Автокаталитический механизм спонтанной композиционной модуляции при эпитаксиальном росте трехкомпонентных соединений A III B V

Полупроводниковые соединения AmBv, их твердые растворы и гетероструктуры широко применяются в современных микросхемах [19, 20]. Использование твёрдых растворов позволяет получать области с практически произвольной шириной запрещённой области [99, 160]. Гетероструктуры применяются там, где необходима вариация этой ширины в пределах одного прибора, например, в макроскопических сверхрешётках, используемых в полупроводниковых лазерах [86, 87, 92, 97, 165].

Эффект композиционной автомодуляции состава в тройных соединениях АШВ|П, СУ и, был впервые описан в работе [53] и подтверждён в [5−8, 13−15,.

41, 51, 70, 72, 73, 84, 85, 91, 104, 116−118, 120, 127, 128, 141, 149, 153−156]. Он проявляется в появлении макроскопических композиционных неоднородностях, образовании слоев и доменов, отличающихся друг от друга по составу. Этот эффект может быть паразитным, то есть приводить к нежелательным изменениям электрофизических параметров приборов, но он также может использоваться для создания макроскопических сверхрешёток с высоким постоянством параметров. Этому применению препятствует отсутствие адекватной теории, описывающей эффект автомодуляции. В частности не ясно, когда автомодуляция сменяется другим явлением самоорганизации — атомным упорядочением [74−77, 84, 91, 115, 139, 141, 143, 147, 152— 155,162−164].

Распространённое в настоящий момент объяснение композиционной автомодуляции [17, 72, 73, 81, 85, 91, 94, 97, 120, 121, 143, 147, 151, 161, 162], связанное с теорией спинодального распада [59], адекватно описывает только модуляцию в четверных растворах A^Bj^C^D^ и не объясняет многие закономерности автомодуляции в тройных соединениях AnlBv.

— 5 В работе [62] была предложена альтернативная, автокаталитическая модель автомодуляции, но, поскольку в ней предполагалось существование буферного слоя на границе раздела «кристалл — материнская фаза», что было опровергнуто [63−65, 83], дальнейшего развития до наших работ эта модель не получила.

Настоящая работа посвящена изучению композиционной модуляции при эпитаксиальной кристаллизации в полупроводниковых псевдобинарных соединениях и созданию теоретической модели этого явления. Основное внимание уделено следующим вопросам: а) систематизации экспериментальных результатов, связанных с композиционной модуляциейб) теоретическому исследованию процессов, происходящих при эпитаксиальном росте псевдобинарных полупроводниковых соединенийв) определению возможного механизма возникновения композиционной автомодуляцииг) теоретическому исследованию влияния параметров эпитаксиального роста на параметры композиционной автомодуляциид) теоретическому анализу процесса формирования электронно-микроскопических изображений структур с изменяющимся параметром ненапряжённой решётки и анализу экспериментальных микрофотографий образцов с композиционной автомодуляцией.

Работа состоит из пяти глав.

1. Амелинкс С. «Методы прямого наблюдения дислокаций.», Москва, «Мир», 1968 г., 440 стр.

2. Афанасьев С. М., Ильичёв Э. А., Полторацкий Э. А., Родионов А. В., Слепнёв Ю. В., Стрижков Б. В., «Влияние состава на электрофизические свойства изолирующих слоёв Al^Gai^As, полученных МОС гидридным методом.», ФТП, 1986, т. 20, вып. 9, стр. 1565−1571.

3. Белецкий Ян, «Турбо Си++: Новая разработка.», Москва, «Машиностроение», 1994 г., 400 стр.

4. Берг А., Дин П., «Светодиоды.», Москва, «Мир», 1979, 98 стр.

5. Бондаренко JL А., Гайдуков Г. Н., Максимов С. К. «Анализ термодинамической стабильности эпитаксиальных плёнок CA,-VBV.» '. Письма и ЖТФ, 1982, т. 8, № 12, стр. 747−750.

6. Бондаренко JI. А., Максимов С. К., Нагдаев Е. Н. «Те трагональные искажения решётки и электрофизические параметры модулированных структур.», ФТП, 1980, т. 14, вып. 8, стр. 1652−1654.

