Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике

Диссертация: Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Установлено, что высокотемпературный отжиг непассивированных подложек перед эпитаксией без потока мышьяка приводит к весьма сильному нарушению планарности поверхности, что связано с реактивным травлением GaAs в ходе удаления оксида галлия и последующим термическим травлением галлием поверхности подложки. Установлена прямая зависимость между количеством дефектов в выращенных слоях и плотностью… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Характеристика соединений А2В6 и гетероструктур на их основе (литературный обзор)
    • 1. 1. Свойствам особенности полупроводников
    • 1. 2. Гетероструктуры CdSe/ZnSe с дробно-монослойными вставками
      • 1. 2. 1. Процесс самоформирования. Особенности структурных и оптических свойств
      • 1. 2. 2. Стрессор — как способ управления процессом самоформирования квантовых точек
    • 1. 3. Исследования сине-зеленых лазеров на основе широкозонных соединений, А В
      • 1. 3. 1. Лазеры с накачкой электронным пучком
  • ГЛАВА 2. Аппаратное обеспечение молекулярно-пучковой эпитаксии широкозонных соединений и методики исследования их свойств
    • 2. 1. Состав и особенности установки МПЭ
    • 2. 2. Методы in situ диагностики при МПЭ
    • 2. 3. Методы ex situ структурной и оптической характеризации эпитаксиальных слоев и гетероструктур
    • 2. 4. Особенности гетероэпитаксии на подложках GaAs. Формирование бездефектной границы
  • PSWIGaAs
    • 2. 4. 1. Сульфидные пассивирующие покрытия в условиях
  • Глава 3. Исследование эффектов самоформирования в сильнонапряженных CdSe/ZnSe низкоразмерных наноструктурах
    • 3. 1. Наноструктуры CdSe/ZnSe, сформированные методом стандартной МПЭ и методом эпитаксии с повышенной миграцией атомов. Структурные и оптические свойства
    • 3. 2. Модифицированный метод эпитаксии с повышенной миграцией атомов
    • 3. 3. Влияние введения субмонослоя CdTe в качестве стрессора на формирование квантовых точек CdSe в матрице ZnSe
    • 3. 4. Термодинамическая стабильность твердого раствора
  • Zn^CdxSe
  • Глава 4. Лазерные гетероструктуры на основе соединений
  • А2В6 для сине-зеленого спектрального диапазона
    • 4. 1. Лазерные гетероструктуры для оптической накачки
      • 4. 1. 1. Исследования свойств Cd (Zn)Se/ZnMgSSe лазеров для оптической накачки
      • 4. 1. 2. Оптимизация конструкции лазерных гетероструктур с
  • CdSe дробно-монослойной активной областью
    • 4. 1. 3. Интегральный лазерный конвертер, А В /А N с оптической накачкой
    • 4. 2. Лазерные свойства двойных гетероструктур с раздельным ограничением на основе Cd (Zn)Se/ZnMgSSe с различным типом активной области при накачке электронным пучком

Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность проблемы. Современная оптоэлектроника является областью науки и техники, активно использующей все последние достижения физики твердого тела, квантовой электроники, физической химии и полупроводниковой технологии. Исследования в области оптоэлектроники важны для разработки новых принципов, а вместе с ними и нового поколения приборов для оптической передачи, приема, обработки, хранения и отображения информации.

В настоящее время большое внимание уделяется промышленному созданию сине-зеленых полупроводниковых лазеров, необходимых для систем проекционного лазерного телевидения, локальных волоконно-оптических линий связи, использующих пластиковые волокна, устройств высококачественной цветной печати, систем лазерной навигации и локации, флуоресцентной диагностики клеток в медицине, и других лазерных применений. Наиболее естественными кандидатами для создания зеленых лазеров остаются гетероструктуры на основе широкозонных.

2 г полупроводников, А В, обладающие высокой квантовой эффективностью люминесценции в спектральном диапазоне 490−550 нм. Однако, несмотря на все предпринимаемые попытки, проблема создания коммерческого зеленого инжекционного лазера на основе соединений А2В6 к настоящему моменту остается нерешенной. Все усилия по оптимизации лазерных диодов на основе ZnSe не привели к заметному увеличению их времени жизни, и результат, полученный в 1998 году фирмой Sony Со-400 ч работы в непрерывном режиме при комнатной температуре [1], до сих пор остается непревзойденным.

2 ?

Основными конкурентами соединениям, А В для оптоэлектронных лазерных применений являются полупроводники A3N, успешно развивающиеся в последнее время, и гетероструктуры на базе фосфидов III группы, исследование которых в качестве материала для приборов, излучающих в сине-зеленой области спектра, начались в начале 90-х годов. Однако ни одна из этих систем не в состоянии, в силу фундаментальных причин, перекрыть сине-зеленый спектральный диапазон лазерными диодами [2].

Основная и единственная проблема получения инжекционного синезеленого лазера связана с трудностями легирования р-типа широкозонных.

2 6 полупроводников, А В из-за термодинамической нестабильности азотного акцептора [3], которая приводит к деградации лазерного диода [2, 3]. Поиск новых решений, в частности возможности использования квантоворазмерных.

9 6 гетероструктур, А В в качестве активных элементов мощных компактных лазеров с накачкой низкоэнергетичным электронным пучком или лазеров с оптической накачкой, не требующих /?-и-перехода и омических контактов, остается одной из важнейших задач полупроводниковой оптоэлектроники, решение которой позволит избежать проблем, ограничивающих время жизни.

9 ?% инжекционных, А В лазеров.

Дальнейший прогресс технологии полупроводниковых лазеров связан с использованием в их активной области низкоразмерных гетероструктур с пространственным ограничением носителей заряда в трех измерениях-структур с квантовыми точками (КТ), в которых реализуется предельный случай размерного квантования. Использование КТ в качестве активной области позволяет существенно улучшить основные лазерные характеристики, такие как пороговая плотность тока, характеристическая температура, внешняя квантовая эффективность и т. д. Возможность улучшения лазерных характеристик гетероструктур на основе ZnSe связана с использованием в качестве активной области сильнонапряженных низкоразмерных наноструктур CdSe/ZnSe с КТ, образующихся путем самоформирования в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) вследствие упругой релаксации напряжений, вызванных большим рассогласованием периодов решеток бинарных соединений. Исследование процессов самоформирования в гетеропаре CdSe/ZnSe было инициировано по аналогии с системой InAs/GaAs, обладающей таким же рассогласованием периодов решеток (Аа/а~7%). Однако, нанообъекты, образующиеся при эпитаксии CdSe в матрице ZnSe, представляют собой кластеры тройного твердого раствора Cd (Zn)Se (а не «чистого» CdSe), содержание кадмия в которых, наряду с их поверхностной плотностью и размерами, является существенным фактором, определяющим их оптические и электронные свойства.

Поэтому теоретические и экспериментальные исследования процессов самоформирования напряженных нанокластеров ZnCdSe при осаждении пленок CdSe на поверхность матрицы ZnSe методом МПЭ, а также способов создания «реальных» (сопоставимых по размером с Боровским радиусом.

2 6 экситона ~5нм) КТ, А В на основе CdSe посредством контролируемого воздействия на процесс самоформирования, и, наконец, путей использования таких наноструктур в активной области сине-зеленых лазеров, представляют значительный интерес.

К моменту начала выполнения диссертационной работы (1997г.) технология МПЭ квантоворазмерных гетероструктур широкозонных соединений, А В переживала бурное развитие. Существовали согласованные модели роста бинарных, тройных и четверных соединений, способные обеспечить необходимую точность управления составом, скоростью роста и стехиометрией эпитаксиальных пленок [4]. Были разработаны и созданы.

О f% инжекционные, А В лазерные диоды с квантовыми ямами (КЯ) и широко обсуждались проблемы их быстрой деградации. Исследования особенностей МПЭ и изучение эффектов самоформирования напряженных наноструктур CdSe/ZnSe находились на самом начальном этапе развития, и такие структуры не использовались при создании оптоэлектронных приборов. Таким образом, настоящая диссертационная работа, посвященная изучению процессов самоформирования наноструктур в системе CdSe/ZnSe в процессе.

МПЭ, а также комплексному исследованию их свойств, является актуальной, как с научной, так и с практической точки зрения. Цели и задачи работы.

Цель работы заключалась в исследовании процессов самоформирования КТ при МПЭ широкозонных полупроводниковых соединений А2В6 на примере гетеропары CdSe/ZnSe, получения оптически активных вплоть до комнатной температуры КТ CdSe в матрице ZnSe, а также разработке технологии МПЭ высокоэффективных низкопороговых лазеров зеленого спектрального диапазона с активной областью на основе КТ CdSe/ZnSe с электронной и оптической накачкой.

