Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Эффекты инфракрасного гашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости в фосфидах галлия и индия, легированных медью

Диссертация: Эффекты инфракрасного гашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости в фосфидах галлия и индия, легированных медью
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Комплекс исследований фотопроводимости, выполненный в последнее время, позволил сформулировать представления о бистабильности узельного состояния меди в фосфидах индия и галлия когда примесный атом, находящийся в одном и том же зарядовом состоянии, может изменять свою координацию. Предлагаемая модель способна объяснить ряд электрических и фотоэлектрических свойств легированных материалов, но она… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ПРИМЕСНЫЕ УРОВНИ, СОЗДАВАЕМЫЕ МЕДЬЮ И ХРОМОМ В GaP, InP и GaAs
    • 1. 1. Энергетический спектр и фотоэлектрические свойства примеси меди в фосфиде галлия
    • 1. 2. Примесные состояния меди в фосфиде индия и арсениде галлия
    • 1. 3. Примесные состояния хрома в фосфиде и арсениде галлия
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Методика приготовления и получения образцов
    • 2. 2. Измерение фотопроводимости исследуемых материалов при комбинированном возбуждении
    • 2. 3. Обработка экспериментальных данных
  • ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТОВ ИНФРАКРАСНОГО ГАШЕНИЯ И СЕНСИБИЛИЗАЦИИ СОБСТВЕННОЙ ФОТОПРОВОДИМОСТИ В ФОСФИДЕ ГАЛЛИЯ, ЛЕГИРОВАННОМ МЕДЬЮ
    • 3. 1. Спектр собственной фотопроводимости GaP с дополнительным возбуждением в области низких энергий квантов
    • 3. 2. Спектры собственной фотопроводимости GaP с дополнительным возбуждением в области низких энергий квантов при разделении носителей заряда электрическим полем
    • 3. 3. Спектр собственной фотопроводимости GaP с дополнительным возбуждением в области энергий квантов собственных переходов

Эффекты инфракрасного гашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости в фосфидах галлия и индия, легированных медью (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Явление фотопроводимости (ФП) лежит в основе создания большого спектра приемников излучения, перекрывающих диапазон от дальней ИКдо УФ — областей. Технология изготовления оптоэлек-тронных приборов непрерывно совершенствуется, расширяется ряд используемых полупроводниковых материалов. При этом оказывается, что изготовление фоторезисторов с большими значениями коэффициента усиления на основе сульфида цинка и фосфида галлия сопряжено с использованием одной и той же примеси — сенсибилизатора собственной фотопроводимости (СФП). Такой примесью оказывается медь. Большое число экспериментальных работ посвящено изучению поведения этой примеси, но до сих пор отсутствует единое мнение о физической природе причин сенсибилизации собственной фотопроводимости медью, практически не известна ее роль в процессах рекомбинации.

Имеющиеся представления о характере взаимодействия примесных атомов меди с полупроводниковой матрицей весьма приблизительны. Это определяется полным отсутствием данных измерений ЭПР или ЯМР, которые обычно дают ответ о характере локализации в решетке примесных атомов переходных металлов. Способность меди легко диффундировать в полупроводниковых материалах определила представление о междоузельном размещении атомов в решетке, однако, установленный акцепторный характер поведения примеси и величина ее предельной растворимости привели к выводу о двойственном «диссоциативном» поведении меди.

Комплекс исследований фотопроводимости, выполненный в последнее время, позволил сформулировать представления о бистабильности узельного состояния меди в фосфидах индия и галлия когда примесный атом, находящийся в одном и том же зарядовом состоянии, может изменять свою координацию. Предлагаемая модель способна объяснить ряд электрических и фотоэлектрических свойств легированных материалов, но она требует значительной детализации. Необходимы дополнительные исследования, которые должны устранить неоднозначность трактовки экспериментальных результатов. Это связано, в первую очередь со сложностью процессов сенсибилизации и гашения собственной фотопроводимости полупроводниковых соединений А3В5.

Поскольку проявление бистабильности примесных состояний связывается с устойчивостью Зё10-оболочки примеси меди, представляет интерес поиск проявления аналогичных свойств другими представителями ряда переходных металлов, в частности, примесью хрома с устойчивой конфигурацией 3d5. Известно, что хром придает образцам арсенида галлия высокую фоточувствительность и широко используется в технологии получения высоко-омных слитков.

