Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Оптическая и магнитооптическая спектроскопия квантоворазмерных (In, Ga) As/GaAs гетероструктур

Диссертация: Оптическая и магнитооптическая спектроскопия квантоворазмерных (In, Ga) As/GaAs гетероструктур
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

С научной точки зрения монокристаллы А3В5 представляют собой также очень интересный объект для экспериментальных и теоретических исследований. Это классические модельные объекты исследования электронных свойств прямозонных кристаллов, на которых были впервые обнаружены и изучены многие фундаментальные свойства экситонных состояний. Благодаря высокому совершенству кристаллической решетки эти… Читать ещё >

Содержание

  • Глава I. Напряженные гетеросистемы с квантовыми ямами
    • 1. п, Са) А8/СаА8 и их свойства
      • 1. 1. Напряженные гетеросистемы (1п, Оа) Аз/ОаА8, зонная структура и методы их изготовления
        • 1. 1. 1. Методы изготовления напряженных гетероструктур (1п, Оа) А8/ОаАз.,
        • 1. 1. 2. Зонная структура ЬгОаАз/ОаАБ
      • 1. 2. Диамагнитные экситоны в гетеросисгеме (1п, Оа) А8/ОаЛ
      • 1. 3. Квантовые ямы и оптические свойства (1п, Оа) Аз/ОаА
        • 1. 3. 1. Квантовые ямы в (1п, Оа) Аб/ваАэ
        • 1. 3. 2. Оптические свойства (1п, Оа) А8/ОаА
      • 1. 4. Эффект «кулоновской ямы» и эффекты деформации
        • 1. 4. 1. Эффект «кулоновской ямы»
        • 1. 4. 2. Эффекты деформации
  • Глава II. Техника экспериментального исследования
  • ПЛ. Образцы квантово-размерных гетероструктур ГпОаАз/СаАз, применение рентгеновских измерений для определения их параметров и кристаллического совершенства
    • II. 1.1. Рентгено дифракционный метод исследования эпитаксиальных структур
    • II. 1.2. Результаты рентгеновских измерений
    • II. 1.3. Методика определения параметров квантово-размерных гетероструктур 1пОаАз/ОаА
      • 11. 2. Экспериментальная установка для исследования оптических и магнитооптических свойств при низких температурах
      • 11. 3. Методика обработки оптических и магнитооптических данных и расчета энергетических спектров
  • И.3.1. Получение спектров поглощения из спектров пропускания
    • II. 3.2. Контурный анализ и обработка спектров на ЭВМ
  • Глава III. Экспериментальные результаты
    • III. 1. Спектры оптического поглощения InGaAs/GaAs в диапазоне составов х=0.03-й).25 и в диапазоне толщин квантово-размерново слоя Lz=Зч-Юнм
    • 111. 2. Магнитооптическое поглощение в структурах InGaAs/GaAs
    • 111. 3. Веерные диаграммы экситонных переходов легкой и тяжелой дырок
  • Глава IV. Анализ результатов: тяжелые дырки. Циклотронная масса тяжелых дырок в системе InGaAs/GaAs
    • IV. 1. Модель бесконечно глубокой потенциальной ямы
    • IV. 2. Массы подзон размерного квантования с учетом туннелирования легких дырок при деформации пленки в системе InGaAs/GaAs
    • IV. 3. Уровни Ландау электронов и тяжелых дырок, расчет эффективных масс, энергетических зазоров
  • Глава V. Анализ результатов: легкие дырки. Эффект «кулоновской ямы»
    • V. I. Экситонная структура спектров поглощения и магнитопоглощения в близи перехода тип I-тип II
      • V. 2. Аномальное поведение экситонов на легких дырках и восстановление реальной формы «кулоновской ямы» в системе InGaAs/GaAs
    • V. 2.1. Оценка ширины «кулоновской ямы»
    • V. 2.2. Осцилляторные уровни кулоновской ямы

Оптическая и магнитооптическая спектроскопия квантоворазмерных (In, Ga) As/GaAs гетероструктур (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Развитие современной науки и техники, требующей создания широкой номенклатуры полупроводниковых приборов с определенными параметрами, вызывает необходимость всестороннего изучения свойств полупроводниковых материалов. С другой стороны, успешное развитие теории твердого тела не может быть осуществлено без комплексного исследования зависимости этих свойств как от особенностей внутреннего строения веществ, так и от всевозможных внешних воздействий.

