Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Электронное строение и спектр одноэлектронных состояний тетраэдрических кристаллов с локальными дефектами

Диссертация: Электронное строение и спектр одноэлектронных состояний тетраэдрических кристаллов с локальными дефектами
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Анализ результатов расчета энергетического спектра кристаллического германия, модифицированного атомами Зс1-элементов, позволил установить что: «•. г а) состояния, обусловленные орбиталями атомов дефекта Возникают, в основном, в области запрещенной энергетической щели, соответствующей бездефектной структуре германияб) степень внедрения заполненных состояний, обусловленных атомом дефекта… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Тетраэдрические кристаллы: свойства, моделирование структуры и расчет их свойств
    • 1. 1. Физико-химические свойства тетраэдрических кристаллов
      • 1. 1. 1. Ковалентные кристаллы
        • 1. 1. 1. 1. Углерод (алмаз)
  • 1.
    • 1. 2. Кремний
  • 1.
    • 1. 3. Германий
      • 1. 1. 2. Ионно-ковалентные кристаллы
    • 1. 1. 2. 1 Арсенид галлия
    • 1. 1. 2. 2. Нитрид бора
    • 1. 1. 2. 3 Нитрид алюминия
    • 1. 1. 2. 4 Фосфид галлия
    • 1. 1. 2. 5 Фосфид бора
    • 1. 1. 2. 6 Арсенид алюминия
    • 1. 2. Кластерные модели твердых тел
    • 1. 2. 1 Модель молекулярного кластера
    • 1. 2. 2 Модель орбитально-стехиометрического кластера
    • 1. 3. Квантовохимические вычислительные схемы, используемые для расчетов электрофизических свойств многоатомных структур
    • 1. 3. 1 Ограниченный метод Хартри-Фока-Рутана
      • 1. 3. 2. Неограниченный метод Хартри-Фока-Рутана.'
      • 1. 3. 3. Полуэмпирический метод ММЭО
      • 1. 3. 4. Вычислительные схемы на основе теории функционала плотности
  • Выводы
  • 2. Спектр одноэлектронных состояний ковалентных кристаллов с локальными дефектами
    • 2. 1. Выбор модели
    • 2. 2. Спектр одноэлектронных состояний ковалентных структур идеальных и с локальными дефектами изовалентного замещения
    • 2. 3. Спектр одноэлектронных состояний ковалентных структур с локальными дефектами акцепторного и донорного замещения
    • 2. 4. Спектр одноэлектронных состояний ковалентных структур с локальным дефектом типа вакансии
  • Выводы

3 Сравнительные, расчеты спетра одноэлектронных ' состояний тетраэдрических кристаллов в рамках моделей орбитально-стехиометрического кластера и молекулярного кластера с замыканием оборванных валентностей атомами водорода.

3. 1 Выбор модели.

3. 2 Результаты расчетов.

Выводы.

4 Неэмпирический расчет энергетических состояний электронов в ковалентных и ионно-ковалентных кристаллах с локальными дефектами замещения. а .:.е.'.'.

4. 1 Выбор модели.

4. 2 Результаты расчетов.

Выводы.

5 Спектр одноэлектронных состояний кристаллического германия с дефектами замещения атомами Зс1-элементов (в рамках схемы теории функционала плотности).

5. 1 Выбор модели.

5. 2 Результаты расчетов.

Выводы.Д.-.-.

Электронное строение и спектр одноэлектронных состояний тетраэдрических кристаллов с локальными дефектами (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

. г.

Актуальность’темьь Локальные внутриобъемные дефекты в полупроводниковых и диэлектрических кристаллах играют важную роль в физическом материаловедении, поскольку они модифицируют спектр одноэлек-тронных состояний соответствующих кристаллов [1, 2]. Последний, в свою очередь, обуславливает электрофизические параметры твердых тел, которые путем введения локальных внутриобъемных дефектов можно варьировать с целью конструирования на их основе новых элементов электронной техники. Поэтому исследование влияния локальных внутриобъемных дефектов на электронное строение и энергетический спектр кристаллического объекта явi. ,, г ляется важной задачей.

Многообразие свойств ковалентных и ионно-ковалентных кристаллов обуславливает их широкое применение в приборах и устройствах различного технического назначения. Электрофизические свойства ковалентных и ионно-ковалентных кристаллов к настоящему времени хотя и в значительной степени изучены, однако имеется мало исследований, посвященных изучению электронного строения кристаллов, содержащих различные локальные внутриобъемные дефекты замещения. Поэтому исследование кристаллов такого типа с локальными внутриобъемными дефектами является актуальной.

1. , г Ъ задачей физической электроники.

Электронно-энергетическте характеристики многоатомных систем можно оценить исходя из электронной волновой функции рассматриваемого объекта [3−7]. Чтобы получить требуемую волновую функцию, необходимо решить уравнение Шредингера для соответствующей системы. Точное решение уравнения Шредингера возможно только для относительно простейших систем. Для многоэлектронных же систем волновые функции могут быть получены лишь при использовании тех или иных приближений: одноэлектронное, валентное и адиабатическоепренебрегают интегралами некоторых вэаимодействийиспользуют экспериментальные данные, корректирующие параметры в соответствующих уравнениях [8−12].

