Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Вклады поверхностных и объёмных состояний в фотоэмиссии электронов из p+-GaAs (Cs, O) и p-GaN (Cs, O)

Диссертация: Вклады поверхностных и объёмных состояний в фотоэмиссии электронов из p+-GaAs (Cs, O) и p-GaN (Cs, O)
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Выбор полупроводника p±GaAs обусловлен тем, что он является основным материалом, используемым для создания фотоэмиттеров с ОЭС. Кроме того, система p±GaAs (Cs, 0)-BaKyyM является модельной системой для изучения ПС границы раздела «полупроводник с ОЭС"-вакуум по следующих причинам. Во-первых, современная технология позволяет получать атомарно-чистую атомарно-гладкую» и структурно-упорядоченную… Читать ещё >

Содержание

  • Список основных сокращений и обозначений

Глава 1. Фотоэмиссия электронов из полупроводников с отрицательным электронным сродством: обзор литературы.

1.1. Фотоэмиссия электронов из GaAs (Cs, 0).

1.2. Фотоэмиссия электронов из GaN (Cs, 0).

1.3. Постановка задачи.

Глава 2. Методика исследования фотоэмиссии электронов из полупроводника с отрицательным электронным сродством.

2.1. Приготовление и консервация фотокатодов с отрицательным электронным сродством.

2.2. Принципы измерений и описание измерительного стенда.

2.3. Методика измерения спектров квантовой эффективности.

2.4. Методика измерения энергетических распределений эмитированных электронов.

Глава 3. Исследование фотоэмиссии электронов из поверхностных состояний границы раздела p±GaAs (Cs, 0)-BaKyyM.

3.1. Проявление вклада электронов, эмитированных из поверхностных состояний, в спектре квантовой эффективности.

3.2. Механизмы формирования спектра квантовой эффективности фотоэмиссии электронов из поверхностных состояний.

3.3. Влияние эффекта Шоттки на спектр квантовой эффективности фотоэмиссии электронов из поверхностных состояний.

Результаты и

выводы главы 3.

Глава 4. Исследование фотоэмиссии электронов из p-GaN (Cs, 0).

4.1. Эмиссия электронов из состояний запрещённой зоны p-GaN (Cs, 0)

4.2. Эмиссия электронов из состояний валентной зоны p-GaN (Cs, 0).

4.3. Энергетическая диаграмма границы раздела p-GaN (Cs, 0)-BaKyyM.

Результаты и

выводы главы 4.

Вклады поверхностных и объёмных состояний в фотоэмиссии электронов из p+-GaAs (Cs, O) и p-GaN (Cs, O) (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

При нанесении цезия и кислорода поверхность некоторых полупроводников приобретает состояние эффективного отрицательного электронного сродства (ОЭС) [1]. В этом состоянии поверхностный энергетический барьер для1 электронов снижен настолько, что уровень вакуума лежит ниже дна зоны проводимости в объёме полупроводника. Достижение поверхностью состояния ОЭС делает возможным выход в вакуум фотоэлектронов, имеющих в полупроводнике кинетическую энергию порядка тепловой энергии. Поскольку такие фотоэлектроны составляют доминирующую часть от общего числа фотоэлектронов, то понижение барьера приводит к существенному увеличению квантовой эффективности эмиттера. Эмиттеры с ОЭС широко используются для создания высокочувствительных фотоприёмников [1], источников ультрахолодных [2]'и спин-поляризованных [3] электронов.

Создание фотоэмиттеров с ОЭС с физически предельными характеристиками* является важной научно-технинеской задачей. Несмотря* на долгую1 историю исследований, некоторые физические процессы, формирующие картину фотоэмиссии электронов, испускаемых • в вакуум эмиттером с ОЭС, остаются непонятыми, и поэтому их исследование имеет научный интерес. С другой стороны, исследование данных процессов интересно и с практической точки зрения, так как их понимание даёт возможность целенаправленного улучшения характеристик эмиттеров. Поиск путей решения данной задачи предполагает как развитие методов исследования физических процессов, определяющих характеристики фотоэмиттеров, так и изучение возможности применения новых материалов в качестве фотоэмиттеров с ОЭС.

