Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Энергетический спектр двумерных электронных состояний в гетеро-и МДП-структурах на основе бесцелевого полупроводника HgCdTe

Диссертация: Энергетический спектр двумерных электронных состояний в гетеро-и МДП-структурах на основе бесцелевого полупроводника HgCdTe
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Всевозрастающий интерес к электронным системам с пониженной размерностью связан с последними достижениями микроэлектроники на пути миниатюризации микроэлектронных приборов. Развитие технологических методов, таких как метод молекулярно-лучевой эпитаксии и электронно-лучевой литографии, реализации различных микроэлектронных систем делает возможным изготовление с высокой степенью точности… Читать ещё >

Содержание

  • Глава I. Двумерные состояния в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках. Обзор литературы
    • 1. Энергетический спектр бесщелевых и узкощелевых полупроводников Нд1хСс1хТе
    • 2. Поверхностные и интерфейсные состояния
    • 3. Энергетический спектр носителей заряда в тонких пленках и симметричных квантовых ямах
    • 4. Двумерные электронные состояния в приповерхностных квантовых ямах в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
    • 5. Спин-орбитальное расщепление спектра двумерных состояний в приповерхностных квантовых ямах и резонансные эффекты
    • 6. Экспериментальные исследования двумерных состояний в приповерхностной квантовой яме в бесщелевых полупроводниках
  • Выводы и постановка задачи
  • Глава II. Особенности энергетического спектра двумерных носителей в гетероструктуре полупроводник/бесщелевой полупроводник
    • 1. Постановка задачи для численного расчета спектра двумерных состояний в плавном гетеропереходе без учета удаленных зон
    • 2. Влияние ширины гетероперехода на энергетический спектр интерфейсных состояний в гетероструктуре
  • НдТе/СсГГе
    • 3. Закон дисперсии двумерных состояний в гетероструктуре НдТе/СсГГе при наличии потенциальной квантовой ямы вблизи гетерограницы
  • Глава III. Анализ результатов туннельных исследований гетероструктур HgTeZHgo.05Cdo.95Te
    • 1. Принципы туннельной спектроскопии как метода исследования
    • 2. Заселенности подзон размерного квантования в гетероструктуре НдТе/Нд0.о5Сс1о.95Те по данным туннельных исследований
    • 3. Расчет заселенностей подзон размерного квантования в гетероструктуре HgTeZHg0.05Cd0.95Te. Сравнение с экспериментом
  • Глава IV. Двумерные носители в МДП-структурах на основе бесщелевого Нд1хСс1хТе. Анализ данных туннельных исследований
    • 1. Особенности расчета спектра двумерных состояний в гетероструктуре бесщелевой полупроводник/диэлектрик
    • 2. Влияние величин разрывов зон Гб и Г8 на гетерогранице на спектр двумерных состояний
    • 3. Спин-орбитальное расщепление и эффективная масса двумерных состояний в МДП-структуре. Анализ экспериментальных данных
  • Глава V. Межзонное смешивание двумерных состояний с объемными состояниями тяжелых дырок в бесщелевом и узкощелевом полупроводниках
    • 1. Учет удаленных зон в задаче о нахождении энергетического спектра двумерных состояний в гетероструктуре
    • 2. Энергетический спектр резонансных двумерных состояний в гетероструктуре. Резонансное уширение
    • 3. Интерпретация результатов туннельных исследований

Энергетический спектр двумерных электронных состояний в гетеро-и МДП-структурах на основе бесцелевого полупроводника HgCdTe (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Всевозрастающий интерес к электронным системам с пониженной размерностью связан с последними достижениями микроэлектроники на пути миниатюризации микроэлектронных приборов. Развитие технологических методов, таких как метод молекулярно-лучевой эпитаксии и электронно-лучевой литографии, реализации различных микроэлектронных систем делает возможным изготовление с высокой степенью точности тонкопленочных структур типа металл/диэлектрик/полупроводник (МДП), различного рода гетеропереходов, сверхрешеток, а также систем квантовых проволок и точек. Возможное применение таких структур для создания новых электронных приборов поддерживает постоянный интерес исследователей к ним. Принципиально новые физические явления, обнаруженные в системах с пониженной размерностью, уже нашли свое практическое применение. Так, например, на основе квантового эффекта Холла создан эталон электрического сопротивленияна основе квантовых гетероструктур создан полупроводниковый лазер, работающий в голубой области видимого спектра излучений.