Для изучения электронного строения выбранных объектов нами применены неэмпирический метод Хартри-Фока-Рутана [13, 14], методы теории функционала плотности [15−17] и полуэмпирические расчетные схемы [1823]. Эти подходы.4бьгли реализованы в рамках модели молекулярного кластера. Исследовалось влияние локальных внутриобъемных дефектов замещения на спектр одноэлектронных состояний интересующих нас кристаллов. Поскольку локальность дефекта означает его малую концентрацию, оказалось целесообразным использование симметрично расширенных относительно выделенного центра квазимолекулярных моделей, обладающих высокой точечной симметрией.

Целью диссертационной работы является моделирование и квантово-химическое исследование влияния различных локальных внутриобъемных дефектов замещения' в ковалентных и ионно-ковалентйых структурах на их электронное строение и спектр одноэлектронных состояний.

При достижении поставленной цели были решены следующие задачи:

1. Проведен анализ моделей и расчётных схем, наиболее подходящих для исследования влияния локальных внутриобъемных дефектов замещения на электронное строение и энергетический спектр ковалентных и ионно-ковалентных структур.

2. Исследовано влияние размеров кластерной модели ковалентных и ион-но-ковалентных кристаллов на рассчитываемые характеристики изучаемых систем. Установлены оптимальные размеры кластера, при которых эти характеристики достигают сходимости.

3. На основе полуэмпирических расчетов высокосимметричных моделей ковалентных структур с различными локальными внутриобъемными дефектами исследован их энергетический спектр электронов.

4. На основе сравнительного ММЮ-РМ/З-расчета высокосимметричных моделей квазисферических орбитально-стехиометрического кластера и кла.

А •, г —': стера с компенсацией оборванных валентностей проанализированы электронное строение и спектр одноэлектронных состояний ковалентных и ион-но-ковалентных структур с разными типами локальных внутриобъемных дефектов замещения.

5. В рамках неэмпирических расчетных схем и высокосимметричных кластерных моделей изучены особенности электронно-энергетического строения ковалентных и ионно-ковалентных структур с локальными внутриобъемны-ми дефектами замещения.

6. На основе результатов расчета высокосимметричных кластерных" моделей в рамках вычислительной схемы теории функционала плотности проанализированы особенности энергетического спектра электронов кристаллического германия с дефектами замещения атомами переходных элементов.

Научная новизна работы заключается в том, что:

1. Построены высокосимметричные квазимолекулярные модели а) кластера с замыканием нескомпенсированных связей одновалентными псевдоатомами, б) орбитально — стехиометрического кластера.

2. Проведенный анализ зарядового распределения позволил определить ч оптимальный размёр’кластерной высокосимметричной модели.

3. Проанализировано влияние различных видов локальных внутриобъемных дефектов замещения на электронное строение и спектр одноэлектронных состояний типичных ковалентных и ионно-ковалентных структур, моделируемых высокосимметричными квазисферическими кластерами.

4. Проведен сравнительный анализ электронно-энергетических характеристик типичных ковалентных и ионно-ковалентных структур, рассчитанных в рамках моделей орбитально-стехиометрического кластера и молекулярного кластера с замыканием оборванных валентностей атомами водорода.

5. Рассчитаны-" плотности одноэлектронных состояний кристаллического германия идеального и с локальными внутриобъемными дефектами замещения атомами переходных элементов. Для структур с различными мультиплетностями сделан вывод о том, каким значениям мультиплетности соответствуют более стабильные структуры.

Практическая ценность работы. Результаты, полученные при исследох ' 1 г вании влияния различного типа локальных внутриобъемных дефектов замещения на электронное строение и спектр одноэлектронных состояний тетра-эдрических кристаллов, дают возможность целенаправленного поиска конструкционных материалов с требуемыми электрофизическими характеристиками для микрои наноэлектронных устройств.

Результаты работы использованы в госбюджетной научно-исследовательской работе (тема 29.330: «Исследование взаимодействия потоков заряженных частиц и электромагнитных волн со средами включая биологические»), проводимой на кафедре физики Волгоградского го.сударствен. ного технического университета по плану фундаментальных и поисковых работ.

Личный вклад автора. Диссертантом построены высокосимметричные квазисферические модели исследуемых тетраэдрических струтур, проведён их квантовохимический расчёт и совместно с научным руководителем проанализированы полученные результаты.

Достоверность результатов следует из корректности используемых квантовохимических расчетных схем и корреляции некоторых из полученных результатов с имеющимися экспериментальными данными.. г" .

Основные положения и результаты, выносимые на защиту.

1. Модели высокосимметричных квазисферических кластеров, в форме а) молекулярного кластера с замыканием концевых связей одновалентными псевдоатомами и б) орбитально-стехиометрического кластера, построенные для тетраэдрических кристаллов, как идеальных, так и с локальными внутри-объемными дефектами замещения.

2. Особенности электронного строения и спектр одноэлектронных состояний тетраэдрических кристаллов, идеальных и с локальными внутриобъ-емными дефектам^ замещения. 1 • * '.