Интерес к изучению фотоэмиссии электронов1 из поверхностных состояний (ПС) границы раздела «полупроводник с ОЭС"-вакуум обусловлен возможностью использования фотоэмиссии для изучения свойств ПС. Поверхностные состояния определяют профиль потенциальной энергии на границе раздела, а также скорость поверхностной рекомбинации и, таким образом, влияют на важнейшие характеристики фотоэмиттера: квантовую эффективность, величину ОЭС и величину темнового тока [1]. Важную роль в данных процессах играют ПС с энергиями в запрещённой зоне полупроводника. Фотоэмиссия электронов из ПС остаётся слабо изученной. В частности, не до конца понята возможность исследования фотоэмиссии электронов, эмитированных из ПС запрещённой зоны p±GaAs (Cs, 0) с ОЭС, из-за маскирующего влияния фотоэмиссии электронов, эмитированных из объёмных состояний валентной зоны. Для выяснения этого вопроса и углубления знаний о фотоэмиссии электронов из ПС необходимо совершенствовать метод исследования фотоэмиссии электронов из ПС, и провести её детальное изучение.

Интерес к изучению фотоэмиссионных свойств p-GaN (Cs, 0) обусловлен перспективой создания на его основе фотоэмиттера с уникальными характеристиками: избирательной чувствительностью к излучению ультрафиолетового (УФ) диапазона, рекордно высокой квантовой эффективностью, достигающей 72% [4], малым темновым током и устойчивостью эмитирующей поверхности к отравлению остаточными газами. Создание совершенных фотоэммитеров УФ диапазона позволит решить целый ряд насущных задач в медицине, астрономии и военной области. Научный интерес к изучению фотоэмиссии из p-GaN (Cs, 0) вызван необычными, по сравнению с другими полупроводниками, свойствами данного полупроводника. Хотя принципиальная возможность создания фотоэмиттера с ОЭС на основе p-GaN (Cs, 0) уже показана [5,6,7], но фотоэмиссия электронов из p-GaN (Cs, 0) в вакуум изучена далеко не полностью. В частности, в литературе отсутствуют сведения, об изучении энергетических распределений фотоэлектронов, эмитированных из p-GaN (Cs, 0) в окрестности порога межзонных переходов. Имеющиеся немногочисленные данные [5,6,7] об энергетической диаграмме границы раздела p-GaN (Cs, 0)-BaKyyM различаются и нуждаются в уточнении.

Цель работы.

Целью работы является исследование фотоэмиссии электронов из поверхностных состояний p±GaAs (Cs, 0) и p-GaN (Cs, 0) с отрицательным электронным сродством и уточнение энергетической диаграммы границы раздела p-GaN (Cs, 0)-BaKyyM.

Объекты исследования.

Объектами исследования выбраны фотокатоды с ОЭС, изготовленные на основе p±GaAs и p-GaN.

Выбор полупроводника p±GaAs обусловлен тем, что он является основным материалом, используемым для создания фотоэмиттеров с ОЭС. Кроме того, система p±GaAs (Cs, 0)-BaKyyM является модельной системой для изучения ПС границы раздела «полупроводник с ОЭС"-вакуум по следующих причинам. Во-первых, современная технология позволяет получать атомарно-чистую атомарно-гладкую» и структурно-упорядоченную поверхность p±GaAs. Во-вторых, эпитаксиальные слои p±GaAs отличаются низкой плотностью дефектов кристаллической структуры. Присутствие данных дефектов нежелательно ввиду того, что они образуют дополнительные электронные состояния, фотоионизация которых может затруднять изучение фотоэмиссии электронов, эмитированных из ПС.

Выбор полупроводника p-GaN вюрцитной кристаллической модификации связан с перспективой его применения в фотоприёмниках УФ диапазона. Кроме того, выбора обусловлен малоизученностью фотоэмиссии электронов из фотоэмиттеров с ОЭС на основе p-GaN.

Методы исследования.

В диссертации используются методы спектроскопии квантовой эффективности фотоэмиссии и фотоэлектронной спектроскопии.

Положения, выносимые на защиту.

1. Исследование фотоэмиссии электронов из поверхностных состояний в полупроводниках с ОЭС позволяет измерять работу выхода поверхности и её изменение во внешнем электрическом поле.