Проявление квантовых эффектов в системах с пониженной размерностью делает их привлекательными объектами для фундаментальных исследований. Наиболее исследованными являются системы двумерных носителей в приповерхностных квантовых ямах, тонких пленках, гетерои МДП структурах, изготовленных на основе широкозонных полупроводников, таких как 81, СэАб [1]. Связано это, в первую очередь, со значительными успехами в технологии получения высококачественных структур, а также с возможностью применения традиционных экспериментальных методов, таких как гальваномагнитные и оптические исследования, для изучения свойств двумерных электронных систем в широкозонных полупроводниках.

Большой интерес, как с научной, так и с практической точки зрения, представляют узкозонные и бесщелевые полупроводниковые материалы. На основе наиболее изученного в настоящее время узкозонного полупроводника Нд1хСс1хТе созданы чувствительные приемники инфракрасного излучения, работающие в актуальной области спектра. Высокая чувствительность энергетического спектра этого материала к внешним воздействиям делает принципиально возможным создание перестраиваемых источников излучения и фотоприемников. То обстоятельство, что полупроводники Нд1хСс1хТе образуют непрерывный ряд твердых растворов, дает уникальную возможность получать материалы с различной шириной запрещенной зоны вплоть до нулевой, что трудно переоценить с прикладной точки зрения.

Как известно, электрофизические свойства полупроводниковых материалов определяются энергетическим спектром носителей заряда [2]. Особенностью энергетического спектра узкощелевых и бесщелевых полупроводников является сильная непараболичность энергетического спектра свободных носителей заряда, малая величина эффективной массы электронов на дне зоны проводимости, большое спиновое расщепление электронных состояний в магнитном поле. Как следствие, энергетический спектр двумерных состояний в таких материалах существенно отличается от спектра двумерных состояний в широкозонных полупроводниках. Так в полуограниченном узкощелевом или бесщелевом полупроводнике даже в отсутствие притягивающего носители потенциала вблизи границы полупроводника существуют так называемые интерфейсные (или поверхностные) двумерные состояния [3, 4, 5]. Эти состояния играют важную роль в формировании спектра двумерных состояний в тонких пленках [6] и квантовых ямах [7, 8].

Яркие особенности возникают при размерном квантовании носителей в несимметричной квантовой яме, одним из примеров которой является поверхностная квантовая яма, возникающая в результате изгиба зон у поверхности полупроводника. В результате спин-орбитального взаимодействия в такой системе происходит снятие спинового вырождения двумерных подзон при ненулевом значении квазиимпульса даже в отсутствие магнитного поля [9]. В узкощелевых и бесщелевых полупроводниках величина спин-орбитального расщепления двумерных подзон на порядок больше, чем в случае широкозонных материалов [10, 11, 12], что существенно облегчает экспериментальное исследования данной особенности.

Вследствие малости ширины запрещенной зоны в узкощелевых полупроводниках и ее отсутствия в бесщелевых полупроводниках электронные двумерные состояния, локализованные в поверхностной квантовой яме, могут находиться на фоне состояний валентной зоны объема полупроводника. Если в узкощелевых полупроводниках влияние такого резонанса на спектр двумерных состояний довольно подробно было исследовано [13, 14, 15], то в бесщелевых полупроводниках этот вопрос практически не изучен.

Экспериментальные исследования двумерных состояний в бесщелевых материалах традиционными гальваномагнитными и оптическими методами затруднены вследствие высокой проводимости и высокой оптической плотности объема полупроводника. Практически все результаты получены методом вольт-емкостной [16, 17] и туннельной спектроскопии [18] в магнитном поле. Объектами исследований в этих экспериментах являются гетерои МДП структуры на основе бесщелевого полупроводника, в которых двумерные носители локализованы в квантовой яме, образованной изгибом зон вблизи гетерограницы бесщелевой полупроводник /широкозонный полупроводник или бесщелевой полупроводник/ диэлектрик. Это делает невозможным использование результатов известных теоретических работ для количественной интерпретации экспериментальных результатов. Кроме того, вследствие взаимной диффузии компонент в реальных структурах гетеропереход оказывается нерезким. Влияние нерезкости гетероперехода на спектр двумерных состояний в гетероструктурах на основе бесщелевого полупроводника не исследовано.

В связи с вышеизложенным, цель настоящей работы была сформулирована следующим образом: исследовать энергетический спектр двумерных электронных состояний в реальных гетерои МДП-структурах на основе бесщелевого полупроводника при наличии изгиба зон вблизи гетерограницы.