Работа соответствует научному направлению 29.19.31 «Полупроводники», разрабатываемому в ВГТУ и выполнялась на кафедре «Полупроводниковая электроника» в соответствии с планом Госбюджетных работ 96.34 «Исследование и моделирование физических процессов в полупроводниковых материалах и приборах», государственный регистрационный номер № 1 960 003 428.

Цель и задачи исследования

состоят в изучении и детализации механизмов примесной фотопроводимости, ИК-гашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости, уточнении энергетического спектра примесных состояний меди в фосфидах галлия и индия.

Для достижения поставленной цели предстояло решить следующие задачи:

• Провести экспериментальные исследования спектров гашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости в образцах GaP для различных условий ее возбуждения.

• Установить роль электронной составляющей в величине собственного фототока, возникающего в перекомпенсированных медью образцах GaP.

• Исследовать особенности релаксационных процессов сенсибилизации и гашения собственной фотопроводимости в образцах GaP.

• Исследовать спектры примесной фотопроводимости в образцах фосфида индия компенсированных медью.

• Исследовать спектры гашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости в образцах GaP.

Методы исследования. Для решения поставленных задач были использованы методы диффузионного легирования монокристаллов полупроводников в запаянных вакуумированных кварцевых ампулах и в квазизамкнутом объеме, а также методы изучения фотоэлектрических свойств материала, таких как:

1. двухлучевой модуляционный метод измерения фотопроводимости;

2. измерение фотопроводимости с использованием прозрачного контакта на основе соединения БпОг+ГпгОз;

3. двухлучевой модуляционный метод измерения фотопроводимости при различной температуре;

4. двухлучевой модуляционный метод измерения кинетик релаксации фотопроводимости при различных температурах.

Научная новизна работы.

1. На основе экспериментальных исследований спектров гашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости в образцах GaP для различных условий ее возбуждения установлено, что за эффекты сенсибилизации и гашения отвечают различные процессы, а зависимость проявляющегося эффекта от длины волны возбуждающего света связана с пространственным распределением различных зарядовых состояний примеси. Экспериментально доказано наличие примесного уровня меди с энергией Ev+ (0,144−0,2) эВ.

2. Прямыми экспериментами с использованием прозрачного контакта подтверждена доминирующая роль электронной составляющей в величине собственного фототока, возникающего в перекомпенсированных медью образцах GaP.

3. В фосфиде галлия и фосфиде индия медь проявляет свойства биста-бильного центра, аналогичного дефектам типа DX-центров в AlGaAs. Для полупроводников GaP и InP построены координатно-конфигурационные энергетические диаграммы примеси меди в кристаллической решетке.

4. Кинетики ИК-гашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости (СФП) представляют собой суперпозиции конкурирующих процессов: на оптическую генерацию носителей заряда накладывается оптически индуцируемая реконструкция бистабильных центров меди.

5. В фосфиде индия энергетический спектр уровней меди подобен фосфиду галлия. Экспериментально доказано наличие у нейтрального узель-ного центра меди уровня с энергией Ev+ 0,05 эВ.

Практическая значимость проведенных исследований.

1. Показана возможность получения компенсированных и фоточувствительных образцов GaP и InP методом квазизамкнутого объема. Разработанный метод может рассматриваться как средство экспрессного анализа свойств полупроводниковых материалов, содержащий летучий компонент.

2. Предложена методика определения типа носителей заряда, определяющих эффекты гашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости в полупроводниках с помощью прозрачного электропроводящего электрода из пленки Sn02+In203.

3. Определены механизмы возникновения эффектов гашения и сенсибилизации в фосфидах галлия и индия, что позволяет рассматривать их как материалы, пригодные для создания новых изделий микроэлектроники и оптоэлектроники.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту.

На защиту выносятся:

1. Физические модели эффектов гашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости в GaP в зависимости от условий возбуждения образца. Перезарядка и реконструкция центров меди в области поверхностного пространственного заряда изменяет условия протекания рекомбинационных процессов. В одной и той же примесной области спектра дополнительная подсветка либо обеспечивает оптическую генерацию дырок с уровня акцептора и приводит к эффекту гашения СФП для сильно поглощаемого света, либо инициирует оптическую реконструкцию в области электронейтральности образцов, приводящую к увеличению времени жизни электронов.

2. Методика исследования фотопроводимости с разделением носителей заряда электрическим полем, которая подтверждает преобладающую роль электронной составляющей в собственной фотопроводимости образцов GaP. Методика позволяет получить дополнительную информацию о роли глубоких центров в процессах фотопроводимости.