Среди основных методов изучения свойств полупроводниковых кристаллов одно из первых мест принадлежит оптическим методам. Оптические исследования с большой точностью позволяют определить многие параметры внутреннего строения кристаллов, качественные и количественные характеристики влияния на свойства полупроводников внешних полей и воздействий. Как показала практика подобных исследований, особенно плодотворными оказались низкотемпературные оптические методы.

Оптическая спектроскопия полупроводников, основанная на исследовании взаимодействия света с кристаллами, сыграла основную роль в развитии представлений о строении и уровнях энергии собственных состояний вещества. Методы оптической спектроскопии оказались незаменимыми при изучении края собственного поглощения полупроводников. Исследование энергетического положения спектральных линий и их формы дает важную информацию о структуре энергетических зон и энергетических состояний носителей тока в полупроводниках.

При обсуждении оптических, фотоэлектрических и других свойств кристаллов широко используется представление об экситонах. Изучение оптических спектров экситонов позволяет получать уникальную информацию об энергетической структуре кристаллов. Кроме того, экситонные состояния весьма восприимчивы к внешним воздействиям, что лежит в основе разнообразных чувствительных методов, применяющихся для исследования полупроводников.

Основным объектом для оптических исследований, описанных в данной диссертации, послужили полупроводниковые гетероструктуры в системе ГпСаАз/ОаАз. Оптические свойства соединений А3В5 неизменно вызывают большой интерес у исследователей. Интерес к данным материалам объясняется их широким использованием в современной нано — и оптоэлектронике. Широкие пределы изменения параметров кристаллической.

5 с решетки и ширины запрещенной зоны твердых растворов, А В позволяют создавать оптоэлектронные приборы, работающие во всей видимой и ближней ИК-областях спектра и являющиеся основными рабочими элементами в системах оптической передачи, записи и воспроизведения информации.

С научной точки зрения монокристаллы А3В5 представляют собой также очень интересный объект для экспериментальных и теоретических исследований. Это классические модельные объекты исследования электронных свойств прямозонных кристаллов, на которых были впервые обнаружены и изучены многие фундаментальные свойства экситонных состояний. Благодаря высокому совершенству кристаллической решетки эти кристаллы выделяются также четкостью проявления эффектов.

Настоящая работа посвящена исследованию оптических свойств, связанных с экситонными состояниями в гетероструктурах с квантовыми ямами (1п, Оа) АзЛлаА8. Особое внимание уделено магнитооптическим явлениям, касающимся поведения диамагнитных экситонов. Сравнение экспериментальных спектров с расчетными энергиями и силами осциллятора различных экситонных состояний вблизи перехода тип I — тип II позволит нам предложить модель трансформации оптических свойств при превращении глубокой гетероструктуры типа II в гетероструктуру первого типа. Такая трансформация сопровождается изменением характера оптических переходов в экситонные состояния от пространственно непрямых к прямым. Модель позволяет еще и ряд других деталей энергетического спектра этой перспективной гетероструктуры.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и приложение. Первая глава носит обзорный характер, в ней представлены теоретические и экспериментальные данные по исследованию магнитооптических свойств экситонной системы, определена терминология, и описываются общие свойства экситона, также как и диамагнитного экситона. Рассматриваются проблемы, связанные с анализом спектров диамагнитного экситона при промежуточных магнитных полях. Обсуждаются процессы, происходящие в квантово-размерной гетероструктуре (множественные квантовые ямы), при поглощении света, в том числе и при приложении магнитного поля. Приводятся известные данные, касающиеся параметров экситона и зонных параметров ГпОаАз/ОаАБ.

1. К. Lizuka, М. Hasobe, A. Nomura, Т. Suzuki. Superlattices and Microstructures, V.6,N.l, pp. l3−15 (1989).

2. Никитин Л. П., Русанов И. Б., Сейсян Р. П. и др. ФТП, 1982, т. 16, стр. 1377.

3. Cardona М., Christerisen N.E., Fasol G, Phys. Rev. B, 1988, V.38, N.3, p. 18 061 827.

4. Gilleo M.A., Bailey P. T, Hill D.E., Phys. Rev, V.174, p.898 (1969).

5. Luttinger J. M, Kohn W, Phys. Rev, V.97, p.869 (1955).

6. K. Hess, D. Bimberg, N. Lipari, J.U.Fishbach, M. Altarelli, Proc. 13th Int. Conf. Phys. Semicond, Rome, Italy (ed. By F.G.Fumi), 142.