7. Григоров С. Н., Косевич В. М., Космачёв С. М., Черняков Э. И., Чернякова Л. Е., «К методике расчёта электронно-микроскопического дифракционного контраста.», Известия АН СССР, сер. физическая, 1974. т. 38, № 7, стр. 14 581 461.

8. Демидович Б. П., Марон И. А., «Основы вычислительной математики.», Москва, «Наука», 1970 г., 664 стр.

9. Ильичёв Э. А., Максимов К. С., Максимов С. К., Полторацкий Э. А., Суслов Д. Н., «Диссипативные структуры и катодолюминесценции слоёв GaAlAs, полученных МОС-гидридным способом.», Письма в ЖТФ, 1996, т. 22. вып. 4, стр. 34−38.

10. Ильичёв Э. А., Масловский В. М., Полторацкий Э. Д. «Электрофизические свойства изолирующих слоёв твёрдого раствора Gai.vAl.vAs, полученных МОС гидридным методом.», ФТП, 1986, т. 20, вып. 4, стр. 594- 602.

11. Ильичёв Э. А., Полторацкий Э. А., Родионов А. В., СлеинёвЮ. В., «Малосигнальная проводимость в изолирующих слоях GaAlAs.», веб. «Полупроводники и гетеропереходы.», ред. А. В. Роченталь, Таллин, из-во «Валгус», 1987, 107 стр., стр. 92−94.

12. Инденбом В. JI., Русакова И. А., ЧамровВ.А., «Дислокационный контраст.», Известия АН СССР, сер. физическая, 1980, т. 44. № 6, стр. 1 126−1 133.

13. ИпатоваИ. П., Малышкин В. Г., МасловА.Ю. Щукин В. А., «Образование периодических структур с модулированным составом при когерентном разделении фаз в четверных твёрдых растворах полупроводников AniBv.», ФТП, 1993, т. 27, вып. 2, стр. 285−298.

14. Каули Дж., «Физика дифракции.», Москва, «Мир». 1979 г. 431 стр.

15. Коган JI.M., «Полупроводниковые светоизлучающне диоды.», Москва, «Энергоиздат», 1983, 208 стр.

16. КожитовЛ. В., Крапухин В. В., Маленков Ю. Ю., «Оптимизация толщины активной области гетерокомпозиций на основе AlvGaiYAs для мощных излучающих диодов.», Изв. вузов. Электроника, 1997, № 3−4, стр. 25−27.

17. Корн Г., Корн Т., «Справочник по математике.», Москва, «Наука», 1973 г., 832 стр. Пер. с англ.: G. А. Когп, Т. М. Korn, «Mathematical handbook», (N. Y.-San Francisco-Toronto-London-Sydney, McGraw-Hill Book Company, 1968)].

18. Косевич В. M., Палатник JI. С., Григоров С. H. Зозуля А. П., «Дифракционный контраст на дислокационных границах.», ФТТ, 1974, т. 16. № 3, стр. 663−667.

19. Косевич В. М., Черняков Э. И., Григоров С. Н. Космачёв С. М., «Профили интенсивности для совместных электронно-микроскопических изображений муаровых систем.», ФТТ, 1970, т. 12, № 9. стр. 2647−2653.

20. Лаврентьева Л. Г., «Кинетика и механизм газофазной эпитаксии полупроводников диссертация докт. физ.-мат. наук, ИФП СО АН СССР, 1982, 479 стр.

21. Ландау Л. Д., ЛифшицЕ. М., «Теоретическая физика.», т. VII, «Теория упругости.», гл. 1, Москва, «Наука», 1965 г., 204 стр.

22. Мак-Кракен Д., Дорн У., «Численные методы и программирование на Фортране.», Москва, «Мир», 1977 г., 584 стр.

23. Максимов К. С., «Автокатализ в эпитаксиальных технологиях.», Известия ВУЗов, Электроника, 1999, № 6, стр. 103−112.

24. Максимов К. С., Герасименко Н. Н., Павлюченко М. Н., Вернер И. В., «Эффекты упорядочения при формировании наноструктур на основе SiGe/Si. Обзор.», Известия Вузов, Электроника, 2001, № 2, стр. 3−16.

25. Максимов К. С., Максимов С. К., «Автокаталитический механизм неравновесного упорядочения в эпитаксиальных слоях трёхкомпонентных твёрдых растворов соединений AmBv.», Известия ВУЗов, Материалы электронной техники, 1999, № 4, стр. 16−27.