3. В рамках модели орбитально-стехиометрического кластера ситуация возникновения донорных состояний в запрещенной энергетической щели передается более правильно, чем в случае молекулярного кластера с замыканием оборванных валентностей одновалентными псевдоатомами.

4. Среди структур кристаллического германия с дефектами замещения атомами переходных элементов более стабильными являются структуры с такой мультиплет^остыо, при которой энергия верхнего занятого состояния является более глубокой.

Апробация результатов. Результаты диссертационного исследования докладывались на научных семинарах кафедры физики ВолгГТУ (Волгоград, 2006;2007г.), на конференциях молодых исследователей Волгоградской области (Волгоград, 2005 г.), на Международных семинарах «Физико-математическое моделирование систем» (Воронеж, 2005, 2007, 2008 г.), на двенадцатой Всероссийской конференции студентов-физиков и молодых учёных (Новосибирск, 2006 г.), на Международной научно — технической конференции «Наука и образование — 2006» (Мурманск, 2006 г.), — на международной конференции «Микроэлектроника и наноинженерия» (Москва, 2008 г.).

Публикации:

1. Стебеньков, A.M. Спектр одноэлектронных состояний ковалентных кристаллов с локальными дефектами. Кластерный квантовохимический подход / A.M. Стебеньков, А. О. Литинский // Физико — математическое моделирование систем: матер. II Междунар. семинара (Воронеж, 1−2 декабря 2005 г.) У, Воронеж, гос. техн. ун-т и др. — Воронеж, 2005. — 4.1. — С. 213−217.

2. Литинский, А. О. Энергетический спектр электронов в ковалентных кристаллах с локальными дефектами. Квантовохимический расчет в рамках модели молекулярного кластера / А. О. Литинский, A.M. Стебеньков //.

Вопросы физической метрологии: вестник Поволжского отделения Метрологической академии России. — Волгоград, 2005. — Вып.7. — С. 67−70.

3. Стебеньков, A.M. Особенности энергетического спектра сферически-симметричных тетраэдрических кристаллов с локальными дефектами / A.M. Стебеньков, H.A. Растова, А. О. Литинский // ВНКСФ-12: матер. Двенадцатой Всерос. науч. конф. студентов-физиков и молодых ученых, Новосибирск, 23−29 марта 2006 г.: информ. бюллетень / Новосиб. гос. унт и др. — Новосибирск, 2006. — С. 172−173.

4. Растова, H.A. Спектр одноэлектронных состояний ковалептных кристаллов с выделе^йюй поверхностью / H.A. Растова, А: М. Стебеньков, А. О. Литинский // ВНКСФ-12: матер. Двенадцатой Всерос. науч. конф. студентов-физиков и молодых ученых, Новосибирск, 23−29 марта 2006 г.: информ. бюллетень / Новосиб. гос. ун-т и др. — Новосибирск, 2006. — С. 161−162.

5. Стебеньков, A.M. Электронное строение и энергетический спектр кова-лентных кристаллов с локальными дефектами. Кластерный квантов. охи-мический расчет / A.M. Стебеньков, А. О. Литинский // X Региональная конференция молодых исследователей Волгоградской области, 8−11 но-яб. 2005 г. Вый,.4, Физика и’математика: тез. докл. /'ВолГУ [и др.]/- Волгоград, 2006. — С. 21−23.

6. Стебеньков, A.M. Электронный спектр ковалентных полупроводпиков с локальными дефектами [Электронный ресурс] / A.M. Стебеньков, А. О. Литинский // Наука и образование — 2006: [матер.] Междунар. науч.-техн. конф., 4−12 апреля 2006 г. / Мурманский гос. техн. ун-т. — Мурманск, 2006. — С. 252−255.

7. Литинский, А. О. Особенности энергетического спектра электронов в ковалентных и ионно-ковалентных кристаллах с точечными дефектами замещения / А.-ö-. Литинский, A.M. Стебеньков // Компьютерное моделирование электромагнитных процессов в физических, химических и технических системах: матер. V междунар. семинара (Воронеж, 26−27 мая.

2007 г.) / ГОУ ВПО «Воронеж, гос. техн. ун-т» [и др.]. — Воронеж, 2007. -С. 89−94.

8. Литинский, А. О. Энергетические состояния электронов в ковалентных и ионно-ковалецтщлх кристаллах с локальными дефектамизамеьцения. Неэмпирич. расчёт в рамках высокосимметричных кластерных моделей / А. О. Литинский, A.M. Стебеньков // Известия ВолгГТУ. Серия «Электроника, измерительная техника, радиотехника и связь»: межвуз. сб. науч. ст. / ВолгГТУ. — Волгоград, 2007. — Вып.1, № 6. — С. 27−33. i, -j.

1 Тетраздрические кристаллы: свойства, моделирование структуры и расчет их свойств.

Основные результаты и выводы /.

X. , г.

1. Построены высокосимметричные квазимолекулярные модели а) кластера с замыканием нескомпенсированных связей одновалентными псевдоатомами, б) орбитально-стехиометрического кластера.