Для достижения поставленной цели в ходе работы решались следующие основные задачи:

— поиск способов снижения концентрации структурных дефектов в эпитаксиальных слоях, разработка метода подготовки подложек GaAs (001) методом сульфидной пассивации;

— изучение особенностей МПЭ напряженных гетероструктур с дробно-монослойными (ДМС) вставками CdSe в ZnSe и проведение детального исследования их структурных и оптических свойств;

— исследование процессов самоформирования CdSe/ZnSe наноструктур при различных режимах эпитаксии с повышенной миграцией атомов (ЭПМ);

— экспериментальное изучение эффекта самоформирования CdSe КТ в матрице ZnSe при введении в систему суб-монослоя (суб-МС) нового полупроводникового материала-стрессора;

— разработка и создание эффективных лазерных квантоворазмерных гетероструктур с КТ CdSe для электронной и оптической накачки, излучающих в сине-зеленой области спектра;

— исследование оптических и лазерных свойств полученных квантоворазмерных гетероструктур в зависимости от способа формирования CdSe/ZnSe КТ активной области.

Научная новизна и практическая значимость работы.

1. Разработана и экспериментально апробирована методика предэпитаксиальной подготовки подложек GaAs (001) в 1 М водном растворе Na2S. Показано, что использование пассивирующих хемосорбционных покрытий является альтернативой выращиванию буферного слоя GaAs, требующего отдельной дополнительной камеры МПЭ.

2. Впервые исследованы особенности роста CdSe/ZnSe наноструктур в диапазоне докритических толщин (< 3 МС) модифицированным методом мультицикловой ЭПМ.

3. Впервые исследовано влияние введения суб-МС сверхнапряженного CdTe-стрессора на процесс самоформирования КТ CdSe в матрице ZnSe.

4. Впервые методом МПЭ созданы и исследованы низкопороговые лазеры с активной областью на основе Cd (Zn)Se/ZnSe полупроводниковых наноструктур для поперечной накачки низкоэнергетичным электронным пучком при комнатной температуре. Полученные в экспериментах низкие значения пороговой плотности тока электронного пучка при умеренных ускоряющих напряжениях (8+25 кВ) и комнатной температуре открывают возможности создания компактных зеленых лазеров с электронно-лучевой накачкой, использующих нанокатоды с холодной эмиссией.

5. Созданы и исследованы гетероструктуры Cd (Zn)Se/ZnMgSSe лазеров с оптической накачкой. Продемонстрированы рекордные для подобных лазеров параметры: порог генерации, выходная импульсная мощность, внутренняя и внешняя квантовая эффективность. За счет усовершенствования конструкции существенно снижены внутренние потери.

6. Впервые для оптической накачки CdSe/ZnMgSSe лазера использовался InGaN/GaN оптически накачиваемый лазер с множественными квантовыми ямами (КЯ), выращенный на Si (111) подложке. Полученные результаты позволяют рассматривать возможность применения инжекционных лазеров (или светоизлучающих диодов) на основе GaN в качестве источника оптической накачки для получения компактного интегрального InGaN/GaN-Cd (Zn)Se/ZnMgSSe лазерного конвертора, излучающего в зеленой области спектра.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Монослой хемосорбированных недимеризованных атомов серы, образующийся в результате сульфидной пассивации подложек GaAs (001) в 1 М водном растворе Na2S, позволяет существенно снизить эффект термического травления галлием поверхности GaAs при предэпитаксиальном отжиге подложек. Это приводит к значительному уменьшению количества зарождающихся на интерфейсе ZnSe/подложка-GaAs дефектов упаковки и, соответственно, существенному улучшению структурного качества, А В слоев и гетероструктур, полученных методом МПЭ.

2. Низкоразмерные наноструктуры CdSe/ZnSe, самоформирующиеся в процессе роста методом стандартной МПЭ или ЭПМ (> 0.5 монослоя за цикл) в интервале температур 270-f-300°C при осаждении CdSe в диапазоне докритических номинальных толщин (0.5+ЗМС), представляют собой неоднородную суперпозицию 20-протяженных CdSe-обогащенных островков — квантовых дисков (КД) и мелкомасштабных флуктуаций состава Cd — КТ, окруженных расширенной КЯ ZnCdSe меньшего состава толщиной до 10 МС.

3. При формировании наноструктур CdSe/ZnSe методом модифицированной ЭПМ с использованием режима мультициклового осаждения CdSe (<0.3 МС за цикл) и длительных прерываний роста после каждого импульса Se происходит существенное перераспределение CdSe по поверхности ZnSe, приводящее к образованию более однородного по размерам массива КТ (Zn)CdSe с более узким распределением электронной плотности состояний и предельно высоким содержанием Cd (до 85%).

4.

Введение

в систему ZnSe-CdSe субмонослоя CdTe, осаждаемого на поверхность матрицы непосредственно перед напылением материала КТ, приводит к существенному увеличению поверхностной плотности КТ (Zn)CdSe, при некотором уменьшении их латерального размера и увеличении содержания кадмия. Обладая большим рассогласованием периода кристаллической решетки с матрицей по сравнению с материалом КТ (Да/а~14% для CdTe/ZnSe), суб-МС CdTe выполняет функцию стрессора, формируя на поверхности матрицы ZnSe более мелкие напряженные островки и задавая тем самым локальные поля сильных упругих напряжений, управляющих процессом самоформирования материала КТ.

5. Использование КТ (Zn)CdSe/ZnSe, сформированных методом модифицированной ЭПМ, в качестве активной области сине-зеленых А2В6 лазеров для оптической накачки позволяет значительно улучшить их оптические и лазерные характеристики, в том числе достигнуть уровня внешней квантовой эффективности более 30% при внешней дифференциальной квантовой эффективности ~40%.

Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на российских и международных конференциях и симпозиумах:

• 3, 5, 7 Российских конференциях по физике полупроводников (Москва 1997, Нижний Новгород 2001, Звенигород 2005);

• 9, 10, 11, 12 Международных конференциях по соединениям А2В6 (Киото, Япония 1999; Бремен, Германия 2001; Ниагара Фоле, США 2003, Варшава, Польша 2005);

• 29 Международном симпозиуме по полупроводниковым соединениям (Лозанна, Швейцария 2002);

• 9 Международной конференции по оптике лазеров (Санкт-Петербург 2003);

• 4, 5 Международных конференциях по взаимодействию света с веществом (PLMCN) (Санкт-Петербург 2004; Глазго, Великобритания 2005);

• 24 Международной конференции по физике полупроводников (Иерусалим, Израиль 1998);

• 10 Международной конференции по МПЭ (Канны, Франция 1998);

• 8, 9, 10, 11, 13 Международных симпозиумах «Наноструктуры: Физика и технология» (Санкт-Петербург 1998, 1999, 2002, 2003, 2005);

• Европейской конференции Общества исследования материалов (MRS) (Закопане, Польша 2002);

• 4, 5 Беларусско-Российских семинарах «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе» (Минск, Беларусь 2002, 2005);

4 • 27 Международной школе по физике полупроводниковых соединений.

Устрон-Яжовец, Польша 1998).

Перечень публикаций, раскрывающих основное содержание диссертационной работы, представлен на стр. 174.

Заключение

.

В ходе диссертационной работы были получены следующие основные результаты.

1. Разработана методика предростовой подготовки подложек GaAs в 1 М водном растворе Na2S, позволяющая значительно снизить количество дефектов (до ~ Зх105см'2), зарождающихся на гетерогранице ZnSe/GaAs, без использования эпитаксиального буфера GaAs и, соответственно, повысить кристаллическое совершенство эпитаксиальных слоев А2В6.

2. Установлено, что высокотемпературный отжиг непассивированных подложек перед эпитаксией без потока мышьяка приводит к весьма сильному нарушению планарности поверхности, что связано с реактивным травлением GaAs в ходе удаления оксида галлия и последующим термическим травлением галлием поверхности подложки. Установлена прямая зависимость между количеством дефектов в выращенных слоях и плотностью ямок, образовавшихся в результате отжига на поверхности подложек. Обработка подложки в растворе сульфида натрия позволяет существенно снизить плотность и глубину ямок, возникающих при отжиге.

3. Показано, что длительные технические остановки роста приводят к образованию специфического гомо-интерфейса ZnSe/ZnSe, служащего местом генерации дефектов упаковки, даже при условии, что граница ZnSe/GaAs является совершенной.

4. Наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методами стандартной МПЭ или ЭПМ в традиционном интервале температур роста (270−300°С), во всем диапазоне докритических номинальных толщин (0.5-КЗМС), представляют собой сложную неоднородную суперпозицию 20-протяженных, обогащенных CdSe островков (КД) плотностью ~Ю, 0см" 2 и латеральными размерами (15−30нм), существенно превышающими их вертикальные размеры и величину Боровского радиуса экситона (5 нм), и мелкомасштабных флуктуаций содержания кадмия размером <10 нм и плотностью ~10п см" 2, расположенных внутри расширенной КЯ ZnCdSe полной толщиной до 10 МС.

5. Предложен метод модифицированной ЭПМ с мультицикловым осаждением CdSe (<0.3 МС за цикл) и длительными прерываниями роста после каждого импульса осаждения Se (до 60 с), что приводит к формированию КТ CdSe (содержание Cd~85%) с более однородными латеральными размерами 5-И0 нм и поверхностной плотностью ~10псм" 2, демонстрирующих более интенсивную ФЛ по сравнению со структурами CdSe/ZnSe, выращенными стандартным методом ЭПМ.

6. Сравнение наблюдаемого Стоксовского сдвига при высоких температурах, так же как и ширины линии тяжелой дырки в спектрах ВФЛ позволяет сделать заключение о том, что образцы, полученные методом модифицированной ЭПМ, характеризуются более узким распределением плотности состояний в КТ CdSe и более высокой концентрацией Cd при одной и той же номинальной толщине CdSe по сравнению с эталонной структурой, что связано с перераспределением кадмия во время длительных прерываний роста.

7. Спектр ФЛ при возбуждении CdSe КТ, полученных методом модифицированной ЭПМ, ниже края поглощения ZnSe матрицы имеет дублетную структуру, связанную с наличием в системе как нейтрального, так и отрицательно заряженного экситона — триона, образование которого происходит в основном при накачке протяженных состояний КЯ, окружающей КТ CdSe.

8. Использование напряженного суб-МС CdTe в качестве стрессора для формирования КТ CdSe в матрице ZnSe позволяет увеличить плотность КТ 11 2.

CdSe до (5ч-6)х10 см" при уменьшении их латерального размера до 4.5±1.5 нм. Получен существенный (~150мэВ) длинноволновый сдвиг пика ФЛ вследствие перераспределения Cd и увеличения его содержания в КТ.

9. Получены и исследованы структуры Cd (Zn)Se/ZnMgSSe лазеров (А,=494−555 нм) с различным дизайном активной области при накачке электронным пучком с энергией 8−30кэВ. Минимальное значение пороговой плотности тока (0.6 — 0.8 А/см) при комнатной температуре зарегистрировано для структуры с ДМС вставкой CdSe при энергии пучка 15−18 кэВ и плотности мощности накачки около 10 кВт/см2. Максимальная импульсная мощность генерации составила 9 Вт. Минимальное значение энергии электронного пучка, при котором получена генерация равно 8кэВ.

2 6.

10. Созданы структуры, А В ДГС РО лазеров для оптической накачки (Л.=510 — 530 нм). Минимальный порог генерации 10 кВт/см, максимальная внешняя квантовая эффективность 12% и максимальная выходная мощность.

20 Вт (1нак=400 кВт/см) были получены для структуры, активная область которой состояла из трех изолированных ZnSe КЯ с CdSe ДМС вставками, сформированных методом стандартной МПЭ. Лазеры демонстрировали высокую температурную стабильность порога генерации (Т0 = ЗЗОК до 100°С) и способность бездеградационной работы вплоть до Т=250°С.

11. Предложен и реализован интегральный a2b6-a3n лазерный конвертер в котором для оптической накачки лазера CdSe/ZnMgSSe использовался InGaN/GaN оптически накачиваемый лазер имеющий длину волны излучения 452−458 нм. Коэффициент конверсии подобного интегрального устройства может составлять величину до 8%, и зависит от мощности возбуждения.

12. Предложена оптимизированная конструкция лазерных гетероструктур для оптической накачки. Минимальный достигнутый порог плотности мощности накачки, максимальная внешняя квантовая эффективность и максимальная выходная мощность составили 4.83 кВт/см, 32% и 21 Вт >>

1нак=160 кВт/см), соответственно, при величине внутренних потерь -2-И 0 см" 1.