2. Измерение энергетических распределений электронов, эмитированных p-GaN (Cs, 0) в вакуум, позволяет определить энергетическую диаграмму границы раздела p-GaN (Cs, 0)-BaKyyM.

Структура диссертации.

Диссертация состоит из оглавления, списка основных сокращений и условных обозначений, введения, четырёх глав, заключения, списка цитируемой литературы.

Во введении обоснованы актуальность исследования и выбор объектов исследования, указаны методы* исследования, сформулированы цель работы и положения, выносимые на защиту.

Заключение

Основные результаты и выводы.

1. Экспериментально' обнаружена, и, изучена фотоэмиссия электронов из p±GaAs (Cs, 0) при энергии фотонов меньше ширины запрещённой зоны, обусловленная возбуждением электронов из поверхностных состояний.

2. Фотоэмиссия электронов при: энергии фотоновменьше ширины запрещённой* зоны была впервые использована для измеренияработы выходаповерхности? p±GaAs (Cs, 0) с отрицательнымэлектронным сродством. — V.

3. Установлено, что изменение работы выхода поверхности p±GaAs (Gs, 0) в электрическом поле, измеренное методом спектроскопии,.квантовой' эффективности фотоэмиссии, соответствует теории Шоттки.

4. Измерены, и изучены энергетические распределения^ фотоэлектронов, эмитированных из p-GaN (Cs, 0) в окрестности порога межзонных переходов.

5. Установлено, что фотоэмиссия электронов из p-GaN (Cs, 0) при энергии-фотонов меньше ширины запрещённой зоны обусловлена возбуждением электронов, какиз поверхностных состояний, так и. из объёмных локализованных состояний., • ¦

6. Анализ зависимости энергиибаллистических электронов, эмитированных из p-GaN (Cs, 0), от энергии фотонов позволил уточнить значение эффективной массы тяжёлых дырок в GaN внаправлении, А зоны Бриллюэна. Оно равно (0.6 ± 0.15)-Шо, где ш0- масса электрона в вакууме.

7. Установлено, что исследование фотоэмиссии электронов из p-GaN (Gs, О) в окрестности порога межзонных переходов позволяет определить-основные, параметры энергетической диаграммы границы раздела p-GaN (Cs, 0)-BaKyyM.

Диссертационная работа была выполнена в лаборатории неравновесных явлений в полупроводниках института физики полупроводников СО* РАН. Сборкаи настройка измерительного' стенда, разработка и написание части программного обеспечения стенда для автоматизации измерений, проведение измерений, а также обработка экспериментальных данных выполнялись автором лично. Интерпретация полученных результатов инаписание статей проводились совместно с соавторами опубликованных работ.

Автор считает приятным долгом поблагодарить своего научного руководителя А. С. Терехова за предоставление интересной темы, руководство и поддержку работы. Автор благодарен А. В. Язькову и D. Gille за помощь в проведении измерений спектров квантовой эффективности и энергетических распределений фотоэлектронов, эмитированных из p-GaN (Cs, 0) в вакуум- (разделы 4.1 и 4.2) — О. Е. Терещенко за проведение исследований электронных свойств поверхности p-GaN (Cs, 0) методами Андерсона и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (раздел 4.3) — B. Bi Бакинуч за написание программного обеспечения стенда для автоматизации измеренийГ.Э. Шайблеру, С. Н. Косолобову, В. В. Хатункину, -Н.С. Рудой, Е. Х. Хайри за изготовление вакуумных фотодиодов;

A.С. Ярошевичу за постоянные консультации по техническим вопросам;