В работе был рассчитан энергетический спектр двумерных состояний в рамках кР — модели. Реальные структуры моделировались введением в гамильтониан координатной зависимости положений краев энергетических зон и электростатического потенциала в области гетерограницы. Нахождение энергетического спектра носителей заряда в этом случае представляет собой задачу на нахождение собственных значений и собственных функций системы дифференциальных уравнений для огибающих волновых функций. Сделанное в работе приближение плоских энергетических зон в области, достаточно удаленной от гетерограницы, позволило корректно сформулировать граничные условия. Для решения использовались методы прямого численного интегрирования систем дифференциальных уравнений.

Работа сделана в отделе оптоэлектроники и полупроводниковой техники НИИ физики и прикладной математики при Уральском государственном университете в рамках исследований, проводимых в лаборатории физики электронных явлений в полупроводниках по теме 2.6.3 «Свойства двумерного электронного и дырочного газа. Фундаментальное исследование», при частичной финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант 97−02−16 168), программ Физика твердотельных наноструктур (грант 971 091) и Университеты России.

Основные научные результаты работы сводятся к следующему:

• исследовано влияние ширины гетероперехода на спектр интерфейсных состояний электронного типа в гетероструктуре бесщелевой полупроводник/полупроводник на примере НдТе/СсГГепоказано, что уширение гетероперехода приводит к понижению энергии интерфейсных состояний и к существенной перестройке их спектра — если в узких гетеропереходах существует только одна ветвь невырожденных интерфейсных состояний, то в гетеропереходах с большой шириной переходной области имеются две ветви таких состояний.

• исследована эволюция спектра двумерных состояний в узких гетеропереходах бесщелевой полупроводник/полупроводник при изменении глубины квантовой ямы, образованной гетерограницей с одной стороны и электростатическим потенциалом с другойпоказано, что наличие квантовой ямы малой глубины приводит к понижению энергии интерфейсных состояний и возникновению второй ветви интерфейсных состоянийпри увеличении глубины квантовой ямы из этих ветвей формируются две ветви основной подзоны размерного квантования, расщепленной спин-орбитальным взаимодействием в несимметричной квантовой яме;

• проведенный количественный анализ результатов туннельных исследований гетероструктуры НдТе/НдСс1Те показал, что осцилляции туннельной проводимости в магнитном поле связаны с квантованием энергетического спектра двумерных состояний, локализованных в квантовой яме вблизи гетерограницысложная осцилляционная зависимость туннельной проводимости от магнитного поля обусловлена наличием нескольких заполненных размерно квантованных подзон, расщепленных спин-орбитальным взаимодействием в несимметричной квантовой яме;

• показано, что предложенный в работе метод расчета энергетического спектра двумерных электронных состояний в гетероструктурах может быть использован для исследования энергетического спектра МДП структур, где в качестве диэлектрика используется аморфный материалв работе описаны экспериментальные зависимости квазиимпульса двумерных состояний от энергии в широком интервале энергий, включая область резонанса с состояниями валентной зоны, расщепление размерно-квантованных подзон, вызванное спин-орбитальным взаимодействием в несимметричной квантовой яме и эффективная масса двумерных состояний;

• исследованы двумерные состояния в бесщелевом полупроводнике в условиях, когда они находятся в резонансе с состояниями тяжелых дырок валентной зоныпоказано, что в узкой области квазиимпульсов межзонное смешивание приводит к значительному уширению уровней двумерных состояний вплоть до полного их исчезновенияпроанализированы резонансные эффекты в узкощелевом полупроводникепоказано, что при высоком уровне легирования в этих материалах межзонное смешивание также приводит к существенному уширению уровней двумерных состояний, не оказывая при этом влияния на заселенности размерно-квантованных подзон.

Основные результаты опубликованы в [19, 20, 21, 22, 23] и докладывались на Международном симпозиуме «Гетероструктуры в науке и технологии» (Вюрцбург, март 1995 г.) [24, 25], 2-й Российской конференции по физике полупроводников (Зеленогорск, февраль 1996 г.) [26], 12-й Международной конференции по применению сильных магнитных полей (Вюрцбург, июль 1996 г.) [27], Международном симпозиуме «Наноструктуры: физика и технология» (С.-Петербург, июнь 1997 г.) [28].

