Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si

Диссертация: Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В спектре ФПЭ (300 К) ГС с наноостровками GeSi/Si (001), выращенной методом СМЛЭ в среде GeHi, в спектральной области hv = 0,9 -г- 1,1 эВ меньших наблюдаются полосы, связанные с межзонными оптическими переходами в наноостровках GeSi. В отличие от ГС с наноостровками GeSi/Si (001), выращенных методом МЛЭ, в спектрах ФПЭ структур, выращенных методом СМЛЭ в среде GeH4, доминируют… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Гетероструктуры с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si: получение и свойства. Обзор литературы
    • 1. 1. Кремниевая оптоэлектроника
    • 1. 2. Рост, морфология и состав самоформирующихся наноостровков GeSi/S
    • 1. 3. Электронная структура наноостровков GeSi/S
    • 1. 4. Оптические свойства структур с наноостровками GeSi/S
    • 1. 5. Электролюминесценция p-i-n диодов с наноостровками GeSi/S
    • 1. 6. Фотоэлектрические свойства гетероструктур GeSi/S
    • 1. 7. Дислокационная фотолюминесценция и фоточувствительность Si и гетероструктур GeS
  • Глава 2. Методика эксперимента
    • 2. 1. Методика выращивания и характеризация гетероструктур GeSi/Si с самоформирующимися наноостровками
    • 2. 2. Методика исследования морфологии поверхностных наноостровков GeSi/Si методом атомно-силовой микроскопии
    • 2. 3. Методика фотоэлектрических измерений
  • Глава 3. Теория фотоЭДС на барьере полупроводник/электролит в гетероструктурах GeSi/S
    • 3. 1. Форма края спектра межзонной фоточувствительности в гетероструктурах GeSi/S
    • 3. 2. Влияние естественного разброса наноостровков GeSi/Si по размерам и/или составу на форму края спектра фоточувствительности
    • 3. 3. Эмиссия фотовозбуждённых носителей из квантовых ям и наноостровков
  • GeSi/Si .,
  • Глава 4. Экспериментальные исследованная спектров ФПЭ гетероструктур с
    • 4. 1. Зависимость спектров ФПЭ гетероструктур с наноостровками GeSi/Si от параметров структур
    • 4. 2. Дислокационная фоточувствительность гетероструктур с наноостровками GeSi/S
  • Глава 5. Фотоэлектрические свойства и электролюминесценция p-i-n диодов на основе гетероструктур GeSi/Si (001), выращенных методом СМЛЭ в среде GeH
    • 5. 1. Морфология поверхностных наноостровков GeSi/Si (001), выращенных методом СМЛЭ в среде GeH
    • 5. 2. Спектроскопия ФПЭ гетероструктур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si (001), выращенных методом СМЛЭ в среде GeH
    • 5. 3. Спектроскопия фотоЭДС и электролюминесценции р—i—п диодов с наноостровками GeSi/S

Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

диссертации.

Гетеронаноструктуры (ГНС) с наноостровками GeSi/Si, получаемыми методом самоформирования в процессе эпитаксиального роста, являлись в последние 15 лет объектами интенсивных исследований и разработок в физике и технологии полупроводников [1].

Первоначально интерес к данным ГНС был связан с перспективами создания на их основе интегральных оптоэлектронных устройств на базе традиционной кремниевой технологии (т. наз. кремниевой оптоэлектроники [2]): светодиодов, излучающих в практически важном для оптоволоконной связи диапазоне длин волн X = 1,3 н- 1,6 цм, и инжекционных лазеров [3]. В последнее время возрос интерес к фотоэлектрическим свойствам ГНС GeSi/Si в области энергий световых квантов hv, меньших ширины запрещенной зоны кремния Egsi, связанный с расширением спектрального диапазона фотоприемников на базе Si в инфракрасную (ИК) область [4]. Очевидно, что для интегральных оптоэлектронных устройств необходимы не только излучатели, но и фотоприемники. В настоящее время в качестве фотоприемников, работающих в диапазоне длин волн 1,3 ^ 1,6 цм, используются p-i-n фотодиоды на базе гетероструктур (ГС) InGaAs/InP [5]. Как и традиционные полупроводниковые лазеры на базе четверных твердых растворов InGaAsP, они плохо интегрируются в ИС схемы на базе Si.

В связи с тем, что контакт Ge/Si является гетеропереходом II рода [6], в таких структурах возможны межзонные оптические переходы с энергиями, намного меньшими ширины запрещенной зоны как Si, так и Ge. Теоретическая минимальная энергия межзонных переходов в ГС Ge/Si Е0 «0,35 эВ (300К), что соответствует длине волны излучения Х0 «3,54 цм.

Обычно для исследования энергетического спектра полупроводниковых наноструктур используются оптические методы, среди которых наиболее развита спектроскопия фотолюминесценции (ФЛ). Однако для структур GeSi/Si применение этого метода наталкивается на определенные трудности, связанные с непрямозонностью Ge и Si. Вероятность безызлучательной рекомбинации в них, как правило, много больше излучательной, поэтому для измерения ФЛ необходимы криогенные температуры, мощные лазеры, охлаждаемые фотодетекторы. Спектроскопия различных фотоэлектрических эффектов (фотопроводимости (ФП), фотоЭДС и фототока в р-п переходах и барьерах Шоттки (БШ) и пр.) имеет ряд преимуществ в области диагностики полупроводниковых квантоворазмерных гетероструктур по сравнению с методом спектроскопии ФЛ: возможность проведения исследований при комнатной температуре, отсутствие необходимости в сильном фотовозбуждении, а, кроме того, отсутствует необходимость в специальном фотодетекторе, которая в ряде случаев существенно усложняет исследования.

В отличие от спектров ФЛ, где обычно проявляются только переходы между электронными и дырочными состояниями с минимальной энергией (основными состояниями), фотоэлектрическая спектроскопия позволяет выявить все разрешенные оптические переходы — как между основными, так и возбужденными размерно-квантованными состояниями.

