Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Кинетические и контактные явления в анизотропных и неоднородных полупроводниках

Диссертация: Кинетические и контактные явления в анизотропных и неоднородных полупроводниках
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Путем единого теоретического подхода получены выражения для электрического потенциала в анизотропных полупроводниках с точностью до членов, содержащих квадрат индукции внешнего магнитного поля при произвольном положении токовых электродов на периметре прямоугольных образцов. Впервые показано, что в линейном приближении по величине индукции внешнего магнитного поля приближение Ван-дер-Пау… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Особенности явлений электронного переноса в полупроводниковых монокристаллах и пленках с анизотропией проводимости
    • 1. 1. Явления электронного переноса в анизотропных токопроводя-щих средах и методы их исследования (обзор литературных данных)
    • 1. 2. Теоретический расчет распределения потенциала в ограниченных анизотропных полупроводниках
      • 1. 2. 1. Распределение потенциала в анизотропных полупроводниках, вырезанных вдоль кристаллографических осей
      • 1. 2. 2. Распределение потенциала в анизотропных полупроводниках, вырезанных под углом к кристаллографическим осям
    • 1. 3. Компьютерное моделирование распределений электрического поля и линий тока в анизотропных полупроводниках
      • 1. 3. 1. Токовые контакты расположены на оси симметрии кристалла
      • 1. 3. 2. Токовые контакты расположены на одной грани образца
      • 1. 3. 3. Моделирование электрического поля в анизотропных полупроводниках при асимметрии граничных условий
    • 1. 4. Анализ распределения электрического поля в анизотропных полупроводниках
      • 1. 4. 1. Вихревые токи анизотропии
      • 1. 4. 2. Концентрация линий вектора плотности тока
      • 1. 4. 3. Поперечное напряжение анизотропии
    • 1. 4. Экспериментальная проверка теоретических расчетов
  • Выводы и результаты первой главы
  • Глава 2. Макроскопическая модель эффектов Холла и магнетосопротивления в анизотропных полупроводниках
    • 2. 1. Гальваномагнитные явления в полупроводниках и методы их исследования (обзор литературных данных)
    • 2. 2. Макроскопическая теория эффектов Холла и Гаусса в анизотропных полупроводниках
      • 2. 2. 1. Теоретический расчет распределения потенциала в ограниченных анизотропных полупроводниках при наличии внешнего магнитного поля
      • 2. 2. 2. Эффекты Холла и Гаусса в анизотропных кристаллах и пленках, вырезанных под углом к кристаллографическим осям
    • 2. 3. Компьютерное моделирование электрического поля в ограниченных анизотропных полупроводниках при наличии внешнего магнитного поля
    • 2. 4. Разработка методов исследования эффектов Холла и магнетосо-противления в анизотропных полупроводниках
      • 2. 4. 1. Определение компоненты тензора коэффициента Холла в анизотропных полупроводниках, вырезанных вдоль кристаллографических осей
      • 2. 4. 2. Особенности исследования эффекта Холла в анизотропных полупроводниках, вырезанных под углом к кристаллографическим осям
      • 2. 4. 3. Методика исследования величины магнетосопротивления в ограниченных анизотропных полупроводниках
      • 2. 4. 4. Измерение магнетосопротивления при расположении контактов на периметре образцов
    • 2. 5. Экспериментальная проверка. Практические рекомендации
      • 2. 5. 1. Исследования эффектов Холла и Гаусса в изотропных полупроводниках
      • 2. 5. 2. Экспериментальные данные по исследованию эффекта Холла и Гаусса в анизотропных полупроводниках
  • Выводы и результаты второй главы
  • Глава 3. Разработка методов измерения кинетических коэффициентов анизотропных полупроводников
    • 3. 1. Зондовые методы исследования полупроводниковых материалов обзор литературных данных)
    • 3. 2. Расчет распределения потенциала электрического поля в анизотропных полупроводниковых кристаллах пленках
    • 3. 3. Методика измерения компонент тензора электропроводимости анизотропных полупроводниковых кристаллов и пленок
      • 3. 3. 1. Теоретическое обоснование методики
      • 3. 3. 2. Оценка учета влияния границ анизотропного образца
      • 3. 3. 3. Экспериментальная проверка методики
    • 3. 4. Методика совместных измерений электропроводимости и коэффициента Холла анизотропных полупроводниковых кристаллов и пле
      • 3. 4. 1. Методика определения главных компонент тензора электропроводимости анизотропных полупроводников
      • 3. 4. 2. Измерение компоненты тензора коэффициента Холла

Кинетические и контактные явления в анизотропных и неоднородных полупроводниках (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность работы. Быстрое развитие современной электроники и микроэлектроники создает необходимость разработки методов исследования новых перспективных материалов электронной техники. В настоящее время хорошо разработаны и подробно изучены методы исследования изотропных полупроводниковых материалов, в то же время в современной электронике и микроэлектронике все большее применение находят полупроводниковые соединения, обладающие анизотропией электрофизических свойств [1−4]. В ряде случаев анизотропия физических свойств наблюдается и у атомарных полупроводников под давлением или под влиянием внешних полей [5, 6]. В связи с вышеуказанным возникает необходимость в надежных и легко воспроизводимых методах исследования данных материалов электронной техники.

При разработке методов исследования полупроводниковых материалов очень важны макроскопические распределения потенциала и плотности тока. Учет влияния границ токопроводящих областей на распределение электрического потенциала и плотности тока представляет актуальную физико-математическую и практическую задачу. Проблема здесь, в первую очередь, заключается в сложном характере распределений электрического потенциала и плотности тока в образцах, обладающих анизотропией электрических параметров, что на данный момент в литературе освещено недостаточно.

Явления, возникающие на контактах металл-полупроводник, вызывают интерес у многих исследователей [7−9]. Это не случайно: как известно, резил стивные и контактные явления остаются одними из наиболее информативных при исследованиях полупроводниковых материалов и структур. В частности, одними из важнейших характеристик контакта являются: сопротивление, омич-ность, эквипотенциальность.

