Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Механизмы формирования и физико-химические свойства пленочных структур редкоземельный металл — кремний Si (III)

Диссертация: Механизмы формирования и физико-химические свойства пленочных структур редкоземельный металл — кремний Si (III)
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

К началу выполнения настоящей работы в литературе имелись сведения, в основном, об электронной и геометрической структуре границ раздела РЗМ-81 (их краткий обзор дан в первой главе). Однако для создания адекватной модели имевшихся данных было недостаточно, так как многие вопросы физики этих контактов оставались открытыми. В частности, не были ясны механизмы их формирования (в первую очередь, при… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ОБЗОР СОВРЕМЕННОГО СОСТОЯНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ В ОБЛАСТИ ФИЗИКИ ГРАНИЦ РАЗДЕЛА РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЙ МЕТАЛЛ-КРЕМНИЙ. ОСНОВНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О КИНЕТИКЕ ТЕРМОДЕСОРБЦИИ
    • 1. 1. Экспериментальные исследования формирования плёночных структур P3M-Si (l 11)
      • 1. 1. 1. Электронные свойства редкоземельных металлов
      • 1. 1. 2. Кристаллическая структура и электронные свойства поверхности Si (l 11)
      • 1. 1. 3. Плёночные структуры P3M-Si (111) при комнатной температуре
      • 1. 1. 4. Плёночные структуры P3M-Si (lll) после термической обработки
        • 1. 1. 4. 1. Двумерные реконструкции
        • 1. 1. 4. 2. Силициды РЗМ
      • 1. 1. 5. Выводы
    • 1. 2. Краткий обзор современных теоретических представлений о кинетике термодесорбции
      • 1. 2. 1. Идеальный адсорбированный слой
      • 1. 2. 2. Двумерные островки
      • 1. 2. 3. Трёхмерные кристаллиты
  • ГЛАВА 2. METO ДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Экспериментальные методы
      • 2. 1. 1. Термодесорбционная спектроскопия
      • 2. 1. 2. Изотермическая десорбционная спектроскопия
    • 2. 2. Экспериментальная установка
      • 2. 2. 1. Общая конструкция установки. Блок-схема системы откачки
      • 2. 2. 2. Образцы
      • 2. 2. 3. Испарители
      • 2. 2. 4. Ионные источники
      • 2. 2. 5. Измерение ионных токов на выходе масс-спектрометра
      • 2. 2. 6. Измерение работы выхода
      • 2. 2. 7. Определение абсолютных значений >о, V, N и
      • 2. 2. 8. Оценка коэффициента прилипания Б
      • 2. 2. 9. Регистрация частиц, испаряющихся из плёночных структур РЗМ-81(111) при их нагреве
      • 2. 2. 10. Контроль поверхностной миграции
      • 2. 2. 11. О погрешностях
  • ГЛАВА 3. МЕХАНИЗМЫ ФОРМИРОВАНИЯ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЁНОЧНЫХ СТРУКТУР Еи-81(111)
    • 3. 1. Экспериментальные результаты
      • 3. 1. 1. Дифракция медленных электронов
      • 3. 1. 2. Термодесорбционная спектроскопия
      • 3. 1. 3. Изотермическая десорбционная спектроскопия
      • 3. 1. 4. Метод контактной разности потенциалов
      • 3. 1. 5. Электронная Оже-спектроскопия
        • 3. 1. 5. 1. Форма Оже-спектров европия
        • 3. 1. 5. 2. Концентрационные зависимости интенсивности Оже-сигналов
    • 3. 2. Обсуждение результатов
      • 3. 2. 1. Плёночные структуры, сформированные при комнатной температуре
      • 3. 2. 2. Плёночные структуры, сформированные при высоких температурах
        • 3. 2. 2. 1. Адсорбционная стадия
        • 3. 2. 2. 2. Стадия силицидообразования
  • ГЛАВА 4. МЕХАНИЗМЫ ФОРМИРОВАНИЯ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЁНОЧНЫХ СТРУКТУР УЬ-81(111) 4.1. Экспериментальные результаты и их обсуждение
    • 4. 1. 1. Дифракция медленных электронов
    • 4. 1. 2. Термодесорбционная спектроскопия
    • 4. 1. 3. Изотермическая десорбционная спектроскопия
    • 4. 1. 4. Электронная Оже-спектроскопия
    • 4. 1. 5. Метод контактной разности потенциалов
  • ГЛАВА 5. МЕХАНИЗМЫ ФОРМИРОВАНИЯ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЁНОЧНЫХ СТРУКТУР Sm-Si (l 11)
    • 5. 1. Экспериментальные результаты
      • 5. 1. 1. Дифракция медленных электронов
      • 5. 1. 2. Термодесорбционная спектроскопия
      • 5. 1. 3. Изотермическая десорбционная спектроскопия
      • 5. 1. 4. Электронная Оже-спектроскопия
        • 5. 1. 4. 1. Зависимость формы Оже-спектров самария от количества его атомов, нанесённых на поверхность кремния
        • 5. 1. 4. 2. Концентрационные зависимости интенсивности Оже-пиков
      • 5. 1. 5. Метод контактной разности потенциалов
    • 5. 2. Обсуждение результатов
      • 5. 2. 1. Адсорбционная стадия
      • 5. 2. 2. Стадия силицидообразования
  • ГЛАВА 6. СРАВНЕНИЕ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПЛЁНОЧНЫХ СТРУКТУР Eu-Si (l 11), Yb-Si (l 11) и Sm-Si (lll)
    • 6. 1. Плёночные структуры, сформированные при комнатной температуре
    • 6. 2. Плёночные структуры при высоких температурах
      • 6. 2. 1. Механизм и кинетика формирования плёночных структур
      • 6. 2. 2. Адсорбционная стадия
      • 6. 2. 3. Стадия силицидообразования

Механизмы формирования и физико-химические свойства пленочных структур редкоземельный металл — кремний Si (III) (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Интерес к проблеме формирования межфазовых границ металл-полупроводник существует давно. Вызван он, прежде всего, практическими потребностями таких областей науки и техники, как микрои оптоэлектроника, технология тонких плёнок, физическая электроника, гетерогенный катализ и др. Однако систематические исследования таких структур оказались возможными только в последние десятилетия. Именно в этот период времени сравнительно доступными стали разнообразные экспериментальные методы (в том числе, методы эмиссионной электроники), разработаны способы получения атомарно-чистых, совершенных поверхностей полупроводниковых монокристаллов, существенно повысился уровень вакуумной техники. Это предопределило современный подход к изучению контактов: в настоящее время их формирование и исследование проводят in situ, в одном сверхвысоковакуумном приборе с применением, как правило, комплекса различных методов диагностики. Накопленный опыт показывает, что свойства тонкоплёночных структур закладываются на самых ранних этапах их формирования, когда на поверхности образуется плёнка субнанометровой толщины (в один или несколько моноатомных слоев). Поэтому особая роль в исследованиях отводится именно начальным стадиям роста. В процессе опытов получены сведения о механизмах роста, электронных свойствах, атомной структуре адсорбированных слоев, характере реконструкции подложки, энергиях связи, работе выхода, низкоразмерных фазовых переходах, поверхностных реакциях, взаимной диффузии и т. д.

