходит при очень низких температурах. Лишь некоторые сверхпроводники имеют Тс выше точки кипения водорода. Но и они могут использоваться для практических целей при более низких температурах, то есть для их использования требуется жидкий гелий. Это обстоятельство обусловливает высокую стоимость современных сверхпроводящих устройств и ограничивает возможности их применения.

Кроме того, в более высокотемпературных сверхпроводниках имеют большие значения критические магнитные поля. Вышеизложенные факты свидетельствуют об актуальности проблемы высокотемпературной сверхпроводимости и объясняют интерес широкого круга исследователей к этой проблеме.

В настоящее время ведется интенсивный поиск сверхпроводников с более высокими TQ. Речь идет о возможности управлять и изменять параметры сверхпроводимости, понимать факторы, их определяющие. Для исследований в области высокотемпературной сверхпроводимости, конечная цель которых состоит в существенном повышении Тс, было бы крайне важно иметь выражение для Тс в зависимости от факторов, характеризующих веществотаким образом можно было бы определить параметры системы, оптимальные с точки зрения повышения TQ. К сожалению, задача вывода выражения для Тс в общем случае исключительно сложна и к настоящему времени не поддается решению.

В последние 15−20 лет развита, теория сверхпроводимости, на основе которой получены полуэмпирические соотношения, связывающие Тс с параметрами электрон-фононного взаимодействия, а также эти параметры — со свойствами веществ, находящихся в нормальном (несверхпроводящем) состоянии. Как следует из этих соотношений, основную роль в формировании сверхпроводящих свойств играют характеристики электронной подсистемы кристалла (плотность электронных состояний в окрестности границы Ферми, распределение электронной плотности в прямом пространстве и другие), а также характеристики электрон-фононного взаимодействия и фононного спектра. Однако, эти характеристики взаимосвязаны, и еще не ясно, какие из них в большей степени влияют на определение TQ. Кроме того, в общем случае неизвестно, как-то или иное изменение состава или структуры соединения повлияет на эти характеристики. Поэтому важное направление в решении проблемы высокотемпературной сверхпроводимости — исследование влияния состава перспективных с этой точки зрения веществ на параметры их электронной подсистемы.

Среди известных в настоящее время сверхпроводников соединения типа AI5 являются единственными, Тс которых превышает 18 К. Именно к этому классу относятся сверхпроводники с рекордным Т&bdquo-. Наряду с высокими критическими параметрами перехода в сверхпроводящее состояние, для соединений AI5 характерно наличие аномалий и других физических свойств (магнитной восприимчивости, сдвига Найта и других). Причины этих аномалий и высоких TQ общие. Они связаны с особенностями свойств электронной подсистемы сверхпроводников. Поэтому исследование электронной структуры соединений и сплавов типа AI5 может способствовать не только выявлению влияния их состава на электронные характеристики, но и лучшему пониманию связи между сверхпроводящими параметрами и свойствами веществ в нормальном состоянии. Тройные сплавы замещения AI5 представляют интерес по двум причинам: во-первых, при легировании некоторых бинарных соединений AI5 и образовании таким образом тройных сплавов наблюдается возрастание Тсво-вторых, исследование тройных сплавов с плавноменяющейся концентрацией компонентов позволяет выявить роль последних в формировании электронной структуры сверхпроводящих соединений и сплавов типа AI5.

Важность информации о характеристиках электронной подсистемы бинарных соединений и тройных сплавов замещения типа AI5 и недостаток этой информации к настоящему времени определяют актуальность настоящей работы.

Объекты исследования. В качестве объектов исследования в работе выбраны следующие системы: VjС^-'х), V3(AI4j-k Ge*), Vi х &€X), Vj (s-^ Au x), где о? х<1 .

Соединение VjSi имеет TQ= 17 К. Легирование его атомами германия приводит к резкому снижению Тс. Легирование соединения Vj Gs, (Тс= 6 К) различными элементами имеет разные следствия: переход от V2Gt, к Гз (.(at-SO не вызывает существенных изменений физических свойств, в то время как легирование этого соединения атомами алюминия или галлия приводит к резкому росту Тс и к усилению аномалий физических свойств. Причины такого сильного отличия свойств не ясны, и заключаются они, по-видимому, в разном влиянии состава сплавов на их электронную структуру.