3. Экспериментальные данные о наличии второго уровня у нейтрального центра А0 в GaP с энергией Ev + (0,14−0,2) эВ.

4. Кинетика ИКгашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости в GaP определяется наличием двух конкурирующих процессов: возбуждением носителей в зоны разрешенных энергий и оптически индуцируемой реконструкцией примесных центров меди.

5. Экспериментальные данные о наличии у нейтрального центра меди А0 в InP амфотерности электрических свойств и донорного уровня Ev + 0,05 эВ.

Достоверность полученных результатов определяется построением физических моделей с учетом основных явлений, определяющих свойства процессов или объектов, многократной экспериментальной проверкой результатов измерений, большая часть которых получена с использованием управляемого компьютером спектрально-вычислительного комплекса. При измерениях использовались апробированные методики, аттестованная и поверенная аппаратура. Экспериментальные результаты дополняются данными численного моделирования. Часть полученных результатов согласуется с результатами и выводами других авторов.

Апробация работы. Основные положения и научные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Международной конференции «Проблемы электротехнических материалов и кабельных изделий (ICEMEC-97)», Москва, 1997 г.- Международной конференции «Оптика полупроводников (OS-98)», Ульяновск, 1998 г.- Международной конференции «Релаксационные явления в твердых телах», Воронеж, 1999 г.- Международном научно-техническом семинаре «Шумовые и деградационные прцессы в полупроводниковых приборах», Москва, 2000 г.- Международной конференции «Оптика полупроводников (OS-2000)», Ульяновск, 2000 г.- Международной школе-семинаре «Нелинейные процессы в дизайне материалов», Воронеж, 2002 г.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 10 работ, в том числе: 3 статьи и 7 тезисов докладов.

Вклад автора в разработку проблемы. В совместных работах автору принадлежит изготовление образцов и получение результатов экспериментальных исследований, их обработка средствами вычислительной техники, подготовка научных публикаций. Предлагаемые в работе физические модели.

11 и интерпретация экспериментальных результатов предложены и разработаны лично автором.

Консультирование по возникающим в ходе выполнения работы методическим и технологическим вопросам осуществлял научный консультант доктор физико-математических наук, профессор Прибылов Н.Н.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Работа содержит 123 страницы текста, включая 45 рисунков и библиографию из 90 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ.

1. Установлено, что эффекты ИК-гашения и сенсибилизации СФП вызваны процессами, протекающими в разных областях исследуемых образцов: у поверхности или в объеме материала. ИК-гашение СФП при воздействии дополнительной подсветки обусловлено генерацией дырок в валентную зону с акцепторного уровня, ИК-сенсибилизация — оптической реконструкцией нейтральных центров В0 в центры А0. Зависимость проявляющихся эффектов от длины волны возбуждающего СФП света связана с наличием в разных областях образца различных зарядовых состояний примеси меди.

2. Предложена методика определения вклада носителей заряда различных знаков в собственную фотопроводимость материала, основанная на регистрации влияния дополнительной примесной подсветки на величину дрейфового фототока.

3. Экспериментальным путем показано, что нейтральное состояние меди А0 является амфотерным и характеризуется двумя уровнями в запрещенной зоне фосфида галлия: помимо акцепторного уровня, А имеется донорный уровень с энергией Ev + (0,14-^0,2) эВ.