26. Максимов К. С., Максимов С. К., «Возможная модель формирования диссипативных структур при эпитаксиальной кристаллизации соединений AniBv «, Письма в ЖТФ, 1996, т. 22, вып. 4, стр. 60−63.

27. Максимов К. С., Максимов С. К., «Закономерности ПЭМ изображений с дилатационным контрастом и адекватность моделей неравновесного упорядочения в композициях А3В5.», Письма в ЖТФ, 1998, т. 24, вып. 10, стр. 7075.

28. Максимов К. С., Максимов С. К., «Поля смещений и адекватность моделей неравновесного упорядочения в композициях А3В5.», Письма в ЖТФ, 1998, т. 24, вып. 12, стр. 76−81.

29. Максимов С. К., «Применение электронно-микроскопических изображений для анализа неоднородностей состава.», Заводская лаборатория, 1982, т. 48, № 3, стр. 22−28.

30. Максимов С. К., «Связь атомного упорядочения и автомодуляции в эпитаксиальных плёнках GaAlAs, выращенных MOS-гидридным способом.», Письма в ЖТФ, 1995, т. 21, вып. 19, окт., стр. 64−67.

31. Максимов С. К., «Связь неравновесных атомного упорядочения и автомодуляции в эпитаксиальных слоях GaAlAs.», Кристаллография, 1997, т. 42, № 1, стр. 157— 164.

32. Максимов С. К., «Формирование диссипативных структур при кристаллизации эпитаксиальных слоев многокомпонентных соединении AniBv и аморфных плёнок Ta-Si.», Кристаллография, 1994, т. 39, № 2, стр. 315−321.

33. Максимов С. К., Бондаренко JI. А., Петров А. С., Кузнецов В. В., «Явление автомодуляции состава эпитаксиальных плёнок в процессе кристаллизации из жидкой фазы.», ФТТ, 1982, т. 24, вып. 2, стр. 628−631.

34. Максимов С. К., Максимов К. С., «Диссипативные структуры в эпитаксиальных слоях композиции AinBv I. Атомное упорядочение и автомодуляция в GaAlAs. Структурный аспект.», Препринт № 1 ИОФ РАН, Москва, 1996, 19 стр.

35. Максимов С. К., Максимов К. С., «Диссипативные структуры в эпитаксиальных слоях композиции AmBv. III. Возможный механизм формирования диссипативных структур.», Препринт № 3 ИОФ РАН, Москва, 1996, 19 стр.

36. Максимов С. К., Максимов К. С., «Структура поверхности и неравновесное упорядочение при формировании эпитаксиальных слоёв GaAlAs.», Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 1996, № 9, стр. 4249.

37. Максимов С. К., Максимов К. С., «Электронная микроскопия эпитаксиальных композиций псевдобинарных растворов соединений AinBv и модели неравновесного упорядочения при эпитаксиальном росте», Кристаллография, 2001, т. 46, № 5, стр. 942−949.

38. Максимов С. К., Максимов К. С., Ильичёв Э. А., «Знак энергии смешения и возможность неравновесных фазовых переходов при кристаллизации.», Письма в ЖЭТФ, 1996, т. 63, вып. 6, стр. 412−417.

39. Максимов С. К., Нагдаев Е. Н., «Особенности кристаллизации GaAsP в проточной системе.», Расширенные тезисы 6-й Междунар. Конф. по росту кристаллов, Москва, 10−16 сентября 1980 г., Москва, АН СССР, 1980, т. 1, 468 стр., стр. 277−279.

40. Максимов С. К., Нагдаев Е. Н., «Рабочее тело полупроводникового прибора с модулированной шириной запрещённой зоны.», Авторское свидетельство № 2 733 191/18−25.

41. Максимов С. К., Нагдаев Е. Н., «Явление автомодуляции состава эпитаксиальных плёнок GaAsP.», ДАН СССР, 1979, т. 245, вып. 6, стр. 1369−1372.

42. Мосс Т., БаррелГ., ЭллисБ., «Полупроводниковая оптоэлектроника.», Москва, «Мир», 1976, 431 стр.