B.JI. Альперовичу за полезные дискуссии о физике поверхностных состоянийа также всем сотрудникам лаборатории за повседневную помощь и поддержку, которая способствовала выполнению данной работы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , БеллР.Л. Эмиттеры с отрицательным электронным сродством. — Москва: «Энергия», 1978. — 192 с. 2.- Spectroscopy of nonequilibrium electrons and phonons. — Ed. by Shank C.V. and Zakharchenya B.P. — Amsterdam: «Elsevier», 1992. — 307 p.
  2. Оптическая ориентация. —Под ред. Захарчени Б. П-, Майера Ф. — Ленинград: «Наука», 1989. — 408 с.
  3. Uchiama S., Takagi К, Nigaki М., Kah Н. GaN-based photocathodes with extremely high quantum efficiency. — Appl. Phys. Lett, 2005, v.86, p.103 511−3.
  4. EyckelerM., MonchW., KampenT.U. et al. Negative electron affinity of cesiatedVp-GaN (OOOl) surfaces. — J. Vac. Sci. Technol. B, 1998, v. 16, № 4, p.2224−2228.
  5. Tereshchenko O.E., Pakhnevich A.A., Scheibler H.E. et al. GaN-(Cs, 0) photocathode for polarized electron source. — Book of abstracts of the workshop «Polarized sources and target» (PST2003), Novosibirsk, Russia, 2003, p. 12.
  6. А.А., Бакин В. В., Язьков А. В. и др. Энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных из p-GaN(Cs, 0) сэффективным отрицательным электронным сродством. — Письма в ЖЭТФ, 2004, т.79, № 10, с.592−596.
  7. В akin V. V., Pakhnevich A. A., Zhuravlev A.G. et al. Semiconductor surfaces with negative electron affinity. — e-J. Surf. Sci. Nanotech., 2007, v.5, p.80−88.
  8. A.A., Бакин B.B., Шайблер Г. Э., Терехов А. С. Эмиссия баллистических фотоэлектронов из p-GaN(Cs, 0) с эффективным отрицательным электронным сродством. — ФТТ, 2007, т.49, № 11, с.1976−1980.
  9. Sheer J.J., van Laar J. GaAs-Cs: A new type of photoemitter. — Solid State Commun., 1965, v.3, p.189−193.l.Tumbull A. A, Evans G.B. Photoemission from GaAs-Cs-O. — J. Phys. D: Appl. Phys., 1968, v. 1, №.2, p.155−160.
  10. H.A. Новый класс электронных эмиттеров. — УФН, 1973, т.111, №.2, с.331−353.
  11. Ambacher О. Growth and applications of group IH-nitrides. — J. Phys. D: Appl. Phys., 1998, v.31, p.2653−2710.
  12. Ю.Г., Ребане Ю. Т., Зыков В. А., Сидоров В. Г. Широкозонные полупроводники.- —Санкт-Петербург: «Наука», 2001. — 128 с.
  13. Optoelectronic devices: Ill-nitrides. — Ed. by Razeghi M. and Henini M. — Amsterdam: «Elsevier», 2004. — 575 p.
  14. М.И., Перелъ В. И., ЯсиевичИ.Н. Эффективный механизм энергетической релаксации горячих электронов в полупроводниках р-типа, — ФТП, 1977, т. 11, № 7, с.1365−1370.
  15. Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников. — Москва: «Мир», 1990. — 488 с.
  16. Э. Физика поверхности. — Москва: «Мир», 1990. — 536 с.
  17. Margaritondo G. Interface states at semiconductor junctions. — Rep. Prog. Phys., 1999, v.62, p.765−808.
  18. Brills on L. J: Metal-semiconductor interfaces. — Surf. Sci., 1994, v.299−300, p.909−927.29Monch W. Metal-semiconductor contacts: electronic properties: — Surf. Sci., 1994, v.299−300, p.928−944.
  19. OypaK., ЛифшицВ.Г., СаранинА.А., Зотов А. В., КатаямаМ. Введение в физику поверхности. — Москва: «Наука», 2006. — 490 с.
  20. Guichar G.M., Balkanski M., Sebenne С.A. Semiconductor surface state spectroscopy. — Surf. Sci., 1979, v.86, p.874−887.