2. Выявлены следующие особенности спектра одноэлектронных состояний структур алмаза, кремния и германия, модифицированных локальными внутриобъемными дефектами замещения: а) изовалентное замещение внутриобъемного атома приводит к появлению в запрещенной энергетической щели локальных состояний, однако степени их внедрениям невелики (кроме замещения атома германия на атом углерода) — б) замещение на двухвалентные атомы (Ве, Са) приводит к появлению в запрещенной энергетической щели глубоких вакантных состояний (лежащих на 10% ниже середины запрещенной энергетической щели), а также занятых состояний (расположенных на 10% выше верхней границы зоны занятых состояний) — в) замещение на трехвалентные атомы (В, А1, Оа) приводит к появлению в области запрещенной энергетической щели вблизи верхней границы зоны занятых состояний акцепторных уровней (степень их внедрения’в энергетическую щель около 6%), а также к возникновению глубоко отстоящих от нижней границы зоны вакантных состояний (на 56−80%) свободных энергетических уровнейг) замещение на пятивалентные атомы (М, Р, Аб) обуславливает появление глубоких (в центре запрещенной энергетической щели) одноэлектронно-занятых состояний, а также вакантных состояний примыкающих к верхней границе зоны занятых состояний (степень внедрения до 37%) — д) дефект типа внутриобъемной вакансии приводит к появлению в области запрещенной, энергетической щели состояний (степень их внедрения, в зону энергетической щели зависит от мультиплетности системы), преимущественный вклад в которые вносят орбитали ближайших к вакансии атомов структуры.

3. Анализ результатов сравнительных расчетов моделей кластера с замыканием оборванных валентностей одновалентными псевдоатомами и"орби-тально-стехиометрйческого кластера, показал что: а) обе модели качественно правильно отражают зарядовое распределение в исследуемых структурахб) в рамках модели орбитально-стехиометрического кластера величины энергий возникающих донорных состояний в запрещенной энергетической щели передаются более правильно, чем в случае молекулярного кластера с замыканием оборванных валентностей одновалентными псевдоатомамив) при изовалентном замещении центрального атома в ковалентных структурах имеет место смещение верхней границы зоны занятых состояний — г на 20% в область меньших энергий и нижней границы зоны вакантных состояний на 33% в область больших энергий.

4. Для кластера с замыканием оборванных валентностей получено выражение для количества необходимого для этого одновалентных псевдоатомов, в зависимости от числа валентных электронов, приходящихся на пару атомов кристалла, и их распределения по координационным сферам.

5. Анализ результатов расчета энергетического спектра кристаллического германия, модифицированного атомами Зс1-элементов, позволил установить что: «•. г а) состояния, обусловленные орбиталями атомов дефекта Возникают, в основном, в области запрещенной энергетической щели, соответствующей бездефектной структуре германияб) степень внедрения заполненных состояний, обусловленных атомом дефекта, в запрещенную энергетическую щель тем больше, чем выше муль-типлетность рассматриваемой системыв) более стабильными являются структуры с такой мультиплетностью, при которой энергия верхнего занятого состояния является более глубокой.

6. Рекомендации по использованию результатов: а) структуры С (В), 81 (В, А1), ве (В, А1, ва), ВР (Ве, М§-), АШ (М§-), А1Р (Ве, Mg), А1Аб (Ве, Mg, Са), ваР (Са), ОаАэ (Са) могут быть использованы в качестве эффективных р-компонент р-п переходов, а структуры С (К), 81 (Р), ве (Аб), АПМ (81) — в качестве эффективных п-компонент р-п переходов (вследствие установленной нами малой величины соответствующих энергий активации примесных состояний) — - г б) кристаллический германий с дефектами замещения на атомы 3(1-элементов, приводящими к появлению в энергетический щели большого количества примесных состояний (структуры с замещением ве на V (М=6), Со (М=2), Сг (М=5) и Мп (М=6)), может быть применен в спиновой электронике, при производстве магнитных головок жестких дисков и спин-электронных нанотранзисторовв) структуры германия, модифицированные атомами переходных элементов (с замещением ве на 8с (М=2), V (М=2, 4, 6), Сг (М=1, 5), Мп (М=2, 4, 6), Ре (М=1), СрЧМ=^) и № (М=3, 5)), могут найти применение в качестве активных сред лазерных устройств.