В заключении мне хочется поблагодарить всех, чье участие, помощь и поддержка способствовали реализации этой программы исследований и написанию диссертационной работы. Прежде всего, моего научного руководителя Иванова Сергея Викторовича, моих коллег и друзей, без совместных напряженных усилий которых эта работа была бы невозможна: Сергея Сорокина, Ольгу Люблинскую, Татьяну Львову, Алексея Торопова, Татьяну Шубину, Алевтину Копьеву, Антона Лебедева, Якова Терентьева, Бориса Мельцера, Виктора Соловьева, Аллу Ситникову и других сотрудников лабораторий института. Отдельные слова благодарности заведующему нашей лабораторией Копьеву Петру Сергеевичу за постоянное внимание к работе и поддержку.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Significant progress in II-VI blue-green laser diode lifetime / E. Kato, H. Noguchi, M. Nagai, et al. // Electron. Lett. 1998. — Vol. 34, № 3. — P. 282−284
  2. Novel Materials and Designs for Long-Living II-VI Blue-Green Lasers/ S. V. Ivanov // Phys. Stat. Sol. (a). 2002. — Vol. 192, № 1. — P. 157−162.
  3. Stability of nitrogen in ZnSe and its role in the degradation of ZnSe lasers / S. Gundel, D. Albert, J. Nurberger, W. Faschunger // Phys. Rev. B. 1999. — Vol.60. P. R16271-R16274.
  4. Interplay of Kinetics and Thermodynamics in Molecular Beam Epitaxy of (Mg, Zn, Cd)(S, Se) / S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, I.L. Krestnikov, et al. // J. Cryst. Growth. 1998. — Vol. 184/185. P. 70−75.
  5. Okuyama H. Quaternary alloy Zni^Mg^S^Sei^ / H. Okuyama, Y. Kishita, and A. Ishibashi, // Phys. Rev. B. 1998. — Vol. 57. — P. 2 257−2 264.
  6. Molecular Beam Epitaxy of Low-Strained CdSe/CdMgSe Heterostructures on InAs (OOl) Substrates / V. A. Kaygorodov, I. V. Sedova, S. V. Sorokin, et al. // Phys. Stat. Sol. (b). 2002. — Vol. 229, № 1. — P. 19−22.
  7. Chadi D J. Acceptor and donor states of impurities in wide band gap II-VI semiconductors / D.J. Chadi // J. Cr. Growth. 1994. — Vol. 138. — P. 295−300.
  8. Zhu Z. Extremely low resistivity, high electron concentration ZnSe grown by planar-doping method / Z. Zhu, H. Mori, T. Yao // Appl. Phys. Lett. 1992. — Vol.61, № 23. P. 2811−2813.
  9. High p-type doping of ZnSe using Li3N diffusion / S. W. Lim, T. Honda, F. Koyama, et al. // Appl. Phys. Lett. 1990. — Vol. 65, № 19. — P. 2437−2438.
  10. P-type ZnSe by nitrogen atom beam doping during molecular beam epitaxial growth / R.M. Park, M.B. Troffer, C.M. Pouleau, et al. // Appl. Phys. Lett. 1990. — Vol. 57. — P. 2127−2129.
  11. Ohkawa, К. Characteristics of p-type ZnSe layers grown by MBE with radical doping / K. Ohkawa, T. Karasawa, T. Mitsuyu // Jpn. J. Appl. Phys. 1991. — Vol. 30.-P.L152-L155.
  12. Ohtsuka, T. P-type ZnSe: N prepared by Electron Cyclotron Resonance Radical Beam doping during molecular beam epitaxial growth / T. Ohtsuka, K. Horie // Jpn. J. Appl. Phys. 1993. — Vol. 32, part 2. — P. L233-L235.
  13. Atomic nitrogen doping in p-ZnSe molecular beam epitaxial growth with almost 100% activation ratio / K. Kimura, S. Miwa, C.G.Jin, et al // Appl. Phys. Lett. 1997. — Vol. 71, № 8. — P. 1077−1079.
  14. Blue-green injection lasers containing pseudomorphic ZnixMgxSySeiy cladding layers and operating up to 394 К / J.M. Gaines, R.R. Drenten, K.W.• Haberern, et al // Appl. Phys. Lett. 1993. — Vol. 62. — P. 2462−2464.
  15. The Instability and Immiscibility Regions in MgxZnixSySeiy Alloys / V.S. Sorokin, S.V. Sorokin, V.A. Kaigorodov, S.V. Ivanov //J. Cryst. Growth. 2000. — Vol. 214/215. — P. 130−134.
  16. Matsumura, N. Molecular Beam Epitaxial Growth of Hexagonal CdSe and ZnCdSe on Cubic GaAs (l 11) B Substrates /N. Matsumura, J. Ueda, and J. Saraie // Jpn. J. Appl. Phys. Part 2: Letters 2000 -Vol. 39, № ЮВ. — P. L1026-L1028.
  17. Bimberg, D. Quantum Dot Heterostructures / D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov // John Wiley and Sons, Chichester 1999.
  18. Tersoff, J. Enhanced nucleation and enrichment of strained-alloy quantum dots / J. Tersoff// Phys. Rev. Lett. 1998. — Vol. 81. — P. 3183−3186.
  19. Guha, S. Onset of incoherency and defect introduction in the initial stages of molecular beam epitaxical growth of highly strained InxGai. xAs on GaAs (100) / S. Guha, A. Madhukar, K.C. Rajkumar // Appl. Phys. Lett. 1990.-Vol. 57. — P. 2110−2112.
  20. Радиус экситона в объемном CdSe был оценен, используя данные Landolt-* Bornstein, Numerical Data and Functional Relationships in Science and
  21. Technology // Springer-Verlag Berlin Heidelberg — New York. — 1982.-Vol. 3/17b. — P.202.
  22. Metalorganic molecular beam epitaxial growth and characterization of CdSe/ZnSe strained-layer single quantum wells and superlattices on GaAs substrates / S. Fujita, Y. Wu, Y. Kawakami, S. Fujita // J. Appl. Phys. 1992. -Vol. 72, № 11.- p. 5233−5239.
  23. Photoluminescence from ultrathin ZnSe/CdSe quantum wells / H. Zajicek, P. Juza, E. Abramof, et al. // Appl. Phys. Lett. 1993. — Vol. 62. — P. 717−719.
  24. Near-field optical spectroscopy of localized exitons in strained CdSe quantum dots / F. Flack, N. Samarth, V. Nikitin, et al. // Phys. Rev. B. 1996. — Vol. 54, № 24. P. R17312-R17315.
  25. I.N. Stranski, L. Krastanow // Sitzungsberichte d. Akad. d. Wissenschafiten in Wien. 1937. -Abt. lib, Band 146. — P. 797.
  26. Self-organized CdSe quantum dots onto cleaved GaAs (110) originating from Stranski-Krastanow growth mode / H.-C. Ко, D.-C. Park, Y. Kawakami et al. // Appl. Phis. Lett. 1997. — Vol. 70, № 24. — P. 3278−3280.
  27. Formation of self-assembling CdSe quantum dots on ZnSe by molecular beam epitaxy / S.H. Xin, P.D. Wang, A. Yin, et al. // Appl. Phys. Lett. 1996.-Vol. 69. — P. 3884−3886.
  28. Transmission electron microscopy investigation of structural properties of self-assembled CdSe/ZnSe quantum dots / H. Kirmse, R. Schneider, M. Rabe et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. — Vol. 72, № 11. — P. 1329−1331.
  29. Interfacial alloy formation in ZnSe/CdSe quantum-well heterostructures characterized by photoluminescence spectroscopy / Z. Zhu, H. Yoshihara, K. Takebayashi, T. Yao. // Appl. Phys. Lett. 1993. — Vol. 63. — P. 1678−1680.
  30. Welch, D.F. Luminescence line shape broadening mechanisms in GalnAs/AlInAs quantum wells / D.F. Welch, G.W. Wicks, L.F. Eastman // Appl. Phys. Lett. 1985. — Vol. 46. — P. 991−993.
  31. Fabrication of ZnS/(ZnSe)n/ZnS single quantum well structures and photoluminescence properties / T. Yao, M. Fujimoto, S.K. Chang, H. Tanino // J. Cryst. Growth. 1991. — Vol. 111. — P. 823−828.
  32. High resolution transmission electron microscopy determination of Cd diffusion in CdSe/ZnSe single quantum well structures / A. Rosenauer, T. Reisinger, E. Steinkirchner et al.//J. Cryst. Growth. 1995. — Vol. 152. -P. 42−50.
  33. Single zero-dimensional excitons in CdSe/ZnSe nanostructures / T. Kummel, R. Weigand, G. Bacher // Appl. Phys. Lett. 1998. -Vol. 73, № 21.-P.3105−3107.
  34. CdSe/ZnSe Quantum Dot Structures: Structural and Optical Investigations / D. Hommel, K. Leonardi, H. Heinke et al. // Phys. Stat. Sol. В 1997.-Vol. 202, № 2.-P. 835−843.
  35. Cathodoluminescence study of quantum-size and alloying effects in single fractional monolayer CdSe/ZnSe structures / I. Yamakawa, S.V. Sorokin, A.A. Toropov et al. // Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 (Letters). 2000. — Vol. 39.-P. L851-L854.
  36. Segregation-enhanced etching of Cd during Zn deposition on CdSe quantum dots / T. Passow, H. Heinke, T. Schmidt et al. // Phys. Rev. B. 2001. — Vol. 64. -P. 193 311.