Очевидно, что необходимость в структурах с предсказуемыми, заранее прогнозируемыми рабочими характеристиками, которые по возможности не подвергались бы деградации в течение «срока службы» контакта, растёт. С этой точки зрения изучение новых систем является весьма актуальным. Такие исследования, с одной стороны, должны обеспечить растущие практические 6 потребности, а с другой, расширить представления о природе процессов, разыгрывающихся на поверхности полупроводника при её контакте с металлом. Плёночные структуры редкоземельный металл (РЗМ)-кремний относятся к числу новых систем, перспективных для практического применения в будущем. В них возможно образование устойчивых соединений с особыми свойствами — силицидов РЗМ [1,2]. Плёнки таких соединений обладают, в частности, низкой температурой образования, высокой электрои теплопроводностью, необычным механизмом формирования [3,4]. На границе раздела силицида РЗМ с кремнием и-типа образуется барьер Шоттки, имеющий рекордно малую для систем металл-и-81 величину (0.2−0.3 эВ [57,66]). Всё это свидетельствует, что на основе структур РЗМ-кремний в будущем могут быть созданы элементы преобразователей солнечной энергии, омические контакты для сверхбольших интегральных схем, детекторы инфракрасного излучения и т. д.

К началу выполнения настоящей работы в литературе имелись сведения, в основном, об электронной и геометрической структуре границ раздела РЗМ-81 (их краткий обзор дан в первой главе). Однако для создания адекватной модели имевшихся данных было недостаточно, так как многие вопросы физики этих контактов оставались открытыми. В частности, не были ясны механизмы их формирования (в первую очередь, при высоких температурах), не была выявлена роль адсорбированной фазы в процессах силицидообразования. Полностью отсутствовала информация о кинетике взаимодействия атомов РЗМ с поверхностью кремния, их энергии связи в адсорбированных слоях и силицидах, термической стабильности, работе выхода.

В связи с этим в настоящей работе было запланировано:

1) в широком диапазоне температур и покрытий изучить механизмы формирования плёночных структур Еи-Б^! 11), УЬ-81(111) и 8т-81(111) — 7.

2) исследовать взаимодействие атомов Eu, Yb и Sm с поверхностью Si (lll) на стадии адсорбции: изучить десорбционную кинетику и определить её параметры;

3) изучить кинетику образования и разложения силицидов Eu, Yb и Sm;

4) получить данные о физико-химических свойствах плёночных систем Еи-Si (lll), Yb-Si (lll) и Sm-Si (lll): энергиях связи атомов РЗМ в адсорбированном состоянии и в силицидах, термической стабильности, работе выхода;

5) изучить характер реконструкции поверхности кремния при нанесении на неё атомов РЗМ и выяснить роль адсорбированной фазы в процессах силицидообразования;

6) провести сравнительный анализ результатов, полученных для трёх систем, и установить связь свойств контактов с электронной структурой атомов РЗМ;

Выбор подложки был обусловлен возможностью эпитаксиального роста на ней силицидов РЗМ [8]. Кроме того, в литературе для грани (111) имелся наибольший объём данных по системам РЗМ-кремний. Последнее означает, что можно было проводить сопоставление получаемых в настоящей работе результатов с данными других авторов. На выбор адсорбатов повлияло то, что атомы Eu, Yb и Sm, во-первых, полностью удаляются с поверхности Si (lll) при высокотемпературном нагреве. Это позволило, в частности, впервые исследовать термодесорбционные (ТД) спектры данных систем и определить энергию связи атомов адсорбата с кремнием. Во-вторых, эти элементы значительно различаются по степени заполнения 4£-оболочки, что в принципе может дать ценную информацию о её роли в процессах силицидообразования и формирования границ раздела. Порядок исследования систем был таков: вначале изучались контакты, образованные двухвалентными РЗМ (Ей и Yb), а затем трёхвалентным самарием.

Научная новизна работы. 1) Впервые изучены ТД спектры и спектры изотермической десорбции плёночных структур РЗМ-полупроводник. 8.

2) Впервые исследована кинетика десорбции адсорбированных атомов Ей, УЪ и 8 т с поверхности кремния и определены её параметры: порядок десорбции, энергия активации, предэкспоненциальный множитель.

3) Установлено, что 20-структуры существуют не только при комнатной, но и при высоких температурах.

4) Впервые показано, что образование 2Б-доменов и реконструкция поверхности кремния носят взаимно согласованный характер (самоорганизация системы) и являются термически активированным процессом.

5) Выявлена роль адсорбционной фазы в процессах формирования границ раздела РЗМ-кремний.

6) Впервые исследована кинетика образования и разложения силицидов Ей, УЬ и Бт и их термическая стабильность. Определена энергия активации разложения силицидов.

7) Впервые определена работа выхода систем РЗМ-81(111) в широкой области покрытий.

8) Впервые исследовано влияние температуры и степени покрытия на морфологию плёнок силицидов Ей и 8 т.

9) Обнаружена связь формы низкоэнергетической части Оже-спектра самария с валентностью его атомов.

Научная и практическая значимость. Полученные в работе данные о процессах взаимодействия атомов РЗМ с кремнием на различных стадиях формирования границы раздела необходимы для создания модели плёночных структур РЭМ-Бь Та их часть, которая касается кинетики десорбции и её параметров, важна для развития представлений о механизмах роста тонких плёнок на чужеродных подложках, структуре адслоёв, низкоразмерных фазовых переходах и гетерогенных каталитических процессах. Количественные характеристики термостабильности исследованных систем имеют большое значение для выработки практических рекомендаций по использованию структур РЗМ-81 в микрои оптоэлектронике. Двумерные реконструкции, индуцированные атомами РЗМ на поверхности 81(111), могут 9 служить прототипом упорядоченных низкоразмерных сверхструктур, образующихся при адсорбции на этой грани других металлов, инициирующих её перестройку. Изучение процессов, протекающих при образовании 2Б-доменов, играет важную роль в понимании явления самоорганизации в тонкоплёночных системах. Исследования влияния условий роста на морфологию и состав плёнок силицидов даёт важную информацию о механизмах роста тонких плёнок и гетерогенного зародышеобразования. Изучение формы Оже-спектров самария указывает на возможность применения метода электронной Оже-спектроскопии (ЭОС) в качестве индикатора валентного состояния атомов этого элемента.