На современном этапе развития приборов микроэлектроники широкое применение получили плёнки различной электропроводимости, которые наносят на изолирующие подложки [10−12]. При исследовании и практическом применении тонких плёнок возникают проблемы контроля их удельного сопротивления, а также качества металлических контактов к ним. Однако на данный момент сохраняется необходимость в теоретическом обосновании и разработке методов исследования полупроводниковых пленок и свойств металлических контактов к ним.

Исследования явлений электронного переноса в анизотропных полупроводниках начались в середине двадцатого века, после того как была построена некоторая элементарная теория для изотропных полупроводников, а также разработана соответствующая математическая база. Одними из первых работ, посвященных гальваномагнитным, явлениям в анизотропных полупроводниках, являются работы Херринга [13, 14]- в них представлены выражения для кинетических коэффициентов электронного переноса на основе элементарных квантовых представлений. На данном этапе подробно разработана теория, позволяющая объяснять своеобразие многих явлений переноса в средах с анизотропией и неоднородностью электропроводимости полупроводниковых материалов [2,15−20].

Однако, необходимо отметить, что некоторые макроскопические эффекты в анизотропных и неоднородных полупроводниках изучены недостаточно. Сохраняется необходимость в надежных и легко воспроизводимых методах исследования данных материалов электронной техники. Кроме того, в настоящее время достаточно мало работ, посвященных компьютерному моделированию явлений электронного переноса с учетом граничных условий на поверхности.

Таким образом, задача исследования кинетических и контактных явлений в анизотропных и неоднородных полупроводниках является актуальной и служит повышению эффективности лабораторных исследований и промышленного контроля качества полупроводниковых материалов.

Цель работы. Изучение особенностей явлений электронного переноса в анизотропных и неоднородных полупроводниках с последующей разработкой методов измерений кинетических коэффициентов электрофизических свойств полупроводниковых материалов электронной техники.

Исходя из поставленной цели, основными задачами исследования являются.

1. Разработка соответствующего математического метода расчета электрических полей и токов в ограниченных полупроводниковых областях с учетом их анизотропии и неоднородности. Представить полученные распределения потенциала в удобном виде для практического использования с применением современных ЭВМ.

2. Выполнение теоретического анализа особенностей макроскопических явлений электронного переноса в ограниченных анизотропных и неоднородных полупроводниках.

3. Получить выражения для распределения потенциала в ограниченных анизотропных полупроводниках при наличии внешнего магнитного поля в ограниченных анизотропных монокристаллах. Выявить особенности измерений эффектов Холла и Гаусса в анизотропных полупроводниках на основе полученных аналитических решений для потенциала.

4. Разработка и обоснование системы методов измерения и контроля некоторых электрофизических параметров полупроводников (в том числе анизотропных), резистивных и контактных явлений.

Методы исследования. Цели диссертационной работы достигаются путем формулировки и интегрирования соответствующих краевых задач электродинамики методами математической физики с последующим анализом полученных решений с использованием ЭВМ.

Научная новизна теоретических положений и результатов исследования, полученных автором, заключается в следующем.

1. Разработана методика решения краевых электродинамических задач с граничными условиями в виде наклонной производной путем применения комплексных рядов Фурье.

2. Получены выражения для распределения потенциала в ограниченных анизотропных проводящих средах, которые позволили исследовать следующие явления в данных материалах: поперечное напряжение анизотропии, концентрацию тока проводимости, сопротивление растекания контактов к анизотропным полупроводникам. Данные явления объяснены с помощью модели вихревых токов анизотропии. Впервые получены выражения для сопротивления растекания анизотропных полупроводников.

3. Путем единого теоретического подхода получены выражения для электрического потенциала в анизотропных полупроводниках с точностью до членов, содержащих квадрат индукции внешнего магнитного поля при произвольном положении токовых электродов на периметре прямоугольных образцов. Впервые показано, что в линейном приближении по величине индукции внешнего магнитного поля приближение Ван-дер-Пау справедливо для анизотропных полупроводников. На основе теоретических исследований эффекта Холла в анизотропных полупроводниковых кристаллах и пленках доказано, что в анизотропных образцах на величину э.д.с. Холла оказывает существенное влияние поперечное напряжение анизотропии.

4. Разработаны и теоретически обоснованы оригинальные методы измерений электрофизических свойств полупроводников: восьмизондовые методы измерений электропроводимости анизотропных полупроводников, комбинированный четырехзондовый метод измерения электропроводимости слоистых полупроводниковых материалов. Предложены методики исследования эффектов Холла и Гаусса в ограниченных полупроводниках с тензорным характером проводимости.

5. Проведено физико-математическое обоснование новых методов исследования свойств контактов к полупроводникам: сопротивления растекания круглого контакта, сопротивления металлических контактов к полупроводниковым пленкам. Получено выражение для распределения потенциала на контакте двух сред с различными электропроводимостями. Показано, что в неоднородных полупроводниках моделирование электрического тока возможно с помощью вихревых токов неоднородности.

Достоверность результатов исследования обеспечена четкой формулировкой соответствующих краевых задач для потенциала электрического поля в ограниченных полупроводниках и выбором надежных теоретических методов их решения. Выполненные теоретические расчеты распределений потенциала проверены экспериментально, а также подтверждаются результатами, полученными другими авторами.

Практическая и научная значимость результатов диссертационной работы.

В диссертации разработан общий и строгий путь решения определенных типов краевых задач электродинамики в применении к полупроводниковым материалам электронной техники. В частности, разработана оригинальная методика решения задач с граничными условиями в виде наклонной производной на ограниченной плоскости. Представленные аналитические решения позволяют производить анализ распределений потенциала и плотности постоянного электрического тока в ограниченных анизотропных и неоднородных полупроводниках, выполнять компьютерное моделирование соответствующих полей.

Полученные аналитические выражения для распределения характеристик электрического поля позволяют предлагать методики исследований свойств анизотропных материалов электронной техники, а также некоторых контактных и резистивных явлений в полупроводниках.