  37. Analysis of cadmium diffusion in ZnSe by X-ray diffraction and transmission electron microscopy / H. Heinke, T. Passow, A. Stockmann // J. Cryst. Growth. -2000.-Vol. 214/215.-P. 585−589.
  38. Morphology of ultrathin CdSe quantum confinement layers in ZnSe matrices / K.G. Chinyama, K.P. O’Donnell, A. Rosenauer, and D. Gerthsen // J. Cryst. Growth. 1999. — Vol. 203, № 3. — P. 362−370.1.
  39. Influence of capping conditions on structural properties of CdSe/ZnSe quantum dot structures / T. Passow, K. Leonardi, H. Heinke et al. // Physica E. -2002.-Vol. 13.-P. 1208−1211.
  40. Influence of the cap layer growth temperature on the Cd distribution in CdSe/ZnSe heterostructures / D. Litvinov, M. Schowalter, A. Rosenauer et al. // J. Cryst Growth. 2004. — Vol. 263. — P. 348−352.
  41. Structural and chemical analysis of CdSe islands in a ZnSe matrix by transmission electron microscopy / D. Gerthsen, A. Rosenauer, D. Litvinov, N. Peranio // J. Cryst Growth. 2000. — Vol. 214/215. — P. 707−711.
  42. Structural and chemical investigation of Ino.6Gao.4As Stranski-Krastanov layers buried in GaAs by transmission electron microscopy / A. Rosenauer, W. Oberst,• D. Litvinov et al. // Phys. Rev. В 2000. — Vol. 61. — P. 8276−8288.
  43. Notzel, R. Self-organized growth of quantum-dot structures / R. Notzel // Semicond. Sci. and Technol. 1996. — Vol. 11, № 10. — P. 1365−1379.
  44. Merz, J.L. Self-organized growth, ripening, and optical properties of wide-bandgap II-VI quantum dots ./ J.L. Merz, S. Lee, J.K. Furdyna // J. Cryst. Growth. 1998. — Vol. 184/185. — P. 228−236.
  45. Zhang, X.B. On the formation and nature of nanometer size clusters on the surface of ZnSe epilayers / X.B. Zhang, S.K.Hark // Appl. Phys. Lett. 1999. -Vol. 74, № 25. — P. 3857−3859.
  46. Kratzert, M. Self-organized formation of wide-bandgap II-VI quantum dots. Thermally activated surface re-organization versus 2D stabilization / M. Kratzert, M. Rabe, and F. Henneberger // Phys. Stat. Sol (b). 2001. — Vol. 224.-P. 179−183.
  47. Influence of the growth procedure on the Cd distribution in CdSe/ZnSe heterostructures: Stranski-Krastanov versus two-dimensional islands / D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. — Vol. 81, № 4. — P. 640−643.ft1
  48. CdSe quantum island in ZnSe: a new approach / E. Kurtz, B. Dal Don, M. Schmidt et al. // Thin Solid Films. 2002. — Vol. 412. — P. 89−95.
  49. Investigations on the Stranski-Krastanov growth of CdSe quantum dots / D. Schikora, S. Schwedhelm, D.J. As et al. // Appl. Phys. Lett. -2000. Vol. 76, № 4.-P. 418−420.
  50. Coexistence of planar and three-dimensional quantum dots in CdSe/ZnSe structures / M. Strassburg, Th. Deniozou, A. Hoffmann et al. // App. Phys. Lett. 2000. — Vol. 76, № 6. — P. 685−688.
  51. Nondestructive detection of stacking faults for optimization of CdSe/ZnSe quantum-dot structures / T. Passow, H. Heinke, J. Falta et al. // Appl. Phys. Lett. -2000. Vol. 77, № 22. — P. 3544−3546.
  52. Tinjod, F. Self-assembled quantum dot formation induced by surface energy change of a strained two-dimentional layer / F. Tinjod and H. Mariette // Phys. Stat. Sol. (b). 2004. — Vol. 241, № 3. — P. 550−557.
  53. New method to induce 2D-3D transition of strained CdSe/ZnSe layers / I.C. Robin, R. Andre, H. Mariette et al. // Physica E. 2005. — Vol. 26. — P. 119−123.
  54. CdSe-Fractional-monolayer ActiveRegion of Molecular Beam Epitaxy Grown Green ZnSe-Based Lasers. / S.V. Ivanov, A.A. Toropov, S.V. Sorokin et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. — Vol. 74. — P. 498−501.
  55. Tersoff, J. Shape transition in growth of strained islands: Spontaneous formation of quantum wires / J. Tersoff, R.M. Tromb // Phys. Rev. Lett. 1993.
  56. Vol. 70, № 18. P. 2782−2785.
  57. Be-enhanced CdSe island formation in CdSe/ZnSe heterostructures. / M. Keim, M. Korn, S. Ivanov et al. // J. Appl. Phys. 2000. — Vol. 88, № 12.-P. 7051−7055.
  58. Be-induced island formation in CdSe/ZnSe heterostructures: Ensemble versus single dot studies. / J. Seufert, M. Rambach, S. Ivanov et al. // Phys. Rev. B. -2000.-Vol. 62, № 19.-P. 12 609−12 612.
  59. Interface Engineering in Type-II CdSe/BeTe Quantum Dots / S.V. Ivanov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin et al. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2002. — Vol. 696.-P. N6.4.1−6.4.6.
  60. Ivanov, S.V. CdSe-based quantum dot nanostructures: MBE growth, properties and applications, / S.V. Ivanov // Journal of Alloys and Compounds. 2004.• Vol. 371. №. 1−2.-P. 15−19.
  61. Walter, T. Structural properties of BeTe/ZnSe superlattices / T. Walter, A. Rosenauer, R. Wittmann et al. // Phys. Rev. В- 1999. Vol. 59, № 12.-P. 8114−8122.
  62. Interface Effects in Type-II CdSe/BeTe Quantum Dots / T.V. Shubina, S.V. Ivanov, A.A. Toropov et al. //Phys. Stat. Sol. (b). 2002. — Vol. 229. — P.489−492.
  63. X-ray diffraction determination of the interface structure of CdSe/BeTe superlattices / R.N. Kyutt, T.V. Shubina, S.V. Sorokin et al. // Journal of Physics D (Applied Physics). -2003. Vol. 36, № 10A. — P. 166−171.
  64. Plotz, W.M. Monte Carlo simulation of epitaxial growth / W.M. Plotz, K. Hingerl, H. Sitter // Phys. Rev. B. 1992. — Vol. 45. — P. 12 122−12 125.
  65. Short-wavelength room-temperature continuous-wave laser operation of InAlP-InGaP superlattices grown by metalorganic chemical vapor deposition / R.V. Chelakara, M. R. Islam, J. G. Neff et al. // Appl. Phys. Lett. 1994, — Vol. 65, № 7.-P. 854−856.
  66. Electronic band structure of AlGalnP grown by solid-source molecular-beam epitaxy / D.J. Mowbray, O.P. Kowalski, M. Hopkinson et al. // Appl. Phys. Lett. -1994.-Vol. 65, № 2.-P. 213−215.
  67. Room-temperature continuous-wave operation of InGaN multi-quantum-well structure laser diodes / S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. — Vol. 69, № 26. — P. 4056−4058.
  68. Characteristics of InGaN laser diodes in the pure blue region / S. Nagahama, T. Yanamoto, M. Sano, T. Mukai // Appl. Phys. Lett. 2001. — Vol. 79, № 13. — P. 1948−1950.
  69. Role of self-formed InGaN quantum dots for exciton localization in the purple laser diode emitting at 420 nm. / Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. — Vol. 70, № 8. — P. 981−983.
  70. Verie, C.J. Covalency engineering through alloying with beryllium chalcogenides in wide band-gap II-VI crystals / C.J. Verie // J.Electron. Mater. -1998. Vol. 27, № 6. — P. 782−787.
  71. Blue-green laser diodes / M.A. Haase, J. Qiu, J. DePuydt, H. Cheng // Appl. Phys. Lett. 1991. — Vol. 59. — P. 1272−1274.
  72. Room temperature continuous operation of blue-green laser diodes / N. Nakayama, S. Itoh, K. Nakano et al. // Electron. Lett. 1993.-Vol. 29.-P. 1488−1489.
  73. Pseudomorphic separate confinement blue- green quantum well diode lasers / D.C. Grillo, Y. Fan, J. Han et al. // Appl. Phys. Lett. 1993. — Vol. 63. -P. 2723−2725.
  74. Graded band gap ohmic contact to p-ZnSe / Y. Fan, J. Han, L. He et al. // Appl. Phys. Lett. 1992. — Vol. 61. — P. 3160−3162.
  75. Ishibashi, A. Advances in blue laser diodes / A. Ishibashi, Y. Mori // J. Cryst. Growth. 1994. — Vol. 138. — P. 677−685.
  76. Heavily doped p-ZnSe:N grown by molecular beam epitaxy / J. Qiu, J. DePuydt, H. Cheng, M.A. Haase // Appl. Phys. Lett. 1991. — Vol. 59, № 23. — P. 2992−2994.
  77. Substitutional doping of ZnSe films / J. Ren, K. A. Bowers, S. Hwang et al. // J. Cryst. Growth.-1991.-Vol. 111,№ 1−4.-P. 772−775.