7. D. Bimberg, In: Advances in Solid State Physics, ed. By J. Treusch (Vieweg/Pergamon, Braunschweig), v. XVII, 195 (1977).

8. J.P.Reithmaier, R. Hoger, and H. Riechert, A. Heberle, G. Abstreiter, and G.Weimann. Appl. Phys. Lett. Vol.56, N.6, 1990.

9. M.P.C.M.Krijn. Semicond. Sci. Technol. 6, 27 (1991).

10. K.H.Goetz, D. Bimberg, H. Jurgensen, J. Selders, A.V.Solmonov, G.F.Glinskij, M.Razeghi. J. Appl. Phys. Vol.54, 4543, 1983.

11. Никитин Л. П, Русанов И. Б, Сейсян Р. П, Язева Т. В. ФТТ, Т.24, В.11, стр.3453−3456 (1982).

12. Канская Л. М, Кохановский С. И, Сейсян Р. П. ФТТ, Т. 17, В.4, стр.718−720 (1983).

13. S.H.Pan, H. Shen, F.H.Pollak, Z. Hang, W. Zhuang, Q. Xu, A.P.Roth, R.A.Masult, C. Lacelle, D.Morris. Fishery В Vol.38, N.5, p.3375, 1988.

14. G.N.Aliev, N.V.Luk'yanova, R.P.Seisyan. Phys. Solid State, 1996, V.38, N 4, pp.590−594. ФТТ, 1996, T.38, N.4, C.1067−1075.

15. Pidgeon С., Groves S., Feinleib J. Solid State Communication. V.5, N.2, pp.677−689(1967).

16. Halpern J., Lax B. J. Phys: A. Chem. Solids, V.26, pp.911 (1965).

17. Reine M., Aggarval R., Lax B. Sol. St. Commun. V.5, N. l, pp.35−39 (1970).

18. Ogg N.R., Proc. Phys. Soc. 89, 431 (1966).

19. Wannier G. Phys. Rev., v.52, p. 191 (1937).

20. Mott N.F. Trans. Faraday Soc., v.34, p.500 (1938).

21. Loudon R. Amer. J. Phys., v.27, p.649 (1959).Абдуллаев M.A., Гореленок A.T., Кохановский С. И., Макушенко Ю. М., Пуляевский Д. В., Сейсян Р. П., Штенгель К. Э. ФТП 1989, Т.23, В.2, стр. 201 206.

22. Dolopolskii V. P., Seisyan R.P., Efros AI. L. Phys. Solids State B88, K177 (1978).

23. Pidgeon C. R., Brown R. N. Phys. Rev., v.146, p.575 (1966).

24. Reine M., Aggarwal R. L.- Lax B. Phys. Rev., v. B5, p.3033 (1972).

25. Aggarwal R. L. In: Semicond. A Semimet. V.9, p.151 (1973).

26. E. M. Лифшиц, Л. M. Питаевкий. Москва «Наука», стр. 271 (1978).

27. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Москва «Мир», стр. 19, т.27 (1985).

28. G. Bastard, J. Lumin. 30, 488 (1985).

29. G. Bastrad, Phys. Rev. B24, 5693 (1981) — B25, 7594 (1982).

30. Y. Takahashi, S. Owa, S.S. Капо, K. Mukari, S. Fukatsu, Y. Shiraki, R. Ito. Appl. Phys. Lett., V.60, N.2, pp.213−215 (1992).

31. См. Обзор электр. Св-в 2D системы в T. Ando, A.B.Fowler, F. Stern, Rev. Mod. Phys. 54,437(1982).

32. M. Shinada, S. Sugano, J. Phys. Soc. Jpn.21, 1936 (1966).

33. F. Stern, W. E. Howard, Phys. Rev. 163, 816 (1967).

34. R.L.S. Devine, W.T. Moore. Journal of Applied Physics, V62, Iss. 9, pp.39 994 001 (1987).

35. Т.Е. Vaneck, W.S.C. Chang, P. Chu, H.H. Wieder. Appl. Phys. Lett., V49, Iss. 3, pp.135−136 (1986).

36. J. Fritz, R.M. Biefeld, B.L. Doyle, T.J. Drummond, G.C. Osbourn. Appl. Phys. Lett. V48, Iss. 23, pp.1606−1608 (1986).