  21. Araghi-Kozaz H., Brojerdu G., Besanqon M., Dolle P., Jupille J. The role of superoxo-like species in oxidation of alkali metal-precovered GaAs (lOO) surfaces. — Surf. Sci., 1991, v.251−252, p. 1091−1095.
  22. Laubschat C., Prietsch M., Domke M. et al. Switching of band bending at the nonreactive CsOx/GaAs (HO) interface. — Phys. Rev. Lett., 1989, v.62, № 11, p.1306−1309.
  23. Magnusson K.O., Reihl B. Surface electronic structure of submonolayer to full-monolayer coverages of alkali metals on GaAs (llO): К and Cs. — Phys. Rev. B, 1989, v.40, № 11, p.7814−7818.
  24. Remitters G., Prietsch M., Laubschat C. et al. Oxidation of alkali/GaAs (l 10) interfaces. —J. Electr. Spectr. Relat. Phenom., 1990, v.52, p.79−89.
  25. Prietsch M., Domke M., Laubschat С. et al. Mechanisms. of band1 bending at CsOx/GaAs (HO) interfaces: Influence of overlayer stoichiometry and interfacial reactivity. — J. Vac. Sci. Technol. B, 1989, v.7, № 4, p.986−990.
  26. Su C.Y., Spicer W.E., LindauL Photoelectron spectroscopic determination of the structure of (Cs, 0) activated GaAs (110) surfaces. — J. Appl. Phys., 1983, v.54, № 3, p.1413−1422.
  27. Cao R., Miyano K., Kendelewicz Т., LindauL, Spicer W.E. Low-temperature alkali metal/III-V interfaces: a study of metallization and Fermi level movement. — J. Vac. Sci. Technol. В., 1989, v.7, № 4, p.919−924.
  28. Cao R, Miyano K., Kendelewicz Т., LindauL, Spicer W.E. Metallization and Fermi-level movement at the Cs/GaAs (l 10) interfaces. — Phys. Rev. B, 1989, v.39, № 17, p.12 655−12 663.
  29. Wong M., Heskett D., Dinardo N.J., Plummer E. W. Non-metallic behavior of cesium on GaAs (llO). — Surf. Sci. Lett, 1989, v.208, p. 1−6.
  30. HeskettD, Tang D., Mclean A: B: et al. Metal^iducedr statesV on the GaAs (l 10) surface probed by anglerresolved' pliotoemission spectroscopy. -— Appl. Surf. Sch, 1991, v.48−49, p.260−263.
  31. Gregory P.E., Spicer WiE. Photoemissiom studies of the GaAs-Cs interface:
  32. Phys. Rev. B, 1975, v. 12,№ 6, p.2370−2381. • ЛЪБенеманскаяГ. В, Дайнека Д: В, Франк-КаменецкаяК.Э) Электронныесвойства границы, раздела- Cs/GaAs (l 10) и формирование метастабильных Cs-кластеров. — ЖЭТФ, 2001, т. 119^ № 2, с.342−349.
  33. А.Л., Смирнов С. Ю. Спектры поверхностной? фотоэдс и. поверхностные состояния' GaAs (100) с субмоноатомными слоями цезия.
  34. ФТТ, 1994, т.36, № 1, с.9−19.
  35. О.Е. Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs, 0). —Дис.- канд. физ.-мат. наук. Новосибирск, 1999.— 168 с. ¦
  36. Mperovich V.L.,)Panlish A.G., Terefchov A.S., Domination of adatom-induced- over defect-induced?surface-states--omp-type:^
  37. Phys. Rev. B, 1994, v.50, № 8, p.5480−5483. ^
  38. James L. W., Antypas G.A., Edgecumbe J., MoonR.L., Bell R.L. Dependence on crystalline face of the band bending in Cs20-activated GaAs. — J. Appl. Phys.,.1971, v.42, № 12, p.4976−4980.
  39. M.B., Филиппов С.JI., Коротких BJI. Спектр поверхностных состояний арсенида галлия при адсорбции цезия и кислорода. — Поверхность,. 1987, т: Г, с. 107−1Т0>
  40. Е. О. Theory of photoelectric emission,' from — semiconductors. — Phys. Rev., 1962, v. 127, № 1, p.131−141.
  41. Gobeli G. W., Allen F.G. Direct and indirect processes in* photoelectronic emission from silicon. — Phys. Rev., 1962, v.127, № 1, p.141−149. .
  42. Ballantyne J.M. Effect of energy loss on photoemissive yield near threshold.
  43. Phys. Rev. B, 1972, v. 127, № 4, p.1436−1455.