Практическая значимость проведенных исследований состоит в том, что физические явления на границах раздела различных полупроводниковых материалов оказывают, зачастую, определяющее влияние на параметры приборов микрои оптоэлектроники. Существенным является то, что многие из таких приборов работают при низких температурах, когда квантовые эффекты проявляются сильнее. Результаты работы могут быть использованы в научно-исследовательских институтах и предприятиях, занимающихся исследованием и разработкой оптоэлектронных приборов, генераторов ИК-излучения и фотоприемников.

Заключение

.

Энергетический спектр двумерных электронных состояний в гетерои МДП-структурах на основе бесщелевых полупроводников в значительной степени определяется как межзонным взаимодействием, так и устройством приграничной области, в частности, наличием изгиба зон вблизи гетерограницы, который практически всегда имеется в реальных экспериментальных условиях. Точного аналитического решения такая задача не имеет, а квазиклассический подход, хорошо описывающий экспериментальные результаты, полученные на бесщелевых полупроводниках с низкой концентрацией примеси, не позволяет сколько-нибудь удовлетворительно описать большинство экспериментальных результатов туннельных исследований, проведенных на более легированных материалах.

В данной работе в рамках кР-метода был проведен точный квантово-механический расчет спектра двумерных состояний с использованием методов прямого численного интегрирования систем дифференциальных уравнений. Это наряду с возможностью корректно сформулировать граничные условия на огибающие волновых функций позволило исследовать энергетический спектр двумерных состояний не только в гетероструктурах, но и в МДП-структурах, где диэлектриком служит аморфный окисел. Достигнуто качественное понимание особенностей спектра двумерных электронных состояний в таких структурах, а также количественно интерпретированы имеющиеся экспериментальные результаты туннельных исследований двумерных состояний в бесщелевых полупроводниках в широком диапазоне квазиимпульсов и энергий, включая область энергий, когда двумерные состояния находятся на фоне сплошного спектра валентной зоны бесщелевого полупроводника.

Основные научные результаты работы можно сформулировать следующим образом.

1. Исследовано влияние ширины гетероперехода на спектр интерфейсных состояний электронного типа в гетероструктуре бесщелевой полупроводник/полупроводник на примере НдТе/Сс1Те. Показано, что уширение гетероперехода приводит не только к понижению энергии интерфейсных состояний, но и к существенной перестройке их спектра. Если в узких гетеропереходах существует только одна ветвь невырожденных интерфейсных состояний, то в гетеропереходах с большой шириной переходной области имеются две ветви таких состояний.

2. Проведен расчет энергетического спектра двумерных состояний в гетероструктуре бесщелевой полупроводник/полупроводник при наличии электростатического потенциала вблизи гетерограницы. Исследована эволюция спектра двумерных состояний при увеличении глубины квантовой ямы, образованной гетерограницей с одной стороны и потенциалом с другой. Обнаружено, что наличие квантовой ямы малой глубины приводит к изменениям в спектре интерфейсных состояний, аналогичным тем, которые происходят при уширении гетероперехода. Показано, что две ветви основной подзоны размерного квантования, расщепленной спин-орбитальным взаимодействием в несимметричной квантовой яме, формируются из двух ветвей интерфейсных состояний.

3. Проведен количественный анализ результатов туннельных исследований гетероструктуры НдТе/НдСсГГе. Показано, что в исследованных структурах существуют двумерные носители, локализованные в квантовой яме вблизи гетерограницы, а сложная осцилляционная зависимость туннельной проводимости от магнитного поля обусловлена наличием нескольких заполненных размерноквантованных подзон, расщепленных спин-орбитальным взаимодействием в несимметричной квантовой яме.

4. Показано, что предложенный в работе метод расчета может быть использован для исследования энергетического спектра двумерных состояний в МДП-структурах на основе бесщелевых полупроводников, где в качестве диэлектрика используется аморфный окисел. Он позволяет описать все качественные и количественные особенности энергетического спектра двумерных состояний, обнаруженные методом туннельной спектроскопии в структурах метал-окисел-бесщелевой НдСс1Те: зависимости квазиимпульса двумерных состояний от энергии в широком интервале энергий, включая область резонанса с состояниями валентной зоны, при различной глубине квантовой ямырасщепление размерно-квантованных подзон, вызванное спин-орбитальным взаимодействием в несимметричной квантовой яме, и эффективную массу двумерных состояний.