В настоящей диссертационной работе для исследования энергетического спектра гетероструктур GeSi/Si был использован метод спектроскопии фотоЭДС на барьере полупроводник/электролит (ФПЭ) в жидкостной электролитической ячейке. Ранее этот метод успешно применялся к гетероструктурам InGaP/GaAs с квантовыми ямами (КЯ) [7] и InAs/GaAs с квантовыми точками (КТ) [8]. Метод ФПЭ также широко применялся для спектроскопии межзонной и примесной фоточувствительности (ФЧ) однородных образцов Si и Ge [9], в частности, для определения длины диффузии неосновных носителей (т. наз. метод постоянного фотоотклика или метод Гудмэна [10]). В настоящей работе впервые применен метод спектроскопии ФПЭ для исследования ГНС GeSi/Si.

Для исследования фотоэлектрических свойств полупроводниковых ГНС обычно выращивают р—i—п структуру с КЯ (КТ и т. п.), встроенными в /-область, на основе которой изготавливают фотодиоды. Это — дорогой и сложный процесс, включающий многоступенчатую литографию, нанесение омических контактов и т. д. Менее сложен процесс изготовления БШ. Метод ФПЭ отличается своей простотой и экспрессностью: для создания БШ к структуре достаточно поместить образец в электролит.

Однако к моменту начала работы над диссертацией многие аспекты методики спектроскопии ФПЭ ГС GeSi/Si ещё не были разработаны. В отличие от ГС I типа на основе полупроводниковых соединений типа А3В5, где спектр ФПЭ непосредственно отражает энергетическое распределение плотности состояний, вследствие того, что ГС GeSi/Si относятся ко II типу, основными межзонными оптическими переходами в них являются переходы из локализованных дырочных состояний в слое GeSi в зону проводимости материала матрицы (Si). В связи с этим, спектр ФПЭ имеет полосовую структуру независимо от природы исходных состояний (трехмерные, двумерные или нульмерные). Поэтому определение природы начальных/конечных состояний оптических переходов в наноостровках GeSi/Si и положения края соответствующих им полос ФЧ нельзя провести столь же непосредственно, как в структурах на основе А3В:'.

Цели диссертационной работы:

1. Экспериментальное исследование зависимости спектров ФПЭ ГНС GeSi/Si от размеров, формы и состава островков, однородности по размерам и составу, дефектности;

2. Разработка методик анализа спектров ФПЭ ГНС GeSi/Si, идентификации в них полос ФЧ, соответствующих различным межзонным оптическим 6 переходам в островках GeSi, определения энергетического положения края полос ФЧ, связанных с этими переходами, определения типа переходов в обратном пространстве (прямые, непрямые);

3. Развитие теории ФПЭ ГНС GeSi/Si;

4. Развитие методик измерения спектров ФПЭ ГНС GeSi/Si;

5. Исследование возможности получения методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии (СМЛЭ) в среде GeHU p-i—n структур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si для кремниевой оптоэлектроники.

Научная новизна работы.

1. Метод спектроскопии ФПЭ впервые применен для исследования ГНС GeSi/Si. С помощью этого метода установлены особенности энергетического спектра и оптических переходов в островках, выращенных различными методами (молекулярно-лучевой эпитаксии, МЛЭ и СМЛЭ в среде GeHU).

2. Впервые проведён теоретический анализ формы края спектра фоточувствительности ГНС GeSi/Si, связанной с межзонным оптическим поглощением в островках GeSi/Si, включая влияние дисперсии островков по размерам и/или составу на форму спектров.

3. Впервые исследована зависимость спектров ФПЭ ГНС GeSi/Si от параметров структур: номинальной толщины осажденного слоя Ge doe, состава материала островков, их размеров и формы, в том числе в области перехода от слоевого роста к трехмерному и трансформации пирамидальных островков в куполообразные и далее — к образованию дислокаций несоответствия в ГНС с редактированными островками.

4. Впервые получены фотодиоды на основе p-i—n структур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si, выращенных методом.

СМЛЭ в среде GeH4, исследованы спектры электролюминесценции (ЭЛ) и ФЧ, связанные с межзонными оптическими переходами в островках GeSi.

Научная и практическая значимость работы.

1. Разработана методика диагностики ГНС GeSi/Si методом спектроскопии ФПЭ: определения энергий межзонных оптических переходов в островках GeSi, природы переходов (фононные, бесфононные). Указанные методики могут быть использованы для диагностики ГНС GeSi/Si (в т.ч. для экспресс диагностики) как в научно-исследовательских целях, так и в промышленном производстве.

2. Проанализирована форма края спектров ФЧ ГНС с наноостровками GeSi/Si и влияние на неё разброса островков по размерам и/или составу. Полученные результаты позволяют установить соответствие между средними значениями энергий основных межзонных переходов в островках GeSi/Si, полученными из спектров ФЧ, и спектральным положением линий ФЛ, связанных с межзонными излучательными переходами в островках.

3.Развита теория эмиссии фотовозбуждённых носителей заряда из КЯ и островков GeSi/Si, встроенных в барьер полупроводник/электролит (р—п переход, барьер Шоттки), позволяющая связать зависимость межзонной ФЧ слоёв GeSi от температуры и приложенного re барьеру напряжения с параметрами структур.

4. Показана возможность выращивания методом СМЛЭ в среде GeEU приборных структур с самоформирующимися наноостровками CeSi для светоизлучающих и фотоприёмных устройств на базе Si.

На защиту выносятся следующие положения;

1. Установлено, что полосы в области hv — 0,6 1,0 эВ (ЗООК) в спектрах фоточувствительности гетероструктур GeSi/Si (001) с номинальной толщиной Ge cIqs= 5ч-10 MC обусловлены межзонными оптическими переходами в наноостровках GeSi.

2. Показано, что спектр межзонной фоточувствительности гетероструктур GeSi/Si пропорционален спектру межзонного оптического поглощения в слоях GeSi, в отличие от фоточувствительности массивных Ge и Si.

3. Теоретически показано и экспериментально подтверждено, что форма края спектра межзонной фоточувствительности (300К) гетероструктур с наноостровками GeSi/Si описывается квадратичной зависимостью от hv, что связано с доминированием в спектрах непрямых переходов с участием фононов.