43. Нагдаев Е. Н., «Электронно-микроскопические исследования дефектной структуры эпитаксиальных плёнок GaAsi. vPx и светодиодов на их основе.», Диссертация, канд. физ.-мат. наук, Москва, МИЭТ, 1980, 162 стр.

44. НиколисГ., ПригожинИ., «Самоорганизация в неравновесных процессах от диссипативных структур к упорядоченности через флуктуации.», Москва, «Мир», 1979,512 стр.

45. Утевский Л. М., «Дифракционная электронная микроскопия в металловедении.», Москва, «Металлургия», 1973 г., 582 стр.

46. Хакен Г., «Синергетика.», Москва, «Мир», 1980 г., 406 стр.

47. Хачатурян А. Г., «Теория фазовых превращений и структура твёрдых растворов.», 1974, Москва, «Наука», 384 стр.

48. ХерманМ., «Полупроводниковые сверхрешётки.», Москва, «Мир», 1989 г., 240 стр.

49. Хирш П., Хови А., Николсон Р., Пэшли Д., Уэлан М., «Электронная микроскопия тонких кристаллов.», Москва, «Мир», 1968 г., 574 стр.

50. Чернов Александр Александрович, «Процессы кристаллизации.», в кн. «Современная кристаллография.», ред. Б. К. Вайнштейн, А. А. Чернов, Л. А. Шувалов, т. 3, «Образование кристаллов.», Москва, 1980 г., 407 стр., стр. 7— 232.

51. Чернов А. А., Рузайкин М. П., «Фазовые переходы в хемосорбционных слоях: грань InAs (l 1 l) As газовая система In-As-Cl-H», ДАН СССР, 1981, т. 258, № 1, стр. 82−85.

52. Чуховский Ф. В., Арустамян А. Н., Шнскер 3. Г., «К теории электронно-микроскопического изображения дислокаций в области антиклассического рассеяния. Контраст вблизи оси дислокации.», Кристаллография, 1979, т. 24, № 4, стр. 720−728.

53. Abrachams М. S., Weisberg L. R., Buiocchi С. J., Blanc J., «Dislocation morphology in graded heterojunctions GaAsixPx.», J. mat. sci., 1969, v. 4, No 3, pp. 223−235.

54. Anstis G. R., Cockaine D. J. H., «Calculations and interpretations of high resolution electron microscope images of lattice defects.», Acta Crystal., 1979, v. A35, pp. 511— 524.

55. BangertU., Harvey A. J., DiekerC., Hardtdegen H., «Suppression of wavy growth in metalorganic vapor phase epitaxy grown GalnAs/InP superlattices.», Appl. phys. lett., 1996, v. 69, No 14, pp. 2101−2103.

56. Bangert U., Harvey A. J., Dieker C., Hartdegen H., Vescan L., Smith A., «Temperature and strain dependence of the roughening transition in III—V semiconductor and SiGe epitaxial growth.», J. appl. phys., 1995, v. 78, No 2, pp. 811−816.

57. Baxter C. S., Stobbs W. M., «The quantitative determination of the degree of ordering of Gao.51Ino.49P using transmission electron microscopy.», Phil. mag. A, Physics of condense, 1994, v. 69, No 3, pp. 615−631.

58. Baxter C. S., Stobbs W. M., Broom R. F., Reithmaier J. P., «Observation of a novel form of ordering in Alo.5Ino.5As and (Ga, Al) o.5hio.5As.», J. cryst. growth, 1993, v. 131, No 3−4, pp. 419−425.

59. Baxter С. S., Stobbs W. M., Wilkie J. H., «А ТЕМ study of the influence of growth conditions on the ordering of GaJni.vP.», Proc. Inst. Phys. conf., 1991, v. 117, pp. 469 472.

60. Baxter C. S., Stobbs W. M., Wilkie J. H., «The morphology of ordered structures in III-V alloys: interfaces from, а ТЕМ study.», J. cryst. growth, 1991, v. 112, No 2−3, p. 373 385.

61. Bernard James E., FroyenS., ZungerAlex, «Spontaneous surface-induced long-range order in Gao.5Ino.5P alloys.», Phys. rev. B, 1991, v. B44, No 20, pp. 11 178−11 195.

62. Boyer L. L., Kaxiros Efthimios, Feldman J. L., Broughton J. Q., Mehl M. J., «New low-energy crystal structure for silicon.» Phys. rev. lett., 1991, v. 67, No 6, pp. 715−718.