  78. Kevin, A. The development of II-VI semiconductors for blue diodes lasers and optoelectronic devices / Kevin A. Prior // Microelectronic Journal. 1994. — Vol. 25, № 8.-P. 631−641.
  79. Degradtion of II-VI based blue-green light emitter / S. Guha, J.M. DePuydt, M.A. Haase et al. //Appl. Phys. Lett. 1993. — Vol. 63, № 23 — P. 3107−3109.
  80. Degradation of (Zn, Cd) Se quantum well heterostructures for blue-green light emitters under high optical injection / M. Hovinen, J. Ding, A.V. Nurmikko et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. — Vol. 66, № 16. — P. 2013−2015.
  81. Salamanca-Riba, L. Observation of 100. and [010] dark line defects in optically degraded ZnSSe-based LEDs by transmission electrom microscopy / L. Salamanca-Riba, L.H. Kuo // Journal of Electronic Material. 1996. — Vol. 25, № 2.-P. 239−243.
  82. Laser Diodes based on Beryllium Chalcogenides / A. Waag, F. Fischer, K. Schull et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. — Vol. 70, № 3. — P. 280−282.
  83. P-type doping of beryllium chalcogenides grown by molecular beam epitaxy / H.-J. Lugauer, Th. Litz, F. Fischer et al. // J. Cryst. Growth. 1997. — Vol. 175/176. P. 619−623.
  84. ZnCdTe/ZnTe/ZnMgSeTe quantum-well structures for the application to pure-green light-emitting devices / J. Chang, J. S. Song, K. Godo et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. — Vol. 78, № 5. — P. 566−568.
  85. Faschinger, W. Green II-VI light emitting diodes with long lifetime on InP substrate / W. Faschinger, J. Nurnberger // Appl. Phys. Lett. 2000. — Vol. 77. — P. 187−189.
  86. Full-color light-emitting diodes from ZnCdMgSe/ZnCdSe quantum well structures grown on InP substrates / M. Tamargo, W. Lin, S. P. Guo et al. // J. Cryst. Growth. 2000. — Vol. 214/215. — P. 1058−1063.
  87. Long life operation over 5000 hours of BeZnSeTe/MgZnCdSe visible lightemitting diodes on InP substrates / I. Nomura, Y. Nakaki, K. Hayami et al. // th
  88. Abstracts of 12 Int. Conf. on II-VI compounds, Warsaw, Poland, September, 12−16, 2005.-P. 153.
  89. ZnSe-based blue-green laser with a short-period superlattice waveguide / S.V. Ivanov, A.A. Toropov, S.V. Sorokin et al. // Appl. Phys. Lett. 1998.-Vol. 73.-P. 2104−2106.
  90. , С.В. Сине-зеленые лазеры на основе короткопериодных сверхрешеток в системе А(2)В (6) / С. В. Иванов, П. С. Копьев, А. А. Торопов // УФН. 1999. — Т. 169, № 4. — С. 468−470.
  91. CdSe-Fractional-monolayer Active Region of Molecular Beam Epitaxy Grown Green ZnSe-Based Lasers / S.V. Ivanov, A.A. Toropov, S.V. Sorokin et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. — Vol. 74. — P. 498−501.
  92. Influence of p-type doping on the degradation of ZnSe laser diodes / D. Albert, J. Nurberger, V. Hock et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. — Vol. 74, № 14.-P. 1957−1959.
  93. Electrically Stable p-Type Doping of ZnSe Grown by Molecular Beam Epitaxy with Different Nitrogen Activators / V.N. Jmerik, S.V. Sorokin, T.V. Shubina et al. //J. Cryst. Growth. -2000. Vol. 214/215. — P. 502−504.
  94. Устройства на основе полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком / О. В. Богданкевич, Г. А. Меерович, И. М. Олихов, А. В. Садчихин // Радиотехника и электроника. 1999. — Т. 44, № 8. — С. 901 919.
  95. Полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком / О. В. Богданкевич, Б. М. Лаврушин, О. В. Матвеев и др. // Квантовая электроника. 1976. — Т. 3, № 3. — С. 612.
  96. Полупроводниковый лазер на волноводной структуре ZnSe-ZnS с возбуждением электронным пучком / B.C. Петухов, А. Н. Печенов, О. Н. Таленский, М. М. Халимон // Квантовая электроника. 1978. — Т. 5. — С. 682.
  97. Лазеры с электронным возбуждением на гетероэпитаксиальном селениде цинка, полученном из элементоорганических соединений / О. В. Богданкевич, Л. А. Журавлев, А. Д. Коновалов и др. // Квантовая электроника. 1983. — Т. 10, № 5.-С. 1007−1009.
  98. Electron beam pumped lasing in ZnSe/ZnSSe superlattice structures grown by molecular-beam epitaxy / D.A. Cammack, R.J. Dalby, I.J. Cornelisson, J. Khurgin // J. Appl. Phys. 1987. — Vol. 62. — P. 3071−3073.
  99. Microgun-pumped semiconductor laser / E. Molva, R. Accomo, G. Labrunie et al. // Appl. Phys. Lett. 1993. — Vol. 62. — P. 796−798.
  100. Micro gun pumped blue and blue-green lasers / D. Herve, E. Molva, L. Vanzetti et al // Electron. Lett. 1995. — Vol.31, № 6. — P. 459−461.
  101. Microgun-pumped blue lasers / D. Herve, R. Accomo, E. Molva et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. — Vol. 67, № 15. — P. 2144−2146.
  102. Electron beam pumping of CdZnSe quantum well structures using a variable energy electron beam / C. Trager-Cowan, D.M. Bagnall, F. McGow et al // J. Crystal Growth. 1996. — Vol. 159. — P. 618−622.
  103. Cho, A. Y. Molecular beam epitaxy / A.Y. Cho, J.R. Arthur // Prog. Sol. St. Chem. 1975. — Vol. 10. — P.157−190.
  104. Experimental determination of the incorporation factor of AS4 during molecular beam epitaxy GaAs / V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, O.P. Pchelyakov, B.R. Semyagin // J. Crystal Growth. 1999. — Vol. 202. — P. 170−173.
  105. Farrel, H.H. Reflection high-energy electron diffraction electron-stimulated desorption from ZnSe (100) (2×1) surface / H.H. Farrel, J.L. deMiguel, M.C. Tomargo // J. Appl. Phys. 1989. — Vol. 65. — P. 4084−4086.
  106. Reflection high energy electron diffraction study on adatom desorption from ZnSe surface under electron beam irradiation and light irradiation / N. Matsumura, K. Senga, J. Kakuta, J. Sarraie // J. Cryst. Growth. 1992.-Vol. 117.-P. 129−133.
  107. Composition, stoichiometry and growth rate control in MBE of ZnSe based ternary and quaternary alloys / S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, P. S. Kop’ev et al. // J. Cryst. Growth. 1996. — Vol. 159. — P. 16−20.
  108. Gunshor, R. in Semiconductors and Semimetals, edited by T. Pearsall / R. Gunshor, L. Kolozdiejski, A. Nurmikko // Academic, New York. 1990.-Vol. 33. — P. 337−409.
  109. Phase separation in ZnSei. xSx and Zni-yMgySeixSx layers grown by molecular beam epitaxy / G.C. Hua, N. Otsuka, D.C. Grillo et al // J.Cryst. Growth. 1994. -Vol. 138.-P. 367−372.
  110. Characterization of Ga2Se3 at ZnSe/GaAs heterovalent interfaces / J. Qiu, D. R. Menke, M. Kobayashi et al. // Appl. Phys. Lett. 1991. — Vol.58, № 24.-P. 2788−2790.
  111. Structure of the ZnSe/GaAs heteroepitaxial interface / D. Li, J.M. Gonsalves, N. Otsuka et al. // Appl.Phys. Lett. 1990. — Vol. 57, № 5. — P. 449−452.
  112. Guha, S. Structural quality and the growth mode in epitaxial ZnSe/GaAs (100) / S. Guha, H. Munekata, L. L. Chang // J. Appl. Phys. 1993. — Vol.73, № 5. p. 2294−2300.
  113. Issues of II-VI molecular-beam epitaxy growth toward a long lifetime blue/green laser doide / D.C. Grillo, M.D. Ringle, G.C. Hua et al // J. Vac. Sci. Technol. B. 1995. — Vol. 13, №.2. — P. 720−723.
  114. Reduction of structural defects in II-VI blue green laser diodes / C.C. Chu, T.B. Ng, J. Han et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. — Vol. 69, № 5. — P. 602−604.
  115. Radiative recombination centers induced by stacking-fault pairs in ZnSe/ZnMgSSe quantum-well structures / D. Luerssen, R. Bleher, H. Richter et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. — Vol. 75, № 25. — P. 3944−3946.