4. Установлено, что полосы с энергией края «0,85 эВ (ЗООК) в спектрах фоточувствительности гетероструктур GeSi/Si с JGe>10 МС обусловлены наличием в структурах дислокаций несоответствия, возникающих вследствие релаксации упругих напряжений в островках.

Личный вклад автора в получение результатов.

1. Основной вклад в разработку методики измерения спектров ФПЭ ГНС GeSi/Si [А2, A3, А13, А19] (совместно с М.А.Исаковым).

2. Равноценный вклад в исследование морфологии ГНС GeSi/Si с поверхностными наноостровками [А1 — А12, А19] (совместно с М. А. Исаковым, С.В.Сипровой).

3. Определяющий вклад в разработку методики анализа спектров фоточувствительности ГНС GeSi/Si [А1 — A3, А13, А19].

4. Равноценный вклад в развитие теории эмиссии фотовозбуждённых носителей из КЯ и наноостровков GeSi/Si [Аб, А19] (совместно с М.А. Исаковым).

5. Равноценный вклад в исследование спектров фоточувствительности и электролюминесценции p-i-n диодов с наноостровками GeSi [Al, А10] (совместно с С. В. Морозовым, Д.Ю.Ремизовым).

Апробация работы.

Основные положения и результаты работы докладывались на.

— Всероссийском совещании «Нанофотоника-2004» (Н.Новгород);

— Всероссийских симпозиумах «Нанофизика и наноэлектроника» (Н.Новгород) в 2005, 2006; 2007, 2008 гг.;

— VIII Российской конференции по физике полупроводников (Екатеринбург, 2007);

— III и V Межрегиональных научных школах для студентов и аспирантов (Саранск);

— IX и XII Нижегородской сессии молодых ученых,.

— VI и VIII молодежных конференциях по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике (С.-Петербург, 2004, 2006),.

— XV Российском симпозиуме по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел (РЭМ-2007) (Черноголовка);

— 15th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology» (Novosibirsk, Russia, 2007),.

— XXVI International Conference on the Physics of Semiconductors (Flagstaff, AZ, 2004), а также на семинарах Института физики микроструктур (ИФМ) РАН (Нижний Новгород), Научно-образовательного центра «Физика твердотельных наноструктур» (НОЦ ФТНС) Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского (ННГУ) и Кафедры физиики твёрдого тела и наноструктур Воронежского государственного университета.

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 19 научных работ, включая 6 статей в ведущих научных журналах и 13 публикаций в материалах.

10 х J.

Российских и международных конференций. Список работ автора по теме диссертации приведён в Приложении 1.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, 5 глав, заключения и приложения. Объем диссертации составляет 167 стр., включая 61 рисунок и 3 таблицы.

Список литературы

включает 144 наименования. В приложении приведён список работ автора по теме диссертации.

Выводы к Главе 5.

1. Установлено, что наноостровки GeSi/Si, выращенные методом СМЛЭ в среде GeHt, имеют большие размеры и большую дисперсию по размерам, чем островки, выращенные методом МЛЭ. Различие объясняется влиянием газовой атмосферы в ростовой камере, наличие которой увеличивает коэффициент поверхностной диффузии адатомов Ge, что стимулирует коалесценцию островков.

2. В спектре ФПЭ (300 К) ГС с наноостровками GeSi/Si (001), выращенной методом СМЛЭ в среде GeHi, в спектральной области hv = 0,9 -г- 1,1 эВ меньших наблюдаются полосы, связанные с межзонными оптическими переходами в наноостровках GeSi. В отличие от ГС с наноостровками GeSi/Si (001), выращенных методом МЛЭ, в спектрах ФПЭ структур, выращенных методом СМЛЭ в среде GeH4, доминируют пространственно-прямые переходы в островках GeSi, что связано с большими размерами островков. Энергии основных межзонных переходов в островках, определённые из спектров ФПЭ, согласуются с результатами расчёта зонной структуры островков, исходя из данных о составе материала островков, полученных методом РОМ.

3. В спектре ФПЭ ГС с наноостровками GeSi/Si, выращенной методом СМЛЭ в среде GeFLj, наблюдается провал при hv «Egs, связанный с переходом от малосигнального режима ФПЭ к режиму большого сигнала.

4. Исследованы спектры фоточувствиентльности меза-диодов на основе р— i—п структур на базе Si с наноостровками GeSi в /-области, выращенных методом СМЛЭ в среде GeH4. В спектре фоточувствительности диодов (300К) в диаразоне hv = 0,9 1,1 эВ наблюдаются полосы, связанные с межзонными оптическими переходами в наноостровках GeSi. Спектральное положение края полос согласуется с положением края соответствующих полос в спектрах ФПЭ гетероструктур с наноостровками GeSi, выращенных в сходных условиях, а также с расчётам энергетического спектра островков.

5. В спектрах ЭЛ p-i-n диодов с наноостровках GeSi (77К) наблюдались линии, связанные с пространственно-прямыми и непрямыми излучательными рекомбинационными переходами в островках GeSi. Спектральные положения максимумов линий соответствуют положениям края полос фоточувствительности островков в спектре фоточувствительности диода.

Заключение

.

1. Разработаны методики измерения и анализа спектров ФПЭ ГНС с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si: определения энергий и типа межзонных оптических переходов в островках, энергий фононов (в случае фононных переходов), состава материала островков.

2. Теоретически показано и экспериментально подтверждено, что форма края спектра фоточувствительности ГНС GeSi/Si, связанной с межзонным оптическим поглощением в островках, описывается квадратичной зависимостью от hv, что связано с доминированием в спектрах непрямых фононных переходов.

3. Показано, что неоднородность наноостровков GeSi/Si по размерам и/или составу приводит к отклонению спектра фоточувствительиости ГНС в спрямляющих координатах от прямой линии вблизи края. Вдали от края спектр фоточувствительности может быть аппроксимирован прямой, отсечка которой по оси hv соответствует максимуму распределения островков по энергиям межзонных переходов.

4. Развита теория эмиссии фотовозбуждённых носителей из КЯ и наноостровков GeSi/Si, встроенных в барьер Шоттки (р—п переход и т. п.), позволяющая связать зависимость межзонной фоточувствительности слоёв GeSi от температуры и приложенного к барьеру электрического напряжения с параметрами структур.