63. Bublik V. Т., Leikin B. N., «Calculation of the pseudobinary alloy semiconductor phase diagrams.», Phys. stat. sol. (a), 1978, v. 46, No 1, pp. 365−372.

64. Burgeat J., Quillec M., PrimotJ., LeRouxG., LannoisH., «Observation of stepwise variations of the lattice parameter on GaxlnivAs>Pi.v layers grown by liquid phase epitaxy on (100)InP.», Appl. phys. lett., 1981, v. 38, No 7, pp. 542−544.

65. Cann C. D., Sheinin S. S., «Effect of non-systematic reflections on anomalous absorption in electron diffraction.», Phys. stat. sol. (a), 1972, v. 14, pp. 663−676.

66. Chernov A. A., Ruzaikin M. P., «Adsorbed layers on (lll)InAs faces in contact with Irt-As-Cl-H gas phase and the possibility of phase transitions in the adsorbed layers.», J. cryst. growth, 1981, v. 52, Pt 1, pp. 185−193.

67. Chevalier Jean-Pierre, Portier Richard, «Substrate effects on the ordering and micro structure of epitaxial layers.», Proc. Inst. Phys. conf., 1991, v. 117, pp. 453−462.

68. Chu S. N. G., Nakahara S., Strege К. E., Johnston W. D., Jr., «Surface layer spinodal decomposition in Ini^GaxAs^Pi^ and In]xGaxAs grown by hydride transport vapor-phase epitaxy.», J. appl. phys., 1985, v. 57, No 10, pp. 4610−4615.

69. Cockayne D. J. H., «Developments in diffraction contrast studies of defects.», in «Electron Microscopy 82», Hamburg, 1982, v. 2, pp. 79−88.

70. Cockayne D. J. H., Gronsky R., «Lattice fringe imaging of modulated structures.», Phil, mag., 1981, v. A44, No l, pp. 159−175.

71. Dingle R., «Confined carrier quantum states in ultrathin semiconductor heterostructures.», in «Feskorperprobleme XV» «Advances in Solid State Physics.», ed. by H. J. Queisser, Braunschweig, «Pergamon-Vieweg», 1975, v. 15, p. 21−48.

72. Ferry D. K., «Semiconductors.», N. Y., «Macmillan», 1991, pp. 608.

73. Froyen S., Bernard J. E., Osorio R., Zunger A., «Surface energetics and ordering in GalnP.», Physica scripta T, 1992, v. T45, p. 272−276.

74. Foil H., Carter С. В., Wilkens M., «Weak beam contrast of stacking faults in transmissions electron microscopy.», Phys. stat. sol. (a), 1980, v. 58, pp. 393−407.

75. Gaidukov G. N., Maksimov S. K., Filippov A. P., «Effect of cloud of impurity atoms near a dislocation on electron microscopic contrast.», Phys. stat. sol. (a), 1981 v. 64, No 2, pp. 519−524.

76. Gendry M., DrouotV., Mahajan S., «Effect of structure steps and nonstoihiometry on critical thickness of strained InGaAs layers grown by molecular beam epitaxy on InAlAs/InP hetrostructures.» Appl. phys. lett., 1995, v. 66, No 1, pp. 40−42.

77. Glas F., Treacy M. M. J., Quillec M., Launois H., «Interface spinodal decomposition in LPE InxGai-^ASjPi-j, lattice matched to InP.», J. physique, 1982, t. 43, Colloque C-5, supplement au n° 12, pp. C5−11-C5−16.

78. Gonzalez L., Gonzalez Y., Aragon G., Castro M. J., Dotor M. L., Dunstan D. J., «Relaxation behavior of undoped InxGaiAP 0.5.

79. Goodman P., Moodie A. F., «Numerical evaluation of TV-beam wave functions by the multislice method», ActaCrystallogr., 1974, v. A30, pp. 280−289.

80. Head A. K., Humble P., Clarebrough L. M. Morton A. J., Forwood С. Т., «Computed electron micrographs and defects identification», «North-Holland», Amsterdam, London, New York, 1973, 400 pp.

81. Henoc Pierre, Izrael Alice, Quillec Maurice, Lannois Huguette, «Composition modulation in liquid phase epitaxial InxGaivAsyPiy layers lattice matched to InP substrates.», Appl. phys. lett., 1982, v. 40, No 11, pp. 963−965.