37. Т.Е. Vaneck, W.S.C. Chang, P. Chu, H.H. Wieder. Journal of the Optical Society of America A-Optics and Image Science. V3, Iss. 13, pp. P82-P83 (1986).

38. M.K. Chin, S. Niki, H.H. Wieder, W.S.C. Chang. Electronics Letters, V.28, N.12, pp. 1085−1087(1992).

39. W. Trezeciakowski, A.P. Roth. Superlattices and Microstructures, V.6, N.3, pp.315−318 (1989).

40. E.A. Fitzgerald, D.G. Ast, P.D. Kirchner, G.D. Pettit. Journal of Applied Physics, V63, Iss.3, pp.693−703 (1988).

41. Р. П. Сейсян. Спектроскопия диамагнитных экситонов. М. Наука (1984).

42. Зейтц Ф. Современная теория твердого телаМ. JI. Гостехиздат, 1949, стр. 612.

43. R.P.Seisyan, A.V.Kavokin, S.I.Kokhanovskii, A.I.Nesvizhskii, M.E.Sasin, M.A.Sinitsin, B.S.Yavich. Semicond. Sci.& Technol. 10, 611(1995).

44. A.V.Kavokin, S.I.Kokhanovskii, A.I.Nesvizhskii, M.E.Sasin, R.P.Seisyan, A.P.Egorov, A.V.Zhukov, V.M.Ustinov. Fiz. Tekh. Poluprov. 1997 S emiconductor s.

45. Al.L.Efros. Fiz. Tekh. Poluprov. 20, 128 (1986) Sov. Phys. Semicond. 20 808 (1986).

46. X.M. Fang, X.C. Shen, H.Q. Hou, W. Feng, J.M. Zhou, F. Koch. Surf. Sei., 228, 351 (1990).

47. Y.S. Huang, H. Qiang, F.H. Pollak, G.D. Pettit, P.D. Kirchner, J.M. Woodall, H. Stiagier, L.B. Sorensen. J. Appl. Phys., 70, 7537 (1991).

48. A.V.Kavokin, M.A.Kaliteevski, S.V.Goupalov, J.D.Berger, O. Lyngnes, H.M.Gibbs, G. Khitrova, A. Ribayrol, A. Bellabchara, P. Lefebvre, D. Coquillat, J.P.Lascarav. Phys.Rev. В 54, R11078 (1996).

49. A.B. Кавокин, А. И. Несвижский, Р. П. Сейсян. ФТП, 27, 977(1993).

50. P.L. Gourley, L.R. Dawson, I.J.Fritz. Appl. Phys. Lett. V52, Iss. 5, pp.377−379 (1988).

51. Г. Л. Бир, Г. E. Пикус. Москва «Наука». Главная редакция физика-математической литературы, 1972.

52. D.J. Arent, G. Borghs, J. DeBoeck, K. Deneffe, C. Van Hoof. Journal of the electrochemical Society. V.135, Iss.8, pp. C378−379 (1988).

53. D.J.Arent, S. Nilsson, H.P. Meier, Y.D. Galeuchet, W. Walter. Appl. Phys. Lett., V55, N25, pp.2611−2613 (1989).

54. K.H. Chang, P.K. Bhattacharya, R. Gibala. Journal of Applied Physics, V66, N.7, pp2993−2998 (1989).

55. H. Dai, S. Janz, R. Normandin, J. Nielsen, F. Chatenoud, R. Williams. IEEE Photonics Technology Letters, V.4, N.8, pp.820−823 (1992).

56. D.J.Arent, K. Deneffe, C. Van Hoof, J. De Boeck, and G.Borghs. J.Appl.Phys. V.66,N.4, 1989.

57. J.W.Matthews and A.E.Blakeslee. J.Cryst.27, 118, 1974.

58. G. Ji, T.S. Henderson, D. Huang, H. Morkoc, U.K. Reddy, H. Unlu. Journal of Vacuum Science and Technology B-Microelectronics Processing and Phenomena, V5, Iss. 5, pp.1346−1352 (1987).

59. J.Y.Marzin, M.N.Charasse and B.Sermage. Phys.Rev.B, 31, p.8298, 1985.

60. Y.S.Huang, H. Qiang, F.H.Pollak, G.D.Pettit, P.D.Kirchener, J.M.Woodall, H. stiager, L.B.Sorensen. J.Appl.Phys. Vol.70, N12, p.7537−7542, 1991.