4. Исследована кинетика ИК-гашения и сенсибилизации СФП при двойной засветке образца с различными энергиями квантов. Установлено, что степень ИК-гашения СФП и длительность процесса зависят от концентрации дырок в валентной зоне. Кинетика восстановления СФП в GaP имеет сложный вид: быстрая составляющая связана с захватом дырок на примесные уровни меди, медленная — с перераспределением заряда в поле пространственного потенциала за счет диффузии дырок, которая контролируется темпом термической генерации. При длинноволновом собственном возбуждении наблюдается немонотонность в кинетике изменения СФП, связанная с суперпозицией процессов ИК-гашения и сенсибилизации СФП. Определено, что ИК-сенсибилизация СФП.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Grimmeiss H.G., Monemar В., Samuelson L. Properties of deep Cu levels in GaP // Solid State Electronics.-1978.-Vol.21.-P. 1505−1508.
  2. Fabre E., Bhargava R.N. Thermally stimulated current measurements and their correlation with efficiency and degradation in GaP LED’s // Appl. Phys. Lett.-1974, — Vol. 24.- P.322−324.
  3. Dean P.J., White A.M., Hamilton В., Peaker A.R., Gibb R.M. Nickel, a persistent inadvertent contaminant in device-grade vapour epitaxially grown gallium phosphide // J. Phys. D: Appl. Phys.- 1977, V. 10, P. 2545−2554.
  4. Grimmeiss H.G., Monemar B. Some optical properties of Cu in GaP // Phys. Status Solidi (a).-1973.-Vol.l9.-P.505−511.
  5. Monemar В., Dean P.J. Optical properties of the Cu related characteristic lyminescence center in GaP // J. Luminescence.-1972.- Vol.5.-P.472
  6. Wessels B. Determination of deep levels in Cu-doped GaP using transient-current spectroscopy // J. Appl. Phys. -1976.-Vol.47.-P. 1131−1133.
  7. Fagerstom P.O., Grimmeiss H.G., Titze H. Thermal and optical processes in GaP: Cu// J. Appl. Phys. -1978.-Vol.49.-P.3341−3347
  8. Д.Н., Слободчиков C.B. О фотопроводимости в GaP // ФТТ.-1963.-Т.4.-С.3161−3164.
  9. Grimmeiss H.G., Scholz Н. Optical and electrical properties of GaP-Cu. Part II //Philips. Res. Rep. -1966.- Vol.21.-P.246−249
  10. Grimmeiss H.G., Ologsson G. Charge-carrier capture and its effect on transition capacitance in GaP-Cu diodes // J. Appl. Phys. -1969.-Vol.40.-P.2526−2533.
  11. Monemar В., Grimmeiss H.G. Optical characterization of deep energi //Prog. Crystal. Charact. 1982. -V. 5. — P. 47−48.
  12. Allen J.W., Cherry R.J. Some properties of GaP-Cu // Phys. Chem. Soiids.-1962.- Vol.53.-P.509−511.
  13. Olsson R. Impurity absorption in GaP doped with cooper and oxygen // Phys. Status Solidi (b).-1971.-Vol.46.-P.299−309.
  14. Singh V. A, Zunger Alex. Electronic structure of transition impurities in GaP // Phys. Rev. B. -1985.-Vol.31.-P.3729−3759.
  15. Оптические перходы в спектре d -электронов примесного центра V в GaP/ С. А. Абагян, Г. А. Иванов, Ю. Н. Кузнецов, Ю. А. Окунев // ФТП.-1974.-Т.8.-Вып.9-.-С.1691−1696.
  16. С.А., Крупышев Р. С. Природа ослабления света в GaP // ФТП.-1978.-Т.12.- Вып.9.-С.23 60−23 64.
  17. Lucovski J. On photoionization of deep impurity in semiconductors // Sol. St. Commun.-1965.-Vol.3.-P. 299−302
  18. Низкочастотные осцилляции тока в высокоомном фосфиде галлия / А. И. Иващенко, М. П. Икизли, Д. Н. Наследов, С. В. Слободчиков // ФТП.-1973,-Т.7.- Вып.З.-С.612−614
  19. Grimmeiss H.G., Scholz Н. Photoconductivity of Cu-doped GaP // Philips. Res. Rep. -1965.-Vol.20.-P. 107−124.
  20. Goldstein В., Perlman S.S. Electrical and optical properties of high-resistivity GaP // Phys. Rev.-1966.-Vol. 148.-P.715−721.