Соединение VjGo^ имеет относительно невысокую Тс (15 К) при аномально большом значении плотности состояний на уровне Ферми. Что касается Va/W (TQ= 2,8 К), то расчеты дают для него значение Тс в 4 раза большее экспериментального. Для этих двух соединений характерно несоответствие между теоретическими представлениями и измеренными значениями TQ. В то же время экспериментальных данных о характеристиках электронной подсистемы этих веществ крайне мало.

Вышеприведенные факты определили выбор объектов настоящего исследования.

Цель работы: выявить влияние легирования на характеристики электронной подсистемы сверхпроводящих соединений типа AI5 на основе ванадияустановить связь изменений этих характеристик, происходящих при легировании, со сверхпроводящими и магнитными свойствами исследованных сплавов.

Основные положения, выносимые на. защиту.

1. При переходе от бинарных соединений V&SI и к тройным сплавам на, их основе происходит увеличение плотности валентных d — электронов в области остовов атомов ванадия, что сопровождается возрастанием локальных спиновых моментов на этих атомах.

2. При вариациях состава, сплавов V3 LSI — Ge) наблюдается четкая корреляция между изменениями электронной восприимчивости и критической температуры TQ. Этот факт можно объяснить определяющим влиянием электронной восприимчивости на, сверхпроводящие свойства данных систем.

3. Низкая электронная восприимчивость VjGo/ является основной причиной относительно малой Тс этого соединения при аномально большом значении плотности электронных состояний на уровне Ферми.

Научная новизна. Впервые получены рентгеновские эмиссионные спектры VKp5, VKJ^J*/, VK.

Для исследования спинового состояния атомов ванадия в сверхпроводящих сплавах использована методика, основанная на анализе формы рентгеновского VKj>ty/ - спектра.

Впервые для определения зарядового состояния переходных атомов (ванадия) использовала, рентгеноспектральная методика, учитывающая релаксацию валентных электронов в поле остовной вакансии.

Обнаружена, локализация зарядовой и спиновой плотности на атомах ванадия при легировании соединения У^Ь" атомами германия и — атомами кремния.

Информация об энергетических сдвигах K<*it2 — и з, iv — линий переходных атомов (ванадия) использована для оценки изменений электронной восприимчивости 'Хе, при вариациях состава сверхпроводящих соединений и сплавов типа AI5.

Для ряда исследованных веществ обнаружена корреляция рент-геноспектральных данных о Хв, с величиной Тс и результатами калориметрических экспериментов.

Научная и практическая ценность. Результаты настоящей работы показали, что рентгеноспектральные методики могут успешно применяться для исследования зарядового и спинового состояния переходных компонентов сверхпрово, дящих сплавов, а также для исследования электронной восприимчивости этих веществ. Полученные рент-геноспектральным методом характеристики электронной подсистемы сплавов использованы для объяснения их сверхпрово, дящих и магнитных свойств.

Обнаружено ранее не рассмотренное следствие легирования соединений AI5: локализация зЛ — зарядовой плотности на атомах ванадия, в результате чего на них образуются локальные спиновые моменты.

Данные о спиновом состоянии атомов ванадия в сплавах позволили предложить объяснение аномальных температурных зависимостей магнитной восприимчивости.

Установлена взаимосвязь рентгеноспектральных данных об электронной восприимчивости со сверхпроводящими и динамическими характеристиками сплавов: Тс, фоноиными спектрами, параметром энгармонизма колебаний кристаллической решетки.

Предложено объяснение причин относительно низкой Тс соединений VjGa, и Vj /W.

Результаты и выводы настоящей работы позволяют глубже понять роль компонентов соединений и сплавов типа AI5 в формировании их физических свойств.

Результаты использованы в НИИ ядерной физики МГУ при интерпретации сверхпроводящих свойств соединений и сплавов AI5.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Столбов С. В., Кодесс Б. Н., Coy Б., Никифоров И. Я. Электронная и спиновая структуры и магнитные свойства сверхпроводящих сплавов AI5 на основе ванадия. — В кн.: Неоднородные электронные состояния: Тез.докл., Новосибирск, 1984, с.216−217.