61. D.J.Arent, K. Deneffe, C. Van Hoof, J. De Boeck, R. Mertens, G.Borghs. Band structure engineering in semiconductor microstructures Series B. Phys.Vol.189, 1988.

62. R.L.S.Devine and W.T.Moore. Solid State Communications, Vol.65, N.3, pp. 177−179, 1988.

63. D.N.Mirlin, V.F.Sapega, A.A.Sirenko, and M. Cardona, and K.Ploog. Semiconductors Vol.27, N.6, 1993.

64. N.G.Anderson, Y.C.Lo and R.M.Kolbas. Materials Research Society Symposum Procedures Vol.77, 1987.

65. M. Sato, Y. Horikoshi. Japanese Journal of Applied Physics Part2-Letters, V27, Iss. l 1, pp.2192−2194 (1988).

66. M. Quillec, L. Goldstein, G. LeRoux, J. Burgeat, and J.Primot. J. Appl. Phys. 55, 2904 (1984).

67. R.L.S. Devine, W.T. Moore. Solid State Communications, V65, Iss. l, pp. 19−21 (1988).

68. Hua and all. Appl.Phys.Lett. Vol.53, N.12, 1988.

69. L.J.Fritz, B.L.Doyle, T.J.Drummond, R.M.Biefield, and G.C.Osborn, Appl. Phys. Lett. 48, 1606(1986).

70. J. Menedez, a. Pinczuk, D.J.Werder, S.K.Sputz, R.C.Miller, D.L.Silvco, and A.Y.Cho, Phys. Rev. B36, 8165 (1987).

71. R. Grey, J.P.R. David, P.A. Claxton, J. Woodhead, F.G. Sanz. Journal of Applied Physics, V.66, N.2, pp.975−977 (1989).

72. T. Anan, K. Nishi, S. Sugou. Appl. Phys. Lett., V.60, N.25, pp3159−3161 (1992).

73. W. Potz and D.K.Ferry, J. Vac. Sci. Technol. B 4, 1006 (1986).

74. F.H.Pollak and M. Cardona, Phys. Rev. 172, 816 (1968).

75. T.P. Pearsall, F.H.Pollak, J.C.Bean, and R. Hull, Phys. Rev. B33, 6821 (1986) and references therein.

76. C.T.Liu, S.Y.Lin, D.C.Tsui, H. Lee, and D. Ackley, Appl. Phys. Lett. 53, 2510 (1988).

77. S. Adachi, J. Appl. Phys. 53, 8775 (1982).

78. D. Lancefield, W. Batty, C.G. Crooks, E.P. Oreilly, A.R. Adams, K.P. Homewood, G. Sundaram, R.J. Nicholas, M. Emeny, C.R. Whitehouse. Surface Science, V.229, N. l-3, pp. 122−125 (1990).

79. S. Fujita, T. Uemura, M. Tabuchi, Y. Takeda, A. Sasaki, S. Noda, Y. Nakaoka. Journal of Crystal Growth, V.95, N. l-4, pp.224−227 (1989).

80. J.W.Matthews and A.E.Blakeslee, J.Cryst. Growth 32, 216 (1976).

81. J.M.Gerard, J.Y.Marzin and J.Primot. Journal de Physique, C5−169, Colloques C5, supplement au N11, T.48 (1987).

82. Y.C. Chen, P.K. Bhattacharya, J. Singh. Journal of Vacuum Science and Technology B-Microelectronics Processing and Phenomena, V.10, N.2, pp.769 771 (1992).

83. H. Onda, H. Uenohara, F. aakoyoma and K.Iga. Japanese Journal of Appl. Phys., Vol27, N3,438−439 (1988).

84. P. Auvray, M. Baudet, A. Regreny, A. Poudoulec and B.Guenais. Journal de Physique, Colloque C5, 105−108 (1987).

85. A. Chomette, B. Deveaud, A. Regreny and G.Bastard. Phys. Rev. Lett. 57, 1464 (1986).

86. P.F.Fewster, Curling Composition and lattice — mismatch measurement of thin semiconductor layers by X — ray diffraction — J.Appl.Phys. 62(1987), p.4154.

87. D.K.Bowen. B.K.Tanner, New methods for accurate comparison of lattice parameters, — Advances in X-ray Analysis, 37(1994), p. 123.