5. Установлено, что в области hv — 0,6 + 1,0 эВ (300К) в спектрах фоточувствительности ГНС GeSi/Si наблюдаются полосы, обусловленные межзонными оптическими переходами в КЯ Ge/Si (при dGe < 5 МС) и наноостровках GeSi/Si (dGe = 5 + 10 МС), а также между электронными состояниями, связанными с дислокациями несоответствия, возникшими вследствие релаксации упругих напряжений в наноостровках GeSi/Si.

6. Показана возможность выращивания методом СМЛЭ в среде GeRj приборных структур с самоформирующимися наноостровками CeSi для светоизлучающих и фотоприёмных устройств на базе Si.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Shiraki, Y. Fabrication technology of SiGe hetero-structures and their properties / Y. Shiraki, A. Sakai. // Surf. Sci. Reports 2005. — V.59, № 3−5 — P. 153−207.
  2. Silicon Photonics Eds. L. Pavesi, D.J.Lockwood / Stuttgart: Springer, 2004. -397p.
  3. , З.Ф. Оптические свойства напряжённых гетероструктур на основе Si.xGex и Sij.x.y GexCy / З. Ф. Красильник, А. В. Новиков // УФН. -2000. -Т.170, № 3. С.338−341.
  4. Rogalski, A. Infrared detectors: status and trends / A. Rogalski // Prog. Quantum Electron. 2003. — Vol. 27, № 2−3. — P.59−210.
  5. P.Capper and C.T.Elliott. Infrared Detectors and Emitters: Materials and Devices. Springer. -2000.
  6. , А.В. Квантовые точки 2 типа в системе GeSi. / А. В. Двуреченский, А. И. Якимов // ФТП. -2001. -Т.35, № 9. С. 1143−1153.
  7. Не, X. Well resolved room-temperature photovoltage spectra of GaAs-GalnP quantum wells and superlattices / X. He, M. Raseghi // Appl.Phys.Lett. 1993. -V.62, № 6-P. 618−620.
  8. Karpovich, I.A. Photoelectric spectroscopy of InAs/GaAs quantum dot structures in a semiconductor/electrolyte system / I.A. Karpovich, S.B. Levichev, S.V. Morozov et al. // Nanotechnology 2002. — V.13, № 3 — P.445−450.
  9. J.Bardeen. Semiconductor research leading to the point contact transistor. Nobel Lecture, December 11, 1956 //Nobel Lectures in Physics. World Scientific. 1995. -P. 318.
  10. Goodman, A. M. A method for the measurement of short minority carrier diffusion lengths in semiconductors / A. M. Goodman // J. Appl. Phys. 1961. — V. 32.-P. 2550.
  11. Chiang, C. Design for manufacturability and yield for Nano-Scale CMOS / C. Chiang, J. Kawa // Springer. 2006. — P. 185.
  12. Bachmann, F. High power diode lasers / F. Bachmann, P. Loosen, R. Poprawe // Springer.-2007-P.200.
  13. Foell, H. Formation and application of porous silicon / H. Foell, M. Christophersen, J. Carstensen, G. Hasse // Mat. Sci, Eng. R 39. — 2002. — P. 93.
  14. Cullis, A.G. The structural and luminescence properties of porous silicon / A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott // Appl. Phys. Lett. V. 82. — 1997. — P. 909.
  15. Bisi, O. Porous silicon: a quantum sponge structure for silicon based optoelectronics / O. Bisi, S. Ossicini, L. Pavesi // Surf. Sci. R 138. — 2000. — 1.
  16. Pavesi, L. All-porous silicon-coupled microcavities: Experiment versus theory / L. Pavesi, G. Panzarini // Phys. Rev. В. V. 58. — 1998. — P. 15 794.
  17. Desurvire, E. Erbium-Doped Fiber Amplifiers: Principles and Applications / E. Desurvire // Wiley. 1994.
  18. Priolo, F. Excitation and nonradiative deexcitation processes of Er3+ in crystalline Si / F. Priolo, G. Franzo, A. Camera // Phys. Rev. B. V.57. — 1998. — 4443.
  19. , В.Б. Электрически активные центры в светоизлучающих слоях Si:Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии / В. Б. Шмагин, Б. А. Андреев, А. В. Антонов, З. Ф. Красильник и др. // ФТП. 2002. -Т.36.-С. 178.
  20. Vinh, N.Q. Optical properties of a single type of optically active center in Si/Si:Er nanostructures / N.Q. Vinh, H. Przybylinska, Z.F. Krasil’nik, T. Gregorkiewicz // Phys. Rev. B. V.70. — 2004. — P. 115 332.
  21. Palm, J. Electroluminescence of erbium-doped silicon / J. Palm, F. Gan, B. Zheng, J. Michel, L.C. Kimerling // Phys. Rev. B. V.54. — 1996. — P. 17 603.
  22. Shimizu-Iwayama, Т. Visible photoluminescence in Si±implanted thermal oxide films on crystalline Si / T. Shimizu-Iwayama, S. Nakao, K. Saitoh // Appl. Phys. Lett. V.65. — 1994. — P. 1814.
  23. Guha, S. Characterization of Si+ ion-implanted Si02 films and silica glasses / S. Guha // J. Appl. Phys. V.84. — 1998. — P.5210.
  24. Optical properties of Si clusters and Si nanocrystallites in high-temperature annealed SiO* films / T. Inokuma, Y. Wakayama, T. Muramoto, R. Aoki, Y. Kurata, S. Hasegawa // J. Appl. Phys. V.83. 1998. — P. 2228.
  25. Nucleation and growth of nanocrystalline silicon studied by ТЕМ, XPS and ESR / K. Sato, T. Izumi, M. Iwase, Y. Show, H. Morisaki, T. Yaguchi, T. Kamino // Appl. Surf. Sci. V.216. — 2003. — P. 376.
  26. Tuning the emission wavelength of Si nanocrystals in Si02 by oxidation / M.L. Brongersma, A. Polman, K.S. Min, E. Boer, T. Tambo, H.A. Atwater // Appl. Phys. Lett. V.72. — 1998. — P. 2577.
  27. Optical gain in silicon nanocrystals / L. Pavesi, L. Dal Negro, C. Mazzoleni, G. Franzo, F. Priolo //Nature. V.408. — 2000. — P. 440.