  116. Molecular beam epitaxial growth of CdZnS using elemental sources / B. J. Wu, H. Cheng, S. Guha et al. // Appl. Phys. Lett. 1993.-Vol. 63, № 21.-P. 2935−2937.
  117. Takatani, S. Reflection high-energy electron-diffraction and photoemission spectroscopy study of GaAs (OOl) surface modified by Se adsorption / S. Takatani, T. Kikawa, M. Nakazawa // Phys. Rev. B. 1992. — Vol. 45, № 15.-P. 84 988 505.
  118. Effects of interfacial chemistry on the formation of interfacial layers and faulted defects in ZnSe/GaAs / L.H. Kuo, K. Kimura, T. Yasuda et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. — Vol. 68, № 17. — P. 2413−2415.
  119. Structural properties of the ZnSe/GaAs system grown by molecular-beam epitaxy / J. Petruzzello, B.L. Greenberg, D.A. Cammack R. Dalby // J. Appl. Phys. 1988. — Vol. 63, № 7. — 2299−2303.
  120. Nucleation and characterization of pseudomorphic ZnSe grown on molecular beam epitaxially grown GaAs epilayers / R. L. Gunshor, L. A. Kolodziejski, M. R. Melloch et al. // Appl. Phys. Lett. 1987. — Vol. 50, №.4. — P. 200−202.
  121. Takatani, S. ZnMgSSe based laser diodes / S. Takatani, T. Kikawa, M. Nakazawa // J. Cryst. Growth. 1995. — Vol. 150 (part 2). — P. 701−706.
  122. Heterointerface control of ZnSe based II-VI laser diodes / S. Itoh, S. Tomiya, R. Imoto, A. Ishibashi // Applied Surface Science. 1994. — Vol. 117−118.-P. 719−724.
  123. Dramatic enhancement in the gain of a GaAs/AlGaAs heterostructure bipolar transistor by surface chemical passivation / C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischoff, R. Bhat // Appl. Phys. Lett. 1987. — Vol. 51, № 1. — P. 33−35.
  124. Effects of Na2S and (NH4)2S edge passivation treatments on the dark current-voltage characteristics of GaAs pn diodes / M.S. Carpenter, M. R. Melloch, M. S. Lundstrom, S. P. Tobin // Appl. Phys. Lett. 1988. — Vol. 52, № 25.-P. 21 572 159.
  125. Near-ideal transport in an AlGaAs/GaAs heterostructure bipolar transistor by Na2S-9H20 regrowth / R.N. Nottenburg, C. J. Sandroff, D. A. Humphrey et al. // Appl. Phys. Lett. 1988. — Vol. 52, № 3. — P. 218−220.
  126. Photoelectric properties of GaSb Schottky diodes / B. Rotelli, L. Tarricone, E. Gombia et al. // J. Appl.Phys. 1997. — Vol. 81, № 4. — P. 1813−1819.
  127. Simple method for examining sulphur passivation of facets in InGaAs-AlGaAs (A=0.98 /лп) laser diodes / G. Beister, J. Maege, D. Gutsche et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. — Vol. 68, № 18. — P. 2467−2468.
  128. Molecular beam epitaxy regrowth by use of ammonium sulfide chemical treatments / M.R. Melloch, M. S. Carpenter, Т. E. Dungan et al. // Appl. Phys. Lett. 1990.-Vol. 56, № 11.-P. 1064−1066.
  129. Liquid phase epitaxial regrowth on sulfide-passivated Ga^A^As / V.L. Bercovits, V.M. Lantratov, T.V. L’vova et al. // Appl. Phys. Lett. 1993. — Vol. 63, № 7. -P. 970−972.
  130. Metalorganic Molecular Beam Epitaxial Growth of ZnSe and ZnS on GaAs Substrates Pretreated with (NH4)2SX Solution / V.H. Wu, T. Toyda, Y. Kawakami et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1990. — Vol. 29, № 1. — P. L144-L147.
  131. Raman scattering characterization of the crystalline qualities of ZnSe films grown on S-passivated GaAs (100) substrates / J. Wang, X. H. Liu, Z. S. Li, R. Z. Su et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. — Vol. 67, № 14. — P. 2043−2045.
  132. Chemical and photochemical processes in sulfide passivation of GaAs (100): in situ optical study and photoemission analysis / V.L. Bercovits, V.P. Ulin, D. Paget et al. // J. Vac. Sci. Technol. A 1998. — Vol. 16, № 4. — P. 2528−2538.
  133. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. Справочник, ред. В. П. Глушко.-М.: Вып. 5, 1971.
  134. Photostimulated formation of dimers on sulfide-passivated GaAs (001) / V.L. Bercovits, A.O. Gusev, V.M.Lantratov et al // Phys. Low-Dim. Struct. 1995. -Vol. 12.-P. 293−299.
  135. Broadening of submonolayer CdSe sheets in CdSe/ZnSe superlattices studied by x-ray diffraction / R.N. Kyutt, A.A. Toropov, S.V. Sorokin et al //Appl. Phys. Lett. 1999. — Vol. 75, № 3. — P, 373−375.
  136. Gaines, JM. Structural properties of ZnSe films grown by migration enhanced epitaxy / J.M. Gaines, J. Peruzzello, B. Greenberg // J. Appl. Phys. 1992. — Vol. 73, № 6. -P. 2835−2840.
  137. A comparative study of growth of ZnSe films on GaAs by conventional molecular-beam epitaxy and migration enhanced epitaxy / J. Lilja, J. Keskinen, M. Hovinen, M. Pessa // J. Vac. Sci. Technol. B. 1989. — Vol. 7, № 4. — P. 593−598.
  138. Peculiarities of MEE versus MBE Growth Kinetics of CdSe Fractional Monolayers in ZnSe / S. V Sorokin., A. A Toropov., T. V Shubina et al. // J. Cryst.Growth. 1999. — Vol. 201/202. — P. 461−464.
  139. Optical and Transport Properties of CdSe/ZnSe Self-Organized Nanostructures: 1-Dimensional versus 3-Dimensional Quantum Confinement / A.A. Toropov, S.V. Ivanov, T.V. Shubina et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. — Vol. 38.-P. 566−569.
  140. Soler, J.M. Cluster diffusion by evaporation-condensation / J.M. Soler // Phys. Rev. В. 1996.-Vol. 53, № 16. — P. R10540-R10543.
  141. Island migration caused by the motion of the atoms at the border: Size and temperature dependence of the diffusion coefficient / A. Bogicevic, S. Liu, J. Jacobsen et al // Phys. Rev. B. 1998. — Vol. 57, № 16. — P. R9459-R9462.
  142. Bithnel, E. Composition determination in the GaAs/(Al, Ga) As system using contrast in dark-field transmission electron microscope images / E. Bithnel, W. Stobbs // Phil.Mag. A. 1989. — Vol. 60, № 1. — P. 39−62.
  143. Stadelmann, P.A. EMS-a software package for electron diffraction analysis and HREM image simulation in materials science / P.A. Stadelmann // Ultramicroscopy. 1987.-Vol. 21, № 2.-P. 131−145.
  144. Rosenauer, A. Composition and evaluation by the lattice fringes analysis method using defocus series / A. Rosenauer, D. Gerthsen // Ultramicroscopy. -1999. Vol. 76, № 1−2. — P. 49−60.
  145. Martin, W.E. Photoluminescence determinations of Cd diffusions in ZnSe / W.E. Martin // J. Appl. Phys. 1973. — Vol. 44. — P. 5639−5641.
  146. An optical study of interdiffusion in ZnSe/ZnCdSe / M.K. Chai S. F. Wee, K. P. Homewood, W. P. Gillin // Appl. Phys. Lett. 1996. — Vol. 69. — P. 1579−81.
  147. Surface segregation of In atoms during molecular beam epitaxy and its influence on the energy levels in InGaAs/GaAs quantum wells / K. Muraki, S.
  148. Fukatsu, Y. Shirakia, R. Ito // Appl. Phys. Lett. 1992. — Vol. 61, № 5. — P. 557 559.
  149. Doping dependent ZnCdSe/ZnSe-superlattice disordering / M. Kuttler M. Strassburg, O. Stier, U. W. Pohl // Appl. Phys. Lett. 1997. — Vol. 71. — P. 243 245.
  150. Exiton relaxation dynamics in ultrathin CdSe/ZnSe single quantum wells / U. Neukirch, D. Weckendrup, W. Faschinger et al. // J. Cryst. Growth. 1994. — Vol. 138.-P. 849−855.
  151. Recombination dynamics of localized exitons in a CdSe/ZnSe/ZnSxSei.x single-quantum-well structures / S. Yamaguchi, Y. Kawakami, S. Fujita et al. // Phys. Rev. B. 1996. — 54, № 4. — P. 2629−2634.
  152. Interfacial alloy formation in ZnSe/CdSe quantum-well heterostructures characterized by photoluminescence spectroscopy / Z. Zhu, H. Yoshihara, K. Takebayashi, T. Yao // Appl. Phys. Lett. 1993. — Vol. 63. — P. 1678−1680.
  153. Takagahara, T.T. Excitonic relaxation processes in quantum well structures / Т. T. Takagahara // J. Lumin. 1989. — Vol. 44. — P. 347−366.