На защиту выносятся следующие результаты.

1. Применение оригинального метода, использующего аппарат комплексных рядов Фурье, для решения задач с граничными условиями в виде наклонной производной в ограниченной области.

2. Решенные на основе разработанного метода оригинальные задачи, позволяющие исследовать анизотропно-резистивные явления в ограниченных анизотропных и неоднородных полупроводниках.

3. Макроскопическая теория гальваномагнитных эффектов в ограниченных анизотропных полупроводниках, построенная на основе разработанного способа решения краевых задач электродинамики.

Новые, разработанные автором, методы измерений удельного сопротивления полупроводниковых пленок, определения компонент тензоров электропроводимости и коэффициента Холла анизотропных монокристаллов и пленок.

Предложенные автором новые методы исследования характеристик контактов к полупроводникам, а также резистивных явлений как в изотропных, так и в анизотропных полупроводниках.

Апробация. Основные результаты диссертационной работы докладывались на:

1) 1-ой Российской конференции молодых ученых по физическому материаловедению (Калуга, МГТУ им. Н. Э. Баумана, 4−7 октября 2001 г.);

2) Международной конференции «Физика электронных материалов -2002» (Калуга, КГПУ, 1−4 октября 2002 г.);

3) 10-ой Всероссийской конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика 2003» (Москва, МИЭТ, 23−24 апреля 2003 г.);

4) Международном семинаре «Структурные основы модификации материалов методами нетрадиционных технологий (МТН — VII)» (Обнинск, ИАТЭ, 16−19 июня 2003 г.) — л 5) 4-ой Международной конференции молодых ученых, аспирантов и докторантов «Актуальные проблемы современной науки» (Самара, СГТУ, 10−12 сентября 2003 г.);

6) 4-ой Международной конференции «Фундаментальные и прикладные проблемы физики -2003» (Саранск, МГПИ, 16−18 сентября 2003 г.);

7) 2-ой Международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-го века» (Москва, МИСиС, 28−30 октября 2003 г.);

8) 3-ем Международном семинаре «Компьютерное моделирование электромагнитных процессов физических, химических и технических системах» (Воронеж: ВГТУ, 22−24 апреля 2004 г.).

5.

Публикации. По теме диссертации автором опубликовано 11 научных статей и 8 тезисов докладов конференций различного уровня. Личный вклад автора в работы, опубликованные в соавторстве, состоит в получении теоретических соотношений, компьютерном моделировании, проведении эксперимента и расчетов.

Структура диссертационной работы. Диссертационная работа включает в себя введение, четыре главы основного текста, заключение и список использованной литературы. Объем диссертации составляет 160 страниц текста, 54 рисунка, 8 таблиц, оглавление, список цитируемой литературы из 156 наименований.

Основные результаты и выводы диссертационной работы кратко можно сформулировать следующим образом.

1. Впервые получены аналитические выражения для распределения потенциала и плотности тока при произвольном расположении токовых электродов на периметре прямоугольных анизотропных полупроводниковых образцов. Выражения для распределений потенциалов представлено в виде рядов Фурье. Путем теоретического анализа и компьютерного моделирования показано, что электрическое поле в анизотропных полупроводниках моделируется с помощью вихревых токов анизотропии (ВТА). Модель ВТА в средах с тензорным характером проводимости объясняет концентрацию линий вектора плотности тока, возникновение поперечного напряжения анизотропии (ПНА) и некоторые другие анизотропно-резистивные эффекты.

2. Показано, что решение задачи с граничными условиями в виде наклонной производной в области полупроводника возможно методом комплексных рядов Фурье. На основе предложенной методики решения краевых задач получены аналитические выражения для распределения электрического потенциала в ограниченных анизотропных полупроводниках прямоугольной формы при наличии магнитного поля с точностью до членов, содержащих квадрат индукции внешнего магнитного поля. Теоретический анализ показал, что в анизотропных полупроводниках при измерениях гальваномагнитных эффектов необходимо учитывать наличие ПНА. На основе полученного распределения потенциала разработаны методики вычислений компоненты тензора коэффициента Холла и магнетосопротивления с учетом наличия ПНА.

3. Разработана оригинальная методика совместных измерений компонент тензоров электропроводимости и коэффициента Холла анизотропных полупроводниковых пленок, ориентированных под некоторым углом к кристаллографическим осям. Теоретический анализ и компьютерное моделирование показали, что, в случае пренебрежения шунтирующим влиянием токовых контактов, наличие слабого внешнего магнитного поля не изменяет распределения токовых линий в ограниченных анизотропных образцах так же, как в изотропных полупроводниках. Следовательно, метод Ван-дер-Пау измерения э.д.с. Холла применим к полупроводникам с тензорным характером проводимости.

4. Впервые получено распределение потенциала и плотности тока в анизотропных пленках при произвольном положении на их поверхности точечных токовых электродов. На основе полученного аналитического выражения для потенциала электрического поля разработана методика расчета компонент тензора электропроводимости образцов, ориентированных вдоль кристаллографических осей. Общая схема измерений необходимых величин построена на базе известного четырехзондового способа с линейным пробником. Автором путем строгого теоретического обоснования разработан оригинальный комбинированный четырехзондовый метод измерения электропроводимости слоистых полупроводниковых материалов.

5. Теоретически обоснована оригинальная методика измерения сопротивления металлических контактов к изотропным полупроводниковым пленкам. Разработана технология нанесения никелевых контактов на поверхность полупроводникового кремния путем электроосаждения из сульфатного электролита Уоттса, подобраны оптимальные условия на поверхности образца и величины плотности тока на контакте электролита и полупроводника.

6. Получены теоретические выражения для сопротивления растекания круглых контактов к полупроводниковой пленке. На основе представленных выражений разработана методика расчета и контроля удельного сопротивления изотропных полупроводниковых пленок с неточечными токовыми контактами. В некоторых практически значимых случаях учтены условия, обусловленные величиной контакта и наличием границ.