5. Исследован спектр двумерных состояний в бесщелевом полупроводнике в условиях, когда они находятся в резонансе с состояниями тяжелых дырок валентной зоны. Показано, что в узкой области квазиимпульсов межзонное смешивание приводит к значительному уширению уровней двумерных состояний вплоть до полного их исчезновения. Проанализированы резонансные эффекты в узкощелевом полупроводнике. Обнаружено, что при высоком уровне легирования в этих материалах межзонное смешивание также приводит к существенному уширению уровней двумерных состояний, не оказывая при этом влияния на заселенности размерно-квантованных подзон.

Таким образом, в ходе проведенных исследований обнаружены и объяснены многие особенности спектра размерно-квантованных электронных состояний в несимметричных квантовых ямах в бесщелевых полупроводниках. Однако, в силу своей естественной ограниченности численные методы, использованные для решения поставленных в работе задач, позволяя в деталях проанализировать каждую конкретную ситуацию, не дают возможности представить всю картину физических явлений в целом. Поэтому приведенные здесь результаты отражают, по-видимому, лишь малую часть всего многообразия эффектов, имеющих место в системах с пониженной размерностью в столь уникальных материалах, как бесщелевые полупроводники.

В заключение, выражаю благодарность Германенко А. В. за руководство и неоценимую помощь, оказанную на протяжении всего периода выполнения работыМинькову Г. М. и Рут О. Э., проводившим в полном объеме туннельные измеренияпрофессору G. Landwehr и доктору С. R. Becker (Вюрцбург, ФРГ) за изготовление гетероструктур и Кружаеву В. В. за пристальный интерес к работе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Т., Фаулер А., Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем. — М.(Мир. — 1985. — 415 С.
  2. И. М. Зонная структура полупроводников. М., Наука. — 1978. — 328 С.
  3. М. И., Хаецкий А. В. Поверхностные состояния в бесщелевом полупроводнике // Письма в ЖЭТФ. 1981. — Т. 33. -В. 2. — С. 115−118.
  4. Р. А. Пограничные состояния в гетеропереходах // ФТП. -1986. Т. 20. — В. И. — С. 2008−2015.
  5. Lin-Liu Y. R., Sham L. J. Interface states and subbands in HgTe-CdTe heterostructures // Phys. Rev. B. 1985. — V. 32. — N. 8. — P. 55 615 563.
  6. M. И., Хаецкий А. В. Размерное квантование дырок в полупроводнике со сложной валентной зоной и носителей в бесщелевом полупроводнике // ЖЭТФ. 1982. — Т. 82. — В. 5. — С. 1584−1590.
  7. Gerchikov L. G. r Subashiev А. V. Interface states in subband structure of semiconductor quantum wells // Phys. Stat. Sol. (b). 1990. — V. 160. — P. 443−457.
  8. M. В., Петросян В. И. Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках // ФТП. 1988. — Т. 22. — В. 5. — С. 829−833.
  9. Ю. А., Рашба Э. И. Свойства двумерного электронного газа со снятым вырождением спектра // Письма в ЖЭТФ. 1984. — Т. 39. — В. 2. — С. 66−69.
  10. Nachev I. Bound states in inversion layers on p-HgCdTe: self-consistent results. // Semicond. Sci. Technol. 1988. — V. 3. — P. 2934.
  11. Marques G. E. r Sham L. J. Theory of space-charge layers in narrowgap semiconductors // Surf. Sci. 1982. — V. 113. — P. 131−136.
  12. Wollrab R., Sizmann R. r Koch F. r Ziegler J. r Maier H. Spin splitting of the electron subbands in the electrostatic interface potential on HgCdTe // Semicond. Sci. Technol. 1989. — V. 4. — P. 491−494.
  13. Brenig W. r Kasai H. Band Mixing in narrow gap semiconductors // Z. Phys. B. 1984. — V. 54. — P. 191−194.