1. , Г.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , А. Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах / А. Н. Орлов. -М.: Высш. шк., 1983.- 144 с.
  2. , А. Кристаллография и дефекты в кристаллах / А. Келли, Г. Гровс- пер. с англ. М.: Мир, 1974. — 496 с.
  3. Фларри, Р Квантовая химия / Р. Фларри. М.: Мир, 1985. — 472 с.
  4. Заградник, Р Основы квантовой химии / Р. Заградник, Р. Полак. М.: Мир, 1979.-504 с.
  5. Абаренков, H.^Bi Начала квантовой химии / И. В. Абаренков, 'В. Ф. братцев, А. В. Тулуб. М.: Высш. шк., 1989. — 303 с.
  6. Piela, L. Ideas of Quantum Chemistry. / L. Piela — Amsterdam: Elsevier, 2006, — 1086 p.
  7. Jensen, F. Introduction to Computational chemistry. / F. Jensen N.-Y.: J. Wiley & Son’s, 2006. — 624 p.
  8. , H. Ф. Квантовая механика и квантовая химия / Н. Ф. Степанов. -М.: Мир, 2001. 519 с.
  9. , В. И. Теория строения молекул / В. И. Минкин, Б. Я. Симкин, Р. М. Миняев. Р,?Игтов-на-Дону: Феникс, 1997. — 560 с. • / .
  10. Kohanoff, J. Electronic structure calculations for solids and molecules: Theory and computation methods. / J. Kohanoff Cambridge: Cambridge University Press, 2006. — 348 p.
  11. Martin, R. M. Electronic structure: Basic Theory and practical methods. / R. M. Martin Cambridge: Cambridge University Press, 2004. — 624 p.
  12. Cramer, C. J. Essentials of Computation Chemistry: Theories and Models. / C. J. Cramer-N.-Y.: J. Wiley & Son’s, 2004. 596 p.
  13. , P. А. Квантовохимические методы в теории твёрдого тела / Р. А. Эварестов. Л^/йзд-во ЛГУ,-1982. — 280 с. ' • * / ' .
  14. , А. Кристаллография и дефекты в кристаллах / А. Келли, Г. Гровс- пер. с англ. М.: Мир, 1974. — 496 с.
  15. Kohn, W. Inhomogeneous Electron Gas / W. Kohn, P. Hohenberg // Phys. Rev. 1964.-Vol. 136 В.-P. 864−871.
  16. Kohn, W. Self-Consistent Equations Including Exchange and* Correlation Effects/W. Kohn, L. J. Sham//Phys. Rev. 1965. — Vol. 140 A. — P. 1133−1138.
  17. Кон, В. Электронная структура вещества — волновые функции и функционалы плотности / В. Кон // Успехи физических наук. 2002. — Т. 172- № 3. -С. 336−348.
  18. , В. А. Полуэмпирические методы молекулярных орбиталей в квантовой химии / В. А. Губанов, В. П. Жуков, А. О. Литинский. — М.: Наука, 1976.-219 с.
  19. Dewar, М. J. S. Ground states of molecules. 38. The MNDO method. Approximation and Parameters. / M. J. S. Dewar, W. Thiel // J. Amer. Chem. Soc. 1977. — V. 99(15), — P. 4899−4906.
  20. Thiel, W. Semiempirical methods: current status and perspectives / W. Thiel // Tetrahedron. 1988. — V. 44(24), — P. 7393−7408.
  21. Stewart, J J.P. Optimization of parameters for semiempirical' methods. 1. Methods / J. J. P. Stewart // J. Comput. Chem. 1989. — V. 10- № 2. — P. 209−220.
  22. Stewart J. J. P. Optimization of parameters for semiempirical methods. 2. Methods / J. J. P. Stewart // J. Comput. Chem. 1989. — V. 10. № 2. — P. 221−264.
  23. , M. П. Кристаллография / M. П. Шаскольская. M.: Высш. шк, 1984.-376 с.
  24. , Г. И. Введение в кристаллографию / Г. И. Кушта. Львов: «Вища школа», 1976.-238 с.
  25. , К. Физико-химическая кристаллография / К. Мейер- пер. с нем. -М.: «Металлургия,"*, Д'972. 480 с. ' ' / ' :
  26. Физическая энциклопедия: в 5-и т. Т. 1 / М.: Бол. Рос. Энцикл., 1998. -704 с.
  27. , П. М. Симметрия молекул и кристаллических структур / П. М. Зоркий. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1986. — 232 с.
  28. , П. В. Физика твердого тела / П. В. Павлов, А. Ф. Хохловч— М.:4 '1. Высш. шк., 1985.—*384 с?
  29. Химический энциклопедический словарь / М.: «Советская энциклопедия», 1983.-264 с.
  30. Физическая энциклопедия: в 5-и т. Т.5 / М.: Бол. Рос. Энцикл., 1998. — 691 с.
  31. Углерод: материал из Википедии — свободной энциклопедии Электронный ресурс. [2008]. — Режим доступа: http://en.wikipedia.org/wiki/Carbon.
  32. Т. Л. Магнитные свойства углерода: обзор / Т. Л. Макарова // Физика и техника полупроводников. 2004. — Т. 38- Вып. 6. — С. 641 — (64.
  33. , А. С.'Углерод, межслоевые соединения и композиты на его основе / А. С. Фиалков М.: Аспект Пресс., 1997. — 718 с.