7. Произведен:, теоретический анализ резистивных явлений в полупроводниках с тензорным характером проводимости. Впервые получены аналитические выражения для расчета сопротивления растекания анизотропных полупроводников, а также сопротивления металлических контактов к ним. Показано, что вихревые токи анизотропии весьма существенно влияют на величину сопротивления растекания полупроводников с тензорным характером проводимости.

8. Получены выражения для распределения потенциала на контакте двух сред с различными проводимостями. На основе полученного решения представлены выражения для оценки эквипотенциальности омических контактов к полупроводникам. Показано, что в неоднородных полупроводниках моделирование электрического тока возможно с помощью вихревых токов неоднородности.

Таким образом, результаты представленных в диссертационной работе исследований позволяют производить расчет и компьютерное моделирование наиболее важных явлений электронного переноса в анизотропных и неоднородных полупроводниковых материалах, а также вносят определенный вклад в метрику материалов электронной техники и исследований контактных явлений.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.А., Воронка Н. К., Маренкин С. Ф., Раренко И. М. Получение и использование оптимизированных материалов из антимонида кадмия // Неорг. матер. — 1996. — Т. 32, № 9. — С. 1049−1060.
  2. А.А., Пальти A.M., Ащеулов А. А. Анизотропные термоэлементы (обзор) // ФТП. 1997. — Т. 31, № 11. — С. 1281−1298.
  3. Yao С.С., Hasko D.G., Lee W. Y, Hirohata A., Xu Y.B., Blad J.A.C. Psevdo-Hall Effect Anisotropic Magnetoresistance in a Microscale Ni8oFe2o Device // ШЕЕ Translations on Magnetics. 1999. — Vol. 35, № 5. -P. 3616−3618.
  4. Suk Myung-Jin, Choi Gil-Heyun, Moon In-Hyung Determination of microstractural anisotropy in Sb-InSb eutectic by electrical resistivity measurement // J. Mater. Sci. -1996. Vol. 31, № 6. — P. 1663−1668.
  5. Гук Е.Г., Левинштейн M.E., Марихин B.A., Мясникова Л. П., Румянцев С. Л. Электрические свойства проводящего полидиацетилена THD // ФТТ. — 1997. -Т. 39,№ 4.-С. 778−782.
  6. Е. В., Кустова Т. Г. Стимулированная электрическим полем анизотропия проводимости в узкощелевых полупроводниках висмут-сурьма // Вестник МГУ. Серия 3. 1992. — Т. 33, № 11. — С. 91−95.
  7. В.И., Бузанева Е. В. Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике -М.: Радио и связь, 1987. 256 с.
  8. Э.Х. Контакты металл-полупроводник-М.: Радио и связь, 1982.- 208 с.
  9. А.Н., Растегаева М. Г., Растегаев В .П., Решанов С. А. К вопросу об учете растекания тока в полупроводнике при определении переходного сопротивления омических контактов// ФТП. 1998. — Т. 32, № 7. — С. 832−838.
  10. Ю.Строкан Н. Б., Иванов A.M., Савкина Н. С., Давыдов Д. В., Богданова Е. В., Лебедев А. А. Применение SiC-триодных структур как детекторов ядерных частиц // ФТП. -2002. Т. 36, № 3. — С. 375−378.
  11. Ю.Б., Пчеляков О. П., Соколов Л. В., Чикичев С. И. Искуственные подложки GeSi для гетероэпитаксии достижения и проблемы (обзор) // ФТП. — 2003. — Т. 37, № 5. — С. 513−538.
  12. А.С. Фотовольтаический эффект в пленках поли(алкилтиофена) накремниевой подложке // ФТТ. 2001. — Т. 43, № 2. — С. 379−382.
  13. Herring С., Geballe Т.Н., Kunzler J.E. Phonon-Drag Thermoelectric Effect in n-Type Germanium//Phys.Rev.- 1958.-Vol. 111,№ l.p. 36−57.
  14. П. И., Буда И. С., Даховский И. В., Коломиец В. В. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках. Киев: Науко-ва думка, 1977.-270с.
  15. И.И., Романов В. А. Электрические и фотоэлектрические свойства полупроводников с анизотропной проводимостью (обзор) // ФТП. 1977. — Т. 11, № 5.-С. 817−835.
  16. А.А. Кинетические явления в макроскопически неоднородных и анизотропных средах: Дис. д-ра физ.-мат. наук. Киев, 1990.- 303 с.
  17. Н.Н. Кинетические явления в ограниченных анизотропных и неоднородных полупроводниках: Дис. д-ра физ.-мат. наук. Липецк, 1995. 308 с.
  18. И.А. Поле точечного источника постоянного тока в многослойной среде с плоскопараллельными границами раздела // Электромагнитные поля в геофизических методах исследования. -М.: Наука, 1969. С. 105−118.
  19. Е.Н. Многослойные полупроводниковые структуры с неоднородно распределенными параметрами: Дис.. д-ра физ.-мат. наук. Воронеж, 2001−386 с.
  20. Г. А. Влияние диффузионной длины и поверхностной рекомбинации на поляризационную квантовую эффективность анизотропных кристаллов // ФТП. 2000. — Т. 34, № 5. — С. 537−540.
  21. В.А., Лунин Р. А., Рогозин В. А., Мокеров В .Г., Федоров Ю.В.,
  22. Ю.В., Нарюми Е., Киндо К., Виссер де А. Летеральный электронный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/GaAs на пороге образования квантовых точек // ФТП. 2003. — Т. 37, № 1. — С. 70−76.
  23. А.В., Пасечник Ю. А. Влияние анизотропии на дисперсию поверхностных плазмон-фононных поляритонов карбида кремния // ФТТ. — 1998. Т. 40, № 4. -С. 636−639.