2. Столбов С. В., Coy Б., Просавдеев С. А. Влияние легирования на зарядовое и спиновое состояние атомов ванадия в сверхпроводящих соединениях. — Тез.докл. Х1У Всесоюзного совещания по рентгеновской и электронной спектроскопии. Иркутск, 1984, с. 95.

3. Столбов С. В., Coy Б., Кодесс Б. Н. Рентгеноспектральные исследования электронной восприимчивости сверхпроводящих сплавов типа AI5. — Тез.докл. XIУ Всесоюзного совещания по рентгеновской и электронной спектроскопии. Иркутск, 1984, с. 96.

4. Столбов С. В., Coy Б., Кодесс Б. Н. Влияние легирования на электронную восприимчивость сверхпроводящих соединений AI5 на основе ванадия. — Ред.ж." Изв.высш.учеб.заведений СССР, сер. физика'.' Томск, 1984, 14с. (Рукопись деп. в ВИНИТИ 07.01.85, Дз207−85ДЕП).

5. Столбов С. В., Coy Б., Просавдеев С. А., Кодесс Б. Н. Роль непе.

V о реходных атомов в формировании электронной структуры сверхпроводящих сплавов «УзGe-). — Ред.ж. «Изв.высш.учеб.заведений СССР, сер. физика». Томск, 1984, 26с. (Рукопись деп. в ВИНИТИ.

07.01.85, JS 206−85 ДЕП).

Автором диссертации лично получены все рентгенеспектральные данные, приведенные в работепо этим данным им получена информация об электронной воспримчивости сплавов, зарядовом и спиновом состояниях их переходных компонентов. Автору принадлежат анализ полученных рентгеноспектральных данных и сопоставление найденных по ним характеристик электронной системы с физическими свойствами сплавов.

Диссертация состоит из 5 глав и выводов. Первая глава — введение. Во второй главе дан обзор литературы по физическим свойствам сверхпроводников со структурой AI5 и методом их исследования. В третьей главе изложена методика рентгеноспектрального исследования сплавов со структурой AI5. В четвертой главе приведены результаты рентгено-спектральных исследований и по ним определены некоторые характеристики электронной структуры исследуемых веществ. В пятой главе установлена связь между этими характеристиками и сверхпроводящими и магнитными свойствами исследованных соединений и сплавов типа, AI5 на основе ванадия.

6. ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. В настоящей работе получены рентгеновские эмиссионные JKy>5~, SiKy^ - полосы и VK$ 4j'-, VK*^, VK°V4. ,.

StK^^o > Si-K^iu." линии для ряда, сверхпрово, дящих соединений и сплавов типа AI5 на основе ванадия.

2. В VK. J>LJ>' - спектрах наряду с известными ранее особенностями (K^>v — линия и низкоэнергетический наплыв на расстоянии 9−15 эВ от нее) обнаружена малоинтенсивная структура на расстоянии 20−25 эВ от максимума — линииVKj>ij/ - спектр при учете этой структуры находится в лучшем согласии с результатами соответствующих ра. счетов [66] .

3. В системах Vj (.Si — Ge) и Vj (GaGe) Л — электроны непереходных компонентов разного сорта слабо взаимодействуют друг с другом.

4. Замещение атомов кремния в соединении VjSL атомами германия приводит к смещению основных максимумов р-состояний кремния в глубину валентной зоны, в то время как заметной деформации плотности состояний ванадия в окрестности энергии Ферми не на. блю-да.ется.

5. При переходе от бинарных соединений V^Si и к сплавам на. их основе наблюда. ется пространственная локализация валентных d — состояний на, атомах ванадия, в результате чего на этих атомах возникают локальные спиновые моменты. Наличие таких моментов не влияет существенно на. сверхпрово, цящие свойства.

6. Результаты настоящей работы в отличие от работ [37,38] позволяют не привлекать представления о спиновых флуктуациях для объяснения сверхпроводящих свойств соединений VjAu, и VjGa.

7. Концентрационные зависимости электронной восприимчивости Хе и Тс сплавов Vj (.St — Ge.) и Vj (, АGe.) четко коррелируют между собой, что указывает на важную роль Хе< в формировании сверхпрово, цящих свойств этих веществ.

8. Относительно невысокую Тс соединения V3G0U при большей N (.?>1 по сравнению с «ЧъЫ можно объяснить небольшой электронной восприимчивостью VjCaa .