Научные положения, выносимые на защиту:

1) В широкой области температур формирование плёночных структур Еи-81(111), ^Ъ—81(111) и Бш—81(111) происходит по механизму подобному механизму Странского-Крастанова: вначале на поверхности кремния формируется упорядоченная моноатомная адсорбированная плёнка редкоземельного металла, а затем на этой плёнке растут трёхмерные кристаллиты. Отличие от классического механизма Странского-Крастанова состоит в том, что ЗБ-кристаллиты образованы химическим соединением между атомами металла и кремния — силицидами РЗМ. Атомы металла доставляются в кристаллиты из газовой фазы, а атомы кремния диффундируют в них из подложки через адсорбированную плёнку.

2) Упорядоченные адсорбированные плёнки образованы 2Б-доменами, структура которых меняется дискретным образом при увеличении поверхностной концентрации атомов РЗМ. Образование доменов сопровождается согласованной с их структурой реконструкцией поверхности кремния. Термическая стабильность доменов, энергия удаления атомов РЗМ из них в вакуум и работа выхода поверхности кремния с нанесённой на неё адсорбированной плёнкой уменьшаются по мере уплотнения двумерных структур.

3) Силициды исследованных РЗМ при нагревании разлагаются. При этом атомы РЗМ испаряются с поверхности в вакуум, а атомы Si остаются на поверхности. Энергия активации разложения возрастает в ряду Yb->Eu-«Sm.

4) Форма кристаллитов силицидов зависит от температуры монокристалла кремния, при которой на его поверхность наносится редкоземельный металл. В случаях систем Eu-Si (lll) и Sm-Si (lll) при увеличении температуры возрастает отношение высоты кристаллитов к площади их основания.

5) Между формой низкоэнергетической части Оже-спектра самария и валентностью его атомов существует корреляция, которая даёт возможность с помощью метода ЭОС индицировать валентное состояние этих атомов.

Достоверность и надёжность результатов работы обеспечены проведением исследований в сверхвысоком вакууме, использованием хорошо апробированных процедур приготовления поверхностей и методов их контроля, тщательностью проработки применяемых методик, воспроизводимостью получаемых данных.

Структура и объём диссертации. Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка цитированной литературы. Она содержит 194 страницы, в том числе 125 страниц машинописного текста, 50 рисунков, 9 таблиц и список литературы, включающий 173 наименования.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1) С помощью комплекса экспериментальных методик, включающего в себя методы ТДС, ИТДС, ДМЭ, ЭОС и КРП, проведены исследования плёночных структур Ей—81(111), УЪ—81(111) и 8т-81(111), создаваемых путём осаждения плёнки редкоземельного металла на поверхность кремния. В их процессе получена информация о механизмах формирования перечисленных выше систем, кинетике адсорбции и десорбции, кинетике образования и разложения силицидов, атомной структуре, электронных и физико-химических свойствах. Отличительной особенностью этих исследований является то, что они выполнены в одной сверхвысоковакуумной установке в широкой области температур и покрытий;

2) Для указанных плёночных структур впервые изучены ТД спектры и спектры изотермической десорбции. С помощью этих спектров:

— исследована кинетика десорбции и определены её параметры на стадиях адсорбции и силицидообразованияпрослежена зависимость этих параметров от покрытия;

— установлен механизм формирования плёночных структур.

Показано, что этот механизм в широкой области температур подобному механизму Странского-Крастанова: вначале на поверхности кремния формируется упорядоченная моноатомная адсорбированная плёнка редкоземельного металла, а затем на этой плёнке растут ЗБ-кристаллиты силицидов РЗМ. Отличие от классического механизма Странского-Крастанова состоит в том, что в случае последнего кристаллиты образованы только атомами металла, наносимого на подложку, и не содержат атомов кремния, в нашем же случае кристаллиты образованы и теми, и другими.

3) Показано, что адсорбированные плёнки образованы 2Б-доменами, структура которых меняется дискретным образом при увеличении степени покрытия. Определены интервалы покрытий, в которых формируются домены определённой структуры. Установлено, что их образование сопровождается.

178 согласованной со структурой таких доменов реконструкцией поверхности кремния. Термическая стабильность 2Б-доменов и энергия удаления атомов РЗМ из них в вакуум уменьшаются по мере уплотнения двумерной структуры.

4) Впервые исследованы концентрационные зависимости работы выхода, полученные в широкой области покрытий для плёночных структур Eu-Si (lll), Yb-Si (lll) и Sm-Si (lll), сформированных в диапазоне температур 300−1140 К. Эти исследования позволили установить, что образование 2Б-доменов является термически активированным процессом. Работа выхода поверхности кремния, покрытой такими доменами, уменьшается по мере уплотнения адсорбированной плёнки. Впервые определена работа выхода для силицидов иттербия и самария.

5) Установлено, что силициды Eu, Yb и Sm при нагревании разлагаются. При этом атомы РЗМ испаряются с поверхности в вакуум, а атомы кремния остаются на поверхности. Энергия активации разложения возрастает в ряду Yb-«Eu-"Sm.

6) Показано, что рост кристаллитов силицидов Ей и Yb начинается при покрытии 0=0.5 на адсорбированном слое с максимально плотной упаковкой (структура 2×1). Кристаллиты силицида Sm начинают формироваться при 0<О.4 на более разреженном переходном адсорбированном слое с большей постоянной решётки. Структура этого слоя зависит от температуры.

7) Обнаружено, что форма кристаллитов силицидов зависит от температуры монокристалла кремния, при которой на его поверхность наносится редкоземельный металл. В случаях систем Eu-Si (lll) и Sm-Si (lll) при увеличении температуры возрастает отношение высоты кристаллитов к площади их основания. Состав плёнки силицида европия зависит от температуры, в то время как для силицида самария такой зависимости не наблюдается.

8) Установлено, что между формой низкоэнергетической части Оже-спектра самария и валентностью его атомов существует корреляция, которая даёт.

179 возможность с помощью метода ЭОС индицировать валентное состояние этих атомов.

9) Показано, что при комнатной температуре химическая активность атомов РЗМ на поверхности 81(111) возрастает в ряду Ей—>УЬ—>8т. Работа выхода плёночных структур, полученных при этой температуре, зависит от электронного состояния атомов РЗМ. Значения работы выхода трёхмерных металлических плёнок европия, иттербия и самария фактически совпадают.

10) На основании сравнительного анализа данных для трёх исследованных систем получены сведения о влиянии 41-оболочки атомов Ей, УЪ и 8ш на процессы формирования границ раздела РЗМ-81(111).