  24. А.А., Слипченко A.M., Сатанин А. М. Генерация третьей гармоники в сильно анизотропных средах вблизи порога протекания // ЖТФ. 2000. — Т. 70, № 2.-С. 53−57.
  25. Lyons VJ. The dissociation pressure of ZnAs2 // J. Phys. Chem. 1959. — V. 63, № 7.-P. 1142−1144.
  26. E.B. Эффект Сасаки-Шибуи в BibxSbx // ФТП. 1991. — Т. 25, № 11. -С. 2028−2032.
  27. JI.A., Бормонтов Е. Н., Регель А. Н., Сыноров В. Ф. Гальваноанизотропные эффекты в дифосфиде цинка // ФТП. 1981. — Т. 15, № 10 — С. 2043−2045.
  28. С.Ф., Раухман A.M., Пшциков Д. И. Электрические и оптические свойства диарсенидов кадмия и цинка // Неорг. матер. 1992. — Т. 28, № 9. — С. 1813−1828.
  29. А.Ф. Анизотропия термоэлектрических и гальваномагнитных свойств CdSb // Неорг. матер. 1998. — Т. 34, № 8. — С. 924−927.
  30. Л.Д., Гранаткина Ю. В., Сидоров Ю. А. Анизотропия электрофизических свойств монокристаллов теллурида сурьмы, легированных оловом // Неорг. матер. 1998. — Т. 34, № 1. — С. 44−52.
  31. М.М., Самедов Ф. С., Абдинов Д. Ш. Анизотропия электрофизичеких свойств экструдированных образцов BigsSbis, легированного свинцом и теллуром // Неорг. матер. 1999. — Т. 35, № 3. — С. 296−299.
  32. А.И., Козлова С. Г., Матвеев А. В., Соболев В. В. Параметры эксионов моноклинного диарсенида цинка // ФТП. 2002. — Т. 36, № 7. — С. 809−811.
  33. А.В., Трухан В. М., Патук А. М., Шакин И. А., Маренкин С. Ф. Оптическая спектроскопия эксионных состояний в диарсениде цинка // ФТП. 1997. -Т. 37,№ 9. -С. 1029−1032.
  34. В.Б., Шевченко В. Я., Гринберг Я. Х., Соболев В. В. Полупроводниковые соединения группы AnBv. М.: Наука, 1977. — 148 с.
  35. П.И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника. -Киев: Наукова думка, 1975. -704 с.
  36. С.Ф., Раухман A.M., Лазарев В. Б. Анизотропия электрических свойств монокристаллов CdAs2 // Неорг. матер. 1989. — Т. 25, № 8. — С. 1240−1243.
  37. А.Ю., Сайпулаева Л. А., Арсланов Р. К., Маренкин С. Ф. Влияние гидростатического сжатия на электрофизические свойства монокристаллического диарсенида кадмия// Неорг. матер. 2001. — Т. 37, № 4. — С. 405−408.
  38. С.Ф., Морозова В. А., Юрьев Г. С., Вольфкович А. Ю., Астанов В. В., Кондаков Н. Б. Получение, кристаллическая структура и оптические свойства тонких пленок ZnAs2 // Неорг. матер. 2002. — Т.38, № 8. — С. 937−939.
  39. П.И., Буда И. С., Даховский И. В. Теория термоэлектрических и термомагнитных явлений в анизотропных полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1987.-272 с.
  40. Ф.Г., Бочков B.C., Гуревич Ю. Г. Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках. -М.: Наука, 1984. 288 с.
  41. Aubrey J.E., Adamu A. Electrical transport measurements in off-axis n-Si samples // Semicond. Scient. and Technol. 1990. -V. 5, № 6. — P. 577−580.
  42. Aubrey J.E., Yick G.P., Yick P. S.K., Westwood D.I. Transverse electric fild measurements in off-axis n-GaAs // Semicond. Scient. and Technol. 1992. -V. 7, № 6. -P. 861−862.
  43. А.А., Томчук П. М. Кинетические явления в макроскопически неоднородных анизотропных полупроводниках (обзор) // УФЖ. 1987. — Т. 32, № 1. — С. 66−92.
  44. А.Г., Снарский А. А. Исследование вихревых термоэлектрических токов //ФТП.- 1979.-Т. 13, № 8.-С. 1539−1547.
  45. Bulat L.P., Demchishin E.I. Sasaki phenomenon thermoelectric analogue and its application to thin film sensors // Int. J. Elektron. -1992. -V. 73, № 5. -P. 881−882.
  46. А.А., Хухрянский М. Ю. Особенности токопрохождения в анизотропных полупроводниках // Физика и технология материалов электроннойтехники. Воронеж, ВГТУ. — 1992. — С. 28−32.
  47. Н.Н., Шевченко А. Е., Олейников В. Е., Фролов П. В. Влияние анизотропии кристаллов на явления электронного переноса в полупроводниках // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2000. — № 4. — С. 63−68.
  48. М.Ю. Распределение потенциала и анизотропия свойств дифос-фида и диарсенида цинка: Дис.. канд. физ.-мат. наук. Воронеж, 1995 149 с.
  49. JI.A., Бормонтов Е. Н., Регель А. Н., Сыноров В. Ф. Вихревые токи в средах с анизотропной электропроводностью // ПЖТФ. 1982. — Т. 8, № 14. -С. 869−874.
  50. В.А., Лукьянова Л. Н., Константинов П. П. Влияние анизотропии поверхности постоянной энергии на термоэлектрическую эффективность твердых растворов n-Bi2(Te, Se, S)3 // ФТТ. 1999. — Т. 41, № 2. — С. 187−192.
  51. М.К., Немов С. А., Иванова Л. Д. Эффекты Нернста-Эттинсгаузена, Зеебека и Холла в монокристаллах Sb2Te3 // ФТТ. 2002. — Т. 44, № 7. — С. 41−46.
  52. Ю.Ф. Электромагнитные волны в круглом стержне при произвольном направлении внешнего магнитного поля либо оси анизотропии // ЖТФ. -1997.-Т. 67,№ 7.-С. 86−91.
  53. .В., Ленарский В. Е. Слабопроводящая анизотропная среда в переменном электрическом поле // ЖТФ. -1998. Т. 68, № 4. — С. 71−74.
  54. Най Дж. Физические свойства кристаллов и их описание при помощи тензоров и матриц. М.: Мир, 1967. — 380 с.
  55. .М. Электронные явления переноса в полупроводниках. М.: Наука, 1985. — 320 с.
  56. Р. Ряды Фурье в современном изложении. Т. 1. -М.: Мир, 1985. 260 с.