9. Данные об электронной восприимчивости соединений и сплавов, полученные рентгеноспектральным методом, позволяют предсказывать влияние легирования на фононный спектр бинарных соединений.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Проблема высокотемпературной сверхпроводимости. Под редакц. Гинзбурга В. Л. и Киржница. Д.А. — М.: Наука, 1977, — 400 с.
  2. С.В., Изюмов Ю. А., Курмаев Э. З. Сверхпроводимость переходных металлов, их сплавов и соединений. М.: Наука, 1977. — 383 с.
  3. Ю.А., Курмаев Э. З. Физические свойства и электронное строение сверхпроводящих соединений со структурой р вольфрама. — УФН, 1974, т. ИЗ, Л 2, с.193−238.
  4. Г. Х., Шиков А. А., Кемень Т., Фогараши Б., Кодесс Б. Н. Теплоемкость Уъ^ и Nb5M и их сплавов с Ge, в об. ласти температур 100 1000 К. — М.: Институт атомной энергииим.И. В. Курчатова, 1980, препринт ИАЭ 3293/10, 12 с.
  5. .Н., Коркин И. В., Столбов С. В., Никифоров И.Я. Исследование электронной структуры сверхпрово, дящих соединений V3Ge, ,
  6. VaA со структурой AI5 и сплавов на их основе. ЖЗТФ, 1982, т.82, J* 6, с. 1924 — 1935.
  7. А.И., Кузнецова Т. И. Корреляции Тс с физическими характеристиками сверхпроводников. Физ. ин-т АН СССР. Препр., 1980, 170, 64 с.
  8. Papaconstantopoulos D.A., Boyer L.L., Klein B.M., Williams A.R., Moruzzi V.L., Jana! c J.F.Calculations of the Superconducting properties of 32 metals with Z49.-Phys.
  9. Rev.В, 1977, Т. 15, N9,P.4−221−4233.
  10. Butler W.H. Electron-phonon Coupling in the transitionmetals: Electronic aspects.-Phys.Rev.B, 1977, T.15,N11, P.5267−5282.
  11. Klein B.M., Papaconstantopoulos D.A. Electron-Phonon Interaction and Superconductivity in Transition Metals and Transition-Metal Carbides.-Phys.Rev.Lett., 1974,1. T.32,N21,P.1193−1195.
  12. Hopfield J.J. Angular momentum and Transition-Metal Superconductivity.-Phys. Rev., 1969, T. 186,112, P. 443−451.
  13. Warren E. Pickett Transferability and the electron-phonon interaction: A reinterpretation of the rigid-muff in-muf fin- tin approximation.-Phys.Rev.B, 1982, T.25, N2, P.745−754.
  14. Klein B.M., Boyer L.L., Papaconstantopoulos D.A. Superconducting Properties of A15 Compounds Derived from Band-Structure Results.-Phys.Rev.Lett., 1979, T.42,Ж8,P.530−533.
  15. Дж. Теория сверхпроводимости. М.: Мир, 1967. — 382с.
  16. Pradin F.Y., Knapp G.S., Bader S.D., Cinader G., Kimball C.W. Electron and phonon properties of A15 Compounds and Chevrel phases.- in Superconductivity ind-and f-Band Metals.-New York: Plenun Press, 1976, P.297−305.
  17. Г. Ф., Землянов М. Г., Черноплехов Н. А. Влияние примесныхатомов А1 на, фононный спектр . ФТТ, 1980, т.22,1. JS 5, c.1351 1354.
  18. Weiss L., Rumyantsev A.Y. Phonon dispersion of Cr3Si." Phy3. status solidi, 1981, B107,N2,K75-K78
  19. Batterman B. V7., Barrett C.S. Low-temperature structural transformation in V3Si.-Phys.Rev.В, 19бб, T.145,N, p.296−301
  20. Теста, рди Л., Вегер M., Гольберг И. Сверхпрово, дящие со един со структурой у> вольфрама,. — М.: Мир, 1977. — 435 с.
  21. .Н., Шехтман В. Ш. Сверхпроводимость и структура, а динений на, основе ниобия и ванадия. Письма, в ЖЭТФ, 1971 т.14,, с. 338 — 341.