В заключении считаю своим приятным долгом выразить сердечную признательность ведущему научному сотруднику, доктору физ.-мат. наук Митцеву М. А. за предоставление интересной темы работы и руководство на всех этапах её выполнения. Хочу выразить также искреннюю благодарность старшим научным сотрудникам, кандидатам физ.-мат. наук Крачино Т. В. и Логинову М. В. за постоянное внимание к исследованиям и помощью при их проведении. Благодарю всех сотрудников лаборатории физики элементарных структур на поверхности и лаборатории физики адсорбционных-десорбционных процессов ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН за содействие, оказанное в процессе выполнения настоящей работы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Baglin J.E., d’Heurle F.M., Petersson C.S. The formation of silicides from thin films of some rare earth metals // Appl. Phys. Lett., 1980, v.36, № 7, p.594−596
  2. Netzer F.P. Rare earth overlayers on silicon // J. Phys.: Condens. Matter, 1995, v.7, p.991−1022
  3. Anderson R., Baglin J.E., Dempsey J.J., Hammer W., d’Heurle F.M., Petersson C.S. Nucleation-controlled thin-film interactions: some silicides // Appl. Phys. Lett., 1979, v.35, № 3, p.285−287
  4. Thompson R.D., Tsaur B.Y., Tu K.N. Contact reaction between Si and rare earth metals // Appl. Phys. Lett. 1981, v.38, № 3, p.535−537
  5. Tu K.N., Thompson R.D., Tsaur B.Y. Low Schottky barrier of rare-earth silicide on n-Si // Appl. Phys. Lett., 1981, v.38, № 8, p.626−628
  6. Norde H., deSousa Pires J., d’Heurle F.M., Pesavento F., Petersson C.S., Tove P.A. The Schottky-barrier height of the contacts between some rare-earth metals (and silicides) andp-type silicon // Appl. Phys. Lett., 1981, v.38, № 11, p.865−866
  7. Knapp J.A., Picraux S.T. Epitaxial growth of rare-earth silicides on (111) Si // Appl. Phys. Lett., 1986, v.48, № 7, p.46668
  8. E.M., Терехова В. Ф. Металловедение редкоземельных металлов. М: Наука, 1975, 272 с.
  9. Dimmock J.O., Freeman A.J. Band structure and magnetism of gadolinium metal // Phys. Rev. Lett., 1964, v. 13, № 25, p.750−752
  10. Freeman A.J., Dimmock J.O., Watson R.E. Fermi surface, magnetic ordering and electrical properties of rare-earth metals //Phys. Rev. Lett., 1966, v.16, № 3, p. 94−97 181
  11. Watson R.E., Freeman A.J., Dimmock J.O. Magnetic ordering and electronic properties of the heavy rare-earth metals // Phys. Rev., 1968, v.167, № 2, p.497−503
  12. И.А., Оскотский B.C. Фазовый переход полупроводник-металл в редкоземельных полупроводниках (монохалькогениды самария) // УФН, 1978, т.124,в.2, С. 241−279
  13. Д.И. Проблема переменной валентности // УФН, 1979, т. 129, в. З, С. 443−485
  14. Netzer F.P., Matthew J.A.D. Surfaces of rare earth metals // Rep. Prog. Phys., 1986, v.49, № 6, p.621−681
  15. Crecelius G., Wertheim G.K., Buchanan D.N.E. Core-hole screening in lanthanide metals // Phys. Rev. B, 1978, v. 18, № 12, p.6519−6524
  16. Wertheim G.K., Crecelius G. Divalent surface state on metallic samarium // Phys. Rev. Lett., 1978, v.40, № 12, p.813−816
  17. Ф., Эндерлайн P. Поверхности и границы раздела полупроводников. М.: Мир, 1990, 488 с.
  18. Monch W. Semiconductor surfaces and interfaces. In: Springer-Verlag Series in Surface Science, v.22, Berlin-Heidelberg, 1993, 366 p.
  19. Chadi D.J. Atomic structure of Si (lll) surfaces // Surf. Sci., 1980, v.99, №½, p.1−12
  20. Lander J.J., Gobeli G.W., Morrison J. Structural properties of cleaved silicon and germanium surfaces // J. Appl. Phys., 1963, v.34, № 8, p.2298−2306
  21. Monch W., Auer P.P. On the geometrical structure of cleaved Si (lll) surface // J. Vac. Sci. Technol., 1978, v. 15, № 4, p. 1230−1236
  22. Auer P.P., Monch W. Cleaved Si (lll) surface: geometrical and annealing behavior// Surf. Sci., 1979, v.80, p.45−51
  23. Schlier R.E., Farnsworth H.E. Structure and adsorption characteristics of clean surfaces of germanium and silicon // J. Chem. Phys., 1959, v.30, № 4, p.917−926
  24. Lander J. J., Morrison J. Low-energy electron diffraction study of silicon surface structures // J. Chem. Phys., 1962, v.37, p.729−746 182
  25. Takayanagi K., Tanishiro Y., Takahashi M., Takahashi M. Structural analysis of Si (lll)-7×7 by UHV-transmission electron diffraction and microscopy // J. Vac. Sci. Technol. A, 1985, v.3, № 4, p.1502−1506
  26. Takayanagi K., Tanishiro Y., Takahashi M., Takahashi M. Surface analysis of Si (l 11)7×7 reconstructed surface by transmission electron diffraction // Surf. Sci., 1985, v.164, p.367−392
  27. Martensson P., Cricenti A., Johansson L.S.O., Hansson G.V. Si (lll)7×7-Ge and Si (l 11)5×5-Ge surfaces studied with angle-resolved photoemission // Phys. Rev. B, 1986, v.34, № 4, p.3015−3018
  28. Nicholls J.M., Reihl B. Adatom electronic structure of the Si (l 11)7×7 surface // Phys. Rev. B, 1987, v.36, p.8071−8074
  29. Wolkow R., Avouris Ph. Atom-resolved surface chemistry using scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. Lett., 1988, v.60, № 11, p.1049−1052
  30. Hamers R.J., Tromp R.M., Demuth J.E. Electronic and geometrical structure of Si (l 11)7×7 and Si (001) surfaces // Surf. Sci., 1987, v.181, №½, p.346−355
  31. Lander J.J. Chemisorption and ordered surface structures // Surf. Sci., 1964, v. l, № 2, p. 126−164
  32. Sakamoto Y., Kanamori J. The (lxl) high temperature phase of Ge (lll) and Si (lll) // Surf. Sci., 1991, v.242,p.l 19−123
  33. Osakabe N., Yagi K., Honjo G. Reflection electron microscope observations of dislocations and surface structure phase transition on clean (111) silicon surfaces // Jpn. J. Appl. Phys., 1980, v. l9, № 6, p. L309-L312