  57. М.А., Шабат Б. В. Методы теории функций комплексного переменного. М.: Наука, 1973. — 736с.
  58. Л.Д., Лившиц Е. М. Электродинамика сплошных сред. М.: Наука, 1982. — 620 с.
  59. Ю.В., Кондратьев В. А. О задаче с косой производной // Математический сборник. -1969. Т. 78. — С. 148 -176.
  60. Н.Н., Филиппов В. В. Особенности явлений электронного переноса в анизотропных монокристаллах и пленках // Электронный журнал «Исследовано в России». -2003. 046. С. 539−548. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2003/046.pdf
  61. Г. Б., Воронина И. П., Дворянина В. Ф., Угай Я. А., Шевченко В. Я. Кри-сталлохимические, физико-химические и физические свойства полупроводниковых веществ. М.: Издательство стандартов, 1973. — 208 с.
  62. С.П. Компьютерное моделирование физических процессов с использованием пакета MathCAD. Учебное пособие. М.: Горячая линия — Телеком, 2002.-252 с.
  63. Е.В., Кустова Т. Г. Стимулированная электрическим полем анизотропия проводимости в узкощелевых полупроводниках висмут-сурьма // Вестник МГУ. Серия 3. 1992. — Т. 33, № 11 — С. 91−95.
  64. А.Г., Коренблит Л. Л. Вихревые термоэлектрические токи в анизотропной среде // ФТТ. 1961. -Т. 3, № 4. — С. 2054−2059.
  65. Н.Е., Глушков В. В., Демишев С. В., Кондрин М. В., Самарин Н. А., Бражкин В. В., Браунсераде И., Мощалков В. В. Гальваномагнитные свойства твердых неравновесных твердых растворов замещения Al^Si* // ФТТ. 1999. -Т. 41, № 1.- С. 3−10.
  66. Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. -М.: Высшая школа, 1987. 240с.
  67. В.В., Концевой Ю. А., Федорович Ю. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985. — 264с.
  68. Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М.: Радио и связь, 1990. — 264с.
  69. С. И. Методы измерения основных параметров полупроводниковых материалов. Воронеж: ВГУ, 1989. -222с.
  70. П., Ортон Дж. В. Методы измерения электрических свойств полупроводников // Зарубежная электроника. 1981. — № 1. — С. 30−35- № 2. — С. 3−49.
  71. Look David С. Revied of Hall effect and magnetoresistance measurements in GaAsmaterials and devices // J. Electrochem. Sol. 1990. -V. 136, № 1. — P. 260−266.
  72. Van der Pauw L. J. A method of measuring the specific resistivity and Holl coefficient of disc of arbitrary shape//Phil. Res. Rep.- 1958,-V.13,N1.-P. 1−9.
  73. Van der Pauw L. J. A method of measuring the resistivity and Holl coefficient on lamellae of arbitrary shape //Phil. Tech. Rev. 1959. — V.20, N8. — P. 220−224.
  74. H.H., Коньков B.JI. К вопросу измерения коэффициента Холла полупроводниковых слоев методом Ван-дер-Пау // Заводская лаборатория. 1969. -Т. 35,№ 8.-С. 954−957.
  75. Бонч-Бруевич B. JL, Калашников С. Г. Физика полупроводников. М: Наука, 1990.-685 с.
  76. Lippman H.J., Kuhrt F. Der Geometrieinflus auf den transversalen magnetischen Widerstandseffekt bei rechteckformingen Halbleiterplatten // Zeitschrift fur Naturfor-schung. 1958. -V. 13a, № 6. — S. 462−474.
  77. De Mey G. Potential distribution in anisotropic layers and Hall plattes with arbitrary geometries//Phys. Stat. Sol.- 1984.-V. 82a,№ 2.-P.K91-K93.
  78. Spal R. A New DC method of measuring the magnetoconductivity tensor of anisotropic crystals //J. Appl. Phys. 1980. -V. 51, № 8. -P. 4221−4225.
  79. И.Т., Гуревич Ю. Г., Закиров Н. Геометрия образца и гальваномагнитные эффекты в полупроводниках// ФТП. 1993. — Т.27, № 4. — С. 628−633.
  80. Ю.Г., Кучеренко В. В., Э. Рамирес де Арейано. О задаче с косой производной в теории гальваномагнитных явлений // Математические заметки.1999. Т. 65, № 4. — С. 520−532.
  81. Gonzalez de la Cruz G., Gurevich Yu. G., Prosentsov V.V. New mechanism of mag-netoresistance in bulk semiconductors: Boundary condition effects // Solid State Commun. 1996. — V. 97, № 12. — P. 1069−1072.
  82. Gonzalez de la Cruz G., Gurevich Yu. G., Kucherenko V. V., Ramires de Arrelano E. Contacts effects of the magnetoresistance of finite semiconductors // ЖЭТФ. — 2001. Т. 119, № 2. — C. 321−330.
  83. Gurevich Yu. G., Kucherenko V. V. On the magnetoresistance of finite semiconductors // Europhys. Lett. 2001. — V. 53, № 4. — P. 539−543.
  84. Mattheew J. Moelter, James Evans, Greg Elliott. Electric potential in the classical Hall effect: An unusual boundary-value problem // Am. J. Phys. 1998 — V. 66, № 8. -P. 668−677.
  85. В.И. Расчет и визуализация полей Холла в замагниченных проводящих пластинках методом конформного отображения // Вестн. МГУ. Сер. 3 1998. -№ 3.-С. 13−15.
  86. О.А., Демченко А. И. Расчет магнитных систем магнитоэлектрических датчиков на основе преобразователей Холла // Весщ АН Bynapyci. Сер. ф1з.-тэхн. н. 1998. -N 3. — С. 75−78.
  87. Koon D.W., Knickerbocker С.J. Resistive and Hall weighting function in dimensions //Rev. Sci. Instrum. 1998. -V. 69, № 10. — P. 3625−3627.
  88. ShibataH., Oide J. Analysis of the Hall effect device using an anisotropic material // J. Appl. Phys. -2000. -V. 88, № 8. -P. 4813−4817.