  34. Графит: материал из Википедии — свободной энциклопедии Электронный ресурс. — [2008]. — Режим доступа: http://en.wikipedia.org/wiki/Graphite.
  35. Графит: материал из СагЬопеит — свободный справочник Электронный ресурс. [2008]. — Режим доступа: http://uglerod.info/grafit.php.
  36. Алмаз: материал из Википедии — свободной энциклопедии Электронный ресурс. [2008]. — Режим доступа: http://en.wikipedia.org/wiki/Diamond.
  37. Алмаз: материал из СагЬопеит — свободный справочник Электронныйх '' гресурс. 2008]. — Режим доступа: http://uglerod.info/almaz.php. '
  38. , А. В. Фуллерены и структуры углерода. / А. В. Елецкий, Б. М. Смирнов // Успехи физических наук. 1995. — Т. 165(9), — С. 977−1009.
  39. , Р. А. Наноструктурные материалы. / Р. А. Андриевский, А. В. Рагуля М.: Академия, 2005. — 190 с.
  40. Фуллерены: учеб. пособие / Л. Н. Сидоров, М. А. Юровская, А. Я. Борщевский и др. М.: Экзамен, 2005. — 688 с. — Библиогр.: в конце глав.97лч, -J
  41. Фуллерены: учебн. пособие / Л. Н. Сидоров, М. А. Юровская, А. Я. Бор-щевский и др. М.: Экзамен, 2005. — 688 с.
  42. , М. И. Методы получения и физико-механические свойства объемных нанокристаллических материалов: учеб. пособие./ М. И. Алымов, В. А. Зеленский М.: МИФИ, 2005. — 52 с.
  43. , А. И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. / А. И. Гусев М.: ФИЗМАТЛИТ, 2007. — 416 с.
  44. Нанотехнологии в лолупроводниковой электронике. / Отв. ред/А. Л. Асеев. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2007. — 368 с.
  45. , И. П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. / И. П. Суздалев М.: КомКнига, 2006. — 592 с.
  46. , А. Н. Микросхемотехника и наноэлектроника: учеб. пособие. 4.1 / А. Н. Игнатов, С. В. Воробьева Новосибирск: СибГУТИ, 2007. — 218 с.
  47. А.А. Наноэлектроника: учеб. пособие. М.: Физматкнига, 2007. -464 с.
  48. Пул, Ч. Нанотехнологии: учеб. пособие / Ч. Пул, Ф. Оуэне- пер. с англ. -М.: Техносфера, 2005. 336 с. ' *
  49. Di Ventra, М. Introduction to Nanoscale Science and Technology. / M. Di Ventra, S. Evoy, R. Heflin -N.-Y.: Kluwer Academic, 2004. 630 p.
  50. Dobkin, D. M. Principles of Chemical Vapor Deposition. / D. M. Dobkin, M. K. Zuraw New York: Kluwer Academic Publishers, 2003. — 273 p.
  51. , В. К. Нанотехнологии. Принципы, методы и реализации: учеб. пособие / В. К. Битюков, Б. А. Голоденко Воронеж, гос. технол. акад. — Воронеж, 2003.- 192 с.
  52. , Н. Введение в нанотехнологию./ Н. Кобаяси- пер. с яп. М.: БИНОМ. Лабораторйя знаний, 2008. — 134 с.
  53. Iijima, S. Helical microtubules of graphitic carbon. / S. Iijima // Nature -1991.-V. 354.-P. 56−58.
  54. , П.Н. Углеродные нанотрубки: строение, свойства, применения. / П. Н. Дьячков М.: БИНОМ, Лаб. знаний, 2006. — 293 с.
  55. , П. Углеродные нанотрубы и родственные структуры. Новые маi, гтериалы XXI века. / П. Харрис- пер. с англ. М.: Техносфера, 2003. — 335 с.
  56. , И. В. Углеродные нанотрубки / И. В. Золотухин // Соросов-ский образовательный журнал — 1999. — № 3. — С. 111−115.
  57. , Ю.И. Зондовые нанотехнологии / Ю. И. Головин, В. В. Корен-ков // Справочник. Инж. журн. 2006. — № 3. — С. 1−24.
  58. Single-electron transport in ropes of carbon nanotubes / M. Bockrath et al. // Science 1997.-V. 275 (5308).-P. 1922−1925.
  59. Crystalline ropes of metallic carbon nanotubes. / A. Thess, et al. // Science —1996. V. 273 (5274). — P. 1483−487.
  60. , В.П. Физика твердого тела. Основы наноэлектроники (квантовые проводники и углеродные нанотрубки): учеб. пособие / В. П. Драгунов. -Новосибирск: НГТУ, 2007. 108 с.
  61. Electronic structure of chiral graphene tubules. / R. Saito et al. // Appl. Phys. Lett. 1992.-V. 60 (18).-P. 2204−2206. — '
  62. Electronic structure of graphene tubules based on C6o- / R. Saito et al. // Phys. Rev. В 1992. — V. 46 (3). — P. 1804.
  63. Mintmire, J. W. Are fullerene tubules metallic? / J. W. Mintmire, В. I. Dunlap, С. T. White // Phys. Rev. Lett. 1992. — V. 68. — P. 631−634.
  64. Tans, S. J. Room-temperature transistor based on a single carbon nanotube. / S. J. Tans, A. R. M. Verschueren, C. Dekker // Nature. 1998. — V. 393 (6680). -P. 49−52.