  34. Osakabe N., Tanishiro Y., Yagi K., Honjo G. Direct observation of the phase transition between the (7×7) and (lxl) structures of clean (111) silicon surfaces // Surf. Sci., 1981, v.109, № 2, p.353−366
  35. Telieps W., Bauer E. The (7×7)(lxl) phase transition on Si (lll) // Surf. Sci., 1985, v.162, № 1−3, p.163−168 183
  36. Kohmoto S., Ichimiya A. Determination of the Si (lll)"lxl" structure at high temperature by reflection high-energy electron diffraction // Surf. Sci., 1989, v.223, № 3, p.400−412
  37. Ino S. Some new techniques in reflection high energy electron diffraction (RHEED) application to surface structure studies // Jpn. J. Appl. Phys., 1977, v. 16, № 6, p.891−908
  38. Iwasaki H., Hasegawa S., Akizuki M., Li S.-T., Nakamura S., Kanamori J. Diffuse scattering in the high-temperature (lxl) state of Si (lll) // J. Phys. Soc. Japan, 1987, v.56, № 10, p.3425−3428
  39. Rossi G. d and f metal interface formation on silicon // Surf. Sci. Rep., 1987, v.7, №½, p.1−101
  40. Rossi G., Nogami J., Lindau I., Braicovich L., del Pennino U., Nannarone S. First spectroscopic investigation of the Yb/Si interface at room temperature // J. Vac. Sci. Technol. A, 1983, v. l, № 2, p.781−784
  41. Rossi G., Chandesris D., Roubin P., Lecante J. Substrate dependent valency of Yb chemisorbed onto Si (l 11)7×7, Si (100)2xl and a-Si surfaces // Phys. Rev. B, 1986, v.33, № 4, p.2926−2929
  42. Braicovich L., Abbati I., Carbone C., Nogami J., Lindau I. Synchrotron radiation studies of the effect of thermal treatment on the Si (lll)-Yb interfaces // Surf. Sci., 1986, v.168, p. 193−203
  43. Rossi G., Nogami J., Lindau I., Yeh J.J. The Si (lll)-7×7/Eu interface investigated by means of electron spectroscopies // Surf. Sci., 1985, v.152/153, p.1249−1254
  44. А.Ю., Шикин A.M., Прудникова Г. В., Горовиков C.A., Адамчук В. К. Особенности взаимодействия европия с поверхностью Si(lll) // ФТТ, 1998, т.40, № 3, с.562−567
  45. А.Ю., Шикин A.M., Прудникова Г. В., Горовиков С. А., Адамчук В. К. Поверхностные фазы в системах Eu/Si (lll) и Sm/Si (lll) // Поверхность, 1998, № 8−9, с.146−151 184
  46. Henle W.A., Ramsey M.G., Netzer F.P., Matthew J.A.D. Formation of divalent Eu silicides at the Eu-Si (l 11) interface // Surf. Sci., 1991, v.254, p.182−190
  47. Fujimori A., Grioni M., Joyce J.J., Weaver J.H. Chemical bonding in ordered Ce overlayers on Si (lll) //Phys. Rev. B, 1987, v.36, № 2, p.1075−1079
  48. Grill L., Ramsey M.G., Matthew J.A.D., Netzer F.P. Initial stages of praseodymium growth on Si (lll): morphology and electronic structure // Surf. Sci., 1997, v.380, p.324−334
  49. Franciosi A., Weaver J.H., Perfetti P., Katnani A.D., Margaritondo G. Samarium valence changes and reactive interdiffusion at the Si (l 11)-Sm interface // Solid State Comm., 1983, v.47, № 6, p.427−430
  50. Franciosi A., Perfetti P., Katnani A.D., Weaver J.H., Margaritondo G. Samarium chemisorption on group-IV semiconductors // Phys. Rev. B, 1984, v.29, № 10, p.5611−5616
  51. Wigren C., Andersen J.N., Nyholm R., Karlsson U.O. Formation of Si silicides on Si (lll): composition and epitaxy// Surf. Sci., 1993, v.293, p.254−259
  52. Sakho O., Sacchi M., Sirotti F., Rossi G. Valency changeover in Sm layers on Si (l 11)7×7 studied with soft-x-ray-absorption spectroscopy // Phys. Rev. B, 1993, v.47, № 3, p.3797−3801
  53. Henle W.A., Netzer F.P., Cimino R., Braun W. The formation of the gadolinium-Si (l 11)7×7 interface: reactivity at room temperature // Surf. Sci., 1989, v.221, p.131−143
  54. Gokhale S., Ahmed N., Mahamuni S., Rao V.J., Nigavekar A.S., Kulkarni S.K. XPS and XRD investigations of Dy/Si interface // Surf. Sci., 1989, v.210, p.85−98
  55. Wang Y.X., Li B.Q., Xing Y.R., Hsu C.C. Electron spectroscopic studies of the Dy/Si (l 11) interface // J. Vac. Sci. Technol. A, 1989, v.7, № 4, p.2604−2608
  56. Gokhale S., Mahamuni S., Deshmukh S.V., Rao V.J., Nigavekar A.S., Kulkarni S.K. Photoemission and X-ray diffraction study of the Er/Si (l 11) interface // Surf. Sci., 1990, v.237, p.127−134 185
  57. Lollman D.B.B, Nguyen Tan T.A., Veuillen J.-Y. A photoemission study of the interdiffusion of Si in Er films deposited on Si (lll)(7×7) at room temperature // Surf. Sci., 1992, v.269/270, p.959−963
  58. Gokhale S., Mahamuni S., Joshi K., Nigavekar A.S., Kulkarni S.K. Chemical interaction at the Tm/Si (lll) interface // Surf. Sci., 1991, v.257, p.157−166
  59. Wigren C., Andersen J.N., Nyholm R., Karlsson U.O., Nogami J., Baski A.A., Quate C.F. Adsorption-site determination of ordered Yb on Si (l 11) surfaces // Phys. Rev. B, 1993, v.47, № 15, p.9663−9668
  60. Wigren C., Andersen J.N., Nyholm R., Gothelid M., Hammar M., Tornevik C., Karlsson U.O. Sm- and Yb-induced reconstructions of the Si (lll) surface // Phys. Rev. B, 1993, v.48, № 15, p. l 1014−11 019
  61. Chorkendorff I., Kofoed J., Onsgaard J. Spectroscopic and structural investigations of the Yb-Al (llO), Yb-Ni (llO) and Yb-Si (lll) interfaces as a function of temperature // Surf. Sci., 1985, v.152/153, p.749−756
  62. Ming L., Grill L., Ramsey M.G., Netzer F.P., Matthew J.A.D. Reactions of low coverages of Eu, Gd, Er and Pr on Si (lll) a search for 2D silicides // Surf. Sci., 1997, v.375, p.24−34
  63. Hofmann R., Henle W.A., Netzer F.P., Neuber M. Electronic structure of epitaxial Yb silicide // Phys. Rev B, 1992, v.46, № 7, p.3857−3863