  14. Ziegler A., Rossler U. Self-consistent treatment of resonant subband states in inversion layers on HgCdTe // Europhys. Lett. 1989. — V. 8. — N. 6. — P. 543−548.
  15. Sobkowicz P. Subband levels broadening by interband tunneling in inversion layers in narrow-gap semiconductors // Acta Phys. Pol. -1987. V. A71. — N. 2. — P. 153−155.
  16. В. Ф. Параметры спин-орбитального взаимодействия в двумерном электронном газе приповерхностных слоев HgCdTe // ЖЭТФ. 1989. — Т. 96. — В. 5. — С. 1793−1800.
  17. Г. M., Рут О. Э., Ларионова В. А., Германенко А. В. Туннельная спектроскопия двумерных поверхностных состояний в бесщелевом p-HgCdTe // ЖЭТФ. 1994. — Т. 105. — В. 3. — С. 719 738.
  18. Minkov G. M. r Germanenko A. V., Larionova V. A., Rut О. E. Landau levels of 2D states localized in the surface quantum well of gapless HgCdTe from the tunnelling spectroscopy // Semicond. Sci. Technol. 1995. — V. 10. — P. 1578−1584.
  19. Germanenko A. V., Minkov G. M., Larionova V. A., Rut О. E., Becker C. R., Landwehr G. Two dimensional states at HgTe-HgCdTe interface as determined from tunneling investigations // Phys.Rev.B. 1995. -V. 52. — N. 24. — P. 17 254−17 259.
  20. А. В., Миньков Г. M., Ларионова В. А., Рут О.Э. Интерфейсные электронные состояния вблизи плавного гетероперехода HgTe/CdTe // ФТП. 1995. — Т. 29. — В. 7. — С. 1259−1263.
  21. G. М., Germanenko A. V., Larionova V. A., Rut О. Е. Tunneling studies of two-dimensional states in semiconductors with inverted band structure: Spin-orbit splitting, resonant broadening // Phys.Rev. B. 1996. — V. 54. — N. 3. — P. 1841−1852.
  22. Larionova V. A., Germanenko A. V. Interband mixing between two-dimensional states localized in a surface quantum well and heavy hole states of the valence band in a narrow gap semiconductor // Phys. Rev. B. 1996. — V. 55. — N. 19. — P. 13 062−13 065.
  23. Minkov G. M., Germanenko A. V., Larionova V. A., Rut О. E. Tunneling spectroscopy of 2D states in gapless semiconductors // Proceedings of the International Symposium «Heterostructures in
  24. Science and Technology» (Wurzburg, March 13−17, 1995). P. 126 127.
  25. L. // Ann. Phys. 1931. — V. 9. — P. 607.
  26. Groves S., Paul W. Band structure of gray tin. // Phys. Rev. Lett. -1963. — V. 11. — P. 194−197.
  27. И. M., Харус Г. И., Шелушинина Н. Г., Примесные состояния и явления переноса в бесщелевых полупроводниках. -Свердловск: УНЦ АН СССР. 1987. — 151 С.
  28. В. А., Пинскер Т. Н. Размерное квантование и поверхностные состояния в полупроводниках // ЖЭТФ. 1976. -Т. 70. — В. 6. — С. 2268−2278.
  29. В. А., Пинскер Т. Н. Закон дисперсии электрона в ограниченном кристалле // ЖЭТФ. 1977. — Т. 72. — В. 3. — С. 1087−1096.
  30. М. В. Пограничные состояния в зоне проводимости резкого
  31. ГП // ФТП. 1986. — Т. 20. — В. 11. — С. 2008−2015.
  32. Johnson N. F., Hui P. М., Ehrenreich Н. Valence-band-offset controversy in HgTe/CdTe superlattices: a possible resolution // Phys. Rev. Lett. 1988. — V. 61. — N. 17. — P. 1993−1995.
  33. А. В., Сурис P. А. Переходы между легкими и тяжелыми дырками и свойства пограничных состояний // ФТП. -1987. Т. 21. — В. 5. — С. 866−870.
  34. Guldner Y., Boebinger G. S. r Vieren J. P., Voos M. r Faurie J. P. Charge transfer in HgixCdxTe-CdTe heterostructures // Phys. Rev. B. 1987. — V. 36. — N. 5. — P. 2958−2961.
  35. Faurie J. P., Sou I. K., Wijewarnasuriya P. S., Pafol S. r Woo К. C. Hole Hall-mobility enhancement of HgTe-Hgl-xCdxTe interfaces // Phys. Rev. B. 1986. — V. 34. — P. 6000−6002.
  36. Флюгге 3. Задачи по квантовой механике. М., Мир. — 1974. — Т. 1. — 341 С.