  28. Zhuravlev, K.S. Mechanism of photo luminescence of Si nanocrystals fabricated in a Si02 matrix / K.S. Zhuravlev, A.M. Gilinsky, A.Yu. fCobitsky // Appl. Phys. Lett. -V.73. 1998. — P. 2962.
  29. О формировании нанокристаллов кремния при отжиге слоев Si02, имплантированных ионами Si / Г. А. Качурин, С. Г. Яновская, В. А. Володин, В. Г. Кеслер, А. Ф. Лейер, М.-О. Ruault // ФТП. Т.36. — 2002. — С. 685.
  30. The enhancement of luminescence in ion implanted Si quantum dots in Si02 matrix by means of dose alignment and doping / D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, S.A. Trushin, D.G. Revin, D.M. Gaponova, W. Eckstein // Nanotechnology. V. 11. -2000.-P. 295.
  31. The influence of phosphorus and hydrogen ion implantation on the photoluminescence of Si02 with Si nanoinclusions / D.I. Tetelbaum, S.A. Trushin, V.A. Burdov, A.I. Golovanov, D.G. Revin, D.M. Gaponova // Nucl. Instr. Meth. B. -Vol. 174.-2001.-P. 123.
  32. Control of photoluminescence properties of Si nanocrystals by simultaneously doping n- andp-type impurities / M. Fujii, Y. Yamaguchi, Y. Takase, K. Ninomiya, S. Hayashi 11 Appl. Phys. Lett. V. 85. — 2004. — P. 1158.
  33. Особенности фотолюминесценции в Si02 с нановкшочениями кремния, полученными методом ионной имплантации / Д. И. Тетельбаум, И. А. Карпович, М. В. Степихова, В. Г. Шенгуров, К. А. Марков, О. Н. Горшков // Поверхность. -№ 5.- 1998.-С.31.
  34. Е.И.Зорин, Е. И. Ионное легироваиие полупроводников / Е. И. Зорин, П. В. Павлов, Д. И. Тетельбаум // М.: Энергия, 1975. 375 с.
  35. Kveder, V. Recombination activity of contaminated dislocations in silicon: A model describing electron-beam-induced current contrast behavior / V. Kveder, M. Kittler, W. Schroter // Phys. Rev. B. V.63. — 2001. — P. 115 208.
  36. Optical properties of oxygen precipitates and dislocations in silicon / S. Binetti, S. Pizzini, E. Leoni, R. Somaschini, A. Castaldini, A. Cavallini / J. Appl. Phys. V.92. -2002.-P. 2437.
  37. Oxygen participation in the formation о Г the photo luminescence W center and the center’s origin in ion-implanted silicon crystals / M. Nakamura, S. Nagai, Y. Aoki, H. Naramoto // Appl. Phys. Lett. V.72. — 1998. — P. 1347.
  38. Room-temperature silicon light-emitting diodes based on dislocation luminescence / V. Kveder, M. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Seibt, W. Schroeter // Appl. Phys. Lett. V.84. — 2004. — P. 2106.
  39. Гетероэпитаксиальный рост InAs на Si: новый тип квантовых точек / Г. Э. Цырлин, В. Н. Петров, В. Г. Дубровский, Ю. Б. Самсоненко, Н. К. Поляков, А. О. Голубок, С. А. Масалов, Н. И. Комяк, В. М. Устинов, А. Ю. Егоров и др. // ФТП. -Т.33.- 1999.-С. 1066.
  40. Selective epitaxial growth of SiixGex/Si strained-layers in a tubular hot-wall low pressure chemical vapor deposition system / W.-C. Wang, J. P. Denton, G.W. Neudeck et al//J. Vac. Sci. Technol. B. 1997. — V. 15.-P. 138−141.
  41. Vescan, L. Facet investigation in selective epitaxial growth of Si and SiGe on (001) Si for optoelectronic devices / L. Vescan, K. Grimm, C. Dieker // J. Vac. Sci. Technol. B.- 1998.-V. 16.-P. 1549- 1554.
  42. Growth and characterization of self-assembled Ge-rich islands on Si / G. Abstreiter, P. Schittenhelm, C. Engel, E. Silveira, A. Zrenner, D. Meertens, W. Jager //Semicond. Sci. Technol. V. l 1. — 1996. — P. 1521.
  43. Кремний-германиевые наноструктуры с квантовыми i очками: механизмы образования и электрические свойства / О. П. Пчеляков, Ю. Б. Болховитянов, А. В. Двуреченский, JI.B. Соколов, А. И. Никифоров, А. И. Якимов, Б. Фойхтлендер // ФТП. Т.34. — 2000. — С. 1281.
  44. Ge/Si-фотодиоды и фототранзисторы со всфоенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи / А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, В. В. Кириенко, А. И. Никифоров // Ф Г Г. Т.47. — 2005. — С.37.
  45. Interlevel GeSi quantum dot infrared photodetector / A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, Yu. Yu. Proskuryakov // J. Appl. Phys. V. 89. -2001.-P. 5676.
  46. Namavar, F. Optical vvaveguiding in Si/Sij-xGex/Si heterostructures / F. Namavar, R. A. Soref// J. Appl. Phys. V. 70. — 1991. — P. 3370.
  47. Suto, K.' Semiconductor Raman Lasers / K. Suto, J. Nishizawa // Artech. 1994.
  48. Эффект Ваннье-Штарка в сверхрешетке квантовых точек Ge/Si / М. М. Соболев, Г. Э. Цырлин, А. А. Тонких, Н. Д. Захаров / ФТГ1. Т. 42. — 2008. — С. 311.
  49. Kasper, Е. SiGe alloys and heterojunctions extending the performance of Si devices / E. Kasper // Current Opinion in Solid State and Materials Science. — V. 2. -1997.-P. 48.
  50. Konig, U. Challenges for a Si/Ge heterodevice technology / U. Konig // Microelectron. Eng. V.23. — 1994. — P. 3.
  51. A silicon nanocrystals based memory / S. Tiwaiy, F. Rana, И. I-Ianafi, A. Hartstein, E. Crabbe, K. Chan // Appl.Phys.Lett. V. 68. — 1996. — P. 1377.