  22. С.В., Изюмов Ю. А. Электронная теория переходны: металлов I. УФН, 1962, т.77, № 3, с. 377 — 448.
  23. А.А., Горьгов Л. П. К теории сверхпроводящих ешь с парамагнитными примесями. ЖЭТФ, I960, т.39, J5 6, с.17 1796.
  24. Р., Джебелл Т. Дальный порядок в твердых телах. М. Мир, 1982. — 447 с.
  25. Berk И.Р., Schrieffer J.R. Effect of ferromagnetic spin correlations on superconductivity.-Phys.Rev.Lett., 1966,1. T. 17, N8,P.433−435
  26. Blount E.I., Varma C.M.Electromagnetic Effects near the
  27. Superconductor-to-Ferromagnet Transition.-Phys.Rev. Lett., 1979, T.42,N16,P. Ю79-Ю82
  28. А.И., Бала.евский Л. Н. Магнитные сверхпроводники. -В кн.: Неоднородные электронные состояния: Тез.докл., Нов' бирск, 1984, с. 30 31.
  29. Мопсton D.E., Shirane G., Thomlinson W., Ishikawa M., Fisher ! Coexistence of Antiferromagnetism and Superconductivity:
  30. A Neutron Diffraction Study of DyM6S8.-Phys.Rev.Lett., 1978, T.41, N16, c.1133−1136
  31. М.А., Стефанович А. В. Флуктуационная теория магнитных сверхпроводников. В кн.: Неоднородные электронные состояния: Тез.докл., Новосибирск, 1984, с. 64 — 65.
  32. Rietschel Н., Winter H. Role of spin Fluctuations in the
  33. Superconductors Mb and V.-Phys.Rev.Lett., 1979, T. 43, N17, P.1256−1260
  34. Rietschel H., Winter H., Reichardt W. Strong depression of superconductivity in Ш by spin fluctuations.-Phys.Rev.B, 1980, T.22,19,P.4284−4292
  35. Riblet G. Superconductivity and spin Fluctuations in the1.-Ni, Ir-Co, and Ir-Pe Alloy systems.-Phys.Rev.B, 1971, T.3,W1,P.91−95
  36. Schrieffer J.R. Effect of Virtual Spin Waves on the properties of strongly paramagnetic metals.-J. of Appl.Phys., 1968, T.39,K2,P.642−648
  37. Orlardo T.P., Beasley M.R.Pauli limiting and the possibility of Spin fluctuations in the A15 Superconductors.-Phys.Rev.Lett., 1981, T.46,N24,P.1598−1601
  38. Jarlborg T., Junod A., Peter M. Electronic structure, superconductivity and spin fluctuations in the A15 Compounds A3B: A=V, lib-B=Ir, Pt, An.-Phys.Rev.B, 1983, T. 27, N3, P. 1 558−1567
  39. Junod A., Jarlborg T., Muller J. Heat-capacity analysis ofa large number of A15 type compounds.-Phys.Rev.B, 1983, T.27,N3,p.1568−1585
  40. Klein B.M., Boyer L.L., Papaconstantopoulos D.D., Mattheiss L.P. Self-consistent augmented-plane-wave electronic-structure calculations for the A-15 compounds Y3X and Nb3X, X=Al, Ga, Si, Ge and Sn.-Phys.Rev.B, 1978, T. 18, N12,p.6411−6438
  41. Mattheiss L.P., Weber V/. Electronic structure of cubic V3Si and Ub3Sn.-Phys.Rev.B, 1982, T.25,N4,p.2248−2269
  42. Kurmaev E.Z., Belash V.P., Uemnonov S.A., Shulakov A.S. X-ray K-spectra of chromium in Cr3X-Compounds.-Phys.Status solidi, 1974, Вб1,Ж1,p.365−371
  43. Staudenmann J.L., Coppens P., Muller J. The electron distribution in superconducting alloys: I. Analysis of V3Si at room temperature.-Solid State Commun., 1976, T.19,1. P.29−33
  44. Staudenmann J.L.The electron charge distribution in V3Si.-Solid State Commun., 1978, T.26,N8,p.461−468
  45. .Н., Бутман Л. А., Порай-Кошщ M.A. Распределение электронной плотности в стехиометрическом. Кристаллография, 1982, т.27, № 3, с. 606 — 607.