  37. Ohkawa F. r Uemura Y. Quantized surface states of a narrow-gap semiconductor // J. Phys. Soc. Japan. 1974. — V. 37. — N. 5. — P. 1325−1333.
  38. Nachev I. Electron states in inversion layers on the small-gap semiconductor Hgi.xCdxTe. // IL Nuovo Cimento. 1991. — V. 12. -N. 8. — P. 1143−1151.
  39. Zhang Y., Zhang A., Slinkman J., Doezema R. E. Observation of intersubband transitions to motionally bound states. // Phys. Rev. B. -1991. -V. 44. N. 19. — P. 10 749−10 751.
  40. Sobkowicz P. Theory of n-inversion layers in narrow gap semiconductors: the role of the boundary conditions. // Semicond. Sci. Technol. 1990. — V. 5. — P. 183−190.
  41. Takada Y., Arai K. r Uchimura N., Uemura Y. Theory of electronic properties in n-channel inversion layers on narrow-gap semiconductors. // J. Phys. Soc. Japan. 1980. — V. 49. — N. 5. — P. 1851−1858.
  42. Malcher F., Nachev I., Ziegler A., Rossler U. Subband states in n-inversion layers on small-gap semiconductors. A methodical study. // Z. Phys. B. 1987. — V. 68. — P. 437−444.
  43. Ziegler A., Rossler U. Zener-tunnelling of inversion layer electrons on small gap semiconductors. // Sol. State Commun. 1988. — V. 65. — P. 805−808.
  44. Nachev I. Band-mixing and bound states in narrow-gap semiconductors. // Phys. Scr. 1988. — V. 37. — P. 825−827.
  45. Zawadzki W. Theory of optical transitions in inversion layers of narrow-gap semiconductors. // J. Phys. C. 1983. — V. 16. — P. 229 240.
  46. Darr A., Kotthaus J. P. Magnetotransport in an inversion layer on p-InSb. // Surf. Sci. 1978. — V. 73. — P. 549−552.
  47. Kraak W., Kaldasch J., Gille P., Schurig Th., Herrmann R. Magnetotransport properties and subband structure of the two-dimensional electron gas in the inversion layer of HgixCdxTe bicrystals. // Phys. Stat. Sol. (b). 1990. — V. 161. — P. 613−627.
  48. Vitton J. P., Dufour J. P., Machet R., Thuillier J. C. Magnetoconduction of n-inversion layers on HgixCdxTe. // Phys. Stat. Sol. (b). 1983. — V. 12. — P. K53-K57.
  49. Singleton J. F Nicholas R. J. r Nasir F., Sarkar С. K. Quantum transport in accumulation layers on Cdo.2Hgo.8Te. //J. Phys. C. 1986. — V. 19. — P. 35−42.
  50. Nicholas R. J. r Nasir F., Singleton J. High magnetic field characterisation of (Hgr Cd) Te surface layers. // Sol. State Commun. -1986. V. 58. — P. 833−838.
  51. В. Ф., Дерябина Т. И., Зверев Л. П., Кулаев Г. И., Хомутова С. С. Квантовые эффекты в обогащенных и инверсионных слоях узкощелевого и бесщелевого HgixCdxTe. // ЖЭТФ. 1985. — Т. 88. — В. 6. — С. 2088−2107.
  52. В. Ф. Структура квазидвумерных подзон в кейновских полупроводниках (на примере HgixCdxTe разных состава и легирования). // ФТП. 1988. — Т. 22. — В. 10. — С. 1796−1802.
  53. J. -Р., Paasch G., Gobsch G., Ubensee H. Theory for n-surface charge layers in Hgi. xCdxTe MIS structures. // Phys. Stat. Sol. (b). -1988. V. 148. — P. 611−618.
  54. Merkt U., Oelting S. Simple description on nonparabolic two-dimensional subbands. // Phys. Rev. B. 1987. — V. 35. — N. 5. — P. 2460−2462.
  55. Narita S. r Kuroda Т., Nisida Y. Study of n-surface inversion layers of HgixCdxTe alloys. // Phys. Semicond., Ed. B.L.H. Wilson., Inst. Phys. Conf. Ser. 1979. — N. 43. — P. 1235−1238.
  56. Winkler R., Kunze U. r Rossler U. Tunneling spectroscopy of a 2 DEG in InAs: experiment and theory. // Surf. Sci. 1992. — V. 263. — P. 222−226.
  57. R. Е., Drew Н. D. Motionally dependent bound states in semiconductor quantum wells. // Phys. Rev. Lett. 1986. — V. 57. — N. 6. — P. 762−765.