  52. Si/SiGe electron resonant tunneling diodes / D.J. Paul, P. See, I.V. Zozoulenko, K.-F. Berggren, B. Kabius, B. Hollander, S. Mantl // Appl. Phys. Lett. V.77. -2000.-P.1653.
  53. Xie, Y.H. SiGe field effect transistors / Y.H. Xie // Mat. Sci. Eng. R. V. 25. -1999.-P. 89.
  54. Teichert, C. Self-organization of nanostructures in semiconductor heteroepitaxy / C. Teichert // Phys. Rep. V. 365. — 2002. — P. 335.
  55. Paul, D.J. Si/SiGe heterostructures: from material and physics to devices and circuits / D.J. Paul // Semicond. Sci. Technol. V. 19. — 2004. — P.75.
  56. Goues, F.K.Le. Measurement of the activation barrier to nucleation of dislocation in thin films / F.K.Le Goues, P.M. Mooney, J. Tersoff// Phys. Rev. Lett. V. 71. -1993.-P. 396.
  57. STM study of the Ge growth mode on Si (001) substrates / M. Tomitori, K. Watanabe, M. Kobayashi, O. Nishikawa // Appl.Surf.Sci. V.76. — 1994. — P. 322.
  58. Stranski, I.N. Zur Theorie der orientierten Ausscheidung von Ionenkristallen aufeinander / I.N. Stranski, L. von Krastanow // Sitzungsberichte der. Akad. D. Wissenschaften in Wien. Mathnaturwiss, IClasse. Vol.146. — 1937. — PP.797−810.
  59. Tersoff, J. Competing relaxation mechanisms in strained layers / J. Tersoff, F.K.Le Goues // Phys. Rev. Lett. V.72. — 1994. — P. 3570.
  60. Voigtlander, B. Fundamental processes in Si/Si and Ge/Si epitaxy studied by scanning tunneling microscopy during growth / B. Voigtlander // Surf. Sci. Reports. -V. 43.-2001.-P. 127.
  61. Kastner, M. Kinetically self-limiting growth of Ge islands on Si (001) / M. Kastner, B. Voigtlander // Phys. Rev. Lett. V. 82. — 1999. — P. 2745.
  62. Однородные наноостровки Ge на Si (001) / H.B. Востоков, И. В. Долгов, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов, Л. Д. Молдавская, А. В. Новиков, В. В. Постников, Д. О. Филатов // Известия РАН: Серия физическая. Т. 63. — 2000. -С. 302−304.
  63. Ross, F.M. Transition states between pyramids and domes during Ge/Si island growth / F.M. Ross, R.M. Tromp, M.C. Reuter // Science. V.286. — 1999. — P. 1931.
  64. Krasil’nik, Z.F. The elastic strain and compositionof self-assembled GeSi islands on Si (001) / Z.F. Krasil’nik, N.V. Vostokov, S.A. Gusev et al / Thin Solid Films. -2000.-V. 367.-P. 171.
  65. Medeiros-Ribeiro, G. Shape transition of germanium nanocrystals on a silicon (001) surface from pyramids to domes / G. Medeiros-Ribeiro, A.M. Bratkovski, T.I. Kamens, D.A.A. Ohlberg, R.S. Williams // Science. 1998. — V.279. — P. 353.
  66. , H.B. Упругие напряжения и состав самоорганизующихся наноостровков GeSi на Si(001) / H.B. Востоков, С. А. Гусев, И. В. Долгов и др. // ФТП. 2000. — Т. 34. № 1.С. 8- 12.
  67. Novikov, A.V. Strain-driven alloying: effect on sizes, shape and photoluminescence of GeSi/Si (001) self-assembled islands / A.V.Novikov, B.A.Andreev, N.V.Vostokov et al. // Mat. Sci. Eng. B. 2002. — V. 89. — P. 62.
  68. Chaparro, S.A. Strain relief via trench formation in Ge/Si (100) islands / S.A. Chaparro, Y. Zhang, J. Drucker // Appl. Phys. Lett. V. 76. — 2000. — P. 3534.
  69. Tambe, D.T. On the energetic origin of self-limiting trenches formed around Ge/Si quantum dots / D.T. Tambe, V.B. Shenoy // Appl. Phys. Lett. V. 85. — 2004. -P. 1586.
  70. Sonnet, Ph. Physical origin of trench formation in Ge/Si (100) islands / Ph. Sonnet, P.C. Kelires // Appl. Phys. Lett. V. 85. — 2004. — P. 203.
  71. Strain relaxation by alloying effects in Ge islands grown on Si (001) / X.Z. Liao, J. Zou, D.J.H. Cockayne, J. Qin, Z.M. Jiang, X. Wang, R. Leon // Phys. Rev. В. V. 60. — 1999.-P. 15 605.
  72. Температурная зависимость морфологии ансамблей напокластеров в системе Ge/Si (100) / В .Г. Дубровский, В. М. Устинов, А. А. Тонких, В. А. Егоров, Г. Э. Цырлин, P. Werner // Письма в ЖТФ. Т. 29. — 2003. — С. 41.
  73. О возможностях подавления формирования dome-кластсров при молекулярно-пучковой эпитаксии Ge на Si (100) / А. А. Тонких, Г. Э. Цырлин, В. Г. Дубровский, В. М. Устинов, P. Werner // ФТП. Т. 38. — 2004. — С. 1239.
  74. Особенности фотолюминесценции Ge (Si)/Si (001) самоформирующихся островков, выращенных на напряженном SijvGev слое / Н. В. Востоков. Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский // ФТП. Т. 40. — 2006. — С. 343.
  75. Особенности формирования Ge (Si) островков на рслаксироваиных Sii ^Ge^/Si (001) буферных слоях / Н. В. Востоков, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, О .А. Кузнецов, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, М. В. Шалев // ФТП. Т. 40. — 2006. -С. 235.
  76. Эффекты электрон-электронного взаимодействия в оптических свойствах плотных массивов квантовых точек Ge/Si / А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, Н. П. Степина, А. И. Никифоров // ЖЭТФ. № 119. — 2001. — С. 574.
  77. , Ф. Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах / Ф. Бассани, Дж. Пастори Парравичини // М.: Наука, 1982. 152.