  65. Collins, P. G. Nanotube nanodevice / P. G. Collins, A. Zettl // Science.1997.-V. 278.-P.Л00. •? ¦
  66. Single- and multi-wall carbon nanotube field-effect transistor /'R. Martel et al. 11 App. Phys. Lett. 1998. — V. 73. — P. 2447.
  67. Эмиттеры из углеродных нанотрубок для планарной эмиссионной вакуумной микро- и наноэлектроники / Гаврилов С. А. и др. // Письма в ЖТФ. -2004. Т.30, вып. 14. — С.75−81.
  68. Мартинес-Дуарт,' Дж. М. Нанотехнологии для микрЬ- и оптоэлектроники / Дж. М. Мартинес-Дуарт, Р. Дж. Мартин-Палма, Ф. Агулло-Руеда- пер. с англ. М.: Техносфера, 2007. — 368 с.
  69. , Г. Н. Физические основы микроэлектроники. Полупроводниковые гетероструктуры в микро- и наноэлектронике: учеб. пособие. / Г. Н. Шелованова. Красноярск: ИПЦ КГТУ, 2005. — 175с.
  70. , L. Е. Nanotechnology: Science, Innovation, and Opportunity. / L. E. Foster. — NJ: Pearson Education Inc., 2005. — 336 p.
  71. Автоэмиссионные катоды на основе углеродных нанотрубных и нанокi, 1, г ластерных пленок в вакуумных катодолюминесцентных индикаторах и плоскопанельных дисплеях / Синицын Н. И. и др. // Вопр. прикл. физики. 2004. -Вып.11.-С.106−111.
  72. , Н. Дисплеи с наноразмерными структурами. Начало положено. / Н. Абаныпин, Н. Жуков, А. Кузнечихин // Электроника: наука, технология, бизнес. 2007. — N 5. — С.32−38.
  73. Normile, D. Technology-nanotubes generate full-color displays. / D. Normile // Science. 1999. — V. 286 (5447). — P. 2056−2057.
  74. Fully sealed, high-brightness carbon-nanotube field-emission display. / W. B. Choi et al. // AppLPhysrLett. 1999. — V. 75 (20). — P. 3129−3131.
  75. Кремний: материал из Википедии свободной энциклопедии Электронный ресурс. — [2008]. — Режим доступа: http://en.wikipedia.org/wiki/Silicon.
  76. Физическая энциклопедия: в 5-и т. Т. 2 / М.: Бол. Рос. Энцикл., 1990. -703 с.
  77. Свойства химических элементов Кремний Электронный ресурс. -[2008]. — Режим доступа: http://bizinfo.otrok.ru/chem/elem.php?n=14.i¦, ¦ i
  78. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1. / С. Зи- пер. с англ. М.: Мир, 1984. — 456 с.
  79. , Р. Полупроводники / Р. Смит- пер. с англ. М.: Мир, 1982. — 560 с.
  80. , А. А. Электроника: учеб. пособие. / А. А. Щука. СПб.: БХВ-Петербург, 2005. — 800 с.
  81. Популярная библиотека химических элементов: Германий* Электронный ресурс. — [2008]. Режим доступа: http://n-t.ru/ri/ps/pb032.htm.
  82. Физическая энциклопедия: в 5-и т. Т. 1 / М.: Бол. Рос. Энцикл., 1988. -704 с.
  83. Физические величины: справочник/ А. П. Бабичев и др. — М.- Энерго-атомиздат, 1991. 1232 с.
  84. Свойства химических элементов Германий Электронный ресурс. -[2008]. — Режим доступа: http://bizinfo.otrok.ru/chem/elem.php?n=32.
  85. Германий: материал из Википедии — свободной энциклопедии Электронный ресурс. ^[2007]. — Режим доступа: г ' http:// en.wikipedia.org/ wiki/G ermanium.
  86. , M. Г. Четвертое рождение германия / М. Г. Воронков, Р. Г. Мирсков // Химия и Жизнь. 1982. — № 3. — С. 54−56.
  87. , А. В. Спинтроника: физические принципы, устройства, перспективы / А. В. Огнев, А. С. Самардак // Вестник ДВО РАН. 2006. — № 4. — С. 70−80.
  88. Физические свойства арсенида галлия Электронный ресурс. — [2008]. — Режим доступа: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/GaAs.
  89. Химическая зйдиклрпедия: Галлия арсенид Электронный ресурс. [2008]. Режим доступа: http://www.chemport.ru/chemicalencyclopedialetterg.html.
  90. Арсенид галлия: материал из Википедии — свободной энциклопедии Электронный ресурс. [2008]. — Режим доступа: http ://еп. wikipedia.org/wiki/Gallium (IH)arsenide.1011. А. г
  91. Популярная библиотека химических элементов: Нитрид бора Электронный ресурс. — [2008]. — Режим доступа: http://n-t.ru/ri/ps/bi09.htm.
  92. Нитрид бора: материал из Википедии свободной энциклопедии Электронный ресурс. — [2008]. — Режим доступа: http://en.wikipedia.org/wiki/Borazon.
  93. Нитрид алюминия: материал из Википедии — свободной энциклопедии Электронный ресурс. — [2008]. — Режим доступа: http://en.wikipedia.org/wiki/Aluminiumnitride.х ' г