88. L. Goldstein, M. Quillec, K. Rao, P. Henoc, J.M.Masson and J.Y.Marzin. International Conference on Epitaxial Growth, Perpignan 1982; J. Phys. (Paris) 12, C5, 201 (1982).

89. M.C.Joncour, M.N.Charasse and J.Burgeat.J. Appl. Phys. Vol.58, N9, 33 733 376 (1985).

90. Сена JI.А. Единицы измерения физических величин и их размерности. 2-е издание, перераб., М.: Наука, 1977.

91. Sell D.D., Stokowski S.F., Dingle R., Dilorenzo J.V.- Phys. Rev., v.83, 4568 (1973).

92. Уханов Ю. И. Оптические свойства полупроводников. М. Наука, стр. 368 (1977).

93. K.H.Goetz, D. Bimberg, H. Jur, J. Selders, A.V.Solomonov, G.F.Glinskii, M. Razeghi, and J J.Robin. J. Appl. Phys. 54, 4543 (1983).

94. Y.T.Leu, F.A.Thiel, H. Scheiber, B.I.Miller, and J. Bachmann, J. Electron Matter. 8, 663 (1979).

95. R.E.Nahorey, M.A.Pollack, W.D.Johnston Jr and R.L.Barns, Appl. Phys. Lett.33, 659 (1978).

96. G.N.Aliev, N.V. Luk’yanova, R.P. Seisyan, M.R.Vladimirova, V.N.Bessolov, H. Gibbs and G Khitrova. Compd. Semicond. 155, 169 (1996).

97. Landoldt-Boernstein. Band-22 Halbleiter, III/22a. Springer-Verlag. Berlin, Heidelberg (1987).

98. N.D.Il'inskaya, S.I.Kokhanovskii, and R.P.Seisyan, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 27, 108 (1993) Semiconductors 27,57 (1993).

99. L.G.Gerchikov and A.V.Subashiev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 27, 446−458 (1993) Semiconductors 27(3), (1993).

100. U.D. Venkateswaran, L.J. Cui, M. Li, B.A. Weinstein, K. Elcess, C.G. Fonstad, C. Mailhiot. Appl. Phys. Lett., V.56, N.3, pp.286−288 (1990).

101. Л. Г. Герчиков, А. В. Субашиев. ФТП, 25, 231 (1991).

102. A.M.Cohen, G.E.Marques. Phys. Rev. B. 41, 1060 (1990).

103. D.L.Smith, C.Mailhiot. Rev. Mod. Phys., 62, 173 (1990).

104. J.N.Shulman, Y.C.Chang. Phys. Rev. B, 36, 6574 (1986).

105. М. И. Дьяонов, А. В. Хаецкий. ЖЭТФ, 82, 1584 (1982).

106. L.G.Gerchikov, A.V.Subashiev. Phys. St. Sol. (b), 160, 443 (1990).

107. Г. Я. Бир, Г. Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках, 584. М. (1972).

108. N.F.Johnson, H. Ehrenreich, K.C.Hass. Phys. Rev. Lett., 59, 2352 (1987).

109. M.P.C.M.Krijin. Semicond. Sc. Tech., 4, 121 (1989).

110. Kh. Moumanis, R.P. Seisyan, S.I. Kokhanovskii, M.E. Sasin. EMRS Spring Meeting in Strasbourg, June 1−4, рр. РЗО, 1999, Busies Thin Solid, Elsevier (to be published).

111. H.Q. Hou, Y. Segawa, J.M. Zhou, Y. Aoyagi, S. Namba. Solid State Communications, V.70, Nil, pp.997−1000 (1989).

112. Гельмонт Б. Л., Сейсян Р. П., Эфрос.Ал.Л., Варфоломеев А. В. ФТП, 1977, Т.11,В.1 Стр.238−248.

113. O. Akimito, H.Hasegawa. J.Phys. Soc. Japan, 22, 181 (1967).

114. Kh. Moumanis, R.P. Seisyan, S.I. Kokhanovskii, M.E. Sasin. Physics and Technology (International Symposium). St. Petersburg, June 14−18, p.382, 1999.

115. Y.T.Dai, J.L.Shen, Y.F.chen, S.Z.Chang and S.C.Lee. Chinese Journal of Physics, Vol.36, N. l (1998).

116. Райх М. Э., Эфрос. Ал.Л. ФТТ. 1988.Т.30, В.6, Стр.1708−1716.