  44. Scheer J. J., van Laar J. Fermi level stabilization at cesiated semiconductor surfaces. — Solid State Commun., 1967, v.5, p.303−306.
  45. Drouhin H.-J., Hermann C., Lampel G. Photoemission from activated gallium arsenide. I. Very-high-resolution energy distribution curves. — Phys. Rev. B, 1985, v.3 Г, № 6, p.3859i3871.
  46. Santic B. On the hole effective mass and free hole statistics in wurtzite GaN. — Semicond. Sci. Technol., 2003, v.18, p:219−224.
  47. Salvador A., Liu G., Kim W. et al. Properties of a Si doped GaN/AlGaN single quantum well. — Appl. Phys. Lett, 1995, v.67, № 22, p.3322−3324.
  48. Im J.S., MoritzA., Steuber F. et al. Radiative carrier lifetime, momentum matrix element, and hole effective mass in GaN. — Appl. Phys. Lett, 1997, v.70, № 5, p.631−633.
  49. Brunner D., AngererH., BustarretE. et al. Optical constants of epitaxial AlGaN films and their temperature dependence. — J. Appl. Phys., 1997, .v.82, № 10, p.5090−5096.
  50. MuthJ.F., LeeJ.H., Shmaginl.K. et al. Absorption coefficient, energy gap, exciton binding energy, and recombination lifetime of GaN obtained from transmission measurements. — Appl. Phys. Lett, 1997, v.71, № 18, p.2572−2574.
  51. TsenKT., Ferry D.K., Botchkarev A. et al. Direct measurements of electron-longitudinal optical scattering rates in wurtzite GaN. — Appl. Phys. Lett, 1997, v.71, № 13, p.1852−1853.
  52. Kash J.A., TsangJ.C., HvamJ.M. Subpicosecond time-resolved Raman spectroscopy of LO phonon in GaAs. — Phys. Rev. Lett, 1985, v.55, № 19, p.2151−2154.
  53. Siegle H., Kaczmarczyk G., Filippidis L. et al. Zone-boundary phonons in hexagonal and cubic GaN. — Phys. Rev. B, 1997, v.55, № 11, p.7000−7004.
  54. Vennegues P., Leroux M., Dalmasso S. et al. Atomic structure of pyramidal defects in Mg-doped GaN. — Phys. Rev. B, 2003, v.68, p.235 214−8.
  55. Bandic Z.Z., Bridger P.M., Piquette E.C., McGill T.C. Electron diffusion length and lifetime in p-type GaN. — Appl. Phys. Lett, 1998, v.73, № 22, p.3276−3278.
  56. Kumakura K, Makimoto Т., Kobayashi N. et al. Minority carrier diffusion length in GaN: dislocation density and doping concentration dependence. — Appl. Phys. Lett, 2005, v.86, p.52 105−3.
  57. Mansour N., KimK.W., BannovN.A., Littlejohn M.A. Transient ballistic transport in GaN. — J. Appl. Phys., 1997, v.81, № 6, p.2901−2903.
  58. Kozodoy P., DenBaars S.P., Mishra U.K. Depletion region effects in Mg-doped GaN. — J. Appl. Phys., 2000, v.87, № 2, p.770−775.
  59. Shiojima K., Sugahara Т., Sakai S. Current transport mechanism of p-GaN Schottky contacts. — Appl. Phys. Lett, 2000, v.77, № 26, p.4353−4355.
  60. Gotz W., Johnson N.M., Walker J., BourD.P., Street R.A. Activation of acceptors in Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition. — Appl. Phys. Lett, 1996, v.68, № 5, p.667−669. .
  61. Gotz W., Kern R.S., Chen C.H. et al. Hall-effect characterization, of III-V nitride semiconductors for high efficiency light emitting diodes. — Mater. Sci. Eng. B, 1999, v.59, p.211−217.
  62. Kozodoy P., Xing H., DenBaars S.P. et al. Heavy doping effects in Mg-doped GaN. — J. Appl. Phys., 2000, v.87, № 4, p. 1832−183 5.
  63. Srite S., Morkoq H. GaN, A1N and InN: a review. — J. Vac. Sci. Technol. B, 1992, v. 10, № 4, p.1237−1266.
  64. Kampen T. U., Eyckeler M., Monch W. Electronic properties of cesium-covered GaN (0001) surfaces. — Appl. Phys. Lett, 1998, v.123−124, p.28−32.