  89. П.С. Физика полупроводников. -M.: Высш. шк., 1975. 574 с.
  90. Н.Ч., Крутицкий П. А. Об электрическом токе в замагниченной полупроводниковой пластине с заземленными боковыми стенками // Журнал вычислительной математики и математической физики. 1994. — Т. 34, № 1. -С. 88−109.
  91. И.С., Рыжик И. М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений.-М.: Наука, 1971.-1108 с.
  92. А.П., Брычков Ю. А., Маричев О. И. Интегралы и ряды. Элементарные функции. -М.: Наука, 1981. 800 с.
  93. Фок В. А. Теория определения электропроводимости горных пород по способу каротажа. М.: Гостехиздат, 1933. 370 с.
  94. Vandeles L.B. Resistivity measurements on germanium for transistors // Proc. IRE. 1954. -V. 42, № 2. — P. 420−427.
  95. B.A., Пятничук Г. А., Сыноров В. Ф. Прибор для измерения электропроводимости и постоянной Холла в тонких слоях полупроводников // Приборы и техника эксперимента. 1957. — № 5. — С. 119−120.
  96. В.А., Логунов Л. А. Об измерении удельного сопротивления кремния 4-зондовым методом // Заводская лаборатория. 1960. — Т. 26, № 2. — С. 185−190.
  97. Smith F.M. Measurements of sheet resistivities with the fourpoint probe // Bell. Syst. Techn. J. -1958. -V. 37, № 5. P. 711−718.
  98. Sadayuki Murashima, Fumio Ishibashi. Correction devisors for the four-point probe resistivity measurement on parallelepiped semiconductors // Japan. J. Appl. Phys.- 1972.-V. 11, № 5. -P. 685−691.
  99. Sadayuki Murashima. Analysis of some potential problems in cylindrical coordinates in connection with four-point probe technique // Japan. J. Appl. Phys. 1973. -V. 12,№ 9.-P. 1244−1250.
  100. В.В. Влияние размеров контактов на погрешность измерения удельного сопротивления четырехзондовым методом // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. -1879. Вып. 7. — С. 119−122.
  101. В.И., Майер А. А. Зондовые методы исследования удельного сопротивления полупроводников. М.: Гиремет., 1968. — 88 с.
  102. Н.Ф., Концевой Ю. А. Измерение параметров полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1970.-432 с.
  103. В.В. Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпи-таксиальных слоев. М.: Сов. радио, 1976. 104 с.
  104. Klotunsh Е.Е., Purgalls V.E., Vandats G.A. Shaped crystal quality control using multiprobemethods// J. Cryst. Growth.- 1990.-V. 104, № 1.-P. 34−38.
  105. В.В. Интерпретация измерений эффекта Холла в неоднородном магнитном поле // Измерительная техника. -1994. № 4. — С. 41−43.
  106. А.Е., Поляков Н. Н. Измерение электропроводимости и коэффициента Холла анизотропных полупроводниковых монокристаллов и пленок // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2000. — Т. 66, № 9. — С. 28−32.
  107. Н.Н., Олейников В. Е., Рубцова Р. А. Совместные измерения удельной проводимости и коэффициента Холла полупроводниковых пленок // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 1998. — Т. 64, № 8. — С. 29−33.
  108. Н.Н., Олейников В. Е. Измерение электропроводимости и коэффициента Холла неоднородных по глубине полупроводниковых структур // Известия вузов. Физика. 2000. — № 1 — С. 46−51.
  109. М.И., Паршин Е. О. Рекшинский В.А. Зондовый метод совместного измерения слоевого сопротивления и его спектральной плотности фликкерных полупроводниковых структур // Заводская лаборатория. 1996. -Т. 62, № 10.-С. 20−22.
  110. Cre u N., № a G. On the mathematical method of filter disturbing voltages in Hall effect measurements // Bull. Transilvania Univ. Brasov. B. 1995. — № 2. -P. 61−70.
  111. А.И., Каменев Л. В. Четырехзондовый измеритель удельного сопротивления полупроводниковых монокристаллов // Приборы и техника эксперимента.-1991.-№ 2.-С. 184−186.
  112. В.И. Автоматизация измерений электрофизических параметров полупроводников // Электронная техника. Сер. 1. -1992. -№ 1. С. 30−32.
  113. Kyrlakos D.S., Valasslades О.Е. Galvanomagnetic characteristic of semiconducting circular flat samples // Semicond. Scient. and Techn. 1992. — V. 7, № 11. — P. 1350−1354.
  114. B.A., Павлов Н. И., Зуев JI.A. Влияние смещения зондов на результаты измерений электропроводимости тонких полупроводниковых слоев // Электронная техника. Сер. 8. 1992. — № 1. — С. 24−25.
  115. Sun Yican, Ehramann Oswin, Wolf Jurgen, Reihl Herbert. Determination of the areas of a square sample suitable to the resistance measurement by Van der Pauwsmethod // Rev. Scient. Instrum. 1992. — V. 63, № 7. — P. 3753−3762.
  116. H.H. Об исследовании электропроводимости и коэффициента Холла анизотропных пленок и кристаллов // ЖТФ. 1991. — Т.61, № 11. — С. 79−86.
  117. Н. Н. Измерение сопротивления контактов и компонент электропроводимости анизотропных монокристаллов и пленок// ЖТФ.- 1993. Т. 63, № 7. -С. 167−175.
  118. Yuichi Sato, Susumu Sato. Simulation of the Van der Pauw measurement for electrically anisotropic semiconductors using the finite-element method // Jap. J. Appl. Phys. PL 1. 2001. — V. 40, № 6A. — P. 4256−4257.