  21. Schulze R.G., Petersen P.E. Photoconductivity in solution-grown copper-doped GaP // J. Appl. Phys. -1974.-Vol.45.-P.5307−5311
  22. И.А., Остапенко С. С., Шейнкманн М. К. Симметрия и модель сложного центра поляризованной фото и термолюминесценции в монокристаллах GaP // ФТП.-1986.-Т.20.- Вып.10.-С.1791−1800.
  23. Optical properties of the Cu-related characteristic-luminescence center in GaP / H.P. Gislason, B. Monemar, P.J. Dean // Phys. Rev. B.-1983.-Vol.26.-P.8320−8330.
  24. Photo luminescence studies of the 1.911-eV Cu-related complex in GaP / H.P. Gislason, B. Monemar, P.J. Dean, D.C. Herbert, S. Depinna, B.C. Cavenett, N. Killoran. //Phys. Rev. B.-1982.-Vol.26.-№ 2.-P.827−845.
  25. Cten W.M., Gislason H.P., Monemar B. PGa- antisite-related neitral complex defect in GaP studied with optically detected magnetic resonance // Phys. Rev. В.-1987.-Vol.36.-№ 9.-P.5058−5062.
  26. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. Под. ред. Шейнкмана М.К.- М.: Мир, 1977.- 562с.
  27. В.Н., Свидзинский К. К. Теория акцепторов с глубокими уровнями в полупроводниках // ФТТ.-1969.- Вып.11.-С.585.
  28. В.Н., Свидзинский К. К. Акцепторные примеси замещения в полупроводниках.// ФТП.-1971.-Т.5, — Вып.10.-С.1865−1870.
  29. В.А. Фотопроводимость фосфида галлия, сильно компенсированного медью. Автореф. канд. дисс. Воронеж, 1999.
  30. Н.Н. Примесные состояния и диффузия переходных металлов в фосфидах галлия и индия. Автореф. доктор, дисс. Воронеж, 2000.
  31. A.M., Оксенгендлер Б. Л., Юнусов М. С. Влияние зарядового состояния на конфигурацию межузельных примесей в кремнии // ФТП. -1976. -Т.10. Вып.2, -С.271 — 274.
  32. О.А., Ниязова О. Р. Радиационно-ускоренная диффузия золота в кремнии // ФТТ. -1970. Вып.12, -С.2199−2200.
  33. P.M. Mooney, T.N. Theis. The DX center: a new picture of substitutional donors in compound semiconductors // Comm. Cond. Matt. Phys. -Vol.16 № 3. -P.167−190.
  34. А.И., Иванчик И. И., Попович 3., Ромчевич Н., Хохлов Д. Р. Структура DX-подобных центров в узкозонных полупроводниках AIVBVI, легированных элементами III группы // ФТП. -1998. -Т.32. Вып.6, -С.679 -683.
  35. А.И., Федоров П. П. Донорные примеси и DX-центры в ионном полупроводнике CdF2 // ФТТ. -1997. Вып.39, -С.1050−1055.
  36. В.И., Сабликов В. А., Борисова И. В., Чмиль А. И. Перезарядка центров с глубокими уровнями и отрицательная остаточная фотопроводимость в селективно легированных гетероструктурах AlGaAs/GaAs // ФТП. -1999. -Т.31 Вып.6, -С.68−74.
  37. Н.Н., Рембеза С. И., Спирин А. И., Буслов В. А., Сушков С. А. Фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью // ФТП.-1998.-Т.32.- Вып. 10.-С.1165−1169.
  38. Н.Н., Рембеза С. И., Сустретов А. А. Амфотерное поведение меди в фосфиде индия. // ФТП. 1994. — Т.28. — Вып. 3. — с.467−471.
  39. КовалевскаяГ.Г, Клотынып Э. Э, Наследов Д. Н., Слободчиков С. В. Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства InP, легированного медью. // ФТТ 1966. — Т.8 — Вып.8 — с. 2415−2419.
  40. Г. Г., Наследов Д. Н., Сиукаев Н. В., Слободчиков С. В. Спектральная фоточувствительность InP п-типа. // ФТТ 1966. — Т.8 -Вып.2 — с. 475−477.
  41. Я.Э., Клотынып Э. Э., Круминя Р. К. Компенсация доноров в фосфиде индия медью // ФТП. 1988. — Т.22. — Вып.З. — с.565. — Деп. в ВИНИТИ, №Р-4319/87.
  42. Э.А., Кирсон Я. Э., Клотынып Э. Э., Круминя Р. К. Изучение влияния меди на электрофизические свойства фосфида индия. // Изв. АН Латв. ССР: Сер. физ. и техн. н. 1986. — № 2 — с. 19−25.
  43. В.В., Руссу Е. В., Радауцан С. И., Чебан А. Г. Излучательная рекомбинация в легированных кристаллах фосфида индия // ФТП 1975 -Т.9 — Вып.5 — с. 893−900.