82. Heydenreich J., «Electron microscopy in semiconductor research.», in «Electron Microscopy 82», Hamburg, 1982, v. 2, pp. 365−372.

83. Holonyak N., Laidig W. D., Vojak B. A., Hess K., Coleman J. J., Dopkus P. D., BardeenJ., «Alloy clustering in Al. vGaixAs-GaAs quantum-well heterostructures.», Phys. rev. letters, 1980, v. 45, No 21, pp. 1703−1706.

84. Howie A., Basinski Z, «Approximations of dynamical theory of diffraction contrast.», Phil, mag., 1968, v. 17, pp. 1039−1063.

85. Humpreys C. J., Hirsch P. В., «Absorption parameters in electron diffraction theory.», Phil, mag., 1968, v. 18, pp. 115−127.

86. Hytch M. P., Chevalier J. P., «Quantative method of assesing the nature of local ordering from HREM images for SKU on crystalline sublattices.», Ultramicroscopy, 1993, v. 52, No ¾, p. 415.

87. Ibers J. A., Yeinstein В. K., «International crystallographic tables.» v. Ill, Tables 3.3.3 A (l) and (2), Birmingham, 1962, pp.

88. Ilegems M., PanishM. В., «Phase equilibria in III—V quaternary systems application to Al-Ga-P-As.», J. phys. chem. sol., 1974, v. 35, No 3, pp. 409¹²⁰.

89. Il’ichev Ё. A., Maksimov K. S., Maksimov S. K., Poltoratskii Ё. A., Suslov D. N., «Dissipative structures and cathodoluminiscence of GaAlAs layers fabricated by a MOS-hydride method.» Tech. phys. lett., 1996, v. 22, No 2, pp. 148−149.

90. Ishida K., Shumiya Т., Nomura Т., Ohtani H., Nishizawa Т., «Phase diagram of the Ga-As-Sb system.», J. Less-Common Met, 1988, v. 142, p. 135−144.

91. Jordan A. S., Ilegems M., «Solid-liquid equilibria for quaternary solid solutions involving compound semiconductors in the regular solution approximation.», J. phys. chem. sol, 1975, v. 36, No 4, pp. 329−342.

92. Joufrey В., TaupinD., «On the validity of the column approximation in electron microscopy.», Phil, mag., 1967, v. 16, No 142, pp. 703−715.

93. Katerbau K.-H., «Analytical description diffraction contrast of lattice defects in the two-beam case.», Phil, mag., 1981, v. A43, pp. 409−426.

94. Kuan T. S., Kuech T. F., Wang W. I., Wilkie E. L., «Long-range order in AlxGaixAs.», Phys. rev. lett., 1985, v. 54, No 3, pp. 201−205.

95. Kumagawa Masashi, Takabe Yoshiyuki, Hayakawa Yasuhiro, «Composition modulations of InxGai^Sb crystals in current controlled liquid phase epitaxy.», Jap. j. appl. phys., Pt 1, 1983, v. 22, No 4, pp. 585−589.

96. Lee K., Mahajan S., Jonson W. C., «Stability of phase-separated microstructure in LPE-grown InGaAs epitaxial layers.», Materials science and engineering B, Solid state. 1994, v. 28, No 1/3, p. 209.

97. LeeK., Philips B. A., McEaddenR. S., Mahajan S., «Microstructural characteistics of mixed III-V epitaxial layers.», Materials sc. & eng. B, Solid state, v. 30, No 2−3, pp. 231−237.

98. Mahajan S., «Microstructural characteristics of mixed III-V epitaxial layers.», Materials sc. & eng. B, Solid state, 1995, v. 32, No 3, p. 231.

99. Mahajan S., «Two-dimensional phase separation and surface-reconstruction driven atomic ordering in mixed III-V layers.», Materials sc. & eng. B, Solid state, 1995, v. 30, No 2/3, pp. 187−196.

100. Mahajan S., DuttB.V., TemkinH., Cava R. J., Bonner W. A., «Spinodal decomposition in InGaAsP epitaxial layers.», J. crysr. growth, 1984, v. 68, No 2, pp.589−595.