  64. Wetzel P., Pirri C., Paki P., Peruchetti J.C., Bolmont D., Gewinner G. Experimental band structure and Fermi surface of a two-dimensional Er silicide on Si (lll) // Solid State Commun., 1992, v.82, № 4, p.235−238
  65. Manke I., Wen H.J., Hohr A., Bauer A., Dahke-Prietsch M., Kaindl G. Formation of the CeSySi (lll) interface // J. Vac. Sci. Technol. B, 1995, v.13, p.1657−1665
  66. Kubo O., Saranin A.A., Zotov A.V., Ryu J.-T., Tani H., Harada Т., Katayama M., Lifshits V.G., Oura K. Mg-induced Si (lll)-(3×2) reconstruction studied by scanning tunneling microscopy // Surf. Sci., 1998, v.415, p. L971-L975
  67. Е.И. Кристаллохимия силицидов и германидов. М.: Металлургия, 1971, 296 с.186
  68. Г. В., Дворина Л. А., Рудь Б. М. Силициды. М.: Металлургия, 1979,271 с.
  69. Hohnke D., Parthe Е. AB compounds with Sc, Y and rare earth metals. II. FeB and CrB type structures of monosilicides and germanides // Acta Crystallogr., 1966, v.20, p.572−583
  70. Koleshko V.M., Belitsky V.F., Khodin A.A. Thin films of rare-earth metal silisides in microelectronics // Vacuum, 1986, v.36, № 10, p.669−676
  71. Houssay E., Rouault A., Thomas O., Madar R., Senateur J.P. Metallurgical reinvestigation of rare earth silicides // Appl. Surf. Sei., 1989, v.38, p. 156−162
  72. V.M., Belitsky V.F., Khodin A.A. // Thin Solid Films, 1986, v.141, p.277
  73. Thompson R.D., Tu K.N. Schottky barrier of nonuniform contacts to и-type and p-type silicon // Thin Solid Films, 1982, v.93, p.265−267
  74. Lau S.S., Pai C.S., Wu C.S., Kuech T.F., Liu B.X. Surface morphology of erbium silicide // Appl. Phys. Lett., 1982, v.41, № 1, p.77−80
  75. Wu C.S., Lau S.S., Kuech T.F., Liu B.X. Surface morphology and electronic properties of ErSi2 // Thin Solid Films, 1983, v.104, p.175−178
  76. Knapp J.A., Picraux S.T., Wu C.S., Lau S.S. Erbium silicide formation using a line-source electron beam // Appl. Phys. Lett., 1984, v.44, № 8, p.747−749
  77. Knapp J.A., Picraux S.Т., Wu C.S., Lau S.S. Kinetics and morphology of erbium silicide formation // J. Appl. Phys., 1985, v.58, № 10, p.3747−3757
  78. Hsu C.C., Wang Y.X., Hu J., Ho J., Quan J.J. The effect of thermal treatment on the thin-film reaction La, Ce, and Nd on silicon surfaces // J. Vac. Sei. Technol. A, 1989, v.7, p.3016−3022
  79. Arnaud d’Avitaya F., Perio A., Oberlin J.-C., Campidelli Y., Chroboczek J.A. Fabrication and structure of epitaxial Er silicide films on (lll)Si // Appl. Phys. Lett., 1989, v.54, № 22, p.2198−2200
  80. Siegal M.P., Kaatz F.H., Graham W.R., Santiago J.J., Van der Spiegel J. Formation of epitaxial yttrium and erbium silicide on Si (lll) in ultra-high vacuum //Appl. Surf. Sei., 1989, v.38, p.162−167 187
  81. Kaatz F.H., Graham W.R., Van der Spiegel J. Modification of the microstructure in epitaxial erbium silicide // Appl. Phys. Lett., 1993, v.62, № 15, p.1748−1750
  82. Baptist R., Ferrer S., Grenet G., Poon H.C. Surface crystallography of YSi^ films epitaxially grown on Si (lll): An X-ray photoelectron diffraction study // Phys. Rev. Lett., 1990, v.64, № 3, p.311−314
  83. Veuillen J.-Y., Kennou S., Nguyen Tan T.A. Formation and electronic structure of terbium silicide epitaxially grown on Si (lll) // Solid State Commun., 1991, v.79, № 10, p.795−798
  84. Henle W.A., Ramsey M.G., Netzer F.P., Cimino R., Braun W. Thermal evolution of the Gd/Si (lll) interface: formation of epitaxial Gd silicide // Solid State Commun., 1989, v.71, № 8, p.657−660
  85. C., Andersen J.N., Nyholm R., Karlsson U.O. // J. Vac. Sei. Technol. A, 1993, v. ll, p.2665
  86. Wigren C., Andersen J.N., Nyholm R., Karlsson U.O. Growth and epitaxy of Yb silicides on Si (l 11) // J. Vac. Sei. Technol. A, 1993, v.9, № 3, p.1942−1945
  87. Veuillen J.-Y., Magaud L., Lollman D.B.B, Nguyen Tan T.A. Surface electronic structure of erbium silicide epitaxially grown on Si (lll) // Surf. Sei., 1992, v.269/270, p.964−969
  88. Saintenoy S., Wetzel P., Pirri C., Bolmont D., Gewinner G. Surface electronic structure of epitaxial (V3xV3)R30° Er silicide on Si (lll) // Surf. Sei., 1992, v.331−333, p.546−551
  89. Martin-Gago J.A., Gomez-Rodriguez J.M., Veuillen J.-Y. Surface atomic structure of epitaxially grown erbium silicide films on Si (l 11)7×7 // Phys. Rev. B, 1997, v.55, № 8, p.5136−5140
  90. Roge T.P., Palmino F., Savall C., Labrune J.C., Wetzel P., Pirri C., Gewinner G. Surface reconstruction of ErSii.7(0001) investigated by scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. B, 1995, v.51, № 16, p.10 998−11 001
  91. Hofmann R., Netzer F.P., Patchett A.J., Barrett S.D., Leibsle F.M. The growth of epitaxial Yb silicide: a study with STM // Surf. Sei., 1993, v.291, p.402−410
  92. Nguyen T.T.A., Chakraverty B.K., Cinti R. Chemisorption of indium on (111) silicon substrates // Surf. Sci., 1974, v.74, p.577−586
  93. Knall J., Barnett S.A., Sundgren J.-E., Greene J.E. Adsorption and desorption kinetics of In on Si (100) // Surf. Sci., 1989, v.209, p.314−334
  94. Oostra D.J., Smilgys R.V., Leone S.R. Spin-orbit state specific laser probing of the desorption kinetics and islanding behavior of In on Si (100) // Surf. Sci., 1990, v.226, p.226−236
  95. Tanaka S., Takagi N., Minami N., Nishijima M. Existence of two adsorbed states for K on the Si (100)(2xl) surface: A thermal desorption study // Phys. Rev B, 1990, v.42, № 3, p. 1868−1871
  96. Takagi N., Minami N., Tanaka S., Nishijima M. Promoted oxidation of the K-modified Si (100)(2xl) surface: Electron-energy-loss-spectroscopy and thermal-desorption studies // Phys. Rev B, 1991, v.44, № 23, p. 12 945−12 951