  44. А.Н., Емельяненко О. В., Лагунова Т. С., Метревели С. Г. Влияние компенсации на проводимость по примесям в n-InP при промежуточном легировании. // ФТП. 1976. — Т.10. — Вып.4. — с. 677 — 682.
  45. Н.А., Лагунова Т. С., Рахимов О. Взаимодействие точечных собственных дефектов в фосфидах индия n-типа со скоплениями акцепторов. If ФТП. 1984. — Т. 18 — Вып.9 — с. 1624−1628.
  46. Г. Г., Алюшина В. И., Слободчиков С. В. О низкочастотных колебаниях тока в InP. // ФТП 1975 — Т.9 — Вып.11 — с. 2125−2128.
  47. Kullendorff N., Jansson L., Ledebo L-A. Copper-related depp level defects in III-V semiconductors // J.Appl.Phys. 1983 — Vol.56 — N.6 — p.3203−3212.
  48. Skolnick M.S., Dean P.J., Pitt A.D., Uihlein Ch., Krath H, Deveaud В., Foulkes E.J. Optical properties of copper-related centers in InP. // J. Phys. C: Sol.St.Phys. 1983. — Vol.16. — p.1967−1985.
  49. Jyh-Chwen Lee, Milnes A.G., Schlesinger Т.Е. Quenching of band-edge photoluminescence in InP by Cu. // Phys.Rev.B 1986 — Vol.34 — N.10 — p.7385−7387.
  50. C.A. Примесные состояния меди в фосфиде индия. Автореф. канд. дисс. Воронеж, 1999.
  51. Пека Г. П, Бродовой В. А., Горшков Л. И. Эффекты полевого управления интенсивностью излучательной рекомбинации при нагреве носителей в GaAs (Cu) // ФТП 1971 — Т.5 — Вып.9 — с. 1830−1833.
  52. Л.А., Глинчук К. Д. // ФТП 1970 — Т.4 — Вып.7 — с. 673.
  53. К.Д. В сб.: Актуальные вопросы физики полупроводников и полупроводниковых приборов, 106. Вильнюс, 1969.
  54. В.А., Пека Г. П. // ФТТ 1971 — Т.13 — Вып.11 — с. 2406.
  55. Ж. И. Гарбузов Д.З., Морозов Е. П. // ФТТ 1966 — Т.9 — Вып.8 — с. 3236.
  56. Нейтральное состояние глубокого акцептора CuGa в арсениде галлия / Н. С. Аверкиев, В. А. Ветров, А. А. Гуткин, И. А. Меркулов, Л. П. Никитин, И. И. Ремина, Н. Г. Романов // ФТП.-1986.-Т.20.- Вып.9.-С.1617.
  57. Н.С., Аширов Т. К., Гуткин А. А. К вопросу о роли глубокого центра, дающего полосу люминесценции около 1.36 эВ в образованиесвязанных экситонов в GaAs, легированном Си // ФТП.-1982.-Т.16-Вып.12.-С.2046 2150.
  58. Г. П., Бродовой В. А. Полевая деформация спектра примесного излучения GaAs(Cu) // ФТП- 1973 Т.9 — Вып.5 — с. 1645−1648.
  59. А.А., Лебедев А. А., Талалакин Г. Н., Шапошникова Т. А. Фотопроводимость полуизолирующего GaAs, легированного Сг, в сильных электрических полях // ФТП.-1972.-Т.6.- Вып.6.-С.Ю67 1071.
  60. В.И., Прибылов Н. Н., Рембеза С. И., Спирин А. И. ЭПР в диффузионных слоях марганца в GaP и InP. // Материаловедение (Физика и химия конденсированных сред). Воронеж, ВПИ, 1978.- с. 69−71.
  61. В.И., Прибылов Н. Н., Рембеза С. И., Спирин А. И. Зарядовые состояния и диффузия марганца в фосфиде галлия.// ФТТ, 1980, том 22, вып. 11, с. 3322−3326.
  62. В.Ф., Саморуков Б. Е. Глубокие центры в соединениях А3В5 (обзор)//ФТП, 1978, т. 12, с. 625−652.
  63. Ю.П. Оптические и электрические свойства фосфидов галлия и индия, легированных переходными элементами и МДП структур на InP.-Канд. дисс. Воронеж, 1977, с. ЗЗ — 37.
  64. А.С., Гринберг А. А. Учет кулоновского взаимодействия в модели Луковского при фотоионизации положительно и отрицательно заряженных центров. // ФТП, 1976, Том 10, № 6, с. 1159 1163.
  65. Allen J.W. Photoionization of deep impurities in semiconductors.// J.Phys.C. -Solid State Phys., 1969, s.2, vol.2, p. 1077−1084.
  66. C.A., Иванов Г. А., Кузнецов Ю. Н., Окунев Ю. А., Шанурин Ю. Е. Возбужденные уровни локального центра в резонансе с зоной проводимости: Сг в GaP и GaAs // ФТП.-1973.-Т.7.- Вып.8.-С. 1474−1478.