  46. Mattheiss L.F., Hamann D.R.Electronic charge density of V3Si.-Solid State Commun., 1981, T.38,H8,p.689−694
  47. Kodess B.U., Massalimov I.A. Effective charges of the valence shells on atoms of A15 chemical Compounds.-Solid State Commun1983, T.47,N7,p.545−547
  48. Lam P.K., Cohen M.L.Electronic charge density and bondingin V3Si.-Phys.Rev.B, 1981, T.23,^12,p.6371−6376
  49. Anderson P.W., Muttalib K.A., Ramakrishnan T.V.Theory of ' 1'universal** degradation of Tc in high-temperature superconductors .-Phys.Rev.B, 1983, T.28,N1,p.117−120
  50. Soukoulis C.M., Papaconstantopoulo3 D.A.Effeets of disorder on properties of A15 materials.-Phys.Rev.B, 1982, T.26,F7, p.3673−3681
  51. А.Т. Влияние химической связи на положение и интенсивность линии рентгеновских спектров соединений. Изв. АН СССР. Сер.физ., 1961, т.25, № 8, с. 986 — 991.
  52. А.Т. К определению зарядностей ионов в соединенияхэлементов третьего периода по рентгеновским эмиссионным спектрам. Изв. АН СССР. Сер.физ., 1964, т.28, & 5, с. 758 — 764.
  53. А.Т., Кривицкий В. В., Землянов А. П. Влияние симметрии окружения излучающего а, тома на положение и форму рентгеноспектральных линий. Изв. АН СССР. Сер.физ., 1972, т.36, 2, с.259 263.
  54. В.В., Шуваев А. Т. Химические сдвиги рентгеновских и мессбауэровских спектров элементов Ш, 1У и I периодов. Изв. АН СССР. Сер.физ., 1974, й.38, 3, с. 522 — 532.
  55. А., Леонхардт Г., Сарган Р. Рентгеновские спектры и химическая связь. Киев: Наукова Думка, 1981. — 419 с.
  56. Р.В., Просандеев С. А., Кривицкий В. В., Павлов А. Н. Электронная релаксация и теория химических сдвигов рентгеновских характеристических линий. Е.структ.химии, 1980, т.1,гё 4, с. 78 89.
  57. Р.В., Просандеев С. А., Павлов А. Н., Ковтун А. П. Самосогласованный ра.счет и анализ формирования химических сдвигов рентгеновских К «. 1 линий серы в молекулах ,
  58. SO2. 9. Теор. и эксперим. химия, 1980, т. 16, J& I, с. 19 25.
  59. Н.А., Машкевич О. Л. Химический сдвиг рентгеновских К-линий Ьс1 ионов. — Украинский физ.ж., 1981, т.26, 2, с. 185 — 188.
  60. В.В., Шуваев А. Т., Кондаков В. А., Та.тевосян М.М., Землянов А. П., Данюшин В. П. Влияние вакансии на внутреннем уровне на величину химического сдвига рентгеноспектральных линий. Изв. АН СССР. Сер.физ., 1976, т.40, № 2, с.284−287.
  61. A.H., Ведринский Р. В., Кривицкий В. В. Применение метода функции Грина к расчету характеристик атомов с двумя внутренними вакансияли. Изв. Вузов СССР. Физика, 1978, т.190,1. J6 3, с.102 106.
  62. Srivastava К.S., Shrivastava R.L., Kumar V., Harsh O.K.Optical effects in the K^ X-ray Emission line.-Indian J. pure and
  63. Appl.phys., 1979, T.17,N1,p.54−55
  64. Kumar V., Chetal A.R., Srivastava K.S.Low energy plasmon satellite of K1, 3 X-ray emission spectra of Co and their Compounds.-Indian J. pure and Appl.Phys., 1982, A56,N6,p.373−376
  65. Tsutsumi K. The X-ray Non-diagram Lines Kp' ofsome Compoundsof the Iron Group.-J.of the Phys.Soc.of Japan, 1959, T.14,^12, p.1696−1706
  66. В.И. Мулътиплетная структура линий переходных элементов. — Ж.структур.химии, 1964, т.5, J3 4, с.649−651.
  67. Р.Л., Нефодов В. И. Рентгено-спектральное определение заряда, атомов в молекулах. М.: Наука, 1966. — 247 с.