  65. Dhesi S.S., Stagarescu C.B., Smith KE. et al. Surface and bulk electronic structure of thin-film wurtzite GaN. — Phys. Rev. В, 1997, v.56, № 16, p.10 271−10 275.
  66. Simpkins B.S., YuE.T., Waltereit P., Speck J. S: Correlated scanning Kelvin probe and conductive atomic force microscopy studies of dislocation in gallium nitride.— J. Appl. Phys., 2003, v.94, № 3, p. 1448−1453.
  67. Qiu C. J I., Hoggatt C., Melton W., Leksono M. W., Pankove J.I. Study. of defect states in GaN films by photoconductivity measurement. — Appl- Phys. Lett, 1995, v.66, № 20, p.2712−2714.
  68. Qiu СЛ., Pankove Jil. Deep- levels and persistent photoconductivity^Tni GaN1 thimfilms. — Appl. Phys. Eett, 1997, v.70^ №l-5j p. l983H985. ^
  69. Haag H., Honerlage Bi, Briot O., Aulombard R.L. Influence of defect states on the nonlinear optical properties of GaN- — Phys. Rev. B, 1999, v.60, № 16, p. l 1624−11 630.
  70. Colton J.S. YuP.Y. What determines the emission peak energy of the blue luminescence in highly Mg-doped p-GaN? — Appl. Phys. Lett, 2001, v.78, № 17, p.2500−2502.
  71. Pankove J. I, Schade H. Photoemission from GaN. — Appl. Phys. Eett,.1974, v.25, p.53−55.
  72. И.В., Бенеменская Г. В., Вихнин B.C., Франк-Каменецкая Г.Э., Шмидт Н. М. Осцилляции в спектрах пороговой фотоэмиссии GaN (OOOl) с субмонослойными Cs покрытиями. — Письма в ЖЭТФ, 2003, т. 77, № 5, с. 270−274.
  73. Ю.Б., Морозов Б. В., ПаулишА.Г. и др. Полупрозрачный арсенидгаллиевый фотокатод на стекле с чувствительностью до 1700 мкА/Лм. — Письма в ЖТФ, 1990, т. 16, №.7, с.25−29.
  74. Pastuszka S., KratzmannD., Wolf A. et al. Elucidation of activation layer model by means of measurements of photoelectron energy distribution curves. — AIP Conf. Proc., 1998, v.421, №.1, p.493−494.
  75. Tereshchenko O.E., Chikichev S.I., Terekhov A.S. Composition and structure of HCl-isopropanol treated and vacuum annealed GaAs (100) surfaces. — J. Vac. Sci. Technol. A, 1999, v.17, № 5, p.1−7.
  76. Rodway D.C., Allenson M.B. In situ surface study of the activating layer on GaAs (Cs, 0) photocathodes. — J. Phys. D: АррГ. Phys., 1986, v.19- p.1353−1371.
  77. Stocker B. J. AES and LEED study of the activation of GaAs-Cs-0< negative electron affinity surfaces. — Surf. Sci., 1974, v.47, №.2, p.501−513.
  78. O.E., ШайблерГ.Э., Ярошевич А. С. и др. Низкотемпературная методика очистки* поверхности p-GaN (OOOl) для фотоэмиттеров с эффективным отрицательным электронным сродством. — ФТТ, 2004, т.46, № 10, с.1881−1885.
  79. Simpson J.A. Design of retarding field energy analyzers. — Rev. Sci. Instrum., 1961, v.32, №.12, p.1283−1295.
  80. Enloe C.N. High-resolution retarding potential- analyzer. — Rev. Sci. Instrum., 1993, v.65, №.2, p.507−508.
  81. А.Г. Исследование электронных свойств поверхности арсенида галлия с адсобрированными слоями цезия и кислорода. — Дис. канд. физ.-мат. наук. — Новосибирск, 1994. — 113 с.
  82. Terekhov A.S., Orlov D.A. Photoelectron thermalization near the unpinned surface of GaAs (Cs, 0) photocathode. — SPIE Proc., 1995, v.2550, p. 157 164.
  83. C.A. Интегральная вторично-электронная спектроскопия поверхности. — Ленинград: «Ленинградский университет», 1986. — 180с.
  84. Р.Н., Davis J. С. Reflection and transmission of electrons through surface potential barriers. — Surf. Sci., 1964, v. l, p.194−212.