  94. Химическая энциклопедия: Галлия фосфид Электронный ресурс.'. -[2008]. — Режим доступа: http://www.xumuk.ru/encyklopedia.
  95. Химические элементы: Фосфид бора Электронный ресурс. — [2008]. -Режим доступа: http://www.onx.distant.rU/elements/5-Bsoed.html#BP.
  96. Гетеропереходы в полупроводниках и приборы на их основе. Электронный ресурс. — [2008]. Режим доступа: http://elkin52.narod.ru/texnika/svet2.htm.
  97. Molecular Modeling: Basic Principles and Application. / H.-D. Holtje et al.- Weinheim: Wiley-VCH, 2008. 310 p.•, r
  98. Электронная теория конденсированных сред / А. А. Кацнельсон, и др.-М.: МГУ, 1990.-240 с.
  99. , Г. М. Кластерное приближение в квантовохимических исследованиях хемосорбции и поверхностных структур. / Г. М. Жидомиров, И. Д. Михейкин. -М.: ВИНИТИ, 1984. 161 с.
  100. , А. Квантовая теория кристаллических твердых тел / А. Анима-лу. М.: Мир, 1981.-574 с.
  101. , Дж. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел / Дж. Слетер. М.: Мир, 1978. — 663 с. >, а*, tч, —1 —
  102. , A.A. Введение в квантовую химию твердого тела / A.A. Левин. -М.: Химия, 1974.-237 с.
  103. , Н. Физика твердого тела. Т. 2 / Н. Ашкрофт, Н. Мермин. М.: Мир, 1979.-424 с.
  104. , А.О. Квазимолекулярные модели хемосорбции и поверхностных структур: Дис.. докт. химич. наук. М.: МГУ. -1987. — 344 с.
  105. , И.П. Последовательный учет кулоновского взаимодействия в квантовохимичесщдх. расчетах моделей твердого тела. /, И. П. Захаров* А: О. Литинский, М. 3. Балявичус // Теор. и экспер. химия. 1982. — Т. 18 (1). — С. 16−24.
  106. , А.О. Классификация кластеров по типу локализованных граничных орбиталей. Область применеия модели. / А. О. Литинский // Журн. структ. химии. 1985. — Т. 26 (5). — С. 85−92.
  107. , А.О. Сравнение орбитально-стехиометрического и циклического кластеров на примере расчета электронного строения кремнезема. / А. О. Литинский, И. П. Захаров, В. А. Толстоногов // Журн. структ. хиц/гии. -1986.-Т. 27 (4).-С18−23. -
  108. , В. А. Квантовая химия твердого тел / В. А. Губанов, Э. 3. Курмаев, А. Л. Ивановский. М.: Наука, 1984. — 304 с.
  109. , P.A. Молекулярные модели точечных дефектов в широкощелевых твердых телах. / Р. А. Эварестов, Е. А. Котомин, А. Н. Ермошкин -Рига: Зинатне, 1983. 287 с.
  110. Ab initio molecular orbital theory. / Hehre, W. J. et al. N.-Y.: J. Wiley & Son’s, 1986.-391 p.i. , r
  111. , Дж. Пространственная симметрия и оптические свойства твердых тел. Т. 1 / Дж. Бирман- пер. с англ. — М.: Мир, 1978. — 387 с.
  112. General Atomic and Molecular Electronic Structure System / M. W. Schmidt et al.//J. Comput. Chem. 1993. — V. 14.-P. 1347−1363.
  113. , Ч. Введение в физику твердого тела. / Ч. Китель- пер. с англ. — М.: Наука, 1978.-792 с.
  114. , Т. Очерки кристаллохимии / Т. Пенкаль. — Л.: Химия, 1974. — 496 с.
  115. Dean, P. J. Progress in Solid-State Chemistry. Pt. 1 / P. J. Dean, J. O. McCaldin, G. Somorjaj New York: Pergamon Press, 1973. — 77 p.
  116. Mohammad, S. N. Emerging gallium nitride based devices / S. N. Mohammad, A. A. Salvador, H. Morkoc // Proceedings of the IEEE. 1995. — V. 83 (10). -P. 1306−1355.> ' '
  117. Hydrogen storage capacity of titanium met-cars. / N. Akman et al. // J. Phys.: Condens. Matter. 2006. — V. 18. — P. 9509−9517.
  118. Yakovkin, I. N. SrTi03/Si (001) epitaxial interface: A density functional theory study. / I. N. Yakovkin, M. Gutowski // Phys. Rev. B. 2004. — V. 70. — P. 165 319.
  119. Yakovkin, I. N. Relaxation of the Mo (112) and W (112) surfaces. L I. N.к. ,, r
  120. Yakovkin // Eur. Pliys.J. B. 2005. — V. 44. — P. 551−555. ' •
  121. Perdew, J. P. Generalized Gradient Approximation Made Simple / J. P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof// Phys. Rev. Lett. 1996. — V. 77. — P. 3865.
  122. Wadt, W. R. Ab initio effective core potentials for molecular calculations. Potentials for main group elements Na to Bi/ W. R. Wadt, P. J. Hay // J. Chem. Phys. 1985. — V.82. — P.284.
  123. , Э. А. Конденсированное ридберговское вещество / Э. А. Ма-ныкин, М. И. Ожован, П. П. Полуэктов // Природа. 2001. — № 1. — С. 22−30.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!