101. Maksimov К. S, Maksimov S. К, «Displacement field and the aptness of models of the nonequilibrium ordering in III-V composites.», Technical physics letters, 1998, v. 24, No 6, pp. 489−492.

102. Maksimov K. S, Maksimov S. K, «Laws governing dilatational contrast transmission electron microscope images and the accuracy of models of nonequilibrium ordering in III-V compositions.», Technical physics letters, 1998, v. 24, No 5, pp. 400−402.

103. Maksimov K. S., Maksimov S. K, «Possible model for the formation of dissipative structures in epitaxial crystallization of III-V compounds.», 1996, Tech. phys. lett, 1996, v. 22, No 2, pp. 160−161.

104. Maksimov S. К, «Correlation between thermodynamic instability of AII]BV heterocompositions and degradation of devices based on these materials.», Phys. stat. sol. (a), 1984, v. 83, No 2, pp. 685−692.

105. Maksimov S. K, Maksimov K. S., «Electron microscopy of epitaxial structures of pseudobinary AinBv solid solutions and the model of nonequilibrium ordering in epitaxial growth.», Crystallography Reports, 2001, v. 46, No 5, pp. 868−875.

106. Maksimov S. K., Maksimov K. S., Il’ichev Ё. A., «Sing of mixing energy and the possibility of nonequilibrium phase transitions accompanying crystallization.», JETP lett., 1996, v. 63, No 6, pp. 433−438.

107. Maksimov S. K., NagdaevE. N., «Electron microscopy images of composition-modulated crystals. I. Theory.», Phys. stat. sol. (a), 1981, v. 68, No 2, pp. 645−652.

108. Maksimov S. K., NagdaevE.N., «Electron microscopy images of composition-modulated crystals. II. Dilatational contrast images.», Phys. stat. sol. (a), 1982, v. 69, No 2, pp. 505−512.

109. Maksimov S. K., NagdaevE.N., «Electron microscopy images of composition-modulated crystals. III. Moire fringe images.», Phys. stat. sol. (a), 1982, v. 72, No 1, pp.135−145.

110. Miller Robert C., TsangWonT., «Al-Ga disorder in AlxGaixAs alloys grown by molecular beam epitaxy.», Appl. phys. lett., 1981, v. 39, No 4, pp. 334−335.

111. Mott N. F., TwoseW. D., «The theory of impurity conduction.», Adv. phys., 1961, v. 10, No 38, pp. 107−163.

112. Norman A. G, Booker G. R., «Transmission electron microscope and transmission electron diffraction observations of alloy clustering in liquid-phase epitaxial (001) GalnAsP layers.», J. appl. phys, 1985, v. 57, No 10, pp. 4715−4720.

113. Norman A. G, Seong T. Y, Ferguson I. T, Booker G. R, Joyce B. A., «Structural studies of natural superlattices in group III-V alloy epitaxial layers.», Semiconductor science & technology, 1993, v. 8, No IS, p. S9−15.

114. Olsen G. H, Abrachams M. S, Buiocchi C. J, Zamerowski T. J, «Reduction of dislocation densities in heteroepitaxial III-V VPE semiconductors.», J. appl. phys, 1975, v. 46, No 4, pp. 1643−1646.

115. Onabe Kentaro, «Unstable regions in III-V quaternary solid solutions composition plane calculated with strictly regular solution approximation.», Japan j. appl. phys, Pt 2, 1982, v. 21, No 6, pp. L323-L325.

116. Perez R, BotrosK. Z, SheininS. S, «Experimental evidence of breakdown approximation in calculations of contrast in electron microscope images of stacking faults.», Phys. stat. sol. (a), 1982, v. 68, No 1, pp. 91−96.

117. Piano W. E, NamD. W, Major J. S" Jr., Hsieh K. C" HolonyakN, Jr., «Column III and V ordering in InGaAsP and GaAsP grown on GaAs by metalorganic chemical vapor deposition.», Appl. phys. lett, 1988, v. 53, No 25, pp. 2537−2539.

118. PonchetA., RocherA., Ougazzaden A., MirceaA., «Self-induced laterally modulated GalnP/InAsP structure grown metal-organic vapor-phase epitaxy.», J. appl. phys., 1994, v. 75, pp. 7881−7883.