  85. А. С, Орлов Д. А. Тонкая структура спектров-термализованных фотоэлектронов, эмитированных из GaAs с отрицательным электронным сродством. — Письма в ЖЭТФ, 1994, т.59, № 12, с.827−831.
  86. Alperovich V.L., Zaletin V.M., Kravchenko A.F., Terekhov A.S. The influence of phonons and impurities on the broadening of excitonic spectra in gallium arsenide. — Phys. Stat. Sol. B, 1976, v.77,.p.465−472.
  87. К.П., Мирахмедов Ш1., Тешабаев А., Худайбердыев С. С. Особенности* распределения ' плотности состояний в сильно легированном р-GaAs. — ФТП, 1976, т. 10, № 4, с.658−664*.
  88. Turner W.J., Reese W.E. Absorption of laser-type GaAs at 300 and 77 K. — J. Appl. Phys., 1963, v.35, № 2, p.350−352.
  89. В.Э. Размерное квантование и туннелирование электронов в фотоэмиссии из p±GaAs(Cs, 0). — Дис. канд. физ.-мат. наук. Новосибирск, 2005. — 107 с.
  90. Shamirzaev T.S., Zhuravlev K.S., Yakusheva N.A., Petrenko I.P. New impurity-induced defect in heavily zinc-doped GaAs grown by liquid phase epitaxy. — Semicond. Sci. Technol., 1998, v.13, p. l 123−1129.
  91. Varshni Y.P. Temperature dependence of the energy gap in semiconductors.
  92. Physica, 1967, v.34, p.149−154.
  93. Fuchs R., Kliewer K.L. Optical modes of vibration in an ionic crystal slab.
  94. Phys. Rev., 1966, v. 140, № 6, p. A2076-A2088.
  95. Ю П., КардонаМ. Основы физики полупроводников. — Москва: «Физматлит», 2002. — 560 с.
  96. Monch W. Semiconductor surfaces and interfaces. — Berlin: «Springer-Verlag», 1993. — 366 p.
  97. Зи С. Физика полупроводниковых приборов, т.1 — Москва: «Мир», 1984. —456 с.
  98. Howorth J.R., Harrner A.L., Trawny E.W., Holtom R., Sheppard C.J.R. Electric field enhancement of escape probability on negative-electron-affinity surfaces. — Appl: Phys. Lett., 1973, v.23, № 3, p. 123−124'.
  99. A.JI., Коротких B.JI. Влияние сильного электрического поля на фотоэмиссию из GaInAs-фотокатодов с отрицательным электронным сродством. — ФТТ, 1978, т.20, № 3, с.734−738.
  100. А.С., Орлов Д. А., ЯрошевичА.С. и др. Влияние силы зеркального изображения на фотоэмиссию электронов" из- GaAs с отрицательным электронным сродством. — ФТТ, 1996, т.38, — № 1&bdquo-с.306−309.
  101. Шкловский Б. И"., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников. — Москва: «Наука», 1979. — 416 с.
  102. Kudrawiec R., Sqk G., MisiewiczJ. et al. Room temperature photoreflectance of different electron concentration GaN epitaxial layers. — Mater. Sci. Eng. B, 2002, v.96, p.284−288.
  103. A.M. Введение в теорию" полупроводников. — Москва: «Наука», 1978. —616 с.
  104. Merz С., Kanzer М., Kaufmann U., Akasakil., Атапо Н. Free and bound exitons in thin wurtzite GaN layers on sapphire. — Semibond. Sci. Technol., 1996, v. l 1, p.712−716.
  105. Chtchekine D.G., FengZ.C., Chua S.J., Gilliand G.D. Temperature-varied photoluminescence and magnetospectroscopy study of near-band-edge emissions in GaN. — Phys. Rev. B, 2001, v.63, № 6, p.125 211−7.
  106. Witowski A.M., PakulaK., Baranowski J.M., Sadowski M.L., Wyder P. Electron effective mass in hexagonal GaN. — Appl. Phys. Lett., 1999, v.75, № 26, p.4154−4155.
  107. Drechsler M., Hofmann D.M., Meyer. B.K. et al. Determination of the conduction band electron effective mass in hexagonal GaN. — Jpn. J. Appl. Phys. Part 2, 1995, v.34, № 9B, p. Ll 178-L1179.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!