  68. В.И. Эффективные заряды атомов в соединениях по рентгеновским эмиссионным спектрам и эффекту Мессбауэра,. Ж.структур. химии, 1966, т.7, J.2 4, с. 549 — 555.
  69. Лемешко Г. Ф. Мулътиплетная структура рентгеновских VC^ife и
  70. Kjij1 спектров элементов с незаполненной 3d — оболочкой. — Диссертация, г. Ростов-на-Дону, 1974.
  71. В.Ф., Лемешко Г. Ф., Шуваев А. Т. Рентгеновские спектры элементов группы железа в комплексах. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1974, т.38, JS 3, с. 587 — 592.
  72. Gupta R.P., Sen s.k.Calculation of multiplet structure of core ' p-vacancy levels.-Phys.Rev.B, 1974, T.10,U1,p.71−77
  73. В.Ф., Сухоруков В. Л., Шелкович Т. В., Явна, С.А., Явна, В.А., Байрачный Ю. И. Многоконфигурационное приближениепри интерпретации рентгеновских и электронных спектров переходных элементов. Ж.структур.химии, 1979, т.20, I, с. 38 -48.
  74. М.А., Никифоров И. Я. Вакуумный двукристальный рентгеновский спектрометр. В кн.: Аппаратура и методы рентгеновского анализа, вып.10, 1972, с. 89 — 94.
  75. В.В., Алешин В. Г. Теоретические основы рентгеновской эмиссионной спектроскопии. Киев: Наукова. думка, 1974.382 с.
  76. М.А., Швейцер И. Г. Рентгеноспектральный справочник. -М.: Наука, 1982. 376 с.
  77. Э.З., Немнонов С. А., Белаш В. П., Ефимов Ю. В. Электронная структура бинарных соединений ванадия с непереходными элементами. Физ.мет. и металловед., 1972, т.33, № 3,с.578 583.
  78. Kurmaev E.Z. and Nemnonov S.A.Density of states curvefor V3Si built up from experimental X-Ray data.-Phys.Status Solidi, 1971, B43,N1,K49-K53
  79. В.В. Рентгеновская эмиссионная спектроскопия металлов и сплавов. Киев: Наукова думка, 1972. — 318 с.
  80. Столбов С.В., Coy Б., Просандеев С. А. Влияние легирования на. зарядовое и спиновое состояния атомов ванадия в сверхпроводящих соединениях. В кн.: НУ Всесоюзное совещание по рентгеновской и электронной спектроскопии: Тез.докл., Иркутск, 1984, с. 95.
  81. Р.Л., Шевченко Е. П., Куликова Ю. М., Лихтенштейн А. И. Исследование косвенного обменного взаимодействия в соединениях ванадия по рентгеновским спектрам. Докл. АН СССР, 1984, т.274, № 3, с. 562 — 566.
  82. С. Физика ферромагнетизма. Магнитные свойства вещества. М.: Мир, 1983. — 302 с.
  83. А.Г., Галаев В. Н., Ла.ухин В. Н. Влияние высоких всесторонних давлений и остаточных напряжений на сверхпроводимость сплавов системы Vj (Лц.* бе*). ЖЭТФ, 1973, т.64, № 5, с. 1724 — 1733.
  84. .Н., Суриков В. И., Загряжский В. Л., Штольц А. К., Гельд 11.В. Температура перехода в сверхпроводящее состояние
  85. J3G1e,, VjM и твердых растворов Vs6e*A|>, x и М^&е* Ga^* • Изв. АН СССР, сер.неорг.матер., 1971, т.7, & 5, с. 853 — 854.
  86. Дж. Модели беспорядка,. М.: Мир, 1982. — 591 с.
  87. .Н., Рахманов С. Я. Труды }СХ конгресса АМЕЕР, Таллин, 1978, с.425.
  88. Friedel J., Leman G., Olszewski S, On the nature of the Magnetic Couplings in Transitional Metals.-J.of Appl.Phys., 1961, T.32, N3, p.325S-330S.
  89. Jarlborg T., Arbman G. The LMTO band metod applied to V3Ga.-J.Phys. F, 1976, T.6,p.189−197.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!