  119. РадчукН.Б., Ушаков А. Ю Бесконтактный метод измерения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках // Приборы и техника эксперимента 2003. — № 3 — С. 112−115.
  120. И.А., Астахов В. П., Карпов В. В. Измерение диффузионной длины неосновных носителей заряда в тонких пластинах полупроводниковых кристаллов // Приборы и техника эксперимента 2003. — № 2 — С. 93−95.
  121. А.Г., Кукарекая Н. Ф., Чучева Г. В. Исключение систематических ошибок измерений при вольт-емкостной спектроскопии границы полупроводник-диэлектрик // Приборы и техника эксперимента 2002. — № 2 — С. 120−125.
  122. Н.Н., Костенко М. В., Левинштейн М. Л., Тиходеев Н. Н. Методы расчета электростатических полей. -М.: Высшая школа, 1963. 415 с.
  123. Н.Н. Электрические свойства слоистых монокристаллов FeGaInS4 // ФТП. 2004. — Т. 38, № 5. — С. 522−523.
  124. А.М., Мамедова Г. М. Исследование гетеропереходов на основе слоистых полупроводников // Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников. СПб.: ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 2003. С. 324−325.
  125. Hewett C.A., Taylor M.J., Zeidler J.R., Geis M.W. Specific contact resistance measurements of ohmic contacts to semiconducting diamond // J. Appl. Phys. -1995. -V. 77, № 2. P. 755−760.
  126. De Franceschi Silvano, Beltram Fabio, Marinelli Claudio, Sorba Lucia, Lazza-rino Marco, Muller Bernhard H., Franciosi Alfonso. Truly ohmic contacts in engineered Al/Si/InGaAs (001) diodes // Appl. Phys. Lett. 1998. — V. 72, № 16. — P. 1996−1998.
  127. H.B., Литвиненко B.H., Марончук И. Е. Экстремальный характер измерения обратного тока кремниевых р±п структур в процессе формирования никелевых контактов // ПЖТФ. 1998. — Т. 24, № 12. — С. 1−5.
  128. .Э., Рутберг Ф. Г. Проводники и контакты в электрических цепях мегаамперных токов // Приборы и техника эксперимента. 2001. — № 2 — С. 70−78.
  129. И.Б., Ждан А. Г., Рассуканый Н. М. К методике контроля омичности контактов металл-полупроводник // Приборы и техника эксперимента. 1983. -№ 2.-С. 197−199.
  130. Ahmad М., Ganguli Т., Patil S., Major S., Patro Y.G.K., Arora B.M. Determination of contact resistivity by a modified Cox and Strack method in case of finite metal sheet resistance // Solid-State Electron. 1995. — V. 38, N 8. — P. 1437−1440.
  131. Krautie H., Woekl E., Selders J., Beneking H. Contacts an GalnAs // IEEE Trans. -1985. V. ED-32, № 6. — P. l 119−1123.
  132. Lei Tan Fu, Leu Ien Yi, Lee Chung Len. Specific contacts resistivity measurement by a vertical Kelvin test structure // IEEE Trans. 1987. — V. ED-34, № 6. -P. 1390−1395.
  133. Santander Joaquin, Losano Manuel, Collado Ana, Ullan Miguel, Carbina Enric. Accurate contacts resistivity extraction on Kelvin structures which upper and lower resistive layers// IEEE Trans. Electron. Devices.- 2000 V. 27, № 7.- P. 1431−1439.
  134. Guang Zhu De. Multi-ring structures for contact resistance measurements on metal-thin-layer semiconductors // Solid. State Electron. 1991. — V. 34, № 10. -P. 1165−1167.
  135. Winterton Stenhan S., Tarr N. Carry. An improved version of Cox and Strac Technique for contact resistivity measurement // Semicond. Scient. and Tecnol. 1991. -V. 6, № 11.-P. 1061−1065.
  136. В. Теория электронных полупроводников. М.: ИЛ. — 1953. — 550 с.
  137. Mazur R.G., Dickey D.N. A spreading resistance technique for resistivity measurement on silicon // J. Electrochem. Soc. 1966. — V. 113, № 3. — P. 255−259.
  138. Dickey D.N. A Poisson solver for spreading resistance analysis // J. Vac. Scient. and Technol. B. 1992. -V. 10, № 1. -P. 438−441.
  139. Matur Rajiv. Dopant profile extraction from spreading resistance measurements // J. Vac. Scient and Technol. B. 1992. — V. 10, № 1. — P. 421−425.
  140. B.B., Фролов П. В., Поляков H.H. Измерение сопротивления контактов металл-полупроводник и контроль удельного сопротивления полупроводниковых пленок // Известия вузов. Физика 2003. — № 7 — С. 80 — 87.
  141. Я. П., Самий Р. Я. Температурные зависимости электрических свойств монокристаллических пленок n-PbSe при облучении а-частицами // ФТП. -2000. Т. 34, № 6. — С. 667−669.
  142. Э. Математический аппарат физики. -М.: Наука, 1968. 620с.
  143. С. Гальванотехника для мастеров. -М.: Металлургия, 1990. 208 с.
  144. Практикум по прикладной электрохимии: Учеб. пособие для вузов / Н. Г. Бахчисарайцьян, Ю. В. Борисоглебский, Г. К. Буркат и др.- Под ред. В.Н. Вары-паева, В. Н. Кудрявцева. 3-е изд., перераб. — Л.: Химия, 1990. — 304 с. .
  145. Н. Н. Измерение коэффициента Холла и удельного сопротивления полупроводников с низкоомными токовыми электродами // Заводская лаборатория. 1990. — Т. 56, № 5. — С. 42−46.
  146. Н. Н., Коньков В. Л. К выводу формулы сопротивления растекания для плоского контакта круглой формы // Известия вузов. Физика. 1970. — № 9. -С. 100−105.
  147. Н. Н. Измерение сопротивления контактов и контроль электропроводимости полупроводников // Заводская лаборатория. 1992. — Т. 58, № 11.-С. 34−37.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!