117. Seisyan R. P, Zakharchenya B.P. Diamagnetic exciton spectroscopy of semiconductors. In: Landau Level Spectroscopy, chapter 7, ed. By Rashba E.I., landwehr. G.

118. N.J.Pulsford, RJ. Nicholas, R.J.Warburton, M.J.Lawless, G. Duggan, K.J.Moore, K. Woodbridge and C.Roberts. Superlattices and Microstructures, Vol.9, N.4(1991).

119. P. Bigenwald and B. Gil, Solid State Commun. 91(1), 33 (1994). Phys. Semicond. 25, 140(1991).

120. Y.S.Huang, H. Qiang, F.H.Pollak, G.D.Pettit, P.D.Kirchener, J.M.Woodall, H. stiager, L.B.Sorensen. J.Appl.Phys. Vol.70, N12, pp.7537−7542 (1991).

121. G. Ji, D. Huang, U.K.Reddy, T.S.Henderson, R. Houdre, and Markoc. J. Appl. Phys. 62 (8), 3366−3373 (1987).

122. D.J. Arent, K. Deneffe, C. Van Hoof, G. De Boeck, G. Bords. J. Appl. Phys, 66, 1739(1989).

123. L.P. Gor’kov and I.E. Dzyaloshinskii, Zh. Eksper. Teor. Fiz. 53, 717 (1967) Sov. Phys. JETP 26, 449 (1967).

124. Cardona M. and Christensen N E 1988, Phys. Rev. B37, 1011.

125. R.C.Miller, P.A.Kleinman, and A.C.Gossard. Phys. Rev. B29, 7085 (1984).

126. Van de Walle С G 1989 Phys. Rev. B39, 1871.

127. Л. Д. Ландау, E.M. Лифшиц. Квантовая механика (M, Наука, 1974).

128. A. Ribayrol, D. Coquillat, A.V. Kavokin, J.P. Lascaray, H.P. Zhou, C.M. Sottomayor-Torres, B. Lunn, D.E. Ashenford. Proc. 3-d Int. Conf. on Optics of Excitons in Confined Systems (Montpellier, France, 1993).

129. K. Shum, P.P.Ho, and R.R.Alfano. Phys. Rev. B33, 7259 (1986).

130. G. Peter, E. Delepotre, G. Bastard, J.M. Berroir, C. Delalande, B. Gil, J.M. Hong, L.L. Chang. J. Luminesc, 52, 147 (1992).

131. G. Peter, E. Delepotre, G. Bastard, J.M. Berroir, C. Delalande, B. Gil, J.M. Hong, L.L. Chang. Phys. Rev. B, 42, 5891 (1990).

132. G.N.Aliev, N.V. Luk’yanova, R.P. Seisyan, M.R.Vladimirova, H Gibbs and G Khitrova. Physica Status solidi (a), Vol. 164, No 1, November 16, 1997, pp. 193 197.

133. S.I. Kokhanovskii, Kh. Moumanis, R.P. Seisyan, M.E. Sasin. Nanostructures: Physics and Technology (International Symposium). St. Petersburg, June 23−27, 1997, p.69.

134. Kh. Moumanis, R.P. Seisyan, M.E.Sasin, A.V. Kavokin, S.I. Kokhanovskii, Gibbs and G. Khitrova. ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, стр. 797. Phys. of the Solid State, V.40, N.5, p.731, May 1998.

135. K.J.Moore, G. Duggan, K. Woodbridge and C.Roberts. Phys. Rev. B41, 1905 (1990).

136. J.M.Gerard and J.Y.Marzin, Phys. Rev. B40, 6450 (1989).

137. S.I. Kokhanovskii, Kh. Moumanis, M.E. Sasin, R.P. Seisyan, A.V. Kavokin, H.M. Gibbs and G. Khitrova. Phys. Status solidi (a) (Procceedings issue of OECS-5), Vol. 164, No 1, p.67, November 1997.

138. N.J.Pulsford, M.J.Lawless, R.J.Nicholas, G. Duggan, K.J.Moore, C. Roberts, and K.Woodbridge. Superlattices and Microstructures, Vol.8, N.2 (1990).

139. G. Mo and C.C.Sung. Phys. Rev. B38, N3 (1988).

140. R.P.Seisyan, Kh. Moumanis, S.I. Kokhanovskii, M.E. Sasin, A.V. Kavokin, H.M. Gibbs and G. Khitrova. Phys. Rev. В (to be published).

Показать весь текст
Заполнить форму текущей работой

На отлично!