  67. Kaufmann U., Schneider J. Optical and ESR Cpectroscopy of deep Defects in III V Semiconductors. — Festkorperproblem XX (1980), p. 87 — 116.
  68. А.Т., Царенков Б. В., Чиабришвили Н. Г. Температурная зависимость примесной фотолюминесценции GaAs, легированного Сг // ФТП.-1971 .-Т.5.- Вып. 1 .-С. 115−121.
  69. Г. К., Омельяновский Э. М., Первова Л. Я. Внутрицентровые оптические электронные переходы в GaAs:Cr при наличии резонанса с континуумом//ФТП.-1975.-Т.9.- Вып.7.-С. 1308−1313.
  70. О.В., Скрышевский В. А., Тесленко В. В. Амфотерные свойства примеси хрома в арсениде галлия // ФТП.-1983.-Т.17.- Вып.8.-С.1446−1449.
  71. Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977. -184 с. п с
  72. С.С., Лебедев В. В. Соединения, А В : Справ. Изд. М.: Металлургия, 1984. 144 С.
  73. З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: справочник. М.: Радио и связь, 1991.-528 с.
  74. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. -М.: Физматгиз, 1963. 494 с.
  75. Дж. Практическая физика: Пер. с англ. М.: Мир, 1971. -246 с.
  76. Фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью / Н. Н. Прибылов, С. И. Рембеза, А. И. Спирин, В. А. Буслов, С. А. Сушков // ФТП, -1998, -Т. 32,-Вып. 10, -С. 1165−1169.
  77. Собственная фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью / Н. Н. Прибылов, В. А. Буслов, С. И. Рембеза, А. И. Спирин, С. А. Сушков // ФТП, -1999. -Т. 33, -Вып.8, -С.916−920.
  78. А. В. Прибылов Н.Н., Рембеза С. И., Кожевников А. А. Изучение эффектов инфракрасного гашения собственной фотопроводимости в GaP:Cu // В сб. научных трудов «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Воронеж. — 2001. — С.49−52.
  79. В.А., Прибылов Н. Н., Сушков С. А., Москвичев А. В., Прибылова Е. И. Природа полосы примесной фотопроводимости при 1,05 эВ в GaP:Cu // В сб. Труды междунар. конф. «Оптика полупроводников». Ульяновск, 2000. с. 64.
  80. Н.Н., Буслов В. А., Рембеза С. И., Сушков С. А., Москвичев А. В. Примесная фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью /7 Перспективные материалы, -2002, -№ 3, С.28−31.
  81. Н.Н., Рембеза С. И., Спирин А. И., Буслов В. А., Сушков С. А., Москвичев А. В. // Междунар. конф. по физико-техн. проблемам электротехн. материалов и кабельных изделий (ICEMEC-97) Тез. докл. -М. 1997. С.170−171.
  82. Полупроводниковая электроника Свойства материалов. Справочник // Баранский П. И., Клочков В. П., Потыкевич И.В.- Киев: Изд-во «Наукова думка». 1975.- 703с.
  83. А.В., Прибылов Н. Н., Рембеза С. И. Проявление амфотерности меди в спектрах примесной фотопроводимости InP // Междунар. Школа-семинар «Нелинейные процессы в дизайне материалов» Тез. докл. -Воронеж. 2002. — С.80−82 123
  84. С.А., Прибылов Н.Н, Рембеза С. И., Москвичев А. В. Фотопроводимость InP, компенсированного Си // В сб. Труды междунар. конф. «Оптика полупроводников». Ульяновск, 2000. с. 63.
  85. С.В., Грушко Н. С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах.-М.: Изд-во Моск. ун-та, 1995.-399с.
  86. А.А., Москвичев А. В., Прибылов Н. Н., Рембеза С. И. Эффекты очувствления и гашения фотопроводимости в высокоомном GaP:Cr // В сб. научных трудов «Твердотельная электроника и микроэлектроника». -Воронеж. 2001.-С.67−70.
  87. А.А., Москвичев А. В., Прибылов Н. Н. Спектры фотопроводимости GaP:Cr при комбинированном возбуждении // Труды межвуз. студенческой науч.-техн. конф. «Прикладные задачи электромеханики, энергетики, электроники». Воронеж. — 2001. -С.36−39.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!