  97. Michel E.G., Pervan P., Castro G.R., Miranda R., Wandelt K. Structural and electronic properties of K/Si (100)2×1 // Phys. Rev B, 1992, v.45, № 20, p.11 811−11 822
  98. Kleine H., Eckhardt M., Jansch H.J., Fick D. Adsorption of Li on a Si (100)-2xl surface // Surf. Sci., 1995, v.323, p.51−56
  99. Derrien J., Arnaud d’Avitaya F. Adsorption of cesium on gallium arsenide (110) // Surf. Sci., 1977, v.65, p.668−686 «
  100. Boishin G., Tikhov M., Surnev L. Na-promoted oxidation of Si (lll) // Surf. Sci., 1991, v.257, p. 190−198
  101. Vlachos D., Kamaratos M., Papageorgopoulos C. Ba deposition on Si (100)2xl // Solid State Commun., 1994, v.90, № 3, p.175−181
  102. Hongo S., Ojima K., Taniguchi S., Urano T., Kanaji T. Observation of the interface of Ba/Si (100) by MDS and TDS // Appl. Surf. Sci., 1994, v.82/83, p.537 189
  103. Metois J.J., Le Lay G. Complementary data obtained on the metal-semiconductor interface by LEED, AES and SEM: Pb/Ge (lll) // Surf. Sci., 1983, v.133, p.422−442
  104. Muller P., Ranguis A., Ladeveze M., Arnaud d’Avitaya F., Treglia G. Thermodesorption mass spectrometry study of the adsorption of Sb on misoriented Si (lll) // Surf. Sci., 1998, v.417,p, 107−120
  105. Kern R., Le Lay G. L’ordre de reaction zero dans la cinetique de desorption isotherme (ITDS) des phases 2 D condensees // J. de Physique C4, 1977, t.38, № 10, p.155−163
  106. Le Lay G., Manneville M., Kern R. Cohesive energy of the two-dimensional Si (lll)-3xl-Ag and Si (lll)V3-R (30°)-Ag phases of the silver (deposit) -silicon (lll) (substrate) system // Surf. Sci., 1978, v.12, № 2/3, p.405−422
  107. Muller P., Kern R., Ranguis A., Zerwetz G. Adsorption isoterms of Ag/Si (l 11)7×7 // Europhys. Lett., 1994, v.26, № 6, p.461−466
  108. Le Lay G., Manneville M., Kern R. Isothermal desorption spectroscopy for study of 2D condensed phases // Surf. Sci., 1977, v.65, № 1, p.261−277
  109. B.H. Адсорбционно-десорбционные процессы на поверхности твёрдого тела // Поверхность, 1984, № 3, с.5−26
  110. С., Лейдлер К., Эйринг Г. Теория абсолютных скоростей реакций. Пер. с англ. М.: ИЛ, 1948, 583 с.
  111. Frenkel J. Theorie der Adsorption und verwandter Erscheinungen // Z. Phys. 1924, Bd 26. N2. s.117−138
  112. Де Бур Я. Явления адсорбции. в: Катализ. Некоторые вопросы теории и технологии органических реакций. М.: ИЛ, 1959. 367 с.
  113. Knuth E.L. Coexisting mobile and localized adsorption // J. Chem. Phys., 1978. v.69, № 11. p.5073−5076
  114. Arthur J.R., Cho A.Y. Adsorption and desorption kinetics of Cu and Au on (0001) graphite // Surf. Sci., 1973. v.36. p.641−660 190
  115. Kern R., Le Lay G., Manneville M. Basic mechanisms in the early stages of epitaxy. in: Current Topic in Materials Science, v.3, North-Holland, 1979, p.131−419
  116. Clarke L.J. Surface crystallography. An introduction to low energy electron diffraction. John Wiley & Sons, 1985, 329 p.
  117. Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Под ред. Бриггса Д. и Сиха М. П. Пер. с англ. М.: Мир, 1987, 600 с.
  118. В.Ф., Кухаренко Ю. А., Фридрихов С. А., Запорожченко В. И., Раховский В. И., Наумовец А. Г., Городецкий А. Е. Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твёрдых тел. М.: Наука, 1985, 290 с.
  119. Ertl G., Ktippers J. Low energy electrons and surface chemistry. In: Monographs in Modern Chemistry, ed. Ebel H.F., v.4, Verlag Chemie, 1974, 251 p.
  120. Методы исследования поверхности. Под ред. Зандерны А. Пер. с англ. М.: Мир, 1979, 582 с.
  121. Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. Пер. с англ. М.: Мир, 1989, 564 с.
  122. JI.H., Гомоюнова М. В. Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966, 564 с.
  123. Экспериментальные методы исследования катализа. Под ред. Р. Андерсона. Пер. с англ. М.: Мир, 1972. 480 с.
  124. . Современные методы в кинетике гетерогенных процессов. Флеш-десорбция, эмиссионная микроскопия и техника ультравысокого вакуума. // Катализ. Физико-химия гетерогенного катализа. Пер. с англ. М.: Мир, 1967, 480 с.
  125. Ageev V.N., Ionov N.I. Studies of adsorption by electron-stimulated desorption and flash-filament methods // Progr. Surf. Sci., 1975. v.5. p.1−118.
  126. Н.И., Митцев M.А. Адсорбция и конденсация серебра на вольфраме // ФТТ. 1975, т.17, № 6, с.1607−1612.191
  127. Э.Я., Ионов Н. И. Поверхностная ионизация. М.: Наука, 1969, 432 с.
  128. Cho A.Y., Hendrics C.D. Mean adsorption lifetimes and activation energies of silver and gold on clean, oxygenated and carburized tungsten surfaces // J. Appl. Phys., 1969, v.40, № 8, p.3339−3345
  129. T.B., Кузьмин M.B., Логинов M.B., Митцев М. А. Формирование межфазовой границы Eu-Si(l 11) // ФТТ, 1995, т.37, № 4, с. 1030−1039
  130. Т.В., Кузьмин М. В., Логинов М. В., Митцев М. А. Начальные стадии формирования границы раздела Yb-Si(lll) // ФТТ, 1997, т.39, № 2, с.256−263
  131. Ishizaka A., Shiraki Y. Low temperature surface cleaning of silicon and its application to silicon MBE // J. Electrochem. Soc., 1986, v.133, № 4, p.666−671
  132. Allen F.G. Emissivity at 0.65 micron of silicon and germanium at high temperatures // J. Appl. Phys., 1957, v.28, № 12, p.1510−1511
  133. K.B. Физика полупроводников. M.: Энергия, 1971, 312 с.
  134. М.В. Процессы адсорбции и конденсации металлов на поверхности вольфрама: Дисс. канд. физ.-мат. наук / ФТИ им. А. Ф. Иоффе -1981, 192 с.
  135. М.В., Митцев М. А. Исследование адсорбции самария на вольфраме методом модуляции потока // ФТТ, 1978, т.20, № 8, с.2420−2427
  136. Дж. Современная масс-спектрометрия. Пер. с англ. М.: ИЛ, 1957,415 с.