  78. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры / Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, В. А. Щукин, П. С. Копьев, Ж. И. Алферов, Д. Бимберг // ФТП. Т. 32. — 1998. — С. 385.
  79. Charged Excitons in self-assembled semiconductor quantum dots / R.J. Warbuton, C.S. D’urr, K. Karrai, J.P. Kotthaus, G. Medeiros-Ribeiro, P.M. Petroff// Phys. Rev. Lett. V. 79. — 1997. — P. 5282.
  80. Photoluminescence of charged InAs self-assembled quantum dots / К.Ы. Schmidt, G. Medeiros-Ribeiro, P.M. Petroff// Phys. Rev. В. V. 58. — 1998. — P. 3597.
  81. Suppression of phonon replica in the radiative recombination of an MBE-grown type-II Ge/Si quantum dot / S. Fukatsu, H. Sunamura, Y. Shiraki, S. Komiyama // Thin Solid Films. -V. 321. 1998. — P. 65.
  82. Effect of overgrowth temperature on the phololuminescencc of Ge/Si islands / O.G. Schmidt, U. Denker, K. Eberl, O. Kienzle, F. Ernst // Appl. Phys. Lett. V. 77. -2000.-P. 2509.
  83. Низкоэнергетическая фотолюминесценция структур с GeSi/Si (001) самоорганизующимися наноостровками / Н. В. Востоков, Ю.11. Дроздов, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский // Письма в ЖЭТФ. -Т. 76.-2002.-С. 425−435.
  84. Самоорганизующиеся наноостровки Ge в Si, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии / В. Я. Алешкин, Н. А. Бекии, Н. Г. Калугин, З. Ф. Красильник, А. В. Новиков, В. В. Постников, X. Сейрингер // Письма в ЖЭТФ. -Т. 67.- 1998.-С. 46.
  85. Schmidt, O.G. Strain and band-edge alignment in single and multiple layers of selfassembled Ge/Si and GeSi/Si islands / O.G. Schmidt, K. Eberl, Y. Rau // Phys. Rev. B.-V. 62.-2000.-P. 16 715.
  86. Schmidt, O.G. Photoluminescence study of the initial stages of island formation for Ge pyramids/domes and hut clusters on Si (001) / O.G. Schmidt, C. Lange, K. Eberl // Appl. Phys. Lett. V. 75. — 1999. — P. 1905.
  87. Ge hut cluster luminescence below bulk Ge band gap / U. Denker, M. Stoffel, O.G. Schmidt, H. Sigg // Appl. Phys. Lett. V. 82. — 2003. — P. 454.
  88. Brunner, K. Ordering and electronic properties of self-assembled Si/Ge quantum dots / K. Brunner, G. Abstreiter // Appl. Phys. V. 40. — 2001. — P. 1860.
  89. Coexistence of fast and slow luminescence in threedimensional Si/SiivGe* nanostructures / B.V. Kamenev, L. Tsybeskov, J.-M. Baribcau, D.J. Lockwood // Phys. Rev. В. V. 72. — 2005. — P. 193 306.
  90. Фотолюминесценция структур с GeSi/Si (001) самоорганизующимися наноостровками / Н. В. Востоков, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник. Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский // Известия РАН: Серия физическая. Т. 66. -2003.-С. 159.
  91. Well resolved band-edge photoluminescence of excitons confined in strained Si^Ge^ quantum wells / J.C. Storm, H. Manoharan, L.C. Lenchyshyn, M.L.W. Thewalt, N.L. Rowell, J.-P. Noel, D.C. Houghton // Phys. Rev. Lett. V. 66.- 1991. -P. 1362.
  92. High quantum efficiency photoluminescence from localized excitons in Sii-jGe*. / L.C. Lenchyshyn, M.L.W. Thewalt, J.C. Sturm, P.V. Schwartz, E.J. Prinz, N.L. Rowell, J.-P. Noel, D.C. Houghton // Appl. Phys. Lett. V. 60. — 1992. — P. 3174.
  93. Room temperature electroluminescence from Ge/Si quantum dots supcrlattice close to 1.6 mkm / V.G. Talalaev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, N.D. Zakharov, P. Werner // Phys. Stat. Sol. (a). № 1. — 2003. — P. P. 198−201.
  94. Stoffel, M. Electrolumiscence of self-assembled Ge hut clusters / M. Stoffel, U. Denlcer, O.G. Schmidt // Appl. Phys. Lett. V. 82. — 2003. — P. 3236−3240.
  95. Room-temperature light-emitting diodes with Ge islands / L. Vescan, O. Chretien, T. Stoica, E. Mateeva, A. Muck // Mat. Sci. Semicond. Processing. V. 3. -2000.-P. 383.
  96. Photoluminiscence and electroluminiscencc of SiGe dots fabricated by island growth / R. Aperz, L. Vescan, A. Hartmann, C. Dieker, H. Lilth // Appl. Phys Lett. -V. 66.- 1995.-P. 445−448.
  97. Kronik, L. Surface photovoltage phenomena: theory, experiment, and applications / L. Kronik, Y. Shapira // Surf. Sci. Reports. V. 37. — 1999. — P. 1.
  98. Фотодиоды Ge/Si со встроенными слоями квантовых точек Gc для ближней инфракрасной области (1,3 1,5 мкм) / А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, С. В. Чайковский, С. А. Тийс // ФТП. — Т. 37. — 2003. — С. 1383−1385.
  99. , А.И. Волноводные Ge/Si-фотодиоды со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических липни связи / А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, В. В. Кириенко // ФТП. 2004. — Т. 38. — С. 1265−1269.
  100. , С.А. Дислокационная фотолюминесценция в кристаллах кремния с различным примесным составом / С. А. Шевченко, A.M. Изотов // ФТП. Т. 45. — 2003. — С. 248−252.
  101. , Э.А. Модификация центров дислокационной люминесценции в кремнии под влиянием кислорода / Э. А. Штейнман // ФТП. Т. 47. — 2005. — С. 9.
  102. Schroeter, W. Interaction of point defects with dislocations in silicon and germanium / W. Schroeter, H. Cerva // Solid State Phenomena. V. 67. — 2002. -P.85−86.