  154. Observation of reentrant 2D to 3D morphology transition in hihly strained epitaxy InAs on GaAs / R. Heitz, T.R. Ramachandran, A. Kalburge et al. // Phys. Rev. Lett. 1997. — Vol. 78, № 21. — P. 4071−4074.
  155. The growth of ZnSe/CdSe and ZnS/CdS strained layer superlattices by MOVPE / P.J. Parbrook, P.J. Wright, B. Cockayne et al // J. Cryst. Growth. -1990. Vol. 106. — P. 503−509.
  156. Photoluminescence from ultrathin ZnSe/CdSe quantum wells / H. Zajicek, P. Juza, E. Abramof et al. // Appl. Phys. Lett. 1993. — Vol. 62. — P. 717−719.
  157. Effect of hydrostatic pressure on strained CdSe/ZnSe single quantum wells / S. J. Hwang, W. Shan, J.J. Song et al. // Appl. Phys. Lett. 1994. — Vol. 64. — P. 2267−2269.
  158. A. Rosenauer, D. Gerthsen // Adv. Imagind Electron Phys. 1999. — Vol. % 107.-P.221.
  159. Patton, В. Trion, biexciton, and exciton dynamics in single self-assembled CdSe quantum dots / B. Patton, W. Langbein, U. Woggon // Phys. Rev. B, 2003. -Vol. 68.- P. 125 316−1-125 316−9.
  160. Single-hole spin relaxation in a quantum dot / T. Flissikowski, I. A. Akimov, A. Hundt, F. Henneberger // Phys. Rev. B. 2003. — Vol. 68. — P. 161 309−1 161 309−4.
  161. Van de Walle, C.G. Band lineups and deformation potentials in the model-solid theory / C.G. Van de Walle // Phys. Rev. B. 1989. — Vol. 39, — P. 18 711 883.
  162. Spectroscopic Evidence for the Exciton Percolation Threshold in Low-Dimensional ZnCdSe Solutions with Nano-Islands / A. Reznitsky, A. Klochikhin, S. Permogorov, L. Tenishev et al. // Phys. Stat. Sol. (b). 2002. — Vol. 229, № 1. -P. 509−512.
  163. Origin of the Stokes shift: A geometrical model of exciton spectra in 2D semiconductors / Fang Yang, M. Wilkinson, E. J. Austin, K. P. O’Donnell // Phys. Rev. Lett. 1993. — Vol. 70. — P. 323−326.
  164. S.A. Tarasenko, A. A. Kiselev, E. L. Ivchenko, A. Dinger et al. // Semicond. Sci. Technol. -2001. Vol. 16. — P. 486.
  165. Exciton thermalization in quantum-well structures / M. Gurioli, A. Vinattieri, J. Martinez-Pastor, M. Colocci // Phys. Rev. B. 1994. — Vol. 50. — P. 1 181 711 826.
  166. Zn-Se-Te multilayers with submonolayer quantities of Те: Type-II quantum structures and isoelectronic centers / Gu Y., Kuskovsky I.L., M. van der Voort, Neumark G.F. el al. // Phys. Rev. B. 2005. — Vol. 71. — P. 45 340−45 344.
  167. CdSe-based nanostructures: growth, properties, lasers / S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina, et al. // Phys. Stat. Sol. (b) 2004. — Vol. 241, № 3. — P. 531−537.
  168. N.N. Ledentsov, J. Bohrer, M. Beer, Radiative states in type-II GaSb/GaAs quantum wells, Phys. Rev. В 52, 14 058−14 066 (1995).
  169. Quantitative interpretation of the phonon-assisted redistribution processes of excitons in Zn^Cd^Se quantum islands / B. Dal Don, K. Kohary, E. Tsitsishvili, H. Kaltet al. // Phys. Rev. B, 2004. — Vol. 69. — P. 45 318−1-45 318−8.
  170. , G.B. / Calculation of ternary and quaternary III-V phase diagrams / G.B. Stringfellow // J. Cryst. Growth. 1974. — Vol. 27. — P. 21−34.
  171. , J.C. / Spectroscopic Analysis of Cohesive Energies and Heats of Formation of Tetrahedrally Coordinated Semiconductors / J.C. Phillips J.A. Van Vechten // Phys. Rev. B. 1970. — Vol. 2. — P. 2147−2160.
  172. , B.C. Энергетическая кристаллохимия/ B.C. Урусов. M.: Наука, — 1975.
  173. , Н.Х. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе / Н. Х. Абрикосов, В. Ф. Банкина, JI.B. Горецкая и др. М.: Наука, -1978.
  174. Cristian, J.W. The Theory of Transformations in Metal and Alloys / J.W. Cristian. Oxford: Pergamon Press, 1975. — Part I.
  175. Сине-зеленые лазеры на основе ZnSe с новым типом активной области / С. В. Иванов, А. А. Торопов, С. В. Сорокин и др. // ФТП. 1999 — Т. 33, вып. 9. -С. 1115−1119.
  176. Т. Asano, М. Takeya, Т. Tojyo, Т. Mizuno, S. Ikeda, К. Shibuya, Т. Hino, S. Uchida, and M. Ikeda. Appl. Phys. Lett., High-power 400-nm-band AlGalnN-based laser diodes with low aspect ratio, 80 (19), 3497−3499 (2002).
  177. Thermal stability of ZnMgSSe/ZnSe laser heterostructures / P. Marko, E.V. Lutsenko, G.P. Yablonskii et al. // Phys. Stat. Sol. (a). 2001 — Vol. 185, № 2.-P. 301−308.
  178. Influence of pumping and inherent laser light on propertiesand degradation of ZnMgSSe/ZnSe quantum well heterostructures / E. V. Lutsenko, G. P. Yablonskii, V. N. Pavlovskii et al. // Phys. Stat. Sol. (a). 2003 — Vol. 195, № 1. — P. 188−193.
  179. E.V. Lutsenko, A.L. Gurskii, V.N. Pavlovskii et al. Optical Properties of Cd (Zn)Se/ZnMgSSe Heterostructures with Fractional QD-like CdSe Insertions at
  180. High Exitation Levels // 12th Int. Conf. on II-VI Compounds. Abstracts -Warsaw, Poland, September, 12−16, 2005. P. 195
  181. Arakawa, Y. Multidimensional quantum well laser and temperature dependence of its threshold current / Y. Arakawa, H. Sakaki // Appl. Phys. Lett. -1982.-Vol. 40, № 11.-P. 939−941.
  182. , X. Лазеры на гетероструктурах / X. Кейси, М. Паниш. М.: Мир, 1981.-Т. 1.-С.213
  183. E.V. Lutsenko, V.Z. Zubialevich, V.N. Pavlovskii et al. Lasing, gain and photoluminescence of green emitting CdSe QD heterostructures // Междн. конф. «Опто, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы»: Тез. докл. -Туапсе, 2004. С. 59.
  184. High-performance, reliable, 730-nm-emitting Al-free active region diode lasers / A. Al-Muhanna, J. K. Wade, T. Earles, et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. -Vol. 73, № 20. — P. 2869−2871.
  185. Bergmann, M.J. Optical-field calculation for lossy multiple-layer AlxGai. xN/InxGaixN laser diodes / M.J. Bergmann, H.C. Casey, Jr. // J. Appl. Phys. -1998 Vol. 84, № 3. — P. 1196−1203.
  186. M. Введение в теорию оптических волноводов / М. Адаме. М.: Мир, 1984.
  187. Wide band gap MgZnSSe grown on (001) GaAs by molecular beam epitaxy / B.J. Wu, J.M. DePuydt, G.M. Haugen et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. — Vol. 66, № 25 — P.3462−3464.
  188. Optimized metalorganic vapour phase epitaxy of ZnMgSSe heterostructures / H. Kalisch, M. Liinenburger, H. Hamadeh et al. // J. Crystal Growth 1998. -Vol.- 184/185.-P. 129−133.
  189. Growth of ZnSe/MgS strained-layer superlattices by molecular beam epitaxy / N. Teraguchi, H. Mouri, Y. Tomomura, A. Suzuki et al. // Appl. Phys. Lett. -1995. Vol. 67. — P. 2945−2947.
  190. Composition, Stoichiometry and Growth Rate Control in MBE of ZnSe Based Ternary and Quaternary Alloys / S. V. Ivanov, S. V. Sorokin, P. S. Kop’ev et al. // J. Crystal Growth. 1996. — Vol. 159. — P. 16−19.
  191. G.P. Yablonskii and M. Heuken, in Towards the First Silicon Laser, ed. by L. Pavesi, S. Gaponenko, L. Dal Negro // Kluwer Academic Publishers. 2002 -NATO Science Series, II. Mathematics, Physics and Chemistry, Vol. 93. -P. 455−464.
  192. Blue InGaN/GaN multiple-quantum-well optically pumped lasers with emission wavelength in the spectral range of 450−470 nm / G.P. Yablonskii, E.V. Lutsenko, V.N. Pavlovskii et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. — Vol. 79, № 13. — P.1953−1955.
  193. Trager-Cowan C., Yang F., O’Donnell K.P. // Advanced materials for Optics and Electronics. -1994. Vol.3 P. 295−298.
  194. Основные работы, включенные в диссертацию1*. Т. Shubina, S. Sorokin, A. Toropov, I. Sedova, A. Sitnikova, A.V. Ankudinov,
  195. C.В. Иванов, П. С. Копьев, Е. В. Луценко, В. Н. Павловский, В. З. Зубелевич, А. Л. Гурский, Г. П. Яблонский, Y. Dikme, Н. Kalisch, A. Szymakowski, R.H. Jansen, В. Schineller, М. Heuken, Лазерная генерация в гетероструктурах
Заполнить форму текущей работой

На отлично!