  137. McKinley J.D. Mass-spectrometric investigation of the yttrium-chlorine surface reaction // J. Chem. Phys., 1964, v.41, № 9, p.2814−2819
  138. Н.И., Митцев М. А. Термическая диссоциация молекул хлористого и йодистого натрия на поверхности вольфрама // ЖТФ, 1965, т.35, № 10, с.1863−1868
  139. М.В., Митцев М. А., Плешков В. А. Адсорбция атомов самария на грани (100) вольфрама // ФТТ, 1992, т.34, № 10, с.3125−3 136 192
  140. М.В., Митцев М. А. Концентрационные зависимости времени жизни и теплоты адсорбции атомов европия на поверхности вольфрама // ФТТ, 1980, Т.22, № 5, с.1411−1417
  141. Взаимодействие газов с поверхностями. Под ред. Баранцева Р. Г. Пер. с англ. М.: Мир, 1965, 226 с.
  142. Г. А., Брумбах С. Б. Взаимодействие молекулярных пучков с поверхностью твёрдого тела // Новое в исследовании поверхности твёрдого тела. Под ред. Джайядевайя Т. и Ванселова Р. Пер. с англ, 1977, в.2, с.164−208
  143. Т.В., Кузьмин М. В., Логинов М. В., Митцев М. А. Адсорбционная стадия формирования тонкоплёночной структуры Eu-Si(lll) // ФТТ, 2000, т.42, № 3 (в печати)
  144. Дж.П., Моазед КЛ. Образование зародышей при кристаллизации тонких плёнок. В кн.: Физика тонких пленок. Под ред. Хааса Г. и Туна Р. Э. Пер. с англ. М: Мир, 1970, т.4, с. 123−166
  145. Fedorus A.G., Naumovets A.G. On the effect of order-disorder phase transition in adsorbed films on work function // Surf. Sci., 1980, v.93, № 3, p. L98-L100
  146. Riviere J.C., Netzer F.P., Rosina G., Strasser G., Matthew J.A.D. The 4d Auger, Coster-Kronig and recombination spectra of the lanthanides // J. Electr. Spectr. Phenom., 1985, v.36, p.331−375
  147. Hocking W.H., Matthew J.A.D. Electron spectroscopy of europium // J. Phys.: Condens. Matter, 1990, v.2, p.3643−3658
  148. Stenborg A., Bauer E. The adsorption of Sm on a Mo (l 10) surface // Surf. Sci., 1987, v.185, p.394−412
  149. Kolaczkievicz J., Bauer E. Eu and Tb on W (211) // Surf. Sci., 1985, v.154, № 2/3, p.357−370 193
  150. Kolaczkievicz J., Bauer E. The adsorption of Eu, Gd and Tb on the W (100) surface // Surf. Sci., 1986, v.175, № 3, p.487−507
  151. Bauer E., Poppa H., Todd G., Bonczek F. Adsorption and condensation of Cu on W single-crystal surface // J. Appl. Phys., 1974, v.45, № 12, p.5164−5175
  152. Bauer E., Poppa H., Todd G., Davis P.R. The adsorption and early stages of condensation of Ag and Au on W single-crystal surface // J. Appl. Phys., 1977, v.48, № 9, p.3773−3787
  153. Ю.С., Гончар B.B., Наумовец А. Г., Федорус А. Г. Влияние электронной структуры подложки на свойства металлоплёночных систем // ФТТ, 1977, т.19, № 9, с.1569−1576
  154. Hirth J., Pound G. Evaporation of metal crystals // J. Chem. Phys., 1957, v.26, № 5, c.1216−1224
  155. Стрикленд-Констэбл Р. Ф. Кинетика и механизм кристаллизации. Недра, Л., 1971,412 с.
  156. М.В., Логинов М. В., Митцев М. А. Особенности взаимодействия атомов Yb с гранью Si(l 11)7×7 // Письма в ЖТФ, 1995, т.21, № 19, с.73−76
  157. Т.В., Кузьмин М. В., Логинов М. В., Митцев М. А. Начальные стадии формирования границы раздела Yb-Si(lll) // ФТТ, 1997, т.39, № 2, с.256−263
  158. Т.В., Кузьмин М. В., Логинов М. В., Митцев М. А. Термически активированные процессы перестройки в тонкоплёночных структурах Yb-Si(lll) // ФТТ, 1997, т.39, № 9, с. 1672−1678
  159. Т.В., Кузьмин М. В., Логинов М. В., Митцев М. А. Фазовые переходы в плёночных структурах Yb/Si (lll) и Sm/Si (lll) // Неорганические материалы, 1999, т.35, № 6, с.650−653
  160. Krachino T.V., Kuz’min M.V., Loginov M.V., Mittsev М.А. Yb and Sm adsorption and silicide formation on Si (l 11) surface // Phys. Low-Dim. Struct., 1999, № 9/10, p.95−106
  161. Krachino T.V., Kuz’min M.V., Loginov M.V., Mittsev M.A. Two stages of Yb interaction with Si (lll) surfaces: adsorption and silicide formation // 4th Nordic194
  162. Conference on Surface Science, Alesund, Norway, Book of Extended Abstracts, 1997, p.83−84
  163. Krachino T.V., Kuz’min M.V., Loginov M.V., Mittsev M.A. Thermal-activated evolution of Yb-Si (lll) interface // 4th Nordic Conference on Surface Science, Alesund, Norway, Book of Extended Abstracts, 1997, p. 85−86
  164. Pulmberg P.W., Rhodin T.N. Auger electron spectroscopy of fee metal surfaces // J. Appl. Phys., 1968, v.39, № 5, p.2425−2430
  165. Charig J.M., Skinner D.K. Auger electron spectroscopy of nickel deposits on the silicon (111) surface // Surf. Sci., 1970, v.19, № 2, p.283−290
  166. Y., Yagi K., Narusava Т., Honjo G. // Japan J. Appl. Phys. Suppl. 2PtJ, 1974, p.567
  167. Stenborg A., Bauer E. Two-dimensional Yb on a Mo (110) surface // Phys. Rev. B, 1987, v.36, № 11, p.5840−5847
  168. T.B., Кузьмин M.B., Логинов M.B., Митцев M.A. Начальные стадии формирования границы раздела Sm-Si(lll) // ФТТ, 1998, т.40, № 2, с.371−378
  169. Т.В., Кузьмин М. В., Логинов М. В., Митцев М. А. Влияние температуры и степени покрытия на взаимодействие самария с поверхностью кремния Si(lll) // ФТТ, 1998, т.40, № 10, с. 1937−1944
  170. Netzer F.P., Bertel Е., Matthew J.A.D. The Auger and autoionization spectra of clean and oxidised samarium and erbium // J. Phys. C: Solid St. Phys., 1981, v.14, p.1891−1902
  171. C.E., Логинов M.B., Мамро H.B., Митцев М. А. Электронное состояние атомов самария, адсорбированных на грани (100) вольфрама // Письма в ЖТФ, 1987, т.13, № 16, с.1013−1016
  172. Н.Н., Устинов В. М., Щукин В. А., Копьёв П. С., Алфёров Ж. И., Бимберг Д. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры // ФТП, 1998, т.32, № 4, с.385−410
Заполнить форму текущей работой

На отлично!