119. Quillec M., Daguet C., Benchimol J. L., Lannois H., «InxGaixASj, Piy alloy stabilization by the InP substrate inside an unstable region in liquid phase epitaxy.», Appl. phys. lett., 1982, v. 40, No 4, p. 325−326.

120. Reaves С. M., Pelzel R. I., Hsueh G. C., Weinberg W. H., DenBaars S. P., «Formation of self-assembled InP islands onaGaInP/GaAs (311)A surface», Appl. phys. lett., 1996, v. 69, No 25, pp. 3878−3880.

121. Seong Tae-Yeon, Booker G. R., Norman A. G., Ferguson I. Т., «Atomic ordering in molecular beam epitaxial InAs^Sbi^. natural strained layer superlattices and homogeneous layers.», Appl. phys. lett., 1994, v. 64, No 26, pp. 3593−3595.

122. Seong Tae-Yeon, Norman A. G., Booker G. R., CullisA. G., «Atomic ordering and domain structures in metal organic chemical vapor deposition grown InGaAs (001) layers.», J. appl. phys., 1994, v. 75, No 12, p. 7852−7865.

123. Seong T.-Y. NormanA. G, Hutchison J. L., Ferguson! T, Booker J. R, Stradling R. A, Joyce B. A, «Phase separation and associated defects in MBE InAsySbi-y epitaxial layers.», Proc. Inst. Phys. conf., 1991, v. 117, pp. 485−490.

124. Takagi S, «Dynamical theory of diffraction applicable to crystals with any kind of small defects.», Acta Crystallogr, 1962, v. 15, No 12, pp. 1311−1312.

125. Takagi Y, «Convergent beam diffraction in the material sciences.», Phys. rev. B, 1983, v. B36, w p. 7465.

126. Treacy M. M. J., Gibson J. M, Howie A, «On elastic relaxation and long wavelength microstructures in spinodally decomposed In/jrai-xASyPi-j, expitaxial layers.», Phil, mag. A, 1985, v. A51, No 3, pp. 389−417.

127. UedaO., «Materials-related reliability aspects of III-V optical devices», Material sc. & eng. B. Solid state, 1993, v. B20, No 1−2, pp. 9−20.

128. Ueda Osamu, Isozumi Shoji, Komiya Satoshi, «Composition-modulated structures in InGaAsP and InGaP liquid phase epitaxial layers grown on (001) GaAs substrates.», Japan, j. appl. phys, Pt 2, 1984, v. 23, No 4, pp. L241-L243.

129. Ueda Osamu, Nakata Yoshiaki, Fujii Toshio, «Study on micro structure of ordered InGaAs crystals grown on (110)InP substrates by transmission electron microscopy.», Appl. phys. lett., 1991, v. 58, No 7, pp. 705−707.

130. Ueda Osamu, Nakata Yoshiaki, Muto Shunichi, «Generation mechanism of CuAu-I type ordered structures in InGaAs crystals grown on (110) InP substrates by molecular beam epitaxy.», J. cryst. growth, 1995, v. 150, No ¼, Pt 1, pp. 523−527. 134.

131. UedaO., NakataY, NakamuraT, Fujii Т., «ТЕМ investigation of CuAu-I ordered structures in MBE-grown InGaAs crystals on (110) InP substrates.» J. cryst. growth, 1991, v. 115, No 1−4. pp. 315−380.

132. Waldrop J. R., Kowalczyk S. P., Grant R. W., Kraut E. A., Miller D. L., «XPS measurement of GaAs-AlAs heterojunction band discontinuities: Growth sequence dependence.», J. vac. sci. technology, 1981, v. 19, No 3, pp. 573−575.

133. Wilkens M., «A comment on the kinematical theory of diffraction contrast of lattice defects on transmission microscope images of crystalline specimens.», Phys. stat. sol. (a), 1981, v. 68, pp. 123−128.

134. Wilkens M., Kirchner H. О. K., «Black-white contrast on transmission electron microscopy images of small dislocation, loops, in elastically, anysotropic crystals.», Phil, mag, 1981, v. A43, No 1, pp. 139−156.

135. Zunger A., Mahajan S., «Atomic ordering and phase separation in epitaxial III-V Alloys.», in «Handbook on Semiconductors.», Mahajan S. (ed), vol. 3, «North-Holland», Amsterdam, 1994, pp. 1399−1514.