  58. Zhang A., Slinkman J., Doezema R. E. Fully self-consistent calculation of the electronic structure of n-type InAs accumulation layers. // Phys. Rev. B. 1991. — V. 44. — N. 19. — P. 10 752−10 759.
  59. Darr A., Kotthaus J. P., Ando T. Electron spin resonance in an inversion layer on InSb. // Proceedings of the 13th International
  60. Conference on the Physics of Semiconductor (Marves, Italy). 1976. -P. 774−777.
  61. Lommer G. r Malcher F., Rossler U. Spin splitting in semiconductor heterostructures for B = 0. // Phys. Rev. Lett. 1988. — V. 60. — P. 728 731.
  62. Bychkov Y. A., Rashba E. I. Oscillatory effect and the magnetic susceptibility of carrier in inversion layers. // J. Phys. C. 1984. — V. 17. — P. 6039−6045.
  63. Scholz J., Koch F. r Maier H., Ziegler J. // Solid State Commun. -1983. V. 46. — P. 665−669.
  64. Scholz J., Koch F., Ziegler J., Maier H. Electric subbands in the limit E^O. // Surf. Sci. 1984. — V. 142. — P. 447−451.
  65. Sobkowicz P. Selfconsistent theory of n-type surface charge layers in narrow-gap semiconductors. // Acta Phys. Pol. 1989. — V. A75 — P. 29−32.
  66. Т. И., Зверев Л. П., Раданцев В. Ф. Размерное квантование в обогащенных слоях МОП структур на основе бесщелевого HgCdTe. Осцилляции емкости в квантующих магнитных полях. // ФТП. 1983. — Т. 17. — В. И. — С. 2065−2067.
  67. Radantsev V. F. Stationary character of 2D states in inversion and accumulation layers on zero-gap HgCdTe. // Semicond. Sci. Technol. 1993. — V. 8. — P. 394−398.
  68. Guldner Y.(Bastard G. r Vieren G., Voos M., Faurie J. P., Million A. // Phys. Rev. Lett. 1983. — V. 51. — P. 907−909.
  69. S. P., Cheung J. Т., Kraut E. A., Grant R. W. CdTe-HgTe heteroj unction valence-band discontinuity: A common-anion-rule contradiction. // Phys. Rev. Lett. 1986. — V. 56. — P. 1605−1608.
  70. Due Т. M. r Hsu C. f Faurie J. P. Linearity (commutativity and transitivity) of valence-band discontinuity in heteroj unctions with Te-based II-VI semiconductors: CdTe, HgTe, and ZnTe. // Phys. Rev. Lett.- 1987. V. 58. — P. 1127−1130.
  71. Bangert E., Boege P., Latussek V. r Landwehr G. // Semicond. Sci. Technol. 1993. — V. 8. — P. S99-S103.
  72. D. C. // Phys. Rev. B. 1971. — V. 4. — P. 4438−4444.
  73. Л. П., Кружаев В. В., Миньков Г. М., Рут О. Э. Определение параметров энергетического спектра полуметаллического HgCdTe методом туннельной спектроскопии в магнитном поле // ЖЭТФ. 1981. — Т. 80. — В. 3. — С. 1163−1173.
  74. Л. П., Кружаев В. В., Миньков Г. М.г Рут О. Э., Гавалешко Н. П., Фрасуняк В. М. Влияние обменного взаимодействия на энергетический спектр HgMnTe с Eg> 0 в магнитном поле // ФТТ.- 1984. Т. 26. — С. 2943−2950.
  75. D. С. Electron tunneling and capacitance studies of a quantized surface accumulation layer. // Phys. Rev. B. 1973. — V. 8. — N. 6. — P. 2657−2669.
  76. Миньков Г. M.(Германенко А. В., Кружаев В. В., Рут О. Э. г Ларионова В. А. Новые возможности туннельной спектроскопии в исследовании 2D состояний. // Письма в ЖЭТФ. 1995. — Т. 62. -С. 308−312.
  77. Freytag В., Rossler U., Pankratov O. Subbands in inversion layers on NGS for Egap→ 0. // Semicond. Sci. Technol. 1993. — V. 8. — S2431. S245.
  78. Germanenko A. V. r Minkov G. M. Narrow-gap and gapless semiconductors under uniaxial stress. Energy spectrum and galvanomagnetic phenomena. // Phys. Stat. Sol. (b). -1994. V. 184. -P. 9−67.
  79. Guldner J., Rigaux С., Mycielski A., Couder Y. Magnetooptical investigation of HgixCdxTe mixed crystals. // Phys. Stat. Sol. (b). -1977. V. 81. — N. 2. — P. 615−627.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!