  103. , В.В. Инженерия дефектов в применении к дислокациям в кремнии и ее перспективы для кремниевой оптоэлектроники и солнечной энергетики /
  104. В.В. Кведер // Материалы Всерос. сов. «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород). Т. 1. — 2006. — С. 56.
  105. Room-temperature silicon light-emitting diodes based on dislocation luminescence / V. Kveder, M. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Seibt, W. Schroeter // Appl. Phys. Lett. V. 84. — 2004. — 1 2106.
  106. Photovoltaic investigations of interband transitions in SiGe/Si multiple quantum wells / J. Wang, D. Gong, F. Lu, H. Sun // Appl. Phys. Lett. V. 66. — 1995. — P. 1782−1788.
  107. Gas source Si-MBE / H. Hirayama, M. Hiroi, K. Koyama, T. Tatsumi // J. Cryst. Growth. V. 105. — 1990. — P. 46.
  108. , JI.K. Особенности кинетики роста слоев твердого раствора кремний-германий из силана и германа при наличии в вакуумной камере дополнительного нагретого элемента / JI.K. Орлов, А. В. Потапов, С. В. Ивин // ЖТФ. Т. 70. — 2000. — С. 102.
  109. , М.Я. Влияние диффузии Si на рост, параметры и фотолюминесценцию GeSi/Si (001) самоорганизующихся наностровков / М. Я. Валах, Н. В. Востоков, С. А. Гусев и др. // Известия РАН: Серия физическая. -2002.-Т. 62.-С. 160.
  110. , М.Я. Спектроскопия комбинационного рассеяния света и электроотражение самоорганизованных SiGe-наноостровков, сформированных при различных температурах / М. Я. Валах, Р. Ю. Голиней, В. Н. Джаган и др. // ФТТ. 2005. — Т. 47. — С. 54.
  111. Диагностика поверхности с помощью сканирующей силовой микроскопии / А. А. Бухараев, Н. В. Бердунов, Д. В. Овчинников. К. М. Салихов // Микроэлектроника. Т. 26. — 1997. — С. 163−173.
  112. , В.М. Физические свойства границ по чу проводник — электролит /В.М. Арутюнян/УФН.-№ 158. 1989. — С. 255.
  113. , И.А. Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами методом спектроскопии конденсаторной фотоэдс / И. А. Карпович, Д. О. Филатов // ФТП. -Т. 30.- 1996.-С. 1745.
  114. Vasko, F.T. Electronic states and optical transitions in semiconductor heterostructures / F.T. Vasko, A.V. Kuznetsov // Springer. 1999.
  115. Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных гетероструктур GaAs/InGaAs с квантовой ямой / И. А. Карпович, В. Я. Алешкин, А. В. Антон, Т. С. Бабушкина, Б. Н. Звонков, И. Г. Малкина // ФТП. Т. 24. — 1990. — С. 2172.
  116. Chakraborty, Т. Quantum Dots / Т. Chakraborty // Elsevier. 1999. — С. 302.
  117. Surfactant effect of bismuth in the MOVPE growth of the InAs quantum dots on GaAs / B.N. Zvonkov, I.A. Karpovich, N.V. Baidus, D.O. Filatov, S.V. Morozov, Yu.Yu. Gushina // Nanotechnology. V. 11. — 2000. — P. 221.
  118. Moss, T.S. Photovoltaic and photoconductivc theory applied to InSb / T.S. Moss //J. Elect. Control.-V. 1, — 1955.-P. 126−130.
  119. , В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках / В. П. Грибковский // Минск: Наука и юхпика, 1975.-375 с.
  120. Lucovsky, G. On the photoionization of deep impurity centers in semiconductors / G. Lucovsky // Solid State Commun. V. 3. — 1965. — P. 299.
  121. Steady-state carrier escape from single quantum wells / J. Nelson, M. Paxman, K.W.J. Barnham, J.S. Roberts, C. Button // IEEE J. Quantum Electron. V. 29. 1993. -P. 1460−1465.
  122. Simmons, J.G. Generalized formula for the electric tunnel effect between similar electrodes separated by a thin insulating film / J.G. Simmons // J. Appl. Phys. V. 34. — 1963.-P. 1793.
  123. Esaki, L. New type of negative resistance in barrier tunneling / L. Esaki, P.J. Stiles //Phys. Rev. Lett. V. 16.- 1966.-P. 1108.
  124. Ballistic electron studies and modification of the Au Si interface / A. Fernandez, H.D. Hailen, T. Huang, R.A. Buhrman, J. Silcox // Appl. Phys. Lett. -V. 57. 1990. -P. 2826.
  125. Eaglesham, D.J. Dislocation-free Stranski-Krastanow growth of Gc on Si (001) / D.J. Eaglesham, M. Cerullo // Phys. Rev. Lett. V. 64. — 1990. — P. 1943.
  126. Проблемы физики поверхности полупроводников. Ред. О. В. Снитко. Киев: Наукова думка, 1981. 315 с.
  127. , В.Я. Спектры электронов и дырок и правила отбора для оптических переходов в Ge^Si./Ge / В. Я. Алешкин,. 1.А. Пекин // ФТП. — 31. — 1997.-С. 171−180.
  128. , Н.В. Исследование методом атомно-силовой микроскопии роста самоорганизующихся наноостровков Ge на Si (001) / М. В. Востоков, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов и др. // Поверхность. 2000. — № 7. — С. 12.
  129. , В.П. Электролюминесценция на длине волны 1,54 мкм в структурах Si:Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии / В. П. Кузнецов, Д. Ю. Ремизов, В. Н. Шабанов и др. // ФТП. — 2006.-Т. 40.-С. 868. '
  130. Inoue, К. Photonic crystals: physics, fabrication, and applications / K. Inoue, K. Ohtaka // Springer. 2004. — P. 202.
  131. Fahr, S. Engineering the randomness for enhanced absorption in solar cells / S. Fahr, C. Rockstuhl, F. Lederer // Appl. Phys. Lett. V. 92. — 2008. — P. 171 114.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!